JP6736372B2 - Processing equipment - Google Patents

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Description

本発明は、被加工物を加工する加工装置に関する。 The present invention relates to a processing device that processes a workpiece.

加工装置として、被加工物としてのウエーハを研削して薄化する研削装置や、研削後のウエーハを研磨する研磨装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。研削装置としては、上面に一対の保持テーブルが備えられたターンテーブルによって、搬送位置と研削位置に保持テーブル上のウエーハを位置付けるものが知られている。研削装置は、研削加工時にウエーハと研削ホイールとの間に研削水を供給しながらウエーハを研削しており、加工屑を含む廃液は、ターンテーブルの周囲のウォータケースを介して排出される。また、研磨装置は、研磨パッドにスラリーを定着させながら、ウエーハをCMP(Chemical Mechanical Polishing)研磨しており、スラリーの廃液はターンテーブルの周囲のウォータケースを介して排出される。 As a processing device, a grinding device that grinds and thins a wafer as a workpiece and a polishing device that grinds a wafer after grinding are known (for example, refer to Patent Document 1). As a grinding device, there is known a device which positions a wafer on a holding table at a carrying position and a grinding position by a turntable having a pair of holding tables on its upper surface. The grinding device grinds the wafer while supplying the grinding water between the wafer and the grinding wheel during the grinding process, and the waste liquid containing the processing waste is discharged through the water case around the turntable. The polishing apparatus polishes the wafer by CMP (Chemical Mechanical Polishing) while fixing the slurry to the polishing pad, and the waste liquid of the slurry is discharged through the water case around the turntable.

特開2014−50932号公報JP, 2014-50932, A

しかしながら、ウォータケース内の研削水には加工屑が含まれ、スラリーには遊離砥粒が含まれているため、これらの加工屑やスラリーはウォータケースの底板に滞留する。底板に加工屑やスラリーが放置されると、ターンテーブルの周囲で固体化して、ターンテーブルが回転できなくなる場合がある。また、固体化した加工屑やスラリーを清掃するために頻繁に装置を停止させる必要があり、連続的にウエーハを加工することができない問題がある。 However, since the grinding water in the water case contains processing chips and the slurry contains loose abrasive grains, these processing chips and slurry stay on the bottom plate of the water case. If the processing waste or slurry is left on the bottom plate, it may become solid around the turntable, and the turntable may not be able to rotate. In addition, it is necessary to stop the apparatus frequently in order to clean the solidified processing waste and slurry, and there is a problem that the wafer cannot be processed continuously.

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、加工屑が装置内で固体化することを防止して、被加工物を連続的に加工することができる加工装置を提供することを目的の1つとする。 The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a processing device capable of continuously processing a workpiece by preventing the processing waste from solidifying in the device. One

本発明の一態様の加工装置は、中心を軸に自転可能なターンテーブルと、該ターンテーブルの中心を中心に均等角度で配設し被加工物を保持する保持テーブルと、該保持テーブルに保持された被加工物を加工する加工手段と、該ターンテーブルを露出する開口を有し該ターンテーブルを収容し該ターンテーブルから流下する被加工物を加工した加工屑を含む加工廃液を受け止めて排水口から排水するウォータケースと、を備え、該ウォータケースの底板は、該排水口側が該ターンテーブルの中心を挟んで該排水口の反対側より低く傾斜させた傾斜面を備え、該ターンテーブルは、側面に該ウォータケースの底板に毛先を向けたブラシを備え、該ターンテーブルが回転することで該ブラシが該傾斜面上で回転し、該ウォータケースの該傾斜面に滞留する加工屑をかき回し加工廃液とともに該傾斜面を流れ降ろして該排水口から排水する。 A processing apparatus according to one aspect of the present invention includes a turntable that can rotate about its center, a holding table that holds a workpiece by arranging it at an equal angle around the center of the turntable, and a holding table Processing means for processing the processed work piece, and a processing waste liquid containing processing waste that has an opening for exposing the turntable and accommodates the turntable and flows down from the turntable. A water case that drains from the mouth, and the bottom plate of the water case has an inclined surface that is inclined lower than the opposite side of the drain port with the drain port side sandwiching the center of the turntable. A side face is provided with a brush whose bristles are directed to the bottom plate of the water case, and the brush is rotated on the inclined surface by the rotation of the turntable, and the processing waste accumulated on the inclined surface of the water case is removed. The agitation processing waste liquid is flowed down the inclined surface and drained from the drainage port .

この構成によれば、ターンテーブルの側面に備えられたブラシによって、ターンテーブルが回転する度にウォータケースの底板がかき回される。ウォータケースの周囲で加工屑が掃き出されるため、ターンテーブルの外周に加工屑が滞留して固体化することがなく、ターンテーブルの回転が阻害されることがない。また、ターンテーブルの周囲の加工屑を清掃する頻度を減らすことができ、被加工物を連続加工することができる。 According to this structure, the bottom plate of the water case is stirred by the brush provided on the side surface of the turntable each time the turntable rotates. Since the processing waste is swept out around the water case, the processing waste does not stay on the outer periphery of the turntable and solidify, and the rotation of the turntable is not hindered. Further, the frequency of cleaning the processing scraps around the turntable can be reduced, and the workpiece can be continuously processed.

本発明によれば、加工屑が装置内で固体化することを防止して、被加工物を連続的に加工することができる。 According to the present invention, it is possible to prevent the processing waste from solidifying in the apparatus and continuously process the workpiece.

本実施の形態に係るCMP研磨装置の斜視図である。It is a perspective view of a CMP polishing apparatus according to the present embodiment. 比較例に係るウォータケースの外周にスラリーが固体化した状態を示す図である。It is a figure which shows the state which the slurry solidified on the outer periphery of the water case which concerns on a comparative example. 本実施の形態に係るブラシのターンテーブルへの取付け位置を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the attachment position to the turntable of the brush which concerns on this Embodiment. 図3におけるブラシと底板との位置関係を示す図である。It is a figure which shows the positional relationship between the brush and the bottom plate in FIG. 本実施の形態に係るブラシにおけるスラリーの掃出しを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the sweeping out of the slurry in the brush which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係るブラシの掃き出し動作の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the sweeping-out operation of the brush which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係るブラシの掃き出し動作の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the sweeping-out operation of the brush which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係るブラシの掃き出し動作の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the sweeping-out operation of the brush which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係るブラシの掃き出し動作の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the sweeping-out operation of the brush which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係るブラシの掃き出し動作の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the sweeping-out operation of the brush which concerns on this Embodiment.

以下、添付図面を参照して、本実施の形態に係るCMP研磨装置について説明する。図1は、本実施の形態に係るCMP研磨装置の斜視図である。図2は、比較例に係るウォータケースの外周にスラリーが固体化した状態を示す図である。なお、本実施の形態に係るCMP研磨装置は、図1に示すように研磨加工専用の装置構成に限定されず、例えば、研削加工、研磨加工、洗浄加工等の一連の加工が全自動で実施されるフルオートタイプの加工装置に組み込まれてもよい。また、本実施の形態では、加工装置としてCMP研磨装置を例示するが、加工装置はターンテーブルの側面にブラシを備えたものであればよく、例えば、研削装置でもよい。 The CMP polishing apparatus according to the present embodiment will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view of a CMP polishing apparatus according to this embodiment. FIG. 2 is a diagram showing a state where the slurry is solidified on the outer circumference of the water case according to the comparative example. The CMP polishing apparatus according to the present embodiment is not limited to the apparatus configuration dedicated to polishing processing as shown in FIG. 1, and for example, a series of processing such as grinding processing, polishing processing, and cleaning processing can be performed automatically. It may be incorporated in a fully automatic type processing device. Further, in the present embodiment, a CMP polishing device is exemplified as the processing device, but the processing device may be any device provided with a brush on the side surface of the turntable, and may be, for example, a grinding device.

図1に示すように、CMP研磨装置1は、フルオートタイプの加工装置であり、被加工物であるウエーハWに対して搬入処理、研磨加工、洗浄処理、搬出処理からなる一連の作業を全自動で実施するように構成されている。ウエーハWは、略円板状に形成されており、カセットCに収容された状態でCMP研磨装置1に搬入される。なお、ウエーハWは、半導体基板にIC、LSI等の半導体デバイスが形成された半導体ウエーハでもよいし、無機材料基板にLED等の光デバイスが形成された光デバイスウエーハでもよい。また、ウエーハWは、デバイス形成後の半導体基板や無機材料基板でもよい。 As shown in FIG. 1, the CMP polishing apparatus 1 is a fully automatic type processing apparatus and performs a series of operations including a loading process, a polishing process, a cleaning process, and an unloading process on a wafer W as a workpiece. It is configured to be performed automatically. The wafer W is formed into a substantially disc shape, and is loaded into the CMP polishing apparatus 1 while being housed in the cassette C. The wafer W may be a semiconductor wafer in which semiconductor devices such as IC and LSI are formed on a semiconductor substrate, or an optical device wafer in which optical devices such as LEDs are formed on an inorganic material substrate. Further, the wafer W may be a semiconductor substrate or an inorganic material substrate after device formation.

CMP研磨装置1の基台11の前側には、複数のウエーハWが収容された一対のカセットCが載置されている。一対のカセットCの後方には、カセットCに対してウエーハWを出し入れするカセットロボット16が設けられている。カセットロボット16の両斜め後方には、加工前のウエーハWを位置決めする位置決め機構21と、加工済みのウエーハWを洗浄する洗浄機構26とが設けられている。位置決め機構21と洗浄機構26の間には、加工前のウエーハWを保持テーブル41に搬入する搬入手段31と、保持テーブル41から加工済みのウエーハWを搬出する搬出手段36とが設けられている。 On the front side of the base 11 of the CMP polishing apparatus 1, a pair of cassettes C containing a plurality of wafers W are placed. Behind the pair of cassettes C, a cassette robot 16 for loading/unloading the wafer W to/from the cassette C is provided. A positioning mechanism 21 for positioning the unprocessed wafer W and a cleaning mechanism 26 for cleaning the processed wafer W are provided diagonally behind the cassette robot 16. Between the positioning mechanism 21 and the cleaning mechanism 26, a carry-in means 31 for carrying the unprocessed wafer W into the holding table 41 and a carry-out means 36 for carrying out the processed wafer W from the holding table 41 are provided. ..

カセットロボット16は、多節リンクからなるロボットアーム17の先端にハンド部18を設けて構成されている。カセットロボット16では、カセットCから位置決め機構21に加工前のウエーハWが搬送される他、洗浄機構26からカセットCに加工済みのウエーハWが搬送される。 The cassette robot 16 is configured by providing a hand portion 18 at the tip of a robot arm 17 formed of a multi-joint link. In the cassette robot 16, the unprocessed wafer W is transferred from the cassette C to the positioning mechanism 21, and the processed wafer W is transferred from the cleaning mechanism 26 to the cassette C.

位置決め機構21は、仮置きテーブル22の周囲に、仮置きテーブル22の中心に対して進退可能な複数の位置決めピン23を配置して構成される。位置決め機構21では、仮置きテーブル22上に載置されたウエーハWの外周縁に複数の位置決めピン23が突き当てられることで、ウエーハWの中心が仮置きテーブル22の中心に位置決めされる。 The positioning mechanism 21 is configured by arranging a plurality of positioning pins 23 around the temporary storage table 22 that can move forward and backward with respect to the center of the temporary storage table 22. In the positioning mechanism 21, the center of the wafer W is positioned at the center of the temporary table 22 by abutting the plurality of positioning pins 23 on the outer peripheral edge of the wafer W placed on the temporary table 22.

搬入手段31では、搬入パッド33によって仮置きテーブル22からウエーハWが持ち上げられ、搬入アーム32によって搬入パッド33が旋回されることで保持テーブル41にウエーハWが搬入される。搬出手段36では、搬出パッド38によって保持テーブル41からウエーハWが持ち上げられ、搬出アーム37によって搬出パッド38が旋回されることで保持テーブル41からウエーハWが搬出される。 In the carry-in means 31, the wafer W is lifted from the temporary storage table 22 by the carry-in pad 33 and the carry-in pad 33 is swung by the carry-in arm 32, so that the wafer W is carried into the holding table 41. In the carry-out means 36, the carry-out pad 38 lifts the wafer W from the holding table 41, and the carry-out arm 37 pivots the carry-out pad 38 to carry the wafer W out of the holding table 41.

洗浄機構26は、スピンナーテーブル27に向けて洗浄水及び乾燥エアーを噴射する各種ノズル(不図示)を設けて構成される。洗浄機構26では、ウエーハWを保持したスピンナーテーブル27が基台11内に降下され、基台11内で洗浄水が噴射されてウエーハWがスピンナー洗浄された後、乾燥エアーが吹き付けられてウエーハWが乾燥される。 The cleaning mechanism 26 is configured by providing various nozzles (not shown) that spray cleaning water and dry air toward the spinner table 27. In the cleaning mechanism 26, the spinner table 27 holding the wafer W is lowered into the base 11, the cleaning water is sprayed in the base 11 to spin the wafer W, and then the dry air is blown to blow the wafer W. Are dried.

搬入手段31及び搬出手段36の後方には、ターンテーブル40から流下するスラリーや加工屑を含む加工廃液を受け止めるウォータケース46が設けられている。ウォータケース46は基台11に開口を形成することにより設けられ、ウォータケース46内にはターンテーブル40が収容されている。ウォータケース46の搬入手段31及び搬出手段36側はウエーハWが搬送される搬送エリア(図3参照)になっており、後述する加工手段51側にはウエーハWが研磨加工される加工エリア(図3参照)になっている。ターンテーブル40の上面は、一対の保持テーブル41の間でターンテーブル40を二分するように設置された仕切板45で仕切られている。加工エリアはケースカバー76(図3参照)で覆われることにより加工室76a(図1では不図示、図3参照)が形成されており、搬送エリアはケースカバー76から外部に露出している。 Behind the carry-in means 31 and the carry-out means 36, there is provided a water case 46 for receiving a processing waste liquid containing slurry and processing waste flowing down from the turntable 40. The water case 46 is provided by forming an opening in the base 11, and the turntable 40 is accommodated in the water case 46. The carry-in means 31 and the carry-out means 36 side of the water case 46 is a carrying area (see FIG. 3) where the wafer W is carried, and the working area 51 side, which will be described later, is a working area where the wafer W is polished (see FIG. 3)). The upper surface of the turntable 40 is partitioned by a partition plate 45 installed so as to divide the turntable 40 into two between a pair of holding tables 41. The processing area is covered with a case cover 76 (see FIG. 3) to form a processing chamber 76a (not shown in FIG. 1, see FIG. 3), and the transfer area is exposed to the outside from the case cover 76.

ウォータケース46の底板47は、加工エリア側が低くなるように傾斜しており、加工エリア側に加工廃液を排水する排水口48が形成されている。なお、加工エリアでは、排水口48が最も低い位置に形成されて、排水口48からスムーズに加工廃液が排水される。 The bottom plate 47 of the water case 46 is inclined so that the processing area side becomes lower, and a drain port 48 for draining the processing waste liquid is formed on the processing area side. In the processing area, the drainage port 48 is formed at the lowest position, and the processing waste liquid is smoothly drained from the drainage port 48.

ウォータケース46の底板47には、一対の保持テーブル41が周方向に均等間隔で備えられたターンテーブル40が配設されている。ターンテーブル40の下方にはターンテーブル40を回転させる回転手段49(図3参照)が設けられ、ターンテーブル40は中心を軸に自転可能となっている。ターンテーブル40が半回転する度に、保持テーブル41に保持されたウエーハWが搬送エリア及び加工エリアに交互に位置付けられる。 On the bottom plate 47 of the water case 46, there is arranged a turntable 40 having a pair of holding tables 41 arranged at equal intervals in the circumferential direction. Rotating means 49 (see FIG. 3) for rotating the turntable 40 is provided below the turntable 40, and the turntable 40 is rotatable about its center. Each time the turntable 40 makes a half rotation, the wafer W held by the holding table 41 is alternately positioned in the transfer area and the processing area.

保持テーブル41は、ターンテーブル40の中心を中心に均等角度でターンテーブル40に配設されている。各保持テーブル41の下方には保持テーブルを回転させる回転手段(不図示)が設けられている。各保持テーブル41の上面には、ウエーハWの下面を保持する保持面42が形成されている。保持テーブル41の周囲には、環状の周壁43が形成され、周壁43の内側には、保持テーブル41の隣にエア供給源(不図示)に接続された噴出口44が形成されている。この周壁43の内側には、研磨加工中に保持テーブル41から流れ落ちたスラリーが溜められ、噴出口44からエアが噴出されることで、研磨パッド53にスラリーが供給されて再利用される。また、噴出口44はターンテーブル40内の流路を通じてウォータケース46に連通しており、ウエーハWの研磨が終了すると周壁43内に溜められたスラリーは噴出口44を通ってウォータケース46に排出される。 The holding table 41 is arranged on the turntable 40 at an equal angle around the center of the turntable 40. Below each holding table 41, a rotating means (not shown) for rotating the holding table is provided. A holding surface 42 for holding the lower surface of the wafer W is formed on the upper surface of each holding table 41. An annular peripheral wall 43 is formed around the holding table 41, and an ejection port 44 connected to an air supply source (not shown) is formed inside the peripheral wall 43 next to the holding table 41. Inside the peripheral wall 43, the slurry that has flown down from the holding table 41 during the polishing process is collected and air is jetted from the jet port 44, so that the slurry is supplied to the polishing pad 53 and reused. Further, the ejection port 44 communicates with the water case 46 through the flow path in the turntable 40, and when the polishing of the wafer W is completed, the slurry accumulated in the peripheral wall 43 passes through the ejection port 44 and is discharged to the water case 46. To be done.

また、ウォータケース46の後側には、コラム12が立設されている。コラム12には、加工手段51をZ軸方向に加工送りする加工送り手段61が設けられている。加工送り手段61は、コラム12の前面に配置されたZ軸方向に平行な一対のガイドレール62と、一対のガイドレール62にスライド可能に設置されたモータ駆動のZ軸テーブル63とを有している。 A column 12 is provided upright on the rear side of the water case 46. The column 12 is provided with a machining feed means 61 for feeding the machining means 51 in the Z-axis direction. The processing feed means 61 has a pair of guide rails 62 arranged in front of the column 12 and parallel to the Z-axis direction, and a motor-driven Z-axis table 63 slidably installed on the pair of guide rails 62. ing.

Z軸テーブル63の前面には、ハウジング64を介して加工手段51が支持されている。Z軸テーブル63の背面側にはナット部(不図示)が形成され、このナット部にボールネジ(不図示)が螺合されており、ボールネジ(不図示)の一端には駆動モータ66が連結されている。駆動モータ66によってボールネジ(不図示)が回転駆動され、加工手段51がガイドレール62に沿ってZ軸方向に移動される。 The processing means 51 is supported on the front surface of the Z-axis table 63 via a housing 64. A nut portion (not shown) is formed on the back side of the Z-axis table 63, and a ball screw (not shown) is screwed into the nut portion, and the drive motor 66 is connected to one end of the ball screw (not shown). ing. A ball screw (not shown) is rotationally driven by the drive motor 66, and the processing means 51 is moved along the guide rail 62 in the Z-axis direction.

加工手段51は、ハウジング64を介してZ軸テーブル63の前面に取り付けられており、スピンドル54の下部に研磨パッド53を設けて構成されている。加工手段51は、保持テーブル41に保持されたウエーハWを研磨加工する。スピンドル54にはフランジ55が設けられ、フランジ55を介してハウジング64に加工手段51が支持される。スピンドル54の下部には、研磨パッド53が装着されるプラテン52が取り付けられている。研磨パッド53の研磨面にはスラリーSを定着させる多数の孔が形成されている。 The processing means 51 is attached to the front surface of the Z-axis table 63 via a housing 64, and has a polishing pad 53 provided below the spindle 54. The processing means 51 polishes the wafer W held by the holding table 41. The spindle 54 is provided with a flange 55, and the processing means 51 is supported by the housing 64 via the flange 55. A platen 52 to which a polishing pad 53 is attached is attached to the lower part of the spindle 54. A large number of holes for fixing the slurry S are formed on the polishing surface of the polishing pad 53.

また、スピンドル54の上部には、ウエーハWの上面と研磨パッド53の研磨面との間にスラリーSを供給するスラリー供給源59が接続されている。スラリー供給源59からスラリーSが供給されることで、スピンドル54内の流路を通じて研磨面にスラリーSが定着される。スラリーSは、砥粒を含むアルカリ性水溶液又は酸性水溶液であり、例えば、グリーンカーボランダム、ダイヤモンド、アルミナ、酸化セリウム、CBN(立方晶窒化ホウ素)の砥粒が含有される。 A slurry supply source 59 that supplies the slurry S between the upper surface of the wafer W and the polishing surface of the polishing pad 53 is connected to the upper portion of the spindle 54. By supplying the slurry S from the slurry supply source 59, the slurry S is fixed on the polishing surface through the flow path in the spindle 54. The slurry S is an alkaline aqueous solution or an acidic aqueous solution containing abrasive grains, and contains, for example, abrasive grains of green carborundum, diamond, alumina, cerium oxide, and CBN (cubic boron nitride).

CMP研磨装置1には、装置各部を統括制御する制御部(不図示)が設けられている。制御部は、各種処理を実行するプロセッサやメモリ等により構成される。メモリは、用途に応じてROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)等の一つ又は複数の記憶媒体で構成される。このようなCMP研磨装置1では、カセットC内からウエーハWが位置決め機構21に搬送されて、位置決め機構21でウエーハWがセンタリングされる。次に、保持テーブル41上にウエーハWが搬入され、ターンテーブル40の回転によって、保持テーブル41に保持されたウエーハWがCMP研磨位置に位置づけられる。CMP研磨位置1ではウエーハWが研磨加工される。そして、洗浄機構26でウエーハWが洗浄され、洗浄機構26からカセットCへウエーハWが搬出される。 The CMP polishing apparatus 1 is provided with a control unit (not shown) that integrally controls each unit of the device. The control unit includes a processor that executes various processes, a memory, and the like. The memory is configured by one or a plurality of storage media such as a ROM (Read Only Memory) and a RAM (Random Access Memory) according to the application. In such a CMP polishing apparatus 1, the wafer W is conveyed from the cassette C to the positioning mechanism 21, and the wafer W is centered by the positioning mechanism 21. Next, the wafer W is loaded onto the holding table 41, and the turntable 40 rotates to position the wafer W held on the holding table 41 at the CMP polishing position. At the CMP polishing position 1, the wafer W is polished. Then, the cleaning mechanism 26 cleans the wafer W, and the wafer W is unloaded from the cleaning mechanism 26 to the cassette C.

ところで、図2の比較例に示す一般的なCMP研磨装置90では、上記の通りウエーハWを加工する際、研磨に用いられたスラリーSや研磨加工により生じた加工屑は、保持テーブル101の周囲に設けられた周壁103の内側に溜められる。ウエーハWの周壁103内に溜められたスラリーSは、研磨が終了するとウォータケース106に連通している噴出口104からウォータケース106の加工エリアの底板107に流れ落ちる。そして、スラリーSは底板107に設けられた排水口108から排出される。 By the way, in the general CMP polishing apparatus 90 shown in the comparative example of FIG. 2, when the wafer W is processed as described above, the slurry S used for polishing and the processing waste generated by the polishing process are generated around the holding table 101. It is stored inside the peripheral wall 103 provided in the. The slurry S stored in the peripheral wall 103 of the wafer W flows down from the ejection port 104 communicating with the water case 106 to the bottom plate 107 in the processing area of the water case 106 after polishing is completed. Then, the slurry S is discharged from the drain port 108 provided in the bottom plate 107.

底板107上の加工屑やスラリーSの一部は、排水口108から排水されずにターンテーブル100に連れ回りされる。加工エリア106はケースカバー116で覆われており湿気が高くなっているため、スラリーSの乾燥が防止されて、底板107にスラリーSが固体化され難くなっている。しかしながら、搬送エリアはケースカバー116から外部に露出しており湿気が低い状態になっているため、ターンテーブル100に連れ回されて搬送エリアに運ばれたスラリーSが乾燥してターンテーブル100の外周に固体化されやすい。スラリーSの固体化によってターンテーブル100の回転が停止することを防止するためにはウォータケース106の頻繁な清掃が必要とされ、CMP研磨装置90の連続的な稼働ができず生産性が低下してしまう問題がある。そこで本実施の形態においては、ターンテーブルの側面にブラシを設け、ターンテーブルの外周で固体化するスラリーSを掃き出すこととした。 A part of the processing waste and the slurry S on the bottom plate 107 is not drained from the drain port 108 but is rotated along with the turntable 100. Since the processing area 106 is covered with the case cover 116 and has high humidity, the slurry S is prevented from being dried and the slurry S is hard to be solidified on the bottom plate 107. However, since the transfer area is exposed to the outside from the case cover 116 and is in a low humidity state, the slurry S carried to the transfer area by the turntable 100 is dried and the outer periphery of the turntable 100 is dried. It is easily solidified. In order to prevent the rotation of the turntable 100 from being stopped due to the solidification of the slurry S, the water case 106 needs to be frequently cleaned, and the CMP polishing apparatus 90 cannot be continuously operated, which lowers the productivity. There is a problem that ends up. Therefore, in the present embodiment, a brush is provided on the side surface of the turntable to sweep out the solidified slurry S on the outer circumference of the turntable.

以下、図3から図5を参照して本実施の形態に係るターンテーブルにおけるブラシの構成について説明する。図3は、本実施の形態に係るブラシのターンテーブルへの取付け位置を説明するための図であり、図4は、図3におけるブラシと底板との位置関係を示す図であり、図5は、本実施の形態に係るブラシにおけるスラリーの掃出しを説明するための図である。 Hereinafter, the configuration of the brush in the turntable according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 3 to 5. 3 is a diagram for explaining a mounting position of the brush according to the present embodiment on the turntable, FIG. 4 is a diagram showing a positional relationship between the brush and the bottom plate in FIG. 3, and FIG. FIG. 6 is a diagram for explaining the sweeping out of the slurry in the brush according to the present embodiment.

図3に示すように、本実施の形態に係るターンテーブル40の側面には、ブラシ台71の下面に多数のブラシ毛72を設けたブラシ70を備えている。ブラシ70は、仕切板45の延長方向でターンテーブル40の側面に設けられており、ウォータケース46の底板47にブラシ毛72の毛先を向けて配置されている。ターンテーブル40の回転に伴って、ブラシ70が加工エリアと搬送エリアを間欠回転してウォータケース46の底板47をかき回す。なお、図3において加工手段51については省略している。 As shown in FIG. 3, on the side surface of the turntable 40 according to the present embodiment, a brush 70 having a large number of bristles 72 provided on the lower surface of a brush base 71 is provided. The brush 70 is provided on the side surface of the turntable 40 in the extension direction of the partition plate 45, and is arranged with the tips of the brush bristles 72 facing the bottom plate 47 of the water case 46. Along with the rotation of the turntable 40, the brush 70 intermittently rotates between the processing area and the transfer area to stir the bottom plate 47 of the water case 46. The processing means 51 is omitted in FIG.

図4に示すように、ターンテーブル40によって搬送エリアと加工エリアの境界の停止位置にブラシが位置付けられると、ブラシ毛72の長さaは、ブラシ台70と底板47との距離bと略等しくなる。このため、ターンテーブル40の停止位置ではブラシ毛72の毛先がウォータケース46の底板47に接している。 As shown in FIG. 4, when the turntable 40 positions the brush at the stop position at the boundary between the transport area and the processing area, the length a of the brush bristles 72 is substantially equal to the distance b between the brush base 70 and the bottom plate 47. Become. Therefore, at the stop position of the turntable 40, the bristle tips of the brush bristles 72 are in contact with the bottom plate 47 of the water case 46.

ターンテーブル40によって搬送エリアにブラシ70が移動されると、底板47の傾斜によりブラシ台71と底板47との距離bが近づけられる。このとき、ブラシ毛72の長さaが距離bよりも大きくなるため、ブラシ毛72が底板47に押し付けられる。よって、搬送エリアではターンテーブル40の回転に伴いブラシ70が回転すると、ブラシ70はウォータケース46の底板47で固体化するスラリーSをかき回し、スラリーSが加工エリア側に掃き出される。 When the brush 70 is moved to the transport area by the turntable 40, the distance b between the brush base 71 and the bottom plate 47 is reduced due to the inclination of the bottom plate 47. At this time, the length b of the brush bristles 72 becomes larger than the distance b, so that the bristles 72 are pressed against the bottom plate 47. Therefore, when the brush 70 rotates with the rotation of the turntable 40 in the transfer area, the brush 70 stirs the slurry S solidified by the bottom plate 47 of the water case 46, and the slurry S is swept out to the processing area side.

ターンテーブル40によって加工エリアにブラシが移動されると、底板47の傾斜によりブラシ台71と底板47との距離bが遠ざけられる。このとき、ブラシ毛72の長さaは距離bよりも小さくなるため、ブラシ毛72が底板47に届かない。よって、加工エリアではターンテーブル40が回転しても底板47をかき回さず、加工エリア内のスラリーが搬送エリアに連れ回されない。 When the brush is moved to the processing area by the turntable 40, the distance b between the brush base 71 and the bottom plate 47 is increased due to the inclination of the bottom plate 47. At this time, since the length a of the brush bristles 72 is smaller than the distance b, the brush bristles 72 do not reach the bottom plate 47. Therefore, in the processing area, even if the turntable 40 rotates, the bottom plate 47 is not swirled, and the slurry in the processing area is not guided to the transfer area.

図5に示すように、ケースカバー76の外部に露出されて乾燥しやすい搬送エリアで、ターンテーブル40の側面に備えられているブラシ70が、ターンテーブル40が回転する度にターンテーブル40の周囲の底板47をかき回す。搬送エリアに滞留するスラリーSは、ブラシ70により搬送エリアから加工エリアに掃き出される。これにより、ターンテーブル40の外周でスラリーSが固体化することが防止され、ターンテーブル40の回転が阻害されないため、ウエーハWを連続加工することができる。また、停止位置でブラシ毛72がたわむことがないため、ブラシ毛72に癖を付き難くすることができる。 As shown in FIG. 5, in the transport area exposed to the outside of the case cover 76 and easily dried, the brush 70 provided on the side surface of the turntable 40 surrounds the turntable 40 each time the turntable 40 rotates. Stir the bottom plate 47 of. The slurry S staying in the transport area is swept from the transport area to the processing area by the brush 70. As a result, the slurry S is prevented from solidifying on the outer periphery of the turntable 40 and the rotation of the turntable 40 is not hindered, so that the wafer W can be continuously processed. Moreover, since the brush bristles 72 do not bend at the stop position, it is possible to prevent the brush bristles 72 from having a habit.

次に、ブラシ70がウォータケース46の底板47をかき回す際の掃き出し動作について詳細に説明する。図6は、本実施の形態に係るブラシの掃き出し動作の一例を示す図である。説明の便宜上、周壁43は省略している。 Next, the sweeping operation when the brush 70 stirs the bottom plate 47 of the water case 46 will be described in detail. FIG. 6 is a diagram showing an example of the sweeping operation of the brush according to the present embodiment. For convenience of explanation, the peripheral wall 43 is omitted.

図6Aは、停止位置におけるブラシ70の位置を示している。一対の保持テーブル41はそれぞれ加工エリアと搬送エリアに位置付けられ、それぞれの保持テーブル41の上面にはウエーハWが保持されている。ターンテーブル40の一対の保持テーブル41の間に設けられた仕切板45は、加工エリアと搬送エリアを仕切っており、仕切板45の側方に設けられたブラシ70が加工エリアと搬送エリアの境界に位置付けられている。このとき、ブラシ毛72はウォータケース46の底板47に毛先が接している。この停止位置でターンテーブル40が停止された状態で、スラリーSが供給されながらウエーハWが研磨され、研磨後のスラリーSが噴出口44(図3参照)を通って底板47に排出される。 FIG. 6A shows the position of the brush 70 in the stop position. The pair of holding tables 41 are respectively positioned in the processing area and the transfer area, and the wafer W is held on the upper surface of each holding table 41. The partition plate 45 provided between the pair of holding tables 41 of the turntable 40 partitions the processing area and the transfer area, and the brush 70 provided on the side of the partition plate 45 defines the boundary between the processing area and the transfer area. It is located in. At this time, the brush bristles 72 are in contact with the bottom plate 47 of the water case 46 at their tips. With the turntable 40 stopped at this stop position, the wafer W is polished while the slurry S is being supplied, and the slurry S after polishing is discharged to the bottom plate 47 through the ejection port 44 (see FIG. 3).

図6Bは、ターンテーブル40が停止位置から45°回転したブラシ70の位置を示している。ターンテーブル40の回転に伴い、ブラシ70がケースカバー76の外部に露出された搬送エリアに移動する。このとき、搬送エリアにおいては、ブラシ毛72が底板47に押し付けられる。これにより、ブラシ70が搬送エリアの底板47をかき回し、底板47で固体化しているスラリーSをターンテーブル40の回転に伴って掃き出す。スラリーSが乾燥しやすい搬送エリアにおいてブラシ70でターンテーブル40の周囲をかき回すことにより、スラリーSがターンテーブル40の外周で固体化することを防止することができる。 FIG. 6B shows the position of the brush 70 with the turntable 40 rotated 45° from the stop position. As the turntable 40 rotates, the brush 70 moves to the transfer area exposed to the outside of the case cover 76. At this time, the brush bristles 72 are pressed against the bottom plate 47 in the transport area. As a result, the brush 70 stirs the bottom plate 47 in the transfer area, and the slurry S solidified on the bottom plate 47 is swept out as the turntable 40 rotates. By agitating the periphery of the turntable 40 with the brush 70 in the transport area where the slurry S is easily dried, it is possible to prevent the slurry S from solidifying on the outer periphery of the turntable 40.

図6Cは、ターンテーブル40が停止位置から90°回転したブラシ70の位置を示している。ターンテーブル40の回転に伴い、ブラシ70が停止位置よりもブラシ台71と底板47の距離がより短い搬送エリアの位置に移動する。このとき、ブラシ毛72が底板47に強く押し付けられながら底板47をかき回し、スラリーSを掃き出す。 FIG. 6C shows the position of the brush 70 with the turntable 40 rotated 90° from the stop position. With the rotation of the turntable 40, the brush 70 moves to the position of the transport area where the distance between the brush base 71 and the bottom plate 47 is shorter than the stop position. At this time, the brush bristles 72 are strongly pressed against the bottom plate 47, and the bottom plate 47 is agitated to sweep out the slurry S.

図6Dは、ターンテーブル40が停止位置から180°回転したブラシ70の位置を示している。ターンテーブル40の回転に伴い、ブラシ70が加工エリアと搬送エリアの境界の停止位置に位置付けられる。上記したように、停止位置ではスラリーSが供給されながらウエーハWが研磨される。 FIG. 6D shows the position of the brush 70 with the turntable 40 rotated 180° from the stop position. With the rotation of the turntable 40, the brush 70 is positioned at the stop position at the boundary between the processing area and the transfer area. As described above, the wafer W is polished while the slurry S is being supplied at the stop position.

図6Eは、ターンテーブル40が停止位置から270°回転したブラシ70の位置を示している。ターンテーブル40の回転に伴い、ブラシ70がケースカバー76に覆われた加工エリアに移動する。このとき、加工エリアにおいては、ブラシ毛72が底板47に届かない。これにより、加工エリアではターンテーブル40が回転してもブラシ70が底板47をかき回すことがないため、加工エリア内のスラリーSがブラシ70によって搬送エリアに連れ回りされない。 FIG. 6E shows the position of the brush 70 with the turntable 40 rotated 270° from the stop position. As the turntable 40 rotates, the brush 70 moves to the processing area covered by the case cover 76. At this time, the brush bristles 72 do not reach the bottom plate 47 in the processing area. As a result, even if the turntable 40 rotates in the processing area, the brush 70 does not stir the bottom plate 47, so that the slurry S in the processing area is not rotated by the brush 70 to the transfer area.

以上のように、本実施の形態に係る加工装置としてのCMP研磨装置1は、ターンテーブル40の側面に備えられたブラシ70によって、ターンテーブル40が回転する度にウォータケース46の底板47がかき回される。ウォータケース46の周囲で加工屑が掃き出されるため、ターンテーブル40の外周に加工屑が滞留して固体化することがなく、ターンテーブル40の回転が阻害されることがない。また、ターンテーブル40の周囲の加工屑を清掃する頻度を減らすことができ、被加工物としてのウエーハWを連続加工することができる。 As described above, in the CMP polishing apparatus 1 as the processing apparatus according to the present embodiment, the bottom plate 47 of the water case 46 is stirred by the brush 70 provided on the side surface of the turntable 40 each time the turntable 40 rotates. Be done. Since the processing waste is swept out around the water case 46, the processing waste does not stay on the outer periphery of the turntable 40 and solidify, and the rotation of the turntable 40 is not hindered. Further, the frequency of cleaning the processing scraps around the turntable 40 can be reduced, and the wafer W as the workpiece can be continuously processed.

上記実施の形態においては、ブラシ70をターンテーブル40の側面の仕切板45の一端の延長方向に1つ設ける構成としたが、ブラシ70は搬送エリアの底板47をかき回すことができれば、ターンテーブル40の側面のどの位置に設けられていてもよい。 In the above embodiment, one brush 70 is provided in the extension direction of one end of the partition plate 45 on the side surface of the turntable 40. However, if the brush 70 can stir the bottom plate 47 in the transfer area, the turntable 40 can be rotated. It may be provided at any position on the side surface of the.

上記実施の形態においては、排水口48を1つ設ける構成としたが、排水口48は2つ以上設けられていてもよい。 In the above-described embodiment, one drain port 48 is provided, but two or more drain ports 48 may be provided.

上記実施の形態においては、ターンテーブル40は円形に形成されたが、多角に形成されていてもよい。 In the above embodiment, the turntable 40 is formed in a circular shape, but it may be formed in a polygonal shape.

本実施の形態においては、スラリーSの掃き出しにブラシ70を用いる構成としたが、スラリーSを掃き出せれば特に構成は限定されない。 In the present embodiment, the brush 70 is used to sweep out the slurry S, but the configuration is not particularly limited as long as the slurry S can be swept out.

また、本発明の各実施の形態を説明したが、本発明の他の実施の形態として、上記各実施の形態を全体的又は部分的に組み合わせたものでもよい。 Further, although the respective embodiments of the present invention have been described, other embodiments of the present invention may be a combination of the above respective embodiments wholly or partially.

また、本発明の実施の形態は上記の各実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施態様をカバーしている。 The embodiments of the present invention are not limited to the above-described embodiments, and may be variously changed, replaced, or modified without departing from the spirit of the technical idea of the present invention. Furthermore, if the technical idea of the present invention can be realized in another way by the advancement of the technology or another derivative technology, the method may be implemented. Therefore, the claims cover all embodiments that may be included in the scope of the technical idea of the present invention.

本実施の形態では、本発明をウエーハWを加工する加工装置に適用した構成について説明したが、加工屑が固体化されることが防止できる他の加工装置に適用することも可能である。 In the present embodiment, the configuration in which the present invention is applied to the processing device for processing the wafer W has been described, but it is also possible to apply the present invention to another processing device capable of preventing the processing waste from being solidified.

以上説明したように、本発明は、加工屑が装置内に固着することを防止して、被加工物を連続的に加工することができるという効果を有し、特に、被加工物を加工する加工装置に有用である。 As described above, the present invention has an effect that the processing waste can be prevented from sticking to the inside of the apparatus, and the work piece can be continuously processed. In particular, the work piece is processed. It is useful for processing equipment.

1 CMP研磨装置(加工装置)
40 ターンテーブル
41 保持テーブル
46 ウォータケース
47 (ウォータケースの)底板
48 排水口
51 加工手段
70 ブラシ
S スラリー
W ウエーハ(被加工物)
1 CMP polishing equipment (processing equipment)
40 Turntable 41 Holding Table 46 Water Case 47 Bottom Plate (of Water Case) 48 Drainage Port 51 Processing Means 70 Brush S Slurry W Wafer (Workpiece)

Claims (1)

中心を軸に自転可能なターンテーブルと、該ターンテーブルの中心を中心に均等角度で配設し被加工物を保持する保持テーブルと、該保持テーブルに保持された被加工物を加工する加工手段と、該ターンテーブルを露出する開口を有し該ターンテーブルを収容し該ターンテーブルから流下する被加工物を加工した加工屑を含む加工廃液を受け止めて排水口から排水するウォータケースと、を備え、
該ウォータケースの底板は、該排水口側が該ターンテーブルの中心を挟んで該排水口の反対側より低く傾斜させた傾斜面を備え、
該ターンテーブルは、側面に該ウォータケースの底板に毛先を向けたブラシを備え、該ターンテーブルが回転することで該ブラシが該傾斜面上で回転し、該ウォータケースの該傾斜面に滞留する加工屑をかき回し加工廃液とともに該傾斜面を流れ降ろして該排水口から排水する加工装置。
A turntable that can rotate about its center, a holding table that holds a work piece that is arranged at an equal angle around the center of the turntable, and a processing means that processes the work piece that is held by the holding table. And a water case that has an opening that exposes the turntable, accommodates the turntable, receives the processing waste liquid containing the processing waste that has processed the workpiece flowing down from the turntable, and discharges it from the drain port. ,
The bottom plate of the water case includes an inclined surface on the drain port side, which is inclined lower than the opposite side of the drain port with the center of the turntable interposed therebetween.
The turntable is provided with a brush having a bristle tip facing the bottom plate of the water case on a side surface, and the brush is rotated on the inclined surface by the rotation of the turntable and stays on the inclined surface of the water case. A processing device which stirs the processing waste to be swirled, flows down the inclined surface together with the processing waste liquid, and drains from the drain port .
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