JP6667468B2 - Adhesive tape for semiconductor processing - Google Patents

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Description

本発明は、半導体加工用粘着テープに関し、詳しくは半導体ウェハ加工時に使用される半導体加工用粘着テープに関し、更に詳しくは半導体ウェハの裏面研削によりチップへ個片化する半導体チップの製造方法に好適に用いられる半導体加工用表面保護粘着テープに関する。   The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing, and more particularly to a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing used in processing a semiconductor wafer, and more particularly to a method for manufacturing a semiconductor chip which is separated into chips by grinding the back surface of a semiconductor wafer. The present invention relates to a surface protection adhesive tape for semiconductor processing used.

半導体ウェハ(以下、ウェハとも称す。)の加工工程において、ウェハ表面にパターンを形成した後、ウェハ裏面を所定の厚さまで研削・研磨するいわゆる裏面研削・研磨が行なわれる。その際、ウェハ表面を保護する目的で、ウェハ表面に表面保護粘着テープを貼り合わせ、その状態でウェハ裏面が研削される。表面保護粘着テープとしては、ポリオレフィンなどのプラスチックフィルム上に、アクリルポリマーを主成分とする粘着剤層が設けられたものが提案されている(例えば、特許文献1参照)。   In a processing step of a semiconductor wafer (hereinafter, also referred to as a wafer), after forming a pattern on the wafer surface, so-called back surface grinding / polishing for grinding / polishing the wafer rear surface to a predetermined thickness is performed. At that time, in order to protect the wafer surface, a surface protection adhesive tape is attached to the wafer surface, and the wafer back surface is ground in that state. As a surface protective pressure-sensitive adhesive tape, a tape in which a pressure-sensitive adhesive layer mainly composed of an acrylic polymer is provided on a plastic film such as polyolefin has been proposed (for example, see Patent Document 1).

他方、ICカードの普及、USBメモリに代表される半導体メモリの急激な容量アップへの対応、スマートフォンやタブレットといった小型デバイスの普及により、チップにはさらなる薄膜化が求められている。例えば、従来は厚さ200〜350μm程度であったチップに対し、厚さ50〜100μm、あるいはそれ以下の厚さへの薄膜化が要求されている。   On the other hand, with the spread of IC cards, the response to the rapid increase in the capacity of semiconductor memories represented by USB memories, and the spread of small devices such as smartphones and tablets, further thinning of chips is required. For example, a chip having a thickness of about 200 to 350 μm in the past is required to be reduced to a thickness of 50 to 100 μm or less.

通常、回路パターンを形成したウェハは裏面研削工程にて薄く加工される。研削後の薄膜状ウェハは、シリコンと回路、保護層の収縮率の差および粘着テープの収縮によってウェハの湾曲(以下、反りと呼称)が発生しやすい。チップが薄膜化するほど、ウェハ自体の剛性が減少するため、装置内でのウェハ搬送や加工が不可能になるような反りが発生するといった問題点が生じ得る。   Usually, the wafer on which the circuit pattern is formed is thinly processed in the back surface grinding step. In the thin film wafer after grinding, the wafer is likely to be curved (hereinafter, referred to as warpage) due to a difference in shrinkage between the silicon and the circuit, the protective layer, and shrinkage of the adhesive tape. As the chip becomes thinner, the rigidity of the wafer itself decreases, so that there may be a problem that warpage occurs such that the wafer cannot be transferred or processed in the apparatus.

また、裏面研削後のウェハは、仕上げ厚が100μm以下になるとウェハの強度が低下し、僅かな衝撃や欠点を起点にして割れが発生し、歩留まりが下がる可能性がある。また、裏面研削で割れが発生しなくとも、続くチップ個片化(以下、ダイシング)工程ではダイヤモンドブレードで機械的に切断されるため、切断ラインから発生する欠け(以下、チッピング)を起因としてチップが割れてしまうこともある。   Further, when the finished thickness of the wafer after the back surface grinding is 100 μm or less, the strength of the wafer is reduced, cracks are generated starting from a slight impact or a defect, and the yield may be reduced. Further, even if cracks do not occur in the back surface grinding, the chips are mechanically cut by a diamond blade in the subsequent chip singulation (hereinafter, dicing) process, so that chips generated from the cutting line (hereinafter, chipping) are caused. May be broken.

上記のような薄膜ウェハの加工に関して、例えば特許文献2には、裏面研削前にウェハ回路側から所定の位置(チップ分割予定位置)にダイシングにより仕上げ予定のウェハ厚より大きく、元のウェハ厚よりも小さい深さの溝を形成したのち、裏面研削によって溝の深さ以上に薄膜化し、裏面研削とチップ化を同時に行うウェーハの分割方法が提案されている。   Regarding the processing of the thin film wafer as described above, for example, in Patent Document 2, before the back surface grinding, a predetermined thickness (planned chip division position) from a wafer circuit side is larger than a wafer thickness to be finished by dicing and is larger than an original wafer thickness. There has been proposed a method of dividing a wafer in which a groove having a depth as small as possible is formed, the thickness of the groove is reduced to a depth equal to or greater than the depth of the groove by back surface grinding, and the back surface grinding and chip formation are simultaneously performed.

また、上記に似た方法として、例えば特許文献3には、チップ分割予定位置にレーザー照射を行い、溝の代わりにウェハ内部に改質層を形成し、裏面研削時に改質層を起点として分割・チップ化を行うレーザ加工方法も提案されている。この方法を用いると、従来のような溝が存在しないためにチップ間距離をほぼ0にでき、一枚のウェハからより多くのチップを得ることができる。また、ダイヤモンドブレードによる切断の衝撃がないため、チッピングも無くすことが可能となる。   Further, as a method similar to the above, for example, in Patent Document 3, a laser irradiation is performed at a chip dividing expected position, a modified layer is formed inside a wafer instead of a groove, and the chip is divided starting from the modified layer at the time of back surface grinding. -A laser processing method for chipping has also been proposed. By using this method, the distance between chips can be reduced to almost zero because there is no groove unlike the conventional method, and more chips can be obtained from one wafer. Further, since there is no impact of cutting by the diamond blade, chipping can be eliminated.

特開2001−240842号公報JP 2001-240842 A 特開平11−40520号公報JP-A-11-40520 特開2002−192370号公報JP-A-2002-192370

一方で、上記特許文献3記載の方法では、レーザーで改質層を形成しているためチップ間距離がほぼ0であり、表面保護テープの変形や裏面研削時のせん断力等の外的要因によってチップがずれると、隣接するチップと容易に接触してその部分からクラックが発生しやすいという問題点が生じる。
また、本発明者らは鋭意検討した結果、テープの基材として特定の層を有する複層構造からなる基材を用いた場合には、複層構造を構成する層同士での密着性が重要となり、この層間密着性が十分でないと、剥離性が低下したり、被着体である半導体ウェハの加工中に層間で剥離が発生し、ウェハが破損したりすることが分かってきた。
On the other hand, in the method described in Patent Document 3, since the modified layer is formed by the laser, the distance between the chips is almost 0, and the distance between the chips depends on external factors such as deformation of the surface protection tape and shearing force when grinding the back surface. When the chips are displaced, there is a problem in that the chips easily come into contact with adjacent chips and cracks are easily generated from the portions.
In addition, the present inventors have conducted intensive studies. As a result, when a base material having a multilayer structure having a specific layer is used as the base material of the tape, the adhesion between the layers constituting the multilayer structure is important. It has been found that, if the interlayer adhesion is not sufficient, the peeling property is reduced, and peeling occurs between layers during processing of a semiconductor wafer as an adherend, and the wafer is damaged.

そこで、本発明は、上記の問題点を解決し、半導体ウェハの加工、特にシリコンウェハ等の裏面研削工程において、薄膜に研削しても、剥離性に優れ、また層間密着性に優れ、さらに不良チップの発生を十分に抑制することができる半導体加工用粘着テープを提供することを課題とする。   Therefore, the present invention solves the above problems, and in the processing of a semiconductor wafer, particularly in the step of grinding the back surface of a silicon wafer or the like, even if it is ground into a thin film, it has excellent peeling properties, excellent interlayer adhesion, and further defects. An object of the present invention is to provide an adhesive tape for semiconductor processing that can sufficiently suppress generation of chips.

本発明の上記課題は、以下の手段によって解決された。
(1)
基材と、該基材の片面に設けられた粘着剤層とからなる粘着テープであって、前記基材が複層構造からなり、該複層構造の少なくとも1層が環状オレフィンポリマーを80質量%以上含有する層Aであって、該層Aとは別に、直鎖状低密度ポリエチレンまたは高密度ポリエチレンを50質量%以上含有する層Bを有し、該層Aと該層Bとが隣接し、該層Bと該粘着剤層とが隣接し、該粘着剤層は(メタ)アクリル酸エステル共重合体を含有することを特徴とする、半導体加工用粘着テープ。
(2)
前記直鎖状低密度ポリエチレンの密度が0.95g/cm以下であることを特徴とする、(1)に記載の半導体加工用粘着テープ。
(3)
前記直鎖状低密度ポリエチレンのメルトフローレートが4.0g/10min以下であることを特徴とする、(1)または(2)に記載の半導体加工用粘着テープ。
(4)
前記直鎖状低密度ポリエチレンが、メタロセンポリエチレンであることを特徴とする、(1)〜(3)のいずれか1項に記載の半導体加工用粘着テープ。
(5)
前記粘着剤層が放射線硬化型のであることを特徴とする、(1)〜(4)のいずれか1項に記載の半導体加工用粘着テープ。

各チップの個片化予定領域に沿ってレーザーを照射して半導体ウェハ内部に改質層を形成した半導体ウェハ、または、各チップの個片化予定領域に沿って機械的手段により溝を形成した半導体ウェハを、前記半導体ウェハの裏面研削によりチップへ個片化する半導体チップの製造に用いられることを特徴とする、(1)〜()のいずれか1項に記載の半導体加工用粘着テープ。
The above object of the present invention has been solved by the following means.
(1)
A pressure-sensitive adhesive tape comprising a base material and a pressure-sensitive adhesive layer provided on one surface of the base material, wherein the base material has a multilayer structure, and at least one layer of the multilayer structure has a cyclic olefin polymer content of 80% by mass. a layer a containing more than%, apart from the layer a, have a layer B containing more than 50 wt% linear low density polyethylene or high density polyethylene, adjacent the said layer a and the layer B and, adjacent and the said layer B and adhesive layer, the pressure-sensitive adhesive layer is characterized that you containing (meth) acrylic acid ester copolymer, a semiconductor processing adhesive tape.
(2)
The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to (1), wherein the density of the linear low-density polyethylene is 0.95 g / cm 3 or less.
(3)
The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to (1) or (2), wherein the linear low-density polyethylene has a melt flow rate of 4.0 g / 10 min or less.
(4)
The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to any one of (1) to (3), wherein the linear low-density polyethylene is a metallocene polyethylene.
(5)
The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to any one of (1) to (4), wherein the pressure-sensitive adhesive layer is a radiation-curable type.
( 6 )
A semiconductor wafer in which a modified layer was formed inside a semiconductor wafer by irradiating a laser along the individualized area of each chip, or a groove was formed by mechanical means along the individualized area of each chip. The adhesive tape for semiconductor processing according to any one of (1) to ( 5 ), wherein the adhesive tape is used for manufacturing a semiconductor chip that singulates a semiconductor wafer into chips by grinding the back surface of the semiconductor wafer. .

本発明の半導体加工用粘着テープは、半導体ウェハの加工、特にシリコンウェハ等の裏面研削工程において、薄膜に研削しても、剥離性に優れ、また層間密着性に優れ、さらに不良チップの発生を十分に抑制することができる。
また、本発明の半導体加工用粘着テープは、半導体ウェハの裏面研削によりチップの個片化を行う半導体チップの製造方法に使用することで、薄膜に研削しても、剥離性に優れ、また層間密着性に優れ、さらに不良チップの発生を十分に抑制することができる。
The adhesive tape for semiconductor processing of the present invention has excellent peelability and excellent interlayer adhesion even when ground into a thin film in the processing of a semiconductor wafer, particularly in the step of grinding the back surface of a silicon wafer or the like. It can be suppressed sufficiently.
Further, the adhesive tape for semiconductor processing of the present invention is used in a method of manufacturing a semiconductor chip in which chips are singulated by grinding the back surface of a semiconductor wafer. The adhesiveness is excellent, and the occurrence of defective chips can be sufficiently suppressed.

本発明の半導体加工用粘着テープの一形態を模式的に示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view schematically showing one embodiment of an adhesive tape for semiconductor processing of the present invention. 本発明の半導体加工用粘着テープを使用する半導体ウェハの加工工程を説明する概略断面図である。図2(a)は、半導体加工用粘着テープから剥離フィルムを剥がし、接着剤層を剥き出しにする工程を示し、図2(b)は、半導体ウェハの凸部側に半導体加工用粘着テープを貼合せた状態を示し、図2(c)は、半導体ウェハの裏面を研削する工程を示す。It is a schematic sectional drawing explaining the processing process of the semiconductor wafer using the adhesive tape for semiconductor processing of this invention. FIG. 2A shows a step of peeling a release film from the adhesive tape for semiconductor processing and exposing the adhesive layer, and FIG. 2B shows a step of attaching the adhesive tape for semiconductor processing on the convex side of the semiconductor wafer. FIG. 2C shows a step of grinding the back surface of the semiconductor wafer.

[半導体加工用粘着テープ]
本発明の半導体加工用粘着テープは、基材と、該基材の片面に設けられた粘着剤層とからなる粘着テープであって、前記基材は複層構造からなり、この複層構造の少なくとも1層は、環状オレフィンポリマーを80質量%以上含有する層Aであって、この層Aとは別に、直鎖状低密度ポリエチレンまたは高密度ポリエチレンを含有する層Bを有する。
本発明の半導体加工用粘着テープの好ましい形態について、以下に説明する。
[Adhesive tape for semiconductor processing]
The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing of the present invention is a pressure-sensitive adhesive tape comprising a base material and a pressure-sensitive adhesive layer provided on one surface of the base material, wherein the base material has a multi-layer structure, and has a multi-layer structure. At least one layer is a layer A containing 80% by mass or more of the cyclic olefin polymer, and has a layer B containing linear low-density polyethylene or high-density polyethylene separately from this layer A.
Preferred embodiments of the adhesive tape for semiconductor processing of the present invention will be described below.

本発明の半導体加工用粘着テープ1は、図1に示すように、基材2上に粘着剤層3が積層され、両層が一体化されたテープである。また、半導体加工用粘着テープ1は、粘着剤層3上に、粘着剤層3を保護するための剥離フィルム4をさらに備えていてもよい。本発明の半導体加工用粘着テープ1は、基材2、粘着剤層3および剥離フィルム4の積層体をロール状に巻いた形態とすることもできる。   The pressure-sensitive adhesive tape 1 for semiconductor processing according to the present invention is a tape in which a pressure-sensitive adhesive layer 3 is laminated on a base material 2 and both layers are integrated, as shown in FIG. The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing 1 may further include a release film 4 on the pressure-sensitive adhesive layer 3 for protecting the pressure-sensitive adhesive layer 3. The pressure-sensitive adhesive tape 1 for semiconductor processing of the present invention may be in a form in which a laminate of the base material 2, the pressure-sensitive adhesive layer 3, and the release film 4 is wound into a roll.

(基材2)
本発明の半導体加工用粘着テープ1の基材2は複層構造からなる。この複層構造の少なくとも1層は、環状オレフィンポリマー(以下、「COP」と称す。)を含有する層Aであって、この層Aとは別に、複層構造の少なくとも1層として、直鎖状低密度ポリエチレンまたは高密度ポリエチレンを含有する層Bを有する。
(Base material 2)
The substrate 2 of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing 1 of the present invention has a multilayer structure. At least one layer of the multilayer structure is a layer A containing a cyclic olefin polymer (hereinafter, referred to as “COP”). Apart from this layer A, at least one layer of the multilayer structure has a linear structure. A layer B containing low-density polyethylene or high-density polyethylene.

本明細書において、COPは、環状オレフィンの開環重合体やその水素付加体、環状オレフィンの付加重合体を意味し、環状オレフィンコポリマー(以下、「COC」と称す。)と呼ばれる、環状オレフィンと鎖状オレフィンとの付加共重合体も含む。
モノマーとしての環状オレフィンは、環状の、アルケンまたはアルキンであって、開環重合または付加重合によりポリマーを形成可能な化合物であればよい。炭素数は4〜12が好ましい。環状オレフィンは、二環式オレフィンを含んでいればよく、さらに単環式オレフィン及び/又は三環以上の多環式オレフィンを含んでいてもよい。単環式オレフィンとしては、例えば、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘプテン、シクロオクテンなどの炭素数4〜12の環状シクロオレフィン類などが挙げられる。二環式オレフィン又は三環以上の多環式オレフィンとしては、例えば、ジシクロペンタジエン;2,3−ジヒドロジシクロペンタジエン、メタノオクタヒドロフルオレン、ジメタノオクタヒドロナフタレン、ジメタノシクロペンタジエノナフタレン、メタノオクタヒドロシクロペンタジエノナフタレンなどの誘導体;6−エチル−オクタヒドロナフタレンなどの置換基を有する誘導体;シクロペンタジエンとテトラヒドロインデン等との付加物、シクロペンタジエンの3〜4量体、ノルボルネン、及びテトラシクロドデセン等が挙げられ、ノルボルネン及びテトラシクロドデセンが好ましい。
また、鎖状オレフィンは、鎖状の、アルケンまたはアルキンであって、環状オレフィンとの付加重合によりポリマーを形成可能な化合物であればよい。炭素数は2〜10が好ましく、2〜8がより好ましく、2〜4がさらに好ましい。具体的には、エチレン、プロピレン、1−ブテン、イソブテン、1−ペンテン、3−メチル−1−ペンテン、4−メチル−1−ペンテン、1−ヘキセン、1−オクテンなどの炭素数2〜10の鎖状オレフィン類などが挙げられる。これらの鎖状オレフィンは、単独で又は二種以上組み合わせて使用することができ、特にエチレンが好ましい。
上記層A中、COPの含有量は80質量%以上であり、90質量%以上が好ましい。上限値に特に制限はなく、100質量%以下である。なお、COPがCOCである場合には、COPの含有量とはCOCの含有量である。
上記COPとしては、具体的には、いずれも商品名で、日本ゼオン社製の「ZEONOR」およびポリプラスチックス社製の「Topas」などが挙げられる。
In this specification, COP means a ring-opened polymer of a cyclic olefin, a hydrogenated product thereof, and an addition polymer of a cyclic olefin, and is referred to as a cyclic olefin copolymer (hereinafter, referred to as “COC”). Includes addition copolymers with linear olefins.
The cyclic olefin as the monomer may be a cyclic alkene or alkyne, as long as it is a compound capable of forming a polymer by ring-opening polymerization or addition polymerization. The number of carbon atoms is preferably 4 to 12. The cyclic olefin only needs to include a bicyclic olefin, and may further include a monocyclic olefin and / or a tricyclic or higher polycyclic olefin. Examples of the monocyclic olefin include cyclic cycloolefins having 4 to 12 carbon atoms such as cyclobutene, cyclopentene, cycloheptene, and cyclooctene. Examples of the bicyclic olefin or tricyclic or higher polycyclic olefin include, for example, dicyclopentadiene; 2,3-dihydrodicyclopentadiene, methanooctahydrofluorene, dimethanooctahydronaphthalene, dimethanocyclopentadienonaphthalene, Derivatives having substituents such as 6-ethyl-octahydronaphthalene; adducts of cyclopentadiene with tetrahydroindene, etc., trimer and tetramer of cyclopentadiene, norbornene, and the like. Examples include tetracyclododecene and the like, with norbornene and tetracyclododecene being preferred.
The chain olefin may be a chain alkene or alkyne as long as it is a compound capable of forming a polymer by addition polymerization with a cyclic olefin. As for carbon number, 2-10 are preferred, 2-8 are more preferred, and 2-4 are still more preferred. Specifically, it has 2 to 10 carbon atoms such as ethylene, propylene, 1-butene, isobutene, 1-pentene, 3-methyl-1-pentene, 4-methyl-1-pentene, 1-hexene and 1-octene. Chain olefins and the like. These chain olefins can be used alone or in combination of two or more, and ethylene is particularly preferable.
In the layer A, the content of COP is 80% by mass or more, and preferably 90% by mass or more. The upper limit is not particularly limited, and is 100% by mass or less. When COP is COC, the content of COP is the content of COC.
Specific examples of the COP include trade names of “ZEONOR” manufactured by Zeon Corporation and “Topas” manufactured by Polyplastics.

COPのうち、環状オレフィンの単独重合体は非晶質樹脂であり、硬く脆い性質を有し、シートやフィルムを成形する際にも高温処理が必要である。
一方、COCは環状オレフィンとエチレンとの共重合体であるため、柔軟性と延性を有する。また、重合比(含有量比)を調整することで、様々な特性を有するCOCが得られる。
COCの構成成分中、エチレン成分含有量は30〜40質量%が好ましく、35〜40質量%がより好ましい。エチレン成分含有量が少なすぎると、基材が非常に脆く、半導体加工用粘着テープが破断するおそれがある。また、エチレン成分含有量が多すぎると、エチレン成分の性質が強くなり、十分な剛性が得られないおそれがある。
Among COPs, a homopolymer of a cyclic olefin is an amorphous resin, has a hard and brittle property, and requires a high-temperature treatment when forming a sheet or a film.
On the other hand, since COC is a copolymer of cyclic olefin and ethylene, it has flexibility and ductility. Further, by adjusting the polymerization ratio (content ratio), COC having various characteristics can be obtained.
In the components of the COC, the content of the ethylene component is preferably from 30 to 40% by mass, and more preferably from 35 to 40% by mass. If the content of the ethylene component is too small, the base material is very brittle, and the adhesive tape for semiconductor processing may be broken. On the other hand, if the content of the ethylene component is too large, the properties of the ethylene component become strong, and sufficient rigidity may not be obtained.

上記基材2は、COPを含有する層Aとは別の層として、層Aとの密着性が良好な、直鎖状低密度ポリエチレン(以下、「LLDPE」と称す。)または高密度ポリエチレン(以下、「HDPE」と称す。)を含有する層Bを有する。なお、低密度ポリエチレン(以下、「LDPE」と称す。)は、層Aとの十分な層間密着性を得られない点から、好ましくない。層間密着性が不十分であると、剥離性が不十分となったり、被着体である半導体ウェハの加工中に層間で剥離が発生し、ウェハが破損する可能性がある。   The base material 2 is a layer different from the layer A containing COP, which has good adhesion to the layer A and has a linear low-density polyethylene (hereinafter, referred to as “LLDPE”) or high-density polyethylene ( Hereinafter, referred to as “HDPE”). Note that low-density polyethylene (hereinafter, referred to as “LDPE”) is not preferable because sufficient interlayer adhesion with the layer A cannot be obtained. If the adhesion between the layers is insufficient, there is a possibility that the releasability will be insufficient, or the separation will occur between the layers during processing of the semiconductor wafer as the adherend, and the wafer may be damaged.

LLDPE及びHDPEはエチレンとα−オレフィンとの共重合体であってもよい。α−オレフィンとしては、炭素数が3〜10の範囲にあるものが好ましく、プロピレン、ブテン−1、ペンテン−1、ヘキセン−1、4−メチルペンテン−1、ヘプテン−1、オクテン−1等を挙げることができる。
LLDPE及びHDPEがエチレンとα−オレフィンとの共重合体である場合、共重合体の全構成成分中、エチレン成分の含有量は95〜99質量%が好ましく96〜98質量%がより好ましい。
LLDPE and HDPE may be a copolymer of ethylene and an α-olefin. As the α-olefin, those having a carbon number in the range of 3 to 10 are preferable, and propylene, butene-1, pentene-1, hexene-1, 4-methylpentene-1, heptene-1, octene-1 and the like can be used. Can be mentioned.
When LLDPE and HDPE are copolymers of ethylene and α-olefin, the content of the ethylene component in all the constituent components of the copolymer is preferably 95 to 99% by mass, more preferably 96 to 98% by mass.

上記層B中、LLDPE及びHDPEの含有量は50質量%以上が好ましく、80質量%以上がより好ましい。上限値に特に制限はなく、100質量%以下である。なお、LLDPE及びHDPEがエチレンとα−オレフィンとの共重合体である場合には、LLDPE及びHDPEの含有量とは、エチレンとα−オレフィンとの共重合体の含有量である。   In the layer B, the content of LLDPE and HDPE is preferably 50% by mass or more, more preferably 80% by mass or more. The upper limit is not particularly limited, and is 100% by mass or less. When LLDPE and HDPE are a copolymer of ethylene and α-olefin, the content of LLDPE and HDPE is the content of the copolymer of ethylene and α-olefin.

LLDPEの密度は、0.95g/cm以下が好ましく、0.94g/cm以下がより好ましく、0.93g/cm以下がさらに好ましい。下限値は、0.89g/cm以上が実際的である。
LLDPEのメルトフローレート(MFR)は、4.0g/10min以下が好ましく、2.0g/10min以下がより好ましく、1.0g/10min以下がさらに好ましい。下限値は、0.5g/10min以上が実際的である。
また、HDPEの密度は、0.97g/cm以下が好ましく、0.96g/cm以下がより好ましい。下限値は、0.5g/cm以上が実際的である。
HDPEのMFR(melt flow rate)は、6.0g/10min以下が好ましく、5.0g/10min以下がより好ましい。下限値は、0.5g/10min以上が実際的である。
MFRは温度190℃、荷重21.18Nでの値であり、密度及びMFRは、実施例記載の方法により測定することができる。
The density of LLDPE is preferably from 0.95 g / cm 3 or less, more preferably 0.94 g / cm 3 or less, more preferably 0.93 g / cm 3 or less. The lower limit is practically 0.89 g / cm 3 or more.
The melt flow rate (MFR) of LLDPE is preferably 4.0 g / 10 min or less, more preferably 2.0 g / 10 min or less, and even more preferably 1.0 g / 10 min or less. The lower limit is practically 0.5 g / 10 min or more.
The density of HDPE is preferably 0.97 g / cm 3 or less, more preferably 0.96 g / cm 3 or less. The lower limit is practically 0.5 g / cm 3 or more.
The MFR (melt flow rate) of HDPE is preferably 6.0 g / 10 min or less, more preferably 5.0 g / 10 min or less. The lower limit is practically 0.5 g / 10 min or more.
The MFR is a value at a temperature of 190 ° C. and a load of 21.18 N, and the density and the MFR can be measured by the methods described in Examples.

LLDPEとしては、COCを含有する層Aとの密着性の観点から、なかでもメタロセンポリエチレンが好ましい。
本明細書において「メタロセンポリエチレン」とは、メタロセン触媒を用いて得られるエチレン系ポリオレフィン(以下、「メタロセン触媒エチレン系ポリオレフィン」ということがある。)を意味し、エチレン、または、エチレンとα−オレフィンの混合単量体を、メタロセン触媒の存在下に重合させることにより得られる。したがって、メタロセン触媒を用いて得られるエチレン系ポリオレフィンは、メタロセン触媒の存在下で重合反応を行って得られるポリエチレン、および、エチレンとα−オレフィンとの共重合体を含む。
As the LLDPE, metallocene polyethylene is particularly preferable from the viewpoint of adhesion to the layer A containing COC.
In the present specification, “metallocene polyethylene” means an ethylene-based polyolefin obtained by using a metallocene catalyst (hereinafter, sometimes referred to as “metallocene-catalyzed ethylene-based polyolefin”), and ethylene, or ethylene and α-olefin. Is obtained by polymerizing the mixed monomer in the presence of a metallocene catalyst. Therefore, an ethylene-based polyolefin obtained using a metallocene catalyst includes polyethylene obtained by performing a polymerization reaction in the presence of a metallocene catalyst, and a copolymer of ethylene and an α-olefin.

メタロセン触媒は、メタロセン、即ち、置換または未置換のシクロペンタジエニル環2個と各種の遷移金属で構成されている錯体からなる遷移金属成分と、有機アルミニウム成分、特にアルミノキサンとからなる触媒の総称である。遷移金属成分としては、周期律表第IVb族、第Vb族または第VIb族の金属、特にジルコニウムまたはハフニウムが挙げられる。触媒中の遷移金属成分としては、一般に下記式
(Cp)MR
(式中、Cpは置換または未置換のシクロペンタジエニル環であり、Mは遷移金属であり、Rはハロゲン原子またはアルキル基である。)で表されるものが一般的に使用されている。
The metallocene catalyst is a general term for a metallocene, that is, a transition metal component composed of a complex composed of two substituted or unsubstituted cyclopentadienyl rings and various transition metals, and an organoaluminum component, particularly an aluminoxane. It is. Examples of the transition metal component include metals of Group IVb, Vb or VIb of the periodic table, particularly zirconium or hafnium. The transition metal component in the catalyst generally has the following formula (Cp) 2 MR 2
(Wherein Cp is a substituted or unsubstituted cyclopentadienyl ring, M is a transition metal, and R is a halogen atom or an alkyl group). .

アルミノキサンとしては、有機アルミニウム化合物を水と反応させることにより得られたものであり、線状アルミノキサン及び環状アルミノキサンがある。これらのアルミノキサンは、単独でも、他の有機アルミニウムとの組み合わせでも使用できる。   The aluminoxane is obtained by reacting an organic aluminum compound with water, and includes a linear aluminoxane and a cyclic aluminoxane. These aluminoxanes can be used alone or in combination with other organic aluminum.

メタロセン触媒を用いるエチレンまたはエチレンとα−オレフィンとの重合法は、多数の公報で公知であり、前記メタロセン触媒の存在下、有機溶剤中、液状単量体中または気相法での重合により合成されるが、これら公知のいずれの方法によるものでも、前記条件を満足するものは本発明の目的に使用できる。   A polymerization method of ethylene or ethylene and an α-olefin using a metallocene catalyst is known in many publications, and is synthesized by polymerization in an organic solvent, in a liquid monomer or in a gas phase method in the presence of the metallocene catalyst. However, any of these known methods satisfying the above conditions can be used for the purpose of the present invention.

エチレンとα−オレフィンとの共重合体の場合、具体的なα−オレフィンおよび共重合体の全構成成分中のエチレン成分の含有量としては、上記LLDPEにおけるエチレンとα−オレフィンとの共重合体における記載を好ましく適用することができる。   In the case of a copolymer of ethylene and an α-olefin, the specific content of the ethylene component in all the constituent components of the α-olefin and the copolymer may be a copolymer of ethylene and an α-olefin in the above LLDPE. Can be preferably applied.

メタロセン触媒エチレン系ポリオレフィンは、分子量分布が狭いのが特徴であり、本発明においては、分子量分布の指標である多分散度(質量平均分子量Mw/数平均分子量Mn)が好ましくは4.0以下、より好ましくは3.5以下、更に好ましくは3.2以下であるものが使用される。なお、成形性を改善する目的で、重合時またはその後の工程にて比較的長鎖の分岐を導入したものも好適に使用される。また、メタロセン触媒エチレン系ポリオレフィンは、通常、密度は0.89〜0.95g/cmであり、好ましくは0.91〜0.93g/cm程度であり、MFRは0.1〜10g/10分であり、好ましくは0.3〜5g/10分程度である。 The metallocene-catalyzed ethylene-based polyolefin is characterized by a narrow molecular weight distribution, and in the present invention, the polydispersity (weight average molecular weight Mw / number average molecular weight Mn), which is an index of the molecular weight distribution, is preferably 4.0 or less, More preferably, it is 3.5 or less, and still more preferably, it is 3.2 or less. For the purpose of improving the moldability, those having a relatively long-chain branch introduced in the polymerization or in a subsequent step are also preferably used. The metallocene-catalyzed ethylene polyolefin generally has a density of 0.89 to 0.95 g / cm 3 , preferably about 0.91 to 0.93 g / cm 3 , and an MFR of 0.1 to 10 g / cm 3. 10 minutes, preferably about 0.3 to 5 g / 10 minutes.

層B中にメタロセン触媒エチレン系ポリオレフィンが存在することは、以下の方法で確認することができる。すなわち、層Bを厚み100μmにガラスにて切断して試料とし、走査電子顕微鏡SEMに敷設して、生じた蛍光X線をエネルギー分配する分析器で測定し、Zr(ジルコニウム)またはHf(ハフニウム)のエネルギーに相当するピークの存在を確認する。   The presence of the metallocene-catalyzed ethylene-based polyolefin in the layer B can be confirmed by the following method. That is, the layer B is cut into a sample having a thickness of 100 μm with glass to be laid on a scanning electron microscope (SEM), and the resulting fluorescent X-rays are measured by an analyzer that distributes energy, and Zr (zirconium) or Hf (hafnium) is measured. Confirm the presence of a peak corresponding to the energy of

メタロセン触媒エチレン系ポリオレフィンは、合成品を使用することができるが、市販品の中から選択して使用することもできる。市販品としては、宇部丸善ポリエチレン社製のユメリット(登録商標)、住友化学株式会社製のエクセレン(登録商標)、日本ポリエチレン株式会社製のハーモレックス(登録商標)及びカーネル(登録商標)などがある。   As the metallocene-catalyzed ethylene-based polyolefin, a synthetic product can be used, and a commercially available product can be selected and used. Commercially available products include Yumerit (registered trademark) manufactured by Ube Maruzen Polyethylene Co., Ltd., Exelen (registered trademark) manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., Harmolex (registered trademark) and Kernel (registered trademark) manufactured by Japan Polyethylene Corporation. .

上記LLDPE及びHDPEは柔軟なため、ウェハ研削時のクッション性が良好である。また、耐熱性の観点から、樹脂の融点は60℃以上が好ましい。
各々の樹脂は、単独で基材2を構成する層として使用してもよく、樹脂同士を組み合わせてブレンドして用いてもよい。また、基材2を構成する層は、上記樹脂以外に、着色剤、酸化防止剤、帯電防止剤などの添加物を、必要に応じて物性に影響が出ない範囲で含有していてもよい。
Since the above LLDPE and HDPE are flexible, the cushioning property at the time of wafer grinding is good. From the viewpoint of heat resistance, the melting point of the resin is preferably 60 ° C. or higher.
Each of the resins may be used alone as a layer constituting the base material 2 or may be used in combination by blending the resins. Further, the layer constituting the base material 2 may contain additives such as a coloring agent, an antioxidant, and an antistatic agent in addition to the above-described resin, as needed, in a range that does not affect the physical properties. .

上記基材2の厚さは、特に限定されるものではないが、50〜200μmが好ましく、80〜180μmがより好ましい。
上記層Aの厚さは、剛性の点から、20〜100μmが好ましく、30〜60μmがより好ましい。また、上記層Bの厚さは、柔軟性の点から、10〜100μmが好ましく、20〜80μmがより好ましい。
基材2が、2層以上の層A、2層以上の層Bを有する場合は、「層Aの厚さ」、「層Bの厚さ」は、各層の合計厚さを意味する。
The thickness of the base material 2 is not particularly limited, but is preferably 50 to 200 μm, and more preferably 80 to 180 μm.
The thickness of the layer A is preferably from 20 to 100 μm, more preferably from 30 to 60 μm, from the viewpoint of rigidity. The thickness of the layer B is preferably from 10 to 100 μm, more preferably from 20 to 80 μm, from the viewpoint of flexibility.
When the base material 2 has two or more layers A and two or more layers B, “the thickness of the layer A” and “the thickness of the layer B” mean the total thickness of each layer.

基材2の層構成としては、層A及び層Bを少なくとも1層ずつ含む複層構造である限り特に限定されるものではないが、層Aと層Bが隣接して積層された層構成が好ましく、層B/層A/層Bがこの順に積層された3層以上の層構成がより好ましく、層B/層A/層Bがこの順に積層された3層構成がさらに好ましい。ここで、層B及び層Bは、上記層Bを意味し、互いに同一の層であってもよく、異なる層であってもよい。 The layer configuration of the base material 2 is not particularly limited as long as it has a multilayer structure including at least one layer A and one layer B. A layer configuration in which the layer A and the layer B are stacked adjacent to each other is preferred. preferably, the layer B 1 / layer a / layer B 2 is 3 or more layers structure is more preferable are laminated in this order, more preferably 3-layer structure in which a layer B 1 / layer a / layer B 2 are laminated in this order . Here, the layers B 1 and the layer B 2 refers to the layer B, may be the same layers together, it may be a different layer.

基材2の粘着剤層3が設けられる側の表面には、粘着剤層3との密着性を向上させるために、コロナ処理やプライマー層を設ける等の処理を適宜施してもよい。   The surface of the base material 2 on the side where the pressure-sensitive adhesive layer 3 is provided may be appropriately subjected to treatment such as corona treatment or provision of a primer layer in order to improve the adhesion to the pressure-sensitive adhesive layer 3.

上記基材2の製造方法は特に限定されない。押出・インフレーション・キャストなどの情報により作製することができる。また、独立に製膜したフィルムと他のフィルムとを接着剤等で貼り合わせて基材2とすることもできる。   The method for producing the substrate 2 is not particularly limited. It can be produced by information such as extrusion, inflation and casting. Alternatively, the base material 2 can be obtained by bonding an independently formed film and another film with an adhesive or the like.

(粘着剤層3)
本発明の半導体加工用粘着テープ1の粘着剤層3は、粘着剤を含有する層であればよく、例えば、粘着剤組成物を用いて形成される。この粘着剤組成物は、特に制限されず、通常のアクリル、ゴム、シリコーン等の粘着剤を含有する組成物が挙げられる。耐候性や価格等の点から、アクリル粘着剤が好適に用いられる。
(Adhesive layer 3)
The pressure-sensitive adhesive layer 3 of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing 1 of the present invention may be a layer containing a pressure-sensitive adhesive, and is formed using, for example, a pressure-sensitive adhesive composition. The pressure-sensitive adhesive composition is not particularly limited, and examples thereof include a composition containing a normal pressure-sensitive adhesive such as acrylic, rubber, or silicone. An acrylic pressure-sensitive adhesive is preferably used in terms of weather resistance, price, and the like.

アクリル粘着剤としては、(メタ)アクリル酸エステルを構成成分として有する共重合体(以下、「(メタ)アクリル酸エステル共重合体」と称す。)を挙げることができる。また、(メタ)アクリル酸エステル共重合体以外に、後述する硬化剤を含有していてもよい。
また、本発明においては(メタ)アクリル系単量体は、アクリル系単量体とメタクリル系単量体の両者を含むものとする。
Examples of the acrylic pressure-sensitive adhesive include a copolymer having a (meth) acrylate ester as a constituent component (hereinafter, referred to as a “(meth) acrylate ester copolymer”). Further, in addition to the (meth) acrylate copolymer, a curing agent described below may be contained.
In the present invention, the (meth) acrylic monomer includes both an acrylic monomer and a methacrylic monomer.

上記(メタ)アクリル酸エステル共重合体の構成成分である(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、メチル、エチル、n−プルピル、イソプルピル、n−ブチル、t−ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、ヘキシル、ヘプチル、シクロヘキシル、2−エチルヘキシル、オクチル、イソオクチル、ノニル、イソノニル、デシル、イソデシル、ウンデシル、ラウリル、トリデシル、テトラデシル、ステアリル、オクタデシル、及びドデシルなどの炭素数30以下、好ましくは炭素数4〜18の直鎖又は分岐のアルキル基を有するアルキルアクリレート又はアルキルメタクリレートが挙げられる。これらアルキル(メタ)アクリレートは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
(メタ)アクリル系共重合体の構成成分中、上記(メタ)アクリル酸エステル成分の含有量は80質量%以上が好ましく、90質量%以上がより好ましく、95〜99.9質量%がより好ましい。
Examples of the (meth) acrylate which is a component of the (meth) acrylate copolymer include, for example, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, t-butyl, isobutyl, amyl, isoamyl, Hexyl, heptyl, cyclohexyl, 2-ethylhexyl, octyl, isooctyl, nonyl, isononyl, decyl, isodecyl, undecyl, lauryl, tridecyl, tetradecyl, stearyl, octadecyl, dodecyl and the like, having 30 or less carbon atoms, preferably 4 to 18 carbon atoms And an alkyl acrylate or alkyl methacrylate having a linear or branched alkyl group. These alkyl (meth) acrylates may be used alone or in combination of two or more.
In the components of the (meth) acrylic copolymer, the content of the (meth) acrylate component is preferably 80% by mass or more, more preferably 90% by mass or more, and even more preferably 95 to 99.9% by mass. .

上記(メタ)アクリル酸エステル共重合体は、上記(メタ)アクリル酸エステル以外の構成成分を含んでいてもよい。
その他の構成成分としては、例えば、(メタ)アクリル酸、カルボキシエチル(メタ)アクリレート、カルボキシペンチル(メタ)アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、及びクロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸や無水イタコン酸などの酸無水物モノマー、ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート(好ましくは、上記アルキル(メタ)アクリレートがヒドロキシ基で置換されたもの)などのヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート及び(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー、2−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー、(メタ)アクリルアミド、(メタ)アクリル酸N−ヒドロキシメチルアミド、(メタ)アクリル酸アルキルアミノアルキルエステル(例えば、ジメチルアミノエチルメタクリレート、t−ブチルアミノエチルメタクリレート等)、N−ビニルピロリドン、アクリロイルモルホリン、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等が挙げられる。これら構成成分は単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
The (meth) acrylate copolymer may contain a component other than the (meth) acrylate.
Other components include, for example, carboxyl group-containing monomers such as (meth) acrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid, and maleic anhydride. Acid anhydride monomers such as acids and itaconic anhydrides; hydroxyl group-containing monomers such as hydroxyalkyl (meth) acrylates (preferably, the above alkyl (meth) acrylates are substituted with hydroxy groups); styrene sulfonic acid; allyl sulfone Monomers containing sulfonic acid groups such as acid, 2- (meth) acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidopropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate and (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid , A phosphoric acid group-containing monomer such as 2-hydroxyethylacryloyl phosphate, (meth) acrylamide, (meth) acrylic acid N-hydroxymethylamide, (meth) acrylic acid alkylaminoalkyl ester (for example, dimethylaminoethyl methacrylate, t -Butylaminoethyl methacrylate), N-vinylpyrrolidone, acryloylmorpholine, vinyl acetate, styrene, acrylonitrile and the like. These components may be used alone or in combination of two or more.

粘着剤層3の固形成分中、(メタ)アクリル系共重合体の含有量(後述する硬化剤ないし光重合性化合物と反応する前の状態に換算した含有量)は80質量%以上が好ましく、90質量%以上がより好ましく、95〜99.9質量%がより好ましい。   In the solid component of the pressure-sensitive adhesive layer 3, the content of the (meth) acrylic copolymer (content in terms of a state before reacting with a curing agent or a photopolymerizable compound described later) is preferably 80% by mass or more, 90 mass% or more is more preferable, and 95 to 99.9 mass% is more preferable.

硬化剤としては、特開2007−146104号公報に記載の硬化剤を使用することができる。例えば、1,3−ビス(N,N−ジグリシジルアミノメチル)シクロヘキサン、1,3−ビス(N,N−ジグリシジルアミノメチル)トルエン、1,3−ビス(N,N−ジグリシジルアミノメチル)ベンゼン、N,N,N,N’−テトラグリシジル−m−キシレンジアミンなどの分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート、1,3−キシリレンジイソシアネート、1,4−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−4,4’−ジイソシアネートなどの分子中に2個以上のイソシアネート基を有するイソシアネート系化合物、テトラメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−(2−メチルアジリジン)プロピオネートなどの分子中に2個以上のアジリジニル基を有するアジリジン系化合物等が挙げられる。硬化剤の含有量は、所望の粘着力に応じて調整すれば良く、上記(メタ)アクリル酸エステル共重合体100質量部に対して、0.01〜10質量部が好ましく、0.1〜5質量部がより好ましい。   As the curing agent, a curing agent described in JP-A-2007-146104 can be used. For example, 1,3-bis (N, N-diglycidylaminomethyl) cyclohexane, 1,3-bis (N, N-diglycidylaminomethyl) toluene, 1,3-bis (N, N-diglycidylaminomethyl) ) Epoxy compounds having two or more epoxy groups in a molecule, such as benzene, N, N, N, N'-tetraglycidyl-m-xylenediamine, 2,4-tolylenediisocyanate, 2,6-tolylenediisocyanate , 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate, etc., an isocyanate compound having two or more isocyanate groups in a molecule, tetramethylol-tri-β-aziridini Rupropionate, trimethylol-tri-β-aziridinyl propionate, Aziridine compounds having two or more aziridinyl groups in a molecule, such as rimethylolpropane-tri-β-aziridinylpropionate, trimethylolpropane-tri-β- (2-methylaziridine) propionate, and the like. . The content of the curing agent may be adjusted according to the desired adhesive strength, and is preferably 0.01 to 10 parts by mass, and more preferably 0.1 to 10 parts by mass based on 100 parts by mass of the (meth) acrylate copolymer. 5 parts by mass is more preferred.

粘着剤層3は、上記粘着剤の他に、光重合性化合物と光重合開始剤を含有する、放射線硬化型粘着剤から構成されることも好ましい。粘着剤と光重合性化合物と光重合開始剤とを含有することで、放射線(好ましくは紫外線)を照射することにより硬化し、粘着剤層3の粘着力を低下させることができる。このような光重合性化合物としては、たとえば特開昭60−196956号公報および特開昭60−223139号公報に記載されている、光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも2個以上有する低分子量化合物やそれらを重合したオリゴマーを使用することができる。   The pressure-sensitive adhesive layer 3 is preferably composed of a radiation-curable pressure-sensitive adhesive containing a photopolymerizable compound and a photopolymerization initiator, in addition to the above-mentioned pressure-sensitive adhesive. By containing the pressure-sensitive adhesive, the photopolymerizable compound, and the photopolymerization initiator, the composition can be cured by irradiating radiation (preferably, ultraviolet rays), and the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer 3 can be reduced. Such photopolymerizable compounds include, for example, a photopolymerizable carbon-containing compound capable of forming a three-dimensional network by light irradiation, described in JP-A-60-196965 and JP-A-60-223139. Low molecular weight compounds having at least two or more carbon double bonds and oligomers obtained by polymerizing them can be used.

上記光重合性化合物は、具体的には、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレートあるいは1,4−ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート(エポキシ化合物の(メタ)アクリル酸付加体)、ポリエステル(メタ)アクリレート(ポリエステルの(メタ)アクリル酸付加体)、及びウレタン(メタ)アクリレート(ウレタンの(メタ)アクリル酸付加体)などが用いられる。   The photopolymerizable compound is, specifically, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxy Penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate or 1,4-butylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, (poly ) Ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate (epoxy compound (meth) acrylic acid adduct), polyether Ether (meth) acrylates (the polyester (meth) acrylic acid adduct), and urethane (meth) acrylate ((meth) acrylic acid adduct of urethane) are used.

上記光重合開始剤としては、特開2007−146104号公報又は特開2004−186429号公報に記載の光重合開始剤を使用することができる。具体的には、イソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ベンジルメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を使用することができる。   As the photopolymerization initiator, the photopolymerization initiator described in JP-A-2007-146104 or JP-A-2004-186429 can be used. Specifically, isopropyl benzoin ether, isobutyl benzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, benzyl methyl ketal, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethyl phenyl propane and the like can be used.

上記放射線硬化型粘着剤としては、上記(メタ)アクリル酸エステル共重合体と、分子内に放射線重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも2個以上有する低分子量化合物との組み合わせの他にも、(メタ)アクリル酸エステルを構成成分として有する共重合体であって、この共重合体を構成する繰り返し単位が放射線重合性炭素−炭素二重結合を有する(メタ)アクリル系共重合体(以下、「放射線重合性(メタ)アクリル系共重合体」と称す。)を用いることも好ましい。
放射線重合性(メタ)アクリル系共重合体は、共重合体の分子中に、放射線、特に紫外線照射で重合反応することが可能な反応性の基を有する共重合体である。
このような反応性の基とは、エチレン性不飽和基すなわち、炭素−炭素二重結合(エチレン性不飽和結合)を有する基であり、ビニル基、アリル基、スチリル基、(メタ)アクリロイルオキシ基、(メタ)アクリロイルアミノ基などが挙げられる。
Examples of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive include a combination of the (meth) acrylate copolymer and a low-molecular-weight compound having at least two radiation-polymerizable carbon-carbon double bonds in a molecule, A copolymer having a (meth) acrylic acid ester as a constituent component, wherein a repeating unit constituting the copolymer has a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond. It is also preferable to use "radiation polymerizable (meth) acrylic copolymer".
The radiation polymerizable (meth) acrylic copolymer is a copolymer having a reactive group capable of undergoing a polymerization reaction by irradiation with radiation, particularly ultraviolet light, in the molecule of the copolymer.
Such a reactive group is an ethylenically unsaturated group, that is, a group having a carbon-carbon double bond (ethylenically unsaturated bond), such as a vinyl group, an allyl group, a styryl group, and a (meth) acryloyloxy group. And a (meth) acryloylamino group.

上記の放射線重合性(メタ)アクリル系共重合体は、特に制限はなく、例えば、官能基aを有する(メタ)アクリル系共重合体と、該官能基aと反応し得る官能基bおよび放射線重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物(以下、「官能基bを有する放射線重合性化合物」と称す。)とを反応させて得た(メタ)アクリル系共重合体を挙げることができる。   The radiation polymerizable (meth) acrylic copolymer is not particularly limited. For example, a (meth) acrylic copolymer having a functional group a, a functional group b capable of reacting with the functional group a, and radiation A (meth) acrylic copolymer obtained by reacting with a compound having a polymerizable carbon-carbon double bond (hereinafter referred to as “radiation polymerizable compound having a functional group b”) can be exemplified.

上記の炭素−炭素二重結合を有する(メタ)アクリル系共重合体としては、例えば、特開2014−192204号公報の段落番号[0036]〜[0055]に記載のものと同様の材料を挙げることができる。   Examples of the (meth) acrylic copolymer having a carbon-carbon double bond include the same materials as those described in paragraphs [0036] to [0055] of JP-A-2014-192204. be able to.

上記の官能基bを有する放射線重合性化合物において、官能基bは、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができる。具体的な官能基bを有する放射線重合性化合物としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、けい皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、2−ヒドロキシアルキルアクリレート類、2−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、N−メチロールアクリルアミド、N−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、N−アルキルアミノエチルアクリレート類、N−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線重合性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。   In the radiation polymerizable compound having the functional group b, the functional group b can include a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, a cyclic acid anhydride group, an epoxy group, an isocyanate group, and the like. Specific examples of the radiation polymerizable compound having a functional group b include, for example, acrylic acid, methacrylic acid, cinnamic acid, itaconic acid, fumaric acid, phthalic acid, 2-hydroxyalkyl acrylates, 2-hydroxyalkyl methacrylates, Glycol monoacrylates, glycol monomethacrylates, N-methylol acrylamide, N-methylol methacrylamide, allyl alcohol, N-alkylaminoethyl acrylates, N-alkylaminoethyl methacrylates, acrylamides, methacrylamides, maleic anhydride , Itaconic anhydride, fumaric anhydride, phthalic anhydride, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, allyl glycidyl ether, part of the isocyanate group of the polyisocyanate compound is a hydroxyl group or Carboxyl group and a radiation-polymerizable carbon - can enumerate such as those urethanization a monomer having a carbon-carbon double bond.

上記の官能基aを有する(メタ)アクリル系共重合体と、上記の官能基bを有する放射線重合性化合物との反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価および水酸基価などを、適宜設定することができる。
上記の放射線重合性(メタ)アクリル系共重合体は、各種の溶剤中で溶液重合することにより得ることができる。溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができる。一般にアクリル系重合体の良溶媒で、沸点60〜120℃の溶剤を使用することが好ましい。例えば、トルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどを使用することができる。重合開始剤としては、α,α’−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を用いることができる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の共重合体を得ることができる。なお、合成方法は、溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。
In the reaction between the (meth) acrylic copolymer having the functional group a and the radiation-polymerizable compound having the functional group b, an acid value and a hydroxyl value are reduced by leaving unreacted functional groups. Can be set as appropriate.
The radiation polymerizable (meth) acrylic copolymer can be obtained by solution polymerization in various solvents. Ketone, ester, alcohol and aromatic solvents can be used as the organic solvent in the case of solution polymerization. In general, it is preferable to use a solvent having a boiling point of 60 to 120 ° C. which is a good solvent for the acrylic polymer. For example, toluene, ethyl acetate, isopropyl alcohol, benzene, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, acetone, methyl ethyl ketone and the like can be used. As the polymerization initiator, an azobis-based radical generator such as α, α'-azobisisobutylnitrile and an organic peroxide-based radical generator such as benzoyl peroxide can be used. At this time, a catalyst and a polymerization inhibitor can be used together if necessary, and a copolymer having a desired molecular weight can be obtained by adjusting the polymerization temperature and the polymerization time. The synthesis method is not limited to solution polymerization, and other methods such as bulk polymerization and suspension polymerization may be used.

その他、粘着剤層3を構成する粘着剤組成物は、必要に応じて離型剤、粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤等、あるいはその他の改質剤等を含有してもよい。また、無機化合物フィラーを含有してもよい。   In addition, the pressure-sensitive adhesive composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer 3 may contain a release agent, a tackifier, a pressure-adjusting agent, a surfactant, and the like, or other modifiers, if necessary. Moreover, you may contain an inorganic compound filler.

粘着剤層3は、粘着剤組成物を剥離フィルム4上に塗布、乾燥させて基材2に転写することで形成することができる。本発明において粘着剤層3の厚さは、10〜60μmが好ましく、20〜50μmがより好ましい。厚すぎると、半導体ウェハ5(図2参照)表面への過度な密着、半導体ウェハ5表面の凸部51(図2参照)への埋め込みによって、半導体加工用粘着テープ1の剥離後に、半導体ウェハ5表面への糊残りが発生するおそれがある。上記上限値以下とすることにより、粘着剤の過剰な密着を抑制できる。薄すぎると、半導体ウェハ5表面の凸部51に粘着剤層3が追従できず、シリコンの研削屑を含んだ研削水が半導体加工用粘着テープ1と半導体ウェハ5との隙間から入り込んで半導体ウェハ5の回路面を汚染する、いわゆるシーページなどの要因となるおそれがある。   The pressure-sensitive adhesive layer 3 can be formed by applying the pressure-sensitive adhesive composition on the release film 4, drying the transfer, and transferring it to the substrate 2. In the present invention, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is preferably from 10 to 60 μm, more preferably from 20 to 50 μm. If the thickness is too large, the semiconductor wafer 5 (see FIG. 2) may be excessively adhered to the surface and embedded in the protrusions 51 (see FIG. 2) on the surface of the semiconductor wafer 5 so that the semiconductor wafer 5 is peeled off after the semiconductor processing adhesive tape 1 is peeled off. Adhesive residue may be generated on the surface. When the content is not more than the upper limit, excessive adhesion of the pressure-sensitive adhesive can be suppressed. If the thickness is too thin, the pressure-sensitive adhesive layer 3 cannot follow the projections 51 on the surface of the semiconductor wafer 5, and grinding water containing silicon grinding chips enters from the gap between the semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape 1 and the semiconductor wafer 5, and 5 may cause contamination of the circuit surface, that is, so-called seapage.

(剥離フィルム4)
剥離フィルム4は、セパレータや剥離層、剥離ライナーとも呼ばれ、放射線硬化型粘着剤層を保護する目的のため、また放射線硬化型粘着剤層を平滑にする目的のために、必要に応じて設けられる。剥離フィルム4の構成材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムや紙などが挙げられる。剥離フィルム4の表面には粘着剤層3からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていてもよい。また、必要に応じて、粘着剤層3の環境紫外線による反応を防止するため、紫外線防止処理が施されていてもよい。剥離フィルム4の厚みは、通常10〜50μmであり、好ましくは25〜38μmである。
(Release film 4)
The release film 4 is also provided as necessary for the purpose of protecting the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer and also for the purpose of smoothing the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer, also called a separator, a release layer, or a release liner. Can be Examples of a constituent material of the release film 4 include a synthetic resin film such as polyethylene, polypropylene, and polyethylene terephthalate, and paper. The surface of the release film 4 may be subjected to a release treatment such as a silicone treatment, a long-chain alkyl treatment, a fluorine treatment, or the like, as necessary, in order to enhance the releasability from the adhesive layer 3. Further, if necessary, an ultraviolet ray prevention treatment may be applied to prevent the reaction of the pressure-sensitive adhesive layer 3 due to environmental ultraviolet rays. The thickness of the release film 4 is usually 10 to 50 μm, preferably 25 to 38 μm.

[半導体デバイスの製造方法]
本発明の半導体加工用粘着テープは、各チップの個片化予定領域に沿ってレーザーを照射して半導体ウェハ内部に改質層を形成した半導体ウェハ(以下、「半導体ウェハA」と称す。)、または、各チップの個片化予定領域に沿って機械的手段により溝を形成した半導体ウェハ(以下、「半導体ウェハB」と称す。)を、前記半導体ウェハの裏面研削によりチップへ個片化(分割)する半導体チップの製造に、好ましく用いられる。
ここで、「半導体ウェハの裏面」とは、半導体ウェハがその表面に半導体素子の回路などが形成されたパターン面に対して、反対側に位置する面を意味する。パターン面とは、具体的には、半導体ウェハAにおける改質層形成面、半導体ウェハBにおける溝形成面である。
「各チップの個片化予定領域」とは、ウェハのスクライブラインを意味する。
また、「チップへ個片化」とは、半導体ウェハから半導体チップが個片化された状態を意味し、個片化された半導体チップが本発明の半導体加工用粘着テープ上に貼合されている状態を含む。
[Semiconductor device manufacturing method]
The semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape of the present invention is a semiconductor wafer having a modified layer formed inside a semiconductor wafer by irradiating a laser along an area to be singulated for each chip (hereinafter, referred to as “semiconductor wafer A”). Alternatively, a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a “semiconductor wafer B”) in which a groove is formed by a mechanical means along an area to be singulated for each chip is singulated into chips by grinding the back surface of the semiconductor wafer. It is preferably used for manufacturing (divided) semiconductor chips.
Here, "the back surface of the semiconductor wafer" means a surface of the semiconductor wafer located on the opposite side to a pattern surface on which a circuit of a semiconductor element is formed. Specifically, the pattern surface is a surface on which the modified layer is formed on the semiconductor wafer A and a surface on which the groove is formed on the semiconductor wafer B.
The “segmentation planned area of each chip” means a scribe line of a wafer.
In addition, “singulation into chips” means a state in which semiconductor chips are singulated from a semiconductor wafer, and the singulated semiconductor chips are bonded on the semiconductor processing adhesive tape of the present invention. Including the state where it is.

半導体ウェハAは、各チップの個片化予定領域に沿ってレーザーを照射して半導体ウェハ内部に改質層を形成した半導体ウェハである。レーザー照射により、半導体ウェハ5に厚みTの改質層を形成しておくことで、その後の半導体ウェハの裏面研削加工時に、半導体ウェハ5が上記厚みTと同じか上記厚みTよりも薄くなるように研削することで、半導体ウェハ5の薄膜化と半導体チップへの個片化を同時に行うことができる。厚みTは、裏面研削前の半導体ウェハの厚みよりも小さい限り特に制限はないが、ウェハの最終厚さより20〜30μmほど大きいことが実際的である。
この方式は、ステルスダイシングと先ダイシングを併せた方式で、狭スクライブ幅対応チップ個片化方式とも呼ばれる。この方式によれば、ウェハ裏面研削加工中に応力でシリコン(半導体ウェハ)の改質層が劈開し個片化するため、カーフ幅がゼロであり、チップ収率は高く、抗折強度も向上する。
半導体ウェハBは、各チップの個片化予定領域に沿って機械的手段により溝を形成した半導体ウェハである。機械的手段(例えば、ダイシングブレード)により、半導体ウェハ5に厚みTの溝を形成しておくことで、その後の半導体ウェハの裏面研削加工時に、半導体ウェハ5が上記厚みTと同じか上記厚みTよりも薄くなるように研削することで、半導体ウェハ5の薄膜化と半導体チップへの個片化を同時に行うことができる。厚みTは、裏面研削前の半導体ウェハの厚みよりも小さい限り特に制限はないが、ウェハの最終厚さより20〜30μmほど大きいことが実際的である。
この方式は、DBG(先ダイシング)方式と呼ばれる。この方式によれば、チップ同士の間隔であるカーフ(スクライブライン、ストリートともいう)幅の狭小化に限界があるものの、チップの抗折強度がアップし、チップの破損を抑えることが可能である。
The semiconductor wafer A is a semiconductor wafer in which a modified layer is formed inside a semiconductor wafer by irradiating a laser along a region where individual chips are to be separated. By laser irradiation, by forming the modified layer of a thickness T A to the semiconductor wafer 5, the back-side grinding of a subsequent semiconductor wafer, the semiconductor wafer 5 is than or equal the thickness T A and the thickness T A By grinding the semiconductor wafer 5 so as to be thin, the semiconductor wafer 5 can be made thinner and individualized into semiconductor chips. The thickness T A is not particularly limited as long as less than the thickness of back grinding the semiconductor wafer before, it is it is practical large enough 20~30μm than the final thickness of the wafer.
This method combines stealth dicing and pre-dicing, and is also called a chip singulation method corresponding to a narrow scribe width. According to this method, the modified layer of silicon (semiconductor wafer) is cleaved into pieces by stress during the wafer back surface grinding process, so the kerf width is zero, the chip yield is high, and the bending strength is also improved. I do.
The semiconductor wafer B is a semiconductor wafer in which a groove is formed by a mechanical means along an area to be divided into individual chips. By mechanical means (e.g., a dicing blade), by forming a groove in the thickness T B to the semiconductor wafer 5, the back-side grinding of a subsequent semiconductor wafer, the semiconductor wafer 5 is equal to or above the aforementioned thickness T B by grinding to be thinner than the thickness T B, it is possible to perform thinning of the semiconductor wafer 5 and the pieces of the semiconductor chips at the same time. The thickness T B is not particularly limited as long as less than the thickness of back grinding the semiconductor wafer before it large enough 20~30μm than the final thickness of the wafer it is practical.
This method is called a DBG (pre-dicing) method. According to this method, although there is a limit to narrowing the width of the kerf (also referred to as a scribe line or street), which is the interval between chips, the die strength of the chip is increased and breakage of the chip can be suppressed. .

本発明の半導体加工用粘着テープを使用する上記半導体チップの製造方法(半導体ウェハの加工方法)を、図2を参照して説明する。
本発明の半導体加工用粘着テープ1は、粘着剤層3上に剥離フィルム4を有する場合は、剥離フィルム4を剥がして接着剤層3を剥き出しにし、基材2、粘着剤層3が積層された半導体加工用粘着テープ1を使用する(図2(a)参照)。本発明の半導体加工用粘着テープ1は半導体ウェハ5に、半導体ウェハ5の凸部51と粘着剤層3とが接するように貼合せ、凸部51が本発明の半導体加工用粘着テープ1で被覆された半導体ウェハ5を得る(図2(b)参照)。ここで、凸部51とは、半導体ウェハにおいて、個片化された際に半導体チップを構成し得る部分を意味し、通常、半導体素子の回路などが形成されたパターン面を有する。
A method for manufacturing the semiconductor chip (a method for processing a semiconductor wafer) using the adhesive tape for semiconductor processing of the present invention will be described with reference to FIG.
When the pressure-sensitive adhesive tape 1 for semiconductor processing of the present invention has the release film 4 on the pressure-sensitive adhesive layer 3, the release film 4 is peeled off to expose the adhesive layer 3, and the base material 2 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 are laminated. The semiconductor processing adhesive tape 1 is used (see FIG. 2A). The adhesive tape 1 for semiconductor processing of the present invention is bonded to the semiconductor wafer 5 such that the convex portion 51 of the semiconductor wafer 5 and the adhesive layer 3 are in contact with each other, and the convex portion 51 is covered with the adhesive tape 1 for semiconductor processing of the present invention. The obtained semiconductor wafer 5 is obtained (see FIG. 2B). Here, the convex portion 51 means a portion of a semiconductor wafer that can form a semiconductor chip when singulated, and usually has a pattern surface on which a circuit of a semiconductor element or the like is formed.

この半導体ウェハ5の裏面を研磨機7により研削することで半導体ウェハ5を薄膜化し(図2(c)参照)、最終的に、パターン面を有する半導体チップに個片化される。
個片化された半導体チップは、チャックテーブル上に吸着した状態での剥離テープによる剥離等の常法により、本発明の半導体加工用粘着テープ1からピックアップされる。この際、粘着剤層3が紫外線硬化型である場合には、紫外線照射により粘着剤層3の粘着力を低下させることで、個片化された半導体チップから粘着剤層3を容易に剥離することが可能となる。
By grinding the back surface of the semiconductor wafer 5 with the polishing machine 7, the semiconductor wafer 5 is made thinner (see FIG. 2C), and is finally separated into semiconductor chips having a pattern surface.
The individualized semiconductor chips are picked up from the semiconductor processing adhesive tape 1 of the present invention by a conventional method such as peeling with a peeling tape in a state of being adsorbed on the chuck table. At this time, when the pressure-sensitive adhesive layer 3 is an ultraviolet-curable type, the pressure-sensitive adhesive layer 3 is reduced in adhesive strength by irradiation with ultraviolet rays, so that the pressure-sensitive adhesive layer 3 is easily peeled from the singulated semiconductor chip. It becomes possible.

以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、以下で使用する樹脂の密度は、JIS K7112により、また、樹脂のMFRは、JIS K7210により、温度190℃、荷重21.18Nでの値を、それぞれ測定した。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited thereto.
The density of the resin used below was measured according to JIS K7112, and the MFR of the resin was measured at a temperature of 190 ° C. and a load of 21.18 N according to JIS K7210.

<実施例1>
1.粘着剤組成物の調製
アクリレートモノマーとして2−エチルヘキシルアクリレートを80質量部、官能基を持つアクリレートモノマーとして2−ヒドロキシエチルアクリレートを20質量部、メチルメタクリレート1質量部を構成成分とする(メタ)アクリル共重合体に対し、分子中に紫外線重合性炭素−炭素二重結合と、水酸基に反応するイソシアネート基とを有する2−イソシアナトエチルメタクリレートを3質量部反応させ、紫外線重合性炭素−炭素二重結合を有する(メタ)アクリル系共重合体を得た。この共重合体100質量部に対し、架橋剤としてイソシアネート化合物(日本ポリウレタン工業社製、商品名:コロネートL)0.9質量部と、光重合開始剤(BASF社製、商品名:イルガキュア184)5.0質量部とを混合し、紫外線硬化型の粘着剤組成物を得た。
2.基材の作製
押出し法にて作製した、LLDPE(直鎖状低密度ポリエチレン、メタロセン触媒重合体)25μm、COP(環状オレフィンポリマー)50μm、LLDPE25μmがこの順に積層された、総厚100μmの基材を得た。ここで、COPのエチレン含有量は30質量%、MFRは0.8g/10minであった。また、LLDPEのMFRは2.5g/10min、密度は0.925g/cmであった。
3.半導体加工用粘着テープの作製
離型処理が施されたPETフィルム(厚さ25μm)上に、上記粘着剤組成物を乾燥後の厚さが30μmとなるように塗工し、乾燥させて溶剤である酢酸エチルを蒸発させた後に、基材と貼り合わせて粘着剤を基材側に転写し、実施例1に係る半導体加工用粘着テープを得た。この半導体加工用粘着テープ1は、図1に示すように、基材フィルム2、粘着剤層3、剥離フィルム4がこの順に積層された構造を有する。また、基材フィルム2は、粘着剤層3側から順に、層B、層A、層Bがこの順に積層された構造を有する。
<Example 1>
1. Preparation of Pressure-Sensitive Adhesive Composition (Meth) acrylic acid containing 80 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate as an acrylate monomer, 20 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate as an acrylate monomer having a functional group, and 1 part by mass of methyl methacrylate The polymer is reacted with 3 parts by mass of 2-isocyanatoethyl methacrylate having an ultraviolet-polymerizable carbon-carbon double bond and an isocyanate group that reacts with a hydroxyl group in a molecule, and the ultraviolet-polymerizable carbon-carbon double bond is reacted. (Meth) acrylic copolymer having the following formula: With respect to 100 parts by mass of this copolymer, 0.9 part by mass of an isocyanate compound (trade name: Coronate L, manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) as a crosslinking agent and a photopolymerization initiator (trade name: Irgacure 184, manufactured by BASF) The mixture was mixed with 5.0 parts by mass to obtain an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive composition.
2. Production of base material A base material having a total thickness of 100 μm, in which LLDPE (linear low-density polyethylene, metallocene catalyst polymer) 25 μm, COP (cyclic olefin polymer) 50 μm, and LLDPE 25 μm, which were produced by an extrusion method, were laminated in this order. Obtained. Here, the ethylene content of the COP was 30% by mass, and the MFR was 0.8 g / 10 min. Further, the MFR of LLDPE was 2.5 g / 10 min, and the density was 0.925 g / cm 3 .
3. Preparation of pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing On a PET film (thickness: 25 μm) that has been subjected to a mold release treatment, the pressure-sensitive adhesive composition is applied so that the thickness after drying becomes 30 μm, dried, and dried with a solvent. After a certain amount of ethyl acetate was evaporated, the pressure-sensitive adhesive was bonded to the base material and transferred to the base material side to obtain a semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape according to Example 1. As shown in FIG. 1, the semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape 1 has a structure in which a base film 2, a pressure-sensitive adhesive layer 3, and a release film 4 are laminated in this order. The base film 2 has a structure in which a layer B 1 , a layer A, and a layer B 2 are laminated in this order from the pressure-sensitive adhesive layer 3 side.

<実施例2>
LLDPEを、MFRが4g/10minのLLDPE(メタロセン触媒重合体)に変更した以外は実施例1と同様の方法で、実施例2に係る半導体加工用粘着テープを得た。
<Example 2>
An adhesive tape for semiconductor processing according to Example 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except that LLDPE was changed to LLDPE (metallocene catalyst polymer) having an MFR of 4 g / 10 min.

<実施例3>
基材の厚さを、LLDPE35μm、COP80μm、LLDPE35μmの総厚150μmに変更した以外は実施例2と同様の方法で、実施例3に係る半導体加工用粘着テープを得た。
<Example 3>
An adhesive tape for semiconductor processing according to Example 3 was obtained in the same manner as in Example 2, except that the thickness of the base material was changed to a total thickness of LLDPE of 35 μm, COP of 80 μm, and LLDPE of 35 μm of 150 μm.

<実施例4>
LLDPEを、MFRは7.0g/10min、密度は0.964g/cmのHDPEに変更し、COPを、エチレン含有量は35質量%、MFRは2.0g/10minのCOPに変更した以外は実施例1と同様の方法で、実施例4に係る半導体加工用粘着テープを得た。
<Example 4>
Except that LLDPE was changed to HDPE with MFR of 7.0 g / 10 min, density of 0.964 g / cm 3 , COP was changed to ethylene content of 35% by mass, and MFR was changed to COP of 2.0 g / 10 min. In the same manner as in Example 1, an adhesive tape for semiconductor processing according to Example 4 was obtained.

<実施例5>
LLDPEを、MFRが2.0g/10min、密度は0.918g/cmのLLDPE(メタロセン触媒重合体)に変更した以外は実施例1と同様の方法で、実施例5に係る半導体加工用粘着テープを得た。
<Example 5>
Adhesion for semiconductor processing according to Example 5 in the same manner as in Example 1 except that LLDPE was changed to LLDPE (metallocene catalyst polymer) having an MFR of 2.0 g / 10 min and a density of 0.918 g / cm 3. I got the tape.

<実施例6>
LLDPEを、MFRが4.0g/10min、密度は0.944g/cmのLLDPEに変更し、基材の厚さを、LLDPE16μm、COP48μm、LLDPE16μmの総厚80μmに変更した以外は実施例1と同様の方法で、実施例6に係る半導体加工用粘着テープを得た。
<Example 6>
Example 1 except that LLDPE was changed to LLDPE having an MFR of 4.0 g / 10 min and density of 0.944 g / cm 3 , and the thickness of the base material was changed to LLDPE 16 μm, COP 48 μm, and LLDPE 16 μm total thickness 80 μm. In the same manner, an adhesive tape for semiconductor processing according to Example 6 was obtained.

<比較例1>
LLDPEを、MFRは3.1g/10min、密度は0.925g/cmのLDPEに変更した以外は実施例1と同様の方法で、比較例1に係る半導体加工用粘着テープを得た。
<Comparative Example 1>
An adhesive tape for semiconductor processing according to Comparative Example 1 was obtained in the same manner as in Example 1 except that LLDPE was changed to LDPE having an MFR of 3.1 g / 10 min and a density of 0.925 g / cm 3 .

<比較例2>
COPを、エチレン含有量は35質量%、MFRは2.0g/10minのCOPに変更した以外は比較例1と同様の方法で、比較例2に係る半導体加工用粘着テープを得た。
<Comparative Example 2>
An adhesive tape for semiconductor processing according to Comparative Example 2 was obtained in the same manner as in Comparative Example 1, except that the COP was changed to a COP having an ethylene content of 35% by mass and an MFR of 2.0 g / 10 min.

<比較例3>
LLDPEを、MFRは2.5g/10min、密度は0.928g/cmのエチレン酢酸ビニル共重合体に変更した以外は比較例1と同様の方法で、比較例3に係る半導体加工用粘着テープを得た。
<Comparative Example 3>
An adhesive tape for semiconductor processing according to Comparative Example 3 in the same manner as in Comparative Example 1 except that LLDPE was changed to an ethylene vinyl acetate copolymer having an MFR of 2.5 g / 10 min and a density of 0.928 g / cm 3. I got

得られた半導体加工用粘着テープについて、以下の評価を行った。   The following evaluation was performed about the obtained adhesive tape for semiconductor processing.

[1.層間密着性]
層B及び層Bを構成する樹脂と、層Aを構成する樹脂を用いて、それぞれ縦1300mm、横25mm、厚さ100μmのフィルムを作製した。作製した2種類のフィルムの25mm×10mmの領域を重ね、220℃で5秒、熱圧着して、接合部を形成した。ストログラフ(東洋精機社製)で、速度300mm/min、剥離角度180°で剥離した際の剥離強度を測定した。剥離強度が5N以上のものを「○」、5N未満のものを「×」と評価した。
[1. Interlayer adhesion]
A film having a length of 1300 mm, a width of 25 mm, and a thickness of 100 μm was produced using the resin constituting the layers B 1 and B 2 and the resin constituting the layer A, respectively. A region of 25 mm × 10 mm of the two kinds of produced films was overlapped and thermocompression-bonded at 220 ° C. for 5 seconds to form a joint. The peel strength at the time of peeling at a speed of 300 mm / min and a peeling angle of 180 ° was measured by a strograph (manufactured by Toyo Seiki Co., Ltd.). Those having a peel strength of 5 N or more were evaluated as “○”, and those having a peel strength of less than 5 N were evaluated as “X”.

[2.耐熱性]
表面が平滑な8インチのダミーウェハに、実施例、比較例に係る半導体加工用粘着テープの各テープの粘着剤層側を貼合し、ディスコ社製グラインダーDGP8760(商品名)を用いて、ウェハを厚さ50μmまで研削した。研削後、テープ側がホットプレートと接するようにしてホットプレートにて70℃まで加熱し、外観に変化が無かったものを「○」、変化があったもの「×」と評価した。
[2. Heat-resistant]
An adhesive layer side of each tape of the semiconductor processing adhesive tape according to the example and the comparative example is bonded to an 8-inch dummy wafer having a smooth surface, and the wafer is formed using a disco grinder DGP8760 (trade name). Grinding was performed to a thickness of 50 μm. After grinding, the tape was heated to 70 ° C. on a hot plate such that the tape side was in contact with the hot plate. A sample having no change in appearance was evaluated as “○”, and a sample having changed was evaluated as “x”.

[3.剥離性]
8インチのダミーウェハに、上記で作製した半導体加工用粘着テープ(以下、粘着テープと称す。)を貼合し、ディスコ社製グラインダーDGP8760(商品名)を用いて、ウェハを厚さ50μmまで研削した。研削後、粘着テープ側から高圧水銀灯を用いて、積算照射量500mJ/cmの紫外線を照射し、粘着剤層を硬化させて粘着力を低減させた後、粘着テープ面を上にした状態でチャックテーブル上に吸着し、剥離テープ(日東電工社製)を用いて粘着テープを剥離した。ウェハと粘着剤層の界面で剥離したものを「○」、剥離できなかったあるいはそれ以外の箇所で剥離したものを「×」と評価した。
[3. Peelability]
The above-prepared adhesive tape for semiconductor processing (hereinafter referred to as “adhesive tape”) was bonded to an 8-inch dummy wafer, and the wafer was ground to a thickness of 50 μm using a disco grinder DGP8760 (trade name). . After grinding, using a high-pressure mercury lamp from the adhesive tape side, irradiate an ultraviolet ray with an integrated irradiation amount of 500 mJ / cm 2 to cure the adhesive layer to reduce the adhesive strength, and then, with the adhesive tape face up. The adhesive tape was adsorbed on the chuck table, and the adhesive tape was peeled off using a peeling tape (manufactured by Nitto Denko Corporation). Those peeled at the interface between the wafer and the pressure-sensitive adhesive layer were evaluated as “○”, and those that could not be peeled or peeled at other places were evaluated as “x”.

[4.クラック]
チップの大きさが縦10mm×横12mmの、個片化予定領域に沿って深さ75μmの溝を形成した8インチのダミーウェハ(厚さ725μm)に、上記で作製した半導体加工用粘着テープ(以下、粘着テープと称す。)を、溝を形成した面側で貼合し、ディスコ社製グラインダーDGP8760(商品名)を用いて、ウェハを厚さ50μmまで研削し、チップを個片化した。研削後、粘着テープ側から高圧水銀灯を用いて、積算照射量500mJ/cmの紫外線を照射し、粘着剤層を硬化させて粘着力を低減させた後、粘着テープから各チップを剥離して、チップ端部のクラックを顕微鏡で観察した。クラックの発生したチップ数が10個以下のものを「○」、10〜20個のものを「△」、20個以上のものを「×」と評価した。
[4. crack]
An adhesive tape for semiconductor processing (hereinafter referred to as the following) was placed on an 8-inch dummy wafer (thickness: 725 μm) having a chip size of 10 mm × 12 mm and a groove having a depth of 75 μm formed along a region to be singulated. , Adhesive tape) on the side where the groove was formed, and the wafer was ground to a thickness of 50 μm using a disco grinder DGP8760 (trade name) to singulate chips. After grinding, using a high-pressure mercury lamp from the adhesive tape side, irradiate ultraviolet rays with an integrated irradiation amount of 500 mJ / cm 2 to cure the adhesive layer to reduce the adhesive strength, and then peel off each chip from the adhesive tape. Cracks at the end of the chip were observed under a microscope. A chip having 10 or less cracks was evaluated as “「 ”, a chip having 10 to 20 chips was evaluated as“ Δ ”, and a chip having 20 or more cracks was evaluated as“ × ”.

Figure 0006667468
Figure 0006667468

上記表1から、本発明で規定する半導体加工用粘着テープである実施例1〜6は、耐熱性、剥離性、層間密着性およびクラック発生の抑制のいずれも良好な結果を示した。対して、比較例1及び2の半導体加工用粘着テープは、剥離性および層間密着性に劣っており、比較例3の半導体加工用粘着テープは、層間密着性が劣っていた。   From Table 1 above, Examples 1 to 6, which are the pressure-sensitive adhesive tapes for semiconductor processing defined by the present invention, showed good results in all of heat resistance, peelability, interlayer adhesion, and suppression of crack generation. On the other hand, the pressure-sensitive adhesive tapes for semiconductor processing of Comparative Examples 1 and 2 were inferior in peelability and interlayer adhesion, and the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing of Comparative Example 3 was inferior in interlayer adhesion.

1 半導体加工用粘着テープ
2 基材
3 粘着剤層
4 剥離フィルム
5 半導体ウェハ
7 研磨機
51 凸部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Adhesive tape for semiconductor processing 2 Base material 3 Adhesive layer 4 Release film 5 Semiconductor wafer 7 Polisher 51 Convex part

Claims (6)

基材と、該基材の片面に設けられた粘着剤層とからなる粘着テープであって、前記基材が複層構造からなり、該複層構造の少なくとも1層が環状オレフィンポリマーを80質量%以上含有する層Aであって、該層Aとは別に、直鎖状低密度ポリエチレンまたは高密度ポリエチレンを50質量%以上含有する層Bを有し、該層Aと該層Bとが隣接し、該層Bと該粘着剤層とが隣接し、該粘着剤層は(メタ)アクリル酸エステル共重合体を含有することを特徴とする、半導体加工用粘着テープ。 A pressure-sensitive adhesive tape comprising a base material and a pressure-sensitive adhesive layer provided on one surface of the base material, wherein the base material has a multilayer structure, and at least one layer of the multilayer structure has a cyclic olefin polymer content of 80% by mass. a layer a containing more than%, apart from the layer a, have a layer B containing more than 50 wt% linear low density polyethylene or high density polyethylene, adjacent the said layer a and the layer B and, adjacent and the said layer B and adhesive layer, the pressure-sensitive adhesive layer is characterized that you containing (meth) acrylic acid ester copolymer, a semiconductor processing adhesive tape. 前記直鎖状低密度ポリエチレンの密度が0.95g/cm以下であることを特徴とする、請求項1に記載の半導体加工用粘着テープ。 Characterized in that said density of the linear low density polyethylene is 0.95 g / cm 3 or less, the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to claim 1. 前記直鎖状低密度ポリエチレンのメルトフローレートが4.0g/10min以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体加工用粘着テープ。   The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to claim 1 or 2, wherein the linear low-density polyethylene has a melt flow rate of 4.0 g / 10 min or less. 前記直鎖状低密度ポリエチレンが、メタロセンポリエチレンであることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体加工用粘着テープ。   The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to any one of claims 1 to 3, wherein the linear low-density polyethylene is a metallocene polyethylene. 前記粘着剤層が放射線硬化型であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体加工用粘着テープ。The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to any one of claims 1 to 4, wherein the pressure-sensitive adhesive layer is a radiation-curable type. 各チップの個片化予定領域に沿ってレーザーを照射して半導体ウェハ内部に改質層を形成した半導体ウェハ、または、各チップの個片化予定領域に沿って機械的手段により溝を形成した半導体ウェハを、前記半導体ウェハの裏面研削によりチップへ個片化する半導体チップの製造に用いられることを特徴とする、請求項1〜のいずれか1項に記載の半導体加工用粘着テープ。
A semiconductor wafer in which a modified layer was formed inside a semiconductor wafer by irradiating a laser along the individualized area of each chip, or a groove was formed by mechanical means along the individualized area of each chip. The adhesive tape for semiconductor processing according to any one of claims 1 to 5 , wherein the adhesive tape is used for manufacturing a semiconductor chip that singulates a semiconductor wafer into chips by grinding the back surface of the semiconductor wafer.
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