JP6750495B2 - サージ防護素子及びその製造方法 - Google Patents
サージ防護素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6750495B2 JP6750495B2 JP2016245535A JP2016245535A JP6750495B2 JP 6750495 B2 JP6750495 B2 JP 6750495B2 JP 2016245535 A JP2016245535 A JP 2016245535A JP 2016245535 A JP2016245535 A JP 2016245535A JP 6750495 B2 JP6750495 B2 JP 6750495B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protruding electrode
- active layer
- pair
- vertical hole
- discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 66
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 21
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 34
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910018194 SF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- DEYPYJQZSPUXOP-UHFFFAOYSA-M [O-2].[O-2].[O-2].[OH-].O.[V+5].[Zn+2] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[OH-].O.[V+5].[Zn+2] DEYPYJQZSPUXOP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000011222 crystalline ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910002106 crystalline ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- UCMJLSDIXYLIDJ-UHFFFAOYSA-N tellanylidenebarium Chemical compound [Ba]=[Te] UCMJLSDIXYLIDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
すなわち、イオン源材料を突出電極部の対向面の凹凸に付着させているが、アーク耐性を向上させるために、さらに高い付着力でイオン源材料を形成することが要求されている。また、イオン源材料は、結晶化及び電極への付着力向上の目的で熱処理を施す必要があり、熱処理時にイオン源材料の塊が大きいほど、熱処理時に熱分解による脱水反応により蒸気等のガスが発生し、イオン源材料の膨れが生じる。この膨れの影響により、イオン源材料の密度が低下し、結晶化度が低下してしまう問題があった。このように結晶化度が低い場合、繰り返しサージによるイオン源材料の脱落や飛散、及びアーク放電に対する耐性を低下させる原因になっていた。また、熱処理時の温度を高く設定するほど結晶化度は向上するが、一度膨れてしまうと、密度が低下してイオン源材料の結晶化を阻害してしまう不都合があった。
すなわち、このサージ防護素子では、複数の縦穴部のうち少なくとも一部が、突出電極部の軸方向に対して傾斜しているので、軸方向に平行なものだけの場合に比べて、放電活性層のより高い付着力を得ることができる。
すなわち、このサージ防護素子の製造方法では、放電活性層形成工程で、封止電極の材料よりも電子放出特性の高い材料を含むイオン源材料を突出電極部の対向面に付着させる工程と、イオン源材料を熱処理して放電活性層を形成する工程とを有しているので、熱処理時にイオン源材料から発生する蒸気等が縦穴部に連通した横穴部を介して外部に抜けるため、膨れの発生が抑制され、放電活性層の結晶化度が向上する。
すなわち、本発明に係るサージ防護素子及びその製造方法によれば、一対の突出電極部の対向面に、複数の縦穴部が形成されると共に、一対の突出電極部の外周面に、少なくとも一つの縦穴部に連通した横穴部が形成され、一対の突出電極部の対向面に、封止電極の材料よりも電子放出特性の高い材料で形成された放電活性層が設けられ、放電活性層の少なくとも一部が、縦穴部内に埋め込まれるので、放電活性層の高い付着力及び結晶化度が得られると共に、熱処理時の膨れの発生が抑制される。
したがって、本発明に係るサージ防護素子では、アーク放電に対する耐性が向上し、サージ耐量特性が向上すると共に安定した放電が可能になる。その結果、放電開始電圧の変動幅を小さくできると共に、電極損傷が低減でき、素子の高寿命化(作動可能なサージ印加数の増大)に寄与することができる。
特に、本発明に係るサージ防護素子は、大電流サージ耐性が要求されるインフラ用(鉄道関連、再生エネルギー関連(太陽電池、風力発電等))の電源及び通信設備に好適である。また、サージ耐量が向上しているため、素子の小型化も可能になり、小型電子機器及び実装基板への応用も可能になる。
上記一対の封止電極3は、内方に突出し互いに対向した一対の突出電極部5を有している。
上記一対の突出電極部5の対向面5aには、図2から図4に示すように、複数の縦穴部6aが形成されている。また、一対の突出電極部5の外周面5bには、少なくとも一つの縦穴部6aに連通した横穴部6bが形成されている。
また、上記横穴部6bは、図3及び図4に示すように、複数の縦穴部6aの底部に連通して対向面5aに平行な方向(軸方向に垂直な方向)であって、軸線Cを中心とした放射状に延在して形成されている。
これら縦穴部6a及び横穴部6bは、機械加工により形成された微細穴である。
なお、本実施形態のサージ防護素子1は、絶縁性管2の内周面にイオン源材料で形成された放電補助部4を備えている。
なお、本実施形態では、放電活性層9を対向面5a上の中央部に形成している。
なお、本実施形態では、放電補助部4は、絶縁性管2の内周面に軸線Cに沿って直線状に形成されている。
また、図1では、放電補助部4を軸線Cに沿った1本のみ図示しているが、周方向に互いに間隔を空けて複数本形成しても構わない。
封止電極3は、絶縁性管2の両端開口部に導電性融着材(図示略)により加熱処理によって密着状態に固定されている円板状のフランジ部7を有している。このフランジ部7の内側に、内方に突出していると共に絶縁性管2の内径よりも外径の小さな円柱状の突出電極部5が一体に設けられている。
上記導電性融着材は、例えばAgを含むろう材としてAg−Cuろう材で形成されている。
上記絶縁性管2内に封入される放電制御ガスは、不活性ガス等であって、例えばHe,Ar,Ne,Xe,Kr,SF6,CO2,C3F8,C2F6,CF4,H2,大気等及びこれらの混合ガスが採用される。
上記放電活性層形成工程では、封止電極3の材料よりも電子放出特性の高い材料を含むイオン源材料を突出電極部5の対向面5aに付着させる工程と、イオン源材料を熱処理して放電活性層9を形成する工程とを有している。
また、放電活性層形成工程では、イオン源材料を対向面5aに塗布するとイオン源材料が縦穴部6a内に一部が浸入し、さらにイオン源材料を熱処理すると、イオン源材料から発生した蒸気等が縦穴部6aに連通した横穴部6bを介して突出電極部5の外部へと放出される。そして、熱処理後は、イオン源材料が縦穴部6a内に入り込んだ状態で結晶化されて放電活性層9が形成される。
なお、縦穴部26aは、軸方向に対して45度以内の角度とすることが好ましい。
また、第3実施形態と第2実施形態との異なる点は、第2実施形態では、横穴部26bが全て対向面5aに平行に延在しているのに対し、第3実施形態のサージ防護素子では、図6に示すように、横穴部36bが軸方向に対して傾斜しているものも含んでいる点ある。なお、横穴部36bは、対向面5aに対して45度以内の角度とすることが好ましい。
例えば、上記各実施形態では、上述した液状のイオン源材料の前駆体を突出電極部の対向面に塗布して付着させているが、付着の方法としては、突出電極部の対向面をイオン源材料の前駆体に浸漬させることで、イオン源材料を前記対向面に付着させて構わない。
Claims (3)
- 絶縁性管と、
前記絶縁性管の両端開口部を閉塞して内部に放電制御ガスを封止する一対の封止電極とを備え、
一対の前記封止電極が、内方に突出し互いに対向した一対の突出電極部を有し、
一対の前記突出電極部の対向面に、複数の縦穴部が形成されていると共に、一対の前記突出電極部の外周面に、少なくとも一つの前記縦穴部に連通した横穴部が形成され、
一対の前記突出電極部の対向面に、前記封止電極の材料よりも電子放出特性の高い材料で形成された放電活性層が設けられ、前記放電活性層の少なくとも一部が、前記縦穴部内に埋め込まれていることを特徴とするサージ防護素子。 - 請求項1に記載のサージ防護素子において、
複数の前記縦穴部のうち少なくとも一部が、前記突出電極部の軸方向に対して傾斜していることを特徴とするサージ防護素子。 - 請求項1又は2に記載のサージ防護素子を製造する方法であって、
前記突出電極部の対向面に複数の縦穴部を形成すると共に、前記突出電極部の外周面に、少なくとも一つの前記縦穴部に連通した横穴部を形成する穴形成工程と、
前記突出電極部の対向面に前記放電活性層を形成する放電活性層形成工程とを有し、
前記放電活性層形成工程で、前記封止電極の材料よりも電子放出特性の高い材料を含むイオン源材料を前記突出電極部の対向面に付着させる工程と、
前記イオン源材料を熱処理して前記放電活性層を形成する工程とを有していることを特徴とするサージ防護素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016245535A JP6750495B2 (ja) | 2016-12-19 | 2016-12-19 | サージ防護素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016245535A JP6750495B2 (ja) | 2016-12-19 | 2016-12-19 | サージ防護素子及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018101482A JP2018101482A (ja) | 2018-06-28 |
JP6750495B2 true JP6750495B2 (ja) | 2020-09-02 |
Family
ID=62715478
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016245535A Active JP6750495B2 (ja) | 2016-12-19 | 2016-12-19 | サージ防護素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6750495B2 (ja) |
-
2016
- 2016-12-19 JP JP2016245535A patent/JP6750495B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018101482A (ja) | 2018-06-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI715749B (zh) | 突波防護元件 | |
JP6750495B2 (ja) | サージ防護素子及びその製造方法 | |
TWI702763B (zh) | 突波防護元件 | |
JP6646873B2 (ja) | サージ防護素子 | |
JP6801524B2 (ja) | サージ防護素子及びその製造方法 | |
JP6922647B2 (ja) | サージ防護素子及びその製造方法 | |
JP6801407B2 (ja) | サージ防護素子及びその製造方法 | |
JP6044418B2 (ja) | サージアブソーバ及びその製造方法 | |
JP6753321B2 (ja) | サージ防護素子及びその製造方法 | |
TWI699057B (zh) | 突波防護元件 | |
JP6745055B2 (ja) | サージ防護素子 | |
JP6658433B2 (ja) | サージ防護素子 | |
JP6668720B2 (ja) | サージ防護素子 | |
JP7161144B2 (ja) | サージ防護素子 | |
JP6795783B2 (ja) | サージ防護素子 | |
JP6691686B2 (ja) | サージ防護素子 | |
JP2017168294A (ja) | サージ防護素子 | |
JP2020098706A (ja) | サージ防護素子およびその製造方法 | |
JP2017107676A (ja) | サージ防護素子 | |
CN103069671A (zh) | 电涌吸收器及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190925 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200629 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200714 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200727 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6750495 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |