JP6750680B2 - 撮像素子および撮像システム - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 30
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 96
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 92
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 12
- FGRBYDKOBBBPOI-UHFFFAOYSA-N 10,10-dioxo-2-[4-(N-phenylanilino)phenyl]thioxanthen-9-one Chemical compound O=C1c2ccccc2S(=O)(=O)c2ccc(cc12)-c1ccc(cc1)N(c1ccccc1)c1ccccc1 FGRBYDKOBBBPOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 15
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/74—Circuitry for scanning or addressing the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/483—Details of pulse systems
- G01S7/486—Receivers
- G01S7/4861—Circuits for detection, sampling, integration or read-out
- G01S7/4863—Detector arrays, e.g. charge-transfer gates
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Studio Devices (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
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Description
特許文献1 特開2006−50566号公報
図4は、実施例1に係る撮像素子100の構成の一例を示す。同図は、特に、単一の光電変換部11に対応して受光部21および発光部31を配置する場合について図示する。本例の受光部21は、同期回路23および遮光部25を備える。また、発光部31は、補正部32および発光アレイ33を備える。
図5は、実施例2に係る撮像システム200の構成の一例を示す。本例の撮像システム200は、撮像素子100に加えて、照明部70および照明駆動部75をさらに備える。本例の撮像システム200は、被写体2に参照光RLを照射して、被写体2からの蛍光などの励起された光、又は反射光を検出する。
図6は、実施例3に係る撮像システム200の構成の一例を示す。本例の撮像システム200は、キャリブレーションにより、光電変換部11又はブロック毎のばらつき等に起因するスキューを補正する。例えば、キャリブレーションは、撮像した画像から、光電変換部11毎に時間計測をすることで行われる。本例の撮像システム200は、参照板3、基準パルス生成部80およびパルス制御部85を備える。
Claims (10)
- 複数の光電変換部と、
前記複数の光電変換部の駆動を指示する駆動光を発光する複数の発光部と、
各々が1または複数の前記光電変換部で構成される複数のブロックに対応して配置され、前記駆動光を受光して、対応する前記光電変換部に駆動信号を出力する複数の受光部と、
前記複数の受光部で前記駆動光を受光するタイミングに応じたフィードバック信号を対応する前記複数の発光部に入力することにより、前記複数の発光部の各々が前記駆動光を発光するタイミングを調整する調整部と
を有する撮像素子。 - 前記複数の光電変換部を有する光電変換基板と、
前記光電変換基板に積層され、前記複数の受光部を有する受光基板と
を備え、
前記光電変換基板において前記光電変換部が外光を受光する側の面と、前記受光基板において前記複数の受光部が前記駆動光を受光する側の面とが、互いに反対側となるように積層される
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記受光基板に積層され、前記複数の発光部を有する発光基板を備え、
前記発光基板において前記複数の発光部が前記駆動光を発光する側の面と、前記受光基板において前記複数の受光部が前記駆動光を受光する側の面とが、互いに向き合って積層される
請求項2に記載の撮像素子。 - 前記複数の発光部は、前記複数の受光部よりも少ない数で設けられる
請求項3に記載の撮像素子。 - 前記複数の光電変換部は、予め定められた基準被写体に照射された基準パルスを受光し、
前記調整部は、前記複数の光電変換部の出力に基づいて、前記複数の発光部が前記駆動光を発光するタイミングを調整する
請求項2から4のいずれか一項に記載の撮像素子。 - 前記撮像素子の温度を検出する温度検出部をさらに備え、
前記調整部は、前記温度検出部の検出した温度に基づいて、前記複数の発光部が前記駆動光を発光するタイミングを調整する
請求項2から5のいずれか一項に記載の撮像素子。 - 前記受光基板は、前記複数の受光部のそれぞれに対応して配置され、前記駆動光の一部を遮光する遮光部をさらに備える
請求項2から6のいずれか一項に記載の撮像素子。 - 請求項1に記載の撮像素子を備え、
前記複数の発光部は、前記複数の受光部と離間して配置される、
撮像システム。 - 前記複数の発光部と前記複数の受光部との間に、前記駆動光を前記複数の受光部に伝達する光伝達部材をさらに備える
請求項8に記載の撮像システム。 - 前記複数の受光部に対して前記複数の発光部のうちの1つが対応する
請求項8または9に記載の撮像システム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016162799 | 2016-08-23 | ||
JP2016162799 | 2016-08-23 | ||
PCT/JP2017/028031 WO2018037862A1 (ja) | 2016-08-23 | 2017-08-02 | 撮像素子および撮像システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018037862A1 JPWO2018037862A1 (ja) | 2019-06-20 |
JP6750680B2 true JP6750680B2 (ja) | 2020-09-02 |
Family
ID=61245781
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018535563A Active JP6750680B2 (ja) | 2016-08-23 | 2017-08-02 | 撮像素子および撮像システム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11057578B2 (ja) |
EP (1) | EP3490248B1 (ja) |
JP (1) | JP6750680B2 (ja) |
CN (1) | CN109644246B (ja) |
TW (1) | TWI727081B (ja) |
WO (1) | WO2018037862A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2022219928A1 (ja) * | 2021-04-16 | 2022-10-20 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2816228B2 (ja) * | 1990-04-18 | 1998-10-27 | オリンパス光学工業株式会社 | 遠隔撮像装置 |
US20030010892A1 (en) * | 2001-06-27 | 2003-01-16 | Clark Lloyd Douglas | Imaging system using identical or nearly-identical scanning and viewing illuminations |
JP3778844B2 (ja) * | 2001-11-15 | 2006-05-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | イメージセンサおよびそのイメージセンサを用いた撮像システム |
JP4574118B2 (ja) | 2003-02-12 | 2010-11-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
JP4254602B2 (ja) * | 2004-04-19 | 2009-04-15 | 株式会社島津製作所 | 二次元放射線検出器 |
JP4337779B2 (ja) | 2004-07-01 | 2009-09-30 | ソニー株式会社 | 物理情報取得方法および物理情報取得装置並びに物理量分布検知の半導体装置 |
AT500855B1 (de) * | 2004-09-08 | 2006-04-15 | Bioident Biometric Technologie | Vorrichtung zum auswerten biochemischer proben |
JP4428351B2 (ja) * | 2006-03-07 | 2010-03-10 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、電子機器、及び駆動方法 |
JP2008271413A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Olympus Corp | 画像表示装置、撮像装置、処理プログラム、画像表示装置の制御方法 |
JP5256874B2 (ja) * | 2008-06-18 | 2013-08-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびカメラシステム |
US8890047B2 (en) | 2011-09-21 | 2014-11-18 | Aptina Imaging Corporation | Stacked-chip imaging systems |
JP2013258537A (ja) * | 2012-06-12 | 2013-12-26 | Canon Inc | 撮像装置、及びその画像表示方法 |
JP6074981B2 (ja) | 2012-09-26 | 2017-02-08 | セイコーエプソン株式会社 | 撮像装置 |
US9832409B2 (en) | 2014-02-07 | 2017-11-28 | National University Corporation Shizuoka University | Image sensor |
-
2017
- 2017-08-02 JP JP2018535563A patent/JP6750680B2/ja active Active
- 2017-08-02 EP EP17843348.8A patent/EP3490248B1/en active Active
- 2017-08-02 CN CN201780051764.5A patent/CN109644246B/zh active Active
- 2017-08-02 WO PCT/JP2017/028031 patent/WO2018037862A1/ja unknown
- 2017-08-07 TW TW106126507A patent/TWI727081B/zh active
-
2019
- 2019-02-22 US US16/283,058 patent/US11057578B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109644246B (zh) | 2022-01-14 |
EP3490248B1 (en) | 2021-07-14 |
CN109644246A (zh) | 2019-04-16 |
US20190191111A1 (en) | 2019-06-20 |
TWI727081B (zh) | 2021-05-11 |
EP3490248A1 (en) | 2019-05-29 |
EP3490248A4 (en) | 2019-06-26 |
WO2018037862A1 (ja) | 2018-03-01 |
JPWO2018037862A1 (ja) | 2019-06-20 |
US11057578B2 (en) | 2021-07-06 |
TW201813062A (zh) | 2018-04-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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