JP6667601B1

JP6667601B1 - 電力変換装置

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Publication number: JP6667601B1
Application number: JP2018214279A
Authority: JP
Inventors: 修一 ▲高▼▲濱▼; 小玉　勝久; 勝久小玉
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2018-11-15
Filing date: 2018-11-15
Publication date: 2020-03-18
Anticipated expiration: 2038-11-15
Also published as: JP2020088881A

Abstract

【課題】低コストおよび小型の電力変換装置を提供する。【解決手段】電力変換装置は、インバータ用上アームとインバータ用下アームとが直列に接続された状態で絶縁性樹脂により封止された６つの半導体モジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗ、２０Ｕ、２０Ｖ、２０Ｗを備える。６つの半導体モジュールは、直列に接続された上記インバータ用上アームと上記インバータ用下アームとの配列方向に互いに離れて、かつ、当該配列方向と直交する方向に互いに離れて、２列３行に配列されている。温度センサ９は、２列３行に配列された上記６つの半導体モジュールの列間と行間との２つの交差領域のそれぞれに配置されている。【選択図】図２

Description

この発明は、二重三相モータの給電用として使用される電力変換装置に関するものである。

従来の電力変換装置では、基板と、制御部品と、パワー部品と、筐体と、複数の半導体素子と、を備える。基板は、制御領域と、パワー領域と、を備える。制御部品は、基板の制御領域に実装される。パワー部品は、基板のパワー領域に実装される。基板は、筐体の底部から突出した基板固定部に固定される。放熱部が、筐体に取り付けられた基板のパワー領域と相対するように、筐体の底部から突出されている。半導体素子は、放熱部の隣り合う外側面に２つずつ取り付けられている。これにより、放熱部が半導体素子とパワー部品との間に配置されることになり、半導体素子とパワー部品との間の熱干渉が抑制され、放熱性を向上させている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１４−１９７６５８号公報

近年、この種の電力変換装置においては、半導体モジュールの過度の温度上昇を防止するために、半導体モジュールの温度をサーミスタなどにより検出し、検出温度に基づいて半導体モジュールの温度を制御する手法がとられている。

従来の電力変換装置では、放熱部を半導体素子とパワー部品との間に配置することにより、放熱性を向上させている。そこで、従来の電力変換装置において、サーミスタを用いて半導体素子の温度を検出しようとすると、放熱部の隣り合う外側面のそれぞれにサーミスタを配置して、半導体素子の温度を検出することになる。この場合、１つのサーミスタは、外側面に配置された２つの半導体素子の温度のみを検出することになる。

また、従来の電力変換装置は、二相モータの給電用として用いられている。そこで、従来の電力変換装置を、二相モータに比べて回転が滑らかな三相モータの給電用とした場合、６つの半導体素子を備えることになる。６つの半導体素子は、放熱部の隣り合う３つの外側面に２つずつ取り付けられる。サーミスタは、外側面のそれぞれに１つずつ配置され、２つの半導体素子の温度のみを検出することになる。すなわち、３つのサーミスタが必要となる。

また、近年、自動車走行安全性の観点から、システムの冗長化のニーズが高まっており、電動パワーステアリング装置、電動ブレーキ用モータなどにおいては、巻線を二重化する手法が提案されている。

そこで、従来の電力変換装置が三相巻線を二重化するモータの給電用として適用された場合、半導体素子の個数は１２個となり、６つのサーミスタが必要となる。これにより、サーミスタの個数が多くなり、サーミスタの配置面積が大きくなるので、小型化が図れなくなる。

この発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、小型の電力変換装置を得ることを目的とする。

この発明による電力変換装置は、インバータ用上アームとインバータ用下アームとが直列に接続された状態で絶縁性樹脂により封止された６つの半導体モジュールを備え、上記６つの半導体モジュールは、直列に接続された上記インバータ用上アームと上記インバータ用下アームとの配列方向である列方向に互いに離れて、かつ当該配列方向と直交する方向である行方向に互いに離れて、２列３行に配列され、温度センサが、２列３行に配列された上記６つの半導体モジュールの列間と行間との２つの交差領域のそれぞれに配置されている。

この発明によれば、２つの温度センサで６つの半導体モジュールの温度を検出することができるので、温度センサの個数が削減され、小型化が図られる。

この発明の実施の形態１に係る電力変換装置の主要回路図である。この発明の実施の形態１に係る電力変換装置の要部を示す斜視図である。この発明の実施の形態２に係る電力変換装置の要部を示す断面図である。

実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１に係る電力変換装置の主要回路図である。

図１において、電力変換装置１００は、電力を制御するためのスイッチング回路を有する装置である。例えば、電動車両に搭載されているモータ駆動用インバータ、高電圧から低電圧に変換する降圧コンバータ、外部電源設備に接続して車載電池を充電する充電器などの電動パワーコンポーネントが、この電力変換装置１００に該当する。

モータ１は、Ｕ１、Ｖ１、Ｗ１の相コイルをＹ結線した第１三相巻線２と、Ｕ２、Ｖ２、Ｗ２の相コイルをＹ結線した第２三相巻線３と、を有する二重三相モータである。

インバータ４は、第１三相巻線２の給電用としての第１インバータ５と、第２三相巻線３の給電用としての第２インバータ６と、を有する。

第１インバータ５は、Ｕ１相上アーム１１Ｕ１と、Ｕ１相下アーム１２Ｕ１と、Ｖ１相上アーム１３Ｖ１と、Ｖ１相下アーム１４Ｖ１と、Ｗ１相上アーム１５Ｗ１と、Ｗ１相下アーム１６Ｗ１とが、ブリッジ接続されて構成されている。Ｕ１相上アーム１１Ｕ１とＵ１相下アーム１２Ｕ１との接続部がＵ１の相コイルの給電端に接続されている。Ｖ１相上アーム１３Ｖ１とＶ１相下アーム１４Ｖ１との接続部がＶ１の相コイルの給電端に接続されている。Ｗ１相上アーム１５Ｗ１とＷ１相下アーム１６Ｗ１との接続部がＷ１の相コイルの給電端に接続されている。平滑コンデンサ７が、第１インバータ５に並列に接続されている。

第２インバータ６は、Ｕ２相上アーム２１Ｕ２と、Ｕ２相下アーム２２Ｕ２と、Ｖ２相上アーム２３Ｖ２と、Ｖ２相下アーム２４Ｖ２と、Ｗ２相上アーム２５Ｗ２と、Ｗ２相下アーム２６Ｗ２とが、ブリッジ接続されて構成されている。Ｕ２相上アーム２１Ｕ２とＵ２相下アーム２２Ｕ２との接続部がＵ２の相コイルの給電端に接続されている。Ｖ２相上アーム２３Ｖ２とＶ２相下アーム２４Ｖ２との接続部がＶ２の相コイルの給電端に接続されている。Ｗ２相上アーム２５Ｗ２とＷ２相下アーム２６Ｗ２との接続部がＷ２の相コイルの給電端に接続されている。平滑コンデンサ７が、第２インバータ６に並列に接続されている。

ここで、各アームは、ＭＯＳＦＥＴ（ＭｅｔａｌＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＦｉｅｌｄＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などの半導体スイッチング素子である。Ｕ１相上アーム１１Ｕ１、Ｖ１相上アーム１３Ｖ１およびＷ１相上アーム１５Ｗ１が第１インバータ用上アームである。Ｕ１相下アーム１２Ｕ１、Ｖ１相下アーム１４Ｖ１およびＷ１相下アーム１６Ｗ１が第１インバータ用下アームである。Ｕ２相上アーム２１Ｕ２、Ｖ２相上アーム２３Ｖ２およびＷ２相上アーム２５Ｗ２が第２インバータ用上アームである。Ｕ２相下アーム２２Ｕ２、Ｖ２相下アーム２４Ｖ２およびＷ２相下アーム２６Ｗ２が第２インバータ用下アームである。

ここで、電力変換装置の動作について説明する。電力変換装置は、図示されていないが、第１インバータ５および第２インバータ６の各アームのスイッチングを制御する制御装置を備える、バッテリ８は、端子電圧が１２Ｖ又は４８Ｖの車載用バッテリである。そして、バッテリ８の端子電圧がバスバーを介して第１インバータ５および第２インバータ６に供給される。制御装置は、第１インバータ５および第２インバータ６の各アームのスイッチングを制御する。バッテリ８の直流は、第１インバータ５および第２インバータ６により交流に変換されて、第１三相巻線２および第２三相巻線３に供給される。これにより、モータ１が回転駆動される。

つぎに、電力変換装置１００における半導体モジュールの取付構造について図２を参照しつつ説明する。図２は、この発明の実施の形態１に係る電力変換装置の要部を示す斜視図である。

電力変換装置１００では、直列接続されたＵ１相上アーム１１Ｕ１とＵ１相下アーム１２Ｕ１とが絶縁性樹脂により封止されて、２ｉｎ１タイプの半導体モジュール１０Ｕとなっている。直列接続されたＶ１相上アーム１３Ｖ１とＶ１相下アーム１４Ｖ１とが絶縁性樹脂により封止されて、２ｉｎ１タイプの半導体モジュール１０Ｖとなっている。直列接続されたＷ１相上アーム１５Ｗ１とＷ１相下アーム１６Ｗ１とが絶縁性樹脂により封止されて、２ｉｎ１タイプの半導体モジュール１０Ｗとなっている。直列接続されたＵ２相上アーム２１Ｕ２とＵ２相下アーム２２Ｕ２とが絶縁性樹脂により封止されて、２ｉｎ１タイプの半導体モジュール２０Ｕとなっている。直列接続されたＶ２相上アーム２３Ｖ２とＶ２相下アーム２４Ｖ２とが絶縁性樹脂により封止されて、２ｉｎ１タイプの半導体モジュール２０Ｖとなっている。直列接続されたＷ２相上アーム２５Ｗ２とＷ２相下アーム２６Ｗ２とが絶縁性樹脂により封止されて、２ｉｎ１タイプの半導体モジュール２０Ｗとなっている。

半導体モジュール１０Ｕは、矩形平板状に形成されている。Ｕ１相上アーム１１Ｕ１とＵ１相下アーム１２Ｕ１とが、半導体モジュール１０Ｕの長さ方向に１列に並んで半導体モジュール１０Ｕ内に収容されている。Ｕ１相上アーム１１Ｕ１のソースとＵ１相下アーム１２Ｕ１のドレインとの接続部に電気的に接続された出力端子１０ｏが、半導体モジュール１０Ｕの一方の側面から突出している。Ｕ１相上アーム１１Ｕ１およびＵ１相下アーム１２Ｕ１のゲートに電気的に接続された信号端子１０ｓが、半導体モジュール１０Ｕの一方の側面から突出している。これらの端子は、半導体モジュール１０Ｕから突出した後、直角に曲げられて、半導体モジュール１０Ｕの上面側に延び出ている。Ｕ１相上アーム１１Ｕ１のドレインに電気的に接続された電源端子１０ｅおよびＵ１相下アーム１２Ｕ１のソースに電気的に接続されたマイナス側端子１０ｇは、半導体モジュール１０Ｕの他方の側面から突出した後、直角に曲げられて、半導体モジュール１０Ｕの上面側に延び出ている。
なお、半導体モジュール１０Ｖ，１０Ｗは、半導体モジュール１０Ｕと同様に構成されているので、その説明は省略する。

半導体モジュール２０Ｕは、矩形平板状に形成されている。Ｕ２相上アーム２１Ｕ２とＵ２相下アーム２２Ｕ２とが、半導体モジュール２０Ｕの長さ方向に１列に並んで半導体モジュール２０Ｕ内に収容されている。Ｕ２相上アーム２１Ｕ２のソースとＵ２相下アーム２２Ｕ２のドレインとの接続部に電気的に接続された出力端子２０ｏが、半導体モジュール１０Ｕの他方の側面から突出している。Ｕ２相上アーム２１Ｕ２およびＵ２相下アーム２２Ｕ２のゲートに電気的に接続された信号端子２０ｓが、半導体モジュール２０Ｕの他方の側面から突出している。これらの端子は、半導体モジュール２０Ｕから突出した後、直角に曲げられて、半導体モジュール２０Ｕの上面側に延び出ている。Ｕ２相上アーム２１Ｕ２のドレインに電気的に接続された電源端子２０ｅおよびＵ２相下アーム２２Ｕ２のソースに電気的に接続されたマイナス側端子２０ｇは、半導体モジュール２０Ｕの一方の側面から突出した後、直角に曲げられて、半導体モジュール２０Ｕの上面側に延び出ている。
なお、半導体モジュール２０Ｖ，２０Ｗは、半導体モジュール２０Ｕと同様に構成されているので、その説明は省略する。

ヒートシンク３０は、銅、アルミなどの良熱伝導材料を用いて作製され、矩形平板状の基部３０ａと、基部３０ａの裏面から垂直に突出して、一定のピッチで複数配列された薄肉の放熱フィン３０ｂと、を備える。

半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗは、下面を基部３０ａに向けて、モジュールの長さ方向を一致させて、かつモジュール間に隙間を確保して、基部３０ａの長さ方向に１列に並んで、基部３０ａの固定面である表面上に配置される。半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗは、信号端子１０ｓおよび出力端子１０ｏを基部３０ａの幅方向一側に向けて、基部３０ａの表面上の幅方向一側の領域に配置される。１列目に配列された半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ、１０Ｗのうちの隣り合う半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖは、ねじ３１により基部３０ａに締め付け固定された第１板ばね３２ａの弾性力により、基部３０ａに固定される。１列目に配列された半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ、１０Ｗのうちの残る半導体モジュール１０Ｗは、ねじ３１により基部３０ａに締め付け固定された第２板ばね３２ｂの弾性力により、基部３０ａに固定される。なお、第１板ばね３２ａ、第２板ばね３２ｂおよびねじ３１が固定部材である。

半導体モジュール２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗは、下面を基部３０ａに向けて、モジュールの長さ方向を一致させて、かつモジュール間に隙間を確保して、基部３０ａの長さ方向に１列に並んで、基部３０ａの表面上に配置される。半導体モジュール２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗは、信号端子２０ｓおよび出力端子２０ｏを基部３０ａの幅方向他側に向けて、基部３０ａの表面上の幅方向他側の領域に配置される。２列目に配列された半導体モジュール２０Ｕ，２０Ｖ、２０Ｗのうちの隣り合う半導体モジュール２０Ｕ，２０Ｖは、ねじ３１により基部３０ａに締め付け固定された第１板ばね３２ａの弾性力により、基部３０ａに固定される。２列目に配列された半導体モジュール２０Ｕ，２０Ｖ、２０Ｗのうちの残る半導体モジュール２０Ｗは、ねじ３１により基部３０ａに締め付け固定された第２板ばね３２ｂの弾性力により、基部３０ａに固定される。

半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗと半導体モジュール２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗとは、基部３０ａの幅方向に離れて、同相のモジュール同士が基部３０ａの幅方向に相対して、基部３０ａに表面上に２列に平行に配列されている。すなわち、半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗと半導体モジュール２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗとは、直列に接続された上アームと下アームとの配列方向に互いに離れて、かつ当該配列方向と直交する方向に互いに離れて、基部３０ａの表面上に２列３行に配列されている。そして、温度センサであるサーミスタ９は、２列３行に配列された半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗ、２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗの列間と行間との２つの交差領域のそれぞれに、ねじ３３により基部３０ａに締め付け固定されている。なお、ねじ３３が固定部材である。

サーミスタ９の端子、および半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗ，２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗの信号端子１０ｓ、２０ｓは、制御装置に接続される。電源端子１０ｅ，２０ｅおよびマイナス側端子１０ｇ，２０ｇは、バッテリ８にバスバーなどを介して電気的に接続される。さらに、出力端子１０ｏ，２０ｏは、モータ１の第１三相巻線２および第２三相巻線３の給電端子にバスバーなどを介して電気的に接続される。

ここで、図示されていないが、半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗ，２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗは、セラミック製の絶縁基板、グリースを介してヒートシンク３０の基部３０ａの表面上に配置されている。また、ねじ３１，３３、第１板ばね３２ａ、第２板ばね３２ｂおよびサーミスタ９は、２列３行に配列された半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗ，２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗの外形境界線内に配置されている。なお、外形境界線とは、ヒートシンク３０の基部３０ａの表面に垂直な方向から見たときに、２列３行に配列された半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗ，２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗの外周部を結んだ長方形の線である。

このように構成された電力変換装置１００は、半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗ，２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗの電源端子１０ｅ，２０ｅ、マイナス側端子１０ｇ，２０ｇ、出力端子１０ｏおよび信号端子１０ｓ，２０ｓの延び出し方向が、放熱フィン３０ｂのヒートシンク３０の裏面からの突出方向と平行、かつ逆方向となっている。そして、放熱フィン３０ｂの突出方向が天方向を向くように設置される。半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗ，２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗで発生した熱は、基部３０ａを介して放熱フィン３０ｂに伝達される。そして、放熱フィン３０ｂに伝達された熱は、放熱フィン３０ｂ間を流通する空気との間で熱交換される。これにより、半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗ，２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗで発生した熱が、効果的に放熱される。

実施の形態１によれば、２ｉｎ１タイプの半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗが、直列に接続された上アームと下アームとの配列方向に１列に並んで、かつ互いに離れて配置された第１インバータ５と、２ｉｎ１タイプの半導体モジュール２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗが、直列に接続された上アームと下アームとの配列方向に１列に並んで、かつ互いに離れて配置された第２インバータ６と、を備える。第１インバータ５と第２インバータ６とは、同相の半導体モジュールが互いに離れて、かつ相対して、２列３行に配列されてヒートシンク３０の基部３０ａの表面上に設置されている。さらに、サーミスタ９は、２列３行に配列された半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗ，２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗの列間と行間との２つの交差領域のそれぞれに設置されている。これにより、１つのサーミスタ９は、半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，２０Ｕ，２０Ｖの４相の温度を検出することができる。もう１つのサーミスタ９は、半導体モジュール１０Ｖ，１０Ｗ，２０Ｖ，２０Ｗの４相の温度を検出することができる。したがって、電力変換装置１００を二重三相のモータ１の給電用として適用しても、サーミスタ９の個数が２つですみ、小型化が図られるとともに、低コスト化が図られる。

サーミスタ９は、４つの半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，２０Ｕ，２０Ｖ、又は半導体モジュール１０Ｖ，１０Ｗ，２０Ｖ，２０Ｗに囲まれた領域内に設置される。これにより、上アームおよび下アームを構成する半導体スイッチング素子の温度とサーミスタ９による検出温度との差が少なくなり、過熱保護時の温度マージンを減らすことができる。さらに、半導体スイッチング素子自身の小型化が可能となり、低コスト化が図られる。さらに、サーミスタ９の大きさに合わせて、２列３行に配列された第１インバータ５および第２インバータ６の列間および行間のスペースを調整できる。これにより、サーミスタ９の設置スペースを最適化でき、小型化が図られる。

第１板ばね３２ａは、２つの半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖおよび２つの半導体モジュール２０Ｕ，２０Ｖのそれぞれを基部３０ａに固定しているので、部品点数を削減できる。

なお、上記実施の形態１では、サーミスタ９がねじ３３によりヒートシンク３０の基部３０ａに締め付け固定されているが、サーミスタ９は、溶接により基部３０ａに固定されてもよい。さらに、サーミスタ９は、半導体モジュールと同様に、板ばねとねじとにより固定されてもよい。
また、上記実施の形態１では、第１板ばね３２ａ、第２板ばね３２ｂおよびねじ３１を半導体モジュールの固定部材として用いているが、半導体モジュールの固定手段は、これに限定されず、例えば、皿ばねとねじとを用いてもよい。
また、上記実施の形態１では、同相の半導体モジュール同士、例えば半導体モジュール１０Ｕ，２０Ｕが列間で相対するように、６つの半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗ，２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗが２列３行に配列されているが、異なる相の半導体モジュールが列間で相対するように、６つの半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗ，２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗが２列３行に配列されてもよい。

また、上記実施の形態１では、２ｉｎ１タイプの半導体モジュールを用いているが、６ｉｎ１タイプの半導体モジュールを用いてもよい。６ｉｎ１タイプの第１半導体モジュールは、３相の直列に接続された第１インバータ用上アームと第１インバータ用下アームとが、直列接続された第１インバータ用上アームと第１インバータ用下アームとの配列方向に１列に並んで、かつ互いに離れて配置され、絶縁性樹脂により封止されて構成され、第１インバータとなる。６ｉｎ１タイプの第２半導体モジュールは、３相の直列に接続された第２インバータ用上アームと第２インバータ用下アームとが、直列接続された第２インバータ用上アームと第２インバータ用下アームとの配列方向に１列に並んで、かつ互いに離れて配置され、絶縁性樹脂により封止されて構成され、第２インバータとなる。このように構成された第１インバータおよび第２インバータは、互いに離れて平行に並んで、ヒートシンク３０の基部３０ａの表面上に２列に設置される。すなわち、６つの直列に接続された上アームと下アームとが、２列３行に配列されて、ヒートシンク３０の基部３０ａの表面上に設置される。そして、サーミスタ９が、２列３行に配列された直列接続された上アームと下アームとの列間と行間との２つの交差領域のそれぞれに設置される。

実施の形態２．
図３は、この発明の実施の形態２に係る電力変換装置の第２インバータ周りを示す要部断面図である。

図３において、電源ライン３８およびグランドライン３９が絶縁基板４０の両面に形成されている。電源ライン３８およびグランドライン３９は、銅板をプレス成形したバスバーである。絶縁基板４０は、半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗ，２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗの基部３０ａと反対側に配置される。そして、半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗ，２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗの電源端子１０ｅ，２０ｅおよびマイナス側端子１０ｇ，２０ｇが、電源ライン３８およびグランドライン３９に、ＴＩＧ（ＴｕｎｇｓｔｅｎＩｎｅｒｔＧａｓ）溶接、半田接合などにより電気的に接続される。平滑コンデンサ７から引き出された端子７ａが、絶縁基板４０の半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗ，２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗと反対側から電源ライン３８およびグランドライン３９に、ＴＩＧ溶接、半田接合などにより電気的に接続される。

ここで、半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗ，２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗから突出する電源端子１０ｅ，２０ｅおよびマイナス側端子１０ｇ，２０ｇの延び出し方向が、平滑コンデンサ７から突出する端子７ａの延び出し方向と一致している場合の平滑コンデンサ７の配置について検討する。この場合、まず、基部３０ａの大面積化が必要となる。平滑コンデンサ収納穴が、基部３０ａの半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗ，２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗの設置領域の外側に形成される。そして、平滑コンデンサ７が、端子７ａの延び出し方向を上方に向けて、平滑コンデンサ収納穴内に収納される。さらに、絶縁基板４０が、半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗ，２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗおよび平滑コンデンサ７の上部に設置される。そして、半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗ，２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗの電源端子１０ｅ，２０ｅおよびマイナス側端子１０ｇ、２０ｇが電源ライン３８およびグランドライン３９に、ＴＩＧ溶接、半田接合などにより電気的に接続される。さらに、平滑コンデンサ７の端子７ａが電源ライン３８およびグランドライン３９にＴＩＧ溶接、半田接合などにより電気的に接続される。その結果、半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗ，２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗと平滑コンデンサ７とが、基部３０ａの表面の面方向に並んで設置され、電力変換装置の大型化をもたらす。

実施の形態２では、半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗ，２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗから突出した電源端子１０ｅ，２０ｅおよびマイナス側端子１０ｇ，２０ｇの延び出し方向が、平滑コンデンサ７から突出した端子７ａの延び出し方向と対向している。そこで、半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗ，２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗと平滑コンデンサ７とを、絶縁基板４０を挟んで配置できる。これにより、平滑コンデンサ７の取り付けが、２列３行に配列された半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗ，２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗの配列状態に何ら影響を及ぼさないので、電力変換装置の大型化を抑制できる。

平滑コンデンサ７は、絶縁基板４０を挟んで半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗ，２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗと相対するように配置されている。これにより、半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ，１０Ｗ，２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗの上部空間を有効に活用でき、電力変換装置の小型化が図られる。

電源ライン３８とグランドライン３９との一部が平行となっているので、寄生インダクタンスが低くなり、半導体スイッチング素子のスイッチング時に発生するサージ電圧を抑制できる。これにより、耐圧の低い半導体スイッチング素子を使用することができ、低コスト化が図られる。

なお、上記実施の形態２では、銅板をプレス成形したバスバーからなる電源ライン３８およびグランドライン３９が貼り付けられた絶縁基板４０を用いているが、絶縁基板４０に代えて厚銅基板を用いてもよい。

ここで、実施の形態１，２による電力変換装置は、例えば、電動パワーステアリング、電動ブレーキの二重三相モータの給電用として適用できる。電動ブレーキの二重三相モータは、前輪の左右に１つずつ配置される。そこで、電力変換装置を電動ブレーキの二重三相モータの給電用として用いる場合、電力変換装置も前輪の左右に１つずつ配置されることになる。

なお、上記各実施の形態では、同じインバータを構成する３つの半導体モジュールが同じ列に配列されているが、同じインバータを構成する３つの半導体モジュールは、必ずしも同じ列に配列されなくてもよい。例えば、３つの半導体モジュール１０Ｕ，２０Ｖ，１０Ｗが１列目に配列され、３つの半導体モジュール２０Ｕ，１０Ｖ，２０Ｗが２列目に配列されてもよい。
また、上記各実施の形態では、直流電力を交流電力に変換する電力変換装置について説明しているが、電力変換装置は、交流電力を直流電力に変換する用途に適用できる。

５第１インバータ、６第２インバータ、７平滑コンデンサ、７ａ端子、９サーミスタ（温度センサ）、１０Ｕ、１０Ｖ，１０Ｗ，２０Ｕ，２０Ｖ，２０Ｗ半導体モジュール、１１Ｕ１Ｕ１相上アーム、１２Ｕ１Ｕ１相下アーム、１３Ｖ１Ｖ１相上アーム、１４Ｖ１Ｖ１相下アーム、１５Ｗ１Ｗ１相上アーム、１６Ｗ１Ｗ１相下アーム、２１Ｕ２Ｕ２相上アーム、２２Ｕ２Ｕ２相下アーム、２３Ｖ２Ｖ２相上アーム、２４Ｖ２Ｖ２相下アーム、２５Ｗ２Ｗ２相上アーム、２６Ｗ２Ｗ２相下アーム、３０ヒートシンク、３０ａ基部、３０ｂ放熱フィン、３１ねじ（固定部材）、３２ａ第１板ばね（固定部材）、３２ｂ第２板ばね（固定部材）、３３ねじ（固定部材）、３８電源ライン（バスバー）、３９グランドライン（バスバー）。

Claims

インバータ用上アームとインバータ用下アームとが直列に接続された状態で絶縁性樹脂により封止された６つの半導体モジュールを備え、
上記６つの半導体モジュールは、直列に接続された上記インバータ用上アームと上記インバータ用下アームとの配列方向である列方向に互いに離れて、かつ当該配列方向と直交する方向である行方向に互いに離れて、２列３行に配列され、
温度センサが、２列３行に配列された上記６つの半導体モジュールの列間と行間との２つの交差領域のそれぞれに配置されている電力変換装置。
上記６つの半導体モジュールおよび上記温度センサは、一つのヒートシンクに配置されて、固定部材により上記ヒートシンクに固定されている請求項１記載の電力変換装置。
上記固定部材は、板ばねと、上記板ばねを上記ヒートシンクに締め付けて固定するねじと、を備える請求項２記載の電力変換装置。
上記板ばねは、１列目に配列された半導体モジュールのうちの隣り合う２つの半導体モジュールと２列目に配列された半導体モジュールのうちの隣り合う２つの半導体モジュールとをそれぞれ固定する第１板ばねと、上記１列目に配列された半導体モジュールのうちの残る１つの半導体モジュールと上記２列目に配列された半導体モジュールのうちの残る１つの半導体モジュールとをそれぞれ固定する第２板ばねと、を備える請求項３記載の電力変換装置。
上記ヒートシンクは、上記６つの半導体モジュールおよび上記温度センサの固定面と反対側の面に放熱フィンを備えている請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の電力変換装置。
上記放熱フィンは、上記ヒートシンクの上記固定面と反対側の面から垂直に突出しており、
上記６つの半導体モジュールの端子の延び出し方向が、上記放熱フィンの突出方向と平行、かつ逆方向である請求項５記載の電力変換装置。
平滑コンデンサをさらに備え、
上記平滑コンデンサの端子の延び出し方向と、上記６つの半導体モジュールの電源端子およびマイナス側端子の延び出し方向とが、対向している請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の電力変換装置。
上記平滑コンデンサの端子と、上記６つの半導体モジュールの電源端子およびマイナス側端子とが、電源用バスバーとグランド用バスバーを介して電気的に接続されており、
上記電源用バスバーと上記グランド用バスバーとの一部が平行に配置されている請求項７記載の電力変換装置。
３つの直列接続された第１インバータ用上アームおよび第１インバータ用下アームが絶縁性樹脂で封止され、３つの上記直列接続された第１インバータ用上アームおよび第１インバータ用下アームが、上記直列接続された第１インバータ用上アームおよび第１インバータ用下アームの配列方向に、互いに離れて、１列に配列されている第１半導体モジュールと、
３つの直列接続された第２インバータ用上アームおよび第２インバータ用下アームが絶縁性樹脂で封止され、３つの上記直列接続された第２インバータ用上アームおよび第２インバータ用下アームが、上記直列接続された第２インバータ用上アームおよび第２インバータ用下アームの配列方向に、互いに離れて、１列に配列されている第２半導体モジュールと、を備え、
３つの上記直列接続された第１インバータ用上アームおよび第１インバータ用下アームと、３つの上記直列接続された第２インバータ用上アームおよび第２インバータ用下アームとは、２列３行に配列されており、
温度センサが、２列３行に配列された３つの上記直列接続された第１インバータ用上アームおよび第１インバータ用下アームと、３つの上記直列接続された第２インバータ用上アームおよび第２インバータ用下アームとの列間と行間との２つの交差領域のそれぞれに配置されている電力変換装置。