JP7246975B2 - フォトンカウンティング検出器およびx線ct装置 - Google Patents
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Description
なお、本実施形態において、「投影面」とは、X線がX線管11からPCD12まで通過するボリュームを指す。「被検体空間」とは、投影面とガントリの開口部とが交わるところを指す。「画像空間」は、X線管11がガントリの開口の周りを回転するときの、X線管11の全ての投影角に対応する投影面の統合を含む。画像空間は、被検体Pの寸法よりも広い範囲に亘るボリュームに対して画像再構成を可能にするので、被検体空間に比べて、通常は大きい。
一実装例において、X線管11は、X線エネルギーの幅広いスペクトルを放射する単一の線源である。
言い換えれば、少なくとも1つの大きなマイクロピクセル82に関する検出器応答の第1のセットから取得される情報は、低線束スキャン環境における少なくとも2つの小さなマイクロピクセル80を較正するために用いられてもよい。反対に、少なくとも2つの小さなマイクロピクセル80に関する検出器応答の第2のセットから取得される情報は、高線束スキャン環境における少なくとも1つの大きなマイクロピクセル80を較正するために用いられてもよい。マクロピクセルにおける、大小両方のマイクロピクセルに対する検出器応答は、スキャン環境(高線束/低線束)のタイプに関係なく使用される。
この場合は、上述したPCD12の切り換えと同様に、PCD12で使用するマイクロピクセルを切り換えてもよいし、PCD12から検出データを取得してから、DAS18または処理回路44において、大きなマイクロピクセルの検出データのみを利用するようにしてもよい。または、DAS18または処理回路44が、大きなマイクロピクセルの検出データの重みを大きくし、小さなマイクロピクセルの検出データの重みを小さくして、後段の処理に検出データを用いてもよい。
また、本実施形態に係るPCD12は、2種類のピクセルパターンであるので、3つ以上のピクセルパターンデザインを用いる場合と比較して、PCD12のキャリブレーションが容易となる。
図6は、図5Cに示すハイブリッドピクセルパターンを実際の構成例として表現した図である。実際には、陽極ピクセル74の一例であるマクロピクセル91として、金属などの電気抵抗の小さい物質からなるアノード電極99(アノードパターンともいう)が結晶71上に形成される。これらは、電気的に絶縁されるか、もしくは連続しないギャップ97を設けて配置される。
アノード電極99とギャップ97との構成により、大きなマイクロピクセル93と小さなマイクロピクセル95によるハイブリッドピクセルパターンが形成される。
10 架台装置
11 X線管
12 X線検出器(PCD)
13 回転フレーム
14 X線高電圧装置
15 制御装置
16 ウェッジ
17 コリメータ
18 データ収集装置(DAS)
19 開口(ボア)
30 寝台装置
31 基台
32 寝台駆動装置
33 天板
34 支持フレーム
40 コンソール装置
41 メモリ
42 ディスプレイ
43 入力インターフェース
44 処理回路
441 システム制御機能
442 前処理機能
443 再構成処理機能
444 表示制御機能
Claims (14)
- 第1の面と、前記第1の面に平行な第2の面とを有する半導体結晶に配置された複数のマクロピクセル、
を具備し、
前記複数のマクロピクセルの各マクロピクセルは、再構成画像を生成するための投影データを収集し、
前記各マクロピクセルは、前記各マクロピクセルの中心部分に配置された1個の大マイクロピクセルと、前記大マイクロピクセルを囲むように配置された12個の小マイクロピクセルとの2種類のみからなり、
前記12個の小マイクロピクセルのそれぞれの面積は、前記大マイクロピクセルの面積よりも小さい、
フォトンカウンティング検出器。 - 第1の面と、前記第1の面に平行な第2の面とを有する半導体結晶に配置された複数のマクロピクセル、
を具備し、
前記複数のマクロピクセルの各マクロピクセルは、再構成画像を生成するための投影データを収集し、
前記各マクロピクセルは、前記各マクロピクセルにL字状に配置された3個の大マイクロピクセルと、前記3個の大マイクロピクセルが配置されていない部分に配置された4個の小マイクロピクセルとの2種類のみからなり、
前記4個の小マイクロピクセルのそれぞれの面積は、前記3個の大マイクロピクセルのそれぞれの面積よりも小さい、
フォトンカウンティング検出器。 - 前記マクロピクセルの一辺の半分の長さは、前記大マイクロピクセルの少なくとも一辺の長さに相当し、前記大マイクロピクセルの一辺の半分の長さは、前記小マイクロピクセルの少なくとも一辺の長さに相当する、
請求項1又は2に記載のフォトンカウンティング検出器。 - 前記大マイクロピクセルのピクセルサイズは、前記小マイクロピクセルのピクセルサイズよりも1より大きい整数倍だけ大きい、
請求項1から3のいずれか1項に記載のフォトンカウンティング検出器。 - 前記大マイクロピクセルのピクセルサイズは、前記小マイクロピクセルのピクセルサイズよりも2倍だけ大きい、
請求項1から4のいずれか1項に記載のフォトンカウンティング検出器。 - 前記大マイクロピクセルと前記小マイクロピクセルとは相似する、
請求項1から5のいずれか1項に記載のフォトンカウンティング検出器。 - 前記大マイクロピクセルのピクセルサイズは、略300μmから略600μmの範囲にある、
請求項1から6のいずれか1項に記載のフォトンカウンティング検出器。 - 前記小マイクロピクセルのピクセルサイズは、略150μmから略300μmの範囲にある、
請求項1から7のいずれか1項に記載のフォトンカウンティング検出器。 - 256個のマクロピクセルを含む16×16アレイを含む、
請求項1から8のいずれか1項に記載のフォトンカウンティング検出器。 - 前記大マイクロピクセルに対する検出器応答の第1のセットと、複数の小マイクロピクセルに対する検出器応答の第2のセットとをさらに具備する、
請求項1から9のいずれか1項に記載のフォトンカウンティング検出器。 - 前記検出器応答の第1のセットから取得される情報は、低線束スキャン環境における前記複数の小マイクロピクセルを較正するために用いられる、
請求項10に記載のフォトンカウンティング検出器。 - 前記検出器応答の第2のセットから取得される情報は、高線束スキャン環境における前記大マイクロピクセルを較正するために用いられる、
請求項10又は11に記載のフォトンカウンティング検出器。 - 前記第1の面を覆うカソード電極をさらに具備し、
前記複数のマクロピクセルは、前記第2の面を覆う、
請求項1から12のいずれか1項に記載のフォトンカウンティング検出器。 - X線を照射するX線管と、
前記X線管から照射されて被検体を透過したX線を検出する、請求項1から13のいずれか1項に記載のフォトンカウンティング検出器と、
を具備するX線CT装置。
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---|---|---|---|---|
JP2009018154A (ja) | 2007-05-04 | 2009-01-29 | General Electric Co <Ge> | オーバーレンジ論理制御を伴う光子計数x線検出器 |
JP2010536021A (ja) | 2007-08-09 | 2010-11-25 | ヨーロピアン・オーガニゼーション・フォア・ニュークリア・リサーチ | 放射線監視デバイス |
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WO2017038133A1 (ja) | 2015-09-04 | 2017-03-09 | 株式会社島津製作所 | 放射線検出器および検出器モジュール |
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