CN202373981U - 双电容智能电容器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种双电容智能电容器，属于电子元器件技术，主要解决了现有技术中无法频繁进行投入与切除、能耗高等问题。该双电容智能电容器，包括微处理器，分别与该微处理器连接的第一电容、第二电容，分别连接该微处理器和第一电容的第一磁保持回路，分别连接该微处理器和第二电容的第二磁保持回路，以及连接该第一磁保持回路和第二磁保持回路的脉冲信号发生器和微型断路器。本实用新型实现了电压过零投入与电流过零切除，即过零投切，并有效提高了开关动作的响应速度，降低了能耗，具有很高的实用价值。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种电容器，具体地说，是涉及一种双电容集成于一体的双电容智能电容器。
背景技术
传统的自动无功补偿装置由低压智能无功补偿控制器、熔丝、复合开关或接触器、热继电器、指示灯、两个电容为一体的低压电力电容器等多种分散器件组装而成；而用于无功补偿的投切开关则有接触器和复合开关。采用接触器投入、切除电容器时容易产生高倍涌流、过电压，造成元器件损伤，并且补偿速度慢，不能频繁投切、耗能大、噪音大；并且，由复合开关或接触器、空气开关等分立元器件组装的成套补偿装置体积大、接线多，安装既耗时间又耗人力，维护极不方便，单柜补偿容量小、成本高，不利于补偿容量的增加。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种双电容智能电容器，解决上述现有技术存在的问题，实现过零投切、开关动作响应速度快、可频繁投入与切除并且降低能耗等目的。
为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：
双电容智能电容器，包括微处理器，分别与该微处理器连接的第一电容、第二电容，分别连接该微处理器和第一电容的第一磁保持回路，分别连接该微处理器和第二电容的第二磁保持回路，以及连接该第一磁保持回路和第二磁保持回路的脉冲信号发生器和微型断路器。
进一步地，所述第一磁保持回路包括第一开关，以及均与该第一开关和微处理器连接的第一磁保持继电器驱动器和第一可控硅驱动器；而第二磁保持回路则包括第二开关，以及均与该第二开关和微处理器连接的第二磁保持继电器驱动器和第二可控硅驱动器；所述脉冲信号发生器分别连接所述第一可控硅驱动器和第二可控硅驱动器，所述微型断路器分别连接第一开关和第二开关。
再进一步地，所述第一开关和第二开关相同，均由磁保持继电器和可控硅连接而成。
优选地，所述微处理器上还连接有测温器。
优选地，所述微处理器上还连接有信号指示灯。
优选地，所述微处理器上还连接有二进制拨码器。
优选地，所述微处理器上还外接有RS485接口。
优选地，所述第一电容和第二电容为一体结构。
与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：
1.本实用新型通过磁保持继电器驱动器来驱动磁保持继电器，同时通过可控硅驱动器来驱动可控硅，然后利用磁保持继电器和可控硅来组成投切开关，从而实现了电压过零投入与电流过零切除，即过零投切，并有效提高了开关动作的响应速度，可频繁进行投入、切除，且能耗低；同时不仅能进行三相均衡补偿，也能实现共、分补电容混合补偿，具有故障率低、使用寿命长、缺相保护、故障自诊断保护等功能；
2.本实用新型实现了各个电路的模块化，减小了电容器的整体体积，容量大小可随意改变，维护十分方便；另外，采用RS485接口进行总线通讯的方式使得安装、接线更加简单、省时、省人；
3.本实用新型安装于单个安装柜内，从而形成了容量大、成本低的单柜装置，适合分散补偿或集中补偿，扩容只需增加补偿模块即可，十分方便。
附图说明
图1为本实用新型的系统框图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明，本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。
实施例
如图1所示，双电容智能电容器，主要包括微处理器、第一磁保持回路、第一电容、第二磁保持回路、第二电容、测温器、信号指示灯、二进制拨码器、脉冲信号发生器和微型断路器。其中，微处理器为整个双电容智能电容器的控制中心，负责控制各个回路的正常工作状态；第一磁保持回路负责驱动与导通、关断第一电容，而第二磁保持回路则负责驱动与导通、关断第二电容；测温器用于实时检测电容器内部元器件的工作温度，防止温度过高导致元器件损坏；信号指示灯负责在出现异常状况时发出报警提示；而脉冲信号发生器则负责为第一电容和第二电容的驱动回路提供脉冲信号。
在上述元器件中，所述第一磁保持回路由第一磁保持继电器驱动器、第一可控硅驱动器和第一开关构成，且第一磁保持继电器驱动器和第一可控硅驱动器均分别与微处理器和第一开关连接，而第一电容则分别连接该第一开关和微处理器；所述第二磁保持回路与上述所述第一磁保持回路的原理相同，由第二磁保持继电器驱动器、第二可控硅驱动器和第二开关构成，且第二磁保持继电器驱动器和第二可控硅驱动器均分别与微处理器和第二开关连接，而第二电容则分别连接该第二开关和微处理器；同时，脉冲信号发生器分别连接第一可控硅驱动器和第二可控硅驱动器，微型断路器分别连接第一开关和第二开关。其中，第一开关和第二开关构造相同，均由磁保持继电器和可控硅连接而成。
所述测温器、信号指示灯、二进制拨码器分别与微处理器直接连接，受微处理器的控制而实现各自的功能。为了便于与外部电路进行通讯，在微处理器上还设置有RS485接口，从而方便地通过RS485总线与外部电路进行连接，实现数据通讯。
按照上述实施例，便可很好地实现本实用新型。
Claims (8)
1.双电容智能电容器，其特征在于，包括微处理器，分别与该微处理器连接的第一电容、第二电容，分别连接该微处理器和第一电容的第一磁保持回路，分别连接该微处理器和第二电容的第二磁保持回路，以及连接该第一磁保持回路和第二磁保持回路的脉冲信号发生器和微型断路器。
2.根据权利要求1所述的双电容智能电容器，其特征在于，所述第一磁保持回路包括第一开关，以及均与该第一开关和微处理器连接的第一磁保持继电器驱动器和第一可控硅驱动器；而第二磁保持回路则包括第二开关，以及均与该第二开关和微处理器连接的第二磁保持继电器驱动器和第二可控硅驱动器；所述脉冲信号发生器分别连接所述第一可控硅驱动器和第二可控硅驱动器，所述微型断路器分别连接第一开关和第二开关。
3.根据权利要求2所述的双电容智能电容器，其特征在于，所述第一开关和第二开关相同，均由磁保持继电器和可控硅连接而成。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的双电容智能电容器，其特征在于，所述微处理器上还连接有测温器。
5.根据权利要求4所述的双电容智能电容器，其特征在于，所述微处理器上还连接有信号指示灯。
6.根据权利要求5所述的双电容智能电容器，其特征在于，所述微处理器上还连接有二进制拨码器。
7.根据权利要求6所述的双电容智能电容器，其特征在于，所述微处理器上还外接有RS485接口。
8.根据权利要求7所述的双电容智能电容器，其特征在于，所述第一电容和第二电容为一体结构。
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| CN 201120545251 CN202373981U (zh) | 2011-12-23 | 2011-12-23 | 双电容智能电容器 |
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| CN 201120545251 CN202373981U (zh) | 2011-12-23 | 2011-12-23 | 双电容智能电容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN202373981U true CN202373981U (zh) | 2012-08-08 |
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| CN 201120545251 Expired - Lifetime CN202373981U (zh) | 2011-12-23 | 2011-12-23 | 双电容智能电容器 |
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Cited By (1)
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| CN109716867A (zh) * | 2016-09-20 | 2019-05-03 | 松下知识产权经营株式会社 | 调光装置的保护电路及调光装置 |
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2011
- 2011-12-23 CN CN 201120545251 patent/CN202373981U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
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Address after: 610041 International Exhibition Trade Center, 2, Pioneer Road, hi tech Development Zone, Sichuan, Chengdu, 7F Patentee after: Chengdu Xingyu Rongke Power Electronics Co., Ltd Address before: 610041 International Exhibition Trade Center, 2, Pioneer Road, hi tech Development Zone, Sichuan, Chengdu, 7F Patentee before: CHENGDU XINGYU ENERGY-SAVING TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
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| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20120808 |
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| CX01 | Expiry of patent term |