JP6700456B2 - 水素生成アセンブリおよび水素精製装置 - Google Patents

水素生成アセンブリおよび水素精製装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6700456B2
JP6700456B2 JP2019084032A JP2019084032A JP6700456B2 JP 6700456 B2 JP6700456 B2 JP 6700456B2 JP 2019084032 A JP2019084032 A JP 2019084032A JP 2019084032 A JP2019084032 A JP 2019084032A JP 6700456 B2 JP6700456 B2 JP 6700456B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
hydrogen
assembly
stream
frame
membrane
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019084032A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019123669A (ja
Inventor
デイヴィッド・ジェイ・エドルンド
Original Assignee
エレメント・ワン・コーポレーション
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US13/829,766 external-priority patent/US9187324B2/en
Application filed by エレメント・ワン・コーポレーション filed Critical エレメント・ワン・コーポレーション
Publication of JP2019123669A publication Critical patent/JP2019123669A/ja
Priority to JP2020079526A priority Critical patent/JP6975286B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6700456B2 publication Critical patent/JP6700456B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D53/00Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/22Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by diffusion
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D63/00Apparatus in general for separation processes using semi-permeable membranes
    • B01D63/08Flat membrane modules
    • B01D63/082Flat membrane modules comprising a stack of flat membranes
    • B01D63/0821Membrane plate arrangements for submerged operation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D69/00Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by their form, structure or properties; Manufacturing processes specially adapted therefor
    • B01D69/10Supported membranes; Membrane supports
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B3/00Hydrogen; Gaseous mixtures containing hydrogen; Separation of hydrogen from mixtures containing it; Purification of hydrogen
    • C01B3/02Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen
    • C01B3/32Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen by reaction of gaseous or liquid organic compounds with gasifying agents, e.g. water, carbon dioxide, air
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B3/00Hydrogen; Gaseous mixtures containing hydrogen; Separation of hydrogen from mixtures containing it; Purification of hydrogen
    • C01B3/02Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen
    • C01B3/32Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen by reaction of gaseous or liquid organic compounds with gasifying agents, e.g. water, carbon dioxide, air
    • C01B3/323Catalytic reaction of gaseous or liquid organic compounds other than hydrocarbons with gasifying agents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B3/00Hydrogen; Gaseous mixtures containing hydrogen; Separation of hydrogen from mixtures containing it; Purification of hydrogen
    • C01B3/02Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen
    • C01B3/32Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen by reaction of gaseous or liquid organic compounds with gasifying agents, e.g. water, carbon dioxide, air
    • C01B3/34Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen by reaction of gaseous or liquid organic compounds with gasifying agents, e.g. water, carbon dioxide, air by reaction of hydrocarbons with gasifying agents
    • C01B3/38Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen by reaction of gaseous or liquid organic compounds with gasifying agents, e.g. water, carbon dioxide, air by reaction of hydrocarbons with gasifying agents using catalysts
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B3/00Hydrogen; Gaseous mixtures containing hydrogen; Separation of hydrogen from mixtures containing it; Purification of hydrogen
    • C01B3/50Separation of hydrogen or hydrogen containing gases from gaseous mixtures, e.g. purification
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B3/00Hydrogen; Gaseous mixtures containing hydrogen; Separation of hydrogen from mixtures containing it; Purification of hydrogen
    • C01B3/50Separation of hydrogen or hydrogen containing gases from gaseous mixtures, e.g. purification
    • C01B3/501Separation of hydrogen or hydrogen containing gases from gaseous mixtures, e.g. purification by diffusion
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B3/00Hydrogen; Gaseous mixtures containing hydrogen; Separation of hydrogen from mixtures containing it; Purification of hydrogen
    • C01B3/50Separation of hydrogen or hydrogen containing gases from gaseous mixtures, e.g. purification
    • C01B3/501Separation of hydrogen or hydrogen containing gases from gaseous mixtures, e.g. purification by diffusion
    • C01B3/503Separation of hydrogen or hydrogen containing gases from gaseous mixtures, e.g. purification by diffusion characterised by the membrane
    • C01B3/505Membranes containing palladium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B3/00Hydrogen; Gaseous mixtures containing hydrogen; Separation of hydrogen from mixtures containing it; Purification of hydrogen
    • C01B3/50Separation of hydrogen or hydrogen containing gases from gaseous mixtures, e.g. purification
    • C01B3/56Separation of hydrogen or hydrogen containing gases from gaseous mixtures, e.g. purification by contacting with solids; Regeneration of used solids
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D2256/00Main component in the product gas stream after treatment
    • B01D2256/16Hydrogen
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D2313/00Details relating to membrane modules or apparatus
    • B01D2313/14Specific spacers
    • B01D2313/146Specific spacers on the permeate side
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D2313/00Details relating to membrane modules or apparatus
    • B01D2313/20Specific housing
    • B01D2313/201Closed housing, vessels or containers
    • B01D2313/2011Pressure vessels
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/02Processes for making hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/0205Processes for making hydrogen or synthesis gas containing a reforming step
    • C01B2203/0227Processes for making hydrogen or synthesis gas containing a reforming step containing a catalytic reforming step
    • C01B2203/0233Processes for making hydrogen or synthesis gas containing a reforming step containing a catalytic reforming step the reforming step being a steam reforming step
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/02Processes for making hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/0205Processes for making hydrogen or synthesis gas containing a reforming step
    • C01B2203/0227Processes for making hydrogen or synthesis gas containing a reforming step containing a catalytic reforming step
    • C01B2203/0244Processes for making hydrogen or synthesis gas containing a reforming step containing a catalytic reforming step the reforming step being an autothermal reforming step, e.g. secondary reforming processes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/02Processes for making hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/025Processes for making hydrogen or synthesis gas containing a partial oxidation step
    • C01B2203/0261Processes for making hydrogen or synthesis gas containing a partial oxidation step containing a catalytic partial oxidation step [CPO]
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/02Processes for making hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/0266Processes for making hydrogen or synthesis gas containing a decomposition step
    • C01B2203/0277Processes for making hydrogen or synthesis gas containing a decomposition step containing a catalytic decomposition step
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/02Processes for making hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/0283Processes for making hydrogen or synthesis gas containing a CO-shift step, i.e. a water gas shift step
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/04Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas containing a purification step for the hydrogen or the synthesis gas
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/04Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas containing a purification step for the hydrogen or the synthesis gas
    • C01B2203/0405Purification by membrane separation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/04Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas containing a purification step for the hydrogen or the synthesis gas
    • C01B2203/0405Purification by membrane separation
    • C01B2203/041In-situ membrane purification during hydrogen production
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/04Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas containing a purification step for the hydrogen or the synthesis gas
    • C01B2203/042Purification by adsorption on solids
    • C01B2203/043Regenerative adsorption process in two or more beds, one for adsorption, the other for regeneration
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/04Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas containing a purification step for the hydrogen or the synthesis gas
    • C01B2203/0435Catalytic purification
    • C01B2203/044Selective oxidation of carbon monoxide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/04Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas containing a purification step for the hydrogen or the synthesis gas
    • C01B2203/0435Catalytic purification
    • C01B2203/0445Selective methanation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/04Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas containing a purification step for the hydrogen or the synthesis gas
    • C01B2203/0465Composition of the impurity
    • C01B2203/047Composition of the impurity the impurity being carbon monoxide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/06Integration with other chemical processes
    • C01B2203/066Integration with other chemical processes with fuel cells
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/08Methods of heating or cooling
    • C01B2203/0805Methods of heating the process for making hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/0811Methods of heating the process for making hydrogen or synthesis gas by combustion of fuel
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/08Methods of heating or cooling
    • C01B2203/0805Methods of heating the process for making hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/0811Methods of heating the process for making hydrogen or synthesis gas by combustion of fuel
    • C01B2203/0827Methods of heating the process for making hydrogen or synthesis gas by combustion of fuel at least part of the fuel being a recycle stream
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/08Methods of heating or cooling
    • C01B2203/0805Methods of heating the process for making hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/0861Methods of heating the process for making hydrogen or synthesis gas by plasma
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/12Feeding the process for making hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/1205Composition of the feed
    • C01B2203/1211Organic compounds or organic mixtures used in the process for making hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/1217Alcohols
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/12Feeding the process for making hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/1205Composition of the feed
    • C01B2203/1211Organic compounds or organic mixtures used in the process for making hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/1217Alcohols
    • C01B2203/1223Methanol
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/12Feeding the process for making hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/1205Composition of the feed
    • C01B2203/1211Organic compounds or organic mixtures used in the process for making hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/1217Alcohols
    • C01B2203/1229Ethanol
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/12Feeding the process for making hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/1205Composition of the feed
    • C01B2203/1211Organic compounds or organic mixtures used in the process for making hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/1235Hydrocarbons
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/12Feeding the process for making hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/1205Composition of the feed
    • C01B2203/1211Organic compounds or organic mixtures used in the process for making hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/1235Hydrocarbons
    • C01B2203/1241Natural gas or methane
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/12Feeding the process for making hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/1205Composition of the feed
    • C01B2203/1211Organic compounds or organic mixtures used in the process for making hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/1235Hydrocarbons
    • C01B2203/1247Higher hydrocarbons
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/12Feeding the process for making hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/1288Evaporation of one or more of the different feed components
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/16Controlling the process
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/16Controlling the process
    • C01B2203/1614Controlling the temperature
    • C01B2203/1623Adjusting the temperature
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/16Controlling the process
    • C01B2203/1628Controlling the pressure

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
  • Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
  • Fuel Cell (AREA)

Description

この出願は、2013年3月14日に出願され、発明の名称が「Hydrogen Generation Assemblies and Hydrogen Purification Devices」である、米国特許出願第13/829,766号に基づく優先権を主張する。上記出願の完全な開示が、全ての目的に関して参照によってここに組み込まれる。
水素生成アセンブリは、1つ以上の原料を、主成分として水素ガスを含む生成物流に変換するアセンブリである。原料は炭素含有原料を含んでよく、ある実施形態では水を含んでもよい。原料は、原料デリバリーシステムから水素生成アセンブリの水素製造領域に送られ、典型的には原料は圧力下でかつ高い温度で送られる。水素製造領域は、水素ガスを効率的に製造するために水素製造領域を適切な温度範囲に維持するために1つ以上の燃料流を消費する、加熱アセンブリまたは冷却アセンブリなどの温度調整アセンブリと関連付けられることが多い。水素生成アセンブリは、水蒸気改質、オートサーマル改質、熱分解、および/または接触部分酸化などの、任意の適切なメカニズムを介して水素ガスを生成してよい。
しかしながら、生成された、または製造された水素ガスは、不純物を有する場合がある。そのようなガスは、水素ガスおよびその他のガスを含む混合ガス流と呼ばれる場合がある。混合ガス流は、使用する前に、他のガスの少なくとも一部を除去するなど、精製されなくてはならない。したがって、水素生成アセンブリは、混合ガス流の水素純度を増加させるために水素精製装置を含んでよい。水素精製装置は、混合ガス流を生成物流および副生成物流に分離するために、少なくとも1つの水素選択膜を含んでよい。生成物流は、混合ガス流からの、高い濃度の水素ガスおよび/または低減された濃度の1つ以上の他のガスを含む。1つ以上の水素選択膜を使用する水素精製は、1つ以上の水素選択膜が圧力ベッセル内に含まれる圧力駆動分離工程である。混合ガス流は、膜の混合ガス表面に接触し、生成物流は、膜を透過する混合ガス流の少なくとも一部から形成される。圧力ベッセルは、典型的には、ガスが、画定された入口または出口のポートまたは管路を通るときを除いて、圧力ベッセルに入ること、または圧力ベッセルから出ることを防ぐために密封される。
生成物流は様々な用途で使用されてよい。そのような用途の1つは、電気化学燃料電池などのエネルギー生成である。電気化学燃料電池は、燃料および酸化剤を、電気、反応生成物、および熱に変換する装置である。例えば、燃料電池は、水素および酸素を水および電気に変換してよい。これらの燃料電池において、水素が燃料であり、酸素が酸化剤であり、水が反応生成物である。燃料電池スタックは、複数の燃料電池を含み、水素生成アセンブリと共に使用されてよく、エネルギー製造アセンブリを提供する。
水素生成アセンブリ、水素処理アセンブリ、および/またはこれらのアセンブリの構成要素は、米国特許第5,861,137号明細書、米国特許第6,319,306号明細書、米国特許第6,494,937号明細書、米国特許第6,562,111号明細書、米国特許第7,063,047号明細書、米国特許第7,306,868号明細書、米国特許第7,470,293号明細書、米国特許第7,601,302号明細書、米国特許第7,632,322号明細書、米国特許出願公開第2006/0090397号明細書、米国特許出願公開第2006/0272212号明細書、米国特許出願公開第2007/0266631号明細書、米国特許出願公開第2007/0274904号明細書、米国特許出願公開第2008/0085434号明細書、米国特許出願公開第2008/0138678号明細書、米国特許出願公開第2008/0230039号明細書、米国特許出願公開第2010/0064887号明細書、および米国特許出願公開第2013/0011301号明細書に記載される。上記特許公報および特許公開公報の完全な開示が、全ての目的に関して参照によってここに組み込まれる。
米国特許第5,861,137号明細書 米国特許第6,319,306号明細書 米国特許第6,494,937号明細書 米国特許第6,562,111号明細書 米国特許第7,063,047号明細書 米国特許第7,306,868号明細書 米国特許第7,470,293号明細書 米国特許第7,601,302号明細書 米国特許第7,632,322号明細書 米国特許出願公開第2006/0090397号明細書 米国特許出願公開第2006/0272212号明細書 米国特許出願公開第2007/0266631号明細書 米国特許出願公開第2007/0274904号明細書 米国特許出願公開第2008/0085434号明細書 米国特許出願公開第2008/0138678号明細書 米国特許出願公開第2008/0230039号明細書 米国特許出願公開第2010/0064887号明細書 米国特許出願公開第2013/0011301号明細書
ある実施形態は、水素精製装置を提供することができる。ある実施形態において、水素精製装置は、第1および第2の端部フレームを含んでよい。第1および第2の端部フレームは、水素ガスおよび他のガスを含む混合ガス流を受け取るように構成された入口ポート、および混合ガス流と比較して高濃度の水素ガスおよび低濃度の他のガスの少なくとも1つを含む透過流を受け取るように構成された出口ポートを含んでよい。第1および第2の端部フレームは、他のガスの少なくともかなりの部分を含む副生成物流を受け取るように構成された副生成物ポートをさらに含んでよい。水素精製装置は、第1および第2の端部フレームの間に配置され、第1および第2の端部フレームに固定された少なくとも1つの水素選択膜をさらに含んでよい。少なくとも1つの水素選択膜は、供給側および透過側を有してよく、透過流の少なくとも一部は、供給側から透過側に通過する混合ガス流部分から形成され、供給側に残る混合ガス流の残りの部分は、副生成物流の少なくとも一部を形成する。
水素精製装置は、第1および第2の端部フレームと少なくとも1つの水素選択膜との間に配置され、第1および第2の端部フレームに固定された複数のフレームをさらに含んでよい。複数のフレームは、少なくとも1つの水素選択膜と第2の端部フレームとの間に配置された少なくとも1つの透過フレームを含んでよい。少なくとも1つの透過フレームは、周囲シェルおよび周囲シェル上に形成された出口管路を含んでよく、少なくとも1つの水素選択膜から透過流の少なくとも一部を受け取るように構成されてよい。少なくとも1つの透過フレームは、周囲シェルによって囲まれた開領域、および開領域の少なくともかなりの部分にわたり、少なくとも1つの水素選択膜を支持するように構成された少なくとも1つの膜支持構造体をさらに含んでよい。少なくとも1つの膜支持構造体は、第1および第2の膜支持体プレートを含んでよい。第1および第2の膜支持体プレートの各々は、貫通孔を有さなくてよい。第1および第2の膜支持体プレートの各々は、透過流の少なくとも一部に関して流路を提供するように構成された複数の細溝を有する第1の面、および第1の面の反対の第2の面を含んでよい。第1および第2の膜支持体プレートは、第1の膜支持体プレートの第2の面が、第2の膜支持体プレートの第2の面に向くように、少なくとも1つの膜支持構造体中で積み重ねられてよい。
ある実施形態は、水素生成アセンブリを提供してよい。ある実施形態において、水素生成アセンブリは、供給流を受け取るように構成され、複数のモードで操作することができる燃料処理アセンブリを含んでよい。複数のモードは、燃料処理アセンブリが供給流から製品水素流を製造する運転モード、および燃料処理アセンブリが供給流から製品水素流を製造しないスタンバイモードを含んでよい。燃料処理アセンブリは、改質触媒を含み、供給流を受け取るように構成され、リフォーメート流を製造する水素製造領域、およびリフォーメート流を受け取るように構成され、リフォーメート流から製品水素流の少なくとも一部および副生成物流を製造する1つ以上の水素選択膜を含んでよい。燃料処理アセンブリは、水素製造領域と1つ以上の水素選択膜とを流体連通するリフォーメート管路をさらに含んでよい。
水素生成アセンブリは、製品水素流を含むように構成されたバッファタンク、および燃料処理アセンブリとバッファタンクとを流体連通する製品管路をさらに含んでよい。水素生成アセンブリは、バッファタンクとリフォーメート管路とを流体連通する戻り管路、およびバッファタンク中の圧力を検知するように構成されたタンクセンサアセンブリをさらに含んでよい。水素生成アセンブリは、バッファタンク内で検知された圧力に少なくとも部分的に基づき、運転モードとスタンバイモードとの間で燃料処理アセンブリを作動するように構成された制御アセンブリ、および戻り管路内の流れを管理するように構成された戻りバルブアセンブリをさらに含んでよく、制御アセンブリは、燃料処理アセンブリがスタンバイモードであるとき、製品水素流がバッファタンクからリフォーメート管路に流れることを可能にするように戻りバルブアセンブリを管理するように構成される。
水素生成アセンブリの例の概略図である。 水素生成アセンブリの他の例の概略図である。 図1の水素生成アセンブリの水素精製装置の概略図である。 図3の水素精製装置の例の組立分解等角図である。 図4の水素精製装置の透過フレームおよびマイクロスクリーン構造体の例の上面図である。 図4の水素精製装置の部分断面図であり、供給フレームの周囲シェル、水素選択膜、マイクロスクリーン構造体、透過フレームの周囲シェル、および透過フレームの膜支持構造体の例を示す。 図4の水素精製装置の透過フレームの周囲シェルの他の例の部分断面図である。 図4の水素精製装置の透過フレームの膜支持構造体の膜支持体プレートの例の等角図である。 図4の水素精製装置の膜支持構造体の他の例の断面図である。 図1の水素生成アセンブリの追加の例の部分概略図である。 図1の水素生成アセンブリのさらなる例の部分概略図である。 図1の水素生成アセンブリの他の例の部分概略図である。
図1は、水素生成アセンブリ20の例を示す。特に除外されない限り、水素生成アセンブリは、本明細書に記載される他の水素生成アセンブリの1つ以上の構成要素を含んでよい。水素生成アセンブリは、製品水素流21を生成するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。例えば、水素生成アセンブリは、原料デリバリーシステム22および燃料処理アセンブリ24を含んでよい。原料デリバリーシステムは、少なくとも1つの供給流26を燃料処理アセンブリに選択的に運ぶように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。
ある実施形態において、原料デリバリーシステム22は、少なくとも1つの燃料流28を、燃料処理アセンブリ24のバーナーまたは他の加熱アセンブリに選択的に運ぶように構成された任意の適切な構造体をさらに含んでよい。ある実施形態において、供給流26および燃料流28は、燃料処理アセンブリの異なる部分に運ばれる同じ流れであってよい。原料デリバリーシステムは、容積型または他の適切なポンプ、または流体流を推進させるためのメカニズムなど、任意の適切な輸送メカニズムを含んでよい。ある実施形態において、原料デリバリーシステムは、ポンプおよび/または他の電気を動力とする流体輸送メカニズムを必要とすることなく、供給流26および/または燃料流28を運ぶように構成されてよい。水素生成アセンブリ20と共に使用され得る適切な原料デリバリーシステムの例として、米国特許第7,470,293号明細書および米国特許第7,601,302号明細書、および米国特許出願公開第2006/0090397号明細書に記載される原料デリバリーシステムが挙げられる。上記特許公報および特許公開公報の完全な開示が、全ての目的に関して参照によってここに組み込まれる。
供給流26は、少なくとも1つの水素製造流30を含んでよく、水素製造流30は製品水素流21を製造するための反応物として使用され得る1つ以上の流体を含むことができる。例えば、水素製造流は、少なくとも1つの炭化水素および/またはアルコールなどの炭素含有原料を含んでよい。適切な炭化水素の例としては、メタン、プロパン、天然ガス、ディーゼル、灯油、ガソリンなどが挙げられる。適切なアルコールの例としては、メタノール、エタノール、ポリオール(エチレングリコールおよびプロピレングリコールなど)などが挙げられる。さらに、水素製造流体30は、水蒸気改質および/またはオートサーマル改質を介して燃料処理アセンブリが製品水素流を生成するときなど、水を含んでよい。燃料処理アセンブリ24が、熱分解または触媒部分酸化を介して製品水素流を生成するとき、供給流26は水を含まない。
ある実施形態において、原料デリバリーシステム22は、水および水と相溶する(メタノールおよび/またはその他の、水と相溶するアルコール)炭素含有原料の混合物を含む水素製造流体30を輸送するように構成されてよい。そのような流体流における水と炭素含有原料との比は、特定の炭素含有原料が使用されること、使用者の選択、燃料処理アセンブリのデザイン、製品水素流を生成するための燃料処理アセンブリで使用されるメカニズムなど、1つ以上の因子に従って変わり得る。例えば、水と炭素とのモル比は、約1:1から3:1であってよい。さらに、水とメタノールの混合物が、1:1のモル比で、またはそれに近い比(37重量%の水および63重量%のメタノール)で輸送されてよく、一方で炭化水素または他のアルコールの混合物が、水と炭素とのモル比が1:1よりも大きい状態で輸送されてよい。
燃料処理アセンブリ24が改質を介して製品水素流21を生成するとき、供給流26は、例えば、約25〜75体積%のメタノールまたはエタノール(または他の適切な水と相溶する炭素含有原料)および約25〜75体積%の水を含んでよい。少なくとも実質的にメタノールおよび水を含む供給流に関して、これらの流れは、約50〜75体積%のメタノールと約25〜50体積%の水を含んでよい。エタノールまたは他の水に相溶するアルコールを含む流れは、約25〜60体積%のアルコールおよび約40〜75体積%の水を含んでよい。水蒸気改質またはオートサーマル改質を使用する水素生成アセンブリ20のための供給流の例は、69体積%のメタノールおよび31体積%の水を含む。
原料デリバリーシステム22は単一の供給流26を輸送するように構成されるとして示されているが、原料デリバリーシステムは2つ以上の供給流26を輸送するように構成されてよい。これらの流れは、同じかまたは異なる原料を含んでよく、異なる組成を有してよく、少なくとも1つの共通する成分を有してよく、共通する成分が無くてよく、または同じ組成を有してよい。例えば、第1の供給流は、炭素含有原料など第1の成分を含んでよく、第2の供給流は水などの第2の成分を含んでよい。さらに、原料デリバリーシステム22は、ある実施形態において、単一の燃料流28を輸送するように構成されてよいが、原料デリバリーシステムは2つ以上の燃料流を輸送するように構成されてよい。燃料流は、異なる組成を有してよく、少なくとも1つの共通する成分を有してよく、共通する成分が無くてよく、または同じ組成を有してよい。さらに、供給流および燃料流は、様々な相において、供給デリバリーシステムから排出されてよい。例えば、流れの1つは液体流であってよく、一方で他の流れは気体流である。ある実施形態において、流れの双方が液体流であってよく、一方で他の実施形態において、流れの双方がガス流であってよい。さらに、水素生成アセンブリ20が単一の原料デリバリーシステム22を含むように示されているが、水素生成アセンブリは2つ以上の原料デリバリーシステム22を含んでよい。
燃料処理アセンブリ24は、任意の適切な水素製造メカニズムを介して水素ガスを含む出口流34を製造するように構成された水素製造領域32を含んでよい。出口流は、少なくとも主成分として水素ガスを含んでよく、さらなる気体成分を含んでよい。したがって出口流34は、主成分として水素ガスを含むが他のガスも含む「混合ガス流」と呼ぶことができる。
水素製造領域32は、任意の適切な触媒含有ベッドまたは領域を含んでよい。水素製造メカニズムが水蒸気改質である場合、水素製造領域は、炭素含有原料および水を含む供給流26からの出口流34の製造を容易にするための、適切な水蒸気改質触媒36を含んでよい。そのような実施形態において、燃料処理アセンブリ24は「水蒸気改質器」と呼ばれてよく、水素製造領域32は「改質領域」と呼ばれてよく、出口流34は「リフォーメート流」と呼ばれてよい。リフォーメート流中に存在し得る他のガスとして、一酸化炭素、二酸化炭素、メタン、水蒸気、および/または未反応の炭素含有原料が挙げられる。
水素製造メカニズムがオートサーマル改質であるとき、水素製造領域32は、空気の存在下での水および炭素含有原料を含む供給流26からの出口流34の製造を容易にするための、適切なオートサーマル改質触媒を含んでよい。さらに、燃料処理アセンブリ24は、空気流を水素製造領域に輸送するように構成された空気デリバリーアセンブリ38を含んでよい。
ある実施形態において、燃料処理アセンブリ24は、精製(または分離)領域40を含んでよく、この領域は、出口(または混合ガス)流34から、少なくとも1つの水素リッチ流42を製造するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。水素リッチ流42は、出口流34と比較して高い水素濃度、および/または、低減された濃度の、出口流に存在していた1つ以上の他のガス(または不純物)を含んでよい。製品水素流21は、水素リッチ流42の少なくとも一部を含む。その結果、製品水素流21および水素リッチ流42は、同じ流れであってよく、同じ組成および流速を有してよい。或いは、水素リッチ流42中の精製された水素ガスの幾らかは、後の使用のために、適切な水素保管アセンブリ中などに保管されてよく、および/または燃料処理アセンブリによって使用されてよい。精製領域40は、「水素精製装置」または「水素処理アセンブリ」と呼ばれてもよい。
ある実施形態において、精製領域40は、少なくとも1つの副生成物流44を製造してよく、副生成物流44は水素ガスを含まないか、または幾らかの水素ガスを含んでよい。副生成物流は、排気され、バーナーアセンブリおよび/または他の燃焼源に送られ、加熱された流体流として使用され、後の使用のために保管され、および/または他のやり方で使用され、保管され、および/または処分されてよい。さらに、精製領域40は、出口流34の輸送に応じて、連続的な流れとして、副生成物流を放出してよく、または副生成物流を、バッチプロセスにおいて、または出口流の副生成物部分が少なくとも一時的に精製領域に保持されるとき、間欠的に放出してよい。
燃料処理アセンブリ24は、燃料処理アセンブリのための加熱アセンブリのための燃料流(または原料流)としての使用に適する十分な量の水素ガスを含む1つ以上の副生成物流を製造するように構成された1つ以上の精製領域を含んでよい。ある実施形態において、副生成物流は、十分な燃料値、または所定の操作温度に、または選択された温度範囲内に、水素製造領域を保持する加熱アセンブリを実現する水素含量を有してよい。例えば、副生成物流は、10〜30体積%の水素ガス、15〜25体積%の水素ガス、20〜30体積%の水素ガス、少なくとも10または15体積%の水素ガス、少なくとも20体積%の水素ガスなどの、水素ガスを含んでよい。
精製領域40は、出口流21の少なくとも1つの成分の濃度を増大(および/または増加)するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。多くの用途において、水素リッチ流42は、出口流(または混合ガス流)34と比較して高い水素濃度を有するだろう。水素リッチ流は、出口流34に存在していた1つ以上の非水素成分の低減された濃度を有してよく、水素リッチ流の水素濃度は、出口流を超えるか、同じか、またはそれ未満である。例えば、従来の燃料電池システムにおいて、一酸化炭素は、もしもたとえ数ppm存在する場合であっても、燃料電池スタックに損傷を与える場合があり、一方で、出口流34に存在し得る、水などの他の非水素成分は、もしもより高い濃度で存在していたとしても、スタックに損傷を与えないだろう。したがって、そのような用途において、精製領域は水素の全濃度を増加し得ないが、製品水素流の所定の用途に対して有害な、または有害である可能性がある1つ以上の非水素成分の濃度を低減するだろう。
精製領域40に適する装置の例として、1つ以上の水素選択膜46、化学的な一酸化炭素除去アセンブリ48、および/または圧力スイング吸着(PSA)システム50が挙げられる。精製領域40は、1つ以上のタイプの精製装置を含んでよく、装置は同じかまたは異なる構造体を有してよく、および/または同じかまたは異なるメカニズムで操作されてよい。燃料処理アセンブリ24は、1つ以上の製品水素流、水素リッチ流、および/または副生成物流と関連するなどして、精製領域の下流の少なくとも1つの制限オリフィスおよび/または他のフローリストリクターを含んでよい。
水素選択膜46は、水素ガスを透過するが、出口流34の他の成分に対して、少なくとも実質的に(もしも完全にではない場合)非透過性である。膜46は、作動環境における使用および精製領域40が作動されるパラメータに適する任意の水素透過性材料で形成されてよい。膜46のための適切な材料の例として、パラジウムおよびパラジウム合金、特にそのような金属および金属合金の薄膜が挙げられる。パラジウム合金は特に有効であると証明されており、特に35重量%から45重量%の銅を有するパラジウムが挙げられる。約40重量%の銅を含むパラジウム銅合金が特に有効であると証明されているが、他の相対濃度および成分も使用され得る。他の2つの特に有効な合金は、2重量%から10重量%の金を有するパラジウム、特に5重量%の金を有するパラジウム、および3重量%から10重量%のインジウムおよび0重量%から10重量%のルテニウムを有するパラジウム、特に6重量%のインジウムおよび0.5重量%のルテニウムを有するパラジウムである。パラジウムおよびパラジウム合金が使用されるとき、水素選択膜46は場合によっては「ホイル」と呼ばれてもよい。
化学的な一酸化炭素除去アセンブリ48は、一酸化炭素および/または出口流34の他の望ましくない成分と化学的に反応して、有害である可能性がない他の組成物を形成する装置である。化学的な一酸化炭素除去アセンブリの例としては、水および一酸化炭素から水素ガスおよび二酸化炭素を生成するように構成された水ガスシフト反応器、一酸化炭素および酸素(通常空気から)を二酸化炭素に変換する部分酸化反応器、および一酸化炭素および水素をメタンおよび水に変換するように構成されたメタネーション反応器が挙げられる。燃料処理アセンブリ24は、1つ以上のタイプの、および/または複数の化学的な一酸化炭素除去アセンブリを含んでよい。
圧力スイング吸着(PSA)は、特定の気体が、適切な温度および圧力条件の下で、他の気体よりも強く吸着材料上に吸着される原理に基づく、気体の不純物が出口流34から除去される化学的処理である。典型的には、非水素不純物が吸着され、出口流34から除去される。不純物気体の吸着は、高い圧力で生じる。圧力が低下するとき、不純物が吸着材料から脱着され、その結果吸着材料が再生される。典型的には、PSAはサイクル処理であり、連続(バッチとは対照的に)操作のために少なくとも2つのベッドを必要とする。吸着ベッドにおいて使用され得る適切な吸着物質の例は、活性化炭素およびゼオライトである。PSAシステム50はまた、ガス流が出口流の精製と同時であるので、副生成物または除去された成分が領域から直接排気されない、精製領域40において使用するための装置の例を提供する。その代わりに、吸着材料が再生されるかまたは他のやり方で精製領域から除去されるとき、これらの副生成物成分が除去される。
図1において、精製領域40が燃料処理アセンブリ24内部に示される。精製領域は、代替的に、図1に一点鎖線で概略的に示されるように、燃料処理アセンブリから下流に別個に配置されてよい。精製領域40は、燃料処理アセンブリの内部およびその外部に部分を含めてもよい。
燃料処理アセンブリ24は、加熱アセンブリ52の形態の温度調整アセンブリを含んでよい。加熱アセンブリは、典型的には空気の存在下で燃焼されるとき、少なくとも1つの加熱燃料流28から、少なくとも1つの加熱された排気流(または燃焼流)54を製造するように構成されてよい。加熱された排気流54が、加熱水素製造領域32として、図1に概略的に示される。加熱アセンブリ52は、燃料が空気と共に燃焼され加熱排気流を作り出すバーナーまたは燃焼触媒など、加熱排気流を生成するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。加熱アセンブリは、燃料の燃焼を開始するように構成された点火装置または着火源58を含んでよい。適切な着火源の例として、1つまたは複数のスパークプラグ、グロープラグ、燃焼触媒、パイロットライト、圧電点火装置、スパーク点火装置、熱表面点火装置などが挙げられる。
ある実施形態において、加熱アセンブリ52は、バーナーアセンブリ60を含んでよく、燃焼系または燃焼駆動型の加熱アセンブリと呼ばれてもよい。燃焼系加熱アセンブリにおいて、加熱アセンブリ52は、少なくとも1つの燃料流28を受け取るように、かつ燃料処理アセンブリの少なくとも水素製造領域を加熱するのに使用され得る熱燃焼流54を提供するために、空気の存在下で、燃料流を燃焼するように、構成されてよい。空気は、様々なメカニズムを介して、加熱アセンブリに輸送されてよい。例えば、空気流62は、図1に示されるように、別個の流れとして加熱アセンブリに輸送されてよい。その代わりに、またはそれに加えて、空気流62は、加熱アセンブリ52のための少なくとも1つの燃料流28と共に、加熱アセンブリに輸送されてよく、および/または加熱アセンブリが使用される環境から引き込まれてよい。
燃焼流54は、さらに、または代替的に、燃料処理アセンブリおよび/または加熱アセンブリが使用される燃料電池システムの他の部分を加熱するのに使用されてよい。さらに、他の構成およびタイプの加熱アセンブリ52が使用されてよい。例えば、加熱アセンブリ52は、抵抗加熱要素など少なくとも1つの加熱要素を用いて熱を生成することによって、燃料処理アセンブリ24の少なくとも水素製造領域32を加熱するように構成された電動の加熱アセンブリであってよい。これらの実施形態において、加熱アセンブリ52は、水素製造領域を適切な水素製造温度に加熱するために、燃焼可能である燃料流を受け取らなくてよく、かつ燃焼しなくてよい。加熱アセンブリの例は、米国特許第7,632,322号明細書に開示されており、全ての目的に関してその完全な開示が参照によってここに組み込まれる。
加熱アセンブリ52は、水素製造領域および/または分離領域(以下にさらに議論される)と共に共通のシェルまたはハウジングに収納されてよい。加熱アセンブリは、水素製造領域32に対して別個に位置決めされてよいが、少なくとも水素製造領域の所定の加熱を提供する領域と熱連通および/または流体連通する。加熱アセンブリ52は、共通シェル内部に部分的にまたは完全に配置されてよく、および/または、加熱アセンブリの少なくとも一部(または全部)はそのシェルの外側に配置されてよい。加熱アセンブリがシェルの外側に配置されるとき、バーナーアセンブリ60からの熱い燃焼ガスが、適切な熱伝達管路を介してシェル内の1つ以上の構成要素に輸送されてよい。
加熱アセンブリは、原料デリバリーシステム22、原料供給流、水素製造領域32、精製(または分離)領域40、またはこれらのシステム、流れ、および領域の任意の適切な組み合わせを加熱するように構成されてもよい。原料供給流の加熱は、液体反応流または水素製造領域において水素ガスを製造するのに使用される水素製造流体の成分を蒸発する段階を含んでもよい。この実施形態において、燃料処理アセンブリ24は、蒸発領域64を含むとして記載され得る。加熱アセンブリは、水素生成アセンブリの他の構成要素を加熱するようにさらに構成されてよい。例えば、加熱された排気流は、供給流26および燃料流28の少なくとも一部を形成する加熱燃料および/または水素製造流体を含む圧力ベッセルおよび/または他のキャニスターを加熱するように構成されてよい。
加熱アセンブリ52は、水素製造領域32内を任意の適切な温度にしてよく、および/または保持してよい。水蒸気改質器は、典型的には200℃から900℃の範囲の温度で運転される。しかしながら、この範囲外の温度も、本開示の範囲内である。炭素含有原料がメタノールであるとき、水蒸気改質反応は、典型的には約200〜500℃の範囲で行われるだろう。この範囲のサブセットの例として、350〜450℃、375〜425℃、および375〜400℃が挙げられる。炭素含有原料が炭化水素、エタノール、または他のアルコールである場合、約400〜900℃の温度範囲が水蒸気改質反応に典型的に使用されるだろう。この範囲のサブセットの例として、750〜850℃、725〜825℃、650〜750℃、700〜800℃、700〜900℃、500〜800℃、400〜600℃、および600〜800℃が挙げられる。水素製造領域32は、2つ以上の区域、または部分を含んでよく、それらの各々は同じかまたは異なる温度で操作され得る。例えば、水素製造流体が炭化水素を含むとき、水素製造領域32は、2つの異なる水素製造部分、または領域を含んでよく、一方は他方よりも低い温度で運転され、プレ改質領域を提供する。これらの実施形態において、燃料処理アセンブリは2つ以上の水素製造領域を含むとして示されてもよい。
燃料流28は、所定の熱生成を提供するために、加熱アセンブリ52によって消費されるのに適する任意の可燃性液体および/またはガスを含んでよい。加熱アセンブリ52によって輸送されかつ燃焼されるとき、ある燃料流はガスであってよく、一方で他は液体流として加熱アセンブリに輸送されてよい。燃料流28の適切な加熱燃料の例として、メタノール、メタン、エタン、エタノール、エチレン、プロパン、プロピレン、ブタンなどの炭素含有原料が挙げられる。さらなる例として、液化石油ガス、アンモニア、軽量アミン、ジメチルエーテル、および低分子量炭化水素など、低分子量の圧縮可能な燃料が挙げられる。さらに他の例として、水素および一酸化炭素が挙げられる。加熱アセンブリの代わりに冷却アセンブリの形態の温度調整アセンブリ(水蒸気改質などの吸熱過程の代わりに発熱水素生成過程、例えば部分酸化、が用いられるとき、使用され得る)を含む水素生成アセンブリ20の実施形態において、原料デリバリーシステムは燃料または冷却剤流をアセンブリに供給するように構成されてよい。任意の適切な燃料または冷却剤流体が使用されてよい。
燃料処理アセンブリ24は、図1に示すように、少なくとも水素製造領域32が含まれるシェルまたはハウジング66をさらに含んでよい。ある実施形態において、蒸発領域64および/または精製領域40が、シェル内部にさらに含まれ得る。シェル66は、水蒸気改質器または他の燃料処理メカニズムの構成要素がユニットとして動かされることを可能にしてよい。シェルは、保護筐体を提供することによって、燃料処理アセンブリの構成要素を損傷から保護してもよく、および/または、構成要素がユニットとして加熱され得るため、燃料処理アセンブリの加熱の必要性を低減してもよい。シェル66は、固体絶縁材料、ブランケット絶縁材料、および/または空気が充填されたキャビティなどの、絶縁材料68を含んでよい。絶縁材料は、シェルの内側、シェルの外側、またはその両方にあってよい。絶縁材料がシェルの外側にある場合、燃料処理アセンブリ24は、図1に概略的に示されるように、絶縁の外側の、外側カバーまたはジャケット70をさらに含んでよい。燃料処理アセンブリは、原料デリバリーシステム22および/または他の構成要素などの、燃料処理アセンブリのさらなる構成要素を含む異なるシェルを含んでよい。
燃料処理アセンブリ24の1つ以上の構成要素が、シェルを超えて伸びるか、またはシェルの外側に配置されてよい。例えば、精製領域40は、シェルから離隔されるが適切な流体移送管路によって流体連通するなどして、シェル66の外側に配置されてよい。他の例として、図1において代替的なシェル構成を表す点線で概略的に示されるものなど、水素製造領域32(1つ以上の改質触媒ベッドの一部など)の一部がシェルを超えて延在してよい。適切な水素生成アセンブリおよびその構成要素の例は、米国特許第5,861,137号明細書、米国特許第5,997,594号明細書、および米国特許第6,221,117号明細書に開示され、それらの完全な開示が全ての目的に関して参照によってここに組み込まれる。
水素生成アセンブリ20の他の例が図2に示され、72として概して示される。特に除外されない限り、水素生成アセンブリ72は、水素生成アセンブリ20の1つ以上の構成要素を含んでよい。水素生成アセンブリ72は、図2に示されるように、原料デリバリーシステム74、蒸発領域76、水素製造領域78、および加熱アセンブリ80を含んでよい。ある実施形態において、水素生成アセンブリ20は精製領域82を含んでもよい。
原料デリバリーシステムは、水素生成アセンブリの1つ以上の他の構成要素に、1つ以上の供給流および/または燃料流を輸送するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。例えば、原料デリバリーシステムは、原料タンク(またはコンテナ)84およびポンプ86を含んでよい。原料タンクは、水および炭素含有原料(例えば、メタノール/水混合物)などの、任意の適切な水素製造流体88を含んでよい。ポンプ86は、水素製造流体を蒸発領域76および/または水素製造領域78に輸送するように構成された任意の適切な構造体を有してよく、水素製造流体は、水および炭素含有原料を含む少なくとも1つの液体含有供給流90の形態であってよい。
蒸発領域76は、液体含有供給流90など、液体含有供給流の少なくとも一部を受け取り蒸発させるように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。例えば、蒸発領域76は、液体含有供給流90を少なくとも部分的に1つ以上の蒸気供給流94に変換するように構成された蒸発器92を含んでよい。蒸気供給流は、ある実施形態において、液体を含んでよい。適切な蒸発器の例として、コイルステンレス鋼管などの、コイル管蒸発器が挙げられる。
水素製造領域78は、蒸発領域から蒸気供給流94などの1つ以上の供給流を受け取り、主成分としての水素ガスおよび他のガスを含む1つ以上の出口流96を製造するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。水素製造領域は、任意の適切なメカニズムを介して出口流を製造してよい。例えば、水素製造領域78は、水蒸気改質反応を介して出口流96を生成してよい。この例において、水素製造領域78は、水蒸気改質反応を容易にするようにおよび/または促進するように構成された改質触媒98を備えた水蒸気改質領域97を含んでよい。水素製造領域78が水蒸気改質反応を介して出口流96を生成するとき、水素生成アセンブリ72は、「水蒸気改質水素生成アセンブリ」と呼ばれる場合があり、出口流96は「リフォーメート流」と呼ばれる場合がある。
加熱アセンブリ80は、水素生成アセンブリ72の1つ以上の構成要素を加熱するために、少なくとも1つの加熱された排気流99を生成するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。例えば、加熱アセンブリは蒸発領域を、少なくとも最低蒸発温度または液体含有供給流の少なくとも一部が蒸発され蒸気供給流を形成する温度など、任意の適切な温度に加熱してよい。さらに、または別法として、加熱アセンブリ80は、水素製造領域を、少なくとも最低水素製造温度または蒸気供給流の少なくとも一部が反応され水素ガスを生成し出口流を形成する温度など、任意の適切な温度に加熱してよい。加熱アセンブリは、蒸発領域および/または水素製造領域など水素生成アセンブリの1つ以上の構成要素と熱連通してよい。
加熱アセンブリは、図2に示すように、バーナーアセンブリ100、少なくとも1つの送風機102、および点火アセンブリ104を含んでよい。バーナーアセンブリは、少なくとも1つの空気流106および少なくとも1つの燃料流108を受け取るように、および燃焼領域110内部で少なくとも1つの燃料流を燃焼して加熱された排気流99を製造するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。燃料流は、原料デリバリーシステム74および/または精製領域82によって提供されてよい。燃焼領域は、水素生成アセンブリの筐体内部に含まれてよい。送風機102は、空気流106を生成するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。点火アセンブリ104は、燃料流108に点火するように構成された任意の適切な構造体をふくんでよい。
精製領域82は、少なくとも1つの水素リッチ流112を生成するように構成された任意の適切な構造体を含んでよく、水素リッチ流112は出口流96と比較して高い水素濃度を有してよく、および/または低減された濃度の、出口流に存在していた1つ以上の他のガス(または不純物)を含んでよい。精製領域は、少なくとも1つの副生成物流または燃料流108を生成してよく、図2に示されるように、これらはバーナーアセンブリ100に送られてよく、そのアセンブリのための燃料流として使用されてよい。精製領域82は、流れ制限オリフィス111、フィルターアセンブリ114、膜アセンブリ116、およびメタン化反応器アセンブリ118を含んでよい。フィルターアセンブリ(1つ以上の熱ガスフィルターなど)が、水素精製膜アセンブリの前に、出口流96から不純物を取り除くように構成されてよい。
膜アセンブリ116は、水素ガスおよび他のガスを含む出口ガス流または混合ガス流96を受け取るように、および混合ガス流と比較してより高い濃度の水素ガスおよび/またはより低い濃度の他のガスを含む水素リッチ流112を生成または透過するように構成された任意の構造体を含んでよい。膜アセンブリ116は、平面または管状の水素透過(または水素選択)膜を組み込んでよく、1つ以上の水素透過膜が膜アセンブリ116に組み込まれてよい。透過流が、1つ以上の燃料電池など、任意の適切な用途に関して使用されてよい。ある実施形態において、膜アセンブリは、他のガスの少なくともかなりの部分を含む副生成物または燃料流108を生成してよい。メタン化反応器アセンブリ118は、一酸化炭素および水素をメタンおよび水に変換するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。精製領域82が流れ制限オリフィス111、フィルターアセンブリ114、膜アセンブリ116、およびメタン化反応器アセンブリ118を含むように示されているが、精製領域はこれらの全てのアセンブリを持たなくてよく、および/または代替的に、またはさらに、出口流96を精製するように構成された1つ以上の他の構成要素を含んでよい。例えば、精製領域82は、膜アセンブリ116のみを含んでよい。
ある実施形態において、水素生成アセンブリ72は、このアセンブリの1つ以上の他の構成要素を少なくとも部分的に含み得るシェルまたはハウジング120を含んでよい。例えば、シェル120は、図2に示されるように、蒸発領域76、水素製造領域78、加熱アセンブリ80、および/または精製領域82を少なくとも部分的に含んでよい。シェル120は、加熱アセンブリ80によって製造される少なくとも1つの燃焼排気流124を排出するように構成された1つ以上の排気ポート122を含んでよい。
水素精製アセンブリ72は、ある実施形態において、制御システム126を含んでよく、制御システム126は、水素生成アセンブリ72の操作を制御するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。例えば、制御アセンブリ126は、制御アセンブリ128、少なくとも1つのバルブ130、少なくとも1つの圧力解放バルブ132、および1つ以上の温度測定装置134を含んでよい。制御アセンブリ128は、温度測定装置134を介して、水素製造領域および/または精製領域内の温度を検知してよく、温度測定装置134は1つ以上の熱電対および/または他の適切な装置を含んでよい。検知された温度に基づき、制御アセンブリおよび/または制御システムのオペレータは、バルブ130およびポンプ86を介して蒸発領域76および/または水素製造領域78への供給流90の輸送を調整してよい。バルブ130は、ソレノイドバルブおよび/または任意の適切なバルブを含んでよい。圧力解放バルブ132は、システム中の過剰な圧力が解放されることを確実にするように構成されてよい。
ある実施形態において水素生成アセンブリ72は、水素生成アセンブリの一部から他の部分に熱を移送するように構成された1つ以上の熱交換機138を含み得る熱交換アセンブリ136を含んでよい。例えば、熱交換アセンブリ136は、蒸発領域76に入る前に供給流の温度を上げるために、並びに水素リッチ流112を冷却するために、水素リッチ流112から供給流90に熱を移送してよい。
図1の水素生成アセンブリ20の精製領域40(または水素精製装置)の例が、図3に144として概して示される。特に除外されない限り、水素精製装置は、本明細書に開示される他の精製領域の1つ以上の構成要素を含んでよい。水素精製装置40は、水素分離領域146および筐体148を含んでよい。筐体は、内部の周囲152を有する内部ボリューム150を画定してよい。筐体148は、画定された入口ポートおよび出口ポートを含み得る、互いに結合されて密封された圧力ベッセルの形態のボディ149を形成する、少なくとも第1の部分154および第2の部分156を含んでよい。これらのポートは、気体および他の流体が筐体の内部ボリュームに輸送され、かつ筐体の内部ボリュームから除去される、流路を画定し得る。
第1部分154および第2部分156は、任意の適切な保持機構または構造体158を用いて互いに結合されてよい。適切な保持構造体の例としては、溶接および/またはボルトが挙げられる。第1部分と第2部分との間に液密界面を提供するために使用されるシールの例としては、ガスケットおよび/または溶接が挙げられる。さらに、または代替的に、第1部分154および第2部分156は、互いに固定されてよく、筐体内部で水素分離領域を画定する様々な構成要素および/または水素生成アセンブリに組み込まれてよい他の構成要素に少なくとも所定の量の圧縮を与えるようにする。与えられた圧縮は、様々な構成要素が筐体内の適切な位置に保持されることを確実にし得る。さらに、または代替的に、水素分離領域を画定する様々な構成要素および/または他の構成要素に与えられた圧縮は、水素分離領域を画定する様々な構成要素の間、様々な他の構成要素の間、および/または水素分離領域を画定する様々な構成要素と他の構成要素との間に、液密界面を提供し得る。
筐体148は、図3に示されるように、混合ガス領域160および透過領域162を含んでよい。混合ガス領域および透過領域は、水素分離領域146によって分離されてよい。少なくとも1つの入口ポート164が提供されてよく、それを通じて流体流166が筐体に輸送される。流体流166は、混合ガス領域160に輸送された水素ガス170および他のガス172を含む混合ガス流168であってよい。水素ガスは、混合ガス流の主な成分であってよい。水素分離領域146は、混合ガス領域160と透過領域162との間に延在し、混合ガス領域中のガスが、透過領域に入るために、水素分離領域を通過しなくてはならないようにする。ガスは、例えば、以下にさらに議論するように、少なくとも1つの水素選択膜を通過することを必要としてよい。透過領域および混合ガス領域は、筐体内で任意の適切な相対寸法を有してよい。
筐体148は、少なくとも1つの生成物出口ポート174を含んでよく、それを通って透過流176が透過領域162から受け取られ、移動されてよい。透過流は、混合ガス流と比較して高い濃度を有する水素ガス、および低い濃度を有する他のガスのうち少なくとも1つを含んでよい。透過流176は、ある実施形態において、少なくとも初期にはキャリア、または透過領域と流体連通しているスイープガスポート180を通ってスイープガス流178として輸送され得るものなどの、スイープガス成分、を含んでよい。筐体は、少なくとも1つの副生成物出口ポート182を含んでもよく、それを通って他のガス172のかなりの部分および(混合ガス流に対して)低減された濃度の水素ガス170の少なくとも1つを含む副生成物流184が混合ガス領域から移動される。
水素分離領域146は、第1の表面または混合されたガス表面188(混合ガス流168と接触するように方向付けられる)および第2の表面または透過表面190(概して表面188とは反対にある)を有する少なくとも1つの水素選択膜186を含んでよい。混合ガス流168は、筐体の混合ガス領域に輸送されてよく、1つ以上の水素選択膜の混合ガス表面と接触するようにする。透過流176は、水素分離領域を透過領域162へと通過する混合ガス流の少なくとも一部から形成されてよい。副生成物流184は、水素分離領域を通過しない混合ガス流の少なくとも一部から形成されてよい。ある実施形態において、副生成物流184は、混合ガス流に存在する水素ガスの一部を含んでよい。水素分離領域は、他のガスの少なくとも一部をトラップまたは他のやり方では保持するように構成されてもよく、他のガスはその後、分離領域が置き換えられ、再生され、または他のやり方では再充填されるとき、副生成物流として除去されてよい。
図3において、流れ166、176、178、および/または184は、水素精製装置144に流れ込むまたは流出する1つ以上の実際の流れを含んでよい。例えば、水素精製装置は、複数の混合ガス流168、水素分離領域146と接触する前に2つ以上の流れに分割される単一の混合ガス流168、内部ボリューム150内に輸送される単一の流れなどを受け取ってよい。その結果、筐体148は、1つ以上の入口ポート164、生成物出口ポート174、スイープガスポート180、および/または副生成物出口ポート182を含んでよい。
水素選択膜は、水素精製装置が操作される操作環境およびパラメータにおける使用に適する任意の水素透過材料で形成されてよい。水素精製装置の例は、米国特許第5,997,594号明細書および米国特許第6,537,352号明細書に開示され、それらの完全な開示は全ての目的に関して参照によってここに組み込まれる。ある実施形態において、水素選択膜は、パラジウムおよびパラジウム合金のうち少なくとも1つから形成されてよい。パラジウム合金の例としては、パラジウムと銅との合金、パラジウムと銀との合金、および/またはパラジウムと金との合金が挙げられる。様々な膜、膜構成、および膜および膜構成の調製方法の例は、米国特許第6,152,995号明細書、米国特許第6,221,117号明細書、米国特許第6,319,306号明細書、および米国特許第6,537,352号明細書に開示され、それらの完全な開示は全ての目的に関して参照によってここに組み込まれる。
ある実施形態において、複数の離隔された水素選択膜186が、水素分離アセンブリ192の少なくとも一部を形成するために水素分離領域内で使用されてよい。存在するとき、複数の膜が、1つ以上の膜アセンブリを共同して画定してよい。そのような実施形態において、水素分離アセンブリは、概して第1の部分154から第2の部分156に延在してよい。その結果、第1の部分および第2の部分は、水素分離アセンブリを効果的に圧縮することができる。ある実施形態において、筐体148は、さらに、またはその代わりに、本体部分の反対側に結合された端部プレート(または端部フレーム)を含んでよい。そのような実施形態において、端部プレートは、一対の対向する端部プレートの間で水素分離アセンブリ(および筐体内部に収容され得る他の構成要素)を効果的に圧縮し得る。
1つ以上の水素選択膜を用いた水素精製は、典型的には、水素分離領域の透過領域内のガスと比較して高い圧力で、混合ガス流が輸送され膜の混合ガス表面と接触する圧力駆動分離工程である。水素分離領域は、ある実施形態において、混合ガス流を透過流および副生成物流に分離するために水素分離領域が使用されるとき、任意の適切な機構を介して高温に加熱されてよい。パラジウムおよびパラジウム合金膜を用いた水素精製に適する操作温度の例としては、少なくとも275℃の温度、少なくとも325℃の温度、少なくとも350℃の温度、275〜500℃の範囲の温度、275〜375℃の範囲の温度、300〜450℃の範囲の温度、350〜450℃の範囲の温度、などが挙げられる。
水素精製装置144の例が、図4において概して196で示される。特に除外しない限り、水素精製装置196は、本明細書に記載される他の水素精製装置および/または精製領域の1つ以上の構成要素を含むことができる。水素精製装置196は、シェルまたは筐体198を含んでよく、これらは第1の端部プレートまたは端部フレーム200および第2の端部プレートまたは端部フレーム202を含んでよい。第1および第2の端部プレートは、固定され、および/または互いに圧縮され、水素分離領域が支持される内部コンパートメント204を有する密封された圧力ベッセルを画定するように構成されてよい。第1および第2の端部プレートは、水素精製装置144と同様に、入口ポート、出口ポート、スイープガスポート、および副生成物ポート(図示されない)を含んでよい。
水素精製装置196は、少なくとも1つの水素選択膜206および少なくとも1つのマイクロスクリーン構造体208を含んでもよい。水素選択膜は、入口ポートから混合ガス流の少なくとも一部を受け取るように、かつ混合ガス流を透過流の少なくとも一部および副生成物流の少なくとも一部に分離するように、構成されてよい。水素選択膜206は、供給側210および透過側212を含んでよい。透過流の少なくとも一部は供給側から透過側に通過する混合ガス流の一部から形成され、供給側に残る混合ガス流の残りの部分は、副生成物流の少なくとも一部を形成する。ある実施形態において、水素選択膜206は、少なくとも1つの膜フレーム(図示されない)に固定されてよく、その後第1および第2の端部フレームに固定されてよい。
マイクロスクリーン構造体208は、少なくとも1つの水素選択膜を支持するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。例えば、マイクロスクリーン構造体は、図4に示されるように、透過側212に支持を提供するように構成された概して反対の表面214および216、および透過流がマイクロスクリーン構造体を通って流れることを可能にする、反対の表面の間に延在する、複数の流路218を含んでよい。マイクロスクリーン構造体208は、任意の適切な材料を含んでよい。例えば、マイクロスクリーン構造体は、ステンレス鋼と少なくとも1つの水素選択膜との間の拡散を防ぐように構成された酸化アルミニウム層を含むステンレス鋼などの、ステンレス鋼を含んでよい。
ある実施形態において、マイクロスクリーン構造体は、ステンレス鋼303(アルミニウム修飾された)、17−7PH、14−8PH、および/または15−7PHを含んでよい。ある実施形態において、ステンレス鋼は約0.6から約1.5重量%のアルミニウムを含んでよい。マイクロスクリーン構造体208は、図5に示されるように、透過フレームの開領域内部に含まれる(全体的に含まれるなど)、および/または、開領域内部で膜支持構造体によって支持される、寸法にされてよい。言い換えれば、マイクロスクリーン構造体は、マイクロスクリーン構造体および透過フレームが第1の端部フレームおよび第2の端部フレームに固定され、または圧縮されるとき、透過フレームの周囲シェルに接触しない寸法であってよい。
或いは、マイクロスクリーン構造体は、透過フレームの周囲シェルになど、非多孔質の周囲壁部分またはフレーム(図示されない)によって支持され、および/または透過フレームの周囲シェルになど、非多孔質の周囲部分またはフレームに固定されてよい。マイクロスクリーン構造体が非多孔質周囲壁部分に固定されるとき、マイクロスクリーン構造体は「多孔質中央領域部分」と呼ばれてよい。他のマイクロスクリーン構造体の例は、米国特許出願公開第2010/0064887号明細書に開示され、その完全な開示は、全ての目的に関して参照によってここに組み込まれる。
水素精製装置196は、第1端部フレームおよび/または第2端部フレームの間に配置され、かつそれらに固定された複数のプレートまたはフレーム224を含んでもよい。フレームは、任意の適切な構造体を含んでよく、および/または正方形、矩形、または円形など任意の適切な形状であってよい。例えば、図4に示されるように、フレーム224は周囲シェル226および少なくとも1つの第1の支持部材228を含んでよい。周囲シェルは、開領域230およびフレーム平面232を画定してよい。さらに、図4に示されるように、周囲シェル226は第1及び第2の反対側の側部234および236、および第3及び第4の反対側の側部238および240を含んでよい。
第1の支持部材228は、図4に示されるように、水素選択膜206の第1の部分242を支持するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。例えば、複数のフレームの第1の支持部材が、図4に示されるように、水素選択膜の第1の部分242を支持するために、第1の支持平面244内部で互いに(または複数のフレームのうち他のフレームの他の第1の支持部材と)同一平面上にあってよい。言い換えれば、複数のフレームの各フレームの第1の支持部材は、複数のフレームの他のフレームの第1の支持部材と同様のもの(ミラー)であってよい。第1の支持部材はフレーム平面232に対して任意の適切な方向を有してよい。例えば、第1の支持平面244は、図4に示されるように、フレーム平面に対して垂直であってよい。或いは、第1の膜支持平面は、フレーム平面232と交差するが垂直ではなくてよい。
ある実施形態において、フレーム224は、第2の支持部材246および/または第3の支持部材248を含んでよく、これらは図4に示されるように、水素選択膜206の第2の部分250および/または第3の部分252を支持するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。例えば、複数のフレームの第2の支持部材は、水素選択膜の第2の部分250を支持するために第2の支持平面254内部で互いに(または複数のフレームの他の第2の支持部材と)同一の平面を有してよい。さらに、複数のフレームの第3の支持部材は、水素選択膜の第3の部分252を支持するために第3の支持平面256内部で互いに(または複数のフレームの他の第3の支持部材と)同一の平面を有してよい。言い換えれば、複数のフレームの各フレームの第2の支持部材は、複数のフレームの他のフレームの第2の支持部材と同様のもの(ミラー)であってよく、一方で複数のフレームの各フレームの第3の支持部材は、複数のフレームの他のフレームの第3の支持部材と同様のもの(ミラー)であってよい。第2および/または第3の支持平面は、フレーム平面232に対して任意の適切な方向を有してよい。例えば、第2の支持平面254および/または第3の支持平面256は、図4に示されるように、フレーム平面に垂直であってよい。或いは、第2および第3の支持平面は、フレーム平面232と交差するが垂直ではなくてよい。
第2の支持部材246および/または第3の支持部材248は、第1の支持部材228に対して任意の適切な方向を有してよい。例えば、第1の支持部材228は、周囲シェル226の第3の側238から開領域230内部に延在してよい;第2の支持部材246は、周囲シェルの第4の側240(第3の側と反対にある)から開領域内部に延在してよい;および第3の支持部材248は、第3の側から開領域内部に延在してよい。或いは、第1、第2、および/または第3の支持部材は、周囲シェルの第1の側、第2の側、第3の側、または第4の側など、同じ側から開領域内部に延在してよい。ある実施形態では、第1、第2、および/または第3の支持部材は、周囲シェルの第1の側および/または第2の側(第1の側と反対にある)から開領域内部に延在してよい。
第1、第2、および/または第3の支持部材は、例えば、周囲シェルに取り付けられた1つ以上の突出部または指状部258の形態であってよく、および/または周囲シェルと共に形成されてよい。突出部は、周囲シェルから任意の適切な方向に延在してよい。突出部は、周囲シェルの全厚みであってよく、または周囲シェルの全厚みよりも小さくてよい。フレーム224の各フレームの突出部は、水素選択膜に対して圧縮されてよく、それによって膜を決まった場所に固定し、かつ水素溶解に起因する水素選択膜の膨張の影響を低減する。言い換えれば、フレーム224の突出部は、第1および/または第2の膜支持平面内で、端部フレームの積層された延長であることによって水素選択膜を支持し得る。ある実施形態において、突出部258は、第1および/または第2の端部フレームにフレーム224を固定するために少なくとも1つの留め具(図示されない)を受けるように構成された1つまたは複数の受け口または開口(図示されない)を含んでよい。
フレーム224は、図4に示されるように、少なくとも1つの供給フレーム260、少なくとも1つの透過フレーム262、および複数のガスケットまたはガスケットフレーム264を含むことができる。供給フレーム260は、第1および第2の端部フレームの1つと少なくとも1つの水素選択膜206との間、または2つの水素選択膜206の間に配置されてよい。供給フレームは、図4に示されるように、供給フレーム周囲シェル266、供給フレーム入口管路268、供給フレーム出口管路270、供給フレーム開領域272、少なくとも第1の供給フレーム支持部材274を含んでよい。ある実施形態において、供給フレームは、第2の供給フレーム支持部材276および/または第3の供給フレーム支持部材278を含んでよい。
供給フレーム周囲シェル266は、任意の適切な構造体を含んでよい。例えば、供給フレーム周囲シェルは、図6に示されるように、第1のセクションまたは第1の周囲シェル280、および第2のセクションまたは第2の周囲シェル282を含んでよい。図6の構成要素は説明の目的のために誇張されていること、およびそれらの構成要素の相対的な寸法を反映していない場合があることに留意されたい。第1および第2のセクションは、周囲シェルの第1の半分および第2の半分であってよく、またはその周囲シェルの任意の適切な部分であってよい。さらに、第1および/または第2のセクションは、互いからのオフセットなど、任意の適切な相互関係にあるチャンネルまたは溝(図示されない)を含んでよい。第1のセクション280および第2のセクション282は、それらのセクションの間に気密シールを形成するための任意の適切な方法を介して結合されてよい。例えば、供給フレームガスケット284が、これらのセクションの間で使用されてよい。或いは、第1および第2のセクションが互いにろう付けされてよく、または米国特許出願公開第2013/0011301号明細書に記載されるように、第1および第2のセクションを結合するためにレイヤリング金属が使用されてよい。その完全な開示が全ての目的に関して参照によってここに組み込まれる。
さらに、供給フレーム周囲シェル266は、水素精製装置196の他の構成要素を支持するように構成された任意の適切な寸法を含んでよい。例えば、供給フレーム周囲シェルは、複数の供給フレーム支持平面288に沿って、透過フレーム262の周囲シェルおよびそれらのフレームの膜支持構造体286を支持するように寸法を与えられてよい。例えば、周囲シェル266は、図6に示されるように、少なくとも周囲シェルの部分294が膜支持構造体286の部分296を支持するように、透過フレーム262の周囲シェルの幅292と比較して大きな幅290を有してよい。言い換えれば、供給フレーム周囲シェルは、膜支持構造体を決まった場所に固定してよく、その支持構造体の留め具として働く。供給フレーム支持平面は、供給フレーム平面300に対して任意の適切な方向を有してよい。例えば、供給フレーム支持平面は、図6に示すように、供給フレーム平面に垂直であってよい。或いは、供給フレーム支持体平面は、供給フレーム平面300と交差してよいが供給フレーム平面300に垂直ではなくてよい。
供給フレーム入口管路は、供給フレーム周囲シェル上に形成されてよく、および/または入口ポートから混合ガス流の少なくとも一部を受け取るように構成されてよい。供給フレーム出口管路270は、供給フレーム周囲シェル上に形成されてよく、および/または水素選択膜206の供給側210に残る混合ガス流の残りの部分を受け取るように構成されてよい。供給フレーム開領域272は、供給フレーム入口管路と供給フレーム出口管路との間に配置されてよい。供給フレーム周囲シェル266は、入口管路および出口管路を供給フレーム開領域と流体連通する複数の溝またはチャンネル(図示されない)を含んでよい。チャンネルは任意の適切な方法を介して周囲シェル上に形成されてよく、および/または供給フレーム開領域260内での混合を引き起こし得る角度の方向など、任意の適切な方向を有してよい。
第1、第2、および/または第3の供給フレーム支持部材は、少なくとも1つの水素選択膜の第1、第2、および/または第3の部分を支持するように構成された任意の適切な構造体を含んでよく、および/または上述したように、他のフレームの第1、第2、および/または第3の支持部材と同様のもの(ミラー)であってよい。さらに、第1、第2、および/または第3の供給フレーム支持部材は、入口管路と出口管路との間で供給フレーム開領域を横切って混合ガス流が流れるとき、混合ガス流の少なくとも一部の流れの方向を変更するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。第1および/または第2の供給フレーム支持部材もまた、供給フレーム開領域内部での乱流または混合を促進するように構成されてよい。例えば、第1および/または第2の供給フレーム支持部材なしで、入口管路と出口管路との間で供給フレーム開領域を横切る混合ガス流の少なくとも一部の流れが、少なくとも第1の方向(図示されない)に移動し得る。第1および/または第2の供給フレーム膜支持構造体は、混合ガス流の少なくとも一部の流れを、少なくとも第1の方向から、第1の方向とは異なる少なくとも第2の方向(図示されない)に、変更するように構成されてよい。
第1、第2、および/または第3の供給フレーム支持部材は、例えば、供給フレーム周囲シェルに取り付けられた少なくとも1つの供給フレーム突出部または指状部302の形態であってよく、および/または供給フレーム周囲シェルを備えて形成されてよい。供給フレーム突出部は、周囲シェルから任意の適切な方向に延在してよい。例えば、供給フレーム突出部は、混合ガス流の少なくとも一部が入口管路から供給フレーム開領域に向かって流れる方向に対して、概して垂直な(および/または概して平行な)方向に、供給フレーム周囲シェルから延在してよい。例えば、もしも入口管路から供給フレーム開領域に向かう混合ガス流の流れが概して水平方向である場合、供給フレーム突出部は、供給フレーム周囲シェルから概して直角方向および/または水平方向に延在してよい。
透過フレーム262は、少なくとも1つの水素選択膜が、第1端部フレームおよび第2端部フレームのうち1つと透過フレームとの間、または2つの水素選択膜の間に配置されるように、位置決めされてよい。透過フレームは、図5に示されるように、透過フレーム周囲シェル304、透過フレーム出口管路306、透過フレーム開領域308、および膜支持構造体286を含んでよい。
透過フレーム周囲シェルは、任意の適切な構造体を含んでよい。例えば、透過フレーム周囲シェルは、図6に示されるように、第1のセクションまたは第1の周囲シェル310および第2のセクションまたは第2の周囲シェル312を含んでよい。第1および第2のセクションは、周囲シェルの第1および第2の半分であってよく、またはその周囲シェルの任意の適切な部分であってよい。さらに、第1および/または第2のセクションは、互いからのオフセットなど、互いに任意の適切な関係にあるチャンネルまたは溝(図示されない)を含んでよい。第1のセクション310および第2のセクション312は、これらのセクションの間に気密シールを形成するための任意の適切な方法を介して結合されてよい。例えば、透過フレームガスケット314が、これらのセクションの間で使用されてよい。透過フレームガスケットは、透過フレーム262が第1および第2の端部フレームに固定されたとき、図6に示されるように、かつ以下にさらに議論されるように、透過フレーム周囲シェルの厚み316が、膜支持構造体の厚み318に整合する、または実質的に整合する(同じか、または実質的に同じ)ように構成されてよい。
或いは、第1および第2のセクションは互いにろう付けされてよく、または米国特許出願公開第2013/0011301号明細書に記載されるように、第1および第2のセクションを結合するためにレイヤリング金属が使用されてよい。その完全な開示が全ての目的に関して参照によってここに組み込まれる。
ある実施形態において、透過フレーム周囲シェル304は、図7に示されるように、第1のセクション320、第2のセクション322、および第1のセクションと第2のセクションとの間に配置された第3のセクション324を含んでよい。これらのセクションは、周囲シェルの第1の3分の1、第2の3分の1、および第3の3分の1であってよく、またはその周囲シェルの任意の部分であってよい。さらに、第1、第2、および/または第3のセクションは、互いからのオフセットなど、互いに任意の適切な関係にあるチャンネルまたは溝(図示されない)を含んでよい。図7の構成要素が説明の目的で誇張されており、これらの構成要素の相対的な寸法を反映していない場合があることに留意されたい。
第1のセクション320、第2のセクション322、および第3のセクション324は、これらのセクションの間に気密シールを形成する任意の適切な方法によって結合されてよい。例えば、透過フレームガスケット326がこれらのセクションの間で使用されてよい。透過フレームガスケットは、図6に示されるとき、透過フレーム262が第1および第2の端部フレームに固定されるとき、透過フレーム周囲シェルの厚み316が膜支持構造体の厚み318と整合、または実質的に整合(同じ、または実質的に同じ)するように構成されてよい。或いは、第1、第2、および/または第3のセクションは互いにろう付けされてよく、または米国特許出願公開第2013/0011301号明細書に記載されるように、第1、第2、および/または第3のセクションを結合するためにレイヤリング金属が使用されてよい。その完全な開示が全ての目的に関して参照によってここに組み込まれる。
出口管路306が、透過フレーム周囲シェル282上に形成されてよく、膜支持構造体286、透過フレーム開領域308、および/または水素選択膜から透過流を受け取るように構成されてよい。周囲シェル282は、出口管路284を透過フレーム開領域および/または膜支持構造体と流体連通させる複数の溝またはチャンネル(図示されない)を含むことができる。チャンネルは、任意の適切な方法を介して周囲シェル282上に形成されてよく、および/または角度を有する方向など、任意の適切な方向を有してよい。
膜支持構造体286は、水素選択膜の第1、第2、第3、および/または他の部分など、少なくとも1つの水素選択膜を支持するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。ある実施形態において、膜支持構造体は、1つまたは複数の他のフレームと同様の第1、第2、および/または第3の支持部材(図示されない)を含んでよい。或いは、膜支持構造体288は、図6に示されるように、複数の膜支持体プレート328を含んでよい。膜支持体プレートは、開領域の少なくともかなりの部分など、開領域の任意の適切な部分に広がってよい。さらに、膜支持体プレートは、中実な、平坦な、または平面の、貫通孔または孔がない(貫通孔または孔を有さない)、隆起および/または突出部がない(隆起および/または突出部を有さない)ものであってよく、および/または非圧縮性(または実質的に非圧縮性)であってよい。さらに、膜支持体プレートは、透過フレーム周囲シェルに取り付けられなくてよい(または付属していない)。言い換えれば、供給フレームが第1および第2の端部プレートに固定されるとき、供給フレームのみが透過フレーム周囲シェルの開領域内部の所定の位置に膜支持構造体を固定してよい。さらに、膜支持体プレートは、ステンレス鋼などの、任意の適切な材料で作られてよい。
膜支持体プレート328は、図6に示すように、第1の面(または表面)330および第2の反対の面(または反対の表面)332を含んでよい。膜支持体プレートは、図8に示すように、複数の細溝334を含んでよく、細溝は透過流に対して1つ以上の流路を提供する任意の適切な構造体を含んでよい。膜支持体プレート328が表面細溝を含むとき、これらのプレートは「表面溝付きプレート」と呼ばれてよい。細溝は、互いに平行であるなど、任意の適切な方向を有してよい。さらに、細溝334は、図8に示されるように、膜支持体プレートの第1の端336から第2の反対の端338へと(または第3の端から第4の反対の端に)延在してよい。或いは、1つまたは複数の細溝は、第1の端から第2の端の手前まで、第2の端から第1の端の手前まで、第1の端と第2の端との間であるが第1の端および第2の端を含まないように延在するなどしてよい。さらに、細溝334は第1の面上にのみ、第2の面上にのみ、または第1の面および第2の面の両方に、存在してよい。さらに、細溝は、膜支持体プレートの全長さまたは全幅に沿って含まれてよく(図8に示されるように)、長さまたは幅の25%、50%、または75%など、長さまたは幅の任意の適切な部分に沿って存在してよい。
細溝334は、任意の適切な寸法を有してよい。例えば、細溝は、0.005インチから0.020インチの間(または、好ましくは0.010から0.012インチの間)の幅、および0.003から0.020インチの間(または好ましくは0.008から0.012インチ)の深さを有してよい。細溝は、0.003から0.020インチ(または好ましくは0.003から0.007インチ)など、任意の適切な距離で離隔されてよい。細溝は、化学エッチング、機械加工など、任意の適切な方法で製造されてよい。
ある実施形態において、図6に示されるように、膜支持構造体286は、第1の膜支持体プレート340および第2の膜支持体プレート342を含んでよい。第1の膜支持体プレートは、第1の面344および第2の反対の面346を含んでよい。第2の膜支持体プレート342は、第1の面348および第2の反対の面349を含んでよい。第1および/または第2の膜支持体プレートの第1の面は細溝334を含んでよい。さらに、第1および第2の膜支持体プレートの第2の面は互いに向かう方向に向いていてよい。言い換えれば、第1および第2の膜支持体プレートは、第1の膜支持体プレートの第2の面が第2の膜支持体プレートの第2の面と対向するように、および/または逆もまた同様に、膜支持構造体内で積み重ねられてよい。ある実施形態において、第1の膜支持体プレートの第2の面は、第2の膜支持体プレートの第2の面と接触してよい。
ある実施形態において、膜支持構造体は第3の膜支持体プレート350を含んでよく、これは図9に示されるように、第1の膜支持体プレートと第2の膜支持体プレートとの間に配置されてよい。図9の構成部品は説明の目的で誇張されており、これらの構成要素の相対的な寸法を反映していない場合がある。膜支持構造体は、第3の膜支持体プレートが第1および/または第2の膜支持体プレートの第2の面に接触するように積層された第1、第2、および第3の膜支持体プレートを含んでよい。第3の膜支持体プレートが、第1および第2の膜支持体プレートの間に配置されるとき、第3の膜支持体プレートは「センタープレート」と呼ばれる場合がある。第3の膜支持体プレートは、その面の一方または両方に細溝を含まない場合がある。第1、第2、および第3の膜支持体プレートは、任意の適切な寸法を有してよい。例えば、第1および第2の膜支持体プレートは0.060インチであってよく、一方で第3の膜支持体プレートは0.105インチであってよい。
前述したように、透過フレームガスケット314および/または326は、透過フレームが第1および第2の端部フレームに固定され、および/または圧縮されるとき、透過フレームの厚みが膜支持構造体の厚みと整合するように構成されてよい。これらのガスケットは、圧縮の前に、膜支持構造体の厚みと比較して大きな厚みをもたらす場合がある。圧縮限界が15から50%である透過フレームガスケットに柔軟なグラファイトガスケットが使用されるとき、透過フレームガスケットは、圧縮の前に、これらの圧縮限界の範囲内で、所定の最終厚みをもたらす厚みを有してよい。透過フレームがそのようなガスケットを含むとき、透過フレームは「自己調整透過フレーム」と呼ばれる場合がある。供給フレームを通じた圧縮(1000から2000psiの圧縮下など)によるアセンブリの間、自己調整透過フレームが圧縮されるとき、供給フレームと水素選択膜との間に気密シールを形成し、透過フレームに対する供給フレームの圧縮力は、供給フレームが水素選択膜に接触するとき、阻止され得、マイクロスクリーン構造体、および膜支持構造体は、共に、非圧縮性の構成要素の群または積層体を概して形成し得る。
一例として、もしも膜支持構造体が0.257インチの厚みを有する場合、透過フレームは理想的には正確にまたは約0.257インチの厚みを有するだろう。透過フレーム周囲シェルは、互いに、例えば0.120インチの厚みの、2つのセクションを含み、透過フレームガスケットは圧縮の後0.017インチの厚みであるように構成されるだろう。例えば、圧縮前に0.030インチの厚みである透過フレームガスケットが、圧縮後、0.017インチの厚みに、その圧縮限界の範囲内で、圧縮されてよく、これにより透過フレームの厚みが膜支持構造体の厚みと整合するようになるだろう。膜支持構造体286が膜支持体プレート328を含むように示されるが、膜支持構造体は、ワイヤメッシュおよび/または貫通孔を有する金属シート(図示されない)を含んでよい。
図4に示されるように、フレーム224もまた、ガスケットまたはガスケットフレーム264を含んでよい。ガスケットフレームは、第1および第2の端部プレート200および202と供給フレーム260との間、供給フレーム260と水素選択膜206との間、水素選択膜(およびマイクロスクリーン構造体)と透過フレーム262との間など、他のフレームの間に液密界面を提供するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。ガスケットフレーム264のための適切なガスケットの例として、柔軟なグラファイトのガスケットが挙げられる。適切なガスケット材料の他の例は、Flexitallic LP(Deer Park、Texas)によって販売されるTHERMICULITE(登録商標)866である。フレーム224は2つの供給フレーム260および単一の透過フレーム262を含むとして示されるが、フレームは任意の適切な数の供給フレームおよび透過フレームを含んでよい。さらに、水素精製装置196は2つの水素選択膜206を含むとして示されるが、装置は任意の適切な数のこれらの膜を含んでよい。
1つまたは複数のフレーム224が、直角方向にのみ、または水平方向にのみ延在する突出部を含むように示されるが、フレームは、それに加えて、またはその代わりに、水平に、直角に、および/または、対角線など、他の適切な方向に延在した突出部を含んでよい。さらに、1つまたは複数のフレーム224が3つの突出部を含むように示されているが、フレームは、1つ、2つ、4つ、5つ、またはそれより多い突出部を含んでよい。さらに、1つまたは複数のフレーム224は、第1、第2、および/または第3の支持平面内で同一平面上にある突出部を含むように示されるが、フレームは、第4、第5、またはそれ以上の支持平面内で同一平面上にある突出部を、さらに、または代わりに、含んでよい。
水素生成アセンブリ20の他の例が、図10の354で、概して示される。特に除外されない限り、水素生成アセンブリ354は、本開示において記載される1つ以上の他の水素生成アセンブリの1つ以上の構成要素を含んでよい。水素生成アセンブリは、燃料電池、水素炉など、1つ以上の水素を消費する装置356に水素を提供、または供給し得る。水素生成アセンブリ354は、例えば、燃料処理アセンブリ358および製品水素管理システム360を含んでよい。
燃料処理アセンブリ358は、水蒸気改質、オートサーマル改質、電気分解、熱分解、部分酸化、プラズマ改質、光触媒水分解、硫黄−ヨウ素サイクルなどの、1つ以上の適切なメカニズムを介して、1つ以上の供給流364から、1つ以上の製品水素流362(1つ以上の水素ガス流など)を生成するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。例えば、燃料処理アセンブリ358は、改質装置、電解装置などの、1つ以上の水素生成リアクタ366を含んでよい。供給流364は、1つ以上の供給デリバリーシステム(図示されない)から、1つ以上の供給管路368を介して、燃料処理アセンブリに運ばれてよい。
燃料処理アセンブリ358は、運転モードおよびスタンバイモードなど、複数のモードの間で動作可能であるように構成されてよい。運転モードにおいて、燃料処理アセンブリは、供給流から製品水素流を製造または生成してよい。例えば、運転モードにおいて、原料デリバリーシステムは、供給流を燃料処理アセンブリに運んでよく、および/または他の操作を実施してよい。さらに、運転モードにおいて、燃料処理アセンブリは、供給流を受け取ってよく、加熱アセンブリを介して燃料流を燃焼してよく、蒸発領域を介して供給流を蒸発してよく、水素製造領域を介して出口流を生成してよく、精製領域を介して製品水素流および副生成物流を生成してよく、および/または他の動作を実施してよい。
スタンバイモードにおいて、燃料処理アセンブリ358は、供給流から製品水素流を製造しなくてよい。例えば、スタンバイモードにおいて、原料デリバリーシステムは、供給流を燃料処理アセンブリに運ばなくてよく、および/または他の動作を実施しなくてよい。さらに、スタンバイモードにおいて、燃料処理アセンブリは、供給流を受け取らなくてよく、加熱アセンブリを介して燃料流を燃焼しなくてよく、蒸発領域を介して供給流を蒸発しなくてよく、水素製造領域を介して出口流を生成しなくてよく、精製領域を介して製品水素流および副生成物流を生成しなくてよく、および/または他の動作を実施しなくてよい。スタンバイモードは、燃料処理アセンブリの電源を落としているとき、または燃料処理アセンブリに電気が供給されていないときを含んでよい。
ある実施形態において、複数のモードは、1つまたは複数の低減された出力のモードを含んでよい。例えば、燃料処理アセンブリ358は、運転モード(例えば最大出力レートで、または通常の出力レートで)にあるとき、第1の出力レートで製品水素流362を製造または生成してよく、かつ低減された出力モード(例えば最小の出力モードで)にあるとき、第1のレートと比較して低い(または高い)第2、第3、第4、またはそれ以上のレートで製品水素流を製造または生成してよい。
製品水素管理システム360は、燃料処理アセンブリ358によって生成される製品水素を管理するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。さらに、製品水素管理システムは、水素消費装置356に使用することができる任意の適切な量の製品水素を保持するために、燃料処理アセンブリ358と相互に作用するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。例えば、製品水素管理システム360は、製品管路370、バッファタンク372、バッファタンク管路374、センサアセンブリ376、および制御アセンブリ378を含んでよい。
製品管路370は、燃料処理アセンブリ358およびバッファタンク372に流体連通するように構成されてよい。バッファタンク372は、所定の量または体積の製品水素流を保持するように、および/または1つまたは複数の水素消費装置356に製品水素流を提供するように、製品管路370を介して製品水素流362を受け取るように構成されてよい。ある実施形態において、バッファタンクは低圧バッファタンクであってよい。バッファタンクは、水素消費装置による予想されるまたは実際の水素消費、水素生成リアクタ、燃料処理アセンブリのサイクル特性など、1つまたは複数の因子に基づく任意の適切な寸法であってよい。
ある実施形態において、バッファタンク372は、水素消費装置の最短作動時間、および/または蒸発領域、水素製造領域、および/または精製領域の最短作動時間など、燃料消費アセンブリの最短作動時間の間十分な水素を提供するように寸法が決められてよい。例えば、バッファタンクは、燃料処理アセンブリが作動する2分、5分、10分、またはそれ以上の間に対して寸法が決められてよい。バッファタンク管路374は、バッファタンク372および水素消費装置356と流体連通するように構成されてよい。
センサアセンブリ376は、バッファタンク内の1つまたは複数の操作変数および/またはパラメータを検知および/または測定するように、および/または検知されたおよび/または測定された操作変数および/またはパラメータに基づく1つまたは複数の信号を生成するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。例えば、センサーアセンブリは、質量、体積、流れ、温度、電流、圧力、屈折率、熱伝導性、密度、粘度、光学的吸光度、導電性、および/または他の適切な変数、および/またはパラメータを検知してよい。ある実施形態において、センサアセンブリは、1つまたは複数のトリガリングイベントを検知してよい。
例えば、センサアセンブリ376は、圧力、温度、流速、体積、および/または他のパラメータを検知するように構成された1つまたは複数のセンサー380を含んでよい。センサー380は、例えば、バッファタンク内の1つまたは複数の適切な操作変数、パラメータ、および/またはトリガリングイベントを検知するように構成された少なくとも1つのバッファタンクセンサー382を含んでよい。バッファタンクセンサーは、例えば、バッファタンク内の圧力を検知し、および/または検知された圧力に基づき1つ以上の信号を検知するように構成されてよい。例えば、製品水素が、バッファタンク内部に入る流速以上の流速でバッファタンクから引き抜かれない限り、バッファタンクの圧力は増加し得、タンクセンサーはバッファタンク内の圧力の増加を検知し得る。
制御アセンブリ378は、センサアセンブリによって検知されたおよび/または測定された操作変数および/またはパラメータに少なくとも部分的に基づくなど、センサアセンブリ376からの入力に、少なくとも部分的に基づき、燃料処理アセンブリ358を制御するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。制御アセンブリ378は、センサアセンブリ376からのみ入力を受け取ってよく、または制御アセンブリは水素生成アセンブリの他のセンサアセンブリから入力を受け取ってよい。
ある実施形態において、燃料処理アセンブリ358は、水素生成リアクタ366(水素生成領域385など)および燃焼処理アセンブリ358の水素選択膜387に隣接するおよび/または熱連通する複数のヒーター383を含むことができる。ヒーターは、燃料処理アセンブリの筐体の内側または外側にあってよい。これらの実施形態において、制御アセンブリは、ヒーターと通信し、および/またはヒーターを作動し、燃料処理アセンブリがスタンバイモードにあるとき、水素製造領域および/または水素選択膜を所定の温度または温度範囲に保持する。例えば、ヒーターは水素製造領域および水素選択膜を300から450℃の範囲に保持してよい。
水素製造領域および水素選択膜を高温に保持するためにヒーターが使用されるとき、スタンバイモードは「ホットスタンバイモード」または「ホットスタンバイ状態」と呼ばれることがある。燃料処理アセンブリは、燃料処理アセンブリがシャットダウンモードまたはシャットダウン状態から開始している場合と比較して、少ない時間遅れの範囲で、ホットスタンバイモードから運転モードにおいて製品水素流を製造することができ得る。例えば、燃料処理アセンブリは、ホットスタンバイモードから運転モードに切り替えられたとき、約5分以内に製品水素流を製造することができ得る。
制御アセンブリ378は、燃料処理アセンブリのみを制御してよく、または制御アセンブリは水素生成アセンブリの1つまたは複数の他の構成要素を制御してよい。制御アセンブリは、通信リンケージ384を介して、センサアセンブリ、燃料処理アセンブリ、製品バルブアセンブリ(以下にさらに説明される)、および/または戻りバルブアセンブリ(以下にさらに説明される)と通信してよい。通信リンケージ384は、入力信号、コマンド信号、測定パラメータなど、対応する装置の間の一方向または双方向通信のための任意の適切な有線および/または無線の機構であってよい。
制御アセンブリ378は、例えば、バッファタンク372内の検知された圧力に少なくとも部分的に基づき、運転モードとスタンバイモードとの間で燃料処理アセンブリ358を操作するように構成されてよい。例えば、制御アセンブリ378は、バッファタンク内の検知された圧力が所定の最大圧力よりも大きいとき、スタンバイモードにおいて燃料処理アセンブリを操作するように構成されてよく、および/またはバッファタンク内の検知された圧力が所定の最小圧力よりも低いとき、運転モードにおいて燃料処理アセンブリを操作するように構成されてよい。
所定の最大および最小圧力は、任意の適切な最大および最小圧力であってよい。これらの所定の圧力は、独立に設定されてよく、および/または他の所定の圧力および/または他の所定の変数に関係なく設定されてよい。例えば、所定の最大圧力は、製品水素管理システムからの背圧を理由とする燃料処理アセンブリ内の過剰な圧力を防ぐなど、燃料処理アセンブリの圧力範囲の操作に基づき設定されてよい。さらに、所定の最小圧力は、水素消費装置により必要とされる圧力に基づき設定されてよい。或いは、制御アセンブリ378が、所定の圧力差の範囲内(燃料処理アセンブリとバッファタンクとの間および/またはバッファタンクと水素消費装置との間など)では運転モードで、所定の圧力差の範囲外のときスタンバイモードで作動するように、燃料処理アセンブリを操作してよい。
ある実施形態において、製品水素管理システム360は、製品管路370内の流れを管理および/または方向付ける任意の適切な構造体を含んでよい製品バルブアセンブリ386を含んでよい。例えば、製品バルブアセンブリは、388で示されるように、製品水素流が燃料処理アセンブリからバッファタンクに流れることを可能にし得る。さらに、製品バルブアセンブリ386は、390で示されるように、燃料処理アセンブリ358から製品水素流362を抜き出すように構成されてよい。抜き出された製品水素流は、大気中に放出されてよく、および/または抜き出された製品水素の管理システム(図示されない)に放出されてよい。
製品バルブアセンブリ386は、例えば、燃料処理アセンブリからの製品水素流が製品管路を通ってバッファタンク内部へと流れるフロー位置と、燃料処理アセンブリからの製品水素流が抜き出されるベント位置との間で作動するように構成された1つまたは複数のバルブ392を含んでよい。バルブ392は、バッファタンクの前に、製品管路の任意の適切な位置に沿って配置されてよい。
制御アセンブリ378は、例えばセンサアセンブリからの入力に基づき、製品バルブアセンブリを作動するように構成されてよい。例えば、制御アセンブリは、燃料処理アセンブリがスタンバイモードであるとき、燃料処理アセンブリからの製品水素流を抜き出すために、製品バルブアセンブリ(および/またはバルブ392)を管理または制御してよい。さらに、制御アセンブリ378は、燃料処理アセンブリ358が運転モードであるか、および/または減出力モードであるとき、製品水素流が燃料処理アセンブリからバッファタンクへと流れることを可能とするように、製品バルブアセンブリ386(および/またはバルブ392)を管理または制御してよい。
ある実施形態において、製品水素管理システム360は、図10に示されるように、バッファタンク372と燃料処理アセンブリ358とを流体連通する戻り管路394を含んでよい。例えば、戻り管路は、製品管路(バッファタンクと隣接するなど)および燃料処理アセンブリと流体連通してよく、これは製品水素流が燃料処理アセンブリに戻ることを可能にし得る。戻り管路は、燃料処理アセンブリの任意の適切な部分と流体連通してよい。例えば、燃料処理アセンブリが水素製造領域78、1つまたは複数の水素精製膜(または水素選択膜)116、および水素製造領域および水素選択膜と流体連通するリフォーメート管路396を含むとき、戻り管路394は、図2に示されるように、バッファタンクおよびリフォーメート管路を流体連通させてよい。戻り管路が熱ガスフィルタ114の下流に接続されるように示されているが、戻り管路は熱ガスフィルタおよび/または燃料処理アセンブリの任意の適切な部分の上流に接続されてもよい。
戻り管路394を含む実施形態において、製品水素管理システム360もまた、戻りバルブアセンブリ398を含んでよく、戻りバルブアセンブリ398は、戻り管路394内で流れを管理および/または方向付けるように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。例えば、戻りバルブアセンブリは、400で示されるように、製品水素流が、バッファタンクから燃料処理アセンブリへと流れることを可能にしてよい。
戻りバルブアセンブリ398は、例えば、バッファタンクからの製品水素流が戻り管路を通って燃料処理アセンブリ内部へと流れる開位置と、バッファタンクからの製品水素流が戻り管路を通って燃料処理アセンブリ内部へと流れることがない閉位置との間で作動するように構成された1つまたは複数のバルブ402を含んでよい。バルブ402は、燃料処理アセンブリの前に、戻り管路の任意の適切な位置に沿って配置され得る。
制御アセンブリ378は、例えば、センサアセンブリからの入力に基づいて、戻りバルブアセンブリを作動するように構成されてよい。例えば、制御アセンブリは、燃料処理アセンブリ358がスタンバイモードにあるとき、戻りバルブアセンブリ(および/またはバルブ402)を管理または制御して、製品水素流がバッファタンクから燃料処理アセンブリへと流れることを可能にしてよい。ある実施形態において、制御アセンブリは、燃料処理アセンブリがスタンバイモードにあるとき、戻りバルブアセンブリおよび/またはバルブ402を管理または制御して、1つ以上の所定の期間および/または1つ以上の所定の時間間隔、製品水素流がバッファタンクから燃料処理アセンブリへと流れることを可能にしてよい。所定の期間および/または所定の時間間隔は、水素選択膜以外の燃料処理アセンブリの構成要素への製品水素流の流れを防ぐまたは最小にすること、および/またはこれらの構成要素への製品水素流の流れを防ぐことに基づいていてよい。例えば、所定の期間は、バルブが開位置にある0.1から10秒間であってよく、一方で所定の期間は1から12時間であってよい。所定の期間が0.1から10秒の間であるとき、燃料処理アセンブリへの製品水素流の導入(水素選択膜の上流など)は、「水素バープ」と呼ばれることがある。
水素生成アセンブリ20の他の例が図11において404で概して示される。特に除外されない場合、水素生成アセンブリ404は、本開示において記載される1つまたはそれ以上の他の水素生成アセンブリの1つまたはそれ以上の構成要素を含んでよい。水素生成アセンブリは、燃料電池、水素炉などの、1つまたは複数の水素消費装置406に水素を提供または供給してよい。水素生成アセンブリ404は、例えば、燃料処理アセンブリ408および製品水素管理システム410を含んでよい。燃料処理アセンブリ408は、1つまたは複数の供給流418から1つまたは複数の適切なメカニズムを介して1つまたは複数の製品水素流416(1つまたは複数の水素ガス流など)を生成するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。
製品水素管理システム410は、燃料処理アセンブリ408によって生成された製品水素を管理するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。さらに、製品水素管理システムは、水素消費装置406に利用することができる任意の適切な量の製品水素を保持するために燃料処理アセンブリ408と相互作用するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。例えば、製品水素管理システム410は、製品管路420、バッファタンク422、バッファタンク管路424、バッファタンクセンサアセンブリ426、製品バルブアセンブリ428、戻り管路430、戻りバルブアセンブリ432、および制御アセンブリ434を含んでよい。
製品管路420は、燃料処理アセンブリをバッファタンク422に流体連通させるように構成されてよい。製品管路は、チェックバルブ(チェックバルブ436など)、制御バルブ、および/または他の任意のバルブなどの、任意の適切な数のバルブを含んでよい。チェックバルブ436は、燃料処理アセンブリに向かうバッファタンクからの逆流を防ぎ得る。チェックバルブは、1psi以下など、任意の適切な圧力で開いてよい。バッファタンク422は、製品管路420を介して、製品水素流416を受け取るように構成されてよく、所定の量または体積の製品水素流を保持する、および/または1つまたは複数の水素消費装置406に製品水素流を提供する。
バッファタンク管路424は、バッファタンク422および水素消費装置406を流体連通するように構成されてよい。バッファタンク管路は、チェックバルブ、制御バルブ、および/または他の任意のバルブなど、任意の適切な数のバルブを含んでよい。例えば、バッファタンク管路は、1つ以上の制御バルブ438を含んでよい。制御バルブ438は、バッファタンクおよび/または水素生成アセンブリの他の構成要素を分離することを可能にしてよい。制御バルブは、例えば、制御アセンブリ434および/または他の制御アセンブリによって制御されてよい。
タンクセンサアセンブリ426は、バッファタンク内の1つまたは複数の適切な操作変数および/またはパラメータを検知および/または測定し、検知されたおよび/または測定された操作変数および/またはパラメータに基づき1つまたは複数の信号を生成するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。例えば、バッファタンクセンサアセンブリは、質量、体積、流れ、温度、電流、圧力、屈折率、熱導電性、密度、粘度、吸光度、導電性、および/または他の適切な変数、および/またはパラメータを検知し得る。ある実施形態において、バッファタンクセンサアセンブリは1つ以上のトリガリングイベントを含んでよい。例えば、バッファタンクセンサアセンブリ426は、圧力、温度、流速、体積、および/または他のパラメータを検知するように構成された1つまたは複数のタンクセンサー440を含んでよい。バッファタンクセンサー440は、例えば、バッファタンク内の圧力を検知し、および/または検知された圧力に基づいて1つまたは複数の信号を生成するように構成されてよい。
製品バルブアセンブリ428は、製品管路420内で流れを管理および/または方向付ける任意の適切な構造体を含んでよい。例えば、製品バルブアセンブリは、442で示されるように、製品水素流が、燃料処理アセンブリからバッファタンクに流れることを可能にし得る。さらに、製品バルブアセンブリ428は、444で示されるように、燃料処理アセンブリ408から製品水素流416を抜き出すように構成されてよい。抜き出された製品水素流は、大気に放出されてよく、および/または抜き出された製品水素を、戻りバルブアセンブリに加えて(またはその代わりに)、燃料処理アセンブリに戻す放出を含む、抜き出された製品水素管理システム(図示されない)に放出されてよい。
製品バルブアセンブリ428は、例えば三方電磁弁446を含んでよい。三方電磁弁は、ソレノイド448および三方弁450を含んでよい。三方弁は、複数の位置の間を動くように構成されてよい。例えば、三方弁450は、流れ位置とベント位置との間で動くように構成されてよい。流れ位置において、製品水素流は、442で示すように、燃料処理アセンブリからバッファタンクへと移動することを可能とされる。ベント位置において、444で示されるように、燃料処理アセンブリからの製品水素流は抜き取られる。さらに、三方弁は、バルブがベント位置にあるとき、バッファタンクを製品水素流から分離するように構成されてよい。ソレノイド448は、制御アセンブリ434および/または他の制御アセンブリから受け取った入力に基づき、流れ位置とベント位置との間でバルブ450を動かすように構成されてよい。
戻り管路430は、バッファタンク422および燃料処理アセンブリ408を流体連通するように構成されてよい(燃料処理アセンブリのリフォーメート管路など)。戻り管路は、チェックバルブ(チェックバルブ454など)、制御バルブ、および/または他の適切なバルブなど、任意の適切な数のバルブを含んでよい。チェックバルブ454は、燃料処理アセンブリからバッファタンクに向かう逆流を防いでよい。チェックバルブは、任意の適切な圧力で開いてよい。ある実施形態において、戻り管路430は、戻り管路を通る流れを制限するように構成された流れ制限オリフィス456を含んでよい。流れ制限オリフィスは、戻りバルブアセンブリの電磁弁の上流または下流であってよい。さらに、流れ制限オリフィス456は、0.005インチから0.035インチなど、任意の適切な寸法であってよく、好ましくは0.010インチである。
戻りバルブアセンブリ432は、戻り管路430内の流れを管理および/または方向付ける任意の適切な構造体を含んでよい。例えば、戻りバルブアセンブリは、458で示されるように、製品水素流がバッファタンクから燃料処理アセンブリに流れることを可能にしてよい。戻りバルブアセンブリ432は、例えば、電磁弁460を含んでよい。電磁弁はソレノイド462およびバルブ464を含んでよい。このバルブは複数の位置の間を動くように構成されてよい。例えば、バルブ464は、開位置と閉位置との間を動くように構成されてよい。開位置において、製品水素流は、458で示されるように、バッファタンクから燃料処理アセンブリへと流れることが可能となる。閉位置において、製品水素流は、バッファタンクから燃料処理アセンブリへと流れることが可能ではない(または流れが抑制される)。さらに、バルブが閉位置にあるとき、バルブはバッファタンクを分離するように構成されてよい。ソレノイド462は、制御アセンブリ434および/または他の制御アセンブリから受け取った入力に基づいて開位置と閉位置との間をバルブ464が動くように構成されてよい。
制御アセンブリ434は、例えばバッファタンクセンサアセンブリによる検知されたおよび/または測定された操作変数および/またはパラメータに少なくとも部分的に基づくなど、バッファタンクセンサアセンブリ426からの入力に少なくとも部分的に基づき、燃料処理アセンブリ408、製品バルブアセンブリ428、および/または戻りバルブアセンブリ432を制御するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。制御アセンブリ434は、バッファタンクセンサアセンブリ426からのみ入力を受け取ってよく、および/または制御アセンブリは水素生成アセンブリの他のセンサアセンブリから入力を受け取ってよい。さらに、制御アセンブリ434は、燃料処理アセンブリのみ、製品バルブアセンブリのみ、戻りバルブアセンブリのみ、燃料処理アセンブリおよび製品バルブアセンブリの両方のみ、燃料処理アセンブリおよび戻りバルブアセンブリの両方のみ、製品バルブアセンブリおよび戻りバルブアセンブリの両方のみ、または燃料処理アセンブリ、製品バルブアセンブリ、および/または水素生成アセンブリの1つまたは複数の他の構成要素を制御してよい。
制御アセンブリ434は、通信リンク466を介して、燃料処理アセンブリ、バッファタンクセンサアセンブリ、製品バルブアセンブリ、および/または戻りバルブアセンブリを通信してよい。通信リンク466は、例えば入力信号、命令信号、測定されたパラメータなど、対応する装置間の、一方向または双方向の通信のための任意の適切な有線および/または無線の機構であってよい。
制御アセンブリ434は、例えば、バッファタンク438内の検知された圧力に少なくとも部分的に基づき、運転モードおよびスタンバイモード(および/または減出力モード)の中でまたは間で、燃料処理アセンブリ408を操作するように構成されてよい。例えば、制御アセンブリ434は、バッファタンク内の検知された圧力が所定の最大圧力を超えるとき、スタンバイモードにおいて燃料処理アセンブリを操作するように、バッファタンク内の検知された圧力が所定の最大圧力よりも低いときおよび/または所定の操作圧力よりも高いとき、燃料処理アセンブリを1つまたは複数の減出力モードで操作するように、および/またはバッファタンク内の検知された圧力が所定の操作圧力および/または所定の最小圧力よりも低いとき、燃料処理アセンブリを運転モードで操作するように、構成されてよい。所定の最大および最小圧力および/または所定の操作圧力は任意の圧力であってよい。例えば、上述の圧力の1つまたは複数が、燃料処理アセンブリ、バッファタンクにおける製品水素、および/または水素消費装置の圧力に対する必要性に関する圧力の所定の範囲に基づき独立に設定されてよい。或いは、制御アセンブリ434は、燃料処理アセンブリが、圧力差(燃料処理アセンブリとバッファタンクとの間など)の所定の範囲内において運転モードで、および圧力差の所定の範囲外のとき、減出力モードおよび/またはスタンバイモードで、作動するように操作してよい。
さらに、制御アセンブリ434は、例えばセンサアセンブリ426からの入力に基づき、製品バルブアセンブリを作動するように構成されてよい。例えば、制御アセンブリは、燃料処理アセンブリがスタンバイモードにあるとき、ベント位置へと三方弁450を動かすようにソレノイド448を管理または制御してよい。さらに、制御アセンブリ434は、燃料処理アセンブリ408が運転モードにあるとき、三方弁450を流れ位置に動かすようにソレノイドを管理または制御してよい。
さらに、制御アセンブリ434は、例えばセンサアセンブリ426からの入力に基づいて、戻りバルブアセンブリを作動するように構成されてよい。例えば、制御アセンブリは、燃料処理アセンブリがスタンバイモードにあるとき、バルブ464を開位置へと動かすようにソレノイド462を管理または制御してよい。制御アセンブリ434は、所定の期間および/または所定の間隔、バルブ464を開位置へと動かしてよい。さらに、制御アセンブリ434は、所定の期間外および/または所定の間隔外および/または燃料処理アセンブリが運転モードにあるとき、バルブ464を閉位置に動かすようにソレノイド462を管理または制御してよい。
制御アセンブリ434は、第1の制御メカニズム468および第2の制御メカニズム470を含んでよい。第1の制御メカニズムは、例えば燃料処理アセンブリ、バッファタンクセンサアセンブリ、および製品バルブアセンブリと通信してよく、および/または製品バルブアセンブリを制御するように構成されてよい。第2の制御メカニズム470は、例えば燃料処理アセンブリおよび戻りバルブアセンブリと通信してよく、および/または戻りバルブアセンブリを制御するように構成されてよい。制御アセンブリ434が第1および第2の制御メカニズム468および470を含むように示されるが、制御アセンブリは、第1および第2の制御メカニズムの機能の大部分または全てを提供するように構成された信号制御メカニズムを含んでよい。
第1の制御メカニズム468は、例えば、第1のコントローラ472、第1の切り替え装置474、および第1の電源476を含んでよい。第1のコントローラ472は、コンピュータ化された装置、コンピュータ上で実行されるソフトウェア、組み込みプロセッサ、プログラマブルロジックコントローラ、アナログ装置、および/または等価の機能を有する装置など、任意の適切な形態を有してよい。さらに、第1のコントローラは、任意の適切なソフトウェア、ハードウェア、および/またはファームウェアを含んでよい。
第1の切り替え装置474は、第1のコントローラ472がソレノイド448を制御することを可能にするように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。例えば、切り替え装置は、第1のソリッドステートリレーまたは第1のSSR478を含んでよい。第1のソリッドッステートリレーは、第1のコントローラ472が、第1の電源476を介してソレノイド448を操作することを可能にしてよい。例えば、ソレノイド448が24ボルトで制御されるとき、ソリッドステートリレーは、第1のコントローラ472が、ソレノイド448を制御するために、24ボルト以外(5ボルト、12ボルト、48ボルトなど)の電圧信号を使用することを可能にしてよい。第1の電源476は、ソレノイド448を制御するのに十分な電力を提供するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。例えば、第1の電源476は、1つまたは複数の電池、1つまたは複数の太陽電池パネルなどを含んでよい。ある実施形態において、電源は、1つまたは複数の電源コンセントコネクタおよび/または1つまたは複数の整流器(図示されない)を含んでよい。第1のソレノイドおよび第1のコントローラは特定の電圧で作動するように記述されるが、第1のソレノイドおよび第1のコントローラは、任意の適切な電圧で作動してよい。
第2の制御メカニズム470は、例えば、第2のコントローラ480、第2の切り替え装置482、および第2の電源484を含んでよい。第2のコントローラ480は、コンピュータ化された装置、コンピュータ上で実行されるソフトウェア、組み込みプロセッサ、プログラマブルロジックコントローラ、アナログ装置、および/または等価の機能を有する装置など、任意の適切な形態を有してよい。さらに、コントローラは、任意の適切なソフトウェア、ハードウェア、および/またはファームウェアを含んでよい。例えば、第2のコントローラ480は、所定の期間および/または所定の時間間隔でバルブ464を開位置に動かすようにソレノイド462に信号を提供するタイマーリレーを含んでよい。タイマーリレーは、燃料処理アセンブリがスタンバイモードにあるときのみ、通電されてよい。第2の切り替え装置482は、第2のコントローラ480がソレノイド462を制御することを可能にするように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。例えば、第2の切り替え装置は、第2のソリッドステートリレーまたは第2のSSR486を含んでよい。第2のソリッドステートリレーは、第2のコントローラ480が第2の電源484を介してソレノイド462を制御することを可能にしてよい。例えば、ソレノイド462が24ボルトで制御されるとき、ソリッドステートリレーは、第2のコントローラ480が、ソレノイド462を制御するために、24ボルト以外(5ボルト、12ボルト、48ボルトなど)の電圧信号を使用することを可能にしてよい。第2の電源484は、ソレノイド462を制御するのに十分な電力を提供するように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。例えば、第2の電源484は、1つまたは複数の電池、1つまたは複数の太陽電池パネルなどを含んでよい。ある実施形態において、第2の電源は、1つまたは複数の電源コンセントコネクタおよび/または1つまたは複数の整流器(図示されない)を含んでよい。第2のソレノイドおよび第2のコントローラは特定の電圧で作動するように記述されるが、第2のソレノイドおよび第2のコントローラは、任意の適切な電圧で作動してよい。
ある実施形態において、第1および/または第2の制御メカニズム(またはこれらのメカニズムの構成要素)が水素生成アセンブリの他の構成要素を制御するように構成されてよく、および/または他の制御メカニズムおよび/または制御アセンブリに組み込まれてよい。
例えば、第1および/または第2の制御メカニズムは、電源を共有してよい。さらに、第2の制御メカニズムは、水素製造領域および水素選択膜と熱連通するヒーターの作動を制御するように構成されてよく、および/またはそれらのヒーターを制御する制御アセンブリに接続されてよい。
水素生成アセンブリ20の他の例は、図12において488で概して示される。特に除外されない限り、水素生成アセンブリ488は、本開示において記載される1つまたは複数の他の水素生成アセンブリの1つまたは複数の構成要素を含んでよい。図11における水素生成アセンブリ404の構成要素と同様のまたは同一の水素生成アセンブリ488の構成要素が、水素生成アセンブリ404の構成要素と同じ参照番号で提供される。これらの構成要素については既に議論されているので、本開示のこの部分は、水素生成アセンブリ404とは異なる構成要素に注目する。
製品管路420は、フローポーションまたはレッグ489およびベントポーションまたはレッグ491を含んでよい。水素生成アセンブリ488は、製品バルブアセンブリ490を含んでよく、製品バルブアセンブリ490は製品管路420内の流れを管理および/または方向付けるように構成された任意の適切な構造体を含んでよい。例えば、製品バルブアセンブリは、製品水素流416が、燃料処理アセンブリからバッファタンクへと(442で示されるように)流れることを、および/または製品水素流416が、燃料処理アセンブリ408から(444で示されるように)引き抜かれることを可能にしてよい。引き抜かれた製品水素流は、大気および/または引き抜かれた製品水素の管理システム(図示されない)に放出されてよい。
製品バルブアセンブリ490は、例えば、第1のソレノイドバルブ492および第2のソレノイドバルブ494を含んでよい。第1のソレノイドバルブは、第1のソレノイド496および第1のバルブ498を含んでよく、一方で第2のソレノイドバルブは、第2のソレノイド500および第2のバルブ502を含んでよい。第1のバルブは、第1の開位置および第1の閉位置を含む、複数の位置の間を動くように構成されてよい。さらに、第2のバルブは、第2の開位置および第2の閉位置を含む、複数の位置の間を動くように構成されてよい。
第1のバルブが開位置にあるとき、製品水素流は、燃料処理アセンブリからバッファタンクへと流れることが可能である。対照的に、第1のバルブが閉位置にあるとき、バッファタンクは、燃料処理アセンブリからの製品水素流から分離される(または、燃料処理アセンブリからの製品水素流は、バッファタンクへと流れることが可能ではない)。第2のバルブが開位置にあるとき、燃料処理アセンブリからの製品水素流は引き抜かれる。対照的に、第2のバルブが閉位置にあるとき、燃料処理アセンブリからの製品水素流は引き抜かれない。
第1のソレノイド496は、制御アセンブリ434から受け取った入力に基づき、開位置と閉位置との間で第1のバルブ498を動かすように構成されてよい。さらに、第2のソレノイド500は、制御アセンブリから受け取った入力に基づき、開位置と閉位置との間で第2のバルブ502を動かすように構成されてよい。
制御アセンブリ434は、例えばセンサアセンブリからの入力に基づき、製品バルブアセンブリを操作するように構成されてよい。例えば、制御アセンブリは、燃料処理アセンブリがスタンバイモードにあるとき、閉位置の第1のバルブおよび/または開位置の第2のバルブを動かすように第1および/または第2のソレノイドを管理または制御してよい。さらに、制御アセンブリ434は、燃料処理アセンブリ408が運転モードおよび/または減出力モードにあるとき、閉位置の第1のバルブおよび/または開位置の第2のバルブを動かすように第1および/または第2のソレノイドを管理または制御してよい。
本開示の水素生成アセンブリは以下のうち1つまたは複数を含んでよい。
・水素ガスおよび他のガスを含む混合ガス流を受けとるように構成された入口ポートを含む第1および第2の端部フレーム。
・混合ガス流と比較して高い濃度の水素ガスおよび低い濃度の他のガスのうち少なくとも1つを含む透過流を受け取るように構成された出口ポートを含む第1および第2の端部フレーム。
・他のガスの少なくともかなりの部分を含む副生成物流を受け取るように構成された副生成物ポートを含む第1および第2の端部フレーム。
・第1および第2の端部フレームの間に配置され、かつこれらに固定された少なくとも1つの水素選択膜。
・供給側および透過側を有する少なくとも1つの水素選択膜であって、透過流の少なくとも一部は、供給側から透過側へと通過する混合ガス流の一部から形成され、供給側に残る混合ガス流の残りの部分は、副生成物流の少なくとも一部を形成する。
・第1および第2の端部フレームおよび少なくとも1つの水素選択膜の間に配置され、第1および第2の端部フレームに固定された、複数のフレーム。
・少なくとも1つの水素選択膜と第2の端部フレームとの間に配置された少なくとも1つの透過フレームを含む複数のフレーム。
・周囲シェルを含む少なくとも1つの透過フレーム。
・周囲シェル上に形成された出口管路を含み、少なくとも1つの水素選択膜からの透過流の少なくとも一部を受け取るように構成された、少なくとも1つの透過フレーム。
・周囲シェルにより囲まれた開領域を含む少なくとも1つの透過フレーム。
・少なくとも1つの膜支持構造体を含む少なくとも1つの透過フレーム。
・開領域の少なくともかなりの部分に及ぶ少なくとも1つの膜支持構造体。
・少なくとも1つの水素選択膜を支持するように構成された少なくとも1つの膜支持構造体。
・第1および第2の膜支持体プレートを含む少なくとも1つの膜支持構造体。
・貫通孔を持たない、第1および第2の膜支持体プレート。
・透過流の少なくとも一部に流路を提供するように構成された複数の細溝を有する第1の面を有する第1および第2の膜支持体プレート。
・第1の面に向かう第2の面を有する第1および第2の膜支持体プレート。
・少なくとも1つの膜支持構造体中に積み重ねられた第1および第2の膜支持体プレート。
・第1の膜支持体プレートの第2の面が第2の膜支持体プレートの第2の面に向くように、少なくとも1つの膜支持構造体中に積み重ねられた第1および第2の膜支持体プレート。
・非圧縮性の第1および第2の膜支持体プレート。
・平坦な第1および第2の膜支持体プレート。
・第1の端部フレームと少なくとも1つの水素選択膜との間に配置された少なくとも1つの供給フレーム。
・周囲シェルを含む少なくとも1つの供給フレーム。
・少なくとも1つの供給フレームの周囲シェル上に形成された入口管路を含む少なくとも1つの供給フレーム。
・入口ポートからの混合ガス流の少なくとも一部を受け取るように構成された入口管路を含む少なくとも1つの供給フレーム。
・少なくとも1つの供給フレームの周囲シェル上に形成された出口管路を含む少なくとも1つの供給フレーム。
・少なくとも1つの水素選択膜の供給側に残る混合ガス流の少なくとも一部の残りの部分を受け取るように構成された出口管路を含む少なくとも1つの供給フレーム。
・供給フレームの周囲シェルによって囲まれ、入口管路と出口管路との間に配置された、供給フレーム開領域を含む少なくとも1つの供給フレーム。
・少なくとも1つの供給フレームの周囲シェルが、少なくとも1つの透過フレームの周囲シェルおよび少なくとも1つの膜支持構造体の一部を支持するように、寸法が決められた少なくとも1つの供給フレームの周囲シェル。
・複数のフレームの各々のフレームのフレーム平面に垂直な複数の支持平面に沿って、少なくとも1つの供給フレームの周囲シェルが、少なくとも1つの透過フレームの周囲シェルおよび少なくとも1つの膜支持構造体の一部を支持するように、寸法が決められた少なくとも1つの供給フレームの周囲シェル。
・少なくとも1つの水素選択膜と少なくとも1つの透過フレームとの間に配置された少なくとも1つのマイクロスクリーン構造体。
・少なくとも1つの水素選択膜を支持するように構成された少なくとも1つのマイクロスクリーン構造体。
・少なくとも1つのマイクロスクリーン構造体が、透過側に支持を提供するように構成された概して対向する表面を含む。
・少なくとも1つのマイクロスクリーン構造体が、対向する表面の間に延在する複数の流路を含む。
・少なくとも1つのマイクロスクリーン構造体が、少なくとも1つの透過フレームの周囲シェルと接触しないように寸法決めされている。
・少なくとも1つのマイクロスクリーン構造体が、少なくとも1つのマイクロスクリーン構造体と少なくとも1つの透過フレームが第1および第2の端部フレームに固定されるとき、周囲シェルと接触しないように寸法決めされている。
・第3の膜支持体プレートを含む少なくとも1つの膜支持構造体。
・第1および第2の膜支持体プレート間に配置された第3の膜支持体プレート。
・非圧縮性の第3の膜支持体プレート。
・平坦な第3の膜支持体プレート。
・貫通孔を持たない第3の膜支持体プレート。
・細溝を持たない第3の膜支持体プレート。
・第1および第2の周囲シェルを含む透過フレームの周囲シェル。
・第1および第2の周囲シェルの間に配置されたガスケットを含む透過フレームの周囲シェル。
・透過フレーム周囲シェルの厚みが膜支持構造体の厚みと整合するように構成されたガスケット。
・透過フレームが第1および第2の端部フレームに固定されるとき、透過フレーム周囲シェルの厚みが膜支持構造体の厚みと整合するように構成されたガスケット。
・第1、第2、および第3の周囲シェルを含む透過フレーム周囲シェル。
・第1および第2の周囲シェルの間に配置された第1のガスケットを含む透過フレーム周囲シェル。
・第2および第3の周囲シェルの間に配置された第2のガスケットを含む透過フレーム周囲シェル。
・透過フレーム周囲シェルの厚みが膜支持構造体の厚みと整合するように構成された第1および第2のガスケット。
・透過フレームが第1および第2の端部フレームに固定されるとき、透過フレーム周囲シェルの厚みが膜支持構造体の厚みと整合するように構成された第1および第2のガスケット。
・各々が第1および第2の反対の端部を有する第1および第2の膜支持体プレート。
・第1の端部から第2の端部に延在する複数の細溝。
・複数の平行な細溝。
・供給流を受け取るように構成された燃料処理アセンブリ。
・複数のモードの間で操作可能であるように構成された燃料処理アセンブリ。
・燃料処理アセンブリが供給流から製品水素流を生成する運転モード、および燃料処理アセンブリが供給流から製品水素流を生成しないスタンバイモードを含む、複数のモードの間で操作可能であるように構成された燃料処理アセンブリ。
・改質触媒を含む水素製造領域。
・供給流を受け取り、リフォーメート流を製造するように構成された水素製造領域。
・リフォーメート流を受け取るように構成された1つまたは複数の水素選択膜。
・リフォーメート流から製品水素流の少なくとも一部および副生成物流を製造するように構成された1つまたは複数の水素選択膜。
・水素製造領域および1つまたは複数の水素選択膜を流体連通するリフォーメート管路。
・製品水素流を含むように構成されたバッファタンク。
・燃料処理アセンブリおよびバッファタンクを流体連通する製品管路。
・バッファタンクおよびリフォーメート管路を流体連通する戻り管路。
・バッファタンク内で圧力を検知するよう構成されたタンクセンサアセンブリ。
・戻り管路内で流れを管理するよう構成された戻りバルブアセンブリ。
・少なくとも1つのバルブを含む戻りバルブアセンブリ。
・バッファタンクからの製品水素流が戻り管路を通ってリフォーメート管路へと流れる開位置と、バッファタンクからの製品水素流が戻り管路を通って流れずかつリフォーメート管路へと流れない閉位置との間で作動するように構成された少なくとも1つのバルブ。
・水素製造領域および1つまたは複数の水素選択膜と熱連通する複数のヒータ。
・運転モードおよびスタンバイモードの間で燃料処理アセンブリを作動するよう構成された制御アセンブリ。
・バッファタンク内で検知された圧力に少なくとも部分的に基づき、運転モードとスタンバイモードとの間で燃料処理アセンブリを作動するように構成された制御アセンブリ。
・製品水素流がバッファタンクからリフォーメート管路へと流れることを可能にするように戻りバルブアセンブリを管理するように構成された制御アセンブリ。
・燃料処理アセンブリがスタンバイモードにあるとき、製品水素流がバッファタンクからリフォーメート管路へと流れることを可能にするように戻りバルブアセンブリを管理するように構成された制御アセンブリ。
・1つまたは複数の所定の時間間隔で、製品水素流がバッファタンクからリフォーメート管路へと流れることを可能にするように戻りバルブアセンブリを管理するように構成された制御アセンブリ。
・燃料処理アセンブリがスタンバイモードにあるとき、1つまたは複数の所定の時間間隔で、製品水素流がバッファタンクからリフォーメート管路へと流れることを可能にするように戻りバルブアセンブリを管理するように構成された制御アセンブリ。
・1つまたは複数の所定の時間間隔で、所定の期間、製品水素流がバッファタンクからリフォーメート管路へと流れることを可能にするように戻りバルブアセンブリを管理するように構成された制御アセンブリ。
・燃料処理アセンブリがスタンバイモードにあるとき、1つまたは複数の所定の時間間隔で、所定の期間、製品水素流がバッファタンクからリフォーメート管路へと流れることを可能にするように戻りバルブアセンブリを管理するように構成された制御アセンブリ。
・所定の期間、かつ所定の時間間隔で、少なくとも1つのバルブを開位置に動かすように構成された制御アセンブリ。
・燃料処理アセンブリがスタンバイモードにあるとき、所定の期間、かつ1つまたは複数の所定の時間間隔で、少なくとも1つのバルブを開位置に動かすように構成された制御アセンブリ。
・水素製造領域および1つまたは複数の水素選択膜を所定の温度範囲に維持するように、複数のヒーターを作動するように構成された制御アセンブリ。
・燃料処理アセンブリがスタンバイモードにあるとき、水素製造領域および1つまたは複数の水素選択膜を所定の温度範囲に維持するように、複数のヒーターを作動するように構成された制御アセンブリ。
産業上利用性
水素生成アセンブリ、水素精製装置、およびこれらのアセンブリおよび装置の構成要素を含む本開示は、水素ガスが精製され、製造され、および/または利用される燃料処理および他の産業に利用可能である。
前述の開示は、独立した有用性を有する複数の異なる発明を包含する。これらの発明の各々がその好ましい形態で開示される一方で、ここに開示され、説明されるその特定の実施形態は、多くの変形が可能であり、限定する意味では考慮されない。本発明の主題は、ここに開示される様々な要素、特徴、機能、および/または特性の、全ての新規かつ非自明な組み合わせおよび部分的組み合わせを含む。同様に、任意の請求項が「1つの」または「第1の」要素またはその等価物を記載し、そのような請求項は、2つまたはそれ以上のそのような要素を要求することも排除することもなく、1つまたは複数のそのような要素の組み込みを含むと理解されるべきである。
特徴、機能、要素、および/または性質の様々な組み合わせおよび部分的組み合わせに具現化される発明は、関連する出願において新たな請求項を表すことを通じて請求されてよい。そのような新たな請求項は、それらが異なる発明に関しようがまたは同じ発明に関しようが、元々の請求項の範囲において異なる、広い、狭い、または同じものであろうが、本開示の発明の主題の範囲内に含まれるとみなされる。
20 水素生成アセンブリ
21 製品水素流
22 原料デリバリーシステム
24 燃料処理アセンブリ
26 供給流
28 燃料流
30 水素製造流
32 水素製造領域
34 出口流
40 精製領域
42 水素リッチ流
46 水素選択膜
48 一酸化炭素除去アセンブリ
50 圧力スイング吸着(PSA)システム
52 加熱アセンブリ
54 排気流
58 着火源
60 バーナーアセンブリ
64 蒸発領域
66 シェルまたはハウジング
70 外側カバーまたはジャケット
72 水素生成アセンブリ
74 原料デリバリーシステム
82 精製領域
96 出口流
99 排気流
100 バーナーアセンブリ
102 送風機
104 点火アセンブリ
106 空気流
108 燃料流
100 バーナーアセンブリ
110 燃焼領域
111 流れ制限オリフィス
114 フィルターアセンブリ
116 膜アセンブリ
118 メタン化反応器アセンブリ
126 制御システム
128 制御アセンブリ
130 バルブ
132 圧力解放バルブ
134 温度測定装置
136 熱交換アセンブリ
146 水素分離領域
148 筐体
160 混合ガス領域
162 透過領域
164 入口ポート
166 流体流
168 混合ガス流
170 水素ガス
172 他のガス
174 生成物出口ポート
176 透過流
180 スイープガスポート
182 副生成物出口ポート
184 副生成物流
186 水素選択膜
196 水素精製装置
206 水素選択膜
208 マイクロスクリーン構造体
224 複数のプレートまたはフレーム
226 周囲シェル
230 開領域
232 フレーム平面
262 透過フレーム
266 供給フレーム周囲シェル
284 供給フレームガスケット
286 膜支持構造体
288 供給フレーム支持平面
294 周囲シェルの部分
300 供給フレーム平面
304 透過フレーム周囲シェル
306 出口管路
308 透過フレーム開領域
326 透過フレームガスケット
328 膜支持体プレート
334 細溝
408 燃料処理アセンブリ
420 製品管路
426 センサアセンブリ
434 制御アセンブリ
438 バッファタンク
448 ソレノイド
450 三方弁
488 水素生成アセンブリ
490 製品バルブアセンブリ

Claims (6)

  1. 第1および第2の端部フレームであって、
    水素ガスおよび他のガスを含む混合ガス流を受け取るように構成された入口ポート、
    混合ガス流と比較して高い濃度の水素ガスおよび低い濃度の他のガスの少なくとも1つを含む透過流を受け取るように構成された出口ポート、および
    他のガスの少なくともかなりの部分を含む副生成物流を受け取るように構成された副生成物ポート、
    を含む第1および第2の端部フレームと、

    第1および第2の端部フレームの間に配置され、第1および第2の端部フレームに固定された少なくとも1つの水素選択膜であって、
    供給側と透過側とを有し、透過流の少なくとも一部が、供給側から透過側へと通過する混合ガス流の部分から形成され、供給側に残る、混合ガス流の残りの部分が、副生成物流の少なくとも一部を形成する、
    少なくとも1つの水素選択膜と、

    第1および第2の端部フレームと少なくとも1つの水素選択膜との間に配置され、第1および第2の端部フレームに固定された複数のフレームであって、
    少なくとも1つの水素選択膜と第2の端部フレームとの間に配置された少なくとも1つの透過フレームを含み、
    少なくとも1つの透過フレームが、
    周囲シェル、
    周囲シェル上に形成され、少なくとも1つの水素選択膜から透過流の少なくとも一部を受け取るように構成された出口管路、
    周囲シェルによって囲まれた開領域、および
    開領域の少なくともかなりの部分に及び、少なくとも1つの水素選択膜を支持するように構成された、少なくとも1つの膜支持構造体であって、貫通孔を含まない膜支持構造体、を含む
    複数のフレームと、
    を含み、
    複数のフレームが、少なくとも1つの水素選択膜を支持するように構成された少なくとも1つのマイクロスクリーン構造体をさらに含み、少なくとも1つのマイクロスクリーン構造体が、少なくとも1つの水素選択膜と少なくとも1つの透過フレームとの間に配置され、少なくとも1つのマイクロスクリーン構造体が、透過側に支持を提供するように構成された概して対向する表面、および対向する表面間に延在する複数の流体経路、を含む水素精製装置。
  2. 少なくとも1つの膜支持構造体が、少なくとも1つの膜支持構造体内で積み重ねられた第1および第2の膜支持体プレートを含む、請求項1に記載の装置。
  3. 第1および第2の膜支持体プレートの各々が、貫通孔を持たず、
    透過流の少なくとも一部に関して流路を提供するように構成された複数の細溝を有する第1の面、および
    第1の面の反対の第2の面を含み、
    第1および第2の膜支持体プレートが、第1の膜支持体プレートの第2の面が、第2の膜支持体プレートの第2の面に向くように、少なくとも1つの膜支持構造体中で積み重ねられている、請求項2に記載の装置。
  4. 少なくとも1つのマイクロスクリーン構造体が、ステンレス鋼を含む、請求項1に記載の装置。
  5. 少なくとも1つのマイクロスクリーン構造体が、ステンレス鋼303(アルミニウム修飾された)を含む、請求項4に記載の装置。
  6. ステンレス鋼が、ステンレス鋼と少なくとも1つの水素選択膜との間の金属間拡散を防ぐように構成された酸化アルミニウム層を含む、請求項4に記載の装置。
JP2019084032A 2013-03-14 2019-04-25 水素生成アセンブリおよび水素精製装置 Active JP6700456B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020079526A JP6975286B2 (ja) 2013-03-14 2020-04-28 水素生成アセンブリおよび水素精製装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/829,766 2013-03-14
US13/829,766 US9187324B2 (en) 2012-08-30 2013-03-14 Hydrogen generation assemblies and hydrogen purification devices

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017182239A Division JP6524167B2 (ja) 2013-03-14 2017-09-22 水素生成アセンブリ

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020079526A Division JP6975286B2 (ja) 2013-03-14 2020-04-28 水素生成アセンブリおよび水素精製装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019123669A JP2019123669A (ja) 2019-07-25
JP6700456B2 true JP6700456B2 (ja) 2020-05-27

Family

ID=51625048

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016500545A Active JP6219492B2 (ja) 2013-03-14 2014-03-03 水素生成アセンブリおよび水素精製装置
JP2017182239A Active JP6524167B2 (ja) 2013-03-14 2017-09-22 水素生成アセンブリ
JP2019084032A Active JP6700456B2 (ja) 2013-03-14 2019-04-25 水素生成アセンブリおよび水素精製装置
JP2020079526A Active JP6975286B2 (ja) 2013-03-14 2020-04-28 水素生成アセンブリおよび水素精製装置

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016500545A Active JP6219492B2 (ja) 2013-03-14 2014-03-03 水素生成アセンブリおよび水素精製装置
JP2017182239A Active JP6524167B2 (ja) 2013-03-14 2017-09-22 水素生成アセンブリ

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020079526A Active JP6975286B2 (ja) 2013-03-14 2020-04-28 水素生成アセンブリおよび水素精製装置

Country Status (7)

Country Link
EP (1) EP2969132B1 (ja)
JP (4) JP6219492B2 (ja)
CN (2) CN105163832A (ja)
DK (1) DK2969132T3 (ja)
MX (2) MX2015012252A (ja)
TW (3) TWI607964B (ja)
WO (1) WO2014158749A1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8961627B2 (en) 2011-07-07 2015-02-24 David J Edlund Hydrogen generation assemblies and hydrogen purification devices
US10717040B2 (en) 2012-08-30 2020-07-21 Element 1 Corp. Hydrogen purification devices
US11738305B2 (en) 2012-08-30 2023-08-29 Element 1 Corp Hydrogen purification devices
US9187324B2 (en) 2012-08-30 2015-11-17 Element 1 Corp. Hydrogen generation assemblies and hydrogen purification devices
AU2017383560B2 (en) 2016-12-23 2023-05-25 Carbon Engineering Ltd. Method and system for synthesizing fuel from dilute carbon dioxide source
CN107986232A (zh) * 2017-11-28 2018-05-04 四川亚联高科技股份有限公司 甲醇制取高纯度氢气的方法
TWI700246B (zh) * 2018-01-04 2020-08-01 美商1號組件公司 氫氣淨化裝置
GB201811436D0 (en) * 2018-07-12 2018-08-29 Hydrogen Mem Tech As Gas separation device
TWI661149B (zh) * 2018-09-10 2019-06-01 National Taiwan University Of Science And Technology 儲存及釋放氫氣的方法
WO2020239537A1 (de) * 2019-05-29 2020-12-03 Thyssenkrupp Industrial Solutions Ag Verfahren zum stand-by-betrieb eines primärreformers
BE1027325B1 (de) * 2019-05-29 2021-01-14 Thyssenkrupp Ind Solutions Ag Verfahren zum Stand-by-Betriebs eines Primärreformers
CN111591958A (zh) * 2020-05-22 2020-08-28 力行氢能科技股份有限公司 氢气提纯设备
CN111453699B (zh) * 2020-05-22 2021-08-31 力行氢能科技股份有限公司 一种制氢及氢气提纯装置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5997594A (en) 1996-10-30 1999-12-07 Northwest Power Systems, Llc Steam reformer with internal hydrogen purification
US5861137A (en) 1996-10-30 1999-01-19 Edlund; David J. Steam reformer with internal hydrogen purification
US6221117B1 (en) 1996-10-30 2001-04-24 Idatech, Llc Hydrogen producing fuel processing system
US6319306B1 (en) 2000-03-23 2001-11-20 Idatech, Llc Hydrogen-selective metal membrane modules and method of forming the same
US6494937B1 (en) 2001-09-27 2002-12-17 Idatech, Llc Hydrogen purification devices, components and fuel processing systems containing the same
US6152995A (en) 1999-03-22 2000-11-28 Idatech Llc Hydrogen-permeable metal membrane and method for producing the same
US6537352B2 (en) 1996-10-30 2003-03-25 Idatech, Llc Hydrogen purification membranes, components and fuel processing systems containing the same
DE19860253C1 (de) * 1998-12-24 2000-03-30 Dbb Fuel Cell Engines Gmbh Membranmodul zur selektiven Gasabtrennung in Plattenstapelbauweise
US6383670B1 (en) * 1999-10-06 2002-05-07 Idatech, Llc System and method for controlling the operation of a fuel processing system
US20020114984A1 (en) * 2001-02-21 2002-08-22 Edlund David J. Fuel cell system with stored hydrogen
JP4711210B2 (ja) * 2001-03-30 2011-06-29 株式会社Ihi 燃料改質装置およびその早期起動方法
JP2003081603A (ja) * 2001-07-04 2003-03-19 Hitachi Ltd 水素製造装置及びそれを用いた発電システム
US7063047B2 (en) 2003-09-16 2006-06-20 Modine Manufacturing Company Fuel vaporizer for a reformer type fuel cell system
US7306868B2 (en) 2003-10-02 2007-12-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Integrated fuel cell stack and catalytic combustor apparatus, assembly, and method of use
JP4148109B2 (ja) * 2003-11-26 2008-09-10 トヨタ自動車株式会社 水素精製装置および燃料電池
US7470293B2 (en) 2004-10-29 2008-12-30 Idatech, Llc Feedstock delivery systems, fuel processing systems, and hydrogen generation assemblies including the same
JP4885141B2 (ja) * 2004-10-31 2012-02-29 アイダテック, エル.エル.シー. 水素生成及びエネルギー発生アセンブリ
US7632322B2 (en) 2005-06-07 2009-12-15 Idatech, Llc Hydrogen-producing fuel processing assemblies, heating assemblies, and methods of operating the same
US7601302B2 (en) 2005-09-16 2009-10-13 Idatech, Llc Self-regulating feedstock delivery systems and hydrogen-generating fuel processing assemblies and fuel cell systems incorporating the same
US7972420B2 (en) 2006-05-22 2011-07-05 Idatech, Llc Hydrogen-processing assemblies and hydrogen-producing systems and fuel cell systems including the same
US7939051B2 (en) 2006-05-23 2011-05-10 Idatech, Llc Hydrogen-producing fuel processing assemblies, heating assemblies, and methods of operating the same
US7850838B2 (en) * 2006-08-01 2010-12-14 Proton Energy Systems, Inc. Cold weather hydrogen generation system and method of operation
US20080138678A1 (en) 2006-12-12 2008-06-12 Hill Charles R Hydrogen-processing assemblies and hydrogen-producing systems and fuel cell systems including the same
US20080230039A1 (en) 2007-03-22 2008-09-25 Weiss Amanda M Continuous liquid fuel vaporizer
US8277986B2 (en) * 2007-07-02 2012-10-02 GM Global Technology Operations LLC Bipolar plate with microgrooves for improved water transport
US8465569B2 (en) 2008-09-16 2013-06-18 Protonex Technology Corporation Membrane support module for permeate separation in a fuel cell
US8961627B2 (en) 2011-07-07 2015-02-24 David J Edlund Hydrogen generation assemblies and hydrogen purification devices

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020114800A (ja) 2020-07-30
CN107265403B (zh) 2020-03-03
EP2969132B1 (en) 2020-05-06
JP6219492B2 (ja) 2017-10-25
JP2019123669A (ja) 2019-07-25
JP2016516655A (ja) 2016-06-09
CN105163832A (zh) 2015-12-16
TW201442949A (zh) 2014-11-16
DK2969132T3 (da) 2020-06-02
JP2018002591A (ja) 2018-01-11
JP6975286B2 (ja) 2021-12-01
TWI607964B (zh) 2017-12-11
TWI615353B (zh) 2018-02-21
TWM487927U (zh) 2014-10-11
MX2015012252A (es) 2016-05-05
EP2969132A4 (en) 2017-03-15
MX2021004398A (es) 2021-07-06
EP2969132A1 (en) 2016-01-20
CN107265403A (zh) 2017-10-20
TW201733903A (zh) 2017-10-01
WO2014158749A1 (en) 2014-10-02
JP6524167B2 (ja) 2019-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6700456B2 (ja) 水素生成アセンブリおよび水素精製装置
US11141692B2 (en) Hydrogen generation assemblies and hydrogen purification devices
US11701624B2 (en) Hydrogen generation assemblies and hydrogen purification devices
JP7297961B2 (ja) 水素精製装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190509

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190509

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200330

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200430

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6700456

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250