KR102060981B1 - Surface protective adhesive tape for backside grinding of semiconductor wafers and grinding method of semiconductor wafers - Google Patents

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Abstract

기재와, 상기 기재의 한쪽 면측에 점착제층을 형성하여 이루어지는 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프로서, 상기 기재의 점착제층이 형성되어 있지 않은 면의 표면 거칠기가 Rz=0.7∼5.0㎛이고, 상기 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프의 파장 500∼600㎚에 있어서의 전 광선 투과율이 40∼80%이며, 밀러 웨이퍼의 색 차이(ΔEM)와 상기 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프를 상기 밀러 웨이퍼에 맞붙인 상태에서의 색 차이(ΔET)의 차이가 ΔET-ΔEM＞6.5이고, 노치를 가지는 반도체 웨이퍼의 표면에 맞붙여지는 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프 및 그것을 이용한 반도체 웨이퍼의 연삭가공 방법.A surface protective adhesive tape for back surface grinding of a semiconductor wafer formed by forming an adhesive layer on one surface side of the substrate, wherein the surface roughness of the surface on which the adhesive layer of the substrate is not formed is Rz = 0.7 to 5.0 μm, The total light transmittance at a wavelength of 500 to 600 nm of the surface protective adhesive tape for backside grinding of the semiconductor wafer is 40 to 80%, and the color difference (ΔEM) of the mirror wafer and the surface protective adhesive tape for backside grinding of the semiconductor wafer. The surface protective adhesive tape for back-grinding of a semiconductor wafer bonded to the surface of a semiconductor wafer having a notch with a difference of the color difference ΔET between the Miller wafer and the surface of the semiconductor wafer having a notch and a semiconductor using the same Wafer grinding method.

Description

반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프 및 반도체 웨이퍼의 연삭가공 방법Surface protective adhesive tape for backside grinding of semiconductor wafers and grinding method of semiconductor wafers

본 발명은, 반도체 디바이스의 가공에 이용되는 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프, 특히, 반도체 웨이퍼의 이면연삭시에 이용하는데 적합한 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프 및 그것을 이용한 반도체 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.The present invention provides a surface protective adhesive tape for backside grinding of a semiconductor wafer used for processing a semiconductor device, in particular, a surface protective adhesive tape for backside grinding processing of a semiconductor wafer suitable for use in backside grinding of a semiconductor wafer and a semiconductor wafer using the same. It relates to a processing method.

반도체 웨이퍼의 가공 공정에서 이면연삭·연마는, 반도체 웨이퍼 표면에 패턴을 형성한 후, 반도체 웨이퍼 이면을 소정의 두께로 하기 위하여 행해진다. 그때, 연삭시의 응력 등에 대한 반도체 웨이퍼 표면의 보호나, 연삭가공을 용이하게 하는 목적으로, 반도체 웨이퍼 표면에 반도체 가공용 표면보호 점착테이프를 맞붙이고, 그 상태로 반도체 웨이퍼 이면이 연삭 된다. 반도체 가공용 표면보호 점착테이프로서는, 예를 들면 에틸렌-초산비닐 공중합체 등의 폴리올레핀 기재 수지 필름상에, 아크릴 폴리머를 주성분으로 한 점착제층을 형성한 것이 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).In the process of processing a semiconductor wafer, backside grinding and polishing are performed in order to make the backside of the semiconductor wafer a predetermined thickness after forming a pattern on the surface of the semiconductor wafer. At that time, the surface protective adhesive tape for semiconductor processing is stuck to the semiconductor wafer surface for the purpose of protecting the semiconductor wafer surface against the stress at the time of grinding, or to facilitate grinding, and the back surface of the semiconductor wafer is ground in that state. As a surface protection adhesive tape for semiconductor processing, the adhesive layer which has an acrylic polymer as a main component was formed on polyolefin base resin films, such as ethylene-vinyl acetate copolymer, for example (for example, refer patent document 1).

상기 반도체 웨이퍼는, 이면연삭에 의해 소정의 두께까지 박막화 된 후, 미리 기재상에 점착제와 접착제(다이 본드용 접착 시트)가 적층된 다이싱 다이본드 시트가 반도체 웨이퍼 이면(연삭면)에 맞붙여지고, 링 프레임으로 다이서의 척 테이블에 고정되어, 다이싱 브레이드에 의해 절단되는 다이싱 공정에서, 반도체 웨이퍼와 일괄하여 절단되어 칩화된다. 그 후, 복수의 칩이 적층되고, 기판·칩 사이가 와이어 접속된 후에 수지로 밀봉되어 제품이 되는 것이 일반적이다(예를 들면, 특허문헌 2 참조). 상기 다이싱 다이본드 시트를 맞붙일 때에는, 반도체 웨이퍼 표면에 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프가 맞붙여진 채로 척 테이블에 흡착된 상태이며, 다이싱 다이본드 시트를 맞붙인 후에 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프가 박리된다. 또, 상기 다이싱 다이본드 시트를 반도체 웨이퍼에 밀착시키기 위하여, 다이싱 다이본드 시트를 맞붙일 때에, 근래에는 보다 고온(약 80℃)으로 가열을 하는 경우가 있다.After the semiconductor wafer is thinned to a predetermined thickness by backside grinding, a dicing die bond sheet in which an adhesive and an adhesive (adhesive adhesive sheet for die bonding) is laminated on a substrate in advance is bonded to the back surface (grinding surface) of the semiconductor wafer. In the dicing step, which is fixed to the chuck table of the dicer by a ring frame and cut by the dicing braid, the chips are collectively cut and chipped with the semiconductor wafer. Thereafter, a plurality of chips are laminated, and after the substrate and the chip are wired together, it is generally sealed with a resin to be a product (see Patent Document 2, for example). In the pasting of the dicing die bond sheet, the back surface of the semiconductor wafer is adsorbed on the chuck table while the surface protective adhesive tape for grinding the back surface of the semiconductor wafer is adhered to the surface of the semiconductor wafer. The surface protective adhesive tape for grinding is peeled off. In order to adhere the dicing die bond sheet to the semiconductor wafer, the dicing die bond sheet may be heated at a higher temperature (about 80 ° C.) in recent years.

또, 반도체 웨이퍼 표면에 맞붙여지는 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프는, 맞붙임 식별을 위하여 착색되는 것이 일반적이다. 착색의 방법으로서는, 기재 필름에 착색하는 방법과 점착제에 착색하는 방법이 있지만, 반도체 웨이퍼로의 표면 오염의 점에서, 반도체 웨이퍼에 직접 접촉하지 않는 기재 필름에 착색되는 것이 일반적이다.Moreover, it is common for the surface protection adhesive tape for back surface grinding processing of the semiconductor wafer bonded to the semiconductor wafer surface to be colored for bonding identification. As a method of coloring, although there exist a method of coloring on a base film and the method of coloring in an adhesive, it is common to color on the base film which does not directly contact a semiconductor wafer from the surface contamination with a semiconductor wafer.

근래의 고밀도 실장 기술의 진보에 수반하여, 반도체 칩을 소형화할 필요가 생겨, 반도체 웨이퍼의 박막화의 진행이 현저하다. 반도체 칩의 종류에 따라서는, 100㎛ 정도까지 얇게 하는 것이 필요하게 되었다. 또, 한 번의 가공에 의하여 제조할 수 있는 반도체 칩의 수를 많게 하기 위해, 반도체 웨이퍼의 직경에 대해서도 대경화(大徑化)되는 경향이 있다. 지금까지는 직경이 5인치나 6인치의 반도체 웨이퍼가 주류인 것에 대해, 근래에는 직경 8∼12인치의 반도체 웨이퍼로부터 반도체 칩으로 가공하는 것이 주류로 되고 있다. 반도체 웨이퍼의 직경을 대경화함으로써 한 번의 가공에 의한 수율을 높여, 제조 비용의 삭감을 행하고 있다.With recent advances in high-density packaging technology, it is necessary to miniaturize semiconductor chips, and the progress of thinning semiconductor wafers is remarkable. Depending on the kind of semiconductor chip, it has become necessary to make it thin to about 100 micrometers. Moreover, in order to increase the number of semiconductor chips that can be manufactured by one process, there is a tendency that the diameter of the semiconductor wafer is also largely cured. Until now, while semiconductor wafers of 5 inches or 6 inches in diameter are mainstream, processing of semiconductor chips from semiconductor wafers of 8 to 12 inches in diameter has become mainstream in recent years. By making the diameter of a semiconductor wafer large, the yield by one process is raised and manufacturing cost is reduced.

이러한 반도체 웨이퍼 직경의 대경화에 수반하여, 반도체 웨이퍼의 형상도 변화해 오고 있다. 직경이 5인치나 6인치의 반도체 웨이퍼가 주류인 경우는, 반도체 웨이퍼(8)에 오리엔테이션 플랫(orientation flat)(후술의 도 3 참조)이라 불리는 큰 절결(7)이 들어간 것에 대하여, 한층 더 수율 향상을 위하여, 8인치 이상 직경의 반도체 웨이퍼(5)에서는, 노치(notch)(후술의 도 2 참조)라 불리는 작은 절결(6)을 가지는 것이 주류로 되어 왔다. 그러나, 이러한 변화에 수반하여, 지금까지 용이했던 반도체 웨이퍼 위치의 독해가 곤란하게 되었다. 또한, 오리엔테이션 플랫을 가지는 반도체 웨이퍼에서는, 오리엔테이션 플랫(7)의 외측에는 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프가 맞붙여져 있지 않은 것에 대하여, 노치를 가지는 반도체 웨이퍼에서는, 노치(6)를 커버하여 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면 보호 테이프가 맞붙여지게 된다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면 보호 테이프의 색이 센서 인식성에 큰 영향을 미치게 되었다.With such a large diameter of the semiconductor wafer diameter, the shape of the semiconductor wafer has also changed. In the case where the semiconductor wafer having a diameter of 5 inches or 6 inches is the mainstream, the yield is further increased when a large notch 7 called an orientation flat (see FIG. 3 below) is entered into the semiconductor wafer 8. For improvement, in the semiconductor wafer 5 of 8 inches or more in diameter, it has become mainstream to have a small notch 6 called a notch (see Fig. 2 below). However, with such a change, it has become difficult to read the position of the semiconductor wafer which was easy until now. In the semiconductor wafer having the orientation flat, the notch 6 is covered in the semiconductor wafer having the notch while the surface protective adhesive tape for backside grinding of the semiconductor wafer is not bonded to the outside of the orientation flat 7. The surface protection tape for back-grinding of a semiconductor wafer will adhere | attach. For this reason, the color of the surface protection tape for back surface grinding of a semiconductor wafer had a big influence on sensor recognition.

상술한 바와 같이, 센서 인식성을 향상시키기 위해, 색미의 조정을 행하는 등으로 대응하여 왔다. 그러나, 반도체 웨이퍼의 박막화에 수반하여 한층 더 문제가 발생하게 되었다. 반도체 웨이퍼의 박막화에 수반하여 반도체 웨이퍼의 휨이 커지고, 휨에 의하여 노치가 센서 부분을 통과하지 않게 되어, 센서 인식 불능이 되는 경우가 있었다. 또, 기재면으로의 먼지 부착에 의해, 노치를 검출할 수 없는 등의 문제도 발생하게 되었다.As mentioned above, in order to improve sensor recognition, it has responded by adjusting a color taste. However, further problems arise with the thinning of the semiconductor wafer. As the semiconductor wafer is thinned, the warpage of the semiconductor wafer increases, and the notch does not pass through the sensor portion due to the warpage, which may result in inability to recognize the sensor. Moreover, the problem that the notch was not able to be detected also arises by dust adhesion to a base material surface.

일본 공개특허공보 2000-8010호Japanese Laid-Open Patent Publication 2000-8010 일본 공개특허공보 2007-53325호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-53325

본 발명은, 상기와 같이 노치를 가지는 반도체 웨이퍼에 특유의 문제를 해결하는 것이다.This invention solves the problem peculiar to the semiconductor wafer which has a notch as mentioned above.

구체적으로는, 본 발명은, 상기의 문제점을 해결하여, 실리콘 웨이퍼 등의 이면연삭가공 공정에 있어서, 박막화 연삭이 필요한 반도체 웨이퍼에 대하여 적용해도 센서 인식 문제를 발생시키지 않고, 또한 맞붙임 시인성 및 내열성을 겸비함으로써, 작업성이 우수한 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프 및 그것을 이용한 반도체 웨이퍼의 연삭가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Specifically, the present invention solves the above problems, and in the back grinding processing step such as a silicon wafer, even if applied to a semiconductor wafer that needs thinning grinding, it does not cause a sensor recognition problem, and also the bonding visibility and heat resistance It aims at providing the surface protection adhesive tape for back surface grinding of a semiconductor wafer excellent in workability, and the method of grinding a semiconductor wafer using the same.

본 발명자들은, 상기 과제에 대하여 예의 검토한 결과, 테이프 배면의 거칠기를 특정 범위로 하고, 또한 특정 파장에 있어서의 테이프의 전(全) 광선 투과율을 특정 범위로 함으로써, 상기의 문제를 해결하고, 맞붙임 시인성을 가지며, 또한 센서 인식 에러를 발생시키지 않고, 작업성을 개선할 수 있는 것을 찾아냈다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of earnestly examining the said subject, the said problem is solved by making the roughness of the back surface of a tape into a specific range, and making the total light transmittance of the tape in a specific wavelength into a specific range, It has been found that the visibility is improved and workability can be improved without generating a sensor recognition error.

여기서, 테이프 배면의 거칠기는, 각종 표면 거칠기(예를 들면, 중심선 평균 거칠기(Ra) 등)가 존재하지만, Rz로 규정되는 표면 거칠기를 사용함으로써, 본 발명의 상기의 과제를 해결할 수 있었다.Here, although the surface of the tape back surface has various surface roughness (for example, centerline average roughness Ra), the above-mentioned subject of this invention could be solved by using the surface roughness prescribed | regulated by Rz.

즉, 본 발명의 과제는 이하의 수단에 의하여 달성되었다.That is, the subject of this invention was achieved by the following means.

〔1〕기재와, 상기 기재의 한쪽 면측에 점착제층을 형성하여 이루어지는 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프로서, [1] A surface protective adhesive tape for backside grinding processing of a semiconductor wafer formed by forming an adhesive layer on a substrate and one surface side of the substrate,

상기 기재의 점착제층이 형성되어 있지 않은 면의 표면 거칠기가 Rz=0.7∼5.0㎛이고, The surface roughness of the surface on which the adhesive layer of the said base material is not formed is Rz = 0.7-5.0 micrometers,

상기 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프의 파장 500∼600㎚에 있어서의 전 광선 투과율이 40∼80%이며, The total light transmittance in wavelength 500-600 nm of the surface protection adhesive tape for back surface grinding of the said semiconductor wafer is 40 to 80%,

밀러 웨이퍼의 색 차이(ΔEM)와 상기 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프를 상기 밀러 웨이퍼에 맞붙인 상태에서의 색 차이(ΔET)의 차이가 ΔET-ΔEM＞6.5이고,The difference between the color difference (ΔEM) of the Miller wafer and the color difference (ΔET) when the surface protective adhesive tape for back-grinding of the semiconductor wafer is bonded to the Miller wafer is ΔET-ΔEM> 6.5,

노치를 가지는 반도체 웨이퍼의 표면에 맞붙여 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭가공하는 공정으로 이용되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프.A surface protective adhesive tape for back surface grinding of a semiconductor wafer, which is used in a process of grinding the back surface of a semiconductor wafer by bonding to a surface of a semiconductor wafer having a notch.

〔2〕상기 표면 거칠기(Rz)가, 0.7㎛ 이상 5.0㎛ 미만인 것을 특징으로 하는 〔1〕에 기재된 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프.[2] The surface protective adhesive tape for back surface grinding of the semiconductor wafer according to [1], wherein the surface roughness Rz is 0.7 µm or more and less than 5.0 µm.

〔3〕상기 기재에, 프탈로시아닌 안료, 나프탈로시아닌 안료, 인단트론 안료, 인단스렌 안료 및 트리아릴카르보늄 안료로부터 선택되는 안료를 함유하는 것을 특징으로 하는 〔1〕 또는 〔2〕에 기재된 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프.[3] The semiconductor wafer according to [1] or [2], wherein the base material contains a pigment selected from a phthalocyanine pigment, a naphthalocyanine pigment, an indanthrone pigment, an indanthrene pigment, and a triarylcarbonium pigment. Surface protective adhesive tape for back grinding.

〔4〕상기 기재의 두께가, 80∼200㎛인 것을 특징으로 하는 〔1〕∼〔3〕 중 어느 1항에 기재된 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프.[4] The surface protective adhesive tape for back-grinding of the semiconductor wafer according to any one of [1] to [3], wherein the thickness of the base material is 80 to 200 µm.

〔5〕상기 기재가, 같은 공중합 성분으로 이루어지는 수지로 구성되고, 상기 공중합 성분에 적어도 초산비닐이 포함되는 것을 특징으로 하는 〔1〕∼〔4〕 중 어느 1항에 기재된 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프.[5] The back surface of the semiconductor wafer according to any one of [1] to [4], wherein the base material is made of a resin composed of the same copolymerization component, and the copolymerization component contains at least vinyl acetate. Surface protective adhesive tape.

〔6〕상기 초산비닐 성분의 함유량이, 1.9∼10.5질량%인 것을 특징으로 하는 〔5〕에 기재된 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프.[6] The surface protective adhesive tape for back-grinding of the semiconductor wafer according to [5], wherein the content of the vinyl acetate component is 1.9 to 10.5 mass%.

〔7〕상기 기재가 단층 또는 복층으로서, 상기 기재에 있어서의 점착제층이 형성되어 있지 않은 측의 최외층의 기재 수지의 융점이 85℃ 이상인 것을 특징으로 하는 〔1〕∼〔6〕 중 어느 1항에 기재된 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프.[7] The melting point of the base resin of the outermost layer on the side where the base material is a single layer or a multilayer in which the pressure-sensitive adhesive layer in the base material is not formed is 85 ° C. or more, any one of [1] to [6] Surface protection adhesive tape for back surface grinding of the semiconductor wafer of Claim.

〔8〕노치를 가지는 반도체 웨이퍼의 표면에 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프를 맞붙여 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭가공하는 반도체 웨이퍼의 연삭가공 방법으로서,[8] A method of grinding a semiconductor wafer in which a surface protective adhesive tape for backside grinding of a semiconductor wafer is bonded to a surface of a semiconductor wafer having a notch, and the backside of the semiconductor wafer is ground;

상기 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프가, 기재와, 상기 기재의 한쪽 면측에 점착제층을 형성하여 이루어지는 것으로서,The surface protective adhesive tape for back-grinding processing of the said semiconductor wafer forms a base material and the adhesive layer in the one surface side of the said base material,

상기 기재의 점착제층이 형성되어 있지 않은 면의 표면 거칠기가 Rz=0.7∼5.0㎛이며, The surface roughness of the surface on which the adhesive layer of the said base material is not formed is Rz = 0.7-5.0 micrometers,

상기 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프의 파장 500∼600㎚에 있어서의 전 광선 투과율이 40∼80%이고,The total light transmittance in wavelength 500-600 nm of the surface protection adhesive tape for back surface grinding of the said semiconductor wafer is 40 to 80%,

밀러 웨이퍼의 색 차이(ΔEM)와 상기 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프를 상기 밀러 웨이퍼에 맞붙인 상태에서의 색 차이(ΔET)의 차이가 ΔET-ΔEM＞6.5인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 연삭가공 방법.The difference between the color difference [Delta] EM of the Miller wafer and the color difference [Delta] ET when the surface protective adhesive tape for back-grinding of the semiconductor wafer is bonded to the Miller wafer is ΔET-ΔEM> 6.5. Grinding method.

〔9〕상기 표면 거칠기(Rz)가, 0.7㎛ 이상 5.0㎛ 미만인 것을 특징으로 하는 〔8〕에 기재된 반도체 웨이퍼의 연삭가공 방법.[9] The method of grinding the semiconductor wafer according to [8], wherein the surface roughness Rz is 0.7 µm or more and less than 5.0 µm.

본 발명의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(이하, 단순히 표면보호 점착테이프라고도 칭함.)는, 실리콘 웨이퍼의 이면연삭가공 공정 등의 반도체 웨이퍼의 가공에 있어서, 맞붙임 시인성을 가지고, 또한 노치를 가지는 실리콘 웨이퍼에 대해서도 센서 인식성을 가지며, 또 내열성에도 우수하다.The surface protective adhesive tape (hereinafter, also simply referred to as surface protective adhesive tape) for backside grinding processing of the semiconductor wafer of the present invention has bonding visibility in the processing of semiconductor wafers such as backside grinding processing of silicon wafers, and The silicon wafer having a notch also has sensor recognition and excellent heat resistance.

따라서, 본 발명의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프를 이용함으로써, 반도체 웨이퍼의 이면연삭가공의 효율을 높여 작업성을 개선할 수 있다.Therefore, by using the surface protection adhesive tape for back surface grinding of the semiconductor wafer of this invention, work efficiency can be improved by improving the efficiency of back surface grinding of a semiconductor wafer.

본 발명의 상기 및 다른 특징 및 이점은, 적당히 첨부의 도면을 참조하여, 하기의 기재로부터 보다 분명해 질 것이다.The above, the other characteristics, and the advantage of this invention will become clear from the following description with reference to attached drawing suitably.

도 1은, 본 발명의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프의 하나의 실시형태를 나타내는 단면도이다.
도 2는, 센서 인식부로서의 노치(6)를 가지는 반도체 웨이퍼(5)의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 3은, 센서 인식부로서의 오리엔테이션 플랫(7)을 가지는 반도체 웨이퍼(8)의 일례를 나타내는 평면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows one Embodiment of the surface protection adhesive tape for back surface grinding of the semiconductor wafer of this invention.
2 is a plan view showing an example of a semiconductor wafer 5 having a notch 6 as a sensor recognition unit.
3 is a plan view showing an example of a semiconductor wafer 8 having an orientation flat 7 as a sensor recognition unit.

이하에, 본 발명의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프를, 도면을 참조하면서 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다.Hereinafter, although the surface protection adhesive tape for back surface grinding of the semiconductor wafer of this invention is demonstrated in detail, referring drawings, this invention is not limited to this.

도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)는, 기재(1)와, 이 기재의 적어도 한쪽 면에 형성된 점착제층(2)으로 구성되어 있다. 한편, 기재(1)에 있어서, 점착제층(2)과 접하는 면과 반대측의 면이, 기재의 점착제층이 형성되어 있지 않은 면(배면)(11)이며, 반도체 웨이퍼(4)에 맞붙인 상태에서의 최외표면이 되는 면이다.As shown in FIG. 1, the surface protection adhesive tape 3 for back surface grinding of the semiconductor wafer of this invention is comprised from the base material 1 and the adhesive layer 2 formed in at least one surface of this base material. In addition, in the base material 1, the surface on the opposite side to the surface which contact | connects the adhesive layer 2 is the surface (back surface) 11 in which the adhesive layer of the base material is not formed, and is stuck to the semiconductor wafer 4 Is the outermost surface of

반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)는, 도 2에 나타내는 노치(6)를 가지는 반도체 웨이퍼(5)의 집적회로가 짜넣어진 측 혹은 전극이 형성된 측의 면(표면)에 맞붙인 상태로, 반도체 웨이퍼(5)의 집적회로가 짜넣어지지 않은 측 혹은 전극이 형성되어 있지 않은 측의 면(이면)을 연삭가공하는 공정으로 이용된다.The surface protective adhesive tape 3 for back surface grinding of a semiconductor wafer adheres to the surface (surface) of the side in which the integrated circuit of the semiconductor wafer 5 which has the notch 6 shown in FIG. It is used in the process of grinding the surface (back surface) of the side in which the integrated circuit of the semiconductor wafer 5 is not integrated, or the side in which the electrode is not formed in the phosphorus state.

여기서, 본 발명의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)는, 기재(1) 및 점착제층(2)이, 사용 공정 또는 장치에 맞추어 미리 소정의 형상으로 절단(프리컷)된 형태라도 좋고, 컷 되어 있지 않은 길이가 긴 시트를 롤 상태로 감은 형태라도 좋다. 소정의 형상이란, 예를 들면, 반도체 웨이퍼(5)와 같은 직경으로, 노치(6) 부분도 커버하는 원형상을 들 수 있고, 반도체 웨이퍼의 집적회로를 보호하여, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭가공할 수 있으며, 또한, 본 발명의 효과를 해치지 않는 이상 어떠한 형상이라도 좋다.Here, the surface protection adhesive tape 3 for back surface grinding of the semiconductor wafer of this invention is the form in which the base material 1 and the adhesive layer 2 were cut | disconnected (precut) to predetermined shape previously according to the use process or apparatus. It may be sufficient and the form which wound the long sheet which is not cut in the roll state may be sufficient. The predetermined shape may be, for example, a circular shape having the same diameter as that of the semiconductor wafer 5 and also covering the notch 6 portion, and protecting the integrated circuit of the semiconductor wafer, and grinding the back surface of the semiconductor wafer. Any shape may be used as long as the effect of the present invention is not impaired.

한편, 특별히 언급하지 않는 한, 「∼」로 표시되는 수치 범위에 있어서는, 전후의 수치를 포함하는 것으로 한다.In addition, unless otherwise indicated, in the numerical range represented by "-", it shall include the numerical value before and behind.

(기재) (materials)

본 발명에 이용되는 기재(1)(이하, 기재 필름이라고도 칭함.)의 주목적은, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭가공할 때의 충격으로부터의 반도체 웨이퍼의 보호로서, 특히 수(水) 세정 등에 대한 내수성과 가공 부품의 유지성을 가지는 것이 중요하다. 이러한 기재(1)로서는, 예를 들면, 일본 공개특허공보 2004-186429호에 기재된 것을 들 수 있다.The primary purpose of the base material 1 (hereinafter also referred to as a base film) used in the present invention is to protect the semiconductor wafer from impact when grinding the back surface of the semiconductor wafer, and in particular, water resistance to water cleaning and the like. It is important to maintain the retention of the machined parts. As such base material 1, the thing of Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-186429 is mentioned, for example.

한편, 본 발명에서 사용하는 기재(1)의 수지로서는, 통상, 점착테이프로 이용되는 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 폴리부텐, 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 에스테르 공중합체, 이오노머 등의 α-올레핀의 단독 중합체 또는 공중합체, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리 메타크릴산 메틸 등의 엔지니어링 플라스틱, 폴리우레탄, 스티렌-에틸렌-부텐 혹은 펜텐계 공중합체 등의 열가소성 엘라스토머를 들 수 있다.In addition, as resin of the base material 1 used by this invention, what is normally used by an adhesive tape can be used. For example, homopolymers or copolymers of α-olefins such as polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymers, polybutenes, ethylene-vinyl acetate copolymers, ethylene-acrylic acid ester copolymers, ionomers, polyethylene terephthalates, poly And thermoplastic elastomers such as engineering plastics such as carbonate and polymethyl methacrylate, polyurethane, styrene-ethylene-butene or pentene copolymers.

기재(1)는, 이들의 군으로부터 선택되는 수지를 단층 또는 복층으로 이용해도 좋고, 이들의 군으로부터 선택되는 2종 이상이 혼합된 것을 단층 또는 복층으로 이용해도 좋다.The base material 1 may use resin selected from these groups as a single layer or a multilayer, and may use what mixed 2 or more types selected from these groups as a single layer or a multilayer.

본 발명에서 이용되는 기재(1)는, 점착제층(2)이 형성되어 있지 않은 면(배면)(11)의 표면 거칠기가 Rz=0.7∼5.0㎛이다. Rz가 0.7㎛ 미만이 되면, 점착제의 도공이나 기재(1)의 제막시에 블로킹을 발생시키기 때문에 제조할 수 없는 등의 문제가 발생한다. 한편, Rz가 5.0㎛를 초과하면, 연삭시 더스트가 테이프 배면(11)에 부착해 버려, 센서 인식을 할 수 없게 되어 버린다. 기재 배면(11)의 거칠기(Rz)는, 1.0㎛ 이상 5.0 미만이 바람직하고, 1.0∼4.9㎛가 보다 바람직하며, 1.0∼4.5㎛가 더 바람직하고, 1.0∼3.5㎛가 특히 바람직하며, 1.0∼2.0㎛가 가장 바람직하다.As for the base material 1 used by this invention, the surface roughness of the surface (back surface) 11 in which the adhesive layer 2 is not formed is Rz = 0.7-5.0 micrometers. When Rz becomes less than 0.7 micrometer, blocking will generate | occur | produce at the time of coating of an adhesive, or film forming of the base material 1, and the problem of not being able to manufacture arises. On the other hand, when Rz exceeds 5.0 micrometers, dust will adhere to the tape back surface 11 at the time of grinding, and sensor recognition will become impossible. As for the roughness Rz of the base material back surface 11, 1.0 micrometer or more and less than 5.0 are preferable, 1.0-4.9 micrometers is more preferable, 1.0-4.5 micrometers is more preferable, 1.0-3.5 micrometers is especially preferable, 1.0-1.0 2.0 mu m is most preferred.

한편, 예를 들면, 기재(1)를 제막할 때에 사용되는 냉각 롤의 거칠기를 컨트롤함으로써, 기재 배면(11)의 거칠기를 임의의 값으로 할 수 있다. 가열에 의하여 유동성을 얻은 수지는 압출되고, 그 후 냉각 롤에 의하여 냉각되어 필름화 된다. 수지의 냉각에는 금속 롤이나 고무 롤이 이용되는 경우가 많다. 예를 들면 고무 롤을 이용하는 경우, 박리성을 부여하기 위해 실리콘 입자가 고무에 혼합되어, 상기 실리콘 입자의 입자 지름을 임의로 조정함으로써, 기재 배면(11)의 거칠기를 조정할 수 있다.On the other hand, for example, the roughness of the back surface 11 of the substrate can be set to an arbitrary value by controlling the roughness of the cooling roll used when forming the substrate 1. The resin obtained by fluidity by heating is extruded, and then cooled by a cooling roll to form a film. Metal rolls or rubber rolls are often used for cooling the resin. For example, when using a rubber roll, the roughness of the back surface 11 of a base material can be adjusted by adjusting silicon particle | grains in rubber | gum in order to provide peelability, and adjusting the particle diameter of the said silicon particle arbitrarily.

상기와 같이, 냉각 롤로 거칠기를 컨트롤하면, 기재(1)의 점착제층(2)이 형성되어 있지 않은 면 전체에, 표면 거칠기를 균일하게 실시할 수 있다.As mentioned above, when roughness is controlled by a cooling roll, surface roughness can be performed uniformly on the whole surface in which the adhesive layer 2 of the base material 1 is not formed.

또, 기재(1)에 있어서의 점착제층(2)이 형성되어 있지 않은 쪽의 최외층의 기재 수지의 융점은, 척 테이블로의 융착 방지의 관점에서 85℃ 이상이 바람직하고, 95℃ 이상이 보다 바람직하며, 100℃ 이상이 더 바람직하고, 110℃ 이상이 특히 바람직하다. 한편, 융점의 상한치는 특히 한정되지 않지만, 현실적으로는 200℃ 이하이며, 보다 바람직하게는 180℃ 이하이다.Moreover, as for melting | fusing point of the base material resin of the outermost layer in which the adhesive layer 2 in the base material 1 is not formed, 85 degreeC or more is preferable from a viewpoint of prevention of fusion to a chuck table, and 95 degreeC or more More preferably, 100 degreeC or more is more preferable, and 110 degreeC or more is especially preferable. On the other hand, although the upper limit of melting | fusing point is not specifically limited, In reality, it is 200 degrees C or less, More preferably, it is 180 degrees C or less.

여기서, 점착제층(2)이 형성되어 있지 않은 쪽의 최외층의 기재란, 기재(1)가 단층인 경우에는 단층을, 기재(1)가 복층인 경우에는, 점착제층(2)으로부터 가장 떨어진 위치에 있는 기재층을 의미한다.Here, with the base material of the outermost layer in which the adhesive layer 2 is not formed, when the base material 1 is a single | mono layer, when a base material 1 is a multilayer, the position which is furthest from the adhesive layer 2 Means the base layer in the.

본 발명에 이용되는 기재(1)는, 공중합 성분에 적어도 초산비닐이 포함되는 수지가 바람직하게 이용된다. 또, 상기 초산비닐 성분의 함유량은 1.9∼10.5질량%가 바람직하다. 초산비닐과 조합하는 공중합 성분으로서는, 예를 들면, 에틸렌과 같은 올레핀 등을 들 수 있다. 또, 2원계 공중합체라도, 3원 이상의 공중합체라도 상관없다.As the base material 1 used for this invention, resin in which at least vinyl acetate is contained in a copolymerization component is used preferably. Moreover, as for content of the said vinyl acetate component, 1.9-10.5 mass% is preferable. As a copolymerization component combined with vinyl acetate, an olefin like ethylene etc. are mentioned, for example. Moreover, it may be a binary copolymer or a copolymer of three or more members.

또, 본 발명에서는, 공중합체로 이루어지는 수지는, 랜덤 공중합체, 블록 공중합체, 교호 공중합체, 그라프트 공중합체 중 어느 하나라도 상관없다.Moreover, in this invention, the resin which consists of a copolymer may be any of a random copolymer, a block copolymer, an alternating copolymer, and a graft copolymer.

본 발명에 있어서는, 특히 에틸렌-초산비닐 공중합체(이하, EVA라고도 칭함.)가 바람직하다.In this invention, especially an ethylene-vinyl acetate copolymer (henceforth an EVA.) Is preferable.

기재(1)의 수지는, 같은 공중합 성분으로 이루어지는 수지로 구성되어 있어도, 다른 공중합 성분으로 이루어지는 복수의 수지로 적층되어 있어도 좋고, 복수의 수지를 혼합하여 사용해도 좋다. 본 발명에서는, 휨으로의 영향을 생각하면, 같은 공중합 성분으로 이루어지는 수지로 구성되어 있는 기재(1)가 바람직하다.Resin of the base material 1 may be comprised by resin which consists of the same copolymerization component, may be laminated | stacked by some resin which consists of another copolymerization component, and may mix and use several resin. In this invention, when the influence on curvature is considered, the base material 1 comprised from resin which consists of the same copolymerization component is preferable.

반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프를 인식·식별하기 위하여, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)에는, 착색용 안료(이하, 단순히 안료라고도 칭함.) 등이 배합된다. 점착제에 안료나 염료를 더함으로써 착색해도 좋지만, 기재(1)에 안료를 더함으로써 착색되는 것이 바람직하다.In order to recognize and identify the surface protection adhesive tape for back surface grinding of a semiconductor wafer, the coloring pigment (henceforth simply a pigment hereafter) etc. are mix | blended with the surface protection adhesive tape 3 for back surface grinding of a semiconductor wafer. Although you may color by adding a pigment and dye to an adhesive, It is preferable to color by adding a pigment to the base material 1.

안료는, 청색 안료가 바람직하고, 예를 들면, 프탈로시아닌 안료, 나프탈로시아닌 안료, 인단트론 안료, 인단스렌 안료, 트리아릴카르보늄 안료를 들 수 있다. 이들 중, 프탈로시아닌 안료, 나프탈로시아닌 안료가 바람직하고, 프탈로시아닌 안료가 보다 바람직하며, 그 중에서도 구리 프탈로시아닌 블루가 바람직하다.The pigment is preferably a blue pigment, and examples thereof include a phthalocyanine pigment, a naphthalocyanine pigment, an indanthrone pigment, an indanthrene pigment, and a triarylcarbonium pigment. Among these, a phthalocyanine pigment and a naphthalocyanine pigment are preferable, a phthalocyanine pigment is more preferable, and copper phthalocyanine blue is especially preferable.

착색용 안료의 배합량은, 기재(1)를 형성하는 수지 100질량부에 대해, 0.005∼1.0질량부가 바람직하고, 0.01∼0.5질량부가 보다 바람직하다. 또, 동일 수지라도 복층으로 압출함으로써 필름화 되어, 점착제층이 형성되는 측에만 안료를 배합하는 것이 보다 바람직하다. 점착제층이 형성되는 측에만 안료를 배합함으로써, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)가 산(酸) 등의 에칭액에 잠긴 경우라도, 산에 노출되는 경우가 없기 때문에, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)의 변색을 막을 수 있다.0.005-1.0 mass part is preferable with respect to 100 mass parts of resin which forms the base material 1, and, as for the compounding quantity of the pigment for coloring, 0.01-0.5 mass part is more preferable. Moreover, even if it is the same, it is more preferable to mix | blend a pigment only on the side by which it is made into a film by extrusion in multiple layers, and an adhesive layer is formed. By blending the pigment only on the side where the pressure-sensitive adhesive layer is formed, even if the surface protective adhesive tape 3 for back surface grinding of the semiconductor wafer is immersed in an etchant such as an acid, it is not exposed to acid. Discoloration of the surface protection adhesive tape 3 for back surface grinding can be prevented.

기재(1)가 다른 공중합 성분으로 이루어지는 복수의 수지로 적층되어 있는 경우, 상기 공중합 성분에 적어도 초산비닐이 포함되는 수지 이외의 수지를 사용해도 좋고, 예를 들면, 고밀도 폴리에틸렌(이하, HDPE라고도 칭함.), 저밀도 폴리에틸렌(이하, LDPE라고도 칭함.) 등의 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀 수지, 에틸렌-아크릴산 공중합체나 에틸렌-메타크릴산 공중합체와 그들의 금속 가교체(이오노머) 등의 폴리올레핀 종류를 들 수 있다.When the base material 1 is laminated | stacked with some resin which consists of another copolymerization component, you may use resin other than resin which contains vinyl acetate at least in the said copolymerization component, For example, high density polyethylene (henceforth also called HDPE) Polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, such as low density polyethylene (hereinafter also referred to as LDPE), polypropylene, ethylene-acrylic acid copolymers, ethylene-methacrylic acid copolymers and their metal crosslinked products (ionomers). Can be mentioned.

본 발명에서는, 이들 중에서도 고밀도 폴리에틸렌, 저밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이 바람직하다.In this invention, a high density polyethylene, a low density polyethylene, and a polypropylene are preferable among these.

복수의 수지가 적층된 기재(1)의 경우, 본 발명에서는, 초산비닐이 포함되는 수지를 포함하는 층이, 점착제층이 형성되는 측에 설치되는 것이 바람직하다.In the case of the base material 1 in which several resin was laminated | stacked, in this invention, it is preferable that the layer containing resin containing vinyl acetate is provided in the side in which an adhesive layer is formed.

본 발명의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프에 이용되는 기재(1)는, JIS　K　7210에 기초하여 측정한 멜트 폴로 레이트(MFR：Melt　flow rate)가 1.0∼2.9g/10분인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.5∼2.5g/10분이며, 더 바람직하게는 1.8∼2.3g/10분이다.It is preferable that the base material 1 used for the surface protection adhesive tape for back surface grinding of the semiconductor wafer of this invention is 1.0-2.9 g / 10min of melt polo rate (MFR: Metroflow rate) measured based on JISKK7210. More preferably, it is 1.5-2.5 g / 10 minutes, More preferably, it is 1.8-2.3 g / 10 minutes.

기재(1)의 MFR이 상기의 범위인 경우에는, 롤 상태로 감겨진 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)를 라미네이터에 세트하고, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)를 풀어내어 반도체 웨이퍼(5) 표면에 맞붙이는 공정으로, 약 150℃로 가열한 커터 칼날을 반도체 웨이퍼(5) 외주부를 따라서 회전시키고, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)를 반도체 웨이퍼 형상으로 절단할 때에 발생하는 열로, 상기 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)의 기재(1)가 반도체 웨이퍼(5) 측면을 덮도록 융착할 수 있다. 그 결과, 점착제층(2)과 반도체 웨이퍼(5)의 계면을 기재(1)로 덮게 되어, 시피지(seepage)를 방지할 수 있다.When the MFR of the base material 1 is in the above range, the surface protective adhesive tape 3 for back grinding of the semiconductor wafer wound in the roll state is set in a laminator, and the surface protective adhesive tape for back grinding of the semiconductor wafer 3 ), The cutter blade heated to about 150 ° C. is rotated along the outer circumference of the semiconductor wafer 5 in the step of unscrewing and sticking the surface of the semiconductor wafer 5 to the surface, and the surface protective adhesive tape 3 for backside grinding processing of the semiconductor wafer is removed. The heat generated when cutting into the shape of the semiconductor wafer allows the substrate 1 of the surface protective adhesive tape 3 for back surface grinding of the semiconductor wafer to be fused so as to cover the side surface of the semiconductor wafer 5. As a result, the interface of the adhesive layer 2 and the semiconductor wafer 5 is covered with the base material 1, and it is possible to prevent the seepage.

즉, MFR이 2.9g/10분을 초과하는 경우에는, 기재(1)의 유동성이 높아지기 때문에, 용융한 기재(1)를 절단할 즈음에, 커터 칼날이 반도체 웨이퍼(5) 외주 상의 어느 한점에 접촉하는 시간은 약간이기 때문에, 기재(1)를 구성하는 수지가 한 번 예리하게 절단되어, 반도체 웨이퍼(5) 측면을 덮는 융착을 하지 않을 우려가 있다. 반대로, 1.0g/10분 미만에서는, 기재(1)의 유동성이 낮아져, 반도체 웨이퍼(5)의 계면을 테이프로 덮을 수 없을 우려가 있다.That is, when MFR exceeds 2.9 g / 10 minutes, since the fluidity | liquidity of the base material 1 becomes high, at the time of cut | disconnecting the molten base material 1, a cutter blade is made to any one point on the outer periphery of the semiconductor wafer 5 Since the contact time is a little, the resin constituting the substrate 1 is sharply cut once, and there is a fear that the fusion covering the side surface of the semiconductor wafer 5 may not be performed. On the contrary, if it is less than 1.0 g / 10min, the fluidity | liquidity of the base material 1 will become low and there exists a possibility that it cannot cover the interface of the semiconductor wafer 5 with a tape.

기재(1)의 MFR를 상기 범위로 하기 위해서는, 예를 들면, 수지의 공중합 상대, 초산비닐 함유량, 분자량이나 그 분포의 조정, MFR이 다른 수지의 혼합, 또는 이들의 방법을 조합함으로써 실현될 수 있다.In order to make MFR of the base material 1 into the said range, it can be implement | achieved by combining the copolymerization partner of resin, vinyl acetate content, adjustment of molecular weight or its distribution, resin of which MFR differs, or these methods, for example. have.

본 발명에서 사용하는 기재(1)의 수지에는, 필요에 따라서, 안정제, 윤활제, 산화 방지제, 블로킹 방지제, 가소제, 점착 부여제, 유연재 등을 함유할 수 있다.Resin of the base material 1 used by this invention can contain a stabilizer, a lubricating agent, antioxidant, an antiblocking agent, a plasticizer, a tackifier, a softening material, etc. as needed.

상기 기재(1)의 두께는, 특히 한정되지 않고, 적당히 설정해도 좋지만, 바람직하게는 80∼200㎛, 보다 바람직하게는 100∼180㎛이다.Although the thickness of the said base material 1 is not specifically limited, Although it may set suitably, Preferably it is 80-200 micrometers, More preferably, it is 100-180 micrometers.

두께를 이 범위로 함으로써, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)의 형태를 유지하는 성질이 우수하며, 게다가 취급할 때의 작업성이 향상된다. 한편, 두께를 너무 두껍게 하면, 기재(1)의 생산성에 영향을 주어, 제조 비용의 증가로 연결될 우려가 있다.By setting the thickness in this range, it is excellent in the property of maintaining the form of the surface protective adhesive tape 3 for back grinding of a semiconductor wafer, and the workability at the time of handling improves. On the other hand, if the thickness is too thick, the productivity of the substrate 1 may be affected, leading to an increase in manufacturing cost.

상기 기재(1)의 제조방법은 특히 한정되지 않지만, 캘린더법, T다이 압출법, 인플레이션법, 캐스트법 등의 종래의 사출·압출 기술에 의해 제조할 수 있고, 생산성, 얻어지는 기재(1)의 두께 정밀도 등을 고려하여 적당히 선택할 수 있다.Although the manufacturing method of the said base material 1 is not specifically limited, It can manufacture by conventional injection and extrusion techniques, such as a calendering method, the T-die extrusion method, the inflation method, the casting method, and the productivity of the obtained base material 1 The thickness can be appropriately selected in consideration of accuracy.

(점착제층) (Adhesive layer)

본 발명의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)로 이용되는 점착제의 재료는, 특히 제한되지 않고, 종래의 것을 이용할 수 있다. 예를 들면, 방사선을 조사함으로써 경화되어 점착성이 저하되고, 반도체 웨이퍼(5)로부터 용이하게 박리할 수 있는 성질을 가지는 것이라도 좋다. 구체적으로는 (메타)아크릴산 에스테르를 구성 성분으로 하는 단독 중합체나, (메타)아크릴산 에스테르를 구성 성분으로서 가지는 공중합체, (메타)아크릴 수지, (메타)아크릴산 에스테르를 들 수 있다.The material of the adhesive used for the surface protection adhesive tape 3 for back surface grinding of the semiconductor wafer of this invention is not specifically limited, A conventional thing can be used. For example, it may be cured by irradiating with radiation to lower the adhesiveness and to have a property of being easily peeled from the semiconductor wafer 5. Specifically, the homopolymer which has (meth) acrylic acid ester as a structural component, the copolymer which has (meth) acrylic acid ester as a structural component, (meth) acrylic resin, and (meth) acrylic acid ester are mentioned.

이들 수지의 질량 평균 분자량은, 20만∼200만이 바람직하고, 30만∼150만이 보다 바람직하며, 40만∼120만이 더 바람직하다.200,000-2 million are preferable, as for the mass mean molecular weight of these resin, 300,000-1,500,000 are more preferable, and 400,000-1,200,000 are more preferable.

한편, 질량 평균 분자량은, 테트라히드로푸란에 용해하여 얻은 1% 용액을, 게르파미에이션크로마트그래피(워터즈사 제, 상품명：150-C　ALC/GPC)에 의해 측정한 값을 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량으로서 산출한 것이다.On the other hand, the mass average molecular weight is the mass average of polystyrene conversion of the value which measured the 1% solution obtained by melt | dissolving in tetrahydrofuran by Germation chromatography (made by Waters Corporation, brand name: 150-C'ALC / GPC) It is calculated as molecular weight.

(메타)아크릴산 에스테르를 구성 성분으로서 포함하는 중합체의 단량체 성분으로서는, 예를 들면, 메틸, 에틸, n-프르필, 이소프르필, n-부틸, t-부틸, 이소부틸, 아밀, 이소아밀, 헥실, 헵틸, 시클로헥실, 2-에틸헥실, 옥틸, 이소옥틸, 노닐, 이소노닐, 데실, 이소데실, 운데실, 라우릴, 트리데실, 테트라데실, 스테아릴, 옥타데실, 및 도데실 등의 탄소수 30 이하, 바람직하게는 탄소수 4∼18의 직쇄 혹은 분기의 알킬기를 가지는 (메타)알킬아크릴레이트 또는 (메타)알킬메타크릴레이트를 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.As a monomer component of the polymer which contains a (meth) acrylic acid ester as a structural component, For example, methyl, ethyl, n-prephyll, isopropyl, n-butyl, t-butyl, isobutyl, amyl, isoamyl, Hexyl, heptyl, cyclohexyl, 2-ethylhexyl, octyl, isooctyl, nonyl, isononyl, decyl, isodecyl, undecyl, lauryl, tridecyl, tetradecyl, stearyl, octadecyl, and dodecyl (Meth) alkyl acrylate or (meth) alkyl methacrylate which has C30 or less, Preferably it has a C4-C18 linear or branched alkyl group. These may be used independently and may use 2 or more types together.

상기 이외의 (메타)아크릴산 에스테르 수지 중의 구성 성분으로서는, 이하의 단량체를 포함할 수 있다. 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 카복실에틸 (메타)아크릴레이트, 카복실펜틸 (메타)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸말산, 및 크로톤산 등의 카복실기 함유 모노머, 무수 말레산이나 무수 이타콘산 등의 산무수물 모노머, (메타)아크릴산 2-하이드록시프로필, (메타)아크릴산 4-하이드록시부틸, (메타)아크릴산 6-하이드록시헥실, (메타)아크릴산 8-하이드록시옥틸, (메타)아크릴산 10-하이드록시데실, (메타)아크릴산 12-하이드록시라우릴 및 (4-하이드록시메틸시클로헥실)메틸 (메타)아크릴레이트 등의 하이드록실기 함유 모노머, 스티렌 설폰산, 알릴 설폰산, 2-(메타)아크릴아미드-2-메틸프로판 설폰산, (메타)아크릴아미드프로판설폰산, 술포프로필 (메타)아크릴레이트 및 (메타)아크릴로일 옥시나프탈렌 설폰산 등의 설폰산기 함유 모노머, 2-하이드록시에틸아크릴로일 인산염 등의 인산기 함유 모노머, (메타)아크릴아미드, (메타)아크릴산 N-하이드록시메틸아미드, (메타)아크릴산 알킬아미노알킬에스테르(예를 들면, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트, t-부틸아미노에틸메타크릴레이트 등), N-비닐 피롤리돈, 아크로일몰포린, 초산비닐, 스티렌, 아크릴로니트릴을 들 수 있다. 이들의 모노머 성분은 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.As a structural component in (meth) acrylic acid ester resin of that excepting the above, the following monomers can be included. For example, carboxyl group-containing monomers, such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyl ethyl (meth) acrylate, carboxyl pentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid, maleic anhydride, and anhydride Acid anhydride monomers such as itaconic acid, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, (meth) Hydroxyl group-containing monomers such as 10-hydroxydecyl acrylic acid, 12-hydroxylauryl (meth) acrylic acid, and (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate, styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, Sulfonic acid group-containing monomers such as 2- (meth) acrylamide-2-methylpropane sulfonic acid, (meth) acrylamide propanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate and (meth) acryloyl oxynaphthalene sulfonic acid, 2 Hydro Phosphoric acid group containing monomers, such as ethyl acryloyl phosphate, (meth) acrylamide, (meth) acrylic acid N-hydroxymethylamide, (meth) acrylic-acid alkylaminoalkyl ester (for example, dimethylaminoethyl methacrylate, t- Butylaminoethyl methacrylate, etc.), N-vinyl pyrrolidone, acroyl morpholine, vinyl acetate, styrene, and acrylonitrile. These monomer components may be used independently and may use 2 or more types together.

또, (메타)아크릴산 에스테르 수지로서는, 구성 성분으로서, 이하의 다관능성 단량체를 포함할 수 있다. 예를 들면, 헥산디올디(메타)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리코올디(메타)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리코올디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리코올디(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨디(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판트리(메타)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노하이드록시펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 에폭시(메타)아크릴레이트, 폴리에스테르(메타)아크릴레이트, 및 우레탄(메타)아크릴레이트를 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.Moreover, as (meth) acrylic acid ester resin, the following polyfunctional monomers can be contained as a structural component. For example, hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, pentaerythritol di (Meth) acrylate, trimetholpropane tri (meth) acrylate, tetramethylol methane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipenta Erythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, and urethane (meth) acrylate. These may be used independently and may use 2 or more types together.

아크릴산 에스테르로서는, 아크릴산 에틸, 아크릴산 부틸, 아크릴산 2-에틸헥실, 아크릴산 글리시딜, 아크릴산 2-하이드록시에틸 등을 들 수 있다. 또, 상기의 아크릴산 에스테르를, 예를 들면 메타크릴산 에스테르를 대신한 것 등의 메타크릴계 폴리머와 경화제를 이용하여 이루어지는 것도 사용할 수 있다.As acrylic ester, ethyl acrylate, butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, glycidyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, etc. are mentioned. Moreover, what uses the said acrylic acid ester using methacrylic polymer and hardening | curing agents, such as the one which replaced methacrylic acid ester, for example can be used.

경화제로서는, 일본 공개특허공보 2007-146104호에 기재된 경화제를 사용할 수 있다. 예를 들면, 1, 3-비스(N, N-디글리시딜아미노메틸)시클로헥산, 1, 3-비스(N, N-디글리시딜아미노메틸)톨루엔, 1, 3-비스(N, N-디글리시딜아미노메틸)벤젠, N, N, N', N'-테트라글리시딜-m-크실렌 디아민 등의 분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 가지는 에폭시화합물, 2, 4-톨릴렌 디이소시아네이트, 2, 6-톨릴렌 디이소시아네이트 등의 톨릴렌 디이소시아네이트(TDI), 1, 3-크실릴렌 디이소시아네이트, 1, 4-크실릴렌 디이소시아네이트 등의 크실릴렌 디이소시아네이트(XDI) 혹은 디페닐메탄-4, 4'-디이소시아네이트 등의 디페닐메탄디이소시아네이트(MDI) 등의 분자 중에 2개 이상의 이소시아네이트기를 가지는 이소시아네이트계 화합물 또는 TDI의 트리메티롤프로판 부가물 등의 이들 이소시아네이트계 화합물의 프리폴리머, 테트라메틸올-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 트리메틸올-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 트리메티롤프로판-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 트리메티롤프로판-트리-β-(2-메틸아지리디닐)프로피오네이트 등의 분자 중에 2개 이상의 아지리디닐기를 가지는 아지리딘계 화합물을 들 수 있다.As a hardening | curing agent, the hardening | curing agent of Unexamined-Japanese-Patent No. 2007-146104 can be used. For example, 1, 3-bis (N, N- diglycidylaminomethyl) cyclohexane, 1, 3-bis (N, N- diglycidylaminomethyl) toluene, 1, 3-bis (N , Epoxy compounds having two or more epoxy groups in a molecule such as N-diglycidylaminomethyl) benzene, N, N, N ', N'-tetraglycidyl-m-xylene diamine, 2,4-tolylene Xylylene diisocyanate (XDI) such as tolylene diisocyanate (TDI) such as diisocyanate, 2, 6-tolylene diisocyanate, 1, 3-xylylene diisocyanate, 1, 4-xylylene diisocyanate Or these isocyanate compounds, such as an isocyanate type compound which has two or more isocyanate groups in molecules, such as diphenylmethane diisocyanate (MDI), such as diphenylmethane-4 and 4'- diisocyanate, or the trimetholol propane adduct of TDI. Prepolymer, tetramethylol-tri-β-aziridinylpropionate, Trimethylol-tri-β-aziridinylpropionate, trimetholpropane-tri-β-aziridinylpropionate, trimetholpropane-tri-β- (2-methylaziridinyl) propionate And aziridine-based compounds having two or more aziridinyl groups in such molecules.

경화제의 함유량은, 원하는 점착력에 따라 조정하면 좋고, 수지 성분 100질량부에 대하여, 0.01∼10질량부가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1∼5질량부이다.What is necessary is just to adjust content of a hardening | curing agent according to desired adhesive force, and 0.01-10 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of resin components, More preferably, it is 0.1-5 mass parts.

또, 점착제층(2) 중에 광중합성 화합물 및 광중합 개시제를 포함시킴으로써, 자외선을 조사함으로써 경화되어, 점착제의 점착력을 저하시킬 수 있다. 이러한 광중합성 화합물로서는, 예를 들면 일본 공개특허공보 소 60-196956호 및 일본 공개특허공보 소 60-223139호에 기재되어 있는, 광조사에 의하여 삼차원 망상화 할 수 있는, 분자 내에 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 적어도 2개 이상 가지는 저분자량 화합물이 널리 이용된다.Moreover, by including a photopolymerizable compound and a photoinitiator in the adhesive layer 2, it can harden | cure by irradiating an ultraviolet-ray, and the adhesive force of an adhesive can be reduced. As such a photopolymerizable compound, photopolymerizable carbon in a molecule | numerator which can be three-dimensionally networked by light irradiation as described, for example in Unexamined-Japanese-Patent No. 60-196956 and Unexamined-Japanese-Patent No. 60-223139. Low molecular weight compounds having at least two carbon double bonds are widely used.

구체적으로는, 트리메티롤프로판 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노하이드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사 아크릴레이트 혹은 1, 4-부틸렌 글리코올 디아크릴레이트, 1, 6-헥산 디올 디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리코올디아크릴레이트, 시판의 올리고 에스테르 아크릴레이트 등이 이용된다.Specifically, trimetholpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexa acrylate or 1,4-butylene Glycool diacrylate, 1, 6-hexane diol diacrylate, polyethyleneglycol diacrylate, commercially available oligo ester acrylate, etc. are used.

광중합 개시제로서는, 일본 공개특허공보 2007-146104호 또는 일본 공개특허공보 2004-186429호에 기재된 광중합 개시제를 사용할 수 있다. 구체적으로는 이소프로피르벤조인에테르, 이소부틸벤조인에테르, 벤조페논, 미히라즈케톤, 클로로 티옥산톤, 벤질메틸케탈, α-하이드록시 시클로헥실 페닐 케톤, 2-하이드록시메틸페닐프로판 등을 사용할 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상을 이용해도 좋다. 광중합 개시제의 첨가량은, 상기 수지 성분 100질량부에 대하여, 0.1∼15질량부가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5∼10질량부이다.As a photoinitiator, the photoinitiator of Unexamined-Japanese-Patent No. 2007-146104 or 2004-186429 can be used. Specifically, isopropyrbenzoin ether, isobutyl benzoin ether, benzophenone, mihirazketone, chloro thioxanthone, benzyl methyl ketal, α-hydroxy cyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethyl phenyl propane and the like Can be used. These may use 1 type, or 2 or more types. As for the addition amount of a photoinitiator, 0.1-15 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of said resin components, More preferably, it is 5-10 mass parts.

또, 점착제층(2)으로서, 중합체 중에 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 중합체, 광중합 개시제, 및 경화제를 포함하는 수지 조성물을 이용하여 이루어지는 광중합성 점착제층을 이용할 수 있다. 중합체 중에 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 중합체로서는, 측쇄에 탄소수가 4∼12, 보다 바람직하게는 탄소수 8의 알킬기를 가지는 (메타)아크릴산 에스테르 등의 단량체나, 공중합성 개질 단량체 1종 또는 2종 이상을 임의의 방법으로 단독 중합 또는 공중합한 (메타)아크릴계 중합체가 바람직하다.Moreover, as the adhesive layer 2, the photopolymerizable adhesive layer which uses the resin composition containing the polymer which has a photopolymerizable carbon-carbon double bond in a polymer, a photoinitiator, and a hardening | curing agent can be used. Examples of the polymer having a carbon-carbon double bond in the polymer include monomers such as (meth) acrylic acid esters having 4 to 12, more preferably an alkyl group having 4 to 12 carbon atoms in the side chain, one or two or more copolymerizable modified monomers. Preference is given to a (meth) acrylic polymer obtained by homopolymerization or copolymerization of the polymer by any method.

이와 같이 하여 형성되는 광중합성 점착제층은, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)를 반도체 웨이퍼(5) 표면으로부터 박리하기 전에, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)의 반도체 웨이퍼(5) 표면에 대한 점착력을 저하시키는 방사선, 바람직하게는 자외선을 기재(1) 측으로부터 조사함으로써, 점착력을 초기의 점착력으로부터 크게 저하시켜, 용이하게 피착체로부터 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)를 박리할 수 있다.The photopolymerizable pressure-sensitive adhesive layer thus formed is formed of the surface protective adhesive tape 3 for backside grinding processing of the semiconductor wafer before the surface protective adhesive tape 3 for backside grinding processing of the semiconductor wafer is peeled off from the surface of the semiconductor wafer 5. By irradiating radiation, preferably ultraviolet rays, which lower the adhesion to the surface of the semiconductor wafer 5 from the substrate 1 side, the adhesion is greatly reduced from the initial adhesion, and the surface for backside grinding of the semiconductor wafer from the adherend easily. The protective adhesive tape 3 can be peeled off.

또한 점착제에는, 필요에 따라 점착 부여제, 점착 조정제, 계면활성제, 무기 화합물 필러, 그 외의 개질제 등을 배합할 수 있다.Moreover, a tackifier, an adhesion regulator, surfactant, an inorganic compound filler, another modifier, etc. can be mix | blended with an adhesive as needed.

본 발명에 있어서 점착제층(2)의 두께는, 적용하려고 하는 피착체에 의해 적당히 설정할 수 있고, 특히 제한하는 것은 아니지만, 바람직하게는 10∼60㎛, 보다 바람직하게는 20∼50㎛이다. 한편, 점착제층(2)은 복수의 층이 적층된 구성이면 좋다.In this invention, the thickness of the adhesive layer 2 can be suitably set with the to-be-adhered body to apply, Although it does not restrict | limit especially, Preferably it is 10-60 micrometers, More preferably, it is 20-50 micrometers. In addition, the adhesive layer 2 should just be a structure in which several layer was laminated | stacked.

점착제층(2)의 두께를 상기 범위로 조제함으로써, 생산성이 우수하여, 제조 비용의 저하로 연결된다. 또, 점착제층(2)의 점착력이 필요 이상으로 상승하지 않기 때문에, 이면연삭 후에 점착제층(2)을 박리할 때에, 박리 점착력의 상승에 수반하는 반도체 웨이퍼(5)의 파손을 일으키거나, 반도체 웨이퍼(5) 표면에 점착제층(2)에 기인하는 오염이 생기거나 하는 경우가 없다.　또, 반도체 웨이퍼(5) 표면의 요철에 대한 밀착성이 우수하여, 반도체 웨이퍼(5)의 이면을 연삭가공, 약액처리 등 할 때에 물이나 약액이 침입하여 반도체 웨이퍼(5)의 파손이나 반도체 웨이퍼(5) 표면의 연삭칩이나 약액에 의한 오염을 발생시키지도 않고, 방사선 조사 후의 점착력의 저하도 충분하여, 점착제층(2)을 반도체 웨이퍼(5)로부터 박리할 때에 반도체 웨이퍼(5)를 파손하지도 않는다.By preparing the thickness of the adhesive layer 2 in the said range, productivity is excellent and it leads to the fall of a manufacturing cost. Moreover, since the adhesive force of the adhesive layer 2 does not rise more than necessary, when peeling the adhesive layer 2 after back surface grinding, the semiconductor wafer 5 accompanying the raise of peel adhesive force is damaged, or a semiconductor Contamination due to the pressure-sensitive adhesive layer 2 does not occur on the surface of the wafer 5. In addition, the adhesion of the surface of the semiconductor wafer 5 to the unevenness is excellent, and water or the chemical liquid penetrates into the semiconductor wafer 5 when the back surface of the semiconductor wafer 5 is ground, chemically treated, or the like. 5) It does not generate contamination by the grinding chip or the chemical liquid on the surface, and also lowers the adhesive strength after irradiation, and does not damage the semiconductor wafer 5 when peeling the adhesive layer 2 from the semiconductor wafer 5. .

본 발명에 있어서, 기재(1)의 한쪽 면측에 점착제층(2)을 형성할 때, 상기 점착제를, 롤 코터, 콤마 코터, 다이코터, 메이어바 코터, 리버스롤 코터, 그라비어 코터 등의 기존의 방법에 따라 도포, 건조하여 점착제층(2)을 형성하는 방법을 이용할 수 있다. 이때, 도포한 점착제층(2)을 환경에 기인하는 오염 등으로부터 보호하기 위하여, 도포한 점착제층(2)의 표면에 박리 라이너(4)(박리 필름이라고도 칭함.)를 붙이는 것이 바람직하다.In the present invention, when the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed on one surface side of the base material 1, the pressure-sensitive adhesive is conventionally made of a roll coater, a comma coater, a die coater, a Meyer bar coater, a reverse roll coater, a gravure coater, and the like. According to the method, the method of apply | coating and drying and forming the adhesive layer 2 can be used. At this time, in order to protect the applied adhesive layer 2 from contamination caused by the environment, etc., it is preferable to attach the release liner 4 (also referred to as a peeling film) on the surface of the applied adhesive layer 2.

본 발명의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)에 사용하는 박리 필름으로서는, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 등의 합성 수지를 들 수 있다. 필요에 따라서 그 표면에 실리콘처리 등이 실시된 것이 바람직하다. 박리 필름의 두께는, 통상 10∼100㎛이다. 바람직하게는 20∼50㎛이다.As a peeling film used for the surface protection adhesive tape 3 for back surface grinding of the semiconductor wafer of this invention, synthetic resins, such as a polypropylene and polyethylene terephthalate, are mentioned. It is preferable that siliconization etc. were given to the surface as needed. The thickness of a release film is 10-100 micrometers normally. Preferably it is 20-50 micrometers.

이러한 구성을 채용함으로써, 반도체 웨이퍼 표면으로의 우수한 밀착성, 박리시의 우수한 박리용이성을 유지하며, 게다가 저오염성도 겸비한 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)를 얻을 수 있다. 즉, 상술의 기재(1)의 한쪽 면측에 점착제층(2)을 형성함으로써, 반도체 웨이퍼 표면에 요철이 존재하는 경우라도, 반도체 웨이퍼 표면에 양호한 밀착성을 얻을 수 있어, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭가공, 약액처리 등을 할 때, 연삭수, 약액 등의 침입이 방지되어 이들에 기인하는 반도체 웨이퍼의 파손, 오염을 방지할 수 있다.By adopting such a configuration, it is possible to obtain the surface protective adhesive tape 3 for backside grinding processing of the semiconductor wafer, which has excellent adhesion to the semiconductor wafer surface and excellent peelability at the time of peeling, and also has low pollution. That is, by forming the pressure-sensitive adhesive layer 2 on one surface side of the substrate 1 described above, even when unevenness exists on the surface of the semiconductor wafer, good adhesion can be obtained on the surface of the semiconductor wafer, and the back surface of the semiconductor wafer is ground. When the chemical liquid treatment is performed, intrusion of the grinding water, the chemical liquid, and the like is prevented, so that damage and contamination of the semiconductor wafer due to these can be prevented.

또, 반도체 웨이퍼 표면에서 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)를 박리할 때, 방사선을 조사함으로써, 점착제층(2)의 경화, 수축에 의해 점착제층 전체의 점착력이 충분히 저하하여, 반도체 웨이퍼를 파손하지 않고, 양호한 작업성으로 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)를 박리할 수 있다. 따라서, 본 발명의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)는, 요철로의 우수한 밀착성과 박리시의 박리용이성을 유지한 채로, 저오염성을 동시에 달성할 수 있다.Moreover, when peeling the surface protection adhesive tape 3 for back surface grinding from the surface of a semiconductor wafer, by irradiating a radiation, the adhesive force of the whole adhesive layer falls sufficiently by hardening and shrinking of the adhesive layer 2, and a semiconductor wafer is removed. The surface protective adhesive tape 3 for back surface grinding of a semiconductor wafer can be peeled off without damaging, with favorable workability. Therefore, the surface protection adhesive tape 3 for back surface grinding of the semiconductor wafer of this invention can achieve low pollution simultaneously, maintaining the outstanding adhesiveness to unevenness | corrugation and peelability at the time of peeling.

본 발명의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)의 파장 500∼600㎚에 있어서의 전 광선 투과율은, 40∼80%이다. 전 광선 투과율의 하한은, 50% 이상이 바람직하고, 50%를 초과하는 것이 보다 바람직하며, 51% 이상이 더 바람직하고, 53% 이상이 특히 바람직하다. 한편, 전 광선 투과율의 상한은, 70% 이하가 바람직하다.The total light transmittance in the wavelength of 500-600 nm of the surface protection adhesive tape 3 for back surface grinding of the semiconductor wafer of this invention is 40 to 80%. The lower limit of the total light transmittance is preferably 50% or more, more preferably 50% or more, further preferably 51% or more, and particularly preferably 53% or more. On the other hand, the upper limit of the total light transmittance is preferably 70% or less.

파장 500∼600㎚의 전 광선 투과율이 40% 미만이 되면 노치의 검출이 곤란하게 되어 센서 인식 에러가 발생해 버린다. 또 파장 500∼600㎚의 전 광선 투과율이 80%를 초과하면 투명도가 높기 때문에, 맞붙였는지 아닌지의 식별이 곤란하게 되어 버린다.When the total light transmittance at a wavelength of 500 to 600 nm is less than 40%, detection of the notch becomes difficult and a sensor recognition error occurs. Moreover, since the transparency is high when the total light transmittance of wavelength 500-600 nm exceeds 80%, it will become difficult to distinguish whether it has joined together.

본 발명에서는, 밀러 웨이퍼의 색 차이(ΔEM)와 본 발명의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)를 상기 밀러 웨이퍼에 맞붙인, 테이프 맞붙임 웨이퍼의 색 차이(ΔET)의 차이는, ΔET-ΔEM＞6.5이다. ΔET-ΔEM은 7.0보다 큰 것이 바람직하고, 7.8보다 큰 것이 보다 바람직하다. ΔET-ΔEM가 6.5 이하이면, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)가 밀러 웨이퍼에 부착되어 있는지가 한번 봐서 모르기 때문에, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)의 이중 붙임 등의 에러가 일어나는 요인이 된다. 한편, ΔET-ΔEM의 상한은 특별히 정하는 것은 아니지만, 바람직하게는 ΔET-ΔEM＜30이고, 보다 바람직하게는 ΔET-ΔEM＜25이며, 더 바람직하게는 ΔET-ΔEM＜20이다.In the present invention, the difference between the color difference (ΔEM) of the Miller wafer and the color difference (ΔET) of the tape-bonded wafer in which the surface protective adhesive tape 3 for back-grinding of the semiconductor wafer of the present invention is bonded to the Miller wafer is , ΔET-ΔEM> 6.5. It is preferable that ΔET-ΔEM is larger than 7.0, and more preferably larger than 7.8. If ΔET-ΔEM is 6.5 or less, it is not known whether the surface protective adhesive tape 3 for backside grinding of the semiconductor wafer is adhered to the mirror wafer. Therefore, double sticking of the surface protective adhesive tape 3 for backside grinding of the semiconductor wafer is performed. This is the cause of errors. On the other hand, although the upper limit of (DELTA) ET- (DELTA) EM is not specifically determined, Preferably it is (DELTA) ET-ΔEM <30, More preferably, it is (DELTA) ET-ΔEM <25, More preferably, it is (DELTA) ET-ΔEM <20.

본 발명의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프의, ＃280의 연마지로 닦은 SUS판에 대한 상온(25℃)에서의 점착력은, 감압형 점착제의 경우는 0.3∼5.0N/25㎜가 바람직하다. 한편, 자외선 경화형 점착제의 경우는 자외선 경화 전의 점착력은 1.0∼20 N/25㎜가 바람직하고, 자외선 경화 후의 점착력은 0.01∼1.0N/25㎜가 바람직하다. 감압형 점착제의 경우는 자외선 경화형의 점착제와는 달리, 점착력의 대폭적인 조정이 어렵기 때문에, 5.0N/25㎜ 이상이 되면 박리 불량이나 풀 잔류 문제가 발생해 버린다. 한편, 0.3N/25㎜ 이하가 되면 더스트 침입이나 테이프가 벗겨지는 문제가 발생하여, 웨이퍼 균열을 일으켜 버린다. 자외선 경화형 점착제의 경우, 자외선 조사에 의해 박리시의 점착력을 임의로 컨트롤할 수 있어, 자외선 경화 전과 자외선 경화 후에서 바람직한 점착력의 범위가 다르다.As for the adhesive force at normal temperature (25 degreeC) of the surface protection adhesive tape for back surface grinding of the semiconductor wafer of this invention with respect to the SUS board polished with # 280 abrasive paper, 0.3-5.0 N / 25 mm is preferable for a pressure sensitive adhesive. Do. On the other hand, in the case of an ultraviolet curable adhesive, 1.0-20 N / 25mm is preferable for the adhesive force before ultraviolet curing, and 0.01-1.0N / 25mm is preferable for the adhesive force after ultraviolet curing. In the case of the pressure-sensitive adhesive, unlike the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive, it is difficult to significantly adjust the adhesive force. When the pressure-sensitive adhesive is 5.0 N / 25 mm or more, a problem of peeling and pool residue occurs. On the other hand, when it becomes 0.3 N / 25 mm or less, the problem of dust penetration and a peeling of a tape arises, and a wafer crack occurs. In the case of an ultraviolet curable adhesive, the adhesive force at the time of peeling can be arbitrarily controlled by ultraviolet irradiation, and the range of preferable adhesive force differs before ultraviolet curing and after ultraviolet curing.

점착력을 상술의 범위로 조정함으로써, 연삭 중에 반도체 웨이퍼로부터 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프가 벗겨지지 않고, 이것에 의하여, 시피지나 반도체 웨이퍼 균열이 개선된다. 또, 연삭 후의 박리도 용이하게 되고, 이것에 의하여, 반도체 웨이퍼 파손이나 풀 잔류가 개선된다.By adjusting the adhesive force to the above-mentioned range, the surface protection adhesive tape for back surface grinding of a semiconductor wafer is not peeled from a semiconductor wafer during grinding, and, thereby, a crack of a paper or a semiconductor wafer is improved. In addition, peeling after grinding is also facilitated, whereby semiconductor wafer breakage and pool residue are improved.

한편, 방사선 경화형 테이프 등 박리를 위하여 점착력을 낮추는 것이 가능한 것에 대해서는, 연삭가공 공정 전, 즉 점착력 저감처리를 행하는 전후 상태에서 측정한 점착력을 말한다.On the other hand, the thing which can lower adhesive force for peeling, such as a radiation-curable tape, means the adhesive force measured before and after a grinding process process, ie, before and after the adhesive force reduction process.

이러한 점착력을 부여하려면, 상기의 점착제층에 있어서의 바람직한 구성으로 달성 가능하지만, 특히 경화제의 배합량을 조정함으로써, 상기의 범위로 할 수 있다.In order to provide such adhesive force, although it can achieve with the preferable structure in said adhesive layer, it can be set as said range by adjusting especially the compounding quantity of a hardening | curing agent.

또, 이것에 더하여, 점착제의 점착력은, 같은 점착제라도, 점착제층의 두께나 기재의 종류에 따라서도 조정할 수 있다.In addition, even if it is the same adhesive, the adhesive force of an adhesive can be adjusted also according to the thickness of an adhesive layer and the kind of base material.

본 발명에 의해 인식할 수 있는 노치 사이즈로서는, 예를 들면, SEMI 규격 및 JEITA 규격으로 규정되는 노치 깊이가 1.00㎜(허용차이+0.25㎜, -0.00㎜), 노치 각도가 90°(허용차이+5°, -1°)의 것을 들 수 있다. 본 발명의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프를 사용함으로써, 오리엔테이션 플랫보다 센서 인식이 곤란한 노치를 가지는 반도체 웨이퍼에 대해서도, 양호한 센서 인식성의 효과를 발휘한다.As the notch size which can be recognized by the present invention, for example, the notch depth defined by the SEMI standard and the JEITA standard is 1.00 mm (allowable difference +0.25 mm, -0.00 mm), and the notch angle is 90 ° (allowable difference +). 5 degrees, -1 degrees) is mentioned. By using the surface protection adhesive tape for back surface grinding of the semiconductor wafer of this invention, even the semiconductor wafer which has a notch which is difficult to recognize a sensor than an orientation flat exhibits the favorable sensor recognition effect.

본 발명에 의해 인식할 수 있는 노치를 가지는 반도체 웨이퍼로서는, 8인치, 12인치 등과 같이 대경화된 반도체 웨이퍼를 들 수 있다.As a semiconductor wafer which has the notch recognized by this invention, a large sized semiconductor wafer like 8 inches, 12 inches, etc. are mentioned.

(반도체 웨이퍼의 연삭가공 방법) (Method for Grinding Semiconductor Wafers)

본 발명의 반도체 웨이퍼의 연삭가공 방법은, 노치를 가지는 반도체 웨이퍼의 표면에 대하여, 본 발명의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프를 맞붙이는 공정을 가진다.The grinding method of the semiconductor wafer of this invention has the process of sticking the surface protection adhesive tape for back surface grinding of the semiconductor wafer of this invention with respect to the surface of the semiconductor wafer which has a notch.

반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프는, 기재와, 상기 기재의 한쪽 면측에 점착제층을 형성하여 이루어지는 것으로서, 상기 기재의 점착제층이 형성되어 있지 않은 면의 표면 거칠기가 Rz=0.7∼5.0㎛이고, 상기 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프의 파장 500∼600㎚에 있어서의 전 광선 투과율이 40∼80%이며, 밀러 웨이퍼의 색 차이(ΔEM)와 상기 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프를 상기 밀러 웨이퍼에 맞붙인 상태에서의 색 차이(ΔET)의 차이가 ΔET-ΔEM＞6.5이다.The surface protective adhesive tape for back surface grinding of a semiconductor wafer is formed by forming an adhesive layer in the base material and one surface side of the said base material, and the surface roughness of the surface on which the adhesive layer of the said base material is not formed is Rz = 0.7-5.0 micrometers. And the total light transmittance at a wavelength of 500 to 600 nm of the surface protective adhesive tape for back surface grinding of the semiconductor wafer is 40 to 80%, the color difference (ΔEM) of the mirror wafer and the surface protection for back surface grinding of the semiconductor wafer. The difference of the color difference (DELTA) ET in the state which stuck the adhesive tape on the said Miller wafer is (DELTA) ET-ΔEM> 6.5.

반도체 웨이퍼의 연삭가공 방법으로 사용하는 본 발명의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프는, 먼저 설명한 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프의 바람직한 범위의 것이 적용된다.As for the surface protection adhesive tape for back surface grinding of the semiconductor wafer of this invention used by the grinding method of a semiconductor wafer, the thing of the preferable range of the surface protection adhesive tape for back surface grinding of a semiconductor wafer mentioned above is applied.

이하, 본 발명의 반도체 웨이퍼의 연삭가공 방법에 대해 보다 상세하게 설명하지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although the grinding process of the semiconductor wafer of this invention is demonstrated in detail, it is not limited to these.

우선, 상기 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)의 점착제층(2)으로부터 박리 라이너(4)를 박리하고, 점착제층(2)의 표면을 노출시켜, 상기 점착제층(2)을 사이에 두고, 노치를 가지는 반도체 웨이퍼의 집적회로가 짜넣어진 측 혹은 전극이 형성된 측의 면(표면)에 붙인다. 다음으로, 연삭기의 척 테이블 등에, 상기 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)의 기재층(1)을 사이에 두고 반도체 웨이퍼를 고정하여, 반도체 웨이퍼의 집적회로가 짜넣어지지 않은 쪽 혹은 전극이 형성되어 있지 않은 쪽의 면(이면)을 연삭가공, 약품처리 등을 행한다. 연삭가공, 약품처리 등이 종료된 후, 상기 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)를 박리한다.First, the release liner 4 is peeled from the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the surface protective adhesive tape 3 for back surface grinding of the semiconductor wafer, and the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is exposed to expose the pressure-sensitive adhesive layer 2. In between, it attaches to the surface (surface) of the integrated circuit of the semiconductor wafer which has a notch, or the side in which the electrode was formed. Next, the semiconductor wafer is fixed to the chuck table of the grinding machine with the base layer 1 of the surface protective adhesive tape 3 for back grinding of the semiconductor wafer interposed therebetween, so that the integrated circuit of the semiconductor wafer is not incorporated. Alternatively, the surface (rear surface) on the side where the electrode is not formed is subjected to grinding, chemical treatment or the like. After grinding, chemical treatment or the like is completed, the surface protective adhesive tape 3 for back grinding of the semiconductor wafer is peeled off.

여기서, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)의 반도체 웨이퍼로의 붙이는 조작에는, 예를 들면, 라미네이터 DR8500Ⅲ(상품명：닛토 세이키(주)사 제)의 자동 테이핑 장치를 사용할 수 있다.Here, the laminating DR8500III (brand name: manufactured by Nitto Seiki Co., Ltd.) can be used for the operation of pasting the surface protective adhesive tape 3 for back surface grinding of the semiconductor wafer to the semiconductor wafer. .

반도체 웨이퍼의 이면의 연삭가공 조작에는, 예를 들면, DGP8760(상품명：디스코(주)사 제)의 장치를 사용할 수 있다.For the grinding operation of the back surface of the semiconductor wafer, for example, a device of DGP8760 (trade name: manufactured by Disco Corporation) can be used.

또, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)의 박리는, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭가공하여 박막화 한 후, 기재상에 점착제와 접착제가 적층된 다이싱 다이본드 시트(다이싱 테이프)의 점착면에 반도체 웨이퍼의 이면을 맞붙여, 웨이퍼 마운트를 행한 후에 행해진다.In addition, the peeling of the surface protection adhesive tape 3 for back surface grinding of a semiconductor wafer is carried out by grinding and thinning the back surface of a semiconductor wafer, and the dicing die bond sheet (dicing tape) by which the adhesive and the adhesive were laminated | stacked on the base material Is carried out after the back surface of the semiconductor wafer is pasted to the adhesive surface of the substrate.

다이싱 테이프로의 웨이퍼 마운트 및 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)의 박리 공정에는, 예를 들면, RAD-2700F(상품명：린텍(주)사 제)의 장치를 사용할 수 있다.The apparatus of RAD-2700F (brand name: the product made by Lintec Corporation) can be used for the peeling process of the surface mounting adhesive tape 3 for back surface grinding of a semiconductor wafer and a wafer mounting with a dicing tape.

다이싱 다이본드 시트에 맞붙일 때에는, 고온(약 80℃)으로 가열함으로써, 다이싱 다이본드 시트를 반도체 웨이퍼에 밀착시키거나 한다. 본 발명의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)는 내열성이 우수하기 때문에, 가열시에도 용융, 변형 등의 문제가 없고, 표면보호 점착테이프로서의 기능을 다할 수 있다.When bonding to a dicing die bond sheet, a dicing die bond sheet is made to adhere to a semiconductor wafer by heating at high temperature (about 80 degreeC). Since the surface protection adhesive tape 3 for back surface grinding of the semiconductor wafer of this invention is excellent in heat resistance, it does not have a problem of melt | dissolution, a deformation | transformation, etc., even when heating, and can fulfill the function as a surface protection adhesive tape.

본 발명의 반도체 웨이퍼의 연삭가공 방법은, 센서 인식성이 우수하며, 맞붙임 시인성 및 내열성에도 우수한 본 발명의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)를 사용함으로써, 종래의 연삭가공 방법에 비해 작업 효율이 높아져, 작업성이 한층 향상된다.The grinding method of the semiconductor wafer of this invention is the conventional grinding method by using the surface protection adhesive tape 3 for back surface grinding of the semiconductor wafer of this invention which is excellent in sensor recognition property, and is excellent also in joining visibility and heat resistance. Compared with this, the work efficiency is increased, and workability is further improved.

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예에 기초하여, 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들로 한정되지 않는다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail based on an Example, this invention is not limited to these.

(실시예 1) (Example 1)

초산비닐 성분의 함유량이 6.0질량%의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 수지 A 100 질량부에, 청색 안료의 구리 프탈로시아닌 블루를 5.0질량% 함유한 초산비닐 성분의 함유량이 6.0질량%의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 수지 B를 0.6질량부 드라이 브랜드 했다. 압출 성형기로 압출 성형함으로써 두께 165㎛, 배면의 표면 거칠기(Rz)=1.2㎛의 기재 필름 A를 얻었다.Ethylene- content of the vinyl acetate component which contains 5.0 mass% of copper phthalocyanine blue of a blue pigment in 100 mass parts of ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) resin A of 6.0 mass% of content of a vinyl acetate component 0.6 mass parts dry brand of vinyl acetate copolymer (EVA) resin B was carried out. Substrate film A having a thickness of 165 µm and a back surface roughness (Rz) of 1.2 µm was obtained by extrusion molding with an extrusion molding machine.

메타크릴산을 2mol%, 2-에틸헥실 아크릴레이트를 50mol%, 2-하이드록시 에틸아크릴레이트를 30mol%, 메틸아크릴레이트를 18mol%의 비율로 배합하고, 총 모노머 100질량부에 대하여 아조비스 이소부티로니트릴을 0.2질량부 첨가하여, 질소 가스 치환한 반응 용기 내에서 초산에틸 용액 중, 온도 70℃에서 공중합시킴으로써, 질량 평균 분자량 80만의 폴리머 용액을 얻었다. 이 폴리머 용액에, 폴리머 100질량부에 대하여, 경화제로서 콜로네이트 L(상품명, 닛뽄 폴리우레탄고교 가부시키가이샤(Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd).제) 2.0질량부를 배합하여, 점착제 조성물을 얻었다.2 mol% of methacrylic acid, 50 mol% of 2-ethylhexyl acrylate, 30 mol% of 2-hydroxyethyl acrylate, and 18 mol% of methyl acrylate were added, and azobis isoisobutyric to 100 parts by mass of the total monomers. 0.2 mass part of butyronitriles were added, and the polymer solution of the mass mean molecular weight 800,000 was obtained by copolymerizing at the temperature of 70 degreeC in the ethyl acetate solution in the reaction container which carried out the nitrogen gas substitution. 2.0 mass parts of Colonate L (brand name, Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd. product) were mix | blended with this polymer solution as a hardening | curing agent with respect to 100 mass parts of polymers, and the adhesive composition was obtained.

얻어진 점착제 조성물을, 도 1에 나타내는 바와 같이, 점착제층(2)의 두께가 30㎛가 되도록 박리 라이너(4) 상에 도공하고, 기재 필름(1)(실시예 1에 있어서는 기재 필름 A)에 맞붙여, 두께 195㎛의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)를 얻었다.As shown in FIG. 1, the obtained adhesive composition is coated on the release liner 4 so that the thickness of the adhesive layer 2 may be set to 30 micrometers, and it is made to base film 1 (base film A in Example 1). It bonded together and obtained the surface protection adhesive tape (3) for back surface grinding of 195 micrometers in thickness.

(실시예 2) (Example 2)

초산비닐 성분의 함유량이 6.0질량%의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 수지 A 100 질량부에, 청색 안료의 구리 프탈로시아닌 블루를 5.0질량% 함유한 초산비닐 성분의 함유량이 6.0질량%의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 수지 B를 0.3질량부 드라이 브랜드 했다. 압출 성형기로 압출 성형함으로써 두께 165㎛, 배면의 표면 거칠기(Rz)=0.7㎛의 기재 필름 B를 얻었다.Ethylene- content of the vinyl acetate component which contains 5.0 mass% of copper phthalocyanine blue of a blue pigment in 100 mass parts of ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) resin A of 6.0 mass% of content of a vinyl acetate component 0.3 mass parts dry brands of vinyl acetate copolymer (EVA) resin B were carried out. Substrate film B having a thickness of 165 µm and a back surface roughness (Rz) of 0.7 µm was obtained by extrusion molding with an extrusion molding machine.

메타크릴산을 1mol%, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 22mol%, 부틸 아크릴레이트를 77mol%의 비율로 배합하고, 총 모노머 100질량부에 대하여 아조비스 이소부티로니트릴을 0.3질량부 첨가하여, 질소 가스 치환한 반응 용기 내에서 초산에틸 용액 중, 온도 70℃에서 공중합시킴으로써, 질량 평균 분자량 30만의 폴리머 용액을 얻었다. 이 폴리머 용액에, 폴리머 100질량부에 대하여, 경화제로서 콜로네이트 L(상품명, 닛뽄 폴리우레탄고교 가부시키가이샤 제) 1.5질량부를 배합하여, 점착제 조성물을 얻었다.1 mol% of methacrylic acid, 22 mol% of 2-hydroxyethyl acrylate and 77 mol% of butyl acrylate are added, and 0.3 parts by mass of azobis isobutyronitrile is added to 100 parts by mass of the total monomers. The polymer solution of the mass average molecular weight 300,000 was obtained by copolymerizing in ethyl acetate solution in the temperature of 70 degreeC in the nitrogen-substituted reaction container. 1.5 mass parts of Colonate L (brand name, Nippon Polyurethane Co., Ltd. product) were mix | blended with this polymer solution as a hardening | curing agent, and the adhesive composition was obtained.

얻어진 점착제 조성물을, 도 1에 나타내는 바와 같이, 점착제층(2)의 두께가 40㎛가 되도록 박리 라이너(4) 상에 도공하고, 기재 필름(1)(실시예 2에 있어서는 기재 필름 B)에 맞붙여, 두께 205㎛의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)를 얻었다.As shown in FIG. 1, the obtained adhesive composition is coated on the peeling liner 4 so that the thickness of the adhesive layer 2 may be set to 40 micrometers, and to the base film 1 (base film B in Example 2) It bonded together and obtained the surface protection adhesive tape (3) for back surface grinding of 205 micrometers in thickness.

(실시예 3)(Example 3)

초산비닐 성분의 함유량이 10.0질량%의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 수지 C 100 질량부에, 청색 안료의 구리 프탈로시아닌 블루를 5.0질량% 함유한 초산비닐 성분의 함유량이 6.0질량%의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 수지 B를 0.6질량부 드라이 브랜드 했다. 압출 성형기로 압출 성형함으로써 두께 100㎛, 배면의 표면 거칠기(Rz)=3.7㎛의 기재 필름 C를 얻었다.Ethylene- of 6.0 mass% of content of the vinyl acetate component which contained 5.0 mass% of copper phthalocyanine blue of a blue pigment in 100 mass parts of ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) resin C of 10.0 mass% of content of a vinyl acetate component 0.6 mass parts dry brand of vinyl acetate copolymer (EVA) resin B was carried out. The base film C of thickness 100 micrometers and back surface roughness (Rz) = 3.7 micrometers was obtained by extrusion molding with an extrusion molding machine.

메타크릴산을 2mol%, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 29mol%, 2-에틸헥실 아크릴레이트를 69mol%의 비율로 배합하고, 총 모노머 100질량부에 대하여 아조비스 이소부티로니트릴을 0.2질량부 첨가하여, 질소 가스 치환한 반응 용기 내에서 초산에틸 용액 중, 온도 70℃에서 공중합시킴으로써, 질량 평균 분자량 23만의 폴리머 용액을 얻었다. 이 폴리머 용액에, 폴리머 100질량부에 대하여, 경화제로서 콜로네이트 L(상품명, 닛뽄 폴리우레탄고교 가부시키가이샤 제) 1.5질량부를 배합하여, 점착제 조성물을 얻었다.2 mol% of methacrylic acid, 29 mol% of 2-hydroxyethyl acrylate, and 69 mol% of 2-ethylhexyl acrylate were added, and 0.2 mass parts of azobis isobutyronitrile was added to 100 mass parts of the total monomers. The polymer solution was obtained by making it add and copolymerize at the temperature of 70 degreeC in ethyl acetate solution in the reaction container which carried out the nitrogen gas substitution. 1.5 mass parts of Colonate L (brand name, the Nippon Polyurethanes Co., Ltd. product) were mix | blended with this polymer solution as a hardening | curing agent, and the adhesive composition was obtained.

얻어진 점착제 조성물을, 도 1에 나타내는 바와 같이, 점착제층(2)의 두께가 30㎛가 되도록 박리 라이너(4) 상에 도공하고, 기재 필름(1)(실시예 3에 있어서는 기재 필름 C)에 맞붙여, 두께 130㎛의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)를 얻었다.As shown in FIG. 1, the obtained adhesive composition is coated on the peeling liner 4 so that the thickness of the adhesive layer 2 may be set to 30 micrometers, and to the base film 1 (base film C in Example 3) It bonded together and obtained the surface protection adhesive tape (3) for back surface grinding of thickness 130micrometer.

(실시예 4) (Example 4)

초산비닐 성분의 함유량이 10.0질량%의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 수지 C 100 질량부에, 청색 안료의 구리 프탈로시아닌 블루를 5.0질량% 함유한 초산비닐 성분의 함유량이 6.0질량%의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 수지 B를 0.8질량부 드라이 브랜드 했다. 압출 성형기로 압출 성형함으로써 두께 100㎛, 배면의 표면 거칠기(Rz)=4.9㎛의 기재 필름 D를 얻었다.Ethylene- of 6.0 mass% of content of the vinyl acetate component which contained 5.0 mass% of copper phthalocyanine blue of a blue pigment in 100 mass parts of ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) resin C of 10.0 mass% of content of a vinyl acetate component 0.8 mass parts dry brands of vinyl acetate copolymer (EVA) resin B were carried out. The base film D of thickness 100 micrometers and back surface roughness (Rz) = 4.9 micrometers was obtained by extrusion molding with an extrusion molding machine.

메타크릴산을 1mol%, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 22mol%, 2-에틸헥실 아크릴레이트를 77mol%의 비율로 배합하고, 총 모노머 100질량부에 대하여 아조비스 이소부티로니트릴을 0.2질량부 첨가하여, 질소 가스 치환한 반응 용기 내에서 초산에틸 용액 중, 온도 70℃에서 공중합시킴으로써, 질량 평균 분자량 70만의 폴리머 용액을 얻었다. 이 폴리머 용액에, 폴리머 100질량부에 대하여, 경화제로서 콜로네이트 L(상품명, 닛뽄 폴리우레탄고교 가부시키가이샤 제) 1.5질량부를 배합하여, 점착제 조성물을 얻었다.1 mol% of methacrylic acid, 22 mol% of 2-hydroxyethyl acrylate, and 77 mol% of 2-ethylhexyl acrylate were added, and 0.2 mass parts of azobis isobutyronitrile based on 100 mass parts of the total monomers. The polymer solution was obtained by adding and copolymerizing at the temperature of 70 degreeC in ethyl acetate solution in the reaction container which carried out the nitrogen gas substitution. 1.5 mass parts of Colonate L (brand name, the Nippon Polyurethanes Co., Ltd. product) were mix | blended with this polymer solution as a hardening | curing agent, and the adhesive composition was obtained.

얻어진 점착제 조성물을, 도 1에 나타내는 바와 같이, 점착제층(2)의 두께가 30㎛가 되도록 박리 라이너(4) 상에 도공하고, 기재 필름(1)(실시예 4에 있어서는 기재 필름 D)에 맞붙여, 두께 130㎛의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)를 얻었다.As shown in FIG. 1, the obtained adhesive composition is coated on the release liner 4 so that the thickness of the adhesive layer 2 may be set to 30 micrometers, and it is made to base film 1 (base film D in Example 4). It bonded together and obtained the surface protection adhesive tape (3) for back surface grinding of thickness 130micrometer.

(실시예 5)(Example 5)

초산비닐 성분의 함유량이 10.0질량%의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 수지 C 100 질량부에, 청색 안료의 구리 프탈로시아닌 블루를 5.0질량% 함유한 초산비닐 성분의 함유량이 6.0질량%의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 수지 B를 3.0질량부 드라이 브랜드 했다. 압출 성형기로 저밀도 폴리에틸렌(LDPE)과 드라이 브랜드한 상기 EVA 수지를 압출 성형함으로써, 두께 비율이 LDPE：EVA=1：1인 두께 80㎛, 배면의 표면 거칠기(Rz)=2.1㎛의 기재 필름 E를 얻었다.Ethylene- of 6.0 mass% of content of the vinyl acetate component which contained 5.0 mass% of copper phthalocyanine blue of a blue pigment in 100 mass parts of ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) resin C of 10.0 mass% of content of a vinyl acetate component 3.0 mass parts dry brand of vinyl acetate copolymer (EVA) resin B was carried out. By extrusion molding the low-density polyethylene (LDPE) and the EVA-branded EVA resin with an extrusion molding machine, a base film E having a thickness ratio of 80 µm in thickness of LDPE: EVA = 1: 1 and a back surface roughness (Rz) = 2.1 µm was obtained. Got it.

메타크릴산을 1mol%, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 22mol%, 2-에틸헥실 아크릴레이트를 77mol%의 비율로 배합하고, 총 모노머 100질량부에 대하여 아조비스 이소부티로니트릴을 0.2질량부 첨가하여, 질소 가스 치환한 반응 용기 내에서 초산에틸 용액 중, 온도 70℃에서 공중합시킴으로써, 질량 평균 분자량 70만의 폴리머 용액을 얻었다. 이 폴리머 용액에, 폴리머 100질량부에 대하여, 경화제로서 콜로네이트 L(상품명, 닛뽄 폴리우레탄고교 가부시키가이샤 제) 1.5질량부를 배합하여, 점착제 조성물을 얻었다.1 mol% of methacrylic acid, 22 mol% of 2-hydroxyethyl acrylate, and 77 mol% of 2-ethylhexyl acrylate were added, and 0.2 mass parts of azobis isobutyronitrile based on 100 mass parts of the total monomers. The polymer solution was obtained by adding and copolymerizing at the temperature of 70 degreeC in the ethyl acetate solution in the reaction container which carried out the nitrogen gas substitution. 1.5 mass parts of Colonate L (brand name, the Nippon Polyurethanes Co., Ltd. product) were mix | blended with this polymer solution as a hardening | curing agent, and the adhesive composition was obtained.

얻어진 점착제 조성물을, 도 1에 나타내는 바와 같이, 점착제층(2)의 두께가 40㎛가 되도록 박리 라이너(4) 상에 도공하고, 기재 필름(1)(실시예 5에 있어서는 기재 필름 E)의 EVA 측에 맞붙여, 두께 120㎛의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)를 얻었다.As shown in FIG. 1, the obtained adhesive composition is coated on the release liner 4 so that the thickness of the adhesive layer 2 may be 40 micrometers, and the base film 1 (base film E in Example 5) of the It bonded to EVA side and obtained the surface protection adhesive tape (3) for back surface grinding of thickness 120micrometer.

(실시예 6) (Example 6)

초산비닐 성분의 함유량이 10.0질량%의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 수지 C 100 질량부에, 청색 안료의 구리 프탈로시아닌 블루를 5.0질량% 함유한 초산비닐 성분의 함유량이 6.0질량%의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 수지 B를 5.0질량부 드라이 브랜드 했다. 압출 성형기로 고밀도 폴리에틸렌(HDPE)과 드라이 브랜드한 상기 EVA 수지를 압출 성형함으로써, 두께 비율이 HDPE：EVA=3：7인 두께 200㎛, 배면의 표면 거칠기(Rz)=3.2㎛의 기재 필름 F를 얻었다.Ethylene- of 6.0 mass% of content of the vinyl acetate component which contained 5.0 mass% of copper phthalocyanine blue of a blue pigment in 100 mass parts of ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) resin C of 10.0 mass% of content of a vinyl acetate component 5.0 mass parts dry brand of vinyl acetate copolymer (EVA) resin B was carried out. By extrusion molding the high-density polyethylene (HDPE) and the EVA-branded EVA resin with an extrusion molding machine, a base film F having a thickness ratio of 200 µm in thickness of HDPE: EVA = 3: 7 and a back surface roughness (Rz) of 3.2 µm was obtained. Got it.

메타크릴산을 1mol%, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 22mol%, 2-에틸헥실 아크릴레이트를 77mol%의 비율로 배합하고, 총 모노머 100질량부에 대하여 아조비스 이소부티로니트릴을 0.3질량부 첨가하여, 질소 가스 치환한 반응 용기 내에서 초산에틸 용액 중, 온도 70℃에서 공중합시킴으로써, 질량 평균 분자량 70만의 폴리머 용액을 얻었다. 이 폴리머 용액에, 폴리머 100질량부에 대하여, 경화제로서 콜로네이트 L(상품명, 닛뽄 폴리우레탄고교 가부시키가이샤 제) 1.5질량부를 배합하여, 점착제 조성물을 얻었다.1 mol% of methacrylic acid, 22 mol% of 2-hydroxyethyl acrylate, and 77 mol% of 2-ethylhexyl acrylate were added, and 0.3 parts by mass of azobis isobutyronitrile based on 100 parts by mass of the total monomers. The polymer solution was obtained by adding and copolymerizing at the temperature of 70 degreeC in the ethyl acetate solution in the reaction container which carried out the nitrogen gas substitution. 1.5 mass parts of Colonate L (brand name, the Nippon Polyurethanes Co., Ltd. product) were mix | blended with this polymer solution as a hardening | curing agent, and the adhesive composition was obtained.

얻어진 점착제 조성물을, 도 1에 나타내는 바와 같이, 점착제층(2)의 두께가 40㎛가 되도록 박리 라이너(4) 상에 도공하고, 기재 필름(1)(실시예 6에 있어서는 기재 필름 F)의 EVA 측에 맞붙여, 두께 240㎛의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)를 얻었다.As shown in FIG. 1, the obtained adhesive composition is coated on the release liner 4 so that the thickness of the adhesive layer 2 may be set to 40 micrometers, and the base film 1 (base film F in Example 6) of the It bonded to EVA side and obtained the surface protection adhesive tape (3) for back surface grinding of thickness 240micrometer.

(비교예 1) (Comparative Example 1)

메타크릴산을 1mol%, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 22mol%, 2-에틸헥실 아크릴레이트를 77mol%의 비율로 배합하고, 총 모노머 100질량부에 대하여 아조비스 이소부티로니트릴을 0.2질량부 첨가하여, 질소 가스 치환한 반응 용기 내에서 초산에틸 용액 중, 온도 70℃에서 공중합시킴으로써, 질량 평균 분자량 70만의 폴리머 용액을 얻었다. 이 폴리머 용액에, 폴리머 100질량부에 대하여, 경화제로서 콜로네이트 L(상품명, 닛뽄 폴리우레탄고교 가부시키가이샤 제) 1.5질량부를 배합하여, 점착제 조성물을 얻었다.1 mol% of methacrylic acid, 22 mol% of 2-hydroxyethyl acrylate, and 77 mol% of 2-ethylhexyl acrylate were added, and 0.2 mass parts of azobis isobutyronitrile based on 100 mass parts of the total monomers. The polymer solution was obtained by adding and copolymerizing at the temperature of 70 degreeC in the ethyl acetate solution in the reaction container which carried out the nitrogen gas substitution. 1.5 mass parts of Colonate L (brand name, the Nippon Polyurethanes Co., Ltd. product) were mix | blended with this polymer solution as a hardening | curing agent, and the adhesive composition was obtained.

얻어진 점착제 조성물을, 도 1에 나타내는 바와 같이, 점착제층(2)의 두께가 42㎛가 되도록 박리 라이너(4) 상에 도공하고, 기재 필름(1)(비교예 1에 있어서는, 두께 38㎛, 배면의 표면 거칠기(Rz)=0.1㎛의 테이진테트론필름G2C(상품명, 테이진듀폰필름(주) 제))에 맞붙여, 두께 80㎛의 이면 연삭가공용 표면 보호 테이프(3)을 얻었다.As shown in FIG. 1, the obtained adhesive composition is coated on the release liner 4 so that the thickness of the adhesive layer 2 may be 42 micrometers, and in the base film 1 (comparative example 1, thickness is 38 micrometers, The surface roughness (Rz) of the back surface was bonded to Teijin Tetron film G2C (brand name, made by Teijin Dupont Film Co., Ltd.) of 0.1 micrometer, and the surface protection tape 3 for back surface grinding of thickness 80micrometer was obtained.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 수지를 압출 성형기로 압출 성형함으로써, 두께 150㎛, 배면의 표면 거칠기(Rz)=5.8㎛의 기재 필름 G를 얻었다.The low density polyethylene (LDPE) resin was extrusion-molded by the extrusion molding machine, and the base film G of thickness 150micrometer and back surface roughness (Rz) = 5.8 micrometer was obtained.

메타크릴산을 1mol%, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 22mol%, 2-에틸헥실 아크릴레이트를 77mol%의 비율로 배합하고, 총 모노머 100질량부에 대하여 아조비스 이소부티로니트릴을 0.2질량부 첨가하여, 질소 가스 치환한 반응 용기 내에서 초산에틸 용액 중, 온도 70℃에서 공중합시킴으로써, 질량 평균 분자량 70만의 폴리머 용액을 얻었다. 이 폴리머 용액에, 폴리머 100질량부에 대하여, 경화제로서 콜로네이트 L(상품명, 닛뽄 폴리우레탄고교 가부시키가이샤 제) 1.5질량부를 배합하여, 점착제 조성물을 얻었다.1 mol% of methacrylic acid, 22 mol% of 2-hydroxyethyl acrylate, and 77 mol% of 2-ethylhexyl acrylate were added, and 0.2 mass parts of azobis isobutyronitrile based on 100 mass parts of the total monomers. The polymer solution was obtained by adding and copolymerizing at the temperature of 70 degreeC in the ethyl acetate solution in the reaction container which carried out the nitrogen gas substitution. 1.5 mass parts of Colonate L (brand name, the Nippon Polyurethanes Co., Ltd. product) were mix | blended with this polymer solution as a hardening | curing agent, and the adhesive composition was obtained.

얻어진 점착제 조성물을, 도 1에 나타내는 바와 같이, 점착제층(2)의 두께가 30㎛가 되도록 박리 라이너(4) 상에 도공하고, 기재 필름(1)(비교예 2에 있어서는 기재 필름 G)에 맞붙여, 두께 180㎛의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)를 얻었다.As shown in FIG. 1, the obtained adhesive composition is coated on the peeling liner 4 so that the thickness of the adhesive layer 2 may be set to 30 micrometers, and to the base film 1 (base film G in the comparative example 2). It bonded together and obtained the surface protection adhesive tape (3) for back surface grinding of 180 micrometers in thickness.

(비교예 3) (Comparative Example 3)

저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 수지 100질량부에, 청색 안료의 구리 프탈로시아닌 블루를 5.0질량% 함유한 초산비닐 성분의 함유량이 6.0질량%의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 수지 B를 30질량부 드라이 브랜드 했다. 압출 성형기로 드라이 브랜드한 수지를 압출 성형함으로써, 두께 300㎛, 배면의 표면 거칠기(Rz)=2.5㎛의 기재 필름 H를 얻었다.30 mass parts of ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) resin B of 6.0 mass% of content of the vinyl acetate component which contained 5.0 mass% of copper phthalocyanine blue of a blue pigment in 100 mass parts of low density polyethylene (LDPE) resins did. The base film H of thickness 300 micrometers and back surface roughness (Rz) = 2.5 micrometers was obtained by extrusion molding the resin dry branded with the extrusion molding machine.

메타크릴산을 1mol%, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 22mol%, 2-에틸헥실 아크릴레이트를 77mol%의 비율로 배합하고, 총 모노머 100질량부에 대하여 아조비스 이소부티로니트릴을 0.2질량부 첨가하여, 질소 가스 치환한 반응 용기 내에서 초산에틸 용액 중, 온도 70℃에서 공중합시킴으로써, 질량 평균 분자량 70만의 폴리머 용액을 얻었다. 이 폴리머 용액에, 폴리머 100질량부에 대하여, 경화제로서 콜로네이트 L(상품명, 닛뽄 폴리우레탄고교 가부시키가이샤 제) 1.5질량부를 배합하여, 점착제 조성물을 얻었다.1 mol% of methacrylic acid, 22 mol% of 2-hydroxyethyl acrylate, and 77 mol% of 2-ethylhexyl acrylate are added, and 0.2 parts by mass of azobis isobutyronitrile based on 100 parts by mass of the total monomers. The polymer solution was obtained by adding and copolymerizing at the temperature of 70 degreeC in the ethyl acetate solution in the reaction container which carried out the nitrogen gas substitution. 1.5 mass parts of Colonate L (brand name, the Nippon Polyurethanes Co., Ltd. product) were mix | blended with this polymer solution as a hardening | curing agent, and the adhesive composition was obtained.

얻어진 점착제 조성물을, 도 1에 나타내는 바와 같이, 점착제층(2)의 두께가 30㎛가 되도록 박리 라이너(4) 상에 도공하고, 기재 필름(1)(비교예 3에 있어서는 기재 필름 H)에 맞붙여, 두께 330㎛의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)를 얻었다.As shown in FIG. 1, the obtained adhesive composition is coated on the peeling liner 4 so that the thickness of the adhesive layer 2 may be set to 30 micrometers, and to the base film 1 (base film H in the comparative example 3). It bonded together and obtained the surface protection adhesive tape (3) for back surface grinding of 330 micrometers in thickness.

(비교예 4) (Comparative Example 4)

초산비닐 성분의 함유량이 10.0질량%의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 수지 C 100 질량부에, 청색 안료의 구리 프탈로시아닌 블루를 5.0질량% 함유한 초산비닐 성분의 함유량이 6.0질량%의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 수지 B를 4.0질량부 드라이 브랜드 했다. 압출 성형기로 저밀도 폴리에틸렌(LDPE)과 드라이 브랜드한 상기 EVA 수지를 압출 성형함으로써, 두께 비율이 LDPE：EVA=3：7인 두께 100㎛, 배면의 표면 거칠기(Rz)=7.1㎛의 기재 필름 I를 얻었다.Ethylene- of 6.0 mass% of content of the vinyl acetate component which contained 5.0 mass% of copper phthalocyanine blue of a blue pigment in 100 mass parts of ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) resin C of 10.0 mass% of content of a vinyl acetate component The vinyl acetate copolymer (EVA) resin B was 4.0 parts by mass dry brand. By extrusion molding the low-density polyethylene (LDPE) and the EVA-branded EVA resin with an extrusion molding machine, a base film I having a thickness ratio of 100 μm and a surface roughness (Rz) of 7.1 μm having a LDPE: EVA = 3: 7 ratio was formed. Got it.

메타크릴산을 1mol%, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 22mol%, 2-에틸헥실 아크릴레이트를 77mol%의 비율로 배합하고, 총 모노머 100질량부에 대하여 아조비스 이소부티로니트릴을 0.2질량부 첨가하여, 질소 가스 치환한 반응 용기 내에서 초산에틸 용액 중, 온도 70℃에서 공중합시킴으로써, 질량 평균 분자량 70만의 폴리머 용액을 얻었다. 이 폴리머 용액에, 폴리머 100질량부에 대하여, 경화제로서 콜로네이트 L(상품명, 닛뽄 폴리우레탄고교 가부시키가이샤 제) 1.5질량부를 배합하여, 점착제 조성물을 얻었다.1 mol% of methacrylic acid, 22 mol% of 2-hydroxyethyl acrylate, and 77 mol% of 2-ethylhexyl acrylate are added, and 0.2 parts by mass of azobis isobutyronitrile based on 100 parts by mass of the total monomers. The polymer solution was obtained by adding and copolymerizing at the temperature of 70 degreeC in the ethyl acetate solution in the reaction container which carried out the nitrogen gas substitution. 1.5 mass parts of Colonate L (brand name, the Nippon Polyurethanes Co., Ltd. product) were mix | blended with this polymer solution as a hardening | curing agent, and the adhesive composition was obtained.

얻어진 점착제 조성물을, 도 1에 나타내는 바와 같이, 점착제층(2)의 두께가 30㎛가 되도록 박리 라이너(4) 상에 도공하고, 기재 필름(1)(비교예 4에 있어서는 기재 필름 I)의 EVA 측에 맞붙여, 두께 130㎛의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)를 얻었다.As shown in FIG. 1, the obtained adhesive composition is coated on the peeling liner 4 so that the thickness of the adhesive layer 2 may be set to 30 micrometers, and of the base film 1 (the base film I in the comparative example 4) It bonded to EVA side and obtained the surface protection adhesive tape (3) for back surface grinding of thickness 130micrometer.

(비교예 5) (Comparative Example 5)

초산비닐 성분의 함유량이 20.0질량%의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 수지 D 100 질량부에, 청색 안료의 구리 프탈로시아닌 블루를 5.0질량% 함유한 초산비닐 성분의 함유량이 6.0질량%의 에틸렌 초산비닐 공중합체(EVA) 수지 B를 0.3질량부 드라이 브랜드 했다. 압출 성형기로 압출 성형함으로써 두께 165㎛, 배면의 표면 거칠기(Rz)=6.8㎛의 기재 필름 J를 얻었다.Ethylene acetate whose content of the vinyl acetate component which contained 5.0 mass% of copper phthalocyanine blue of a blue pigment was 5.0 mass% in 100 mass parts of ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) resin D of 20.0 mass% of vinyl acetate components 0.3 mass parts dry brand of vinyl copolymer (EVA) resin B was carried out. Substrate film J having a thickness of 165 µm and a back surface roughness (Rz) of 6.8 µm was obtained by extrusion molding with an extrusion molding machine.

메타크릴산을 1mol%, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 22mol%, 2-에틸헥실 아크릴레이트를 77mol%의 비율로 배합하고, 총 모노머 100질량부에 대하여 아조비스 이소부티로니트릴을 0.2질량부 첨가하여, 질소 가스 치환한 반응 용기 내에서 초산에틸 용액 중, 온도 70℃에서 공중합시킴으로써, 질량 평균 분자량 70만의 폴리머 용액을 얻었다. 이 폴리머 용액에, 폴리머 100질량부에 대하여, 경화제로서 콜로네이트 L(상품명, 닛뽄 폴리우레탄고교 가부시키가이샤 제) 1.5질량부를 배합하여, 점착제 조성물을 얻었다.1 mol% of methacrylic acid, 22 mol% of 2-hydroxyethyl acrylate, and 77 mol% of 2-ethylhexyl acrylate were added, and 0.2 mass parts of azobis isobutyronitrile based on 100 mass parts of the total monomers. The polymer solution was obtained by adding and copolymerizing at the temperature of 70 degreeC in the ethyl acetate solution in the reaction container which carried out the nitrogen gas substitution. 1.5 mass parts of Colonate L (brand name, the Nippon Polyurethanes Co., Ltd. product) were mix | blended with this polymer solution as a hardening | curing agent, and the adhesive composition was obtained.

얻어진 점착제 조성물을, 도 1에 나타내는 바와 같이, 점착제층(2)의 두께가 30㎛가 되도록 박리 라이너(4) 상에 도공하고, 기재 필름(1)(비교예 5에 있어서는 기재 필름 J)에 맞붙여, 두께 195㎛의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)를 얻었다.As shown in FIG. 1, the obtained adhesive composition is coated on the peeling liner 4 so that the thickness of the adhesive layer 2 may be set to 30 micrometers, and to the base film 1 (base film J in the comparative example 5). It bonded together and obtained the surface protection adhesive tape (3) for back surface grinding of 195 micrometers in thickness.

한편, 수지의 질량 평균 분자량은, 테트라히드로푸란에 용해하여 얻은 1% 용액을, 게르파미에이션크로마트그래피(워터즈사 제, 상품명：150-C　ALC/GPC)에 의해 측정한 값을 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량으로서 산출한 것이다.On the other hand, the mass average molecular weight of resin measured the value which measured the 1% solution obtained by melt | dissolving in tetrahydrofuran by germanification chromatography (made by Waters Corporation, brand name: 150-C'ALC / GPC) of polystyrene conversion. It is computed as a mass average molecular weight.

(반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프의 성능 평가) (Performance Evaluation of Surface Protective Adhesive Tape for Back Surface Grinding of Semiconductor Wafer)

상기 실시예 1∼6 및 비교예 1∼5에서 얻어진 각 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)에 대하여, 이하의 시험을 행하고, 그 성능을 평가하여, 하기 표 1, 2에 나타내는 결과를 얻었다.The following tests were performed about the surface protection adhesive tape 3 for back surface grinding of each semiconductor wafer obtained by the said Examples 1-6 and Comparative Examples 1-5, and evaluated the performance, and are shown in following Tables 1 and 2 The result was obtained.

(기재 필름 배면의 표면 거칠기 측정) (Measurement of surface roughness of the base film back side)

기재 필름 배면의 표면 거칠기(Rz)는, JIS　B0601에 기초하여, 폭 230㎜의 기재 필름(1)의 폭 방향에서 본 경우의 중심과 중심으로부터 좌우로 80㎜ 떨어진 위치의 합계 3개소에 있어서, 측정 길이 5㎜로서 길이 방향 및 폭 방향의 2방향에 대하여, 「HANDYSURF E-30A」(상품명：도쿄세이미츠(주)(TOKYO SEIMITSU CO., LTD.） 제)를 이용하여 측정하고, 십점 평균 거칠기(Rz)를 구한 값이다.The surface roughness Rz of the back surface of the base film is based on JIS B0601 in three places of the center and the position separated 80 mm to the left and right from the center in the width direction of the base film 1 having a width of 230 mm, Measured as 5 mm in length, and measured in two directions of a longitudinal direction and the width direction using "HANDYSURF E-30A" (brand name: Tokyo Seimitsu Co., Ltd. make (TOKYO SEIMITSU CO., LTD.)), And average of ten points It is the value which calculated | required roughness Rz.

(전 광선 투과율 측정) (Total light transmittance measurement)

실시예 및 비교예의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)로부터 박리 라이너(4)를 박리하여, 기재 필름(1) 면 측으로부터의 파장 500∼600㎚에 있어서의 전 광선 투과율을, 분광 광도계 UV3101PC&MPC-3100(상품명, (주)시마즈 세이사쿠쇼(Shimadzu Corporation） 제)를 사용하여 N=3으로 측정하여 평균치를 구했다.The peeling liner 4 is peeled from the surface protection adhesive tape 3 for back surface grinding of the semiconductor wafer of an Example and a comparative example, and the total light transmittance in 500-600 nm of wavelengths from the base film 1 surface side, It measured by N = 3 using the spectrophotometer UV3101PC & MPC-3100 (brand name, the Shimadzu Corporation make), and calculated | required the average value.

(시인성의 평가) (Evaluation of visibility)

색채색차계 CR-400(상품명：코니카 미놀타(주) 제)를 이용하여 실시예 및 비교예의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)로부터 박리 라이너(4)를 박리하여 색 차이 측정을 행하였다. 백색 교정판을 이용하고, 이 백색을 기준으로 한 밀러 웨이퍼의 색 차이(ΔEM)를 측정했다. 측정한 밀러 웨이퍼에 실시예 및 비교예의 각 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)로부터 박리 라이너(4)를 박리한 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)를 공기가 들어가지 않게 맞붙이고, 테이프 맞붙임 웨이퍼의 색 차이(ΔET)를 측정했다. 테이프 맞붙임 웨이퍼의 색 차이(ΔET)와 밀러 웨이퍼의 색 차이(ΔEM)의 차이(ΔET-ΔEM)를 계산하여, 이하의 기준으로 평가했다.Color difference measurement was performed by peeling the release liner 4 from the surface protective adhesive tape 3 for backside grinding of the semiconductor wafers of Examples and Comparative Examples using a color difference meter CR-400 (trade name: manufactured by Konica Minolta Co., Ltd.). It was done. Using the white calibration plate, the color difference (ΔEM) of the Miller wafer based on this white was measured. The surface protective adhesive tape 3 for back surface grinding which peeled the peeling liner 4 from the surface protective adhesive tape 3 for back surface grinding of each semiconductor wafer of an Example and a comparative example was bonded to the measured Miller wafer so that air might not enter. Then, the color difference (ΔET) of the tape pasting wafer was measured. The difference (ΔET-ΔEM) between the color difference (ΔET) of the tape pasting wafer and the color difference (ΔEM) of the Miller wafer was calculated and evaluated according to the following criteria.

A：ΔET-ΔEM＞6.5의 것A: ΔET-ΔEM> 6.5

C：ΔET-ΔEM≤6.5의 것C: ΔET-ΔEM≤6.5

(센서 인식성 평가) (Sensor Recognition Evaluation)

박리 라이너(4)를 박리한, 실시예 및 비교예의 각 반도체 웨이퍼의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)를, 라미네이터 DR8500Ⅲ(상품명：닛토 세이키(주)사 제)를 이용하고, 도 2와 같은, 노치(6)를 가지는 8인치 실리콘 밀러 웨이퍼(신에츠한도타이고교(信越半導體工業)사 제, 노치 깊이 1.00㎜(허용차이+0.25㎜, -0.00㎜), 노치 각도 90°(허용차이+5°, -1°)의 반도체 웨이퍼)에 맞붙였다.Using laminator DR8500III (brand name: manufactured by Nitto Seiki Co., Ltd.), the surface protective adhesive tape 3 for back-grinding of the semiconductor wafers of the semiconductor wafers of the Examples and Comparative Examples, in which the release liner 4 was peeled off, was used. 2, an 8-inch silicon mirror wafer having a notch 6 (manufactured by Shin-Etsu Handa Tokyo Co., Ltd.), notch depth 1.00 mm (allowable difference +0.25 mm, -0.00 mm), notch angle 90 ° (A semiconductor wafer having an allowable difference of + 5 ° and -1 °).

그 후, DGP8760(상품명：디스코(주) 제)을 이용하고, 상기 반도체 웨이퍼의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)를 맞붙이지 않은 면을 두께 100㎛까지 연삭 했다. 연삭 후의 상기 반도체 웨이퍼를 RAD-2700F(상품명：린텍(주)사 제)을 이용하여 다이싱 테이프로의 웨이퍼 마운트 및 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면 보호 테이프(3)의 박리를 행하여, 이하의 기준으로 평가했다.Thereafter, using DGP8760 (trade name: manufactured by Disco Co., Ltd.), the surface on which the surface protective adhesive tape 3 for back surface grinding of the semiconductor wafer of the semiconductor wafer was not bonded was ground to a thickness of 100 µm. The semiconductor wafer after grinding was subjected to a wafer mount with a dicing tape and a surface protection tape 3 for backside grinding processing of the semiconductor wafer using RAD-2700F (trade name: manufactured by Lintec Co., Ltd.). Rated by

A：문제없이 박리된 것A ： Peeled off without problem

C：테이프 마운트시에 노치의 검출 에러가 발생한 것C: Notch detection error occurred when the tape was mounted

(휨의 평가) (Evaluation of warpage)

상기 센서 인식성 평가와 마찬가지로 하고, 박리 라이너(4)를 박리한, 실시예 및 비교예의 각 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)를, 상기와 같은 노치(6)를 가지는 8인치 실리콘 밀러 웨이퍼(반도체 웨이퍼)에 맞붙이고, 상기 맞붙인 후의 각 반도체 웨이퍼의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)를 맞붙이지 않은 면을, 인 라인 기구를 가지는 그라인더 DGP8760(상품명：디스코(주) 제)을 사용하고 두께 50㎛까지 각각 25매의 반도체 웨이퍼의 연마를 행하여, 이하의 기준으로 평가했다.The surface protective adhesive tape 3 for back grinding of each semiconductor wafer of the Example and the comparative example which peeled the peeling liner 4 similarly to the said sensor recognition evaluation was 8 inches which has the notch 6 as mentioned above. Grinder DGP8760 (trade name: Disco) which has an in-line mechanism and a surface which adhere | attaches a silicon mirror wafer (semiconductor wafer), and has not adhered the surface protection adhesive tape 3 for back surface grinding of the semiconductor wafer of each said semiconductor wafer after the said bonding. (Manufactured by Co., Ltd.) was used to polish 25 semiconductor wafers up to 50 µm in thickness, respectively, and evaluated according to the following criteria.

A：25매의 반도체 웨이퍼의 모든 휨이 10㎜ 미만인 것A: All warpages of 25 semiconductor wafers are less than 10 mm

B：반도체 웨이퍼의 적어도 1매의 휨이 10㎜ 이상 20㎜ 미만인 것B: The warpage of at least one sheet of semiconductor wafer is 10 mm or more and less than 20 mm

C：반도체 웨이퍼의 적어도 1매의 휨이 20㎜ 이상인 것C: warpage of at least one sheet of semiconductor wafer is 20 mm or more

(내열성의 평가)(Evaluation of heat resistance)

상기 센서 인식성 평가와 마찬가지로 하고, 박리 라이너(4)를 박리한, 실시예 및 비교예의 각 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프(3)를, 상기와 같은 노치(6)를 가지는 8인치 실리콘 밀러 웨이퍼(반도체 웨이퍼)에 맞붙이고, 상기 맞붙인 후의 각 반도체 웨이퍼를, 80℃의 핫 플레이트상에 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프면을 핫 플레이트에 접촉하도록 두고, 3분간 방치했다. 그 후, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프 배면(기재 필름측)을 육안으로 관찰하여, 이하의 기준으로 평가했다.The surface protective adhesive tape 3 for back grinding of each semiconductor wafer of the Example and the comparative example which peeled the peeling liner 4 similarly to the said sensor recognition evaluation was 8 inches which has the notch 6 as mentioned above. It bonded to a silicon mirror wafer (semiconductor wafer), and left each said semiconductor wafer after the said pasting on the 80 degreeC hotplate so that the surface protection adhesive tape surface for back surface grinding of a semiconductor wafer might contact a hotplate, and left for 3 minutes. . Then, the back surface (surface of the base film) of the surface protection adhesive tape for back surface grinding of a semiconductor wafer was visually observed, and the following references | standards evaluated.

A：용융 등이 관측되지 않고, 가열 전후로 변화가 없는 것A: Melting is not observed, and there is no change before and after heating

C：가열에 의해 배면이 녹는 등의 변화가 보이는 것C: The change such that the back melts by heating is seen

[표 1]TABLE 1

Figure 112017089330128-pct00001
Figure 112017089330128-pct00001

[표 2]TABLE 2

Figure 112017089330128-pct00002
Figure 112017089330128-pct00002

표 1 및 표 2에서 나타내는 바와 같이, 실시예 1∼6에서는 시인성(맞붙임 식별성)에 문제없이, 또 센서 인식의 에러 없이 박막에 연삭한 반도체 웨이퍼를 다이싱 테이프에 마운트 하고, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프를 박리할 수 있으며, 또 내열성에도 우수하다. 한편, 비교예 1은 언뜻 보아, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프가 맞붙여져 있는지 알 수 없어 시인성에 문제가 있다. 또 비교예 2, 4 및 5는 기재 배면의 표면 거칠기(Rz)가 거칠기 때문에, 반도체 웨이퍼의 박막 연삭시에 대량의 실리콘 더스트가 부착해 버려, 노치 검출을 할 수 없는 에러가 발생했다. 또한 비교예 3은 색이 진하고, 전 광선 투과율이 나쁘기 때문에 노치 검출을 할 수 없는 에러가 발생했다.As shown in Tables 1 and 2, in Examples 1 to 6, a semiconductor wafer ground on a thin film was mounted on a dicing tape without problems of visibility (joint discriminability) and without sensor recognition error. The surface protective adhesive tape for grinding can be peeled off, and it is also excellent in heat resistance. On the other hand, in Comparative Example 1, at first glance, it is not known whether the surface protective adhesive tape for backside grinding processing of the semiconductor wafer is bonded together, and there is a problem in visibility. Moreover, since the surface roughness Rz of the back surface of a base material is rough in Comparative Examples 2, 4, and 5, a large amount of silicon dust adhered at the time of thin-film grinding of a semiconductor wafer, and the error which a notch detection could not generate | occur | produced. In addition, in Comparative Example 3, the color was dark and the total light transmittance was bad, resulting in an error in which notch detection was not possible.

1: 기재(기재 필름)
11: 기재의 점착제층이 형성되어 있지 않은 면(배면)
2: 점착제층
3: 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프
4: 박리 라이너
5: 반도체 웨이퍼(실리콘 밀러 웨이퍼)
6: 노치
7: 오리엔테이션 플랫
8: 반도체 웨이퍼(실리콘 밀러 웨이퍼)1: base material (substrate film)
11: The surface (back side) in which the adhesive layer of a base material is not formed
2: adhesive layer
3: surface protective adhesive tape for backside grinding of semiconductor wafers
4: release liner
5: semiconductor wafer (silicon miller wafer)
6: notch
7: orientation flat
8: Semiconductor Wafer (Silicone Miller Wafer)

Claims (9)

기재와, 상기 기재의 한쪽 면측에 점착제층을 형성하여 이루어지는 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프로서,
상기 기재의 점착제층이 형성되어 있지 않은 면의 표면 거칠기가 Rz=0.7∼5.0㎛이고,
상기 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프의 파장 500∼600㎚에 있어서의 전 광선 투과율이 40∼80%이며,
밀러 웨이퍼의 색 차이(ΔEM)와 상기 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프를 상기 밀러 웨이퍼에 맞붙인 상태에서의 색 차이(ΔET)의 차이가 ΔET-ΔEM＞6.5이고,
노치를 가지는 반도체 웨이퍼의 표면에 맞붙여 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭가공하는 공정으로 이용되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프.As a surface protection adhesive tape for back surface grinding of a semiconductor wafer which forms a base material and the adhesive layer in the one surface side of the said base material,
The surface roughness of the surface on which the adhesive layer of the said base material is not formed is Rz = 0.7-5.0 micrometers,
The total light transmittance in wavelength 500-600 nm of the surface protection adhesive tape for back surface grinding of the said semiconductor wafer is 40 to 80%,
The difference between the color difference (ΔEM) of the Miller wafer and the color difference (ΔET) in the state where the surface protective adhesive tape for back-grinding of the semiconductor wafer is bonded to the Miller wafer is ΔET-ΔEM> 6.5,
A surface protective adhesive tape for back surface grinding of a semiconductor wafer, which is used in a step of grinding a back surface of a semiconductor wafer by bonding to a surface of a semiconductor wafer having a notch. 제 1 항에 있어서,
상기 표면 거칠기(Rz)가, 0.7㎛ 이상 5.0㎛ 미만인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프.The method of claim 1,
The surface roughness tape for back-grinding of a semiconductor wafer characterized by the above-mentioned surface roughness Rz being 0.7 micrometer or more and less than 5.0 micrometers. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기재에, 프탈로시아닌 안료, 나프탈로시아닌 안료, 인단트론 안료, 인단스렌 안료 및 트리아릴카르보늄 안료로부터 선택되는 안료를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프.The method according to claim 1 or 2,
A surface protective adhesive tape for backside grinding of a semiconductor wafer, characterized in that the substrate contains a pigment selected from a phthalocyanine pigment, a naphthalocyanine pigment, an indanthrone pigment, an indanthrene pigment, and a triarylcarbonium pigment. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기재의 두께가, 80∼200㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프.The method according to claim 1 or 2,
The thickness of the said base material is 80-200 micrometers, The surface protection adhesive tape for back surface grinding of a semiconductor wafer. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기재가, 같은 공중합 성분으로 이루어지는 수지로 구성되고, 상기 공중합 성분에 적어도 초산비닐이 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프.The method according to claim 1 or 2,
The said base material is comprised from resin which consists of the same copolymerization component, and the said copolymerization component contains vinyl acetate at least, The surface protection adhesive tape for back-grinding of a semiconductor wafer characterized by the above-mentioned. 제 5 항에 있어서,
상기 초산비닐 성분의 함유량이, 1.9∼10.5질량%인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프.The method of claim 5,
The content of said vinyl acetate component is 1.9-10.5 mass%, The surface protection adhesive tape for back surface grinding of a semiconductor wafer. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기재가 단층 또는 복층으로서, 상기 기재에 있어서의 점착제층이 형성되어 있지 않은 측의 최외층의 기재 수지의 융점이 85℃ 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프.The method according to claim 1 or 2,
The said base material is a single | mono layer or a multilayer, and melting | fusing point of the base material resin of the outermost layer of the side in which the adhesive layer in the said base material is not formed is 85 degreeC or more, The surface protection adhesive tape for back surface grinding of a semiconductor wafer. 노치를 가지는 반도체 웨이퍼의 표면에 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프를 맞붙여 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭가공하는 반도체 웨이퍼의 연삭가공 방법으로서,
상기 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프가, 기재와, 상기 기재의 한쪽 면측에 점착제층을 형성하여 이루어지는 것으로서,
상기 기재의 점착제층이 형성되어 있지 않은 면의 표면 거칠기가 Rz=0.7∼5.0㎛이며,
상기 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프의 파장 500∼600㎚에 있어서의 전 광선 투과율이 40∼80%이고,
밀러 웨이퍼의 색 차이(ΔEM)와 상기 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공용 표면보호 점착테이프를 상기 밀러 웨이퍼에 맞붙인 상태에서의 색 차이(ΔET)의 차이가 ΔET-ΔEM＞6.5인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 연삭가공 방법.A method of grinding a semiconductor wafer in which a surface protective adhesive tape for backside grinding of a semiconductor wafer is bonded to a surface of a semiconductor wafer having a notch, and the backside of the semiconductor wafer is ground.
The surface protective adhesive tape for back-grinding of the said semiconductor wafer forms a base material and an adhesive layer in the one surface side of the said base material,
The surface roughness of the surface on which the adhesive layer of the said base material is not formed is Rz = 0.7-5.0 micrometers,
The total light transmittance in wavelength 500-600 nm of the surface protection adhesive tape for back surface grinding of the said semiconductor wafer is 40 to 80%,
The difference between the color difference [Delta] EM of the Miller wafer and the color difference [Delta] ET when the surface protective adhesive tape for back-grinding of the semiconductor wafer is bonded to the Miller wafer is ΔET-ΔEM> 6.5. Grinding method. 제 8 항에 있어서,
상기 표면 거칠기(Rz)가, 0.7㎛ 이상 5.0㎛ 미만인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 연삭가공 방법.The method of claim 8,
The surface roughness Rz is 0.7 µm or more and less than 5.0 µm.
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