JP6693081B2 - Integrated circuit and integrated circuit test method - Google Patents

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Description

本発明は、集積回路、および集積回路の試験方法に関する。   The present invention relates to an integrated circuit and a test method for the integrated circuit.

集積回路内のRAM(Random Access Memory)の全アドレスのfail bit情報を取得する方法
としてfail bit map (FBM)試験がある。FBM試験では、例えば、自己テスト(Built In Self Test, BIST)回路が集積回路に組み込まれ、集積回路内のRAMのテストが実行される。
There is a fail bit map (FBM) test as a method of acquiring fail bit information of all addresses of RAM (Random Access Memory) in an integrated circuit. In the FBM test, for example, a self-test (Built In Self Test, BIST) circuit is incorporated in an integrated circuit and a RAM test in the integrated circuit is executed.

特開2009−26372号公報JP, 2009-26372, A 特開2010−40085号公報JP, 2010-40085, A

ところで、従来の技術は、自己テスト回路のクロックよりも低速なクロックにより動作する記憶回路でfail bit情報とfail アドレス情報を記憶する。このため、従来の技術は
、fail アドレス情報等のエラー結果取得のために、一旦自己テスト回路による試験を終
了させる方式を採用する。したがって、一度の自己テスト回路による試験の実行で複数のfailアドレス情報等のエラー結果データを取得することができず、試験の繰り返しが多くなってしまうという欠点が生じる。
By the way, according to the conventional technology, the fail bit information and the fail address information are stored in a storage circuit that operates with a clock slower than the clock of the self-test circuit. For this reason, the conventional technique adopts a method of temporarily ending the test by the self-test circuit in order to obtain an error result such as fail address information. Therefore, it is not possible to acquire error result data such as a plurality of pieces of fail address information by executing the test by the self-test circuit once, resulting in a drawback that the number of times the test is repeated increases.

そこで、本発明は、集積回路内のテスト回路による試験で複数のエラー結果及びエラーが発生した複数の試験対象アドレスを取得し、集積回路内のテスト回路による試験の繰り返しを低減し、高速クロックによる試験を効率良く実行できる集積回路、および集積回路の試験方法を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention acquires a plurality of error results and a plurality of test target addresses in which an error has occurred in the test by the test circuit in the integrated circuit, reduces the repetition of the test by the test circuit in the integrated circuit, and uses the high-speed clock. An object of the present invention is to provide an integrated circuit capable of efficiently executing a test and a method of testing the integrated circuit.

開示の技術の一側面は、次の集積回路によって例示される。本集積回路は、記憶部、アドレス生成部、試験実行部、複数の結果データ格納部、および複数のアドレス格納部と、この記憶部、アドレス生成部、試験実行部、複数の結果データ格納部、複数のアドレス格納部に第1のクロックを供給する第1クロック回路を有する。また、本集積回路は、外部出力部と、この外部出力部に前記第1のクロックよりも低速の第2のクロックを供給する第2クロック回路を有する。   One aspect of the disclosed technology is exemplified by the following integrated circuit. The integrated circuit includes a storage unit, an address generation unit, a test execution unit, a plurality of result data storage units, and a plurality of address storage units, and a storage unit, an address generation unit, a test execution unit, a plurality of result data storage units, It has a first clock circuit that supplies a first clock to a plurality of address storage units. The integrated circuit further includes an external output unit and a second clock circuit that supplies the external output unit with a second clock that is slower than the first clock.

アドレス生成部は、記憶部の試験対象アドレスを生成する。試験実行部は、前記記憶部の試験対象アドレスのそれぞれにおける試験の結果データを生成する。複数の結果データ格納部は、試験の結果がエラーの場合のエラー結果データを順次格納する。複数のアドレス格納部は、複数の結果データ格納部で保持されるエラー結果データに対応する複数の試験対象アドレスをそれぞれ格納する。外部出力部は、複数の結果データ格納部にそれぞれエラー結果データが格納され、前記複数のアドレス格納部にそれぞれ試験対象アドレスが格納された後に、前記複数の結果データ格納部にそれぞれ格納されたエラー結果データと前記複数のアドレス格納部にそれぞれ格納された試験対象アドレスとを外部装置に出力する。   The address generation unit generates a test target address in the storage unit. The test execution unit generates test result data at each test target address in the storage unit. The plurality of result data storage units sequentially store error result data when the test result is an error. The plurality of address storage units respectively store a plurality of test target addresses corresponding to the error result data held in the plurality of result data storage units. The external output unit stores the error result data in each of the plurality of result data storage units, stores the test target address in each of the plurality of address storage units, and then stores the error stored in each of the plurality of result data storage units. The result data and the test target address stored in each of the plurality of address storage units are output to the external device.

本集積回路によれば、集積回路内のテスト回路による試験で複数のエラー結果及びエラ
ーが発生した複数の試験対象アドレスを取得し、集積回路内のテスト回路による試験の繰り返しを低減し、高速クロックによる試験を効率良く実行することができる。
According to the present integrated circuit, a plurality of error results and a plurality of test target addresses in which an error has occurred are acquired by the test by the test circuit in the integrated circuit, the repetition of the test by the test circuit in the integrated circuit is reduced, and the high-speed clock is reduced. The test by can be efficiently performed.

実施形態1のFBM試験の処理手順を例示するフローチャートである。6 is a flowchart illustrating a processing procedure of an FBM test according to the first embodiment. 実施形態1の集積回路の回路ブロック図と、本集積回路でのFBM試験を起動するLSIテスタの構成を例示する図である。FIG. 3 is a circuit block diagram of the integrated circuit of the first embodiment and a diagram illustrating a configuration of an LSI tester that activates an FBM test in the present integrated circuit. fail bitパタンの例である。This is an example of a fail bit pattern. fail bitパタンが発生したときに記憶回路が保持するデータの例である。It is an example of data held by a memory circuit when a fail bit pattern occurs. 実施形態1の集積回路が実行する高速FBM試験の処理手順を例示するフローチャートである。6 is a flowchart illustrating a processing procedure of a high-speed FBM test executed by the integrated circuit of the first embodiment. 実施形態2の集積回路の構成を例示する構成図である。6 is a configuration diagram illustrating a configuration of an integrated circuit according to a second embodiment. FIG. 実施形態2の集積回路での高速FBM試験の処理手順を例示するフローチャートである。9 is a flowchart illustrating a processing procedure of a high-speed FBM test in the integrated circuit of the second embodiment. fail bit情報とfail アドレス情報を3組記憶する記憶回路の構成を例示する図である。It is a figure which illustrates the structure of the memory circuit which memorize | stores 3 sets of fail bit information and fail address information. BIST試験の実行、データ転送、およびBIST試験の再開・継続のタイミングと、fail bit情報、およびfail アドレス情報を例示する図である。It is a figure which illustrates the timing of execution of a BIST test, data transfer, the restart / continuation of a BIST test, fail bit information, and fail address information. BIST試験後にLSIテスタに転送されるデータを例示する図である。It is a figure which illustrates the data transferred to an LSI tester after a BIST test. 集積回路において、エラーが検知されたときの各部の値の変化を例示する図である。It is a figure which illustrates the change of the value of each part when an error is detected in an integrated circuit. 集積回路において、エラーが検知されたときの各部の値の変化を例示する図である。It is a figure which illustrates the change of the value of each part when an error is detected in an integrated circuit.

以下、図面を参照して、実施形態に係る集積回路について説明する。以下の実施形態の構成は例示であり、本集積回路は実施形態の構成には限定されない。   Hereinafter, an integrated circuit according to an embodiment will be described with reference to the drawings. The configurations of the following embodiments are examples, and the present integrated circuit is not limited to the configurations of the embodiments.

[実施形態1]
図1から図5に基づいて実施形態1に係る集積回路を説明する。本集積回路は、メモリと、メモリのBIST試験を実行するBIST回路と、BIST回路にBIST試験のための初期設定を行い、BIST試験終了後に試験結果を読み出すためのスキャンシフト回路とを有する。スキャンシフト回路は、本集積回路外部のLSI(Large Scale Integration)テスタに接続される。本集積回路は、LSIテスタの指令によって以下の手順でBIST回路を用いた高速FBM試験を実行する。すなわち、
(1)本集積回路は、BIST試験による試験対象のアドレスでpass/failの判定を実施する。
(2)そして、本集積回路は、BIST試験中に初めてfailした時の試験対象アドレスである第
1の特定アドレスと、BIST試験で検出されたエラービットを示す第1のfail bitパタンの情報を記憶する。さらに、本集積回路は、第1のfail bitパタンが連続して出現したら、第1のfail bitパタンについての同一fail bitパタン連続出現回数を記憶することをBIST試験中に行なう。
(3)さらに、本集積回路は、第1のfail bitパタンとは異なる第2のfail bitパタンが出
現したら、その第2のfail bitパタンが出現した第2の特定アドレスと第2のfail bitパタンの情報とを記憶する。さらに、本集積回路は、第2のfail bitパタンが連続して出現したら、第2のfail bitパタンについての同一fail bitパタン連続出現回数を記憶することをBIST試験中に行なう。
(4)そして、本集積回路は、BIST試験中の最後にfail bit情報を得た最後の特定アドレス
の次のアドレスにおいて、次回BIST試験のpass/failの判定が開始するように、最後の特
定アドレスを保持し、次回のBIST試験に備える。
[Embodiment 1]
An integrated circuit according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 5. This integrated circuit includes a memory, a BIST circuit that executes a BIST test of the memory, and a scan shift circuit that performs initial setting for the BIST test in the BIST circuit and reads the test result after the BIST test is completed. The scan shift circuit is connected to an LSI (Large Scale Integration) tester outside the integrated circuit. This integrated circuit executes the high-speed FBM test using the BIST circuit by the following procedure according to the command from the LSI tester. That is,
(1) This integrated circuit performs pass / fail determination at the test target address by the BIST test.
(2) Then, this integrated circuit provides the first specific address, which is the test target address when the first failure occurs during the BIST test, and the information of the first fail bit pattern indicating the error bit detected in the BIST test. Remember. Further, when the first fail bit pattern appears consecutively, the present integrated circuit stores during the BIST test the number of consecutive occurrences of the same fail bit pattern for the first fail bit pattern.
(3) Furthermore, when the second fail bit pattern different from the first fail bit pattern appears, the present integrated circuit causes the second specific address and the second fail bit where the second fail bit pattern appears. Memorize the pattern information. Further, when the second fail bit pattern appears consecutively, the present integrated circuit stores the number of consecutive occurrences of the same fail bit pattern for the second fail bit pattern during the BIST test.
(4) Then, this integrated circuit determines the last specified address so that the pass / fail judgment of the next BIST test starts at the address next to the last specified address at which the last fail bit information was obtained during the BIST test. Holds the address and prepares for the next BIST test.

なお、本集積回路は、上記(2)(3)において、fail bitパタンと、fail bitパタンが最初に出現したアドレスと、fail bitパタンの連続出現回数を試験結果として記憶するとともに、一連のBIST試験終了後に、記憶している試験結果をスキャンシフトで外部のLSIテス
タに出力可能な記憶部を複数組有する。
In this integrated circuit, in (2) and (3) above, the fail bit pattern, the address where the fail bit pattern first appears, and the number of consecutive occurrences of the fail bit pattern are stored as a test result and a series of BIST After the test, it has a plurality of sets of storage units that can output the stored test results to an external LSI tester by scan shift.

上記項目(2)(3)はBIST試験中にfailアドレス情報を記憶すること、項目(4)はBIST制御
回路なしに次回BIST試験の試験対象アドレスを設定することを実行する。本集積回路は、この手順を試験対象アドレスの末尾にいたるまで繰り返して実行することにより、高速FBM試験の時間を短縮する。本集積回路は、特に下記効果を達成する。
(効果1)本集積回路は、上記項目(2)(3)を実行することで、同一fail bitパタンが連続した場合、fail bit情報の記憶をスキップすることが可能となる。また、本集積回路は、同一fail bitパタンが連続したときのfail bit情報の転送をスキップすることが可能となる。
(効果2)本集積回路は、上記項目(2)(3)を実行することで、一度のBIST試験で複数のfail bit情報を転送することが可能となる。すなわち、本集積回路は、1回のBIST試験で記
憶できるfail bit情報及びfailアドレス情報を増やせる回路構成をとる。
The items (2) and (3) above store the fail address information during the BIST test, and the item (4) sets the test target address of the next BIST test without the BIST control circuit. This integrated circuit repeats this procedure up to the end of the test target address to reduce the time of the high-speed FBM test. The integrated circuit achieves the following effects.
(Effect 1) By executing the above items (2) and (3), this integrated circuit can skip storing fail bit information when the same fail bit pattern continues. Further, this integrated circuit can skip transfer of fail bit information when the same fail bit pattern continues.
(Effect 2) By executing the above items (2) and (3), this integrated circuit can transfer a plurality of fail bit information in one BIST test. That is, this integrated circuit has a circuit configuration capable of increasing fail bit information and fail address information that can be stored in one BIST test.

図1は、FBM試験の処理手順を例示するフローチャートである。本集積回路は、LSIテスタからの設定にしたがってBIST試験を開始する(G1)。   FIG. 1 is a flowchart illustrating the processing procedure of the FBM test. This integrated circuit starts the BIST test according to the settings from the LSI tester (G1).

本集積回路は、試験対象アドレスにシーケンシャルにアクセスして、BIST試験を実行する(G2)。そして、前後する2つの試験対象アドレスにおいて、同一fail bitパタンが出現した場合には、本集積回路は、同一fail bitパタン連続回数を記憶し、当該アドレスをスキップする。また、試験対象アドレスの試験結果が正常、すなわち、passと判断された場合には、本集積回路は、当該アドレスをスキップする。このようにして、BIST試験において、本集積回路は、(a)異なるfail bitパタンの情報、(b) 異なるfail bitパタンが発生
したfailアドレス情報、及び、(c) 同一fail bitパタン連続回数を記憶する。
The integrated circuit sequentially accesses the test target address and executes the BIST test (G2). Then, when the same fail bit pattern appears in two test addresses before and after, the present integrated circuit stores the same fail bit pattern consecutive number of times and skips the address. Further, when the test result of the test target address is normal, that is, when it is determined that the test result is pass, the present integrated circuit skips the address. In this way, in the BIST test, this integrated circuit displays (a) different fail bit pattern information, (b) different fail address pattern generated fail address information, and (c) the same fail bit pattern consecutive number of times. Remember.

そして、本集積回路は、すべての記憶回路にデータを記憶したか、または、所定範囲のアドレスの試験を終了したか、否かを判定する(G3)。すべての記憶回路にデータを記憶していない場合で、かつ、所定アドレスの試験を終了していない場合には、本集積回路は、G2の処理に戻る。一方、所定範囲の記憶回路にデータを記憶したか、または、所定範囲のアドレスの試験を終了したかのいずれかが充足される場合には、本集積回路は、BIST試験を終了する(G4)。ここで、所定範囲のアドレスとは、fail bit情報が発生しない場合に連続して実行できるテスト範囲のアドレスをいう。所定範囲のアドレスは例えば、RAMの全
範囲でもよい。
Then, the integrated circuit determines whether or not the data is stored in all the storage circuits or the test of the address in the predetermined range is completed (G3). When the data is not stored in all the storage circuits and the test of the predetermined address is not completed, the integrated circuit returns to the process of G2. On the other hand, when either the data is stored in the memory circuit in the predetermined range or the test of the address in the predetermined range is completed, this integrated circuit ends the BIST test (G4). .. Here, the address in the predetermined range is an address in the test range that can be continuously executed when the fail bit information does not occur. The predetermined range of addresses may be, for example, the entire range of RAM.

そして、本集積回路は、クロックを高速CLKから低速CLKに切り替える。そして、本集積回路は、スキャンシフトにより、試験結果を外部のLSIテスタに転送する(G6)。さらに、LSIテスタは全アドレスの試験結果を取得したか否かを判定する(G7)。LSIテスタは、全ア
ドレスの試験結果を取得していない場合には、本集積回路において次のBIST試験を起動する。すると、本集積回路は、最後に記憶したfailアドレスの次のアドレスからBIST試験の判定を開始する(G8)。一方、LSIテスタは、全アドレスの試験結果を取得した場合には、
高速FBM試験を終了する。
Then, the integrated circuit switches the clock from the high speed CLK to the low speed CLK. Then, the integrated circuit transfers the test result to the external LSI tester by scan shift (G6). Further, the LSI tester determines whether or not the test results of all addresses have been acquired (G7). The LSI tester activates the next BIST test in this integrated circuit when the test results for all addresses are not acquired. Then, the integrated circuit starts determination of the BIST test from the address next to the last stored fail address (G8). On the other hand, if the LSI tester acquires test results for all addresses,
Finish the high-speed FBM test.

図2は、本集積回路の回路ブロック図と、本集積回路でのFBM試験を起動するLSIテスタの構成を例示する図である。図2で、本集積回路は、LSIで例示されている。本集積回路
は、フェーズロックループ(PLL)回路 3-22と、分周回路 3-23と、パターンジェネレー
タ(PG) 3-1と、メモリ(RAM) 3-3と、マスク回路 3-7a,3-7b,3-7mと、fail bit記憶回路
3-8a,3-8b,3-8mと、比較回路3-18a,3-18bと、マスク回路3-21a,3-21bと、同一fail連続
回数カウンタ3-20a,3-20bと、試験アドレスカウンタ 3-10と、マスク回路 3-12a, 3-12b,
3-12mと、failアドレス記憶回路3-11a,3-11b,3-11mと、マスク信号生成回路3-19とを有
する。
FIG. 2 is a circuit block diagram of the present integrated circuit and a diagram exemplifying a configuration of an LSI tester that activates an FBM test in the present integrated circuit. In FIG. 2, this integrated circuit is exemplified by an LSI. This integrated circuit consists of a phase locked loop (PLL) circuit 3-22, a frequency divider circuit 3-23, a pattern generator (PG) 3-1, a memory (RAM) 3-3, a mask circuit 3-7a, 3-7b, 3-7m and fail bit memory circuit
3-8a, 3-8b, 3-8m, comparison circuits 3-18a, 3-18b, mask circuits 3-21a, 3-21b, same fail consecutive number counter 3-20a, 3-20b, test Address counter 3-10 and mask circuit 3-12a, 3-12b,
3-12m, fail address storage circuits 3-11a, 3-11b, 3-11m, and a mask signal generation circuit 3-19.

メモリ(RAM) 3-3は記憶部の一例である。パターンジェネレータ(PG) 3-1は、記憶部
の試験対象アドレスに書き込まれる試験データを生成するデータ生成部の一例である。マスク回路 3-7aは、複数の結果データ格納部のうち第1の結果データ格納部にエラー結果
データが格納されたときに、前記第1の結果データ格納部への次のエラー結果データの格納を遮断する第1の遮断回路の一例である。マスク回路 3-7bは、複数の結果データ格納
部のうち第1の結果データ格納部に第1のエラー結果データが格納された後に、第2の結果データ格納部に第1のエラー結果データとは異なる第2のエラー結果データが格納されたときに、前記第2の結果データ格納部への次のエラー結果データの格納を遮断する第2の遮断回路の一例である。fail bit記憶回路 3-8a, 3-8b, 3-8mは、試験の結果がエラー
の場合のエラー結果データを順次格納する複数の結果データ格納部の一例である。fail bit記憶回路 3-8aは、第1の結果データ格納部の一例でもある。fail bit記憶回路 3-8bは、第2の結果データ格納部の一例でもある。試験アドレスカウンタ 3-10は記憶部の試験
対象アドレスを生成するアドレス生成部の一例である。試験アドレスカウンタ 3-10はア
ドレス生成部が有する第1カウンタの一例でもある。failアドレス記憶回路3-11a, 3-11b, 3-11mは、複数の結果データ格納部で保持されるエラー結果データに対応する複数の試
験対象アドレスをそれぞれ格納するアドレス格納部の一例である。failアドレス記憶回路
3-11a, 3-11b, 3-11mは、第1カウンタを駆動するクロックと同一のクロックで駆動され
る第2カウンタの一例でもある。マスク回路 3-12a, 3-12b, 3-12mは、複数の結果データ格納部のいずれかにエラー結果データが格納されたときに、前記エラー結果データが格納された結果データ格納部に対応するアドレス格納部の前記第2カウンタへのクロックを遮断する遮断回路の一例である。同一fail連続回数カウンタ3-20aは、同一のエラー結果デ
ータが複数回連続して繰り返される場合に、繰り返し数を計数する第3カウンタの一例である。同一fail連続回数カウンタ3-20bは第4カウンタの一例である。フェーズロックル
ープ(PLL)回路 3-22は,記憶部、アドレス生成部、試験実行部、複数の結果データ格納
部、および複数のアドレス格納部に第1のクロックを供給する第1クロック回路の一例である。分周回路 3-23は、外部出力部に前記第1のクロックよりも低速の第2のクロック
を供給する第2クロック回路の一例である。
The memory (RAM) 3-3 is an example of a storage unit. The pattern generator (PG) 3-1 is an example of a data generation unit that generates test data to be written at the test target address in the storage unit. The mask circuit 3-7a stores the next error result data in the first result data storage unit when the error result data is stored in the first result data storage unit among the plurality of result data storage units. It is an example of the 1st interruption circuit which interrupts. The mask circuit 3-7b stores the first error result data in the second result data storage unit after the first error result data is stored in the first result data storage unit among the plurality of result data storage units. Is an example of a second cutoff circuit that cuts off the storage of the next error result data in the second result data storage unit when different second error result data is stored. The fail bit storage circuits 3-8a, 3-8b, 3-8m are examples of a plurality of result data storage units that sequentially store error result data when the test result is an error. The fail bit storage circuit 3-8a is also an example of the first result data storage unit. The fail bit storage circuit 3-8b is also an example of the second result data storage unit. The test address counter 3-10 is an example of an address generation unit that generates a test target address in the storage unit. The test address counter 3-10 is also an example of the first counter included in the address generator. The fail address storage circuits 3-11a, 3-11b, 3-11m are examples of an address storage unit that stores a plurality of test target addresses corresponding to the error result data held in the plurality of result data storage units, respectively. fail address memory circuit
3-11a, 3-11b, 3-11m are also examples of the second counter driven by the same clock as the clock that drives the first counter. The mask circuits 3-12a, 3-12b, 3-12m correspond to the result data storage unit in which the error result data is stored when the error result data is stored in any of the plurality of result data storage units. It is an example of a shutoff circuit for shutting off a clock to the second counter of the address storage unit. The same failure consecutive number counter 3-20a is an example of a third counter that counts the number of repetitions when the same error result data is repeated a plurality of times consecutively. The same fail consecutive number counter 3-20b is an example of a fourth counter. The phase-locked loop (PLL) circuit 3-22 is an example of a first clock circuit that supplies a first clock to a storage unit, an address generation unit, a test execution unit, a plurality of result data storage units, and a plurality of address storage units. Is. The frequency divider circuit 3-23 is an example of a second clock circuit that supplies a second clock, which is slower than the first clock, to the external output unit.

PLL回路 3-22は、LSIテスタからテスタクロックの供給を受ける。PLL回路 3-22は、テ
スタクロックに同期した高周波クロックを発生する。高周波クロックは、パターンジェネレータ 3-1、メモリ 3-3及び本集積回路内の各記憶回路に供給される。
The PLL circuit 3-22 is supplied with the tester clock from the LSI tester. The PLL circuit 3-22 generates a high frequency clock synchronized with the tester clock. The high frequency clock is supplied to the pattern generator 3-1, the memory 3-3, and each storage circuit in this integrated circuit.

分周回路 3-23は、PLL回路 3-22からの高周波クロックを分周し、低周波クロックを生
成する。低周波クロックは、パターンジェネレータ 3-1、メモリ 3-3及び本集積回路内の各記憶回路に供給され、スキャンシフトによる初期設定、および試験結果の読み出しに用いられる。
The frequency divider circuit 3-23 divides the high frequency clock from the PLL circuit 3-22 to generate a low frequency clock. The low frequency clock is supplied to the pattern generator 3-1, the memory 3-3, and each memory circuit in this integrated circuit, and is used for initial setting by scan shift and reading of test results.

パターンジェネレータ 3-1は、スキャン入力(SI)端子とスキャン出力(SO)端子を有している。パターンジェネレータ 3-1は、スキャンチェーン回路からSI端子を通じて、スキャンシフトによりLSIテスタから初期値の設定を受ける。そして、パターンジェネレータ 3-1は、PLL回路 3-22からの高周波クロックにしたがって、試験パタンを生成し、生成した
試験パタンをメモリ 3-3等へ供給する。
The pattern generator 3-1 has a scan input (SI) terminal and a scan output (SO) terminal. The pattern generator 3-1 receives an initial value setting from the LSI tester by scan shift from the scan chain circuit through the SI terminal. Then, the pattern generator 3-1 generates a test pattern in accordance with the high frequency clock from the PLL circuit 3-22, and supplies the generated test pattern to the memory 3-3 and the like.

試験アドレスカウンタ3-10は、PLL回路 3-22からの高周波クロックにしたがって、試験対象のアドレスを生成する。メモリ 3-3は、試験対象のアドレスに対して、パターンジェネレータ 3-1が生成した試験パタンを書き込み、試験対象のアドレスに書き込まれている
データを読み出す。メモリ 3-3の試験対象のアドレスから読み出されたデータは、パターンジェネレータ 3-1が生成した試験パタン(期待値)と比較される。図2では、メモリ 3-3から読み出されたデータと期待値とを比較する比較器は省略されている。
The test address counter 3-10 generates an address to be tested according to the high frequency clock from the PLL circuit 3-22. The memory 3-3 writes the test pattern generated by the pattern generator 3-1 to the test target address and reads the data written to the test target address. The data read from the test target address in the memory 3-3 is compared with the test pattern (expected value) generated by the pattern generator 3-1. In FIG. 2, the comparator for comparing the data read from the memory 3-3 with the expected value is omitted.

fail bit記憶回路3-8a,3-8b,3-8mは、メモリ 3-3から読み出されたデータと期待値との比較の結果、エラーが発生した場合に、エラーのビットパタンであるfail bitパタン(pf_info_a,pf_info_b, pf_info_m)を格納する。fail bitパタン(pf_info_a, pf_info_b, pf_info_m)は、エラー結果データの一例である。ただし、本実施形態では、上記比較の結果
、エラーが発生した場合で、かつ、前後して試験される試験対象アドレスでのfail bitパタンが相互に異なる場合に、相互に異なるfail bitパタンがfail bit記憶回路3-8a, 3-8b, 3-8mに記憶される。
fail bit The memory circuits 3-8a, 3-8b, 3-8m are the bit pattern of the error when an error occurs as a result of the comparison between the data read from the memory 3-3 and the expected value. Store the bit pattern (pf_info_a, pf_info_b, pf_info_m). The fail bit pattern (pf_info_a, pf_info_b, pf_info_m) is an example of error result data. However, in the present embodiment, as a result of the comparison, if an error occurs and the fail bit patterns at the test target addresses tested before and after are different from each other, different fail bit patterns fail. It is stored in the bit memory circuits 3-8a, 3-8b, 3-8m.

一方、メモリ 3-3から読み出されたデータと期待値との比較の結果、エラーが発生しなかった場合には、試験結果パタンはfail bit記憶回路3-8a,3-8b,3-8mに記憶されない。また、前後して試験される試験対象アドレスで同一のfail bitパタンが出現した場合には、後のfail bitパタンは記憶されない。このため、マスク回路 3-7a,3-7b,3-7mが設けられ
ている。マスク回路3-7a,3-7b,3-7mには、メモリ 3-3から読み出されたデータと期待値との比較の結果、エラーが発生し、かつ、前後して試験される試験対象アドレスで異なるfail bitパタンが出現した場合に、相互に異なるfail bitパタンをそれぞれ順次fail bit記憶回路3-8a,3-8b,3-8mに記憶するためのマスク信号が供給される。
On the other hand, as a result of comparing the data read from the memory 3-3 with the expected value, if no error occurs, the test result pattern is the fail bit storage circuit 3-8a, 3-8b, 3-8m. I can't remember. Further, if the same fail bit pattern appears at the test target addresses tested before and after, the subsequent fail bit pattern is not stored. Therefore, mask circuits 3-7a, 3-7b, 3-7m are provided. In the mask circuits 3-7a, 3-7b, 3-7m, an error occurs as a result of the comparison between the data read from the memory 3-3 and the expected value, and the test target is tested before and after. When different fail bit patterns appear at the addresses, mask signals for sequentially storing different fail bit patterns in the fail bit storage circuits 3-8a, 3-8b, 3-8m are supplied.

例えば、初期状態では、マスク回路 3-7a,3-7b,3-7mには、マスクなしの設定されてい
る。マスク回路 3-7a,3-7b,3-7mの設定は、fail bitパタンが出現するまで維持される。
したがって、最初のfail bitパタンが出現まで、メモリ 3-3から読み出されたデータと期待値との比較の結果は、fail bit記憶回路3-8a,3-8b,3-8mにそれぞれ上書きされる。そして、最初のfail bitパタンが出現し、fail bit記憶回路3-8a,3-8b,3-8mに書き込まれると、まず、マスク回路 3-7aが入力信号をマスクするように設定され、マスク回路 3-7b,3-7mはマスクなしの設定が維持される。このマスク信号は、マスク信号生成回路 3-19が、最初のfail bitパタンから生成する。
For example, in the initial state, the mask circuits 3-7a, 3-7b, 3-7m are set to have no mask. The settings of mask circuits 3-7a, 3-7b, 3-7m are maintained until a fail bit pattern appears.
Therefore, until the first fail bit pattern appears, the result of comparing the data read from the memory 3-3 with the expected value is overwritten in the fail bit storage circuits 3-8a, 3-8b, 3-8m, respectively. It Then, when the first fail bit pattern appears and is written in the fail bit storage circuits 3-8a, 3-8b, 3-8m, first, the mask circuit 3-7a is set to mask the input signal, and the mask signal is set. Circuits 3-7b and 3-7m remain unmasked. This mask signal is generated by the mask signal generation circuit 3-19 from the first fail bit pattern.

すると、次の試験対象アドレスにおける試験結果である、メモリ 3-3から読み出されたデータと期待値との比較の結果は、fail bit記憶回路3-8aには書き込まれない。その結果、最初のfail bitパタンがfail bit記憶回路3-8aに保持される。そして、メモリ 3-3から読み出されたデータと期待値との比較の結果が正常(pass)、あるいは、最初のfail bitパタンと同一のエラーである場合には、マスク回路 3-7b,3-7mはマスクなしの設定が維持される。その結果、メモリ 3-3から読み出されたデータと期待値との比較の結果が正常(pass)、あるいは、最初のfail bitパタンと同一のエラーが継続する限り、メモリ 3-3から読み出されたデータと期待値との比較の結果は、fail bit記憶回路3-8b,3-8mに上書き
して記憶される。
Then, the result of the comparison between the data read from the memory 3-3 and the expected value, which is the test result at the next test target address, is not written to the fail bit storage circuit 3-8a. As a result, the first fail bit pattern is held in the fail bit memory circuit 3-8a. If the result of comparison between the data read from the memory 3-3 and the expected value is normal (pass) or the same error as the first fail bit pattern, the mask circuit 3-7b, 3 At -7m, the maskless setting is maintained. As a result, as long as the result of comparison between the data read from memory 3-3 and the expected value is normal (pass) or the same error as the first fail bit pattern continues, the data is read from memory 3-3. The result of comparison between the generated data and the expected value is overwritten and stored in the fail bit storage circuits 3-8b and 3-8m.

そして、最初のfail bitパタンとは異なる第2のfail bitパタンが発生すると、マスク信号生成回路 3-19が、マスク回路 3-7bをマスクし、マスク回路 3-7mをマスクなしとす
るマスク信号を生成する。なお、このとき、マスク回路 3-7aはマスクが維持されたまま
である。すると、さらに次の試験対象アドレスにおける試験結果である、メモリ 3-3から読み出されたデータと期待値との比較の結果は、fail bit記憶回路3-8bには書き込まれない。その結果、第2のfail bitパタンがfail bit記憶回路3-8bに保持される。マスク回路
3-7mの動作もマスク回路 3-7a,3-7bの動作と同様である。このようにして、fail bit記
憶回路3-8a,3-8b,3-8mには、それぞれ異なるfail bitパタン(pf_info_a, pf_info_b, pf_info_m)が保持される。fail bit記憶回路3-8a,3-8bは、SI端子とSO端子を有している。fail bit記憶回路3-8a,3-8bは、スキャンチェーン回路からSI端子を通じて、スキャンシフ
トによりLSIテスタからの初期値の設定を受ける。また、fail bit記憶回路3-8a,3-8bは、SO端子につながるスキャンチェーン回路を通じて、記憶しているfail bitパタンをスキャンシフトによりLSIテスタに転送する。
When a second fail bit pattern different from the first fail bit pattern is generated, the mask signal generation circuit 3-19 masks the mask circuit 3-7b and masks the mask circuit 3-7m without masking. To generate. At this time, the mask of the mask circuit 3-7a is still maintained. Then, the result of comparison between the data read from the memory 3-3 and the expected value, which is the test result at the next test target address, is not written to the fail bit storage circuit 3-8b. As a result, the second fail bit pattern is held in the fail bit storage circuit 3-8b. Mask circuit
The operation of 3-7m is similar to the operation of mask circuits 3-7a and 3-7b. In this way, the fail bit storage circuits 3-8a, 3-8b, 3-8m hold different fail bit patterns (pf_info_a, pf_info_b, pf_info_m). The fail bit storage circuits 3-8a and 3-8b have SI terminals and SO terminals. The fail bit storage circuits 3-8a and 3-8b receive the initial value setting from the LSI tester by scan shift from the scan chain circuit through the SI terminal. Further, the fail bit storage circuits 3-8a and 3-8b transfer the stored fail bit pattern to the LSI tester by scan shift through the scan chain circuit connected to the SO terminal.

比較回路 3-18aは、fail bit記憶回路3-8aの記憶データとfail bit記憶回路 3-8bの記
憶データを比較し、比較結果をマスク信号生成回路 3-19に伝達する。また、比較回路 3-18bは、fail bit記憶回路3-8bの記憶データとfail bit記憶回路 3-8mの記憶データを比較し、比較結果をマスク信号生成回路 3-19に伝達する。マスク信号生成回路 3-19は、比較回路 3-18a,3-18bの比較結果にしたがって、異なるfail bitパタンが発生したことを検知すると、マスク回路 3-7b,3-7mを順次マスクするマスク信号を生成する。また、比較回路
3-18a,3-18bの比較結果は、それぞれマスク回路3-21a,3-21bを通じて、それぞれ同一fail連続回数カウンタ 3-20a,3-20bに供給される。
The comparison circuit 3-18a compares the storage data of the fail bit storage circuit 3-8a with the storage data of the fail bit storage circuit 3-8b, and transmits the comparison result to the mask signal generation circuit 3-19. Also, the comparison circuit 3-18b compares the storage data of the fail bit storage circuit 3-8b with the storage data of the fail bit storage circuit 3-8m, and transmits the comparison result to the mask signal generation circuit 3-19. When the mask signal generation circuit 3-19 detects that a different fail bit pattern is generated according to the comparison result of the comparison circuits 3-18a and 3-18b, it masks the mask circuits 3-7b and 3-7m sequentially. Generate a signal. Also, the comparison circuit
The comparison results of 3-18a and 3-18b are supplied to the same fail consecutive number counters 3-20a and 3-20b through mask circuits 3-21a and 3-21b, respectively.

マスク回路3-21aは、最初のfail bitパタンが出現し、かつ、fail bit記憶回路3-8aの
記憶データ(pf_info_a)とfail bit記憶回路 3-8bの記憶データ(pf_info_b)が同一である
場合に、マスク信号生成回路 3-19のマスク信号にしたがい、マスクなしの状態となる。
そして、fail bit記憶回路3-8aの記憶データ(pf_info_a)とfail bit記憶回路 3-8bの記憶データ(pf_info_b)が異なるデータとなったときに、マスク回路3-21aは、マスク信号生成回路 3-19のマスク信号にしたがい、マスク状態となる。
When the first fail bit pattern appears in the mask circuit 3-21a and the stored data (pf_info_a) of the fail bit storage circuit 3-8a and the stored data (pf_info_b) of the fail bit storage circuit 3-8b are the same. Then, according to the mask signal of the mask signal generation circuit 3-19, the state without masking is set.
When the storage data (pf_info_a) of the fail bit storage circuit 3-8a and the storage data (pf_info_b) of the fail bit storage circuit 3-8b are different data, the mask circuit 3-21a causes the mask signal generation circuit 3 -The mask state is entered according to the mask signal of -19.

すなわち、最初のfail bitパタンが継続する限り、マスク信号生成回路 3-19が、マス
ク回路 3-21aをマスクなしとし、マスク回路 3-21bをマスクするマスク信号を生成する。そして、最初のfail bitパタンとは異なる第2のfail bitパタンが発生すると、マスク信号生成回路 3-19は、比較回路3-18aの比較結果から、マスク3-21aをマスクする信号を生
成する。したがって、同一fail連続回数カウンタ3-20aは、マスク回路3-21aのマスクの有無にしたがって、最初のfail bitパタンの連続出現回数(Ca2)を計数する。
That is, as long as the first fail bit pattern continues, the mask signal generation circuit 3-19 sets the mask circuit 3-21a to be unmasked and generates a mask signal for masking the mask circuit 3-21b. Then, when a second fail bit pattern different from the first fail bit pattern is generated, the mask signal generation circuit 3-19 generates a signal for masking the mask 3-21a from the comparison result of the comparison circuit 3-18a. .. Therefore, the same fail consecutive number counter 3-20a counts the number of consecutive appearances (Ca2) of the first fail bit pattern according to the presence / absence of masking in the mask circuit 3-21a.

同様に、マスク回路3-21bは、第2のfail bitパタンが出現し、かつ、fail bit記憶回
路3-8bの記憶データ(pf_info_b)とfail bit記憶回路 3-8mの記憶データ(pf_info_m)が同
一である場合に、マスク信号生成回路 3-19のマスク信号にしたがい、マスクなしの状態
となる。そして、fail bit記憶回路3-8bの記憶データ(pf_info_b)とfail bit記憶回路 3-8m(pf_info_m)の記憶データが異なるデータとなったときに、マスク回路3-21bは、マスク信号生成回路 3-19のマスク信号にしたがい、マスク状態となる。
Similarly, in the mask circuit 3-21b, the second fail bit pattern appears, and the storage data (pf_info_b) of the fail bit storage circuit 3-8b and the storage data (pf_info_m) of the fail bit storage circuit 3-8m are generated. If they are the same, the mask signal is generated in accordance with the mask signal of the mask signal generation circuit 3-19. When the storage data (pf_info_b) of the fail bit storage circuit 3-8b and the storage data of the fail bit storage circuit 3-8m (pf_info_m) become different data, the mask circuit 3-21b causes the mask signal generation circuit 3 -The mask state is entered according to the mask signal of -19.

すなわち、第2のfail bitパタンが継続する限り、マスク信号生成回路 3-19が、マス
ク回路 3-21bをマスクなしとするマスク信号を生成する。そして、第2のfail bitパタンとは異なる次のfail bitパタンが発生すると、マスク信号生成回路 3-19は、比較回路3-18bの比較結果から、マスク3-21bをマスクする信号を生成する。したがって、同一fail連
続回数カウンタ3-20bは、マスク回路3-21bのマスクの有無にしたがって、第2のfail bitパタンの連続出現回数(Cb2)を計数する。fail bitパタンの連続出現回数(Ca2,Cb2)は第3カウンタで計数される繰り返し数の一例である。
That is, as long as the second fail bit pattern continues, the mask signal generation circuit 3-19 generates a mask signal for masking the mask circuit 3-21b. Then, when the next fail bit pattern different from the second fail bit pattern is generated, the mask signal generation circuit 3-19 generates a signal for masking the mask 3-21b from the comparison result of the comparison circuit 3-18b. .. Therefore, the same fail consecutive number counter 3-20b counts the number of consecutive appearances (Cb2) of the second fail bit pattern according to the presence / absence of masking in the mask circuit 3-21b. The number of consecutive occurrences of fail bit pattern (Ca2, Cb2) is an example of the number of repetitions counted by the third counter.

同一fail連続回数カウンタ3-20b ,3-20bは、SI端子とSO端子を有している。同一fail連続回数カウンタ3-20b ,3-20bは、スキャンチェーン回路を通じてSI端子から、スキャンシフトによりLSIテスタからの初期値の設定を受ける。また、同一fail連続回数カウンタ3-20b ,3-20bは、SO端子につながるスキャンチェーン回路を通じて、fail bitパタンの連続
出現回数(Ca2,Cb2)をスキャンシフトによりLSIテスタに転送する。
The same fail consecutive number counters 3-20b and 3-20b have SI terminals and SO terminals. The same failure consecutive number counters 3-20b and 3-20b receive the initial value setting from the LSI tester by the scan shift from the SI terminal through the scan chain circuit. Further, the same fail consecutive number counters 3-20b and 3-20b transfer the consecutive appearance numbers (Ca2, Cb2) of the fail bit pattern to the LSI tester by scan shift through the scan chain circuit connected to the SO terminal.

failアドレス記憶回路3-11a,3-11b,3-11mは、それぞれ、最初のfail bitパタン、第2
のfail bitパタン、第3のfail bitパタンが出現した試験対象アドレス(Ca1,Cb1,Cm1)を
記憶する。最初のfail bitパタン、第2のfail bitパタン、第3のfail bitパタンが出現した試験対象アドレス(Ca1,Cb1,Cm1)は、複数の結果データ格納部で保持されるエラー結
果データに対応する複数の試験対象アドレスの一例である。そのため、マスク回路3-12a,3-12b,3-12mは、初期状態では、マスクなしの状態が設定される。そして、最初のfail bitパタンが出現してfail bit記憶回路3-8aに記憶され、試験対象アドレスがfailアドレス
記憶回路3-11a,3-11b,3-11mに設定されると、まず、マスク回路3-12aがマスクされ、一方、マスク回路3-12b,3-12mは、マスクが維持される。その結果、次の試験対象アドレスに
試験対象が移行しても、failアドレス記憶回路3-11aの試験対象アドレスの値(Ca1)は保持される。
The fail address storage circuits 3-11a, 3-11b, 3-11m are the first fail bit pattern and the second, respectively.
The test target addresses (Ca1, Cb1, Cm1) where the fail bit pattern and the third fail bit pattern appear are stored. The test target addresses (Ca1, Cb1, Cm1) where the first fail bit pattern, the second fail bit pattern, and the third fail bit pattern appear correspond to the error result data stored in multiple result data storage units. It is an example of a plurality of test target addresses. Therefore, the mask circuits 3-12a, 3-12b, and 3-12m are set to the maskless state in the initial state. Then, when the first fail bit pattern appears and is stored in the fail bit memory circuit 3-8a, and the test target address is set in the fail address memory circuits 3-11a, 3-11b, 3-11m, first, the mask The circuit 3-12a is masked, while the mask circuits 3-12b and 3-12m are kept masked. As a result, even if the test target moves to the next test target address, the value (Ca1) of the test target address of the fail address storage circuit 3-11a is retained.

同様に、第2のfail bitパタンが出現し、fail bit記憶回路3-8bに記憶されると、マスク回路3-12bはマスクされ、マスク回路3-12cはマスクなしが維持される。その結果、試験対象が次の試験対象アドレスに移行しても、failアドレス記憶回路3-11bの試験対象アド
レスの値(Cb1)は保持される。failアドレス記憶回路3-11cとマスク回路3-12cの動作は、failアドレス記憶回路3-11aとマスク回路3-12aの動作、failアドレス記憶回路3-11bとマスク回路3-12bの動作と同様である。
Similarly, when the second fail bit pattern appears and is stored in the fail bit storage circuit 3-8b, the mask circuit 3-12b is masked and the mask circuit 3-12c remains unmasked. As a result, even if the test target moves to the next test target address, the value (Cb1) of the test target address of the fail address storage circuit 3-11b is retained. The operation of the fail address storage circuit 3-11c and the mask circuit 3-12c is the same as the operation of the fail address storage circuit 3-11a and the mask circuit 3-12a, and the operation of the fail address storage circuit 3-11b and the mask circuit 3-12b. Is.

failアドレス記憶回路3-11a,3-11b,3-11mは、SI端子とSO端子を有している。failアド
レス記憶回路3-11a,3-11b,3-11mは、スキャンチェーン回路からSI端子を通じて、スキャ
ンシフトによりLSIテスタから初期値の設定を受ける。また、failアドレス記憶回路3-11a,3-11b,3-11mは、SO端子につながるスキャンチェーン回路を通じて、fail アドレス情報
をスキャンシフトによりLSIテスタに転送する。
The fail address storage circuits 3-11a, 3-11b, 3-11m have SI terminals and SO terminals. The fail address storage circuits 3-11a, 3-11b, 3-11m receive initial values from the LSI tester by scan shift through the SI terminal from the scan chain circuit. Further, the fail address storage circuits 3-11a, 3-11b, 3-11m transfer the fail address information to the LSI tester by scan shift through the scan chain circuit connected to the SO terminal.

マスク信号生成回路3-19は、最初のfail bitパタンが出現し、最初のfail アドレスがfailアドレス記憶回路3-11aに設定されると、マスク回路3-12aをマスクし、マスク回路3-12b,3-12cをマスクなしとする信号を生成する。同様に、マスク信号生成回路3-19は、第2のfail bitパタンが出現し、第2のfail アドレスがfailアドレス記憶回路3-11bに設定されると、マスク回路3-12bをマスクし、マスク回路3-12cをマスクなしとする信号を生成する。さらに、同様に、マスク信号生成回路3-19は、第3のfail bitパタンが出現し、第3のfail アドレスがfail アドレス記憶回路3-11cに設定されると、マスク回路3-12cをマスクする信号を生成する。   When the first fail bit pattern appears and the first fail address is set in the fail address storage circuit 3-11a, the mask signal generation circuit 3-19 masks the mask circuit 3-12a and the mask circuit 3-12b. , 3-12c with no mask is generated. Similarly, when the second fail bit pattern appears and the second fail address is set in the fail address storage circuit 3-11b, the mask signal generation circuit 3-19 masks the mask circuit 3-12b, A signal for not masking the mask circuit 3-12c is generated. Further, similarly, when the third fail bit pattern appears and the third fail address is set in the fail address storage circuit 3-11c, the mask signal generation circuit 3-19 masks the mask circuit 3-12c. To generate the signal.

図3は、試験対象アドレスad 0からad 7におけるfail bitパタンの例である。この例では、試験対象アドレスad 1, ad 2, ad 5において、それぞれ、bit 1にエラーが出現して
いる。また、試験対象アドレスad 6において、bit 1,bit 2にエラーが発生している。ま
た、試験対象アドレスad 7において、bit2にエラーが発生している。この場合に、最初のfail bitパタンが出現したアドレスad 1と、そのときのfailパタン0010が記憶回路aに保
持される。ここで、記憶回路aは、例えば、図2のfailアドレス記憶回路3-11aとfail bit記憶回路3-8aである。
FIG. 3 is an example of the fail bit pattern at the test target addresses ad 0 to ad 7. In this example, an error appears in bit 1 at each of the test target addresses ad 1, ad 2, ad 5. Also, at the test target address ad 6, an error occurs in bit 1 and bit 2. In addition, at the test target address ad 7, an error has occurred in bit 2. In this case, the address ad 1 at which the first fail bit pattern appears and the fail pattern 0010 at that time are held in the memory circuit a. Here, the memory circuit a is, for example, the fail address memory circuit 3-11a and the fail bit memory circuit 3-8a in FIG.

また、アドレスad 3, ad 4で正常状態が継続した後、アドレスad 5でアドレスad 1と同一のfailパタン 0010が出現した場合も、そのfail bitパタンが出現したアドレスad 5と
、そのときのfailパタン 0010が記憶回路bに保持される。ここで、記憶回路bは、例えば
、図2のfailアドレス記憶回路3-11bとfail bit記憶回路3-8bである。
In addition, even if the same fail pattern 0010 as the address ad 1 appears at the address ad 5 after the normal state continues at the addresses ad 3 and ad 4, the address ad 5 at which the fail bit pattern appears and the The fail pattern 0010 is held in the memory circuit b. Here, the memory circuit b is, for example, the fail address memory circuit 3-11b and the fail bit memory circuit 3-8b in FIG.

さらに、アドレスad 6でアドレスad 5とは異なるfailパタン0011が出現した場合も、そのfail bitパタンが出現したアドレスad 6と、そのときのfailパタン 0011が記憶回路mに保持される。ここで、記憶回路mは、例えば、図2のfailアドレス記憶回路3-11mとfail bit記憶回路3-8mである。   Further, even when a fail pattern 0011 different from the address ad 5 appears at the address ad 6, the address ad 6 at which the fail bit pattern appears and the fail pattern 0011 at that time are held in the memory circuit m. Here, the memory circuit m is, for example, the fail address memory circuit 3-11m and the fail bit memory circuit 3-8m in FIG.

なお、図3では、アドレスad7でアドレスad6とは異なるfailパタン0010が出現するが、記憶回路のすべてがすでにエラー結果データを記憶しているため、アドレスad7でのfail bitパタンが出現したアドレスad 7と、そのときのfailパタン0010は、図2の集積回路で
は記憶できない。そのため、本集積回路は、最後に試験されたアドレスad 6をfailアドレス記憶回路3-11mに保持したまま、一旦BIST試験を終了し、記憶回路a,b,mの試験結果をLSIテスタに出力する。その後、本集積回路は、最後に試験されたアドレスad 6の次のアド
レスからBIST試験を再開する。
In FIG. 3, a fail pattern 0010 appears at the address ad7, which is different from the address ad6. However, since all the memory circuits have already stored error result data, the address ad7 at which the fail bit pattern appears at the address ad7. 7 and the fail pattern 0010 at that time cannot be stored in the integrated circuit of FIG. Therefore, this integrated circuit temporarily ends the BIST test while holding the last tested address ad 6 in the fail address storage circuit 3-11m and outputs the test results of the storage circuits a, b, m to the LSI tester. To do. Then, the integrated circuit restarts the BIST test from the address next to the last tested address ad 6.

図4は、図3のfail bitパタンが発生したときに記憶回路a,b,mが保持するデータ例で
ある。図3で説明したように、記憶回路aは、fail bitパタンの情報(以下、fail bit情
報)として、0010を保持し、fail bitパタンが出現した試験対象アドレス(以下、fail アドレス)として、ad1を保持する。また、同一fail連続回数は2回である。また、記憶回路bは、fail bit情報として、0010を保持し、failアドレスとして、ad5を保持する。また、同一fail連続回数は1回である。さらに、記憶回路mは、fail bit情報として、0110を保持し、failアドレスとして、ad6を保持する。また、図2の回路では、3つ目のfail bitパ
タンについては、同一fail連続回数は計数されない。
FIG. 4 is an example of data held in the memory circuits a, b, and m when the fail bit pattern of FIG. 3 occurs. As described with reference to FIG. 3, the memory circuit a holds 0010 as the information of the fail bit pattern (hereinafter, fail bit information), and uses ad1 as the test target address (hereinafter, fail address) at which the fail bit pattern appears. Hold. Also, the number of consecutive same failures is 2. Further, the memory circuit b holds 0010 as fail bit information and ad5 as a fail address. Also, the number of consecutive same failures is one. Further, the memory circuit m holds 0110 as fail bit information and ad6 as fail address. In the circuit of FIG. 2, the same fail consecutive number is not counted for the third fail bit pattern.

図5は、本実施形態において、集積回路が実行する高速FBM試験の処理手順を例示する
フローチャートである。図5は、図2の構成にしたがって、図1の手順、特に、G2の処理を具体化したものである。
FIG. 5 is a flowchart illustrating the processing procedure of the high-speed FBM test executed by the integrated circuit in the present embodiment. FIG. 5 embodies the procedure of FIG. 1, particularly the processing of G2, according to the configuration of FIG.

図1で述べたように、本集積回路は、LSIテスタからの設定にしたがってBIST試験を開
始する(S101)。すなわち、本集積回路は、試験対象アドレスをシーケンシャルに進め、試験対象アドレスでBIST試験を実行する(S102)。そして、本集積回路は、メモリ 3-3から読み出されたデータと期待値との比較の結果、fail bitパタンが出現したか否かを判定する(S103)。S103の判定で、fail bitパタンが出現しない場合、本集積回路は、S102の処理に戻る。
As described with reference to FIG. 1, the present integrated circuit starts the BIST test according to the setting from the LSI tester (S101). That is, the present integrated circuit advances the test target address sequentially and executes the BIST test at the test target address (S102). Then, the present integrated circuit determines whether or not a fail bit pattern has appeared as a result of the comparison between the data read from the memory 3-3 and the expected value (S103). When the fail bit pattern does not appear in the determination of S103, the integrated circuit returns to the process of S102.

一方、S103の判定で、fail bitパタンが出現した場合、本集積回路は、fail bit情報と、failアドレス情報を記憶する(S104)。そして、本集積回路は、試験対象アドレスをシーケンシャルに進め、次の試験対象アドレスでBIST試験を実行する(S105)。   On the other hand, if a fail bit pattern appears in the determination of S103, this integrated circuit stores fail bit information and fail address information (S104). Then, the present integrated circuit sequentially advances the test target address and executes the BIST test at the next test target address (S105).

そして、本集積回路は、メモリ 3-3から読み出されたデータと期待値との比較の結果、fail bitパタンが出現したか否かを判定する(S106)。S106の判定で、fail bitパタンが出現しない場合、本集積回路は、S107,S108の処理によって、fail bitパタンが出現するま
で、試験対象アドレスを進める。そして、fail bitパタンが出現すると、本集積回路は、S111の処理に進める。
Then, the present integrated circuit determines whether or not a fail bit pattern has appeared as a result of the comparison between the data read from the memory 3-3 and the expected value (S106). When the fail bit pattern does not appear in the determination of S106, the integrated circuit advances the test target address until the fail bit pattern appears by the processes of S107 and S108. Then, when the fail bit pattern appears, the integrated circuit proceeds to the processing of S111.

一方、S106の判定で、fail bitパタンが出現した場合、本集積回路は、出現したfail bit情報がその前に出現したfail bit情報と同一か否かを判定する(S109)。S109の判定で、出現したfail bit情報がその前に出現したfail bit情報と同一であると判定された場合、本集積回路は、fail bit情報の記憶をスキップし、同一fail回数をカウントアップする(S110)。そして、本集積回路は、S105の処理に戻る。   On the other hand, if a fail bit pattern appears in the determination of S106, this integrated circuit determines whether the appearing fail bit information is the same as the fail bit information that appeared before it (S109). If it is determined in S109 that the fail bit information that appears is the same as the fail bit information that appears before that, this integrated circuit skips the storage of the fail bit information and counts up the same fail count. (S110). Then, the integrated circuit returns to the processing of S105.

以上のS102,S105,S107における試験対象アドレスをシーケンシャルに進める処理が記憶部の試験対象アドレスを生成することの一例である。S102,S103,S105,S106,S107,およびS108の処理が、記憶部の試験対象アドレスのそれぞれにおいて試験の結果データを生成す
ることの一例である。
The process of sequentially advancing the test target address in S102, S105, and S107 is an example of generating the test target address of the storage unit. The processing of S102, S103, S105, S106, S107, and S108 is an example of generating test result data at each test target address in the storage unit.

一方、S109の判定で、異なるfail bitパタンが出現した場合、本集積回路は、同一fail
回数を記憶する(S111)。そして、本集積回路は、各データの記憶先を次の記憶回路に設定する(S112)。そして、本集積回路は、新たに出現したfail bit情報とfailアドレスを記憶する(S113)。以上において、S104,S113の処理が、試験の結果がエラーの場合のエラー結
果データを順次複数の結果データ格納部に格納する処理の一例である。また、S104,S113
の処理が、複数の結果データ格納部でそれぞれ保持されるエラー結果データに対応する複数の試験対象アドレスをそれぞれ複数のアドレス格納部格納する処理の一例である。
On the other hand, if different fail bit patterns appear in the judgment of S109, this integrated circuit determines the same fail bit.
The number of times is stored (S111). Then, the integrated circuit sets the storage destination of each data to the next storage circuit (S112). Then, the integrated circuit stores the newly appeared fail bit information and fail address (S113). In the above, the processes of S104 and S113 are an example of the process of sequentially storing the error result data when the test result is an error in the plurality of result data storage units. In addition, S104, S113
The above process is an example of a process of storing a plurality of test target addresses corresponding to the error result data respectively held in the plurality of result data storage units in a plurality of address storage units.

そして、本集積回路は、すべての記憶回路にデータを記憶したか、または、所定範囲のアドレスの試験を終了したか、否かを判定する(S114)。所定範囲は、集積回路内の所定のレジスタに保持されている。所定範囲は、例えば、集積回路内のメモリの全アドレスでもよい。   Then, the integrated circuit determines whether or not the data is stored in all the storage circuits or the test of the addresses in the predetermined range is completed (S114). The predetermined range is held in a predetermined register in the integrated circuit. The predetermined range may be, for example, all addresses of the memory in the integrated circuit.

本集積回路は、すべての記憶回路にデータを記憶していない場合で、かつ、所定範囲のアドレスの試験を終了していない場合には、S105の処理に戻る。一方、すべての記憶回路にデータを記憶したか、または、所定範囲のアドレスの試験を終了したかのいずれかが充足される場合には、本集積回路は、BIST試験を終了する(S115)。   The integrated circuit returns to the processing of S105 when the data is not stored in all the storage circuits and when the test of the address in the predetermined range is not completed. On the other hand, when either the data is stored in all the storage circuits or the test of the address in the predetermined range is completed, this integrated circuit ends the BIST test (S115).

そして、本集積回路は、クロックを高速クロックから低速クロックに切り替える(S116)。そして、本集積回路は、スキャンシフトにより、試験結果を外部のLSIテスタに転送す
る(S117)。S117の処理が、第1のクロックよりも低速な第2のクロックにしたがって、前記複数の結果データ格納部にそれぞれ格納されたエラー結果データと前記複数のアドレス格納部にそれぞれ格納された試験対象アドレスとを外部装置に出力する処理の一例である。
Then, the integrated circuit switches the clock from the high speed clock to the low speed clock (S116). Then, the integrated circuit transfers the test result to the external LSI tester by the scan shift (S117). The processing of S117 is performed in accordance with the second clock that is slower than the first clock, and the error result data stored in each of the plurality of result data storage units and the test target addresses stored in each of the plurality of address storage units. 5 is an example of a process of outputting and to an external device.

さらに、本集積回路は、LSIテスタの制御にしたがい、全アドレスの試験結果を取得し
たか否かを判定する(S118)。より具体的には、LSIテスタは、スキャンシフトで出力され
た試験アドレスの末尾が全アドレスの末尾に一致したか否かを判定する。そして、スキャンシフトで出力された試験アドレスの末尾が全アドレスの末尾に一致した場合には、LSI
テスタは、試験を続行しない。その結果、本集積回路は、全アドレスの試験結果を取得した場合には、高速FBM試験を終了する。一方、LSIテスタが全アドレスの試験結果を取得していない場合には、本集積回路にBIST試験の続行を指令する。すると、本集積回路は、最後に記憶したfailアドレスから次のBIST試験の判定を開始する(S119)。
Further, according to the control of the LSI tester, the present integrated circuit determines whether or not the test results of all addresses have been acquired (S118). More specifically, the LSI tester determines whether the end of the test address output by the scan shift matches the end of all addresses. If the end of the test address output by scan shift matches the end of all addresses, the LSI
The tester does not continue the test. As a result, the integrated circuit ends the high-speed FBM test when the test results of all addresses are acquired. On the other hand, if the LSI tester has not obtained the test results for all addresses, it instructs this integrated circuit to continue the BIST test. Then, the present integrated circuit starts the determination of the next BIST test from the last stored fail address (S119).

S118とS119の処理が、外部装置に出力した後に、すべての試験対象アドレスが試験されていない場合に、前記複数のアドレス格納部に格納された複数の試験対象アドレスのうち、最後の試験対象アドレスの次のアドレスから次の試験の判定を開始する処理の一例である。   If all the test target addresses have not been tested after the processing of S118 and S119 has been output to the external device, the last test target address among the plurality of test target addresses stored in the plurality of address storage units It is an example of a process of starting the determination of the next test from the address next to.

以上述べたように、本集積回路は、BIST試験中にfail bit情報とfailアドレス情報を複数組記憶することができる。そのため、従来のように、BIST試験を中断して低速クロック動作でfailアドレス情報を記憶するという処理ではなく、高速クロックで動作するBIST試験中に所定数のfail bit情報とfailアドレス情報の組を記憶することができる。したがって、本集積回路は、所定数の記憶回路がすべて記憶されるまで、BIST試験を中断することなくfail bit情報とfailアドレス情報を記憶することができる。また、本集積回路は、一度のBIST試験でfail bit情報とfailアドレス情報をまとめて複数組転送することでBIST試験の回数を低減し、試験時間を短縮できる。   As described above, this integrated circuit can store a plurality of sets of fail bit information and fail address information during the BIST test. Therefore, instead of the process of suspending the BIST test and storing the fail address information in the low-speed clock operation as in the past, a predetermined number of sets of fail bit information and fail address information are set during the BIST test that operates in the high-speed clock. Can be remembered. Therefore, the integrated circuit can store the fail bit information and the fail address information without interrupting the BIST test until all the predetermined number of storage circuits are stored. In addition, this integrated circuit can reduce the number of BIST tests and shorten the test time by collectively transferring a plurality of sets of fail bit information and fail address information in one BIST test.

また、本集積回路は、同一fail bitパタン連続時のfail bit情報をスキップするので、処理時間を短縮できる。また、本集積回路は、複数のfail bit情報を記憶すると共に、記憶した複数のfail bit情報を比較して連続した同一fail bitパタンの出現数を記憶する。
したがって、本集積回路は、回路点数増加を抑えつつ、一度のBIST試験で異なる複数のfail bit情報を得ることと、連続した同一fail bitパタンが出現した際のfail bit情報転送のスキップを同時に行なう。この場合に、本集積回路は、同一fail bitパタンの出現数を記憶することによって、連続した同一fail bitパタンをそれぞれ記憶した場合と同様の情報をBIST試験から得ることができる。したがって、究極的には、本集積回路は、1回のBIST試験で処理できる試験対象アドレスの範囲を拡張することができ、BISTの繰り返し回数を削減する。
Further, since this integrated circuit skips the fail bit information when the same fail bit pattern continues, the processing time can be shortened. In addition, the present integrated circuit stores a plurality of fail bit information and also stores the number of consecutive identical fail bit patterns by comparing the stored plurality of fail bit information.
Therefore, this integrated circuit simultaneously obtains a plurality of different fail bit information in one BIST test while suppressing an increase in the number of circuit points, and skips the transfer of fail bit information when consecutive identical fail bit patterns appear. .. In this case, the present integrated circuit can obtain the same information from the BIST test by storing the number of appearances of the same fail bit pattern, as in the case of storing the continuous same fail bit pattern. Therefore, ultimately, the present integrated circuit can extend the range of test target addresses that can be processed in one BIST test, and reduce the number of BIST repetitions.

さらに、本集積回路は、同一fail bitパタン連続回数をカウントして時間短縮するとともに、正常な試験結果、すなわち、passの場合のfail bit情報をスキップすることで、処理時間を短縮する。したがって、究極的には、本集積回路は、1回のBIST試験で処理できる試験対象アドレスの範囲を拡張することができ、BISTの繰り返し回数を削減する。   Furthermore, the present integrated circuit counts the number of times of the same fail bit pattern and shortens the time, and also skips the fail bit information in the case of a normal test result, that is, pass, thereby shortening the processing time. Therefore, ultimately, the present integrated circuit can extend the range of test target addresses that can be processed in one BIST test, and reduce the number of BIST repetitions.

なお、上記実施形態では、本集積回路は、3つのマスク回路3-7a,3-7b,3-7m、3つのfail bit 記憶回路3-8a,3-8b,3-8m、3つのマスク回路3-12a,3-12b,3-12m、3つのfail ア
ドレス記憶回路3-11a,3-11b,3-11mを有している。しかし、fail bit 記憶回路とfail ア
ドレス記憶回路がそれぞれ3つに限定される訳ではない。たとえば、これらの回路は、それぞれ2個設けられてもよいし、4個以上設けられてもよい。
In the above embodiment, the present integrated circuit has three mask circuits 3-7a, 3-7b, 3-7m, three fail bit memory circuits 3-8a, 3-8b, 3-8m, and three mask circuits. 3-12a, 3-12b, 3-12m, and three fail address storage circuits 3-11a, 3-11b, 3-11m. However, the fail bit storage circuit and the fail address storage circuit are not limited to three each. For example, two of these circuits may be provided, or four or more of these circuits may be provided.

[実施形態2]
以下、図6から11を参照して、実施形態2に係る集積回路を説明する。上記実施形態1では、マスク回路3-7a,3-7b,3-7m,fail bit 記憶回路3-8a,3-8b,3-8m,マスク回路3-12a,3-12b,3-12m,及びfail アドレス記憶回路3-11a,3-11b,3-11mによって、複数のfail bit情
報とfail アドレス情報を記憶する集積回路について説明した。本実施形態では、複数のfail bit情報とfail アドレス情報を記憶する集積回路において、マスク信号を生成する回路をさらに具体的に説明する。
[Embodiment 2]
Hereinafter, the integrated circuit according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. In the first embodiment, mask circuits 3-7a, 3-7b, 3-7m, fail bit memory circuits 3-8a, 3-8b, 3-8m, mask circuits 3-12a, 3-12b, 3-12m, Also, the integrated circuit for storing a plurality of fail bit information and fail address information by the fail address storage circuits 3-11a, 3-11b, 3-11m has been described. In this embodiment, a circuit that generates a mask signal in an integrated circuit that stores a plurality of pieces of fail bit information and fail address information will be described more specifically.

図6は、実施形態2の集積回路の構成を例示する構成図である。本集積回路(LSI)は
、PLL回路 2-22と、分周回路 2-23と、スキャンチェーン入力部 2-24と、スキャンチェーン出力部 2-25と、パターンジェネレータ 2-1と、スキャンラッチ 2-2,2-4,2-5と、メモ
リ 2-3とを有する。また、本集積回路は、fail bit情報を生成する比較器 2-6と、生成されたfail bit情報を保持するための、マスク回路 2-7a,2-7bと、データレシーバ 2-8a,2-8bとを有する。また、本集積回路は、試験対象アドレスを発生するカウンタ2-10を有する。また、本集積回路は、fail アドレス情報を保持するため、カウンタ2-11a,2-11bと、マスク回路2-12a,2-12bとを有する。さらに、本集積回路は、同一fail bit情報の連続出現
回数を計数するため、カウンタ 2-20を有する。さらに、本集積回路は、マスク信号生成
のため、ORゲート 2-9a,2-9bと、比較器 2-16と、レジスタ 2-17と、マスク回路 2-18と
、ANDゲート 2-19と、比較器2-13a,2-13bと、レジスタ2-15と、ORゲート2-14a,2-14bを有する。
FIG. 6 is a configuration diagram illustrating the configuration of the integrated circuit of the second embodiment. This integrated circuit (LSI) includes a PLL circuit 2-22, a frequency dividing circuit 2-23, a scan chain input section 2-24, a scan chain output section 2-25, a pattern generator 2-1 and a scan latch. It has 2-2, 2-4, 2-5 and a memory 2-3. This integrated circuit also includes a comparator 2-6 for generating fail bit information, mask circuits 2-7a, 2-7b for holding the generated fail bit information, and data receivers 2-8a, 2 -8b. In addition, the present integrated circuit has a counter 2-10 that generates a test target address. Further, the present integrated circuit has counters 2-11a and 2-11b and mask circuits 2-12a and 2-12b for holding the fail address information. Further, this integrated circuit has a counter 2-20 for counting the number of consecutive occurrences of the same fail bit information. Further, the present integrated circuit includes an OR gate 2-9a, 2-9b, a comparator 2-16, a register 2-17, a mask circuit 2-18, and an AND gate 2-19 for generating a mask signal. It has comparators 2-13a and 2-13b, a register 2-15, and OR gates 2-14a and 2-14b.

メモリ 2-3は記憶部の一例である。パターンジェネレータ 2-1はデータ生成部の一例である。マスク回路 2-7aは、複数の結果データ格納部のうち第1の結果データ格納部にエ
ラー結果データが格納されたときに、前記第1の結果データ格納部への次のエラー結果データの格納を遮断する第1の遮断回路の一例である。マスク回路 2-7bは、複数の結果デ
ータ格納部のうち第1の結果データ格納部に第1のエラー結果データが格納された後に、第2の結果データ格納部に第1のエラー結果データとは異なる第2のエラー結果データが格納されたときに、前記第2の結果データ格納部への次のエラー結果データの格納を遮断する第2の遮断回路の一例である。データレシーバ 2-8aは第1の結果データ格納部の一例である。データレシーバ 2-8bは第2の結果データ格納部の一例である。データレシーバ 2-8a,2-8bは結果データ格納部の一例でもある。カウンタ2-10はアドレス生成部の一例で
ある。カウンタ2-10は第1カウンタの一例である。カウンタ2-11a,2-11bは、アドレス格
納部の一例である。カウンタ2-11a,2-11bは、第2カウンタの一例でもある。スキャンチ
ェーン出力部 2-25と、スキャンチェーン出力部 2-25につながる回路は外部出力部の一例である。マスク回路2-12a,2-12bは、遮断回路の一例である。カウンタ 2-20は第3カウンタの一例である。PLL回路 2-22は、第1クロック回路の一例である。分周回路 1-23は第
2クロック回路の一例である。
The memory 2-3 is an example of a storage unit. The pattern generator 2-1 is an example of a data generator. The mask circuit 2-7a stores the next error result data in the first result data storage unit when the error result data is stored in the first result data storage unit among the plurality of result data storage units. It is an example of the 1st interruption circuit which interrupts. The mask circuit 2-7b stores the first error result data in the second result data storage unit after storing the first error result data in the first result data storage unit among the plurality of result data storage units. Is an example of a second cutoff circuit that cuts off the storage of the next error result data in the second result data storage unit when different second error result data is stored. The data receiver 2-8a is an example of a first result data storage unit. The data receiver 2-8b is an example of a second result data storage section. The data receivers 2-8a and 2-8b are also examples of the result data storage unit. The counter 2-10 is an example of an address generation unit. The counter 2-10 is an example of the first counter. The counters 2-11a and 2-11b are examples of address storage units. The counters 2-11a and 2-11b are also examples of the second counter. The scan chain output section 2-25 and the circuit connected to the scan chain output section 2-25 are examples of the external output section. The mask circuits 2-12a and 2-12b are examples of cutoff circuits. Counter 2-20 is an example of the third counter. The PLL circuit 2-22 is an example of the first clock circuit. The frequency divider circuit 1-23 is an example of the second clock circuit.

以下、図6の回路動作を説明する。まず、図6の全ての比較回路は、2つの入力が一致していれば"0"、不一致ならば"1"とし、全てのマスク回路は"1"の制御信号入力でマスクさ
れる回路であるとする。
Hereinafter, the circuit operation of FIG. 6 will be described. First, all the comparison circuits in FIG. 6 are set to "0" if the two inputs match, and set to "1" if they do not match, and all the mask circuits are circuits masked by the control signal input of "1". Suppose there is.

本集積回路は、試験対象アドレスをシーケンシャルに変更しつつ、BIST試験を繰り返し実行する。BIST試験開始時には、本集積回路は、分周回路 2-23から出力される低周波ク
ロックでスキャンシフト動作を実行し、スキャンチェーン入力部 2-24を通じてLSIテスタの出力を取り込む。図6のように、パターンジェネレータ 2-1及びデータレシーバ 2-8a
、2-8b及びカウンタ 2-10、2-11a、2-11b、2-20及びレジスタ 2-15、2-17は、それぞれSI端子とSO端子を有している。スキャンシフト動作により、パターンジェネレータ 2-1及びデータレシーバ 2-8a、2-8b及びカウンタ 2-10、2-11a、2-11b、2-20及びレジスタ 2-15
、2-17の初期値がそれぞれのSI端子から設定される。
This integrated circuit repeatedly executes the BIST test while sequentially changing the test target address. At the start of the BIST test, this integrated circuit executes the scan shift operation with the low frequency clock output from the frequency dividing circuit 2-23, and captures the output of the LSI tester through the scan chain input unit 2-24. As shown in FIG. 6, the pattern generator 2-1 and the data receiver 2-8a
, 2-8b and counters 2-10, 2-11a, 2-11b, 2-20 and registers 2-15, 2-17 respectively have SI terminals and SO terminals. By the scan shift operation, the pattern generator 2-1 and the data receivers 2-8a and 2-8b and the counters 2-10, 2-11a, 2-11b and 2-20 and the register 2-15
, 2-17 initial value is set from each SI pin.

その後、本集積回路は、PLL回路 2-22で生成された高周波クロックでBIST試験を実行する。そして、BIST試験終了時には、本集積回路は、低周波クロックでスキャンシフト動作を実行し、それぞれの素子のSO端子、スキャンチェーン回路、及びスキャンチェーン出力部 2-25を通じて、データレシーバ 2-8aの値(pf_info1)、2-8bの値(pf_info2)及びカウンタ 2-11aの値(Ca1)、カウンタ 2-11bの値(Cb)、カウンタ 2-20の値(Ca2)を、LSIテスタに出力する。カウンタ 2-11aの値(Ca1)、カウンタ 2-11bの値(Cb)はエラー結果データの一
例である。カウンタ 2-20の値(Ca2)はエラー結果データが繰り返し発生した繰り返し数の一例である。この時、LSIテスタに出力したカウンタ 2-11bの値(Cb)がメモリ 2-3の最後
に試験するアドレスと一致していたら、LSIテスタは、BIST試験の繰り返しを終了させる
After that, the integrated circuit executes the BIST test with the high frequency clock generated by the PLL circuit 2-22. At the end of the BIST test, this integrated circuit executes the scan shift operation with the low frequency clock, and the SO receiver of each element, the scan chain circuit, and the scan chain output unit 2-25 are used to detect the data receiver 2-8a. Outputs the value (pf_info1), 2-8b value (pf_info2), counter 2-11a value (Ca1), counter 2-11b value (Cb), and counter 2-20 value (Ca2) to the LSI tester. .. The value of counter 2-11a (Ca1) and the value of counter 2-11b (Cb) are examples of error result data. The value (Ca2) of the counter 2-20 is an example of the number of times the error result data is repeatedly generated. At this time, if the value (Cb) of the counter 2-11b output to the LSI tester matches the last tested address of the memory 2-3, the LSI tester ends the repetition of the BIST test.

上述のように、パターンジェネレータ 2-1は、スキャンチェーン入力部2-22及びスキャンチェーン回路を通じて、スキャンシフトによりLSIテスタから初期値の設定を受ける。   As described above, the pattern generator 2-1 receives the initial value setting from the LSI tester by scan shift through the scan chain input unit 2-22 and the scan chain circuit.

初期値の設定後、パターンジェネレータ 2-1は、例えば、高周波クロックにしたがって試験データを生成し、スキャンラッチ2-2とスキャンラッチ2-5に格納する。メモリ2−3は、高周波クロックにしたがってスキャンラッチ2-2から入力される試験データをカウン
タ2-10で指定される試験対象アドレスに書き込む。また、メモリ2-3は、高周波クロック
にしたがって、カウンタ2-10で指定される試験対象アドレスからデータを読み出し、スキャンラッチ2-4に格納する。スキャンラッチ2-4に格納されたデータはRDと呼ばれる。また、スキャンラッチ2-5に格納された試験データは期待値(mean)と呼ばれる。比較器2-6は、高速クロックにしたがって、スキャンラッチ2-4に格納されたデータRDと、スキャンラッ
チ2-5の期待値(mean)とを比較し、試験結果を生成する。スキャンラッチ2-2,2-4,2-5および比較器2-6が試験実行部の一例である。
After setting the initial value, the pattern generator 2-1 generates test data in accordance with, for example, a high frequency clock, and stores the test data in the scan latch 2-2 and the scan latch 2-5. The memory 2-3 writes the test data input from the scan latch 2-2 to the test target address designated by the counter 2-10 according to the high frequency clock. Further, the memory 2-3 reads data from the test target address designated by the counter 2-10 according to the high frequency clock and stores it in the scan latch 2-4. The data stored in the scan latch 2-4 is called RD. The test data stored in the scan latch 2-5 is called an expected value (mean). The comparator 2-6 compares the data RD stored in the scan latch 2-4 with the expected value (mean) of the scan latch 2-5 according to the high-speed clock, and generates a test result. The scan latches 2-2, 2-4, 2-5 and the comparator 2-6 are examples of the test execution unit.

初回のBIST試験では、本集積回路は、データレシーバ2-8a、2-8b及びカウンタ2-10、2-11a、2-11b、2-20及びレジスタ2-15、2-17を0に設定する。各データレシーバとカウンタ
の役割は以下の通りである。
In the first BIST test, this integrated circuit sets the data receivers 2-8a, 2-8b and counters 2-10, 2-11a, 2-11b, 2-20 and registers 2-15, 2-17 to 0. To do. The roles of each data receiver and counter are as follows.

データレシーバ2-8aは1つ目のfail bit情報(pf_info1)を記憶し、2-8bは2つ目のfail b
it情報(pf_info2)を記憶する。カウンタ2-10は現在試験している試験対象アドレス(C)を
示す。カウンタ2-11aは1つ目のfail bit情報を得たアドレス(Ca1)を記憶し、2-11bは2つ
目のfail bit情報を得たアドレス(Cb)を記憶する。カウンタ2-20は1つ目のfail bitパタ
ンが連続して出現した回数(Ca2)を記憶する。
The data receiver 2-8a stores the first fail bit information (pf_info1), and 2-8b stores the second fail b information.
Store it information (pf_info2). The counter 2-10 indicates the test target address (C) currently being tested. The counter 2-11a stores the address (Ca1) where the first fail bit information was obtained, and the counter 2-11b stores the address (Cb) where the second fail bit information was obtained. The counter 2-20 stores the number of times (Ca2) that the first fail bit pattern appears consecutively.

fail bit情報(pf_info1, pf_info2)は、エラー結果データの一例である。fail bit情報を得たアドレス(Ca1,Cb)は、複数の結果データ格納部で保持されるエラー結果データに対応する複数の試験対象アドレスの一例である。fail bitパタンが連続して出現した回数(Ca2)は、同一のエラー結果データが複数回連続して繰り返される場合に、第3カウンタに
よって計数される繰り返し数の一例である。
The fail bit information (pf_info1, pf_info2) is an example of error result data. The addresses (Ca1, Cb) from which the fail bit information is obtained are an example of a plurality of test target addresses corresponding to the error result data held in the plurality of result data storage units. The number of times the fail bit pattern appears consecutively (Ca2) is an example of the number of repetitions counted by the third counter when the same error result data is repeated a plurality of times.

本集積回路は、スキャンラッチ 2-4の読み出しデータ(RD)とスキャンラッチ 2-5の期待値(mean)との比較結果をデータレシーバ2-8a、2-8bに記憶する。ただし、マスク回路2-7a、2-7bのマスク信号の有無に応じてデータレシーバ2-8a、2-8bに、読み出しデータと期待値との新たな比較結果を記憶するか、現在値(前の比較結果)を保持するかのどちらかの動作が選択される。   This integrated circuit stores the comparison result between the read data (RD) of the scan latch 2-4 and the expected value (mean) of the scan latch 2-5 in the data receivers 2-8a and 2-8b. However, depending on the presence / absence of the mask signal of the mask circuits 2-7a and 2-7b, the data receivers 2-8a and 2-8b store the new comparison result between the read data and the expected value or the current value (previous value). Either the operation of holding the comparison result of 1) is selected.

データレシーバ2-8aの値(比較結果)がfailを示していたら、ORゲート2-9aの出力は1
となりマスク回路2-7a、2-12aにマスク信号(Ia)を与える。マスク信号(Ia)が与える影響
は以下の通りである。
If the value of data receiver 2-8a (comparison result) indicates fail, the output of OR gate 2-9a is 1
Then, the mask signal (Ia) is given to the mask circuits 2-7a and 2-12a. The influence of the mask signal (Ia) is as follows.

マスク信号(Ia)により、本集積回路は、データレシーバ2-8aの値を次回BIST試験まで保持する。また、マスク信号(Ia)により、本集積回路は、現在試験中のアドレスでカウンタ2-11aの更新を止める。一度更新を止めることでカウンタ2-10の値(C)とカウンタ2-11aの
値(Ca1)を比較する比較器2-13aの出力(IIa)は1となる。その結果、本集積回路は、カウンタ2-11a値を次回BIST試験まで保持する。
By the mask signal (Ia), the present integrated circuit holds the value of the data receiver 2-8a until the next BIST test. Further, the mask signal (Ia) causes the present integrated circuit to stop updating the counter 2-11a at the address currently under test. Once the update is stopped, the output (IIa) of the comparator 2-13a that compares the value (C) of the counter 2-10 with the value (Ca1) of the counter 2-11a becomes 1. As a result, this integrated circuit holds the value of the counter 2-11a until the next BIST test.

データレシーバ2-8aがマスク回路2-7aによってマスクされた後は、データレシーバ2-8bのpass/fail結果とデータレシーバ2-8aと2-8bの比較結果によりマスク信号(Ib)が変化す
る。マスク信号(Ib)は以下のように与えられる。
After the data receiver 2-8a is masked by the mask circuit 2-7a, the mask signal (Ib) changes depending on the pass / fail result of the data receiver 2-8b and the comparison result of the data receivers 2-8a and 2-8b. .. The mask signal (Ib) is given as follows.

データレシーバ2-8aとデータレシーバ2-8bの比較結果が異なる場合か、passを検出してから再びfailしたときに、マスク信号(Ib)が1となるよう比較器2-16の出力とORゲート 2-9bの出力とがANDゲート 2-19で結合され、論理値が出力される。すなわち、データレシーバ2-8bがfail、かつ、データレシーバ2-8aとデータレシーバ2-8bの比較結果が異なる場合には、比較器2-16の出力=1かつORゲート 2-9bの出力=1となる。なお、データレシー
バ2-8bがfail、かつ、データレシーバ2-8aとデータレシーバ2-8bの比較結果が異なる場合の直前は、データレシーバ2-8a,2-8bがともにfailであり、上記マスク回路2-7a、2-12aへのマスク信号(Ia)=1が与えられたとする。したがって、ORゲート2-9bの出力=1であり、レジスタ2-17には1が保持される結果、マスク回路2-18はマスクなしに制御されている。したがって、ANDゲート 2-19の出力=マスク信号(Ib)=1となる。すなわち、データレシーバ2-8aとデータレシーバ2-8bがともにfailで、かつ、比較結果が異なる場合には、マスク信号(Ib)が1に付与される。
When the comparison result of the data receiver 2-8a and the data receiver 2-8b is different, or when pass is detected and then fail again, the mask signal (Ib) becomes 1 and the output of the comparator 2-16 is ORed. The output of the gate 2-9b is combined with the AND gate 2-19 to output a logical value. That is, when the data receiver 2-8b fails and the comparison result of the data receiver 2-8a and the data receiver 2-8b is different, the output of the comparator 2-16 = 1 and the output of the OR gate 2-9b = It becomes 1. Just before the data receiver 2-8b fails, and the comparison result of the data receiver 2-8a and the data receiver 2-8b is different, both the data receivers 2-8a and 2-8b are fail, and the mask It is assumed that the mask signal (Ia) = 1 is given to the circuits 2-7a and 2-12a. Therefore, the output of the OR gate 2-9b is 1, and 1 is held in the register 2-17. As a result, the mask circuit 2-18 is controlled without a mask. Therefore, the output of the AND gate 2-19 = mask signal (Ib) = 1. That is, when both the data receiver 2-8a and the data receiver 2-8b have failed and the comparison results are different, the mask signal (Ib) is given to 1.

さらに、データレシーバ2-8bがpassするとレジスタ2-17には0が入るので、レジスタ2-17は次の試験のタイミングでマスク2-18をマスクする。また、データレシーバ2-8a,2-8b
の比較結果は不一致=1となる。この状態で、次の試験のタイミングでデータレシーバ2-8bがfailを示すと、マスク2-18は以前の値を維持し、1を出力するので、ANDゲート 2-19の出力=Mask信号(Ib)=1となる。
Furthermore, when the data receiver 2-8b passes, 0 is entered in the register 2-17, so the register 2-17 masks the mask 2-18 at the timing of the next test. In addition, the data receiver 2-8a, 2-8b
The comparison result of is disagreement = 1. In this state, when the data receiver 2-8b shows fail at the timing of the next test, the mask 2-18 maintains the previous value and outputs 1, so the output of the AND gate 2-19 = Mask signal ( Ib) = 1.

また、図6の回路では、データレシーバ2-8bにおいて、passが検出され、次の試験でデータレシーバ2-8aと同じfail bitパタンが出現した場合も、マスク信号(Ib)は1となる。
すなわち、本集積回路は、レジスタ2-17を設けてpassした場合の比較結果を次回アドレスまで保持することで、信号(Ib)を1にする。したがって、データレシーバ2-8bがfailからpassになると、比較結果に拘わらず、データレシーバ2-8aはマスクされるので、passの状
態での比較結果=1を出力する、と理解することできる。
Further, in the circuit of FIG. 6, when the pass is detected in the data receiver 2-8b and the same fail bit pattern as in the data receiver 2-8a appears in the next test, the mask signal (Ib) becomes 1.
That is, the present integrated circuit sets the signal (Ib) to 1 by providing the register 2-17 and holding the comparison result when the pass is performed until the next address. Therefore, it can be understood that when the data receiver 2-8b changes from fail to pass, the data receiver 2-8a is masked regardless of the comparison result, and the comparison result = 1 in the pass state is output.

マスク信号(Ib)が与える影響は以下の通りである。   The influence of the mask signal (Ib) is as follows.

マスク信号(Ib)により、本集積回路は、データレシーバ2-8bの値を次回BIST試験まで保持する。また、マスク信号(Ib)により、本集積回路は、現在のアドレスの試験中にカウンタ2-11bの更新を止める。一度更新を止めることでカウンタ2-10と2-11bを比較する比較器2-13bの出力(IIb)は1となり、本集積回路は、カウンタ2-11bの値を次回BIST試験まで保持する。   By the mask signal (Ib), this integrated circuit holds the value of the data receiver 2-8b until the next BIST test. Further, the mask signal (Ib) causes the present integrated circuit to stop updating the counter 2-11b during the test of the current address. The output (IIb) of the comparator 2-13b that compares the counters 2-10 and 2-11b becomes 1 by stopping the update once, and this integrated circuit holds the value of the counter 2-11b until the next BIST test.

fail bitパタンが連続する回数(Ca2)を数えるカウンタ2-20はマスク回路2-21で制御さ
れ、マスク回路2-21には以下のマスク信号(1)から(3)が与えられる。マスク信号(1)から(3)は、OR論理で、マスク回路2-21のマスクの有無を制御する。
(1)データレシーバ 2-8aと2-8bの比較結果が異なる場合、マスクする信号。
(2)データレシーバ 2-8bがpassの場合マスクする信号。
(3)Mask信号(Ib)。なお、データレシーバ 2-8a にfail bitパタンが保持され、その後、passを検出してからデータレシーバ 2-8aと同じfail bitパタンが出現した場合も、本
集積回路はマスク回路 2-21によって、カウンタ 2-20をマスクする。このため、(3)のMask信号(Ib)がマスク回路2-21に与えられる。上記マスク信号(1)から(3)により、マスク回路 2-21がマスクされていないときに、カウンタ2-20はfail bitパタンが連続す
る回数(Ca2)を計数する。
A counter 2-20 that counts the number of times (fail) of consecutive fail bit patterns (Ca2) is controlled by a mask circuit 2-21, and the mask circuits 2-21 are supplied with the following mask signals (1) to (3). The mask signals (1) to (3) are OR logic and control the presence / absence of a mask in the mask circuit 2-21.
(1) A signal to be masked when the comparison results of the data receivers 2-8a and 2-8b are different.
(2) Signal to mask when data receiver 2-8b is pass.
(3) Mask signal (Ib). Even if the fail bit pattern is held in the data receiver 2-8a and then the same fail bit pattern as in the data receiver 2-8a appears after detecting pass, this integrated circuit uses the mask circuit 2-21. Mask counters 2-20. Therefore, the Mask signal (Ib) of (3) is given to the mask circuit 2-21. When the mask circuit 2-21 is not masked by the mask signals (1) to (3), the counter 2-20 counts the number of consecutive fail bit patterns (Ca2).

BIST試験が終了すると、本集積回路は、データレシーバ 2-8a、2-8b及びカウンタ 2-11a、2-11b、2-20の値をLSIテスタにスキャンシフトで転送する。カウンタ2-11bの値がメモリ 2-3のアドレス数と一致していなければ、LSIテスタは、次のBIST試験を起動し、本集
積回路はBIST試験を継続する。
When the BIST test is completed, this integrated circuit transfers the values of the data receivers 2-8a, 2-8b and the counters 2-11a, 2-11b, 2-20 to the LSI tester by scan shift. If the value of the counter 2-11b does not match the number of addresses of the memory 2-3, the LSI tester activates the next BIST test, and this integrated circuit continues the BIST test.

BIST試験を継続する際、LSIテスタからのスキャンシフトにより、本集積回路はデータ
レシーバ 2-8a、2-8b及びカウンタ2-20の値を0にする。一方、本集積回路はカウンタ 2-11a、2-11bについては、前回BIST試験で得た値を保持する。
When continuing the BIST test, this integrated circuit sets the values of the data receivers 2-8a and 2-8b and the counter 2-20 to 0 by the scan shift from the LSI tester. On the other hand, this integrated circuit holds the values obtained in the previous BIST test for the counters 2-11a and 2-11b.

本集積回路がスキャンシフトによるデータ転送後にBIST試験を再開して継続する際、本集積回路はカウンタ 2-10の値がカウンタ2-11bと一致するまで、データレシーバ 2-8a、2-8bのマスク信号(IIIb)は1となる。すなわち、現BIST試験では、カウンタ2-11bが保持す
るアドレスまで終了済みである。そこで、次BIST試験では、本集積回路はカウンタ2-11b
が保持するアドレスまでデータレシーバ2-8bをマスクする。本集積回路が信号(IIIb)を0
にするタイミングはカウンタ2-10の値がカウンタ2-11bと一致した次のサイクルである。
このため、次のサイクルまでマスク信号(IIIb)を1にするためレジスタ2-15が設けられて
いる。マスク信号(IIIb)が0になった後は、本集積回路は、初回BIST試験と同様に動作す
る。なお、マスク信号(IIIa)には、ORゲート2-14aによってマスク信号(IIIb)が付与され
る。したがって、レジスタ2-15による次のサイクルまでマスク信号(IIIb)を1にする効果
は、マスク信号(IIIa)に及ぶ。すなわち、次BIST試験では、本集積回路はカウンタ2-11a
およびカウンタ2-11bが保持するアドレスのうち、後のアドレスまでデータレシーバ2-8a
をマスクする。以上で例示したように、図6の集積回路がカウンタ 2-11a、2-11bについ
て、前回BIST試験で得た値を保持することは、「外部出力部による外部装置への出力の後
に前記試験実行部によって生成される試験の結果データのうち、最後の試験対象アドレス以前の試験対象アドレスにおけるエラー結果データの保存を遮断する」ことの一例である。
When this integrated circuit restarts and continues the BIST test after data transfer by scan shift, this integrated circuit continues to operate the data receivers 2-8a and 2-8b until the counter 2-10 value matches the counter 2-11b. The mask signal (IIIb) becomes 1. That is, in the current BIST test, the addresses held by the counter 2-11b have been completed. Therefore, in the next BIST test, this integrated circuit is
Mask the data receiver 2-8b up to the address held by. This integrated circuit outputs the signal (IIIb)
The timing to turn on is the next cycle when the value of the counter 2-10 matches the value of the counter 2-11b.
Therefore, a register 2-15 is provided to set the mask signal (IIIb) to 1 until the next cycle. After the mask signal (IIIb) becomes 0, this integrated circuit operates similarly to the first BIST test. The mask signal (IIIb) is given the mask signal (IIIb) by the OR gate 2-14a. Therefore, the effect of setting the mask signal (IIIb) to 1 until the next cycle by the register 2-15 extends to the mask signal (IIIa). That is, in the next BIST test, this integrated circuit is
Data receiver 2-8a up to the latter address among the addresses held by counter 2-11b
To mask. As illustrated above, the integrated circuit in FIG. 6 holds the values obtained in the previous BIST test for the counters 2-11a and 2-11b by saying that “the test is performed after the output to the external device by the external output unit. Of the test result data generated by the execution unit, the storage of error result data at the test target address before the last test target address is blocked. ”

なお、各マスク回路はカウンタやレジスタなどと異なり、クロック同期で動作しない。そのため、マスク回路の入力が入るまでにマスク信号が到達するよう、タイミングを設計する。マスク信号(I)、(II)は、次の試験アドレスの試験までに各マスク回路へ信号を到
達させればよい。
Note that each mask circuit, unlike a counter and a register, does not operate in clock synchronization. Therefore, the timing is designed so that the mask signal arrives before the input of the mask circuit. The mask signals (I) and (II) are required to reach the mask circuits before the next test address is tested.

マスク信号(IIIa)、(IIIb)は、スキャンラッチ2-4から比較回路2-6を経由してマスク回路2-7a,2-7bに至るパスディレイより、レジスタ 2-15、ORゲート 2-14b、ORゲート 2-14aを経由してマスク回路に至るパスディレイが小さくなるように設計する。通常、数十ビットを比較する比較回路はディレイが大きくなるため、この設計要件を満たすことは容易である。   The mask signals (IIIa) and (IIIb) are registered in the register 2-15 and the OR gate 2-by the path delay from the scan latch 2-4 to the mask circuits 2-7a and 2-7b via the comparison circuit 2-6. Design so that the path delay to the mask circuit via 14b and OR gate 2-14a is small. Normally, a comparison circuit that compares several tens of bits has a large delay, and thus it is easy to satisfy this design requirement.

図7に、図6に例示した実施形態2の集積回路での高速FBM試験の処理手順を例示する
。図6の集積回路は、2つのデータレシーバ2-8a,2-8bおよびカウンタ 2-11a,11bのよう
に、fail bit情報の記憶回路およびfail アドレス情報の記憶回路を2つ有している。し
たがって、実施形態1のようなすべての記憶回路にデータを記憶したことの判定(図5のS114)および各データの記憶対象を次の記憶回路に設定する処理(図5のS112)が不要である。そのため、図7の処理手順では、図5と比較して、S112およびS114の処理が省略されている。一方、S112およびS114の処理以外の処理に対応する処理は、図7においても同様に実行される。そこで、図7においては、図5における記号において、S続く数字を1
から2に変更して付与し、その説明を省略する。すなわち、図7の処理S2NNは、図5の処理S1NNに対応している。ここで、NNは整数である。
FIG. 7 illustrates a processing procedure of a high-speed FBM test in the integrated circuit of the second embodiment illustrated in FIG. The integrated circuit of FIG. 6 has two storage circuits for fail bit information and two storage circuits for fail address information, such as two data receivers 2-8a, 2-8b and counters 2-11a, 11b. Therefore, it is not necessary to perform the process of determining that the data is stored in all the storage circuits (S114 of FIG. 5) and the process of setting the storage target of each data to the next storage circuit (S112 of FIG. 5) as in the first embodiment. is there. Therefore, in the process procedure of FIG. 7, the processes of S112 and S114 are omitted as compared with FIG. On the other hand, the processes corresponding to the processes other than the processes of S112 and S114 are similarly executed in FIG. Therefore, in FIG. 7, in the symbols in FIG.
Changed from 2 to 2 and given, and the description thereof is omitted. That is, the process S2NN of FIG. 7 corresponds to the process S1NN of FIG. Here, NN is an integer.

上記実施形態2では、2つのデータレシーバ2-8a,2-8bおよびカウンタ 2-11a,11bのよ
うに、fail bit情報の記憶回路およびfail アドレス情報の記憶回路の系統数を2組とし
た集積回路を例示した。しかし、集積回路の構成が図6の構成に限定される訳ではない。図8に、fail bit情報とfail アドレス情報を3組以上記憶する記憶回路の構成を例示す
る。すなわち、図8は図6を拡張した変形例であり、符号の添え字が、a,b,mまで増加し
て付されている。また、図8に例示される各構成要素のうち、図6の構成要素に対応するものは、図6の符合"2-nn"を符合"1-nn"のように変更して例示する。例えば、図6において、データレシーバ2-8a,2-8bのように2個設けられていたものは、図8においてはデー
タレシーバ1-8a,1-8b,1-8mのように3個設けられている。また、例えば、図6において、カウンタ2-20のように1個設けられていたものは、図8においてはデータレシーバ1-20a,1-20bのように2個設けられている。また、図8におけるPLL回路1-22,スキャンチェーン
出力回路1-23のように、図6の構成要素と比較して個数に変更がないものは、図6における構成要素の符合"2-"を"1-"に変更して図8に例示されている。
In the second embodiment, like the two data receivers 2-8a and 2-8b and the counters 2-11a and 11b, the number of systems of the fail bit information storage circuit and the fail address information storage circuit is two. The circuit is illustrated. However, the structure of the integrated circuit is not limited to the structure shown in FIG. FIG. 8 illustrates a configuration of a storage circuit that stores three or more sets of fail bit information and fail address information. That is, FIG. 8 is a modification example in which FIG. 6 is expanded, and the suffixes of the reference numerals are increased to a, b, and m. Further, among the constituent elements illustrated in FIG. 8, those corresponding to the constituent elements in FIG. 6 are illustrated by changing the reference numeral “2-nn” in FIG. 6 to a reference numeral “1-nn”. For example, in FIG. 6, two data receivers 2-8a, 2-8b are provided, but in FIG. 8, three data receivers 1-8a, 1-8b, 1-8m are provided. Has been. Further, for example, the one provided like the counter 2-20 in FIG. 6 is provided as two like the data receivers 1-20a and 1-20b in FIG. Further, like the PLL circuit 1-22 and the scan chain output circuit 1-23 in FIG. 8, those whose number of components is the same as those in FIG. 6 are the same as those in FIG. Is changed to "1-", which is illustrated in FIG.

すなわち、図8の集積回路(LSI)は、PLL回路 1-22と、分周回路 1-23と、スキャンチェーン入力部 1-24と、スキャンチェーン出力部 1-25と、パターンジェネレータ 1-1と、スキャンラッチ 1-2,1-4,1-5と、メモリ 1-3と、fail bit情報を生成する比較器 1-6とを有する。   That is, the integrated circuit (LSI) of FIG. 8 includes a PLL circuit 1-22, a frequency dividing circuit 1-23, a scan chain input unit 1-24, a scan chain output unit 1-25, and a pattern generator 1-1. , Scan latches 1-2, 1-4, 1-5, memories 1-3, and comparators 1-6 for generating fail bit information.

また、本集積回路は、fail bit情報を記憶する記憶回路であるデータレシーバ1-8a, 1-8b, 1-8mを有している。また、本集積回路は、データレシーバ1-8a, 1-8b, 1-8mをマスクするマスク回路1-7a, 1-7b, 1-7mを有している。さらに、本集積回路は、比較器1-18a, 1-18b, ORゲート1-9a, 19b, 1-9m,レジスタ1-17a, 1-17b,マスク回路1-18a, 1-18b, ANDゲート1-19a, 1-19b, カウンタ1-20a, 1-20bおよびマスク回路1-21a, 1-21bを有している。   Further, this integrated circuit has data receivers 1-8a, 1-8b, 1-8m which are storage circuits for storing fail bit information. The integrated circuit also has mask circuits 1-7a, 1-7b, 1-7m for masking the data receivers 1-8a, 1-8b, 1-8m. Furthermore, this integrated circuit consists of comparators 1-18a, 1-18b, OR gates 1-9a, 19b, 1-9m, registers 1-17a, 1-17b, mask circuits 1-18a, 1-18b, AND gates. It has 1-19a, 1-19b, counters 1-20a, 1-20b and mask circuits 1-21a, 1-21b.

さらに、本集積回路は、カウンタ1-11a, 1-11b, 1-11m,比較器1-13a, 1-13b, 1-13m,レジスタ1-15, マスク回路1-12a, 1-12b, 1-12mおよびORゲート 1-14a, 1-14b, 1-14mを有
している。さらに、本集積回路は、試験対象アドレス(C)を生成カウンタ1-10,マスク信号IIImを生成するための値reg1を保持するレジスタ 1-15を保持する。
Furthermore, this integrated circuit includes counters 1-11a, 1-11b, 1-11m, comparators 1-13a, 1-13b, 1-13m, registers 1-15, mask circuits 1-12a, 1-12b, 1 -12m and OR gates 1-14a, 1-14b, 1-14m. Further, the present integrated circuit holds a test target address (C) generation counter 1-10 and a register 1-15 holding a value reg1 for generating the mask signal IIIm.

図8の集積回路は、以上の構成によって、3種類のfail bit情報(pf_info1, pf_info2,
pf_info3)、2種類のfail bit情報が連続して出現した回数(Ca2,Cb2)、3種類のfail アドレス情報(Ca1,Cb1,Cm1)を保持する。なお、図8の集積回路は、符合の枝番をa,b,mとして、3系統の記憶回路を有し、3種類のfail bit情報、fail アドレス情報を保持する。
しかし、本集積回路の構成が図8に限定される訳ではない。すなわち、記憶回路の系統の数は、4以上でもよい。
With the above configuration, the integrated circuit of FIG. 8 has three types of fail bit information (pf_info1, pf_info2,
pf_info3) Holds the number of times two types of fail bit information have successively appeared (Ca2, Cb2) and three types of fail address information (Ca1, Cb1, Cm1). The integrated circuit of FIG. 8 has three systems of storage circuits with the branch numbers of the codes being a, b, and m, and holds three types of fail bit information and fail address information.
However, the configuration of this integrated circuit is not limited to that shown in FIG. That is, the number of storage circuit systems may be four or more.

図9は、図6の集積回路によるBIST試験の実行、データ転送、およびBIST試験の再開・継続のタイミングと、fail bit情報、およびfail アドレス情報を例示する図である。図
6の集積回路は、fail bit情報を記憶する2つの記憶回路、同一パタンfail連続回数を記憶する回路(カウンタ2-20)が1つ設けられている。
FIG. 9 is a diagram exemplifying execution timing of the BIST test, data transfer, and restart / continuation of the BIST test by the integrated circuit of FIG. 6, fail bit information, and fail address information. The integrated circuit of FIG. 6 is provided with two storage circuits for storing fail bit information and one circuit (counter 2-20) for storing the number of consecutive same pattern failures.

本実施形態では、例えば、cycle1で、メモリ2-3に試験データが書き込まれる。書き込
みは、アドレスad 0からad 7まで順次実行される。
In the present embodiment, the test data is written in the memory 2-3 at cycle 1, for example. Writing is sequentially executed from addresses ad 0 to ad 7.

次に、cycle2において、メモリ2-3に書き込み済みの試験データが読み出される。読み
出しは、アドレスad0から順次実行される。図9の例では、アドレスad 1, ad 2およびad 5の読み出しでfail bitが検出されている。アドレスad 1, ad 2およびad 5でのfail bit
はすべてbit 1である。したがって、ad 1,2において、同一のfail bit情報が連続して検
出される。また、アドレスad 5でのfail bitの検出により、記憶回路(データレシーバ1-8a,1-8b,1-8m)がすべて記憶されるので、本集積回路は、記憶回路(データレシーバ1-8a,1-8b,1-8m)を次のBIST試験までマスクしたままとする。そして、本集積回路は、BIST試験のcycle 2終了時に、LSIテスタへデータ転送を行う。データ転送終了後、本集積回路は、cycle 3において、BIST試験を再開し、継続する。すでにcycle 2において、アドレスad
5までBIST試験が終了しているので、cycle 3では、本集積回路は、アドレスad 0からad 5まで、読み出しデータと期待値との比較結果を保存しないで、カウンタ1-11a, 1-11b, 1-11m等の計数を行う。そして、本集積回路は、アドレスad 6, 7において、メモリ2-3から読み出されたデータと期待値の比較結果にfail bitが含まれるか否かの判断を再開する。図9の例では、cycle 3において、ad 6でfail bitとしてbit 1,2が検出され、ad 7でfail
bitとしてbit 2が検出されている。
Next, in cycle 2, the test data written in the memory 2-3 is read. Reading is sequentially executed from the address ad0. In the example of FIG. 9, the fail bit is detected by reading the addresses ad 1, ad 2 and ad 5. Fail bit at addresses ad 1, ad 2 and ad 5
Are all bit 1. Therefore, the same fail bit information is continuously detected in ad 1 and 2. In addition, since all the memory circuits (data receivers 1-8a, 1-8b, 1-8m) are stored by detecting the fail bit at the address ad 5, this integrated circuit uses the memory circuits (data receivers 1-8a, 1-8a). , 1-8b, 1-8m) remains masked until the next BIST test. Then, this integrated circuit transfers data to the LSI tester at the end of cycle 2 of the BIST test. After the data transfer is completed, this integrated circuit restarts and continues the BIST test in cycle 3. Already in cycle 2, address ad
Since the BIST test has been completed up to 5, in cycle 3, this integrated circuit does not store the comparison result between the read data and the expected value from address ad 0 to ad 5, and the counter 1-11a, 1-11b , 1-11m etc. are counted. Then, the present integrated circuit restarts the judgment of whether or not the fail bit is included in the comparison result of the data read from the memory 2-3 and the expected value at the addresses ad6 and 7. In the example of FIG. 9, in cycle 3, bits 1 and 2 are detected as fail bits in ad 6, and fail in ad 7
bit 2 is detected as bit.

図10に、図6の集積回路によるcycle 2とcycle 3でのBIST試験後にLSIテスタに転送
されるデータを例示する。cycle 2では、1つめの記憶回路であるデータレシーバ1-8a(値pf_Finfo1)において、アドレスad 2において、ad 1から連続するfail bit情報(bit 1のfail)が検出され、同一パタンfail連続回数が1であることが例示される。図10の例では、同一パタンfail連続回数=0が1回を表し、同一パタンfail連続回数=1が2回を示す。また、アドレスad 5において、fail bit情報(bit 1のfail)が検出される。
FIG. 10 illustrates data transferred to the LSI tester after the BIST test in cycle 2 and cycle 3 by the integrated circuit in FIG. In cycle 2, in the data receiver 1-8a (value pf_Finfo1), which is the first storage circuit, consecutive fail bit information (fail of bit 1) is detected from ad 1 at address ad 2, and the same pattern fail consecutive number of times Is exemplified as 1. In the example of FIG. 10, the same pattern fail consecutive number = 0 indicates 1 time, and the same pattern fail consecutive number = 1 indicates 2 times. Also, at address ad 5, fail bit information (fail of bit 1) is detected.

さらに、同様に、cycle 3では、2つめの記憶回路(pf_info2)において、アドレスad 6
において、fail bit情報(bit 1,2のfail)が検出され、同一パタンfail連続回数が0であることが例示される。また、アドレスad 7において、fail bit情報(bit 2のfail)が検出さ
れている。
Similarly, in cycle 3, in the second memory circuit (pf_info2), the address ad 6
In, the failure bit information (fail of bits 1 and 2) is detected, and it is illustrated that the same pattern fail consecutive number is 0. Also, at address ad 7, fail bit information (fail of bit 2) is detected.

図11A,図11Bは、図6の集積回路において、図10に例示する各cycleで、エラ
ーが検知されたときの各部の値の変化を例示する図である。すなわち、図10では、cycle 1で試験データがメモリ2-3に書き込まれ、cycle 2,3で読み出される。また、図10でpassは、エラーbitなし(正常)を示し、failはエラーbit検出を示す。
FIG. 11A and FIG. 11B are diagrams illustrating the change in the value of each part when an error is detected in each cycle illustrated in FIG. 10 in the integrated circuit of FIG. 6. That is, in FIG. 10, the test data is written in the memory 2-3 in cycle 1 and read in cycles 2 and 3. Further, in FIG. 10, pass indicates no error bit (normal), and fail indicates error bit detection.

まず、カウンタ2-10の値C=1で、アドレスad 0のデータがpass(正常)で読み出される。
なお、各マスク回路の値(Ia,Ib,IIa,IIb,IIIa,IIIb)、比較器2-16の比較結果(cmp 1),マ
スク回路2-18の出力(cmp 2)、レジスタ2-15, 2-17の出力(reg 1, reg 2)は、0である。
一方、カウンタ2-11a,2-11bの計数結果(Ca1,Cb)は、カウンタ2-10の計数結果(C)と同じ1である。また、同一パタンfail連続回数であるカウンタ2-20の計数結果(Ca2)は0である
First, when the value C of the counter 2-10 is C = 1, the data at the address ad 0 is read by pass (normal).
The value of each mask circuit (Ia, Ib, IIa, IIb, IIIa, IIIb), the comparison result of the comparator 2-16 (cmp 1), the output of the mask circuit 2-18 (cmp 2), the register 2-15 The outputs (reg 1, reg 2) of 2 and 17 are 0.
On the other hand, the counting results (Ca1, Cb) of the counters 2-11a and 2-11b are 1, which is the same as the counting result (C) of the counter 2-10. Further, the counting result (Ca2) of the counter 2-20, which is the number of consecutive same pattern failures, is 0.

カウンタ2-10の値C=2で、アドレスad 1のデータがfailで読み出される。その結果、デ
ータレシーバ2-8a(値pf_info1)と、カウンタ2-11a(値Ca1)がマスクされる。さらに、カウンタ2-10の値C=3で、ad 2のデータがfailで読み出される。その結果、同一パタンfail連続回数を計数するカウンタ2-20の値Ca=1となる。さらに、カウンタ2-10の値C=4で、ad
3のデータがpassで読み出される。その結果、同一パタンによるfailが途切れるので、カウンタ2-20(値Ca)がマスクされる。
When the value C of the counter 2-10 is C = 2, the data at the address ad 1 is read by fail. As a result, the data receiver 2-8a (value pf_info1) and the counter 2-11a (value Ca1) are masked. Further, when the value C of the counter 2-10 is C = 3, the data of ad 2 is read by fail. As a result, the value Ca of the counter 2-20 that counts the number of consecutive same pattern failures becomes Ca = 1. Furthermore, with the value C = 4 of the counter 2-10, ad
The data of 3 is read by pass. As a result, since the failure due to the same pattern is interrupted, the counter 2-20 (value Ca) is masked.

その後、カウンタ2-10の値C=6で、ad 5のデータがfailで読み出される。その結果、デ
ータレシーバ2-8b(値pf_info1)と、カウンタ2-11b(値Cb)がマスクされる。この時点
で、全記憶回路がfail bit情報とfail アドレス情報を保持したので、これ以上BIST試験
が継続できない。本集積回路は、試験結果が格納されたデータレシーバ2-8a,カウンタ2-11a,2-11b等をマスクして、カウンタ2-10の計数を進める。その結果、本集積回路は、試験が終了した試験対象アドレスをカウンタ2-11bに保持して、カウンタ2-10を値C=7,8に進め、cycle 2を終了する。Cycle 2が終了後、本集積回路は、スキャンシフトにより、データレシーバ2-8a(値pf_info1、1つめのfail bit情報), データレシーバ2-8b(値pf_info2、
2つ目のfail bit情報),カウンタ2-11a(値Ca1、1つめのfail アドレス),カウンタ2-20(
値Ca2、同一パタンfail連続回数),カウンタ2-11b(値Cb、2つめのfail アドレス)をLSIテスタに転送する。なお、カウンタ2-11a、カウンタ2-11bが保持するfail アドレスは、ア
ドレスad 0から7に対して、1から8の値となっている。
After that, with the value C = 6 of the counter 2-10, the data of ad 5 is read by fail. As a result, the data receiver 2-8b (value pf_info1) and the counter 2-11b (value Cb) are masked. At this point, all memory circuits hold the fail bit information and fail address information, so the BIST test cannot continue any further. The present integrated circuit masks the data receiver 2-8a and the counters 2-11a, 2-11b in which the test results are stored, and advances the counting of the counter 2-10. As a result, the present integrated circuit holds the test target address for which the test is completed in the counter 2-11b, advances the counter 2-10 to the value C = 7,8, and ends the cycle 2. After the end of Cycle 2, this integrated circuit scan scan shifts data receiver 2-8a (value pf_info1, first fail bit information), data receiver 2-8b (value pf_info2, value pf_info2,
2nd fail bit information), counter 2-11a (value Ca1, 1st fail address), counter 2-20 (
The value Ca2, the number of consecutive same pattern failures) and the counter 2-11b (value Cb, the second fail address) are transferred to the LSI tester. The fail addresses held by the counters 2-11a and 2-11b are values 1 to 8 for the addresses ad 0 to 7, respectively.

以下、図11Bにて説明が継続される。データ転送後、データレシーバ2-8b(値pf_info2、2つ目のfail bit情報),カウンタ2-20(値Ca2、同一パタンfail連続回数)はクリアされる。一方、カウンタ2-11a(値Ca1、1つめのfail アドレス),カウンタ2-11b(値Cb、2つめのfail アドレス)は、BIST試験完了済みのアドレスとして保持される。   Hereinafter, the description will be continued with reference to FIG. 11B. After the data transfer, the data receiver 2-8b (value pf_info2, second fail bit information) and the counter 2-20 (value Ca2, the same pattern fail consecutive count) are cleared. On the other hand, the counter 2-11a (value Ca1, the first fail address) and the counter 2-11b (value Cb, the second fail address) are held as BIST test completed addresses.

そして、カウンタ2-10の値Cがカウントアップされ、カウンタ2-11b(値Cb、2つめのfail アドレス)と一致すると、マスクIIIbさらにIIIaが解除され、データレシーバ2-8a,2-8bへのデータ書き込み、期待値との比較等が再開される。図11Bの例では、カウンタ2-10の値C=7で、アドレスad 6のデータがfail(fail bit 1,2)で読み出される。その結果、デ
ータレシーバ2-8a(値pf_info1)と、カウンタ2-11a(値Ca1)がマスクされる。さらに、カウンタ2-10の値C=8で、アドレスad 7のデータがfail(fail bit 2)で読み出される。そ
の結果、データレシーバ2-8b(値pf_info2)と、カウンタ2-11b(値Cb)がマスクされる
。そして、cycle 3終了後、LSIテスタにスキャンシフトでデータが転送される。
Then, when the value C of the counter 2-10 is incremented and matches the counter 2-11b (value Cb, the second fail address), the mask IIIb and IIIa are released and the data receivers 2-8a and 2-8b are released. Data writing, comparison with expected value, etc. are restarted. In the example of FIG. 11B, when the value C of the counter 2-10 is C = 7, the data of the address ad 6 is read by fail (fail bit 1,2). As a result, the data receiver 2-8a (value pf_info1) and the counter 2-11a (value Ca1) are masked. Further, when the value C of the counter 2-10 is C = 8, the data at the address ad 7 is read by fail (fail bit 2). As a result, the data receiver 2-8b (value pf_info2) and the counter 2-11b (value Cb) are masked. Then, after the end of cycle 3, the data is transferred to the LSI tester by scan shift.

以上述べたように、本集積回路は、実施形態1の集積回路と同様に、BIST試験中にfail
bit情報とfailアドレス情報を複数組記憶することができる。すなわち、本集積回路は、所定数の記憶回路がすべて記憶されるまで、BIST試験を中断することなくfail bit情報とfailアドレス情報を記憶することができる。したがって、本集積回路は、1回のBIST試験で、複数組のfail bit情報とfailアドレス情報をまとめてLSIテスタにスキャンシフトで
出力できる。
As described above, the present integrated circuit fails during the BIST test, like the integrated circuit of the first embodiment.
Multiple sets of bit information and fail address information can be stored. That is, this integrated circuit can store the fail bit information and the fail address information without interrupting the BIST test until all the predetermined number of storage circuits are stored. Therefore, this integrated circuit can output a plurality of sets of fail bit information and fail address information to the LSI tester by scan shift in one BIST test.

さらに、本集積回路は、fail bit情報とfailアドレス情報を複数組記憶する記憶回路(
データレシーバ2-8a,2-8等、およびカウンタ2-11a,2-11b等)のすべてにデータが記憶さ
れた場合には、試験結果を格納したデータレシーバ2-8a、カウンタ2-11a,2-11b等をマス
クして、各cycleの終了まで試験アドレスを進める。そして、本集積回路は、最後にfail bitが検出されたfail アドレスを記憶回路(例えば,図6のカウンタ2-11b,図8のカウンタ2-11m)に保持し、次のBIST試験において、試験対象アドレスのカウンタ2-10がfail アドレスになるまで、データレシーバ2-8a,2-8b等への試験結果の格納を停止する。したが
って、本集積回路は、複数の記憶回路へのBIST試験の結果の一時保持、低速クロックによるスキャンシフトでのBIST試験の結果の転送、次のBIST試験での前回のfail アドレスの
次のアドレスからの試験を再開・継続を少ない資源で効率的に無駄なく実行できる。
In addition, this integrated circuit has a storage circuit (a plurality of sets of fail bit information and fail address information).
If the data is stored in all of the data receivers 2-8a, 2-8 etc. and the counters 2-11a, 2-11b etc.), the data receiver 2-8a, counter 2-11a, Mask 2-11b etc. and advance the test address until the end of each cycle. Then, this integrated circuit holds the fail address at which the fail bit was finally detected in the memory circuit (for example, the counter 2-11b in FIG. 6 and the counter 2-11m in FIG. 8), and performs the test in the next BIST test. The storage of test results in the data receivers 2-8a, 2-8b, etc. is stopped until the counter 2-10 of the target address reaches the fail address. Therefore, this integrated circuit temporarily holds the BIST test results in multiple memory circuits, transfers the BIST test results in the scan shift with the low-speed clock, and starts from the address next to the previous fail address in the next BIST test. The test can be restarted and continued efficiently with less resources and without waste.

また、本集積回路は、パターンジェネレータ1-1,2-1によって、試験データを生成し、
スキャンラッチ2-2とスキャンラッチ2-5に格納する。メモリ2-3は、PLL回路 2-22で生成
された高周波クロックにしたがってスキャンラッチ2-2から入力される試験データをカウ
ンタ2-10で指定される試験対象アドレスに書き込む。また、メモリ2-3は、高周波クロッ
クにしたがって、カウンタ2-10で指定される試験対象アドレスからデータを読み出し、スキャンラッチ2-4に格納する。そして、比較器2-6は、高速クロックにしたがって、スキャンラッチ2-4に格納されたデータRDと、スキャンラッチ2-5の期待値(mean)とを比較し、試験結果を生成する。以上のように、本集積回路は、PLL回路 2-22で生成された高周波クロックにしたがってBIST試験を実行できる。
Further, this integrated circuit generates test data by the pattern generators 1-1 and 2-1.
Store in scan latch 2-2 and scan latch 2-5. The memory 2-3 writes the test data input from the scan latch 2-2 to the test target address designated by the counter 2-10 according to the high frequency clock generated by the PLL circuit 2-22. Further, the memory 2-3 reads data from the test target address designated by the counter 2-10 according to the high frequency clock and stores it in the scan latch 2-4. Then, the comparator 2-6 compares the data RD stored in the scan latch 2-4 with the expected value (mean) of the scan latch 2-5 according to the high-speed clock, and generates a test result. As described above, this integrated circuit can execute the BIST test according to the high frequency clock generated by the PLL circuit 2-22.

また、本集積回路は、図6のように、データレシーバ2-8a, 2-8bと、マスク回路2-7a, 2-7bとを有する。データレシーバ2-8aにfail bit情報が記憶されると、ORゲート2-9aによってマスク信号Iaが生成され、マスク回路2-7aがデータレシーバ2-8aへの新たなfail bit情報の書込を遮断する。その結果、データレシーバ2-8aは、最初に発生したfail bit情報を保持できる。また、データレシーバ2-8aと異なるfail bit情報がデータレシーバ2-8bに格納されると、比較器2-16及びANDゲート2-19によってマスク信号Ibが生成され、マスク
回路2-7bがデータレシーバ2-8bへの新たなfail bit情報の書込を遮断する。このような作用は、図8に例示した記憶回路が3系統の構成、あるいは、記憶回路が3系統以上の構成でも同様である。したがって、本実施形態によれば、RAM1-3,2-3で取得されたfail bit情報のうち、異なるものを選択して複数記憶できる。
The integrated circuit has data receivers 2-8a and 2-8b and mask circuits 2-7a and 2-7b as shown in FIG. When the fail bit information is stored in the data receiver 2-8a, the mask signal Ia is generated by the OR gate 2-9a, and the mask circuit 2-7a writes new fail bit information to the data receiver 2-8a. Cut off. As a result, the data receiver 2-8a can hold the fail bit information generated first. When fail bit information different from that of the data receiver 2-8a is stored in the data receiver 2-8b, the mask signal Ib is generated by the comparator 2-16 and the AND gate 2-19, and the mask circuit 2-7b outputs the data. Block writing of new fail bit information to receiver 2-8b. Such an operation is the same even when the storage circuit illustrated in FIG. 8 has a three-system configuration or the storage circuit has three or more systems. Therefore, according to this embodiment, different pieces of fail bit information acquired in the RAMs 1-3 and 2-3 can be selected and stored in plural.

また、本集積回路は、図6のようにカウンタ2-10と同一のクロックで駆動されるカウンタ2-11a,2-11bと、データレシーバ2-8a,2-8bと有する。そして、本集積回路は、データレシーバ2-8a,2-8bにfail bit情報が格納されると、マスク信号Ia, Ibが生成され、データ
レシーバ2-8a,2-8bに対応するカウンタ2-11a,2-11bへのクロックがマスク回路2-12a,2-12bによって遮断される。したがって、本集積回路は、fail bit情報が出現した試験対象ア
ドレスを正確に検出できる。なお、試験対象アドレスの検出は、図8のカウンタ1-11a, 1-11b, 1-11mと、データレシーバ1-8a, 1-8b, 1-8mとによっても同様に実行される。
Further, this integrated circuit has counters 2-11a and 2-11b driven by the same clock as the counter 2-10 and data receivers 2-8a and 2-8b as shown in FIG. When the fail bit information is stored in the data receivers 2-8a, 2-8b, the mask signals Ia, Ib are generated in the integrated circuit, and the counters 2-corresponding to the data receivers 2-8a, 2-8b are used. The clocks to 11a, 2-11b are blocked by the mask circuits 2-12a, 2-12b. Therefore, this integrated circuit can accurately detect the test target address in which the fail bit information appears. The detection of the test target address is similarly performed by the counters 1-11a, 1-11b, 1-11m and the data receivers 1-8a, 1-8b, 1-8m shown in FIG.

また、本集積回路は、実施形態1の集積回路と同様に、同一fail bitパタン連続時のfail bit情報を記憶しないでスキップするので、処理時間を短縮できる。また、本集積回路は、図6のカウンタ2-20、図8のカウンタ1-20a,1-20bによって同一のfail bit情報複数
回連続して繰り返される場合に、繰り返し数を計数する。したがって、本集積回路は、同一fail bit情報を記憶しないでスキップしても、その出現回数を検知できる。
Further, like the integrated circuit of the first embodiment, this integrated circuit skips without storing fail bit information when the same fail bit pattern continues, so that the processing time can be shortened. Further, the present integrated circuit counts the number of repetitions when the same fail bit information is repeatedly repeated a plurality of times by the counter 2-20 of FIG. 6 and the counters 1-20a and 1-20b of FIG. Therefore, the present integrated circuit can detect the number of appearances even if the same fail bit information is skipped without being stored.

さらに、本集積回路は、1つのfail bit情報(第1のfail bit情報)が複数回連続して繰り返された後、第2のfail bit情報が出現した場合に、データレシーバ2-8aは第1のfa
il bit情報を保持し、データレシーバ2-8bは第2のfail bit情報を保持する。また、カウンタ2-11aは第1のfail bit情報が出現した試験対象アドレスである第1のfailアドレス
情報を保持し、カウンタ2-11bは第2のfail bit情報が出現した試験対象アドレスである
第2のfailアドレス情報を保持する。したがって、本集積回路は1度のBIST試験の起動で、複数のfail bit情報と複数のfailアドレス情報を保持できる。したがって、本集積回路は、BIST試験の繰り返し回数を抑制し、効率的にFBM試験を実行できる。
Further, in the present integrated circuit, when one fail bit information (first fail bit information) is continuously repeated a plurality of times and then the second fail bit information appears, the data receiver 2-8a is 1 fa
The il bit information is held, and the data receiver 2-8b holds the second fail bit information. Further, the counter 2-11a holds the first fail address information which is the test target address where the first fail bit information appears, and the counter 2-11b is the test target address where the second fail bit information appears. Holds the second fail address information. Therefore, this integrated circuit can hold a plurality of fail bit information and a plurality of fail address information with one activation of the BIST test. Therefore, the present integrated circuit can suppress the number of repetitions of the BIST test and efficiently execute the FBM test.

さらに、本集積回路は、BIST試験の結果がpassの場合の試験結果の取得をスキップすることで、処理時間を短縮する。さらに、本集積回路は、第1のfail bit情報が出現した後、BIST試験の結果がpassとなり、さらに、次に出現した第2のfail bit情報が複数回繰り返し出現した場合に、第2のfail bit情報の繰り返し数を計数するカウンタ2-20を有する。したがって、本集積回路は、BIST試験の結果がpassの場合には、試験結果の取得をスキップするとともに、その後の第2のfail bit情報に対しては、第1のfail bit情報と同様に効率的に処理できる。   Furthermore, this integrated circuit shortens the processing time by skipping the acquisition of the test result when the BIST test result is pass. Furthermore, in the present integrated circuit, after the first fail bit information appears, the BIST test result becomes pass, and when the second fail bit information that appears next appears repeatedly multiple times, It has a counter 2-20 for counting the number of repetitions of fail bit information. Therefore, this integrated circuit skips the acquisition of the test result when the BIST test result is pass, and the efficiency is the same as the first fail bit information for the subsequent second fail bit information. Can be processed as desired.

さらに、本集積回路は、以上のように、データレシーバ1-8a,1-8b,1-8m,2-8a,2-8bに保持したfail bit情報、カウンタ1-11a,1-11b,1-11m,2-11a,2-11bに保持したfail アドレス情報、カウンタ1-20a,1-20bに保持した同一のfail bit情報の繰り返し数等を纏めてLSIテスタに転送できる。   Further, as described above, this integrated circuit has the fail bit information held in the data receivers 1-8a, 1-8b, 1-8m, 2-8a, 2-8b, the counters 1-11a, 1-11b, 1 -11m, 2-11a, 2-11b, the fail address information, the number of repetitions of the same fail bit information held in the counters 1-20a, 1-20b, etc. can be collectively transferred to the LSI tester.

1-1,2-1,3-1 パターンジェネレータ
1-3,2-3,3-3 メモリ
1-8a,1-8b,1-8m データレシーバ
1-10,1-11a,1-11b,1-11m,1-20,1-20a,1-20b カウンタ
1-13,1-13b,1-13c,1-18a,1-18b 比較器
3-8a,3-8b,3-8m fail bit 記憶回路
3-11a,3-11b,3-11c fail アドレス記憶回路
3-18a,3-18b 比較回路
3-19 マスク信号生成回路
3-20a,3-20b 同一fail連続回数カウンタ
1-1,2-1,3-1 pattern generator
1-3,2-3,3-3 memory
1-8a, 1-8b, 1-8m data receiver
1-10,1-11a, 1-11b, 1-11m, 1-20,1-20a, 1-20b counter
1-13,1-13b, 1-13c, 1-18a, 1-18b Comparator
3-8a, 3-8b, 3-8m fail bit memory circuit
3-11a, 3-11b, 3-11c fail address storage circuit
3-18a, 3-18b Comparison circuit
3-19 Mask signal generation circuit
3-20a, 3-20b Same fail continuous counter

Claims (8)

記憶部と、
第1のクロックにしたがって、第1カウンタにより前記記憶部の試験対象アドレスを生成するアドレス生成部と、
前記記憶部の試験対象アドレスのそれぞれにおける試験の結果データを生成する試験実行部と、
前記試験の結果がエラーの場合のエラー結果データを順次格納する複数の結果データ格納部と、
前記複数の結果データ格納部で保持されるエラー結果データに対応する複数の試験対象アドレスをそれぞれ格納する複数のアドレス格納部と、
前記複数の結果データ格納部にそれぞれエラー結果データが格納され、前記複数のアドレス格納部にそれぞれ試験対象アドレスが格納された後に、前記複数の結果データ格納部にそれぞれ格納されたエラー結果データと前記複数のアドレス格納部にそれぞれ格納された試験対象アドレスとを外部装置に出力する外部出力部と、
前記記憶部、アドレス生成部、試験実行部、複数の結果データ格納部、および複数のアドレス格納部に前記第1のクロックを供給する第1クロック回路と、
前記外部出力部に前記第1のクロックよりも低速の第2のクロックを供給する第2クロック回路と、
を備え、
前記複数のアドレス格納部のそれぞれは、
前記第1カウンタを駆動する第1のクロックと同一のクロックで駆動され、前記試験対象アドレスを計数する第2カウンタと、
前記複数の結果データ格納部のいずれかにエラー結果データが格納されたときに、前記エラー結果データが格納された結果データ格納部に対応するアドレス格納部の前記第2カウンタへのクロックを遮断する遮断回路と、を有し、
前記複数のエラー結果データが出現した試験対象アドレスのうち最後の試験対象アドレスを保持するアドレス格納部は、前記外部出力部による外部装置への出力の後に、さらに前記試験実行部によって生成される試験の結果データのうち、前記最後の試験対象アドレス以前の試験対象アドレスにおけるエラー結果データの保存を遮断する集積回路。
Storage part,
An address generation unit that generates a test target address of the storage unit by a first counter according to a first clock;
A test execution unit that generates test result data at each test target address of the storage unit;
A plurality of result data storage units for sequentially storing error result data when the test result is an error,
A plurality of address storage units respectively storing a plurality of test target addresses corresponding to the error result data held in the plurality of result data storage unit,
The error result data is stored in each of the plurality of result data storage units, the test target address is stored in each of the plurality of address storage units, and the error result data stored in each of the plurality of result data storage units and An external output unit that outputs the test target address stored in each of the plurality of address storage units to an external device,
A first clock circuit that supplies the first clock to the storage unit, the address generation unit, the test execution unit, the plurality of result data storage units, and the plurality of address storage units;
A second clock circuit that supplies a second clock, which is slower than the first clock, to the external output unit;
Equipped with
Each of the plurality of address storage units,
A second counter that is driven by the same clock as the first clock that drives the first counter and that counts the test target address;
When error result data is stored in any of the plurality of result data storage units, the clock to the second counter of the address storage unit corresponding to the result data storage unit storing the error result data is shut off. and the cut-off circuit, and possess,
The address storage unit that holds the last test target address among the test target addresses in which the plurality of error result data appear is a test generated by the test execution unit after the output to the external device by the external output unit. Of the result data, the integrated circuit that blocks the storage of the error result data at the test target address before the last test target address .
前記複数の結果データ格納部のうち第1の結果データ格納部にエラー結果データが格納されたときに、前記第1の結果データ格納部への次のエラー結果データの格納を遮断する第1の遮断回路と、
前記複数の結果データ格納部のうち第1の結果データ格納部に第1のエラー結果データが格納された後に、第2の結果データ格納部に第1のエラー結果データとは異なる第2のエラー結果データが格納されたときに、前記第2の結果データ格納部への次のエラー結果データの格納を遮断する第2の遮断回路と、をさらに備える請求項1に記載の集積回路。
A first block of storing the next error result data in the first result data storage unit when the error result data is stored in the first result data storage unit of the plurality of result data storage units. A cutoff circuit,
A second error different from the first error result data is stored in the second result data storage unit after the first error result data is stored in the first result data storage unit of the plurality of result data storage units. The integrated circuit according to claim 1, further comprising a second shutoff circuit that shuts off the storage of the next error result data in the second result data storage unit when the result data is stored.
同一のエラー結果データが複数回連続して繰り返される場合に、繰り返し数を計数する第3カウンタを備える請求項1または2に記載の集積回路。   The integrated circuit according to claim 1, further comprising a third counter that counts the number of repetitions when the same error result data is repeated a plurality of times in succession. 第1のエラー結果データが複数回連続して繰り返された後、前記第1のエラー結果データとは異なる第2のエラー結果データが発生した場合に、前記複数の結果データ格納部のうちの第1の結果データ格納部は、第1のエラー結果データを保持し、第2の結果データ格納部は、第2のエラー結果データを保持し、前記複数のアドレス格納部のうちの第1のアドレス格納部は第1のエラー結果データが出現した試験対象アドレスを保持し、第2のアドレス格納部は第2のエラー結果データが出現した試験対象アドレスを保持する請求項1から3のいずれか1項に記載の集積回路。   When the second error result data different from the first error result data is generated after the first error result data is continuously repeated a plurality of times, the first error result data of the plurality of result data storage units is stored. The first result data storage unit holds the first error result data, the second result data storage unit holds the second error result data, and the first address of the plurality of address storage units. 4. The storage unit holds a test target address in which the first error result data appears, and the second address storage unit holds a test target address in which the second error result data appears. An integrated circuit according to item. 第1のエラー結果データが複数回連続して繰り返された後、正常な結果データが発生し、その後、第2のエラー結果データが繰り返し発生した場合に、前記第2のエラー結果データの繰り返し数を計数する第4カウンタを備える請求項1から4のいずれか1項に記載の集積回路。   The number of repetitions of the second error result data when the normal error result data is generated after the first error result data is continuously repeated a plurality of times and then the second error result data is repeatedly generated. The integrated circuit according to claim 1, further comprising a fourth counter that counts. 前記外部出力部は、複数の結果データ格納部に格納されたエラー結果データと、前記エラー結果データが繰り返し発生した繰り返し数と、前記エラー結果データが検知された試験対象アドレスとを外部装置に出力する請求項1から5のいずれか1項に記載の集積回路。   The external output unit outputs error result data stored in a plurality of result data storage units, the number of repetitions of the error result data repeatedly, and a test target address at which the error result data is detected to an external device. The integrated circuit according to any one of claims 1 to 5. 前記記憶部の試験対象アドレスに書き込まれる試験データを生成するデータ生成部をさらに備え、
前記試験実行部は、前記試験データを期待値として保存し、前記試験対象アドレスに前記試験データを書き込み、前記試験データが書き込まれた試験対象アドレスから読み出したデータと前記期待値とを比較して試験の結果データを生成する請求項1からのいずれか1項に記載の集積回路。
Further comprising a data generation unit that generates test data to be written in the test target address of the storage unit,
The test execution unit stores the test data as an expected value, writes the test data to the test target address, compares the data read from the test target address in which the test data is written with the expected value. The integrated circuit according to any one of claims 1 to 6 , which generates test result data.
第1のクロックにしたがって、第1カウンタにより記憶部の試験対象アドレスを生成し、記憶部の試験対象アドレスのそれぞれにおいて試験の結果データを生成し、前記試験の結果がエラーの場合のエラー結果データを順次複数の結果データ格納部に格納し、前記複数の結果データ格納部でそれぞれ保持されるエラー結果データに対応する複数の試験対象アドレスをそれぞれ複数のアドレス格納部に格納する処理を繰り返し、
前記複数の結果データ格納部にそれぞれエラー結果データが格納され、前記複数のアドレス格納部にそれぞれ試験対象アドレスが格納された後に、第1のクロックよりも低速な第2のクロックにしたがって、前記複数の結果データ格納部にそれぞれ格納されたエラー結果データと前記複数のアドレス格納部にそれぞれ格納された試験対象アドレスとを外部装置に出力し、
前記複数のアドレス格納部のそれぞれは、
前記記憶部の試験対象アドレスを生成する第1カウンタを駆動する第1のクロックと同一のクロックで駆動され、前記試験対象アドレスを計数する第2カウンタを有し、
前記複数の結果データ格納部のいずれかにエラー結果データが格納されたときに、前記エラー結果データが格納された結果データ格納部に対応するアドレス格納部の前記第2カウンタへのクロックを遮断し、
前記複数のエラー結果データが出現した試験対象アドレスのうち最後の試験対象アドレスを保持するアドレス格納部は、前記外部装置への出力の後にさらに生成される試験の結果データのうち、前記最後の試験対象アドレス以前の試験対象アドレスにおけるエラー結果データの保存を遮断する集積回路の試験方法。
In accordance with the first clock, the first counter generates a test target address in the storage unit, generates test result data at each test target address in the storage unit, and outputs error result data when the test result is an error. Are sequentially stored in a plurality of result data storage units, and a plurality of test target addresses corresponding to the error result data respectively held in the plurality of result data storage units are repeatedly stored in a plurality of address storage units.
The error result data is stored in each of the plurality of result data storage units, and the test target address is stored in each of the plurality of address storage units. Outputting the error result data respectively stored in the result data storage section and the test target addresses respectively stored in the plurality of address storage sections to an external device,
Each of the plurality of address storage units,
A second counter that is driven by the same clock as a first clock that drives a first counter that generates a test target address of the storage unit and that counts the test target address;
When an error result data is stored in one of said plurality of result data storage unit, shut off the clock to the second counter address storage unit corresponding to said error result result data storage unit that stores data ,
The address storage unit that holds the last test target address among the test target addresses in which the plurality of error result data appear is the last test among the test result data that is further generated after the output to the external device. A test method for an integrated circuit that blocks storage of error result data at a test target address before the target address .
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