JP6675506B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
[半導体装置の全体構成]
図1は、第1の実施形態による半導体装置の概略構成を示すブロック図である。図1では、半導体装置1の例としてマイクロコンピュータチップを例に挙げている。図1を参照して、半導体装置1は、CPU(Central Processing Unit)2と、メモリ回路3と、インターフェース(I/O:Input and Output)回路4と、図示しないその他の周辺回路と、これらの構成要素間を接続するための内部バス5とを含む。
図2は、図1のメモリ回路の構成を示すブロック図である。図2を参照して、メモリ回路3は、メモリセルアレイ10と、入出力回路11と、ワード線ドライバ12と、制御回路13とを含む。メモリ回路3を構成する各トランジスタはフィンFETで構成されている。
以下、図2のメモリ回路3の入出力回路11におけるタイミング制御の問題について説明する。
クロック信号CLKの遅延時間は、図2のクロックバッファ20の遅延時間DLY(CLK;Tr)とクロックパスの遅延時間DLY(CLK;wire)との和によって与えられる。一方、データ信号Dの遅延時間は、データバッファ31,33の遅延時間n×DLY(D;Tr)(ただし、nはデータバッファの段数)と、遅延線32の遅延時間DLY(D;line)と和によって与えられる。データパス自体の遅延時間は短いので問題にならない。したがって、上式(1)は次式(2)のように書き直される。
各データバッファおよびフリップフロップ34がフィンFETによって構成されている場合には、配線の細線化による配線抵抗の増加と、ローカル配線(LIC:Local Interconnect)とフィンFETのゲート電極との間の寄生容量の増加との両方が、配線遅延DLY(CLK;wire)に影響を及ぼす。このため、データホールド時間THが従来のプレーナ型のFETよりも大きくなりがちである。
まず最初に、フィンFETの構成およびその製造方法について簡単に説明する。
以上のフィンFETの構造に基づいて、図2のデータバッファ31,33、遅延線32、およびフリップフロップ34が構成される。
上記のようにデータ信号Dの経路に遅延線32を設け、ゲート配線Gを含んで遅延線32を構成することによって、データパスの配線長をより長くすることができる。従来のデータバッファのみで遅延時間を調整する場合に比べて全体の回路面積を小さくすることができる。
図11は、第2の実施形態の半導体装置においてメモリ回路の構成を示すブロック図である。図11のメモリ回路3における入出力回路11は、クロック信号CLKの伝送用のクロックパス25の途中に、リピーターバッファ21を挿入した点で図2の入出力回路11と異なる。具体的に図11では、データ信号D[63]用のフリップフロップ34[63]とデータ信号D[64]用のフリップフロップ34[64]との間にリピーターバッファ21が設けられている。リピーターバッファ21によってクロックバッファ20によって整形されたクロック信号CLKがさらに整形される。図11のその他の点は図2の場合と同様であるので、同一または相当する部分には同一の参照符号を付して説明を繰返さない。
図12は、第3の実施形態の半導体装置においてメモリ回路の構成を示すブロック図である。図12のメモリ回路3における入出力回路11は、クロックパス25がツリー状に構成されている点で図2の入出力回路11と異なる。すなわち、第3の実施形態の場合には、クロック信号CLKはツリー状の信号経路を通って複数のフリップフロップ34[0]〜34[127]に入力される。クロック信号CLKの分岐点にはリピーターバッファが設けられる。
図13は、第4の実施形態の半導体装置においてメモリ回路の構成を示すブロック図である。図13のメモリ回路3における入出力回路11は、クロックバッファ20のデータ出力ノードから各フリップフロップ34のクロック入力ノードに至るクロック信号の経路長が長くなるほど、データ出力ノードに接続される遅延線32の遅延時間を長くしている点で、図2の入出力回路11と異なる。具体的に図13の場合、データ信号D[127]用の遅延線32[127]の遅延時間が最も長く、データ信号D[0]用の遅延線32[0]の遅延時間が最も短い。遅延線32の遅延時間は、遅延線の経路長を長くするほど、もしくは、接続される容量素子の数または容量値が増加するほど増加する。図13のその他の点は図2の場合と同様であるので、同一または相当する部分には同一の参照符号を付して説明を繰返さない。
Claims (18)
- データ信号を受けるための第1データ入力ノードと、クロック信号を受け取るためのクロック入力ノードとを有し、かつ前記クロック信号の遷移に応じて前記データ信号を格納する論理回路と、
前記データ信号を出力するために、前記論理回路の前記第1データ入力ノードに接続された第1データ出力ノードを有する第1データバッファと、
を備え、
前記論理回路は、フィン型電界効果トランジスタで構成された第1トランジスタを含み、
前記第1トランジスタは、前記第1データ入力ノードのための第1ゲート配線の一部で構成されたゲート電極を有し、
前記第1ゲート配線は、半導体基板の第1突出部上に形成され、
平面視において、前記第1突出部は第1方向に沿って延在し、前記第1ゲート配線は前記第1方向と直交する第2方向に沿って延在し、
前記第1データバッファは、フィン型電界効果トランジスタで構成された第2トランジスタを含み、
前記第2トランジスタは、前記第1データ出力ノードのための第1ローカル配線の一部で構成されたドレイン電極を有し、
前記第1ローカル配線は、前記半導体基板の第2突出部上に形成され、
平面視において、前記第2突出部は前記第1方向に沿って延在し、前記第1ローカル配線は前記第2方向に沿って延在し、
前記第1データ出力ノードから前記第1データ入力ノードに至る前記データ信号の経路は、前記第1ゲート配線及び前記第1ローカル配線と同層に配置された複数の配線で構成され、
平面視において、前記経路の長さは、前記第1ローカル配線から前記第1ゲート配線までの前記第1方向に沿った距離よりも長い、半導体装置。 - 前記複数の配線は、前記第2方向に沿って延在する第1及び第2配線と、前記第1方向に沿って延在する第3配線を有する、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1配線は、前記第3配線を介して前記第2配線と接続され、
前記第3配線は、前記第1及び第2配線上に配置されている、請求項2に記載の半導体装置。 - 容量素子が、前記複数の配線に接続されている、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記複数の配線は、前記半導体基板の第3突出部上に形成された第2ゲート配線を有し、
前記容量素子は、前記第2ゲート配線の一部で構成されたゲート電極と、第2ローカル配線の一部で構成されたソース電極又はドレイン電極とを有し、
前記第2ゲート配線と前記第2ローカル配線は、前記第2方向に沿って延在している、請求項4に記載の半導体装置。 - 前記第2ローカル配線は、前記第2ゲート配線の隣に配置され、かつ接地電圧を供給する、請求項5に記載の半導体装置。
- 前記半導体装置は、更に、前記第1データ出力ノードに接続された第2データ入力ノードと、前記第1データ入力ノードに接続された第2データ出力ノードとを有する第2データバッファを備え、
前記複数の配線は、前記第2データ入力ノードと前記第1データ出力ノードとの間に配置され、
前記第2データバッファは、フィン型電界効果トランジスタで構成された第3トランジスタを含み、
前記第3トランジスタは、前記第2データ入力ノードのための第2ゲート配線の一部で構成されたゲート電極と、前記第2データ出力ノードのための第2ローカル配線の一部で構成されたドレイン電極とを有し、
前記第2ゲート配線及び前記第2ローカル配線は、前記半導体基板の第3突出部上に形成され、
平面視において、前記第2ゲート配線及び前記第2ローカル配線は前記第2方向に沿って延在している、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記論理回路は、D型フリップフロップ又はD型ラッチ回路を含む、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記半導体装置は、更にメモリアレイを備え、
前記メモリアレイは、複数のメモリセルを有し、
前記複数のメモリセルは、ビット線とワード線に接続され、
前記論理回路は、前記第1データ入力ノードを介してデータ信号を受け取り、かつ前記クロック入力ノードを介して前記クロック信号を受け取り、更に前記データ信号を前記ビット線へ供給する、請求項1に記載の半導体装置。 - データ信号を受けるための第1データ入力ノードと、クロック信号を受け取るためのクロック入力ノードとを有し、かつ前記クロック信号の遷移に応じて前記データ信号を格納する論理回路と、
前記データ信号を出力するために、前記論理回路の前記第1データ入力ノードに接続された第1データ出力ノードを有する第1データバッファと、
を備え、
前記論理回路は、前記第1データ入力ノードのためのゲート電極を有する、フィン型電界効果トランジスタで構成された第1トランジスタを含み、
前記第1データバッファは、前記第1データ出力ノードのためのドレイン電極を有する第2トランジスタを含み、
前記第1データ出力ノードから前記第1データ入力ノードに至る前記データ信号の経路は、複数の配線で構成され、
前記第1トランジスタの前記ゲート電極は、第1ゲート配線の一部で構成され、
前記第2トランジスタの前記ドレイン電極は、第1ローカル配線の一部で構成され、
平面視において、前記複数の配線によって前記データ信号の経路はミアンダ形状であり、
平面視において、前記データ信号の前記経路の長さは、前記第1ローカル配線から前記第1ゲート配線までの第1方向に沿った距離よりも長く、
前記第1方向は、前記第1ゲート配線の延在方向および前記第1ローカル配線の延在方向の両方に直交する方向である、半導体装置。 - 前記複数の配線の1つは、前記ゲート電極及び前記ドレイン電極と同層に配置されている、請求項10に記載の半導体装置。
- 前記第1及び第2トランジスタの各々は、フィン型電界効果トランジスタである、請求項11に記載の半導体装置。
- 前記第1ゲート配線は、半導体基板の第1突出部上に形成され、
平面視において、前記第1突出部は前記第1方向に沿って延在し、前記第1ゲート配線は前記第1方向と直交する第2方向に沿って延在し、
前記第1ローカル配線は、前記半導体基板の第2突出部上に形成され、
平面視において、前記第2突出部は前記第1方向に沿って延在し、前記第1ローカル配線は前記第2方向に沿って延在する、請求項12に記載の半導体装置。 - 前記複数の配線は、前記第2方向に沿って延在する第1及び第2配線と、前記第1方向に沿って延在する第3配線とを有し、
前記第1配線は、前記第3配線を介して前記第2配線と接続され、
前記第3配線は、前記第1及び第2配線上に配置されている、請求項13に記載の半導体装置。 - 容量素子が、前記複数の配線に接続されている、請求項10に記載の半導体装置。
- 前記半導体装置は、更に、前記第1データ出力ノードに接続された第2データ入力ノードと、前記第1データ入力ノードに接続された第2データ出力ノードとを有する第2データバッファを備え、
前記複数の配線は、前記第2データ入力ノードと前記第1データ出力ノードとの間に配置される、請求項10に記載の半導体装置。 - 前記論理回路は、D型フリップフロップ又はD型ラッチ回路を含む、請求項10に記載の半導体装置。
- 前記半導体装置は、更にメモリアレイを備え、
前記メモリアレイは、複数のメモリセルを有し、
前記複数のメモリセルは、ビット線とワード線に接続され、
前記論理回路は、前記第1データ入力ノードを介してデータ信号を受け取り、かつ前記クロック入力ノードを介して前記クロック信号を受け取り、更に前記データ信号を前記ビット線へ供給する、請求項10に記載の半導体装置。
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