TWI614042B - 中子束源產生器及其濾屏 - Google Patents

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TWI614042B TW105139840A TW105139840A TWI614042B TW I614042 B TWI614042 B TW I614042B TW 105139840 A TW105139840 A TW 105139840A TW 105139840 A TW105139840 A TW 105139840A TW I614042 B TWI614042 B TW I614042B
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Abstract

本揭露提供之中子束源產生器，包括加速器，經由通道連接至鈹靶材，以及濾屏，其中鈹靶材位於通道末端並與濾屏鄰近，通道與鈹靶材之間的夾角α介於0度到90度之間，通道與濾屏法線的夾角β介於0度到90度之間，且該通道之剖面為非圓形。

Description

中子束源產生器及其濾屏
本揭露關於中子束源產生器及其濾屏。
硼中子捕獲治療(BNCT)的原理如下：含硼藥物經由血液循環與腫瘤細胞結合，再用中子束以腫瘤組織的位置為中心照射，使硼吸收中子後產生鋰與氦離子，準確破壞癌細胞而不破壞其他正常的組織。
對患者而言，BNCT僅會造成極小損傷，且不需外科手術與麻醉。在治療腦腫瘤時若BNCT採用穿透力較低的熱中子，需額外打開病人的頭蓋骨；若BNCT採用超熱中子，則不需打開病人的頭蓋骨。
目前大部份的BNCT的中子束源產生器為源自研究用原子爐。由於原子爐通常無法設置於醫院中，因此醫生與患者需配合原子爐的所在進行治療。與此相較，加速器型的中子束源產生器不但成本低，且可設置於醫院中以節省醫生與患者的時間。
綜上所述，目前亟需開發加速器型的中子束源產生器以利BNCT的發展。
本揭露一實施例提供之中子束源產生器，包括加 速器，經由通道連接至鈹靶材；以及濾屏，其中鈹靶材位於通道末端並與濾屏鄰近，通道與鈹靶材之間的夾角α介於0度到90度之間，通道與濾屏法線的夾角β介於0度到90度之間，且該通道之剖面為非圓形。
本揭露一實施例提供之濾屏，包括：鋁、氟化鎂、與氟化鋰的混合層，其中該混合層係由1體積份氟化鎂、0.25至1體積份之鋁、與0.003至0.02體積份之氟化鋰組成。
α、β‧‧‧角度
10‧‧‧中子束源產生器
11‧‧‧加速器
13‧‧‧通道
13c‧‧‧剖面
15‧‧‧靶材
16、16A‧‧‧反射材料
17‧‧‧濾屏
17a‧‧‧第一層
17b‧‧‧第二層
17c‧‧‧第三層
18‧‧‧鉍層
19‧‧‧匯聚元件
19a、19b、19d‧‧‧屏蔽材
19a1‧‧‧聚乙烯混40wt%碳酸鋰
19a2‧‧‧鐵氟龍
19a3‧‧‧鉛
19c‧‧‧匯聚材
21‧‧‧患者
第1與2圖係本揭露實施例中，中子束源產生器之示意圖。
第3至13圖係本揭露實施例中，通道、靶材、與濾屏之相對關係的示意圖。
如第1圖所示，本發明實施例之中子束源產生器10主要由下述部份構成：加速器11、靶材15、連接加速器11與靶材15之通道13與濾屏17。靶材15位於通道末端並與濾屏鄰近。舉例來說，加速器11可為購自Advanced Cyclotron Systems Inc.之迴旋加速器。加速器11係用以提供能量介於19MeV至30MeV的質子束，其撞擊靶材15以產生快中子。
上述快中子穿過濾屏17與匯聚元件19後，產生調整後的超熱中子束。依據國際原子能總署(IAEA)之建議，BNCT所用之超熱中子通率需大於或等於109n‧cm-2‧s-1，且伴隨每單位超熱中子通率的快中子劑量率及伴隨每單位超熱中子通率的加馬射線劑量率小於2×10-11cGy‧cm2/n。其中加馬射線劑 量率建議值容易達成，故實施例主要探討超熱中子通率及伴隨每單位超熱中子的快中子劑量率。若超熱中子通率過低，則會延長患者21照射治療的時間。若快中子劑量率過高，則有可能會損傷患者21的其他正常組織。若加速器11提供的質子能量過高，則會增加屏蔽設計的困難，且對提升中子的產率有限。若加速器11提供的質子能量過低，則中子的產率不足，需增加電流來彌補。
在本發明一實施例中，靶材15的材質為鈹。
如第1圖所示，通道13與靶材15之間夾有角度α，通道與濾屏法線17`之間夾有角度β。在一實施例中，角度α介於0度至90度之間，角度β介於0度至90度之間。當角度β較大，則通過通道之質子斜向撞擊靶材15的效果較明顯。舉例來說，角度β介於0到45度時的快中子劑量率下降25%，角度β介於45度到90度時的快中子劑量率可下降57%。
一般通道與靶材通常均為圓形。然而在質子束斜向入射靶材的設計中，若通道採用圓形剖面，則其投影至靶材上的圖形將為橢圓形。反之，若通道採用橢圓剖面，則其投影至靶材上的圖形為圓形或橢圓形。在靶材面積固定的情況下(散熱效果一樣)，以較小的橢圓通道可減少中子滲漏。因此，在本揭露的一實施例中，該通道之剖面為非圓形。
本揭露一實施例以靶材與通道之間的角度變化調整通道剖面13c的形狀，使通道剖面投影至靶材上的圖形面積大於通道剖面。具體而言，通道投影至靶材上的圖形面積大於或等於通道之剖面面積。舉例來說，當通道剖面形狀為橢圓 形，則通道剖面投影至靶材上的圖形為圓形或橢圓形。當通道剖面形狀為矩形，則通道剖面投影至靶材上的圖形為方形或矩形。在一實施例中，通道剖面投影至靶材上的圖形與靶材的圖形重疊。
在一實施例中，橢圓形通道13之剖面13c垂直於通道13的管壁。通道13之剖面13c的橫向尺寸(橢圓形的短軸)=靶材15之橫向尺寸×sinα，且通道13之剖面的縱向尺寸(橢圓形的長軸)=靶材15之縱向尺寸。如此一來，通道13之剖面13c投影至靶材15上的圖形，將與靶材15實質上重疊。舉例來說，當通道13投影至靶材15的圖形為直徑d的圓形時，通道13之剖面13c的形狀為橢圓，其長軸=d且短軸=d×sinα。當通道13投影至靶材15之形狀為邊長d的方形時，通道13之剖面13c的形狀為長方形，其長邊為d且短邊為d×sinα。除上述形狀外，本技術領域中具有通常知識者自可選擇適當通道13投影至靶材15的圖形，與對應之剖面13c。依據通道13之剖面13c與靶材15之間的角度α，調整通道13之剖面13c其形狀的作法，可提高超熱中子通率強度。
在第1圖中，靶材15緊貼濾屏17。但在另一實施例中，通道與濾屏法線17`的夾角β介於45度到90度之間，而通道13與靶材夾有角度α，角度α之範圍如前述，在此不贅述。
上述濾屏17可為圖示的三層結構，但亦可為單層結構，或更多層結構。在一實施例中，濾屏17之總厚度介於54cm至67.5cm之間。若濾屏17之總厚度過薄，則無法有效降低快中子劑量。若濾屏17之總厚度過厚，則射束出口處中子束的超熱 中子通率無法達到足夠強度。
本發明實施例之濾屏17，包括：鋁、氟化鎂、與氟化鋰的混合層，其中該混合層係由1體積份氟化鎂、0.25至1體積份之鋁、與0.003至0.02體積份之氟化鋰組成。
在一實施例中，濾屏17，例如是三層結構，第二層17b位於第一層17a與第三層17c之間，且第一層17a位於靶材15與第二層17b之間，即質子撞擊靶材15產生的中子依序穿過第一層17a、第二層17b、與第三層17c。第一層17a係由鐵組成，例如：鐵與中子的非彈性碰撞將1MeV以上的中子減速到1MeV以下。在一實施例中，第一層17a的厚度介於15cm至26cm之間。若第一層17a之厚度過薄，則1MeV以上的中子會太多。若第一層17a之厚度過厚，則修飾1MeV以下中子之其他濾屏材料厚度會不足，會影響中子束品質。第二層17b係由1體積份之氟化鋁、0.25至1體積份之鋁、與0.013至0.02體積份之氟化鋰所組成。在一實施例中，第二層17b之厚度介於20cm至35cm之間。若第二層17b之厚度過厚，在濾屏17總厚度固定的情況下第三層17c厚度太薄，則中子減速不夠，使快中子劑量率會過高。若第二層17b之厚度過薄，相對第三層17c厚度需較厚以降低快中子劑量率，但同時超熱中子通率會過低。第三層17c係由1重量份之氟化鋰與99至100重量份之氟化鎂所組成。在一實施例中，上述濾屏17的三層結構中的第三層17c亦可由鋁、氟化鎂、與氟化鋰的混合層所組成，其中混合層係由1體積份氟化鎂、0.25至1體積份之鋁、與0.003至0.02體積份之氟化鋰組成。
在一實施例中，第三層17c之厚度介於5cm至10cm 之間。若第三層17c之厚度過厚，則減速過快，超熱中子通率會過低。若第三層17c之厚度過薄，則減速不夠，快中子劑量率會過高。在一實施例中，第二層的材料包覆在第一層的外部周圍。在一實施例中，第一層17a的面積小於第二層17b之面積，且第二層之面積小於第三層17c(混合層)之面積。在一實施例中，上述濾屏係用於中子束源產生器中。
在一實施例中，可在濾屏17外側設置厚度15公分以上之鉛壁(即反射材料16)，以進一步增加最後產生的超熱中子通率。
如第1與2圖所示，匯聚元件19位於第三層17c與患者21之間。匯聚元件19之設計可參考Y-W H.Liu,T.T.Huang,S.H.Jiang,H.M.Liu,(2004)“Renovation of Epithermal Neutron Beam for BNCT at THOR,”Appl.Radiat.Isot.61,1039-1043.。匯聚元件19在集中維持超熱中子通率強度的同時可降低快中子的劑量率。第1圖之設計為質子撞擊穿過靶材15後形成的中子束多數直接進入濾屏17。第2圖之設計為質子撞擊靶材15後產生的中子束，多數經靶材15背側的反射材料16如鉛反射再進入濾屏17。在某些實施例中，可將靶材15背側的反射材料16厚度增加至45cm，以增加反射之中子通率強度。在第1與2圖中，濾屏17之第一層17a、第二層17b、與17c之面積相同。但在某些實施例中，第三層17c之面積最大，第二層17b之面積為第三層17c之面積的81%至100%，而第一層17a之面積為第三層17c之面積的16%至100%，以形成前窄後寬的濾屏。在一實施例中，第二層17b可進一步圍繞第一層17a。前窄後寬的 濾屏與圓柱狀的濾屏相較，前窄後寬之濾屏具有提高超熱中子通率強度的效果。
如第1與2圖所示，匯聚元件19包含匯聚材19c，以及屏蔽材19a、19b與19d。堆疊之屏蔽材19a與19b具有開口，而匯聚材19c與屏蔽材19d各自位於屏蔽材19a與19b之開口的側壁上。在一實施例中，屏蔽材19a為聚乙烯混40wt%碳酸鋰，屏蔽材19b為鐵氟龍，匯聚材19c為鉍，而屏蔽材19d為聚乙烯混40wt%碳酸鋰(其中鋰為濃縮的6Li)。在某些實施例中，屏蔽材19a(如聚乙烯混40wt%碳酸鋰)之厚度自20cm縮小至5cm，其餘15cm改為鉛，可進一步增強中子束出口的超熱中子通率強度。此外，由於上述設計可增強超熱中子通率強度，因此加速器產生之質子束其能量不需高達30MeV。舉例來說，能產生19MeV至24MeV之質子的加速器11足以應用於上述設計，即可降低加速器11的成本。為了讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉數實施例配合所附圖示，作詳細說明如下：
實施例
以下實驗採用之模擬計算軟體為Los Alamos National Laboratory開發的MCNPX，且截面庫採用ENDF/B-7。
比較例1與實施例1至4中，中子束源產生器的模擬條件為加速器產生能量為30MeV且電流為1mA(30MeV/1mA)之質子束，靶材為0.55cm厚且直徑為19cm之鈹。濾屏之第一層係由鐵組成，第二層係由1體積份之氟化鋁、0.517體積份之鋁、與0.017體積份之氟化鋰組成，第三層係由1重量份之氟化 鋰與99重量份之氟化鎂組成。第一層之厚度為27.5cm，第二層之厚度為32.5cm，第三層之厚度為7.5cm，組成半徑50cm圓柱狀的濾屏。並進一步搭配Y-W H.Liu,T.T.Huang,S.H.Jiang,H.M.Liu,(2004)“Renovation of Epithermal Neutron Beam for BNCT at THOR,”Appl.Radiat.Isot.61,1039-1043.所揭露的匯聚元件19，以及在三層濾屏17與匯聚元件19之間，夾設有厚度5cm之鉍層18。
比較例1
如第3圖所示，比較例1之靶材15緊貼濾屏17，而通道13垂直於靶材15，即兩者之間的夾角α為90度，通道13與濾屏法線17`的夾角β為0度(即通道與濾屏的法線為同一方向)。上述通道13之剖面13c為直徑為20cm之圓形。上述中子束源產生器於匯聚口的超熱中子通率、快中子劑量率、與伴隨每單位超熱中子通率的快中子劑量率如第1表所示。
實施例1
如第4圖所示，實施例1之靶材15緊貼濾屏17，而通道13與靶材15之間的夾角α為45度，通道13與濾屏法線17`的夾角β為45度。上述通道13之剖面13c為直徑為20cm之圓形。上述中子束源產生器於匯聚出口的超熱中子通率、快中子劑量率、與伴隨每單位超熱中子通率的快中子劑量率如第1表所示。
實施例2
如第5圖所示，實施例2之靶材15緊貼濾屏17，而通道13與靶材15之間的夾角α為30度，通道13與濾屏法線17`的夾角β為60度。上述通道13之剖面13c為直徑為20cm之圓形。上述中子 束源產生器於匯聚出口的超熱中子通率、快中子劑量率、與伴隨每單位超熱中子通率的快中子劑量率如第1表所示。
實施例3
如第6圖所示，實施例3之靶材15緊貼濾屏17，而通道13與靶材15之間的夾角α為15度，通道13與濾屏法線17`的夾角β為75度。上述通道13之剖面13c為直徑為20cm之圓形。上述中子束源產生器於匯聚出口的超熱中子通率、快中子劑量率、與伴隨每單位超熱中子通率的快中子劑量率如第1表所示。
實施例4
如第7圖所示，實施例4之靶材15垂直於濾屏17，而通道13垂直於靶材15，即兩者之間夾角α為90度，通道13與濾屏法線17`的夾角β為90度。上述通道13之剖面13c為直徑為20cm之圓形。上述中子束源產生器於匯聚出口的超熱中子通率、快中子劑量率、與伴隨每單位超熱中子通率的快中子劑量率如第1表所示。
Figure TWI614042BD00001
Figure TWI614042BD00002
由第1表可知，當通道的質子束與濾屏法線夾一角度，可有效降低每單位超熱中子通率所伴隨的快中子劑量率。
實施例5
實施例5與實施例3(第6圖)類似，差別在於實施例5之第一層17a之厚度為22cm，第二層17b之厚度為25cm，且第三層17c之厚度為10cm，總計厚度為57cm(比實施例3之濾屏厚度少10.5cm)。上述中子束源產生器於匯聚出口的超熱中子通率、快中子劑量率、與伴隨每單位超熱中子通率的快中子劑量率如第2表所示。
實施例6
實施例6與實施例4(第7圖)類似，差別在於實施例6之第一層17a之厚度為22cm，第二層17b之厚度為25cm，第三層17c之厚度為10cm，總計厚度為57cm(比實施例4之濾屏厚度少10.5cm)。上述中子束源產生器於匯聚出口的超熱中子通率、快中子劑量率、與伴隨每單位超熱中子通率的快中子劑量率如第2表所示。
Figure TWI614042BD00003
Figure TWI614042BD00004
由第2表可知，質子束夾一角度入射濾屏可降低濾屏厚度，以達更強的超熱中子通率強度。
實施例7
實施例7與實施例5類似，差別在於實施例7之通道13之剖面13c由圓形改為橢圓形，其長軸為20cm，而短軸為5.2cm。如此一來，通道13之剖面投影至靶材15上的圖形將與靶材15完全重疊，如第8圖所示。上述中子束源產生器於匯聚出口的超熱中子通率、快中子劑量率、與伴隨每單位超熱中子通率的快中子劑量率如第3表所示。
實施例8
實施例8與實施例6類似，差別在於實施例8之靶材15與濾屏17之間夾角為15度，如第9圖所示，且通道13之剖面13c改為橢圓形，其長軸為20cm，而短軸為5.2cm。如此一來，通道13之剖面投影至靶材15上的圖形將與靶材15完全重疊。上述中子束源產生器於匯聚出口的超熱中子通率、快中子劑量率、與伴隨每單位超熱中子通率的快中子劑量率如第3表所示。
Figure TWI614042BD00005
Figure TWI614042BD00006
由第3表可知，依據通道剖面與靶材之間的角度，可在靶材面積固定的情況下(散熱效果一樣)，以較小的橢圓通道可減少中子滲漏，進一步提高超熱中子通率強度。
實施例9
實施例9與實施例8類似，差別在於實施例9之靶材15背側之反射材料(鉛)加厚15cm(如反射材料16A)。上述中子束源產生器於匯聚出口的超熱中子通率、快中子劑量率、與伴隨每單位超熱中子通率的快中子劑量率如第4表所示。
Figure TWI614042BD00007
如第4表所示，增加靶材背側之反射材料厚度(如反射材料16A)可增加超熱中子通率強度，且幾乎不增加快中子劑量率。
實施例10
實施例10與實施例9類似，差別在於實施例10將濾屏17之第一層17a之面積縮小至原本的16%，並將第二層17b之面積縮小至原本的81%，以形成前窄後寬之濾屏17如第10圖所示。第一層17a(半徑15cm的鐵)其外部周圍設置5cm厚的第二層17b材料(第二層係由1體積份之氟化鋁、0.517體積份之鋁、與0.017體積份之氟化鋰組成)，在此實施例中，第一層外部周圍的第二層材料與鐵(第一層材料)的體積比為9：7。上述中子束源產生器產生的超熱中子通率、快中子劑量率、與伴隨每單位超熱中子通率的快中子劑量率如第5表所示。
實施例11
實施例11與實施例10類似，差別在於實施例11省略匯聚元件19與濾屏17之間的鉍層18，如第11圖所示。上述中子束源產生器於匯聚出口的超熱中子通率、快中子劑量率、與伴隨每單位超熱中子通率的快中子劑量率如第5表所示。
實施例12
實施例12與實施例11類似，差別在於實施例12中圍繞匯聚元件19之聚乙烯混40wt%碳酸鋰19a1的厚度自20cm縮小至5cm，其餘15cm改為鉛19a3，如第12圖所示。上述中子束源產生器產生的超熱中子通率、快中子劑量率、與伴隨每單位超熱中子通率的快中子劑量率如第5表所示。
實施例13
實施例13與實施例12類似，差別在於實施例13中圍繞匯聚元件19之屏蔽材19a中，聚乙烯混40wt%碳酸鋰19a1的厚度自5cm縮小至1cm，其餘4cm改為鐵氟龍19a2，如第13圖所示。上述中子束源產生器產生的超熱中子通率、快中子劑量率、與伴隨每單位超熱中子通率的快中子劑量率如第5表所示。
Figure TWI614042BD00008
由第5表可知，將濾屏17調整為前窄後寬、省略鉍層18、調整圍繞匯聚元件之屏蔽材19a(聚乙烯混40wt%碳酸鋰)的厚度、或將屏蔽材改為多層結構(例如：雙層(聚乙烯混40wt%碳酸鋰/鉛)或三層結構(聚乙烯混40wt%碳酸鋰/鐵氟龍/鉛))， 可進一步改善超熱中子通率強度。
實施例14
實施例14與實施例13類似，差別在於實施例14之第三層17c改為鋁、氟化鎂、與氟化鋰之混合層。混合層的形成方法如下：先秤重鋁91.80公克，氟化鎂204.20公克與氟化鋰2.99公克之混合粉末，並將此混合粉末置於鋼球球磨罐中進行球磨混合，再利用真空熱壓成型技術在真空度10-2torr於600℃/330MPa的溫度及壓力下持溫30分鐘將此粉末製備成塊材。得到1體積份之氟化鎂、0.526體積份之鋁、與0.018體積份之氟化鋰組成之混合層作為塊材。上述中子束源產生器於匯聚出口的超熱中子通率、快中子劑量率、與伴隨每單位超熱中子通率的快中子劑量率如第6表所示。
實施例15
實施例15與實施例14類似，差別在於實施例15之加速器產生能量為24MeV且電流為500μA(24MeV/500μA)之質子束。上述中子束源產生器於匯聚出口的超熱中子通率、快中子劑量率、與伴隨每單位超熱中子通率的快中子劑量率如第6表所示。
實施例16
實施例16與實施例14類似，差別在於實施例16之加速器產生能量為19MeV且電流為300μA(19MeV/300μA)之質子束。上述中子束源產生器於匯聚出口的超熱中子通率、快中子劑量率、與伴隨每單位超熱中子通率的快中子劑量率如第6表所示。
第6表
Figure TWI614042BD00009
由第6表可知，第三層採用鋁、氟化鎂、與氟化鋰之混合層材料可進一步增加超熱中子通率強度，因此可搭配能量及電流較低之加速器以降低成本。
實施例17
實施例17與實施例14類似，差別在於實施例17之第三層之混合層材料混合比例不同，秤重鋁54公克，氟化鎂251.8公克與氟化鋰0.8公克之混合粉末，得到混合層為MgF2為1體積份，Al為0.251體積份，LiF為0.004體積份所組成。上述中子束源產生器於匯聚出口的超熱中子通率、快中子劑量率、伴隨每單位超熱中子通率的快中子劑量率、與熱中子相對超熱中子之比例如第7表所示。
實施例18
實施例18與實施例14類似，差別在於實施例18之第三層之 混合層材料混合比例不同，秤重鋁108公克，氟化鎂188.9公克與氟化鋰1.6公克之混合粉末，得到混合層為MgF2為1體積份，Al為0.667體積份，LiF為0.01體積份所組成。上述中子束源產生器於匯聚出口的超熱中子通率、快中子劑量率、伴隨每單位超熱中子通率的快中子劑量率、與熱中子相對超熱中子之比例如第7表所示。
Figure TWI614042BD00010
由第7表可知，第三層採用鋁、氟化鎂、與氟化鋰之混合層材料採用不同比例，可進一步調整超熱中子通率強度、快中子劑量率，及熱中子通率與超熱中子通率之比例。
雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
α、β‧‧‧角度
10‧‧‧中子束源產生器
11‧‧‧加速器
13‧‧‧通道
13c‧‧‧剖面
15‧‧‧靶材
16‧‧‧反射材料
17‧‧‧濾屏
17a‧‧‧第一層
17b‧‧‧第二層
17c‧‧‧第三層
19‧‧‧匯聚元件
19a、19b、19d‧‧‧屏蔽材
19c‧‧‧匯聚材
21‧‧‧患者

Claims (13)

  1. 一種中子束源產生器，包括：一加速器，經由一通道連接至一鈹靶材；以及一濾屏，其中該鈹靶材位於該通道末端並與濾屏鄰近，其中該通道與該鈹靶材之間的夾角α介於0度到90度之間，該通道與濾屏法線的夾角β介於45度到90度之間，且該通道之剖面為非圓形，其中該通道投影至該鈹靶材上的圖形面積大於或等於該通道之剖面面積。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之中子束源產生器，其中該通道剖面形狀為橢圓形，使通道剖面投影至靶材上的圖形成一圓形或橢圓形。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之中子束源產生器，其中該通道剖面形狀為矩形，使通道剖面投影至靶材上的圖形成一方形或矩形。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之中子束源產生器，其中該通道投影至靶材上的圖形與靶材的圖形重疊。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之中子束源產生器，其中該鈹靶材的一面緊貼該濾屏。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之中子束源產生器，其中該加速器產生能量為19MeV至30MeV之質子束。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之中子束源產生器，其中該濾屏包括：鋁、氟化鎂、與氟化鋰的混合層。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之中子束源產生器，其中該 混合層係由1體積份氟化鎂、0.25至1體積份之鋁、與0.003至0.02體積份之氟化鋰組成。
  9. 一種濾屏，包括：鋁、氟化鎂、與氟化鋰的混合層，其中該混合層係由1體積份氟化鎂、0.25至1體積份之鋁、與0.003至0.02體積份之氟化鋰組成。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之濾屏，更包括：一第一層，係由鐵組成；以及一第二層，係由1體積份之氟化鋁、0.25至1體積份之鋁、與0.013至0.02體積份之氟化鋰組成，其中該第二層位於該第一層與該混合層之間。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之濾屏，其中該第二層的材料進一步圍繞該第一層。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之濾屏，其中該第一層的面積小於該第二層之面積，且該第二層之面積小於該混合層之面積。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之濾屏，係應用用於中子束源產生器中。
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