JP6737379B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
実施の形態1にかかる半導体装置は、シリコン(Si)半導体よりもバンドギャップの広い半導体(以下、ワイドバンドギャップ半導体とする)を用いて構成される。実施の形態1においては、ワイドバンドギャップ半導体として例えば炭化珪素(SiC)半導体を用いた炭化珪素半導体装置について、MOSFET(以下、炭化珪素MOSFETとする)を例に説明する。図1は、実施の形態1にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す断面図である。図1に示すように、実施の形態1にかかる炭化珪素半導体装置は、n+型炭化珪素基板(半導体基板)1の主面上にn型炭化珪素エピタキシャル層(第1半導体層)2を積層してなる炭化珪素エピタキシャル基板(半導体チップ)を用いて構成される。
すなわち、第3p+型ベース領域3cは、基体おもて面側で第1p型ベース領域3aに接するとともに、基体裏面側の周囲を第2p型ベース領域3bに囲まれている。
構造を構成する。ダブルゾーンJTE構造とは、不純物濃度の異なる2つのp型領域が接するように横方向に並列された構成のJTE構造である。
を形成する。次に、例えばスパッタ法によって、炭化珪素半導体基体のおもて面の全面におもて面電極パッド12を堆積する。おもて面電極パッド12として、例えば、1%の割合でシリコンを含んだアルミニウム(Al−Si)層を形成してもよい。次に、おもて面電極パッド12をパターニングして選択的に除去し、ソース電極11および活性領域101の層間絶縁膜10上におもて面電極パッド12を残す。おもて面電極パッド12の層間絶縁膜10上の部分の厚さは、例えば5μm程度であってもよい。
次に、実施の形態1にかかる半導体装置のリーク電流特性について検証した。図6は、比較例1の炭化珪素半導体装置の構成を示す断面図である。図7は、実施例1にかかる炭化珪素半導体装置のリーク電流特性を示す度数分布図(ヒストグラム)である。図8は、実施例1にかかる炭化珪素半導体装置のp型ベース領域の不純物濃度比とリーク電流との関係を示す特性図である。図7の縦軸には試料数を示し、横軸には各試料のリーク電流値区分を示す。図7には、1.0×10-13[A]〜1.0×10-2[A]の範囲内のリーク電流値を1.0×10[A]ごとのデータ群に区分して示している(図11においても同様)。図8の横軸にはp型ベース領域3の不純物濃度比を示し、縦軸には図7に示す実施例1において度数(試料の個数)の多いリーク電流値区分の値(以下、リーク電流値区分の最頻値とする)を示す。p型ベース領域3の不純物濃度比とは、第3p+型ベース領域3cの不純物濃度に対する第2p型ベース領域3bの不純物濃度の比率(=第2p型ベース領域3bの不純物濃度/第3p+型ベース領域3cの不純物濃度)である。
これら実施例1および比較例1をそれぞれ複数作製し、各試料それぞれのリーク電流を測定した。具体的には、ソース電極11およびゲート電極9を接地電位(0V)とし、裏面電極パッド15に1200Vの電圧を印加したときのリーク電流を測定している。その結果を図7,8に示す。
次に、実施の形態2にかかる半導体装置の構成について、炭化珪素MOSFETを例に説明する。図9は、実施の形態2にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す断面図である。実施の形態2にかかる炭化珪素半導体装置が実施の形態1にかかる炭化珪素半導体装置と異なる点は、n型炭化珪素エピタキシャル層2上に堆積されたp型炭化珪素エピタキシャル層からなる第1p型ベース領域33aを備える点である。すなわち、実施の形態2においては、エピタキシャル層からなる第1p型ベース領域33aと、イオン注入による拡散領域である第2p型ベース領域33bおよび第3p+型ベース領域33cと、でp型ベース領域3が構成される。
ゲート電極9は、ゲート絶縁膜8を介して、n型領域4の表面上にわたって設けられていてもよい。
を形成する。
次に、p型炭化珪素エピタキシャル層上に、活性領域101を覆うレジストマスク(不図示)を形成する。次に、このレジストマスクをマスクとしてエッチングを行い、耐圧構造部102におけるp型炭化珪素エピタキシャル層を除去する。これにより、第1p-型領域5aおよび第2p--型領域5bが露出される。そして、このエッチング用のレジストマスクを除去する。ここではイオン注入マスクとしてレジストを利用したが、酸化膜等の他の物質を利用してもよい。また、イオン注入時の基板の温度は室温でなくてもよい。
次に、実施の形態2にかかる半導体装置のリーク電流特性について検証した。図10は、比較例2の炭化珪素半導体装置の構成を示す断面図である。図11は、実施例2にかかる炭化珪素半導体装置のリーク電流特性を示す度数分布図である。図12は、実施例2にかかる炭化珪素半導体装置のp型ベース領域の不純物濃度比とリーク電流との関係を示す特性図である。図11の縦軸には試料数を示し、横軸には各試料のリーク電流値区分を示す。図12の横軸にはp型ベース領域3の不純物濃度比を示し、縦軸には図11のリーク電流値区分の最頻値を示す。p型ベース領域3の不純物濃度比とは、第3p+型ベース領域33cの不純物濃度に対する第2p型ベース領域33bの不純物濃度の比率(=第2p型ベース領域33bの不純物濃度/第3p+型ベース領域33cの不純物濃度)である。
これら実施例2および比較例2をそれぞれ複数作製し、各試料それぞれのリーク電流を測定した。リーク電流の測定条件は、実施例1と同様である。その結果を図11,12に示す。
2 n型炭化珪素エピタキシャル層
3,23,43 p型ベース領域
3a,33a,43a 第1p型ベース領域
3b,33b,43b 第2p型ベース領域
3c,33c 第3p+型ベース領域
4 n型領域
5a 第1p-型領域
5b 第2p--型領域
6 n+型ソース領域
7 p+型コンタクト領域
8 ゲート絶縁膜
9 ゲート電極
10 層間絶縁膜
11 ソース電極
12 おもて面電極パッド
13 保護膜
14 裏面電極
15 裏面電極パッド
101 活性領域
102 耐圧構造部
103 単位セル
Claims (6)
- 炭化珪素半導体からなる第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板のおもて面に設けられた、前記半導体基板よりも不純物濃度の低い炭化珪素半導体からなる第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層の、前記半導体基板側に対して反対側の表面層に設けられた、炭化珪素半導体からなる第2導電型の第2半導体層と、
前記第2半導体層の、前記第1半導体層側に対して反対側の表面から前記第1半導体層の表面層にわたる深さで選択的に設けられた第2導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の内部に選択的に設けられた第1導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体層の、隣り合う前記第1半導体領域の間に挟まれた部分に、前記第1半導体層に達する深さで設けられた第1導電型の第3半導体領域と、
前記第1半導体領域の、前記第1半導体層と前記第2半導体領域とに挟まれた部分の表面上に、ゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
前記第1半導体領域および前記第2半導体領域に電気的に接続された第1電極と、
前記半導体基板の裏面に設けられた第2電極と、
前記第1半導体領域の周囲を囲む、前記第1半導体領域よりも不純物濃度の低い第2導電型の第4半導体領域と、
を備え、
前記第1半導体領域は、
前記第2半導体層の一部で構成され、前記ゲート絶縁膜を介して深さ方向に前記ゲート電極と対向し、前記第2半導体層の表面層から所定深さに達し、かつ内部に前記第2半導体領域を有する第1半導体部と、
前記第1半導体層の、前記第2半導体層側の表面層に設けられ、深さ方向において前記第1半導体部に隣接する、前記第1半導体部よりも不純物濃度の高い第2半導体部と、
前記第2半導体部の内部に選択的に設けられ、深さ方向に前記第2半導体領域に対向し、かつ前記第1半導体層と前記第2半導体領域とに挟まれた部分へ突出する、前記第2半導体部よりも不純物濃度の高い第3半導体部と、からなり、
前記第4半導体領域に接する前記第1半導体領域内の前記第3半導体部が前記第4半導体領域に接することを特徴とする半導体装置。 - 前記第3半導体部は、前記第1電極側で前記第1半導体部に接し、前記第2電極側の周囲を前記第2半導体部に囲まれていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2半導体部の不純物濃度は、前記第3半導体部の不純物濃度の0.1倍以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記第2半導体部の、前記第1半導体層と前記第3半導体部とに挟まれた部分の幅は0.1μm以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記半導体基板のおもて面は、(000−1)面に平行な面または(000−1)面に対して10度以下に傾いた面であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記半導体基板のおもて面は、(0001)面に平行な面または(0001)面に対して10度以下に傾いた面であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体装置。
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