JP6754847B2 - 中性子治療装置 - Google Patents
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Description
さらに、前記収容空間の高さが前記シールドの厚さ以上であり、前記シールドの幅が前記収容空間の幅以上である。
さらに、前記支持フレームは第一支持部を含み、前記第一支持部に第一レールが設けられ、前記ビーム成形体が第一レールに保持され、前記第一レールが第一支持部の表面に凹んで設けられて照射空間と連通する前記収容空間を形成し、前記第一支持部が円弧状に設置され、前記第一レールが第一支持部と同一円心である円弧状に設置される。
中性子捕捉療法は効果的ながん治療の手段として、近年ではその適用が増加しており、そのうち、ホウ素中性子捕捉療法が最も一般的なものであって、ホウ素中性子捕捉療法に用いられる中性子は原子炉または加速器で供給できる。本発明の実施形態は加速器ホウ素中性子捕捉療法(Accelerated-based Boron Neutron Capture Therapy)を例として、加速器ホウ素中性子捕捉療法の基本モジュールは、一般的に荷電粒子(陽子、デューテリウム原子核など)の加速に用いられる加速器、中性子発生部、熱除去システム及びビーム整形アセンブリを含んで、その中で加速後の荷電粒子と金属中性子発生部との作用により中性子が生成され、必要な中性子収率及びエネルギー、提供可能な加速荷電粒子のエネルギー及び電流、及び、金属中性子発生部の物理的・化学的特性などにより、適切な原子核反応が選定されて、よく検討されている原子核反応は7Li(p,n)7Be及び9Be(p,n)9Bであり、この両方はすべて吸熱反応である。エネルギー閾値がそれぞれ1.881MeVと2.055MeVであって、ホウ素中性子捕捉療法の理想的中性子源はkeVエネルギーレベルの熱外中性子なので、理論的には、エネルギーが閾値よりやや高い陽子によるリチウム中性子発生部への衝撃で、比較的低いエネルギーの中性子が生成され、あまり多くの減速処理を要しないで臨床適用できるが、リチウム(Li)及びベリリウム(Be)の2種の中性子発生部は、閾値エネルギーの陽子と作用する断面が大きくないので、十分な中性子束を確保するために、一般的には比較的高いエネルギーを持つ陽子で原子核反応を引き起こされる。
・熱外中性子束(epithermal neutron flux)> 1x109 n/cm2s
・高速中性子汚染(fast neutron contamination)< 2x10-13 Gy-cm2/n
・光子汚染(photon contamination)< 2x10-13 > Gy-cm2/n
・熱中性子束と熱外中性子束との比(thermal to epithermal neutron flux ratio)< 0.05
・中性子流とフラックスとの比(epithermal neutron current to flux ratio) > 0.7
注:熱外中性子エネルギー領域は0.5eV〜40keVであり、熱中性子エネルギー領域は0.5eVより小さく、高速中性子エネルギー領域は40keVより大きい。
中性子束と腫瘍におけるホウ素含有薬物の濃度とで臨床治療の時間が決まる。腫瘍におけるホウ素含有薬物の濃度が十分に高ければ、中性子束への要求を緩められるのに対し、腫瘍におけるホウ素含有薬物の濃度が低ければ、高フラックスの熱外中性子で腫瘍に十分な線量を与える必要がある。IAEAの提案では、熱外中性子束について、平方センチメートル当たり1秒の熱外中性子が109個より多いことを求めていて、既存のホウ素含有薬物にとって、このフラックスでの中性子ビームで治療時間を大体1時間以内に抑えられて、短い治療時間で、位置決めと快適さの改善、及び、腫瘍におけるホウ素含有薬物の限られた滞留時間の効果的利用に貢献できる。
高速中性子は、正常組織への不必要な線量を引き起こすので、汚染とみなされ、この線量と中性子エネルギーとには、正の相関関係があるので、中性子ビームの設計において、できる限り高速中性子の含有量を減らす必要がある。高速中性子汚染は、単位熱外中性子束に伴う高速中性子の線量と定義されて、IAEAは、高速中性子汚染を2x10-13 Gy-cm2/nより小さくすることを推奨している。
γ線は強い透過性の放射線に属し、非選択的にビーム経路にあるすべての組織で線量沈着を引き起こすので、γ線の含有量を減らすことも中性子ビームの設計の必要条件であって、γ線汚染は、単位熱外中性子束に伴うγ線の線量と定義されて、IAEAは、γ線汚染を2x10-13 Gy-cm2/nより小さくすることを推奨している。
熱中性子は、減衰速度が速く、透過性も弱く、人体に入ると大部分のエネルギーが皮膚組織に沈着するので、黒色腫など皮膚腫瘍にホウ素中性子捕捉療法の中性子源として熱中性子を使用する場合以外、例えば脳腫瘍などの深部腫瘍の場合、熱中性子の含有量を減らす必要がある。IAEAは、熱中性子束と熱外中性子束との比を0.05より小さくすることを推奨している。
中性子流とフラックスとの比は、ビームの方向性を示し、その比が大きいほど、ビームの前向性が強くなり、強い前向性を持つ中性子ビームでは、中性子の発散による周辺の正常組織への線量を減らせる他、治療可能デプス及び位置決め姿勢の柔軟性を向上させることができる。IAEAは、中性子流とフラックスとの比を0.7より大きくすることを推奨している。
前記第一レールは、さらに、前記第一支持部の前端面に設けられてもよい。前記保持部は、反射体の外面から延ばしてビーム成形体の片側に位置し、前記保持部は、第一レールに保持され、かつ第一レール内で移動する。当然で、また他の多くの実施形態を有することができ、例えば、保持部を設けなく、反射体を該第一レールに直接保持されて保持部として、反射体を第一レールに沿って移動させることにより、中性子治療装置が照射空間中の被照射体に対して異なる角度の照射を行うことさえできればよい。ここでは詳細な説明を省略する。
前記管束20は、軸線を有し、前記管束200は、加速器200に固定された第一管束21と、中性子発生部11に固定された第三管束22と、及び第一管束21と第三管束22との間に接続された第二管束23と、を含む。前記軸線は、第一管束21の第一軸線Iおよび第二管束23の第二軸線IIを含む。前記偏向磁石30は、第一偏向磁石31および第二偏向磁石32を含む。前記第一管束21の一端は、加速器200に接続され、他端は第一偏向磁石31に接続され、前記第二管束23の一端は、第一偏向磁石31に接続され、他端は第二偏向磁石32に接続され、第三管束22の一端は第一偏向磁石31に接続され、他端は第二偏向磁石32に接続され、かつ、第一管束21と第二管束23との間に接続される。前記ビーム成形体10は、第一管束21の第一軸線Iまたは第三管束22の第二軸線II回りに回転でき、これにより、ビーム成形体10が照射空間50中の被照射体への照射角度を変化する。第一管束21中のイオンビームPの伝達方向は、第一偏向磁石31によって偏向された後に第二管束23に伝達し、第二管束23中のイオンビームPの伝達方向は、第二偏向磁石32によって偏向された後に第三管束22に伝達し、第三管束22中のイオンビームPは、中性子発生部11に伝達されて、中性子治療装置100が被照射体を照射する時に必要な中性子ビームを発生する。
まず、被照射体の具体的な状態に基づいて照射方向を決定し、決定された後の照射方向に基づいてビーム成形体10を第一レール611内で該角度の照射を行うことができる位置まで移動させて、前記第三管束22は、ビーム成形体10につれてある具体的な位置まで移動した後に位置決めする。
シールド70(70’)の設置は、一方で、ビーム成形体10から漏れた放射線を遮断することができ、もう一方で、照射空間50、収納空間612とビーム成形体10との間に形成された隙間を被覆することができ、美観に有利である。
Claims (10)
- 中性子治療装置であって、ビーム成形体と、ビーム成形体内に設けられた中性子発生部と、イオンビームを中性子発生部に伝達する管束と、イオンビームの伝達方向を変化させる偏向電磁石と、コリメータとを含み、
前記ビーム成形体は、減速体および減速体の外周を囲んで設けられる反射体を含み、
前記中性子発生部は、イオンビームにより照射された後に中性子を発生し、
前記減速体は、中性子発生部から発生された中性子を熱外中性子エネルギー領域に減速させ、
前記反射体は、逸脱した中性子を戻して、熱外中性子エネルギー領域内の中性子強度を向上させ、
前記コリメータは中性子発生部が発生した中性子を集中的に照射し、
前記中性子治療装置は被照射体を照射する照射空間を有し、前記ビーム成形体にはビーム成形体から浸出された放射線を遮蔽するためのシールドが接続され、前記シールドはビーム成形体の運動につれて照射空間をカバーして照射空間を遮蔽することができ、
前記管束は、軸線を有し、
前記中性子治療装置はさらに支持フレームを含み、前記ビーム成形体は、前記支持フレームに保持され、
前記ビーム成形体は、前記軸線回りを回転すると共に前記支持フレーム上で移動する、
ことを特徴とする、
中性子治療装置。 - 前記支持フレームの表面に凹んで設けられて照射空間と連通する収容空間を形成し、前記ビーム成形体、収容空間と照射空間との間に隙間を形成し、前記シールドが前記隙間をカバーする、ことを特徴とする、
請求項1に記載の中性子治療装置。 - 前記シールドが少なくとも二つの遮蔽部材を含み、前記遮蔽部材がビーム成形体の両側に位置し、各遮蔽部材の一端が前記支持フレームの他端に接続されて前記ビーム成形体に保持され、前記ビーム成形体が運動する時、ビーム成形体の片側に位置する遮蔽部材が伸び、ビーム成形体の他方の片側に位置する遮蔽部材が収縮する、ことを特徴とする、
請求項2に記載の中性子治療装置。 - 前記遮蔽部材は複数の端部同士が締結保持される遮蔽部で構成され、前記遮蔽部材が伸びる時、前記遮蔽部は逐次広げて互いに締結保持され、遮蔽部材が収縮する時、前記遮蔽部は逐次一体的に積み重なる、ことを特徴とする、
請求項3に記載の中性子治療装置。 - 前記遮蔽部の互いに締結保持される端部に係止保持部が設けられ、前記係止保持部は前記遮蔽部の表面を移動しかつ隣接する係止保持部に互いに締結保持されて位置決めすることができる、ことを特徴とする、
請求項4に記載の中性子治療装置。 - 前記遮蔽部は円弧状に設置され、前記遮蔽部が逐次伸びた後に前記遮蔽部材が円弧状を示す、ことを特徴とする、
請求項4に記載の中性子治療装置。 - 前記収容空間の高さが前記シールドの厚さ以上であり、前記シールドの幅が前記収容空間の幅以上であることである、ことを特徴とする、
請求項3に記載の中性子治療装置。 - 前記シールドが前記ビーム成形体の両側に接続されかつ全体的に設置され、前記ビーム成形体が運動する時、前記シールドは、ビーム成形体とともに前記支持フレーム回りに回転し、かつ、常に前記ビーム成形体、収容空間と照射空間との間に形成された隙間をカバーする、ことを特徴とする、
請求項2に記載の中性子治療装置。 - 前記シールドの幅が前記収容空間の幅以上であることである、ことを特徴とする、
請求項8に記載の中性子治療装置。 - 前記支持フレームが第一支持部を含み、前記第一支持部に第一レールが設けられ、前記ビーム成形体が第一レールに保持され、前記第一レールが第一支持部の表面から凹んで設けられて照射空間と連通する前記収容空間を形成し、前記第一支持部が円弧状に設置され、前記第一レールは第一支持部と同一円心である円弧状に設置される、ことを特徴とする、
請求項2に記載の中性子治療装置。
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