JP6734775B2 - ニッケル粒子組成物、接合材及びそれを用いた接合方法 - Google Patents

ニッケル粒子組成物、接合材及びそれを用いた接合方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6734775B2
JP6734775B2 JP2016531371A JP2016531371A JP6734775B2 JP 6734775 B2 JP6734775 B2 JP 6734775B2 JP 2016531371 A JP2016531371 A JP 2016531371A JP 2016531371 A JP2016531371 A JP 2016531371A JP 6734775 B2 JP6734775 B2 JP 6734775B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nickel
weight
component
parts
particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016531371A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2016002741A1 (ja
Inventor
隆之 清水
隆之 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd
Original Assignee
Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd filed Critical Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd
Publication of JPWO2016002741A1 publication Critical patent/JPWO2016002741A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6734775B2 publication Critical patent/JP6734775B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/30Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C
    • B23K35/3033Ni as the principal constituent
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/05Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
    • B22F1/052Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles characterised by a mixture of particles of different sizes or by the particle size distribution
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/10Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material
    • B22F1/107Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material containing organic material comprising solvents, e.g. for slip casting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/0008Soldering, e.g. brazing, or unsoldering specially adapted for particular articles or work
    • B23K1/0016Brazing of electronic components
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/02Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape
    • B23K35/0222Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape for use in soldering, brazing
    • B23K35/0244Powders, particles or spheres; Preforms made therefrom
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/02Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape
    • B23K35/0222Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape for use in soldering, brazing
    • B23K35/0244Powders, particles or spheres; Preforms made therefrom
    • B23K35/025Pastes, creams, slurries
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/30Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/36Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest
    • B23K35/3612Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest with organic compounds as principal constituents
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/36Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest
    • B23K35/3612Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest with organic compounds as principal constituents
    • B23K35/3613Polymers, e.g. resins
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/36Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest
    • B23K35/3612Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest with organic compounds as principal constituents
    • B23K35/3615N-compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52Mounting semiconductor bodies in containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2301/00Metallic composition of the powder or its coating
    • B22F2301/15Nickel or cobalt
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2302/00Metal Compound, non-Metallic compound or non-metal composition of the powder or its coating
    • B22F2302/45Others, including non-metals
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2304/00Physical aspects of the powder
    • B22F2304/05Submicron size particles
    • B22F2304/054Particle size between 1 and 100 nm
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2304/00Physical aspects of the powder
    • B22F2304/05Submicron size particles
    • B22F2304/056Particle size above 100 nm up to 300 nm
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2304/00Physical aspects of the powder
    • B22F2304/10Micron size particles, i.e. above 1 micrometer up to 500 micrometer
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/06Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
    • B22F7/08Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools with one or more parts not made from powder
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/16Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
    • B22F9/18Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
    • B22F9/24Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from liquid metal compounds, e.g. solutions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C19/00Alloys based on nickel or cobalt
    • C22C19/03Alloys based on nickel or cobalt based on nickel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/291Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29155Nickel [Ni] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83053Bonding environment
    • H01L2224/83054Composition of the atmosphere
    • H01L2224/83065Composition of the atmosphere being reducing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832Applying energy for connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/201Temperature ranges
    • H01L2924/20106Temperature range 200 C=<T<250 C, 473.15 K =<T < 523.15K
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/201Temperature ranges
    • H01L2924/20107Temperature range 250 C=<T<300 C, 523.15K =<T< 573.15K
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/201Temperature ranges
    • H01L2924/20108Temperature range 300 C=<T<350 C, 573.15K =<T< 623.15K
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/201Temperature ranges
    • H01L2924/20109Temperature range 350 C=<T<400 C, 623.15K =<T< 673.15K
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/201Temperature ranges
    • H01L2924/2011Temperature range 400 C=<T<450 C, 673.15K =<T< 723.15K

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)

Description

本発明は、電子部品の製造に利用可能なニッケル粒子組成物、接合材及びそれを用いた接合方法に関する。
近年、省電力化への取り組みのなかで、インバータなどの電力変換器の高効率化が進められている。その中でも、低損失化が期待できる次世代のパワーデバイス半導体材料として、SiC(シリコンカーバイド)の実用化が検討されている。しかしながら、現行のSi(シリコン)パワーデバイスの駆動温度が125℃程度に対して、SiCは250℃以上が想定されるため、パワー半導体チップと実装基板を接合する接合材料には高温駆動時の信頼性が必要となる。
また、2006年にEUにおいて施行されたRoHS指令により、鉛フリーのはんだ材料が求められているが、高温領域の鉛はんだ代替材料については、いまだ満足するものは得られていない。
はんだ材料に代わり、銀粒子に代表される、微小なサイズの金属の物性を利用した接合方法が広く試みられてきた。例えば特許文献1では、サブマイクロ〜数マイクロメートルサイズの銀粒子接合材を200℃で揮発性成分を揮散させ、300℃あるいは350℃で加熱することにより20〜40MPa程度の接合強度が得られている。
さらに、ナノメートルサイズの銀粒子を含む接合材の提案もなされている。例えば特許文献2に記載の接合材は、ソルビン酸で被覆された平均粒径58.8nmの銀粒子と600nmの球状銀粉が混合したもので、最大100MPaの接合強度が開示されている。また特許文献3では、接合材に使用する銀粒子の体積粒度分布をバイモーダルにすることにより、モノモーダルな分布を持つ銀粒子よりも接合強度が向上することが開示されている。
しかしながら、上記特許文献等で示されるように、金属粒子の成分は貴金属が多く、ニッケルのような低価格な金属を使用した接合材の例はこれまでなかった。そればかりか特許文献4に記載されるように、フレーク状ニッケル粒子の接合材は十分な接合強度が得られていない。
また、特許文献2や特許文献3に記載の接合においては、加熱中に被接合部材を加圧することが必要であり、工業プロセスへの適応を考慮すると、無加圧プロセスと比べ設備の複雑化・コストアップが懸念される。
特許第4795483号公報 特開2011−80147号公報 特許第4872663号公報 特許第4633857号公報
本発明の目的は、銀などの貴金属を用いず、さらには被接合部材同士を加圧せずとも十分な接合強度が得られる接合層を形成することである。
本発明者らは上記問題に対し、加熱により粒子間焼結が進行しやすい30〜200ナノメートルのニッケル微粒子と、接合層全体の体積収縮を抑えることで接合体を骨材として支える0.5〜20マイクロメートルのニッケル粒子から成るニッケル粒子組成物を含有する接合材、上記接合材を用いて還元性ガスを含有する還元性ガス雰囲気下で250〜400℃の範囲内の温度で加熱する接合方法により、銀などの貴金属を用いず、さらには被接合部材同士を加圧せずとも十分な接合強度が得られることを見出した。
本発明のニッケル粒子組成物は、次の成分A〜C;
A)レーザー回折/散乱法による平均粒子径が0.5〜20μmの範囲内であり、ニッケル元素を50重量%以上含有するニッケル粒子、
B)走査型電子顕微鏡観察による平均一次粒子径が30〜200nmの範囲内であり、ニッケル元素を50重量%以上含有するニッケル微粒子、
C)全金属量に対して0.1〜2.5重量%の範囲内の有機バインダー、
を含有し、
前記成分A及び成分Bの重量比(成分A:成分B)が30:70〜70:30の範囲内である。
本発明のニッケル粒子組成物は、前記成分Aのニッケル元素の含有量が99.0重量%以上であってもよい。
本発明のニッケル粒子組成物は、前記成分Bのニッケル元素の含有量が90〜99.0重量%の範囲内であってもよい。
本発明のニッケル粒子組成物は、前記成分Aのニッケル元素の含有量が99.0重量%以上であってもよく、前記成分Bのニッケル元素の含有量が90〜99.0重量%の範囲内であってもよい。
本発明のニッケル粒子組成物は、前記成分Aのニッケル元素の含有量が99.0重量%以上であってもよく、前記成分Bのニッケル元素の含有量が90〜99.0重量%の範囲内であってもよく、前記成分Cの含有量が全金属量に対して0.1〜2.5重量%の範囲内であってもよい。
本発明のニッケル粒子組成物は、前記成分Aのニッケル元素の含有量が99.0重量%以上であってもよく、前記成分Bのニッケル元素の含有量が90〜99.0重量%の範囲内であってもよく、前記成分Cの含有量が全金属量に対して0.3〜1.5重量%の範囲内であってもよい。
本発明の接合材は、ニッケル粒子組成物の含有する接合材であって、前記ニッケル粒子組成物の含有量が70〜96重量%の範囲内である。
本発明の接合材は、さらに、沸点100〜300℃の範囲内にある有機溶媒を含有してもよく、前記有機溶媒の含有量が4〜30重量%の範囲内であってもよい。
本発明の接合材は、前記有機溶媒が1−ウンデカノール、テトラデカンからなる群より選ばれる少なくとも1種を全有機溶媒に対して15重量%〜50重量%の範囲内で含んでもよい。
本発明の接合方法は、上記いずれかの接合材を被接合部材の間に介在させて還元性ガスを含有する還元性ガス雰囲気下で200〜400℃の範囲内の温度で加熱することにより、被接合部材の間に接合層を形成する。
本発明のニッケル粒子組成物、接合材、接合方法によれば、銀などの貴金属を用いず、さらには被接合部材同士を加圧せずとも十分な接合強度が得られる。
従来方法との比較において、本発明の作用を模式的に説明する図面である。 実施例5の接合試験サンプルにおける接合層のX線観察の結果を示す図面である。 実施例6の接合試験サンプルにおける接合層のX線観察の結果を示す図面である。 実施例6の接合試験サンプルにおける接合層の断面のSEM観察の結果を示す図面である。 比較例4の接合試験サンプルにおける接合層のX線観察の結果を示す図面である。 比較例5の接合試験サンプルにおける接合層のX線観察の結果を示す図面である。
以下、本発明の実施の形態について説明する。
[ニッケル粒子組成物]
本発明のニッケル粒子組成物は、次の成分A〜Cを含有し、成分A及び成分Bの重量比(成分A:成分B)が30:70〜70:30の範囲内である。
A)レーザー回折/散乱法による平均粒子径が0.5〜20μmの範囲内であり、ニッケル元素を50重量%以上含有するニッケル粒子、
B)走査型電子顕微鏡観察による平均一次粒子径が30〜200nmの範囲内であり、ニッケル元素を50重量%以上含有するニッケル微粒子、
及び、
C)全金属量に対して0.1〜2.5重量%の範囲内の有機バインダー。
(成分A:ニッケル粒子)
成分Aのニッケル粒子は、加熱よる接合層形成時の体積収縮を抑制する観点から、レーザー回折/散乱法による平均粒子径が0.5〜20μmの範囲内とする。成分Aのニッケル粒子の平均粒子径が0.5μm未満であると、加熱による接合層形成時において体積収縮が大きくなり、被接合体同士が十分に接合しない。一方、成分Aのニッケル粒子の平均粒子径が20μmを超えると、被接合体上に塗布性の悪化や、接合層厚みの調整が困難となる。
また、成分Aのニッケル粒子は、その使用目的に応じて、ニッケル元素の含有量を適宜選択すればよく、全金属元素に対し、ニッケル元素の量を、好ましくは50重量%以上、より好ましくは75重量%以上、更に好ましくは90重量%以上とすることがよい。本発明の効果を十分に発現するために、成分Aのニッケル粒子はニッケル元素を99.0重量%以上含有することが最も好ましい。例えば成分Aのニッケル粒子のニッケル元素含有量を99.0重量%以上とするのは、一般的に市販されているニッケル粒子に含有されるニッケル元素量を目安としたものである。成分Aのニッケル粒子は、ニッケル元素以外のその他の含有成分としては、酸素や炭素の他、不純物金属を含んでもよい。また、ニッケル粒子の焼結性は、ニッケル粒子の表面又は表層部の性状に影響されるので、このような観点から、成分Aのニッケル粒子は、ニッケル元素を含有するシェル(殻部)と異種金属によるコア(中心部)からなるコア−シェル構造などの多層構造を有していてもよく、あるいは、ニッケル粒子の表層部におけるニッケル元素の濃度が中心部より高く、異種金属の濃度が中心部で高い構造を有していてもよい。このような構造を有する場合には、成分Aのニッケル粒子は、表層部における全金属元素に対して、ニッケル元素を好ましくは50重量%以上、より好ましくは75重量%以上、更に好ましくは90重量%以上含有することがよい。従って、ニッケル元素の濃度に傾斜を設け、ニッケル粒子の表層部を高濃度にすることができるので、ニッケル元素の含有量は、全金属元素に対し、10重量%程度とすることもできる。
成分Aのニッケル粒子は、その製造方法を問わず利用できる。成分Aのニッケル粒子としては、例えば、関東化学工業社製(製品名:ニッケル(粉末))、シグマアルドリッチジャパン合同会社製(製品名:Nickel)などの市販品を好ましく利用できる。
(成分B:ニッケル微粒子)
成分Bのニッケル微粒子は、走査型電子顕微鏡観察による平均一次粒子径が30〜200nmの範囲内である。例えば、本発明のニッケル粒子組成物を300℃の温度で加熱して焼結させる場合は、成分Bのニッケル微粒子の平均一次粒子径は30〜100nmの範囲内であることが好ましい。また、本発明のニッケル粒子組成物を350℃の温度で加熱して焼結させる場合は、成分Bのニッケル微粒子の平均一次粒子径は30〜160nmの範囲内であることが好ましい。成分Bのニッケル微粒子の平均一次粒子径が30nm未満であると、ニッケル微粒子が凝集しやすくなり、成分Aのニッケル粒子との均一な混合が困難となる。一方、成分Bのニッケル微粒子の平均一次粒子径が200nmを超えると、ニッケル微粒子間もしくはニッケル微粒子と成分Aのニッケル粒子との焼結能力が不十分であり、接合強度の低下を招く。なお、本明細書において、成分Bのニッケル微粒子の一次粒子の平均粒子径は、実施例で用いた値を含めて、電界放出形走査電子顕微鏡(Field Emission−Scanning Electron Microscope:FE−SEM)により試料の写真を撮影して、その中から無作為に200個を抽出してそれぞれの面積を求め、真球に換算したときの粒子径を個数基準として算出した値である。
また、成分Bのニッケル微粒子は、その使用目的に応じて、ニッケル元素の含有量を適宜選択すればよく、全金属元素に対し、ニッケル元素の量を、好ましくは50重量%以上、より好ましくは75重量%以上、更に好ましくは90〜99.0重量%の範囲内で含有することがよい。例えば、成分Bとして、湿式還元法で製造したニッケル微粒子や分散処理を行ったニッケル微粒子を使用する場合は、それらの平均一次粒子径が30〜200nmの範囲内であると、表面被覆の炭素や不動態酸素の存在で、ニッケル元素の含有量は上記の値となる。また、ニッケル微粒子の焼結性は、ニッケル微粒子の表面又は表層部の性状に影響されるので、このような観点から、成分Bのニッケル微粒子は、ニッケル元素を含有するシェル(殻部)と異種金属によるコア(中心部)からなるコア−シェル構造などの多層構造を有していてもよく、あるいは、ニッケル微粒子の表層部におけるニッケル元素の濃度が中心部より高く、異種金属の濃度が中心部で高い構造を有していてもよい。このような構造を有する場合には、表層部における全金属元素に対して、ニッケル元素を好ましくは50重量%以上、より好ましくは75重量%以上、更に好ましくは90重量%以上含有することがよい。従って、ニッケル元素の濃度に傾斜を設け、ニッケル粒子の表層部を高濃度にすることができるので、ニッケル元素の含有量は、全金属元素に対し、10重量%程度とすることもできる。
また、成分Bのニッケル微粒子は、ニッケル以外の金属を含有していてもよいが、その含有量は1〜10重量%の範囲内の量とすることが最も好ましい。ニッケル以外の金属としては、例えば、スズ、チタン、コバルト、銅、クロム、マンガン、鉄、ジルコニウム、タングステン、モリブデン、バナジウム等の卑金属、金、銀、白金、パラジウム、イリジウム、オスミウム、ルテニウム、ロジウム、レニウム等の貴金属などの金属元素を挙げることができる。これらは、単独で又は2種以上含有していてもよい。
また、成分Bのニッケル微粒子として、湿式還元法で製造したニッケル微粒子や分散処理を行ったニッケル微粒子を使用する場合は、例えば、酸素元素、炭素元素などの非金属元素を含有していてもよい。成分Bのニッケル微粒子中に炭素元素を含有する場合、その含有率は、例えば0.3〜2.5重量%の範囲内、好ましくは0.5〜2.0重量%の範囲内である。炭素元素は、ニッケル微粒子の表面に存在する有機化合物に由来するものであり、ニッケル微粒子の分散性向上に寄与する。従って、成分Bのニッケル微粒子中の炭素元素の含有量が0.3重量%未満では、十分な分散性が得られない場合があり、2.5重量%を超える場合は、焼成後に炭化して残炭となり、接合層の導電性を低下させる可能性がある。また、成分Bのニッケル微粒子中に酸素元素を含有する場合、その含有率は、例えば0.7〜7.5重量%の範囲内、好ましくは1.0〜2.0重量%の範囲内である。
成分Bのニッケル微粒子は、その製造方法を問わず利用できるが、ニッケル塩及び有機アミンを含む混合物から、湿式還元法によりニッケルイオンを加熱還元して析出させる公知の方法によって得られたものが好ましい。ここでは、湿式還元法によるニッケル微粒子の製造方法の一例について説明する。
湿式還元法によるニッケル微粒子の製造は、次の工程1及び2;
工程1)カルボン酸ニッケル及び1級アミンを含む混合物を、100℃〜165℃の範囲内の温度に加熱して錯化反応液を得る錯化反応液生成工程、
及び、
工程2)該錯化反応液を、マイクロ波照射によって170℃以上の温度に加熱して該錯化反応液中のニッケルイオンを還元し、1級アミンで被覆されたニッケル微粒子のスラリーを得るニッケル微粒子スラリー生成工程、を含むことができる。
工程1)錯化反応液生成工程:
(カルボン酸ニッケル)
カルボン酸ニッケル(カルボン酸のニッケル塩)は、カルボン酸の種類を限定するものではなく、例えば、カルボキシル基が1つのモノカルボン酸であってもよく、また、カルボキシル基が2つ以上のカルボン酸であってもよい。また、非環式カルボン酸であってもよく、環式カルボン酸であってもよい。このようなカルボン酸ニッケルとして、非環式モノカルボン酸ニッケルを好適に用いることができる。非環式モノカルボン酸ニッケルのなかでも、例えばギ酸ニッケル、酢酸ニッケル、プロピオン酸ニッケル、シュウ酸ニッケル、安息香酸ニッケル等を用いることがより好ましい。これらの非環式モノカルボン酸ニッケルを用いることによって、例えば、得られるニッケル微粒子は、その形状のばらつきが抑制され、均一な形状として形成されやすくなる。カルボン酸ニッケルは、無水物であってもよく、また水和物であってもよい。
(1級アミン)
1級アミンは、ニッケルイオンとの錯体を形成することができ、ニッケル錯体(又はニッケルイオン)に対する還元能を効果的に発揮する。一方、2級アミンは立体障害が大きいため、ニッケル錯体の良好な形成を阻害するおそれがあり、3級アミンはニッケルイオンの還元能を有しないため、いずれも単独では使用できないが、1級アミンを使用する上で、生成するニッケル微粒子の形状に支障を与えない範囲でこれらを併用することは差し支えない。1級アミンは、ニッケルイオンとの錯体を形成できるものであれば、特に限定するものではなく、常温で固体又は液体のものが使用できる。ここで、常温とは、20℃±15℃をいう。常温で液体の1級アミンは、ニッケル錯体を形成する際の有機溶媒としても機能する。なお、常温で固体の1級アミンであっても、100℃以上の加熱によって液体であるか、又は有機溶媒を用いて溶解するものであれば、特に問題はない。
1級アミンは、芳香族1級アミンであってもよいが、反応液におけるニッケル錯体形成の容易性の観点からは脂肪族1級アミンが好適である。脂肪族1級アミンは、例えばその炭素鎖の長さを調整することによって生成するニッケル微粒子の粒径を制御することができ、特に平均一次粒子径が30nm〜200nmの範囲内にあるニッケル微粒子を製造する場合において有利である。ニッケル微粒子の粒径を制御する観点から、脂肪族1級アミンは、その炭素数が6〜20程度のものから選択して用いることが好適である。炭素数が多いほど得られるニッケル微粒子の粒径が小さくなる。このようなアミンとして、例えばオクチルアミン、トリオクチルアミン、ジオクチルアミン、ヘキサデシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミン、ステアリルアミン、オレイルアミン、ミリスチルアミン、ラウリルアミン等を挙げることができる。例えばオレイルアミンは、ニッケル微粒子生成過程に於ける温度条件下において液体状態として存在するため均一溶液で反応を効率的に進行できる。
1級アミンは、ニッケル微粒子の生成時に表面修飾剤として機能するため、1級アミンの除去後においても二次凝集を抑制できる。また、1級アミンは、還元反応後の生成したニッケル微粒子の固体成分と溶剤または未反応の1級アミン等を分離する洗浄工程における処理操作の容易性の観点からは室温で液体のものが好ましい。更に、1級アミンは、ニッケル錯体を還元してニッケル微粒子を得るときの反応制御の容易性の観点からは還元温度より沸点が高いものが好ましい。すなわち、脂肪族1級アミンにおいては沸点が180℃以上のものが好ましく、200℃以上のものがより好ましく、また、炭素数が9以上のものが好ましい。ここで、例えば炭素数が9である脂肪族アミンのC21N(ノニルアミン)の沸点は201℃である。1級アミンの量は、ニッケル1molに対して2mol以上用いることが好ましく、2.2mol以上用いることがより好ましく、4mol以上用いることが望ましい。1級アミンの量が2mol未満では、得られるニッケル微粒子の粒子径の制御が困難となり、粒子径がばらつきやすくなる。また、1級アミンの量の上限は特にはないが、例えば生産性の観点からは20mol以下とすることが好ましい。
(有機溶媒)
工程1では、均一溶液での反応をより効率的に進行させるために、1級アミンとは別の有機溶媒を新たに添加してもよい。有機溶媒を用いる場合、有機溶媒をカルボン酸ニッケル及び1級アミンと同時に混合してもよいが、カルボン酸ニッケル及び1級アミンを先ず混合し錯形成した後に有機溶媒を加えると、1級アミンが効率的にニッケル原子に配位するので、より好ましい。使用できる有機溶媒としては、1級アミンとニッケルイオンとの錯形成を阻害しないものであれば、特に限定するものではなく、例えば炭素数4〜30のエーテル系有機溶媒、炭素数7〜30の飽和又は不飽和の炭化水素系有機溶媒、炭素数8〜18のアルコール系有機溶媒等を使用することができる。また、マイクロ波照射による加熱条件下でも使用を可能とする観点から、使用する有機溶媒は、沸点が170℃以上のものを選択することが好ましく、より好ましくは200〜300℃の範囲内にあるものを選択することがよい。このような有機溶媒の具体例としては、例えばテトラエチレングリコール、n−オクチルエーテル等が挙げられる。
錯形成反応は室温に於いても進行することができるが、十分且つ、より効率の良い錯形成反応を行うために、100℃〜165℃の範囲内の温度に加熱して反応を行う。この加熱は、カルボン酸ニッケルとして、例えばギ酸ニッケル2水和物や酢酸ニッケル4水和物のようなカルボン酸ニッケルの水和物を用いた場合に特に有利である。加熱温度は、好ましくは100℃を超える温度とし、より好ましくは105℃以上の温度とすることで、カルボン酸ニッケルに配位した配位水と1級アミンとの配位子置換反応が効率よく行われ、この錯体配位子としての水分子を解離させることができ、さらにその水を系外に出すことができるので効率よく錯体を形成させることができる。例えば、ギ酸ニッケル2水和物は、室温では2個の配位水と2座配位子である2個のギ酸イオンが存在した錯体構造をとっているため、この2つの配位水と1級アミンの配位子置換により効率よく錯形成させるには、100℃より高い温度で加熱することでこの錯体配位子としての水分子を解離させることが好ましい。また、カルボン酸ニッケルと1級アミンとの錯形成反応における熱処理は、後に続くニッケル錯体(又はニッケルイオン)のマイクロ波照射による加熱還元の過程と確実に分離し、前記の錯形成反応を完結させるという観点から、上記の上限温度以下とし、好ましくは160℃以下、より好ましくは150℃以下とすることがよい。
加熱時間は、加熱温度や、各原料の含有量に応じて適宜決定することができるが、錯形成反応を完結させるという観点から、10分以上とすることが好ましい。加熱時間の上限は特にないが、長時間熱処理することはエネルギー消費及び工程時間を節約する観点から無駄である。なお、この加熱の方法は、特に制限されず、例えばオイルバスなどの熱媒体による加熱であっても、マイクロ波照射による加熱であってもよい。
カルボン酸ニッケルと1級アミンとの錯形成反応は、カルボン酸ニッケルと1級アミンとを有機溶媒中で混合して得られる溶液を加熱したときに、溶液の色の変化によって確認することができる。また、この錯形成反応は、例えば紫外・可視吸収スペクトル測定装置を用いて、300nm〜750nmの波長領域において観測される吸収スペクトルの吸収極大の波長を測定し、原料の極大吸収波長(例えばギ酸ニッケル2水和物ではその極大吸収波長は710nmであり、酢酸ニッケル4水和物ではその極大吸収波長は710nmである。)に対する錯化反応液のシフト(極大吸収波長が600nmにシフト)を観測することによって確認することができる。
カルボン酸ニッケルと1級アミンとの錯形成が行われた後、得られる反応液を、次に説明するように、マイクロ波照射によって加熱することにより、ニッケル錯体のニッケルイオンが還元され、ニッケルイオンに配位しているカルボン酸イオンが同時に分解し、最終的に酸化数が0価のニッケルを含有するニッケル微粒子が生成する。一般にカルボン酸ニッケルは水を溶媒とする以外の条件では難溶性であり、マイクロ波照射による加熱還元反応の前段階として、カルボン酸ニッケルを含む溶液は均一反応溶液とする必要がある。これに対して、本実施の形態で使用される1級アミンは、使用温度条件で液体であり、かつ、それがニッケルイオンに配位することで液化し、均一反応溶液を形成すると考えられる。
工程2)ニッケル微粒子スラリー生成工程:
本工程では、カルボン酸ニッケルと1級アミンとの錯形成反応によって得られた錯化反応液を、マイクロ波照射によって170℃以上の温度に加熱し、錯化反応液中のニッケルイオンを還元して1級アミンで被覆されたニッケル微粒子スラリーを得る。マイクロ波照射によって加熱する温度は、得られるニッケル微粒子の形状のばらつきを抑制するという観点から、好ましくは180℃以上、より好ましくは200℃以上とすることがよい。加熱温度の上限は特にないが、処理を能率的に行う観点からは例えば270℃以下とすることが好適である。なお、マイクロ波の使用波長は、特に限定するものではなく、例えば2.45GHzである。また、加熱温度は、例えばカルボン酸ニッケルの種類やニッケル微粒子の核発生を促進させる添加剤の使用などによって、適宜調整することができる。
本工程では、マイクロ波が反応液内に浸透するため、均一加熱が行われ、かつ、エネルギーを媒体に直接与えることができるため、急速加熱を行うことができる。これにより、反応液全体を所望の温度に均一にすることができ、ニッケル錯体(又はニッケルイオン)の還元、核生成、核成長各々の過程を溶液全体において同時に生じさせ、結果として粒径分布の狭い単分散な粒子を短時間で容易に製造することができる。
均一な粒径を有するニッケル微粒子を生成させるには、工程1の錯化反応液生成工程(ニッケル錯体の生成が行われる工程)でニッケル錯体を均一にかつ十分に生成させることと、本工程2のニッケル微粒子スラリー生成工程で、ニッケル錯体(又はニッケルイオン)の還元により生成するニッケル(0価)の核の同時発生・成長を行う必要がある。すなわち、錯化反応液生成工程の加熱温度を上記の特定の範囲内で調整し、ニッケル微粒子スラリー生成工程におけるマイクロ波による加熱温度よりも確実に低くしておくことで、粒径・形状の整った粒子が生成し易い。例えば、錯化反応液生成工程で加熱温度が高すぎるとニッケル錯体の生成とニッケル(0価)への還元反応が同時に進行することで、ニッケル微粒子スラリー生成工程での粒子形状の整った粒子の生成が困難となるおそれがある。また、ニッケル微粒子スラリー生成工程の加熱温度が低すぎるとニッケル(0価)への還元反応速度が遅くなり核の発生が少なくなるため粒子が大きくなるだけでなく、ニッケル微粒子の収率の点からも好ましくはない。
マイクロ波照射によって加熱して得られるニッケル微粒子スラリーを、例えば、静置分離し、上澄み液を取り除いた後、適当な溶媒を用いて洗浄し、乾燥することで、ニッケル微粒子が得られる。ニッケル微粒子スラリー生成工程においては、必要に応じ、前述した有機溶媒を加えてもよい。なお、前記したように、錯形成反応に使用する1級アミンを有機溶媒としてそのまま用いることが好ましい。
以上のようにして、平均一次粒子径が30〜200nmの範囲内のニッケル微粒子を調製することができる。
(成分C:有機バインダー)
成分Cの有機バインダーは、成分Aのニッケル粒子と成分Bのニッケル微粒子とを連結させ、両者を近接した状態に置くことによって、接合層を塊状にする作用を有する。本実施の形態のニッケル粒子組成物では、マイクロメートルサイズの粒子とナノメートルサイズの微粒子を含むことから、粒子サイズの相違によって、均一粒子に比べて凝集が生じにくく、粒子どうしの接点が少ない。そこに成分Cの有機バインダーを添加すると、粒子どうしの連結が広範囲にわたって形成される。そして、成分Cの有機バインダーによって成分Aのニッケル粒子と成分Bのニッケル微粒子との広範囲の連結状態を維持したまま、焼成を行うことによって、高い接合強度を有する塊状の接合層が得られる。
成分Cの有機バインダーとしては、有機溶媒に溶解可能なバインダーであれば特に制限なく使用できるが、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂等の熱硬化性樹脂や、ポリエチレン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ナイロン樹脂、アセタール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂等の熱可塑性樹脂を挙げることができる。これらの中でも、ポリビニルアセタール樹脂が好ましく、特に、分子内に、アセタール基のユニットと、アセチル基のユニットと、水酸基のユニットとを有するポリビニルアセタール樹脂がより好ましい。
成分Cの有機バインダーは、成分Aのニッケル粒子及び成分Bのニッケル微粒子の沈降を抑制し、十分な分散状態に維持するため、例えば、分子量が30000以上のものが好ましく、100000以上のものがより好ましい。
成分Cの有機バインダーとしては、例えば、積水化学工業社製ポリビニルアセタール樹脂(エスレックBH−A;商品名)などの市販品を好ましく用いることができる。
(配合比)
ニッケル粒子組成物は、成分A及び成分Bの重量比(成分A:成分B)が30:70〜70:30の範囲内である。上記範囲よりも成分Aのニッケル粒子の割合が高くなると、焼結されていないニッケル粒子が増えることにより、接合層としての強度不足が生じる。一方、上記範囲よりも成分Aのニッケル粒子の割合が低くなると、接合層全体の体積収縮が大きくなり、この場合もまた十分な接合強度が得られない。
また、ニッケル粒子組成物における成分Cの有機バインダーの配合量は、組成物中の全金属量に対して、0.1〜2.5重量%の範囲内であり、好ましくは0.3〜1.5重量%の範囲内であり、より好ましくは0.5〜1.2重量%である。ここで、「全金属量」は、成分Aのニッケル粒子及び成分Bのニッケル微粒子の合計重量を意味する。成分Cの有機バインダーの配合量が上記範囲を超えると、成分Aのニッケル粒子と成分Bのニッケル微粒子の焼結が不十分になり、上記範囲を下回ると、配合の効果が得られない。
本実施の形態のニッケル粒子組成物は、上記成分A〜C以外に、任意成分として、例えば鱗片状、ワイヤ状のような非球体ニッケルや、焼結を阻害しない程度のカーボンナノチューブなどの炭素材料を含むことができる。
(接合材)
本実施の形態の接合材は、上記ニッケル粒子組成物を含有する。本実施の形態の接合材は、さらに、沸点100〜300℃の範囲内にある有機溶媒を含有することができる。接合材に含有される溶媒の沸点は、実使用上の観点から、150〜260℃の範囲内が好ましい。使用する有機溶媒の沸点が100℃未満であると、長期安定性に欠ける傾向があり、300℃を超えると、加熱時に揮発せずに、接合層中に残炭が生じ、粒子同士の焼結や金属間化合物の形成を阻害する傾向がある。接合材は、高沸点の有機溶媒を添加後、濃縮し、ペーストの形態とすることが好ましい。
接合材におけるニッケル粒子組成物の含有量は、例えば70〜96重量%の範囲内であり、85〜95重量%の範囲内が好ましい。ニッケル粒子組成物の含有量が70重量%未満であると、接合層の厚みが薄くなる場合があり、例えば塗布などを複数回繰り返す必要が生じてムラの原因となり、また十分な接合強度が得られない場合がある。一方、ニッケル粒子組成物の含有量が96重量%を超えると、ペーストとしての流動性が失われ、塗布が困難になるなど使用性が低下する場合がある。
沸点が100〜300℃の範囲内にある溶媒として、例えば、アルコール系、芳香族系、炭化水素系、エステル系、ケトン系、エーテル系の溶媒が使用できる。アルコール系溶媒の例としては、1−ヘプタノール、1−オクタノール、2−オクタノール、2−エチル−1−ヘキサノール、1−ノナノール、3,5,5−トリメチル−1−ヘキサノール、1−デカノール、1−ウンデカノールなどの炭素数7以上の脂肪族アルコール類、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、トリメチレングリコール、1,2−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、テトラメチレングリコール、メチルトリグリコール等の多価アルコール類、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール等のテルピネオール類、さらにエチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、メチルメトキシブタノール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、2−フェノキシエタノール、1−フェノキシ−2−プロパノール等のエーテル基を有するアルコール類を挙げることができる。また、炭化水素系の溶媒として、例えば、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカンなどを挙げることができる。これらの中でも、1−ウンデカノール、テトラデカンが好ましく、全有機溶媒に対して1−ウンデカノール及び/又はテトラデカンを15重量%〜50重量%の範囲内で含むことがより好ましい。1−ウンデカノール及び/又はテトラデカンを使用する場合、全有機溶媒に対してテルピネオールを50重量%〜85重量%の範囲内で併用することが更に好ましい。
本実施の形態の接合材における有機溶媒の含有量は、例えば、4〜30重量%の範囲内であり、5〜15重量%の範囲内が好ましい。接合材における有機溶媒の含有量が4重量%未満であると、流動性が低下して接合材としての使用性が低下する場合がある。一方、有機溶媒の含有量が30重量%を超えると、例えば塗布などを複数回繰り返す必要が生じてムラの原因となり、また十分な接合強度が得られない場合がある。
本実施の形態の接合材は、上記成分以外に、任意成分として、例えば増粘剤、チキソ剤、レベリング剤、界面活性剤などを含むことができる。
(接合方法)
本実施の形態の接合方法は、上記接合材を、被接合部材の間に介在させて還元性ガスを含有する還元性ガス雰囲気下で、例えば200〜400℃の範囲内、好ましくは250〜400℃の範囲内、より好ましくは250〜350℃の範囲内の温度で加熱することにより、被接合部材の間に接合層を形成する。ニッケル微粒子どうし、ニッケル微粒子とニッケル粒子との間に焼結を進行させるためには、ニッケル微粒子およびニッケル粒子の金属表面を露出させることが必要であると考えられる。ニッケル微粒子表面に存在する有機物を揮発又は分解させる加熱温度は、例えば200℃以上であり、250℃以上が好ましく、さらには、還元性ガス雰囲気下で加熱を行うことにより、ニッケル微粒子、ニッケル粒子の両粒子表面の不動態層を除去することができる。一方、加熱温度が400℃を超えると、被接合部材としての半導体デバイス周辺にダメージを与える場合がある。
本実施の形態の接合方法は、例えば、ペースト状の接合材を一対の被接合部材の片方又は両方の被接合面に塗布する工程(塗布工程)、被接合面どうしを貼り合せ、例えば温度200〜400℃の範囲内、好ましくは250〜400℃の範囲内、より好ましくは250〜350℃の範囲内で加熱することにより、接合材を焼結させる工程(焼成工程)を含むことができる。
接合材を塗布する塗布工程では、例えばスプレー塗布、インクジェット塗布、印刷等の方法を採用できる。接合材は、目的に応じて、例えばパターン状、アイランド状、メッシュ状、格子状、ストライプ状など任意の形状に塗布することができる。塗布工程では、塗布膜の厚みが50〜200μmの範囲内となるように、接合材を塗布することが好ましい。このような厚みで塗布をすることで、接合部分の欠陥を少なくできるため、電気抵抗の上昇や接合強度の低下を防止できる。
また、焼成工程は、被接合部材どうしを、例えば10MPa以下、好ましくは1MPa以下で加圧するか、より好ましくは無加圧状態で行うことができる。焼成工程を簡略化でき、さらには被接合部材の加圧によるダメージを減らすことができる。
本実施の形態の接合方法は、例えば、Si、SiCの半導体材料の接合や、電子部品の製造過程で利用できる。ここで、電子部品としては、主に半導体装置、エネルギー変換モジュール部品などを例示できる。電子部品が半導体装置である場合、例えば、半導体素子の裏面と基板との間、半導体電極と基板電極との間、半導体電極と半導体電極との間、パワーデバイス若しくはパワーモジュールと放熱部材との間などの接合に適用できる。
電子部品を接合させる際は、接合強度を高めるため、予め被接合面の片方又は両方に、例えば、Au,Cu,Pd,Ni,Ag,Cr,Tiあるいはそれらの合金などの材質の接触金属層を設けておくことが好ましい。また、被接合面の材質が、SiCもしくはSiあるいはそれらの表面の酸化膜である場合は、例えばTi,TiW,TiN,Cr,Ni、Pd,Vあるいはそれらの合金などの材質の接触金属層を設けておくことが好ましい。
また、本実施の形態の接合方法は、金属材料などの接合にも利用できる。特に蝋材や溶接による接合で、熱影響部における母材の劣化がみられる場合に低温で接合することが好適である。また、本実施の形態の接合方法は、例えば、焼き入れ鋼、ステンレス鋼、加工硬化により強化された金属材料、熱酸化や熱ひずみにより劣化する無機材料や金属材料の接合にも適している。被接合体は管、板、継手、ロッド、ワイヤ、ボルトなどがあげられるが、これらに限定されるものではない。
<作用>
次に、図1を参照しながら、本発明の作用について説明する。図1は、本発明方法を含む3種類の方法で被接合部材10と被接合部材20とを接合する場合の塗布、溶剤乾燥、焼成の各ステージにおける接合部位の状態を模式的に示している。図1において、符号30は成分Aのニッケル粒子、符号40は成分Bのニッケル微粒子、符号50は成分Cの有機バインダー、符号60は有機溶媒、符号70は接合層を意味する。
図1の上段は、成分Bのニッケル微粒子40を含有する接合材料を使用した場合であり、同中段は、成分Bのニッケル微粒子40と成分Cの有機バインダー50を含有する接合材料を使用した場合であり、同下段は、成分Aのニッケル粒子30と成分Bのニッケル微粒子40と成分Cの有機バインダー50を含有する本発明の接合材料を使用した場合である。
図1の上段に示すように、成分Bのニッケル微粒子40のみを含む接合材料を使用した場合、粒子径がナノメートルサイズで揃っていることから、塗布時には均一に分散した状態にある。溶剤乾燥〜焼成時には、ニッケル微粒子40相互の凝集作用に基づき近接した少数の粒子間の凝集体が基本単位となって接合層70が形成される。しかし、凝集体の内部での粒子間の結合は弱いため、接合層70は細かい破片に分裂しやすく、被接合部材10の剥がれが発生しやすくなる。
図1の中段に示すように、成分Bのニッケル微粒子40と成分Cの有機バインダー50を含有する接合材料を使用した場合も、粒子径がナノメートルサイズで揃っていることから、塗布時には均一に分散した状態にある。溶剤乾燥〜焼成時には、ニッケル微粒子40相互の凝集作用に加え、有機バインダー50による連結作用によってニッケル微粒子40の集合体を基本単位として接合層70が形成される。しかし、有機バインダー50による連結作用は、ニッケル微粒子40の集合体の内部での連結を強めるにとどまり、集合体どうしの連結が少ないため、接合層70は、集合体を単位とする破片に分裂しやすく、十分に高い接合強度が得られない。
図1の下段に示すように、成分Aのニッケル粒子30と成分Bのニッケル微粒子40と成分Cの有機バインダー50とを含有する接合材料を使用した場合、ナノメートルサイズの粒子間にマイクロメートルサイズの粒子が介在することから、粒子間の空隙が多く、塗布時にはやや不均一に分散した状態にある。しかし、溶剤乾燥〜焼成時には、成分Aのニッケル粒子30の存在によって成分Bのニッケル微粒子40の凝集が妨げられるため、有機バインダー50による連結作用が支配的となり、広範囲の連結が生まれ、塊状に一体となった接合層70が形成される。このように一体的に形成された本発明方法による接合層70は、凝集体(上段)や集合体(中段)を単位とする接合層70に比べ、分裂し難く、非常に高い接合強度が得られるのである。
以下に実施例を示し、本発明の特徴をより具体的に説明する。ただし、本発明は、実施例によって制約されるものではない。なお、以下の実施例において、特にことわりのない限り各種測定、評価は下記によるものである。
[成分Aの平均粒子径の測定]
成分Aとして使用されるニッケル粒子の平均粒子径の測定は、レーザー回折/散乱法によって行った。装置は株式会社セイシン企業製LMS−30を用い、水を分散媒としてフローセル中で測定した。
[成分Bの平均粒子径の測定]
成分B(ニッケル微粒子)の平均粒子径の測定は、電界放出形走査電子顕微鏡(Field Emission−Scanning Electron Microscope:FE−SEM)により試料の写真を撮影して、その中から無作為に200個を抽出してそれぞれの面積を求め、真球に換算したときの粒子径を個数基準として一次粒子の平均粒子径を算出した。
[焼成方法1]
焼結性試験用サンプルの焼成は、小型イナートガスオーブン(光洋サーモシステム社製、商品名;KLO−30NH)を使用し、3%水素及び97%窒素の混合ガスを流量5L/分でフローしながら、昇温速度5℃/分で、常温から250℃、300℃又は350℃まで昇温した後、1時間所定温度を保持した。次いで、400分間かけて50℃まで降温した後、常温まで放置した。なお、焼結性試験用サンプルの焼成においては、サンプルへの加圧は行っていない。すなわち、無加圧での焼成である。
[せん断強度(シェア強度)の評価1]
ステンレス製マスク(マスク幅;2.0mm×長さ;2.0mm×厚さ;0.1mm)を用いて、試料を金めっき銅基板(幅;10mm×長さ;10mm×厚さ;1.0mm)上に塗布して塗布膜を形成した後、その塗布膜の上に、シリコンダイ(幅;2.0mm×長さ;2.0mm×厚さ;0.40mm)を搭載し、焼成を行った。得られた接合サンプル(接合層の厚さ;50μm程度)を接合強度試験機(デイジ・ジャパン社製、商品名;ボンドテスター4000)により、せん断強度を測定した。ダイ側面からボンドテスターツールを、基板からの高さ50μm、ツール速度100μm/秒で押圧し、接合部がせん断破壊したときの荷重をせん断強度(シェア強度)とした。なお、金めっき銅基板は、Cu基板(厚さ;1.0mm)の表面に、Ni/Auをそれぞれ4μm/40〜50nmの厚みでめっきしたものであり、シリコンダイは、Si基板(厚さ;0.40mm)の接合面に、Auをスパッタしたものである。
[接合サンプルの断面SEM観察]
上記せん断強度評価1と同様に作製した接合サンプルを、エポキシ樹脂により包埋後、断面加工を施し、電界放出形走査電子顕微鏡(FE−SEM)にて観察した。
(合成例1)
642重量部のオレイルアミンに100.1重量部の酢酸ニッケル四水和物を加え、窒素フロー下、150℃で20分加熱することによって酢酸ニッケルを溶解させて錯化反応液を得た。次いで、その錯化反応液に、492重量部のオレイルアミンを加え、マイクロ波を用いて250℃で5分加熱することによって、ニッケル微粒子スラリー1を得た。
合成例1で得られたニッケル微粒子スラリー1を静置分離し、上澄み液を取り除いた後、トルエンとメタノールを用いて洗浄した後、60℃に維持される真空乾燥機で6時間乾燥してニッケル微粒子1(平均一次粒子径;92nm)を得た。
[スラリー溶液1の調製]
合成例1で得られたニッケル微粒子スラリー1を100重量部分取し、これに20重量部のオクタン酸を加え、15分間撹拌した後、トルエンで洗浄し、スラリー溶液1(固形分濃度68.1重量%)を調製した。
(実施例1)
[ペースト1の調製]
スラリー溶液1の125重量部を分取し、これに、57重量部のニッケル粒子1(関東化学工業株式会社製、商品名;ニッケル(粉末)、レーザー回折/散乱法による平均粒子径;9.8μm、ニッケル元素の含有量;ニッケル粒子全体に対して99重量%以上)、9.4重量部のα−テルピネオール(和光純薬工業株式会社製、沸点;220℃)、2.0重量部のテトラデカン(和光純薬工業株式会社製、沸点254℃)、0.78重量部のバインダー樹脂1(積水化学工業株式会社製、商品名;エスレックBH−A)を混合し、エバポレータにて60℃、100hPaで濃縮を行い、126重量部のペースト1(固形分濃度92.1重量%)を調製した。
ペースト1を上記[焼成方法1]、[せん断強度の評価1]に従い、接合試験サンプルを350℃で作製し、せん断強度を評価した結果、16.0MPaと十分な強度が得られた。結果を表1に示す。
(実施例2)
[ペースト2の調製とせん断強度評価]
スラリー溶液1の114重量部を分取し、これに、78重量部のニッケル粒子1、10.7重量部のα−テルピネオール、2.3重量部のテトラデカン、0.78重量部のバインダー樹脂1を混合し、エバポレータにて60℃、100hPaで濃縮を行い、170重量部のペースト2(固形分濃度91.8重量%)を調製した。
ペースト2を上記[焼成方法1]、[せん断強度の評価1]に従い、接合試験サンプルを350℃で作製し、せん断強度を評価した結果、49.0MPaと良好な強度が得られた。結果を表1に示す。
(実施例3)
[ペースト3の調製とせん断強度評価]
スラリー溶液1の116重量部を分取し、これに、119重量部のニッケル粒子1、13.2重量部のα−テルピネオール、2.9重量部のテトラデカン、1.1重量部のバインダー樹脂1を混合し、エバポレータにて60℃、100hPaで濃縮を行い、215重量部のペースト3(固形分濃度92.0重量%)を調製した。
ペースト3を上記[焼成方法1]、[せん断強度の評価1]に従い、接合試験サンプルを350℃で作製し、せん断強度を評価した結果、28.8MPaと良好な強度が得られた。結果を表1に示す。
(実施例4)
[ペースト4の調製とせん断強度評価]
スラリー溶液1の94.0重量部を分取し、これに、149重量部のニッケル粒子1、13.0重量部のα−テルピネオール、2.7重量部のテトラデカン、1.2重量部のバインダー樹脂1を混合し、エバポレータにて60℃、100hPaで濃縮を行い、230重量部のペースト4(固形分濃度92.7重量%)を調製した。
ペースト4を上記[焼成方法1]、[せん断強度の評価1]に従い、接合試験サンプルを350℃で作製し、せん断強度を評価した結果、8.2MPaと十分な強度が得られた。結果を表1に示す。
(比較例1)
[ペースト5の調製とせん断強度評価]
スラリー溶液1の229重量部を分取し、これに、26.8重量部のα−テルピネオール、5.8重量部のテトラデカン、1.9重量部のバインダー樹脂1を混合し、エバポレータにて60℃、100hPaで濃縮を行い、190重量部のペースト5(固形分濃度81.9重量%)を調製した。
ペースト5を上記[焼成方法1]、[せん断強度の評価1]に従い、接合試験サンプルを350℃で作製し、せん断強度を評価した結果、0.0MPaと全く強度が得られなかった。結果を表1に示す。
(比較例2)
[ペースト6の調製とせん断強度評価]
スラリー溶液1の134重量部を分取し、これに、23重量部のニッケル粒子1、8.9重量部のα−テルピネオール、1.9重量部のテトラデカン、0.63重量部のバインダー樹脂1を混合し、エバポレータにて60℃、100hPaで濃縮を行い、126重量部のペースト6(固形分濃度91.0重量%)を調製した。
ペースト6を上記[焼成方法1]、[せん断強度の評価1]に従い、接合試験サンプルを350℃で作製し、せん断強度を評価した結果、3.7MPaと十分な強度が得られなかった。結果を表1に示す。
(比較例3)
[ペースト7の調製とせん断強度評価]
スラリー溶液1の92.1重量部を分取し、これに、251重量部のニッケル粒子1、18.3重量部のα−テルピネオール、3.8重量部のテトラデカン、1.7重量部のバインダー樹脂1を混合し、エバポレータにて60℃、100hPaで濃縮を行い、337重量部のペースト7(固形分濃度93.0重量%)を調製した。
ペースト7を上記[焼成方法1]、[せん断強度の評価1]に従い、接合試験サンプルを350℃で作製し、せん断強度を評価した結果、0.0MPaと全く強度が得られなかった。結果を表1に示す。
(実施例5)
<ペースト8の調製とせん断強度評価>
スラリー溶液1の167重量部を分取し、これに、114重量部のニッケル粒子1、27.0重量部のα−テルピネオール、1.3重量部のバインダー樹脂1を混合し、エバポレータにて60℃、100hPaで濃縮を行い、257重量部のペースト8(固形分濃度89.0重量%)を調製した。
ペースト8を上記[焼成方法1]、[せん断強度の評価1]に従い、接合試験サンプルを300℃で作製し、せん断強度を評価した結果、19.8MPaと十分な強度が得られた。結果を表2に示す。また、作製した接合試験サンプルにおける接合層をシリコンダイ越しに接合面と垂直方向に観察したときのX線観察の結果を図2に示した。
(実施例6)
[ペースト9の調製とせん断強度評価]
スラリー溶液1の193重量部を分取し、これに、131重量部のニッケル粒子1、6.9重量部のα−テルピネオール、6.9重量部の1−ウンデカノール(和光純薬工業株式会社製、沸点;220℃)、1.4重量部のバインダー樹脂1を混合し、エバポレータにて60℃、100hPaで濃縮を行い、278重量部のペースト9(固形分濃度94.5重量%)を調製した。
ペースト9を上記[焼成方法1]、[せん断強度の評価1]に従い、接合試験サンプルを300℃で作製し、せん断強度を評価した結果、39.2MPaと良好な強度が得られた。結果を表2に示す。また、作製した接合試験サンプルにおける接合層をシリコンダイ越しに接合面と垂直方向に観察したときのX線観察の結果を図3に、接合層の断面のSEM観察の結果を図4に、それぞれ示した。
(実施例7)
[ペースト10の調製とせん断強度評価]
スラリー溶液1の120重量部を分取し、これに、81.9重量部のニッケル粒子2(シグマアルドリッチジャパン合同会社製、商品名;Nickel、レーザー回折/散乱法による平均粒子径;1.9μm、ニッケル元素の含有量;ニッケル粒子全体に対して99.8重量%以上)、13.4重量部のα−テルピネオール、0.9重量部のバインダー樹脂1を混合し、エバポレータにて60℃、100hPaで濃縮を行い、178重量部のペースト10(固形分濃度92.0重量%)を調製した。
ペースト10を上記[焼成方法1]、[せん断強度の評価1]に従い、接合試験サンプルを300℃で作製し、せん断強度を評価した結果、10.5MPaと十分な強度が得られた。結果を表2に示す。
(実施例8)
[ペースト11の調製とせん断強度評価]
スラリー溶液1の127重量部を分取し、これに、65.0重量部のニッケル粒子1、65.0重量部のニッケル粒子2、5.7重量部のα−テルピネオール、5.7重量部の1−ウンデカノール、1.2重量部のバインダー樹脂1を混合し、エバポレータにて60℃、100hPaで濃縮を行い、229重量部のペースト11(固形分濃度89.0重量%)を調製した。
ペースト11を上記[焼成方法1]、[せん断強度の評価1]に従い、接合試験サンプルを300℃で作製し、せん断強度を評価した結果、32.7MPaと良好な強度が得られた。結果を表2に示す。
(実施例9)
[ペースト12の調製とせん断強度評価]
スラリー溶液1の118重量部を分取し、これに、101重量部のニッケル粒子1、20.0重量部のニッケル粒子2、5.3重量部のα−テルピネオール、5.3重量部の1−ウンデカノール、1.1重量部のバインダー樹脂1を混合し、エバポレータにて60℃、100hPaで濃縮を行い、213重量部のペースト12(固形分濃度94.5重量%)を調製した。
ペースト12を上記[焼成方法1]、[せん断強度の評価1]に従い、接合試験サンプルを300℃で作製し、せん断強度を評価した結果、43.4MPaと十分な強度が得られた。結果を表2に示す。
(比較例4)
[ペースト13の調製]
スラリー溶液1の151重量部を分取し、これに、12.8重量部のα−テルピネオール、を混合し、エバポレータにて60℃、100hPaで濃縮を行い、126重量部のペースト13(固形分濃度88.9重量%)を調製した。
ペースト13を上記[焼成方法1]、[せん断強度の評価1]に従い、接合試験サンプルを300℃で作製し、せん断強度を評価した結果、0.0MPaと全く強度が得られなかった。結果を表2に示す。また、作製した接合試験サンプルにおける接合層をシリコンダイ越しに接合面と垂直方向に観察したときのX線観察の結果を図5に示した。
(比較例5)
[ペースト14の調製]
スラリー溶液1の163重量部を分取し、これに、13.2重量部のα−テルピネオール、2.0重量部の1−ウンデカノール、0.63重量部のバインダー樹脂1を混合し、エバポレータにて60℃、100hPaで濃縮を行い、126重量部のペースト14(固形分濃度92.1重量%)を調製した。
ペースト14を上記[焼成方法1]、[せん断強度の評価1]に従い、接合試験サンプルを300℃で作製し、せん断強度を評価した結果、2.5MPaと十分な強度が得られなかった。結果を表2に示す。また、作製した接合試験サンプルにおける接合層をシリコンダイ越しに接合面と垂直方向に観察したときのX線観察の結果を図6に示した。
(比較例6)
[ペースト15の調製]
スラリー溶液1の121重量部を分取し、これに、82.5重量部のニッケル粒子1、4.8重量部のα−テルピネオール、4.8重量部の1−ウンデカノールを混合し、エバポレータにて60℃、100hPaで濃縮を行い、175重量部のペースト15(固形分濃度94.5重量%)を調製した。
ペースト15を上記[焼成方法1]、[せん断強度の評価1]に従い、接合試験サンプルを300℃で作製し、せん断強度を評価した結果、0.0MPaと全く強度が得られなかった。結果を表2に示す。
表1及び表2から、成分A〜Cを含有する本発明のニッケル粒子組成物を含有する接合材を使用することによって、高いせん断強度を有する強固な接合層が得られることが確認された。それに対し、成分Aのニッケル粒子と成分Bのニッケル微粒子の重量比(成分A:成分B)が30:70〜70:30の範囲外である比較例1〜5、成分Cの有機バインダーを含有しない比較例6では、いずれもせん断強度が低く、脆弱な接合層であった。
(実施例10)
[ペースト16の調製とせん断強度評価]
スラリー溶液1の106重量部を分取し、これに、72.2重量部のニッケル粒子2、3.8重量部のα−テルピネオール、3.8重量部の1−ウンデカノール、0.77重量部のバインダー樹脂1を混合し、エバポレータにて60℃、100hPaで濃縮を行い、153重量部のペースト16(固形分濃度94.5重量%)を調製した。
ペースト16を上記[焼成方法1]、[せん断強度の評価1]に従い、接合試験サンプルを300℃で作製し、せん断強度を評価した結果、13.7MPaと十分な強度が得られた。結果を表3に示す。
(実施例11)
<ペースト17の調製とせん断強度評価>
スラリー溶液1の160重量部を分取し、これに、109重量部のニッケル粒子1、6.1重量部のα−テルピネオール、6.1重量部の1−ウンデカノール、0.46重量部のバインダー樹脂1を混合し、エバポレータにて60℃、100hPaで濃縮を行い、231重量部のペースト17(固形分濃度94.5重量%)を調製した。
ペースト17を上記[焼成方法1]、[せん断強度の評価1]に従い、接合試験サンプルを300℃で作製し、せん断強度を評価した結果、13.4MPaと十分な強度が得られた。結果を表3に示す。
(実施例12)
<ペースト18の調製とせん断強度評価>
スラリー溶液1の179重量部を分取し、これに、122重量部のニッケル粒子1、6.6重量部のα−テルピネオール、6.6重量部の1−ウンデカノール、2.6重量部のジエチレングリコール(関東化学工業株式会社製、沸点244℃)、2.6重量部のバインダー樹脂1を混合し、エバポレータにて60℃、100hPaで濃縮を行い、262重量部のペースト18(固形分濃度93.0重量%)を調製した。
ペースト18を上記[焼成方法1]、[せん断強度の評価1]に従い、接合試験サンプルを300℃で作製し、せん断強度を評価した結果、20.8MPaと良好な強度が得られた。結果を表3に示す。
(実施例13)
<ペースト19の調製とせん断強度評価>
スラリー溶液1の191重量部を分取し、これに、130重量部のニッケル粒子1、23.4重量部のα−テルピネオール、23.4重量部の1−ウンデカノール、4.7重量部のバインダー樹脂1を混合し、エバポレータにて60℃、100hPaで濃縮を行い、312重量部のペースト19(固形分濃度83.5重量%)を調製した。
ペースト19を上記[焼成方法1]、[せん断強度の評価1]に従い、接合試験サンプルを300℃で作製し、せん断強度を評価した結果、20.7MPaと良好な強度が得られた。結果を表3に示す。
(実施例14)
[ペースト20の調製]
スラリー溶液1の126重量部を分取し、これに、85.8重量部のニッケル粒子1、12.1重量部のα−テルピネオール、2.8重量部のバインダー樹脂2(ビックケミー・ジャパン株式会社製、商品名;BYK−220S)を混合し、エバポレータにて60℃、100hPaで濃縮を行い、186重量部のペースト20(固形分濃度92.0重量%)を調製した。
ペースト20を上記[焼成方法1]、[せん断強度の評価1]に従い、接合試験サンプルを300℃で作製し、せん断強度を評価した結果、23.5MPaと十分な強度が得られた。結果を表3に示す。
(比較例7)
[ペースト21の調製]
スラリー溶液1の169重量部を分取し、これに、115重量部のニッケル粒子1、39.7重量部のα−テルピネオール、39.7重量部の1−ウンデカノール、7.9重量部のバインダー樹脂1を混合し、エバポレータにて60℃、100hPaで濃縮を行い、317重量部のペースト21(固形分濃度72.5重量%)を調製した。
ペースト21を上記[焼成方法1]、[せん断強度の評価1]に従い、接合試験サンプルを300℃で作製し、せん断強度を評価した結果、0.0MPaと全く強度が得られなかった。結果を表3に示す。
(合成例2)
211重量部のオレイルアミンに33重量部の酢酸ニッケル四水和物を加え、窒素フロー下、150℃で20分加熱することによって酢酸ニッケルを溶解させて錯化反応液を得た。次いで、その錯化反応液に、100重量部のオレイルアミンを加え、マイクロ波を用いて250℃で5分加熱することによって、ニッケル微粒子スラリー2を得た。
合成例2で得られたニッケル微粒子スラリー2を静置分離し、上澄み液を取り除いた後、トルエンとメタノールを用いて洗浄した後、60℃に維持される真空乾燥機で6時間乾燥してニッケル微粒子2(平均一次粒子径;119nm)を得た。
[スラリー溶液2の調製]
合成例2で得られたニッケル微粒子スラリー2を100重量部分取し、これに20重量部のオクタン酸を加え、15分間撹拌した後、トルエンで洗浄し、スラリー溶液2(固形分濃度70.9重量%)を調製した。
(合成例3)
182重量部のオレイルアミンに18.5重量部のギ酸ニッケル二水和物を加え、窒素フロー下、120℃で10分間加熱することによって、ギ酸ニッケルを溶解させて錯化反応液を得た。次いで、その錯化反応液に、121重量部のオレイルアミンを加え、マイクロ波を用いて180℃で10分間加熱することによって、ニッケル微粒子スラリー3を得た。
合成例3で得られたニッケル微粒子スラリー3を静置分離し、上澄み液を取り除いた後、トルエンとメタノールを用いて洗浄した後、60℃に維持される真空乾燥機で6時間乾燥してニッケル微粒子3(平均一次粒子径;40nm)を得た。
[スラリー溶液3の調製]
合成例3で得られたニッケル微粒子スラリー3を100重量部分取し、これに20重量部のオクタン酸を加え、15分間撹拌した後、トルエンで洗浄し、スラリー溶液3(固形分濃度67.3重量%)を調製した。
(実施例15)
[ペースト22の調製とせん断強度評価]
スラリー溶液2の141重量部を分取し、これに、100重量部のニッケル粒子1、5.3重量部のα−テルピネオール、5.3重量部の1−ウンデカノール、1.1重量部のバインダー樹脂1を混合し、エバポレータにて60℃、100hPaで濃縮を行い、212重量部のペースト22(固形分濃度94.5重量%)を調製した。
ペースト22を上記[焼成方法1]、[せん断強度の評価1]に従い、接合試験サンプルを300℃で作製し、せん断強度を評価した結果、26.4MPaと良好な強度が得られた。結果を表4に示す。
(実施例16)
[ペースト23の調製とせん断強度評価]
スラリー溶液3の202重量部を分取し、これに、136重量部のニッケル粒子1、7.2重量部のα−テルピネオール、7.2重量部の1−ウンデカノール、1.5重量部のバインダー樹脂1を混合し、エバポレータにて60℃、100hPaで濃縮を行い、288重量部のペースト23(固形分濃度94.5重量%)を調製した。
ペースト23を上記[焼成方法1]、[せん断強度の評価1]に従い、接合試験サンプルを300℃で作製し、せん断強度を評価した結果、20.0MPaと良好な強度が得られた。結果を表4に示す。
(実施例17)
[ペースト23のせん断強度評価]
ペースト23を上記[焼成方法1]、[せん断強度の評価1]に従い、接合試験サンプルを250℃で作製し、せん断強度を評価した結果、13.7MPaと十分な強度が得られた。結果を表4に示す。
(実施例18)
[ペースト9のせん断強度評価]
ペースト9を上記[焼成方法1]、[せん断強度の評価1]に従い、接合試験サンプルを250℃で作製し、せん断強度を評価した結果、19.2MPaと良好な強度が得られた。結果を表4に示す。
以上、本発明の実施の形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に制約されることはない。
本国際出願は、2014年6月30日に出願された日本国特許出願2014−135245号に基づく優先権を主張するものであり、当該出願の全内容をここに援用する。
10,20…被接合部材、30…成分Aのニッケル粒子、40…成分Bのニッケル微粒子、50…成分Cの有機バインダー、60…有機溶媒、70…接合層

Claims (10)

  1. 次の成分A〜C;
    A)レーザー回折/散乱法による平均粒子径が0.5〜20μmの範囲内であり、ニッケル元素を50重量%以上含有するニッケル粒子、
    B)走査型電子顕微鏡観察による平均一次粒子径が30〜200nmの範囲内であり、ニッケル元素を50重量%以上含有するニッケル微粒子、
    C)全金属量に対して0.1〜2.5重量%の範囲内の有機バインダー、
    を含有し、
    前記成分A及び成分Bの重量比(成分A:成分B)が30:70〜70:30の範囲内であるニッケル粒子組成物を70重量%以上含有する接合材。
  2. 前記ニッケル粒子組成物は、前記成分Aのニッケル元素の含有量が99.0重量%以上である請求項1に記載の接合材。
  3. 前記ニッケル粒子組成物は、前記成分Bのニッケル元素の含有量が90〜99.0重量%の範囲内である請求項1又は2に記載の接合材。
  4. 前記ニッケル粒子組成物は、前記成分Aのニッケル元素の含有量が99.0重量%以上、前記成分Bのニッケル元素の含有量が90〜99.0重量%の範囲内である請求項1に記載の接合材。
  5. 前記ニッケル粒子組成物は、前記成分Aのニッケル元素の含有量が99.0重量%以上、前記成分Bのニッケル元素の含有量が90〜99.0重量%の範囲内、前記成分Cの含有量が全金属量に対して0.1〜2.5重量%の範囲内である請求項1に記載の接合材。
  6. 前記ニッケル粒子組成物は、前記成分Aのニッケル元素の含有量が99.0重量%以上、前記成分Bのニッケル元素の含有量が90〜99.0重量%の範囲内、前記成分Cの含有量が全金属量に対して0.3〜1.5重量%の範囲内である請求項1に記載の接合材。
  7. 前記ニッケル粒子組成物の含有量が70〜96重量%の範囲内である請求項1〜6のいずれか1項に記載の接合材。
  8. さらに、沸点100〜300℃の範囲内にある有機溶媒を含有し、前記有機溶媒の含有量が4〜30重量%の範囲内である請求項7に記載の接合材。
  9. 前記有機溶媒が1−ウンデカノール及びテトラデカンからなる群より選ばれる少なくとも1種を全有機溶媒に対して15重量%〜50重量%の範囲内で含む請求項8記載の接合材。
  10. 請求項7〜9のいずれか1項に記載の接合材を、被接合部材の間に介在させて還元性ガスを含有する還元性ガス雰囲気下で200〜400℃の範囲内の温度で加熱することにより、被接合部材の間に接合層を形成する接合方法。
JP2016531371A 2014-06-30 2015-06-30 ニッケル粒子組成物、接合材及びそれを用いた接合方法 Active JP6734775B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014135245 2014-06-30
JP2014135245 2014-06-30
PCT/JP2015/068757 WO2016002741A1 (ja) 2014-06-30 2015-06-30 ニッケル粒子組成物、接合材及びそれを用いた接合方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2016002741A1 JPWO2016002741A1 (ja) 2017-04-27
JP6734775B2 true JP6734775B2 (ja) 2020-08-05

Family

ID=55019273

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016531371A Active JP6734775B2 (ja) 2014-06-30 2015-06-30 ニッケル粒子組成物、接合材及びそれを用いた接合方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10207373B2 (ja)
EP (1) EP3162467B1 (ja)
JP (1) JP6734775B2 (ja)
TW (1) TWI652353B (ja)
WO (1) WO2016002741A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3454998B1 (en) * 2016-05-13 2023-10-11 Mantle Inc. Additive manufacturing method for depositing a metal paste
US11425825B2 (en) 2016-08-02 2022-08-23 Koki Company Limited Solder paste using a solder paste flux and solder powder
JP7164313B2 (ja) * 2017-03-31 2022-11-01 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 ニッケル微粒子組成物、接合構造体及び接合方法
JP7198479B2 (ja) * 2018-08-31 2023-01-04 学校法人早稲田大学 半導体素子接合構造、半導体素子接合構造の生成方法及び導電性接合剤
CN114986018B (zh) * 2022-05-20 2023-07-18 浙江亚通新材料股份有限公司 一种塑性高温钎料组合物及其制备方法
CN115519118B (zh) * 2022-09-29 2024-01-19 晶高优材(北京)科技有限公司 提升增材制造金属粉末的流动性、松装及振实密度的方法
CN117759786A (zh) * 2023-12-29 2024-03-26 杭州毅而玛管业有限公司 一种快接式pe管及其制备工艺

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2794360B2 (ja) 1992-03-11 1998-09-03 三ツ星ベルト株式会社 金属もしくはセラミックスから選ばれた被接合材の接合方法およびこれに用いる接合剤
US7097686B2 (en) * 1997-02-24 2006-08-29 Cabot Corporation Nickel powders, methods for producing powders and devices fabricated from same
JP2000331534A (ja) 1999-05-18 2000-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品用電極インキおよびその製造方法並びに電子部品の製造方法
US6375703B1 (en) * 2000-10-17 2002-04-23 National Science Council Method of synthesizing nickel fibers and the nickel fibers so prepared
AU2001290266A1 (en) * 2000-10-25 2002-05-06 Harima Chemicals, Inc. Electroconductive metal paste and method for production thereof
CN1737072B (zh) * 2004-08-18 2011-06-08 播磨化成株式会社 导电粘合剂及使用该导电粘合剂制造物件的方法
US7279229B2 (en) * 2005-03-24 2007-10-09 General Electric Company Nickel-base braze material and method of filling holes therewith
US7601199B2 (en) * 2006-01-19 2009-10-13 Gm Global Technology Operations, Inc. Ni and Ni/NiO core-shell nanoparticles
US8889065B2 (en) * 2006-09-14 2014-11-18 Iap Research, Inc. Micron size powders having nano size reinforcement
US7758784B2 (en) * 2006-09-14 2010-07-20 Iap Research, Inc. Method of producing uniform blends of nano and micron powders
JP4872663B2 (ja) * 2006-12-28 2012-02-08 株式会社日立製作所 接合用材料及び接合方法
US20090107584A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-30 Nanodynamics, Inc. Solder and methods of making solder
JP4633857B1 (ja) 2009-04-16 2011-02-23 ニホンハンダ株式会社 有機物被覆金属粒子の加熱焼結性の評価方法、加熱焼結性金属ペーストの製造方法、および金属製部材接合体の製造方法
JP5824201B2 (ja) 2009-09-11 2015-11-25 Dowaエレクトロニクス株式会社 接合材およびそれを用いた接合方法
JP4795483B1 (ja) 2010-04-12 2011-10-19 ニホンハンダ株式会社 金属製部材接合体の製造方法および金属製部材接合体
GB201200619D0 (en) 2012-01-16 2012-02-29 Cambridge Display Tech Ltd Polymer
US8967453B2 (en) * 2012-03-21 2015-03-03 GM Global Technology Operations LLC Methods of bonding components for fabricating electronic assemblies and electronic assemblies including bonded components
US8815648B1 (en) * 2013-04-01 2014-08-26 Texas Instruments Incorporated Multi-step sintering of metal paste for semiconductor device wire bonding

Also Published As

Publication number Publication date
EP3162467A4 (en) 2018-02-28
TW201606091A (zh) 2016-02-16
US20170136585A1 (en) 2017-05-18
JPWO2016002741A1 (ja) 2017-04-27
TWI652353B (zh) 2019-03-01
US10207373B2 (en) 2019-02-19
WO2016002741A1 (ja) 2016-01-07
EP3162467B1 (en) 2019-03-27
EP3162467A1 (en) 2017-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6734775B2 (ja) ニッケル粒子組成物、接合材及びそれを用いた接合方法
JP6422289B2 (ja) ニッケル粒子組成物、接合材及び接合方法
JP6061427B2 (ja) 電子部品の接合材、接合用組成物、接合方法、及び電子部品
CN107848077B (zh) 含金属微粒的组合物
TWI651149B (zh) 金屬接合用組成物
US8950653B2 (en) Metal paste with co-precursors
Hsiao et al. Development of Cu-Ag pastes for high temperature sustainable bonding
JP6303392B2 (ja) 銀ペースト及びそれを用いた半導体装置、並びに銀ペーストの製造方法
JP6042747B2 (ja) ニッケル微粒子、その使用方法及びニッケル微粒子の製造方法
JP6855539B2 (ja) 電力半導体接合用焼結ペースト組成物
JP5468885B2 (ja) 導電性アルミニウムペースト
EP3778069A1 (en) Copper paste, bonding method, and method for producing bonded body
JP6463195B2 (ja) ニッケル粒子組成物、接合材及びそれを用いた接合方法
JP7164313B2 (ja) ニッケル微粒子組成物、接合構造体及び接合方法
JP6270241B2 (ja) 接合材料及びそれを用いた半導体装置
JP6938125B2 (ja) 接合体およびその製造方法、並びに半導体モジュール
Watanabe et al. High‐strength pressure‐free bonding using Cu and Ni‐Sn nanoparticles
JP6861073B2 (ja) ニッケル被覆銅粒子、接合材及び接合方法
JP7245165B2 (ja) 複合体粒子及びその製造方法、複合体粒子組成物、接合材及び接合方法、並びに接合体
JP6338419B2 (ja) 金属粒子組成物、接合材及びそれを用いた接合方法
JP6126426B2 (ja) 接合方法
JPWO2017208554A1 (ja) 金属接合材料及びその製造方法、並びにそれを使用した金属接合体の製造方法
JP2017128782A (ja) ニッケル微粒子含有組成物及び接合材
CN114845827B (zh) 银膏及其制造方法以及接合体的制造方法
Dupont et al. Synthesis and Characterization of A Nano-Silver Soldering Paste Obtained by NaBH4

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180530

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190604

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20190729

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190930

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191224

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20200218

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200416

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200707

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200710

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6734775

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250