JP6754091B1 - フラックス、はんだペーストおよびはんだ付け製品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記フラックスは、10〜40wt%のクマリンと、5〜30wt%のモノアミド系チキソ剤と、40〜80wt%の溶剤と、を含む。
前記クマリンの含有割合の下限が15wt%である。
前記クマリンの含有割合の上限が25wt%である。
前記モノアミド系チキソ剤の含有割合の下限が15wt%である。
前記モノアミド系チキソ剤の含有割合の上限が25wt%である。
前記モノアミド系チキソ剤に対する前記クマリンの含有比が0.4〜8.0である。
前記フラックスは、0wt%よりも多く5wt%以下の活性剤を更に含む。
前記フラックスは、活性剤を含まない。
前記フラックスは、0wt%よりも多く5wt%以下のロジンを更に含む。
前記フラックスは、ロジンを含まない。
前記はんだペーストは、第1〜第10の発明の何れか1つのフラックスと、はんだ粉末と、を含む。
前記製造方法は、第11の発明におけるはんだペーストを、電子回路基板のはんだ付け部位に供給するステップと、前記はんだ付け部位に電子部品を実装するステップと、還元ガスを含む還元雰囲気下、前記はんだ粉末が溶融する温度まで前記はんだ付け部位を加熱して前記電子部品および前記電子回路基板を接合するステップと、を含む。
実施の形態に係るフラックスは、はんだ付け用のフラックスである。実施の形態に係るフラックスは、好適には、還元ガスを含む雰囲気下で行われるリフローはんだ付けに用いられる。このリフローはんだ付けの詳細については、「3.はんだ付け製品の製造方法」において説明される。実施の形態に係るフラックスは、クマリンと、モノアミド系チキソ剤と、溶剤と、を必須成分として含む。以下、必須成分およびこれらの含有割合(含有量)について説明する。
クマリンは、下記一般式(I)で表される常温(25℃)で固体の化合物である。クマリンは、はんだペーストの状態を安定化し、また、リフローはんだ付けの際のフラックスの揮発性を担保するために添加される。
モノアミド系チキソ剤は、クマリンを含むフラックスにチキソ性を付与して、はんだペーストの状態を安定化するために添加される。モノアミド系チキソ剤としては、脂肪酸アミドおよび芳香族アミドが例示される。モノアミド系チキソ剤は、単独で用いられ、または、複数種類を混合して用いられる。
クマリンおよびモノアミド系チキソ剤を含むフラックスに添加される溶剤としては、液体溶剤および固形溶剤が例示される。液体溶剤は、単独で用いられ、または、複数種類を混合して用いられる。固形溶剤は、液体溶剤と混合して用いられる。
実施の形態に係るフラックスにおいて、クマリンの含有割合とモノアミド系チキソ剤のそれについては上述したとおりである。ただし、後述する実施例の結果から、これらの含有割合の関係は、下記(1)式を満たしていることが好ましい。
0.4≦比RT≦8.0 ・・・(1)
0.7≦比RT≦1.0 ・・・(2)
実施の形態に係るフラックスは、活性剤を含んでもよい。つまり、実施の形態に係るフラックスは、活性剤を任意成分として含む。活性剤としては、有機酸、アミン、有機ハロゲン化合物およびアミンハロゲン化水素酸塩が例示される。活性剤は、単独で用いられ、または、複数種類を混合して用いられる。
実施の形態に係るフラックスは、ロジンを含んでもよい。つまり、実施の形態に係るフラックスは、ロジンを任意成分として含む。ロジンは、単独で用いられ、または、複数種類を混合して用いられる。
実施の形態に係るフラックスの製造方法に限定はなく、原料を同時にまたは順次、任意の方法で混合することにより製造される。フラックスの製造にあたっては、最終的にフラックスの全ての成分が混合されればよい。すなわち、フラックスに任意成分が含まれる場合、必須成分が予め混合されていてもよいし、必須成分の一部が任意成分と混合された後に、必須成分の残りが更に混合されてもよい。更には、フラックスの全ての成分が同時に混合されてもよい。
実施の形態に係るはんだペーストは、上述したフラックスと、はんだ粉末と、を含む。
はんだペーストに使用されるはんだ粉末の組成は特に限定されず、はんだ粉末には各種のはんだ合金を使用することができる。このようなはんだ合金としては、二元系合金および三元系以上の多元系合金が例示される。二元系合金としては、Sn−Sb系合金、Sn−Pb系合金、Sn−Cu系合金、Sn−Ag系合金、Sn−Bi系合金およびSn−In系合金が例示される。多元系合金としては、Sn−Pb−M系合金(Mは、Bi、Cu、In、SbおよびAgからなる群から選ばれる1種類以上の金属)、Sn−Zn−M系合金(Mは、Bi、Cu、In、SbおよびAgからなる群から選ばれる1種類以上の金属)およびSn−Ag−M系合金(Mは、Bi、Cu、In、SbおよびZnからなる群から選ばれる1種類以上の金属)が例示される。
実施の形態に係るはんだペーストの製造方法に限定はなく、原料を同時にまたは順次、任意の方法で混合することにより製造される。はんだペーストの製造にあたっては、最終的にフラックスの全ての成分およびはんだ粉末が混合されればよい。すなわち、予め調製したフラックスの全ての成分にはんだ粉末が混合されてもよいし、フラックスの成分の一部がはんだ粉末と混合された後に、フラックスの残りの成分が更に混合されてもよい。更には、はんだペーストの全ての成分が同時に混合されてもよい。
図1は、実施の形態に係るはんだ付け製品の製造方法の一例を説明する図である。図1には、還元ガスを含む還元雰囲気下で行われるリフローはんだ付けの流れが示されている。還元ガスは、はんだペーストPSTを構成するはんだ粉末の表面に形成された酸化膜、および電子回路基板10の電極11の表面に形成された酸化膜を除去する還元性物質(例えば、ギ酸、水素)から構成される。
次に、実施の形態に係るフラックスおよびはんだペーストを、実施例に基づいて詳細に説明する。
実施例および比較例のフラックスをアルミパンに10mg入れ、示差熱天秤(STA7200、日立ハイテクサイエンス社製)を用いて、10℃/minの昇温速度で400℃まで加熱した。各フラックスについて加熱前の重量に対する250℃の時点での重量の比率を算出し、これを残渣率とした。
〇:残渣率が1%以下
×:残渣率が1%超
はんだペーストの各サンプルを透明シリンジ(PSY−10E、武蔵エンジニアリング社製)に30〜40g充填し、プランジャー、キャップ、蓋を占めて72時間常温で保管した。その後、プランジャー付近のはんだペーストの性状を確認した。
〇:ひび割れが生じていない
×:ひび割れが生じている
上記2項目の評価結果を用いて、実施例および比較例のフラックスの総合評価を行った。総合評価の判定基準は次のとおりである。
〇:上記2項目の評価が全て〇である
×:上記2項目の評価において1つ以上の×がある
総合評価の結果を、上記2項目の評価結果と共に表1〜4に示す。
11,22,23 電極
20,21 電子部品
BMP はんだ接合部
PD はんだ付け製品
PST はんだペースト
RDC 還元ガス
Claims (12)
- はんだ付け用のフラックスであって、
10〜40wt%のクマリンと、
5〜30wt%のモノアミド系チキソ剤と、
40〜80wt%の溶剤と、
を含むことを特徴とするフラックス。 - 請求項1に記載のフラックスであって、
前記クマリンの含有割合の下限が15wt%である
ことを特徴とするフラックス。 - 請求項1または2に記載のフラックスであって、
前記クマリンの含有割合の上限が25wt%である
ことを特徴とするフラックス。 - 請求項1〜3の何れか1項に記載のフラックスであって、
前記モノアミド系チキソ剤の含有割合の下限が15wt%である
ことを特徴とするフラックス。 - 請求項1〜4の何れか1項に記載のフラックスであって、
前記モノアミド系チキソ剤の含有割合の上限が25wt%である
ことを特徴とするフラックス。 - 請求項1〜5の何れか1項に記載のフラックスであって、
前記モノアミド系チキソ剤に対する前記クマリンの含有比が0.4〜8.0である
ことを特徴とするフラックス。 - 請求項1〜6の何れか1項に記載のフラックスであって、
0wt%よりも多く5wt%以下の活性剤を更に含む
ことを特徴とするフラックス。 - 請求項1〜6の何れか1項に記載のフラックスであって、
活性剤を含まない
ことを特徴とするフラックス。 - 請求項1〜8の何れか1項に記載のフラックスであって、
0wt%よりも多く5wt%以下のロジンを更に含む
ことを特徴とするフラックス。 - 請求項1〜8の何れか1項に記載のフラックスであって、
ロジンを含まない
ことを特徴とするフラックス。 - はんだペーストであって、
請求項1〜10の何れか1項に記載のフラックスと、
はんだ粉末と、
を含むことを特徴とするはんだペースト。 - はんだ付け製品の製造方法であって、
請求項11に記載のはんだペーストを、電子回路基板のはんだ付け部位に供給するステップと、
前記はんだ付け部位に電子部品を実装するステップと、
還元ガスを含む還元雰囲気下、前記はんだ粉末が溶融する温度まで前記はんだ付け部位を加熱して前記電子部品および前記電子回路基板を接合するステップと、
を含むことを特徴とするはんだ付け製品の製造方法。
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