JP6731109B2 - 高パルス電圧を生成するためのデバイス - Google Patents
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Description
− 高DC電圧源(HDCVS)と、
− (第1の)プレートによってHDCVSの正端子に接続され、もう一方の(第2の)プレートによってHDCVSの負端子に接続された第1の(蓄積)キャパシタと、
− 第1の制御可能ゲートと、
− (変圧器の一次巻線、整流器に接続された二次巻線として作られた)誘導性負荷と、
− 第2の制御可能ゲートと、
− 負端子によってHDCVSの負端子に接続された(変圧器の第3の巻線、整流ダイオード、およびフィルタリングキャパシタを含む)低DC電圧源(LDCVS)と、
− 第1の入力部によって第2の制御可能ゲートの制御入力部に接続され、電源入力部によってLDCVSのそれぞれの端子に接続された制御回路と、
− アノードによってLDCVSの正端子に接続された第1の(ブースタ)ダイオードと、
− 一方の(第1の)プレートによって第1のダイオードのカソードに接続された第2の(ブースタ)キャパシタと、
− 第2のダイオードと、
− 第3のダイオードと、
− 第1の入力部によって第2の(ブースタ)キャパシタの第1のプレートに、第2の入力部によって第2の(ブースタ)キャパシタの第2のプレートに、出力部によって第1の制御可能ゲートの制御入力部に、および制御入力部によって制御回路の第2の出力部に接続された制御可能スイッチと、
− 一方の(第1の)プレートによってHDCVSの正端子に、およびもう一方の(第2の)プレートによって第1の制御可能ゲートの第1の端子に接続された第3のキャパシタ(阻止キャパシタ)と、
− 第2のキャパシタの第2のプレートに接続された第1の制御可能ゲートの第2の端子であって、誘導性負荷の第1の端子がHDCVSの正端子に接続され、誘導性負荷の第2の端子が第2の制御可能ゲートの第1の端子に接続され、第2の制御可能ゲートの第2の端子がHDCVSの負端子に接続され、第2のダイオードのアノードが第2の制御可能ゲートの第1の端子に接続され、第2のダイオードのカソードが第1の制御可能ゲートの第1の端子に接続され、第3のダイオードのアノードがHDCVSの負端子に接続され、第3のダイオードのカソードが第2のダイオードのアノードに接続されている、第1の制御可能ゲートの第2の端子と、
を含む。
− HDCVSと、
− 一方の(第1の)プレートによってHDCVSの正端子に、および他方の(第2の)プレートによってHDCVSの負端子に接続された第1の(蓄積)キャパシタと、
− 第1の制御可能ゲートと、
− 誘導性負荷と、
− 第2の制御可能ゲートと、
− 負端子によってHDCVSの負端子に接続されたLDCVSと、
− 第1のダイオードと、
− 一方の(第1の)プレートによって第1のダイオードのカソードに接続された第2のキャパシタと、
− 第2のダイオードと、
− 第3のダイオードと、
− 第1の入力部によって第2のキャパシタの第1のプレートに、第2の入力部によって第2のキャパシタの第2のプレートに、および出力部によって第1の制御可能ゲートの制御入力部に接続された制御可能スイッチと、
− 第2のキャパシタの第2のプレートに接続された第1の制御可能ゲートの第2の端子であって、第2のダイオードのアノードが第2の制御可能ゲートの第1の端子に接続され、第3のダイオードのアノードがHDCVSの負端子に接続され、誘導性負荷の第2の端子が第2の制御可能ゲートの第1の端子に接続されている、第1の制御可能ゲートの第2の端子と、
である。
− HDCVSと、
− (第1の)プレートによってHDCVSの正端子に接続され、もう一方の(第2の)プレートによってHDCVSの負端子に接続された第1の(蓄積)キャパシタと、
− 第1の端子によってHDCVSの正端子に接続された第1の制御可能ゲートと、
− (変圧器の一次巻線、整流器に接続された二次巻線として作られた)誘導性負荷と、
− 第1の端子によって誘導性負荷の第2の端子に接続された第2の制御可能ゲートと、
− 一方の端子によって第2の制御可能ゲートの第2の端子に接続され、もう一方の端子によってHDCVSの負端子に接続された制限抵抗器と、
− 負端子によってHDCVSの負端子に接続された(変圧器の第3の巻線、整流ダイオード、およびフィルタリングキャパシタを含む)LDCVSと、
− バッファー整合段を介して出力部によって第2の制御可能ゲートの制御入力部に接続され、電力入力部によってLDCVSのそれぞれの端子に接続された矩形波発生器と、
− アノードによってLDCVSの正端子に接続された第1の(ブースタ)ダイオードと、
− 第1のプレートによって第1の(ブースタ)ダイオードのカソードに接続され、第2のプレートによって第1の制御可能ゲートの第2の端子に接続された第2の(ブースタ)キャパシタと、
− カソードによって誘導性負荷の第1の端子に接続され、アノードによってHDCVSの負端子に接続された第2のダイオード(第1のピックオフダイオード)と、
− アノードによって誘導性負荷の第2の端子に接続され、カソードによってHDCVSの正端子に接続された第3のダイオード(第2のピックオフダイオード)と、
− 第1の入力部によって第2の(ブースタ)キャパシタの第1のプレートに、第2の入力部によって第2の(ブースタ)キャパシタの第2のプレートに、出力部によって第1の制御可能ゲートの制御入力部に、および制御入力部によって矩形波発生器の出力部に接続された制御可能スイッチと、
を含む別の設計が開示されている。
− HDCVSと、
− 第1のプレートによってHDCVSの正端子に接続され、第2のプレートによってHDCVSの負端子に接続された第1のキャパシタと、
− 第1の端子によってHDCVSの正端子に接続された第1の制御可能ゲートと、
− 第1の端子によって第1の制御可能ゲートの第2の端子に接続された誘導性負荷と、
− 第1の端子によって誘導性負荷の第2の端子に接続された第2の制御可能ゲートと、
− 一方の端子によって第2の制御可能ゲートの第2の端子に接続され、もう一方の端子によってHDCVSの負端子に接続された制限抵抗器と、
− 負端子によってHDCVSの負端子に接続されたLDCVSと、
− バッファー整合段を介して出力部によって第2の制御可能ゲートの制御入力部に接続され、電力入力部によってLDCVSのそれぞれの端子に接続された矩形波発生器と、
− 第1のダイオードと、
− 第1のプレートによって第1のダイオードのカソードに接続され、第2のプレートによって第1の制御可能ゲートの第2の端子に接続された第2のキャパシタと、
− カソードによって誘導性負荷の第1の端子に接続され、アノードによってHDCVSの負端子に接続された第2のダイオードと、
− アノードによって誘導性負荷の第2の端子に接続され、カソードによってHDCVSの正端子に接続された第3のダイオードと、
− 第1の入力部によって第2のキャパシタの第1のプレートに、第2の入力部によって第2のキャパシタの第2のプレートに、出力部によって第1の制御可能ゲートの制御入力部に、および制御入力部によって矩形波発生器の出力部に接続された制御可能スイッチと、
である。
一方の(第1の)プレートによってHDCVSの正端子に接続され、もう一方の(第2の)プレートによってHDCVSの負端子に接続された第1の(蓄積)キャパシタと、
第1の端子によってHDCVSの正端子に接続された第1の制御可能ゲートと、
第1の端子によって第1の制御可能ゲートの第2の端子に接続された誘導性負荷と、
第1の端子によって誘導性負荷の第2の端子に接続された第2の制御可能ゲートと、
一方の端子によって第2の制御可能ゲートの第2の端子に接続され、もう一方の端子によってHDCVSの負端子に接続された制限抵抗器と、
負端子によってHDCVSの負端子に接続されたLDCVSと、
バッファー整合段を介して出力部によって第2の制御可能ゲートの制御入力部に接続され、電力入力部によってLDCVSのそれぞれの端子に接続された矩形波発生器と、
第1の(ブースタ)ダイオードと、
第1のプレートによって第1の(ブースタ)ダイオードのカソードに接続され、第2のプレートによって第1の制御可能ゲートの第1の端子に接続された第2の(ブースタ)キャパシタと、
カソードによって誘導性負荷の第1の端子に接続され、アノードによってHDCVSの負端子に接続された第2の(第1のピックオフ)ダイオードと、
アノードによって誘導性負荷の第2の端子に接続され、カソードによってHDCVSの正端子に接続された第3の(第2のピックオフ)ダイオードと、
第1の入力部によって第2の(ブースタ)キャパシタの第1のプレートに、第2の入力部によって第2の(ブースタ)キャパシタの第2のプレートに、出力部によって第1の制御可能ゲートの制御入力部に、および制御入力部によって矩形波発生器の出力部に接続された制御可能スイッチと、
を備える高パルス電圧を生成するための提案された装置において、
上記の技術的な結果は、追加の(第2の)制御可能スイッチおよび矩形パルス幅コンバータを設けることによって達成され、
矩形パルス幅コンバータが入力部によって矩形波発生器の出力部に接続され、出力部によって追加の(第2の)制御可能スイッチの制御入力部に接続され、
追加の(第2の)制御可能スイッチが第1の入力部によってLDCVSの負端子に接続され、第2の入力部によってLDCVSの正端子に接続され、出力部によって第1の(ブースタ)ダイオードのアノードに接続されている。
矩形波発生器の出力部における矩形パルスが終了した後、両方の制御可能ゲートが開く。その瞬間に、誘導性負荷の端子間の電位差がその符号を変え、蓄積されたエネルギーが有効負荷に移される(バックストローク)。したがって、高DC電圧のパルス電圧への変換が行われ、提案された装置の意図された用途を満たす。
− HDCVS1と、
− 一方の(第1の)プレート3によってHDCVS1の正端子4に接続され、もう一方の(第2の)プレート5によってHDCVS1の負端子6に接続された第1の(蓄積)キャパシタ2と、
− 第1の端子8(MOSトランジスタのドレイン)によってHDCVS1の正端子4に接続された(例えば、MOSトランジスタを含む)第1の制御可能ゲート7と、
− 一方の(第1の)端子10によって第1の制御可能ゲート7の第2の端子11(MOSトランジスタのソース)に接続された誘導性負荷9と、
− 第1の端子13(MOSトランジスタのドレイン)によって誘導性負荷9の第2の端子14に接続された(例えば、MOSトランジスタを含む)第2の制御可能ゲート12と、
− 一方の端子16によって第2の制御可能ゲート12のもう一方の端子17(MOSトランジスタのソース)に接続され、もう一方の端子18によってHDCVS1の負端子6に接続された制限抵抗器15と、
− 負端子20によってHDCVS1の負端子6に接続されたLDCVS19と、
− 出力部22によってバッファー整合段24の入力部23に接続された矩形波発生器21であって、段24の出力部25が第2の制御可能ゲート12の制御入力部26(MOSトランジスタのゲート)に接続され、矩形波発生器21の電力入力部27および28がLDCVS19の出力端子29および20にそれぞれ接続されている、矩形波発生器21と、
− 第1の(ブースタ)ダイオード30と、
− 第1のプレート32によって第1のダイオード30のカソード33に接続され、第2のプレート34によって第1の制御可能ゲート7の第2の端子11に接続された第2の(ブースタ)キャパシタ31と、
− カソード36によって誘導性負荷9の第1の端子10に接続され、アノード37によってHDCVS1の負端子6に接続された第2の(第1のピックオフ)ダイオード35と、
− アノード39によって誘導性負荷9の第2の端子14に接続され、カソード40によってHDCVS1の正端子4に接続された第3の(第2のピックオフ)ダイオード38と、
− 第1の入力部42によって第2のキャパシタ31の第1のプレート32に接続され、第2の入力部43によって第2のキャパシタ31の第2のプレート34に接続され、出力部44によって第1の制御可能ゲート7の制御入力部(MOSトランジスタのゲート)45に接続され、制御入力部46によって矩形波発生器21の出力部22に接続された第1の(メインの)制御可能スイッチ41と、
− 一方の(第1の)入力部48によってLDCVS19の負端子20に接続され、第2の入力部51によってLDCVS19の正端子29に接続され、出力部49によって第1のダイオード30のアノード50に接続された第2の(追加の)制御可能スイッチ47と、
− 入力部53によって矩形波発生器21の出力部22に接続され、出力部54によって第2の(追加の)制御可能スイッチ47の制御入力部55に接続され、電力入力部56、57によってLDCVS19のそれぞれの出力部29、20に接続された矩形パルス幅コンバータ52と、
を備える。
(2a) − HDCVS1の一定電圧U0と、
(2b) − 矩形波発生器21の出力部22におけるτpのプリセット幅およびTのパルス繰返し周期の制御矩形パルスと、
(2c) − 第2の制御ゲート12の入力部26における(MOSトランジスタのゲートにおける)制御矩形パルスと、
(2d) − 第1の制御ゲート7の第2の端子11における(MOSトランジスタのソースにおける)パルス電圧と、
(2e) − 第2の制御ゲート12の第1の端子13における(MOSトランジスタのドレインにおける)パルス電圧と、
(2f) − 矩形パルス幅コンバータ52の出力部54における幅τconvの、Δτ>τdiodeである変換された(追加の)矩形パルスであって、ここでΔτがダイオード30のアノード50とLDCVS19の負端子20との接続を前もって確実にする保護期間の幅であり、τdiodeが高電圧ダイオード30のスイッチング時間である、(追加の)矩形パルスと、
(2g) − 第1のダイオード30の一連の状態(「ダイオードオン」 − 「τdiode(ダイオードスイッチング時間)」 − 「ダイオードオフ」)と、
を示す。
高パルス電圧を生成するための提案された装置は、以下のように動作する。
装置を構成する機能ユニットは、異なるやり方で実施することができる。
第1および第2の制御可能ゲート7、12のトランジスタの両方またはそれぞれに対して、MOSトランジスタまたはIGBTを使用することができ、ゲートは、それ自体、その動作品質を改善する追加の技法を含むことができる。
第1の制御可能ゲート7および第2の制御可能ゲート12の入力部に制御パルスを供給する瞬間を整合させることが意図されたバッファー段24は、例えば、直列に接続された遅延要素および増幅器を含むことができ、または全くなくてもよい。
Claims (2)
- 高DC電圧源(HDCVS)(1)と、
第1のプレート(3)によって前記高DC電圧源(HDCVS)(1)の正端子(4)に接続され、第2のプレート(5)によって前記高DC電圧源(HDCVS)(1)の負端子(6)に接続された第1のキャパシタ(2)と、
第1の端子(8)によって前記高DC電圧源(HDCVS)(1)の前記正端子(4)に接続された第1の制御可能ゲート(7)と、
第1の端子(10)によって前記第1の制御可能ゲート(7)の第2の端子(11)に接続された誘導性負荷(9)と、
第1の端子(13)によって前記誘導性負荷(9)の第2の端子(14)に接続された第2の制御可能ゲート(12)と、
一方の端子(16)によって前記第2の制御可能ゲート(12)の第2の端子(17)に接続され、もう一方の端子(18)によって前記高DC電圧源(HDCVS)(1)の前記負端子(6)に接続された制限抵抗器(15)と、
負端子(20)によって前記高DC電圧源(HDCVS)(1)の前記負端子(6)に接続された低DC電圧源(LDCVS)(19)と、
出力部(22)によって前記第2の制御可能ゲート(12)の制御入力部(26)に接続され、電力入力部(27,28)によって前記低DC電圧源(LDCVS)(19)の正端子(29)と前記負端子(20)に接続された矩形波発生器(21)と、
第1のダイオード(30)と、
第1のプレート(32)によって前記第1のダイオード(30)のカソード(33)に接続され、第2のプレート(34)によって前記第1の制御可能ゲート(7)の前記第2の端子(11)に接続された第2のキャパシタ(31)と、
カソード(36)によって前記誘導性負荷(9)の前記第1の端子(10)に接続され、アノード(37)によって前記高DC電圧源(HDCVS)(1)の前記負端子(6)に接続された第2のダイオード(35)と、
アノード(39)によって前記誘導性負荷(9)の前記第2の端子(14)に接続され、カソード(40)によって前記高DC電圧源(HDCVS)(1)の前記正端子(4)に接続された第3のダイオード(38)と、
第1の入力部(42)によって前記第2のキャパシタ(31)の前記第1のプレート(32)に接続され、第2の入力部(43)によって前記第2のキャパシタ(31)の前記第2のプレート(34)に接続され、出力部(44)によって前記第1の制御可能ゲート(7)の制御入力部(45)に接続され、制御入力部(46)によって前記矩形波発生器(21)の前記出力部(22)に接続された制御可能スイッチ(41)と、
を備える高パルス電圧を生成するための装置において、
第2の制御可能スイッチ(47)および矩形パルス幅コンバータ(52)をさらに備え、
前記矩形パルス幅コンバータ(52)が、入力部(53)によって前記矩形波発生器(21)の前記出力部(22)に接続され、出力部(54)によって前記第2の制御可能スイッチ(47)の制御入力部(55)に接続され、
前記第2の制御可能スイッチ(47)が、第1の入力部(48)によって前記低DC電圧源(LDCVS)(19)の前記負端子(20)に接続され、第2の入力部(51)によって前記低DC電圧源(LDCVS)(19)の前記正端子(29)に接続され、出力部(49)によって前記第1のダイオード(30)のアノード(50)に接続され、
高電圧が前記誘導性負荷(9)に現れたときに、前記第1のダイオード(30)を閉じることによって、前記第1のダイオード(30)を通る突入電流を抑え、周囲環境に放射されるノイズのレベルが減少させる、
ことを特徴とする高パルス電圧を生成するための装置。 - 前記矩形波発生器(21)の前記出力部(22)と前記第2の制御可能ゲート(12)の前記制御入力部(26)との間の接続がバッファー整合段(24)を介して行われることを特徴とする、請求項1に記載の高パルス電圧を生成するための装置。
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