JP6718855B2 - 圧力センサのシールド構造、および、それを備える圧力センサ - Google Patents

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Description

本発明は、圧力センサのシールド構造、および、それを備える圧力センサに関する。
液封型の半導体圧力センサに内蔵されるセンサユニットは、例えば、特許文献1に示されるように、継手部内に支持され圧力検出室と後述する液封室とを隔絶する金属ダイヤフラムと、金属ダイヤフラムの上方に形成され圧力伝達媒体としてのシリコーンオイルを貯留する液封室と、液封室内に配され金属ダイヤフラムを介しシリコーンオイルの圧力変動を検出するセンサチップと、センサチップを支持するセンサチップマウント部材と、ハウジングの貫通孔におけるセンサチップマウント部材の周囲を密封するハーメチックガラスと、センサチップからの出力信号の送出およびセンサチップへの電力供給を行う端子群(リードピン)とを主な要素として含んで構成されている。
上述のような構成において、ダイヤフラム、ベースプレート、継手部材、継手とは、同一電位で接続されており、またこれらの部位とセンサチップとは絶縁されている。動力源である一次側電源と、センサの出力信号を処理する制御回路である二次側電源との絶縁が不十分である場合、センサ側のインピーダンスが高い為、相対して配置されている金属ダイヤフラムとセンサチップ間に電位差が生じる。この金属ダイヤフラムおよびセンサチップ相互間に生じる電位に起因したセンサチップ内の電子回路および不揮発性メモリーへの影響(圧力センサの出力変動)を防止すべく、例えば、特許文献1に示されるように、センサチップを取り囲み円筒状の空間を形成するように金属製の下板および金属部材をハーメチックガラスの端面に設けるものが提案されている。そのセンサチップは、押さえ板を介してセンサチップに集積されている電子回路のゼロ電位に接続されたリードピンおよび金属部材に電気的に接続されている。これにより、下板および金属部材の電位は、下板と金属部材とにより囲まれた空間内にあるセンサチップの電子回路と同一のゼロ電位となるので金属ダイヤフラムとセンサチップとの間の電位差がなく、従って、センサチップの電子回路に影響を及ぼす電界が生じる虞がない。
特許第3987386号公報
しかしながら、上述の下板および金属部材により覆われていないセンサチップの裏面とセンサチップマウント部材の支持面との間にも、センサチップの電子回路に影響を及ぼす電界が生じる虞がある。このような場合、上述の電位に起因した圧力センサの出力変動が生じることが懸念される。従って、圧力センサにおけるセンサチップとダイヤフラムとの間に生じる電界に対する耐性をさらに向上させることが要望される。
以上の問題点を考慮し、本発明は、圧力センサのシールド構造、および、それを備える圧力センサであって、圧力センサにおけるセンサチップとダイヤフラムとの間に生じる電界に対する耐性を向上させることができる圧力センサのシールド構造、および、それを備える圧力センサを提供することを目的とする。
上述の目的を達成するために、本発明に係る圧力センサのシールド構造は、圧力を検出し検出出力信号を送出するセンサチップと、センサチップを支持する支持部材と、センサチップおよび支持部材が配される液封室と液封室に向き合う圧力室とを仕切るダイヤフラムと、センサチップおよび支持部材に電気的に接続される入出力端子群とを含んでなるセンサユニットと、支持部材により支持されることにより、液封室内におけるセンサチップの一方の端面とダイヤフラムとの間に配され、センサチップの信号処理電子回路部に作用する電界を遮断する電界遮断部材と、を備え、支持部材におけるセンサチップを支持する箇所の電位と電界遮断部材の電位とが、センサチップの信号処理電子回路部の電位と同一電位であることを特徴とする。
支持部材は、絶縁物を介してセンサハウジングに支持されてもよい。支持部材は、チップマウント部材、または、センサハウジングに接合される導電板であってもよい。
本発明に係る圧力センサは、圧力を検出し検出出力信号を送出するセンサチップと、センサチップを支持する支持部材と、センサチップおよび支持部材が配される液封室と液封室に向き合う圧力室とを仕切るダイヤフラムと、センサチップおよび支持部材に電気的に接続される入出力端子群とを含んでなるセンサユニットと、支持部材により支持されることにより、液封室内におけるセンサチップの一方の端面とダイヤフラムとの間に配され、センサチップの信号処理電子回路部に作用する電界を遮断する電界遮断部材と、センサユニットおよび電界遮断部材を収容するセンサユニット収容部と、を備え、支持部材におけるセンサチップを支持する箇所の電位と電界遮断部材の電位とが、センサチップの信号処理電子回路部の電位と同一電位であることを特徴とする。支持部材は、絶縁物を介してセンサハウジングに支持されてもよい。
本発明に係る圧力センサのシールド構造、および、それを備える圧力センサによれば、支持部材におけるセンサチップを支持する箇所の電位と電界遮断部材の電位とが、信号処理電子回路部の電位と同一の電位とされるので圧力センサにおけるセンサチップとダイヤフラムとの間に生じる電界に対する耐性を向上させることができる。
本発明に係る圧力センサのシールド構造の一例の要部を示す断面図である。 図1に示される圧力センサのシールド構造の一例が適用された圧力センサの一例の構成を示す断面図である。 図1に示される例におけるIII部を部分的に拡大して示す部分拡大図である。 図3に示される矢印の示す方向から見た矢視図である。 本発明に係る圧力センサのシールド構造の他の一例の要部を示す断面図である。 図5に示される例における液封室内の電界遮断部材を示す平面図である。
図2は、本発明に係る圧力センサのシールド構造の一例が適用された圧力センサの構成を概略的に示す。
図2において、圧力センサは、圧力が検出されるべき流体が導かれる配管に接続される継手部材30と、継手部材30のベースプレート28に連結され後述するセンサユニットを収容しセンサチップからの検出出力信号を所定の圧力測定装置に供給するセンサユニット収容部と、を含んで構成されている。
金属製の継手部材30は、上述の配管の接続部の雄ねじ部にねじ込まれる雌ねじ部30fsを内側に有している。雌ねじ部30fsは、矢印Pの示す方向から供給される流体を後述する圧力室28Aに導く継手部材30のポート30aに連通している。ポート30aの一方の開口端は、継手部材30のベースプレート28とセンサユニットのダイヤフラム32との間に形成される圧力室28Aに向けて開口している。
センサユニット収容部の外郭部は、カバー部材としての円筒状の防水ケース20により形成されている。樹脂製の防水ケース20の下端部には、開口部20bが形成されている。内側となる開口部20bの周縁の段差部には、継手部材30のベースプレート28の周縁部が係合されている。
圧力室28A内には、継手部材30のポート30aを通じて流体の圧力が導入される。センサユニットのハウジング12の下端面は、ベースプレート28の周縁部に溶接されている。
圧力室28A内の圧力を検出し検出出力信号を送出するセンサユニットは、金属製の円筒状のハウジング12と、圧力室28Aとハウジング12の内周部とを隔絶する金属製のダイヤフラム32と、複数の圧力検出素子、および、圧力検出素子からの信号を処理する信号処理電子回路部を有するセンサチップ16と、接着剤層50を介してセンサチップ16を一端部で支持する金属製のチップマウント部材18と、センサチップ16に電気的に接続される入出力端子群40ai(i=1〜8)と、入出力端子群40aiおよびオイル充填用パイプ44をチップマウント部材18の外周面とハウジング12の内周面との間に固定するハーメチックガラス14と、を主な要素として含んで構成されている。
ダイヤフラム32は、上述の圧力室28Aに向き合うハウジング12の一方の下端面に支持されている。圧力室28Aに配されるダイヤフラム32を保護するダイヤフラム保護カバー34は、複数の連通孔34aを有している。ダイヤフラム保護カバー34の周縁は、ダイヤフラム32の周縁とともに溶接によりハウジング12の下端面に接合されている。ハウジング12、ダイヤフラム32、ベースプレート28、および、継手部材30の電位は、互いに導通接続されている為同一の電位である。また、チップマウント部材18は、ハーメチックガラス14のような絶縁物を介してハウジング12と絶縁されて保持されている。
金属製のダイヤフラム32と向かい合うセンサチップ16およびハーメチックガラス14の端面との間に形成される液封室13には、例えば、所定量のシリコーンオイル、または、フッ素系不活性液体のような圧力伝達媒体PMが、オイル充填用パイプ44を介して充填されている。なお、オイル充填用パイプ44の一方の端部は、オイル充填後、二点鎖線で示されるように、押し潰され閉塞される。
入出力端子群40ai(i=1〜8)は、2本の電源用端子と、1本の出力用端子と、5本の調整用端子とから構成されている。各端子の両端部は、それぞれ、上述のハーメチックガラス14の端部から液封室13に向けて突出し、または、後述する端子台24の孔に向けて突出している。2本の電源用端子と、1本の出力用端子とは、接続端子36を介して各リード線38の芯線38aに接続されている。各リード線38は、例えば、所定の圧力測定装置に接続される。なお、図2においては、8本の端子うちの4本の端子だけが示されている。入出力端子群40aiと後述するセンサチップ16との間は、ボンディングワイヤWiで接続されている。
出力端子群40aiを整列させる端子台24は、樹脂材料、例えば、ポリブチレンテレフタレート(PBT)を主な成分として成形されている。端子台24は、入出力端子群40aiが挿入される複数個の孔24bとともに、内側に所定の容積の空洞部24Aを有している。端子整列部24Tは、互いに離隔した複数個の孔24bを有し上述の基端部と直交するように一体に成形されている。接着面としての端子台24の基端部の下端面は、ハウジング12の上端面に、シリコーン系接着剤により接着されている。これにより、所定の厚さを有する環状の接着層10aが、ハウジング12の上端面に形成されることとなる。また、入出力端子群40aiが突出するハーメチックガラス14の上端面全体には、シリコーン系接着剤からなる被覆層10bが所定の厚さで形成されている。
端子整列部材としての端子台24の外周面、および、端子台24に連結され上述の端子整列部24Tの孔24bおよび端子台24の上部の開口端を覆うエンドキャップ22の外周面と防水ケース20の内周面との間、また、防水ケース20の内周面とハウジング12の外周面との間には、封止材26が、所定量、充填されている。端子台24およびエンドキャップ22は、上述のセンサユニットを挟んで継手部材30のベースプレート28と向き合って防水ケース20内に配置されている。
エンドキャップ22の上端面は、防水ケース20の開口端から上方に向けて突出している。即ち、エンドキャップ22の上端面の位置は、防水ケース20の開口端面の位置よりも高い位置となる。
センサチップ16は、例えば、液封室13の内側となるチップマウント部材18の一端部に接着剤層50を介して接着されている。略矩形状のセンサチップ16の外寸は、図4に示されるように、チップマウント部材18の直径よりも小に設定されている。チップマウント部材18は、入出力端子群40aiのうちのいずれか一本以上と例えば、ゼロ(V)の端子とボンディングワイヤWiとを介して導通接続されている。従って、チップマウント部材18の電位は、センサチップ16内に搭載されている電子回路の電位と同一の電位となっている。
液封室13内におけるセンサチップ16の一方の端面とダイヤフラム32との間には、電界遮断部材としてのシールド板17が設けられている。シールド板17は、センサチップ16の信号処理電子回路部に対する不所望な電界を遮断するものとされる。シールド板17は、例えば、ステンレス鋼、銅、アルミニウム等のような導電性の金属材料で作られてもよいし、樹脂、ガラス、セラミック等のうちのいずれかの絶縁材料で作られ、導電性の金属からなる導電層が、その表面に、接着、蒸着、スパッタリング、めっき等により形成されてもよい。帯状のシールド板17の固定端部は、チップマウント部材18の一端部におけるセンサチップ16の外周部に近接してチップマウント部材18の一端部の電位と同一電位となるように接合されている。
シールド板17におけるセンサチップ16の一方の端面に向き合う部分は、センサチップ16の一方の端面との間に所定の間隔をもってセンサチップ16の一部を覆っている。
なお、シールド板17の外寸、および、幅の寸法は、センサチップ16の信号処理電子回路部に対する不所望な電界を遮断するように、センサチップ16の信号処理電子回路部全体を覆う大きさで適宜、設定されてもよい。
従って、ダイヤフラム32とセンサチップ16との間に、センサチップ16の信号処理電子回路部と同一電位となるシールド板17を配置することにより、取り付けられているユニットの一次側電源(不図示)と同一電位であるダイヤフラム32と、制御回路(不図示)側との電位差によって生じるセンサチップ16の一方の端面に作用する電界が、シールド板17により遮断されるとともに、シールド板17およびチップマウント部材18の電位は、同一電位である為、これら相互間に電界が発生しない。そのため、センサチップ16およびダイヤフラム32相互間に生じる電位差は、センサチップ16に作用しないのでセンサチップ16への影響を防止することができる。
図5は、本発明に係る圧力センサのシールド構造の他の一例が適用された圧力センサの構成を部分的に示す。
図5に示される圧力センサは、圧力が検出されるべき流体が導かれる配管に接続される継手部材60と、継手部材60のベースプレート58に溶接により連結され後述するセンサユニットを収容する金属製のセンサハウジング56と、を含んで構成されている。
継手部材60のポート60aの一方の開口端は、継手部材60のベースプレート58とセンサユニットのダイヤフラム70との間に形成される圧力室58Aに向けて開口している。
圧力室58A内の圧力を検出し検出出力信号を送出するセンサユニットは、圧力室58Aとセンサハウジング56の内周部とを隔絶する金属製のダイヤフラム70と、複数の圧力検出素子、および、圧力検出素子からの信号を処理する信号処理電子回路部を有するセンサチップ66と、接着剤層を介してセンサチップ66を一方の端面で支持する導電板62と、センサチップ66に電気的に接続される入出力端子群54ai(i=1〜8)と、を主な要素として含んで構成されている。
導電板62は、例えば、樹脂、ガラス、セラミックなどの絶縁材料で形成されており、導電板62におけるセンサチップ66を支持する一方の端面が、貼着、蒸着、めっき等により形成される導電層である金、銀、銅、アルミニウム等のうちのいずれかの金属および合金膜により形成されている。センサチップ66の他方の端面が、上述の導電板62の一方の端面に接合され、導電板62の他方の端面は、センサハウジング56の液封室68側の内周面に接合されている。金属製のダイヤフラム70は、上述の圧力室58Aに向き合うセンサハウジング56の接合端とベースプレート58の接合端との間で溶接されている。従って、センサハウジング56は、ダイヤフラム70、ベースプレート58、継手部材60とは接続され導通しており、その電位が同一の電位となっている。また、センサチップ66とセンサハウジング56とは、導電板62により絶縁されている。ダイヤフラム70とセンサハウジング56の内周面で形成された密封空間である液封室68には、例えば、所定量のシリコーンオイル又はフッ素系不活性液体等の圧力伝達媒体PMが充填されている。圧力伝達媒体PMは、センサハウジング56の孔56aを通じて充填された後、栓部材52により孔56aが閉塞される。入出力端子群54aiは、ハーメチックガラス65を介してセンサハウジング56から絶縁されて支持されている。ハーメチックガラスを介してセンサハウジング56に支持される入出力端子群54aiとセンサチップ66との間は、ボンディングワイヤWiで接続されている。
液封室68内におけるセンサチップ66の一方の端面とダイヤフラム70との間には、電界遮断部材としてのシールド部材64が設けられている。シールド部材64は、例えば、ステンレス鋼、銅、アルミニウムのうちのいずれかの導電性の金属材料で作られてもよいし、または、シールド部材64が、例えば、樹脂、ガラス、セラミックのうちのいずれかの絶縁材料で作られ、接着、蒸着、スパッタリング、めっき等により表面に形成される導電層が、導電性の金属で形成されてもよい。
シールド部材64は、センサチップ66の一方の端面全体を所定の間隔をもって覆い、センサチップ66の信号処理電子回路部に対する不所望な電界を遮断するものとされる。シールド部材64の固定端部と、導電板62の一方の端面とは、互いに導体面で導通されながら接合されている。従って、シールド部材64の電位と導電板62の一方の端面の電位とは、同一電位となる。導電板62の一方の端面は、入出力端子群54aiのうちのいずれも一本以上、例えば、ゼロ(V)の端子とボンディングワイヤWiを介して接続され、導通している。従って、導電板62の一方の端面の電位は、センサチップ66の信号処理電子回路部と同一の電位となっている。
導電板62の他端面は、金属製のセンサハウジング56の内周面に接合されている。なお、導電板62は、斯かる例に限られることなく、例えば、導電性樹脂で成形され、センサハウジング56と絶縁物を介して接合されてもよい。
従って、ダイヤフラム70とセンサチップ66との間に、センサチップ66の信号処理電子回路部の電位と同一電位となるシールド部材64を配置することにより、取り付けられているユニットの一次側電源(不図示)と同一電位であるダイヤフラム70と、制御回路(不図示)側との間の電位差によって生じるセンサチップ66の一方の端面に作用する電界が、シールド部材64により遮断されるとともに、シールド部材64の電位と導電板62の電位は、同一電位であるので電界がこれら相互間に発生しない。そのため、センサチップ66およびダイヤフラム70相互間に生じる電位差は、センサチップ66に作用しない為、センサチップ66への影響を防止することができる。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る圧力センサのシールド構造の一例によれば、圧力センサにおいて、センサチップ16および66とダイヤフラム32および70との相互間に生じる電位に起因したセンサチップ内の電子回路への影響(圧力センサの出力変動)が、シールド板17またはシールド部材64により回避されるのでダイヤフラムとセンサチップとの間に生じる電界に対する耐性が向上することとなる。
12 ハウジング
14、65 ハーメチックガラス
16、66 センサチップ
17 シールド板
18 チップマウント部材
32、70 ダイヤフラム
40ai、52ai 入出力端子群
56 センサハウジング
62 導電板
64 シールド部材

Claims (6)

  1. 圧力を検出し検出出力信号を送出するセンサチップと、該センサチップを支持する支持部材と、該センサチップおよび支持部材が配される液封室と該液封室に向き合う圧力室とを仕切るダイヤフラムと、該センサチップおよび支持部材に電気的に接続される入出力端子群とを含んでなるセンサユニットと、
    前記支持部材により支持されることにより、前記液封室内における前記センサチップの一方の端面と前記ダイヤフラムとの間に配され、該センサチップの信号処理電子回路部に作用する電界を遮断する電界遮断部材と、を備え、
    前記支持部材におけるセンサチップを支持する箇所の電位と前記電界遮断部材の電位とが、前記センサチップの前記信号処理電子回路部の電位と同一電位であることを特徴とする圧力センサのシールド構造。
  2. 前記支持部材は、絶縁物を介してセンサハウジングに支持されていることを特徴とする請求項1記載の圧力センサのシールド構造。
  3. 前記支持部材は、チップマウント部材であることを特徴とする請求項1記載の圧力センサのシールド構造。
  4. 前記支持部材は、センサハウジングに接合される導電板であることを特徴とする請求項1記載の圧力センサのシールド構造。
  5. 圧力を検出し検出出力信号を送出するセンサチップと、該センサチップを支持する支持部材と、該センサチップおよび支持部材が配される液封室と該液封室に向き合う圧力室とを仕切るダイヤフラムと、該センサチップおよび支持部材に電気的に接続される入出力端子群とを含んでなるセンサユニットと、
    前記支持部材により支持されることにより、前記液封室内における前記センサチップの一方の端面と前記ダイヤフラムとの間に配され、該センサチップの信号処理電子回路部に作用する電界を遮断する電界遮断部材と、
    前記センサユニットおよび前記電界遮断部材を収容するセンサユニット収容部と、を備え、
    前記支持部材におけるセンサチップを支持する箇所の電位と前記電界遮断部材の電位とが、前記センサチップの前記信号処理電子回路部の電位と同一電位であることを特徴とする圧力センサ。
  6. 前記支持部材は、絶縁物を介してセンサハウジングに支持されていることを特徴とする請求項5に記載の圧力センサ。
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