JP6764848B2 - Strain gauge and strain gauge manufacturing method - Google Patents

Strain gauge and strain gauge manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP6764848B2
JP6764848B2 JP2017215327A JP2017215327A JP6764848B2 JP 6764848 B2 JP6764848 B2 JP 6764848B2 JP 2017215327 A JP2017215327 A JP 2017215327A JP 2017215327 A JP2017215327 A JP 2017215327A JP 6764848 B2 JP6764848 B2 JP 6764848B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching stop
metal layer
resistor
strain gauge
stop layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017215327A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2019086420A (en
JP2019086420A5 (en
Inventor
真一 丹羽
真一 丹羽
寿昭 浅川
寿昭 浅川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MinebeaMitsumi Inc
Original Assignee
MinebeaMitsumi Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by MinebeaMitsumi Inc filed Critical MinebeaMitsumi Inc
Priority to JP2017215327A priority Critical patent/JP6764848B2/en
Priority to PCT/JP2018/041336 priority patent/WO2019093373A1/en
Publication of JP2019086420A publication Critical patent/JP2019086420A/en
Publication of JP2019086420A5 publication Critical patent/JP2019086420A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6764848B2 publication Critical patent/JP6764848B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/10—Removing layers, or parts of layers, mechanically or chemically
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/16—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. by resistance strain gauge

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

本発明は、ひずみゲージ及びひずみゲージの製造方法に関する。 The present invention relates to a strain gauge and a method for manufacturing a strain gauge.

ひずみゲージは一般に、絶縁性を有する板状の基材と、基材の一面上に設けられた抵抗体とを有し、基材の他面が起歪体の表面に接着剤によって固定されている。起歪体は一般にアルミニウム合金等の金属製であり、計測対象の重量に応じて変形する（ひずみを生じる）。起歪体に変形（ひずみ）が生じるとこれに応じてひずみゲージの抵抗体に伸縮が生じ、抵抗体の電気抵抗値が変化する。この抵抗体の電気抵抗値の変化に基づいてひずみ量が求められる。ひずみセンサの一例は特許文献１に開示されている。 A strain gauge generally has an insulating plate-shaped base material and a resistor provided on one surface of the base material, and the other surface of the base material is fixed to the surface of the strain-generating body by an adhesive. There is. The strain-causing body is generally made of a metal such as an aluminum alloy, and deforms (generates strain) according to the weight of the object to be measured. When the strain-causing body is deformed (strained), the resistor of the strain gauge expands and contracts accordingly, and the electric resistance value of the resistor changes. The amount of strain is determined based on the change in the electrical resistance value of this resistor. An example of a strain sensor is disclosed in Patent Document 1.

特開２０１４−８５２５９号JP-A-2014-85259

ひずみゲージの抵抗体は金属膜をパターニングすることによって形成されるが、パターニングの精度が低い場合、抵抗体の寸法のばらつきにより抵抗体の抵抗値がばらつくことがある。しかし、ひずみゲージの量産においては、所望の抵抗値の抵抗体を歩留まりよく形成することが望まれる。 A strain gauge resistor is formed by patterning a metal film, but if the patterning accuracy is low, the resistance value of the resistor may vary due to variations in the dimensions of the resistor. However, in mass production of strain gauges, it is desired to form a resistor having a desired resistance value with a good yield.

そこで、本発明は、所望の抵抗値の抵抗体を有するひずみゲージを歩留まりよく製造することができる製造方法を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a manufacturing method capable of manufacturing a strain gauge having a resistor having a desired resistance value with a high yield.

本発明の第１の態様に従えば、基材上に金属層とエッチングストップ層を交互に形成することにより積層体を形成することと、
前記積層体をパターニングして抵抗体を形成することを含むひずみゲージの製造方法が提供される。 According to the first aspect of the present invention, a laminate is formed by alternately forming a metal layer and an etching stop layer on a base material.
A method for manufacturing a strain gauge is provided, which comprises patterning the laminate to form a resistor.

第１の態様のひずみゲージの製造方法において、前記積層体を形成することが、前記基材上に第１金属層を形成し、前記第１金属層上に第１エッチングストップ層を形成し、前記第１エッチングストップ層上に第２金属層を形成することを含んでよい。前記積層体を形成することは、前記第２金属層上に第２エッチングストップ層を形成することをさらに含んでよい。 In the method for manufacturing a strain gauge according to the first aspect, forming the laminate forms a first metal layer on the base material and forms a first etching stop layer on the first metal layer. It may include forming a second metal layer on the first etching stop layer. Forming the laminate may further include forming a second etching stop layer on the second metal layer.

第１の態様のひずみゲージの製造方法は、前記金属層をエッチングすることをさらに含んでよい。前記金属層のエッチングは、前記抵抗体を形成した後に行ってよい。 The method of manufacturing a strain gauge of the first aspect may further include etching the metal layer. The etching of the metal layer may be performed after the resistor is formed.

第１の態様のひずみゲージの製造方法において、前記エッチングストップ層は絶縁体から形成されてよい。 In the method for manufacturing a strain gauge of the first aspect, the etching stop layer may be formed from an insulator.

第１の態様のひずみゲージの製造方法において、前記抵抗体が、一対のリード線接続部と、前記リード線接続部の一方からジグザグに折り返しながら延在して前記リード線接続部の他方に接続するひずみ受感部とを有してよく、
第１の態様のひずみゲージの製造方法が、前記一対のリード線接続部に前記エッチングストップ層を貫通する孔を形成することをさらに含んでよい。前記孔に導電体を充填して、前記積層体の前記金属層同士を電気的に接続することをさらに含んでもよい。 In the method for manufacturing a strain gauge according to the first aspect, the resistor extends from one of the pair of lead wire connecting portions and one of the lead wire connecting portions in a zigzag manner and connects to the other of the lead wire connecting portions. It may have a strain sensitive part to
The method of manufacturing a strain gauge of the first aspect may further include forming a hole penetrating the etching stop layer in the pair of lead wire connecting portions. The holes may be further filled with a conductor to electrically connect the metal layers of the laminate.

第１の態様のひずみゲージの製造方法において、前記エッチングストップ層が前記積層体の最上層として配置されてよい。 In the strain gauge manufacturing method of the first aspect, the etching stop layer may be arranged as the uppermost layer of the laminated body.

第１の態様のひずみゲージの製造方法において、前記基材がフィルム状の基材であり、
前記基材を前記金属層の材料からなるスパッタリングターゲットに対向する位置と前記エッチングストップ層の材料からなるスパッタリングターゲットに対向する位置の間を往復搬送しながらスパッタリングを行うことにより、前記積層体を形成してよい。前記金属層の材料からなるスパッタリングターゲット及び前記エッチングストップ層の材料からなるスパッタリングターゲットを成膜ロールの外周面に対向するように配置し、前記基材を前記成膜ロールの外周に沿って往復搬送しながら前記スパッタリングを行ってよい。 In the method for manufacturing a strain gauge according to the first aspect, the base material is a film-like base material.
The laminate is formed by performing sputtering while reciprocating the base material between a position facing the sputtering target made of the material of the metal layer and a position facing the sputtering target made of the material of the etching stop layer. You can do it. A sputtering target made of the material of the metal layer and a sputtering target made of the material of the etching stop layer are arranged so as to face the outer peripheral surface of the film forming roll, and the base material is reciprocally transported along the outer periphery of the film forming roll. While doing the sputtering, the sputtering may be performed.

本発明の第２の態様に従えば、基材と、
前記基材上に設けられた抵抗体を備え、
前記抵抗体が、金属層とエッチングストップ層が交互に形成された積層体からなるひずみゲージが提供される。 According to the second aspect of the present invention, the base material and
With a resistor provided on the substrate,
A strain gauge is provided in which the resistor is composed of a laminated body in which metal layers and etching stop layers are alternately formed.

第２の態様のひずみゲージにおいて、前記積層体が、前記基材上に形成された第１金属層と、前記第１金属層上に形成された第１エッチングストップ層と、前記第１エッチングストップ層上に形成された第２金属層を含んでよい。前記積層体は、前記第２金属層上に形成された第２エッチングストップ層をさらに含んでよい。 In the strain gauge of the second aspect, the laminated body has a first metal layer formed on the base material, a first etching stop layer formed on the first metal layer, and the first etching stop. A second metal layer formed on the layer may be included. The laminate may further include a second etching stop layer formed on the second metal layer.

第２の態様のひずみゲージにおいて、前記エッチングストップ層が絶縁体から形成されてよい。 In the strain gauge of the second aspect, the etching stop layer may be formed from an insulator.

第２の態様のひずみゲージにおいて、前記抵抗体が、一対のリード線接続部と、前記リード線接続部の一方からジグザグに折り返しながら延在して前記リード線接続部の他方に接続するひずみ受感部とを有し、
前記一対のリード線接続部において、前記エッチングストップ層を貫通する孔が形成されていてよい。前記積層体の前記金属層同士が、前記孔に充填された導電体により電気的に接続されていてよい。 In the strain gauge of the second aspect, the strain receiver in which the resistor extends from one of the pair of lead wire connecting portions and one of the lead wire connecting portions in a zigzag manner and connects to the other of the lead wire connecting portions. Has a sensory part
A hole penetrating the etching stop layer may be formed in the pair of lead wire connecting portions. The metal layers of the laminate may be electrically connected to each other by a conductor filled in the pores.

第２の態様のひずみゲージにおいて、前記エッチングストップ層が前記積層体の最上層として配置されてよい。 In the strain gauge of the second aspect, the etching stop layer may be arranged as the uppermost layer of the laminated body.

本発明のひずみゲージの製造方法では、金属層とエッチングストップ層を交互に積層した積層体から抵抗体を形成することにより、抵抗体の抵抗値を容易にかつ精度よく調整できる。そのため所望の抵抗値の抵抗体を有するひずみゲージを歩留りよく製造できる。 In the strain gauge manufacturing method of the present invention, the resistance value of the resistor can be easily and accurately adjusted by forming the resistor from the laminate in which the metal layer and the etching stop layer are alternately laminated. Therefore, a strain gauge having a resistor having a desired resistance value can be manufactured with a high yield.

図１は本発明の実施形態に係るひずみゲージの斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a strain gauge according to an embodiment of the present invention. 図２（ａ）〜（ｃ）はひずみゲージの抵抗体の概略断面図である。2 (a) to 2 (c) are schematic cross-sectional views of a strain gauge resistor. 図３（ａ）はエッチングストップ層を貫通する孔を形成したリード線接続部の概略断面図であり、図３（ｂ）は該リード線接続部の孔に導電体を充填した状態を示す概略断面図である。FIG. 3A is a schematic cross-sectional view of a lead wire connecting portion having a hole penetrating the etching stop layer, and FIG. 3B is a schematic diagram showing a state in which the hole of the lead wire connecting portion is filled with a conductor. It is a sectional view. 図４（ａ）、（ｂ）は孔を形成したリード線接続部の概略上面図である。4 (a) and 4 (b) are schematic top views of the lead wire connecting portion having holes formed therein. 図５は本発明の実施形態に係るひずみゲージの製造方法を示すフローチャートである。FIG. 5 is a flowchart showing a method of manufacturing a strain gauge according to an embodiment of the present invention. 図６はフィルム状基材上に積層体を形成するために用いることができるスパッタリング装置の概念図である。FIG. 6 is a conceptual diagram of a sputtering apparatus that can be used to form a laminate on a film-like substrate.

本発明のひずみゲージ及びその製造方法の実施形態について、図面を参照して説明する。 An embodiment of the strain gauge and the method for manufacturing the strain gauge of the present invention will be described with reference to the drawings.

［ひずみゲージ］
図１に示す通り、実施形態のひずみゲージ１０は、基材１と、基材１の一面上に設けられた抵抗体２とを有し、さらに、抵抗体２を覆うカバー３を有してよい。 [Strain gauge]
As shown in FIG. 1, the strain gauge 10 of the embodiment has a base material 1 and a resistor 2 provided on one surface of the base material 1, and further has a cover 3 for covering the resistor 2. Good.

基材１は、樹脂材料で形成された可撓性を有する板状部材であり、より具体的には平行平板である。樹脂材料は、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）などであってよい。基材１の厚さは例えば約１２μｍ〜約２５μｍｍである。 The base material 1 is a flexible plate-like member made of a resin material, and more specifically, a parallel flat plate. The resin material may be polyimide (PI), polyamide-imide (PAI), polyethylene (PE), polyetheretherketone (PEEK) or the like. The thickness of the base material 1 is, for example, about 12 μm to about 25 μmm.

抵抗体２は、外部接続用のリード線が接合される一対のタブ（リード線接続部）２ｔと、一方のタブ２ｔからジグザグに折り返しながら延在して他方のタブ２ｔに接続するゲージ受感部（ひずみ受感部）２ｃとを有する。 The resistor 2 has a pair of tabs (lead wire connecting portions) 2t to which lead wires for external connection are joined, and a gauge feeling that extends from one tab 2t while folding back in a zigzag manner and connects to the other tab 2t. It has a portion (strain sensitive portion) 2c.

図２（ａ）〜（ｃ）に抵抗体２の断面構造を示す。抵抗体２は、基材１に対して垂直な方向に金属層２２とエッチングストップ層２４が交互に積層された積層体２０からなる。エッチングストップ層２４は、後述する金属層２２のエッチング処理によるエッチングレートが小さい層である。金属層２２は、例えば銅ニッケル合金等から形成されてよい。エッチングストップ層２４は、例えばＳｉＯ２やＳｉＮ等の絶縁体、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈなどの貴金属、酸に強いＴａやＩｒ等から形成されてよい。特にＡｕは適切なエッチング処理を選択することで高いエッチングレートを有することができるため、エッチングストップ層２４として薄いＡｕ層を用いた場合、後述するエッチング工程におけるエッチングストップ層２４の除去が容易になる。抵抗体２がエッチングストップ層２４を有することにより、後述するエッチング工程において抵抗体２の抵抗値の調整を安定的に行うことができる。 2 (a) to 2 (c) show the cross-sectional structure of the resistor 2. The resistor 2 is composed of a laminated body 20 in which metal layers 22 and etching stop layers 24 are alternately laminated in a direction perpendicular to the base material 1. The etching stop layer 24 is a layer having a small etching rate due to the etching treatment of the metal layer 22 described later. The metal layer 22 may be formed of, for example, a copper-nickel alloy or the like. The etching stop layer 24 may be formed of, for example, an insulator such as SiO 2 or SiN, a precious metal such as Au, Pt, or Rh, or an acid-resistant Ta or Ir. In particular, Au can have a high etching rate by selecting an appropriate etching process. Therefore, when a thin Au layer is used as the etching stop layer 24, the etching stop layer 24 can be easily removed in the etching step described later. .. Since the resistor 2 has the etching stop layer 24, the resistance value of the resistor 2 can be stably adjusted in the etching step described later.

積層体２０は、図２（ａ）に示すように、基材１上に形成された第１金属層２２ａ、第１金属層２２ａ上に形成された第１エッチングストップ層２４ａと、第１エッチングストップ層２４ａ上に形成された第２金属層２２ｂを有してよい。また、図２（ｂ）に示すように、第２金属層２２ｂ上に形成された第２エッチングストップ層２４ｂを備えてよく、さらに金属層２２ｃ、２２ｄとエッチングストップ層２４ｃ、２４ｄを有してもよい。図２（ｂ）に示すように、エッチングストップ層２４ｄが積層体２０の最上層（すなわち、抵抗体２の最上層）として配置されていてもよい。積層体２０の最上層としてエッチングストップ層２４ｄが配置されることにより、当該エッチングストップ層２４ｄが保護層として働くという利点がある。また、図２（ｃ）に示すように、積層体２０の表面付近にエッチングストップ層２４が偏在していてもよい。すなわち、第１金属層２２ａの厚みが、第１金属層２２ａ以外の金属層２２ｂ、２２ｃ、２２ｄの厚みよりも大きくてよい。この場合、同数のエッチングストップ層２４が積層体２０において均等な間隔で配置されている場合（図２（ｂ）参照）と比べて、抵抗体２の抵抗値をより細かく調整できる。 As shown in FIG. 2A, the laminate 20 has a first metal layer 22a formed on the base material 1, a first etching stop layer 24a formed on the first metal layer 22a, and a first etching. It may have a second metal layer 22b formed on the stop layer 24a. Further, as shown in FIG. 2B, a second etching stop layer 24b formed on the second metal layer 22b may be provided, and further, the metal layers 22c and 22d and the etching stop layers 24c and 24d are provided. May be good. As shown in FIG. 2B, the etching stop layer 24d may be arranged as the uppermost layer of the laminated body 20 (that is, the uppermost layer of the resistor 2). By arranging the etching stop layer 24d as the uppermost layer of the laminated body 20, there is an advantage that the etching stop layer 24d acts as a protective layer. Further, as shown in FIG. 2C, the etching stop layers 24 may be unevenly distributed near the surface of the laminated body 20. That is, the thickness of the first metal layer 22a may be larger than the thickness of the metal layers 22b, 22c, 22d other than the first metal layer 22a. In this case, the resistance value of the resistor 2 can be finely adjusted as compared with the case where the same number of etching stop layers 24 are arranged at equal intervals in the laminated body 20 (see FIG. 2B).

前記一対のリード線接続部２ｔにおいて、図３（ａ）に示すようにエッチングストップ層２４を貫通する孔２６が形成されていてよい。エッチングストップ層２４が絶縁体である場合、図３（ｂ）に示すように孔２６に導電体２８を充填することにより、導電体２８を介して積層体２０中の（すなわち抵抗体２中の）複数の金属層２２を電気的に接続することができる。リード線接続部２ｔにおいて複数の金属層２２が電気的に接続されることにより、ひずみ受感部２ｃにおける複数の金属層２２は並列に接続される。孔２６の形状及び配置は特に限定されない。例えば、孔２６が図４（ａ）に示す様に円形の平面形状を有してもよく、図４（ｂ）に示す様に線状の平面形状を有してもよい。導電体２８ははんだ等であってよい。 As shown in FIG. 3A, a hole 26 penetrating the etching stop layer 24 may be formed in the pair of lead wire connecting portions 2t. When the etching stop layer 24 is an insulator, the holes 26 are filled with the conductor 28 as shown in FIG. 3 (b), so that the conductor 28 is interposed in the laminate 20 (that is, in the resistor 2). ) A plurality of metal layers 22 can be electrically connected. By electrically connecting the plurality of metal layers 22 at the lead wire connecting portion 2t, the plurality of metal layers 22 at the strain-sensitive portion 2c are connected in parallel. The shape and arrangement of the holes 26 are not particularly limited. For example, the hole 26 may have a circular planar shape as shown in FIG. 4A, or may have a linear planar shape as shown in FIG. 4B. The conductor 28 may be solder or the like.

カバー３は、抵抗体２のひずみ受感部２ｃのみを覆うように抵抗体２の上に設けられ、ひずみ受感部２ｃに損傷等が生じることを防いでいる。カバー３は一例としてポリイミドで形成することができるが、前述のＰＡＩ、ＰＥ、ＰＥＥＫ等でもよい。なお、図１においては、抵抗体２のひずみ受感部２ｃを明示するためカバー３は破線で示している。 The cover 3 is provided on the resistor 2 so as to cover only the strain-sensitive portion 2c of the resistor 2, and prevents the strain-sensitive portion 2c from being damaged or the like. The cover 3 can be formed of polyimide as an example, but may be PAI, PE, PEEK, or the like described above. In FIG. 1, the cover 3 is shown by a broken line in order to clearly show the strain-sensitive portion 2c of the resistor 2.

［ひずみゲージの製造方法］
次に、ひずみゲージ１０の製造方法を、図５のフローチャートに従って説明する。 [Manufacturing method of strain gauge]
Next, a method of manufacturing the strain gauge 10 will be described with reference to the flowchart of FIG.

図５に示す通り、ひずみゲージ１０の製造方法は、基材上に、複数の金属層と少なくとも１つのエッチングストップ層を交互に形成することにより積層体を形成する工程（Ｓ０１）と、積層体をパターニングして抵抗体を形成する工程（Ｓ０２）と、抵抗体の抵抗値を測定する工程（Ｓ０３）と、少なくとも１つの金属層をエッチングする工程（Ｓ０４）と、一対のリード線接続部にエッチングストップ層を貫通する孔を形成する工程（Ｓ０５）と、抵抗体２をカバー３で覆うカバー形成工程（Ｓ０６）と、複数の金属層を電気的に接続する工程（Ｓ０７）とを有する。Ｓ０３〜Ｓ０７は任意の工程である。 As shown in FIG. 5, the method for manufacturing the strain gauge 10 includes a step (S01) of forming a laminate by alternately forming a plurality of metal layers and at least one etching stop layer on the substrate, and a laminate. To form a resistor by patterning (S02), to measure the resistance value of the resistor (S03), to etch at least one metal layer (S04), and to connect the pair of lead wires. It includes a step of forming a hole penetrating the etching stop layer (S05), a cover forming step of covering the resistor 2 with a cover 3 (S06), and a step of electrically connecting a plurality of metal layers (S07). S03 to S07 are arbitrary steps.

＜積層体形成工程＞
積層体形成工程Ｓ０１では、基材１上に金属層２２とエッチングストップ層２４を交互に形成する（図２（ａ）〜（ｃ）参照）。例えば、図６に概念的に示すようなスパッタリング装置４０を用いることができる。スパッタリング装置４０は、真空チャンバー４１を備えている。真空チャンバー４１の内部には、可撓性のあるフィルム状（ベルト状）の基材１を繰り出し又は巻き取る第１ロール４２と、フィルム状の基材１を巻き取り又は繰り出す第２ロール４３が設置され、第１ロール４２から繰り出された基材１が第２ロール４３により巻き取られるまでの搬送路の間に成膜ロール４４が設置されている。さらに、真空チャンバー４１内には基材１を搬送するためのガイドロール（不図示）が設置されていてもよい。基材１は、成膜ロール４４に巻回され、成膜ロール４４の外周に沿って搬送される。成膜ロール４４に巻回される基材１に対向するように、第１ターゲット４５、第２ターゲット４６、第３ターゲット４７が配置されている。すなわち、第１ターゲット４５、第２ターゲット４６、第３ターゲット４７は、成膜ロール４４の外周面に対向するように配置される。第１ターゲット４５及び第３ターゲット４７は、エッチングストップ層２４を形成するためのターゲットである。第２ターゲット４６は金属層２２を形成するためのターゲットである。第２ターゲット２６は、基材１の搬送方向において第１ターゲット４５と第３ターゲット４７の間に配置される。 <Laminate body forming process>
In the laminate forming step S01, the metal layer 22 and the etching stop layer 24 are alternately formed on the base material 1 (see FIGS. 2A to 2C). For example, a sputtering apparatus 40 as conceptually shown in FIG. 6 can be used. The sputtering apparatus 40 includes a vacuum chamber 41. Inside the vacuum chamber 41, a first roll 42 for winding or winding a flexible film-shaped (belt-shaped) base material 1 and a second roll 43 for winding or winding the film-shaped base material 1 are provided. The film forming roll 44 is installed between the transport paths until the base material 1 that has been installed and unwound from the first roll 42 is wound up by the second roll 43. Further, a guide roll (not shown) for transporting the base material 1 may be installed in the vacuum chamber 41. The base material 1 is wound around the film forming roll 44 and conveyed along the outer circumference of the film forming roll 44. The first target 45, the second target 46, and the third target 47 are arranged so as to face the base material 1 wound around the film forming roll 44. That is, the first target 45, the second target 46, and the third target 47 are arranged so as to face the outer peripheral surface of the film forming roll 44. The first target 45 and the third target 47 are targets for forming the etching stop layer 24. The second target 46 is a target for forming the metal layer 22. The second target 26 is arranged between the first target 45 and the third target 47 in the transport direction of the base material 1.

スパッタリング装置４０を用いて、以下のようにして積層体２０を成膜することができる。まず、真空チャンバー４１内を高真空に減圧する。次いで、真空チャンバー４１内にＡｒ等の希ガスを導入し、ＤＣプラズマや高周波プラズマによって第２ターゲット４６及び第３ターゲット４７の原子を叩き出しながら、基材１を図６において実線矢印で示す方向（第１搬送方向）に搬送する。すなわち、基材１を、第１ロール４２から成膜ロール４４に向かって繰り出し、成膜ロール４４に沿ってその表面に接触させながら搬送し、成膜ロール４４から第２ロール４３に向かって搬送して第２ロール４３で巻き取る。基材１が第２ターゲット４６に対向する位置を通過するときに、基材１の表面に第２ターゲット４６から叩き出された原子が堆積されることにより第１金属層２２ａが形成される。基材１が第３ターゲット４７に対向する位置を通過するときに、第１金属層２２ａ上に第３ターゲット４７から叩き出された原子が堆積されることにより第１金属層２２ａ上に第１エッチングストップ層２４ａが形成される。 The laminated body 20 can be formed into a film by using the sputtering apparatus 40 as follows. First, the inside of the vacuum chamber 41 is depressurized to a high vacuum. Next, a rare gas such as Ar is introduced into the vacuum chamber 41, and the base material 1 is shown by a solid arrow in FIG. 6 while the atoms of the second target 46 and the third target 47 are knocked out by DC plasma or high-frequency plasma. Transport in the (first transport direction). That is, the base material 1 is fed from the first roll 42 toward the film forming roll 44, conveyed along the film forming roll 44 while being in contact with the surface thereof, and conveyed from the film forming roll 44 toward the second roll 43. Then, it is wound up by the second roll 43. When the base material 1 passes through the position facing the second target 46, the first metal layer 22a is formed by depositing the atoms knocked out from the second target 46 on the surface of the base material 1. When the base material 1 passes through the position facing the third target 47, the atoms knocked out from the third target 47 are deposited on the first metal layer 22a, so that the first metal layer 22a is first. The etching stop layer 24a is formed.

次いで、ＤＣプラズマや高周波プラズマによって第１ターゲット４５及び第２ターゲット４６の原子を叩き出しながら、第２ロール４３で巻き取った基材１を図６において破線矢印で示す方向（第２搬送方向）に搬送する。すなわち、基材１を、第２ロール４３から成膜ロール４４に向かって繰り出し、成膜ロール４４に沿ってその表面に接触させながら搬送し、次いで成膜ロール４４から第１ロール４２に向かって搬送して第１ロール４２で巻き取る。基材１が第２ターゲット４６に対向する位置を通過するときに、基材１上の第１エッチングストップ層２４ａ上に第２ターゲット４６から叩き出された原子が堆積され、第２金属層２２ｂが形成される。基材１が第１ターゲット４５に対向する位置を通過するときに、第２金属層２２ｂ上に第１ターゲット４５から叩き出された原子が堆積され、第２エッチングストップ層２４ｂが形成される。 Next, while striking out the atoms of the first target 45 and the second target 46 with DC plasma or high-frequency plasma, the base material 1 wound by the second roll 43 is shown by the broken line arrow in FIG. 6 (second transport direction). To transport to. That is, the base material 1 is fed from the second roll 43 toward the film forming roll 44, conveyed along the film forming roll 44 while being in contact with the surface thereof, and then conveyed from the film forming roll 44 toward the first roll 42. It is conveyed and wound up by the first roll 42. When the base material 1 passes through the position facing the second target 46, the atoms knocked out from the second target 46 are deposited on the first etching stop layer 24a on the base material 1, and the second metal layer 22b Is formed. When the base material 1 passes through the position facing the first target 45, the atoms knocked out from the first target 45 are deposited on the second metal layer 22b to form the second etching stop layer 24b.

基材１を第１ロール４２と第２ロール４３の間で往復搬送しながら、上記の第２ターゲット４６及び第３ターゲット４７を用いたスパッタ成膜と第１ターゲット４５及び第２ターゲット４６を用いたスパッタ成膜を繰り返すことにより、金属層２２とエッチングストップ層２４を交互に形成し、積層体２０を形成することができる。 While reciprocating the base material 1 between the first roll 42 and the second roll 43, the sputtering film formation using the second target 46 and the third target 47 and the first target 45 and the second target 46 are used. By repeating the sputter film formation, the metal layer 22 and the etching stop layer 24 can be alternately formed to form the laminated body 20.

この積層体２０の形成方法においては、積層体２０全体の厚さに対して各金属層２２及び各エッチングストップ層２４の厚さが小さくてよいため、基材１がターゲット４５、４６、４７に対向する時間を短くすることができる。そのため、基材１がターゲット４５、４６、４７に対向する位置を通過する時に基材１が加熱されてダメージを受けることを抑制することができる。また、基材１への熱ダメージをさらに軽減するために、成膜ロール４４に冷却機構（不図示）を設け、基材１を冷却してもよい。 In the method of forming the laminated body 20, the thickness of each metal layer 22 and each etching stop layer 24 may be smaller than the thickness of the entire laminated body 20, so that the base material 1 is used as the target 45, 46, 47. The facing time can be shortened. Therefore, it is possible to prevent the base material 1 from being heated and damaged when the base material 1 passes through the positions facing the targets 45, 46, and 47. Further, in order to further reduce the thermal damage to the base material 1, the base material 1 may be cooled by providing a cooling mechanism (not shown) on the film forming roll 44.

スパッタ法に代えて、電子線加熱蒸着法、抵抗加熱蒸着法等により積層体２０を形成してもよい。 Instead of the sputtering method, the laminate 20 may be formed by an electron beam heating vapor deposition method, a resistance heating vapor deposition method, or the like.

＜抵抗体形成工程＞
次いで、フォトリソグラフィを用いて、積層体２０をパターニングし、抵抗体２（図１参照）を形成する。具体的には積層体２０上にフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、積層体２０をエッチングすることで抵抗体２を形成することができる。あるいは、基材１上にレジストパターンを形成し、その上に積層体２０を形成した後レジスト及びレジスト上の積層体２０を除去することによって抵抗体２を形成することもできる。 <Resistance formation process>
The laminate 20 is then patterned using photolithography to form a resistor 2 (see FIG. 1). Specifically, a resist pattern can be formed on the laminated body 20 by photolithography, and the resistor 2 can be formed by etching the laminated body 20. Alternatively, the resistor 2 can be formed by forming a resist pattern on the base material 1, forming the laminate 20 on the resist, and then removing the resist and the laminate 20 on the resist.

＜抵抗値測定工程＞
形成した抵抗体２の一対のリード線接続部２ｔの間の抵抗値を測定する。 <Resistance value measurement process>
The resistance value between the pair of lead wire connecting portions 2t of the formed resistor 2 is measured.

＜エッチング工程＞
抵抗体形成工程のパターニング精度によっては抵抗体２の抵抗値にばらつきが生じることがあるが、抵抗体２の抵抗値が設計値（目標値）よりも小さく、そのずれの大きさが許容範囲を超えた場合、金属層２４をエッチングすることにより抵抗体２の抵抗値を調整することができる。例えば、抵抗体２の最上層のエッチングストップ層２４を除去した後、金属層２２のエッチング処理を行うことで、抵抗体２の最上層の金属層２２を除去することができる。エッチングストップ層２４の除去は、ＮＨ４Ｆ：ＨＦ：Ｈ２Ｏの水溶液若しくはＨ３ＰＯ４：ＨＮＯ３の水溶液を用いたウェットエッチング、又はフッ素系ガス（ＣＨＦ３，Ｃ２Ｆ６）を用いたドライエッチングにより行うことができる。金属層２２のエッチング処理は、適切なガスを用いた反応性イオンエッチング、スパッタエッチング等、金属層２２とエッチングストップ層２４のエッチングレートの比（選択比）が十分大きいエッチング法により行うことができる。エッチングストップ層２４は金属層２２のエッチング処理によってはエッチングされないまたはほとんどエッチングされないため、ほぼ抵抗体２の最上層の金属層２２のみをエッチングすることができる。このように金属層２２を１層除去することで、抵抗体２の抵抗値を上昇させることができる。さらに抵抗体２の抵抗値を上昇させる必要がある場合には、再度エッチングストップ層２４の除去及び金属層２２のエッチングを行ってよい。これを繰り返すことにより、抵抗体２の抵抗値を段階的に調整することができる。なお、上述の抵抗値測定工程で測定した抵抗体２の抵抗値と設計値とのずれが許容範囲内であった場合は、エッチング工程を行う必要はない。 <Etching process>
The resistance value of the resistor 2 may vary depending on the patterning accuracy of the resistor forming process, but the resistance value of the resistor 2 is smaller than the design value (target value), and the magnitude of the deviation is within the allowable range. If it exceeds, the resistance value of the resistor 2 can be adjusted by etching the metal layer 24. For example, the metal layer 22 on the uppermost layer of the resistor 2 can be removed by performing the etching process on the metal layer 22 after removing the etching stop layer 24 on the uppermost layer of the resistor 2. To remove the etching stop layer 24, wet etching using an aqueous solution of NH 4 F: HF: H 2 O or an aqueous solution of H 3 PO 4 : HNO 3 or a fluorine-based gas (CHF 3 , C 2 F 6 ) is used. It can be performed by dry etching. The etching process of the metal layer 22 can be performed by an etching method such as reactive ion etching using an appropriate gas, sputter etching, etc., in which the ratio (selection ratio) of the etching rates of the metal layer 22 and the etching stop layer 24 is sufficiently large. .. Since the etching stop layer 24 is not etched or hardly etched by the etching process of the metal layer 22, only the uppermost metal layer 22 of the resistor 2 can be etched. By removing one metal layer 22 in this way, the resistance value of the resistor 2 can be increased. If it is necessary to further increase the resistance value of the resistor 2, the etching stop layer 24 may be removed and the metal layer 22 may be etched again. By repeating this, the resistance value of the resistor 2 can be adjusted stepwise. If the deviation between the resistance value of the resistor 2 and the design value measured in the above-mentioned resistance value measuring step is within the permissible range, it is not necessary to perform the etching step.

＜孔形成工程＞
エッチングストップ層２４が絶縁体である場合、抵抗体２のリード線接続部２ｔに孔２６（図３（ａ）参照）を形成する。孔２６は、リード線接続部２ｔをレーザブラスト加工する方法、超音波発振器と接続した治具をリード線接続部２ｔに押し当てる方法等により形成することができる。 <Hole formation process>
When the etching stop layer 24 is an insulator, a hole 26 (see FIG. 3A) is formed in the lead wire connecting portion 2t of the resistor 2. The hole 26 can be formed by a method of laser blasting the lead wire connecting portion 2t, a method of pressing a jig connected to the ultrasonic oscillator against the lead wire connecting portion 2t, or the like.

＜カバー形成工程＞
抵抗体２のひずみ受感部２ｃを保護するため、ポリイミド等のカバー３でひずみ受感部２ｃを覆ってよい。 <Cover forming process>
In order to protect the strain-sensitive portion 2c of the resistor 2, the strain-sensitive portion 2c may be covered with a cover 3 such as polyimide.

＜金属層の電気的接続工程＞
エッチングストップ層２４が絶縁体である場合、孔２６にはんだ等の導電体２８（図３（ｂ）参照）を充填することにより、導電体２８を介して抵抗体２中の（すなわち積層体２０中の）複数の金属層２２を電気的に接続する。 <Electrical connection process of metal layer>
When the etching stop layer 24 is an insulator, the holes 26 are filled with a conductor 28 such as solder (see FIG. 3B), so that the holes 26 are filled in the resistor 2 (that is, the laminated body 20) via the conductor 28. The plurality of metal layers 22 (inside) are electrically connected.

本発明の特徴を維持する限り、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の形態についても、本発明の範囲内に含まれる。 As long as the features of the present invention are maintained, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and other modes considered within the scope of the technical idea of the present invention are also included within the scope of the present invention. ..

本発明のひずみゲージの製造方法では、ひずみゲージの抵抗体の抵抗値を容易にかつ精度よく調整できるため、所望の抵抗値の抵抗体を有するひずみゲージを歩留りよく製造できる。したがって、ひずみゲージやこれを用いた計測機器の高精度化及び低価格化に貢献することができる。 In the strain gauge manufacturing method of the present invention, the resistance value of the strain gauge resistor can be easily and accurately adjusted, so that the strain gauge having the desired resistance value resistor can be manufactured with good yield. Therefore, it is possible to contribute to high accuracy and low price of strain gauges and measuring instruments using them.

１ 基材、２ 抵抗体、３ カバー、１０ ひずみゲージ、２０ 積層体、２２ 金属層、２４ エッチングストップ層
1 base material, 2 resistors, 3 covers, 10 strain gauges, 20 laminates, 22 metal layers, 24 etching stop layers

Claims (8)

基材上に金属層と絶縁体であるエッチングストップ層を交互に形成することにより積層体を形成することと、
前記積層体をパターニングして抵抗体を形成することと、
前記形成した抵抗体の抵抗値を測定することと、
前記測定された抵抗値が所定の値よりも低い場合には、前記金属層のうちの少なくとも最上側の金属層をエッチングして除去することと、
前記最上側の金属層が除去された抵抗体の抵抗値を測定することと、
前記最上側の金属層が除去された抵抗体の抵抗測定値と前記所定の値との差が許容範囲外である場合、前記最上側の金属層の下層のエッチングストップ層を除去し、次いで除去したエッチングストップ層の下層の金属層をエッチングにより除去して、前記抵抗体の抵抗値を測定することを含み、
前記抵抗体の抵抗測定値と前記前記所定の値との差が前記許容範囲内になるまで、エッチングストップ層の除去と金属層の除去を繰り返すことを含むひずみゲージの製造方法。 To form a laminate by alternately forming a metal layer and an etching stop layer which is an insulator on a base material,
By patterning the laminate to form a resistor,
Measuring the resistance value of the formed resistor and
When the measured resistance value is lower than a predetermined value, at least the uppermost metal layer of the metal layers is etched and removed.
To measure the resistance value of the resistor from which the uppermost metal layer has been removed,
When the difference between the resistance measurement value of the resistor from which the uppermost metal layer has been removed and the predetermined value is out of the permissible range, the etching stop layer below the uppermost metal layer is removed, and then removed. Including removing the metal layer underneath the etching stop layer by etching and measuring the resistance value of the resistor.
A method for manufacturing a strain gauge, which comprises repeating removal of an etching stop layer and removal of a metal layer until the difference between the measured resistance value of the resistor and the predetermined value is within the permissible range. 前記抵抗体が、一対のリード線接続部と、前記リード線接続部の一方からジグザグに折り返しながら延在して前記リード線接続部の他方に接続するひずみ受感部とを有し、前記一対のリード線接続部に前記エッチングストップ層を貫通する孔を形成することを含む請求項１に記載のひずみゲージの製造方法。 The resistor has a pair of lead wire connecting portions and a strain-sensitive portion extending from one of the lead wire connecting portions while folding back in a zigzag manner and connecting to the other of the lead wire connecting portions. The method for manufacturing a strain gauge according to claim 1, further comprising forming a hole penetrating the etching stop layer in the lead wire connection portion of the above. 前記孔に導電体を充填して、前記積層体の前記金属層同士を電気的に接続することを含む請求項２に記載のひずみゲージの製造方法。 The method for manufacturing a strain gauge according to claim 2, wherein the holes are filled with a conductor to electrically connect the metal layers of the laminated body to each other. 前記積層体を形成することが、前記基材上に第１金属層を形成し、前記第１金属層上に第１エッチングストップ層を形成し、前記第１エッチングストップ層上に第２金属層を形成することを含む請求項１〜３のいずれか一項に記載のひずみゲージの製造方法。 Forming the laminate forms a first metal layer on the base material, forms a first etching stop layer on the first metal layer, and forms a second metal layer on the first etching stop layer. The method for manufacturing a strain gauge according to any one of claims 1 to 3, which comprises forming the strain gauge. 前記積層体を形成することが前記第２金属層上に第２エッチングストップ層を形成することを含む請求項４に記載のひずみゲージの製造方法。 The method for manufacturing a strain gauge according to claim 4, wherein forming the laminate includes forming a second etching stop layer on the second metal layer. 前記エッチングストップ層が前記積層体の最上層として配置される請求項１〜５のいずれか一項に記載のひずみゲージの製造方法。 The method for manufacturing a strain gauge according to any one of claims 1 to 5, wherein the etching stop layer is arranged as the uppermost layer of the laminated body. 前記基材がフィルム状の基材であり、
前記基材を前記金属層の材料からなるスパッタリングターゲットに対向する位置と前記エッチングストップ層の材料からなるスパッタリングターゲットに対向する位置の間を往復搬送しながらスパッタリングを行うことにより、前記積層体を形成する請求項１〜６のいずれか一項に記載のひずみゲージの製造方法。 The base material is a film-like base material,
The laminate is formed by performing sputtering while reciprocating the base material between a position facing the sputtering target made of the material of the metal layer and a position facing the sputtering target made of the material of the etching stop layer. The method for manufacturing a strain gauge according to any one of claims 1 to 6. 前記金属層の材料からなるスパッタリングターゲット及び前記エッチングストップ層の材料からなるスパッタリングターゲットを成膜ロールの外周面に対向するように配置し、前記基材を前記成膜ロールの外周に沿って往復搬送しながら前記スパッタリングを行う請求項７に記載のひずみゲージの製造方法。 A sputtering target made of the material of the metal layer and a sputtering target made of the material of the etching stop layer are arranged so as to face the outer peripheral surface of the film forming roll, and the base material is reciprocally transported along the outer periphery of the film forming roll. The method for manufacturing a strain gauge according to claim 7, wherein the sputtering is performed while performing the sputtering.
JP2017215327A 2017-11-08 2017-11-08 Strain gauge and strain gauge manufacturing method Active JP6764848B2 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017215327A JP6764848B2 (en) 2017-11-08 2017-11-08 Strain gauge and strain gauge manufacturing method
PCT/JP2018/041336 WO2019093373A1 (en) 2017-11-08 2018-11-07 Strain gauge and production method for strain gauge

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017215327A JP6764848B2 (en) 2017-11-08 2017-11-08 Strain gauge and strain gauge manufacturing method

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2019086420A JP2019086420A (en) 2019-06-06
JP2019086420A5 JP2019086420A5 (en) 2019-12-12
JP6764848B2 true JP6764848B2 (en) 2020-10-07

Family

ID=66437807

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017215327A Active JP6764848B2 (en) 2017-11-08 2017-11-08 Strain gauge and strain gauge manufacturing method

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP6764848B2 (en)
WO (1) WO2019093373A1 (en)

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4176445A (en) * 1977-06-03 1979-12-04 Angstrohm Precision, Inc. Metal foil resistor
DE3431114A1 (en) * 1984-08-24 1986-03-06 Vdo Adolf Schindling Ag, 6000 Frankfurt ELECTRICAL RESISTANCE
JPH047826A (en) * 1990-04-25 1992-01-13 Fuji Xerox Co Ltd Manufacture of semiconductor device
DE69226761T2 (en) * 1991-12-27 1999-01-14 Fujitsu Ltd., Kawasaki, Kanagawa Optical waveguide arrangement with reduced DC drift
FR2693795B1 (en) * 1992-07-15 1994-08-19 Commissariat Energie Atomique Strain gauge on flexible support and sensor fitted with said gauge.
JP3766936B2 (en) * 1995-07-18 2006-04-19 富士通株式会社 Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device
JP2006234384A (en) * 2005-02-22 2006-09-07 Toshiba Hokuto Electronics Corp Strain gauge device
JP5319373B2 (en) * 2009-04-10 2013-10-16 富士フイルム株式会社 Gas barrier film and method for producing gas barrier film
JP2016166378A (en) * 2013-07-11 2016-09-15 日産自動車株式会社 Surface treatment apparatus and surface treatment method

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019093373A1 (en) 2019-05-16
JP2019086420A (en) 2019-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6451654B2 (en) Coil parts
JP6896576B2 (en) Gas sensor and its manufacturing method
JP5256544B2 (en) Resistor
JP6764848B2 (en) Strain gauge and strain gauge manufacturing method
US11638353B2 (en) Apparatus and method for forming sensors with integrated electrical circuits on a substrate
TWI570825B (en) Semiconductor test pad using adhesive and stacked thin sheets of metal and manufacturing method thereof
JP2016011876A (en) Pressure sensor and pressure sensor manufacturing method
US8643140B2 (en) Suspended beam for use in MEMS device
US20210247218A1 (en) Systems And Methods To Increase Sensor Robustness
JP5040403B2 (en) Piezoelectric thin film vibration device and manufacturing method thereof
CN113939713A (en) Flexible passive electronic assembly and manufacturing method thereof
KR20130119986A (en) Detachable micro- and nano-components for a space-saving use
KR101927046B1 (en) Pressure sensor and method of fabricating the same
US11054326B2 (en) Physical quantity sensor
US11289825B2 (en) Radio frequency module and method of manufacturing radio frequency module
JP6281383B2 (en) Semiconductor element
KR20010003884A (en) Micro Meat Flux Sensor and Method For Fabricating The Sensor
WO2022092205A1 (en) Laminated film, manufacturing method therefor, and strain sensor
WO2020162236A1 (en) Temperature sensor film, conductive film, and method for producing same
TWI843803B (en) Temperature sensing film, conductive film and manufacturing method thereof
JP2006147812A (en) Laminated thin film electric wiring board
JP7435734B2 (en) resin multilayer board
JP6365997B1 (en) Superconducting accelerator and manufacturing method thereof
WO2022092202A1 (en) Multilayer film, method for producing second multilayer film, and method for producing strain sensor
TWI740468B (en) Overcurrent protection device and method of manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20180821

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191028

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191028

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20191028

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20191107

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191203

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20200130

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200330

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200407

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200603

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200714

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20200812

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200914

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6764848

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150