JP6667367B2 - 真空排気方法 - Google Patents
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Description
本発明は、真空排気方法に関する。
クライオポンプ等の真空ポンプにより減圧可能な処理容器内に基板を搬入し、基板に対し所定の処理を行う基板処理装置が知られている。このような基板処理装置においては、真空ポンプの排気能力の低下や処理容器内に吸着する不純物の影響等により、真空ポンプを用いて処理容器内を減圧しても所定の真空度が得られない場合がある。
そこで従来、処理容器内の真空度を改善する方法として、従来の真空ポンプに加え、処理容器に冷却パネルとゲッターポンプを補助ポンプとして追加する方法（例えば、特許文献１参照）や、処理容器をベーキングする方法が知られている。
しかしながら、補助ポンプを追加する方法では、補助ポンプを追加するための装置の改造やセットアップ等によりダウンタイムが増加する。また、処理容器をベーキングする方法では、処理容器内の真空度を改善するために長い時間を要する。
そこで、本発明の一態様では、短時間で処理容器内の真空度を改善することが可能な真空排気方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る真空排気方法は、基板を載置する載置台を有する処理容器内を排気装置により減圧する真空排気方法であって、前記処理容器とは別に設けられ、内部の圧力を真空雰囲気と大気雰囲気との間で切り替えることが可能なモジュール内に、大気雰囲気で保管された非蒸発型ゲッター材（ＮＥＧ材）を搬送し、該モジュール内で該非蒸発型ゲッター材を第１の温度に加熱して活性化させる活性化工程と、前記載置台に前記活性化工程において活性化した前記非蒸発型ゲッター材を載置する載置工程と、前記処理容器内の活性ガスを前記載置台に載置された前記非蒸発型ゲッター材に吸着させる吸着工程と、を有し、前記吸着工程では、前記非蒸発型ゲッター材の温度を、前記第１の温度よりも低い温度であり、前記活性ガスを吸着することが可能な第２の温度に調整することを特徴とする。
開示の真空排気方法によれば、短時間で処理容器内の真空度を改善することができる。
以下、本発明の実施形態について添付の図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することによって重複した説明を省く。
本発明の一実施形態に係る真空排気方法は、排気装置により減圧可能な処理容器内に非蒸発型ゲッター材を搬入し、処理容器内の活性ガスを非蒸発型ゲッター材に吸着させ、処理容器内の真空度を改善するものである。本発明の一実施形態に係る真空排気方法は、例えば基板に成膜処理、エッチング処理等の所定の処理を行う基板処理装置に適用可能である。また、基板の搬送を行う搬送室などにも適用可能である。なお、本明細書においては、非蒸発型ゲッター材をＮＥＧ（Non-Evaporated Getter)材とも称する。
以下では、本発明の一実施形態に係る真空排気方法を基板処理装置の一例である成膜装置を含む基板処理システムに適用する場合を例に挙げて説明する。
（基板処理システム）
本発明の一実施形態に係る基板処理システムについて説明する。図１は、一実施形態に係る基板処理システムを示す概略構成図である。
本発明の一実施形態に係る基板処理システムについて説明する。図１は、一実施形態に係る基板処理システムを示す概略構成図である。
図１に示されるように、基板処理システムは、搬送モジュールＴＭと、プロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２と、ロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２と、ローダモジュールＬＭとを有する。
搬送モジュールＴＭは、プロセスモジュールＰＭ１、プロセスモジュールＰＭ２、ロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２の間で基板の一例であるウエハを搬送するための略六角形のモジュールである。搬送モジュールＴＭには、搬送装置ＴＲが設けられている。搬送装置ＴＲは、プロセスモジュールＰＭ１、プロセスモジュールＰＭ２、ロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２の間でウエハを搬送する。
プロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２は、搬送モジュールＴＭの２つの辺に設けられており、ウエハに成膜処理、エッチング処理等の所定の処理を行うためのモジュールである。プロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２の詳細については後述する。
ロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２は、搬送モジュールＴＭの他の２つの辺に設けられており、搬送モジュールＴＭとローダモジュールＬＭとの間でウエハの受渡しを行うためのモジュールである。ロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２には、それぞれランプヒータ等の加熱手段ＨＴ１、ＨＴ２が設けられている。加熱手段ＨＴ１、ＨＴ２は、ロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２においてウエハＷを所定の温度に加熱する。ロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２は、内部の圧力を、所定の真空雰囲気と、例えば窒素（Ｎ２）ガスによる大気雰囲気との間で切り替えることが可能となっている。
ローダモジュールＬＭは、ロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２における搬送モジュールＴＭが連結された側と反対側に設けられており、横方向（図１のＸ方向）が長手方向の箱状のモジュールである。ローダモジュールＬＭの長手方向に沿ったロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２が設けられた側と反対側の側面には、ロードポートＬＰ１、ＬＰ２、ＬＰ３が設けられている。ロードポートＬＰ１、ＬＰ２、ＬＰ３には、複数枚（例えば２５枚）のウエハを棚状に収納可能な運搬容器であるフープ（ＦＯＵＰ：Front-Opening Unified Pod）ＦＰが載置される。ローダモジュールＬＭには、搬送装置ＬＲが設けられている。搬送装置ＬＲは、フープＦＰとアライナＡＵとの間、アライナＡＵとロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２との間、ロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２とフープＦＰとの間で、ウエハを搬送する。また、ローダモジュールＬＭには、フープＦＰからローダモジュールＬＭに搬入されたウエハの位置を調整するアライナＡＵが設けられている。
搬送モジュールＴＭとプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２との間には、各々、ゲートバルブＧ１、Ｇ２が設けられており、ゲートバルブＧ１、Ｇ２が開けられることにより搬送モジュールＴＭとプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２とが連通する。
搬送モジュールＴＭとロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２との間には、各々、ゲートバルブＧ３、Ｇ４が設けられており、ゲートバルブＧ３、Ｇ４が開けられることにより搬送モジュールＴＭとロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２とが連通する。
ロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２とローダモジュールＬＭとの間には、各々、ゲートバルブＧ５、Ｇ６が設けられており、ゲートバルブＧ５、Ｇ６が開けられることによりロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２とローダモジュールＬＭとが連通する。
ローダモジュールＬＭとロードポートＬＰ１、ＬＰ２、ＬＰ３との間には、各々、開閉ドアＤ１、Ｄ２、Ｄ３が設けられている。開閉ドアＤ１、Ｄ２、Ｄ３が開けられることにより、ローダモジュールＬＭ内とロードポートＬＰ１、ＬＰ２、ＬＰ３に載置されたフープＦＰ内とが連通する。
また、基板処理システムは、制御装置ＭＣＵを有する。制御装置ＭＣＵは、搬送モジュールＴＭ、プロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２、ローダモジュールＬＭの動作を制御する。また、制御装置ＭＣＵは、ロードポートＬＰ１、ＬＰ２、ＬＰ３、アライナＡＵ、ゲートバルブＧ１〜Ｇ６、開閉ドアＤ１、Ｄ２、Ｄ３の動作を制御する。制御装置ＭＣＵは、有線又は無線等の通信手段によって、他の装置やホストコンピュータ等とも接続されていてもよい。制御装置ＭＣＵは、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭを有する。ＣＰＵは、ＲＯＭ、ＲＡＭの記憶領域に格納された各種レシピに従ってウエハに所定の処理を行う。
（成膜装置）
本発明の一実施形態の成膜装置について説明する。図２は、一実施形態に係る成膜装置を示す概略構成図である。図２に示す成膜装置は、前述の基板処理システムにおけるプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２として用いることができる装置である。
本発明の一実施形態の成膜装置について説明する。図２は、一実施形態に係る成膜装置を示す概略構成図である。図２に示す成膜装置は、前述の基板処理システムにおけるプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２として用いることができる装置である。
図２に示されるように、成膜装置１は、処理容器１０を備えている。処理容器１０は、例えばアルミニウムにより形成されており、接地されている。処理容器１０の底部には、排気装置２０が接続されている。排気装置２０は、クライオポンプまたはウォーターポンプ等の真空ポンプを含み、処理容器１０内の処理空間を所定の真空度まで減圧する。処理容器１０の側壁には、ウエハＷを搬入又は搬出するための搬送口３０を開閉するゲートバルブ３２が設けられている。
処理容器１０内には、ウエハＷを載置する載置台４０が設けられている。載置台４０は、ベース部４２と静電チャック４４とを有する。ベース部４２は、例えばアルミニウムにより形成されており、略円盤形状を有している。静電チャック４４は、ベース部４２の上面に設けられており、ウエハＷを静電吸着力で保持する。静電チャック４４は、導電膜により形成される電極を一対の誘電体膜の間に挟み込んだものである。静電チャック４４の電極には、直流電源４６が接続されている。静電チャック４４は、直流電源４６から印加される電圧により、静電気力でウエハＷを静電チャック４４上に吸着保持する。
載置台４０は、駆動機構４８に接続されている。駆動機構４８は、回転軸５０と駆動装置５２とを有する。回転軸５０は、略柱状の部材である。回転軸５０の中心軸線は、鉛直方向に沿って延びる軸線ＡＸに略一致している。軸線ＡＸは、載置台４０の中心を鉛直方向に通る軸線である。回転軸５０は、載置台４０の直下から処理容器１０の底部を通って処理容器１０の外部まで延在している。回転軸５０と処理容器１０の底部との間には、磁性流体シール等の封止部材５４が設けられている。封止部材５４は、回転軸５０が回転及び上下動が可能であるように、処理容器１０の底部と回転軸５０との間の空間を封止する。
回転軸５０の上端には載置台４０が取り付けられており、回転軸５０の下端には駆動装置５２が取り付けられている。駆動装置５２は、回転軸５０を回転及び上下動させるための動力を発生する。載置台４０は、駆動装置５２の動力によって回転軸５０が回転することに伴って、軸線ＡＸ中心に回転する。また、載置台４０は、駆動装置５２の動力によって回転軸５０が上下動することに伴って上下動する。なお、回転軸５０は、載置台４０と一体的に形成されていてもよい。載置台４０の回転速度としては、例えば６０ｒｐｍ〜１２０ｒｐｍとすることができる。
載置台４０のベース部４２内には、ヒータ５６が埋め込まれている。これにより、載置台４０を加熱することができる。なお、ヒータ５６は、静電チャック４４内に埋め込まれていてもよく、載置台４０に貼り付け可能なシート型ヒータであってもよい。また、ヒータ５６は複数に分割されていてもよい。ヒータ５６が複数に分割されている場合、分割された領域ごとに載置台４０の温度を調整することができる。
ヒータ５６には、交流電源６０が接続されている。交流電源６０からヒータ５６に電力が供給されることにより、載置台４０（ウエハＷ）を所定の温度に調整することができる。
載置台４０の上方には、１つ以上のターゲット７０が設けられている。ターゲット７０は、例えばコバルト製である。一実施形態では、ターゲット７０の個数は、４つである。ターゲット７０は、軸線ＡＸを中心とする円弧に沿って配列されている。なお、ターゲット７０の個数は、４つに限定されるものではなく、１つ以上の任意の個数とすることができる。
ターゲット７０は、金属製のホルダ７２により保持されている。ホルダ７２は、絶縁部材７４を介して処理容器１０の天部に支持されている。ターゲット７０には、ホルダ７２を介して電源７６が接続されている。電源７６は、ターゲット７０に負の直流電圧を印加する。なお、電源７６は、複数のターゲット７０に選択的に電圧を印加する単一の電源であってもよく、複数のターゲット７０にそれぞれ接続された複数の電源であってもよい。また、処理容器１０の外部には、ホルダ７２を介してターゲット７０と対向するようにマグネット７８が設けられている。
載置台４０とターゲット７０との間には、シャッタ８０が設けられている。シャッタ８０は、ターゲット７０の表面と対向するように延在している。一実施形態では、シャッタ８０は、軸線ＡＸを中心軸線とする円錐面に沿う形状を有している。
シャッタ８０には、開口８２が形成されている。シャッタ８０の中央部分には、回転軸８４が接続されている。回転軸８４は略柱状の部材であり、その中心軸線は軸線ＡＸに略一致している。回転軸８４の下端は、処理容器１０の内部においてシャッタ８０の中央部分と接続されている。また、回転軸８４は、処理容器１０の内部から処理容器１０の天部を貫通して処理容器１０の外部まで延在している。処理容器１０の外部において、回転軸８４の上端は、駆動装置８６に接続されている。駆動装置８６は、回転軸８４を回転させる動力を発生する。シャッタ８０は、駆動装置８６の動力によって回転軸８４が軸線ＡＸ中心に回転することに伴って、軸線ＡＸ中心に回転する。シャッタ８０の回転により、開口８２の位置とターゲット７０との相対的な位置が変化する。これにより、ターゲット７０は、シャッタ８０により載置台４０に対して遮蔽されるか、又は、シャッタ８０の開口８２を介して載置台４０に対して露出される。
また、成膜装置１は、処理容器１０内にガスを供給するガス供給部９０を備えている。ガス供給部９０は、ガス供給源９２と、マスフローコントローラ等の流量制御器９４と、ガス導入部９６とを有する。ガス供給源９２は、処理容器１０内において励起されるガスの供給源であり、例えばＡｒガス等の希ガスの供給源である。ガス供給源９２は、流量制御器９４を介してガス導入部９６に接続されている。ガス導入部９６は、ガス供給源９２からのガスを処理容器１０内に導入するガス配管であり、軸線ＡＸに沿って設けられている。
ガス供給部９０から処理容器１０内にガスが供給され、電源７６によりターゲット７０に電圧が印加されると、処理容器１０内に供給されたガスが励起される。また、マグネット７８によりターゲット７０の近傍に磁界が発生する。これにより、ターゲット７０の近傍にプラズマが集中し、ターゲット７０にプラズマ中の正イオンが衝突することにより、露出したターゲット７０からターゲット材料が放出される。放出されたターゲット材料は、ウエハＷに堆積することにより薄膜を形成する。
成膜装置１は、成膜装置１の全体の動作を制御するためのコンピュータ等の制御部１００を有する。制御部１００は、成膜装置１に取り付けられた各部、例えば排気装置２０、直流電源４６、駆動機構４８、交流電源６０、ガス供給部９０の動作を制御する。
制御部１００には、成膜装置１で実行される各種の処理を制御部１００にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて成膜装置１の各部に処理を実行させるための各種のプログラムが格納された記憶部１０２が接続されている。各種のプログラムは記憶媒体に記憶され、記憶部１０２に格納され得る。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであってもよく、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、有線又は無線等の通信手段によって、他の装置やホストコンピュータから記憶部１０２へ適宜伝送されるようにしてもよい。
（真空排気方法）
本発明の一実施形態に係る真空排気方法について説明する。図３は、一実施形態に係る真空排気方法を示すフローチャートである。
本発明の一実施形態に係る真空排気方法について説明する。図３は、一実施形態に係る真空排気方法を示すフローチャートである。
まず、制御部１００は、排気装置２０により減圧された処理容器１０内の真空度が所定の真空度に到達しているか否かを判定する（ステップＳ１１）。所定の真空度は、例えば排気装置２０に含まれる真空ポンプの種類に応じて定められてもよく、成膜装置１において行われる所定の処理の種類に応じて定められてもよい。
ステップＳ１１において、制御部１００が処理容器１０内の真空度が所定の真空度に到達していると判定した場合、処理を終了する。ステップＳ１１において、制御部１００が処理容器１０内の真空度が所定の真空度に到達していないと判定した場合、処理容器１０内に活性化されたＮＥＧ材を搬入し、載置台４０の上に載置する（ステップＳ１２）。
続いて、処理容器１０内の活性ガスをＮＥＧ材に吸着させる（ステップＳ１３）。このとき、活性ガスとしては、例えばＨ２Ｏ、ＣＯ、ＣＯ２、Ｏ２、Ｎ２等のガスが挙げられる。
続いて、制御部１００は、処理容器１０内の圧力が所定の圧力以下であるか否かを判定する（ステップＳ１４）。所定の圧力は、例えば排気装置２０に含まれる真空ポンプの種類に応じて定められてもよく、成膜装置１において行われる所定の処理の種類に応じて定められてもよい。
ステップＳ１４において、制御部１００が処理容器１０内の圧力が所定の圧力以下であると判定した場合、処理容器１０内からＮＥＧ材を搬出し（ステップＳ１５）、処理を終了する。ステップＳ１４において、制御部１００が処理容器１０内の圧力が所定の圧力以下ではないと判定した場合、ステップＳ１３に戻り、ＮＥＧ材による処理容器１０内の活性ガスの吸着を継続する。
このように、本発明の一実施形態に係る真空排気方法によれば、排気装置２０により減圧可能な処理容器１０内にＮＥＧ材を搬入し、処理容器１０内の活性ガスをＮＥＧ材に吸着させる。これにより、処理容器１０内の真空度を改善することができる。
なお、上記の例では、処理容器１０内の真空度が所定の真空度に到達していない場合にＮＥＧ材を処理容器１０内に搬入する場合を例に挙げて説明したが、これに限定されず、定期的（所定の期間ごと）にＮＥＧ材を処理容器１０内に搬入してもよい。
次に、本発明の一実施形態に係る真空排気方法を用いて、前述の基板処理システムのプロセスモジュールＰＭ１の真空度を改善する場合を例に挙げて説明する。
まず、ＮＥＧ材について説明する。図４は、ＮＥＧ材が接合されたウエハの一例を説明するための図であり、図４（ａ）は上面図であり、図４（ｂ）は断面図である。
図４に示されるように、ＮＥＧ材は、ウエハ形状に形成されており、成膜装置１において所定の処理が行われるウエハにおける載置台４０に載置される側と反対側の面に接合されている。これにより、ＮＥＧ材と接触する部分（例えば、搬送装置ＬＲ、搬送装置ＴＲ、載置台４０）への金属汚染の影響を抑制することができる。ウエハは、例えばシリコンウエハである。なお、金属汚染等が問題にならない場合には、ＮＥＧ材をウエハの上に接合することなく、単体で用いてもよい。ＮＥＧ材を単体で用いる場合、処理容器１０内に搬送することが容易であるという観点から、ＮＥＧ材はウエハと略同一の形状であることが好ましい。
以下では、ＮＥＧ材としては、大気雰囲気で保管され、ウエハ形状に形成されたＮＥＧ材を用いる場合を例に挙げて、図１を参照しながら説明する。
まず、ＮＥＧ材が収納されたフープＦＰをロードポートＬＰ１に載置する。
続いて、ローダモジュールＬＭの搬送装置ＬＲにより、フープＦＰからＮＥＧ材を取り出し、アライナＡＵに搬送する。アライナＡＵでは、ＮＥＧ材の位置合わせが行われる。アライナＡＵによるＮＥＧ材の位置合わせは省略してもよい。
続いて、ローダモジュールＬＭの搬送装置ＬＲにより、アライナＡＵからＮＥＧ材を搬出し、ロードロックモジュールＬＬ１に搬送する。ロードロックモジュールＬＬ１では、加熱手段ＨＴ１によりＮＥＧ材を所定の温度に加熱することにより、ＮＥＧ材を活性化させる（活性化工程）。所定の温度は、ＮＥＧ材が活性化する温度（以下「活性化温度」という。）であればよく、例えばＮＥＧ材がＺｒＶＦｅ合金により形成されている場合、４００℃〜５００℃とすることができる。
続いて、搬送モジュールＴＭの搬送装置ＴＲにより、ロードロックモジュールＬＬ１からＮＥＧ材を搬出し、プロセスモジュールＰＭ１（成膜装置１）に搬送し、処理容器１０内の載置台４０に載置する（載置工程）。成膜装置１では、処理容器１０内の圧力が所定の圧力以下になるまで、ＮＥＧ材により処理容器１０内の活性ガスを吸着させる（吸着工程）。このとき、処理容器１０内において、活性化されたＮＥＧ材の温度を、活性ガスを吸着することが可能な温度（以下「吸着可能温度」という。）に調整する。吸着可能温度は、活性化温度よりも低い温度であり、例えばＮＥＧ材がＺｒＶＦｅ合金により形成されている場合、２００℃程度とすることができる。また、吸着工程においては、ＮＥＧ材の温度を吸着可能温度に保持することが好ましい。これにより、処理容器１０内の活性ガスを効率よくＮＥＧ材に吸着させることができる。
続いて、搬送モジュールＴＭの搬送装置ＴＲにより、プロセスモジュールＰＭ１からＮＥＧ材を搬出し（搬出工程）、ロードロックモジュールＬＬ１に搬送する。
続いて、ローダモジュールＬＭの搬送装置ＬＲにより、ロードロックモジュールＬＬ１からＮＥＧ材を搬出し、フープＦＰに搬送する。
以上により、プロセスモジュールＰＭ１の真空度を改善することができる。
なお、上記の例では、プロセスモジュールＰＭ１の真空度を改善する場合について説明したが、プロセスモジュールＰＭ２についても同様の方法により真空度を改善することができる。
また、上記の例では、ロードロックモジュールＬＬ１においてＮＥＧ材の活性化を行う場合について説明したが、これに限定されない。ＮＥＧ材の活性化は、吸着工程の前に行えばよく、プロセスモジュールＰＭ１で行ってもよく、その他のモジュールにおいて行ってもよい。また、真空雰囲気で活性化された状態で保管されたＮＥＧ材を用いてもよい。この場合、ＮＥＧ材を活性化する工程を省略することができる。例えば、基板処理システムが真空雰囲気でＮＥＧ材を保管することが可能なストレージを有している場合には、活性化されたＮＥＧ材をストレージに保管しておけばよい。
また、上記の例では、プロセスモジュールＰＭ１においてＮＥＧ材の温度を吸着可能温度に調整する場合について説明したが、これに限定されない。例えば、ロードロックモジュールＬＬ１等の他のモジュールにおいてＮＥＧ材の温度を吸着可能温度に調整してもよい。また、基板処理システムがウエハＷを冷却することが可能な冷却モジュールを有している場合には、冷却モジュールにおいてＮＥＧ材の温度を吸着可能温度に調整することが好ましい。これにより、活性化させるために高温となったＮＥＧ材の温度を短時間で吸着可能温度に調整することができる。
また、上記の例では、プロセスモジュールＰＭ１の真空度を改善させる場合について説明したが、搬送モジュールＴＭやロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２等の真空度を改善させるために本方法を用いてもよい。
以上に説明したように、本発明の一実施形態に係る真空排気方法は、排気装置により減圧可能な処理容器内にＮＥＧ材を搬入し、処理容器内の活性ガスをＮＥＧ材に吸着させ、処理容器内の真空度を改善するものである。このため、新たな真空ポンプを追加することなく、また処理容器をベーキングすることなく、処理容器内の真空度を改善することができる。その結果、短時間で処理容器内の真空度を改善することができる。
また、本発明の一実施形態に係る真空排気方法では、ＮＥＧ材を所定の温度に加熱することにより、処理容器内の活性ガスをＮＥＧ材に吸着させることができるため、基板処理システムが有する既存のヒータ等の加熱手段を用いることができる。その結果、基板処理システムに新たな装置等を追加する必要がない。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
１ 成膜装置
２０ 排気装置
４０ 載置台
Ｗ ウエハ
２０ 排気装置
４０ 載置台
Ｗ ウエハ
Claims (8)
- 基板を載置する載置台を有する処理容器内を排気装置により減圧する真空排気方法であって、
前記処理容器とは別に設けられ、内部の圧力を真空雰囲気と大気雰囲気との間で切り替えることが可能なモジュール内に、大気雰囲気で保管された非蒸発型ゲッター材（ＮＥＧ材）を搬送し、該モジュール内で該非蒸発型ゲッター材を第１の温度に加熱して活性化させる活性化工程と、
前記載置台に前記活性化工程において活性化した前記非蒸発型ゲッター材を載置する載置工程と、
前記処理容器内の活性ガスを前記載置台に載置された前記非蒸発型ゲッター材に吸着させる吸着工程と、
を有し、
前記吸着工程では、前記非蒸発型ゲッター材の温度を、前記第１の温度よりも低い温度であり、前記活性ガスを吸着することが可能な第２の温度に調整することを特徴とする真空排気方法。 - 前記吸着工程の後に、前記非蒸発型ゲッター材を前記処理容器内から搬出する搬出工程を更に有し、
前記搬出工程は、前記吸着工程において前記処理容器内の圧力が所定の圧力以下となった後に行われることを特徴とする請求項１に記載の真空排気方法。 - 前記処理容器内を前記排気装置により減圧した状態で、前記処理容器内の真空度が所定の真空度に到達しない場合、前記載置工程を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の真空排気方法。
- 前記所定の真空度は、前記排気装置の種類に応じて定められる真空度であることを特徴とする請求項３に記載の真空排気方法。
- 前記排気装置は、クライオポンプまたはウォーターポンプを含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の真空排気方法。
- 前記非蒸発型ゲッター材は、ウエハ形状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の真空排気方法。
- 前記非蒸発型ゲッター材は、前記処理容器内において所定の処理が行われる基板における前記載置台に載置される側と反対側の面に接合されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の真空排気方法。
- 前記非蒸発型ゲッター材は、ＺｒＶＦｅ合金により形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の真空排気方法。
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