JP6664573B2 - バラン及びアンテナ給電回路 - Google Patents

Description

この発明は、第１の結合線路と第２の結合線路とを備えるバラン及びアンテナ給電回路に関するものである。

以下の特許文献１には、不平衡線路と、２つの平衡線路（以下、２つの平衡線路のうち、一方の平衡線路を第１の平衡線路と称し、他方の平衡線路を第２の平衡線路と称する。）とが多層構造の基板に形成されているバランが開示されている。
このバランは、不平衡端子と、２つの平衡端子（以下、２つの平衡端子のうち、一方の平衡端子を第１の平衡端子と称し、他方の平衡端子を第２の平衡端子と称する。）とを有している。

不平衡線路は、一端が不平衡端子と接続され、他端が開放されている。
第１及び第２の平衡線路は、多層構造の基板において、不平衡線路が形成されている層と異なる層にそれぞれ形成されている。
第１の平衡線路は、一端が第１の平衡端子と接続され、他端が接地されており、不平衡線路と電気的に結合されている。
第２の平衡線路は、一端が第２の平衡端子と接続され、他端が接地されており、不平衡線路と電気的に結合されている。

特開２００６−１２１３１３号公報

従来のバランは、電気特性が劣化してしまうことがあるという課題があった。具体的には、以下の通りである。
まず、電気特性には、通過特性（振幅特性）及び反射特性が含まれる。例えば、コンピュータは、不平衡端子をポート（１）、第１の平衡端子をポート（２）、第２の平衡端子をポート（３）として、バランの電気特性をシミュレーションすることが可能である。コンピュータは、通過特性を示すＳパラメータとして、Ｓ２１及びＳ３１のそれぞれをシミュレーションし、反射特性を示すＳパラメータとして、Ｓ１１をシミュレーションする。
Ｓ２１は、通過特性として、挿入損失を示すＳパラメータであり、ポート（１）から信号が入力されたときに、ポート（２）を通過する信号を表すものである。Ｓ３１は、通過特性として、挿入損失を示すＳパラメータであり、ポート（１）から信号が入力されたときに、ポート（３）を通過する信号を表すものである。Ｓ１１は、反射特性として、反射損失を示すＳパラメータであり、ポート（１）から信号が入力されたときに、ポート（１）に戻ってくる信号を表すものである。
従来のバランは、不平衡線路の実効誘電率と、第１及び第２の平衡線路の実効誘電率とが異なる条件の下では、不平衡線路の移相量と、第１及び第２の平衡線路の移相量とが相違してしまうことがある。
従来のバランは、移相量が相違している状況下では、Ｓ２１とＳ３１との差が大きくなり、第１の平衡線路を通過する信号の振幅と第２の平衡線路を通過する信号の振幅との差分が大きくなるという通過特性の劣化を生じることがある。
また、従来のバランは、移相量が相違している状況下では、不平衡端子から信号が入力されたとき、第１及び第２の平衡端子での信号の反射が大きくなり、反射特性の劣化を生じることがある。

この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、電気特性の劣化を低減することができるバラン及びアンテナ給電回路を得ることを目的とする。

この発明に係るバランは、一端が不平衡端子と接続されている第１の線路と、一端が第１の平衡端子と接続され、他端が接地されており、第１の線路と電気的に結合される第２の線路とを有する第１の結合線路と、一端が第１の線路の他端と接続され、他端が開放されている第３の線路と、一端が第２の平衡端子と接続され、他端が接地されており、第３の線路と電気的に結合される第４の線路とを有する第２の結合線路と、第１の線路の移相量と、第２の線路の移相量とを合わせる第１の移相量調整回路と、第３の線路の移相量と、第４の線路の移相量とを合わせる第２の移相量調整回路とを備えるようにしたものである。第１の移相量調整回路は、第１の線路又は第２の線路のいずれかに一端が接続されるオープンスタブである。第２の移相量調整回路は、オープンスタブの一端が第１の線路に接続されていれば、第３の線路に一端が接続され、オープンスタブの一端が第２の線路に接続されていれば、第４の線路に一端が接続されるオープンスタブである。

この発明によれば、第１の線路の移相量と、第２の線路の移相量とを合わせる第１の移相量調整回路と、第３の線路の移相量と、第４の線路の移相量とを合わせる第２の移相量調整回路とを備えるように、バランを構成した。したがって、この発明に係るバランは、電気特性の劣化を低減することができる。

実施の形態１によるバラン２を含むアンテナ給電回路を示す構成図である。 実施の形態１によるバラン２を示す等価回路図である。 実施の形態１によるバラン２を示す断面図である。 第１層５０ａに形成されている、Ｌ１＝Ｌ２である場合の導体パターンを示す平面図である。 第３層５０ｃに形成されている導体パターンを示す平面図である。 第４層５０ｄに形成されている導体パターンを示す平面図である。 第５層５０ｅに形成されている導体パターンを示す平面図である。 実施の形態１によるバラン２の電気特性として、Ｌ１＝Ｌ２である場合の通過特性Ｓ２１及び通過特性Ｓ３１のそれぞれを示す説明図である。 実施の形態１によるバラン２の電気特性として、Ｌ１＝Ｌ２である場合の反射特性Ｓ１１を示すスミスチャートである。 比較対象のバランの電気特性として、通過特性Ｓ２１及び通過特性Ｓ３１のそれぞれを示す説明図である。 比較対象のバランの電気特性として、反射特性Ｓ１１を示すスミスチャートである。 第１層５０ａに形成されている、Ｌ１＜Ｌ２である場合の導体パターンを示す平面図である。 実施の形態１によるバラン２の電気特性として、Ｌ１＜Ｌ２である場合の通過特性Ｓ２１及び通過特性Ｓ３１のそれぞれを示す説明図である。 実施の形態１によるバラン２の電気特性として、Ｌ１＜Ｌ２である場合の反射特性Ｓ１１を示すスミスチャートである。 第１層５０ａに形成されている、Ｌ１＞Ｌ２である場合の導体パターンを示す平面図である。 実施の形態１によるバラン２の電気特性として、Ｌ１＞Ｌ２である場合の通過特性Ｓ２１及び通過特性Ｓ３１のそれぞれを示す説明図である。 実施の形態１によるバラン２の電気特性として、Ｌ１＞Ｌ２である場合の反射特性Ｓ１１を示すスミスチャートである。 第１層５０ａに形成されている他の導体パターンを示す平面図である。 実施の形態２によるバラン２を示す等価回路図である。 実施の形態３によるバラン２を示す等価回路図である。 実施の形態４によるバラン２を示す等価回路図である。 第１層５０ａに形成されている導体パターンを示す平面図である。 実施の形態５によるバラン２を示す等価回路図である。 実施の形態６によるバラン２を示す等価回路図である。 実施の形態７によるバラン２を示す等価回路図である。 実施の形態８によるバラン２を示す等価回路図である。 第１層５０ａに形成されている導体パターンを示す平面図である。 実施の形態８によるバラン２の電気特性として、Ｌ１＝Ｌ２＝Ｌ３＝Ｌ４である場合の通過特性Ｓ２１及び通過特性Ｓ３１のそれぞれを示す説明図である。 実施の形態８によるバラン２の電気特性として、Ｌ１＝Ｌ２＝Ｌ３＝Ｌ４である場合の反射特性Ｓ１１を示すスミスチャートである。 第３層５０ｃに形成されている導体パターンを示す平面図である。 第３層５０ｃに形成されている導体パターンを示す平面図である。 実施の形態９によるバラン２を示す等価回路図である。 第１層５０ａに形成されている導体パターンを示す平面図である。 第３層５０ｃに形成されている導体パターンを示す平面図である。

以下、この発明をより詳細に説明するために、この発明を実施するための形態について、添付の図面に従って説明する。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１によるバラン２を含むアンテナ給電回路を示す構成図である。
図２は、実施の形態１によるバラン２を示す等価回路図である。
図１及び図２において、アンテナ給電部１は、シングルエンドの信号である不平衡信号をバラン２に出力する。
また、アンテナ給電部１は、バラン２から出力された不平衡信号を入力する。

バラン２は、不平衡端子１０と、第１の平衡端子１１と、第２の平衡端子１２とを有しているマーチャントバランである。
不平衡端子１０は、アンテナ給電部１と接続されており、不平衡信号を入出力するための端子である。
第１の平衡端子１１は、アンテナ３と接続されており、差動信号の一方の信号である第１の平衡信号を入出力するための端子である。
第２の平衡端子１２は、アンテナ４と接続されており、差動信号の他方の信号である第２の平衡信号を入出力するための端子である。
バラン２は、アンテナ給電部１から出力された不平衡信号を第１及び第２の平衡信号に変換して、第１の平衡信号をアンテナ３に出力し、第２の平衡信号をアンテナ４に出力する。
また、バラン２は、アンテナ３から出力された第１の平衡信号とアンテナ４から出力された第２の平衡信号とを不平衡信号に変換して、不平衡信号をアンテナ給電部１に出力する。

アンテナ３は、第１の平衡端子１１と接続されており、バラン２から出力された第１の平衡信号を空間に放射し、空間から入射された第１の平衡信号をバラン２に出力する。
アンテナ４は、第２の平衡端子１２と接続されており、バラン２から出力された第２の平衡信号を空間に放射し、空間から入射された第２の平衡信号をバラン２に出力する。

第１の結合線路２１は、第１の線路２２と、第２の線路２３とを有している。
第１の線路２２は、伝送線路２２ａと、伝送線路２２ｂとを有している。
第１の線路２２は、不平衡信号の周波数において、概ね４分の１波長の長さを有している。
伝送線路２２ａは、一端が不平衡端子１０と接続され、他端が伝送線路２２ｂの一端と接続されている。
伝送線路２２ｂは、一端が伝送線路２２ａの他端と接続され、他端が伝送線路３２ａの一端と接続されている。
伝送線路２２ａ及び伝送線路２２ｂのそれぞれは、不平衡信号の周波数において、概ね８分の１波長の長さを有している。
図２に示す等価回路図では、第１の線路２２が、２つの伝送線路として、伝送線路２２ａと伝送線路２２ｂとを有し、第１の線路２２が、伝送線路２２ａと伝送線路２２ｂとの直列回路として表されている。しかし、実際には、第１の線路２２は、伝送線路２２ａの長さと、伝送線路２２ｂの長さとの総和の長さを有する１つの伝送線路である。

第２の線路２３は、伝送線路２３ａと、伝送線路２３ｂとを有している。
第２の線路２３は、平衡信号の周波数において、概ね４分の１波長の長さを有している。
伝送線路２３ａは、一端が第１の平衡端子１１と接続され、他端が伝送線路２３ｂの一端と接続されており、伝送線路２２ｂと電気的に結合されている。
伝送線路２３ｂは、一端が伝送線路２３ａの他端と接続され、他端が接地されており、伝送線路２２ａと電気的に結合されている。
伝送線路２３ａ及び伝送線路２３ｂのそれぞれは、平衡信号の周波数において、概ね８分の１波長の長さを有している。
接続点２４は、伝送線路２３ａと伝送線路２３ｂとの接続点である。
図２に示す等価回路図では、第２の線路２３が、２つの伝送線路として、伝送線路２３ａと伝送線路２３ｂとを有し、第２の線路２３が、伝送線路２３ａと伝送線路２３ｂとの直列回路として表されている。しかし、実際には、第２の線路２３は、伝送線路２３ａの長さと、伝送線路２３ｂの長さとの総和の長さを有する１つの伝送線路である。

第２の結合線路３１は、第３の線路３２と、第４の線路３３とを有している。
第３の線路３２は、伝送線路３２ａと、伝送線路３２ｂとを有している。
第３の線路３２は、不平衡信号の周波数において、概ね４分の１波長の長さを有している。
伝送線路３２ａは、一端が伝送線路２２ｂの他端と接続され、他端が伝送線路３２ｂの一端と接続されている。
伝送線路３２ｂは、一端が伝送線路３２ａの他端と接続され、他端が開放されている。
伝送線路３２ａ及び伝送線路３２ｂのそれぞれは、不平衡信号の周波数において、概ね８分の１波長の長さを有している。
図２に示す等価回路図では、第３の線路３２が、２つの伝送線路として、伝送線路３２ａと伝送線路３２ｂとを有し、第３の線路３２が、伝送線路３２ａと伝送線路３２ｂとの直列回路として表されている。しかし、実際には、第３の線路３２は、伝送線路３２ａの長さと、伝送線路３２ｂの長さとの総和の長さを有する１つの伝送線路である。
また、図２に示す等価回路図では、第１の線路２２と第３の線路３２とが、２つの伝送線路として表されている。しかし、実際には、第１の線路２２と第３の線路３２とは、一体的に形成された１つの伝送線路である。

第４の線路３３は、伝送線路３３ａと、伝送線路３３ｂとを有している。
第４の線路３３は、平衡信号の周波数において、概ね４分の１波長の長さを有している。
伝送線路３３ａは、一端が第２の平衡端子１２と接続され、他端が伝送線路３３ｂの一端と接続されており、伝送線路３２ａと電気的に結合されている。
伝送線路３３ｂは、一端が伝送線路３３ａの他端と接続され、他端が接地されており、伝送線路３２ｂと電気的に結合されている。
接続点３４は、伝送線路３３ａと伝送線路３３ｂとの接続点である。
伝送線路３３ａ及び伝送線路３３ｂのそれぞれは、平衡信号の周波数において、概ね８分の１波長の長さを有している。
図２に示す等価回路図では、第４の線路３３が、２つの伝送線路として、伝送線路３３ａと伝送線路３３ｂとを有し、第４の線路３３が、伝送線路３３ａと伝送線路３３ｂとの直列回路として表されている。しかし、実際には、第４の線路３３は、伝送線路３３ａの長さと、伝送線路３３ｂの長さとの総和の長さを有する１つの伝送線路である。

第１の移相量調整回路４１は、第１の線路２２の移相量と、第２の線路２３の移相量とを合わせる回路である。
第１の移相量調整回路４１は、一端が接続点２４と接続されており、第２の線路２３の移相量を増やすオープンスタブである。
第２の移相量調整回路４２は、第３の線路３２の移相量と、第４の線路３３の移相量とを合わせる回路である。
第２の移相量調整回路４２は、一端が接続点３４と接続されており、第４の線路３３の移相量を増やすオープンスタブである。

図３は、実施の形態１によるバラン２を示す断面図である。
図３の例では、バラン２が多層誘電体基板５０に形成されている。
多層誘電体基板５０は、５つの層を有している。
５つの層は、第１層５０ａ、第２層５０ｂ、第３層５０ｃ、第４層５０ｄ及び第５層５０ｅである。

図４は、第１層５０ａに形成されている、Ｌ１＝Ｌ２の場合の導体パターンを示す平面図である。
第１層５０ａには、図４に示すように、第２の線路２３、第４の線路３３、第１の移相量調整回路４１、第２の移相量調整回路４２及び地導体４３が形成されている。
図４において、ビア４４は、第１層５０ａに形成されている地導体４３、第３層５０ｃに形成されている地導体４３、第４層５０ｄに形成されている地導体４３及び第５層５０ｅに形成されている地導体４３のそれぞれを電気的に接続する接続部材である。
第１の結合部分線路２５は、第２の線路２３のうち、第１の線路２２と電気的に結合される部分の線路である。
第２の結合部分線路３５は、第４の線路３３のうち、第３の線路３２と電気的に結合される部分の線路である。

図４の例では、第１の移相量調整回路４１が接続されている接続点２４の位置は、第１の結合部分線路２５における第１の平衡信号の伝搬方向の中央の位置である。
したがって、図中左側の地導体４３と接続されている第１の結合部分線路２５の一端から接続点２４までの距離Ｌ１と、第１の結合部分線路２５の他端から接続点２４までの距離Ｌ２とが同じ距離である。
図４の例では、第２の移相量調整回路４２が接続されている接続点３４の位置は、第２の結合部分線路３５における第２の平衡信号の伝搬方向の中央の位置である。
したがって、図中右側の地導体４３と接続されている第２の結合部分線路３５の一端から接続点３４までの距離Ｌ１と、第２の結合部分線路３５の他端から接続点３４までの距離Ｌ２とが同じ距離である。
図４の例では、第２の線路２３及び第４の線路３３のそれぞれは、所定の線路幅を有する伝送線路として描いているため、接続点２４及び接続点３４のそれぞれは、点ではなく、線のように描いている。

図５は、第３層５０ｃに形成されている導体パターンを示す平面図である。
第３層５０ｃには、図５に示すように、第１の線路２２、第３の線路３２及び地導体４３が形成されている。
図６は、第４層５０ｄに形成されている導体パターンを示す平面図である。
第４層５０ｄには、図６に示すように、地導体４３が形成されている。
図７は、第５層５０ｅに形成されている導体パターンを示す平面図である。
第５層５０ｅには、図７に示すように、地導体４３が形成されている。

実施の形態１のバラン２では、第２の線路２３の実効誘電率εｒ_２と、第４の線路３３の実効誘電率εｒ_４とが同じである。εｒ_２＝εｒ_４である。以下、第２の線路２３の実効誘電率εｒ_２と、第４の線路３３の実効誘電率εｒ_４とを区別しない場合、それぞれの実効誘電率をεｒ_２，４のように表記することがある。
また、実施の形態１のバラン２では、第１の線路２２の実効誘電率εｒ_１と、第３の線路３２の実効誘電率εｒ_３とが同じである。εｒ_１＝εｒ_３である。以下、第１の線路２２の実効誘電率εｒ_１と、第３の線路３２の実効誘電率εｒ_３とを区別しない場合、それぞれの実効誘電率をεｒ_１，３のように表記することがある。
実施の形態１のバラン２では、実効誘電率εｒ_２，４が、実効誘電率εｒ_１，３よりも低いものとする。
実効誘電率εｒ_２，４が実効誘電率εｒ_１，３よりも低い場合、第２の線路２３の移相量ｐ_２及び第４の線路３３の移相量ｐ_４のそれぞれは、第１の線路２２の移相量ｐ_１及び第３の線路３２の移相量ｐ_３のそれぞれよりも少なくなる。
第２の線路２３の移相量ｐ_２と、第４の線路３３の移相量ｐ_４とは同じであり、以下、第２の線路２３の移相量ｐ_２と、第４の線路３３の移相量ｐ_４とを区別せずに、移相量ｐ_２，４のように表記することがある。ｐ_２，４＝ｐ_２＝ｐ_４である。
また、第１の線路２２の移相量ｐ_１と、第３の線路３２の移相量ｐ_３とは同じであり、以下、第１の線路２２の移相量ｐ_１と、第３の線路３２の移相量ｐ_３とを区別せずに、移相量ｐ_１，３のように表記することがある。ｐ_１，３＝ｐ_１＝ｐ_３である。

実施の形態１のバラン２では、第１の移相量調整回路４１が第２の線路２３と接続され、第２の移相量調整回路４２が第４の線路３３と接続されている。
第１の移相量調整回路４１は、第２の線路２３の移相量ｐ_２を増やすように作用する。
第２の移相量調整回路４２は、第４の線路３３の移相量ｐ_２を増やすように作用する。
実施の形態１のバラン２では、移相量ｐ_２，４と移相量ｐ_１，３とが等しくなるように、第１の移相量調整回路４１であるオープンスタブの線路長及び第２の移相量調整回路４２であるオープンスタブの線路長のそれぞれが決定される。
それぞれのオープンスタブの線路長は、多層誘電体基板５０の実効誘電率及び伝送線路２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ，３２ａ，３２ｂ，３３ａ，３３ｂにおけるそれぞれの線路長などに基づいて決定される。線路長の決定処理は、例えば、コンピュータのシミュレーションによって行われる。線路長の決定処理自体は、公知の技術であるため詳細な説明を省略する。それぞれのオープンスタブの線路長は、例えば、平衡信号の周波数において、４分の１波長以下の長さに決定される。
したがって、実施の形態１のバラン２では、実効誘電率εｒ_２，４が実効誘電率εｒ_１，３よりも低い場合でも、移相量ｐ_２，４と移相量ｐ_１，３とが等しくなっている。

次に、図１に示すアンテナ給電回路の動作について説明する。
アンテナ給電部１は、送信信号である不平衡信号をバラン２の不平衡端子１０に出力する。
第１の線路２２は、一端が不平衡端子１０と接続されている。また、第３の線路３２は、一端が第１の線路２２の他端と接続されている。
したがって、第１の線路２２及び第３の線路３２のそれぞれには、不平衡端子１０から入力された不平衡信号が流れる。

第２の線路２３は、第１の線路２２と電気的に結合されているため、不平衡信号が第１の線路２２を流れると、第２の線路２３に信号が流れるようになる。
第４の線路３３は、第３の線路３２と電気的に結合されているため、不平衡信号が第３の線路３２を流れると、第４の線路３３に信号が流れるようになる。
第２の線路２３を流れる信号は、第１の平衡端子１１に出力される。第４の線路３３を流れる信号は、第２の線路２３を流れる信号と等振幅かつ逆位相の信号として、第２の平衡端子１２に出力される。
したがって、第１の平衡端子１１に出力される信号と、第２の平衡端子１２に出力される信号とは、平衡信号である。

アンテナ３は、第１の平衡端子１１と接続されているため、第２の線路２３から第１の平衡端子１１に出力された第１の平衡信号を電磁波として空間に放射する。
アンテナ４は、第２の平衡端子１２と接続されているため、第４の線路３３から第２の平衡端子１２に出力された第２の平衡信号を電磁波として空間に放射する。

ここで、図８は、実施の形態１によるバラン２の電気特性として、Ｌ１＝Ｌ２である場合の通過特性Ｓ２１及び通過特性Ｓ３１のそれぞれを示す説明図である。
図９は、実施の形態１によるバラン２の電気特性として、Ｌ１＝Ｌ２である場合の反射特性Ｓ１１を示すスミスチャートである。
図８及び図９に示すバラン２の通過特性及び反射特性のそれぞれは、コンピュータによるシミュレーションで計算されている。
コンピュータのシミュレーションでは、不平衡端子１０をポート（１）、第１の平衡端子１１をポート（２）、第２の平衡端子１２をポート（３）としている。
図８において、Ｓ２１は、通過特性として、挿入損失を示すＳパラメータであり、ポート（１）から信号が入力されたときに、ポート（２）を通過する信号を表すものである。Ｓ３１は、通過特性として、挿入損失を示すＳパラメータであり、ポート（１）から信号が入力されたときに、ポート（３）を通過する信号を表すものである。
図９において、Ｓ１１は、反射特性として、反射損失を示すＳパラメータであり、ポート（１）から信号が入力されたときに、ポート（１）に戻ってくる信号を表すものである。

図１０は、比較対象のバランの電気特性として、通過特性Ｓ２１及び通過特性Ｓ３１のそれぞれを示す説明図である。
図１１は、比較対象のバランの電気特性として、反射特性Ｓ１１を示すスミスチャートである。
比較対象のバランは、図２に示すバラン２において、第１の移相量調整回路４１及び第２の移相量調整回路４２のそれぞれが接続されていないバランである。
比較対象のバランは、図１０に示すように、Ｓ２１とＳ３１との差が大きくなり、第１の平衡端子１１から出力される第１の平衡信号の振幅と、第２の平衡端子１２から出力される第２の平衡信号の振幅との差分が大きくなるという通過特性の劣化を生じている。
実施の形態１によるバラン２は、Ｌ１＝Ｌ２である場合、図８に示すように、Ｓ２１とＳ３１との差が小さくなっている。したがって、実施の形態１によるバラン２は、第１の平衡端子１１から出力される第１の平衡信号の振幅と、第２の平衡端子１２から出力される第２の平衡信号の振幅との差分が小さくなっており、比較対象のバランよりも、通過特性の劣化が低減されている。
比較対象のバランの反射特性Ｓ１１は、図１１に示すように、Ｓ１１がスミスチャートの中心からずれた位置で円弧を描いており、信号の反射が大きくなっている。
実施の形態１によるバラン２は、Ｌ１＝Ｌ２である場合、図９に示すように、Ｓ１１がスミスチャートの略中心の位置で円弧を描いており、信号の反射が小さくなっている。したがって、実施の形態１によるバラン２は、比較対象のバランよりも、反射特性の劣化が低減されている。

図４に示す導体パターンでは、Ｌ１＝Ｌ２の例を示しているが、図１２に示すように、Ｌ１＜Ｌ２であってもよい。
図１２は、第１層５０ａに形成されている、Ｌ１＜Ｌ２である場合の導体パターンを示す平面図である。
図１３は、実施の形態１によるバラン２の電気特性として、Ｌ１＜Ｌ２である場合の通過特性Ｓ２１及び通過特性Ｓ３１のそれぞれを示す説明図である。
図１４は、実施の形態１によるバラン２の電気特性として、Ｌ１＜Ｌ２である場合の反射特性Ｓ１１を示すスミスチャートである。
図１３及び図１４に示すバラン２の電気特性は、図１２に示すように、Ｌ１＜Ｌ２であるとして、コンピュータがシミュレーションしている。
実施の形態１によるバラン２は、Ｌ１＜Ｌ２である場合、Ｓ２１とＳ３１との差については、図１３及び図１０に示すように、比較対象のバランとほとんど変わっていない。
しかし、実施の形態１によるバラン２は、Ｌ１＜Ｌ２である場合でも、信号の反射については、図１４に示すように小さくなっており、比較対象のバランよりも、反射特性の劣化が低減されている。

図４に示す導体パターンでは、Ｌ１＝Ｌ２の例を示しているが、図１５に示すように、Ｌ１＞Ｌ２であってもよい。
図１５は、第１層５０ａに形成されている、Ｌ１＞Ｌ２である場合の導体パターンを示す平面図である。
図１６は、実施の形態１によるバラン２の電気特性として、Ｌ１＞Ｌ２である場合の通過特性Ｓ２１及び通過特性Ｓ３１のそれぞれを示す説明図である。
図１７は、実施の形態１によるバラン２の電気特性として、Ｌ１＞Ｌ２である場合の反射特性Ｓ１１を示すスミスチャートである。
図１６及び図１７に示すバラン２の電気特性は、図１５に示すように、Ｌ１＞Ｌ２であるとして、コンピュータがシミュレーションしている。
実施の形態１によるバラン２は、Ｌ１＞Ｌ２である場合、信号の反射については、図１７及び図１１に示すように、比較対象のバランとほとんど変わっていない。
しかし、実施の形態１によるバラン２は、Ｌ１＞Ｌ２である場合でも、Ｓ２１とＳ３１との差については、図１６に示すように小さくなっており、比較対象のバランよりも、通過特性の劣化が低減されている。

以上の実施の形態１は、第１の線路２２の移相量と、第２の線路２３の移相量とを合わせる第１の移相量調整回路４１と、第３の線路３２の移相量と、第４の線路３３の移相量とを合わせる第２の移相量調整回路４２とを備えるように、バラン２を構成した。したがって、バラン２は、電気特性の劣化を低減することができる。

実施の形態１によるバラン２は、１つの第１の移相量調整回路４１が第２の線路２３に接続され、１つの第２の移相量調整回路４２が第４の線路３３に接続されている例を示しているが、これに限るものではない。
例えば、図１８に示すように、第１の移相量調整回路４１としての２つのオープンスタブが、接続点２４を中心にして、点対称に配置されているバラン２であってもよい。また、第２の移相量調整回路４２としての２つのオープンスタブが、接続点３４を中心にして、点対称に配置されているバラン２であってもよい。
図１８は、第１層５０ａに形成されている他の導体パターンを示す平面図である。
２つのオープンスタブが点対称に配置されるバラン２についても、電気特性の劣化を低減することができることができる。

実施の形態２．
実施の形態１のバラン２は、第１の移相量調整回路４１及び第２の移相量調整回路４２のそれぞれが、オープンスタブである例を示している。
実施の形態２では、第１の移相量調整回路６１及び第２の移相量調整回路６２のそれぞれが、コンデンサであるバラン２について説明する。

図１９は、実施の形態２によるバラン２を示す等価回路図である。
図１９において、図２と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
第１の移相量調整回路６１は、第１の線路２２の移相量と、第２の線路２３の移相量とを合わせる回路である。
第１の移相量調整回路６１は、一端が接続点２４と接続され、他端が接地されているコンデンサである。
第２の移相量調整回路６２は、第３の線路３２の移相量と、第４の線路３３の移相量とを合わせる回路である。
第２の移相量調整回路６２は、一端が接続点３４と接続され、他端が接地されているコンデンサである。

第１の移相量調整回路６１は、図２に示す第１の移相量調整回路４１と同様に、第２の線路２３の移相量ｐ_２，４を増やすように作用する。
第２の移相量調整回路６２は、図２に示す第２の移相量調整回路４２と同様に、第４の線路３３の移相量ｐ_２，４を増やすように作用する。
実施の形態２のバラン２では、移相量ｐ_２，４と移相量ｐ_１，３とが等しくなるように、第１の移相量調整回路６１及び第２の移相量調整回路６２であるそれぞれのコンデンサの容量値が決定される。
それぞれのコンデンサの容量値は、多層誘電体基板５０の実効誘電率及び伝送線路２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ，３２ａ，３２ｂ，３３ａ，３３ｂにおけるそれぞれの線路長などに基づいて決定される。容量値の決定処理は、例えば、コンピュータのシミュレーションによって行われる。容量値の決定処理自体は、公知の技術であるため詳細な説明を省略する。
したがって、実施の形態２のバラン２では、実効誘電率εｒ_２，４が実効誘電率εｒ_１，３よりも低い場合でも、移相量ｐ_２，４と移相量ｐ_１，３とが等しくなっている。

以上より、第１の移相量調整回路６１及び第２の移相量調整回路６２のそれぞれが、コンデンサである場合でも、実施の形態１と同様に、電気特性の劣化を低減することができることができる。

実施の形態３．
実施の形態１のバラン２は、第１の移相量調整回路４１及び第２の移相量調整回路４２のそれぞれが、オープンスタブである例を示している。
実施の形態３では、第１の移相量調整回路６３及び第２の移相量調整回路６４のそれぞれが、並列共振回路であるバラン２について説明する。

図２０は、実施の形態３によるバラン２を示す等価回路図である。
図２０において、図２と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
第１の移相量調整回路６３は、コンデンサ６３ａ及びインダクタ６３ｂを有しており、第１の線路２２の移相量と、第２の線路２３の移相量とを合わせる回路である。
コンデンサ６３ａは、一端が接続点２４と接続され、他端が接地されている。
インダクタ６３ｂは、コンデンサ６３ａと並列に接続されている。
第２の移相量調整回路６４は、コンデンサ６４ａ及びインダクタ６４ｂを有しており、第３の線路３２の移相量と、第４の線路３３の移相量とを合わせる回路である。
コンデンサ６４ａは、一端が接続点３４と接続され、他端が接地されている。
インダクタ６４ｂは、コンデンサ６４ａと並列に接続されている。

第１の移相量調整回路６３は、図２に示す第１の移相量調整回路４１と同様に、第２の線路２３の移相量ｐ_２，４を増やすように作用する。
第２の移相量調整回路６４は、図２に示す第２の移相量調整回路４２と同様に、第４の線路３３の移相量ｐ_２，４を増やすように作用する。
実施の形態３のバラン２では、移相量ｐ_２，４と移相量ｐ_１，３とが等しくなるように、第１の移相量調整回路６３及び第２の移相量調整回路６４であるそれぞれの並列共振回路の共振周波数が決定される。
それぞれの並列共振回路の共振周波数は、多層誘電体基板５０の実効誘電率及び伝送線路２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ，３２ａ，３２ｂ，３３ａ，３３ｂにおけるそれぞれの線路長などに基づいて決定される。共振周波数の決定処理は、例えば、コンピュータのシミュレーションによって行われる。共振周波数の決定処理自体は、公知の技術であるため詳細な説明を省略する。
したがって、実施の形態３のバラン２では、実効誘電率εｒ_２，４が実効誘電率εｒ_１，３よりも低い場合でも、移相量ｐ_２，４と移相量ｐ_１，３とが等しくなっている。

以上より、第１の移相量調整回路６３及び第２の移相量調整回路６４のそれぞれが、並列共振回路である場合でも、実施の形態１と同様に、電気特性の劣化を低減することができることができる。

実施の形態４．
実施の形態１のバラン２は、第１の移相量調整回路４１及び第２の移相量調整回路４２のそれぞれが、オープンスタブである例を示している。
実施の形態４では、第１の移相量調整回路６５及び第２の移相量調整回路６６のそれぞれが、遅延線路であるバラン２について説明する。

図２１は、実施の形態４によるバラン２を示す等価回路図である。
図２２は、第１層５０ａに形成されている導体パターンを示す平面図である。
図２１及び図２２において、図２及び図４と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
第１の移相量調整回路６５は、第１の線路２２の移相量と、第２の線路２３の移相量とを合わせる回路である。
第１の移相量調整回路６５は、伝送線路２３ａと伝送線路２３ｂとの間に挿入されている遅延線路である。
第２の移相量調整回路６６は、第３の線路３２の移相量と、第４の線路３３の移相量とを合わせる回路である。
第２の移相量調整回路６６は、伝送線路３３ａと伝送線路３３ｂとの間に挿入されている遅延線路である。
図２２では、第１の移相量調整回路６５である遅延線路が、第２の線路２３の迂回線路である例を示している。また、第２の移相量調整回路６６である遅延線路が、第４の線路３３の迂回線路である例を示している。

第１の移相量調整回路６５は、図２に示す第１の移相量調整回路４１と同様に、第２の線路２３の移相量ｐ_２，４を増やすように作用する。
第２の移相量調整回路６６は、図２に示す第２の移相量調整回路４２と同様に、第４の線路３３の移相量ｐ_２，４を増やすように作用する。
実施の形態４のバラン２では、移相量ｐ_２，４と移相量ｐ_１，３とが等しくなるように、第１の移相量調整回路６５及び第２の移相量調整回路６６であるそれぞれの遅延線路の線路長が決定される。
それぞれの遅延線路の線路長は、多層誘電体基板５０の実効誘電率及び伝送線路２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ，３２ａ，３２ｂ，３３ａ，３３ｂにおけるそれぞれの線路長などに基づいて決定される。線路長の決定処理は、例えば、コンピュータのシミュレーションによって行われる。線路長の決定処理自体は、公知の技術であるため詳細な説明を省略する。
したがって、実施の形態４のバラン２では、実効誘電率εｒ_２，４が実効誘電率εｒ_１，３よりも低い場合でも、移相量ｐ_２，４と移相量ｐ_１，３とが等しくなっている。

以上より、第１の移相量調整回路６５及び第２の移相量調整回路６６のそれぞれが、遅延線路である場合でも、実施の形態１と同様に、電気特性の劣化を低減することができることができる。

実施の形態５．
実施の形態１のバラン２は、第１の移相量調整回路４１及び第２の移相量調整回路４２のそれぞれが、オープンスタブである例を示している。
実施の形態５では、第１の移相量調整回路６７及び第２の移相量調整回路６８のそれぞれが、インダクタであるバラン２を説明する。

図２３は、実施の形態５によるバラン２を示す等価回路図である。
図２３において、図２と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
第１の移相量調整回路６７は、第１の線路２２の移相量と、第２の線路２３の移相量とを合わせる回路である。
第１の移相量調整回路６７は、伝送線路２３ａと伝送線路２３ｂとの間に挿入されているインダクタである。
第２の移相量調整回路６８は、第３の線路３２の移相量と、第４の線路３３の移相量とを合わせる回路である。
第２の移相量調整回路６８は、伝送線路３３ａと伝送線路３３ｂとの間に挿入されているインダクタである。

第１の移相量調整回路６７は、図２に示す第１の移相量調整回路４１と同様に、第２の線路２３の移相量ｐ_２，４を増やすように作用する。
第２の移相量調整回路６８は、図２に示す第２の移相量調整回路４２と同様に、第４の線路３３の移相量ｐ_２，４を増やすように作用する。
実施の形態５のバラン２では、移相量ｐ_２，４と移相量ｐ_１，３とが等しくなるように、第１の移相量調整回路６７及び第２の移相量調整回路６８であるそれぞれのインダクタのインダクタンスが決定される。
それぞれのインダクタのインダクタンスは、多層誘電体基板５０の実効誘電率及び伝送線路２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ，３２ａ，３２ｂ，３３ａ，３３ｂにおけるそれぞれの線路長などに基づいて決定される。インダクタンスの決定処理は、例えば、コンピュータのシミュレーションによって行われる。インダクタンスの決定処理自体は、公知の技術であるため詳細な説明を省略する。
したがって、実施の形態５のバラン２では、実効誘電率εｒ_２，４が実効誘電率εｒ_１，３よりも低い場合でも、移相量ｐ_２，４と移相量ｐ_１，３とが等しくなっている。

以上より、第１の移相量調整回路６７及び第２の移相量調整回路６８のそれぞれが、インダクタである場合でも、実施の形態１と同様に、電気特性の劣化を低減することができることができる。

実施の形態６．
実施の形態１のバラン２は、第１の移相量調整回路４１及び第２の移相量調整回路４２のそれぞれが、オープンスタブである例を示している。
実施の形態６では、第１の移相量調整回路６９及び第２の移相量調整回路７０のそれぞれが、π型回路であるバラン２について説明する。

図２４は、実施の形態６によるバラン２を示す等価回路図である。
図２４において、図２と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
第１の移相量調整回路６９は、第１の線路２２の移相量と、第２の線路２３の移相量とを合わせる回路である。
第１の移相量調整回路６９は、伝送線路２３ａと伝送線路２３ｂとの間に挿入されている第１のπ型回路である。
第２の移相量調整回路７０は、第３の線路３２の移相量と、第４の線路３３の移相量とを合わせる回路である。
第２の移相量調整回路７０は、伝送線路３３ａと伝送線路３３ｂとの間に挿入されている第２のπ型回路である。

第１の移相量調整回路６９は、第１のインダクタ６９ａと、第１のコンデンサ６９ｂと、第２のコンデンサ６９ｃとを備えている。
第１のインダクタ６９ａは、伝送線路２３ａと伝送線路２３ｂとの間に挿入されている。
第１のコンデンサ６９ｂは、一端が第１のインダクタ６９ａの一端と接続され、他端が接地されている。
第２のコンデンサ６９ｃは、一端が第１のインダクタ６９ａの他端と接続され、他端が接地されている。

第２の移相量調整回路７０は、第２のインダクタ７０ａと、第３のコンデンサ７０ｂと、第４のコンデンサ７０ｃとを備えている。
第２のインダクタ７０ａは、伝送線路３３ａと伝送線路３３ｂとの間に挿入されている。
第３のコンデンサ７０ｂは、一端が第２のインダクタ７０ａの一端と接続され、他端が接地されている。
第４のコンデンサ７０ｃは、一端が第２のインダクタ７０ａの他端と接続され、他端が接地されている。

第１の移相量調整回路６９は、図２に示す第１の移相量調整回路４１と同様に、第２の線路２３の移相量ｐ_２，４を増やすように作用する。
第２の移相量調整回路７０は、図２に示す第２の移相量調整回路４２と同様に、第４の線路３３の移相量ｐ_２，４を遅くするように作用する。
実施の形態６のバラン２では、移相量ｐ_２，４と移相量ｐ_１，３とが等しくなるように、第１のインダクタ６９ａにおけるインダクタンスが決定され、第１のコンデンサ６９ｂ及び第２のコンデンサ６９ｃにおけるそれぞれの容量値が決定される。
また、実施の形態６のバラン２では、移相量ｐ_２，４と移相量ｐ_１，３とが等しくなるように、第２のインダクタ７０ａにおけるインダクタンスが決定され、第３のコンデンサ７０ｂ及び第４のコンデンサ７０ｃにおけるそれぞれの容量値が決定される。
それぞれのインダクタンス及びそれぞれの容量値は、多層誘電体基板５０の実効誘電率及び伝送線路２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ，３２ａ，３２ｂ，３３ａ，３３ｂにおけるそれぞれの線路長などに基づいて決定される。それぞれのインダクタンス及びそれぞれの容量値の決定処理は、例えば、コンピュータのシミュレーションによって行われる。インダクタンスの決定処理及び容量値の決定処理自体は、公知の技術であるため詳細な説明を省略する。
したがって、実施の形態６のバラン２では、実効誘電率εｒ_２，４が実効誘電率εｒ_１，３よりも低い場合でも、移相量ｐ_２，４と移相量ｐ_１，３とが等しくなっている。

以上より、第１の移相量調整回路６９及び第２の移相量調整回路７０のそれぞれが、π型回路である場合でも、実施の形態１と同様に、電気特性の劣化を低減することができることができる。

実施の形態７．
実施の形態１のバラン２は、第１の移相量調整回路４１及び第２の移相量調整回路４２のそれぞれが、オープンスタブである例を示している。
実施の形態７では、第１の移相量調整回路７１及び第２の移相量調整回路７２のそれぞれが、Ｔ型回路であるバラン２を説明する。

図２５は、実施の形態７によるバラン２を示す等価回路図である。
図２５において、図２と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
第１の移相量調整回路７１は、第１の線路２２の移相量と、第２の線路２３の移相量とを合わせる回路である。
第１の移相量調整回路７１は、伝送線路２３ａと伝送線路２３ｂとの間に挿入されている第１のＴ型回路である。
第２の移相量調整回路７２は、第３の線路３２の移相量と、第４の線路３３の移相量とを合わせる回路である。
第２の移相量調整回路７２は、伝送線路３３ａと伝送線路３３ｂとの間に挿入されている第２のＴ型回路である。

第１の移相量調整回路７１は、第１のインダクタ７１ａと、第２のインダクタ７１ｂと、第１のコンデンサ７１ｃとを備えている。
第１のインダクタ７１ａは、一端が伝送線路２３ａの他端と接続され、他端が第２のインダクタ７１ｂの一端と接続されている。
第２のインダクタ７１ｂは、一端が第１のインダクタ７１ａの他端と接続され、他端が伝送線路２３ｂの一端と接続されている。
第１のコンデンサ７１ｃは、第１のインダクタ７１ａと第２のインダクタ７１ｂとの接続点に一端が接続され、他端が接地されている。

第２の移相量調整回路７２は、第３のインダクタ７２ａと、第４のインダクタ７２ｂと、第２のコンデンサ７２ｃとを備えている。
第３のインダクタ７２ａは、一端が伝送線路３３ａの他端と接続され、他端が第４のインダクタ７２ｂの一端と接続されている。
第４のインダクタ７２ｂは、一端が第３のインダクタ７２ａの他端と接続され、他端が伝送線路３３ｂの一端と接続されている。
第２のコンデンサ７２ｃは、第３のインダクタ７２ａと第４のインダクタ７２ｂとの接続点に一端が接続され、他端が接地されている。

第１の移相量調整回路７１は、図２に示す第１の移相量調整回路４１と同様に、第２の線路２３の移相量ｐ_２，４を増やすように作用する。
第２の移相量調整回路７２は、図２に示す第２の移相量調整回路４２と同様に、第４の線路３３の移相量ｐ_２，４を増やすように作用する。
実施の形態７のバラン２では、移相量ｐ_２，４と移相量ｐ_１，３とが等しくなるように、第１のインダクタ７１ａ及び第２のインダクタ７１ｂにおけるそれぞれのインダクタンスが決定され、第１のコンデンサ７１ｃにおける容量値が決定される。
また、実施の形態７のバラン２では、移相量ｐ_２，４と移相量ｐ_１，３とが等しくなるように、第３のインダクタ７２ａ及び第４のインダクタ７２ｂにおけるそれぞれのインダクタンスが決定され、第２のコンデンサ７２ｃにおける容量値が決定される。
それぞれのインダクタンス及びそれぞれの容量値は、多層誘電体基板５０の実効誘電率及び伝送線路２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ，３２ａ，３２ｂ，３３ａ，３３ｂにおけるそれぞれの線路長などに基づいて決定される。それぞれのインダクタンス及びそれぞれの容量値の決定処理は、例えば、コンピュータのシミュレーションによって行われる。インダクタンスの決定処理及び容量値の決定処理自体は、公知の技術であるため詳細な説明を省略する。
したがって、実施の形態７のバラン２では、実効誘電率εｒ_２，４が実効誘電率εｒ_１，３よりも低い場合でも、移相量ｐ_２，４と移相量ｐ_１，３とが等しくなっている。

以上より、第１の移相量調整回路７１及び第２の移相量調整回路７２のそれぞれが、Ｔ型回路である場合でも、実施の形態１と同様に、電気特性の劣化を低減することができることができる。

実施の形態８．
実施の形態１のバラン２は、１つの第１の移相量調整回路４１が第２の線路２３に接続され、１つの第２の移相量調整回路４２が第４の線路３３に接続されている例を示している。
実施の形態８では、２つ以上の第１の移相量調整回路４１が第２の線路２３に接続され、２つ以上の第２の移相量調整回路４２が第４の線路３３に接続されているバラン２について説明する。

図２６は、実施の形態８によるバラン２を示す等価回路図である。
図２７は、第１層５０ａに形成されている導体パターンを示す平面図である。
図２６及び図２７において、図２及び図４と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
伝送線路２２ｃは、一端が伝送線路２２ｂの他端と接続され、他端が伝送線路２２ｄの一端と接続されている。
伝送線路２２ｄは、一端が伝送線路２２ｃの他端と接続され、他端が伝送線路３２ａの一端と接続されている。
伝送線路２３ｃは、一端が伝送線路２３ｂの他端と接続され、他端が伝送線路２３ｄの一端と接続されており、伝送線路２２ｂと電気的に結合されている。
伝送線路２３ｄは、一端が伝送線路２３ｃの他端と接続され、他端が接地されており、伝送線路２２ａと電気的に結合されている。
図２６の例では、伝送線路２３ａは、伝送線路２２ｄと電気的に結合されており、伝送線路２３ｂは、伝送線路２２ｃと電気的に結合されている。
接続点２４ａは、伝送線路２３ａと伝送線路２３ｂとの接続点である。
接続点２４ｂは、伝送線路２３ｂと伝送線路２３ｃとの接続点である。
接続点２４ｃは、伝送線路２３ｃと伝送線路２３ｄとの接続点である。

伝送線路３２ｃは、一端が伝送線路３２ｂの他端と接続され、他端が伝送線路３２ｄの一端と接続されている。
伝送線路３２ｄは、一端が伝送線路３２ｃの他端と接続され、他端が開放されている。
伝送線路３３ｃは、一端が伝送線路３３ｂの他端と接続され、他端が伝送線路３３ｄの一端と接続されており、伝送線路３２ｃと電気的に結合されている。
伝送線路３３ｄは、一端が伝送線路３３ｃの他端と接続され、他端が接地されており、伝送線路３２ｄと電気的に結合されている。
接続点３４ａは、伝送線路３３ａと伝送線路３３ｂとの接続点である。
接続点３４ｂは、伝送線路３３ｂと伝送線路３３ｃとの接続点である。
接続点３４ｃは、伝送線路３３ｃと伝送線路３３ｄとの接続点である。

第１の移相量調整回路４１ａ，４１ｂ，４１ｃのそれぞれは、第１の線路２２の移相量と、第２の線路２３の移相量とを合わせる回路である。
第１の移相量調整回路４１ａ，４１ｂ，４１ｃのそれぞれは、一端が接続点２４ａ，２４ｂ，２４ｃのそれぞれと接続されている回路であり、図２に示す第１の移相量調整回路４１と同様に、オープンスタブである。
第２の移相量調整回路４２ａ，４２ｂ，４２ｃのそれぞれは、第３の線路３２の移相量と、第４の線路３３の移相量とを合わせる回路である。
第２の移相量調整回路４２ａ，４２ｂ，４２ｃのそれぞれは、一端が接続点３４ａ，３４ｂ，３４ｃのそれぞれと接続されている回路であり、図２に示す第２の移相量調整回路４２と同様に、オープンスタブである。

図２６に示すバラン２では、３つの第１の移相量調整回路４１ａ，４１ｂ，４１ｃが第２の線路２３に接続されているが、実施の形態８では、２つ以上の第１の移相量調整回路４１が第２の線路２３に接続されていればよい。したがって、２つの第１の移相量調整回路４１、あるいは、４つ以上の第１の移相量調整回路４１が第２の線路２３に接続されているバラン２であってもよい。
また、図２６に示すバラン２では、３つの第２の移相量調整回路４２ａ，４２ｂ，４２ｃが第４の線路３３に接続されているが、実施の形態８では、２つ以上の第２の移相量調整回路４２が第４の線路３３に接続されていればよい。したがって、２つの第２の移相量調整回路４２、あるいは、４つ以上の第２の移相量調整回路４２が第４の線路３３に接続されているバラン２であってもよい。
図２７の例では、第２の線路２３及び第４の線路３３のそれぞれは、所定の線路幅を有する伝送線路として描いているため、接続点２４ａ，２４ｂ，２４ｃ及び接続点３４ａ，３４ｂ，３４ｃのそれぞれは、点ではなく、線のように描いている。

実施の形態８のバラン２では、実施の形態１と同様に、第２の線路２３及び第４の線路３３におけるそれぞれの実効誘電率εｒ_２，４が、第１の線路２２及び第３の線路３２におけるそれぞれの実効誘電率εｒ_１，３よりも低いものとする。
実効誘電率εｒ_２，４が実効誘電率εｒ_１，３よりも低い場合、第２の線路２３及び第４の線路３３におけるそれぞれの移相量ｐ_２，４は、第１の線路２２及び第３の線路３２におけるそれぞれの移相量ｐ_１，３よりも速くなる。

実施の形態８のバラン２では、第１の移相量調整回路４１ａ，４１ｂ，４１ｃが第２の線路２３と接続され、第２の移相量調整回路４２ａ，４２ｂ，４２ｃが第４の線路３３と接続されている。
第１の移相量調整回路４１ａ，４１ｂ，４１ｃは、第２の線路２３の移相量ｐ_２，４を増やすように作用する。
第２の移相量調整回路４２ａ，４２ｂ，４２ｃは、第４の線路３３の移相量ｐ_２，４を増やすように作用する。
実施の形態８のバラン２では、移相量ｐ_２，４と移相量ｐ_１，３とが等しくなるように、第１の移相量調整回路４１ａ，４１ｂ，４１ｃであるオープンスタブ及び第２の移相量調整回路４２ａ，４２ｂ，４２ｃであるオープンスタブのそれぞれの線路長が決定される。
したがって、実施の形態８のバラン２では、実効誘電率εｒ_２，４が実効誘電率εｒ_１，３よりも低い場合でも、移相量ｐ_２，４と移相量ｐ_１，３とが等しくなっている。

図２７における第１の結合部分線路２５において、距離Ｌ１は、図中左側の地導体４３と接続されている第１の結合部分線路２５の一端から接続点２４ｃまでの距離である。
距離Ｌ２は、接続点２４ｃから接続点２４ｂまでの距離である。
距離Ｌ３は、接続点２４ｂから接続点２４ａまでの距離である。
距離Ｌ４は、接続点２４ａから第１の結合部分線路２５の他端までの距離である。
図２７における第２の結合部分線路３５において、距離Ｌ１は、図中右側の地導体４３と接続されている第２の結合部分線路３５の一端から接続点３４ｃまでの距離である。
距離Ｌ２は、接続点３４ｃから接続点３４ｂまでの距離である。
距離Ｌ３は、接続点３４ｂから接続点３４ａまでの距離である。
距離Ｌ４は、接続点３４ａから第２の結合部分線路３５の他端までの距離である。

ここで、図２８は、実施の形態８によるバラン２の電気特性として、Ｌ１＝Ｌ２＝Ｌ３＝Ｌ４である場合の通過特性Ｓ２１及び通過特性Ｓ３１のそれぞれを示す説明図である。
図２９は、実施の形態８によるバラン２の電気特性として、Ｌ１＝Ｌ２＝Ｌ３＝Ｌ４である場合の反射特性Ｓ１１を示すスミスチャートである。
図２８及び図２９に示すバラン２の電気特性は、コンピュータによるシミュレーションで計算されている。
コンピュータのシミュレーションでは、不平衡端子１０をポート（１）、第１の平衡端子１１をポート（２）、第２の平衡端子１２をポート（３）としている。

実施の形態８によるバラン２は、Ｌ１＝Ｌ２＝Ｌ３＝Ｌ４である場合、図２８に示すように、Ｓ２１とＳ３１との差が小さくなっている。したがって、実施の形態８によるバラン２は、第１の平衡端子１１から出力される第１の平衡信号の振幅と、第２の平衡端子１２から出力される第２の平衡信号の振幅との差分が小さくなっており、比較対象のバランよりも、通過特性の劣化が低減されている。
実施の形態８によるバラン２は、Ｌ１＝Ｌ２＝Ｌ３＝Ｌ４である場合、図２９に示すように、Ｓ１１がスミスチャートの略中心の位置で円弧を描いており、信号の反射が小さくなっている。したがって、実施の形態８によるバラン２は、比較対象のバランよりも、反射特性の劣化が低減されている。

以上より、２つ以上の第１の移相量調整回路４１が第２の線路２３に接続され、２つ以上の第２の移相量調整回路４２が第４の線路３３に接続されているバラン２についても、実施の形態１と同様に、電気特性の劣化を低減することができることができる。

実施の形態１〜８のバラン２では、第１の線路２２の線路幅と、第３の線路３２の線路幅とが同じ線路幅である例を示しているが、これは一例に過ぎない。
したがって、図３０に示すように、第１の線路２２の線路幅と、第３の線路３２の線路幅とが異なる線路幅であってもよい。図３０は、第３層５０ｃに形成されている導体パターンを示す平面図である。

実施の形態１〜８のバラン２では、第１の線路２２及び第３の線路３２におけるそれぞれ線路幅が一定幅である例を示しているが、これは一例に過ぎない。
したがって、図３１に示すように、第１の線路２２及び第３の線路３２におけるそれぞれの線路幅が、不平衡端子１０から開放側に向かって徐々に太くなるように、第１の線路２２及び第３の線路３２におけるそれぞれの形状がテーパー形状であってもよい。図３１は、第３層５０ｃに形成されている導体パターンを示す平面図である。

実施の形態９．
実施の形態１〜８のバラン２では、第２の線路２３及び第４の線路３３におけるそれぞれの実効誘電率εｒ_２，４が、第１の線路２２及び第３の線路３２におけるそれぞれの実効誘電率εｒ_１，３よりも低い例を示している。
実施の形態９では、第１の線路２２及び第３の線路３２におけるそれぞれの実効誘電率εｒ_１，３が、第２の線路２３及び第４の線路３３におけるそれぞれの実効誘電率εｒ_２，４よりも低いバラン２について説明する。
実効誘電率εｒ_１，３が実効誘電率εｒ_２，４よりも低い場合、第１の線路２２及び第３の線路３２における移相量ｐ_１，３は、第２の線路２３及び第４の線路３３におけるそれぞれの移相量ｐ_２，４よりも速くなる。

図３２は、実施の形態９によるバラン２を示す等価回路図である。
図３３は、第１層５０ａに形成されている導体パターンを示す平面図である。
図３４は、第３層５０ｃに形成されている導体パターンを示す平面図である。
図３２から図３４において、図２、図４及び図５と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
第４層５０ｄに形成されている導体パターンは、図６と同様である。また、第５層５０ｅに形成されている導体パターンは、図７と同様である。
接続点２６は、伝送線路２２ａと伝送線路２２ｂとの接続点である。
接続点３６は、伝送線路３２ａと伝送線路３２ｂとの接続点である。
図３４の例では、第１の線路２２及び第３の線路３２のそれぞれは、所定の線路幅を有する伝送線路として描いているため、接続点２６及び接続点３６のそれぞれは、点ではなく、線のように描いている。

第１の移相量調整回路８１は、第１の線路２２の移相量と、第２の線路２３の移相量とを合わせる回路である。
第１の移相量調整回路８１は、一端が接続点２６と接続されており、第１の線路２２の移相量を増やすオープンスタブである。
第２の移相量調整回路８２は、第３の線路３２の移相量と、第４の線路３３の移相量とを合わせる回路である。
第２の移相量調整回路８２は、一端が接続点３６と接続されており、第３の線路３２の移相量を増やすオープンスタブである。

実施の形態９のバラン２では、第１の移相量調整回路８１が第１の線路２２と接続され、第２の移相量調整回路８２が第３の線路３２と接続されている。
第１の移相量調整回路８１が接続されている接続点２６の位置は、第１の線路２２における不平衡信号の伝搬方向の中央の位置であってもよいし、中央の位置よりも不平衡端子１０側であってもよいし、中央の位置よりも第３の線路３２側であってもよい。
第２の移相量調整回路８２が接続されている接続点３６の位置は、第３の線路３２における不平衡信号の伝搬方向の中央の位置であってもよいし、中央の位置よりも第１の線路２２側であってもよいし、中央の位置よりも開放側であってもよい。

第１の移相量調整回路８１は、第１の線路２２の移相量ｐ_１，３を増やすように作用する。
第２の移相量調整回路８２は、第３の線路３２の移相量ｐ_１，３を増やすように作用する。
実施の形態９のバラン２では、移相量ｐ_１，３と移相量ｐ_２，４とが等しくなるように、第１の移相量調整回路８１であるオープンスタブの線路長及び第２の移相量調整回路８２であるオープンスタブの線路長のそれぞれが決定される。
それぞれのオープンスタブの線路長は、多層誘電体基板５０の実効誘電率及び伝送線路２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ，３２ａ，３２ｂ，３３ａ，３３ｂにおけるそれぞれの線路長などに基づいて決定される。それぞれのオープンスタブの線路長は、例えば、不平衡信号の周波数において、４分の１波長以下の長さに決定される。
したがって、実施の形態９のバラン２では、実効誘電率εｒ_１，３が実効誘電率εｒ_２，４よりも低い場合でも、移相量ｐ_１，３と移相量ｐ_２，４とが等しくなっている。

以上の実施の形態９は、第１の線路２２の移相量と、第２の線路２３の移相量とを合わせる第１の移相量調整回路８１と、第３の線路３２の移相量と、第４の線路３３の移相量とを合わせる第２の移相量調整回路８２とを備えるように、バラン２を構成した。したがって、バラン２は、電気特性の劣化を低減することができることができる。

実施の形態９のバラン２では、第１の移相量調整回路８１及び第２の移相量調整回路８２のそれぞれがオープンスタブである例を示しているが、これに限るものではない。
例えば、第１の移相量調整回路８１及び第２の移相量調整回路８２のそれぞれは、図１９に示す第１の移相量調整回路６１及び第２の移相量調整回路６２のそれぞれと同様に、コンデンサであってもよい。
また、第１の移相量調整回路８１及び第２の移相量調整回路８２のそれぞれは、図２０に示す第１の移相量調整回路６３及び第２の移相量調整回路６４のそれぞれと同様に、並列共振回路であってもよい。
また、第１の移相量調整回路８１及び第２の移相量調整回路８２のそれぞれは、図２１に示す第１の移相量調整回路６５及び第２の移相量調整回路６６のそれぞれと同様に、遅延線路であってもよい。
また、第１の移相量調整回路８１及び第２の移相量調整回路８２のそれぞれは、図２３に示す第１の移相量調整回路６７及び第２の移相量調整回路６８のそれぞれと同様に、インダクタであってもよい。
また、第１の移相量調整回路８１及び第２の移相量調整回路８２のそれぞれは、図２４に示す第１の移相量調整回路６９及び第２の移相量調整回路７０のそれぞれと同様に、π型回路であってもよい。
さらに、第１の移相量調整回路８１及び第２の移相量調整回路８２のそれぞれは、図２５に示す第１の移相量調整回路７１及び第２の移相量調整回路７２のそれぞれと同様に、Ｔ型回路であってもよい。

実施の形態９のバラン２は、１つの第１の移相量調整回路８１が第１の線路２２に接続され、１つの第２の移相量調整回路８２が第３の線路３２に接続されている例を示している。
実施の形態９では、２つ以上の第１の移相量調整回路８１が第１の線路２２に接続され、２つ以上の第２の移相量調整回路８２が第３の線路３２に接続されているバラン２であってもよい。

なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。

この発明は、第１の結合線路と第２の結合線路とを備えるバラン及びアンテナ給電回路に適している。

１ アンテナ給電部、２ バラン、３，４ アンテナ、１０ 不平衡端子、１１ 第１の平衡端子、１２ 第２の平衡端子、２１ 第１の結合線路、２２ 第１の線路、２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ 伝送線路、２３ 第２の線路、２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ 伝送線路、２４，２４ａ，２４ｂ，２４ｃ 接続点、２５ 第１の結合部分線路、２６ 接続点、３１ 第２の結合線路、３２ 第３の線路、３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ 伝送線路、３３ 第４の線路、３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ 伝送線路、３４，３４ａ，３４ｂ，３４ｃ 接続点、３５ 第２の結合部分線路、３６ 接続点、４１，４１ａ，４１ｂ，４１ｃ 第１の移相量調整回路、４２，４２ａ，４２ｂ，４２ｃ 第２の移相量調整回路、４３ 地導体、４４ ビア、５０ 多層誘電体基板、５０ａ 第１層、５０ｂ 第２層、５０ｃ 第３層、５０ｄ 第４層、５０ｅ 第５層、６１，６３，６５，６７，６９，７１ 第１の移相量調整回路、６２，６４，６６，６８，７０，７２ 第２の移相量調整回路、６３ａ，６４ａ コンデンサ、６３ｂ，６４ｂ インダクタ、６９ａ 第１のインダクタ、６９ｂ 第１のコンデンサ、６９ｃ 第２のコンデンサ、７０ａ 第２のインダクタ、７０ｂ 第３のコンデンサ、７０ｃ 第４のコンデンサ、７１ａ 第１のインダクタ、７１ｂ 第２のインダクタ、７１ｃ 第１のコンデンサ、７２ａ 第３のインダクタ、７２ｂ 第４のインダクタ、７２ｃ 第２のコンデンサ、８１ 第１の移相量調整回路、８２ 第２の移相量調整回路。

Claims (6)

1. 一端が不平衡端子と接続されている第１の線路と、一端が第１の平衡端子と接続され、他端が接地されており、前記第１の線路と電気的に結合される第２の線路とを有する第１の結合線路と、
   一端が前記第１の線路の他端と接続され、他端が開放されている第３の線路と、一端が第２の平衡端子と接続され、他端が接地されており、前記第３の線路と電気的に結合される第４の線路とを有する第２の結合線路と、
   前記第１の線路の移相量と、前記第２の線路の移相量とを合わせる第１の移相量調整回路と、
   前記第３の線路の移相量と、前記第４の線路の移相量とを合わせる第２の移相量調整回路と
   を備え、
   前記第１の移相量調整回路は、前記第１の線路又は前記第２の線路のいずれかに一端が接続されるオープンスタブであり、
   前記第２の移相量調整回路は、前記オープンスタブの一端が前記第１の線路に接続されていれば、前記第３の線路に一端が接続され、前記オープンスタブの一端が前記第２の線路に接続されていれば、前記第４の線路に一端が接続されるオープンスタブであることを特徴とするバラン。
2. 一端が不平衡端子と接続されている第１の線路と、一端が第１の平衡端子と接続され、他端が接地されており、前記第１の線路と電気的に結合される第２の線路とを有する第１の結合線路と、
   一端が前記第１の線路の他端と接続され、他端が開放されている第３の線路と、一端が第２の平衡端子と接続され、他端が接地されており、前記第３の線路と電気的に結合される第４の線路とを有する第２の結合線路と、
   前記第１の線路の移相量と、前記第２の線路の移相量とを合わせる第１の移相量調整回路と、
   前記第３の線路の移相量と、前記第４の線路の移相量とを合わせる第２の移相量調整回路と
   を備え、
   前記第１の移相量調整回路は、前記第１の線路又は前記第２の線路のいずれかに一端が接続され、他端が接地されるコンデンサであり、
   前記第２の移相量調整回路は、前記コンデンサの一端が前記第１の線路に接続されていれば、前記第３の線路に一端が接続され、前記コンデンサの一端が前記第２の線路に接続されていれば、前記第４の線路に一端が接続され、他端が接地されるコンデンサであることを特徴とするバラン。
3. 一端が不平衡端子と接続されている第１の線路と、一端が第１の平衡端子と接続され、他端が接地されており、前記第１の線路と電気的に結合される第２の線路とを有する第１の結合線路と、
   一端が前記第１の線路の他端と接続され、他端が開放されている第３の線路と、一端が第２の平衡端子と接続され、他端が接地されており、前記第３の線路と電気的に結合される第４の線路とを有する第２の結合線路と、
   前記第１の線路の移相量と、前記第２の線路の移相量とを合わせる第１の移相量調整回路と、
   前記第３の線路の移相量と、前記第４の線路の移相量とを合わせる第２の移相量調整回路と
   を備え、
   前記第１の移相量調整回路は、前記第１の線路又は前記第２の線路のいずれかに一端が接続され、他端が接地される並列共振回路であり、
   前記第２の移相量調整回路は、前記並列共振回路の一端が前記第１の線路に接続されていれば、前記第３の線路に一端が接続され、前記並列共振回路の一端が前記第２の線路に接続されていれば、前記第４の線路に一端が接続され、他端が接地される並列共振回路であることを特徴とするバラン。
4. 平衡信号を不平衡信号に変換し、あるいは、不平衡信号を平衡信号に変換するバランを備えるアンテナ給電回路であり、
   前記バランは、
   一端が不平衡端子と接続されている第１の線路と、一端が第１の平衡端子と接続され、他端が接地されており、前記第１の線路と電気的に結合される第２の線路とを有する第１の結合線路と、
   一端が前記第１の線路の他端と接続され、他端が開放されている第３の線路と、一端が第２の平衡端子と接続され、他端が接地されており、前記第３の線路と電気的に結合される第４の線路とを有する第２の結合線路と、
   前記第１の線路の移相量と、前記第２の線路の移相量とを合わせる第１の移相量調整回路と、
   前記第３の線路の移相量と、前記第４の線路の移相量とを合わせる第２の移相量調整回路とを備え、
   前記第１の移相量調整回路は、前記第１の線路又は前記第２の線路のいずれかに一端が接続されるオープンスタブであり、
   前記第２の移相量調整回路は、前記オープンスタブの一端が前記第１の線路に接続されていれば、前記第３の線路に一端が接続され、前記オープンスタブの一端が前記第２の線路に接続されていれば、前記第４の線路に一端が接続されるオープンスタブであることを特徴とするアンテナ給電回路。
5. 平衡信号を不平衡信号に変換し、あるいは、不平衡信号を平衡信号に変換するバランを備えるアンテナ給電回路であり、
   前記バランは、
   一端が不平衡端子と接続されている第１の線路と、一端が第１の平衡端子と接続され、他端が接地されており、前記第１の線路と電気的に結合される第２の線路とを有する第１の結合線路と、
   一端が前記第１の線路の他端と接続され、他端が開放されている第３の線路と、一端が第２の平衡端子と接続され、他端が接地されており、前記第３の線路と電気的に結合される第４の線路とを有する第２の結合線路と、
   前記第１の線路の移相量と、前記第２の線路の移相量とを合わせる第１の移相量調整回路と、
   前記第３の線路の移相量と、前記第４の線路の移相量とを合わせる第２の移相量調整回路とを備え、
   前記第１の移相量調整回路は、前記第１の線路又は前記第２の線路のいずれかに一端が接続され、他端が接地されるコンデンサであり、
   前記第２の移相量調整回路は、前記コンデンサの一端が前記第１の線路に接続されていれば、前記第３の線路に一端が接続され、前記コンデンサの一端が前記第２の線路に接続されていれば、前記第４の線路に一端が接続され、他端が接地されるコンデンサであることを特徴とするアンテナ給電回路。
6. 平衡信号を不平衡信号に変換し、あるいは、不平衡信号を平衡信号に変換するバランを備えるアンテナ給電回路であり、
   前記バランは、
   一端が不平衡端子と接続されている第１の線路と、一端が第１の平衡端子と接続され、他端が接地されており、前記第１の線路と電気的に結合される第２の線路とを有する第１の結合線路と、
   一端が前記第１の線路の他端と接続され、他端が開放されている第３の線路と、一端が第２の平衡端子と接続され、他端が接地されており、前記第３の線路と電気的に結合される第４の線路とを有する第２の結合線路と、
   前記第１の線路の移相量と、前記第２の線路の移相量とを合わせる第１の移相量調整回路と、
   前記第３の線路の移相量と、前記第４の線路の移相量とを合わせる第２の移相量調整回路とを備え、
   前記第１の移相量調整回路は、前記第１の線路又は前記第２の線路のいずれかに一端が接続され、他端が接地される並列共振回路であり、
   前記第２の移相量調整回路は、前記並列共振回路の一端が前記第１の線路に接続されていれば、前記第３の線路に一端が接続され、前記並列共振回路の一端が前記第２の線路に接続されていれば、前記第４の線路に一端が接続され、他端が接地される並列共振回路であることを特徴とするアンテナ給電回路。

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