JP6684994B2 - 拡散素子、拡散素子用金型及び拡散素子の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、拡散素子（ディフューザー）、拡散素子用金型及び拡散素子の製造方法に関する。

滑らかな放射強度分布や放射照度分布を実現するための拡散素子は、室内灯などの一般照明、工業用光センサの光源、及び画像表示用のスクリーンなど幅広い用途に使用されている。

滑らかな放射強度分布や放射照度分布を実現するための拡散素子として、入射した光線を屈折させてガウス分布の放射強度を実現するガウス拡散素子が良く知られている。ガウス拡散素子は完全にランダムな高さ分布を備えた連続な粗面を備える。ガウス拡散素子としては、たとえば、ガラスなどの母材を砂掛けにより粗面としたものを金型として、プラスチック材料の上に凹凸を転写したものや、コヒーレント光源からの光を干渉させることで得られるスペックルと呼ばれるランダムな光量分布を露光して形成した形状を備えた母材を金型として、プラスチック材料の上に凹凸を転写したもの（たとえば、特許文献１）などが知られている。これらのガウス拡散素子は、自然で滑らかな放射強度分布や放射照度分布を実現するが、設計の自由度が小さい。また、拡散の角度を広げようとすると透過率が低下する。

より高い透過率やガウス分布から外れた放射強度分布が要求される用途に対して、ガウス拡散素子の代わりに、マイクロレンズアレイを使用した拡散素子が開発されている。マイクロレンズアレイを使用した拡散素子はマイクロレンズの形状を調整することで放射強度分布を制御することができる。また、粗面を利用した拡散素子と比較して高い透過率を得ることができる。他方、マイクロレンズアレイを使用した拡散素子には以下の欠点がある。第一に、それぞれのマイクロレンズからの光の波面が干渉した結果、その配列の周期構造による回折波が生じ、放射強度分布や放射照度分布にムラが発生しやすい。第二に、マイクロレンズの曲率半径が小さくなると、マイクロレンズの開口自体で発生する回折により放射強度分布や放射照度分布にムラが発生しやすい。

そこで、マイクロレンズの配列、面形状や開口の形状をランダムに変化させることで、干渉や回折によるムラを低減させた拡散素子が提案されている。たとえば、特許文献２には、マイクロレンズの配列にランダム性を持たせることで、マイクロレンズアレイの周期構造由来の回折による拡散輝度のムラを抑制する、カメラのピント合わせ用の焦点板が記載されている。また、特許文献３にはマイクロレンズの配列にランダム性を備えさせることで、マイクロレンズの開口由来の回折ムラを抑制するマイクロレンズアレイ拡散素子が記載されている。

しかしながら、マイクロレンズアレイを使用した拡散素子の製造においては、マイクロレンズの金型を機械加工やレーザ加工で作成するので、製造コストが高いという問題点がある。また、加工上の制約で拡散素子の大面積化が難しいという問題点がある。

このように、放射強度分布の制御がしやすく、放射強度分布や放射照度分布にムラが発生しにくく、製造が容易な拡散素子は開発されていない。

そこで、放射強度分布の制御がしやすく、放射強度分布や放射照度分布にムラが発生しにくく、製造が容易な拡散素子に対するニーズがある。

US6462888B2 JPS63-221329 WO2015/182619A1

したがって、本発明の技術的課題は、放射強度分布の制御がしやすく、放射強度分布や放射照度分布にムラが発生しにくく、製造が容易な拡散素子、そのような拡散素子用の金型、及びそのような拡散素子の製造方法を提供することである。

本発明の第１の態様による拡散素子は、平面上に凹凸構造を備えた拡散素子であって、該平面上の１点を原点として、該平面の法線をｚ軸とし、該平面内にｘ軸を定め、ｘｚ断面において、ｘ軸を複数の区間に分割し、ｎｘを、区間を識別する正の整数とし、区間nxのｘ軸方向の長さをSnx、Snxの最大値をSx-max、Snxの最小値をSx-minとして、
2< Sx-max/ Sx-min
であり、SnxはSx-minとSx-maxとの間でランダムにばらつき、該凹凸構造は、隣接する区間のそれぞれが凹部と凸部をなすように構成されており、区間nxにおける該凹凸構造のｚ座標の最大値と最小値との差をdznx、dznxとSnxとの比をAnx、Anxの最大値をAx-max、Anxの最小値をAx-minとして、
Ax-max/Ax-min < 1.3
であるように構成されている。

本態様の拡散素子においては、区間nxのｘ軸方向の長さをSnx、Snxの最大値をSx-max、Snxの最小値をSx-minとして、
2< Sx-max/ Sx-min
であり、SnxはSx-minとSx-maxとの間でランダムにばらついている。したがって、拡散素子は、ｘ軸方向の放射強度分布や放射照度分布にムラを発生させにくい。

また、本態様の拡散素子の凹凸構造は、隣接する区間のそれぞれが凹部と凸部をなすように構成されており、区間nxにおける凹凸構造のｚ座標の最大値と最小値との差をdznx、dznxとSnxとの比をAnx、Anxの最大値をAx-max、Anxの最小値をAx-minとして、
Ax-max/Ax-min < 1.3
であるように構成されているので、ｘ軸方向の放射強度分布の制御がしやすい。

本態様の第１の実施形態の拡散素子においては、該凹凸構造のｚ座標をｘの関数として表した場合に、該ｘの関数の各区間が滑らかな関数で近似できる。

本態様の第２の実施形態の拡散素子においては、該ｘの関数の各区間が２次関数で近似できる。

本態様の第３の実施形態の拡散素子は、該平面内にｘ軸と直交するｙ軸を定め、該凹凸構造のｘｚ断面の形状がｙの座標にかかわらず同じであるように構成されている。

本態様の第４の実施形態の拡散素子は、該平面内にｘ軸と直交するｙ軸を定め、yｚ断面において、ｙ軸を複数の区間に分割し、ｍｙを、区間を識別する正の整数とし、区間myのｙ軸方向の長さをSmy、Smyの最大値をSy-max、Smyの最小値をSy-minとして、
2< Sy-max/ Sy-min
であり、SmyはSy-minとSy-maxとの間でランダムにばらつき、該凹凸構造は、隣接する区間のそれぞれが凹部と凸部をなすように構成されており、区間myにおける該凹凸構造のｚ座標の最大値と最小値との差をdzmy、dzmyとSmyとの比をAmy、Amyの最大値をAy-max、Amyの最小値をAy-minとして、
Ay-max/Ay-min < 1.3
であるように構成されている。

本実施形態の拡散素子においては、区間myのｙ軸方向の長さをSmy、Smyの最大値をSy-max、Smyの最小値をSy-minとして、
2< Sy-max/ Sy-min
であり、SmyはSy-minとSy-maxとの間でランダムにばらついているので、ｙ軸方向の放射強度分布や放射照度分布にムラが発生しにくい。

また、本実施形態の拡散素子の凹凸構造は、隣接する区間のそれぞれが凹部と凸部をなすように構成されており、区間myにおける凹凸構造のｚ座標の最大値と最小値との差をdzmy、dzmyとSmyとの比をAmy、Amyの最大値をAy-max、Amyの最小値をAy-minとして、
Ay-max/Ay-min < 1.3
であるように構成されているので、ｙ軸方向の放射強度分布の制御がしやすい。

本発明の第２の態様による拡散素子の製造方法は、凹凸構造を備えた拡散素子の製造方法であって、基板の平面上の１点を原点として、該平面の法線をｚ軸とし、該平面内にｘ軸を定め、ｘｚ断面において、ｘ軸を複数の区間に分割し、nx’を、区間を識別する正の整数とし、区間nx’のｘ軸方向の長さをSnx’、Snx’の最大値をSx’-max、Snx’の最小値をSx’-minとして、
2< Sx’-max/ Sx’ -min
であり、Snx’はSx’-minとSx’-maxとの間でランダムにばらつくように区間nx’を定めるステップと、
エッチングプロセスによって、ｘ軸の該複数の区間のうち隣接する区間のそれぞれが凹部と凸部をなすように該基板上に仮の凹凸構造を形成するステップと、
スピンコーティングによって、該仮の凹凸構造上に樹脂膜を形成するステップであって、樹脂膜を形成した後の凹凸構造の凹部及び凸部のそれぞれのｘ軸方向の区間を区間nx、区間nxのｘ軸方向の長さをSnx、区間nxにおける該凹凸構造のｚ座標の最大値と最小値との差をdznx、dznxとSnxとの比をAnx、Anxの最大値をAx-max、Anxの最小値をAx-minとして、
Ax-max/Ax-min < 1.3
であるように樹脂膜を形成するステップと、を含む。

本態様の拡散素子の製造方法においては、仮の凹凸構造の区間nx’のｘ軸方向の長さをSnx’、Snx’の最大値をSx’-max、Snx’の最小値をSx’-minとして、
2< Sx’-max/ Sx’ -min
であり、Snx’はSx’-minとSx’-maxとの間でランダムにばらつくように区間nx’を定めており、最終の凹凸構造の区間は、仮の凹凸構造の区間とほぼ同一である。したがって、製造された拡散素子は、ｘ軸方向の放射強度分布や放射照度分布にムラを発生させにくい。

本態様の拡散素子の製造方法においては、樹脂膜を形成した後の凹凸構造の凹部及び凸部のそれぞれのｘ軸方向の区間を区間nx、区間nxのｘ軸方向の長さをSnx、区間nxにおける該凹凸構造のｚ座標の最大値と最小値との差をdznx、dznxとSnxとの比をAnx、Anxの最大値をAx-max、Anxの最小値をAx-minとして、
Ax-max/Ax-min < 1.3
であるように樹脂膜を形成するので、製造される拡散素子のｘ軸方向の放射強度分布の制御がしやすい。

本態様の第１の実施形態の拡散素子の製造方法においては、該平面内にｘ軸と直交するｙ軸を定め、該仮の凹凸構造を形成するステップにおいて、ｘｚ断面の形状がｙの座標にかかわらず同じであるように該仮の凹凸構造を形成する。

本態様の第２の実施形態の拡散素子の製造方法においては、該仮の凹凸構造を形成するステップの前に、該平面内にｘ軸と直交するｙ軸を定め、ｙｚ断面において、ｙ軸を複数の区間に分割し、my’ を、区間を識別する正の整数とし、区間my’のｙ軸方向の長さをSmy’、Smy’の最大値をSy’-max、Smy’の最小値をSy’-minとして、
2< Sy’-max/ Sy’ -min
であり、Smy’はSy’ -minとSy’-maxとの間でランダムにばらつくように区間my’を定めるステップをさらに含み、該仮の凹凸構造を形成するステップにおいて、ｘ軸及びｙ軸の該複数の区間のうち隣接する区間のそれぞれが凹部と凸部をなすように該基板上に仮の凹凸構造を形成し、該仮の凹凸構造上に樹脂膜を形成するステップにおいて、樹脂膜を形成した後の凹凸構造の凹部及び凸部のそれぞれのｙ軸方向の区間を区間my、区間myのｙ軸方向の長さをSmy、区間myにおける該凹凸構造のｚ座標の最大値と最小値との差をdzmy、dzmyとSmyとの比をAmy、Amyの最大値をAy-max、Amyの最小値をAy-minとして、
Ay-max/Ay-min < 1.3
であるように樹脂膜を形成する。

本実施形態の拡散素子の製造方法においては、仮の凹凸構造の区間my’のｙ軸方向の長さをSmy’、Smy’の最大値をSy’-max、Smy’の最小値をSy’-minとして、
2< Sy’-max/ Sy’ -min
であり、Smy’はSy’ -minとSy’-maxとの間でランダムにばらつくように区間my’を定めており、最終の凹凸構造の区間は、仮の凹凸構造の区間とほぼ同一である。したがって、製造される拡散素子は、ｙ軸方向の放射強度分布や放射照度分布にムラを発生させにくい。

本実施形態の拡散素子の製造方法においては、樹脂膜を形成した後の凹凸構造の凹部及び凸部のそれぞれのｙ軸方向の区間を区間my、区間myのｙ軸方向の長さをSmy、区間myにおける該凹凸構造のｚ座標の最大値と最小値との差をdzmy、dzmyとSmyとの比をAmy、Amyの最大値をAy-max、Amyの最小値をAy-minとして、
Ay-max/Ay-min < 1.3
であるように樹脂膜を形成するので、製造される拡散素子のｙ軸方向の放射強度分布の制御がしやすい。

本発明の第３の態様による拡散素子用金型は、平面上に凹凸構造を備えた拡散素子用金型であって、該平面上の１点を原点として、該平面の法線をｚ軸とし、該平面内にｘ軸を定め、ｘｚ断面において、ｘ軸を複数の区間に分割し、ｎｘを、区間を識別する正の整数とし、区間nxのｘ軸方向の長さをSnx、Snxの最大値をSx-max、Snxの最小値をSx-minとして、
2< Sx-max/ Sx-min
であり、SnxはSx-minとSx-maxとの間でランダムにばらつき、該凹凸構造は、隣接する区間のそれぞれが凹部と凸部をなすように構成されており、区間nxにおける該凹凸構造のｚ座標の最大値と最小値との差をdznx、dznxとSnxとの比をAnx、Anxの最大値をAx-max、Anxの最小値をAx-minとして、
Ax-max/Ax-min < 1.3
であるように構成されている。

本態様の拡散素子用金型により、上記の第１の態様の拡散素子を製造することができる。

本発明の拡散素子を説明するための図である。 区間関数ｆｎ（ｘ）で表現された拡散素子のｘｚ断面を示す図である。 本発明の拡散素子の一例を示す図である。 本発明の拡散素子の他の例を示す図である。 シミュレーション比較例の拡散素子のｘｚ断面形状を示す図である。 シミュレーション比較例の拡散素子にインコヒーレントな平行光の光束を入射させた場合の評価面における放射照度を示す図である。 シミュレーション比較例の拡散素子にインコヒーレントな平行光の光束を入射させた場合の評価面における放射照度を示す図である。 シミュレーション比較例の拡散素子にコヒーレントな平行光の光束を入射させた場合の評価面における放射照度を示す図である。 シミュレーション比較例の拡散素子にコヒーレントな平行光の光束を入射させた場合の評価面における放射照度を示す図である。 シミュレーション実施例１の拡散素子のｘｚ断面形状を示す図である。 、シミュレーション実施例１の拡散素子にインコヒーレントな平行光の光束を入射させた場合の評価面における放射照度を示す図である。 、シミュレーション実施例１の拡散素子にインコヒーレントな平行光の光束を入射させた場合の評価面における放射照度を示す図である。 シミュレーション実施例１の拡散素子にコヒーレントな平行光の光束を入射させた場合の評価面における放射照度を示す図である。 シミュレーション実施例１の拡散素子にコヒーレントな平行光の光束を入射させた場合の評価面における放射照度を示す図である。 シミュレーション実施例２の拡散素子のｘｚ断面形状を示す図である。 シミュレーション実施例２の拡散素子のｙｚ断面形状を示す図である。 シミュレーション実施例２の拡散素子にインコヒーレントな平行光の光束を入射させた場合の評価面における放射照度を示す図である。 シミュレーション実施例２の拡散素子にインコヒーレントな平行光の光束を入射させた場合の評価面における放射照度を示す図である。 シミュレーション実施例２の拡散素子にコヒーレントな平行光の光束を入射させた場合の評価面における放射照度を示す図である。 シミュレーション実施例２の拡散素子にコヒーレントな平行光の光束を入射させた場合の評価面における放射照度を示す図である。 本発明による拡散素子の製造方法の一例を示す流れ図である。 本発明による拡散素子の製造方法の一例を説明するための図である。 本発明による拡散素子の製造方法の他の例を示す流れ図である。 仮の凹凸構造の深さと最終の凸構造の深さとの関係を示す図である。 図１７Ａの最終の凹凸構造の深さを測定した点における、最終の凹凸構造の断面形状を示す図である。 仮の凹凸構造の区間の長さ、すなわちバイナリー格子のピッチと最終の凹凸構造のアスペクト比との関係を示す図である。 仮の凹凸構造の区間の長さ、すなわちバイナリー格子のピッチと最終の凹凸構造のアスペクト比との関係を示す図である。 実施例の拡散素子の仮の凹凸構造のｘｚ断面を示す図である。 実施例の拡散素子の最終の凹凸構造のｘｚ断面を示す図である。 実施例の拡散素子の拡散特性を示す図である。

図１は、本発明の拡散素子を説明するための図である。本発明の拡散素子は、平面上に凹凸構造を形成したものである。平面上にｘ軸を定め、平面に垂直なｚ軸を定める。凹凸構造の表面のｚ軸方向の座標をｆ（ｘ）で表す。図１は、拡散素子のｘｚ断面を示す図である。図１において、光線は、拡散素子から空気へｚ軸方向に進行する。光線が拡散素子と空気との境界面に到達する点において、光線と境界面の法線とがなす角度（鋭角）をθで表す。角度θを接線角と呼称する。境界面において屈折後の光線と境界面の法線とがなす角度（鋭角）をθ’で表す。屈折後の光線がｚ軸となす角度φは、スネルの法則によって、以下の式で表せる。

ここで、ｎ_１は、拡散素子の材料の屈折率を表す。θが十分に小さければ、以下の式が成立する。

角度φを拡散角と呼称する。

拡散角φは、境界面を通過した後の光線がｚ軸、すなわち平面と垂直な方向となす角度（鋭角）であるので、ｘに対して、拡散角φを一定とすれば、拡散素子を通過した光は屈折角φで定まる方向へ進行する。他方、図１から以下の式が成立する。

したがって、ｘに対して、拡散角φを一定とするには以下の式が成立する必要がある。

ここで、ｘ軸を凹凸構造の凹部及び凸部のそれぞれに対応する区間に分割し、ｆ（ｘ）を以下のように二次関数の区間関数で表現する。

ここで、区間関数ｆｎ（ｘ）を以下のように定義する。ただし、ｎは区間を識別する正の整数であり、Ｎは区間の総数である。

図２は、区間関数ｆｎ（ｘ）で表現された拡散素子のｘｚ断面を示す図である。ここで、区間関数ｆｎ（ｘ）の幅は、ｓ_ｎであり、高さは、

である。したがって、区間の高さと幅との比である区間のアスペクト比は、

となり、ｎに依存せずに一定となる。

また、任意の区間ｎに対して以下の式が成立する。

他方、図１において、すでに説明したように、拡散角φは以下の式で表せる。

また、以下の式が成立する。

ここで、接線角θ及び拡散角φは、

にしたがって正負の値をとるように定義する。したがって、区間関数ｆｎ（ｘ）の拡散角φは以下の範囲となる。

このため、区間関数ｆｎ（ｘ）の配光分布は、任意の区間ｎに対して上記の角度範囲でおおむね一様となる。したがって、ｆ（ｘ）全体の配光分布も

の角度範囲でおおむね一様となる。

区間ｎの幅ｓ_ｎが一定であると、周期性から回折による照度のばらつき、すなわち回折ムラが生じる。このような回折ムラを低減するには、区間ｎの幅ｓ_ｎをばらつかせる必要がある。区間ｎの幅ｓ_ｎの最大値をｓ_ｍａｘ、最小値をｓ_ｍｉｎとしたとき

を満たす最小値及び最大値の範囲内で幅ｓ_ｎをばらつかせることにより、凹凸構造の周期性による回折ムラを低減することができる。

図３は、本発明の拡散素子の一例を示す図である。平面上にｘ軸と直交するｙ軸を設ける。図３に示した拡散素子のｘｚ断面は、図２に示したものと同様である。また、拡散素子のｘｚ断面の形状は、ｙ座標によって変化せず、任意のｙ座標に対して同一である。このように、図３に示した拡散素子は、一次元の凹凸構造を備えている。

図４は、本発明の拡散素子の他の例を示す図である。平面上にｘ軸と直交するｙ軸を設ける。図４に示した拡散素子のｘｚ断面は、図２に示したものと同様である。また、図４に示した拡散素子のｙｚ断面も、図２に示したものと同様である。このように、図４に示した拡散素子は、二次元の凹凸構造を備えている。

ここで、シミュレーションによって拡散素子の性能を検証する。以下のシミュレーション例及びシミュレーション比較例の拡散素子は、図２に示すｘｚ断面を示し、その形状は式（１）及び式（２）で表せる。拡散素子は、互いに平行な第１の平面及び第２の平面を備え、第１の平面に式（１）及び式（２）で表せる形状の凹凸構造が形成されている。また、拡散素子の材料はアクリルであり、屈折率は、１．４９４である。

シミュレーション例及びシミュレーション比較例の拡散素子の第２の平面から、第２の平面に垂直に平行光の光束を入射させる。平行光の光束は第１の平面に形成された凹凸構造によって拡散される。拡散素子からｚ軸方向に所定の距離をおいて第１の面及び第２の面に平行に、放射照度（irradiance）を評価するための面を配置する。この放射照度を評価するための面を評価面と呼称する。入射させる光の波長は５５０ｎｍ、出力は１ワット、光束径は０．８ｍｍである。また、拡散素子の第１の面から評価面までの距離は２００ｍｍである。

シミュレーション比較例
シミュレーション比較例の拡散素子は、図３に示すように一次元の凹凸構造を備えている。すなわち、拡散素子のｘｚ断面の形状は、式（１）及び式（２）によって表され、ｙ座標によって変化せず、任意のｙ座標に対して同一である。

式（２）のパラメータは以下の通りである。
Ａ＝０．９７４（ｕｍ）
ｓ_ｎ＝１０．０（ｕｍ）
ｓ_ｎは、すべての区間ｎについて同一である。

図５は、シミュレーション比較例の拡散素子のｘｚ断面形状を示す図である。図５の横軸はｘ座標を表し、図５の縦軸はｚ座標を表す。

図６Ａは、シミュレーション比較例の拡散素子にインコヒーレントな平行光の光束を入射させた場合の評価面における放射照度を示す図である。放射照度の単位は、ワット／平方センチメータであり、濃度で表現されている。

図６Ｂは、シミュレーション比較例の拡散素子にインコヒーレントな平行光の光束を入射させた場合の評価面における放射照度を示す図である。図６Ｂの横軸はｘ座標を表し、図６Ｂの縦軸は放射照度を表す。ｘ軸は、拡散素子のｘ軸であり、ｘ座標の０は、拡散素子の凹凸構造のｘ軸方向の中心位置に相当する。放射照度の単位は、ワット／平方センチメータである。

シミュレーション比較例のｘｚ断面における拡散角の角度範囲は、式（３）によると、±１０．５度である。したがって、評価面における照射領域のｘ軸方向の幅は以下のように計算される。

上記の数値は、図６Ｂの照射領域のｘ軸方向の幅とほぼ一致する。

図６Ａ及び図６Ｂによれば、シミュレーション比較例の拡散素子によって、入射光束は、ライン状でほぼ一様な放射照度の光束に拡散されている。

図７Ａは、シミュレーション比較例の拡散素子にコヒーレントな平行光の光束を入射させた場合の評価面における放射照度を示す図である。放射照度の単位は、ワット／平方センチメータであり、濃度で表現されている。

図７Ｂは、シミュレーション比較例の拡散素子にコヒーレントな平行光の光束を入射させた場合の評価面における放射照度を示す図である。図７Ｂの横軸はｘ座標を表し、図７Ｂの縦軸は放射照度の相対強度を表す。相対強度は、放射照度のピーク値が１となるように定めた。ｘ軸は、拡散素子のｘ軸であり、ｘ座標の０は、拡散素子の凹凸構造のｘ軸方向の中心位置に相当する。放射照度の単位は、ワット／平方センチメータである。

図７Ａ及び図７Ｂによれば、シミュレーション比較例の拡散素子の周期的な凹凸構造によって、回折が生じ、評価面において、放射強度のピーク及び放射強度が０となる領域が生じている。

シミュレーション実施例１
シミュレーション実施例１の拡散素子は、図３に示す一次元の凹凸構造を備えている。すなわち、拡散素子のｘｚ断面の形状は、式（１）及び式（２）によって表され、ｙ座標によって変化せず、任意のｙ座標に対して同一である。

式（２）のパラメータは以下の通りである。
Ａ＝０．９７４（ｕｍ）
５.０（ｕｍ）＜ｓ_ｎ＜１５．０（ｕｍ）
ｓ_ｎは、区間ｎ毎に異なる値を持ち、その分布は５ｕｍから１５ｕｍまでの一様分布である。一様分布の生成にはプログラミング言語に用意された疑似乱数列を用いた。本実施例において、ｓ_ｎの上限及び下限をｓ_ｍａｘ及びｓ_ｍｉｎとして、以下の関係が成立する。

図８は、シミュレーション実施例１の拡散素子のｘｚ断面形状を示す図である。図８の横軸はｘ座標を表し、図８の縦軸はｚ座標を表す。

図９Ａは、シミュレーション実施例１の拡散素子にインコヒーレントな平行光の光束を入射させた場合の評価面における放射照度を示す図である。放射照度の単位は、ワット／平方センチメータであり、濃度で表現されている。

図９Ｂは、シミュレーション実施例１の拡散素子にインコヒーレントな平行光の光束を入射させた場合の評価面における放射照度を示す図である。図６Ｂの横軸はｘ座標を表し、図９Ｂの縦軸は放射照度を表す。ｘ軸は、拡散素子のｘ軸であり、ｘ座標の０は、拡散素子の凹凸構造のｘ軸方向の中心位置に相当する。放射照度の単位は、ワット／平方センチメータである。

シミュレーション実施例１のｘｚ断面における拡散角の角度範囲は、式（３）によると、±１０．５度である。したがって、評価面における照射領域のｘ軸方向の幅は以下のように計算される。

上記の数値は、図９Ｂの照射領域のｘ軸方向の幅とほぼ一致する。

図９Ａ及び図９Ｂによれば、シミュレーション実施例１の拡散素子によって、入射光束は、評価面上において、ライン状でほぼ一様な放射照度の光束に拡散されている。

図１０Ａは、シミュレーション実施例１の拡散素子にコヒーレントな平行光の光束を入射させた場合の評価面における放射照度を示す図である。放射照度の単位は、ワット／平方センチメータであり、濃度で表現されている。

図１０Ｂは、シミュレーション実施例１の拡散素子にコヒーレントな平行光の光束を入射させた場合の評価面における放射照度を示す図である。図１０Ｂの横軸はｘ座標を表し、図１０Ｂの縦軸は放射照度の相対強度を表す。相対強度は、放射照度のピーク値が１となるように定めた。ｘ軸は、拡散素子のｘ軸であり、ｘ座標の０は、拡散素子の凹凸構造のｘ軸方向の中心位置に相当する。放射照度の単位は、ワット／平方センチメータである。

図１０Ａ及び図１０Ｂによれば、シミュレーション実施例１の拡散素子による評価面上の放射照度の分布は、図７Ａ及び図７Ｂに示すシミュレーション比較例の場合よりもばらつきが減少している。

シミュレーション実施例２
シミュレーション実施例２の拡散素子は、図４に示す二次元の凹凸構造を備えている。すなわち、拡散素子のｘｚ断面の形状は、式（１）及び式（２）によって表され、拡散素子のｙｚ断面の形状を表す関数ｇ（ｙ）は、ｙ軸を凹凸構造の凹部及び凸部のそれぞれに対応する区間に分割し、以下のように二次関数の区間関数で表現される。

ただし、ｍは区間を識別する正の整数、ｔｍは区間ｍの長さ、Ｍは区間の総数である。

拡散素子の式（２）及び式（５）のパラメータは以下の通りである。
Ａ＝２．０（ｕｍ）
Ｂ＝２．０（ｕｍ）
１２．５（ｕｍ）＜ｓ_ｎ＜３７．５（ｕｍ）
１２．５（ｕｍ）＜ｔ_ｍ＜３７．５（ｕｍ）
ｓ_ｎは、区間ｎ毎に異なる値を持ち、その分布は１２．５ｕｍから３７．５ｕｍまでの一様分布である。また、ｔ_ｍは、区間ｍ毎に異なる値を持ち、その分布は１２．５ｕｍから３７．５ｕｍまでの一様分布である。一様分の生成にはプログラミング言語に用意された疑似乱数列を用いた。本実施例において、ｓ_ｎの上限及び下限をｓ_ｍａｘ及びｓ_ｍｉｎとして、以下の関係が成立する。

また、ｔ_ｎの上限及び下限をｔ_ｍａｘ及びｔ_ｍｉｎとして、以下の関係が成立する。

図１１Ａは、シミュレーション実施例２の拡散素子のｘｚ断面形状を示す図である。図１１Ａの横軸はｘ座標を表し、図１１Ａの縦軸はｚ座標を表す。

図１１Ｂは、シミュレーション実施例２の拡散素子のｙｚ断面形状を示す図である。図１１Ｂの横軸はｙ座標を表し、図１１Ｂの縦軸はｚ座標を表す。

図１２Ａは、シミュレーション実施例２の拡散素子にインコヒーレントな平行光の光束を入射させた場合の評価面における放射照度を示す図である。放射照度の単位は、ワット／平方センチメータであり、濃度で表現されている。

図１２Ｂは、シミュレーション実施例２の拡散素子にインコヒーレントな平行光の光束を入射させた場合の評価面における放射照度を示す図である。図１２Ｂの横軸はｘ座標を表し、図１２Ｂの縦軸は放射照度を表す。ｘ軸は、拡散素子のｘ軸であり、ｘ座標の０は、拡散素子の凹凸構造のｘ軸方向の中心位置に相当する。図１２Ｂの放射照度は、拡散素子のｙ軸のｙ座標が０の位置に相当する位置の値である。放射照度の単位は、ワット／平方センチメータである。

シミュレーション実施例２のｘｚ断面における拡散角の角度範囲は、式（３）によると、±８．７６度である。したがって、評価面における照射領域のｘ軸方向の幅は以下のように計算される。

上記の数値は、図１２Ｂの照射領域のｘ軸方向の幅とほぼ一致する。

図１２Ａ及び図１２Ｂによれば、シミュレーション実施例２の拡散素子によって、入射光束は、評価面上において、ほぼ一様な放射照度の光束に拡散されている。

図１３Ａは、シミュレーション実施例２の拡散素子にコヒーレントな平行光の光束を入射させた場合の評価面におけるｘ軸方向の放射照度を示す図である。放射照度の単位は、ワット／平方センチメータであり、濃度で表現されている。

図１３Ｂは、シミュレーション実施例２の拡散素子にコヒーレントな平行光の光束を入射させた場合の評価面における放射照度を示す図である。図１３Ｂの横軸はｘ座標を表し、図１３Ｂの縦軸は放射照度の相対強度を表す。相対強度は、放射照度のピーク値が１となるように定めた。ｘ軸は、拡散素子のｘ軸であり、ｘ座標の０は、拡散素子の凹凸構造のｘ軸方向の中心位置に相当する。図１３Ｂの相対強度は、拡散素子のｙ軸のｙ座標が０の位置に相当する位置の値である。

図１３Ｂによれば、シミュレーション実施例２の拡散素子による評価面上の放射照度の分布は、図７Ｂに示すシミュレーション比較例の場合よりもばらつきが減少している。

上記のシミュレーションによって、式（２）及び式（５）において、区間ｎの長さｓ_ｎ及び区間ｍの長さｔ_ｍをばらつかせた拡散素子は、コヒーレントな平行光の光束をより一様に拡散させることが検証された。

拡散素子の製造方法
本発明による拡散素子の製造方法について説明する。

図１４は、本発明による拡散素子の製造方法の一例を示す流れ図である。

図１５は、本発明による拡散素子の製造方法の一例を説明するための図である。

図１４のステップＳ１０１０において、基板面上に区間を定める。基板面上にｘ軸を定め、区間ｎ’を以下の範囲とする。ｎ’は区間を識別する正の整数である。

また、区間ｎ’の幅ｓ_ｎ’を以下のように定義する。

区間ｎ’の幅ｓ_ｎ’の最大値をｓ_ｍａｘ’、最小値をｓ_ｍｉｎ’としたとき

を満たす最小値及び最大値の範囲内で幅ｓ_ｎ’をばらつかせる。具体的に、プログラミング言語に用意された疑似乱数列を用いて一様分布を生成してもよい。

基板面上にｘ軸と直交するｙ軸を定め、区間ｍ’を以下の範囲とする。ｍ’は区間を識別する正の整数である。

また、区間ｍ’の幅ｔ_ｍ’を以下のように定義する。

区間ｍ’の幅ｔ_ｍ’の最大値をｔ_ｍａｘ’、最小値をｔ_ｍｉｎ’としたとき

を満たす最小値及び最大値の範囲内で幅ｔ_ｍ’をばらつかせる。具体的に、プログラミング言語に用意された疑似乱数列を用いて一様分布を生成してもよい。

なお、図３に示す１次元の凹凸構造を製造する場合には、ｙ軸方向の区間は定めない。

図１４のステップＳ１０２０において、基板面上の一つ置きの区間にレジストが残るようにレジストパターンを形成する。

図１５（ａ）は、レジストを塗布する前の基板を示す図である。

図１５（ｂ）は、レジストパターンを形成した後の基板及びレジストを示す図である。

図１４のステップＳ１０３０において、隣接する区間のそれぞれが凹部及び凸部を形成するように所定の深さのエッチングを行う。このように形成した基板の凹凸構造を仮の凹凸構造とも呼称する。

図１５（ｃ）は、エッチングを行った後の基板の仮の凹凸構造を示す図である。

図１４のステップＳ１０４０において、仮の凹凸構造の表面にスピンコーティングによって樹脂をコーティングし樹脂による凹凸構造を形成する。このように形成した樹脂による凹凸構造を最終の凹凸構造とも呼称する。

図１５（ｄ）は、基板の仮の凹凸構造に樹脂をコーティングした後の最終の凹凸構造を示す図である。仮の凹凸構造の表面にスピンコーティングによって樹脂をコーティングすると、樹脂の有する流動性により最終の凹凸構造の形状は、滑らかな曲線状となる。最終の凹凸構造の形状は、仮の凹凸構造の区間の幅、深さ、コーティングする樹脂の性質及び膜厚によって定まる。樹脂の性質は、主に流動性及び粘度である。また、樹脂の膜厚は、スピナーの回転数により決めることができる。仮の凹凸構造の区間の幅、深さ、及び樹脂の膜厚と最終の凹凸構造の形状との関係は後で詳細に説明する。

図１６は、本発明による拡散素子の製造方法の他の例を示す流れ図である。

図１６のステップＳ２０１０からステップＳ２０４０は、図１４のステップＳ１０１０からステップＳ１０４０と同じである。

図１６のステップＳ２０５０において、樹脂による凹凸構造から電鋳によって凹凸構造を備えた金型を製造する。

図１５（ｅ）は、電鋳によって製造した凹凸構造を備えた金型を示す図である。

図１６のステップＳ２０６０において、金型を使用して拡散素子を量産する。

つぎに、最終の凹凸構造の形状と、仮の凹凸構造の区間の幅、深さ、及び樹脂の膜厚との関係について説明する。ここでは、区間の長さが一定の、いわゆるバイナリー格子を仮の凹凸構造として、バイナリー格子上にスピンコーティングによって樹脂をコーティングした。一定の区間の長さをピッチと呼称する。仮の凹凸構造の材料は、シリコンであり、スピンコーティングによってコーティングされる樹脂は、フォトレジスト（商品名（AZ1500））である。スピナーの回転数は、１０００ｒｐｍである。

図１７Ａは、仮の凹凸構造、すなわちバイナリー格子の深さと最終の凹凸構造、すなわち樹脂コート後の格子の深さとの関係を示す図である。図１７Ａの横軸は仮の凹凸構造の深さを表し、図１７Ａの縦軸は最終の凹凸構造の深さを表す。コーティングされた樹脂の膜厚は、３．２マイクロメータである。図１７Ａの実線は、ピッチが２８．１５マイクロメータの場合の仮の凹凸構造の深さと最終の凸構造の深さとの関係を表し、図１７Ａの点線は、ピッチが５６．３マイクロメータの場合の仮の凹凸構造の深さと最終の凹凸構造の深さとの関係を表す。図１７Ａによれば、ピッチにかかわらず、最終の凹凸構造の深さは、仮の凹凸構造の深さに比例して増加する。また、仮の凹凸構造の深さが同じであれば、最終の凹凸構造の深さは、ピッチにしたがって増加する。

図１７Ｂは、図１７Ａの最終の凹凸構造の深さを測定した点における、最終の凹凸構造の断面形状を示す図である。この断面形状は、たとえば、図５に示したｘｚ断面形状に相当するものである。図１７Ｂのいずれの断面形状も滑らかな曲線状であり、凹の区間及び凸の区間のそれぞれは２次関数で近似できる。また、図１７Ｂによれば、仮の凹凸構造の区間の長さ、すなわちピッチと最終の凹凸構造の区間の長さ、すなわちピッチとは同じである。

図１８は、仮の凹凸構造の区間の長さ、すなわちバイナリー格子のピッチと最終の凹凸構造のアスペクト比との関係を示す図である。最終の凹凸構造のアスペクト比とは、最終の凹凸構造の深さとピッチとの比である。図１８で使用したデータは図１７Ａで使用したデータと同じである。コーティングされた樹脂の膜厚は、３．２マイクロメータである。バイナリー格子の深さが２．５マイクロメータの場合に、アスペクト比の最大値及び最小値は、０．０２２及び０．０１９であり、最大値と最小値との比は、１．１６である。バイナリー格子の深さが２．０マイクロメータの場合に、アスペクト比の最大値及び最小値は、０．０１７及び０．０１５であり、最大値と最小値との比は、１．１３である。バイナリー格子の深さが１．５マイクロメータの場合に、アスペクト比の最大値及び最小値は、０．０１及び０．０１であり、最大値と最小値との比は、１．０である。バイナリー格子の深さが１．０マイクロメータの場合に、アスペクト比の最大値及び最小値は、０．００５及び０．００３であり、最大値と最小値との比は、１．６７である。このように、バイナリー格子の深さが１．５、２．０及び２．５マイクロメータの場合に、アスペクト比の最大値と最小値との比は、１．２より小さい。

図１９は、仮の凹凸構造の区間の長さ、すなわちバイナリー格子のピッチと最終の凹凸構造のアスペクト比との関係を示す図である。コーティングされた樹脂の膜厚は、１．３８マイクロメータである。バイナリー格子の深さが１．４マイクロメータの場合に、アスペクト比の最大値及び最小値は、０．０３３及び０．０２８であり、最大値と最小値との比は、１．１８である。バイナリー格子の深さが０．９５マイクロメータの場合に、アスペクト比の最大値及び最小値は、０．０２２及び０．０１９であり、最大値と最小値との比は、１．１６である。このように、バイナリー格子の深さが０．９５及び１．４マイクロメータの場合に、アスペクト比の最大値と最小値との比は、１．２より小さい。

このように、バイナリー格子上にスピンコーティングによって樹脂をコーティングすることによって、ｘｚ断面形状に相当する断面形状が滑らかな曲線状であり、凹の区間及び凸の区間のそれぞれは２次関数で近似できる最終の凹凸構造が得られる。また、仮の凹凸構造の区間の長さ及び深さにかかわらず、最終の凹凸構造のアスペクト比の最大値と最小値との比は１．２より小さい。このように、最終の凹凸構造のアスペクト比がほぼ一定であることは、最終の凹凸構造の深さが、仮の凹凸構造のピッチにほぼ比例することを意味する。したがって、最終の凹凸構造の区間のアスペクト比もほぼ一定となる。

実施例
最初に実施例の拡散素子の製造方法を説明する。図１４のステップＳ１０１０にしたがって、ガラス基板上にｘ軸を定め、ｘ軸方向の区間ｎ’を定める。区間ｎ’の幅ｓ_ｎ’の最大値をｓ_ｍａｘ’＝１５（マイクロメータ）、最小値をｓ_ｍｉｎ’＝５（マイクロメータ）とし、幅ｓ_ｎ’を最大値と最小値との間で一様に分布させた。ｙ軸方向の区間は定めなかった。ガラス基板に使用したガラスの屈折率は、０．６６マイクロメータの波長に対して１．４５７である。図１４のステップＳ１０２０及びＳ１０３０にしたがって、基板面上にレジストパターンを形成した後、深さ３．１マイクロメータのエッチング加工を行って、仮の凹凸構造を形成した。図１４のステップＳ１０４０にしたがって、仮の凹凸構造の表面に、アクリル樹脂であるOEBR1000（商品名）をスピンコーティングによってコーティングして最終の凹凸構造を形成した。スピナーの回転数は、１０００ｒｐｍである。樹脂膜厚は、３．８２３マイクロメータである。樹脂の屈折率は、０．６６マイクロメータの波長に対して１．４７４である。このようにして、図３に示すような１次元の拡散素子を製造した。

一般的に、樹脂膜厚と仮の凹凸構造の深さとの比は、０．５から５の範囲である。また、仮の凹凸構造の深さと区間ｎ’の幅ｓ_ｎ’との比は、０．０１から５の範囲である。仮の凹凸構造の深さは、スピンコーティングの制約から１００マイクロメータ以下である。

図２０Ａは、実施例の拡散素子の仮の凹凸構造のｘｚ断面を示す図である。図２０Ａの横軸はｘ座標を表し、図２０Ａの縦軸はｚ座標を表す。ｚ座標の０は、凹凸構造のｚ座標の平均値となるように定める。

図２０Ｂは、実施例の拡散素子の最終の凹凸構造のｘｚ断面を示す図である。図２０Ｂの横軸はｘ座標を表し、図２０Ｂの縦軸はｚ座標を表す。ｚ座標の０は、凹凸構造のｚ座標の平均値となるように定める。図２０Ｂによれば、ｘｚ断面形状は滑らかな曲線状であり、凹の区間及び凸の区間のそれぞれは２次関数で近似でき、凹の区間及び凸の区間のそれぞれの区間のアスペクト比は０．１０４から０．１２１の範囲であり、区間のアスペクト比の最大値と最小値との比は、１．２よりも小さい。

図２１は、実施例の拡散素子の拡散特性を示す図である。図２１の横軸は放射角度を表し、図２１の縦軸は相対放射強度を表す。放射角度は、図１で説明した拡散角に相当する。相対放射強度の値（％）は、入射光の放射強度を１００％とした値である。図２１の破線は、樹脂をコーティングする前の仮の凹凸構造を備えたガラス基板の凹凸構造を備えていない面に垂直に波長０．６６マイクロメータの平行光のレーザ光束を入射させた場合の拡散を示す。図２１の実線は、最終の凹凸構造を備えた実施例の拡散素子の凹凸構造を備えていない面に垂直に波長０．６６マイクロメータの平行光のレーザ光束を入射させた場合の拡散を示す。実施例の拡散素子による相対放射強度の分布は、仮の凹凸構造を備えたガラス基板による相対放射強度の分布と比較して、より一様となっている。

仮の凹凸構造の深さは、３．１マイクロメータで一定であり、区間ｎ’の幅ｓ_ｎ’は、５マイクロメータと１５マイクロメータの間で一様に分布し、仮の凹凸構造の区間のアスペクト比も区間ｎ’の幅ｓ_ｎ’と同様に一様に分布している。これに対して、最終の凹凸構造の区間のアスペクト比の最大値と最小値との比は、上述のように１．２よりも小さい。したがって、実施例の拡散素子による相対放射強度の分布が、仮の凹凸構造を備えたガラス基板による相対放射強度の分布と比較して、より一様となっている主要な理由は、最終の凹凸構造の区間のアスペクト比がほぼ一定となっているためと考えられる。

一般的に、最終の凹凸構造の区間ごとのアスペクト比の最大値と最小値との比は、１．３より小さいのが好ましい。

Claims (9)

1. 平面上に凹凸構造を備えた拡散素子であって、
   該平面の法線をｚ軸とし、該平面内にｘ軸を定め、ｘ軸を複数の区間に分割し、ｎｘを、区間を識別する正の整数とし、区間nxのｘ軸方向の長さをSnx、Snxの最大値をSx-max、Snxの最小値をSx-minとして、
   2< Sx-max/ Sx-min
   であり、SnxはSx-minとSx-maxとの間でランダムにばらつき、該凹凸構造は、ｘｚ断面において、隣接する区間のそれぞれが凹部と凸部をなすように構成されており、該ｘｚ断面において、区間nxにおける該凹凸構造のｚ座標の最大値と最小値との差をdznx、dznxとSnxとの比をAnx、Anxの最大値をAx-max、Anxの最小値をAx-minとして、該凹凸構造は、
   Ax-max/Ax-min < 1.3
   であるように構成された拡散素子。
2. 該ｘｚ断面において、該凹凸構造のｚ座標をｘの関数として表した場合に、該ｘの関数の各区間が滑らかな関数で近似できる請求項１に記載の拡散素子。
3. 該ｘの関数の各区間が２次関数で近似できる請求項２に記載の拡散素子。
4. 該平面内にｘ軸と直交するｙ軸を定め、該凹凸構造のｘｚ断面の形状がｙの座標にかかわらず同じであるように構成された請求項１から３のいずれかに記載の拡散素子。
5. 該平面内にｘ軸と直交するｙ軸を定め、ｙ軸を複数の区間に分割し、ｍｙを、区間を識別する正の整数とし、区間myのｙ軸方向の長さをSmy、Smyの最大値をSy-max、Smyの最小値をSy-minとして、
   2< Sy-max/ Sy-min
   であり、SmyはSy-minとSy-maxとの間でランダムにばらつき、該凹凸構造は、yｚ断面において、隣接する区間のそれぞれが凹部と凸部をなすように構成されており、該yｚ断面において、区間myにおける該凹凸構造のｚ座標の最大値と最小値との差をdzmy、dzmyとSmyとの比をAmy、Amyの最大値をAy-max、Amyの最小値をAy-minとして、該凹凸構造は、
   Ay-max/Ay-min < 1.3
   であるように構成された請求項１から３のいずれかに記載の拡散素子。
6. 凹凸構造を備えた拡散素子の製造方法であって、
   基板の平面の法線をｚ軸とし、該平面内にｘ軸を定め、該方法は、
   nx’を、区間を識別する正の整数とし、区間nx’のｘ軸方向の長さをSnx’、Snx’の最大値をSx’-max、Snx’の最小値をSx’-minとして、
   2< Sx’-max/ Sx’ -min
   であり、Snx’はSx’-minとSx’-maxとの間でランダムにばらつくようにｘ軸を複数の区間に分割するステップと、
   エッチングプロセスによって、ｘｚ断面において、ｘ軸の該複数の区間のうち隣接する区間のそれぞれが凹部と凸部をなすように該基板上に仮の凹凸構造を形成するステップと、
   スピンコーティングによって、該仮の凹凸構造上に樹脂膜を形成するステップであって、樹脂膜を形成した後の凹凸構造の凹部及び凸部のそれぞれに対応するｘ軸方向の区間を区間nx、区間nxのｘ軸方向の長さをSnx、該ｘｚ断面において、区間nxにおける該凹凸構造のｚ座標の最大値と最小値との差をdznx、dznxとSnxとの比をAnx、Anxの最大値をAx-max、Anxの最小値をAx-minとして、
   Ax-max/Ax-min < 1.3
   であるように樹脂膜を形成するステップと、を含む拡散素子の製造方法。
7. 該平面内にｘ軸と直交するｙ軸を定め、
   該仮の凹凸構造を形成するステップにおいて、ｘｚ断面の形状がｙの座標にかかわらず同じであるように該仮の凹凸構造を形成する請求項６に記載の拡散素子の製造方法。
8. 該平面内にｘ軸と直交するｙ軸を定め、
   該仮の凹凸構造を形成するステップの前に、my’ を、区間を識別する正の整数とし、区間my’のｙ軸方向の長さをSmy’、Smy’の最大値をSy’-max、Smy’の最小値をSy’-minとして、
   2< Sy’-max/ Sy’ -min
   であり、Smy’はSy’ -minとSy’-maxとの間でランダムにばらつくようにｙ軸を複数の区間に分割するステップをさらに含み、
   該仮の凹凸構造を形成するステップにおいて、ｙｚ断面において、ｙ軸の該複数の区間のうち隣接する区間のそれぞれが凹部と凸部をなすように該基板上に該仮の凹凸構造を形成し、
   該仮の凹凸構造上に樹脂膜を形成するステップにおいて、樹脂膜を形成した後の凹凸構造の凹部及び凸部のそれぞれのｙ軸方向の区間を区間my、区間myのｙ軸方向の長さをSmy、ｙｚ断面において、区間myにおける該凹凸構造のｚ座標の最大値と最小値との差をdzmy、dzmyとSmyとの比をAmy、Amyの最大値をAy-max、Amyの最小値をAy-minとして、
   Ay-max/Ay-min < 1.3
   であるように樹脂膜を形成する請求項６に記載の拡散素子の製造方法。
9. 平面上に凹凸構造を備えた拡散素子用金型であって、
   該平面の法線をｚ軸とし、該平面内にｘ軸を定め、ｘ軸を複数の区間に分割し、ｎｘを、区間を識別する正の整数とし、区間nxのｘ軸方向の長さをSnx、Snxの最大値をSx-max、Snxの最小値をSx-minとして、
   2< Sx-max/ Sx-min
   であり、SnxはSx-minとSx-maxとの間でランダムにばらつき、該凹凸構造は、ｘｚ断面において、隣接する区間のそれぞれが凹部と凸部をなすように構成されており、該ｘｚ断面において、区間nxにおける該凹凸構造のｚ座標の最大値と最小値との差をdznx、dznxとSnxとの比をAnx、Anxの最大値をAx-max、Anxの最小値をAx-minとして、該凹凸構造は、
   Ax-max/Ax-min < 1.3
   であるように構成された拡散素子用金型。

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