JP6698444B2 - 放射線撮像装置、放射線撮像方法及び放射線撮像プログラム - Google Patents

Description

本発明は、放射線撮像装置、特に、フォトンカウンティング型のＸ線検出器により被検体の投影像あるいは断層像を取得する放射線撮像装置、放射線撮像方法及び放射線撮像プログラムに関する。

従来、コンピュータ断層撮影装置（ＣＴ）などのＸ線を利用した医療用の放射線撮像装置では、Ｘ線源から照射され被検体を透過したＸ線を検出器により検出し、被検体に起因したＸ線の減衰の情報を取得することで、被検体内の様子を画像化し診断に供している。
近年、このような放射線撮像装置において、被検体を透過した放射線の一つ一つを分解してＸ線フォトンを検出する（パルスモード）ことで、より高精度の装置を実現しようという動きが活発となっている。ＣＴの分野では、フォトンカウンティングＣＴ（ＰＣＣＴ）などと呼ばれ、次世代の装置として期待されている。

ＰＣＣＴに適用される検出器の例として、非特許文献１に、ピクセルを複数のサブピクセルに分割してサブピクセル毎にフォトンを計数し処理する所謂フォトンカウンティング型の検出器が開示されている。なお、以下の説明において、ピクセルとサブピクセルとを明確に区別するため、複数のサブピクセルからなるピクセルをマクロピクセルという。
非特許文献１に開示された検出器のように、サブピクセル毎にＸ線フォトンを計数すると分割したサブピクセルの数だけ得られるデータ量が増えることになる。このため、各マクロピクセル内でサブピクセルの計数値（計数率）を加算し、マクロピクセル毎に出力値を得ることで、検出器から出力されるデータ量を低減している。

ところで、複数に分割された各サブピクセルにおいて、１つの放射線のフォトンを処理する時間（デッドタイム）は有限であるため、放射線の入射率が高い場合には、デッドタイム中に複数のフォトンが時間的に重なって入力される、所謂パイルアップが生じる。パイルアップが生じると、Ｘ線フォトンを正しく計数することができず、また、Ｘ線フォトンのエネルギー情報を正確に取得することが困難となり、再構成画像にアーチファクトが生じてしまう。したがって、正確にＸ線フォトンの情報を取得するために、パイルアップによる影響を補正して、サブピクセルに入射したＸ線フォトン（放射線）の量を推定することが必要となる。

"Ｆｉｒｓｔ ｒｅｓｕｌｔｓ ｆｒｏｍ ａ ｈｙｂｒｉｄ ｐｒｏｔｏｔｙｐｅ ＣＴ ｓｃａｎｎｅｒ ｆｏｒ ｅｘｐｌｏｒｉｎｇ ｂｅｎｅｆｉｔｓ ｏｆ ｑｕａｎｔｕｍ−ｃｏｕｎｔｉｎｇ ｉｎ ｃｌｉｎｉｃａｌ ＣＴ"、Ｐｒｏｃ． ｏｆ ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．８３１３、 ８３１３０Ｘ

しかしながら、サブピクセルに入射したＸ線フォトン（放射線）の量の推定に際しては以下のような課題がある。すなわち、マクロピクセルに入射する放射線の分布が一様でない場合には、マクロピクセルを構成する複数のサブピクセルのデッドタイム間にバラつきが生じる。ところが、検出器ではマクロピクセル毎に出力値を得るので、加算処理によってサブピクセルのデッドタイム間のバラつきに関する情報が失われてしまう。このため、サブピクセルのデッドタイム間のバラつきを考慮せずに各サブピクセルにおけるＸ線フォトンの入射率を推定すると、各サブピクセルに対するＸ線フォトンの入射率の推定精度が劣化し、延いてはマクロピクセルに対するＸ線フォトンの真の入射率の推定精度が劣化してしまう。推定精度の劣化により、再構成画像にアーチファクト等の画質劣化を生じさせるという不具合が生じる。

本発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、各サブピクセルに対するＸ線の入射分布が非一様であり、各サブピクセルのデッドタイムにバラつきがある場合であっても、入射分布の非一様性を推定することにより、画質の向上に寄与することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。
本発明の一態様は、Ｘ線を照射するＸ線源と、前記Ｘ線を検出する複数のサブピクセルからなるピクセルを二次元配列した検出部と、前記サブピクセルによる検出信号に基づいて前記Ｘ線の強度に応じた出力信号を生成する信号処理部と、前記ピクセルに属する前記サブピクセルの出力信号を加算することにより前記ピクセル毎のＸ線計数信号を生成する信号加算部と、前記Ｘ線計数信号に基づいて、画像を生成する画像生成部と、を備え、該画像生成部が、処理対象ピクセルの前記Ｘ線計数信号と、前記処理対象ピクセルの近傍に位置するピクセルの前記Ｘ線計数信号とに基づいて、前記処理対象ピクセルのＸ線入射分布の非一様性を推定する非一様性推定部を備える放射線撮像装置を提供する。

本発明によれば、各サブピクセルに対するＸ線の入射分布が非一様であり、各サブピクセルのデッドタイムにバラつきがある場合であっても、入射分布の非一様性を推定することにより、画質の向上に寄与することができる。

本発明の第１の実施形態に係るＸ線ＣＴ装置の概略を示すブロック図である。 本発明の第１の実施形態に係るＸ線ＣＴ装置のコンピュータの概略構成を示し、（Ａ）はブロック図であり、（Ｂ）はコンピュータにおけるＣＰＵの機能ブロック図である。 本発明の第１の実施形態に係るＸ線検出器の概略を示す斜視図である。 本発明の第１の実施形態に係るＸ線検出器の検出素子の配列とピクセルの関係の例を示す説明図である。 本発明の第１の実施形態に係るＸ線検出器の検出素子の配列とピクセルの関係の例を示す説明図である。 本発明の第１の実施形態に係るＸ線検出器の信号処理部の概略構成を示すブロック図である。 図６の信号処理回路の一部を抜き出した拡大説明図である。 マヒ型および非マヒ型の信号処理回路における計数率特性を示した模式図である。 Ｘ線検出器に対する入射分布が一様でない場合の例を示す参考図である。 Ｘ線検出器に対する入射分布が一様でない場合の計数率及び入射率等の各種データを示す表である。 Ｘ線検出器に対する入射分布が一様でない場合に入射率推定が過少評価になることを説明する計数率特性を示すグラフである。 本発明の第１の実施形態に係るＸ線ＣＴ装置における撮像処理の流れを示すフローチャートである。 本発明の第１の実施形態に係るＸ線ＣＴ装置における非一様性の推定〜入射率推定値算出の流れを示すフローチャートである。 本発明の第１の実施形態に係るＸ線ＣＴ装置における非一様性の推定〜入射率推定値算出の流れを示すフローチャートである。 Ｘ線検出器に対する入射分布が一様でない場合の例を示す参考図である。 本発明の第１の実施形態に係るＸ線検出器のサブピクセルの配列とピクセルの関係の例を示す説明図である。 本発明の第２の実施形態に係るＸ線ＣＴ装置における非一様性の推定〜入射率推定値算出の流れを示すフローチャートである。 本発明の第３の実施形態に係るＸ線ＣＴ装置における非一様性の推定〜入射率推定値算出の流れを示すフローチャートである。 本発明の第４の実施形態に係るＸ線ＣＴ装置における非一様性の推定〜入射率推定値算出の流れを示すフローチャートである。

以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。
本発明に係る放射線撮像装置は、Ｘ線を照射するＸ線源と、前記Ｘ線を検出する複数のサブピクセルからなるピクセルを二次元配列した検出部と、前記サブピクセルによる検出信号に基づいて前記Ｘ線の強度に応じた出力信号を生成する信号処理部と、前記ピクセルに属する前記サブピクセルの出力信号を加算することにより前記ピクセル毎のＸ線計数信号を生成する信号加算部と、前記Ｘ線計数信号に基づいて、画像を生成する画像生成部と、を備え、該画像生成部が、処理対象ピクセルの前記Ｘ線計数信号と、前記処理対象ピクセルの近傍に位置するピクセルの前記Ｘ線計数信号とに基づいて、前記処理対象ピクセルのＸ線入射分布の非一様性を推定する非一様性推定部を備える放射線撮像装置である。
このような放射線撮像装置によれば、各サブピクセルに対するＸ線の入射分布が非一様であり、各サブピクセルのデッドタイムにバラつきがある場合であっても、入射分布の非一様性を推定することができるので、推定した非一様性を利用することにより画質の向上を図ることができる。

以下、より具体的に本発明の実施形態について説明する。
＜第１の実施形態＞
以下、本発明の実施形態に係る放射線撮像装置の一例として、Ｘ線ＣＴ装置について図面を参照して説明する。

図１に示すように、Ｘ線ＣＴ装置は、撮影系としての、Ｘ線源１２０と、Ｘ線検出器１１５０と、これらＸ線源１２０及びＸ線検出器１５０を対向配置し所定の回転軸を中心に回転するガントリ回転部１１０と、ガントリ回転部１１０の開口内に配置された寝台１４０と、これら撮影系の動作を制御すると共に撮影系の動作に伴ってＸ線検出器１５０が取得した信号を処理する制御部１７０と、Ｘ線検出器１５０により得られたデータに基づいて再構成像を生成するコンピュータ１８０とを備えている。

Ｘ線源１２０は、例えば、Ｘ線管を適用することができる。Ｘ線源１２０は、管電圧で加速した電子ビームをタングステンやモリブデンなどのターゲット金属に衝突させ、その衝突位置（焦点）からＸ線を発生させることで、Ｘ線フォトンを放出する。Ｘ線源１２０近傍には、フィルタ１２５が設けられている。フィルタ１２５は、Ｘ線源１２０から放出されたＸ線フォトン１３０のフラックス及びエネルギー分布を調整する。従って、Ｘ線源１２０から放出されたＸ線フォトンは、フィルタ１２５によってフラックス及びエネルギー分布の調整を受けた後に、一部は被検体２００によって被検体内の物質分布に応じて吸収され、また一部は被検体２００を透過して後述するＸ線検出器１５０において検出される。

ガントリ回転部１１０は、Ｘ線源１２０及び検出器１５０を互いに対向配置し、所定の回転軸を中心に回転する。ガントリ回転部１１０の中央には、被検体２００が挿入される開口が設けられ、この開口内に、被検体２００が寝かせられる寝台１４０が配置されている。寝台１４０とガントリ回転部１１０とは、所定の方向に相対的に移動可能となっている。一般に、ＣＴでは全方向からのデータを取得するため、ガントリ回転部１１０を所定速度で回転させることで、Ｘ線源１２０及び検出器１５０を被検体２００の周囲を回転させながらデータを取得する。回転の速度は典型的には概ね毎秒１〜４回転である。また、ある１つの方向からの投影データ（１ビュー）を取得するのにデータを蓄積する時間は典型的に０．１〜１ミリ秒のオーダである。

Ｘ線検出器１５０は、Ｘ線検出器１５０に入射したＸ線フォトンを検出し、例えば、４つのエネルギー範囲に分別する検出部１５１と、検出部１５１から出力される検出信号を収集し処理する信号処理部１５２とを備えている。検出部１５１により出力されたＸ線フォトンの検出信号は、複数の信号処理部１５２によってパルスモードで処理され、計数される。ここでいう計数とは、検出したＸ線フォトンを数えることに加え、エネルギー情報を取得することも含む。なお、被検体２００で散乱されたＸ線を検出してしまうと望ましくない信号となるので、Ｘ線源１２０側から見て検出部１５１の手前にコリメータ１４５を配置し、散乱されたＸ線を遮断することが好ましい。Ｘ線検出器１５０の詳細は、後述する。

制御部１７０は、ガントリ回転部１１０、Ｘ線源１２０、寝台１４０、Ｘ線検出器１５０等を制御すると共に、Ｘ線検出器１５０において検出し収集された信号に所定の処理を行ってコンピュータ１８０に転送する。

コンピュータ１８０は、図２（Ａ）に示すように、ＣＰＵ１８１及び記憶部１８２を備えている。また、ＣＰＵ１８１は、図２（Ｂ）に示すように、非一様性推定部１８４及び信号補正部１８５を含む画像生成部１８３の機能を実現する。コンピュータ１８０は、Ｘ線検出器１５０の信号処理部１５２から制御部1７０を介して取得した信号を記憶部１８２に記憶し、これらの信号等に基づいて被検体の断層像の再構成像を生成する。

また、コンピュータ１８０は、表示装置１９１及び入力装置１９２と接続され、画像生成部１８３として機能するＣＰＵ１８１において生成された再構成像は、ＣＰＵ１８１の指示に従って、表示装置１９１に表示される。また、入力装置１９２は、Ｘ線ＣＴ装置における撮影条件等、すなわち、データの収集に必要なパラメータ、例えば、高圧電源（図示せず）からＸ線源１２０に印加する電圧の値や管電流、Ｘ線源１２０の回転動作の速度等の入力を受け付ける。表示装置１９１は、入力装置１９２により入力されたパラメータ及びその値等を表示させることができる。

また、コンピュータ１８０は、パイルアップによる影響を補正するために、各サブピクセル２１に入射するＸ線フォトンの入射率を必要に応じて推定すると共に、非一様性推定部１８４によって、検出部１５１に入射するＸ線の入射分布の非一様性を推定する。ここで、本実施形態において、入射率とは、一つの検出単位（ピクセルやサブピクセル）あたりに単位時間に入射するＸ線フォトン数をいう。コンピュータ１８０におけるＸフォトンの入射率推定の詳細については後述する。

なお、制御部１７０及びコンピュータ１８０は、その一部又は全部をＣＰＵ（中央処理装置）、メモリ及び主記憶部を含むシステムとして構築することができ、制御部１７０及びコンピュータ１８０を構成する各部の機能は、予め記憶部に格納されたプログラムをＣＰＵがメモリにロードし、実行することにより実現することができる。また機能の一部または全部を、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）や ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）などのハードウェアで構成することも可能である。

続いて、Ｘ線検出器１５０について説明する。
Ｘ線検出器１５０は、複数のピクセル２０が二次元配列されピクセル毎にＸ線フォトンを検出して信号出力する検出部１５１と、検出部１５１の各ピクセル２０からの出力信号を収集し処理する信号処理部１５２とを備えている。

検出部１５１は、図３に示すように、Ｘ線検出器１５０の一単位であり、入射したＸ線フォトンを検出するピクセル２０が複数配列されて構成される。各ピクセル２０には、被検体２００を透過したＸ線フォトン１３０が入射し、計数される。検出部１５１に含まれるピクセル数は、例えば、長手方向に８９２個、短手方向に６４個とすることができる。
図３に示すように、検出部１５１は、Ｘ線源１２０を略中心とした円弧状に配置されており、ガントリ回転部１１０の回転に伴い、Ｘ線源１２０との位置関係を保ちながら回転する。従って、図３に示す例では、ピクセル２０が近似的に曲面状に配置されているように描写しているが、一般にはピクセルの表面は曲率の無い平面であることが多く、検出部１５１におけるピクセル２０の配置は多角形状になることもある。
なお、被検体２００で散乱されたＸ線フォトンを除去するために、ピクセル２０のＸ線源１２０側にはコリメータ１４５（図１参照）が配置されている。コリメータ１４５は、ピクセル２０とピッチ及び形状が一致するような二次元矩形コリメータであっても良いし、一次元のスリットコリメータであっても良い。

検出部１５１において、ピクセル２０は、サブピクセル２１としての検出素子が複数配列された検出素子群であり、この検出素子群がＸ線検出器１５０の一単位であるピクセル２０を構成している。すなわち、１つのピクセル２０は、複数のサブピクセル２１に分割された構成であるということができる。各ピクセル２０に含まれるサブピクセル２１は、所謂フォトンカウンティング方式の検出素子であり、入射したＸ線フォトンを検出し、例えば、４つのエネルギー範囲に分別して計数を行う。

従って、検出器１５１では、サブピクセル２１が別個独立にＸ線フォトンを検出し、ピクセル２０を構成する複数の検出素子２１からの出力信号を加算することでピクセル２０毎に出力信号を生成している。
図４に、ピクセル２０として、複数の同一のサイズの検出素子２１が、チャネル方向に２素子、スライス方向に２素子の計４個配列されて構成される例を示した。図４の例では、ピクセル２０は例えば１ｍｍ四方であり、各サブピクセルは０．５ｍｍ四方となっている。以下、本実施の形態においては、ピクセル２０が４つのサブピクセル２１から構成されているものとして説明する。

なお、ピクセル２０は、例えば同一サイズの検出素子をチャネル方向に３素子及びスライス方向に３素子の計９個から構成することができる他、チャネル方向に４素子及びスライス方向に４素子の計１６個から構成することもできる。このように、チャネル方向にｎ素子及びスライス方向にｍ素子と、ピクセルを構成するサブピクセルの数は適宜定めることができる（ｎ及びｍは自然数）。また、ピクセルを構成するサブピクセルの大きさは必ずしも全て同一の大きさである必要はなく、大きさの異なるサブピクセルが混在する構成とすることもできる。

各ピクセル２０を構成する各検出素子２１は、例えば、図５に示すように、検出層４０を挟むように正負の電極４１，４２が設けられ、各電極４１，４２に信号処理部１５２が接続された構造を有している。
本実施形態では、Ｘ線フォトン１３０の入射面（図４における検出層４０の上面）に設けられた負の電極４１（以下、「共通電極４１」という）が、ピクセル２０全体を覆う共通電極となっている。また、正の電極４２（以下、「個別電極４２」という）は、サブピクセルとしての検出素子２１毎に設けられ、信号処理部１５２の個別のチャンネル１６５が各個別電極４２に接続されている。すなわち、サブピクセル毎に信号を読み出し、エネルギー情報の取得を含むＸ線フォトンの計数を行うようになっている。

このように、ピクセル２０は、１つの共通電極４１とサブピクセル２１（検出素子）に対応する数の個別電極４２とを備えている。言い換えると、ピクセル２０は、検出層４０の表面内で、複数の個別電極４２を含み、１つの個別電極４２に対応した領域が１つのサブピクセル２１を形成する構成となっている。図４に示す例のように、検出層４０として、直接型放射線検出素材を使用した場合には、ピクセル２０の上面から見た場合にはサブピクセル２１の境界（図３参照）が物理的には見えない場合もある。

なお、検出層４０には、微細加工が容易であり、直接電気信号を読み出すことが可能な、例えばテルル化カドミウム、テルル化亜鉛カドミウム、臭化タリウム、沃化水銀、沃化ビスマスなどの直接型放射線検出素材である化合物半導体を適用することが好ましい。この他、検出層４０には、シンチレータ（間接型放射線検出素材）に光デバイスを光学結合したものを使用することも可能である。また、検出層４０の厚さは、０．５ｍｍ〜３ｍｍ程度とすることが好ましい。

Ｘ線フォトン１３０は、共通電極４１側から検出層４０に入射し、Ｘ線フォトンを検出してそのエネルギーに応じた量の電荷を生じる。共通電極４１には図示しない高圧電源により、例えば、−６００Ｖの電圧が印加される。共通電極４１及び個別電極４２ではＸ線フォトンが減衰しないことが望ましい。共通電極４１及び個別電極４２は、検出層４０に比べて充分に薄く、１μｍ以下の厚みに加工することが可能である。

信号処理部１５２は、図６及び図７に示すように、サブピクセル２１毎にチャンネル１６５を備え、当該ピクセル２０に属するサブピクセル２１からの出力信号をチャンネル１６５で検出し、信号加算部１６６において所定の条件に従って加算し、各ピクセル２０の出力信号として収集し処理する。

図６及び図７に、各サブピクセル２１に接続される信号処理部１５２の各チャンネル１６５の例を示す。各チャンネル１６５は、電荷信号として検出したＸ線フォトンを電圧信号に変換する電荷有感型前置増幅器３１０ａ（３１０の代表として図７の３１０ａを用いて記載する；以下同じ）と、電荷有感型前置増幅器３１０ａにより変換された電圧信号の整形を行う波形整形増幅器３２０ａと、電圧信号に係る電圧とリファレンス電圧を比較してエネルギー情報を得るための４つのコンパレータ３３０ａ１〜３３０ａ４と、カウンタ３４０ａ１〜３４０ａ４とを備えている。

このように構成されたチャンネル１６５における信号処理は以下のように行われる。ピクセル２０中の任意のサブピクセルａから読み出された信号は、まず電荷有感型前置増幅器３１０ａによって電荷信号から電圧信号に変換され、波形整形増幅器３２０ａに出力される。電荷有感型前置増幅器３１０ａにおいて変換された電圧信号は、波形整形増幅器３２０ａにおいて整形され（以下、整形された後の電圧信号を「検出信号」という）、４つのコンパレータ３３０ａ１〜３３０ａ４に出力される。

各コンパレータ３３０ａ１〜３３０ａ４には、夫々異なるリファレンス電圧ｔｈ１〜ｔｈ４が供給され、各コンパレータ３３０ａ１〜３３０ａ４において検出信号とリファレンス電圧ｔｈ１〜ｔｈ４とが比較される。各コンパレータ３３０ａ１〜３３０ａ４における比較の結果、検出信号がリファレンス電圧よりも大きかった場合、当該コンパレータと対応するカウンタ３４０ａ１〜４がカウントアップする。これにより、Ｘ線フォトンをそのエネルギーに応じて４種類に分別して計数することができる。

なお、カウンタ３４０ａ１，３４０ａ２，３４０ａ３は、検出信号がｔｈ１，ｔｈ２，ｔｈ３より大きくｔｈ２，ｔｈ３，ｔｈ４より小さい場合にカウントアップするような構成とすることもできる。

各チャンネル１６５は、所定の測定時間（１ビュー）が終了したら、カウントアップを停止し、ピクセル２０内の４つのサブピクセル２１で同じ閾値を持つカウンタ（例えば３４０ａ１、３４０ｂ１、３４０ｃ１、３４０ｄ１）の計数値（計数率）が、信号加算部１６６にて加算され、当該ピクセル２０の出力信号が生成される。異なる閾値を持つ４つのカウンタの全てに対して同様の操作が行われた後、１つのピクセル２０に対して異なる閾値に対応する、つまりエネルギー領域に応じた４つの計数値が出力信号として生成され、制御装置１７０に出力される。

なお、このようにサブピクセル２１で検出された信号をピクセル２０の信号として加算して出力することで、サブピクセル２１から別個独立に信号を出力する場合に比して、データ量を削減することができる。なお、信号加算部１６６は、上述の例では、単純加算について述べているが、これに限られるものではなく、重み付け加算等も行うことができ、信号処理部の構成等に応じて適宜定めることができる。

ここで、サブピクセル２１に対する入射率を推定する必要性についての説明に先立って、ＰＣＣＴの信号処理回路（本実施形態における信号処理部１５２）におけるデッドタイムについて説明する。
ＰＣＣＴにおいては、信号処理回路の持つデッドタイムが、測定で得られた計数値にどのように影響しているかを考慮する必要がある。デッドタイムの観点から、信号処理回路は理想的には大きく二つに分類することができ、それぞれマヒ型、非マヒ型と呼ばれることがある。図８に、マヒ型及び非マヒ型の各計数率特性（入射率と計数率の関係）を示した。ここで、入射率とは、上述したように一つの検出単位（ピクセルまたはサブピクセル）あたりに単位時間に入射するＸ線フォトン数であり、計数率とは、一つの検出単位（ピクセルまたはサブピクセル）あたりで単位時間に検出（計数）されるＸ線フォトン数をいう。

以下の説明においては、説明の便宜上、量子効率は１（検出されずに透過するフォトンはない）であることとし、検出されたフォトンは全エネルギーを検出したサブピクセルに付与するものとする。
この場合、デッドタイムが０という理想的な場合に期待される計数率は入射率に等しくなる。入射率をｘ、有限のデッドタイムを持つ場合の計数率をｙとすると、マヒ型の信号処理回路の場合の計数率特性４１０は式（１）で表わされることが知られている（図８参照）。

ここで、τは信号処理回路のデッドタイムであり、例えば、２０ナノ秒とする。一方で非マヒ型の場合の計数率特性４２０は、以下の式（２）で表すことができる（図８参照）。

図８に示すように、マヒ型の信号処理回路では、１チャンネル当たり５０Ｍｃｐｓ（一秒あたり５×１０^７カウント）の入射率で計数率が最大値となり、入射率がそれ以上増えても計数率は減少するという性質を示す（計数率が最大値をとる入射率はデッドタイムに依存して決まる）。

しかし、このように入射率が増えても計数率が減少するような高計数率領域においては、放射線の信号同士の時間間隔が短くなり過ぎて重なり合ってしまういわゆるパイルアップが極めて顕著となり、エネルギー情報を精度良く取得することが困難となる。１チャンネル当たり５０Ｍｃｐｓ以下の領域では、マヒ型の計数率特性４１０及び非マヒ型の計数率特性４２０のいずれも上に凸な単調増加関数であるという点で類似している。

パイルアップがそれほど顕著ではなく、エネルギー情報を精度良く取得することができる計数率領域であっても、デッドタイムによって計数率が入射率も少なくなる効果は無視できない。従って、正確なＸ線フォトンの情報を取得するためには、パイルアップ（デッドタイム）による影響を補正して、サブピクセルに入射したＸ線フォトン（放射線の量）を推定することが必要となる。

続いて、Ｘ線の入射分布が一様でない場合の検出器の応答について説明する。
説明の便宜を図るため、簡易的に、ピクセル２０の幅方向、すなわち図９における左右方向にのみ、入射分布に偏りがある場合を想定する。また、ピクセル２０が、互いに等しい大きさの、２つのサブピクセル２１Ｌ及びサブピクセル２１Ｒに分割されていることとして説明する。サブピクセル２１は、図９における左右方向に２つ配置されていることとする。なお、ピクセルに含まれるサブピクセルが、互いに異なる大きさである場合には、単位面積あたりの入射率に適宜変換すればよい。

なお、図７に示した構成では、各コンパレータ３３０ａ１〜３３０ａ４に供給されるリファレンス電圧ｔｈ１〜ｔｈ４に応じた４種類のエネルギーのＸ線フォトンの計数値が得られる。一方、非一様性を推定するにあたってはデッドタイムを生じさせた全イベント数を用いる必要がある。従って、以下の説明において、計数率又は入射率という場合は検出信号がリファレンス電圧ｔｈ１よりも大きかった全イベント数（全計数率又は全入射率と称されることもある）をいう。

図９には、検出部１５１の一部分として、ピクセル２０ａを挟むようにピクセル２０ｂ及び２０ｃがピクセル２０ａに隣接して配置された例を示している。図９において、ピクセル２０ａの両隣に配置されたピクセル２０ｂ及びピクセル２０ｃにはＸ線は一様に入射している。一方、ピクセル２０ａにおけるＸ線の入射率は、ピクセル２０ｂに近い程低く、ピクセル２０ｃに近いほど高くなっている。つまり、ピクセル２０ａにおいてはＸ線が一様に入射していない。このような入射率の変化は主にＸ線源１２０とピクセル２０ａ，２０ｂ，２０ｃの間に存在する物質の密度や厚みの変化によって引き起こされると考えられる。
そして、その密度や厚みの変化が空間的に一次関数的なものであると考えられる場合、入射率は指数関数的に変化していることが期待される。

図１０に、サブピクセル２１に対するＸ線の入射率ｘを推定する際に要する種々の値を表１として示した。以下、図１０の表１に従って、Ｘ線の入射分布が一様でない場合の検出器の応答、入射率ｘの推定について検討する。

例えば、ピクセル２０ａ，２０ｂ，２０ｃに含まれる各サブピクセルに対する入射率ｘを以下のように設定してシミュレーションを行う。すなわち、ピクセル２０ｂに含まれるサブピクセル２１ｂＬ、２１ｂＲにおける入射率ｘ_ｂＬ、ｘ_ｂＲは２．５Ｍｃｐｓであり、両者ともその入射率は同一であり、一様な分布であると設定する。一方、ピクセル２０ａに含まれるサブピクセル２１ａＬへの入射率ｘ_ａＬは５Ｍｃｐｓ、サブピクセル２１ａＲへの入射率ｘ_ａＲは１０Ｍｃｐｓであり、サブピクセル２０ｂＲから離れるにつれ指数関数的に変化していると設定する。また、ピクセル２０ｃに含まれるサブピクセル２１ｃＬ，２１ｃＲの入射率ｘ_ｃＬ、ｘ_ｃＲは両者とも２０Ｍｃｐｓであり、両者への入射率は一様な分布であると設定する（表１の３段目）。従って、このような設定の場合のピクセル２０ｂ，２０ａ，２０ｃへの入射率ｘ_ｂ、ｘ_ａ、ｘ_ｃはそれぞれ５，１５，４０Ｍｃｐｓとなる（表１の４段目）。

しかしながら、Ｘ線が検出器１５０で検出され、有限のデッドタイムで処理された場合、実際に計測される計数率ｙは、パイルアップのために入射率ｘよりも低くなる。そのため、サブピクセルあたりの計数率は、例えば表１の５段目に示したようにサブピクセル２１ｂＬ，２１ｂＲの計数率ｙ_ｂＬ、ｙ_ｂＲが共に２．４Ｍｃｐｓ、サブピクセル２１ａＬの計数率ｙ_ａＬが４．５Ｍｃｐｓ、サブピクセル２１ａＲの計数率ｙ_ａＲが８．３Ｍｃｐｓ、サブピクセル２１ｃＬ，２１ｃＲの計数率ｙ_ｃＬ、ｙ_ｃＲが共に１３．８Ｍｃｐｓになる。
しかし、上述のように、これらのサブピクセル毎の計数率ｙ_Ｌ、ｙ_Ｒの値は出力されず、信号統合部１６６によりピクセル毎の計数率ｙ（＝ｙ_Ｌ＋ｙ_Ｒ）として加算され、ピクセル２０ｂ，２０ａ，２０ｃから得られる計数率ｙ_ｂ（＝ｙ_ｂＬ＋ｙ_ｂＲ）、ｙ_ａ（＝ｙ_ａＬ＋ｙ_ａＲ）、ｙ_ｃ（＝ｙ_ｃＬ＋ｙ_ｃＲ）はそれぞれ４．８，１２．８，２７．７Ｍｃｐｓとなる（表１の６段目）。

このとき、実測あるいはシミュレーション等によって、例えば、図１１に示すような信号処理回路の計数率特性ｙ＝ｆ（ｘ）を事前に把握しておくことで、パイルアップによって低下した計数率ｙと、計数率特性ｙ＝ｆ（ｘ）とに基づいて、パイルアップの影響を除去した各ピクセルの入射率ｘを演算により算出することができる。
この演算によりパイルアップの影響を除去した、ピクセルの計数値ｙ（表１の６段目）から計数率特性ｙ＝ｆ（ｘ）を用いて得られた入射率予測値ｘ（表１の７段目）は、ピクセル内で入射分布が一様なピクセル２０ｂ，２０ｃでは、シミュレーションにおいて当初設定した入射率ｘ（表１の４段目）に一致しているが、ピクセル２０ａでは１．６％の過少評価となっていることがわかる（表１の８段目）。ＣＴが医用の診断画像を提供する装置であることに鑑みると、この過少評価はアーチファクトなどの画質低下を招来し得る、無視できない大きさのズレである。

過少評価になる現象は、図１１に示す入射率ｘと計数率ｙの関係を表すグラフ（計数率特性ｙ＝ｆ（ｘ））から定性的に理解することができる。図１１のグラフに示した関数は、上に凸な単調増加曲線の関数であり、検出器１５０の計数率特性ｙ＝ｆ（ｘ）の例を示している。サブピクセルへの入射分布が一様でなく、例えば、ｘ＝ａとｘ＝ｂという異なる入射率ｘの場合、得られる計数率ｙはそれぞれｙ＝ｆ（ａ）、ｙ＝ｆ（ｂ）となる。

この場合、２つのサブピクセルからなるピクセル内で平均したサブピクセル当たりの計数率は（ｆ（ａ）＋ｆ（ｂ））／２と計算されるが、ここから計数率特性ｙ＝ｆ（ｘ）を参照して算出される入射率ｘ＝ｃは、ｆ（ｘ）が上に凸の曲線である場合、常に真の平均入射率（ａ＋ｂ）／２よりも小さい値となる。すなわち、Ｘ線フォトンの入射分布が非一様なピクセルの場合、計数率ｙと計数率特性ｙ＝ｆ（ｘ）から推定して得られる入射率予測値ｘは常に過少評価されることになってしまう。過小評価の程度は、Ｘ線フォトンの入射分布の非一様性の強さ及び入射率ｘによって定まるものであり、Ｘ線フォトンの入射率ｘの分布に偏りが大きいほど過少評価になり、また、計数率特性ｙ＝ｆ（ｘ）の曲率が大きいほど過少評価になる。

このような理由から、計数率ｙと計数率特性ｙ＝ｆ（ｘ）から算出される入射率予測値ｘをそのまま入射率とするのではなく、検出器１５０に入射するＸ線が一様でない場合を考慮し、計数率特性ｙ＝ｆ（ｘ）から得た入射率予測値ｘを補正して、入射したＸ線量を正確に推定することが必要となる。
そこで、コンピュータ１８０は、このようなサブピクセルに入射するＸ線が一様でない場合、一様でない程度を示す非一様性に起因した入射率予測値ｘのズレを軽減するため、当該ピクセルの近傍のピクセルの計数値ｙを用いて当該ピクセルへの入射分布の非一様性を推定し、当該ピクセルの入射率予測値を補正する。

このため、コンピュータ１８０の画像生成部１８３が、非一様性を推定するための非一様性推定部１８４と、非一様性推定部による推定結果に基づいてピクセルに入射したＸ線の入射率推定値ｘ_Ｅを算出する信号補正部１８５を備えている。

非一様性推定部１８４は、処理対象ピクセルの計数値ｙ（Ｘ線計数信号）と、処理対象ピクセルの近傍に位置するピクセルの計数値ｙ（Ｘ線計数信号）とに基づいて、処理対象ピクセルのＸ線入射分布の非一様性を推定する。ここで、上述のように、計数率特性ｙ＝ｆ（ｘ）を用いることにより計数率ｙから入射率予測値ｘを得ることができるので、本実施形態において、非一様性推定部１８４は、非一様性を推定するに際して、例えば記憶部１８２に予め保持しておいた計数率特性ｙ＝ｆ（ｘ）も利用することができる。

（入射率推定値の算出手法）
以下、図１０の表１に示した例に従って、本実施形態における非一様性推定部１８４によるピクセル２０ａの入射率推定値ｘ_Ｅの算出手法の一例について説明する。
表１の７段目に示した、計数率特性ｙ＝ｆ（ｘ）から得られる入射率予測値ｘによると、ピクセル２０ａの入射率予測値ｘ_ａは、ピクセル２０ｂの入射率予測値ｘ_ｂよりも大きいため、ピクセル２０ａにおける入射分布が非一様であることが推定される。ピクセル２０ｂは２つのサブピクセル２１ｂＬ，２１ｂＲから構成され、ピクセル２０ｂの入射率予測値ｘ_ｂは５Ｍｃｐｓであることから、サブピクセル２１ｂＬ，２１ｂＲの入射率予測値ｘ_ｂＬ、ｘ_ｂＲは夫々２．５Ｍｃｐｓであると考えることができる。

ピクセル２０ａへの入射率ｘ_ａの分布が、隣接するサブピクセル２１ｂＲから離れるにつれて指数関数的に増加していると仮定すると、サブピクセル２１ａＬ及び２１ａＲの入射率ｘ_ａＬ、ｘ_ａＲは、隣接するサブピクセル２１ｂＲの入射率ｘ_ｂＲをｐ、パラメータｋを用いて、それぞれ、ｘ_ａＬ＝ｐ×ｋ＝２．５×ｋ Ｍｃｐｓ及びｘ_ａＲ＝ｐ×ｋ^２＝２．５×ｋ^２ Ｍｃｐｓと表すことができる。これら入射率ｘ_ａＬ、ｘ_ａＲを加算した結果が、実際の計数率から計数率特性ｙ＝ｆ（ｘ）を参照して求めたピクセル２０ａの入射率予測値ｘ_ａ＝１４．８ Ｍｃｐｓに等しいと考えると以下の式（３）が成立する。

この式（３）を解くと、ｋ＝１．９８が得られる。これにより、暫定的にサブピクセル２１ａＬの入射率予測値ｘ_ａＬは５．０Ｍｃｐｓ、サブピクセル２１ａＲの入射率予測値ｘ_ｂＲは９．８Ｍｃｐｓとの計算結果を得ることができる。すなわち、隣接するサブピクセル２１ｂＲの入射率ｘ_ｂＲと、仮定した指数関数的な入射率の分布から、暫定的なサブピクセル２１ａＬ、２１ａＲの入射率予測値ｘ_ａＬ、ｘ_ｂＲが算出される。

つぎに、この暫定的なサブピクセル２１ａＬ、２１ａＲの入射率予測値ｘ_ａＬ、ｘ_ｂＲに対応する計数率予測値ｙ_calａＬ、ｙ_calａＲを、計数率特性ｙ＝ｆ（ｘ）を参照して算出する。すなわち、暫定的なサブピクセル１ａＬ、２１ａＲの入射率予測値ｘ_ａＬ、ｘ_ａＲが、それぞれ５．０Ｍｃｐｓ、９．８Ｍｃｐｓの値をとる暫定的な計数率予測値ｙ_calａＬ、ｙ_calａＲを算出すると、夫々４．５Ｍｃｐｓ，８．１Ｍｃｐｓとなる。これらを加算したピクセル２１ａ全体の計数率予測値ｙ_calａは、１２．６Ｍｃｐｓとなり、実際の計数率ｙ_ａ＝１２．８Ｍｃｐｓ（表１の５段目）よりも１．５％程度小さいこととなる。

そこで、上述の暫定的なサブピクセル２１ａＬ，２１ａＲの入射率予測値ｘ_ａＬ、ｘ_ａＲに１．５％を加算（すなわち、１．０１５倍）することにより、暫定的な入射率予測値ｘ_ａＬ、ｘ_ａＲを補正し、入射率推定値ｘ_ＥａＬ、ｘ_ＥａＲを求める。補正後の、サブピクセル２１ａＬ、２１ａＲの入射率推定値ｘ_ＥａＬ、ｘ_ＥａＲは夫々５．０Ｍｃｐｓ，１０．０Ｍｃｐｓとなる（表１の９段目）。ピクセル２０ａ全体として、補正後の入射率推定値ｘ_Ｅａ＝ｘ_ＥａＬ＋ｘ_ＥａＲ＝１５．０Ｍｃｐｓとなる。このように、ピクセル２０ａの入射率推定値ｘ_Ｅａとして、Ｘ線の非一様性を考慮して、隣接するサブピクセル２１ｂＲの入射率算出した暫定値を、実際の計数率に応じて補正した値と用いることにより、高精度の入射率推定値を算出することができる（表１の１０段目）。

（他の入射率推定値の算出手法）
また、コンピュータ１８０は、サブピクセル２１のデッドタイムを考慮した計数率に着目して、ピクセル２０ａの正確な入射率推定値を取得することもできる。具体的には、非一様性推定部１８４は、実測又はシミュレーションにより予め取得した信号処理部１５２の計数率特性ｆ（ｘ）を用い、ピクセル２０ａへの入射率の分布が、隣接するサブピクセル２１ｂＲから離れるにつれて指数関数的に増加していると仮定して、以下の式（４）を用いる。ｐは、隣接するサブピクセル２１ｂＲの入射率ｘ_ｂＲ、ｋはパラメータである。

式（４）を解くことにより、ｋ＝２が得られる。これにより、サブピクセル２１ａＬの入射率推定値ｘ_EａＬは５．０Ｍｃｐｓ、サブピクセル２１ａＲの入射率推定値ｘ_EｂＲは１０．０Ｍｃｐｓとの計算結果を得ることができる。すなわち、隣接するサブピクセル２１ｂＲの入射率ｘ_ｂＲと、仮定した指数関数的な入射率の分布から、サブピクセル２１ａＬ、２１ａＲの入射率推定値ｘ_EａＬ、ｘ_EｂＲが算出される。算出された入射率推定値ｘ_EａＬ、ｘ_EｂＲは、シミュレーションのために初期設定したサブピクセル２１ａＬへの入射率５Ｍｃｐｓ、サブピクセル２１ａＲへの入射率１０Ｍｃｐｓと一致している（表１の３段目）。これにより、サブピクセル２１ａＬ、２１ａＲの入射率として夫々５．０Ｍｃｐｓ，１０．０Ｍｃｐｓと推定することができ（表１の９段目）、ピクセル２０ａ全体として、１５．０Ｍｃｐｓとなる。従って、ピクセル２０ａの入射率推定値として、高精度の推定値が得られたことがわかる（表１の１０段目）。
本算出手法によれば、入射率予測値を用いずに、計数率特性と実際の計数率とから入射率推定値を算出することができる。

このように、上述した実施形態においては、ピクセル２０ａへの正確な入射率を推定するために、推定対象であるピクセル２０ａ自身の計数率を含むデータ及びピクセル２０ａに隣接するピクセル２０ｂの計数率を含むデータを用いた。同様に、例えば、ピクセル２０ａ自身及び隣接するピクセル２０ｃのデータを用いてもピクセル２０ａへの入射率を推定することができる。また、隣接するピクセルに限らず、入射率の推定対象であるピクセルの近傍に位置するピクセルの計数値を用いて、当該ピクセルの入射率推定値を算出することができる。

そして、このようにして得られた１つのピクセルに対する複数の推定値に基づいて、それらの相加平均、相乗平均、調和平均、中央値、最大値、最小値その他の手法を用いて最終的なピクセル２０ａへの入射率推定値を算出し、入射分布の非一様性による影響を補正する。なお、実際の検出器ではピクセルは二次元状に配置されている。従って、辺で隣接する４つのマクロピクセル、あるいは角で隣接するピクセルを含めて８つのピクセルに対し、それぞれの計数値と当該ピクセルの計数値とに基づいて複数の推定値を取得してもよい。

なお、検出器の端部に位置するピクセルは隣接するピクセルの数が中心部に比べて少なくなるが、得られるだけの推定値を用いて非一様性の影響を推定することができる。また、上述した例では、ピクセル内の入射分布が指数関数的に変化していると仮定して計算しているが、異なる分布を仮定しても良い。例えば、被検体における骨や、整形外科分野で用いられる金属製のボルトはより急激な入射率の変化をもたらす可能性がある。上述のように、入射率の分布の偏りが大きいほど計数率特性のみから算出した入射率予測値は過少評価になるため、本実施形態に係る推定値算出手法によって、より急激に変化する入射率の分布を仮定することで入射率分布に応じた強い補正を行い、正確な入射率を算出することが好ましい。

反対に、Ｘ線を放出するＸ線管の焦点が大きい場合、焦点サイズ程度よりも細かいスケールでの急激な入射率変化は原理的に生じ得ないため、本実施形態における入射率推定手法による補正の必要性の程度は小さくなる。
従って、臨床撮像上の条件を考慮して本実施形態に係る推定値算出手法による補正の強度を調整することが好ましい。

なお、コンピュータ１８０は、非一様性の影響を考慮し、上述した推定値算出手法を実行することにより取得した全入射率に基づいて、各カウンタ３４０ａ１〜４に対応する入射率推定値を算出し、記憶部１８２に記憶する。パイルアップの影響が小さい場合、ランダムに発生するデッドタイムは検出信号の大きさの分布に影響しない。

よって、全計数率が１２．８Ｍｃｐｓで、例えばカウンタ３４０ａ１〜４の計数率がそれぞれ１２．８Ｍｃｐｓ，８．９６Ｍｃｐｓ，６．４Ｍｃｐｓ，２．５６Ｍｃｐｓ（全計数率の１００％、７０％、５０％、２０％）の場合は、本実施形態によって得られた全入射率推定率１５．０Ｍｃｐｓを元にして、各カウンタ３４０ａ１〜４に対応する入射率推定値として１５．０Ｍｃｐｓ，１０．５Ｍｃｐｓ，７．５Ｍｃｐｓ，３．０Ｍｃｐｓ（全入射率推定値の１００％、７０％、５０％、２０％）という値が得られる。
なお、上述した本実施形態に係る計数率特性等を用いて正確な入射率推定値を算出する手法は、信号処理部１５２が上述したマヒ型又は非マヒ型のいずれであっても適用可能である。

このように構成されたＸ線ＣＴ装置における撮像処理の流れについて図１２のフローチャートに従って説明する。
ステップＳ１０１において、ユーザによる臨床撮像のためのパラメータ、すなわち撮像条件の入力を入力装置１９２を介して受け付ける。撮像条件には、撮像部位等の撮像対象の情報や、どのような再構成を実施するか、また、撮像部位等に応じて入射率推定値を算出するためのパラメータを含めることができる。なお、パラメータには、管電流などのＸ線管の焦点サイズに影響を与えるパラメータも含む。

次のステップＳ１０２において、ステップＳ１０１で設定された撮像条件に基づいて被検体に対して放射線が照射され、サブピクセル毎に投影像としての計数値が収集される。信号処理部１５２では、検出部１５１から出力された計数値をサブピクセル毎に処理し、信号加算部１６６に出力する。信号加算部１６６では、サブピクセル毎の計数値を加算してピクセル毎の計数値として制御部１７０へ出力する。

続いてステップＳ１０３において、ステップ１０２で得られたピクセル毎の計数値に基づいて、上述した非一様性推定部１８４により入射分布の非一様性の影響を推定した上で入射率の推定値を計算する。この際、Ｘ線管の焦点の大きさなどの装置の特性やステップＳ１０１において定められたパラメータを考慮する。非一様性推定部１８４及び信号補正部１８５による入射率推定値算出の処理の流れについては後述する。

ステップＳ１０４において、画像生成部１８３において、ステップ５３０で得られた入射率推定値に基づいて再構成像を生成し、生成した再構成像を出力装置１９１に表示させることでユーザへ提示する。
なお、上述した本実施形態に係るＸ線ＣＴ装置における撮像処理には、種々の補正処理や他の処理を含めることができる。また、一旦、ステップＳ１０２で計数値を取得した後に入射率推定値算出に必要なパラメータ等を入力し、ステップＳ１０３及びステップＳ１０４を実行することもできる。

続いて、ピクセル毎の非一様性推定から入射率推定値算出までの処理の流れについて、図１３、図１４のフローチャートに従って説明する。なお、詳細な算出手法については上述の通りであるので、ここでの繰り返しの説明は省略する。

先ず、非一様性推定部１８４が、記憶部１８２に記憶された入射率推定値を算出するピクセルである処理対象ピクセル（例えば、図９のピクセル２０ａ）の計数値に係る出力信号（以下、「計数率」という）を読み込み（ステップＳ２０１）、続いて、当該処理対象ピクセルの近傍に位置する何れかのピクセル（例えば、図９のピクセル２０ｂ）の計数率を読み込む（ステップＳ２０２）。

ステップＳ２０３では、非一様性推定部１８４が、処理対象ピクセルの非一様性を推定し、ステップＳ２０４で当該処理対象ピクセルの入射率を補正して入射率推定値を算出する。具体的には、例えば、ステップＳ２０３では、非一様性推定部１８４および信号補正部１８５は、記憶部１８２に予め記憶されたプログラムを読み込んで以下のように動作する。まず、非一様性推定部１８４は、処理対象ピクセルの計数率ｙ_ａと、当該処理対象ピクセルの近傍に位置するピクセルの計数率ｙ_ｂから、処理対象ピクセルへのＸ線入射率が非一様であると判定する。

例えば、非一様性推定部１８４は、予め求めておいた計数率特性を参照することにより、計数率ｙ_ａおよびｙ_ｂに対応する近傍ピクセルの入射率予測値ｘ_ａ、ｘ_ｂを算出し、その差が所定値以上である場合、処理対象ピクセルへのＸ線入射率が非一様であると判定する。もしくは、計数率ｙ_ａと計数率ｙ_ｂとを直接比較し、その差が所定値以上である場合、処理対象ピクセルへのＸ線入射率が非一様であると判定してもよい。なお、計数率特性ｙ＝ｆ（ｘ）は、予め求めておいた関数（数式）として非一様性推定部１８４または信号補正部１８５が保持しておいてもよいし、計数率と入射率推定値のテーブルとして保持していてもよい。

入射率が非一様である場合、ステップ２０４において、信号補正部１８５は、近傍ピクセルの計数率ｙ_ｂから、計数率特性を参照することにより、計数率ｙ_ｂに対応する近傍ピクセルの入射率予測値ｘ_ｂを算出する（図１４のステップＳ２５１参照）。つぎに、信号補正部１８５は、近傍ピクセル内のサブピクセルの入射率予測値ｘ_ｂＲを算出する（ステップＳ２５２）。例えば、近傍ピクセル内で一様な入射率であると仮定して、入射率予測値ｘｂＲを等分することによりサブピクセルの入射率予測値ｘ_ｂＲを算出する。

つぎに、信号補正部１８５は、処理対象ピクセルにおける入射率分布が、近傍サブピクセルから離れるにしたがって、近傍サブピクセルの入射率予測値ｘｂＲに対して指数関数的に変化していると仮定した数式（例えば、上記式（３））により、処理対象ピクセルに含まれるサブピクセル毎の暫定的な入射率予測値ｘ_ａＬ、ｘ_ａＲを算出する（ステップＳ２５３）。信号補正部１８５は、暫定的なサブピクセルの入射率予測値ｘ_ａＬ、ｘ_ｂＲに対応する暫定的な計数率予測値ｙ_calａＬ、ｙ_calａＲを、計数率特性を参照して算出する（ステップＳ２５４）。
これらを加算した処理対象ピクセル全体の計数率予測値ｙ_calａ＝ｙ_calａＬ＋ｙ_calａＲと、ステップＳ２０１で取得した実際の処理対象ピクセルの計数率ｙ_ａの比ｑを算出する（ステップＳ２５５）。ステップＳ２５３で算出した暫定的なサブピクセルの入射率予測値ｘ_ａＬ、ｘ_ａＲを比ｑ倍することにより、入射率推定値ｘ_ＥａＬ、ｘ_ＥａＲを求める（ステップＳ２５６）。

そして、ステップＳ２０５に進み、信号補正部１８５は、算出された入射率推定値を記憶部１８２に一時的に記憶する。

ステップＳ２０６では、信号補正部１８５は、当該処理対象ピクセルの近傍に位置するピクセルに対する入射率推定値の算出が全て終了したかを判定する。すなわち、信号補正部１８５は、当該ピクセルの近傍のピクセルのうち、予め定めた位置の全ピクセルについて入射率推定値の算出が終了したかを判定し、入射率推定値の算出が終了していない場合には、ステップＳ２０２に戻り上述した処理を繰り返す。

信号補正部１８５が予め定めた位置の全ピクセルについて入射率推定値の算出が終了したと判定した場合には、ステップＳ２０７に進み、信号補正部１８４が、予め定めた位置の全ピクセルについて得られた入射率推定値から、例えば、相加平均、相乗平均、調和平均、中央値、最大値、最小値等の何れか、予め定めた手法により当該処理対象ピクセルの入射率推定値を算出する。

ステップＳ２０８において、信号補正部１８５は、算出した処理対象ピクセルの入射率推定値を記憶部１８２に記憶する。ステップＳ２０９において、検出部１５１から得られた全ピクセルに対する非一様性推定から入射率推定値算出までの処理が終了したかを判定し、全ピクセルに対する処理が終了していない場合にはステップＳ２０１へ戻り同様の処理を繰り返す。一方、全ピクセルに対する処理が終了した場合には、本処理を終了し、再構成像の生成に進む。
なお、上述した非一様性推定から入射率推定値算出までの処理は、再構成像の生成と同時に逐次的に行うこともできる。

（入射率推定値の算出手法の変形例）
入射分布の非一様性を考慮した入射率推定値の算出手法は、上述した手法に限られず、例えば以下に示すように様々な手法が考えられる。
上述の例では、当該ピクセル２０ａについて、当該ピクセル２０ａと隣接ピクセル２０ｂの２つのピクセルのデータから１つの入射率推定値を得る例について説明した（図９参照）。この他、当該ピクセル２０ａを挟み、当該ピクセル２０ａを含む３つのピクセル２０ａ，２０ｂ，２０ｃあるいはそれ以上のピクセルの計数率等のデータから１つの入射率推定値を算出することもでき、本変形例では、当該ピクセル２０ａを含む３つのピクセル２０ａ，２０ｂ，２０ｃの計数率等から１つの入射率推定値を算出する場合について説明する。

図１０の表１に示すように、ピクセル２０ｂ及び２０ｃの計数率特性に基づく入射率予測値はそれぞれ５Ｍｃｐｓ，４０Ｍｃｐｓであるため、それぞれのピクセル内ではサブピクセル当たり２．５Ｍｃｐｓ，２０Ｍｃｐｓの入射率であると考える。すると、サブピクセル２１ｂＲから２１ｃＬまで３サブピクセル離れたところで入射率が８倍になっていることから、サブピクセル２１ａＬ及び２１ａＲの入射率は例えばαをパラメータとしてそれぞれ２．５×８＾｛（１／３）^α｝ Ｍｃｐｓ、２．５×８＾｛（２／３）^α｝ Ｍｃｐｓとおくことができる。この場合のピクセル２０ａの計数率が実測に一致すると考え、計数率特性ｆ（ｘ）に対して、以下の式（５）を考えることができる。

上記式（５）を解くとα＝１が得られる。よって、サブピクセル２１ａＬ，２１ａＲの入射率として５．０Ｍｃｐｓ、１０．０Ｍｃｐｓ、ピクセル２０ａあたりとしては１５．０Ｍｃｐｓという精度の良い入射率推定値を得ることができる。なお、サブピクセル２１ａＬ，２１ａＲの入射率に関しては、式（５）に限らずサブピクセル２１ｂＲ及びサブピクセル２１ｃＬの入射率を繋ぐ関数を自由に設定することができる。

また、隣接するピクセルのデータのみを用いるのではなく、さらに範囲を広げた近傍のピクセルのデータを用いて入射分布の非一様性を推定しても良い。例えば、上述した手法では、処理対象のピクセル２０ａに隣接するピクセル２０ｂの計数率特性に基づく入射率予測値が５Ｍｃｐｓであったことからサブピクセル２１ｂＲ（及びサブピクセル２１ｂＬ）の入射率予測値を２．５Ｍｃｐｓと考え、ピクセル２０ａへの入射分布の非一様性の影響を推定した。

図１５に示すように、隣接するピクセル２０ｂだけでなく、ピクセル２０ｄの計数率も用いてサブピクセル２１ｂＲの入射率を計算することができる。
例えば、ピクセル２０ｄの入射率予測値が３Ｍｃｐｓであった場合、入射分布の変化が一次関数的であると仮定すると、サブピクセル２１ｄＲ，２１ｄＬ，２１ｂＲ，２１ｂＬへの入射率はそれぞれ１．２５Ｍｃｐｓ，１．７５Ｍｃｐｓ，２．２５Ｍｃｐｓ，２．７５Ｍｃｐｓと推定することができる。よって、サブピクセル２１ｂＲの入射率を２．７５Ｍｃｐｓと考えてピクセル２０ａへの入射分布の非一様性を推定することができる。サブピクセル２１ｂＲへの入射率の推定においては、一次関数的な分布に限らず、指数関数的な分布その他の分布を仮定することができる。

また、上述した例では、簡単のため一次元的な検出器を用い、同一の行に位置するピクセルから得られるデータを用いた手法について説明したが、近傍の行に位置するピクセルのデータを用いることもできる。例えば、図１６に示すように、ピクセル２０ｂと同じ列に存在する近傍のピクセル２０ｂ＋及び２０ｂ−のデータを用い、適当な加重平均の操作によりサブピクセル２１ｂＲの入射率を推定し、これを元にピクセル２０ａへの入射分布の非一様性の影響を推定することができる。

＜第２の実施形態＞
上述した第１の実施形態では、全ピクセルに対して入射率推定値を算出することとして説明した。しかしながら、必ずしも全ピクセルに対して入射率推定値を算出する必要はなく、ピクセル毎に入射率推定値を算出する又は算出しない、を切替えても良い。

例えば、隣接ピクセルの計数率との比較から、当該ピクセルへの放射線入射率が極大値や極小値、あるいは鞍点となっていると判断される場合は、当該ピクセル内での入射分布の非一様性は無視できると判断して入射率推定値を算出せず、処理時間を短縮することが考えられる。なお、入射率推定値を算出する又はしないに係る切替えの判断は、入力装置１９２によりユーザが直接指定しても良いし、撮像や再構成の条件の設定を介して間接的に指定するようにしても良い。

ピクセル毎に入射率推定値を算出する又は算出しない、を切替える場合には、例えば、図１７に示すフローチャートに従って、ピクセル毎の非一様性推定から入射率推定値算出までの処理を行う。
非一様性推定部１８４が、記憶部１８２に記憶された入射率推定値を算出するピクセルである処理対象ピクセル（例えば、図９のピクセル２０ａ）の計数値に係る出力信号（以下、「計数率」という）を読み込み（ステップＳ３０１）、続いて、当該処理対象ピクセルの近傍に位置する何れかのピクセル（例えば、図９のピクセル２０ｂ）の計数率を読み込む（ステップＳ３０２）。

ステップＳ３０３において、非一様性推定部１８４が、当該ピクセルとステップＳ３０２で読み込んだピクセルの計数率同士を比較することにより、当該ピクセルへの放射線入射率が極大値や極小値、あるいは鞍点となっているかを判定することにより、当該ピクセルの計数率を補正するか否かを判断する。ステップＳ３０３において、当該ピクセルを補正しないと判定された場合には、ステップＳ３０９に進む。また、ステップＳ３０３において、当該ピクセルと補正すると判定された場合には、ステップＳ３０４に進む。

ステップＳ３０４では、非一様性推定部１８４が、処理対象ピクセルの非一様性を推定し、当該処理対象ピクセルの入射率を補正して入射率推定値を算出する。すなわち、ステップＳ３０４では、非一様性推定部１８４は、記憶部１８２に予め記憶されたプログラムに従って、上述したように、処理対象ピクセルの計数率と、当該処理対象ピクセルの近傍に位置するピクセルの計数率とに基づいて、処理対象ピクセルに含まれるサブピクセル毎非一様性を推定し、非一様性に応じた入射率推定値を算出する。そして、サブピクセル毎の入射率推定値を加算して処理対象ピクセルの入射率推定値を算出する。ステップＳ３０５で、信号補正部１８５は、算出された入射率推定値を記憶部１８２に一時的に記憶する。

ステップＳ３０６では、信号補正部１８５は、当該処理対象ピクセルの近傍に位置するピクセルに対する入射率推定値の算出が全て終了したかを判定する。すなわち、信号補正部１８５は、当該ピクセルの近傍のピクセルのうち、予め定めた位置の全ピクセルについて入射率推定値の算出が終了したかを判定し、入射率推定値の算出が終了していない場合には、ステップＳ３０２に戻り上述した処理を繰り返す。

信号補正部１８５が予め定めた位置の全ピクセルについて入射率推定値の算出が終了したと判定した場合には、ステップＳ３０７に進み、信号補正部１８４が、予め定めた位置の全ピクセルについて得られた入射率推定値から、例えば、相加平均、相乗平均、調和平均、中央値、最大値、最小値等の何れか、予め定めた手法により当該処理対象ピクセルの入射率推定値を算出する。

ステップＳ３０８において、信号補正部１８５は、算出した処理対象ピクセルの入射率推定値を記憶部１８２に記憶する。ステップＳ３０９において、検出部１５１から得られた全ピクセルに対する非一様性推定から入射率推定値算出までの処理が終了したかを判定し、全ピクセルに対する処理が終了していない場合にはステップＳ２０１へ戻り同様の処理を繰り返す。一方、全ピクセルに対する処理が終了した場合には、本処理を終了し、再構成像の生成に進む。

＜第３の実施形態＞
また、ピクセル内の非一様性の影響を推定する際の参考とするため、信号加算部１６６が、計数率（出力信号）と共に、ピクセル内の入射分布の非一様性に関する情報を出力しても良い。すなわち、任意のピクセルを構成するサブピクセルの間で、入射率の非一様性が一定以上存在すると判断できる場合には、予めそのピクセルに対してフラグを立てるようなデータを出力し、記憶部１８２に記憶しておく。

これにより、フラグが付されたピクセルのみ入射率推定値の算出を行う、又は、入射したＸ線の均一性が低い、すなわち非一様性が高いと判定して、入射率推定値算出の際により強く計数率を補正する等の処理を行うことができる。信号加算部１６６は、計数率と共に記憶させるフラグとして、例えば、０か１かのフラグとすることができる他、非一様性の程度などの定量的な値をフラグとして出力することもできる。これにより、出力されるデータ量はやや増加するものの、全てのサブピクセルの計数率を出力することに比べれば依然としてデータ量は少なく、入射率推定値を算出する計算コストも削減することができる。

この場合の処理は、例えば、図１８に示すフローチャートに従って、ピクセル毎の非一様性推定から入射率推定値算出までの処理を行う。
ステップＳ４０１において、非一様性推定部１８４が、記憶部１８２に記憶された入射率推定値を算出するピクセルである処理対象ピクセルの計数値に係る計数率をフラグと共に読み込む。ステップＳ４０２では、非一様性推定部１８４が、当該ピクセルにフラグが付されているか否かを判定することにより、当該ピクセルの計数率を補正するか否かを判断する。ステップＳ４０２において、当該ピクセルを補正しないと判定された場合には、ステップＳ４０９に進む。また、ステップＳ４０２において、当該ピクセルと補正すると判定された場合には、ステップＳ４０３に進む。

続いて、ステップＳ４０３で、当該処理対象ピクセルの近傍に位置する何れかのピクセルの計数率を読み込む。ステップＳ４０４では、非一様性推定部１８４が、処理対象ピクセルの非一様性を推定し、当該処理対象ピクセルの入射率を補正して入射率推定値を算出する。すなわち、ステップＳ４０４では、非一様性推定部１８４は、記憶部１８２に予め記憶されたプログラムに従って、上述したように、処理対象ピクセルの計数率と、当該処理対象ピクセルの近傍に位置するピクセルの計数率とに基づいて、処理対象ピクセルに含まれるサブピクセル毎非一様性を推定し、非一様性に応じた入射率推定値を算出する。そして、サブピクセル毎の入射率推定値を加算して処理対象ピクセルの入射率推定値を算出する。ステップＳ４０５で、信号補正部１８５は、算出された入射率推定値を記憶部１８２に一時的に記憶する。

ステップＳ４０６では、信号補正部１８５は、当該処理対象ピクセルの近傍に位置するピクセルに対する入射率推定値の算出が全て終了したかを判定する。すなわち、信号補正部１８５は、当該ピクセルの近傍のピクセルのうち、予め定めた位置の全ピクセルについて入射率推定値の算出が終了したかを判定し、入射率推定値の算出が終了していない場合には、ステップＳ４０３に戻り上述した処理を繰り返す。

信号補正部１８５が予め定めた位置の全ピクセルについて入射率推定値の算出が終了したと判定した場合には、ステップＳ４０７に進み、信号補正部１８４が、予め定めた位置の全ピクセルについて得られた入射率推定値から、例えば、相加平均、相乗平均、調和平均、中央値、最大値、最小値等の何れか、予め定めた手法により当該処理対象ピクセルの入射率推定値を算出する。

ステップＳ４０８において、信号補正部１８５は、算出した処理対象ピクセルの入射率推定値を記憶部１８２に記憶する。ステップＳ４０９において、検出部１５１から得られた全ピクセルに対する非一様性推定から入射率推定値算出までの処理が終了したかを判定し、全ピクセルに対する処理が終了していない場合にはステップＳ４０１へ戻り同様の処理を繰り返す。一方、全ピクセルに対する処理が終了した場合には、本処理を終了し、再構成像の生成に進む。

＜第４の実施形態＞
また、ピクセルへの入射率推定値を算出する際に、隣接するピクセルについて計数率特性から得られる入射率予測値（図１０の表１の７段目）を用いた。しかしながら、入射率予測値が入射分布の非一様性の影響を受けている可能性がある。

そこで、さらに推定の精度を向上させるため、入射率予測値に代えて、算出した入射率推定値を用いて再度同様の入射率推定値を算出する処理を行うことができる。この処理を複数回繰り返す逐次的な処理も可能である。

この場合の処理は、例えば、図１９に示すフローチャートに従って、ピクセル毎の非一様性推定から入射率推定値算出までの処理を行う。
非一様性推定部１８４が、記憶部１８２に記憶された入射率推定値を算出するピクセルである処理対象ピクセルの計数値に係る計数率を読み込み（ステップＳ５０１）、当該処理対象ピクセルの近傍に位置する何れかのピクセルの計数率を読み込む（ステップＳ５０２）。

続いて、非一様性推定部１８４が、処理対象ピクセルの非一様性を推定し、信号補正部１８５が、これに基づいて当該処理対象ピクセルの入射率を補正して入射率推定値を算出し（ステップＳ５０３）、算出された入射率推定値を記憶部１８２に一時的に記憶する（ステップＳ５０４）。

ステップＳ５０５では、信号補正部１８５が、当該ピクセルの近傍のピクセルのうち、予め定めた位置の全ピクセルについて入射率推定値の算出が終了したかを判定し、入射率推定値の算出が終了していない場合には、ステップＳ５０２に戻り上述した処理を繰り返す。信号補正部１８５が予め定めた位置の全ピクセルについて入射率推定値の算出が終了したと判定した場合には、ステップＳ５０６に進み、信号補正部１８５が、予め定めた位置の全ピクセルについて得られた入射率推定値から、例えば、相加平均等の予め定めた手法により当該処理対象ピクセルの入射率推定値を算出し、算出した処理対象ピクセルの入射率推定値を記憶部１８２に記憶する（ステップＳ５０７）。

ステップＳ５０８において、検出部１５１から得られた全ピクセルに対する非一様性推定から入射率推定値算出までの処理が終了したかを判定し、全ピクセルに対する処理が終了していない場合にはステップＳ５０１へ戻り同様の処理を繰り返す。一方、全ピクセルに対する処理が終了した場合には、次のステップＳ５０９に進み、記憶部１５２に記憶された入射率推定値の精度が十分であるか否かを判定する。判定の結果、精度が不十分であると判定された場合には、ステップＳ５０２に戻り、当該ピクセルの計数率に代えて、算出した入射率推定値を用いて、再度入射率推定値算出処理を行う。一方、ステップＳ５０９において、信号補正部１８５により算出された入射率推定値の精度が十分であると判定された場合には本処理を終了し、再構成像の生成に進む。

以上述べたように、上述した各実施形態によれば、各サブピクセルに対するＸ線の入射分布が非一様であり、各サブピクセル（検出素子）のデッドタイムにバラつきがある場合であっても、当該サブピクセル近傍のピクセルにおける計数率を用いて、当該サブピクセルの入射分布の非一様性を推定するので、Ｘ線の入射分布を適切に把握することができる。延いては、入射分布の非一様性に基づいて、入射したＸ線量を正確に推定するので、取得される再構成画像におけるアーチファクトを低減させて画質の向上を図ることができる。

上述した各実施形態において、計数率と入射率との関係を示す計数率特性について述べたが、計数率特性ｆ（ｘ）は、解析的な式を用いて与えても良いし、ルックアップテーブル及び必要に応じた内挿を用いて与えても良い。
また、非一様性の推定及び非一様性の推定結果に基づく補正による入射率推定値の算出は、画像生成部における画像再構成と必ずしも独立に行う必要はなく、同時に実施することもできる。また、他の補正（例えばパイルアップの補正）と同時に実施することもできる。例として、画像再構成において逐次近似の手法を活用する場合に、非一様性の影響の推定を他の検出器応答とともに順問題的に取り込むことで同時に実施し、再構成像を作成することが可能である。

また、上述した各実施形態においては、直接型放射線検出素材の上面に共通電極、下面にサブピクセル電極を設けることでサブピクセル分割を実施しているが、共通電極を設けず、上面もサブピクセルごとに電極を設けても良い。同様に、隣接するピクセル２０は、上面の共通電極を共有しても良いし、個別に電極を有しても良い。また、検出器の素材として直接型放射線検出素材ではなく、シンチレータ（間接型放射線検出素材）に光デバイスを光学結合したものを使用することもできる。この場合のサブピクセル分割の方法としては、周囲を遮光剤に覆われたシンチレータをサブピクセルごとに設けても良いし、１つのシンチレータに対し、レーザーによるマイクロクラックをサブピクセル間に発生させる手法によってサブピクセル分割しても良い。また光学デバイスとしては、光電子増倍管（ＰＭＴ）、フォトダイオード（ＰＤ）、アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）、シリコン光電子増倍管（ＳｉＰＭ）などを使用することができる。

２０・・・ピクセル、２１・・・サブピクセル、４０・・・検出層、４１，４２・・・電極、１１０・・・ガントリ回転部、１２０・・・Ｘ線源、１２５・・・フィルタ、１３０・・・Ｘ線フォトン、１４０・・・寝台、１４５・・コリメータ、１５０・・・Ｘ線検出器、１５１・・・検出部、１５２・・・信号処理部、１６５・・・チャンネル、１６６・・・信号加算部、１７０・・・制御部、１８０・・・コンピュータ、１８１・・・ＣＰＵ，１８２・・・記憶部、１８３・・・画像生成部、１８４・・・非一様性推定部、１８５・・・信号補正部、１９１・・・表示装置、１９２・・・入力装置

Claims (15)

1. Ｘ線を照射するＸ線源と、
   前記Ｘ線を検出する複数のサブピクセルからなるピクセルを二次元配列した検出部と、
   前記サブピクセルによる検出信号に基づいて前記Ｘ線の強度に応じた出力信号を生成する信号処理部と、
   前記ピクセルに属する前記サブピクセルの前記出力信号を加算することにより前記ピクセル毎のＸ線計数信号を生成する信号加算部と、
   前記Ｘ線計数信号に基づいて、画像を生成する画像生成部と、を備え、
   該画像生成部が、処理対象ピクセルの前記Ｘ線計数信号と、前記処理対象ピクセルの近傍に位置するピクセルの前記Ｘ線計数信号とに基づいて、前記処理対象ピクセルにおけるＸ線入射分布の非一様性を推定する非一様性推定部を備える放射線撮像装置。
2. 前記検出部が、Ｘ線フォトンを検出するフォトンカウンティング型の検出部である請求項１記載の放射線撮像装置。
3. 前記非一様性推定部が、処理対象ピクセルの前記Ｘ線計数信号と、前記処理対象ピクセルに隣接して位置するピクセルのＸ線計数信号とに基づいて、前記処理対象ピクセルにおけるＸ線入射分布の非一様性を推定する請求項１記載の放射線撮像装置。
4. 前記非一様性推定部が、処理対象ピクセルの前記Ｘ線計数信号と、前記処理対象ピクセルの近傍に位置する複数のピクセルのＸ線計数信号とに基づいて、前記処理対象ピクセルにおけるＸ線の入射分布の非一様性を推定することを特徴とする請求項１記載の放射線撮像装置。
5. 前記非一様性推定部が、前記ピクセルに入射するＸ線の入射率と前記Ｘ線計数信号との関係を示す計数率特性を予め保持し、該計数率特性と、処理対象ピクセルの前記Ｘ線計数信号と、前記処理対象ピクセルの近傍に位置するピクセルの前記Ｘ線計数信号とに基づいて、前記処理対象ピクセルにおけるＸ線の入射分布の非一様性を推定することを特徴とする請求項１記載の放射線撮像装置。
6. 前記画像生成部が、
   前記非一様性推定部による非一様性の推定結果に応じて、当該処理対象ピクセルのＸ線計数信号を補正して、前記処理対象ピクセルに入射したＸ線の入射率推定値を算出する信号補正部を備え、
   前記画像生成部が、Ｘ線の入射率推定値に基づいて画像を生成する請求項１記載の放射線撮像装置。
7. 前記非一様性推定部が、前記ピクセルに入射するＸ線の入射率と前記Ｘ線計数信号との関係を示す計数率特性を予め保持し、該計数率特性を用いて、前記処理対象ピクセル及び該処理対象ピクセルの近傍に位置するピクセルの入射率予測値を算出し、前記処理対象ピクセル及び該処理対象ピクセルの近傍に位置するピクセルの前記Ｘ線計数信号と前記入射率予測値に基づいて、前記処理対象ピクセルのＸ線入射分布の非一様性を推定し、
   前記信号補正部が、前記非一様性推定部による推定結果に応じて前記処理対象ピクセルの前記入射率予測値を補正した入射率推定値を算出する請求項６記載の放射線撮像装置。
8. 前記画像生成部は、前記処理対象ピクセル内のサブピクセルにおけるＸ線の入射率推定値を算出する信号補正部を有し、
   前記信号補正部は、前記処理対象ピクセルの前記近傍に位置するピクセルの前記Ｘ線計数信号から、前記近傍のピクセル内のサブピクセルにおけるＸ線入射率を、予め求めておいたＸ線計数信号とＸ線入射率との関係から算出し、算出したＸ線入射率の値と、前記近傍のピクセル内のサブピクセルから前記処理対象ピクセル内のサブピクセルまでの距離に応じてＸ線入射率が変化することを表した所定の関数とを用いて、前記処理対象ピクセル内のサブピクセルのＸ線の前記入射率推定値を算出することを特徴とする請求項１記載の放射線撮像装置。
9. 前記信号補正部は、前記入射率推定値を算出する際に、Ｘ線の入射率が補正前の値よりも高くなるように前記入射率推定値を算出する請求項６記載の放射線撮像装置。
10. 撮像対象の情報、前記Ｘ線源の焦点サイズに影響を与えるパラメータを含む複数の撮像条件を入力する入力部をさらに備え、
    前記画像生成部が、複数の前記撮像条件のうち少なくとも一つを用いてＸ線入射分布の非一様性を推定する請求項１記載の放射線撮像装置。
11. 前記信号加算部が、前記信号処理部から受け取った前記サブピクセル毎の前記出力信号に基づいて、前記処理対象ピクセルにおける非一様性に関する情報を生成し、前記Ｘ線計数信号と共に出力する請求項１記載の放射線撮像装置。
12. 前記画像生成部が、画像の生成処理の際に逐次的に各前記ピクセルに対するＸ線の入射分布の非一様性を推定する請求項１記載の放射線撮像装置。
13. 前記検出部が、半導体放射線検出素子を配列して構成されている請求項１記載の放射線撮像装置。
14. Ｘ線を照射するステップと、
    前記Ｘ線を検出する検出素子を二次元配列したピクセルを複数配列した検出部によって、前記Ｘ線の検出信号を出力するステップと、
    前記検出信号に基づいて前記Ｘ線の強度に応じた出力信号を生成するステップと、
    前記ピクセルに属する前記検出素子の出力信号を加算することにより前記ピクセル毎のＸ線計数信号を生成するステップと、
    処理対象ピクセルの前記Ｘ線計数信号と、前記処理対象ピクセルの近傍に位置するピクセルの前記Ｘ線計数信号とに基づいて、前記処理対象ピクセルのＸ線入射分布の非一様性を推定するステップと、
    前記Ｘ線計数信号に基づいて、画像を生成するステップと、を備えた放射線撮像方法。
15. Ｘ線を照射するステップと、
    前記Ｘ線を検出する検出素子を二次元配列したピクセルを複数配列した検出部によって、前記Ｘ線の検出信号を出力するステップと、
    前記検出信号に基づいて前記Ｘ線の強度に応じた出力信号を生成するステップと、
    前記ピクセルに属する前記検出素子の出力信号を加算することにより前記ピクセル毎のＸ線計数信号を生成するステップと、
    前記Ｘ線計数信号に基づいて、画像を生成するステップと、
    処理対象ピクセルの前記Ｘ線計数信号と、前記処理対象ピクセルの近傍に位置するピクセルの前記Ｘ線計数信号とに基づいて、前記処理対象ピクセルのＸ線入射分布の非一様性を推定するステップとをコンピュータに実行させる放射線撮像プログラム。

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