JP2015095988A - Dc−dcコンバータ - Google Patents

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Abstract

【課題】リカバリ電流による短絡電流を抑制する。【解決手段】主リアクトル11及び第1の主スイッチング素子7を、主通電路に介在させ、第1の主スイッチング素子により、主リアクトルに通電される電流をオンオフ制御する。第2の主スイッチング素子13は、主リアクトルに蓄積された電気的エネルギーを直流電圧出力端子側に放出する放電ループを形成する。補助リアクトル10を、主通電路内で第1の主スイッチング素子と主リアクトルとの間に介在させ、補助スイッチング素子8により、補助リアクトル及び主リアクトルに蓄積された電気的エネルギーを主リアクトルを介して直流電圧出力端子側に放電させる。各主スイッチング素子と補助スイッチング素子とにそれぞれ逆並列にダイオードを接続し、補助リアクトルに並列に、アノードが主リアクトル側となるダイオード25及びコンデンサ26からなる直列回路を接続する。【選択図】図1

Description

本発明の実施形態は、直流電圧を異なる値をもつ他の直流電圧に変換するDC−DCコンバータに関する。
DC−DCコンバータは、直流電源から出力された直流電圧を降圧または昇圧して異なる値を持つ他の直流電圧に変換する機能や、フィードバック制御とPWM制御とを付加した直流安定化電源の機能を持ち、通常は2個のスイッチング素子と1個のリアクトル、還流ダイオード等により直流チョッパ回路として構成される。基本的には、第1及び第2のスイッチング素子が直流電源の正負端子間に直列に接続され、負側に位置する第2のスイッチング素子と並列に、リアクトルが負荷を介して接続された構成である。
各スイッチング素子には、並列にスナバダイオード(snubber diode)或いは還流ダイオード(free-wheeling diode)が接続されており、第1及び第2のスイッチング素子は交互にオンオフ制御される。第1のスイッチング素子がオンしている期間は、直流電源から直流電流がリアクトルを介して負荷に供給され、前記素子がターンオフすると、リアクトルに逆起電力による電気的エネルギーが蓄積される。
この蓄積エネルギーは、第1のスイッチング素子のオフと同時に第2のスイッチング素子がターンオンすることで形成された閉ループを電流が循環し、負荷に直流電流として放電される。このようなDC−DCコンバータでは、直流電源の正負端子間に第1及び第2のスイッチング素子が直列に接続されているため、両スイッチング素子が同時にオンする期間があると短絡電流が流れて素子が破壊される。これを防止するため、通常はこれら両スイッチング素子が共にオフ状態になる時間帯,いわゆるデッドタイム(dead time)を介して夫々がオンオフに転ずるように制御する。
短絡電流の発生は、上記のようなデッドタイムの適用により防止できる原因の外に、リカバリ電流(recovery current)に起因する場合もある。共振型DC−DCコンバータについてリカバリ電流の発生を抑制する技術が、例えば特許文献1に開示されている。リカバリ電流は、上記のようなスイッチング素子に逆並列接続されたスナバダイオード或いは還流ダイオードを逆方向に流れる瞬間的な大電流である。スイッチング素子がターンオフするとダイオードには逆方向電圧が加わるが、ダイオードの内部に蓄積されている残留キャリアによって逆方向電流が一瞬流れる。直流チョッパ回路を構成している一対の直列接続スイッチング素子がリカバリ電流によって短絡すると、直流出力電圧が変動したりノイズが放射されたりする。
特開2009−273336号公報
リカバリ電流によって生じる短絡電流は鋭いインパルス状波形となり、大きなサージ電圧をもたらして激しいノイズを誘発する。例えばDC−DCコンバータが車両に搭載されている場合は、車体シャーシ電位を変動させ、制御の誤差を拡大させ、スイッチング損失を増大させる等様々な障害をもたらす。また、この種のDC−DCコンバータは、携帯用電気機器の直流電源回路としても多用されており、電気機器の小型化・小電力化が進められるのに伴い、短絡電流に起因する障害の除去が強く望まれている。
そこで、リカバリ電流によって生じる短絡電流を、簡単且つ廉価な構成で抑制できるDC−DCコンバータを提供する。
実施形態のDC−DCコンバータによれば、主リアクトル及び第1の主スイッチング素子を、直流電圧入力端子から直流電圧出力端子に至る主通電路に介在させ、第1の主スイッチング素子により、主リアクトルに通電される電流を断続するようにオンオフ制御する。第2の主スイッチング素子は、主リアクトルに蓄積された電気的エネルギーを直流電圧出力端子側に放出する放電ループを形成する。また、補助リアクトルを、主通電路内で第1の主スイッチング素子と主リアクトルとの間に介在させ、補助スイッチング素子により、補助リアクトル及び主リアクトルに蓄積された電気的エネルギーを主リアクトルを介して直流電圧出力端子側に放電させる。そして、各主スイッチング素子と補助スイッチング素子とに対して、それぞれ逆並列にダイオードを接続し、補助リアクトルに並列にアノードが主リアクトル側となるダイオード及びコンデンサからなる直列回路を接続する。
また、実施形態のDC−DCコンバータによれば、第1の主スイッチング素子及び補助スイッチング素子を、正側入力端子及び負側入力端子間に直列に接続し、両スイッチング素子の共通接続点と正側出力端子との間に、補助リアクトル及び主リアクトルを直列に接続する。また、両リアクトルの共通接続点と負側出力端子との間に第2の主スイッチング素子を接続し、各主スイッチング素子と補助スイッチング素子とに対してそれぞれ逆並列にダイオードを接続し、補助リアクトルに並列にダイオード及びコンデンサからなる直列回路を接続する。
また、実施形態のDC−DCコンバータによれば、第1及び第2の主スイッチング素子を、正側入力端子及び負側入力端子間に直列に接続し、両主スイッチング素子の共通接続点と正側出力端子との間に主リアクトルを接続し、第1及び第2の補助スイッチング素子を、正側入力端子及び負側入力端子間に直列に接続する。そして、各主スイッチング素子及び各補助スイッチング素子に対してそれぞれ逆並列にダイオードを接続し、第1及び第2の主スイッチング素子の共通接続点と第1及び第2の補助スイッチング素子の共通接続点との間に補助リアクトルを、この補助リアクトルに並列にダイオード及びコンデンサからなる直列回路をそれぞれ接続する。
また、実施形態のDC−DCコンバータによれば、主リアクトル及び第1の主スイッチング素子を、直流電圧入力端子から直流電圧出力端子に至る主通電路に介在させ、第1の主スイッチング素子により、主リアクトルに通電される電流を断続するようにオンオフ制御する。第2の主スイッチング素子は、主リアクトルに蓄積された電気的エネルギーを直流電圧出力端子側に放出する放電ループを形成する。また、補助リアクトルを、主通電路内で第1の主スイッチング素子と主リアクトルとの間に介在させ、補助スイッチング素子により、補助リアクトル及び主リアクトルに蓄積された電気的エネルギーを主リアクトルを介して直流電圧出力端子側に放電させる。そして、各主スイッチング素子と補助スイッチング素子とに対してそれぞれ逆並列にダイオードを接続し、補助リアクトル及び主リアクトルの共通接続点とグランドとの間に直列に接続されるダイオード及びコンデンサ,並びに前記コンデンサに並列に接続される電力消費素子からなる電力消費回路を接続する。
第1実施形態を示すDC−DCコンバータの回路図 概略電圧電流波形図 第2実施形態を示す図1相当図 図2相当図 第3実施形態を示す図1相当図 第4実施形態を示す図1相当図 第5実施形態を示す図1相当図 図2相当図
(第1実施形態)
以下、第1実施形態について図1及び図2を参照して説明する。図1において、DC−DCコンバータの入力側には、直流電源1に接続される正側入力端子2及び負側入力端子3(直流電圧入力端子)を有し、出力側には負荷4に接続される正側出力端子5及び負側出力端子6(直流電圧出力端子)を有する。ここで正側及び負側とは、電位の高低を相対的に示す意味である。直流電源1は、バッテリ,交流−直流間変換整流回路等を含む直流電力源を意味する。直流電源のシンボルで示す負荷4は、抵抗負荷,モータ等の誘導負荷,被充電バッテリ,或いはこれらに類するものを含む。
第1の主スイッチング素子7及び補助スイッチング素子8の直列回路は、正側入力端子2及び負側入力端子3の間に接続されている。補助リアクトル10及び主リアクトル11の直列回路は、スイッチング素子7及び8の共通接続点9と、正側出力端子5との間に接続されている。第2の主スイッチング素子13は、リアクトル10及び11の共通接続点12と負側出力端子6との間に接続されている。また、平滑用コンデンサ14aは、正側入力端子2と負側入力端子3との間に接続され、平滑用コンデンサ14bは、正側出力端子5と負側出力端子6との間に接続されている。
前記各スイッチング素子7,8,13には、それぞれダイオードD1,D2,D3が逆並列に接続されている。本実施形態では、各スイッチング素子7,8,13はNチャネルMOSFETであり、前記ダイオードD1,D2,D3はMOSFETの寄生ダイオードである。但しスイッチング素子は、バイポーラトランジスタ等寄生ダイオードを有しない素子でも良く、その場合、前記ダイオードD1,D2,D3は各素子の外部で接続される。
補助リアクトル10のインダクタンスは、例えば主リアクトル11の1/100程度である。補助リアクトル10の電流容量は、主リアクトル11よりも小さい値で良く(例えば、75%以下が好ましい)、また、補助スイッチング素子8の電流容量も、第1の主スイッチング素子7より小さい値で良い。
スイッチング制御ユニット(SCU)15はマイクロコンピュータから構成され、各スイッチング素子7,8,13にゲート制御信号を出力してそれらをオンオフ制御する。各ゲート制御信号は、ゲート駆動回路16〜18を介して各スイッチング素子7,8,13のゲートに与えられる。これらのゲート駆動回路16〜18は、前記スイッチング素子7,8,13に例えばNチャネルMOSFETを使用した場合、ソースに対して約15Vのゲート電圧を印加する回路である。
ゲート駆動回路16〜18は、ロジック回路19と、2つのNチャネルMOSFETの直列回路でなるプリドライバ20と、このプリドライバ20に並列に接続される平滑コンデンサ21とを備えている(これらの符号は、ゲート駆動回路16のみに示す)。ゲート駆動回路17及び18には、駆動用電源として電圧源22からの電源が直接供給されている。また、ゲート駆動回路16には、電圧源22からの電源がダイオード23及び抵抗素子24を介して供給されている。
プリドライバ20を構成する2つのNチャネルMOSFETは、ロジック回路19より出力される信号により排他的にオンオフ制御される。前記スイッチング素子7のソース電圧は、スイッチング動作により直流電源1の負側と正側の電圧に変化するため、スイッチング電圧に追従するよう、上述のように例えばブートストラップ回路などで構成されるが、フライバックコンバータで構成しても良い。
これらのゲート駆動回路16〜18の出力端子は、各スイッチング素子7,8,13のゲートに抵抗素子を介して接続されている。また、各スイッチング素子7,8,13のゲートとソースとの間にはコンデンサが接続されており、ゲート−ソース間に寄生的に存在する容量及び前記抵抗素子と共に、ゲート駆動回路16〜18の出力負荷として接続されている。
また、補助リアクトル10には、ダイオード25及びコンデンサ26の直列回路が並列に接続されており、前記ダイオード25のアノードは共通接続点12に接続されている。そして、ダイオード25のカソードは、抵抗素子24と平滑コンデンサ21との共通接続点に接続されている。
上記の構成において、正側入力端子2から正側出力端子5に至る主通電路に介在された補助リアクトル10及び主リアクトル11を通る電流が、この主通電路に介在する第1の主スイッチング素子7により断続されると、その断続電流により両リアクトル10,11に逆起電力が生じて電気的(電磁的)エネルギーが蓄積される。主リアクトル11に蓄積された電気的エネルギーは、第2の主スイッチング素子13のオンにより正側出力端子5方向に放電される。また、補助リアクトル10に蓄積された電気的エネルギーは、補助スイッチング素子8のオンにより主リアクトル11を介して正側出力端子5側に放電されると共に、ダイオード25を介して前記スイッチング素子7の駆動電圧源となるコンデンサ21を充電する。
次に、上記動作の詳細について図2を参照して説明する。図2(a)及び(c)に示すように、第1の主スイッチング素子7(上素子駆動信号)及び第2の主スイッチング素子13(下素子駆動信号)は交互にオンオフ制御され、両者のゲート制御信号は相互に逆相の関係をなす。但し、両主スイッチング素子7及び13が同時オンする状態を回避するために、第1の主スイッチング素子7のターンオン及びターンオフの前後に、両素子7,13が同時にオフ状態を示す期間であるデッドタイムt1を設けている。
第1の主スイッチング素子7がターンオンすると図1に示すように閉ループCL1が形成され、直流電流が第1の主スイッチング素子7,補助リアクトル10及び主リアクトル11を介して負荷4側に流れる。このとき、主リアクトル11を介して流れる電流iLを図2(h)に示す。電流iLは、その自己誘導作用により第1の主スイッチング素子7のオン期間で徐々に増加し、逆起電力として主リアクトル11に電気的エネルギーが蓄積される。
第1の主スイッチング素子7がターンオフした後に、第2の主スイッチング素子13がターンオンすると、第2の主スイッチング素子13,主リアクトル11及び負荷4を通る閉ループ(放電ループ)CL2が形成される。すると、主リアクトル11に蓄積された電気的エネルギーが、閉ループCL2を電流ibとして流れ(図2(f)参照)負荷4に放電される。このような第1の主スイッチング素子7及び第2の主スイッチング素子13のオンオフ制御によって、負荷4に直流電圧が持続的に印加される。この動作において、第1の主スイッチング素子7を介して流れる電流iaを図2(g)に示す。
この動作と並行して補助スイッチング素子8は、図2(b)補助SW素子駆動信号に示すように、第2の主スイッチング素子13に先立ってオンオフ制御される。補助スイッチング素子8がオンすると、補助スイッチング素子8,補助リアクトル10,主リアクトル11及び負荷4を通る閉ループ(放電ループ)CL3が形成される。すると、第1の主スイッチング素子7のオンにより補助リアクトル10に蓄積された電気的エネルギーが、閉ループCL3内で主リアクトル11を通じて負荷4に放電される。このとき、補助スイッチング素子8を介して流れる電流icを図2(e)に示す。
次に、リカバリ電流に起因する短絡電流を抑制する作用について述べる。ダイオードD1,D2は、主スイッチング素子7,13がターンオフした瞬間に逆バイアス電圧が印加されてターンオフしようとする。しかし、ダイオードD1,D2の内部には残留キャリアが存在しているため、主スイッチング素子7及び13が共にオフ状態となる期間(図2に示すデッドタイムt1)に、正側入力端子2からダイオードD1,補助リアクトル10,ダイオードD3及び負側入力端子3に至る経路に、リカバリ電流により生じた電流が流れる。
しかし本実施形態では、上記の経路中に補助リアクトル10を設けているので、リカバリ電流に起因する短絡電流が抑制されるようになり、従来、リカバリ電流が原因で発生していた様々な障害が除去できる。また、補助リアクトル10に蓄積された電気的エネルギーが、補助スイッチング素子8のオンにより電流icとして負荷4に放電され、負荷4でエネルギーとして消費され、再利用される。これはスイッチング損失を補う点でエネルギーの節約にもつながる。そして、前述したように、補助スイッチング素子8及び補助リアクトル10は小電流容量の素子で良く、特に補助リアクトル10のインダクタンスは小さいので、基板上に配線した銅板上にコアを添わせる程度の小型構造で済む。
また、図2(b,e)に示すように、補助スイッチング素子8をオンしている期間に電流icを流して、補助リアクトル10及び主リアクトル11に蓄積された電気的エネルギーを放電させているが、この期間に放電できる電力は、リアクトル10及び11のインダクタンスと負荷4とに応じて変化する。そのため、ダイオード25及びコンデンサ26の直列回路が無い場合を想定すると、補助リアクトル10に蓄積された電気的エネルギーを放電し切れないケースもあり得る。
これに対して本実施形態では、上記直列回路を備えることで、補助リアクトル10に発生した電気的エネルギーを、ゲート駆動回路16の電源に回生させる経路が形成されている。これにより、以下の作用が生じる。図2(a,d,g)に示すように、第1の主スイッチング素子7がターンオンしたタイミングで、電流iaが補助リアクトル10に流れて電気的エネルギーが発生し、共通接続点12においてリンギングが生じる。このリンギングによるサージ電圧が、ゲート駆動回路16の電源電圧にダイオード26の順方向電圧Vfを加えた電圧以上に上昇すると、ダイオード25を介して上記電源側に電流が流れて回生作用が生じる。この時点で、補助リアクトル10に発生した電気的エネルギーが予め消費(吸収)される。したがって、その後、補助スイッチング素子8をオンして電流icを流した際に、残留している電気的エネルギーを十分に消費させることができる。
以上のように本実施形態によれば、主リアクトル11及び第1の主スイッチング素子7を、正側入力端子2から正側出力端子5に至る主通電路に介在させ、SCU15は、第1の主スイッチング素子7により、主リアクトル11に通電される電流を断続するようにオンオフ制御する。第2の主スイッチング素子13は、主リアクトル11に蓄積された電気的エネルギーを直流電圧出力端子側に放出する放電ループCL2を形成する。
また、補助リアクトル10を主通電路内で第1の主スイッチング素子7と主リアクトル11との間に介在させ、補助スイッチング素子8により、補助リアクトル10及び主リアクトル11に蓄積された電気的エネルギーを主リアクトル11を介して正側出力端子5側に放電させる。そして、補助リアクトル10に並列にアノードが主リアクトル11側となるダイオード25及びコンデンサ26からなる直列回路を接続し、ダイオード25のカソードをゲート駆動回路16の電源に接続した。また、SCU15は、補助スイッチング素子8を、第2の主スイッチング素子13のターンオンに先行してターンオンさせ、同素子13のターンオフに先行してターンオフさせるようにした。
したがって、第1の主スイッチング素子7がターンオンしたタイミングで、電流iaが補助リアクトル10に流れて発生した電気的エネルギーを、ゲート駆動回路16の電源側に回生させて予め消費させることができ、その後、補助スイッチング素子8をターンオンさせて電流icを流した際に、補助リアクトル10に残留している電気的エネルギーを十分に消費させることができる。これにより、補助リアクトル10のインダクタンスを、第1の主スイッチング素子7をオンオフ制御する周期の時定数を考慮して決定する必要が無くなり、素子の選択をより容易に行うことができる。
(第2実施形態)
図3及び図4は第2実施形態であり、第1実施形態と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分について説明する。尚、図3において、制御装置101として示しているのは、図1に示すSCU15及びゲート駆動回路16〜18を含むものである。図3に示す第2実施形態では、ダイオード25のカソードをゲート駆動回路16の電源に接続せず、コンデンサ26に対して並列に抵抗素子27(電力消費素子)を接続している。ここで、ダイオード25,コンデンサ26及び抵抗素子27は、電力消費回路28を構成している。
次に、第2実施形態の作用について図4を参照して説明する。第1実施形態と同様に、第1の主スイッチング素子7がターンオンしたタイミングで、電流iaが補助リアクトル10に流れて電気的エネルギーが発生し、共通接続点12においてリンギングが生じる。このリンギングによる電圧が、ゲート駆動回路16の電源電圧を超えて上昇すると、ダイオード25を介してコンデンサ26及び抵抗素子27の並列回路に電流が流れ、抵抗素子27により電流が消費される(図4(i,j)参照)。したがって、この時点で、補助リアクトル10に発生した電気的エネルギーが予め消費されるので、その後、補助スイッチング素子8をオンして電流icを流した際に、残留している電気的エネルギーを十分に消費させることができる。
以上のように第2実施形態によれば、コンデンサ26に対して並列に抵抗素子27を接続することで電力消費回路28を構成した。これにより、補助リアクトル10に発生した電気的エネルギーを、抵抗素子27により消費させることができる。
(第3実施形態)
図5に示す第3実施形態では、コンデンサ26及び抵抗素子27の一端側を共通接続点9に接続せず、負側入力端子3(負側出力端子6)に接続している。このように構成した場合も第2実施形態と同様に、補助リアクトル10に発生した電気的エネルギーは、ダイオード25を介してコンデンサ26及び抵抗素子27の並列回路に電流として流れ、消費される。但し、電気的エネルギーを消費する速度は、第3実施形態の方がより速くなる。
(第4実施形態)
図6に示す第4実施形態は、第1実施形態におけるコンデンサ26を削除し、平滑コンデンサ21と共通化したコンデンサ29を接続した構成である。コンデンサ29の容量は、例えばコンデンサ21の容量以上で、コンデンサ21及び26の並列容量値以下の範囲で設定すれば良い。以上のように第4実施形態によれば、第1実施形態におけるコンデンサ26に相当する容量を、ゲート駆動回路16の電源に接続される平滑コンデンサ21と共通化したので、回路素子を削減してサイズを小型にできる。
(第5実施形態)
次に、第4実施形態について図7及び図8を参照して説明する。図7に示すように、第1の主スイッチング素子7及び第2の主スイッチング素子13の直列回路は、正側入力端子2及び負側入力端子3間に接続されている。主リアクトル11は、主スイッチング素子7及び13の共通接続点31と正側出力端子5との間に接続されている。第1の補助スイッチング素子30及び第2の補助スイッチング素子8の直列回路は、正側入力端子2及び負側入力端子3間に接続されている。補助リアクトル10は、前記共通接続点31と、第1及び第2の補助スイッチング素子30及び8の共通接続点32との間に接続されている。
第1の補助スイッチング素子30もNチャネルMOSFETであり、そのドレイン−ソース間に(寄生)ダイオードD4が逆並列接続されている。スイッチング制御ユニット33はマイクロコンピュータから構成され、各スイッチング素子7,13,18,8に対し、ゲート制御信号を出力してこれらをオンオフ制御する。第1の補助スイッチング素子30に対しては、ゲート駆動回路34を介してゲート制御信号が与えられるが、ゲート駆動回路34の構成はゲート駆動回路16と同様である。なお、補助リアクトル10の電流容量は、主リアクトル11よりもかなり小さい値でよい。
次に、第5実施形態の作用について図8を参照しながら説明する。第1及び第2のスイッチング素子7及び13は、図8(b)上素子駆動信号及び(d)下素子駆動信号に示すように、第1実施形態と同様に互いにオン期間が重複しないように、且つ逆相のモードを持つようにオンオフ制御される。第1の補助スイッチング素子30は、図8(a)に示すように(上補助駆動信号)、第2の主スイッチング素子13のオフ期間において、第1の主スイッチング素子7のオンタイミングに先行してターンオンし、第1の主スイッチング素子13がターンオンした後にターンオフするスイッチングパターンを繰り返す。
第2の補助スイッチング素子8は、図8(c)に示すように(下補助駆動信号)、第1の主スイッチング素子7のオフ期間において、第2の主スイッチング素子13のオンタイミングに先行してターンオンし、第2の主スイッチング素子13がターンオンした後にターンオフするスイッチングパターンを繰り返す。
図8に示すt2は、第2の主スイッチング素子13のターンオフと第1の補助スイッチング素子30のターンオンとの間に挿入されたデッドタイム、t3は第1の主スイッチング素子7のターンオフと第2の補助スイッチング素子8のターンオンとの間に挿入されたデッドタイムである。
図8に示す時刻T1で第1の補助スイッチング素子30がオンすると閉ループCL4が形成され、電流が正側入力端子2、第1の補助スイッチング素子30、補助リアクトル10、及び主リアクトル11を介して負荷4に流れる。続いて時刻T2で第1の主スイッチング素子7がオンすると閉ループCL5が形成され、電流は正側入力端子2から第1の主スイッチング素子7、主リアクトル11を介して負荷4に流れる。この図7中のバッテリ記号は、後述する負荷4をバッテリとした場合を示す。
第1の主スイッチング素子7が時刻T4でオフした後の時刻T5で第2の補助スイッチング素子8がオンし、第1実施形態と同様の閉ループCL3が形成される。すると第1の補助スイッチング素子30のオンオフ動作により補助リアクトル10に蓄積された電気的エネルギーが、主リアクトル11を通じて負荷4側に放電され、負荷4の消費エネルギーとし利用される。その直後の時刻T6で第2の主スイッチング素電子13がオンすると、第1実施形態と同様の閉ループCL2が形成され、主リアクトル11に蓄積された電気的エネルギーが負荷4に放電される。
上記動作における主リアクトル11を通る電流iLを図8(j)に、第1の補助スイッチング素子30の通過電流すなわち補助リアクトル11を通る電流idを図8(f)に、第1の主スイッチング素子7の通過電流iaを図8(g)に、第2の補助スイッチング素子8の通過電流icを図8(h)に、第2の主スイッチング素子13の通過電流ibを図8(i)にそれぞれ示す。上記説明から理解されるように、主リアクトル11への通電開始は、第1の主スイッチング7のオンに先行して時刻T1でオンする第1の補助スイッチング素子30を通じて開始される。この時刻T1でダイオードD4及びD3を逆向きに通るリカバリ電流が発生するが、このリカバリ電流は補助リアクトル10を通過するので短絡電流にはならない。
また、ダイオードD1,D3を備えた第1及び第2の主スイッチング素子7,13の直列回路において、両スイッチング素子7,13が共にオフされる時刻T1−T2間では、第1の補助スイッチング素子30がオンしているので、ダイオードD1,D3を通るリカバリ電流は生じない。同様に、新たに追加された第1及び第2の補助スイッチング素子30,8の直列回路におけるダイオードD4,D2については、これら両スイッチング素子30,8が共にオフされる時刻T4−T5では、主リアクトル11の逆起電力による電流iLが閉ループCL3を通じてダイオードD2を通るので、リカバリ電流は流れない。
第5実施形態では、第1の主スイッチング素子7のオン動作に先行してオンする第1の補助スイッチング素子30を設け、主リアクトル11への通電を、補助リアクトル10を介する時間帯と、これに続いて補助リアクトル10を介さずに第1の主スイッチング素子7を介する時間帯とに分割して行っている。
そして、第5実施形態でも、補助リアクトル10に並列にダイオード25及びコンデンサ26の直列回路を接続している。これにより第1実施形態と同様に、第1の主スイッチング素子7がターンオンしたタイミングで、電流iaが補助リアクトル10に流れて電気的エネルギーが発生し、共通接続点31に発生したリンギングによる電圧が、ゲート駆動回路34の電源電圧を超えて上昇すると、ダイオード25を介して上記電源側に電流が流れて回生作用が生じる。したがって、その後、補助スイッチング素子8をオンしている電流icを流した際に、残留している電気的エネルギーを十分に消費させることができる。
この第5実施形態の構成を電気自動車の昇圧電源装置として、次のようにして利用することができる。すなわち、負荷として12Vの低圧バッテリ4をその正電極が直流正側出力端子5となるように接続する。この低圧バッテリ4は自動車の低圧電気設備の電源になる。他方、前記直流電源1を、電気自動車のアシストモータを駆動する400Vの高圧バッテリとする。
この接続構成において、第1,第2の主スイッチング素子7,13をオンデューティが50%を超えるモードでオンオフ制御すると、低圧バッテリ4の電圧を400Vまで昇圧して高圧バッテリ1に電力を補充する緊急対策が可能になる。なお、第1,第2の補助スイッチング素子30,8は、第1,第2の主スイッチング素子7,13のオンオフ動作に前述のように付随する。
以上のように第5実施形態によれば、第1及び第2の主スイッチング素子7及び13を、正側入力端子2及び負側入力端子3間に直列に接続し、両主スイッチング素子7及び13の共通接続点31と正側出力端子5との間に主リアクトル11を接続し、第1及び第2の補助スイッチング素子8及び30を、正側入力端子2及び負側入力端子3間に直列に接続する。そして、共通接続点31と第1及び第2の補助スイッチング素子8及び30の共通接続点32との間に補助リアクトル10を接続し、この補助リアクトル10に並列にダイオード25及びコンデンサ26からなる直列回路を接続し、ダイオード25のカソードをゲート駆動回路34の電源に接続した。
したがって、第1実施形態と同様に、第1の主スイッチング素子7がターンオンしたタイミングで、電流iaが補助リアクトル10に流れて発生した電気的エネルギーをゲート駆動回路34の電源側に回生させて予め消費させることができる。これにより、その後、補助スイッチング素子8をターンオンさせて電流icを流した際に、補助リアクトル10に残留している電気的エネルギーを十分に消費させることができる。そして、小インダクタンス・小電流容量の補助リアクトル10及び補助スイッチング素子8及び30を追加するという簡単且つ廉価な構成で、リカバリ電流による短絡電流を確実に抑制することができると共に、その抑制分を負荷消費電力として利用可能なDC−DCコンバータを提供できる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
例えば第1実施形態において、ダイオード25のカソードを、正側入力端子2に接続しても良い。この場合、補助リアクトル10に生じる逆起電力により発生するサージ電圧のうち、直流電源1の電圧を超える電力のみ平滑コンデンサ14aに放電されて回生作用が行われる。
第5実施形態の構成に、第2〜第4実施形態の構成を適用しても良い。
スイッチング素子に、IGBTやパワートランジスタ等を用いても良い。
図面中、2,3は正側,負側入力端子(直流電圧入力端子)、5,6は正側,負側出力端子(直流電圧出力端子)、7は第1の主スイッチング素子、8は補助スイッチング素子(第2の補助スイッチング素子)、9,12,17,及び19は共通接続点、10は補助リアクトル、11は主リアクトル、13は第2の主スイッチング素子、21はコンデンサ、25はダイオード、26はコンデンサ、27は抵抗素子(電力消費素子)、28は電力消費回路、30は第1の補助スイッチング素子、31,32は共通接続点である。

Claims (11)

  1. 直流電圧入力端子から直流電圧出力端子に至る主通電路に介在された主リアクトルと、
    前記主通電路に介在され、前記主リアクトルを通る電流を断続するようにオンオフ制御される第1の主スイッチング素子と、
    前記主リアクトルに蓄積された電気的エネルギーを前記直流電圧出力端子側に放出する放電ループを形成する第2の主スイッチング素子と、
    前記主通電路内であって前記第1の主スイッチング素子と前記主リアクトルとの間に介在された補助リアクトルと、
    この補助リアクトル及び前記主リアクトルに蓄積された電気的エネルギーを、前記主リアクトル通じて前記直流電圧出力端子側に放電させる補助スイッチング素子と、
    前記各主スイッチング素子と前記補助スイッチング素子とに対して、それぞれ逆方向で且つ並列に接続されるダイオードと、
    前記補助リアクトルに並列に接続される、アノードが前記主リアクトル側となるダイオード及びコンデンサからなる直列回路とを備えたことを特徴とするDC−DCコンバータ。
  2. 正側入力端子及び負側入力端子と、
    正側出力端子及び負側出力端子と、
    前記正側入力端子及び負側入力端子間に直列に接続され、それぞれ正側及び負側に位置する第1の主スイッチング素子及び補助スイッチング素子と、
    これら両スイッチング素子の共通接続点と前記正側出力端子との間に直列に接続され、前記共通接続点側に位置する補助リアクトル及び前記正側出力端子側に位置する主リアクトルと、
    前記両リアクトルの共通接続点と前記負側出力端子との間に接続される第2の主スイッチング素子と、
    前記各主スイッチング素子と前記補助スイッチング素子とに対して、それぞれ逆方向で且つ並列に接続されるダイオードと、
    前記補助リアクトルに並列に接続される、アノードが前記主リアクトル側となるダイオード及びコンデンサからなる直列回路とを備えたことを特徴とするDC−DCコンバータ。
  3. 前記補助スイッチング素子を、前記第2の主スイッチング素子のターンオンに先行してターンオンさせ、前記第2の主スイッチング素子のターンオフに先行してターンオフさせることを特徴とする請求項1又は2記載のDC−DCコンバータ。
  4. 正側入力端子及び負側入力端子と、
    正側出力端子及び負側出力端子と、
    前記正側入力端子及び負側入力端子間に直列に接続される第1の主スイッチング素子及び第2の主スイッチング素子と、
    これら両主スイッチング素子の共通接続点と前記正側出力端子との間に接続される主リアクトルと、
    前記正側入力端子及び負側入力端子間に直列に接続される第1の補助スイッチング素子及び第2の補助スイッチング素子と、
    前記第1及び第2の主スイッチング素子の共通接続点と前記第1及び第2の補助スイッチング素子の共通接続点との間に接続される補助リアクトルと、
    前記各主スイッチング素子及び前記各補助スイッチング素子に対して、それぞれ逆方向で且つ並列に接続されるダイオードと、
    前記補助リアクトルに並列に接続される、アノードが前記主リアクトル側となるダイオード及びコンデンサからなる直列回路とを備えたことを特徴とするDC−DCコンバータ。
  5. 前記第1及び第2の補助スイッチング素子が、それぞれ前記第1及び第2の主スイッチング素子のターンオンに先行してターンオンし、それぞれ前記第1及び第2の主スイッチング素子のターンオフに先行してターンオフすることを特徴とする請求項4記載のDC−DCコンバータ。
  6. 前記直列回路の共通接続点を、前記直流電圧源又は前記第1の主スイッチング素子を駆動する駆動回路の電源に接続したことを特徴とする請求項1から5の何れか一項に記載のDC−DCコンバータ。
  7. 前記コンデンサを、前記電源の平滑用コンデンサと共用したことを特徴とする請求項6記載のDC−DCコンバータ。
  8. 前記コンデンサに並列に接続される電力消費素子を備えたことを特徴とする請求項1から7の何れか一項に記載のDC−DCコンバータ。
  9. 直流電圧入力端子から直流電圧出力端子に至る主通電路に介在された主リアクトルと、
    前記主通電路に介在され、前記主リアクトルを通る電流を断続するようにオンオフ制御される第1の主スイッチング素子と、
    前記主リアクトルに蓄積された電気的エネルギーを、前記直流電圧出力端子側に放出する放電ループを形成する第2の主スイッチング素子と、
    前記主通電路内であって前記第1の主スイッチング素子と前記主リアクトルとの間に介在された補助リアクトルと、
    この補助リアクトル及び前記主リアクトルに蓄積された電気的エネルギーを前記主リアクトル通じて前記直流電圧出力端子側に放電させる補助スイッチング素子と、
    前記各主スイッチング素子と前記補助スイッチング素子とに対して、それぞれ逆方向で且つ並列に接続されるダイオードと、
    前記補助リアクトル及び前記主リアクトルの共通接続点とグランドとの間に直列に接続される、アノードが前記共通接続点側となるダイオード及びコンデンサ,並びに前記コンデンサに並列に接続される電力消費素子からなる電力消費回路とを備えたことを特徴とするDC−DCコンバータ。
  10. 前記補助リアクトルは、前記主リアクトルよりも電流容量が小さく設定されていることを特徴とする請求項1から9の何れか一項に記載のDC−DCコンバータ。
  11. 前記補助スイッチング素子は、前記主スイッチング素子よりも電流容量が小さく設定されていることを特徴とする請求項1から10の何れか一項に記載のDC−DCコンバータ。
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