JP6765204B2 - 研磨方法 - Google Patents

Description

本発明は、光学材料、半導体用基板、半導体ウエハ、ハードディスク基板、液晶用ガラス基板、半導体デバイスなどの高度の表面平坦性を要求される材料の研磨を行うための研磨シート乃至研磨パッドによる研磨方法に関する。

光学材料、半導体基板、半導体ウエハ、ハードディスク基板、液晶用ガラス基板、半導体デバイスは非常に精密な平坦性が要求される。また半導体材料の表面は、金属、有機及び無機の絶縁材料など硬度の異なる様々な材料が露出している。このような材料の表面を平坦に研磨するためには、研磨パッドの表面も常に平坦性を維持していることが必要である。研磨パッドの表面の剛性が研磨作業の間に変化する場合には、所望の平坦性は達成できない。例えば、局部的に剛性が低下した研磨パッドの表面により、精密な平坦性は達成できず、また金属部分のみが優先的に研磨される現象（ディッシング）などが起こる。

半導体材料の表面には、金属配線（銅配線など）及び絶縁膜（ＳｉＯ_２膜など）が存在している。半導体材料の表面の研磨パッドによる研磨方法においては、一般的に研磨圧力と研磨レートとは比例関係にあるが、研磨レートを大きくするために研磨圧力を上げると、金属配線と絶縁膜が過剰に除去される恐れがある。一方、金属配線と絶縁膜が過剰に除去されないように研磨圧力を下げると、研磨レートが小さくなり、研磨効率が低下してしまう。

特許文献１には、ストップ膜及び絶縁膜の両方が過剰に除去される現象（エロージョン）並びにパターン凹部の絶縁膜が過度に除去される現象（ディッシング）を防止するための化学機械研磨用スラリーが開示されている。しかしながら、研磨パッドによる研磨方法において、研磨パッドの組成、研磨圧力、研磨レートなどを制御することは開示されていない。

国際公開第２０１２／１６１２０２号

従来の研磨パッドによる研磨方法においては、研磨圧力を上げると金属と絶縁材料が過剰に除去される恐れがあるため、十分に研磨圧力を上げることができず高い研磨レートが得られていなかった。また、本発明者らが検討したところ、従来の研磨パッドによる研磨方法においては、被研磨物にスクラッチが発生することがあると分かった。そこで、本発明者らが鋭意検討した結果、特定組成のポリウレタン樹脂からなる研磨層を有する研磨パッドを用いることにより、任意の研磨圧力及び／又は低い研磨圧力においても高い研磨レートが得られ、被研磨物におけるスクラッチの発生を抑制できる本発明を完成した。

即ち、本発明は以下のものを提供する。
[１]
ポリウレタン樹脂からなる研磨層の表面を研磨面とする研磨パッドを研磨定盤に配し、定盤と相対するトップリングに被研磨物として光学材料又は半導体材料を配し、前記トップリング側から押圧して前記被研磨物を前記研磨層の表面に当接し、研磨液を前記研磨面に供給しながら前記被研磨物と前記研磨層の表面にずり応力がかかる方向に前記研磨定盤と前記トップリングを夫々回転させることにより、前記被研磨物の表面を研磨する方法であって、
前記研磨層が、ポリイソシアネート化合物、ポリオール化合物、３，３’−ジクロロ−４，４’−ジアミノジフェニルメタンを含む硬化剤、及び微小中空球体を含むポリウレタン樹脂硬化性組成物を硬化させて形成され、
前記硬化剤が、硬化剤の総量を１００重量％として、下記式：

で表される４量体を３〜１０重量％含み、
前記押圧による研磨圧力が０．５ｐｓｉ以上〜３．５ｐｓｉ未満で研磨することを特徴とする研磨方法。
[２]
前記光学材料又は半導体材料の表面が金属又は金属化合物を含んでなる、[１]に記載の研磨方法。
[３]
前記光学材料又は半導体材料の表面がケイ素含有膜を含んでなる、[１]又は[２]に記載の研磨方法。
[４]
前記研磨圧力が０．５ｐｓｉ以上〜２．５ｐｓｉ以下である、[１]乃至[３]のいずれかに記載の研磨方法。
[５]
前記研磨定盤の回転数が４０ｒｐｍ以上〜１２０ｒｐｍ以下、前記トップリングの回転数（ｒｐｍ）が（前記研磨定盤の回転数（ｒｐｍ））×（１．０±０．１）である、[１]乃至[４]のいずれかに記載の研磨方法。
[６]
前記研磨層のショアＤ硬度が２０°以上〜８０°以下である、[１]乃至[５]のいずれかに記載の研磨方法。
[７]
前記研磨層表面の、単位面積あたりのランド部面積割合が６０％以上〜９５％以下であり、且つ、単位面積あたりのエッジ部の総長さが０．５ｃｍ^−１以上〜１０．０ｃｍ^−１以下である、[１]乃至[６]のいずれかに記載の研磨方法。
[８]
前記金属又は金属化合物と、前記ケイ素含有膜を同一の研磨パッドを用いて研磨する[１]乃至[７]のいずれかに記載の研磨方法。

本発明によれば、任意の研磨圧力及び／又は低い研磨圧力においても高い研磨レートが得られる。また、本発明によれば、被研磨物におけるスクラッチの発生を抑制できる。

銅基板の研磨時の各研磨圧力（ｐｓｉ）における研磨レート（Å）を示すグラフである。 ＳｉＯ_２膜の研磨時の各研磨圧力（ｐｓｉ）における研磨レート（Å）を示すグラフである。

（研磨パッド）
本発明の研磨パッドは、発泡ポリウレタン樹脂からなる研磨層を有する。研磨層は被研磨材料に直接接する位置に配置され、研磨パッドのその他の部分は、研磨パッドを支持するための材料、例えば、ゴムなどの弾性に富む材料で構成されてもよい。研磨パッドの剛性によっては、研磨パッド全体を１つの研磨層とすることができる。

本発明の研磨パッドは、研磨屑の蓄積時に被研磨材料にスクラッチ等のディフェクトが生じにくいことを除けば、一般的な研磨パッドと形状に大きな差異は無く、一般的な研磨パッドと同様に使用することができ、例えば、研磨パッドを回転させながら研磨層を被研磨材料に押し当てて研磨することもできるし、被研磨材料を回転させながら研磨層に押し当てて研磨することもできる。

本発明の研磨パッドの特徴は、研磨層が、ポリイソシアネート化合物、ポリオール化合物、３，３’−ジクロロ−４，４’−ジアミノジフェニルメタン（以下「ＭＯＣＡ」ということがある）を含む硬化剤、及び微小中空球体を含むポリウレタン樹脂硬化性組成物を硬化させて形成され、前記硬化剤の総量を１００重量％として前記式の４量体を３〜１０重量％、好ましくは４〜８重量％、より好ましくは５〜７重量％含むことである。ＭＯＣＡの化学構造は、

であり、４量体の化学構造は、

である。
４量体はアミノ基の反応基を１分子内に４つ有する化合物で、４つのアミノ基の反応性は１個目＞２個目＞３個目＞４個目と順時低下する。したがって、４量体の反応性は、１分子内にアミノ基を２つ有するＭＯＣＡ（３，３’−ジクロロ−４，４’−ジアミノジフェニルメタン）に比べてマイルドになる。４量体を多く含む硬化剤を使用した場合、４個目のアミノ基の反応性は反応性低下や立体障害のため、反応しない可能性もあり、得られる硬化体の耐熱性が低くなる（樹脂が軟化しやすい傾向になる）ものと考えられる。

（研磨パッドの製造方法）
本発明の研磨パッドは、一般に知られたモールド成形、スラブ成形等の製造法より作成できる。まずは、それら製造法によりポリウレタンのブロックを形成し、ブロックをスライス等によりシート状とし、ポリウレタン樹脂から形成される研磨層を成形し、支持体などに貼り合わせることによって製造される。あるいは支持体上に直接研磨層を成形することもできる。

本発明の研磨方法に使用する研磨パッドは、研磨層の研磨面とは反対の面側に研磨定盤への固定手段を有していることが好ましい。固定手段に特に制限はなく、当技術分野において公知の両面テープ、接着剤、面ファスナー等の中から任意に選択して使用することが出来る。また、本発明の研磨パッドは、研磨層のみからなる単層構造であってもよく、研磨層の研磨面とは反対の面側に他の層（下層、支持層）を貼り合わせた複層からなっていてもよい。

研磨層は、ポリイソシアネート化合物、ポリオール化合物を含むポリウレタン樹脂硬化性組成物を調製し、前記ポリウレタン樹脂硬化性組成物を硬化させることによって成形される。

研磨層は発泡ポリウレタン樹脂から構成されるが、発泡は微小中空球体を含む発泡剤をポリウレタン樹脂中に分散させて行うことができ、この場合、ポリイソシアネート化合物、ポリオール化合物、及び発泡剤を含むポリウレタン樹脂発泡硬化性組成物を調製し、ポリウレタン樹脂発泡硬化性組成物を発泡硬化させることによって成形される。

ポリウレタン樹脂硬化性組成物は、例えば、ポリイソシアネート化合物を含むＡ液と、それ以外の成分を含むＢ液とを混合して調製する２液型の組成物とすることもできる。それ以外の成分を含むＢ液はさらに複数の液に分割して３液以上の液を混合して構成される組成物とすることができる。

ポリイソシアネート化合物が、当業界でよく用いられるような、ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物との反応により調製されるプレポリマーを含んでもよい。プレポリマーは未反応のイソシアネート基を含む当業界で一般に使用されているものが本発明においても使用できる。

（イソシアネート成分）
イソシアネート成分としては、例えば、
ｍ−フェニレンジイソシアネート、
ｐ−フェニレンジイソシアネート、
２，６−トリレンジイソシアネート（２，６−ＴＤＩ）、
２，４−トリレンジイソシアネート（２，４−ＴＤＩ）、
ナフタレン−１，４−ジイソシアネート、
ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート（ＭＤＩ）、
４，４’−メチレン−ビス（シクロヘキシルイソシアネート）（水添ＭＤＩ）、
３，３’−ジメトキシ−４，４’−ビフェニルジイソシアネート、
３，３’−ジメチルジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、
キシリレン−１，４−ジイソシアネート、
４，４’−ジフェニルプロパンジイソシアネート、
トリメチレンジイソシアネート、
ヘキサメチレンジイソシアネート、
プロピレン−１，２−ジイソシアネート、
ブチレン−１，２−ジイソシアネート、
シクロヘキシレン−１，２−ジイソシアネート、
シクロヘキシレン−１，４−ジイソシアネート、
ｐ−フェニレンジイソチオシアネート、
キシリレン−１，４−ジイソチオシアネート、
エチリジンジイソチオシアネート
等が挙げられる。

（ポリオール成分）
ポリオール成分としては、例えば、
エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、ペンタンジオール、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオールなどのジオール；
ポリテトラメチレングリコール（ＰＴＭＧ）、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールなどのポリエーテルポリオール；
エチレングリコールとアジピン酸との反応物やブチレングリコールとアジピン酸との反応物等のポリエステルポリオール；
ポリカーボネートポリオール；
ポリカプロラクトンポリオール；
等が挙げられる。

（硬化剤）
硬化剤は、ポリイソシアネート化合物としてプレポリマーを使用する場合には、プレポリマー中のイソシアネート基と反応させて、ポリウレタン樹脂を完成させる化合物である。本発明では、ＭＯＣＡを含む硬化剤を使用するが、以下に説明するＭＯＣＡ以外の硬化剤を含むことができる。

硬化剤として使用するポリオールは、上述したポリオール成分と同様である。また、３官能のグリセリンなどのトリオール、４官能以上のポリオールも使用できる。

ポリアミンとしては、例えば、ジアミンが挙げられ、これには、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどのアルキレンジアミン；イソホロンジアミン、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジアミンなどの脂肪族環を有するジアミン；芳香族環を有するジアミン；２−ヒドロキシエチルエチレンジアミン、２−ヒドロキシエチルプロピレンジアミン、ジ−２−ヒドロキシエチルエチレンジアミン、ジ−２−ヒドロキシエチルプロピレンジアミン、２−ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、ジ−２−ヒドロキシプロピルエチレンジアミン等の水酸基を有するジアミン、特にヒドロキシアルキルアルキレンジアミン；等が挙げられる。また、３官能のトリアミン化合物、４官能以上のポリアミン化合物も使用可能である。

（発泡剤）
微小中空球体をポリウレタン樹脂に混合することによって発泡体を形成することができる。微小中空球体とは、熱可塑性樹脂からなる外殻（ポリマー殻）と、外殻に内包される低沸点炭化水素とからなる未発泡の加熱膨張性微小球状体を、加熱膨張させたものをいう。前記ポリマー殻としては、例えば、アクリロニトリル−塩化ビニリデン共重合体、アクリロニトリル−メチルメタクリレート共重合体、塩化ビニル−エチレン共重合体などの熱可塑性樹脂を用いることができる。同様に、ポリマー殻に内包される低沸点炭化水素としては、例えば、イソブタン、ペンタン、イソペンタン、石油エーテル等を用いることができる。

（その他の成分）
その他に当業界で一般的に使用される触媒などを発泡硬化性組成物に添加してもよい。

（硬度）
本発明の研磨方法に使用する研磨パッドは、好ましくはショアＤ硬度が２０°〜８０°、より好ましくは２０°〜５０°であると、機械的作用に因るスクラッチが低減できる傾向にある。硬度は例えば密度によって制御できる。

（溝）
本発明の研磨方法に使用する研磨パッドは、溝を有することが好ましい。溝を有することでスラリーの拡散性が向上し、均一な研磨ができる。しかしその一方で、溝の割合が多いと充分な摩擦が発生せず、化学的作用が効率的に得られなくなる。加えて、溝によるエッジ部が多くなると、軟質な銅配線部が選択的に研磨される結果、凹部状に過剰に研磨される（ディッシング）現象を生じる恐れがある。以上を踏まえると、単位面積当たりのランド部（被研磨物と接する凸部）の割合が６０％〜９５％であり、且つ、単位面積あたりの溝によるエッジ部の長さが０．５〜１０．０ｃｍ^−１であることが望ましい。

（被研磨物）
本発明の研磨パッドは、金属又は金属化合物の研磨に用いられることが好ましく、銅、アルミニウム、チタン、タンタル、タングステン、ルテニウム又はこれらの化合物の研磨に用いられることがより好ましく、銅の研磨に用いられることが最も好ましい。また、本発明の研磨パッドは、ケイ素膜、ケイ素化合物膜などのケイ素含有膜の研磨に用いられることが好ましく、ＳｉＯ_２膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＯＣＨ膜、ＳｉＣＮ膜などのケイ素化合物膜の研磨に用いられることがより好ましく、ＳｉＯ_２膜（テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）からなる膜）の研磨に用いられることが最も好ましい。

（研磨圧力・研磨レート）
本発明の研磨パッドを金属又は金属化合物の研磨に用いる場合には、研磨圧力は、０．５ｐｓｉ〜３．５ｐｓｉが好ましく、０．５ｐｓｉ〜２．５ｐｓｉが最も好ましく、また、３０秒の研磨時間当たりの研磨レートは、５０００〜１２０００Åが好ましく、６０００〜１１０００Åがより好ましく、７０００〜１００００Åが最も好ましい。
本発明の研磨パッドをケイ素含有膜の研磨に用いる場合には、研磨圧力は、３．５ｐｓｉ未満が好ましく、０．５ｐｓｉ〜３．５ｐｓｉ未満がより好ましく、０．５ｐｓｉ〜２．５ｐｓｉが最も好ましく、また、６０秒の研磨時間当たりの研磨レートは、４００〜１３００Åが好ましく、５００〜１２００Åがより好ましく、６００〜１１００Åが最も好ましい。
被研磨物と研磨パッドとの摩擦抵抗を高めることで、本発明の効果をより顕著に得られる。研磨定盤及び、被研磨物を保持する保持ヘッド（トップリング）の回転数を、研磨定盤の回転数が４０ｒｐｍ以上〜１２０ｒｐｍ以下、トップリングの回転数（ｒｐｍ）が（研磨定盤の回転数（ｒｐｍ））×（１．０±０．１）と設定することができる。上記範囲よりも回転数が低いと、摩擦熱が得られず研磨レートが低下する傾向にある。一方、回転数が高いと機械的作用が増大し、スクラッチが増大する傾向にある。

本発明を以下の例により実験的に説明するが、以下の説明は、本発明の範囲が以下の例に限定して解釈されることを意図するものではない。

（材料）
以下の例で使用した材料を列挙する。
・ウレタンプレポリマーの商品名：
ＤＩＣ社製 パンデックスＣ７３０
・ＭＯＣＡの商品名（いずれも前記４量体を少量含む。）：
ＤＩＣ社製 パンデックスＥ、パンデックスＥ５０
ユニロイヤル社製 ＡＤＩＰＲＥＮＥ Ｌ３２５
・中空微粒子の商品名：
日本フィライト社製 EXPANCEL 551DE40d42
松本油脂社製 マツモトマイクロスフェアー F-80DE

（実施例１）
Ａ成分にトリレンジイソシアネートを主成分とするＮＣＯ当量４６０のウレタンプレポリマー（パンデックスＣ７３０）を１００ｇ（部）、Ｂ成分に硬化剤であるパンデックスＥとパンデックスＥ５０を重量比１：１で混合したもの（硬化剤の重量を１００重量％として４量体を６．０重量％含有）を３０．７５ｇ（部）、Ｃ成分に中空微粒子を２．２５ｇ（部）(EXPANCEL 551DE40d42とマツモトマイクロスフェアー F-80DEを４：１で混合)、それぞれ準備する。なお、比率を示すためｇ表示として記載しており、ブロックの大きさに応じて必要な重量（部）を準備する。以下同様にｇ（部）表記で記載する。
Ａ成分およびＢ成分をそれぞれ予め減圧脱泡した後、Ａ成分、Ｂ成分及びＣ成分を混合機に供給した。
得られた混合液を８０℃に加熱した型枠（890mm×890mmの正方形）に注型し５時間加熱し硬化させた後、形成された樹脂発泡体を型枠から抜き出した。この発泡体を1.3mm厚にスライスしてウレタンシートを作成し、研磨パッドを得た。

（比較例１）
Ａ成分にトリレンジイソシアネートを主成分とするＮＣＯ当量４６０のウレタンプレポリマー（ＡＤＩＰＲＥＮＥ Ｌ３２５）を１００ｇ（部）、Ｂ成分に硬化剤であるパンデックスＥ（硬化剤の重量を１００重量％として４量体を２．１重量％含有）を２９．８ｇ（部）、Ｃ成分に中空微粒子（EXPANCEL 551DE40d42）を２．０ｇ（部）、それぞれ準備する。
以降、実施例１と同様にしてウレタンシートを作成し、研磨パッドを得た。

（研磨レート）
研磨試験の条件は下記の通りである。
＜銅からなる基板を研磨する場合＞
・使用研磨機：荏原製作所社製、Ｆ−ＲＥＸ３００
・Ｄｉｓｋ：３Ｍ Ａ１８８(＃６０)
・回転数：（定盤）７０ｒｐｍ、（トップリング）７１ｒｐｍ
・研磨圧力：０．５ｐｓｉ、１．５ｐｓｉ、２．５ｐｓｉ、３．５ｐｓｉ、４．５ｐｓｉ
・研磨剤：ＦＵＪＩＦＩＬＭ Ｐｌａｎａｒ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ社製Ｓｌｕｒｒｙ
・研磨剤温度：２０℃
・使用ワーク（被研磨物）：１２インチφ銅メッキ基板
・研磨時間：３０秒間／各回
・研磨剤吐出量：２００ｍｌ／ｍｉｎ
＜ＳｉＯ_２膜を研磨する場合＞
下記の条件以外は、上記の銅からなる基板を研磨する場合の条件と同じである。
・研磨圧力：０．５ｐｓｉ、１．５ｐｓｉ、２．５ｐｓｉ、３．５ｐｓｉ
・研磨剤：キャボット社製、品番：ＳＳ２５（ＳＳ２５原液：純水＝重量比１：１の混合液を使用）
・使用ワーク（被研磨物）：１２インチφシリコンウエハ上にテトラエトキシシランをＰＥ−ＣＶＤで絶縁膜１μｍの厚さになるように形成した基板
・研磨時間：６０秒間／各回

（スクラッチ）
スクラッチ等のディフェクトの評価は、上記（研磨レート）＜ＳｉＯ_２膜を研磨する場合＞と同様の研磨の条件で２５枚の基板を研磨し、研磨加工後の２１〜２５枚目の基板５枚について、ウエハ表面検査装置（ＫＬＡテンコール社製、Ｓｕｒｆｓｃａｎ ＳＰ１ＤＬＳ）の高感度測定モードにて測定し、基板表面におけるスクラッチ等のディフェクトの個数を評価した。スクラッチ等のディフェクトの評価では、１２インチ（３００ｍｍφ）ウエハに０．１６μｍ以上のディフェクトが２００個未満を○、２００個以上を×とした。

（４量体の分析条件）
・使用分析機：Gel Permeation Chromatography L-7200（Hitachi）
・カラム：Ohpak KB-802.5(排除限界10000)２本直列
・移動相：DMF
・流速：0.4mL/min
・オーブン：60℃
・検出器：RI 60℃
・試料量：90μL

研磨レートに関する試験の結果を表１及び２並びに図１及び２に示す。

表１及び図１に示すように、硬化剤として使用するＭＯＣＡに含まれる４量体の量が特定の範囲内にある実施例１は、銅基板の研磨時に０．５、１．５、２．５、３．５、４．５ｐｓｉのいずれの研磨圧力においても比較例１より優れた研磨レートを示すことがわかった。すなわち、実施例１は、銅基板の研磨時に０．５ｐｓｉ〜４．５ｐｓｉの広い範囲の研磨圧力において高い研磨レートが得られることがわかった。
また、表２及び図２に示すように、実施例１は、ＳｉＯ_２膜の研磨時に０．５、１．５、２．５、３．５ｐｓｉの研磨圧力において比較例より優れた研磨レートを示すことがわかった。すなわち、実施例１は、ＳｉＯ_２膜の研磨時に０．５ｐｓｉ〜３．５ｐｓｉ未満の比較的低い研磨圧力において高い研磨レートが得られることがわかった。
上記の結果より、実施例１は、０．５ｐｓｉ〜３．５ｐｓｉ未満の低い研磨圧力においても、銅基板及びＳｉＯ_２膜のいずれも高い研磨レートにて研磨することが可能であることがわかった。

スクラッチに関する試験の結果について、実施例１で得られた研磨パッドは、基板表面におけるスクラッチ等のディフェクトの個数が少なく、評価は○であったが、比較例１の研磨パッドは、基板表面におけるスクラッチ等のディフェクトの個数が多く、評価は×であった。

Claims (8)

1. ポリウレタン樹脂からなる研磨層の表面を研磨面とする研磨パッドを研磨定盤に配し、定盤と相対するトップリングに被研磨物として光学材料又は半導体材料を配し、前記トップリング側から押圧して前記被研磨物を前記研磨層の表面に当接し、研磨液を前記研磨面に供給しながら前記被研磨物と前記研磨層の表面にずり応力がかかる方向に前記研磨定盤と前記トップリングを夫々回転させることにより、前記被研磨物の表面を研磨する方法であって、
   前記研磨層が、ポリイソシアネート化合物、ポリオール化合物、３，３’−ジクロロ−４，４’−ジアミノジフェニルメタンを含む硬化剤、及び微小中空球体を含むポリウレタン樹脂硬化性組成物を硬化させて形成され、
   前記硬化剤が、硬化剤の総量を１００重量％として、下記式：
   

   

   で表される４量体を３〜１０重量％含み、
   前記押圧による研磨圧力が０．５ｐｓｉ以上〜３．５ｐｓｉ未満で研磨することを特徴とする研磨方法。
2. 前記光学材料又は半導体材料の表面が金属又は金属化合物を含んでなる、請求項１に記載の研磨方法。
3. 前記光学材料又は半導体材料の表面がケイ素含有膜を含んでなる、請求項１又は２に記載の研磨方法。
4. 前記研磨圧力が０．５ｐｓｉ以上〜２．５ｐｓｉ以下である、請求項１乃至３のいずれかに記載の研磨方法。
5. 前記研磨定盤の回転数が４０ｒｐｍ以上〜１２０ｒｐｍ以下、前記トップリングの回転数（ｒｐｍ）が（前記研磨定盤の回転数（ｒｐｍ））×（１．０±０．１）である、請求項１乃至４のいずれかに記載の研磨方法。
6. 前記研磨層のショアＤ硬度が２０°以上〜８０°以下である、請求項１乃至５のいずれかに記載の研磨方法。
7. 前記研磨層表面の、単位面積あたりのランド部面積割合が６０％以上〜９５％以下であり、且つ、単位面積あたりのエッジ部の総長さが０．５ｃｍ^−１以上〜１０．０ｃｍ^−１以下である、請求項１乃至６のいずれかに記載の研磨方法。
8. 前記光学材料又は半導体材料の表面が、金属又は金属化合物とケイ素含有膜とを含んでなり、前記金属又は金属化合物と、前記ケイ素含有膜を同一の研磨パッドを用いて研磨する請求項１乃至７のいずれかに記載の研磨方法。

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