JP6770332B2 - 花粉形成抑制剤および花粉形成抑制方法 - Google Patents
花粉形成抑制剤および花粉形成抑制方法 Download PDFInfo
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Description
また、特許文献3には、スギ雄花寄生菌を含む花粉飛散抑制剤を用いて雄花を枯死させる方法が開示されている。しかしながら、特許文献3の方法は、製造コストが高く、また、気象条件や環境条件によって効果が左右されるため、実用化には至っていない。
1.アセト乳酸合成酵素阻害剤を含有することを特徴とする花粉形成抑制剤。
2.アセト乳酸合成酵素阻害剤を有効成分として含有することを特徴とする、前記1に記載の花粉形成抑制剤。
、またはイマザキンを含むことを特徴とする、前記1または2に記載の花粉形成抑制
剤。
とを特徴とする、前記1〜3のいずれかに記載の花粉形成抑制剤。
かに記載の花粉形成抑制剤。
6.前記1〜5のいずれかに記載の花粉形成抑制剤を用いる花粉形成抑制方法。
7.前記花粉形成抑制剤を、スギ樹幹またはヒノキ樹幹の内部に供給することを特徴とす
る、前記6に記載の花粉形成抑制方法。
記6に記載の花粉形成抑制方法。
記6に記載の花粉形成抑制方法。
は潅注することを特徴とする、前記6に記載の花粉形成抑制方法。
なるように、前記花粉形成抑制剤を、スギまたはヒノキの樹幹内部に供給すること
を特徴とする、前記7に記載の花粉形成抑制剤。
00mgとなるように、前記花粉形成抑制剤を、スギまたはヒノキの樹幹内部に供
給することを特徴とする、前記11に記載の花粉形成抑制剤。
うに、前記花粉形成抑制剤を、スギまたはヒノキの樹幹に塗布することを特徴とす
る、前記8に記載の花粉形成抑制剤。
00mgとなるように、前記花粉形成抑制剤を、スギまたはヒノキの樹幹に塗布す
ることを特徴とする、前記13に記載の花粉形成抑制剤。
、前記花粉形成抑制剤を、スギまたはヒノキの林に散布することを特徴とする、前
記9に記載の花粉形成抑制剤。
うに、前記花粉形成抑制剤を、スギまたはヒノキの根が分布している土壌に散布ま
たは潅注することを特徴とする、前記10に記載の花粉形成抑制剤。
本発明の花粉形成抑制剤は、アセト乳酸合成酵素阻害剤を含有する。アセト乳酸合成酵素阻害剤は、アミノ酸生合成に関与するアセト乳酸合成酵素を阻害することにより、植物の成長を停止させる活性を有する。本発明においては、かかる活性を有するものであれば、公知の阻害剤を制限なく用いることができる。具体的には、ベンスルフロンメチル、アジムスルフロン、エトキシスルフロン、ピラゾスルフロンエチル、イマゾスルフロンエチル、シクロスルファムロンなどのスルホニルウレア系化合物;イマザモックス{例えば下記式(1)で表される}、イマザピック{例えば下記式(2)で表される}、イマザピル{例えば下記式(3)で表される}、イマザメタベンズメチル、イマザキン{例えば下記式(4)で表される}、イマゼタピルなどのイミダゾリノン系化合物;ピリミノバックメチル、ビスピリバック−ナトリウム塩、ペノキススラム、フロラスラムなどのピリミジルオキシ安息香酸系化合物;等を用いることができる。これらは、1種を単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。
本発明に係る花粉形成抑制剤を用いた花粉形成抑制方法(以下、本発明の花粉形成抑制方法と呼ぶことがある。)について、具体的に説明する。本発明の花粉形成抑制方法における具体的な処理方法としては、例えば、以下があげられる。
(1)花粉形成抑制剤を樹幹内部に直接供給する方法(樹幹内部供給)
(2)花粉形成抑制剤を樹幹に塗布する方法(樹幹塗布)
(3)花粉形成抑制剤を植物に散布する方法(散布)
(4)根が分布している土壌に、花粉形成抑制剤を散布または潅注する方法(土壌処理)
樹幹内部供給の場合、花粉形成抑制剤は、液状製剤または半固形製剤であることが好ましく、液状製剤であることがより好ましい。具体的な処理方法としては、例えば、花粉を形成する前の樹幹に孔をあけ、スポイト、ピペット、注射器などの注入器を用いて花粉形成抑制剤を孔から注入する方法があげられる。また、注入器による供給に替えて、花粉形成抑制剤含有液を先端に浸み込ませた釘や、含有液入りカプセルを取り付けたピンを孔に差し込んでもよい。花粉形成抑制剤はそのまま使用してもよいが、予め、液体担体を用いて花粉形成抑制剤を適切な濃度に希釈乃至溶解しておき、得られた希釈液乃至溶解液を注入器に入れてもよい。
樹幹塗布の場合、花粉形成抑制剤は、液状製剤または半固形製剤であることが好ましく、半固形製剤であることがより好ましい。具体的な処理方法としては、例えば、樹幹外樹皮を剥皮して花粉形成抑制剤を塗布する方法があげられる。花粉形成抑制剤はそのまま塗布してもよいが、予め、液体担体を用いて希釈乃至溶解しておき、得られた希釈液乃至溶解液を塗布してもよい。
散布の場合、花粉形成抑制剤は、液状製剤または固形製剤であることが好ましく、液状製剤であることがより好ましい。具体的な処理方法としては、例えば、スプレー、シャワー、スプリンクラー、ミスト機などの人力式または動力式の噴霧機または散布機などを使用して、花粉形成抑制剤を枝葉、茎、幹、花などの植物表面に散布する方法があげられる。効率よく有効成分が吸収されるという観点から、枝葉に散布することが好ましい。花粉形成抑制剤はそのまま散布してもよいが、予め、液体担体を用いて希釈、溶解あるいは分散させておき、得られた希釈液、溶解液あるいは分散液を散布してもよい。
土壌処理の場合、花粉形成抑制剤は、液状製剤または固形製剤であることが好ましい。具体的な処理方法としては、例えば、噴霧機、散布機または潅注機などの機器を使用して、植物の根が分布している土壌に花粉形成抑制剤を散布または潅注する方法があげられる。噴霧機および散布機としては、(3)散布処理であげたものと同様の機器があげられる。花粉形成抑制剤はそのまま用いてもよいが、予め、液体担体を用いて希釈、溶解または分散させておき、得られた希釈液、溶解液または分散液を噴霧機、散布機または潅注機などの機器に入れて利用に供してもよい。
有効成分としてイマザモックス アンモニウム塩(イマザモックス)と、界面活性剤としてポリオキシエチレンアルキルエーテルと、液体担体として水とを、表1に示す組成で配合し、イマザモックス液剤を調製した。
有効成分としてイマザピック アンモニウム塩(イマザピック)と、界面活性剤としてポリオキシエチレンアルキルエーテルと、液体担体として水とを、表2に示す組成で配合し、イマザピック液剤を調製した。
有効成分としてイマザモックス アンモニウム塩(イマザモックス)と、界面活性剤としてポリオキシエチレンアルキルエーテルと、液体担体として水とを、表3に示す組成で配合し、イマザモックス液剤を調製した。
ガラス温室内において、ポットに定植した樹高約0.6mのスギ苗木を供試用植物とし、地際から約50mmの高さの樹幹(樹幹直径約10mm)に錐で孔(直径約1mm、深さ約5mm)を2個あけた。製剤実施例1のイマザモックス液剤および製剤実施例2のイマザピック液剤を、有効成分の薬剤濃度が5ppm、15ppm、50ppm、150ppmまたは500ppmとなるように、それぞれ水で希釈して合計10種類の液剤を調製した。調製した液剤1種に対してスギ苗木を3本ずつ用意し、これらの液剤10μLをそれぞれ3本の苗木の孔に注入した。注入から約3か月後の7月、雄花形成を誘導するため100ppmジベレリン水溶液をスギ苗木の葉面全体に、表面が濡れる程度(約30mL/1本)散布した。ジベレリン散布から6か月後に、各スギ苗木について、雄花の着花程度および薬害程度を調査した。
[薬害指数]
0:薬害なし
1:わずかに変色あり(5%未満枯れている)
2:一部に変色あり(5%以上20%未満枯れている)
3:変色・葉枯れが多い(20%以上50%未満枯れている)
4:変色・葉枯れが多いが枯死に至っていない(50%以上90%未満枯れている)
5:枯死(90%以上枯れている)
茨城県下妻市の圃場において、樹高約2mの5年生スギを供試木とし、地際から0.3〜0.5mの高さの樹幹(樹幹直径約80mm)の2〜3か所に、錐で孔(直径約6mm、深さ約20mm)をあけた。製剤実施例1のイマザモックス液剤を、有効成分の薬剤濃度が5.7ppm、57ppm、570ppmとなるように、それぞれ水で希釈して3種類の液剤を調製した。また、製剤実施例2のイマザピック液剤を、有効成分の薬剤濃度が17.1ppm、57ppm、171ppmとなるように、それぞれ水で希釈して3種類の液剤を調製した。これらの液剤をそれぞれ5本の供試木に1mLずつ注入した。注入から1か月後の7月に、雄花形成を誘導するため100ppmジベレリン水溶液をスギ葉面全体に散布(100〜200mL/1本)した。ジベレリン散布後の6か月後に、実施例1と同様の方法により、雄花の着花指数および薬害指数を調査した結果を表5に示す。
5月、三重県伊賀市のスギ林において、樹高20±5m(平均約20m)のスギを供試木とし、地際から0.3〜0.5mの高さの樹幹(樹幹直径平均約280mm(200〜500mm))に、錐で孔(直径約6mm、深さ約60mm)をあけた。製剤実施例3のイマザモックス液剤を、スギ1本当たり1.4mL、2.8mL、5.6mLずつ、それぞれ12本の供試木に注入した。翌年3月に、実施例1と同様の方法により、雄花の着花指数および薬害指数を調査した結果を表6に示す。
Claims (15)
- アセト乳酸合成酵素阻害剤として、イマザモックス、イマザピック、イマザピル、またはイマザキンを含み、
液状製剤、半固形製剤または固形製剤であり、
ヒノキ科植物の樹幹の内部に供給することを特徴とするヒノキ科植物用花粉形成抑制剤。 - 樹木1本あたりのアセト乳酸合成酵素阻害剤の量が0.05μg〜2000mgとなるように、前記花粉形成抑制剤を、ヒノキ科植物の樹幹内部に供給することを特徴とする、請求項1に記載の花粉形成抑制剤。
- 樹高20m以上の樹木1本あたりのアセト乳酸合成酵素阻害剤の量が1mg〜2000mgとなるように、前記花粉形成抑制剤を、ヒノキ科植物の樹幹内部に供給することを特徴とする、請求項2に記載の花粉形成抑制剤。
- アセト乳酸合成酵素阻害剤として、イマザモックス、イマザピック、イマザピル、またはイマザキンを含み、
液状製剤または半固形製剤であり、
ヒノキ科植物の樹幹に塗布することを特徴とするヒノキ科植物用花粉形成抑制剤。 - 樹木1本あたりのアセト乳酸合成酵素阻害剤の量が2μg〜5000mgとなるように、前記花粉形成抑制剤を、ヒノキ科植物の樹幹に塗布することを特徴とする、請求項4に記載の花粉形成抑制剤。
- 樹高20m以上の樹木1本あたりのアセト乳酸合成酵素阻害剤の量が2mg〜5000mgとなるように、前記花粉形成抑制剤を、ヒノキ科植物の樹幹に塗布することを特徴とする、請求項5に記載の花粉形成抑制剤。
- アセト乳酸合成酵素阻害剤として、イマザモックス、イマザピック、イマザピル、またはイマザキンを含み、
液状製剤または固形製剤であり、
ヒノキ科植物の枝葉に散布することを特徴とするヒノキ科植物用花粉形成抑制剤。 - 林1haあたりのアセト乳酸合成酵素阻害剤の量が10g〜500gとなるように、前記花粉形成抑制剤を、ヒノキ科植物の枝葉に散布することを特徴とする、請求項7に記載の花粉形成抑制剤。
- アセト乳酸合成酵素阻害剤として、イマザモックス、イマザピック、イマザピル、またはイマザキンを含み、
液状製剤または固形製剤であり、
ヒノキ科植物の根が分布している土壌に散布または潅注することを特徴とするヒノキ科植物用花粉形成抑制剤。 - 林1haあたりのアセト乳酸合成酵素阻害剤の量が100g〜5000gとなるように、前記花粉形成抑制剤を、ヒノキ科植物の根が分布している土壌に散布または潅注することを特徴とする、請求項9に記載の花粉形成抑制剤。
- 前記アセト乳酸合成酵素阻害剤として、イマザモックスまたはイマザピックを含むことを特徴とする、請求項1〜10の何れかに記載の花粉形成抑制剤。
- 請求項1〜3の何れかに記載の花粉形成抑制剤を、ヒノキ科植物の樹幹の内部に供給することを特徴とするヒノキ科植物の花粉形成抑制方法。
- 請求項4〜6の何れかに記載の花粉形成抑制剤を、ヒノキ科植物の樹幹に塗布することを特徴とするヒノキ科植物の花粉形成抑制方法。
- 請求項7または8に記載の花粉形成抑制剤を、ヒノキ科植物の枝葉に散布することを特徴とするヒノキ科植物の花粉形成抑制方法。
- 請求項9または10に記載の花粉形成抑制剤を、ヒノキ科植物の根が分布している土壌に散布または潅注することを特徴とするヒノキ科植物の花粉形成抑制方法。
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