JP6653452B2 - 調光装置の保護回路、及び調光装置 - Google Patents

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Description

本発明は、照明負荷を調光する調光装置の保護回路、及び調光装置に関する。
従来、照明負荷を調光する調光装置が知られている(例えば、特許文献1)。
特許文献1に記載された調光装置は、一対の端子と、制御回路部と、制御回路部に制御電源を供給する制御電源部と、照明負荷の調光レベルを設定する調光操作部とを備えている。
一対の端子間には、制御回路部及び制御電源部それぞれが並列に接続されている。また、一対の端子間には、交流電源と照明負荷との直列回路が接続される。照明負荷は、複数のLED(Light Emitting Diode)素子と、各LED素子を点灯させる電源回路とを備えている。電源回路は、ダイオードと電解コンデンサとの平滑回路を備えている。
制御回路部は、照明負荷に供給する交流電圧を位相制御するスイッチ部と、スイッチ部を駆動するスイッチドライブ部と、スイッチドライブ部及び制御電源部を制御する制御部と、を備えている。
制御電源部は、スイッチ部に並列に接続されている。制御電源部は、交流電源の交流電圧を制御電源に変換する。制御電源部は、制御電源を蓄積する電解コンデンサを備えている。
制御部は、制御電源部から電解コンデンサを通じて制御電源が供給される。制御部は、マイクロコンピュータを備えている。マイクロコンピュータは、調光操作部で設定された調光レベルに応じて、交流電圧の半サイクル毎の期間途中で、照明負荷への給電を遮断する逆位相制御を行う。
特開2013−149498号公報
特許文献1の調光装置では、スイッチ部(双方向スイッチ)を交流電圧の半サイクル毎の期間途中で遮断制御している。そのため、電流値が大きい期間にスイッチ部を遮断する場合、例えば線路のインピーダンスに含まれる誘導成分(インダクタンス成分)等によって逆起電圧が発生する可能性があった。
本発明の目的は、双方向スイッチの遮断時に発生する逆起電圧を低減できる調光装置の保護回路、及び調光装置を提供することにある。
本発明の一態様の調光装置の保護回路は、一対の入力端子と、双方向スイッチと、制御部と、を備えた調光装置に用いられる。前記一対の入力端子は、照明負荷と交流電源との間に電気的に直列に接続されるように構成される。前記双方向スイッチは、前記一対の入力端子間において双方向の電流の遮断/通過を切り替えるように構成されている。前記制御部は、前記交流電源の交流電圧の半周期の始点から調光レベルに応じた可変時間が経過した時点で前記双方向スイッチがオン状態からオフ状態に切り替わるように前記双方向スイッチを制御する。前記双方向スイッチの制御端子には容量性素子が電気的に接続されており、前記容量性素子の両端電圧がしきい値電圧以上になると前記双方向スイッチはオフ状態からオン状態に切り替わる。前記保護回路は充放電調整回路を備える。前記充放電調整回路は、前記制御部が前記双方向スイッチをオフ状態からオン状態に切り替える場合に前記容量性素子の両端電圧を増加させる速度に比べて、前記制御部が前記双方向スイッチをオン状態からオフ状態に切り替える場合に前記容量性素子の両端電圧を低下させる速度を遅くする。
本発明の一態様の調光装置は、一対の入力端子と、双方向スイッチと、制御部と、前記調光装置の保護回路と、を備えている。前記一対の入力端子は、照明負荷と交流電源との間に電気的に直列に接続される。前記双方向スイッチは、前記一対の入力端子間において双方向の電流の遮断/通過を切り替えるように構成されている。前記制御部は、前記交流電源の交流電圧の半周期の始点から調光レベルに応じた可変時間が経過した時点で前記双方向スイッチがオン状態からオフ状態に切り替わるように前記双方向スイッチを制御する。
本発明によれば、双方向スイッチの遮断時に発生する逆起電圧を低減できる。
図1は、実施形態1に係る調光装置の回路図である。 図2Aは、保護回路を備えていない調光装置についての交流電源の交流電圧及び負荷電流の波形図である。図2Bは、実施形態1の調光装置についての交流電源の交流電圧及び負荷電流の波形図である。 図3は、実施形態2に係る調光装置の回路図である。
以下に説明する実施形態は、本発明の種々の実施形態の一つに過ぎない。本発明の実施形態は、下記実施形態に限定されることはなく、この実施形態以外も含み得る。また、下記の実施形態は、本発明に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
(実施形態1)
(1.1)構成
本実施形態の調光装置1は、図1に示すように、一対の入力端子11,12、双方向スイッチ2、位相検出部3、入力部4、電源部5、制御部6、スイッチ駆動部7、及び保護回路8を備えている。ここでいう「入力端子」は、電線等を接続するための部品(端子)でなくてもよく、例えば電子部品のリードや、回路基板に含まれる導体の一部であってもよい。
調光装置1は、2線式の調光装置であって、交流電源10に対して負荷9と電気的に直列に接続された状態で使用される。負荷9は照明負荷であり、通電時に点灯する。負荷9は、光源としてのLED素子と、LED素子を点灯させる点灯回路と、を備えている。交流電源10は、例えば単相100〔V〕、60〔Hz〕の商用電源である。調光装置1は、一例として壁スイッチ等に適用可能である。
双方向スイッチ2は、例えば、入力端子11,12間に電気的に直列に接続された第1のスイッチ素子Q1及び第2のスイッチ素子Q2の2個の素子からなる。例えば、スイッチ素子Q1,Q2の各々は、エンハンスメント形のnチャネルMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)からなる半導体スイッチ素子である。
スイッチ素子Q1,Q2は、入力端子11,12間において、いわゆる逆直列に接続されている。つまり、スイッチ素子Q1,Q2はソース同士が互いに接続されている。スイッチ素子Q1のドレインは入力端子11に接続され、スイッチ素子Q2のドレインは入力端子12に接続されている。両スイッチ素子Q1,Q2のソースは、電源部5のグランドに接続されている。電源部5のグランドは、調光装置1の内部回路にとって基準電位となる。
双方向スイッチ2は、スイッチ素子Q1,Q2のオン、オフの組み合わせにより、4つの状態を切替可能である。4つの状態には、両スイッチ素子Q1,Q2が共にオフである双方向オフ状態と、両スイッチ素子Q1,Q2が共にオンである双方向オン状態と、スイッチ素子Q1,Q2の一方のみがオンである2種類の一方向オン状態とがある。一方向オン状態では、スイッチ素子Q1,Q2のうち、オンの方のスイッチ素子から、オフの方のスイッチ素子の寄生ダイオードを通して一対の入力端子11,12間が一方向に導通することになる。例えば、スイッチ素子Q1がオン、スイッチ素子Q2がオフの状態では、入力端子11から入力端子12に向けて電流を流す第1の一方向オン状態となる。また、スイッチ素子Q2がオン、スイッチ素子Q1がオフの状態では、入力端子12から入力端子11に向けて電流を流す第2の一方向オン状態となる。そのため、入力端子11,12間に交流電源10から交流電圧Vacが印加される場合、交流電圧Vacの正極性、つまり入力端子11が正極の半周期においては、第1の一方向オン状態が「順方向オン状態」、第2の一方向オン状態が「逆方向オン状態」となる。一方、交流電圧Vacの負極性、つまり入力端子12が正極の半周期においては、第2の一方向オン状態が「順方向オン状態」、第1の一方向オン状態が「逆方向オン状態」となる。
ここで、双方向スイッチ2は、「双方向オン状態」及び「順方向オン状態」の両状態がオン状態であり、「双方向オフ状態」及び「逆方向オン状態」の両状態がオフ状態である。
位相検出部3は、入力端子11,12間に印加される交流電圧Vacの位相を検出する。ここでいう「位相」には、交流電圧Vacのゼロクロス点、交流電圧Vacの極性(正極性、負極性)を含んでいる。位相検出部3は、交流電圧Vacのゼロクロス点を検出すると検出信号を制御部6に出力するように構成されている。位相検出部3は、ダイオードD31と、第1検出部31と、ダイオードD32と、第2検出部32と、を有している。第1検出部31は、ダイオードD31を介して入力端子11に電気的に接続されている。第2検出部32は、ダイオードD32を介して入力端子12に電気的に接続されている。第1検出部31は、交流電圧Vacが負極性の半周期から正極性の半周期に移行する際のゼロクロス点を検出する。第2検出部32は、交流電圧Vacが正極性の半周期から負極性の半周期に移行する際のゼロクロス点を検出する。
すなわち、第1検出部31は、入力端子11を正極とする電圧が規定値未満の状態から規定値以上の状態に移行したことを検出すると、ゼロクロス点と判断し、第1検出信号ZC1を制御部6に出力する。同様に、第2検出部32は、入力端子12を正極とする電圧が規定値未満の状態から規定値以上の状態に移行したことを検出すると、ゼロクロス点と判断し、第2検出信号ZC2を制御部6に出力する。規定値は0〔V〕付近に設定された値(絶対値)である。例えば、第1検出部31の規定値は、数〔V〕程度であり、第2検出部32の規定値は、数〔V〕程度である。したがって、第1検出部31及び第2検出部32で検出されるゼロクロス点の検出点は、厳密な意味でのゼロクロス点(0〔V〕)から少し時間が遅れる。
入力部4は、ユーザによって操作される操作部から、調光レベルを表す信号を受け付け、制御部6に調光信号として出力する。入力部4は、調光信号を出力するのに際して、受け付けた信号を加工してもよいし、しなくてもよい。調光信号とは、負荷9の光出力の大きさを指定する数値等であって、負荷9を消灯状態とする「OFFレベル」を含む場合もある。操作部は、ユーザの操作を受けて入力部4に調光レベルを表す信号を出力する構成であればよく、例えば可変抵抗器やロータリスイッチ、タッチパネル、リモートコントローラ、あるいはスマートフォン等の通信端末などである。
制御部6は、例えばマイクロコンピュータを備える。マイクロコンピュータは、マイクロコンピュータのメモリに記録されているプログラムをCPU(Central Processing Unit)で実行することにより、制御部6としての機能を実現する。CPUが実行するプログラムは、予めマイクロコンピュータのメモリに記録されていてもよいし、メモリカードのような記録媒体に記録されて提供されたり、電気通信回線を通して提供されたりしてもよい。言い換えれば、上記プログラムは、コンピュータ(ここではマイクロコンピュータ)を、制御部6として機能させるためのプログラムである。
制御部6は、位相検出部3からの検出信号及び入力部4からの調光信号に基づいて双方向スイッチ2を制御する。制御部6は、スイッチ素子Q1,Q2の各々を別々に制御する。具体的には、制御部6は、第1制御信号Sb1にてスイッチ素子Q1を制御し、第2制御信号Sb2にてスイッチ素子Q2を制御する。
ここにおいて、制御部6がレベルシフタを備えていてもよい。レベルシフタは、マイクロコンピュータが出力した制御信号の電圧値を、スイッチ素子Q1,Q2を駆動可能な電圧値に変換してスイッチ駆動部7に出力する。例えば、マイクロコンピュータは、スイッチ素子Q1,Q2をオンにする場合はH(High)レベル(例えば5V)の制御信号を出力し、スイッチ素子Q1,Q2をオフにする場合はL(Low)レベル(例えば0V)の制御信号を出力する。レベルシフタは、マイクロコンピュータがHレベルの制御信号を出力すると、この制御信号の電圧値を例えば12Vに変換して、Hレベルの第1制御信号Sb1及び第2制御信号Sb2をスイッチ駆動部7に出力する。また、レベルシフタは、マイクロコンピュータがLレベルの制御信号を出力すると、Lレベル(例えば0V)の第1制御信号Sb1及び第2制御信号Sb2をスイッチ駆動部7に出力する。ここにおいて、信号レベルがHレベルのときの第1制御信号Sb1及び第2制御信号Sb2を「ON」信号といい、信号レベルがLレベルのときの第1制御信号Sb1及び第2制御信号Sb2を「OFF」信号という。
スイッチ駆動部7は、スイッチ素子Q1を駆動(オン/オフ制御)する第1駆動部71と、スイッチ素子Q2を駆動(オン/オフ制御)する第2駆動部72と、を有している。
第1駆動部71は、ツェナーダイオードZD11,ZD12と、抵抗器R11,R12と、容量性素子(コンデンサ)C11と、ダイオードD11とを備える。スイッチ素子Q1のゲート(制御端子)とソースとの間に容量性素子C11と抵抗器R11とが直列に接続されている。また、スイッチ素子Q1のゲートとソースの間には過電圧保護のためにツェナーダイオードZD11が接続されている。スイッチ素子Q1のゲートは抵抗器R12を介して制御部6の出力端子P1に接続されている。また、スイッチ素子Q1のゲートにはダイオードD11のアノードが接続されている。ダイオードD11のカソードにはツェナーダイオードZD12のカソードが接続され、ツェナーダイオードZD12のアノードは制御部6の出力端子P1に接続されている。制御部6が出力端子P1からHレベルの第1制御信号Sb1を第1駆動部71に出力すると、容量性素子C11に電流が流れて、容量性素子C11が充電され、容量性素子C11の両端電圧がスイッチ素子Q1のゲートに印加される。容量性素子C11の両端電圧がスイッチ素子Q1のしきい値電圧以上になると、スイッチ素子Q1がオンになる。また、制御部6が出力端子P1からLレベルの第1制御信号Sb1を第1駆動部71に出力すると、容量性素子C11が放電し、容量性素子C11の両端電圧がスイッチ素子Q1のしきい値電圧を下回ると、スイッチ素子Q1がオフになる。以上のように、第1駆動部71は、制御部6が出力する第1制御信号Sb1に応じて、スイッチ素子Q1をオン/オフ制御する。ここにおいて、第1駆動部71は、スイッチ素子Q1のソースの電位を基準にしてゲート電圧を生成する。
第2駆動部72は、ツェナーダイオードZD21,ZD22と、抵抗器R21,R22と、容量性素子(コンデンサ)C21と、ダイオードD21とを備える。スイッチ素子Q2のゲート(制御端子)とソースの間に容量性素子C21と抵抗器R21とが直列に接続されている。また、スイッチ素子Q2のゲートとソースの間には過電圧保護のためにツェナーダイオードZD21が接続されている。スイッチ素子Q2のゲートは抵抗器R22を介して制御部6の出力端子P2に接続されている。また、スイッチ素子Q2のゲートにはダイオードD21のアノードが接続されている。ダイオードD21のカソードにはツェナーダイオードZD22のカソードが接続され、ツェナーダイオードZD22のアノードは制御部6の出力端子P2に接続されている。制御部6が出力端子P2からHレベルの第2制御信号Sb2を第2駆動部72に出力すると、容量性素子C21に電流が流れて、容量性素子C21が充電され、容量性素子C21の両端電圧がスイッチ素子Q2のゲートに印加される。容量性素子C21の両端電圧がスイッチ素子Q2のしきい値電圧以上になると、スイッチ素子Q2がオンになる。また、制御部6が出力端子P2からLレベルの第2制御信号Sb2を第2駆動部72に出力すると、容量性素子C21が放電し、容量性素子C21の両端電圧がスイッチ素子Q2のしきい値電圧を下回ると、スイッチ素子Q2がオフになる。以上のように、第2駆動部72は、制御部6が出力する第2制御信号Sb2に応じて、スイッチ素子Q2をオン/オフ制御する。ここにおいて、第2駆動部72は、スイッチ素子Q2のソースの電位を基準にしてゲート電圧を生成する。
保護回路8は、双方向スイッチ2がオン状態からオフ状態に切り替わるときに交流電圧Vacに発生する逆起電圧を抑制するために設けられている。本実施形態の保護回路8は、スイッチ素子Q1の遮断時に発生する逆起電圧を抑制する第1の充放電調整回路81と、スイッチ素子Q2の遮断時に発生する逆起電圧を抑制する第2の充放電調整回路82とを備えている。
第1の充放電調整回路81は、第1駆動部71の抵抗器R12、ダイオードD11、ツェナーダイオードZD12と、補助充電回路83とを備える。補助充電回路83は、入力端子11とスイッチ素子Q1のゲートとの間に接続された容量性素子(コンデンサ)C83と抵抗器R83との直列回路を備える。ダイオードD11及びツェナーダイオードZD12は必須の構成ではなく、第1の充放電調整回路81がダイオードD11及びツェナーダイオードZD12を備えていなくてもよい。
第2の充放電調整回路82は、第2駆動部72の抵抗器R22、ダイオードD21、ツェナーダイオードZD22と、補助充電回路84とを備える。補助充電回路84は、入力端子12とスイッチ素子Q2のゲートとの間に接続された容量性素子(コンデンサ)C84と抵抗器R84との直列回路を備えている。ダイオードD21及びツェナーダイオードZD22は必須の構成ではなく、第2の充放電調整回路82がダイオードD21及びツェナーダイオードZD22を備えていなくてもよい。
電源部5は、例えば電解コンデンサを備えている。電源部5は、ダイオードD1を介して入力端子11に電気的に接続され、ダイオードD2を介して入力端子12に電気的に接続されている。また、電源部5のグランドは、スイッチ素子Q1,Q2の各々が備える寄生ダイオードの接続点に電気的に接続されている。これにより、ダイオードD1,D2と、スイッチ素子Q1,Q2の各々が備える寄生ダイオードとで構成されるダイオードブリッジにて、入力端子11,12間に印加される交流電圧Vacが全波整流されて、電源部5に供給される。したがって、双方向スイッチ2がオフ状態にある場合、電源部5には、全波整流された交流電圧Vac(ダイオードブリッジから出力される脈流電圧)が印加されることになる。電源部5は、全波整流された交流電圧Vacを平滑し、位相検出部3、制御部6及びスイッチ駆動部7に動作電圧を供給する。
負荷9の点灯回路は、調光装置1で位相制御された交流電圧Vacの波形から調光レベルを読み取り、LED素子の光出力の大きさを変化させる。ここで、点灯回路は、一例としてブリーダ回路などの電流確保用の回路を有している。そのため、調光装置1の双方向スイッチ2が非導通となる期間においても、負荷9に電流を流すことが可能である。
(1.2)動作
(1.2.1)起動動作
まず、本実施形態の調光装置1の通電開始時の起動動作について説明する。
上述した構成の調光装置1によれば、入力端子11,12間に負荷9を介して交流電源10が接続されると、交流電源10から入力端子11,12間に印加される交流電圧Vacが整流されて電源部5に供給される。このとき、電源部5が制御部6等に動作電圧を供給し、制御部6が起動する。
制御部6が起動すると、制御部6は、位相検出部3の検出信号に基づいて交流電源10の周波数を判定する。そして、制御部6は、判定した周波数に応じて、予めメモリに記憶されている数値テーブルを参照し、各種の時間などのパラメータを設定する。ここで、入力部4に入力された調光レベルが「OFFレベル」であれば、制御部6は、双方向スイッチ2を双方向オフ状態に維持することで、一対の入力端子11,12間のインピーダンスをハイインピーダンス状態に維持する。これにより、負荷9は消灯状態を維持する。
(1.2.2)調光動作
次に、本実施形態の調光装置1の調光動作を説明する。以下の説明において、「時点Aから」という表現は、時点Aを含む意味とする。例えば「半周期の始点から」は、半周期の始点を含む意味である。一方、「時点Aまで」という表現は、時点Aは含まず、時点Aの直前までを意味する。例えば「半周期の終点まで」は、半周期の終点は含まず、半周期の終点の直前までを意味する。
まず、交流電圧Vacが正極性の半周期における調光装置1の動作について説明する。
調光装置1は、位相制御の基準となる交流電圧Vacのゼロクロス点を位相検出部3で検出する。交流電圧Vacが負極性の半周期から正極性の半周期に移行する際には、交流電圧Vacが正極性の規定値に達すると、第1検出部31が第1検出信号ZC1を制御部6に出力する。
制御部6は、交流電圧Vacの正極性の半周期において第1検出部31から第1検出信号ZC1が入力されると、第1制御信号Sb1及び第2制御信号Sb2を「ON」信号にする。
これにより、第1駆動部71では抵抗器R12を介して容量性素子C11に電流が流れて、容量性素子C11の両端電圧が増加し、容量性素子C11の両端電圧がしきい値電圧以上になると、スイッチ素子Q1がオンになる。同様に、第2駆動部72では抵抗器R22を介して容量性素子C21に電流が流れて、容量性素子C21の両端電圧が増加し、容量性素子C21の両端電圧がしきい値電圧以上になると、スイッチ素子Q2がオンになる。このとき、スイッチ素子Q1,Q2がいずれもオンになり、双方向スイッチ2が双方向オン状態となるので、交流電源10から双方向スイッチ2を介して負荷9へ電力が供給され、負荷9が点灯する。
ところで、交流電圧Vacの負極性の半周期の終点では、双方向スイッチ2が双方向オフ状態に制御されており、制御部6は、正極性の半周期の始点から第1検出信号ZC1が入力されるまでの間は、双方向スイッチ2を双方向オフ状態にする。
制御部6は、第1検出信号ZC1が入力された時点から調光信号に応じた長さのオン時間が経過した時点において、第2制御信号Sb2を「ON」信号に維持したまま、第1制御信号Sb1を「OFF」信号にする。
このとき、第1駆動部71では、容量性素子C11の両端電圧がツェナーダイオードZD12のツェナー電圧を超えている場合、ツェナーダイオードZD12がオンになる。容量性素子C11からダイオードD11とツェナーダイオードZD12とを介して放電電流が流れるので、容量性素子C11の両端電圧はツェナーダイオードZD12のツェナー電圧まで短時間で低下する。容量性素子C11の両端電圧がツェナーダイオードZD12のツェナー電圧よりも低下すると、ツェナーダイオードZD12がオフになり、容量性素子C11から抵抗器R12を介して放電電流が流れる。その後、容量性素子C11の両端電圧がしきい値電圧よりも低くなると、スイッチ素子Q1に流れる負荷電流が減少する。
ここで、調光装置1と交流電源10と負荷9とを接続する電路等のインピーダンスにはインダクタンス成分が含まれているので、スイッチ素子Q1に流れる負荷電流が減少すると、電路等のインピーダンスに含まれるインダクタンス成分によって逆起電圧が発生する。図2Aは、保護回路8を備えていない調光装置での交流電源10の交流電圧Vac及び負荷電流I1の波形図であり、双方向スイッチ2がオンからオフに切り替わるタイミングで発生した逆起電圧が交流電圧Vacに重畳している。また、スイッチ素子Q1がオンからオフに切り替わる時の負荷電流が大きいほど、電路のインダクタンス成分によって発生する逆起電圧が増加する。
本実施形態の調光装置1は、スイッチ素子Q1の遮断時に発生する逆起電圧を抑制する第1の充放電調整回路81を備えており、この第1の充放電調整回路81は、入力端子11とスイッチ素子Q1のゲートとの間に補助充電回路83を備えている。補助充電回路83は、入力端子11に印加される電圧の電圧値に応じて、入力端子11から容量性素子C11に充電電流を流すように構成されている。
したがって、スイッチ素子Q2がオン状態からオフ状態に切り替わる場合に、調光装置1が接続される電路に逆起電圧が発生すると、入力端子11から補助充電回路83の容量性素子C83と抵抗器R83とを介して容量性素子C11に電流が流れる。これにより、補助充電回路83を介して容量性素子C11に充電電流が流れない場合に比べて、容量性素子C11の両端電圧が低下する速度が緩やかになるため、スイッチ素子Q1に流れる電流が低下する速度が遅くなる。よって、スイッチ素子Q1に流れる負荷電流I1が低下する速度が抑制されるので、電路に発生する逆起電圧を抑制することができる。図2Bは、本実施形態の調光装置1での交流電源10の交流電圧Vac及び負荷電流I1の波形図であり、スイッチ素子Q2がオン状態からオフ状態に切り替わる場合に、電路に発生する逆起電圧が減少している。ここにおいて、補助充電回路83を構成する容量性素子C83と抵抗器R83との直列回路(CR直列回路)の時定数は、電路に発生する逆起電圧が回路部品に悪影響を与えない程度に抑制できるような値に、設定されている。
その後、容量性素子C11の両端電圧が徐々に低下して、スイッチ素子Q1に流れる負荷電流が減少し、スイッチ素子Q1がオフ状態となる。このとき、スイッチ素子Q1,Q2のうちスイッチ素子Q1のみがオフし、双方向スイッチ2が逆方向オン状態となるので、交流電源10から負荷9への電力供給が断たれる。
また、第1検出信号ZC1の発生時点より、半周期の時間から一定時間を差し引いた時間が経過した時点において、制御部6は、第1制御信号Sb1及び第2制御信号Sb2を「OFF」信号にする。第1制御信号Sb1及び第2制御信号Sb2を「OFF」信号にする時点は半周期の終点(ゼロクロス点)の手前にあればよく、半周期の終点までの長さ(一定時間)は適宜設定可能である。
このとき、第2駆動部72では、容量性素子C21の両端電圧がツェナーダイオードZD22のツェナー電圧を超えている場合、ツェナーダイオードZD22がオンになる。容量性素子C21からダイオードD21とツェナーダイオードZD22とを介して放電電流が流れるので、容量性素子C21の両端電圧はツェナーダイオードZD22のツェナー電圧まで短時間で低下する。容量性素子C21の両端電圧がツェナーダイオードZD22のツェナー電圧よりも低下すると、ツェナーダイオードZD22がオフになり、容量性素子C21から抵抗器R22を介して放電電流が流れる。その後、容量性素子C21の両端電圧がしきい値電圧よりも低くなると、スイッチ素子Q2がオフになる。すなわち、スイッチ素子Q1,Q2が共にオフになり、双方向スイッチ2は逆方向オフ状態となる。
また、交流電圧Vacが負極性の半周期における調光装置1の動作は、正極性の半周期と基本的に同様の動作となる。
負極性の半周期において、交流電圧Vacが負極性の規定値に達すると、第2検出部32が第2検出信号ZC2を制御部6に出力する。
制御部6は、交流電圧Vacの負極性の半周期において、第2検出部32から第2検出信号ZC2が入力されると、第1制御信号Sb1及び第2制御信号Sb2を「ON」信号にする。
これにより、第1駆動部71では抵抗器R12を介して容量性素子C11に電流が流れて、容量性素子C11の両端電圧が増加し、容量性素子C11の両端電圧がしきい値電圧以上になると、スイッチ素子Q1がオンになる。同様に、第2駆動部72では抵抗器R22を介して容量性素子C21に電流が流れて、容量性素子C21の両端電圧が増加し、容量性素子C21の両端電圧がしきい値電圧以上になると、スイッチ素子Q2がオンになる。このとき、スイッチ素子Q1,Q2がいずれもオンになり、双方向スイッチ2が双方向オン状態となるので、交流電源10から双方向スイッチ2を介して負荷9へ電力が供給され、負荷9が点灯する。
ところで、交流電圧Vacの正極性の半周期の終点では、双方向スイッチ2が双方向オフ状態に制御されており、制御部6は、負極性の半周期の始点から第2検出信号ZC2が入力されるまでの間は、双方向スイッチ2を双方向オフ状態にする。
その後、制御部6は、交流電圧Vacの負極性の半周期で、第2検出信号ZC2が入力された時点から調光信号に応じた長さのオン時間が経過した時点において、第1制御信号Sb1を「ON」信号に維持したまま、第2制御信号Sb2を「OFF」信号にする。
これにより、第2駆動部72では容量性素子C21から抵抗器R22を介して放電電流が流れることによって、容量性素子C21の両端電圧がしきい値電圧よりも低くなると、スイッチ素子Q2に流れる負荷電流が減少する。
ここで、スイッチ素子Q2に流れる負荷電流が減少すると、例えば、調光装置1と交流電源10と負荷9とを接続する電路等のインピーダンスに含まれるインダクタンス成分によって逆起電圧が発生する。スイッチ素子Q2がオンからオフに切り替わる時の負荷電流が大きいほど、電路のインダクタンス成分によって発生する逆起電圧が増加する。
本実施形態の調光装置1は、スイッチ素子Q2の遮断時に発生する逆起電圧を抑制する第2の充放電調整回路82を備えており、この第2の充放電調整回路82は、入力端子12とスイッチ素子Q2のゲートとの間に補助充電回路84を備えている。補助充電回路84は、入力端子12に印加される電圧の電圧値に応じて、入力端子12から容量性素子C21に充電電流を流すように構成されている。
したがって、スイッチ素子Q2がオン状態からオフ状態に切り替わる場合に、調光装置1が接続される電路にサージ状の逆起電圧が発生すると、入力端子12から補助充電回路84の容量性素子C84と抵抗器R84とを介して容量性素子C21に電流が流れる。これにより、容量性素子C21の両端電圧が低下する速度が遅くなり、スイッチ素子Q2に流れる負荷電流が低下する速度が抑制されるので、電路に発生する逆起電圧を抑制することができる。ここにおいて、補助充電回路84を構成する容量性素子C84と抵抗器R84との直列回路(CR直列回路)の時定数は、電路に発生する逆起電圧が、回路部品に悪影響を与えない程度に抑制できるような値に設定されている。
その後、容量性素子C21の両端電圧が徐々に低下して、スイッチ素子Q2に流れる負荷電流が減少し、スイッチ素子Q2がオフ状態となる。このとき、スイッチ素子Q1,Q2のうちスイッチ素子Q2のみがオフし、双方向スイッチ2が逆方向オン状態となるので、交流電源10から負荷9への電力供給が断たれる。
交流電圧Vacの負極性の半周期において、第2検出信号ZC2の発生時点より、半周期の時間から一定時間を差し引いた時間が経過した時点で、制御部6は、第1制御信号Sb1及び第2制御信号Sb2を「OFF」信号にする。
このとき、第1駆動部71では、容量性素子C11の両端電圧がツェナーダイオードZD12のツェナー電圧を超えている場合、ツェナーダイオードZD12がオンになる。容量性素子C11からダイオードD11とツェナーダイオードZD12とを介して放電電流が流れるので、容量性素子C11の両端電圧はツェナーダイオードZD12のツェナー電圧まで短時間で低下する。容量性素子C11の両端電圧がツェナーダイオードZD12のツェナー電圧よりも低下すると、ツェナーダイオードZD12がオフになり、容量性素子C11から抵抗器R12を介して放電電流が流れる。その後、容量性素子C11の両端電圧がしきい値電圧よりも低くなると、スイッチ素子Q1がオフになる。すなわち、スイッチ素子Q1,Q2が共にオフになり、双方向スイッチ2は逆方向オフ状態となる。
本実施形態の調光装置1は、以上説明した正極性の半周期の動作と負極性の半周期の動作とを交流電圧Vacの半周期ごとに交互に繰り返すことで、負荷9の調光を行う。
ここで、「双方向オン状態」は双方向スイッチ2のオン状態であり、「逆方向オン状態」は双方向スイッチ2のオフ状態である。また、交流電圧Vacの半周期の始点から可変時間が経過した時点(切替時点)で、双方向スイッチ2がオン状態からオフ状態に切り替わっている。
ここにおいて、可変時間は、半周期の始点より、第1検出信号ZC1及び第2検出信号ZC2の発生時点から調光信号に応じた長さのオン時間が経過した時点までの時間に相当する。すなわち、「可変時間」は、半周期の始点から第1検出信号ZC1又は第2検出信号ZC2が発生する時点までの時間と、調光信号に応じた長さのオン時間とを合計した時間となる。よって、可変時間は、調光レベルに応じて長さが変化することになり、交流電圧Vacに対する切替時点の位相は調光レベルに応じて変化する。すなわち、負荷9の光出力を小さくする場合には可変時間は短く、負荷9の光出力を大きくする場合には可変時間は長く規定される。そのため、入力部4に入力される調光レベルに応じて、負荷9の光出力の大きさを変えることが可能である。
(1.3)利点
本実施形態の保護回路8は調光装置1に用いられる。調光装置1は、照明負荷(負荷9)と交流電源10との間に電気的に直列に接続されるように構成された一対の入力端子11,12と、双方向スイッチ2と、制御部6とを備えている。双方向スイッチ2は、一対の入力端子11,12間において双方向の電流の遮断/通過を切り替えるように構成されている。制御部6は、交流電源10の交流電圧Vacの半周期の始点から調光レベルに応じた可変時間が経過した時点で双方向スイッチ2がオン状態からオフ状態に切り替わるように双方向スイッチ2を制御する。双方向スイッチ2の制御端子(スイッチ素子Q1,Q2のゲート)には容量性素子C11,C21が電気的に接続されており、容量性素子C11,C21の両端電圧がしきい値電圧以上になると双方向スイッチ2はオフ状態からオン状態に切り替わる。保護回路8は充放電調整回路(第1の充放電調整回路81、第2の充放電調整回路82)を備えている。充放電調整回路は、制御部6が双方向スイッチ2をオフ状態からオン状態に切り替える場合に容量性素子C11,C21の両端電圧を増加させる速度に比べて、制御部6が双方向スイッチ2をオン状態からオフ状態に切り替える場合に容量性素子C11,C21の両端電圧を低下させる速度を遅くする。
調光装置1において、双方向スイッチ2がオン状態からオフ状態に切り替わるとき、調光装置1が接続された電路には電路等のインダクタンス成分によって逆起電圧が発生する可能性がある。本実施形態の保護回路8では、調光装置1が保護回路8を備えていない場合に比べて、双方向スイッチ2がオン状態からオフ状態に切り替わる速度を遅くすることができる。したがって、双方向スイッチ2がオン状態からオフ状態に切り替わる場合に、入力端子11,12に接続される電路に発生する逆起電圧を抑制できる。
本実施形態の調光装置1は、一対の入力端子11,12と、双方向スイッチ2と、制御部6と、保護回路8とを備えている。したがって、双方向スイッチ2がオン状態からオフ状態に切り替わる場合に、入力端子11,12に接続される電路に発生する逆起電圧を抑制できる。
本実施形態のように、保護回路8の充放電調整回路(第1の充放電調整回路81、第2の充放電調整回路82)は、一対の入力端子11,12から容量性素子C11,C21に充電電流を流す補助充電回路83,84を備えてもよい。補助充電回路83,84は、一対の入力端子11,12に印加される電圧の電圧値に応じて、充電電流の電流値を変化すればよい。双方向スイッチ2がオン状態からオフ状態に切り替わる場合に電路に逆起電圧が発生すると、補助充電回路83,84が容量性素子C11,C21に流す充電電流が増加する。これにより、容量性素子C11,C21の両端電圧が低下する速度を遅くすることができ、双方向スイッチ2がオン状態からオフ状態に切り替わる場合に、入力端子11,12に接続される電路に発生する逆起電圧を抑制できる。ここにおいて、補助充電回路83,84は、一対の入力端子11,12に印加される電圧の電圧値が高いほど、充電電流の電流値を増加させてもよい。また、補助充電回路83,84は、充電電流の電流値をゼロを含む範囲で変化させてもよい。
本実施形態のように、補助充電回路83,84が、容量性素子C83,C84と抵抗器R83,R84との直列回路を含んでもよい。双方向スイッチ2がオン状態からオフ状態に切り替わる速度を、容量性素子C83,C84と抵抗器R83,R84とで設定される時定数で調整することができる。
本実施形態のように、補助充電回路83,84が受動素子で構成されてもよい。補助充電回路83,84が受動素子で構成されているので、補助充電回路83,84を動作させるための電源が不要であり、また補助充電回路83,84の動作を制御するための回路も不要である。
(1.4)変形例
以下に、上記実施形態の変形例を列記する。以下に説明する変形例の各構成は、上記実施形態で説明した各構成と適宜組み合わせて適用可能である。
上述した実施形態の保護回路8は、CR直列回路で構成される補助充電回路83,84を備えているが、補助充電回路83,84はCR直列回路に限定されない。補助充電回路83,84は、容量性素子のみで構成されてもよい。また、補助充電回路83,84は、入力端子11,12と容量性素子C11,C21との間に接続される抵抗器と、この抵抗器と直列に入力端子から容量性素子に電流が流れる向きが逆方向となるように接続されたツェナーダイオードとで構成されてもよい。この場合は、入力端子11,12に印加される電圧がツェナーダイオードの両端電圧を超えた場合のみ、容量性素子C11,C21に充電電流を流すことができる。補助充電回路83,84は、入力端子11,12と容量性素子C11,C21との間に、入力端子11,12から容量性素子C11,C12に電流が流れる向きが逆方向となるように接続されたツェナーダイオードで構成されてもよい。また、補助充電回路83,84は、入力端子11,12と容量性素子C11,C21との間に入力端子11,12から容量性素子C11,C21に電流が流れる向きに接続されるダイオードと、このダイオードと逆向きになるようにダイオードに直列に接続されたツェナーダイオードとで構成されてもよい。また、補助充電回路83,84は、抵抗器と、この抵抗器と直列に入力端子11,12から容量性素子C11,C21に電流が流れる向きに接続されたダイオードとで構成されてもよいし、抵抗器のみでもよい。
上述した実施形態の調光装置1は、光源としてLED素子を用いた負荷9に限らず、コンデンサインプット型の回路を搭載し、インピーダンスが高く、少ない電流で点灯する光源に適用可能である。この種の光源としては、例えば有機EL(Electroluminescence)素子が挙げられる。また、調光装置は、例えば放電灯など、様々な光源の負荷9に適用可能である。
また、制御部6による双方向スイッチ2の制御方式は、上述した例に限らず、例えば、交流電圧Vacと同じ周期で第1制御信号と第2制御信号とを交互に「ON」信号とする方式であってもよい。この場合、スイッチ素子Q1,Q2のうち、交流電圧Vacの高電位側となるスイッチ素子がオンしている期間に、双方向スイッチ2が導通することになる。つまり、この変形例では、交流電圧Vacのゼロクロス点から半周期の途中までの期間に一対の入力端子11,12間が導通する、いわゆる逆位相制御が実現される。この場合、第1制御信号及び第2制御信号と交流電圧Vacとの位相差を調節することで、双方向スイッチ2の導通時間を調節することができる。
また、双方向スイッチ2を構成するスイッチ素子Q1,Q2の各々は、エンハンスメント形のnチャネルMOSFETに限らず、例えばIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)などであってもよい。さらに、双方向スイッチ2において、一方向オン状態を実現するための整流素子(ダイオード)は、スイッチ素子Q1,Q2の寄生ダイオードに限らず、外付けのダイオードであってもよい。ダイオードは、スイッチ素子Q1,Q2の各々と同一パッケージに内蔵されていてもよい。また、上述した実施形態でのダイオードD1,D2は調光装置1に必須の構成ではなく、ダイオードD1,D2は適宜省略されていてもよい。
また、双方向スイッチ2は、ソース同士が互いに接続された2個のスイッチ素子Q1,Q2で構成されているが、双方向スイッチは、双方向の電流の遮断/通過を切り替えるように構成された1つのスイッチ素子で構成されてもよい。この種のスイッチ素子としてはダブルゲート構造のスイッチ素子がある。つまり、双方向スイッチは、例えばGaN(窒化ガリウム)などのワイドバンドギャップの半導体材料を用いたダブルゲート(デュアルゲート)構造の半導体素子でもよい。
また、本実施形態の保護回路8は、一対の入力端子11,12と双方向スイッチ2と制御部6とを備えた調光装置1に用いられる。本実施形態の保護回路8は調光装置1の内部に設けられているが、保護回路8は調光装置1の外部に設けられていてもよい。すなわち、保護回路8は、一対の入力端子11,12と、双方向スイッチ2と、制御部6とを構成要件として含まなくてもよい。
(実施形態2)
実施形態2に係る調光装置1Aについて図3に基づいて説明する。
実施形態2の調光装置1Aは、保護回路8Aの構成が、実施形態1の保護回路8と異なる点で実施形態1と相違している。実施形態2の調光装置1Aにおいて、実施形態1の調光装置1と共通する構成要素には同一の符号を付して、その説明は省略する。
本実施形態の保護回路8Aは、スイッチ素子Q1の遮断時に発生する逆起電圧を抑制する第1の充放電調整回路81Aと、スイッチ素子Q2の遮断時に発生する逆起電圧を抑制する第2の充放電調整回路82Aとを備えている。
第1の充放電調整回路81Aは、第1駆動部71が備える抵抗器R12と、ダイオードD85と、抵抗器R85とを含む。抵抗器R12は、スイッチ素子Q1のゲート及び容量性素子C11の接続点と制御部6の出力端子P1との間に接続されている。抵抗器R12の両端間に、ダイオードD85及び抵抗器R85の直列回路が接続されている。ダイオードD85は、制御部6の出力端子P1から容量性素子C11に電流を流す向きに接続されている。したがって、第1の充放電調整回路81Aにおいて、制御部6から容量性素子C11に充電電流を流す充電回路は、抵抗器R12と、ダイオードD85及び抵抗器R85の直列回路とが並列に接続された回路で構成される。一方、第1の充放電調整回路81Aにおいて、容量性素子C11からの放電電流を流す放電回路は抵抗器R12で構成される。よって、容量性素子C11への充電電流が流れる充電回路に比べて、容量性素子C11からの放電電流が流れる放電回路のインピーダンスが大きくなる。つまり、制御部6がスイッチ素子Q1をオフ状態からオン状態に切り替える場合に容量性素子C11の両端電圧を増加させる速度に比べて、制御部6がスイッチ素子Q1をオン状態からオフ状態に切り替える場合に容量性素子C11の両端電圧を低下させる速度が遅くなる。本実施形態では、抵抗器R21の抵抗値、抵抗器R85の抵抗値が共に22kΩであり、放電回路のインピーダンスは充電回路のインピーダンスの約2倍である。抵抗器R21の抵抗値及び抵抗器R85の抵抗値は上記の値に限定されず、適宜変更が可能である。
第2の充放電調整回路82Aは、第2駆動部72が備える抵抗器R22と、ダイオードD86と、抵抗器R86とを含む。抵抗器R22は、スイッチ素子Q2のゲート及び容量性素子C21の接続点と制御部6の出力端子P2との間に接続されている。抵抗器R22の両端間に、ダイオードD86及び抵抗器R86の直列回路が接続されている。ダイオードD86は、制御部6の出力端子P2から容量性素子C21に電流を流す向きに接続されている。したがって、第2の充放電調整回路82Aにおいて、制御部6から容量性素子C21に充電電流を流す充電回路は、抵抗器R22と、ダイオードD86及び抵抗器R86の直列回路とが並列に接続された回路で構成される。一方、第2の充放電調整回路82Aにおいて、容量性素子C21からの放電電流を流す放電回路は抵抗器R22で構成される。よって、容量性素子C21への充電電流が流れる充電回路に比べて、容量性素子C21からの放電電流が流れる放電回路のインピーダンスが大きくなる。つまり、制御部6がスイッチ素子Q2をオフ状態からオン状態に切り替える場合に容量性素子C21の両端電圧を増加させる速度に比べて、制御部6がスイッチ素子Q2をオン状態からオフ状態に切り替える場合に容量性素子C21の両端電圧を低下させる速度が遅くなる。本実施形態では、抵抗器R22の抵抗値、抵抗器R86の抵抗値が共に22kΩであり、放電回路のインピーダンスは充電回路のインピーダンスの約2倍である。抵抗器R22の抵抗値及び抵抗器R86の抵抗値は上記の値に限定されず、適宜変更が可能である。
次に、本実施形態の調光装置1Aの調光動作を説明する。
まず、交流電圧Vacが正極性の半周期における調光装置1の動作について説明する。
交流電圧Vacの負極性の半周期の終点では、双方向スイッチ2が双方向オフ状態に制御されており、制御部6は、正極性の半周期の始点から第1検出信号ZC1が入力されるまでの間は、双方向スイッチ2を双方向オフ状態にする。
交流電圧Vacの正極性の半周期において、交流電圧Vacが正極性の規定値に達すると、第1検出部31が第1検出信号ZC1を制御部6に出力する。
制御部6は、交流電圧Vacの正極性の半周期において、第1検出部31から第1検出信号ZC1が入力されると、第1制御信号Sb1及び第2制御信号Sb2を「ON」信号にする。
これにより、第1駆動部71では、抵抗器R12と、抵抗器R85及びダイオードD85の直列回路とが並列に接続された回路を介して、容量性素子C11に電流が流れ、容量性素子C11の両端電圧が増加する。容量性素子C11の両端電圧がしきい値電圧以上になると、スイッチ素子Q1がオンになる。同様に、第2駆動部72では、抵抗器R22と、抵抗器R86及びダイオードD86の直列回路とが並列に接続された回路を介して、容量性素子C21に電流が流れて、容量性素子C21の両端電圧が増加する。容量性素子C21の両端電圧がしきい値電圧以上になると、スイッチ素子Q2がオンになる。このとき、スイッチ素子Q1,Q2がいずれもオンになり、双方向スイッチ2が双方向オン状態となるので、交流電源10から双方向スイッチ2を介して負荷9へ電力が供給され、負荷9が点灯する。
制御部6は、第1検出信号ZC1が入力された時点から調光信号に応じた長さのオン時間が経過した時点において、第2制御信号Sb2を「ON」信号に維持したまま、第1制御信号Sb1を「OFF」信号にする。
このとき、第1駆動部71では、容量性素子C11の両端電圧がツェナーダイオードZD12のツェナー電圧を超えている場合、ツェナーダイオードZD12がオンになる。容量性素子C11からダイオードD11とツェナーダイオードZD12とを介して放電電流が流れるので、容量性素子C11の両端電圧が、ツェナーダイオードZD12のツェナー電圧まで短時間で低下する。容量性素子C11の両端電圧がツェナーダイオードZD12のツェナー電圧よりも低下すると、ツェナーダイオードZD12がオフになり、容量性素子C11から抵抗器R12を介して放電電流が流れる。その後、容量性素子C11の両端電圧がしきい値電圧よりも低くなると、スイッチ素子Q1に流れる負荷電流が減少する。
ここで、スイッチ素子Q1に流れる負荷電流が減少すると、調光装置1と交流電源10と負荷9とを接続する電路等のインピーダンスに含まれるインダクタンス成分によって逆起電圧が発生する。スイッチ素子Q1がオンからオフに切り替わる時の負荷電流が大きいほど、電路のインダクタンス成分によって発生する逆起電圧が増加する。
本実施形態では、スイッチ素子Q1をオフからオンにする場合に容量性素子C11に充電電流を流す充電回路に比べて、スイッチ素子Q1をオンからオフにする場合に容量性素子C11から放電電流を流す放電回路のインピーダンスが大きい。したがって、充電回路のインピーダンスと放電回路のインピーダンスとが等しい場合に比べて、容量性素子C11の両端電圧が低下する速度を遅くすることができる。よって、スイッチ素子Q1に流れる負荷電流が低下する速度が抑制されるので、電路に発生する逆起電圧を抑制することができる。
その後、容量性素子C11の両端電圧が徐々に低下して、スイッチ素子Q1に流れる負荷電流が減少し、スイッチ素子Q1がオフ状態となる。このとき、スイッチ素子Q1,Q2のうちスイッチ素子Q1のみがオフし、双方向スイッチ2が逆方向オン状態となるので、交流電源10から負荷9への電力供給が断たれる。
第1検出信号ZC1の発生時点より、半周期の時間から一定時間を差し引いた時間が経過した時点において、制御部6は、第1制御信号Sb1及び第2制御信号Sb2を「OFF」信号にする。
このとき、第2駆動部72では、容量性素子C21の両端電圧がツェナーダイオードZD22のツェナー電圧を超えている場合、ツェナーダイオードZD22がオンになる。容量性素子C21からダイオードD21とツェナーダイオードZD22とを介して放電電流が流れるので、容量性素子C21の両端電圧はツェナーダイオードZD22のツェナー電圧まで短時間で低下する。容量性素子C21の両端電圧がツェナーダイオードZD22のツェナー電圧よりも低下すると、ツェナーダイオードZD22がオフになり、容量性素子C21から抵抗器R22を介して放電電流が流れる。その後、容量性素子C21の両端電圧がしきい値電圧よりも低くなると、スイッチ素子Q2がオフになる。すなわち、スイッチ素子Q1,Q2が共にオフになり、双方向スイッチ2は逆方向オフ状態となる。
また、交流電圧Vacが負極性の半周期における調光装置1の動作は、正極性の半周期と基本的に同様の動作となる。
交流電圧Vacの正極性の半周期の終点では、双方向スイッチ2が双方向オフ状態に制御されており、制御部6は、負極性の半周期の始点から第2検出信号ZC2が入力されるまでの間は、双方向スイッチ2を双方向オフ状態にする。
負極性の半周期において、交流電圧Vacが負極性の規定値に達すると、第2検出部32が第2検出信号ZC2を制御部6に出力する。
制御部6は、交流電圧Vacの負極性の半周期において、第2検出部32から第2検出信号ZC2が入力されると、第1制御信号Sb1及び第2制御信号Sb2を「ON」信号にする。
これにより、第1駆動部71では、抵抗器R12と、抵抗器R85及びダイオードD85の直列回路とが並列に接続された回路を介して、容量性素子C11に電流が流れ、容量性素子C11の両端電圧が増加する。容量性素子C11の両端電圧がしきい値電圧以上になると、スイッチ素子Q1がオンになる。同様に、第2駆動部72では、抵抗器R22と、抵抗器R86及びダイオードD86の直列回路とが並列に接続された回路を介して、容量性素子C21に電流が流れて、容量性素子C21の両端電圧が増加する。容量性素子C21の両端電圧がしきい値電圧以上になると、スイッチ素子Q2がオンになる。このとき、スイッチ素子Q1,Q2がいずれもオンになり、双方向スイッチ2が双方向オン状態となるので、交流電源10から双方向スイッチ2を介して負荷9へ電力が供給され、負荷9が点灯する。
その後、制御部6は、交流電圧Vacの負極性の半周期で、第2検出信号ZC2が入力された時点から調光信号に応じた長さのオン時間が経過した時点において、第1制御信号Sb1を「ON」信号に維持したまま、第2制御信号Sb2を「OFF」信号にする。
このとき、第2駆動部72では、容量性素子C21の両端電圧がツェナーダイオードZD22のツェナー電圧を超えている場合、ツェナーダイオードZD22がオンになる。容量性素子C21からダイオードD21とツェナーダイオードZD22とを介して放電電流が流れるので、容量性素子C21の両端電圧が、ツェナーダイオードZD22のツェナー電圧まで短時間で低下する。容量性素子C21の両端電圧がツェナーダイオードZD22のツェナー電圧よりも低下すると、ツェナーダイオードZD22がオフになり、容量性素子C21から抵抗器R22を介して放電電流が流れる。その後、容量性素子C21の両端電圧がしきい値電圧よりも低くなると、スイッチ素子Q2に流れる負荷電流が減少する。
ここで、スイッチ素子Q2に流れる負荷電流が減少すると、調光装置1と交流電源10と負荷9とを接続する電路等のインピーダンスに含まれるインダクタンス成分によって逆起電圧が発生する。スイッチ素子Q2がオンからオフに切り替わる時の負荷電流が大きいほど、電路のインダクタンス成分によって発生する逆起電圧が増加する。
第2の充放電調整回路82では、スイッチ素子Q2をオフからオンにする場合に容量性素子C21に充電電流を流す充電回路に比べて、スイッチ素子Q2をオンからオフにする場合に容量性素子C21から放電電流を流す放電回路のインピーダンスが大きい。したがって、充電回路のインピーダンスと放電回路のインピーダンスとが等しい場合に比べて、容量性素子C21の両端電圧が低下する速度を遅くすることができる。よって、スイッチ素子Q2に流れる負荷電流が低下する速度が抑制されるので、電路に発生する逆起電圧を抑制することができる。
その後、容量性素子C21の両端電圧が徐々に低下して、スイッチ素子Q2に流れる負荷電流が減少し、スイッチ素子Q2がオフ状態となる。このとき、スイッチ素子Q1,Q2のうちスイッチ素子Q2のみがオフし、双方向スイッチ2が逆方向オン状態となるので、交流電源10から負荷9への電力供給が断たれる。
交流電圧Vacの負極性の半周期において、第2検出信号ZC2の発生時点より、半周期の時間から一定時間を差し引いた時間が経過した時点で、制御部6は、第1制御信号Sb1及び第2制御信号Sb2を「OFF」信号にする。
このとき、第1駆動部71では、容量性素子C11の両端電圧がツェナーダイオードZD12のツェナー電圧を超えている場合、ツェナーダイオードZD12がオンになる。容量性素子C11からダイオードD11とツェナーダイオードZD12とを介して放電電流が流れるので、容量性素子C11の両端電圧はツェナーダイオードZD12のツェナー電圧まで短時間で低下する。容量性素子C11の両端電圧がツェナーダイオードZD12のツェナー電圧よりも低下すると、ツェナーダイオードZD12がオフになり、容量性素子C11から抵抗器R12を介して放電電流が流れる。その後、容量性素子C11の両端電圧がしきい値電圧よりも低くなると、スイッチ素子Q1がオフになる。すなわち、スイッチ素子Q1,Q2が共にオフになり、双方向スイッチ2は逆方向オフ状態となる。
本実施形態の調光装置1は、以上説明した正極性の半周期の動作と負極性の半周期の動作とを交流電圧Vacの半周期ごとに交互に繰り返すことで、負荷9の調光を行う。
本実施形態の保護回路8Aでは、充放電調整回路(第1の充放電調整回路81A、第2の充放電調整回路82A)が、容量性素子C11,C21への充電電流が流れる充電回路と、容量性素子C11,C21からの放電電流が流れる放電回路とを含んでもよい。充電回路に比べて放電回路のインピーダンスが大きいことが好ましい。充電回路に比べて放電回路のインピーダンスが大きいため、充電回路のインピーダンスと放電回路のインピーダンスが等しい場合に比べ、容量性素子C11,C21からの放電電流が減少し、容量性素子C11,C21の両端電圧が低下する速度を遅くできる。したがって、双方向スイッチ2がオンからオフに切り替わる場合に発生する逆起電圧を抑制することができる。
また、本実施形態の保護回路8では、充放電調整回路が、第1のインピーダンス要素(抵抗器R12,R22)と、ダイオード(D85,D86)と、第2のインピーダンス要素(抵抗器R85,R86)とを備えてもよい。第1のインピーダンス要素は、双方向スイッチ2の制御端子及び容量性素子(C11,C21)の接続点と、制御部6の出力端子(P1,P2)との間に電気的に接続される。ダイオード及び第2のインピーダンス要素の直列回路は第1のインピーダンス要素の両端間に電気的に接続されている。ダイオードは、ダイオード及び第2のインピーダンス要素を介して容量性素子(C11,C21)に充電電流を流す向きに接続されている。そして、充電回路が、第1のインピーダンス要素と、ダイオード及び第2のインピーダンス要素の直列回路との並列回路を含み、放電回路が第1のインピーダンス要素を含んでもよい。これにより、充電回路に比べて放電回路のインピーダンスを大きくでき、容量性素子C11,C21からの放電電流が減少し、容量性素子C11,C21の両端電圧が低下する速度を遅くすることができる。したがって、双方向スイッチ2がオンからオフに切り替わる場合に発生する逆起電圧を抑制することができる。
充放電調整回路(第1の充放電調整回路81A、第2の充放電調整回路82A)は本実施形態で説明した回路構成に限定されない。充放電調整回路は、容量性素子C11,C21への充電電流が流れる充電回路に比べて、容量性素子C11,C21からの放電電流が流れる放電回路のインピーダンスが大きくなるような回路構成であれば、適宜変更が可能である。第1のインピーダンス要素と第2のインピーダンス要素とはそれぞれ1つの抵抗器で構成されているが、直列又は並列に接続された複数の抵抗器で構成されてもよい。また、第2のインピーダンス要素(R85,R86)と容量性素子(C11,C21)との間にダイオード(D85,D86)が接続されているが、ダイオードは第2のインピーダンス要素と制御部6の出力端子(P1,P2)との間に接続されてもよい。
実施形態2で説明した構成は、実施形態1で説明した構成(変形例を含む)と適宜組み合わせて適用である。
また換言すれば、上記実施形態の調光装置1は、スイッチ部(双方向スイッチ2)と、同期信号発生部(位相検出部3)と、制御電源部(電源部5)と、制御部3を備え、更に保護回路8,8Aを備えている。スイッチング素子は、交流電源10に対して負荷9と直列に接続され、負荷9に供給する交流電圧Vacを位相制御する。同期信号発生部は、交流電源10の交流電圧波形に同期した同期信号(第1検出信号ZC1、第2検出信号ZC2)を発生する。制御電源部は、スイッチ部に並列に接続され、交流電源10を所定の制御電源に変換するとともに変換動作の稼働および停止を制御可能とし、制御電源を蓄積する容量性素子を有する。制御部3は、制御電源部から容量性素子を通じて制御電源が供給され、同期信号発生部が発生する同期信号に基づき、交流電圧Vacの毎半サイクル(毎半周期)の期間中を3つの区間に区分する。制御部3は、第1の区間(毎半周期の始点から第1検出信号ZC1又は第2検出信号ZC2が入力される時点までの区間)では、スイッチ部を非導通制御して負荷9への電力供給を遮断するとともに、制御電源部の変換動作を稼働制御する。制御部3は、第2の区間(第1検出信号ZC1又は第2検出信号ZC2が入力された時点からオン時間が経過するまでの区間)では、スイッチ部を導通制御して負荷9に電力を供給するとともに、制御電源部の動作を遮断制御する。制御部3は、第3の区間(第1検出信号ZC1又は第2検出信号ZC2が入力された時点からオン時間が経過した時点から、毎半周期の終点までの区間)では、スイッチ部を非導通制御して負荷9への電力供給を遮断するとともに、制御電源部の変換動作を稼働制御する。
1,1A 調光装置
11,12 入力端子
2 双方向スイッチ
6 制御部
7 スイッチ駆動部
8,8A 保護回路
81,81A 第1の充放電調整回路
82,82A 第2の充放電調整回路
83,84 補助充電回路
Q1,Q2 スイッチ素子
C11,C21 容量性素子
C83,C84 容量性素子
R83,R84 抵抗器
R12,R22 第1のインピーダンス要素
R85,R86 第2のインピーダンス要素
D85,D86 ダイオード
Vac 交流電圧

Claims (7)

  1. 照明負荷と交流電源との間に電気的に直列に接続されるように構成された一対の入力端子と、前記一対の入力端子間において双方向の電流の遮断/通過を切り替えるように構成されている双方向スイッチと、前記交流電源の交流電圧の半周期の始点から調光レベルに応じた可変時間が経過した時点で前記双方向スイッチがオン状態からオフ状態に切り替わるように前記双方向スイッチを制御する制御部と、を備えた調光装置の保護回路であって、
    前記双方向スイッチの制御端子には容量性素子が電気的に接続されており、前記容量性素子の両端電圧がしきい値電圧以上になると前記双方向スイッチはオフ状態からオン状態に切り替わり、
    前記制御部が前記双方向スイッチをオフ状態からオン状態に切り替える場合に前記容量性素子の両端電圧を増加させる速度に比べて、前記制御部が前記双方向スイッチをオン状態からオフ状態に切り替える場合に前記容量性素子の両端電圧を低下させる速度を遅くする充放電調整回路を備えた、
    調光装置の保護回路。
  2. 前記充放電調整回路は、前記一対の入力端子から前記容量性素子へ充電電流を流す補助充電回路を有し、
    前記補助充電回路は、前記一対の入力端子に印加される電圧の電圧値に応じて前記充電電流の電流値を変化する、
    請求項1に記載の調光装置の保護回路。
  3. 前記補助充電回路が、容量性素子と抵抗器との直列回路を含む、
    請求項2に記載の調光装置の保護回路。
  4. 前記補助充電回路が受動素子で構成されている、
    請求項2又は3に記載の調光装置の保護回路。
  5. 前記充放電調整回路は、前記容量性素子への充電電流が流れる充電回路と、前記容量性素子からの放電電流が流れる放電回路とを含み、前記充電回路に比べて前記放電回路のインピーダンスが大きい、
    請求項1に記載の調光装置の保護回路。
  6. 前記充放電調整回路は、前記制御端子及び前記容量性素子の接続点と前記制御部の出力端子との間に電気的に接続された第1のインピーダンス要素と、前記第1のインピーダンス要素の両端間に電気的に接続されたダイオード及び第2のインピーダンス要素の直列回路とを備え、
    前記ダイオードは、前記ダイオード及び前記第2のインピーダンス要素を介して前記容量性素子に充電電流を流す向きに接続されており、
    前記充電回路が、前記第1のインピーダンス要素と、前記ダイオード及び前記第2のインピーダンス要素の直列回路との並列回路を含み、
    前記放電回路が前記第1のインピーダンス要素を含む、
    請求項5に記載の調光装置の保護回路。
  7. 照明負荷と交流電源との間に電気的に直列に接続されるように構成された一対の入力端子と、
    前記一対の入力端子間において双方向の電流の遮断/通過を切り替えるように構成されている双方向スイッチと、
    前記交流電源の交流電圧の半周期の始点から調光レベルに応じた可変時間が経過した時点で前記双方向スイッチがオン状態からオフ状態に切り替わるように前記双方向スイッチを制御する制御部と、
    請求項1〜6のいずれか1項に記載の調光装置の保護回路と、を備えた、
    調光装置。
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