JP6724120B2 - Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and program - Google Patents

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JP6724120B2 JP2018229665A JP2018229665A JP6724120B2 JP 6724120 B2 JP6724120 B2 JP 6724120B2 JP 2018229665 A JP2018229665 A JP 2018229665A JP 2018229665 A JP2018229665 A JP 2018229665A JP 6724120 B2 JP6724120 B2 JP 6724120B2
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Description

本開示発明は、基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラムに関する。 The present disclosure relates to a substrate processing apparatus, a semiconductor device manufacturing method, and a program.

従来から基板処理装置の一種である半導体製造装置では、加熱手段としてのヒータにより所定温度に加熱された炉内に、基板としてのウエハが装填された基板保持具としてのボートが炉内に装入され、炉内が真空引きされ、反応ガス導入管より反応ガスが導入されてウエハ表面に処理が行われ、排気ガスは排気管より排気される。また、ボートは、複数本の支柱を有し、該支柱に刻設された溝(以後、スロットともいう)で複数のウエハを水平に保持する。 2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor manufacturing apparatus, which is a kind of substrate processing apparatus, a boat as a substrate holder in which a wafer as a substrate is loaded is loaded into the furnace heated to a predetermined temperature by a heater as a heating means. Then, the inside of the furnace is evacuated, the reaction gas is introduced through the reaction gas introduction pipe, the wafer surface is processed, and the exhaust gas is exhausted through the exhaust pipe. Further, the boat has a plurality of pillars, and holds a plurality of wafers horizontally by grooves (hereinafter, also referred to as slots) formed in the pillars.

近年、少ロット(例えば、製品基板が50枚や75枚)での処理が主流となっている。該少ロットに対応するため、特許文献1には、一度のミニバッチ処理で50枚以下の製品基板を処理する半導体製造装置が開示されている。また、特許文献2には、所定枚数(例えば、5枚)ずつ処理する複数の処理室に製品基板を振り分け搬送し、該製品基板を処理する多枚葉装置が開示されている。しかしながら、最近の少量多品種、集積密度向上要求、品質向上要求に十分対応できていない。 In recent years, processing in a small lot (for example, 50 or 75 product substrates) has become mainstream. In order to handle the small lot, Patent Document 1 discloses a semiconductor manufacturing apparatus that processes 50 or less product substrates in one mini-batch process. In addition, Patent Document 2 discloses a multi-wafer apparatus that distributes and conveys product substrates to a plurality of processing chambers that process a predetermined number (for example, 5) and processes the product substrates. However, it has not been able to sufficiently meet the recent demands for small-lot, high-mix, high-density integration and quality improvement.

更に、製品基板のミニバッチ化に伴い、顧客デバイス開発速度を向上させるための短TAT(Turn Arround Time)化と、製品基板の複数枚一括処理(バッチ化)対応を兼ね備え、1台で複数の膜種を処理可能な装置を開発することが求められている。 Furthermore, with the mini-batch of product substrates, it has a short TAT (Turn Round Time) to improve the speed of customer device development, and it is compatible with batch processing of multiple product substrates (batching). There is a need to develop a device capable of processing seeds.

特開2002−246432号JP-A-2002-246432 特開2013−102125号JP, 2013-102125, A

本開示の目的は、複数の処理モジュールを使用することにより、近年の少量多品種生産に伴う少ロット生産において、量産対応可能な構成を提供することにある。 An object of the present disclosure is to provide a configuration capable of mass production by using a plurality of processing modules in a small lot production that accompanies the recent small lot production.

本開示発明の一態様によれば、
製品基板とダミー基板を含む複数枚の基板を保持する基板保持具と、前記基板保持具に載置可能な基板枚数と、前記基板保持具に載置される製品基板の枚数と、を少なくとも含む装置パラメータを記憶する記憶部と、該装置パラメータに応じて、前記基板が搬送される順番を示す搬送順情報と、前記基板保持具に載置される前記基板の搬送元情報と、前記基板を処理する処理室を示す搬送先情報を含む基板移載データを作成する制御部と、を備え、
作成された基板移載データを読み出し、前記基板保持具上の基板保持領域のうち均熱領域以外の基板保持領域にダミー基板を移載させ、残った前記基板保持具上の基板保持領域のうち均熱領域に製品基板を移載させる構成が提供される。
According to one aspect of the disclosed invention,
It includes at least a substrate holder that holds a plurality of substrates including a product substrate and a dummy substrate, the number of substrates that can be placed on the substrate holder, and the number of product substrates that are placed on the substrate holder. A storage unit that stores device parameters, transfer order information indicating an order in which the substrates are transferred, transfer source information of the substrates placed on the substrate holder, and the substrates according to the device parameters. A control unit that creates substrate transfer data including transfer destination information indicating a processing chamber to be processed,
The created substrate transfer data is read, the dummy substrate is transferred to a substrate holding region other than the soaking region of the substrate holding region on the substrate holder, and the remaining substrate holding region on the substrate holder is A configuration is provided for transferring the product substrate to the soaking region.

本開示によれば、複数の処理モジュールを使用することにより、少ロット生産において、量産対応することができる。 According to the present disclosure, by using a plurality of processing modules, mass production can be achieved in a small lot production.

本開示の一実施形態に好適に用いられる基板処理装置を示す横断面図の一例である。FIG. 1 is an example of a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus that is preferably used in an embodiment of the present disclosure. 本開示の一実施形態に好適に用いられる基板処理装置を示す縦断面図の一例である。FIG. 1 is an example of a vertical cross-sectional view showing a substrate processing apparatus preferably used in an embodiment of the present disclosure. 本開示の一実施形態に好適に用いられる基板処理装置の処理炉を示す縦断面図の一例である。FIG. 1 is an example of a vertical cross-sectional view showing a processing furnace of a substrate processing apparatus preferably used in an embodiment of the present disclosure. 本開示の一実施形態に好適に用いられるコントローラの機能構成を説明する図である。It is a figure explaining the functional composition of the controller used suitably for one embodiment of this indication. 本開示の一実施形態に好適に用いられる基板処理装置における基板処理の流れを示す図である。It is a figure which shows the flow of the substrate processing in the substrate processing apparatus suitably used for one Embodiment of this indication. 本開示の実施形態に係る装置パラメータを示す図である。It is a figure which shows the apparatus parameter which concerns on embodiment of this indication. 本開示の実施形態に係る装置パラメータを示す図である。It is a figure which shows the apparatus parameter which concerns on embodiment of this indication. 本開示の実施形態に係る装置パラメータを示す図である。It is a figure which shows the apparatus parameter which concerns on embodiment of this indication. 本開示の実施形態に係る装置パラメータを示す図である。It is a figure which shows the apparatus parameter which concerns on embodiment of this indication. 本開示の実施形態に係るキャリア情報を示す図である。It is a figure which shows the carrier information which concerns on embodiment of this indication. 本開示の実施形態に係るユーザ情報からプロセスモジュールPMを判別するフロー図である。It is a flow figure which distinguishes process module PM from user information concerning an embodiment of this indication. 本開示の実施形態に係るキャリア情報からプロセスモジュールPMを判別するフロー図である。It is a flow figure which distinguishes process module PM from carrier information concerning an embodiment of this indication. 本開示の実施形態に係るジョブ生成処理フローを示す図である。It is a figure which shows the job generation processing flow which concerns on embodiment of this indication. 本開示の実施形態に係る材料使用確定処理フローを示す図である。It is a figure which shows the material use confirmation processing flow which concerns on embodiment of this indication. 本開示の実施形態に係る処理モジュール確定フローを示す図である。It is a figure showing a processing module finalization flow concerning an embodiment of this indication. 本開示の実施形態に係る処理モジュール確定フローを示す図である。It is a figure showing a processing module finalization flow concerning an embodiment of this indication. 本開示の実施形態に係る使用対象キャリア選定工程を示す図である。It is a figure which shows the use target carrier selection process which concerns on embodiment of this indication. 本開示の実施形態に係る使用優先順番ソート工程を示す図である。It is a figure which shows the use priority order sort process which concerns on embodiment of this indication. 本開示の実施形態に係る基板移載データを示す図である。It is a figure showing substrate transfer data concerning an embodiment of this indication. 本開示の実施形態に係る基板移載データを示す図である。It is a figure showing substrate transfer data concerning an embodiment of this indication. 本開示の実施形態に係る基板移載データを作成するフロー図である。It is a flow figure which creates substrate transfer data concerning an embodiment of this indication.

(基板処理装置の概要)
次に本開示の実施形態を図1、図2に基づいて説明する。 本開示が適用される実施形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置(IC)の製造方法における処理装置を実施する基板処理装置として構成されている。尚、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やCVD処理などを行う縦型の装置(以下、単に処理装置という)を適用した場合について述べる。
(Outline of substrate processing equipment)
Next, an embodiment of the present disclosure will be described based on FIGS. 1 and 2. In the embodiment to which the present disclosure is applied, the substrate processing apparatus is configured as, for example, a substrate processing apparatus that executes the processing apparatus in the method for manufacturing a semiconductor device (IC). In the following description, a case will be described in which a vertical apparatus (hereinafter, simply referred to as a processing apparatus) that performs oxidation, diffusion processing, CVD processing, etc. on a substrate is applied as the substrate processing apparatus.

図1、図2に示すように、基板処理装置10は隣接する2つの後述する処理炉202としての処理モジュールPM(Process Module)を備えている。処理モジュールPMは数十枚の基板としてのウエハ200を一括して処理する縦型処理モジュールPMである。例えば、20枚〜100枚(好ましくは、25枚〜75枚)程度の基板200を一つの処理モジュールPMにつき処理可能である。 As shown in FIGS. 1 and 2, the substrate processing apparatus 10 includes two adjacent processing modules PM (Process Modules) as processing furnaces 202 described later. The processing module PM is a vertical processing module PM that collectively processes several tens of wafers 200 as substrates. For example, about 20 to 100 (preferably 25 to 75) substrates 200 can be processed by one processing module PM.

処理炉202の下方には、準備室としての搬送室6A、6Bが配置されている。搬送室6A、6Bの正面側には、ウエハ200を移載する移載機としてのウエハ移載機構125を有する移載室8が、搬送室6A、6Bに隣接して配置されている。尚、本実施形態では、搬送室6A、6Bの上方に後述する処理炉202がそれぞれ設けられた構成として説明する。 Below the processing furnace 202, transfer chambers 6A and 6B are arranged as preparation chambers. On the front side of the transfer chambers 6A and 6B, a transfer chamber 8 having a wafer transfer mechanism 125 as a transfer device for transferring the wafers 200 is arranged adjacent to the transfer chambers 6A and 6B. In the present embodiment, a processing furnace 202 described below is provided above the transfer chambers 6A and 6B, respectively.

移載室8の正面側には、ウエハ200を複数枚収容する収容容器(キャリア)としてのポッド(FOUP)110を収納する収納室9(ポッド搬送空間)が設けられている。収納室9の全面にはI/Oポートとしてのロードポート22が設置され、ロードポート22を介して処理装置2内外にポッド110が搬入出される。ポッド110には、ウエハ200を載置する保持部(以後、スロットともいう)が、25個設けられている。 A storage chamber 9 (pod transfer space) for storing a pod (FOUP) 110 as a storage container (carrier) for storing a plurality of wafers 200 is provided on the front side of the transfer chamber 8. A load port 22 as an I/O port is installed on the entire surface of the storage chamber 9, and the pod 110 is carried in and out of the processing apparatus 2 via the load port 22. The pod 110 is provided with 25 holders (hereinafter also referred to as slots) on which the wafers 200 are placed.

搬送室6A、6Bと移載室8との境界壁(隣接面)には、隔離部としてのゲートバルブ90A、90Bが設置される。移載室8内および搬送室6A、6B内には圧力検知器がそれぞれに設置されており、移載室8内の圧力は、搬送室6A、6B内の圧力よりも低くなるように設定されている。また、移載室8内および搬送室6A、6B内には酸素濃度検知器がそれぞれに設置されており、移載室8A内および搬送室6A、6B内の酸素濃度は大気中における酸素濃度よりも低く維持されている。好ましくは、30ppm以下に維持されている。 Gate valves 90A and 90B as isolation units are installed on boundary walls (adjacent surfaces) between the transfer chambers 6A and 6B and the transfer chamber 8. A pressure detector is installed in each of the transfer chamber 8 and the transfer chambers 6A and 6B, and the pressure in the transfer chamber 8 is set to be lower than the pressure in the transfer chambers 6A and 6B. ing. An oxygen concentration detector is installed in each of the transfer chamber 8 and the transfer chambers 6A and 6B. The oxygen concentration in the transfer chamber 8A and the transfer chambers 6A and 6B is higher than that in the atmosphere. Is also kept low. Preferably, it is maintained at 30 ppm or less.

移載室8の天井部には、移載室8内にクリーンエアを供給するクリーンユニット(図示しない)が設置されており、移載室8内にクリーンエアとして、例えば、不活性ガスを循環させるように構成されている。移載室8内を不活性ガスにて循環パージすることにより、移載室8内を清浄な雰囲気とすることができる。 A clean unit (not shown) for supplying clean air into the transfer chamber 8 is installed on the ceiling of the transfer chamber 8, and, for example, an inert gas is circulated in the transfer chamber 8 as clean air. Is configured to let. By circulating purging the inside of the transfer chamber 8 with an inert gas, the inside of the transfer chamber 8 can be made a clean atmosphere.

このような構成により、移載室8内に搬送室6A、6Bのパーティクル等が図示しない処理炉202に混入することを抑制することができ、移載室8内および搬送室6A、6B内でウエハ200上に自然酸化膜が形成されることを抑制することができる。 With such a configuration, it is possible to prevent particles and the like in the transfer chambers 6A and 6B from being mixed into the processing furnace 202 (not shown) in the transfer chamber 8, and in the transfer chamber 8 and the transfer chambers 6A and 6B. It is possible to suppress the formation of a natural oxide film on the wafer 200.

収納室9の後方、収納室9と移載室8との境界壁には、ポッド110の蓋を開閉するポッドオープナ21が複数台、例えば、3台配置されている。ポッドオープナ21がポッド110の蓋を開けることにより、ポッド110内のウエハ200が移載室8内外に搬入出される。 A plurality of pod openers 21, for example, three pod openers 21 that open and close the lid of the pod 110 are arranged behind the storage chamber 9 and on the boundary wall between the storage chamber 9 and the transfer chamber 8. When the pod opener 21 opens the lid of the pod 110, the wafer 200 in the pod 110 is carried in and out of the transfer chamber 8.

図2に示されているように、シリコン等からなる複数のウエハ200を収容し、ポッド110が使用されている基板処理装置10は、基板処理装置本体として用いられる筐体111を備えている。 As shown in FIG. 2, the substrate processing apparatus 10 that accommodates a plurality of wafers 200 made of silicon or the like and uses the pod 110 includes a housing 111 used as a substrate processing apparatus main body.

筐体111の正面壁の正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口(図示せず)が開設され、この正面メンテナンス口を開閉する正面メンテナンス扉がそれぞれ建て付けられている。また、正面壁にはポッド搬入搬出口が筐体111の内外を連通するように開設されている。ポッド搬入搬出口はフロントシャッタ(図示せず)によって開閉されるように構成されていてもよい。 A front maintenance port (not shown) as an opening provided for maintenance is opened in the front front part of the front wall of the housing 111, and front maintenance doors for opening and closing the front maintenance port are respectively installed. Has been. A pod loading/unloading port is provided on the front wall so as to communicate the inside and outside of the housing 111. The pod loading/unloading port may be configured to be opened and closed by a front shutter (not shown).

ポッド搬入搬出口には、搬入搬出部として用いられるロードポート22が設置されており、ロードポート22はポッド110を載置されて位置合わせするように構成されている。ポッド110はロードポート22上に工程内搬送装置によって搬入され、また、ロードポート22上から搬出されるようになっている。 A load port 22 used as a carry-in/carry-out section is installed at the pod carry-in/carry-out port, and the load port 22 is configured to mount and position the pod 110. The pod 110 is carried into the load port 22 by the in-process carrier device and is carried out from the load port 22.

筐体111の正面後方側には、ポッド搬入搬出口の周辺の上下左右にわたってマトリクス状に収納棚(ポッド棚)105が設置されている。ポッド棚105はポッドを載置する収納部としての載置部140が設置される。収納部は当該載置部140と、載置部140をポッド110が収納される待機位置とポッド110を受渡しする受渡し位置との間で水平移動させる水平移動機構(収容棚水平移動機構)より構成される。水平方向の同一直線上に並ぶ複数の独立した載置部140によってポッド棚105の一段が構成され、該ポッド棚が垂直方向に複数段設置されている。各載置部140は上下又は左右の隣り合う載置部140およびその他のどの載置部140とも同期させることなく独立して水平移動させることが可能である。そして、ポッド搬送装置130は、ロードポート22、ポッド棚105、ポッドオープナ21との間で、ポッド110を搬送するように構成されている。 Storage shelves (pod shelves) 105 are installed on the rear side of the front of the housing 111 in a matrix form around the pod loading/unloading port in the vertical and horizontal directions. The pod shelf 105 is provided with a mounting section 140 as a storage section for mounting the pod. The storage unit includes the mounting unit 140 and a horizontal movement mechanism (a storage rack horizontal movement mechanism) that horizontally moves the mounting unit 140 between a standby position where the pod 110 is stored and a delivery position where the pod 110 is delivered. To be done. A plurality of independent mounting portions 140 arranged on the same straight line in the horizontal direction configure one stage of the pod shelf 105, and the pod shelves are installed in a plurality of stages in the vertical direction. Each of the mounting portions 140 can be horizontally moved independently without being synchronized with the vertically or horizontally adjacent mounting portions 140 and any other mounting portion 140. Then, the pod transfer device 130 is configured to transfer the pod 110 between the load port 22, the pod shelf 105, and the pod opener 21.

筐体111内でありサブ筐体119の正面側には、上下左右にわたってマトリクス状に収納部としてのポッド棚(収容棚)105が設置されている。筐体111の正面後方側のポッド棚105と同様に各ポッド棚105のポッドを載置する載置部140は、水平移動可能となっており、上下又は左右の隣り合う載置部140と同期させることなく独立して水平移動させることが可能である。ポッド棚105は、複数の載置部140にポッド110をそれぞれ1つずつ載置した状態で保持するように構成されている。 Inside the housing 111 and on the front side of the sub-housing 119, pod shelves (housing shelves) 105 as storages are installed in a matrix form vertically and horizontally. Like the pod shelves 105 on the front rear side of the housing 111, the mounting portions 140 on which the pods of the respective pod shelves 105 are mounted are horizontally movable, and are synchronized with the vertically or horizontally adjacent mounting portions 140. It is possible to move horizontally independently without doing so. The pod shelf 105 is configured to hold one pod 110 on each of the plurality of mounting portions 140.

サブ筐体119の正面壁119aにはウエハ200をサブ筐体119内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口120が一対、水平方向に左右2つ並べられて開設されており、該ウエハ搬入搬出口120には一対のポッドオープナ21がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ21はポッド110を載置する載置台122と、密閉部材として用いられるポッド110のキャップを着脱するキャップ着脱機構123とを備えている。ポッドオープナ21は載置台122に載置されたポッド110のキャップをキャップ着脱機構123によって着脱することにより、ポッド110のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。尚、載置台122も載置部140と称する場合がある。 On the front wall 119a of the sub-housing 119, a pair of wafer loading/unloading ports 120 for loading/unloading the wafer 200 into/from the sub-housing 119 are provided side by side in the horizontal direction. A pair of pod openers 21 are installed at the carry-in/carry-out port 120. The pod opener 21 includes a mounting table 122 on which the pod 110 is mounted, and a cap attaching/detaching mechanism 123 for attaching/detaching the cap of the pod 110 used as a sealing member. The pod opener 21 is configured to open and close the wafer loading/unloading port of the pod 110 by attaching/detaching the cap of the pod 110 placed on the placing table 122 by the cap attaching/detaching mechanism 123. The mounting table 122 may also be referred to as the mounting section 140.

サブ筐体119はポッド搬送装置130やポッド棚105の設置空間から流体的に隔絶された移載室8を構成している。移載室8の前側領域にはウエハ移載機構125が設置されており、ウエハ移載機構125は、ウエハ200を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置125a及びウエハ移載装置125aを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ125bとで構成されている。これら、ウエハ移載装置エレベータ125b及びウエハ移載装置125aの連続動作により、ウエハ移載装置125aのアーム(基板保持体)125cをウエハ200の載置部として、ボート217に対してウエハ200を装填(チャージング)及び脱装(ディスチャージング)するように構成されている。 The sub-casing 119 constitutes the transfer chamber 8 which is fluidly isolated from the installation space of the pod carrier 130 and the pod shelf 105. A wafer transfer mechanism 125 is installed in the front area of the transfer chamber 8. The wafer transfer mechanism 125 is a wafer transfer device 125a and a wafer transfer device 125a that can rotate or linearly move the wafer 200 in the horizontal direction. And a wafer transfer device elevator 125b for moving up and down. By these continuous operations of the wafer transfer device elevator 125b and the wafer transfer device 125a, the wafer 200 is loaded into the boat 217 by using the arm (substrate holder) 125c of the wafer transfer device 125a as the mounting part of the wafer 200. (Charging) and removing (discharging).

移載室8の後側領域には、ゲートバルブ90を介してボート217を収容して待機させる待機部としての搬送室6が構成されている。搬送室6の上方には、処理室を内部に構成する処理炉202が設けられている。処理炉202の下端部は、炉口シャッタ147により開閉されるように構成されている。 In the rear region of the transfer chamber 8, the transfer chamber 6 is configured as a standby unit for accommodating the boat 217 via the gate valve 90 and waiting it. Above the transfer chamber 6, a processing furnace 202 having a processing chamber inside is provided. The lower end of the processing furnace 202 is configured to be opened and closed by a furnace opening shutter 147.

ボート217はボートエレベータ115(図示せず)によって昇降され処理炉内へ導入される。ボートエレベータ115の昇降台に連結された連結具(図示せず)には蓋体としてのシールキャップ219が水平に据え付けられており、蓋体219はボート217を垂直に支持し、処理炉202の下端部を閉塞可能なように構成されている。 ボート217は複数本の補強部材を備えており、複数枚のウエハ200をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。 The boat 217 is moved up and down by a boat elevator 115 (not shown) and introduced into the processing furnace. A seal cap 219 as a lid is horizontally installed on a connecting tool (not shown) connected to the lifting platform of the boat elevator 115, and the lid 219 vertically supports the boat 217 to support the boat 217. It is configured so that the lower end can be closed. The boat 217 is provided with a plurality of reinforcing members, and is configured to hold the plurality of wafers 200 horizontally with the centers thereof aligned and vertically aligned.

次に、基板処理装置10の動作について説明する。上述の基板処理装置10を用い、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、基板処理を行う例について説明する。本実施形態においては、後述するシーケンスレシピが実行されると、コントローラ121は、基板処理装置10を構成する各部の動作を制御して基板処理を開始する。 Next, the operation of the substrate processing apparatus 10 will be described. An example in which substrate processing is performed using the above-described substrate processing apparatus 10 as one step in the manufacturing process of a semiconductor device (device) will be described. In the present embodiment, when the sequence recipe described later is executed, the controller 121 starts the substrate processing by controlling the operation of each unit that constitutes the substrate processing apparatus 10.

ポッド110がロードポート22に供給されると、ロードポート22の上のポッド110はポッド搬入装置によって筐体111の内部へポッド搬入搬出口から搬入される。 搬入されたポッド110はポッド棚105の指定された載置部140へポッド搬送装置130によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管され後、ポッド棚105から一方のポッドオープナ21に搬送されて受け渡され載置台122に移載されるか、もしくは直接ポッドオープナ21に搬送されて載置台122に移載される。 When the pod 110 is supplied to the load port 22, the pod 110 on the load port 22 is carried into the inside of the housing 111 from the pod carry-in/carry-out port by the pod carry-in device. The loaded pod 110 is automatically transported by the pod transport device 130 to the designated mounting portion 140 of the pod shelf 105, delivered, and temporarily stored, and then temporarily transferred from the pod shelf 105 to the one pod opener 21. It is conveyed and delivered and transferred to the mounting table 122, or directly transferred to the pod opener 21 and transferred to the mounting table 122.

載置台122に載置されたポッド110はその開口側端面がサブ筐体119の正面壁119aにおけるウエハ搬入搬出口120の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構123によって取り外され、ウエハ出し入れ口を開放される。ポッド110がポッドオープナ21によって開放されると、ウエハ200はポッド110からウエハ移載装置125aのアーム125cによってウエハ出し入れ口を通じて保持され、移載室8の後方にある搬送室6へゲートバルブ90を介して搬入され、ボート217に装填(チャージング)される。ボート217にウエハ200を受け渡したウエハ移載装置125aはポッド110に戻り、次のウエハ200をボート217に装填する。 The opening side end surface of the pod 110 mounted on the mounting table 122 is pressed against the opening edge portion of the wafer loading/unloading port 120 in the front wall 119a of the sub housing 119, and the cap is removed by the cap attaching/detaching mechanism 123, The wafer loading/unloading port is opened. When the pod 110 is opened by the pod opener 21, the wafer 200 is held from the pod 110 by the arm 125c of the wafer transfer device 125a through the wafer loading/unloading port, and the gate valve 90 is transferred to the transfer chamber 6 behind the transfer chamber 8. It is carried in through and is loaded (charged) in the boat 217. The wafer transfer device 125a that has transferred the wafer 200 to the boat 217 returns to the pod 110 and loads the next wafer 200 into the boat 217.

予め指定された枚数のウエハ200がボート217に装填されると、引き続き前処理が実行され、前処理が終了すると、本処理(ここでは、プロセスレシピ)が実行される。このプロセスレシピが開始されると、炉口シャッタ147によって閉じられていた処理炉202の下端部が、炉口シャッタ147によって、開放される。続いて、ウエハ200群を保持したボート217はシールキャップ219がボートエレベータ115によって上昇されることにより、処理炉202内へ搬入(ローディング)されて行く。 When a predetermined number of wafers 200 are loaded in the boat 217, the pretreatment is continuously executed, and when the pretreatment is completed, the main processing (here, the process recipe) is executed. When this process recipe is started, the lower end of the processing furnace 202, which has been closed by the furnace opening shutter 147, is opened by the furnace opening shutter 147. Subsequently, the boat 217 holding the wafers 200 is carried into the processing furnace 202 by loading the seal cap 219 by the boat elevator 115.

ローディング後は、処理炉202にてウエハ200に任意の処理が実施される。処理後、上述の逆の手順で、ウエハ200及びポッド110は筐体の外部へ搬出される。 After loading, the wafer 200 is subjected to arbitrary processing in the processing furnace 202. After the processing, the wafer 200 and the pod 110 are carried out of the housing by the reverse procedure described above.

(基板処理装置の処理炉)
図3に示すように、処理炉202は加熱機構としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板(図示せず)に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、処理ガスを熱で活性化させる活性化機構としても機能する。
(Processing furnace of substrate processing equipment)
As shown in FIG. 3, the processing furnace 202 has a heater 207 as a heating mechanism. The heater 207 has a cylindrical shape, and is vertically installed by being supported by a holding plate (not shown). The heater 207 also functions as an activation mechanism that thermally activates the processing gas.

ヒータ207の内側には、ヒータ207と同心円状に反応容器(処理容器)を構成する反応管203が配設されている。反応管203は、例えば石英(SiO2)または炭化シリコン(SiC)等の耐熱性材料により構成されている。反応管203は、下端部が開放され、上端部が平坦状の壁体で閉塞された有天井の形状で形成されている。反応管203の内部には、円筒状に形成された筒部209と、筒部209と反応管203の間に区画されたノズル配置室222と、筒部209に形成されたガス供給口としてのガス供給スリット235と、筒部209に形成された第1ガス排気口236と、筒部209に形成され、第1ガス排気口236の下方に形成された第2ガス排気口237を備えている。筒部209は、下端部が開放され、上端部が平坦状の壁体で閉塞された有天井の形状で形成されている。また、筒部209は、ウエハ200の直近にウエハ200を囲むように設けられている。反応管203の筒部209の内部には、処理室201が形成されている。処理室201は、ウエハ200を処理可能に構成されている。また、処理室201は、ウエハ200を水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で保持可能な基板保持具としてのボート217を収容可能に構成されている。 Inside the heater 207, a reaction tube 203 forming a reaction container (processing container) concentrically with the heater 207 is arranged. The reaction tube 203 is made of a heat resistant material such as quartz (SiO2) or silicon carbide (SiC). The reaction tube 203 is formed in the shape of a ceiling, the lower end of which is open and the upper end of which is closed by a flat wall body. Inside the reaction tube 203, a cylindrical portion 209 formed in a cylindrical shape, a nozzle arrangement chamber 222 defined between the cylindrical portion 209 and the reaction tube 203, and a gas supply port formed in the cylindrical portion 209 are provided. A gas supply slit 235, a first gas exhaust port 236 formed in the tubular portion 209, and a second gas exhaust port 237 formed in the tubular portion 209 and below the first gas exhaust port 236 are provided. .. The cylindrical portion 209 is formed in the shape of a ceiling with an open lower end and an upper end closed by a flat wall body. Further, the cylindrical portion 209 is provided in the vicinity of the wafer 200 so as to surround the wafer 200. A processing chamber 201 is formed inside the cylindrical portion 209 of the reaction tube 203. The processing chamber 201 is configured to be able to process the wafer 200. Further, the processing chamber 201 is configured to be able to accommodate a boat 217 as a substrate holder capable of holding the wafers 200 in a horizontal posture and vertically aligned in multiple stages.

反応管203の下端は、円筒体状のマニホールド226によって支持されている。マニホールド226は、例えばニッケル合金やステンレス等の金属で構成されるか、若しくは石英またはSiC等の耐熱性材料で構成されている。マニホールド226の上端部にはフランジが形成されており、このフランジ上に反応管203の下端部を設置して支持する。このフランジと反応管203の下端部との間にはOリング等の気密部材220を介在させて反応管203内を気密状態にしている。 The lower end of the reaction tube 203 is supported by a cylindrical manifold 226. The manifold 226 is made of, for example, a metal such as nickel alloy or stainless steel, or is made of a heat resistant material such as quartz or SiC. A flange is formed on the upper end of the manifold 226, and the lower end of the reaction tube 203 is installed and supported on the flange. An airtight member 220 such as an O-ring is interposed between the flange and the lower end of the reaction tube 203 to keep the inside of the reaction tube 203 airtight.

マニホールド226の下端の開口部には、シールキャップ219がOリング等の気密部材220を介して気密に取り付けられており、反応管203の下端の開口部側、すなわちマニホールド226の開口部を気密に塞ぐようになっている。 A seal cap 219 is airtightly attached to the lower end opening of the manifold 226 via an airtight member 220 such as an O-ring, and the lower end opening side of the reaction tube 203, that is, the opening of the manifold 226 is airtight. It is designed to be closed.

ボート217は、ボート支持台218上に立設されている。ボート217は例えば石英やSiC等の耐熱性材料で構成されている。ボート217はボート支持台218に固定された底板とその上方に配置された天板とを有しており、底板と天板との間に複数本の支柱が架設された構成を有している。ボート217には複数枚のウエハ200が保持されている。複数枚のウエハ200は、互いに一定の間隔をあけながら水平姿勢を保持しかつ互いに中心を揃えた状態で反応管203の管軸方向に多段に積載されボート217の支柱に支持されている。 The boat 217 is erected on a boat support 218. The boat 217 is made of a heat-resistant material such as quartz or SiC. The boat 217 has a bottom plate fixed to the boat support 218 and a top plate arranged above the bottom plate, and has a configuration in which a plurality of columns are installed between the bottom plate and the top plate. .. The boat 217 holds a plurality of wafers 200. The plurality of wafers 200 are stacked in a multi-tiered manner in the tube axis direction of the reaction tube 203 and are supported by the columns of the boat 217 while maintaining a horizontal posture while keeping a certain distance from each other and aligning the centers with each other.

シールキャップ219の処理室201と反対側にはボートを回転させるボート回転機構267が設けられている。ボート回転機構267の回転軸265はシールキャップを貫通してボート支持台218に接続されており、ボート回転機構267によって、ボート支持台218を介してボート217を回転させることでウエハ200を回転させる。 A boat rotation mechanism 267 for rotating the boat is provided on the side of the seal cap 219 opposite to the processing chamber 201. The rotation shaft 265 of the boat rotation mechanism 267 is connected to the boat support 218 through the seal cap, and the boat rotation mechanism 267 rotates the boat 217 via the boat support 218 to rotate the wafer 200. ..

シールキャップ219は反応管203の外部に設けられた昇降機構としてのボートエレベータ115によって垂直方向に昇降され、これによりボート217を処理室201内に対し搬入搬出することが可能となっている。 The seal cap 219 is vertically moved up and down by a boat elevator 115 as an elevating mechanism provided outside the reaction tube 203, whereby the boat 217 can be carried in and out of the processing chamber 201.

マニホールド226には、処理室201内に処理ガスを供給するガスノズルとしてのノズル340a〜340dを支持するノズル支持部350a〜350dが、マニホールド226を貫通するようにして設置されている。ここでは、4本のノズル支持部350a〜350dが設置されている。ノズル支持部350a〜350dは、例えばニッケル合金やステンレス等の材料により構成されている。ノズル支持部350a〜350cの反応管203側の一端には処理室201内へガスを供給するガス供給管310a〜310cがそれぞれ接続されている。また、ノズル支持部350dの反応管203側の一端には反応管203と筒部209の間に形成される間隙Sへガスを供給するガス供給管310dが接続されている。また、ノズル支持部350a〜350dの他端にはノズル340a〜340dがそれぞれ接続されている。ノズル340a〜340dは、例えば石英またはSiC等の耐熱性材料により構成されている。 In the manifold 226, nozzle support portions 350a to 350d that support nozzles 340a to 340d as gas nozzles that supply a processing gas into the processing chamber 201 are installed so as to penetrate the manifold 226. Here, four nozzle support parts 350a to 350d are installed. The nozzle supports 350a to 350d are made of a material such as nickel alloy or stainless steel. Gas supply pipes 310a to 310c for supplying gas into the processing chamber 201 are connected to one ends of the nozzle support portions 350a to 350c on the reaction pipe 203 side, respectively. Further, a gas supply pipe 310d for supplying gas to a gap S formed between the reaction pipe 203 and the cylindrical portion 209 is connected to one end of the nozzle support portion 350d on the reaction pipe 203 side. Further, nozzles 340a to 340d are connected to the other ends of the nozzle support portions 350a to 350d, respectively. The nozzles 340a to 340d are made of a heat resistant material such as quartz or SiC.

ガス供給管310aには、上流方向から順に、第1処理ガスを供給する第1処理ガス供給源360a、流量制御器(流量制御部)であるマスフローコントローラ(MFC)320aおよび開閉弁であるバルブ330aがそれぞれ設けられている。ガス供給管310bには、上流方向から順に、第2処理ガスを供給する第2処理ガス供給源360b、MFC320bおよびバルブ330bがそれぞれ設けられている。ガス供給管310cには、上流方向から順に、第3処理ガスを供給する第3処理ガス供給源360c、MFC320cおよびバルブ330cがそれぞれ設けられている。ガス供給管310dには、上流方向から順に、不活性ガスを供給する不活性ガス供給源360d、MFC320dおよびバルブ330dがそれぞれ設けられている。ガス供給管310a,310bのバルブ330a,330bよりも下流側には、不活性ガスを供給するガス供給管310e,310fがそれぞれ接続されている。ガス供給管310e,310fには、上流方向から順に、MFC320e,320fおよびバルブ330e,330fがそれぞれ設けられている。 In the gas supply pipe 310a, a first process gas supply source 360a for supplying a first process gas, a mass flow controller (MFC) 320a which is a flow rate controller (flow rate control unit), and a valve 330a which is an opening/closing valve are sequentially provided from the upstream direction. Are provided respectively. The gas supply pipe 310b is provided with a second process gas supply source 360b for supplying a second process gas, an MFC 320b, and a valve 330b in this order from the upstream direction. The gas supply pipe 310c is provided with a third process gas supply source 360c for supplying a third process gas, an MFC 320c, and a valve 330c in this order from the upstream direction. The gas supply pipe 310d is provided with an inert gas supply source 360d, an MFC 320d, and a valve 330d that supply an inert gas in this order from the upstream direction. Gas supply pipes 310e and 310f, which supply an inert gas, are connected to the gas supply pipes 310a and 310b downstream of the valves 330a and 330b, respectively. The gas supply pipes 310e and 310f are provided with MFCs 320e and 320f and valves 330e and 330f in this order from the upstream direction.

主に、ガス供給管310a、MFC320a、バルブ330aにより第1処理ガス供給系が構成される。第1処理ガス供給源360a、ノズル支持部350a、ノズル340aを第1処理ガス供給系に含めて考えても良い。また、主に、ガス供給管310b、MFC320b、バルブ330bにより第2処理ガス供給系が構成される。第2処理ガス供給源360b、ノズル支持部350b、ノズル340bを第2処理ガス供給系に含めて考えても良い。また、主に、ガス供給管310c、MFC320c、バルブ330cにより第3処理ガス供給系が構成される。第3処理ガス供給源360c、ノズル支持部350c、ノズル340cを第3処理ガス供給系に含めて考えても良い。また、主に、ガス供給管310d、MFC320d、バルブ330dにより不活性ガス供給系が構成される。不活性ガス供給源360d、ノズル支持部350d、ノズル340dを不活性ガス供給系に含めて考えても良い。 A first processing gas supply system is mainly configured by the gas supply pipe 310a, the MFC 320a, and the valve 330a. It may be considered that the first processing gas supply source 360a, the nozzle support portion 350a, and the nozzle 340a are included in the first processing gas supply system. In addition, a second processing gas supply system is mainly configured by the gas supply pipe 310b, the MFC 320b, and the valve 330b. The second processing gas supply source 360b, the nozzle support portion 350b, and the nozzle 340b may be included in the second processing gas supply system. In addition, a third processing gas supply system is mainly configured by the gas supply pipe 310c, the MFC 320c, and the valve 330c. It may be considered that the third processing gas supply source 360c, the nozzle support portion 350c, and the nozzle 340c are included in the third processing gas supply system. Further, an inert gas supply system is mainly configured by the gas supply pipe 310d, the MFC 320d, and the valve 330d. It may be considered that the inert gas supply source 360d, the nozzle support portion 350d, and the nozzle 340d are included in the inert gas supply system.

反応管203には排気口230が形成されている。排気口230は、第2ガス排気口237よりも下方に形成され、排気管231に接続されている。排気管231には処理室201内の圧力を検出する圧力検出器としての圧力センサ245および圧力調整部としてのAPC(Auto Pressure Controller)バルブ244を介して真空排気装置としての真空ポンプ246が接続されており、処理室201内の圧力が所定の圧力となるよう真空排気し得るように構成されている。真空ポンプ246の下流側の排気管231は排ガス処理装置(図示せず)等に接続されている。なお、APCバルブ244は、弁を開閉して処理室201内の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節してコンダクタンスを調整して処理室201内の圧力調整をできるようになっている開閉弁である。主に、排気管231、APCバルブ244、圧力センサ245により排気部として機能する排気系が構成される。なお、真空ポンプ246を排気系に含めてもよい。 An exhaust port 230 is formed in the reaction tube 203. The exhaust port 230 is formed below the second gas exhaust port 237 and is connected to the exhaust pipe 231. A vacuum sensor 245 as a pressure detector for detecting the pressure in the processing chamber 201 and a vacuum pump 246 as a vacuum exhaust device are connected to the exhaust pipe 231 via an APC (Auto Pressure Controller) valve 244 as a pressure adjusting unit. Therefore, the processing chamber 201 is configured to be evacuated to a predetermined pressure. The exhaust pipe 231 on the downstream side of the vacuum pump 246 is connected to an exhaust gas treatment device (not shown) or the like. The APC valve 244 can be opened/closed to evacuate/stop the vacuum exhaust in the processing chamber 201, and the valve opening can be adjusted to adjust the conductance to adjust the pressure in the processing chamber 201. It is an open/close valve. An exhaust system that functions as an exhaust unit is mainly configured by the exhaust pipe 231, the APC valve 244, and the pressure sensor 245. The vacuum pump 246 may be included in the exhaust system.

反応管203内には温度検出器としての温度センサ(不図示)が設置されており、温度センサにより検出された温度情報に基づきヒータ207への供給電力を調整することで、処理室201内の温度が所望の温度分布となるように構成されている。 A temperature sensor (not shown) as a temperature detector is installed in the reaction tube 203, and by adjusting the power supplied to the heater 207 based on the temperature information detected by the temperature sensor, the temperature in the processing chamber 201 can be reduced. The temperature is configured to have a desired temperature distribution.

以上の処理炉202では、バッチ処理される複数枚のウエハ200がボート217に対し多段に積載された状態において、ボート217がボート支持台218で支持されながら処理室201に挿入され、ヒータ207が処理室201に挿入されたウエハ200を所定の温度に加熱するようになっている。 In the processing furnace 202 described above, in a state in which a plurality of wafers 200 to be batch processed are stacked on the boat 217 in multiple stages, the boat 217 is inserted into the processing chamber 201 while being supported by the boat support 218, and the heater 207 is installed. The wafer 200 inserted in the processing chamber 201 is heated to a predetermined temperature.

(コントローラ構成)
図4に示すように、制御部(制御手段)であるコントローラ121は、実行部としてのCPU(Central Processing Unit)121a、RAM(Random Access Memory)121b、記憶部としての記憶装置121c、I/Oポート121dを備えたコンピュータとして構成されている。CPU121aによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域(ワークエリア)として構成されているRAM121b、記憶装置121c、I/Oポート121dは、内部バス121eを介して、CPU121aとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ121には、例えばタッチパネル等として構成された操作部としての入出力装置122が接続されている。
(Controller configuration)
As shown in FIG. 4, a controller 121, which is a control unit (control means), includes a CPU (Central Processing Unit) 121a as an execution unit, a RAM (Random Access Memory) 121b, a storage device 121c as a storage unit, and an I/O. It is configured as a computer having a port 121d. The RAM 121b, the storage device 121c, and the I/O port 121d, which are configured as a memory area (work area) in which programs and data read by the CPU 121a are temporarily stored, are connected to the CPU 121a via the internal bus 121e. It is configured to exchange data. The controller 121 is connected with an input/output device 122 as an operation unit configured as, for example, a touch panel.

記憶装置121cは、例えばフラッシュメモリ、HDD(Hard Disk Drive)等で構成されている。記憶装置121c内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、基板処理の手順や条件等が記載されたプロセスレシピ等が、読み出し可能に格納されている。プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ121に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、また、記憶装置121cには、このプロセスレシピを含む後述するシーケンスレシピが実行されることにより、装置を構成する各部品を動作させて生じる装置データが格納されている。これら装置データには、コントローラ121のタイムスタンプ機能により時刻データが付加されている。 The storage device 121c is composed of, for example, a flash memory, an HDD (Hard Disk Drive), or the like. In the storage device 121c, a control program for controlling the operation of the substrate processing apparatus, a process recipe in which the procedure and conditions of the substrate processing are described, and the like are stored in a readable manner. The process recipe is a combination that allows the controller 121 to execute each procedure in the substrate processing process described below to obtain a predetermined result, and the storage device 121c includes the process recipe described below. When the sequence recipe is executed, the device data generated by operating each component that constitutes the device is stored. Time data is added to these device data by the time stamp function of the controller 121.

また、記憶装置121cには、本実施形態における制御プログラム等が格納されている。CPU121aは、入出力装置122からの操作コマンドの入力等に応じて、これらのプログラムを実行するように構成されている。また、記憶装置121cには、本実施形態における基板処理シーケンスやジョブ等の各種フローチャートを実現するプログラムが格納されており、これらのプログラム実行に使用される各種設定パラメータ、各種設定画面ファイルを含む画面ファイルが格納されている。 Further, the storage device 121c stores the control program and the like in the present embodiment. The CPU 121a is configured to execute these programs in response to input of operation commands from the input/output device 122 and the like. Further, the storage device 121c stores a program that realizes various flowcharts such as a substrate processing sequence and jobs in the present embodiment, and a screen including various setting parameters and various setting screen files used for executing these programs. The file is stored.

尚、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。 When the term "program" is used in this specification, it may include only the process recipe, only the control program, or both of them.

I/Oポート121dは、上述のMFC320a〜320f、バルブ330a〜330f、圧力センサ245、APCバルブ244、真空ポンプ246、ヒータ207、温度センサ、ボート回転機構267、ボートエレベータ115等に接続されている。 The I/O port 121d is connected to the MFCs 320a to 320f, the valves 330a to 330f, the pressure sensor 245, the APC valve 244, the vacuum pump 246, the heater 207, the temperature sensor, the boat rotating mechanism 267, the boat elevator 115, and the like described above. ..

CPU121aは、記憶装置121cから制御プログラム等を読み出して実行すると共に、入出力装置122からの操作入力に応じて記憶装置121cからプロセスレシピを読み出すように構成されている。CPU121aは、I/Oポート121dを介して読み出したプロセスレシピの内容に沿うように、MFC320a〜320fによる各種ガスの流量調整動作、バルブ330a〜330fの開閉動作、APCバルブ244の開閉動作および圧力センサ245に基づくAPCバルブ244による圧力調整動作、真空ポンプ246の起動および停止、温度センサに基づくヒータ207の温度調整動作、ボート回転機構267によるボート217の回転および回転速度調節動作、ボートエレベータ115によるボート217の昇降動作等を制御するように構成されている。 The CPU 121a is configured to read and execute a control program or the like from the storage device 121c, and to read a process recipe from the storage device 121c according to an operation input from the input/output device 122. The CPU 121a adjusts the flow rates of various gases by the MFCs 320a to 320f, opens/closes the valves 330a to 330f, opens/closes the APC valve 244, and pressure sensors according to the contents of the process recipe read via the I/O port 121d. 245 based APC valve 244 pressure adjustment operation, vacuum pump 246 start and stop, temperature sensor based heater 207 temperature adjustment operation, boat rotation mechanism 267 rotation and rotation speed adjustment operation of boat 217, boat elevator 115 boat operation. It is configured to control the lifting operation and the like of 217.

次に、図3を用いてプロセスジョブの本処理に相当する基板処理工程について説明する。本実施形態においては、コントローラ121がプロセスレシピを実行することにより、基板処理工程が行われる。また、プロセスレシピは、この本処理で実行される基板を処理するためのレシピであり、コントローラ121により制御される。以下、コントローラ121は、基板処理装置10を構成する各部の動作を制御してウエハ200に所定の処理を行う。 Next, the substrate processing step corresponding to the main processing of the process job will be described with reference to FIG. In the present embodiment, the substrate processing step is performed by the controller 121 executing the process recipe. The process recipe is a recipe for processing the substrate executed in this main processing, and is controlled by the controller 121. After that, the controller 121 controls the operation of each part of the substrate processing apparatus 10 to perform a predetermined process on the wafer 200.

(基板処理工程)
所定枚数のウエハ200が載置されたボート217が反応管203内に挿入され、シールキャップ219により、反応管203が気密に閉塞される。気密に閉塞された反応管203内では、ウエハ200が加熱されると共に、処理ガスが反応管203内に供給され、ウエハ200に所定の処理がなされる。
(Substrate processing process)
A boat 217 on which a predetermined number of wafers 200 are placed is inserted into the reaction tube 203, and the reaction tube 203 is hermetically closed by the seal cap 219. In the airtightly closed reaction tube 203, the wafer 200 is heated and the processing gas is supplied into the reaction tube 203, so that the wafer 200 is subjected to predetermined processing.

所定の処理として、例えば、第1処理ガスとしてNH3ガスと、第2処理ガスとしてHCDSガスと、第3処理ガスとしてN2ガスとを交互供給することにより、ウエハ200上にSiN膜を形成する。 As a predetermined process, for example, NH3 gas as the first process gas, HCDS gas as the second process gas, and N2 gas as the third process gas are alternately supplied to form a SiN film on the wafer 200.

まず、第2処理ガス供給系のガス供給管310bよりノズル340bのガス供給孔234b、ガス供給スリット235を介して処理室201内にHCDSガスを供給する。具体的には、バルブ330b、330fを開けることにより、キャリアガスと共に、ガス供給管310bからHCDSガスの処理室201内への供給を開始する。このとき、APCバルブ244の開度を調整して、処理室201内の圧力を所定の圧力に維持する。所定時間が経過したら、バルブ330bを閉じ、HCDSガスの供給を停止する。 First, the HCDS gas is supplied into the processing chamber 201 from the gas supply pipe 310b of the second processing gas supply system through the gas supply hole 234b of the nozzle 340b and the gas supply slit 235. Specifically, by opening the valves 330b and 330f, supply of the HCDS gas into the processing chamber 201 from the gas supply pipe 310b is started together with the carrier gas. At this time, the opening of the APC valve 244 is adjusted to maintain the pressure inside the processing chamber 201 at a predetermined pressure. When a predetermined time has elapsed, the valve 330b is closed and the supply of HCDS gas is stopped.

処理室201内に供給されたHCDSガスは、ウエハ200に供給され、ウエハ200上を平行に流れた後、第1ガス排気口236を通って間隙Sを上部から下部へと流れ、第2ガス排気口237、排気口230を介して排気管231から排気される。 The HCDS gas supplied into the processing chamber 201 is supplied to the wafer 200, flows in parallel on the wafer 200, and then flows through the first gas exhaust port 236 through the gap S from the upper part to the lower part to form the second gas. The gas is exhausted from the exhaust pipe 231 through the exhaust port 237 and the exhaust port 230.

なお、処理室201内にHCDSガスを供給する間、ガス供給管310aに接続される不活性ガス供給管のバルブ330eおよびガス供給管310c,310dのバルブ330c,330dを開けてN2等の不活性ガスを流すと、ガス供給管310a,310c,310d内にHCDSガスが回り込むのを防ぐことができる。 During the supply of the HCDS gas into the processing chamber 201, the valve 330e of the inert gas supply pipe connected to the gas supply pipe 310a and the valves 330c and 330d of the gas supply pipes 310c and 310d are opened to inactivate N2 or the like. Flowing the gas can prevent the HCDS gas from flowing into the gas supply pipes 310a, 310c, 310d.

バルブ330bを閉じ、処理室201内へのHCDSガスの供給を停止した後は、処理室201内を排気し、処理室201内に残留しているHCDSガスや反応生成物等を排除する。この時、ガス供給管310a,310b,310c,310dからN2等の不活性ガスをそれぞれ処理室201内及び間隙Sに供給してパージすると、処理室201内及び間隙Sからの残留ガスを排除する効果をさらに高めることができる。 After the valve 330b is closed and the supply of the HCDS gas into the processing chamber 201 is stopped, the inside of the processing chamber 201 is exhausted to remove the HCDS gas, reaction products, etc. remaining in the processing chamber 201. At this time, if an inert gas such as N2 is supplied into the processing chamber 201 and the gap S from the gas supply pipes 310a, 310b, 310c, and 310d and purged, the residual gas in the processing chamber 201 and the gap S is eliminated. The effect can be further enhanced.

次に、第1処理ガス供給系のガス供給管310aよりノズル340aのガス供給孔234a、ガス供給スリット235を介して処理室201内にNH3ガスを供給する。具体的には、バルブ330a、330eを開けることにより、キャリアガスと共に、ガス供給管310aからNH3ガスの処理室201内への供給を開始する。このとき、APCバルブ244の開度を調整して、処理室201内の圧力を所定の圧力に維持する。所定時間が経過したら、バルブ330aを閉じ、NH3ガスの供給を停止する。 Next, NH3 gas is supplied into the processing chamber 201 from the gas supply pipe 310a of the first processing gas supply system through the gas supply hole 234a of the nozzle 340a and the gas supply slit 235. Specifically, by opening the valves 330a and 330e, the supply of NH3 gas into the processing chamber 201 from the gas supply pipe 310a is started together with the carrier gas. At this time, the opening of the APC valve 244 is adjusted to maintain the pressure inside the processing chamber 201 at a predetermined pressure. When a predetermined time has elapsed, the valve 330a is closed and the supply of NH3 gas is stopped.

処理室201内に供給されたNH3ガスは、ウエハ200に供給され、ウエハ200上を平行に流れた後、第1ガス排気口236を通って間隙Sを上部から下部へと流れ、第2ガス排気口237、排気口230を介して排気管231から排気される。 The NH 3 gas supplied into the processing chamber 201 is supplied to the wafer 200, flows in parallel on the wafer 200, and then flows through the first gas exhaust port 236 from the upper part to the lower part of the gap S to form the second gas. The gas is exhausted from the exhaust pipe 231 through the exhaust port 237 and the exhaust port 230.

なお、処理室201内にNH3ガスを供給する間、ガス供給管310bに接続される不活性ガス供給管のバルブ330fおよびバルブ330c,330dを開けてN2等の不活性ガスを流すと、ガス供給管310b,310c,310d内にNH3ガスが回り込むのを防ぐことができる。 It should be noted that while the NH 3 gas is being supplied into the processing chamber 201, if the valve 330f and the valves 330c and 330d of the inert gas supply pipe connected to the gas supply pipe 310b are opened and an inert gas such as N 2 is allowed to flow, the gas is supplied. It is possible to prevent NH3 gas from flowing into the tubes 310b, 310c, 310d.

バルブ330aを閉じ、処理室201内へのNH3ガスの供給を停止した後は、処理室201内を排気し、処理室201内に残留しているNH3ガスや反応生成物等を排除する。この時、ガス供給管310a,310b,310c,310dからN2等の不活性ガスをそれぞれ処理室201内及び間隙Sに供給してパージすると、処理室201内及び間隙Sからの残留ガスを排除する効果をさらに高めることができる。 After the valve 330a is closed and the supply of the NH3 gas into the processing chamber 201 is stopped, the inside of the processing chamber 201 is evacuated, and the NH3 gas, reaction products, etc. remaining in the processing chamber 201 are removed. At this time, if an inert gas such as N2 is supplied into the processing chamber 201 and the gap S from the gas supply pipes 310a, 310b, 310c, and 310d and purged, the residual gas in the processing chamber 201 and the gap S is eliminated. The effect can be further enhanced.

ウエハ200の処理が完了すると、上記した動作の逆の手順により、ボート217が反応管203内から搬出される。 When the processing of the wafers 200 is completed, the boat 217 is unloaded from the reaction tube 203 by the reverse procedure of the above operation.

上述の実施形態では、第1処理ガスと第2処理ガスとを交互に供給する場合について説明したが、本発明は、第1処理ガスと第2処理ガスとを同時に供給する場合にも適用することができる。 In the above embodiment, the case where the first processing gas and the second processing gas are supplied alternately has been described, but the present invention is also applied to the case where the first processing gas and the second processing gas are supplied simultaneously. be able to.

次に、図5を用いて、本実施形態における基板処理の流れについて説明する。尚、本実施形態における基板処理シーケンスは、後述するS300から制御部121によって実行されるよう構成されている。 Next, the flow of substrate processing in this embodiment will be described with reference to FIG. The substrate processing sequence in this embodiment is configured to be executed by the control unit 121 from S300 described below.

(S100)事前に種々のパラメータ設定や使用されるレシピを準備する工程(事前準備工程)である。この工程では、予め記憶部121cに記憶された基板処理シーケンス及び基板処理シーケンスで実行されるフロー(サブシーケンス)やレシピに使用されるパラメータ(以後、装置パラメータともいう)が、操作画面上で指定及び選択等により、設定される。また、操作画面上で指定及び選択等を行い、各フローやレシピを作成し、記憶部121cに記憶してもよい。 (S100) This is a step of preparing various parameter settings and recipes to be used in advance (preliminary preparation step). In this step, the substrate processing sequence stored in the storage unit 121c in advance, the flow (subsequence) executed in the substrate processing sequence, and the parameters used in the recipe (hereinafter, also referred to as apparatus parameters) are specified on the operation screen. Also, it is set by selection or the like. Further, each flow or recipe may be created by designating and selecting on the operation screen and stored in the storage unit 121c.

図6Aに示すメンテナンス項目選定パラメータにより、本実施形態では、各処理モジュールが待機状態のときに、優先して使用される処理モジュールPMはメンテナンス番号により設定される。メンテナンス番号「00」は、今回使用した処理モジュールPM(PM1かPM2のどちらか)をコントローラ121内部に記憶しておき、次回は、その記憶している処理モジュールPMではない処理モジュールPMを使用するという仕様である。メンテナンス番号「01」「02」は、それぞれ処理モジュールPM1、処理モジュールPM2固定である。 According to the maintenance item selection parameter shown in FIG. 6A, in this embodiment, when each processing module is in the standby state, the processing module PM to be used preferentially is set by the maintenance number. For the maintenance number “00”, the processing module PM (either PM1 or PM2) used this time is stored in the controller 121, and next time, the processing module PM that is not the stored processing module PM is used. It is a specification. The maintenance numbers “01” and “02” are fixed to the processing module PM1 and the processing module PM2, respectively.

そして、メンテナンス番号が上記以外の場合、メンテナンス番号に相当するメンテナンス項目に関する現在値が、各処理モジュールPMで比較され、値が小さい処理モジュールPMが選定される。図6Aに示すように、メンテナンス項目は、常駐ダミーウエハ使用回数、膜厚値、レシピ膜厚値、レシピ実行回数、レシピステップ実行回数、実行時間等である。このメンテナンス項目選定パラメータは、装置パラメータとして記憶部121cに格納される。 Then, when the maintenance number is other than the above, the current values of the maintenance items corresponding to the maintenance numbers are compared in each processing module PM, and the processing module PM having a smaller value is selected. As shown in FIG. 6A, the maintenance items are the number of times the resident dummy wafer is used, the film thickness value, the recipe film thickness value, the recipe execution frequency, the recipe step execution frequency, the execution time, and the like. The maintenance item selection parameter is stored in the storage unit 121c as a device parameter.

図6Bに示すログインユーザ指定パラメータは、予めログインユーザ毎に使用可能な処理モジュールPMを設定するパラメータであり、図示しない設定画面上で事前に設定される。事前にログインユーザが操作できる処理モジュールPMの範囲を登録しておくことで、ログインしているユーザ情報から、処理対象の処理モジュールPMを特定できる。これにより制御部121が自動で処理対象モジュールPMを選定することができる。 The login user designation parameter shown in FIG. 6B is a parameter for setting the processing module PM that can be used for each login user in advance, and is set in advance on a setting screen (not shown). By registering the range of processing modules PM that can be operated by the logged-in user in advance, the processing module PM to be processed can be specified from the logged-in user information. Accordingly, the control unit 121 can automatically select the processing target module PM.

図6Bに示すように、「PM1」はプロセスモジュールPM1を使用可能、「PM2」はプロセスモジュールPM2を使用可能、「ALL」はプロセスモジュールPM1でもプロセスモジュールPM2でも共通して使用可能ということを示す。このログインユーザ指定パラメータは、装置パラメータとして記憶部121cに格納される。 As shown in FIG. 6B, “PM1” indicates that the process module PM1 can be used, “PM2” indicates that the process module PM2 can be used, and “ALL” indicates that both the process module PM1 and the process module PM2 can use in common. .. The login user designation parameter is stored in the storage unit 121c as a device parameter.

図6Cに示すキャリアID登録パラメータは、キャリアIDの接頭語に使用可能な処理モジュールPMをキャリア種別毎に設定するパラメータであり、図示しない設定画面上で事前に設定される。ここで、図6Cに示す「SD」はサイドダミーウエハが格納されるキャリア110、「M1」「M2」は、モニターウエハが格納されるキャリア110、「PD」は製品基板が格納されるキャリア110、「FD」は補充ダミーウエハが格納されるキャリア110、「R1」「R2」は、モニターウエハの回収専用キャリア110をそれぞれ示す。 The carrier ID registration parameter shown in FIG. 6C is a parameter for setting the processing module PM that can be used as a carrier ID prefix for each carrier type, and is set in advance on a setting screen (not shown). Here, “SD” shown in FIG. 6C is a carrier 110 in which side dummy wafers are stored, “M1” and “M2” are carrier 110 in which monitor wafers are stored, and “PD” is a carrier 110 in which product substrates are stored. , "FD" indicates a carrier 110 in which a supplementary dummy wafer is stored, and "R1" and "R2" indicate a carrier 110 dedicated to collecting monitor wafers.

「SD」行の「PM1」列のセルに定義されているDA、「PM2」列のセルに定義されているDBが、それぞれリアクタ情報としてのキャリアIDの接頭語を示す。この接頭語による定義は最大4文字まで可能である。また、「M1」行等のように「PM1」「PM2」列のセルに定義されていない各種キャリアは、デフォルトとしてプロセスモジュールPM1でもプロセスモジュールPM2でも共通して使用可能ということを示す。このキャリアID登録パラメータは、装置パラメータとして記憶部121cに格納される。 DA defined in the cell of the "PM1" column of the "SD" row and DB defined in the cell of the "PM2" column indicate the prefix of the carrier ID as the reactor information, respectively. The definition with this prefix can be up to 4 characters. Further, it is indicated that various carriers that are not defined in the cells in the “PM1” and “PM2” columns, such as the “M1” row, can be commonly used by the process module PM1 and the process module PM2 as default. The carrier ID registration parameter is stored in the storage unit 121c as a device parameter.

図6Dは、キャリア投入判定パラメータを示す。図6Dに示すように、投入操作は、ログインユーザが画面上で操作してキャリアを投入する画面投入(マニュアル投入)方式とHOST等の上位コンピュータが投入指示するHOST投入(自動投入)方式がある。 FIG. 6D shows a carrier injection determination parameter. As shown in FIG. 6D, the loading operation includes a screen loading (manual loading) method in which a logged-in user operates on the screen to load a carrier, and a HOST loading (automatic loading) method in which a host computer, such as HOST, instructs loading. ..

キャリア投入判定パラメータは、ユーザのキャリア投入操作において、ログインユーザによる使用可能な処理モジュールPMの自動判定と、使用可能な処理モジュールPMのユーザ任意選択と、使用可能な処理モジュールPMの装置自動判別との関係を示すパラメータである。ここで、装置自動判別とは、上述のキャリアID登録パラメータの情報として、キャリア種別単位で登録されている処理モジュールPM1と処理モジュールPM2に対するリアクタ情報を取得し、使用可能な処理モジュールPMの選定(判定)を行うことである。 The carrier input determination parameters are the automatic determination of the processing module PM that can be used by the logged-in user, the user selection of the available processing module PM, and the automatic determination of the usable processing module PM when the user inputs the carrier. Is a parameter indicating the relationship of. Here, the device automatic determination is to acquire reactor information for the processing modules PM1 and processing modules PM2 registered for each carrier type as information on the above-mentioned carrier ID registration parameter, and select an available processing module PM ( Judgment).

画面投入方式では、図6Dに示すように、処理モジュールPM1と処理モジュールPM2が異膜種であれば、ログインユーザのユーザ情報として図6Bに示すログインユーザ指定パラメータにより使用可能な処理モジュールPMの選定(判定)が行われる。このキャリア投入判定パラメータも事前に設定されており、装置パラメータとして記憶部121cに格納される。 In the screen input method, as shown in FIG. 6D, if the processing module PM1 and the processing module PM2 are different film types, selection of a processing module PM that can be used by the login user designation parameter shown in FIG. 6B as user information of the login user. (Judgment) is performed. This carrier injection determination parameter is also set in advance and is stored in the storage unit 121c as a device parameter.

上述した4つの装置パラメータの他、装置パラメータの一つのバリアブルパラメータとして指定可能であるボート217上のウエハ配置指定を定義するウェーハアレンジメントパラメータ(WAP)から、使用するウエハ種別ごとのウエハ枚数を事前に算出することができ、装置構成に関係する装置コンフィグパラメータにより、選定された処理モジュールPMに製品基板200をウエハ単位か、またはキャリア単位で搬送するかを指定することができる。これらも同様に、装置パラメータとして記憶部121cに格納される。 In addition to the above-described four device parameters, the number of wafers for each wafer type to be used is determined in advance from the wafer arrangement parameter (WAP) that defines the wafer arrangement specification on the boat 217 that can be specified as one of the device parameter variable parameters. It is possible to calculate, and it is possible to specify whether the product substrate 200 is to be transferred to the selected processing module PM in wafer units or carrier units by the device configuration parameter related to the device configuration. Similarly, these are also stored in the storage unit 121c as device parameters.

また、操作画面上にプロセスレシピやシーケンスレシピ等のレシピ設定画面を表示し、所望のレシピを選択できるように構成されている。この場合、レシピ設定画面に表示されるレシピは、予め指定されたプロセスモジュールPMで実行可能なレシピが表示されるよう構成されている。また、プロセスレシピの総時間も表示し、使用者に提供するように構成してもよい。 Also, a recipe setting screen such as a process recipe or a sequence recipe is displayed on the operation screen so that a desired recipe can be selected. In this case, the recipe displayed on the recipe setting screen is configured to display the recipe that can be executed by the process module PM designated in advance. Also, the total time of the process recipe may be displayed and provided to the user.

(S200)例えば、使用者(ログインユーザ)が専用で使用する場合等に、操作画面上に表示されたユーザIDやパスワードが入力され、ログイン処理が行われる。 (S200) For example, when the user (logged-in user) uses it exclusively, the user ID and password displayed on the operation screen are input, and the login process is performed.

(S300)少なくとも基板処理装置10に所定枚数の製品基板200が収納されたキャリア110が投入されると、制御部121は、そのキャリア110がどの処理モジュールPMで使用可能であるかを示すリアクタ情報を取得するように構成されている。また、制御部121は、該リアクタ情報を取得すると共に、操作画面に表示させるよう構成してもよい。 (S300) When at least the carrier 110 in which a predetermined number of product substrates 200 are stored in the substrate processing apparatus 10 is loaded, the control unit 121 causes the reactor information indicating in which processing module PM the carrier 110 can be used. Is configured to get. Further, the control unit 121 may be configured to acquire the reactor information and display it on the operation screen.

尚、制御部121は、後述するようにログインユーザに登録したリアクタ情報と投入されたキャリア110から取得したリアクタ情報を関連付けることができる。例えば、図7に示すリアクタ情報は、「PM1」はプロセスモジュールPM1で使用可能、「PM2」はプロセスモジュールPM2で使用可能、「AUTO」はプロセスモジュールPM1でもプロセスモジュールPM2でも共通して使用可能ということを示す。 Note that the control unit 121 can associate the reactor information registered with the login user with the reactor information acquired from the inserted carrier 110 as described later. For example, in the reactor information shown in FIG. 7, "PM1" can be used by the process module PM1, "PM2" can be used by the process module PM2, and "AUTO" can be commonly used by the process module PM1 and the process module PM2. Indicates that.

(ログインユーザから判断する方法)
事前にログインユーザが操作できるプロセスモジュールPMの範囲を登録しておくことで、ログインしているユーザ情報から、使用可能なプロセスモジュールPMを特定できるように自動で選定するように構成されている。例えば、S200でログイン処理時に取得したユーザ情報に基づいて処理対象モジュールPMを選定することができる。また、キャリア110投入時に、設定画面を表示して、ユーザに選択できるように構成してもよい。
(Method to judge from login user)
By registering the range of the process module PM that can be operated by the logged-in user in advance, it is configured to automatically select the usable process module PM from the logged-in user information. For example, the processing target module PM can be selected based on the user information acquired during the login processing in S200. Further, when the carrier 110 is loaded, a setting screen may be displayed so that the user can select it.

具体的には、図8Aに示すフローが制御部121により実行されるよう構成される。 Specifically, the flow shown in FIG. 8A is configured to be executed by the control unit 121.

制御部121は、操作部122から処理に使用されるキャリア110の種別と個数の選択を受付ける。 The control unit 121 receives selection of the type and the number of carriers 110 used for processing from the operation unit 122.

制御部121は、各プロセスモジュールPMで実行される膜種が同一であるか判定し、同一膜種であれば、各キャリア110を「AUTO」に設定する。そして、使用者がプロセスモジュールPMを選択するための設定画面を表示するよう構成される。 The control unit 121 determines whether the film types executed by the process modules PM are the same, and if they are the same film type, sets each carrier 110 to “AUTO”. Then, the setting screen for the user to select the process module PM is displayed.

制御部121は、各プロセスモジュールPMで実行される膜種が同一でないと判定すると、ログインユーザ情報を取得し、使用可能なリアクタ情報を取得する。制御部121は、各キャリア110について、ログインユーザ情報から取得したリアクタ情報に基づき使用するプロセスモジュールPMを設定し、「AUTO」設定でなければそのまま確定する。また、「AUTO」設定であれば、作業者が選択可能なように設定画面を表示するよう構成される。 When the control unit 121 determines that the film types executed by the process modules PM are not the same, the control unit 121 acquires login user information and acquires usable reactor information. The control unit 121 sets the process module PM to be used for each carrier 110 based on the reactor information acquired from the login user information, and determines it as it is if it is not the “AUTO” setting. Further, in the case of "AUTO" setting, the setting screen is displayed so that the operator can select.

このように、ログインユーザで使用するプロセスモジュールPMを決定する場合、キャリア情報から取得するリアクタ情報とログインユーザで設定されるリアクタ情報が一致しているか制御部121が判断し、ログインユーザが処理対象モジュールPMを使用して、ウエハ200を処理することができる。ここで、キャリア情報の基本情報は、リアクタ情報のほかに、キャリアID(FOUP ID)情報、キャリア種別(FOUP種別)情報、キャリア内ウエハマップ情報(FOUP内ウエハマップ情報)、ウエハの枚数、ウエハID情報等がある。ここで、ウエハマップ情報とは、どのスロットにウエハが存在するのかを示す情報である。 In this way, when determining the process module PM to be used by the login user, the control unit 121 determines whether the reactor information acquired from the carrier information and the reactor information set by the login user match, and the login user is the processing target. The module PM can be used to process the wafer 200. Here, the basic information of carrier information includes carrier ID (FOUP ID) information, carrier type (FOUP type) information, wafer map information in carrier (wafer map information in FOUP), number of wafers, wafer There is ID information and the like. Here, the wafer map information is information indicating in which slot the wafer exists.

ログインしているユーザ情報から、使用可能なプロセスモジュールPMを特定することにより、誤操作を防止することができる。例えば、間違ってキャリア110を投入することがないように、使用権限のあるプロセスモジュールPMに対するキャリア投入ができるようにしている。また、操作回数の削減も期待できる。 An erroneous operation can be prevented by specifying the usable process module PM from the logged-in user information. For example, in order to prevent the carrier 110 from being mistakenly introduced, the carrier can be introduced into the process module PM for which the use is authorized. In addition, the number of operations can be expected to be reduced.

ログインしているユーザ情報から、使用可能なプロセスモジュールPMを特定するやり方は、プロセスモジュールPM1とプロセスモジュールPM2が異膜種である場合に有効となる。これは、使用者が今から処理したい材料を間違って基板処理装置10に投入したり、間違ったプロセスモジュールPMで処理されることを未然に防いだりでき、また、使用者が、処理モジュールPMを常に選択するという手間を省かせることができる。 The method of identifying the usable process module PM from the logged-in user information is effective when the process module PM1 and the process module PM2 are different membrane types. This can prevent the user from accidentally putting the material to be processed into the substrate processing apparatus 10 by mistake, or by preventing the wrong process module PM from being processed, and the user can prevent the processing module PM from being processed. You can save the trouble of always selecting.

(キャリア識別情報から自動判別する方法)
顧客ホストコンピュータから投入する場合であり、キャリアID自動判別をおこなうタイミングは、基板処理装置10のロードポート22に基づいてキャリア110が搬送され、制御部121がキャリア110のキャリアIDの情報を読み込み確定したときになる。図8BにキャリアIDのキャリア識別情報から自動判別するフローを示す。
(Method of automatically identifying from carrier identification information)
In the case of loading from the customer host computer, the carrier ID is automatically determined, and the carrier 110 is transported based on the load port 22 of the substrate processing apparatus 10, and the control unit 121 reads the carrier ID information of the carrier 110 and confirms it. When FIG. 8B shows a flow of automatic discrimination from the carrier identification information of the carrier ID.

(S310) 顧客ホストコンピュータによりキャリア110が投入されると、制御部121は本フローを起動する。(S311)制御部121は、キャリア種別情報、キャリアIDの接頭語を含むキャリアID情報などのキャリア識別情報を取得する。 (S310) When the carrier 110 is input by the customer host computer, the control unit 121 starts this flow. (S311) The control unit 121 acquires carrier identification information such as carrier type information and carrier ID information including a carrier ID prefix.

(S312) 制御部121は、取得したキャリア識別情報と装置パラメータとして設定されているキャリアID指定パラメータ(以後、PM指定パラメータともいう)を比較する。
(S313) 制御部121は、キャリア識別情報とPM指定パラメータが一致していると、キャリア識別情報から取得したリアクタ情報に基づき対象処理モジュールPMを設定する。
(S312) The control unit 121 compares the acquired carrier identification information with the carrier ID designation parameter (hereinafter, also referred to as PM designation parameter) set as the device parameter.
(S313) When the carrier identification information and the PM designation parameter match, the control unit 121 sets the target processing module PM based on the reactor information acquired from the carrier identification information.

(S314) 制御部121は、処理対象のプロセスモジュールPM数分の対象処理モジュールPMの設定が終了か確認する。終了していない場合は、S311からS313の工程を繰返す。尚、本実施形態において、プロセスモジュールは、PM1とPM2の2つであるため、2回行われる。 (S314) The control unit 121 confirms whether the setting of the target processing modules PM for the number of process modules PM to be processed is completed. If not completed, the steps from S311 to S313 are repeated. In this embodiment, the process modules are two, that is, PM1 and PM2, so that the process is performed twice.

(S315) 制御部121は、対象処理モジュールPMの設定の有無を確認する。既にS313で設定されていれば(Noの場合)、(S317)OK応答を出力して本フローを終了する。 (S315) The control unit 121 confirms whether or not the target processing module PM is set. If it is already set in S313 (in the case of No), (S317) an OK response is output and the present flow ends.

(S315) 制御部121は、対象処理モジュールPMの設定の有無を確認し、S313での設定がされていなければ(YESの場合)、次の工程(S316)に移行し、投入されたキャリア110がジョブ指定キャリアか確認する。ここで、ジョブ指定キャリアとは、後述するジョブ登録(ジョブ生成)で登録される処理対象材料のことである。尚、処理対象材料とは、ダミーウエハ200のキャリア110以外の製品基板200やモニタ基板200のキャリア110であり、処理対象ウエハ200とは、ダミーウエハ200を除く製品ウエハ200やモニタウエハ200である。以後、ウエハ種別は、製品ウエハ200、ダミーウエハ200、モニタウエハ200であり、これらをまとめて総称する場合、単にウエハ200と称することがある。 (S315) The control unit 121 checks whether or not the target processing module PM is set, and if the setting is not made in S313 (in the case of YES), the process proceeds to the next step (S316), and the loaded carrier 110 Check if is the job designated carrier. Here, the job-designated carrier is a material to be processed that is registered in job registration (job generation) described later. The processing target material is the product substrate 200 other than the dummy wafer 200 carrier 110 or the carrier 110 of the monitor substrate 200, and the processing target wafer 200 is the product wafer 200 or the monitor wafer 200 excluding the dummy wafer 200. Hereinafter, the wafer types are the product wafer 200, the dummy wafer 200, and the monitor wafer 200, and when these are collectively referred to, they may be simply referred to as the wafer 200.

S316において、制御部121は、投入されたキャリア110がジョブ指定キャリアか確認し、ジョブ指定キャリアであれば、(S319) 投入されたキャリア110をAUTOに設定し、OK応答を出力して本フローを終了する。本実施形態では、ジョブ指定キャリアでない場合でも、(S318) 投入されたキャリア110をAUTOに設定し、OK応答を出力して本フローを終了する。 In S316, the control unit 121 confirms whether the input carrier 110 is a job designated carrier, and if it is a job designated carrier, (S319) sets the input carrier 110 to AUTO, outputs an OK response, and outputs this flow. To finish. In this embodiment, even if the carrier is not a job designated carrier (S318), the inputted carrier 110 is set to AUTO, an OK response is output, and this flow is ended.

本実施形態では、ダミーウエハ200を格納したキャリア110をプロセスモジュールPM1とプロセスモジュールPM2の両方で使用してもよい膜種を前提にして、本フローのS318においてAUTO設定として、プロセスモジュールPM1とプロセスモジュールPM2のどちらでも使用可能にしている。 In the present embodiment, assuming that the carrier 110 storing the dummy wafer 200 may be used in both the process module PM1 and the process module PM2, the process module PM1 and the process module PM1 and the process module PM1 are set as AUTO settings in S318 of this flow. Both PM2 can be used.

例えば、プロセスモジュールPM1とプロセスモジュールPM2が異膜種でダミーウエハの共通使用が不可能であれば、NG応答となり拒絶される。尚、共通使用の可(OK)か不可(NG)は、装置パラメータの一種である装置構成パラメータにより設定される。 For example, if the process module PM1 and the process module PM2 are different film types and the dummy wafer cannot be used in common, the process module PM1 and the process module PM2 are rejected as an NG response. Whether the common use is possible (OK) or not possible (NG) is set by a device configuration parameter which is a kind of device parameter.

また、本実施形態によれば、キャリア110の情報としてリアクタ情報を持たせることで、そのキャリア110内に存在するウエハ200に対しても、ウエハ情報としてリアクタ情報を持たせることができる。本実施形態によれば、このリアクタ情報を搬送インターロックとして利用することで、ウエハ200を対象プロセスモジュールPMにだけ使用できるようにして、より緻密なプロセス処理ができるようにしている。ここで、ウエハ情報は、上記リアクタ情報のほか、ウエハID情報、ウエハ種別情報、現在位置情報、現在処理状態、現在移動状態を基本情報として有する。 Further, according to this embodiment, by providing the reactor information as the information of the carrier 110, it is possible to give the reactor information as the wafer information to the wafer 200 existing in the carrier 110. According to the present embodiment, by using this reactor information as a transfer interlock, the wafer 200 can be used only for the target process module PM, and more precise process processing can be performed. Here, in addition to the reactor information, the wafer information has wafer ID information, wafer type information, current position information, current processing state, and current movement state as basic information.

制御部121は、キャリア110内のスロットマップ照合でOK(異常無し)応答を出力すると共に、ウエハ情報としてリアクタ情報を取得するよう構成されている。また、上記基本情報を取得するように構成されている。尚、意図しないプロセスモジュールPMにウエハ200を搬送させようとしても、制御部121は、アラームを発砲させると共にウエハ200を搬送させないように制御するよう構成されている。 The control unit 121 is configured to output an OK (no abnormality) response by collating the slot map in the carrier 110 and acquire reactor information as wafer information. Further, it is configured to acquire the basic information. It should be noted that even if the wafer 200 is transferred to an unintended process module PM, the control unit 121 is configured to emit an alarm and control the wafer 200 not to be transferred.

(ジョブ登録処理)
(S400)制御部121は、プロセス仕様及び材料仕様が指定されているとき、つまり、オペレータもしくは顧客ホストコンピュータからの成膜処理要求を受け付け、ジョブキューに登録された後、1秒周期で、図9Aに示すジョブ登録(生成)処理を開始するように構成されている。なお、成膜処理要求で通知される情報は、成膜時に使用するシーケンスレシピ、該シーケンスレシピに対応したプロセスパラメータ、処理対象となる製品ウエハ200及びモニタウエハ200のキャリア110と該キャリア110内にウエハ200を載置するための保持部(スロット)の項番(ナンバ)等である。
(Job registration process)
(S400) When the process specification and the material specification are designated, that is, after the film forming processing request from the operator or the customer host computer is received and registered in the job queue, the control unit 121 displays 9A is configured to start the job registration (generation) process. The information notified by the film formation processing request includes the sequence recipe used during film formation, the process parameters corresponding to the sequence recipe, the product wafer 200 to be processed, the carrier 110 of the monitor wafer 200, and the inside of the carrier 110. It is an item number (number) of a holding portion (slot) for mounting the wafer 200.

また、このスロットの項番(以後、スロット番号ともいう)は、ボート217と同様に下から順番に付加されている。更に、制御部121は、キャリア110やスロットに載置されたウエハ200を成膜処理要求で通知された情報の受付け順に優先順位を確定していく。つまり、制御部121の情報取得順に優先順位が付けられるため、例えば、ウエハ200はスロット番号順に優先順位が決定される。 Further, the item numbers of the slots (hereinafter, also referred to as slot numbers) are added in order from the bottom, like the boat 217. Further, the control unit 121 determines the priorities of the wafers 200 placed in the carriers 110 and the slots in the order of receiving the information notified by the film formation processing request. That is, since the priorities are assigned in the order in which the information is acquired by the controller 121, the priorities of the wafers 200 are determined in the order of the slot numbers, for example.

(S401) 制御部121は、プロセス仕様を確認する。具体的には、指定されたレシピが記憶部121cに格納され、該レシピで使用するパラメータの設定が正しいことを確認する。(S402)プロセスモジュール単位でプロセス仕様を整理しておく。つまり、制御部121は、予め記憶部121cに格納されたレシピから今回指定されたレシピを選択して、所望のプロセス仕様を確定する。 (S401) The control unit 121 confirms the process specifications. Specifically, the specified recipe is stored in the storage unit 121c, and it is confirmed that the parameters used in the recipe are set correctly. (S402) Process specifications are organized in process module units. That is, the control unit 121 selects the recipe specified this time from the recipes stored in the storage unit 121c in advance and determines the desired process specifications.

(S403)制御部121は、次に材料仕様を確認する。具体的には、処理済みでないキャリア110内のウエハ200であり、このキャリア110が他のジョブで処理を予約されていないかを確認する。 (S403) The control unit 121 then confirms the material specifications. Specifically, it is confirmed whether the wafer 200 is the wafer 200 in the carrier 110 that has not been processed and the carrier 110 is not reserved for processing by another job.

(S404)全処理モジュールPMで処理可能なウエハ処理能力を確認する。具体的には、制御部121は、処理モジュールPMの処理ウエハ能力を事前に把握する為に、記憶部121c予め格納されているウェーハアレンジメントパラメータWAPから、使用するウエハ種別ごとのウエハ枚数を事前に算出する。 (S404) The wafer processing capacity that can be processed by all the processing modules PM is confirmed. Specifically, in order to grasp the processed wafer capacity of the processing module PM in advance, the control unit 121 preliminarily determines the number of wafers for each wafer type to be used from the wafer arrangement parameter WAP stored in advance in the storage unit 121c. calculate.

制御部121は、今回の処理で使用する全基板数を算出し、基板処理装置10が対応する全ウエハ種別に対して、ボート217上のウェーハレイアウトに応じて各枚数を算出する。次に、制御部121は、プロセスモジュールPM1とプロセスモジュールPM2の各々のプロセスモジュールで使用するウエハ種別に対する基板枚数の最大値と最小値が同じであることを確認する。 The control unit 121 calculates the total number of substrates to be used in this processing, and calculates the number of all the substrates according to the wafer layout on the boat 217 for all the wafer types supported by the substrate processing apparatus 10. Next, the control unit 121 confirms that the maximum value and the minimum value of the number of substrates for the wafer types used in the process modules PM1 and PM2 are the same.

(S405)制御部121は、S404で算出したプロセスモジュールPM1とプロセスモジュールPM2の処理ウエハ能力に基づいて、図9Bに示す材料仕様確定処理シーケンスを実行する。以下、図9Bに示す材料仕様確定処理シーケンスの詳細について説明する。 (S405) The control unit 121 executes the material specification confirmation processing sequence shown in FIG. 9B based on the processing wafer capacities of the process module PM1 and the process module PM2 calculated in S404. The details of the material specification confirmation processing sequence shown in FIG. 9B will be described below.

(S410)プロセスモジュールPM1(またはPM2)の最大処理ウエハ枚数が処理対象ウエハ総枚数未満であれば、プロセスモジュールPM1(またはPM2)に全処理対象ウエハを集め(S411)、ジョブ生成で示した順番(S400で取得した優先順位)で処理対象ウエハ200を並べる(S412)。ここでは、処理対象ウエハ200は、キャリア110の番号順、且つキャリア110のスロット番号順で、処理の順番が決定され、その結果を材料処理順番1に格納する(S413)。 (S410) If the maximum number of processed wafers in the process module PM1 (or PM2) is less than the total number of processed wafers, all processed wafers are collected in the process module PM1 (or PM2) (S411), and the order shown in the job generation The wafers 200 to be processed are arranged in the order of priority obtained in S400 (S412). Here, the processing target wafer 200 is determined in the order of the numbers of the carriers 110 and in the order of the slot numbers of the carriers 110, and the result is stored in the material processing order 1 (S413).

(S410)プロセスモジュールPM1(またはPM2)の最大処理ウエハ枚数が処理対象ウエハ総枚数以上であれば、複数のプロセスモジュールPMに処理対象ウエハ200を振り分ける(S414)。先ず、ウエハ単位均等振分に設定されているか判定する(S415)。 (S410) If the maximum number of processed wafers in the process module PM1 (or PM2) is not less than the total number of processed wafers, the processed wafers 200 are distributed to a plurality of process modules PM (S414). First, it is determined whether the wafer-based uniform distribution is set (S415).

ウエハ単位均等振分に設定されていれば、ジョブ生成で示した順番(S400で取得した優先順位)で処理対象ウエハ200を並べ、処理対象ウエハ200を按分する(S416)。その結果を記憶部121c内の材料処理順番1、材料処理順番2に相当する領域にそれぞれ格納する(S417)特に、処理対象ウエハ200は、プロセスモジュールPMの番号順、キャリア110の番号順、且つキャリア110のスロット番号順で、処理の順番が決定される。 If the wafer unit uniform distribution is set, the processing target wafers 200 are arranged in the order shown in the job generation (the priority order acquired in S400), and the processing target wafers 200 are proportionally distributed (S416). The results are stored in the areas corresponding to the material processing order 1 and the material processing order 2 in the storage unit 121c (S417). In particular, the wafers 200 to be processed are ordered by the process module PM, by the carrier 110, and The processing order is determined in the order of the slot numbers of the carriers 110.

キャリア単位均等割りに設定されている場合(S418)、(2N-2)/2のパターン(N:キャリア数)のキャリア組合せを算出する(S419)。算出された組合せで最大値が総枚数以上である組合せを抽出し(S420)、按分の差が最も小さい組合せを選択する(S421)。その結果を記憶部121c内の材料処理順番1、材料処理順番2に相当する領域にそれぞれ格納する(S417)。 When the carrier unit is equally set (S418), the carrier combination of the (2 N -2)/2 pattern (N: number of carriers) is calculated (S419). Among the calculated combinations, a combination having a maximum value equal to or larger than the total number of sheets is extracted (S420), and a combination having the smallest proportional division is selected (S421). The results are stored in the areas corresponding to the material processing order 1 and the material processing order 2 in the storage unit 121c, respectively (S417).

このように、制御部121は、プロセスモジュールPM1(またはPM2)の最大処理ウエハ枚数が処理対象ウエハ総枚数以上であれば、プロセスモジュールPM1(またはPM2)に全ての処理対象ウエハ200を搬送して処理を実施するように構成されている。特に、処理対象ウエハ総枚数が、キャリア110に最大収納枚数(本実施形態では、25枚)未満であれば、プロセスモジュールPM1(またはPM2)に全ての処理対象ウエハ200を搬送して処理を実施するのが好ましい。 In this way, the control unit 121 transfers all the processing target wafers 200 to the process module PM1 (or PM2) if the maximum number of processing wafers in the process module PM1 (or PM2) is equal to or larger than the total number of processing target wafers. Is configured to perform the process. In particular, if the total number of wafers to be processed is less than the maximum number of wafers that can be stored in the carrier 110 (25 wafers in this embodiment), all the wafers 200 to be processed are transferred to the process module PM1 (or PM2) to be processed. Preferably.

また、制御部121は、プロセスモジュールPM1(またはPM2)の最大処理ウエハ枚数が処理対象ウエハ総枚数より小さければ、プロセスモジュールPM1、PM2に振り分け搬送を行い、2回のプロセス処理に分けて実施するように構成されている。なお、処理対象ウエハ総枚数が、キャリア110に最大収納枚数(本実施形態では、25枚)以上であれば、プロセスモジュールPM1、PM2に振り分け搬送を行い、処理対象ウエハ200を処理するようにしてもよい。 Further, if the maximum number of processed wafers in the process module PM1 (or PM2) is smaller than the total number of wafers to be processed, the control unit 121 distributes and conveys the processed modules to the process modules PM1 and PM2, and performs the process processing twice. Is configured. If the total number of wafers to be processed is equal to or larger than the maximum number of wafers that can be accommodated in the carrier 110 (25 wafers in this embodiment), the wafers 200 to be processed are distributed and transferred to the process modules PM1 and PM2. Good.

(ジョブ実行処理)
(S501) 制御部121は、ジョブ登録(生成)後、周期的(本実施形態では1秒毎)にジョブ実行指示の有無を監視する。そして、上位コントローラまたは操作部122からジョブ実行指示を受付けると、図10Aに示す処理モジュールを選定する処理を開始するように構成されている。
(Job execution processing)
(S501) After the job registration (generation), the control unit 121 periodically (every 1 second in this embodiment) monitors the presence or absence of a job execution instruction. Then, when a job execution instruction is received from the host controller or the operation unit 122, the processing for selecting the processing module shown in FIG. 10A is started.

(S502)制御部121は、使用可能な処理モジュールPMをピックアップする。このピックアップの条件は、処理モジュールPMが実行禁止状態でなく、材料処理待機状態である。 (S502) The control unit 121 picks up an available processing module PM. The condition of this pickup is that the processing module PM is not in the execution prohibited state but in the material processing standby state.

制御部121は、ピックアップされた処理モジュールPMが、無い場合(S503)はそのまま待機状態(選定待ち状態)となり、一つの場合(S504)は、使用可能な処理モジュールPMの選定を確定し、本処理を終了する(S505)。 When there is no picked-up processing module PM (S503), the control unit 121 remains in a standby state (waiting for selection), and in one case (S504), the selection of an available processing module PM is confirmed, and The process ends (S505).

制御部121は、ピックアップされた処理モジュールPMが複数の場合(S506)、1つの処理モジュールPMのみ使用するか確認する(S507)。S507でNoの場合、図6Aに示すメンテナンス項目選定パラメータに従い、使用可能な処理モジュールPMを選定し、本処理を終了する(S512)。なお、S512における使用可能な処理モジュールPMを選定については後述する。一方、S507でYesの場合、ダミーウエハ数を含めて再度処理モジュールのピックアップが行われる(S508)。 When there are a plurality of picked-up processing modules PM (S506), the control unit 121 confirms whether only one processing module PM is used (S507). In the case of No in S507, the usable processing module PM is selected according to the maintenance item selection parameter shown in FIG. 6A, and this processing is ended (S512). The selection of the usable processing module PM in S512 will be described later. On the other hand, if Yes in S507, the processing module is picked up again including the number of dummy wafers (S508).

制御部121は、ピックアップされた処理モジュールPMが複数の場合(S506)、または無しの場合(S503)、後述するS512における使用可能な処理モジュールPMを選定し、本処理を終了する(S512)。制御部121は、ピックアップされた処理モジュールPMが一つの場合(S504)、使用可能な処理モジュールPMの選定を確定し、本処理を終了する(S505)。 When there are a plurality of picked-up processing modules PM (S506), or when there are no picked-up processing modules PM (S503), the control unit 121 selects an available processing module PM in S512, which will be described later, and ends this processing (S512). When the number of the processing modules PM picked up is one (S504), the control unit 121 determines the selection of the usable processing modules PM, and ends the present processing (S505).

S512における処理モジュールPMを選定するフローを図10Bに示す。(S520)制御部121は、予め記憶部121cに格納されている図6Aに示す装置パラメータ(メンテナンス項目選定パラメータ)から処理モジュールPM選定方式を取得する。具体的には、メンテナンス項目に定義されているメンテナンスナンバーを取得する。 A flow for selecting the processing module PM in S512 is shown in FIG. 10B. (S520) The control unit 121 acquires the processing module PM selection method from the device parameters (maintenance item selection parameters) shown in FIG. 6A which are stored in advance in the storage unit 121c. Specifically, the maintenance number defined in the maintenance item is acquired.

(S521)制御部121は、メンテナンスナンバーが「00」か確認する。YESの場合、(S522)最後に使用した処理モジュールPMを参照し、この処理モジュールPMではない処理モジュールPMを選択し、使用する処理モジュールを確定する。Noの場合、メンテナンスナンバーが「01」か「02」かを確認する(S523)。 (S521) The control unit 121 confirms whether the maintenance number is “00”. In the case of YES (S522), the processing module PM used last is referred to, the processing module PM other than this processing module PM is selected, and the processing module to be used is decided. In case of No, it is confirmed whether the maintenance number is "01" or "02" (S523).

メンテナンスナンバーが「01」か「02」の場合、制御部121は、「01」であれば、処理モジュールPM1を選択し、使用する処理モジュールを確定する。「02」であれば、処理モジュールPM2を選択し、使用する処理モジュールを確定する(S524)。 When the maintenance number is “01” or “02”, the control unit 121 selects the processing module PM1 if “01” and determines the processing module to be used. If it is "02", the processing module PM2 is selected and the processing module to be used is determined (S524).

メンテナンスナンバーが「01」か「02」ではない場合、(S525)各処理モジュールのメンテナンス項目の現在値を取得し、(S526)現在値の小さい処理モジュールを選択し、使用する処理モジュールを確定する。尚、現在値が同じ場合、処理モジュールPM1を選択し、使用する処理モジュールを確定する。 If the maintenance number is not "01" or "02" (S525), the current value of the maintenance item of each processing module is acquired, and (S526) the processing module with the smaller current value is selected to determine the processing module to be used. .. When the current values are the same, the processing module PM1 is selected and the processing module to be used is decided.

使用する処理モジュールPM(PM−1)を確定すると、次に、制御部121は、バッチ組を行う。ここで、バッチ組(群)とは、1つの処理モジュールPMで1回で処理することができる処理対象ウエハ200の塊であり、原則として処理対象ウエハ200を対象としている。ここでは、記憶部121c内の材料処理順番1領域のデータが該当する。これにより、処理モジュールPM−1で処理される処理対象ウエハ200のバッチ組が作成される。 When the processing module PM (PM-1) to be used is determined, the control unit 121 then performs batch grouping. Here, the batch group (group) is a block of the processing target wafers 200 that can be processed by one processing module PM at one time, and in principle, the processing target wafers 200 are targeted. Here, the data of the material processing order 1 area in the storage unit 121c is applicable. As a result, a batch set of the processing target wafers 200 to be processed by the processing module PM-1 is created.

処理モジュールPM内に挿入されるボート217の全スロット(基板保持領域)の両端部(上端部と下端部)は、均熱が保持できない部分が僅かながらに存在するため、常に数枚ずつダミーウエハ200をこの部分(スロット)に保持しつつ、温度が安定しているスロットの保持部で製品ウエハ200を保持するようにしている。 At both end portions (upper end portion and lower end portion) of all slots (substrate holding regions) of the boat 217 inserted into the processing module PM, there are a few portions where uniform heating cannot be held, and therefore, several dummy wafers 200 are always provided. Is held in this portion (slot), and the product wafer 200 is held by the holding portion of the slot whose temperature is stable.

つまり、この均熱が保持できない基板保持領域にはダミーウエハ200を配置するため、バッチ組はダミーウエハ200を含む構成となる。 In other words, since the dummy wafers 200 are arranged in the substrate holding area where this uniform heating cannot be held, the batch group is configured to include the dummy wafers 200.

次に、使用対象のダミーウエハ200のキャリア110の選定及びダミーウエハ200の選定が行われる。図11Aを用いて、制御部121が、ダミーウエハ200を使用するキャリア110を選定及びダミーウエハ200の選定する工程について説明する。 Next, the carrier 110 of the dummy wafer 200 to be used and the dummy wafer 200 are selected. A process in which the control unit 121 selects the carrier 110 that uses the dummy wafer 200 and the dummy wafer 200 will be described with reference to FIG. 11A.

(S621)キャリア情報に基づき、ダミーウエハ200を使用するキャリア110をピックアップする。ピックアップしたキャリア110内のスロットナンバー1のダミーウエハ200の有無を判定する。なければ次のスロットナンバー2のダミーウエハ200の有無を判定する。 (S621) Based on the carrier information, the carrier 110 that uses the dummy wafer 200 is picked up. The presence/absence of the dummy wafer 200 having the slot number 1 in the picked-up carrier 110 is determined. If not, the presence or absence of the dummy wafer 200 of the next slot number 2 is determined.

(S622) キャリア110内のスロットナンバー1にダミーウエハ200を有する場合、該ダミーウエハ200が使用可能状態か判定する。使用可能状態でない場合、次のスロットナンバー2のダミーウエハ200の有無を判定する。 (S622) If the slot number 1 in the carrier 110 has the dummy wafer 200, it is determined whether the dummy wafer 200 is in the usable state. If it is not in the usable state, it is determined whether or not there is the dummy wafer 200 having the next slot number 2.

(S623)スロットナンバー1のダミーウエハ200が使用可能状態である場合、今回のプロセス処理が処理モジュールPM1で実行するか判定する。YESであれば、ダミーウエハ200のウエハ情報から処理モジュールPM1、または「AUTO」指定のダミーウエハ200を選定する。Noであれば、処理モジュールPM2、または「AUTO」指定のダミーウエハ200を選定する。 (S623) If the dummy wafer 200 with the slot number 1 is in the usable state, it is determined whether or not the current process processing is executed by the processing module PM1. If YES, the processing module PM1 or the dummy wafer 200 designated as "AUTO" is selected from the wafer information of the dummy wafer 200. If No, the processing module PM2 or the dummy wafer 200 designated as "AUTO" is selected.

(S624)選定数(デフォルトは0)に1を加え、(S625)このダミーウエハ200のウエハ情報を記憶部121cに格納し、次のスロットナンバー2のダミーウエハ200の有無を判定する。そして、S622からS625までの工程をスロットナンバーの数だけ実行する。 (S624) 1 is added to the selected number (default is 0), (S625) Wafer information of this dummy wafer 200 is stored in the storage unit 121c, and the presence or absence of the dummy wafer 200 of the next slot number 2 is determined. Then, the steps from S622 to S625 are executed by the number of slot numbers.

その後、次のダミーキャリア(ダミーウエハ200を格納するキャリア)110について、S622からS625までの工程をスロットナンバーの数だけ実行する。そして、S621でピックアップされたダミーキャリア110の数分、全てのダミーウエハ200について、ウエハ情報を記憶部121cに格納すると本処理フローを終了する。 After that, for the next dummy carrier (carrier for storing the dummy wafer 200) 110, the processes from S622 to S625 are performed for the number of slot numbers. Then, when the wafer information of all the dummy wafers 200 corresponding to the number of the dummy carriers 110 picked up in S621 is stored in the storage unit 121c, this processing flow ends.

そして、制御部121は、ダミーウエハ200を含むバッチ組を構成するのにウエハ200の枚数が十分にあるか確認する。 Then, the control unit 121 confirms whether the number of wafers 200 is sufficient to form a batch group including the dummy wafers 200.

(S600)次に、制御部121は、前処理(スタンバイステップ)、本処理(メインステップ)、後処理(エンドステップ)の3つのステップを含むシーケンスレシピを実行するように構成されている。前処理において、キャリア110からボート217へのウエハ200の搬送が行われる。制御部121は、記憶部121c内の材料処理順番1領域、及び材料処理順番2領域で定義された基板配置に応じて、更に加えて、記憶部121cに格納されたダミーウエハ200の選定材料情報を用い、基板移載データを作成し、各種ウエハ200が順次処理モジュールPMの下方に設置されるボート217へ搬送される。ここで、制御部121は、基板移載データを作成の前に、最終的に使用するダミーウエハ200の選定と移載する順番を図11Bを用いて決定する。 (S600) Next, the control unit 121 is configured to execute a sequence recipe including three steps of preprocessing (standby step), main processing (main step), and postprocessing (end step). In the pretreatment, the wafer 200 is transferred from the carrier 110 to the boat 217. The control unit 121 further adds the selected material information of the dummy wafer 200 stored in the storage unit 121c in addition to the substrate arrangement defined in the material processing order 1 region and the material processing order 2 region in the storage unit 121c. Using the substrate transfer data, various wafers 200 are sequentially transferred to the boat 217 installed below the processing module PM. Here, before creating the substrate transfer data, the control unit 121 determines the selection of the dummy wafer 200 to be finally used and the transfer order using FIG. 11B.

次に、図11Bを用いて、制御部121が、使用するダミーウエハ200の選定とダミーウエハ200を優先させて使用する順にソートする工程について説明する。 Next, with reference to FIG. 11B, a process in which the control unit 121 selects the dummy wafers 200 to be used and prioritizes the dummy wafers 200 and sorts them in the order of use will be described.

制御部121は、処理対象プロセスモジュールPMの情報に応じて記憶部121cに格納された選定材料情報を取得し、取得した選定材料情報に基づき「AUTO」指定のダミーウエハ200かどうか判定する。制御部121は、「AUTO」指定のダミーウエハ200だけを格納するAUTO領域と、「AUTO」以外が指定されたダミーウエハ200を格納するPM指定領域にそれぞれ格納していき、これらAUTO領域とPM指定領域への格納処理を選定材料情報で取得した選定数分終了すると、PM指定領域に格納されたダミーウエハ200をAUTO領域に格納されたダミーウエハ200よりも先に使用するような順番になるように今回使用可能材料情報領域に格納する。 The control unit 121 acquires the selected material information stored in the storage unit 121c in accordance with the information of the process module PM to be processed, and determines whether the dummy wafer 200 is the "AUTO"-designated dummy wafer 200 based on the acquired selected material information. The control unit 121 stores the dummy wafers 200 designated by “AUTO” only in the AUTO area and the PM designated area storing the dummy wafers 200 designated by other than “AUTO” respectively. When the storage processing in the selected material information is completed by the number of selections acquired in the selected material information, the dummy wafers 200 stored in the PM designated area are used this time such that the dummy wafers 200 are used before the dummy wafers 200 stored in the AUTO area. Store in the possible material information area.

このように、本実施形態によれば、特定の処理モジュール専用のダミーウエハ200を使用していき、どうしても不足した場合に、処理モジュール共有のダミーウエハ200を使用することで、ダミーウエハ200を効率的に運用することができる。よって、基板処理装置10にて材料処理を実施するにあたり、使用するダミーウエハ200を効率よく使用できる。さらに、ダミーウエハ200の交換を容易にするために、特定のダミーウエハ200から使用することで、ダミーウエハ200を収納しているキャリア110の交換も容易にすることができる。ここで改めてダミーウエハ200は、サイドダミー基板と補充ダミー基板の両方を含む。 As described above, according to the present embodiment, the dummy wafer 200 dedicated to a specific processing module is used, and if the dummy wafer 200 is in short supply, the dummy wafer 200 shared by the processing modules is used to efficiently operate the dummy wafer 200. can do. Therefore, when the material processing is performed in the substrate processing apparatus 10, the dummy wafer 200 used can be efficiently used. Furthermore, in order to facilitate the replacement of the dummy wafer 200, the carrier 110 accommodating the dummy wafer 200 can be easily replaced by using a specific dummy wafer 200. Here, the dummy wafer 200 includes both side dummy substrates and supplementary dummy substrates.

図12Aに基板移載データの一例を示す。基板移載データは、ウエハ200が処理される順番を示す情報と、ボート217に載置されるウエハ200の搬送元情報と、ウエハ200を処理する処理室201を示す搬送先情報を含む。基板移載データは、搬送元情報としてボート217に載置されるウエハ200が格納されるキャリア110の種別と項番を示す情報と、ウエハ200がキャリア110内で載置されるスロット番号を示す情報を含み、搬送先情報としてボート217のスロット番号を示す情報を含む。図12Aには、この基板移載データが、処理モジュールPM1しか掲載していないが、処理モジュールPM2も同様な構成である。 FIG. 12A shows an example of the substrate transfer data. The substrate transfer data includes information indicating the order in which the wafers 200 are processed, transfer source information of the wafers 200 mounted on the boat 217, and transfer destination information indicating the processing chamber 201 that processes the wafers 200. The substrate transfer data indicates, as transfer source information, information indicating the type and item number of the carrier 110 in which the wafer 200 mounted on the boat 217 is stored, and the slot number in which the wafer 200 is mounted in the carrier 110. Including information, the destination information includes information indicating the slot number of the boat 217. In FIG. 12A, the substrate transfer data shows only the processing module PM1, but the processing module PM2 has the same configuration.

次に、図13を用いて、図12Aに示す基板移載データの作成に関して説明する。具体的には、(S611)選択された処理モジュールPM−1に関するボート217へウエハ200を搬送するためのボート217上のウエハ200の配置を設定する。(S612)制御部121は、S611で得たウエハ200の配置からウエハ200を搬送する順番を確定する。(S613)制御部121は、ウエハ200の搬送順番に基づき、ウエハ200のキャリア110をポッドオープナ21へ運ぶ順番を確定する。 Next, the creation of the substrate transfer data shown in FIG. 12A will be described with reference to FIG. Specifically, (S611) the arrangement of the wafers 200 on the boat 217 for transporting the wafers 200 to the boat 217 for the selected processing module PM-1 is set. (S612) The control unit 121 determines the order in which the wafers 200 are transferred from the arrangement of the wafers 200 obtained in S611. (S613) The control unit 121 determines the order in which the carriers 110 of the wafers 200 are transferred to the pod opener 21 based on the transfer order of the wafers 200.

(S611)ボート217の全スロット(基板保持領域)の両端部(上端部と下端部)では、均熱が保持できないので製品ウエハ200が載置できないため、この均熱が保持できない基板保持領域にはダミーウエハ200を配置する。具体的には、制御部121は、選択された処理モジュールPM−1に関し、この搬送先のボート217の全スロット(図12では、スロットが46個)において、全スロットのうち、均熱が保持できない両端部(上部は上端部から2つ目までのスロット、下部は、下端部から3つ目までのスロット)をダミーウエハ200を配置する。そして、制御部121は、この全スロットの中心部(24スロット)と均熱が保持できない両端部と境界で均熱が保持されるスロット(4スロット、44スロット)の3か所にモニタウエハ200を配置するように構成されている。最後に制御部121は、これらダミーウエハ200およびモニタウエハ200以外のスロットに製品ウエハ200を配置するように設定する。 (S611) Since the uniform heat cannot be held at both ends (upper end and lower end) of all the slots (substrate holding region) of the boat 217, the product wafer 200 cannot be placed. Arranges the dummy wafer 200. Specifically, the control unit 121 holds the soaking among all the slots (46 slots in FIG. 12) of the boat 217 of the transfer destination for the selected processing module PM-1. The dummy wafer 200 is arranged at both end portions (upper slot from the upper end to the second slot and lower portion from the lower end to the third slot) that cannot be formed. Then, the control unit 121 has the monitor wafer 200 at three positions, that is, the central portion (24 slots) of all the slots and the slots (4 slots, 44 slots) where the uniform heat is held at the boundary between both ends where the uniform heat cannot be held. Are configured to be placed. Finally, the control unit 121 sets the product wafer 200 to be placed in a slot other than the dummy wafer 200 and the monitor wafer 200.

(S612)制御部121は、ウエハ200の配置からウエハ200を搬送する順番を、これまでの各種ウエハ200のキャリア110情報等をもとに決定する。具体的には、ウエハ200の搬送時のパーティクル抑制のために、ダミーウエハ200を初めにボート217に搬送する。次に製品ウエハ200およびモニタウエハ200を移載するように搬送順(図12Aでは搬送Priorityと記載)が決定される。また、図12Aでは、製品ウエハ200を先に移載した後、モニタウエハ200を移載するように搬送順が決定されている。つまり、ダミーウエハ200、製品ウエハ200、モニタウエハ200の順番にボート217への搬送が行われるように決定される。 (S612) The control unit 121 determines the order in which the wafers 200 are transferred from the arrangement of the wafers 200, based on the carrier 110 information of the various wafers 200 and the like. Specifically, the dummy wafer 200 is first transferred to the boat 217 in order to suppress particles during transfer of the wafer 200. Next, the transfer order (described as transfer priority in FIG. 12A) is determined so that the product wafer 200 and the monitor wafer 200 are transferred. Further, in FIG. 12A, the transfer order is determined so that the product wafer 200 is transferred first and then the monitor wafer 200 is transferred. That is, it is determined that the dummy wafer 200, the product wafer 200, and the monitor wafer 200 are sequentially transferred to the boat 217.

また、制御部121は、キャリア110内の取り出すスロット番号の順番も搬送順(搬送Priority)と関連させて適宜決定する。なお、本実施形態では、処理対象ウエハ200、ダミーウエハ200のキャリア110内の取り出す順番は、それぞれスロット番号順である。その結果、制御部121は、図12Aに示す基板移載データを作成する。 The control unit 121 also appropriately determines the order of the slot numbers to be taken out in the carrier 110 in association with the transport order (transport priority). In the present embodiment, the wafers to be processed 200 and the dummy wafers 200 are taken out from the carrier 110 in the order of slot numbers. As a result, the control unit 121 creates the substrate transfer data shown in FIG. 12A.

(S613) 制御部121は、S612で各種ウエハ200の順番に基づき、ポッドオープナ21へ搬送される各キャリア110の順番を決定する。ここでは、キャリア(D01)110が、初めにポッドオープナ21に載置され、次に、キャリア(P01)110、キャリア(P02)110が、この順番にポッドオープナ21に載置され、最後に、キャリア(D01)110がポッドオープナ21に載置されるように決定される。 (S613) The control unit 121 determines the order of the carriers 110 transferred to the pod opener 21 based on the order of the various wafers 200 in S612. Here, the carrier (D01) 110 is first placed on the pod opener 21, then the carrier (P01) 110 and the carrier (P02) 110 are placed on the pod opener 21 in this order, and finally, It is determined that the carrier (D01) 110 is placed on the pod opener 21.

次に、プロセスレシピ内の任意ステップからボート217へのウエハ200の移載命令を受付けると、制御部121は、作成された基板移載データを読み出し、ボート217上のスロットのうち均熱領域以外の該スロットにダミーウエハ200を移載させ、残ったボート217上の均熱領域に相当するスロットに、ウエハ移載機構125を上下に移動させながら製品ウエハ200やモニタウエハ200を移載させる。 Next, when the transfer instruction of the wafer 200 to the boat 217 is received from an arbitrary step in the process recipe, the control unit 121 reads the created substrate transfer data, and the slot on the boat 217 other than the soaking area. The dummy wafer 200 is transferred to the slot, and the product wafer 200 and the monitor wafer 200 are transferred to the slot corresponding to the soaking area on the remaining boat 217 while moving the wafer transfer mechanism 125 up and down.

制御部121は、ポッド搬送装置130およびウエハ移載機構125にキャリア110の搬送およびウエハ200の移載を行わせる。具体的には、ポッド搬送装置130により、キャリア(D01)110が、初めにポッドオープナ21に載置され、ウエハ移載機構125により、ダミーウエハ200が、ボート217に搬送順(搬送Priority)に搬送される。次に、ポッド搬送装置130により、キャリア(P01)110、キャリア(P02)110が、この順番にポッドオープナ21に載置され、ウエハ移載機構125により、製品ウエハ200がボート217に搬送順(搬送Priority)に沿って搬送される。最後に、ポッド搬送装置130により、キャリア(D01)110がポッドオープナ21に載置され、ウエハ移載機構125により、モニタウエハ200がボート217に搬送順(搬送Priority)に搬送される。 The controller 121 causes the pod transfer device 130 and the wafer transfer mechanism 125 to transfer the carrier 110 and transfer the wafer 200. Specifically, the carrier (D01) 110 is first placed on the pod opener 21 by the pod transfer device 130, and the dummy wafers 200 are transferred to the boat 217 in the transfer order (transfer priority) by the wafer transfer mechanism 125. To be done. Next, the carrier (P01) 110 and the carrier (P02) 110 are mounted on the pod opener 21 in this order by the pod transfer device 130, and the product wafer 200 is transferred to the boat 217 by the wafer transfer mechanism 125 ( It is transported along the transportation priority). Finally, the pod transfer device 130 mounts the carrier (D01) 110 on the pod opener 21, and the wafer transfer mechanism 125 transfers the monitor wafers 200 to the boat 217 in the transfer order (transfer priority).

ここで、ポッドオープナ21に2つのキャリア110を載置することができれば、キャリア(P01)110とキャリア(M01)110を載置しておけば、搬送順を製品ウエハ200とモニタウエハ200を分けることなく連続して順位付けすることができるため、搬送時間を短縮できる。なお、一つのキャリア110にモニタウエハ200と製品ウエハ200を混在しておくことができれば、同様に製品ウエハ200とモニタウエハ200を分けることなく連続して順位付けすることができるため、搬送時間を短縮できる。 Here, if the two carriers 110 can be mounted on the pod opener 21, if the carrier (P01) 110 and the carrier (M01) 110 are mounted, the product wafer 200 and the monitor wafer 200 are separated in the order of transfer. Since the ranking can be continuously performed without any, the transport time can be shortened. It should be noted that if the monitor wafer 200 and the product wafer 200 can be mixed in one carrier 110, the product wafer 200 and the monitor wafer 200 can be sequentially ranked without being divided, and thus the transfer time can be reduced. Can be shortened.

ボート217へのウエハ200の移載が終了すると、ウエハ200の搬送位置の位置ズレなし確認が行われ、異常が無ければ、シーケンスレシピに定義されているプロセスレシピが実行される。制御部121がプロセスレシピを実行することにより、前述の基板処理工程が実施される。 When the transfer of the wafers 200 to the boat 217 is completed, it is confirmed that the transfer position of the wafers 200 is not displaced, and if there is no abnormality, the process recipe defined in the sequence recipe is executed. The substrate processing step described above is performed by the control unit 121 executing the process recipe.

なお、処理モジュールPM−2についても処理モジュールPM−1と同様に行われるのは言うまでもない。ここで、搬送順が処理モジュールPM−1を優先するため、処理対象ウエハ200が処理される順番が、47から始められる。また、各キャリアのスロット番号についても同様に、製品キャリア(P02)110の14から始められ、モニタキャリア(M01)110の4から始められ、ダミーキャリア(D01)110の6から始められる。但し、ダミーキャリア(D01)110のスロット番号については、図11Cに示す使用優先順番ソート結果により、適宜決定される。 It goes without saying that the processing module PM-2 is performed in the same manner as the processing module PM-1. Here, since the transfer order has priority over the processing module PM-1, the processing order of the processing target wafer 200 is started from 47. Similarly, the slot number of each carrier is also started from 14 of the product carrier (P02) 110, from 4 of the monitor carrier (M01) 110, and from 6 of the dummy carrier (D01) 110. However, the slot number of the dummy carrier (D01) 110 is appropriately determined according to the use priority order sorting result shown in FIG. 11C.

(他の実施形態)
図12Bに他の実施形態における基板移載データの一例を示す。この基板移載データは、記憶部121c内に格納された材料処理順番1、材料処理順番2を示す。つまり、ダミーウエハ200を用いないダミーレスの基板移載データであり、図12Aの製品ウエハ200と同じ枚数である。同様に、処理対象ウエハ200が処理される順番を示す情報と、ボート217に載置される処理対象ウエハ200の搬送元情報を含む。また、搬送元情報は、処理対象ウエハ200が格納されるキャリア110を示す情報と、処理対象ウエハ200がキャリア110内で載置されるスロット番号を示す情報を含む。また、図12Aで示す基板移載データと同様に搬送先情報であるボート217のスロット番号を示す情報を追加してもよい。
(Other embodiments)
FIG. 12B shows an example of the substrate transfer data in another embodiment. The substrate transfer data indicates the material processing order 1 and the material processing order 2 stored in the storage unit 121c. That is, it is the dummy-less substrate transfer data that does not use the dummy wafers 200, and is the same number as the product wafers 200 in FIG. 12A. Similarly, it includes information indicating the order in which the processing target wafers 200 are processed, and transfer source information of the processing target wafers 200 placed on the boat 217. The transfer source information includes information indicating the carrier 110 in which the processing target wafer 200 is stored and information indicating the slot number in which the processing target wafer 200 is mounted in the carrier 110. Further, similarly to the substrate transfer data shown in FIG. 12A, information indicating the slot number of the boat 217 that is the transport destination information may be added.

図12Bでは、ダミーウエハ200を用いない製品ウエハ200を用いるだけの今後実施されうる構成であり、この構成では製品ウエハ200を用いるだけでよいので、ウエハ200をボート217に搬送する時間の短縮される。更に、基板処理装置10内にダミーウエハ200を投入する必要がないため、汚染源が一つなくなるので、清浄に基板処理装置10内を保持することができる。 FIG. 12B shows a configuration that can be implemented in the future using only the product wafer 200 that does not use the dummy wafer 200. In this configuration, since the product wafer 200 only needs to be used, the time for transferring the wafer 200 to the boat 217 is shortened. .. Further, since it is not necessary to load the dummy wafer 200 into the substrate processing apparatus 10, there is no one contamination source, and the inside of the substrate processing apparatus 10 can be kept clean.

上述の実施形態では、一方(左側または右側)の載置台122におけるウエハ移載機構125によるウエハのボート217への装填作業中に、他方(左側または右側)の載置台122にはポッド棚105から別のポッド110がポッド搬送装置130によって搬送されて移載され、ポッドオープナ21によるポッド110の開放作業が同時進行される。 In the above-described embodiment, during loading work of the wafers into the boat 217 by the wafer transfer mechanism 125 on one (left or right) mounting table 122, the other (left or right) mounting table 122 is moved from the pod shelf 105 to the other mounting table 122. Another pod 110 is transported and transferred by the pod transport device 130, and the opening work of the pod 110 by the pod opener 21 is simultaneously advanced.

また、上述の実施形態では、ホットウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて薄膜を成膜する例について説明したが、本発明はこれに限定されず、コールドウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて薄膜を成膜する場合にも、好適に適用できる。 Further, in the above-described embodiment, an example of forming a thin film using the substrate processing apparatus having a hot wall type processing furnace has been described, but the present invention is not limited to this, and has a cold wall type processing furnace. It can be suitably applied to the case where a thin film is formed using the substrate processing apparatus.

また、本実施例に係る基板処理装置のような半導体ウエハを処理する半導体製造装置などに限らず、ガラス基板を処理するLCD(Liquid Crystal Display)製造装置にも適用することができる。 Further, the present invention can be applied not only to a semiconductor manufacturing apparatus that processes a semiconductor wafer such as the substrate processing apparatus according to the present embodiment but also to an LCD (Liquid Crystal Display) manufacturing apparatus that processes a glass substrate.

200…ウエハ(基板)
217…ボート(基板保持具)
200... Wafer (substrate)
217... Boat (substrate holder)

Claims (17)

製品基板とダミー基板を含む複数枚の基板を保持する基板保持具と、
前記基板保持具に載置可能な基板枚数と、前記基板保持具に載置される製品基板の枚数と、を少なくとも含む装置パラメータと、膜種毎に前記基板が収納されるキャリアに定義された装置パラメータそれぞれ記憶する記憶部と、
該装置パラメータに応じて、前記基板が搬送される順番を示す搬送順情報と、前記基板保持具に載置される前記基板の搬送元情報と、前記基板を処理する処理室を示す搬送先情報を含む基板移載データを作成し、前記基板移載データに基づき前記基板保持具上の基板保持領域のうち均熱領域以外の基板保持領域にダミー基板を移載させ、前記基板保持具上の基板保持領域のうち均熱領域に製品基板を移載させる制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記基板移載データを作成する際、前記キャリアに定義された装置パラメータを取得し、投入操作に応じて前記キャリア内に格納された基板が処理される前記処理室を決定するよう構成されている基板処理装置。
A substrate holder that holds a plurality of substrates including a product substrate and a dummy substrate,
The device parameters including at least the number of substrates that can be placed on the substrate holder and the number of product substrates that are placed on the substrate holder, and the carrier for storing the substrates for each film type are defined. A storage unit for storing each device parameter ,
Transport sequence information indicating the sequence in which the substrates are transported, transport source information of the substrates placed on the substrate holder, and transport destination information indicating a processing chamber in which the substrates are processed according to the apparatus parameters. Substrate transfer data including is created , based on the substrate transfer data, the dummy substrate is transferred to a substrate holding area other than the soaking area among the substrate holding areas on the substrate holder, and a control unit for the product substrate Ru is transferred to the soaking section of the substrate holding region,
Equipped with
The control unit, when creating the substrate transfer data, acquires the device parameters defined in the carrier and determines the processing chamber in which the substrate stored in the carrier is processed according to a loading operation. The substrate processing apparatus configured as described above .
前記基板移載データは、前記搬送元情報として前記基板保持具に載置される前記製品基板又は前記ダミー基板が格納されるキャリアを示す情報と、前記製品基板又は前記ダミー基板の前記キャリアに載置されるスロット番号を示す情報と、を含むよう構成されている請求項1記載の基板処理装置。 The substrate transfer data includes information indicating a carrier in which the product substrate or the dummy substrate placed on the substrate holder is stored as the transfer source information, and the carrier of the product substrate or the dummy substrate. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is configured to include information indicating a slot number to be placed. 更に、モニタ基板を備え、
前記基板移載データは、前記製品基板を搬送後、前記モニタ基板を搬送するように前記搬送順情報が設定されている請求項1記載の基板処理装置。
Furthermore, a monitor board is provided,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein in the substrate transfer data, the transport order information is set so that the monitor substrate is transported after the product substrate is transported.
前記制御部は、前記基板保持具に載置される製品基板の枚数が前記基板保持具に載置可能な基板枚数以下に設定されているとき、前記基板移載データを複数の処理室から選択される一つの処理室に搬送するように作成する請求項1記載の基板処理装置。 The control unit selects the substrate transfer data from a plurality of processing chambers when the number of product substrates mounted on the substrate holder is set to be equal to or less than the number of substrates mountable on the substrate holder. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is manufactured so as to be transported to one processing chamber. 前記制御部は、前記基板保持具に載置される製品基板の枚数が前記基板保持具に載置可能な基板枚数より多く設定されているとき、振り分け搬送するように前記基板移載データを作成する請求項1記載の基板処理装置。 When the number of product substrates placed on the substrate holder is set to be larger than the number of substrates that can be placed on the substrate holder, the controller creates the substrate transfer data so that the substrate is sorted and transported. The substrate processing apparatus according to claim 1. 前記制御部は、前記基板保持具に載置される製品基板の枚数が前記キャリアに載置可能な基板枚数より多く設定されているとき、振り分け搬送するように前記基板移載データを作成する請求項1記載の基板処理装置。 The control unit creates the substrate transfer data so that the product is placed and conveyed when the number of product substrates placed on the substrate holder is set to be larger than the number of substrates that can be placed on the carrier. Item 3. The substrate processing apparatus according to item 1. 前記制御部は、前記基板保持具に載置される製品基板の枚数が前記キャリアに載置可能な基板枚数以下に設定されているとき、前記基板移載データを複数の処理室から選択される一つの処理室に搬送するように作成する請求項1記載の基板処理装置。 The control unit selects the substrate transfer data from a plurality of processing chambers when the number of product substrates mounted on the substrate holder is set to be equal to or less than the number of substrates mountable on the carrier. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is manufactured so as to be transferred to one processing chamber. 製品基板とダミー基板を含む複数枚の基板を保持する基板保持具と、
前記基板保持具に載置可能な基板枚数と、前記基板保持具に載置される製品基板の枚数と、を少なくとも含む装置パラメータと、メンテナンス項目とメンテナンスナンバーがそれぞれ定義された装置パラメータをそれぞれ記憶する記憶部と、
該装置パラメータに応じて、前記基板が搬送される順番を示す搬送順情報と、前記基板保持具に載置される前記基板の搬送元情報と、前記基板を処理する処理室を示す搬送先情報を含む基板移載データを作成し、前記基板移載データに基づき前記基板保持具上の基板保持領域のうち均熱領域以外の基板保持領域にダミー基板を移載させ、前記基板保持具上の基板保持領域のうち均熱領域に製品基板を移載させる制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記メンテナンスナンバーに相当する前記メンテナンス項目で定義された項目の各処理室における現在値をそれぞれ比較し、前記基板を搬送する前記処理室を決定するよう構成されている基板処理装置。
A substrate holder that holds a plurality of substrates including a product substrate and a dummy substrate,
Device parameters including at least the number of substrates that can be placed on the substrate holder and the number of product substrates that are placed on the substrate holder, and device parameters in which maintenance items and maintenance numbers are defined are stored. A storage unit that
Transport sequence information indicating the sequence in which the substrates are transported, transport source information of the substrates placed on the substrate holder, and transport destination information indicating a processing chamber in which the substrates are processed according to the apparatus parameters. Substrate transfer data including is created, based on the substrate transfer data, the dummy substrate is transferred to a substrate holding area other than the soaking area among the substrate holding areas on the substrate holder, A control unit that transfers the product substrate to a soaking region of the substrate holding region,
Equipped with
Wherein the control unit, the current value in each processing chamber of the maintenance items defined items corresponding to the maintenance number is compared respectively, configured to have that board processing to determine the processing chamber for transferring the substrate apparatus.
製品基板とダミー基板を含む複数枚の基板を保持する基板保持具と、
前記基板保持具に載置可能な基板枚数と、前記基板保持具に載置される製品基板の枚数と、を少なくとも含む装置パラメータと、ログインユーザ毎に使用可能な処理室を設定するログインパラメータ、または、使用可能な処理室をキャリア種別毎に設定するキャリアパラメータをそれぞれ記憶する記憶部と、
該装置パラメータに応じて、前記基板が搬送される順番を示す搬送順情報と、前記基板保持具に載置される前記基板の搬送元情報と、前記基板を処理する処理室を示す搬送先情報を含む基板移載データを作成し、前記基板移載データに基づき前記基板保持具上の基板保持領域のうち均熱領域以外の基板保持領域にダミー基板を移載させ、前記基板保持具上の基板保持領域のうち均熱領域に製品基板を移載させる制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記処理室毎に前記製品基板を処理する膜種が異なる場合、前記ログインパラメータの内容に応じて前記基板を搬送する前記処理室を決定し、前記製品基板に処理する膜種がそれぞれ同じ場合、前記キャリアパラメータの内容に応じて前記基板を搬送する前記処理室を決定するよう構成されている基板処理装置
A substrate holder that holds a plurality of substrates including a product substrate and a dummy substrate,
An apparatus parameter including at least the number of substrates that can be placed on the substrate holder and the number of product substrates that are placed on the substrate holder, and a login parameter that sets an available processing chamber for each login user, Alternatively, a storage unit that stores carrier parameters for setting usable processing chambers for each carrier type ,
Transport sequence information indicating the sequence in which the substrates are transported, transport source information of the substrates placed on the substrate holder, and transport destination information indicating a processing chamber in which the substrates are processed according to the apparatus parameters. Substrate transfer data including is created, based on the substrate transfer data, the dummy substrate is transferred to a substrate holding area other than the soaking area among the substrate holding areas on the substrate holder, A control unit that transfers the product substrate to a soaking region of the substrate holding region,
Equipped with
When the film type for processing the product substrate is different for each processing chamber , the control unit determines the processing chamber for transferring the substrate according to the content of the login parameter, and the film type for processing the product substrate. The substrate processing apparatus is configured to determine the processing chamber in which the substrate is transferred according to the content of the carrier parameter.
更に、前記ログインパラメータを設定する設定画面を有する操作部を備え、
前記操作部は、使用するキャリアの種別及び個数をそれぞれ設定可能に構成される設定画面を更に有し、
前記制御部は、前記操作部での投入操作時に前記設定画面上で設定された前記キャリアを表示するように構成されている請求項に記載の基板処理装置。
Furthermore, an operation unit having a setting screen for setting the login parameters is provided,
The operation unit further has a setting screen configured to be able to set the type and number of carriers to be used,
Wherein, the substrate processing apparatus according to claim 9, which is configured to display the carrier set by the setting screen during projection-in operation at the operating unit.
前記製品基板は、25枚以上100枚以下である請求項1に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the number of product substrates is 25 or more and 100 or less. 製品基板とダミー基板を含む複数枚の基板を保持する基板保持具に載置可能な基板枚数と、前記基板保持具に載置される製品基板の枚数を少なくとも含む装置パラメータと、膜種毎に前記基板が収納されるキャリアに定義された装置パラメータに応じて、前記基板が搬送される順番を示す搬送順情報と、前記基板保持具に載置される前記基板の搬送元情報と、前記基板を処理する処理室を示す搬送先情報を含む基板移載データを作成する工程と、
前記基板移載データに基づいて、前記基板保持具上の基板保持領域のうち均熱領域以外の基板保持領域にダミー基板を移載させ、残った前記基板保持具上の基板保持領域のうち均熱領域に製品基板を移載させる工程と、
前記基板保持具を炉内に装入して前記製品基板を処理する工程と、を有し、
前記基板移載データを作成する工程では、前記キャリアに定義された装置パラメータを取得し、投入操作に応じて前記キャリア内に格納された基板が処理される前記処理室を決定する工程を有する半導体装置の製造方法。
Number of substrates mountable on a substrate holder that holds a plurality of substrates including product substrates and dummy substrates, device parameters including at least the number of product substrates mounted on the substrate holder, and for each film type Transport order information indicating the sequence in which the substrates are transported , transport source information of the substrates placed on the substrate holder, and the substrate according to the device parameter defined in the carrier in which the substrate is stored. A step of creating substrate transfer data including transfer destination information indicating a processing chamber for processing
Based on the substrate transfer data, the dummy substrate is transferred to a substrate holding area on the substrate holder other than the soaking area, and the remaining substrate holding areas on the substrate holder are evenly moved. Transferring the product substrate to the thermal area ,
Loading the substrate holder into a furnace to process the product substrate,
In the step of creating the substrate transfer data to get the device parameters defined in the carrier, substrate stored in said carrier to have a process for determining the processing chamber to be processed in accordance with the closing operation Manufacturing method of semiconductor device.
製品基板とダミー基板を含む複数枚の基板を保持する基板保持具と、
前記基板を前記基板保持具に装填する移載機構と、
前記基板を前記移載機構に前記基板保持具に移載させるよう構成されている制御部と、を備えた基板処理装置で実行されるプログラムあって、
前記制御部に、
前記基板保持具に載置可能な基板枚数と、前記基板保持具に載置される製品基板の枚数を少なくとも含む装置パラメータと、膜種毎に前記基板が収納されるキャリアに定義された装置パラメータに応じて、前記基板が搬送される順番を示す搬送順情報と、前記基板保持具に載置される前記基板の搬送元情報と、前記基板を処理する処理室を示す搬送先情報を含む基板移載データを作成させる手順と、作成された前記基板移載データに応じて、前記基板を前記移載機構に移載させる手順であって、前記基板保持具上の基板保持領域のうち均熱領域以外の基板保持領域にダミー基板を移載させ、前記基板保持具上の基板保持領域のうち均熱領域に製品基板を移載させる手順と、を実行させ、
前記基板移載データを作成させる手順では、
前記キャリアに定義された装置パラメータを取得し、投入操作に応じて前記キャリア内に格納された基板が処理される前記処理室を決定する手順前記制御部に実行させるプログラム。
A substrate holder that holds a plurality of substrates including a product substrate and a dummy substrate,
A transfer mechanism for loading the substrate onto the substrate holder,
A program executed by a substrate processing apparatus comprising: a controller configured to transfer the substrate to the substrate holder by the transfer mechanism;
In the control unit,
Device parameters that include at least the number of substrates that can be placed on the substrate holder, the number of product substrates that are placed on the substrate holder, and device parameters defined for the carrier that stores the substrates for each film type According to the above, a substrate including transfer order information indicating an order in which the substrates are transferred , transfer source information of the substrates placed on the substrate holder, and transfer destination information indicating a processing chamber for processing the substrates. A procedure for creating transfer data and a procedure for transferring the substrate to the transfer mechanism according to the created substrate transfer data, wherein the temperature distribution is uniform in the substrate holding area on the substrate holder. to transfer a dummy substrate on the substrate holding region other than the region, the procedure causes transfer the product substrate in the soaking section of a substrate holding area on the front Stories substrate holder, is executed,
In the procedure for creating the substrate transfer data,
A program that causes the control unit to execute a procedure of acquiring the device parameter defined in the carrier and determining the processing chamber in which the substrate stored in the carrier is processed according to a loading operation .
製品基板とダミー基板を含む複数枚の基板を保持する基板保持具に載置可能な基板枚数と、前記基板保持具に載置される製品基板の枚数を少なくとも含む装置パラメータと、メンテナンス項目とメンテナンスナンバーがそれぞれ定義された装置パラメータに応じて、前記基板が搬送される順番を示す搬送順情報と、前記基板保持具に載置される前記基板の搬送元情報と、前記基板を処理する処理室を示す搬送先情報を含む基板移載データを作成する工程と、The number of substrates that can be placed on a substrate holder that holds a plurality of substrates including product substrates and dummy substrates, device parameters including at least the number of product substrates that are placed on the substrate holder, maintenance items and maintenance Transfer order information indicating the order in which the substrates are transferred, transfer source information of the substrates to be placed on the substrate holder, and a processing chamber for processing the substrates according to the device parameters whose numbers are respectively defined. And a step of creating substrate transfer data including transfer destination information indicating
前記基板移載データに基づき前記基板保持具上の基板保持領域のうち均熱領域以外の基板保持領域にダミー基板を移載させ、前記基板保持具上の基板保持領域のうち均熱領域に製品基板を移載させる工程と、を有し、Based on the substrate transfer data, the dummy substrate is transferred to a substrate holding area other than the soaking area of the substrate holding area on the substrate holder, and the dummy board is placed in the soaking area of the substrate holding area on the substrate holder. A step of transferring the substrate,
前記基板移載データを作成する工程では、In the step of creating the substrate transfer data,
前記メンテナンスナンバーに相当する前記メンテナンス項目で定義された項目の各処理室における現在値をそれぞれ比較し、前記基板を搬送する前記処理室を決定する工程を有する半導体装置の製造方法。A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: comparing the current values of the items defined in the maintenance item corresponding to the maintenance number in the respective processing chambers to determine the processing chamber in which the substrate is transferred.
製品基板とダミー基板を含む複数枚の基板を保持する基板保持具と、A substrate holder that holds a plurality of substrates including a product substrate and a dummy substrate,
前記基板を前記基板保持具に装填する移載機構と、A transfer mechanism for loading the substrate onto the substrate holder,
前記基板を前記移載機構に前記基板保持具に移載させるよう構成されている制御部と、を備えた基板処理装置で実行されるプログラムあって、A program executed by a substrate processing apparatus comprising: a controller configured to transfer the substrate to the substrate holder by the transfer mechanism;
前記制御部に、In the control unit,
前記基板保持具に載置可能な基板枚数と、前記基板保持具に載置される製品基板の枚数と、を少なくとも含む装置パラメータと、メンテナンス項目とメンテナンスナンバーがそれぞれ定義された装置パラメータに応じて、前記基板が搬送される順番を示す搬送順情報と、前記基板保持具に載置される前記基板の搬送元情報と、前記基板を処理する処理室を示す搬送先情報を含む基板移載データを作成させる手順と、Depending on the device parameters including at least the number of substrates that can be placed on the substrate holder and the number of product substrates placed on the substrate holder, and the device parameters for which maintenance items and maintenance numbers are defined, respectively. Substrate transfer data including transfer order information indicating an order in which the substrates are transferred, transfer source information of the substrates placed on the substrate holder, and transfer destination information indicating a processing chamber in which the substrates are processed. And the procedure to make
作成された前記基板移載データに応じて、前記基板を前記移載機構に移載させる手順であって、前記基板移載データに基づき前記基板保持具上の基板保持領域のうち均熱領域以外の基板保持領域にダミー基板を移載させ、前記基板保持具上の基板保持領域のうち均熱領域に製品基板を移載させる手順と、を実行させ、A procedure for transferring the substrate to the transfer mechanism according to the created substrate transfer data, wherein the substrate holding area on the substrate holder other than the soaking area is based on the substrate transfer data. A step of moving the dummy substrate to the substrate holding region of, and moving the product substrate to a soaking region of the substrate holding region on the substrate holder.
前記基板移載データを作成させる手順では、In the procedure for creating the substrate transfer data,
前記メンテナンスナンバーに相当する前記メンテナンス項目で定義された項目の各処理室における現在値をそれぞれ比較し、前記基板を搬送する前記処理室を決定する手順を前記制御部に実行させるプログラム。A program that causes the controller to execute a procedure of comparing the current values of the items defined in the maintenance item corresponding to the maintenance number in the respective processing chambers and determining the processing chamber in which the substrate is transferred.
製品基板とダミー基板を含む複数枚の基板を保持する基板保持具に載置可能な基板枚数と、前記基板保持具に載置される製品基板の枚数を少なくとも含む装置パラメータと、ログインユーザ毎に使用可能な処理室を設定するログインパラメータ、または、使用可能な処理室をキャリア種別毎に設定するキャリアパラメータと、に応じて、前記基板が搬送される順番を示す搬送順情報と、前記基板保持具に載置される前記基板の搬送元情報と、前記基板を処理する処理室を示す搬送先情報を含む基板移載データを作成する工程と、The number of substrates that can be placed on a substrate holder that holds a plurality of substrates including product substrates and dummy substrates, device parameters including at least the number of product substrates placed on the substrate holder, and for each logged-in user Transfer order information indicating an order in which the substrates are transferred according to a login parameter for setting the usable process chambers or a carrier parameter for setting the usable process chambers for each carrier type, and the substrate holding Transfer source information of the substrate placed on the tool, and a step of creating substrate transfer data including transfer destination information indicating a processing chamber for processing the substrate,
前記基板移載データに基づき前記基板保持具上の基板保持領域のうち均熱領域以外の基板保持領域にダミー基板を移載させ、前記基板保持具上の基板保持領域のうち均熱領域に製品基板を移載させる工程と、を有し、Based on the substrate transfer data, the dummy substrate is transferred to a substrate holding area other than the soaking area of the substrate holding area on the substrate holder, and the dummy board is placed in a soaking area of the substrate holding area on the substrate holder A step of transferring the substrate,
前記基板移載データを作成する工程では、In the step of creating the substrate transfer data,
前記処理室毎に前記製品基板を処理する膜種が異なる場合、前記ログインパラメータの内容に応じて前記基板を搬送する前記処理室を決定し、前記製品基板に処理する膜種がそれぞれ同じ場合、前記キャリアパラメータの内容に応じて前記基板を搬送する前記処理室を決定する工程を有する半導体装置の製造方法。When the film type for processing the product substrate is different for each processing chamber, the processing chamber for transporting the substrate is determined according to the content of the login parameter, and the film type for processing the product substrate is the same, A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the step of determining the processing chamber in which the substrate is transferred according to the content of the carrier parameter.
製品基板とダミー基板を含む複数枚の基板を保持する基板保持具と、A substrate holder that holds a plurality of substrates including a product substrate and a dummy substrate,
前記基板を前記基板保持具に装填する移載機構と、A transfer mechanism for loading the substrate onto the substrate holder,
前記基板を前記移載機構に前記基板保持具に移載させるよう構成されている制御部と、を備えた基板処理装置で実行されるプログラムあって、A program executed by a substrate processing apparatus comprising: a controller configured to transfer the substrate to the transfer mechanism to the substrate holder;
前記制御部に、In the control unit,
製品基板とダミー基板を含む複数枚の基板を保持する基板保持具に載置可能な基板枚数と、前記基板保持具に載置される製品基板の枚数を少なくとも含む装置パラメータと、ログインユーザ毎に使用可能な処理室を設定するログインパラメータ、または、使用可能な処理室をキャリア種別毎に設定するキャリアパラメータと、に応じて、前記基板が搬送される順番を示す搬送順情報と、前記基板保持具に載置される前記基板の搬送元情報と、前記基板を処理する処理室を示す搬送先情報を含む基板移載データを作成させる手順と、The number of substrates that can be placed on a substrate holder that holds a plurality of substrates including product substrates and dummy substrates, device parameters including at least the number of product substrates placed on the substrate holder, and for each logged-in user Transfer order information indicating an order in which the substrates are transferred according to a login parameter for setting the usable process chambers or a carrier parameter for setting the usable process chambers for each carrier type, and the substrate holding Transfer source information of the substrate to be placed on a tool, a procedure for creating substrate transfer data including transfer destination information indicating a processing chamber for processing the substrate,
作成された前記基板移載データに応じて、前記基板を前記移載機構に移載させる手順であって、前記基板移載データに基づき前記基板保持具上の基板保持領域のうち均熱領域以外の基板保持領域にダミー基板を移載させ、前記基板保持具上の基板保持領域のうち均熱領域に製品基板を移載させる手順と、を実行させ、A procedure for transferring the substrate to the transfer mechanism according to the created substrate transfer data, wherein the substrate holding area on the substrate holder other than the soaking area is based on the substrate transfer data. A step of moving the dummy substrate to the substrate holding region of, and moving the product substrate to a soaking region of the substrate holding region on the substrate holder.
前記基板移載データを作成させる手順では、In the procedure for creating the substrate transfer data,
前記基板移載データを作成する工程では、前記処理室毎に前記製品基板を処理する膜種が異なる場合、前記ログインパラメータの内容に応じて前記基板を搬送する前記処理室を決定し、前記製品基板に処理する膜種がそれぞれ同じ場合、前記キャリアパラメータの内容に応じて前記基板を搬送する前記処理室を決定する手順を前記制御部に実行させるプログラム。In the step of creating the substrate transfer data, when the film type for processing the product substrate is different for each processing chamber, the processing chamber to transfer the substrate is determined according to the contents of the login parameter, and the product is transferred. A program that causes the control unit to execute a procedure of determining the processing chamber in which the substrate is transferred according to the content of the carrier parameter when the film types processed on the substrate are the same.
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