JP6747727B1 - 気化器 - Google Patents
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- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 24
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 10
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 32
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 6
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000009279 wet oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/40—Heating elements having the shape of rods or tubes
- H05B3/42—Heating elements having the shape of rods or tubes non-flexible
- H05B3/48—Heating elements having the shape of rods or tubes non-flexible heating conductor embedded in insulating material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/40—Heating elements having the shape of rods or tubes
- H05B3/42—Heating elements having the shape of rods or tubes non-flexible
- H05B3/44—Heating elements having the shape of rods or tubes non-flexible heating conductor arranged within rods or tubes of insulating material
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B1/00—Details of electric heating devices
- H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
- H05B1/0227—Applications
- H05B1/023—Industrial applications
- H05B1/0244—Heating of fluids
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
- H05B2203/021—Heaters specially adapted for heating liquids
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
Description
この気化器は、両ヒータブロックと両ヒータ以外はコンタミネーション防止のため、石英ガラス製である。そして上記両ヒータブロックは、伝熱性の良いアルミニウム製である。
気化器Aは、
液体原料Lを霧化して吹き出すアトマイザ7と、
一端に前記アトマイザ7の噴霧口73が接続され、他端に気化ガスG2の出口である出口ノズル11を有する中空の気化器本体Ahと、
前記気化器本体Ah内に収納された加熱部Akとで構成され、
前記加熱部Akは、
前記気化器本体Ahの内径より小さい外径を有し、挿入端である先端頭部2aが閉塞された耐熱ガラス製のインナーチューブ2と、
前記インナーチューブ2に挿入されたインナーヒータブロック3と、
前記インナーヒータブロック3に埋設されたインナーヒータ9とで構成され、
前記出口ノズル11は、気化器本体Ahの内周面とインナーチューブ2の外周面の間に形成された気化用隙間Rに連通するように設置され、
前記インナーヒータブロック3は、前記インナーヒータブロック3の中心軸CLに沿って複数個に分割された分割体31〜3nと、弾発材8とで構成され、
前記弾発材8は、前記分割体31〜3nの間に配設され、前記分割体31〜3nを離間方向に押圧付勢して前記分割体31〜3nの外周面を前記インナーチューブ2の内周面に押圧させるように働き、
前記インナーヒータ91〜9nは、前記分割体31〜3nのそれぞれに埋設されていることを特徴とする。
上記気化器本体Ahは、中空円筒状のアウターチューブ1、分割されたアウターヒータブロック5、アウターヒータ4及び出口ノズル11とで構成されている。更に、気化器本体Ahには後述するように必要に応じて温度センサ12が設置される。
上記加熱部Akは、インナーチューブ2、インナーヒータブロック3、インナーヒータ9並びに温度センサ10とで構成される。
気化器Aが適用される液体原料Lは気化して使用されるもの(半導体製造に供される例えば各種の液体原料)であればどのようなものでもよいが、ここでは過酸化水素水とする。気化器Aが、過酸化水素水の気化用で、且つ、半導体製造装置のように極めて高純度な過酸化水素含有水蒸気ガス(気化ガスG2)が必要な場合、高温環境において、過酸化水素含有水蒸気ガス(気化ガスG2)に侵されないようなガラス(例えば「石英ガラス」)で、過酸化水素含有水蒸気ガス(気化ガスG2)に接触する部分、ここではアトマイザ7、アウターチューブ1、インナーチューブ2及び出口ノズル11が作られる。
そうでない分野では、パイレックス(登録商標)ガラスのような耐熱性ガラスの使用も可能である。
図2及び図3では、アウターヒータブロック5が左右に2分割されており、アウターヒータ4もこれに合わせて左右に2分割されてアウターヒータブロック5の分割体51・52に収納されている。アウターヒータ4の分割体を符号41・42で表す。
なお、これらアウターヒータブロック5の分割体51・52の外周に、締付力を有する固定バンド80が数箇所にわたって嵌められており、該分割体の内周面全面をアウターチューブ1の外周面に押圧してこれに接触させるようになっている。
このようにしてアウターヒータブロック5の内周面全面が耐熱性ガラス(例えば、石英ガラス)製のアウターチューブ1の外周面に接触するように取り付けられている。
温度センサ12は、アウターヒータブロック5の分割体51・52にのそれぞれ設置してもよい。
なお、液体原料導入管7bは、後述する液体流量制御器Eに接続されている。
このインナーヒータブロック3は、その軸方向(中心軸CL)に沿って複数個に分割されている。図2は2分割の例であり、図3は3分割の例である。各分割体31〜3nは均等に分割され、図2の場合は断面が半円、図3の場合は扇形である。なお、分割数は限定されない。2分割の場合、分割体を31・32で示し、3分割の場合は31〜33で示す。n分割の場合は図示しないが、31〜3n(nは2以上の整数)となる。インナーヒータブロック3の分割体31〜3nの材質は、本実施例ではアルミニウムとしているが、これは、密度が小さいこと、熱伝導率が高いこと、安価であること、機械加工がしやすいこと、ある程度耐食性があることなどの利点が多いことによる。勿論、アルミニウム以外の材料も使用可能である。銅、真鍮、鉄、ステンレス鋼など、熱伝導率が高い金属が使用できる。この点は上記アウターヒータブロック5にも適用される。
そして、横断面扇形の分割体31〜33の対向面31m〜33mの間には隙間Cが設けられ、且つ上記対向面31m〜33mには互いに対向する位置にバネ収納穴35が設けられている。このバネ収納穴35はインナーヒータブロック3の先端部分と基端部分に対として設けられ、3つの隙間Cにおいて1対ずつ3セットが設けられている。
なお、弾発材8の弾性力は、インナーチューブ2が破損しない程度の強度を選択する。そして、伝熱効率を高めるために、分割体31〜33の対向面31m〜33m間の隙間Cに、伝熱性の良好な伝熱ペーストを充填塗布することも可能である。
なお、従来では低熱膨張率のインナーチューブ2の内径に対してインナーヒータブロック3の外径を、インナーヒータブロック3の熱膨張を考慮した外径としていたため、両者の間には大きな空隙が発生し、大量の接着用の伝熱ペーストの使用を余儀なくされたが、本発明では、インナーヒータブロック3の分割体31〜33の外周面全面がインナーチューブ2の内周面に押圧して接触することになり、原則的には伝熱ペーストを使用する必要がなくなった。ただし、インナーヒータブロック3の分割体31〜33は金属材料の機械加工品であるため、その外形形状は正確に仕上がるが、インナーチューブ2は耐熱ガラス(石英ガラス)であるため、その加工精度は機械加工に劣る。それ故、熱によって該伝熱ペーストが変質しても全体の熱伝導性を損なわない程度の極少量の伝熱ペーストの使用は容認される。
耐熱ガラスで構成されたインナーチューブ2内では、昇温と共にインナーヒータブロック3の分割体31〜33が次第に熱膨張する。一方、インナーチューブ2は殆ど熱膨張せず内径がほぼ一定に保たれている。分割体31〜33の外周面はインナーチューブ2の内周面に押圧されており、熱膨張した分割体31〜33は対向面31m〜33m間の隙間Cを狭くする方向に膨張して弾発材8を押し縮める。なお、弾発材8の弾性力は、既述のようにインナーチューブ2を破損しない範囲の十分に弱いものが選定される。
そして加熱されたアウターヒータブロック5及びインナーヒータブロック3がアウターチューブ1及びインナーチューブ2を所定温度まで加熱すると、液体原料L(本実施例では過酸化水素水)がアトマイザ7の副供給孔7dに供給され、同時に主供給孔7cに霧化ガスG1が圧入される。これによって噴霧口73から液体原料Lが霧状流体Kとなって霧化空間M内に吹き込まれる。
なお、上記気化器Aのアトマイザ7、アウターチューブ1及びインナーチューブ2が「石英ガラス」で形成されている場合には、液体原料Lが過酸化水素水であったとしても、侵されないので、シリコン基板の表面酸化に適用することが出来る。
Claims (2)
- 液体原料を霧化して吹き出すアトマイザと、一端に前記アトマイザの噴霧口が接続され、他端に気化ガスの出口である出口ノズルを有する中空の気化器本体と、前記気化器本体内に収納された加熱部とで構成された気化器において、
前記加熱部は、前記気化器本体の内径より小さい外径を有し、挿入端である先端頭部が閉塞された耐熱ガラス製のインナーチューブと、前記インナーチューブに挿入されたインナーヒータブロックと、前記インナーヒータブロックに埋設されたインナーヒータとで構成され、
前記出口ノズルは、気化器本体の内周面とインナーチューブの外周面の間に形成された気化用隙間に連通するように設置され、
前記インナーヒータブロックは、前記インナーヒータブロックの中心軸に沿って複数個に分割された分割体と、弾発材とで構成され、
前記弾発材は、前記分割体の間に配設され、前記分割体を離間方向に押圧付勢して前記分割体の外周面を前記インナーチューブの内周面に押圧させるように働き、
前記インナーヒータは、前記分割体のそれぞれに埋設されていることを特徴とする気化器。 - 耐熱ガラスは、石英ガラスであることを特徴とする請求項1に記載の気化器。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019151125A JP6747727B1 (ja) | 2019-08-21 | 2019-08-21 | 気化器 |
CN202080057826.5A CN114270480A (zh) | 2019-08-21 | 2020-03-05 | 气化器 |
KR1020227009092A KR102669728B1 (ko) | 2019-08-21 | 2020-03-05 | 기화기 |
US17/753,094 US20220338308A1 (en) | 2019-08-21 | 2020-03-05 | Vaporizer |
PCT/JP2020/009385 WO2021033353A1 (ja) | 2019-08-21 | 2020-03-05 | 気化器 |
TW109108141A TWI728740B (zh) | 2019-08-21 | 2020-03-12 | 氣化器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019151125A JP6747727B1 (ja) | 2019-08-21 | 2019-08-21 | 気化器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6747727B1 true JP6747727B1 (ja) | 2020-08-26 |
JP2021034472A JP2021034472A (ja) | 2021-03-01 |
Family
ID=72146236
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019151125A Active JP6747727B1 (ja) | 2019-08-21 | 2019-08-21 | 気化器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220338308A1 (ja) |
JP (1) | JP6747727B1 (ja) |
CN (1) | CN114270480A (ja) |
TW (1) | TWI728740B (ja) |
WO (1) | WO2021033353A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20230115177A1 (en) * | 2021-10-08 | 2023-04-13 | Entegris, Inc. | Compressible tray for solid chemical vaporizing chamber |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3345803B2 (ja) * | 1997-05-16 | 2002-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 蒸気発生方法及びその装置 |
JP2009041794A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Olympus Corp | 液体加温装置とそのチューブ部材装着方法 |
KR20120039174A (ko) * | 2010-10-15 | 2012-04-25 | 송해근 | 히팅 재킷 |
JP6203207B2 (ja) * | 2015-02-03 | 2017-09-27 | 株式会社リンテック | 気化器 |
KR101978367B1 (ko) * | 2017-08-25 | 2019-05-14 | 이인철 | 반도체 제조용 챔버의 가스 공급 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조용 챔버 |
-
2019
- 2019-08-21 JP JP2019151125A patent/JP6747727B1/ja active Active
-
2020
- 2020-03-05 CN CN202080057826.5A patent/CN114270480A/zh active Pending
- 2020-03-05 US US17/753,094 patent/US20220338308A1/en active Pending
- 2020-03-05 WO PCT/JP2020/009385 patent/WO2021033353A1/ja active Application Filing
- 2020-03-12 TW TW109108141A patent/TWI728740B/zh active
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A621 | Written request for application examination |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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