JP6687097B2 - 電子デバイスの製造方法、インクジェットヘッドの製造方法 - Google Patents
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Description
前記圧電素子側の面に前記圧電素子を駆動する駆動回路を有し、前記圧力室形成基板に対して間隔を開けて接合された封止板と、を備えた電子デバイスの製造方法であって、
前記圧力室形成基板となるシリコン製の第1の基板の前記圧電素子が形成される面に、
金属層からなる第1のアライメントマークを形成する第1の金属層形成工程と、
前記封止板となるシリコン製の第2の基板の前記駆動回路が形成される面に、金属層からなる第2のアライメントマークを形成する第2の金属層形成工程と、
前記第1の基板の前記第1のアライメントマーク側の面と前記第2の基板の前記第2のアライメントマーク側の面とを対向させた状態で、赤外線により前記第1の基板及び前記第2の基板を透過させて確認される前記第1のアライメントマークと前記第2のアライメントマークとの相対位置に基づき、前記第1の基板と前記第2の基板との相対位置を決める位置決め工程と、
位置決めされた第1の基板と第2の基板とを接合する基板接合工程と、を含むことを特徴とする。
この方法によれば、第1のアライメントマーク及び第2のアライメントマークが金属層より形成されるため、基板を貫通させる貫通孔よりもパターニング精度が向上する。また、第1のアライメントマークと第2のアライメントマークとの相対位置を、赤外線により第1の基板及び第2の基板を透過させて確認するため、第1のアライメントマークと第2のアライメントマークとが合わさった状態を直接確認することができる。その結果、第1の基板と第2の基板との相対位置を高精度に合わせることが可能になる。さらに、第2の基板の第2のアライメントマークが形成される面とは反対側の面が平坦化されるため、第1のアライメントマーク及び第2のアライメントマークを確認し易くなる。これにより、第1の基板と第2の基板との位置合わせ精度が更に向上する。さらに、第1のアライメントマーク及び第2のアライメントマークが金属層からなるため、基板を貫通させる貫通孔をアライメントマークとする場合よりも製造が容易になる。
また、上記方法において、前記圧力室形成基板は、前記圧電素子側の面に金属層からなる第1の電極端子を備え、
前記封止板は、前記駆動回路側の面に金属層からなる第2の電極端子を備え、
前記第1の電極端子は、前記第1の金属層形成工程により形成され、
前記第2の電極端子は、前記第2の金属層形成工程により形成され、
前記第1の電極端子及び前記第2の電極端子は、基板接合工程により接続されることが望ましい。
この方法によれば、第1の電極端子と第1のアライメントマークとが同じ工程で形成され、第2の電極端子と第2のアライメントマークとが同じ工程で形成されるため、第1の電極端子と第2の電極端子との相対位置を高精度に合わせることが可能になる。その結果、第1の電極端子と第2の電極端子との間の導通不良を抑制でき、電子デバイスの信頼性を高めることができる。
さらに、上記各方法において、前記第1のアライメントマーク及び前記第2のアライメントマークは、前記駆動回路と重なる位置から外れた位置に形成されることが望ましい。
この方法によれば、第1のアライメントマーク及び第2のアライメントマークは、第2の基板のイオン注入が行われない領域と重なることになる。これにより、第1のアライメントマーク及び第2のアライメントマークを一層確認し易くなる。その結果、第1の基板と第2の基板との位置合わせ精度が一層向上する。
また、上記各方法において、前記第1のアライメントマーク及び前記第2のアライメントマークは、その他の金属層と重なる位置から外れた位置に形成されることが望ましい。
この方法によれば、第1のアライメントマーク及び第2のアライメントマークをより一層確認し易くなる。その結果、第1の基板と第2の基板との位置合わせ精度がより一層向上する。
また、上記方法において、第1のアライメントマーク及び第2のアライメントマークをそれぞれ3つ以上形成されたことが望ましい。
この方法によれば、位置合わせ精度が向上する。
本発明のインクジェットヘッドの製造方法は、上記目的を達成するために提案されたものであり、ノズルに連通した圧力室、及び、前記圧力室内の液体を前記ノズルから噴射させる圧電素子が設けられた圧力室形成基板と、
前記圧電素子側の面に前記圧電素子を駆動する駆動回路を有し、前記圧力室形成基板に対して間隔を開けて接合された封止板と、を備えたインクジェットヘッドの製造方法であって、
前記圧力室形成基板となるシリコン製の第1の基板の前記圧電素子が形成される面に、
金属層からなる第1のアライメントマークを形成する第1の金属層形成工程と、
前記封止板となるシリコン製の第2の基板の前記駆動回路が形成される面に、金属層からなる第2のアライメントマークを形成する第2の金属層形成工程と、
前記第1の基板の前記第1のアライメントマーク側の面と前記第2の基板の前記第2のアライメントマーク側の面とを対向させた状態で、赤外線により前記第1の基板及び前記第2の基板を透過させて確認される前記第1のアライメントマークと前記第2のアライメントマークとの相対位置に基づき、前記第1の基板と前記第2の基板との相対位置を決める位置決め工程と、
位置決めされた第1の基板と第2の基板とを接合する基板接合工程と、を含むことを特徴とする。
前記封止板は、前記駆動回路側の面に金属層からなる第2の電極端子を備え、
前記第1の電極端子は、前記第1の金属層形成工程により形成され、
前記第2の電極端子は、前記第2の金属層形成工程により形成され、
前記第1の電極端子及び前記第2の電極端子は、基板接合工程により接続されることが望ましい。
Claims (6)
- 圧電素子が設けられた圧力室形成基板と、
前記圧電素子側の面に前記圧電素子を駆動する駆動回路を有し、前記圧力室形成基板に対して間隔を開けて接合された封止板と、を備えた電子デバイスの製造方法であって、
前記圧力室形成基板となるシリコン製の第1の基板の前記圧電素子が形成される面に、金属層からなる第1のアライメントマークを形成する第1の金属層形成工程と、
前記封止板となるシリコン製の第2の基板の前記駆動回路が形成される面に、金属層からなる第2のアライメントマークを形成する第2の金属層形成工程と、
前記第1の基板の前記第1のアライメントマーク側の面と前記第2の基板の前記第2のアライメントマーク側の面とを対向させた状態で、赤外線により前記第1の基板及び前記第2の基板を透過させて確認される前記第1のアライメントマークと前記第2のアライメントマークとの相対位置に基づき、前記第1の基板と前記第2の基板との相対位置を決める位置決め工程と、
位置決めされた前記第1の基板と前記第2の基板とを接合する基板接合工程と、前記第1の基板と前記第2の基板の接合面側において前記第1のアライメントマークと前記第2のアライメントマークの外側である前記第1の基板の外周に接着剤を設けることを含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 前記圧力室形成基板は、前記圧電素子側の面に金属層からなる第1の電極端子を備え、
前記封止板は、前記駆動回路側の面に金属層からなる第2の電極端子を備え、
前記第1の電極端子は、前記第1の金属層形成工程により形成され、
前記第2の電極端子は、前記第2の金属層形成工程により形成され、
前記第1の電極端子及び前記第2の電極端子は、前記基板接合工程により接続されることを特徴とする請求項1に記載の電子デバイスの製造方法。 - 前記第1のアライメントマーク及び前記第2のアライメントマークは、前記駆動回路と重なる位置から外れた位置に形成されたことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電子デバイスの製造方法。
- 前記第1のアライメントマーク及び前記第2のアライメントマークは、その他の金属層と重なる位置から外れた位置に形成されたことを特徴とする請求項1から請求項3の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
- 前記第1のアライメントマーク及び前記第2のアライメントマークをそれぞれ3つ以上形成されたことを特徴とする請求項1から請求項4の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
- 請求項1から請求項5の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法を用いることを特徴とする、ノズルに連通した圧力室、及び、前記圧力室内の液体を前記ノズルから噴射させる前記圧電素子が設けられた前記圧力室形成基板を備えるインクジェットヘッドの製造方法。
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