JP6651597B1 - 情報処理装置、プログラム、及び被判定装置の真贋判定方法 - Google Patents

情報処理装置、プログラム、及び被判定装置の真贋判定方法 Download PDF

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Abstract

【課題】製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して被判定装置の消費電流が瞬間的に大きく変動した場合であっても、被判定装置の真贋判定を高精度に実行することが可能な情報処理装置を得る。【解決手段】判定部１５０は、複数の測定タイミングで測定された複数の実測電流値を取得する電流値取得部１５２と、第１の所定期間において電流値取得部１５２によって取得された複数の実測電流値と、第１の所定期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた複数の基準電流値とに基づいて、第１の実測誤差累積値を算出する累積誤差算出部１５３と、累積誤差算出部１５３によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に関する第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定部１５４と、を有する。【選択図】図４

Description

本発明は、情報処理装置、プログラム、及び被判定装置の真贋判定方法に関する。
下記特許文献１には、ホスト装置とそれに接続されたメモリ装置とを備えるメモリシステムにおいて、ホスト装置からメモリ装置に流れる消費電流を測定し、当該消費電流の単位時間あたりの変化量を消費電流の変化率として算出し、上記メモリ装置に関して作成された消費電流の変化率パターンと、正規品に関する消費電流の変化率パターンとを比較することにより、上記メモリ装置が正規品であるか否かを判定するメモリシステムが開示されている。
特許第６０６８８７８号公報
しかし、上記特許文献１に開示されたメモリシステムによると、正規品のメモリ装置が使用されている場合であっても、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因してメモリ装置の消費電流の変化率パターンが瞬間的に大きく変動した場合には、正規品が誤って非正規品と判定される可能性がある。
また、上記特許文献１には、ホスト装置によってメモリ装置の真贋判定を実行する態様についてのみ開示されている。しかし、不正使用の態様としては、非正規品のメモリ装置が使用される場合に限らず、正規品のメモリ装置に格納されたコンテンツデータを不正コピー等する目的で、非正規品のホスト装置が使用される場合もある。従って、不正コピー等からコンテンツデータを適切に保護するためには、ホスト装置が非正規品である場合にはメモリシステムの動作を停止させる必要がある。そのためには、メモリ装置において、ホスト装置が正規品であるか否かを判定する機能や、ホスト装置及びメモリ装置の各々において、自身が正規品であるか否かを自ら判定（自己真贋判定）する機能が望まれる。
本発明はかかる事情に鑑みて成されたものであり、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して被判定装置の消費電流が瞬間的に大きく変動した場合であっても、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかの真贋判定を高精度に実行することが可能な、情報処理装置、プログラム、及び被判定装置の真贋判定方法を得ることを目的とするものである。
本発明の第１の態様に係る情報処理装置は、被判定装置の真贋判定機能を備える情報処理装置であって、前記被判定装置に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記被判定装置に流れる電流を測定する電流測定部と、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定部と、を備え、前記判定部は、複数の測定ポイントに関して前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得部と、前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値と、第１の所定期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた複数の基準電流値とに基づいて、第１の実測誤差累積値を算出する累積誤差算出部と、前記累積誤差算出部によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に含まれる複数の測定ポイントの各々に関して設定されている許容誤差値を、当該複数の測定ポイントに関して累積した値である第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定部と、を有することを特徴とするものである。
第１の態様に係る情報処理装置によれば、真贋判定部は、累積誤差算出部によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に関する第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って、実測電流値と基準電流値とを比較する場合と比べて瞬間的異常値に起因する影響を緩和できるため、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して実測電流値と基準電流値とが瞬間的に大きく相違する場合であっても、真贋判定の精度が低下する事態を回避又は抑制することが可能となる。
本発明の第２の態様に係る情報処理装置は、信号処理回路と前記信号処理回路に電源を供給する電源供給部とを有する被判定装置の真贋判定機能を備える情報処理装置であって、前記電源供給部から前記信号処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定部と、を備え、前記判定部は、複数の測定ポイントに関して前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得部と、前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値と、第１の所定期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた複数の基準電流値とに基づいて、第１の実測誤差累積値を算出する累積誤差算出部と、前記累積誤差算出部によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に含まれる複数の測定ポイントの各々に関して設定されている許容誤差値を、当該複数の測定ポイントに関して累積した値である第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定部と、を有することを特徴とするものである。
第２の態様に係る情報処理装置によれば、真贋判定部は、累積誤差算出部によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に関する第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って、実測電流値と基準電流値とを比較する場合と比べて瞬間的異常値に起因する影響を緩和できるため、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して実測電流値と基準電流値とが瞬間的に大きく相違する場合であっても、真贋判定の精度が低下する事態を回避又は抑制することが可能となる。
本発明の第３の態様に係る情報処理装置は、自身を被判定装置とする真贋判定機能を備える情報処理装置であって、信号処理回路と、前記信号処理回路に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記信号処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定部と、を備え、前記判定部は、複数の測定ポイントに関して前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得部と、前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値と、第１の所定期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた複数の基準電流値とに基づいて、第１の実測誤差累積値を算出する累積誤差算出部と、前記累積誤差算出部によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に含まれる複数の測定ポイントの各々に関して設定されている許容誤差値を、当該複数の測定ポイントに関して累積した値である第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定部と、を有することを特徴とするものである。
第３の態様に係る情報処理装置によれば、真贋判定部は、累積誤差算出部によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に関する第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って、実測電流値と基準電流値とを比較する場合と比べて瞬間的異常値に起因する影響を緩和できるため、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して実測電流値と基準電流値とが瞬間的に大きく相違する場合であっても、真贋判定の精度が低下する事態を回避又は抑制することが可能となる。
本発明の第４の態様に係る情報処理装置は、第１〜第３のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、第１の許容誤差累積値を設定するにあたり、第１の所定期間に含まれる各測定ポイントに関する許容誤差値は固定値であることを特徴とするものである。
第４の態様に係る情報処理装置によれば、第１の所定期間に含まれる各測定ポイントに関する許容誤差値は固定値である。従って、第１の許容誤差累積値を簡易に設定することが可能となる。
本発明の第５の態様に係る情報処理装置は、第１〜第３のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、第１の許容誤差累積値を設定するにあたり、第１の所定期間に含まれる各測定ポイントに関する許容誤差値は、測定ポイント毎に可変値であることを特徴とするものである。
第５の態様に係る情報処理装置によれば、第１の所定期間に含まれる各測定ポイントに関する許容誤差値は、測定ポイント毎に可変値である。従って、基準電流値パターンにおける変化量の大きさ等に応じて各測定ポイントの許容誤差値を可変に設定することにより、第１の許容誤差累積値を高精度に設定できるため、真贋判定の精度を向上することが可能となる。
本発明の第６の態様に係る情報処理装置は、第１〜第３のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、第１の許容誤差累積値を設定するにあたり、第１の所定期間に含まれる各測定ポイントに関する許容誤差値は、所定期間毎に可変値であることを特徴とするものである。
第６の態様に係る情報処理装置によれば、第１の所定期間に含まれる各測定ポイントに関する許容誤差値は、所定期間毎に可変値である。従って、基準電流値パターンの変化量等に応じて所定期間毎に許容誤差値を可変に設定することにより、第１の許容誤差累積値を高精度に設定できるため、真贋判定の精度を向上することが可能となる。
本発明の第７の態様に係る情報処理装置は、第１〜第６のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、前記判定部は、前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値を時系列順に配列することによって、実測電流値パターンを作成するパターン作成部をさらに有し、前記真贋判定部は、第１判定処理として、第１の所定期間に関して前記パターン作成部によって作成された実測電流値パターンと、第１の所定期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた基準電流値パターンとが一致するか否かによって、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定し、第１判定処理において実測電流値パターンと基準電流値パターンとが一致しない場合に、第２判定処理として、第１の実測誤差累積値と第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。
第７の態様に係る情報処理装置によれば、実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較による第１判定処理と、実測誤差累積値と許容誤差累積値との比較による第２判定処理との二段階の判定処理を行うことにより、いずれか一方の判定処理のみを行う場合と比較して、真贋判定の精度を向上することが可能となる。特に、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して実測電流値パターンと基準電流値パターンとが瞬間的に大きく相違したことが原因で第１判定処理において非正規品と判定された正規品を、第２判定処理において救済することが可能となる。
本発明の第８の態様に係る情報処理装置は、第７の態様に係る情報処理装置において特に、前記真贋判定部は、第１判定処理において、実測電流値パターンを構成する複数の実測電流値と、基準電流値パターンを構成する複数の基準電流値とを、各比較ポイントにおいてそれぞれ比較し、全ての比較ポイントのうち実測電流値と基準電流値とが一致しない比較ポイントの個数又は割合が第１の閾値未満である場合には、実測電流値パターンと基準電流値パターンとは一致すると判定し、この場合には第２判定処理を実行せず、全ての比較ポイントのうち実測電流値と基準電流値とが一致しない比較ポイントの個数又は割合が第１の閾値以上第２の閾値未満である場合には、実測電流値パターンと基準電流値パターンとは一致しないと判定し、この場合には第２判定処理を実行し、全ての比較ポイントのうち実測電流値と基準電流値とが一致しない比較ポイントの個数又は割合が第２の閾値以上である場合には、実測電流値パターンと基準電流値パターンとは一致しないと判定し、この場合には第２判定処理を実行しないことを特徴とするものである。
第８の態様に係る情報処理装置によれば、真贋判定部は、全ての比較ポイントのうち実測電流値と基準電流値とが一致しない比較ポイントの個数又は割合が、第１の閾値未満である場合、又は、第２の閾値以上である場合には、第２判定処理を実行しない。従って、実測電流値パターンと基準電流値パターンとが完全に一致する場合（第１の閾値未満）や大きく異なる場合（第２の閾値以上）には第２判定処理の実行を省略できるため、救済する必要のない被判定装置に対して無駄な処理が実行される事態を回避することが可能となる。
本発明の第９の態様に係る情報処理装置は、第１〜第８のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、前記真贋判定部はさらに、複数の所定期間のうち第２の所定期間に関して前記累積誤差算出部によって算出された第２の実測誤差累積値と、第２の所定期間に関する第２の許容誤差累積値とを比較し、第１の所定期間及び第２の所定期間の双方の比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。
第９の態様に係る情報処理装置によれば、真贋判定部はさらに、複数の所定期間のうち第２の所定期間に関して前記累積誤差算出部によって算出された第２の実測誤差累積値と、第２の所定期間に関する第２の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。このように、第１の所定期間のみならず第２の所定期間に関しても実測誤差累積値と許容誤差累積値との比較を行うことにより、第１の所定期間及び第２の所定期間の双方の比較結果に基づいて被判定装置の真贋判定を行うことができるため、判定精度をより向上することが可能となる。
本発明の第１０の態様に係る情報処理装置は、第１〜第９のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、前記判定部は、複数の所定期間の中から第１の所定期間を可変に選択する期間設定部をさらに有することを特徴とするものである。
第１０の態様に係る情報処理装置によれば、期間設定部は、複数の所定期間の中から第１の所定期間を可変に選択する。従って、被判定装置の真贋判定を実行する対象となる第１の所定期間を期間設定部によって静的又は動的に選択できるため、第三者による判定アルゴリズムの解析をより困難化することが可能となる。
本発明の第１１の態様に係る情報処理装置は、第９の態様に係る情報処理装置において特に、前記判定部は、複数の所定期間の中から第２の所定期間を可変に選択する期間設定部をさらに有することを特徴とするものである。
第１１の態様に係る情報処理装置によれば、期間設定部は、複数の所定期間の中から第２の所定期間を可変に選択する。従って、被判定装置の真贋判定を実行する対象となる第２の所定期間を期間設定部によって静的又は動的に選択できるため、第三者による判定アルゴリズムの解析をより困難化することが可能となる。
本発明の第１２の態様に係る情報処理装置は、第１〜第１１のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、第１の許容誤差累積値は前記被判定装置内の記憶部に記憶されており、前記判定部は、当該記憶部から第１の許容誤差累積値を読み出すことを特徴とするものである。
第１２の態様に係る情報処理装置によれば、第１の許容誤差累積値は被判定装置内の記憶部に記憶されている。被判定装置の第１の許容誤差累積値は、デバイスの構造や製造プロセス等に依存するため、デバイス毎に異なる。従って、ある被判定装置に関して求めた第１の許容誤差累積値を、その被判定装置内の記憶部に記憶しておくことにより、デバイス毎に異なる第１の許容誤差累積値を簡易に管理することが可能となる。
本発明の第１３の態様に係るプログラムは、被判定装置に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記被判定装置に流れる電流を測定する電流測定部と、を備える情報処理装置に搭載されるコンピュータを、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定手段として機能させるためのプログラムであって、前記判定手段は、複数の測定ポイントに関して前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得手段と、前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において前記電流値取得手段によって取得された複数の実測電流値と、第１の所定期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた複数の基準電流値とに基づいて、第１の実測誤差累積値を算出する累積誤差算出手段と、前記累積誤差算出手段によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に含まれる複数の測定ポイントの各々に関して設定されている許容誤差値を、当該複数の測定ポイントに関して累積した値である第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定手段と、を有することを特徴とするものである。
第１３の態様に係るプログラムによれば、真贋判定手段は、累積誤差算出手段によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に関する第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って、実測電流値と基準電流値とを比較する場合と比べて瞬間的異常値に起因する影響を緩和できるため、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して実測電流値と基準電流値とが瞬間的に大きく相違する場合であっても、真贋判定の精度が低下する事態を回避又は抑制することが可能となる。
本発明の第１４の態様に係るプログラムは、信号処理回路と前記信号処理回路に電源を供給する電源供給部とを有する被判定装置の真贋判定機能を備え、前記電源供給部から前記信号処理回路に流れる電流を測定する電流測定部を有する情報処理装置に搭載されるコンピュータを、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定手段として機能させるためのプログラムであって、前記判定手段は、複数の測定ポイントに関して前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得手段と、前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において前記電流値取得手段によって取得された複数の実測電流値と、第１の所定期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた複数の基準電流値とに基づいて、第１の実測誤差累積値を算出する累積誤差算出手段と、前記累積誤差算出手段によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に含まれる複数の測定ポイントの各々に関して設定されている許容誤差値を、当該複数の測定ポイントに関して累積した値である第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定手段と、を有することを特徴とするものである。
第１４の態様に係るプログラムによれば、真贋判定部は、累積誤差算出部によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に関する第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って、実測電流値と基準電流値とを比較する場合と比べて瞬間的異常値に起因する影響を緩和できるため、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して実測電流値と基準電流値とが瞬間的に大きく相違する場合であっても、真贋判定の精度が低下する事態を回避又は抑制することが可能となる。
本発明の第１５の態様に係るプログラムは、自身を被判定装置とする真贋判定機能を備え、信号処理回路と、前記信号処理回路に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記信号処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、を有する情報処理装置に搭載されるコンピュータを、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定手段として機能させるためのプログラムであって、前記判定手段は、複数の測定ポイントに関して前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得手段と、前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において前記電流値取得手段によって取得された複数の実測電流値と、第１の所定期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた複数の基準電流値とに基づいて、第１の実測誤差累積値を算出する累積誤差算出手段と、前記累積誤差算出手段によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に含まれる複数の測定ポイントの各々に関して設定されている許容誤差値を、当該複数の測定ポイントに関して累積した値である第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定手段と、を有することを特徴とするものである。
第１５の態様に係るプログラムによれば、真贋判定部は、累積誤差算出部によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に関する第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って、実測電流値と基準電流値とを比較する場合と比べて瞬間的異常値に起因する影響を緩和できるため、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して実測電流値と基準電流値とが瞬間的に大きく相違する場合であっても、真贋判定の精度が低下する事態を回避又は抑制することが可能となる。
本発明の第１６の態様に係る被判定装置の真贋判定方法は、被判定装置の真贋判定機能を備え、前記被判定装置に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記被判定装置に流れる電流を測定する電流測定部と、を有する情報処理装置において、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、被判定装置の真贋判定方法であって、（Ａ）複数の測定ポイントに関して前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得するステップと、（Ｂ）前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において前記ステップ（Ａ）によって取得された複数の実測電流値と、第１の所定期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた複数の基準電流値とに基づいて、第１の実測誤差累積値を算出するステップと、（Ｃ）前記ステップ（Ｂ）によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に含まれる複数の測定ポイントの各々に関して設定されている許容誤差値を、当該複数の測定ポイントに関して累積した値である第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定するステップと、を備えることを特徴とするものである。
第１６の態様に係る被判定装置の真贋判定方法によれば、ステップ（Ｃ）では、ステップ（Ｂ）によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に関する第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかが判定される。従って、実測電流値と基準電流値とを比較する場合と比べて瞬間的異常値に起因する影響を緩和できるため、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して実測電流値と基準電流値とが瞬間的に大きく相違する場合であっても、真贋判定の精度が低下する事態を回避又は抑制することが可能となる。
本発明の第１７の態様に係る被判定装置の真贋判定方法は、信号処理回路と前記信号処理回路に電源を供給する電源供給部とを有する被判定装置の真贋判定機能を備え、前記電源供給部から前記信号処理回路に流れる電流を測定する電流測定部を有する情報処理装置において、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、被判定装置の真贋判定方法であって、（Ａ）複数の測定ポイントに関して前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得するステップと、（Ｂ）前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において前記ステップ（Ａ）によって取得された複数の実測電流値と、第１の所定期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた複数の基準電流値とに基づいて、第１の実測誤差累積値を算出するステップと、（Ｃ）前記ステップ（Ｂ）によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に含まれる複数の測定ポイントの各々に関して設定されている許容誤差値を、当該複数の測定ポイントに関して累積した値である第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定するステップと、を備えることを特徴とするものである。
第１７の態様に係る被判定装置の真贋判定方法によれば、ステップ（Ｃ）では、ステップ（Ｂ）によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に関する第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかが判定される。従って、実測電流値と基準電流値とを比較する場合と比べて瞬間的異常値に起因する影響を緩和できるため、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して実測電流値と基準電流値とが瞬間的に大きく相違する場合であっても、真贋判定の精度が低下する事態を回避又は抑制することが可能となる。
本発明の第１８の態様に係る被判定装置の真贋判定方法は、自身を被判定装置とする真贋判定機能を備え、信号処理回路と、前記信号処理回路に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記信号処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、を有する情報処理装置において、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、被判定装置の真贋判定方法であって、（Ａ）複数の測定ポイントに関して前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得するステップと、（Ｂ）前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において前記ステップ（Ａ）によって取得された複数の実測電流値と、第１の所定期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた複数の基準電流値とに基づいて、第１の実測誤差累積値を算出するステップと、（Ｃ）前記ステップ（Ｂ）によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に含まれる複数の測定ポイントの各々に関して設定されている許容誤差値を、当該複数の測定ポイントに関して累積した値である第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定するステップと、を備えることを特徴とするものである。
第１８の態様に係る被判定装置の真贋判定方法によれば、ステップ（Ｃ）では、ステップ（Ｂ）によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に関する第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかが判定される。従って、実測電流値と基準電流値とを比較する場合と比べて瞬間的異常値に起因する影響を緩和できるため、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して実測電流値と基準電流値とが瞬間的に大きく相違する場合であっても、真贋判定の精度が低下する事態を回避又は抑制することが可能となる。
本発明によれば、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して被判定装置の消費電流が瞬間的に大きく変動した場合であっても、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかの真贋判定を高精度に実行することが可能となる。
本発明の実施の形態１に係るメモリシステムの構成を示す図である。 ホスト装置の構成を簡略化して示す図である。 メモリ装置の構成を簡略化して示す図である。 プログラムをＣＰＵが実行することによって実現される機能を示す図である。 ホスト装置の動作を説明するためのフローチャートである。 メモリ装置の消費電流特性の一例を示す図である。 実測電流値パターン及び基準電流値パターンの一例を示す図である。 実測電流値の数値の一例を示す図である。 基準電流値の数値の一例を示す図である。 ホスト装置の他の構成例を示す図である。 基準電流値パターンの一例を示す図である。 許容誤差値の一例を示す図である。 プログラムをＣＰＵが実行することによって実現される機能を示す図である。 真贋判定処理の流れを示すフローチャートである。 メモリ装置の消費電流特性の一例を示す図である。 ホスト装置の構成を簡略化して示す図である。 メモリ装置の構成を簡略化して示す図である。 認証制御回路の構成を示す図である。 プログラムをＣＰＵが実行することによって実現される機能を示す図である。 メモリ装置の動作を説明するためのフローチャートである。 ホスト装置の消費電流特性の一例を示す図である。 ホスト装置の構成を簡略化して示す図である。 メモリ装置の構成を簡略化して示す図である。 プログラムをＣＰＵが実行することによって実現される機能を示す図である。 ホスト装置の動作を説明するためのフローチャートである。 メモリ装置の構成を簡略化して示す図である。 認証制御回路の構成を示す図である。 プログラムをＣＰＵが実行することによって実現される機能を示す図である。 メモリ装置の動作を説明するためのフローチャートである。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、異なる図面において同一の符号を付した要素は、同一又は相応する要素を示すものとする。
＜実施の形態１＞
図１は、本発明の実施の形態１に係るメモリシステム１の構成を示す図である。図１に示すようにメモリシステム１は、ホスト装置２と、ホスト装置２に着脱自在に接続されたメモリ装置３とを備えて構成されている。ホスト装置２は、例えばパーソナルコンピュータ等の第１の情報処理装置であり、メモリ装置３は、ホスト装置２から電源供給を受けて動作する第２の情報処理装置、例えばフラッシュメモリのメモリカードである。他の例として、第１の情報処理装置はプリンタ又は複合機の本体であり、第２の情報処理装置はトナーカートリッジである。あるいは、第１の情報処理装置はゲーム機の本体であり、第２の情報処理装置はゲームプログラムが格納されたメモリカードである。
本実施の形態では、メモリ装置３の真贋判定をホスト装置２が実行する態様、つまり、ホスト装置２等の第１の情報処理装置が判定装置であり、メモリ装置３等の第２の情報処理装置が被判定装置である態様について説明する。
図２は、ホスト装置２の構成を簡略化して示す図である。図２に示すようにホスト装置２は、ＳｏＣ（System on a Chip）１１１、電源制御部１１２、電流値測定回路１１３、及びメモリインタフェース１１４を備えて構成されている。ＳｏＣ１１１は、ホスト装置２側の信号処理回路である。ＳｏＣ１１１は、バス１２１を介して相互に接続された、ＣＰＵ１２２、復号器１２３、期待値格納メモリ１２４、ＧＰＩＯ（General Purpose Input/Output）１２５、ＡＤＣ（Analog to Digital Converter）１２６、コマンドバッファ１２７、データバッファ１２８、及び、ＲＯＭ又はＲＡＭ等の記憶部１２９を備えて構成されている。記憶部１２９には、プログラム８０１が格納されている。ホスト装置２は、自身に接続されたメモリ装置３を動作させるための電源を、電源ＶＣＣ１（電源供給部）から電源制御部１１２及び抵抗素子Ｒを介してメモリ装置３に供給する。電流値測定回路１１３は、抵抗素子Ｒの両端電圧を測定することにより、電源ＶＣＣ１からメモリ装置３に流れる電流の電流値を測定する。
図３は、メモリ装置３の構成を簡略化して示す図である。図３に示すようにメモリ装置３は、メモリコントローラ１３１とメモリコア１３２とを備えて構成されている。メモリコントローラ１３１は、メモリ装置３側の信号処理回路である。メモリコントローラ１３１は、ホストインタフェース１４１、デコーダ１４２、及びメモリコアインタフェース１４３を備えて構成されている。メモリコア１３２の特定のアドレス領域には、後述する期待値データ９０１が格納されている。
図４は、図２に示したプログラム８０１をＣＰＵ１２２が実行することによって実現される機能を示す図である。図４に示すように、記憶部１２９から読み出したプログラム８０１をＣＰＵ１２２が実行することによって、ＣＰＵ１２２は、ホスト装置２に接続されているメモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定部１５０として機能する。換言すれば、プログラム８０１は、情報処理装置としてのホスト装置２に搭載されるコンピュータを、判定部１５０として機能させるためのプログラムである。
図４に示すように判定部１５０は、期間設定部１５１、電流値取得部１５２、累積誤差算出部１５３、及び真贋判定部１５４として機能する。なお、判定部１５０の機能は、ＣＰＵ１２２によるソフトウェア処理によって実現する場合に限らず、専用回路等を用いたハードウェア処理によって実現しても良い。
メモリ装置３の正規品（純正品）と非正規品（偽造品）とでは、半導体デバイスの構造や製造プロセス等が異なるため、消費電流特性が顕著に相違する。また、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して、メモリ装置３の消費電流特性が瞬間的に大きく変動するという事態を想定する必要もある。本実施の形態に係るホスト装置２は、メモリ装置３の消費電流値を実測することによって得られた複数の実測電流値と、正規品又は非正規品に関して予め求められた複数の基準電流値との差を累積することによって、実測誤差累積値を算出する。そして、その実測誤差累積値と許容誤差累積値とを比較することによって、自身に接続されているメモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかの真贋判定を行う。以下、図面を参照しながら詳細に説明する。
図５は、ホスト装置２の動作を説明するためのフローチャートである。図６は、メモリ装置３の消費電流特性の一例を示す図である。図６に示すように、メモリ装置３の通常動作期間は処理内容に応じて複数の期間Ｐに区分することができる。図６に示した例では、通常動作期間はこの順に並ぶ８つの期間Ｐ１〜Ｐ８に区分されている。例えば、期間Ｐ１は起動直後のパワーオン期間であり、期間Ｐ２は各種設定を初期化するための初期化期間であり、期間Ｐ３，Ｐ６はスタンバイ期間であり、期間Ｐ４は相互認証に向けての鍵交換期間であり、期間Ｐ５は交換した鍵を用いて相互認証を行う認証期間であり、期間Ｐ７はアプリケーションの実行期間であり、期間Ｐ８はシャットダウンに向けてのパワーオフ期間である。期間Ｐの他の例としては、コマンド入力期間、メモリコアアクセス期間、データ読み出し期間、データ書き込み期間、データ消去期間、及びデータ通信期間等が想定される。
正規品のメモリ装置３であれば、実装される半導体デバイスの種類や各デバイスの製造プロセスが厳密に管理されているため、各期間Ｐ１〜Ｐ８におけるメモリ装置３の消費電流特性はほぼ一定である。そこで、各期間Ｐ１〜Ｐ８の消費電流特性を示す情報が工場出荷前に作成されて、暗号化された期待値データ９０１（図３参照）として、メモリコア１３２の特定のアドレス領域に格納されている。
本実施の形態の例では、期間Ｐ１〜Ｐ８のうち、消費電流値及びその変化量が大きく、また消費電力の変化態様がデバイスに依存して特徴的である期間（例えば期間Ｐ１，Ｐ２，Ｐ４，Ｐ５，Ｐ８）を判定対象期間として、判定対象期間の各々に関する基準電流値パターンが、期待値データ９０１としてメモリコア１３２に格納されている。ここで、基準電流値パターンは、メモリ装置３の消費電流を所定のサンプリング周波数でサンプリングすることによって得られた複数の消費電流値を時系列順に配列したものである。また、期待値データ９０１には、判定対象期間の各々に関する許容誤差累積値（詳細は後述する）に関するデータも含まれている。
なお、排除対象となる非正規品が既に特定されている場合には、正規品に関する基準電流値パターンに代えて、非正規品に関する基準電流値パターンをメモリコア１３２に格納しても良い。正規品に関する基準電流値パターンを用いる場合には、実測誤差累積値と許容誤差累積値とが一致するか否かによって、メモリ装置３が正規品であるか否かを判定できる。非正規品に関する基準電流値パターンを用いる場合には、実測誤差累積値と許容誤差累積値とが一致するか否かによって、メモリ装置３が非正規品であるか否かを判定できる。本実施の形態及び後述の各変形例では、正規品に関する基準電流値パターンを用いる例について説明する。
図５を参照して、メモリ装置３がホスト装置２に接続されると、まずステップＳＰ１０１においてＣＰＵ１２２（期間設定部１５１）は、期間Ｐ１〜Ｐ８の中から、真贋判定の実行対象となる少なくとも一つの判定対象期間（以下「第１の所定期間」と称す）を設定する。期間設定部１５１は、予め定められた規則に従って第１の所定期間を静的に選択することができ、あるいは、真贋判定の累積実行回数やメモリシステム１の稼働状況等に応じて第１の所定期間を動的に選択することができる。本実施の形態の例では、パワーオン期間である期間Ｐ１が第１の所定期間として設定されたものとする。また、期間設定部１５１は、第１の所定期間に対して実行する真贋判定の処理内容を設定する。本実施の形態の例では、「誤差累積値同士の比較処理」が、真贋判定の処理内容として設定される。但し、誤差累積値同士の比較処理がデフォルト処理として実行される場合には、この設定は省略しても良い。
次にステップＳＰ１０２においてＣＰＵ１２２は、電源制御部１１２に電源供給を開始させるための制御コマンドを、ＧＰＩＯ１２５にセットする。当該制御コマンドはＧＰＩＯ１２５から電源制御部１１２に入力され、電源制御部１１２は、電源ＶＣＣ１からメモリ装置３への電源供給を開始する。
次にステップＳＰ１０３においてＣＰＵ１２２は、メモリ装置３から所望の期待値データ９０１を読み出すための読み出しコマンドを、コマンドバッファ１２７にセットする。当該読み出しコマンドは、コマンドバッファ１２７からメモリインタフェース１１４を介してメモリ装置３に送信される。ホストインタフェース１４１は、ホスト装置２から受信した当該読み出しコマンドを、デコーダ１４２に入力する。デコーダ１４２は、入力された当該読み出しコマンドをデコードすることにより、所望の期待値データ９０１の読み出しアドレスをメモリコアインタフェース１４３に入力する。当該読み出しアドレスはメモリコアインタフェース１４３からメモリコア１３２に入力され、これによって、所望の期待値データ９０１がメモリコア１３２から読み出される。
本実施の形態の例では、真贋判定の処理内容が「期間Ｐ１を対象とする誤差累積値同士の比較処理」に設定されているため、期間Ｐ１に関する基準電流値パターンと許容誤差累積値を示すデータとが、所望の期待値データ９０１としてメモリコア１３２から読み出される。期間Ｐ１に関する許容誤差累積値は、期間Ｐ１に含まれる総数Ｎ個の測定ポイント（つまり総数Ｎ個の基準電流値）の各々に対して設定されている許容誤差値Ｚの、Ｎ個の総和である。許容誤差値Ｚは、期間Ｐ１に関する消費電流値の分布態様等に応じて、基準電流値に対してプラスマイナス数％からプラスマイナス数１０％の範囲内で最適な値が予め設定されている。本実施の形態では、期間Ｐ１に含まれるＮ個の測定ポイントの各々に対して、固定値の許容誤差値Ｚが設定されている。例えば、許容誤差値Ｚとして固定値の６ｍＡが設定されている場合には、期間Ｐ１に関する許容誤差累積値はＮ×６ｍＡということになる。
読み出された期待値データ９０１は、暗号化された状態で、メモリコアインタフェース１４３及びホストインタフェース１４１を介してホスト装置２に送信される。メモリインタフェース１１４は、メモリ装置３から受信した期待値データ９０１を、データバッファ１２８を介して復号器１２３に入力する。復号器１２３は、暗号化されている期待値データ９０１を復号化する。復号化された期待値データ９０１は、期待値格納メモリ１２４に格納される。本実施の形態の例では、期間Ｐ１に関する基準電流値パターンと許容誤差累積値を示すデータとが、期待値格納メモリ１２４に格納される。
パワーオン期間である期間Ｐ１が第１の所定期間として設定されているため、次にステップＳＰ１０４においてＣＰＵ１２２は、電源制御部１１２に電源供給を停止させるための制御コマンドを、ＧＰＩＯ１２５にセットする。当該制御コマンドはＧＰＩＯ１２５から電源制御部１１２に入力され、電源制御部１１２は、電源ＶＣＣ１からメモリ装置３への電源供給を停止する。
次にステップＳＰ１０５においてＣＰＵ１２２は、電源制御部１１２に電源供給を開始させるための制御コマンドを、ＧＰＩＯ１２５にセットする。当該制御コマンドはＧＰＩＯ１２５から電源制御部１１２に入力され、電源制御部１１２は、電源ＶＣＣ１からメモリ装置３への電源供給を開始する。これにより、パワーオン期間である期間Ｐ１が開始される。
次にステップＳＰ１０６においてＣＰＵ１２２は、ＡＤＣ１２６を駆動する。電源ＶＣＣ１からメモリ装置３への電源供給が開始されたことにより、抵抗素子Ｒに電流が流れる。電流値測定回路１１３は、抵抗素子Ｒの両端電圧を所定のサンプリング周波数（例えば１ＭＨｚ〜数ＭＨｚ）でサンプリングすることによって、電源ＶＣＣ１からメモリ装置３へ流れる電流の電流値を実測する。実測された電流値は、図示しないプリアンプによって増幅された後、ＡＤＣ１２６によってＡＤ変換され、その後、電流値取得部１５２によってＣＰＵ１２２に順次入力される。なお、ＡＤＣ１２６によるＡＤ変換よりも前にプリアンプによって実測電流値を増幅する上記の構成に代えて、ＡＤＣ１２６によるＡＤ変換よりも後に乗算器によって実測電流値を増幅する構成を採用しても良い。
また、累積誤差算出部１５３は、期間Ｐ１に関する基準電流値パターンを期待値格納メモリ１２４から読み出して取得する。
次にステップＳＰ１０７においてＣＰＵ１２２（累積誤差算出部１５３）は、電流値取得部１５２によって順次取得されたＮ個の実測電流値と、期待値格納メモリ１２４から読み出した基準電流値パターンを構成するＮ個の基準電流値とに基づいて、各測定ポイントにおける両電流値の差分の絶対値をＮ個の測定ポイントに関して累積することにより、期間Ｐ１に関する実測誤差累積値を算出する。
次にステップＳＰ１０８においてＣＰＵ１２２（真贋判定部１５４）は、期間Ｐ１に関する許容誤差累積値を示すデータを期待値格納メモリ１２４から読み出して取得する。
次にステップＳＰ１０９においてＣＰＵ１２２（真贋判定部１５４）は、累積誤差算出部１５３によって算出された実測誤差累積値と、期待値格納メモリ１２４から読み出した許容誤差累積値とを比較する。真贋判定部１５４は、実測誤差累積値が許容誤差累積値以下である場合には、ホスト装置２に接続されているメモリ装置３は正規品であると判定して、真贋判定処理を終了する。
一方、実測誤差累積値が許容誤差累積値を超える場合には、真贋判定部１５４は、ホスト装置２に接続されているメモリ装置３は非正規品であると判定して、非正規品であるメモリ装置３を排除するための処理を開始する。例えば、電源制御部１１２に電源供給を停止させるための制御コマンドをＧＰＩＯ１２５にセットすることにより、電源ＶＣＣ１からメモリ装置３への電源供給を停止する。
図７は、実測電流値パターンＫ１及び基準電流値パターンＫ０の一例を示す図である。実測電流値パターンＫ１は複数の実測電流値Ｘを時系列順に配列したものであり、基準電流値パターンＫ０は複数の基準電流値Ｙを時系列順に配列したものである。電流値測定回路１１３のサンプリング周波数が１ＭＨｚ〜数ＭＨｚであり、期間Ｐ１の長さが数ｍ秒〜数十ｍ秒である場合には、実際には実測電流値パターンＫ１及び基準電流値パターンＫ０はそれぞれ数十万個〜数百万個の実測電流値Ｘ及び基準電流値Ｙによって構成される。しかし図７では説明の簡単化のため、実測電流値パターンＫ１及び基準電流値パターンＫ０がそれぞれ１０個の実測電流値Ｘ０１〜Ｘ１０及び基準電流値Ｙ０１〜Ｙ１０によって構成された例を示している。
図８は、実測電流値Ｘ０１〜Ｘ１０の数値の一例を示す図であり、図９は、基準電流値Ｙ０１〜Ｙ１０の数値の一例を示す図である。図８，９に示した例によると、期間Ｐ１に関する実測誤差累積値は、１＋２＋４＋・・・＋２＝２８ｍＡとなる。また、許容誤差値Ｚとして固定値の６ｍＡが設定されており、期間Ｐ１に関する許容誤差累積値は１０×６＝６０ｍＡであるものとする。この場合、実測誤差累積値は許容誤差累積値以下となるため、真贋判定部１５４は、ホスト装置２に接続されているメモリ装置３は正規品であると判定する。図７〜９を参照して、実測電流値Ｘ０４（２０ｍＡ）と基準電流値Ｙ０４（２８ｍＡ）との誤差（８ｍＡ）は、許容誤差値Ｚ（６ｍＡ）を超えている。このように、瞬間的な異常値が含まれる場合であっても、メモリ装置３は正しく正規品と判定されていることが分かる。
なお、以上の説明では、実測誤差累積値を求める演算、及び、実測誤差累積値と許容誤差累積値とを比較する演算を、ＣＰＵ１２２のソフトウェア処理によって実行する例について述べた。しかし、電流値測定回路１１３の膨大なサンプリング数に起因してＣＰＵ１２２の処理負荷が増大することを回避すべく、これらの演算は、専用の演算器を用いたハードウェア処理によって実行しても良い。
図１０は、ホスト装置２の他の構成例を示す図である。ＳｏＣ１１１に演算器１６０が実装されている。実測誤差累積値を求める演算、及び、実測誤差累積値と許容誤差累積値とを比較する演算は、演算器１６０によって実行され、それらの演算の結果が演算器１６０からＣＰＵ１２２に入力される。
このように本実施の形態に係るホスト装置２（情報処理装置）によれば、真贋判定部１５４は、累積誤差算出部１５３によって算出された期間Ｐ１（第１の所定期間）に関する実測誤差累積値と、正規品（又は非正規品）を対象として予め求められた期間Ｐ１に関する許容誤差累積値との比較結果に基づいて、メモリ装置３（被判定装置）が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って、実測電流値Ｘと基準電流値Ｙとを比較する場合と比べて瞬間的異常値に起因する影響を緩和できるため、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して実測電流値Ｘと基準電流値Ｙとが瞬間的に大きく相違する場合であっても、真贋判定の精度が低下する事態を回避又は抑制することが可能となる。
また、本実施の形態に係るホスト装置２によれば、期間Ｐ１に含まれる各測定ポイントに関する許容誤差値Ｚは固定値である。従って、期間Ｐ１に関する許容誤差累積値を簡易に設定することが可能となる。
また、本実施の形態に係るホスト装置２によれば、期間設定部１５１は、複数の期間Ｐ１〜Ｐ８の中から第１の所定期間を可変に選択する。従って、メモリ装置３の真贋判定を実行する対象となる第１の所定期間を期間設定部１５１によって静的又は動的に選択できるため、第三者による判定アルゴリズムの解析をより困難化することが可能となる。
また、本実施の形態に係るホスト装置２によれば、基準電流値パターンを含む期待値データ９０１は、メモリ装置３内のメモリコア１３２（記憶部）に記憶されている。メモリ装置３の基準電流値パターンは、デバイスの構造や製造プロセス等に依存するため、デバイス毎に異なる。従って、あるメモリ装置３に関して求めた基準電流値パターンを、そのメモリ装置３内のメモリコア１３２に記憶しておくことにより、デバイス毎に異なる基準電流値パターンを簡易に管理することが可能となる。
以下、上記実施の形態１に対する様々な変形例について説明する。以下に述べる変形例は、変形例同士を任意に組み合わせて適用することが可能であり、また、後述する実施の形態２〜４と任意に組み合わせて適用することが可能である。
＜変形例１＞
上記実施の形態１では期間Ｐ１に含まれる各測定ポイントに関する許容誤差値Ｚは固定値であったが、許容誤差値Ｚは測定ポイント毎に可変値であっても良い。
図１１は、基準電流値パターンの一例を示す図である。各基準電流値Ｙに対して、可変値の許容誤差値Ｚが設定されている。図１１に示した例では、消費電流値の変化量が大きい箇所（つまり基準電流値パターンの傾きが大きい箇所）ほど、許容誤差値Ｚは大きな値に設定されている。例えば、消費電流値の変化量が最大となる基準電流値Ｙ０５に対しては、最大値７ｍＡの許容誤差値Ｚが設定されており、消費電流値の変化量が最小となる基準電流値Ｙ０８，Ｙ０９に対しては、最小値１ｍＡの許容誤差値Ｚが設定されている。
本変形例に係るホスト装置２によれば、期間Ｐ１に含まれる各測定ポイントに関する許容誤差値Ｚは、測定ポイント毎に可変値である。従って、基準電流値パターンにおける変化量の大きさ等に応じて各測定ポイントの許容誤差値Ｚを可変に設定することにより、許容誤差累積値を高精度に設定できるため、真贋判定の精度を向上することが可能となる。
＜変形例２＞
上記実施の形態１では期間Ｐ１に含まれる各測定ポイントに関する許容誤差値Ｚは固定値であったが、許容誤差値Ｚは期間Ｐ１〜Ｐ８毎に可変値であっても良い。
図１２は、各期間Ｐ１〜Ｐ８に関して設定される許容誤差値Ｚの一例を示す図である。期間Ｐ１〜Ｐ８毎に、可変値の許容誤差値Ｚが設定されている。図１２に示した例では、消費電流の変化量が大きい期間Ｐ１，Ｐ２，Ｐ４，Ｐ５，Ｐ７，Ｐ８に対しては、大きな値（８ｍＡ）の許容誤差値Ｚが設定されており、消費電流の変化量が小さい期間Ｐ３，Ｐ６に対しては、小さな値（１ｍＡ）の許容誤差値Ｚが設定されている。
本変形例に係るホスト装置２によれば、各測定ポイントに対して設定される許容誤差値Ｚは、期間Ｐ毎に可変値である。従って、基準電流値パターンの変化量等に応じて期間Ｐ毎に許容誤差値Ｚを可変に設定することにより、許容誤差累積値を高精度に設定できるため、真贋判定の精度を向上することが可能となる。
＜変形例３＞
図１３は、図２に示したプログラム８０１をＣＰＵ１２２が実行することによって実現される機能を示す図である。図４に示した構成に対して、パターン作成部１５５が追加されている。
図１４は、本変形例に係る真贋判定処理の流れを示すフローチャートである。まずステップＥ１において判定部１５０は、第１判定処理として、実測電流値パターンと基準電流値パターンとを比較することによってメモリ装置３の真贋判定を行う。
図７を参照して、パターン作成部１５５は、電流値取得部１５２によって順次取得された複数の実測電流値Ｘを時系列順に配列することによって、期間Ｐ１に関するメモリ装置３の実測電流値パターンＫ１を作成する。
真贋判定部１５４は、基準電流値パターンＫ０と実測電流値パターンＫ１とを比較する。具体的には、期間Ｐ１に含まれる全ての測定ポイントの各々において、基準電流値Ｙと実測電流値Ｘとの差が所定の許容誤差値Ｖ以下であるか否かを判定する。真贋判定部１５４は、各測定ポイントにおいて、両電流値の差が許容誤差値Ｖ以下である場合には実測電流値Ｘは基準電流値Ｙに一致していると判定し、一方、両電流値の差が許容誤差値Ｖを超える場合には実測電流値Ｘは基準電流値Ｙに一致していないと判定する。なお、基準電流値パターンＫ０及び許容誤差値Ｖに関するデータは、期待値データ９０１に含まれている。
真贋判定部１５４は、期間Ｐ１に含まれる全ての測定ポイントのうち、実測電流値Ｘが基準電流値Ｙに一致していないと判定した測定ポイントの数（ＮＧポイント数Ｍ）をカウントする。
次にステップＥ２において真贋判定部１５４は、ＮＧポイント数Ｍと所定の閾値Ｔｈ１とを比較する。閾値Ｔｈ１は、例えば、期間Ｐ１に含まれる測定ポイントの総数の１％の値に設定されている。そして、ＮＧポイント数Ｍが閾値Ｔｈ１未満である場合には、実測電流値パターンＫ１は基準電流値パターンＫ０に一致し、この例の場合にはメモリ装置３は正規品であると判定して、第２判定処理を実行することなく真贋判定処理を終了する。
一方、ＮＧポイント数Ｍが閾値Ｔｈ１以上である場合には、次にステップＥ３において真贋判定部１５４は、ＮＧポイント数Ｍと所定の閾値Ｔｈ２とを比較する。閾値Ｔｈ２は、例えば、期間Ｐ１に含まれる測定ポイントの総数の３％の値に設定されている。そして、ＮＧポイント数Ｍが閾値Ｔｈ２以上である場合には、実測電流値パターンＫ１は基準電流値パターンＫ０に一致せず、この例の場合にはメモリ装置３は非正規品であると判定して、第２判定処理を実行することなく真贋判定処理を終了する。
一方、ＮＧポイント数Ｍが閾値Ｔｈ２未満である場合には、次にステップＥ４において判定部１５０は、第２判定処理として、上記実施の形態１で述べた真贋判定処理（つまり、実測誤差累積値と許容誤差累積値との比較による真贋判定処理）を実行する。そして、第２判定処理の結果として、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。
本変形例に係るホスト装置２によれば、実測電流値パターンＫ１と基準電流値パターンＫ０との比較による第１判定処理と、実測誤差累積値と許容誤差累積値との比較による第２判定処理との二段階の判定処理を行うことにより、いずれか一方の判定処理のみを行う場合と比較して、真贋判定の精度を向上することが可能となる。特に、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して実測電流値パターンＫ１と基準電流値パターンＫ０とが瞬間的に大きく相違したことが原因で第１判定処理において非正規品と判定された正規品を、第２判定処理において救済することが可能となる。
また、本変形例に係るホスト装置２によれば、真贋判定部１５４は、実測電流値Ｘと基準電流値Ｙとが一致しないＮＧポイント数Ｍ（又はＮＧポイント率）が、第１の閾値Ｔｈ１未満である場合、又は、第２の閾値Ｔｈ２以上である場合には、第２判定処理を実行しない。従って、実測電流値パターンＫ１と基準電流値パターンＫ０とが完全に一致する場合（閾値Ｔｈ１未満）や大きく異なる場合（閾値Ｔｈ２以上）には第２判定処理の実行を省略できるため、救済する必要のないメモリ装置３に対して無駄な処理が実行される事態を回避することが可能となる。
＜変形例４＞
上記実施の形態１では、期間設定部１５１は、メモリ装置３の動作期間を区分した複数の期間Ｐ１〜Ｐ８のうち一つの期間Ｐ１のみを、判定対象期間として設定した。
これに対して本変形例に係る期間設定部１５１は、期間Ｐ１〜Ｐ８のうちの複数の期間を、判定対象期間として設定する。
図１５は、メモリ装置３の消費電流特性の一例を示す図である。この例において期間設定部１５１は、パワーオン期間である期間Ｐ１（第１の所定期間）と鍵交換期間である期間Ｐ４（第２の所定期間）とを、ステップＳＰ１０１において判定対象期間として設定する。期間設定部１５１は、第１の所定期間及び第２の所定期間を、予め定められた規則に従って静的に選択することができ、あるいは、真贋判定の累積実行回数やメモリシステム１の稼働状況等に応じて動的に選択することができる。
また、ステップＳＰ１０１において期間設定部１５１は、期間Ｐ１，Ｐ４の各々に対して実行する真贋判定の処理内容を設定する。本変形例の例では、「誤差累積値同士の比較処理」が、真贋判定の処理内容としていずれも設定される。
ステップＳＰ１０３では、期間Ｐ１に関する第１の基準電流値パターン及び第１の許容誤差累積値を示すデータと、期間Ｐ４に関する第２の基準電流値パターン及び第２の許容誤差累積値を示すデータとが、所望の期待値データ９０１としてメモリコア１３２から読み出される。これらの情報は、メモリ装置３からホスト装置２に送信され、復号器１２３によって復号化された後、期待値格納メモリ１２４に格納される。
電流値取得部１５２は、期間Ｐ１に関して第１の実測電流値の取得処理を実行し、累積誤差算出部１５３は、期間Ｐ１に関して第１の実測誤差累積値の算出処理を実行する。また、電流値取得部１５２は、期間Ｐ４に関して第２の実測電流値の取得処理を実行し、累積誤差算出部１５３は、期間Ｐ４に関して第２の実測誤差累積値の算出処理を実行する。
真贋判定部１５４は、期間Ｐ１に関する第１の実測誤差累積値と第１の許容誤差累積値との比較結果と、期間Ｐ４に関する第２の実測誤差累積値と第２の許容誤差累積値との比較結果とに基づいて、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。例えば、期間Ｐ１，Ｐ４の双方において、実測誤差累積値と許容誤差累積値とが一致する場合には、メモリ装置３が正規品であると判定し、一方、期間Ｐ１，Ｐ４の少なくとも一方において、実測誤差累積値と許容誤差累積値とが一致しない場合には、メモリ装置３が非正規品であると判定する。
本変形例に係るホスト装置２によれば、真贋判定部１５４はさらに、複数の所定期間Ｐ１〜Ｐ８のうち期間Ｐ４（第２の所定期間）に関して累積誤差算出部１５３によって算出された第２の実測誤差累積値と、期間Ｐ４に関する第２の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。このように、第１の所定期間のみならず第２の所定期間に関しても実測誤差累積値と許容誤差累積値との比較を行うことにより、第１の所定期間及び第２の所定期間の双方の比較結果に基づいてメモリ装置３の真贋判定を行うことができるため、判定精度をより向上することが可能となる。なお、第２の所定期間に関しては第１の所定期間と同様の処理を行うことができ、例えば、第２の所定期間を対象として上記変形例１〜３を適用することも可能である。
＜実施の形態２＞
本実施の形態では、ホスト装置２の真贋判定をメモリ装置３が実行する態様、つまり、メモリ装置３等の第２の情報処理装置が判定装置であり、ホスト装置２等の第１の情報処理装置が被判定装置である態様について説明する。
図１６は、ホスト装置２の構成を簡略化して示す図である。図１６に示すようにホスト装置２は、ＳｏＣ２１１及びメモリインタフェース２１２を備えて構成されている。
ＳｏＣ２１１は、バス２２１を介して相互に接続された、ＣＰＵ２２２、コマンドバッファ２２３、及びデータバッファ２２４を備えて構成されている。ＳｏＣ２１１には、電源ＶＣＣ２（電源供給部）から抵抗素子Ｒを介して駆動電源が供給される。
図１７は、メモリ装置３の構成を簡略化して示す図である。図１７に示すようにメモリ装置３は、メモリコントローラ２３１、メモリコア２３２、電流値測定回路２３３、及び認証制御回路２３４を備えて構成されている。メモリコントローラ２３１は、ホストインタフェース２４１、デコーダ２４２、及びメモリコアインタフェース２４３を備えて構成されている。電流値測定回路２３３は、ホスト装置２の抵抗素子Ｒの両端電圧を測定することにより、電源ＶＣＣ２からＳｏＣ２１１に流れる電流の電流値を測定する。メモリコア２３２の所定のアドレス領域には、後述する期待値データ９０２が格納されている。期待値データ９０２は、暗号化されていても良いし、暗号化されていなくても良いが、本実施の形態の例では暗号化されているものとする。なお、期待値データ９０２は、メモリコア２３２とは異なる不揮発性メモリに格納されていても良い。
図１８は、認証制御回路２３４の構成を示す図である。図１８の接続関係で示すように、認証制御回路２３４は、バス２５１を介して相互に接続された、ＣＰＵ２５２、復号器２５３、期待値格納メモリ２５４、ＧＰＩＯ２５５、電源制御部２５６、ＡＤＣ２５７、及び、ＲＯＭ又はＲＡＭ等の記憶部２５８を備えて構成されている。記憶部２５８には、プログラム８０２が格納されている。
図１９は、図１８に示したプログラム８０２をＣＰＵ２５２が実行することによって実現される機能を示す図である。記憶部２５８から読み出したプログラム８０２をＣＰＵ２５２が実行することによって、ＣＰＵ２５２は、ホスト装置２が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定部２６０として機能する。換言すれば、プログラム８０２は、第２の情報処理装置としてのメモリ装置３に搭載されるコンピュータを、判定部２６０として機能させるためのプログラムである。判定部２６０は、期間設定部２６１、電流値取得部２６２、累積誤差算出部２６３、及び真贋判定部２６４として機能する。なお、判定部２６０の機能は、ＣＰＵ２５２によるソフトウェア処理によって実現する場合に限らず、専用回路等を用いたハードウェア処理によって実現しても良い。
ホスト装置２の正規品と非正規品とでは、半導体デバイスの構造や製造プロセス等が異なるため、あるいは、正規プログラムと不正プログラム（マルウェア）とでは動作内容が異なるため、消費電流特性が顕著に相違する。また、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して、ホスト装置２の消費電流特性が瞬間的に大きく変動するという事態を想定する必要もある。本実施の形態に係るメモリ装置３は、ホスト装置２の消費電流値を実測することによって得られた複数の実測電流値と、正規品又は非正規品に関して予め求められた複数の基準電流値との差を累積することによって、実測誤差累積値を算出する。そして、その実測誤差累積値と許容誤差累積値とを比較することによって、自身に接続されているホスト装置２が正規品であるか非正規品であるかの真贋判定を行う。以下、図面を参照しながら詳細に説明する。
図２０は、メモリ装置３の動作を説明するためのフローチャートである。図２１は、正規品のホスト装置２の消費電流特性の一例を示す図である。図２１に示すように、ホスト装置２の通常動作期間は処理内容に応じて複数の期間Ｐに区分することができる。図２１に示した例では、通常動作期間はこの順に並ぶ７つの期間Ｐ１〜Ｐ７に区分されている。例えば、期間Ｐ１は起動直後のパワーオン期間であり、期間Ｐ２は各種設定を初期化するためのファーストブート期間であり、期間Ｐ３はファームウェアの更新やプログラム番地の設定等を行うためのセカンドブート期間であり、期間Ｐ４はメモリ装置３との間でコマンドやコンテンツデータの送受信を行うメモリアクセス期間であり、期間Ｐ５はメモリ装置３から読み出したコンテンツデータに対して画像処理を行う画像処理期間であり、期間Ｐ６は図示しないディスプレイに画像を表示する画像表示期間であり、期間Ｐ７は何らかのバックグラウンド処理を伴うスタンバイ期間である。期間Ｐの他の例としては、バックグラウンド処理を伴わないスリープ期間、メモリ装置３との相互認証に向けての鍵交換期間、及び相互認証期間等が想定される。
正規品のホスト装置２であれば、実装される半導体デバイスの種類や各デバイスの製造プロセスが厳密に管理されており、また、正規プログラムによって動作内容が規定されているため、各期間Ｐ１〜Ｐ７におけるホスト装置２の消費電流特性はほぼ一定である。そこで、各期間Ｐ１〜Ｐ７の消費電流特性を示す情報が工場出荷前に作成されて、暗号化された期待値データ９０２（図１７参照）としてメモリコア２３２の特定の記憶領域に格納されている。本実施の形態の例では、期間Ｐ１〜Ｐ７の各々に関する、
・基準電流値パターン及び許容誤差累積値
・消費電流値の最大値、最小値、及び平均値（基準代表値）
・スタンバイ期間における微小な消費電流値（基準電流値）
が、期待値データ９０２としてメモリコア２３２に格納されている。期待値データ９０２は更新することも可能であり、例えば、ホスト装置２がアクセス可能な通信ネットワークから最新の期待値データ９０２をダウンロードしてメモリコア２３２に格納することも可能である。
なお、排除対象となる非正規品が既に特定されている場合には、正規品に関する基準電流値パターン及び許容誤差累積値、基準代表値、又は基準電流値に代えて、非正規品に関する基準電流値パターン及び許容誤差累積値、基準代表値、又は基準電流値をメモリコア２３２に格納しても良い。例えば、正規品に関する基準電流値パターン及び許容誤差累積値を用いる場合には、実測誤差累積値と許容誤差累積値とが一致するか否かによって、ホスト装置２が正規品であるか否かを判定できる。非正規品に関する基準電流値パターン及び許容誤差累積値を用いる場合には、実測誤差累積値と許容誤差累積値とが一致するか否かによって、ホスト装置２が非正規品であるか否かを判定できる。基準代表値及び基準電流値についても同様である。本実施の形態では、正規品に関する基準電流値パターン及び許容誤差累積値、基準代表値、又は基準電流値を用いる例について説明する。
また、期間Ｐ１〜Ｐ７の各々の期待値データ９０２としては、各期間の消費電流特性等に応じて、基準電流値パターン及び許容誤差累積値、基準代表値、及び基準電流値のいずれかを用いることが望ましい。例えば以下の通りである。
パワーオン期間は突入電流が大きく、またその変化態様が同一デバイスでも一定ではないため、期間Ｐ１に関しては対象期間から除外するのが望ましい。
ファーストブート期間は正規品と非正規品とで消費電流の変化パターンに大差がないため、期間Ｐ２に関しても対象期間から除外するのが望ましい。
セカンドブート期間、メモリアクセス期間、画像処理期間、及び画像表示期間については、消費電流値及びその変化量が比較的大きいため、期間Ｐ３〜Ｐ６に関しては、判定精度を優先する場合には基準電流値パターン及び許容誤差累積値を、判定処理の負荷軽減を優先する場合には基準代表値を用いるのが好適である。
スタンバイ期間は消費電流値及びその変化量が小さいため、期間Ｐ７に関しては基準電流値を用いるのが好適である。但し、バックグラウンド処理に伴う消費電流が比較的大きい場合には、スタンバイ期間に関しても基準電流値パターン及び許容誤差累積値を用いることができる。なお、バックグラウンド処理を伴わないスリープ期間に関しては、誤差累積値による真贋の差別化が期待できないため、基準電流値を用いるのが好適である。
図２０を参照して、メモリ装置３がホスト装置２に接続されると、まずステップＳＰ２０１において、ホスト装置２からメモリ装置３への駆動電源の供給が開始される。なお、ＳｏＣ２１１には電源ＶＣＣ２から駆動電源が供給されている。
次にステップＳＰ２０２においてＣＰＵ２５２（期間設定部２６１）は、期間Ｐ１〜Ｐ７の中から、真贋判定の実行対象となる少なくとも一つの判定対象期間（以下「第１の所定期間」と称す）を設定する。期間設定部２６１は、予め定められた規則に従って第１の所定期間を静的に選択することができ、あるいは、真贋判定の累積実行回数やメモリシステム１の稼働状況等に応じて第１の所定期間を動的に選択することができる。本実施の形態の例では、セカンドブート期間である期間Ｐ３が第１の所定期間として設定されたものとする。また、期間設定部２６１は、第１の所定期間に対して実行する真贋判定の処理内容を設定する。本実施の形態の例では、「誤差累積値同士の比較処理」が、真贋判定の処理内容として設定される。但し、誤差累積値同士の比較処理がデフォルト処理として実行される場合には、この設定は省略しても良い。
次にステップＳＰ２０３においてＣＰＵ２２２は、メモリコア２３２から所望の期待値データ９０２を読み出すための読み出しコマンドを、コマンドバッファ２２３にセットする。当該読み出しコマンドは、コマンドバッファ２２３からメモリインタフェース２１２を介してメモリ装置３に送信される。ホストインタフェース２４１は、ホスト装置２から受信した当該読み出しコマンドを、デコーダ２４２に入力する。デコーダ２４２は、入力された当該読み出しコマンドをデコードすることにより、所望の期待値データ９０２の読み出しアドレスをメモリコアインタフェース２４３に入力する。当該読み出しアドレスはメモリコアインタフェース２４３からメモリコア２３２に入力され、これによって、所望の期待値データ９０２がメモリコア２３２から読み出される。本実施の形態の例では、真贋判定の処理内容が「期間Ｐ３を対象とする誤差累積値同士の比較処理」に設定されているため、期間Ｐ３に関する基準電流値パターンと許容誤差累積値を示すデータとが、所望の期待値データ９０２としてメモリコア２３２から読み出される。期間Ｐ３に関する許容誤差累積値は、期間Ｐ３に含まれる総数Ｎ個の測定ポイント（つまり総数Ｎ個の基準電流値）の各々に対して設定されている許容誤差値Ｚの、Ｎ個の総和である。許容誤差値Ｚは、期間Ｐ３に関する消費電流値の分布態様等に応じて、基準電流値に対してプラスマイナス数％からプラスマイナス数１０％の範囲内で最適な値が予め設定されている。
読み出された期待値データ９０２は、暗号化された状態で、認証制御回路２３４の復号器２５３に入力される。復号器２５３は、暗号化されている期待値データ９０２を復号化する。復号化された期待値データ９０２は、期待値格納メモリ２５４に格納される。本実施の形態の例では、期間Ｐ３に関する基準電流値パターンと許容誤差累積値を示すデータとが、期待値格納メモリ２５４に格納される。
期間Ｐ３が開始されると、次にステップＳＰ２０４においてＣＰＵ２５２は、ＡＤＣ２５７を駆動する。電源ＶＣＣ２からＳｏＣ２１１への電源供給が開始されたことにより、抵抗素子Ｒに電流が流れる。電流値測定回路２３３は、抵抗素子Ｒの両端電圧を所定のサンプリング周波数（例えば１ＭＨｚ〜数ＭＨｚ）でサンプリングすることによって、電源ＶＣＣ２からＳｏＣ２１１へ流れる電流の電流値を実測する。実測された電流値は、図示しないプリアンプによって増幅された後、ＡＤＣ２５７によってＡＤ変換され、その後、電流値取得部２６２によってＣＰＵ２５２に順次入力される。なお、ＡＤＣ２５７によるＡＤ変換よりも前にプリアンプによって実測電流値を増幅する上記の構成に代えて、ＡＤＣ２５７によるＡＤ変換よりも後に乗算器によって実測電流値を増幅する構成を採用しても良い。
また、累積誤差算出部２６３は、期間Ｐ３に関する基準電流値パターンを期待値格納メモリ２５４から読み出して取得する。
次にステップＳＰ２０５においてＣＰＵ２５２（累積誤差算出部２６３）は、電流値取得部２６２によって順次取得されたＮ個の実測電流値Ｙと、期待値格納メモリ２５４から読み出した基準電流値パターンを構成するＮ個の基準電流値Ｘとに基づいて、各測定ポイントにおける両電流値の差分の絶対値をＮ個の測定ポイントに関して累積することにより、期間Ｐ３に関する実測誤差累積値を算出する。
次にステップＳＰ２０６においてＣＰＵ２５２（真贋判定部２６４）は、期間Ｐ３に関する許容誤差累積値を示すデータを期待値格納メモリ２５４から読み出して取得する。
次にステップＳＰ２０７においてＣＰＵ２５２（真贋判定部２６４）は、累積誤差算出部２６３によって算出された実測誤差累積値と、期待値格納メモリ２５４から読み出した許容誤差累積値とを比較する。
次にステップＳＰ２０８においてＣＰＵ２５２（真贋判定部２６４）は、実測誤差累積値が許容誤差累積値以下である場合には、ホスト装置２は正規品であると判定して、真贋判定処理を終了する。
一方、実測誤差累積値が許容誤差累積値を超える場合には、真贋判定部２６４は、ホスト装置２は非正規品であると判定して、メモリシステム１の動作を停止するための処理を開始する。例えば、電源制御部２５６に電源供給を停止させるための制御コマンドをＧＰＩＯ２５５にセットすることにより、メモリコントローラ２３１への電源供給を停止する。
このように本実施の形態に係るメモリ装置３（情報処理装置）によれば、真贋判定部２６４は、累積誤差算出部２６３によって算出された第１の実測誤差累積値と、期間Ｐ３（第１の所定期間）に関する第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、ホスト装置２が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って、実測電流値と基準電流値とを比較する場合と比べて瞬間的異常値に起因する影響を緩和できるため、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して実測電流値と基準電流値とが瞬間的に大きく相違する場合であっても、真贋判定の精度が低下する事態を回避又は抑制することが可能となる。
＜実施の形態３＞
本実施の形態では、ホスト装置２の真贋判定をホスト装置２自身が実行する態様、つまり、ホスト装置２等の第１の情報処理装置が判定装置かつ被判定装置である態様について説明する。
図２２は、ホスト装置２の構成を簡略化して示す図である。図２２に示すようにホスト装置２は、ＳｏＣ３１１、電源制御部３１２、電流値測定回路３１３、メモリインタフェース３１４、及び不揮発性の記憶部３１５を備えて構成されている。記憶部３１５には、後述する期待値データ９０３が格納されている。期待値データ９０３は、暗号化されていても良いし、暗号化されていなくても良いが、本実施の形態の例では暗号化されているものとする。
ＳｏＣ３１１は、バス３２１を介して相互に接続された、ＣＰＵ３２２、復号器３２３、期待値格納メモリ３２４、ＧＰＩＯ３２５、ＡＤＣ３２６、コマンドバッファ３２７、データバッファ３２８、及び、ＲＯＭ又はＲＡＭ等の記憶部３２９を備えて構成されている。記憶部３２９には、プログラム８０３が格納されている。ＳｏＣ３１１には、電源ＶＣＣ３（電源供給部）から抵抗素子Ｒを介して駆動電源が供給される。電流値測定回路３１３は、抵抗素子Ｒの両端電圧を測定することにより、電源ＶＣＣ３からＳｏＣ３１１に流れる電流の電流値を測定する。
図２３は、メモリ装置３の構成を簡略化して示す図である。図２３に示すようにメモリ装置３は、メモリコントローラ３３１とメモリコア３３２とを備えて構成されている。メモリコントローラ３３１は、ホストインタフェース３４１、デコーダ３４２、及びメモリコアインタフェース３４３を備えて構成されている。
図２４は、図２２に示したプログラム８０３をＣＰＵ３２２が実行することによって実現される機能を示す図である。図２４に示すように、記憶部３２９から読み出したプログラム８０３をＣＰＵ３２２が実行することによって、ＣＰＵ３２２は、ホスト装置２が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定部３５０として機能する。換言すれば、プログラム８０３は、情報処理装置としてのホスト装置２に搭載されるコンピュータを、判定部３５０として機能させるためのプログラムである。図２４に示すように判定部３５０は、期間設定部３５１、電流値取得部３５２、累積誤差算出部３５３、及び真贋判定部３５４として機能する。なお、判定部３５０の機能は、ＣＰＵ３２２によるソフトウェア処理によって実現する場合に限らず、専用回路等を用いたハードウェア処理によって実現しても良い。
ホスト装置２の正規品と非正規品とでは、半導体デバイスの構造や製造プロセス等が異なるため、あるいは、正規プログラムと不正プログラム（マルウェア）とでは動作内容が異なるため、消費電流特性が顕著に相違する。また、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して、ホスト装置２の消費電流特性が瞬間的に大きく変動するという事態を想定する必要もある。本実施の形態に係るホスト装置２は、ホスト装置２の消費電流値を実測することによって得られた複数の実測電流値と、正規品又は非正規品に関して予め求められた複数の基準電流値との差を累積することによって、実測誤差累積値を算出する。そして、その実測誤差累積値と許容誤差累積値とを比較することによって、自身が正規品であるか非正規品であるかの真贋判定を行う。以下、図面を参照しながら詳細に説明する。
図２５は、ホスト装置２の動作を説明するためのフローチャートである。図２１に示したように、ホスト装置２の通常動作期間は処理内容に応じて複数の期間Ｐに区分することができる。
正規品のホスト装置２であれば、実装される半導体デバイスの種類や各デバイスの製造プロセスが厳密に管理されており、また、正規プログラムによって動作内容が規定されているため、各期間Ｐ１〜Ｐ７におけるホスト装置２の消費電流特性はほぼ一定である。そこで、各期間Ｐ１〜Ｐ７の消費電流特性を示す情報が工場出荷前に作成されて、暗号化された期待値データ９０３（図２２参照）として不揮発性の記憶部３１５に格納されている。本実施の形態の例では、上記実施の形態２と同様に、期間Ｐ１〜Ｐ７の各々に関する、
・基準電流値パターン及び許容誤差累積値
・消費電流値の最大値、最小値、及び平均値（基準代表値）
・スタンバイ期間における微小な消費電流値（基準電流値）
が、期待値データ９０３として記憶部３１５に格納されている。
図２５を参照して、メモリ装置３がホスト装置２に接続されると、まずステップＳＰ３０１において、ホスト装置２からメモリ装置３への駆動電源の供給が開始される。なお、ＳｏＣ３１１には電源ＶＣＣ３から駆動電源が供給されている。
次にステップＳＰ３０２においてＣＰＵ３２２（期間設定部３５１）は、期間Ｐ１〜Ｐ７の中から、真贋判定の実行対象となる少なくとも一つの判定対象期間（以下「第１の所定期間」と称す）を設定する。期間設定部３５１は、予め定められた規則に従って第１の所定期間を静的に選択することができ、あるいは、真贋判定の累積実行回数やメモリシステム１の稼働状況等に応じて第１の所定期間を動的に選択することができる。本実施の形態の例では、セカンドブート期間である期間Ｐ３が第１の所定期間として設定されたものとする。また、期間設定部３５１は、第１の所定期間に対して実行する真贋判定の処理内容を設定する。本実施の形態の例では、「誤差累積値同士の比較処理」が、真贋判定の処理内容として設定される。但し、誤差累積値同士の比較処理がデフォルト処理として実行される場合には、この設定は省略しても良い。
次にステップＳＰ３０３においてＣＰＵ３２２は、記憶部３１５から所望の期待値データ９０３を読み出す。本実施の形態の例では、真贋判定の処理内容が「期間Ｐ３を対象とする誤差累積値同士の比較処理」に設定されているため、期間Ｐ３に関する基準電流値パターンと許容誤差累積値を示すデータとが、所望の期待値データ９０３として記憶部３１５から読み出される。期間Ｐ３に関する許容誤差累積値は、期間Ｐ３に含まれる総数Ｎ個の測定ポイント（つまり総数Ｎ個の基準電流値）の各々に対して設定されている許容誤差値Ｚの、Ｎ個の総和である。許容誤差値Ｚは、期間Ｐ３に関する消費電流値の分布態様等に応じて、基準電流値に対してプラスマイナス数％からプラスマイナス数１０％の範囲内で最適な値が予め設定されている。
読み出された期待値データ９０３は、暗号化された状態で、ＳｏＣ３１１の復号器３２３に入力される。復号器３２３は、暗号化されている期待値データ９０３を復号化する。復号化された期待値データ９０３は、期待値格納メモリ３２４に格納される。本実施の形態の例では、期間Ｐ３に関する基準電流値パターンと許容誤差累積値を示すデータとが、期待値格納メモリ３２４に格納される。
期間Ｐ３が開始されると、次にステップＳＰ３０４においてＣＰＵ３２２は、ＡＤＣ３２６を駆動する。電源ＶＣＣ３からＳｏＣ３１１への電源供給が開始されたことにより、抵抗素子Ｒに電流が流れる。電流値測定回路３１３は、抵抗素子Ｒの両端電圧を所定のサンプリング周波数（例えば１ＭＨｚ〜数ＭＨｚ）でサンプリングすることによって、電源ＶＣＣ３からＳｏＣ３１１へ流れる電流の電流値を実測する。実測された電流値は、図示しないプリアンプによって増幅された後、ＡＤＣ３２６によってＡＤ変換され、その後、電流値取得部３５２によってＣＰＵ３２２に順次入力される。なお、ＡＤＣ３２６によるＡＤ変換よりも前にプリアンプによって実測電流値を増幅する上記の構成に代えて、ＡＤＣ３２６によるＡＤ変換よりも後に乗算器によって実測電流値を増幅する構成を採用しても良い。
また、累積誤差算出部３５３は、期間Ｐ３に関する基準電流値パターンを期待値格納メモリ３２４から読み出して取得する。
次にステップＳＰ３０５においてＣＰＵ３２２（累積誤差算出部３５３）は、電流値取得部３５２によって順次取得されたＮ個の実測電流値Ｙと、期待値格納メモリ３２４から読み出した基準電流値パターンを構成するＮ個の基準電流値Ｘとに基づいて、各測定ポイントにおける両電流値の差分の絶対値をＮ個の測定ポイントに関して累積することにより、期間Ｐ３に関する実測誤差累積値を算出する。
次にステップＳＰ３０６においてＣＰＵ３２２（真贋判定部３５４）は、期間Ｐ３に関する許容誤差累積値を示すデータを期待値格納メモリ２５４から読み出して取得する。
次にステップＳＰ３０７においてＣＰＵ３２２（真贋判定部３５４）は、累積誤差算出部３５３によって算出された実測誤差累積値と、期待値格納メモリ３２４から読み出した許容誤差累積値とを比較する。
次にステップＳＰ３０８においてＣＰＵ３２２（真贋判定部３５４）は、実測誤差累積値が許容誤差累積値以下である場合には、ホスト装置２は正規品であると判定して、真贋判定処理を終了する。
一方、実測誤差累積値が許容誤差累積値を超える場合には、真贋判定部３５４は、ホスト装置２は非正規品であると判定して、メモリシステム１の動作を停止するための処理を開始する。例えば、電源制御部３１２に電源供給を停止させるための制御コマンドをＧＰＩＯ３２５にセットすることにより、ホスト装置２からメモリ装置３への電源供給を停止する。
このように本実施の形態に係るホスト装置２（情報処理装置）によれば、真贋判定部３５４は、累積誤差算出部３５３によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に関する第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、ホスト装置２（被判定装置）が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って、実測電流値と基準電流値とを比較する場合と比べて瞬間的異常値に起因する影響を緩和できるため、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して実測電流値と基準電流値とが瞬間的に大きく相違する場合であっても、真贋判定の精度が低下する事態を回避又は抑制することが可能となる。
＜実施の形態４＞
本実施の形態では、メモリ装置３の真贋判定をメモリ装置３自身が実行する態様、つまり、メモリ装置３等の第２の情報処理装置が判定装置かつ被判定装置である態様について説明する。
図２６は、メモリ装置３の構成を簡略化して示す図である。図３に示した構成に対して、電流値測定回路３３３及び認証制御回路３３４が追加されている。メモリコントローラ３３１には、電源ＶＣＣ４（電源供給部）から抵抗素子Ｒを介して駆動電源が供給される。電流値測定回路３３３は、抵抗素子Ｒの両端電圧を測定することにより、電源ＶＣＣ４からメモリコントローラ３３１に流れる電流の電流値を測定する。メモリコア３３２の所定のアドレス領域には、後述する期待値データ９０４が格納されている。期待値データ９０４は、暗号化されていても良いし、暗号化されていなくても良いが、本実施の形態の例では暗号化されているものとする。なお、期待値データ９０４は、メモリコア３３２とは異なる不揮発性メモリに格納されていても良い。
図２７は、認証制御回路３３４の構成を示す図である。図２に示したＳｏＣ１１１と同様に、認証制御回路３３４は、バス３６１を介して相互に接続された、ＣＰＵ３６２、復号器３６３、期待値格納メモリ３６４、ＧＰＩＯ３６５、電源制御部３６６、ＡＤＣ３６７、及び、ＲＯＭ又はＲＡＭ等の記憶部３６８を備えて構成されている。記憶部３６８には、プログラム８０４が格納されている。
図２８は、図２７に示したプログラム８０４をＣＰＵ３６２が実行することによって実現される機能を示す図である。記憶部３６８から読み出したプログラム８０４をＣＰＵ３６２が実行することによって、ＣＰＵ３６２は、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定部３７０として機能する。換言すれば、プログラム８０４は、情報処理装置としてのメモリ装置３に搭載されるコンピュータを、判定部３７０として機能させるためのプログラムである。図２８に示すように判定部３７０は、期間設定部３７１、電流値取得部３７２、累積誤差算出部３７３、及び真贋判定部３７４として機能する。なお、判定部３７０の機能は、ＣＰＵ３６２によるソフトウェア処理によって実現する場合に限らず、専用回路等を用いたハードウェア処理によって実現しても良い。
メモリ装置３の正規品と非正規品とでは、半導体デバイスの構造や製造プロセス等が異なるため、消費電流特性が顕著に相違する。また、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して、メモリ装置３の消費電流特性が瞬間的に大きく変動するという事態を想定する必要もある。本実施の形態に係るメモリ装置３は、メモリ装置３の消費電流値を実測することによって得られた複数の実測電流値と、正規品又は非正規品に関して予め求められた複数の基準電流値との差を累積することによって、実測誤差累積値を算出する。そして、その実測誤差累積値と許容誤差累積値とを比較することによって、自身が正規品であるか非正規品であるかの真贋判定を行う。以下、図面を参照しながら詳細に説明する。
図６に示したように、メモリ装置３の通常動作期間は処理内容に応じて複数の期間Ｐに区分することができる。
正規品のメモリ装置３であれば、実装される半導体デバイスの種類や各デバイスの製造プロセスが厳密に管理されているため、各期間Ｐ１〜Ｐ８におけるメモリ装置３の消費電流特性はほぼ一定である。そこで、各期間Ｐ１〜Ｐ８の消費電流特性を示す情報が工場出荷前に作成されて、暗号化された期待値データ９０４として、メモリコア３３２に格納されている。本実施の形態の例では、期間Ｐ１〜Ｐ８の各々に関する、
・基準電流値パターン及び許容誤差累積値
・消費電流値の最大値、最小値、及び平均値（基準代表値）
・スタンバイ期間における微小な消費電流値（基準電流値）
が、期待値データ９０４としてメモリコア３３２に格納されている。
図２９は、メモリ装置３の動作を説明するためのフローチャートである。メモリ装置３がホスト装置２に接続されると、まずステップＳＰ４０１においてＣＰＵ３６２（期間設定部３７１）は、期間Ｐ１〜Ｐ８の中から、真贋判定の実行対象となる少なくとも一つの判定対象期間（以下「第１の所定期間」と称す）を設定する。期間設定部３７１は、予め定められた規則に従って第１の所定期間を静的に選択することができ、あるいは、真贋判定の累積実行回数やメモリシステム１の稼働状況等に応じて第１の所定期間を動的に選択することができる。本実施の形態では、パワーオン期間である期間Ｐ１が第１の所定期間として設定されたものとする。また、期間設定部３７１は、第１の所定期間に対して実行する真贋判定の処理内容を設定する。本実施の形態では、「誤差累積値同士の比較処理」が、真贋判定の処理内容として設定される。但し、誤差累積値同士の比較処理がデフォルト処理として実行される場合には、この設定は省略しても良い。
次にステップＳＰ４０２においてＣＰＵ３６２は、電源ＶＣＣ４からメモリコントローラ３３１への電源供給を開始する。
次にステップＳＰ４０３においてＣＰＵ３６２は、メモリコア３３２から所望の期待値データ９０４を読み出す。本実施の形態では、真贋判定の処理内容が「期間Ｐ１を対象とする誤差累積値同士の比較処理」に設定されているため、期間Ｐ１に関する基準電流値パターンと許容誤差累積値を示すデータとが、所望の期待値データ９０４としてメモリコア３３２から読み出される。読み出された期待値データ９０４は、暗号化された状態で、認証制御回路３３４に送信される。復号器３６３は、暗号化されている期待値データ９０４を復号化する。復号化された期待値データ９０４は、期待値格納メモリ３６４に格納される。本実施の形態では、期間Ｐ１に関する基準電流値パターンと許容誤差累積値を示すデータとが、期待値格納メモリ３６４に格納される。
パワーオン期間である期間Ｐ１が第１の所定期間として設定されているため、次にステップＳＰ４０４においてＣＰＵ３６２は、電源ＶＣＣ４からメモリコントローラ３３１への電源供給を停止する。
次にステップＳＰ４０５においてＣＰＵ３６２は、電源ＶＣＣ４からメモリコントローラ３３１への電源供給を再開する。これにより、パワーオン期間である期間Ｐ１が開始される。
次にステップＳＰ４０６においてＣＰＵ３６２は、ＡＤＣ３６７を駆動する。電源ＶＣＣ４からメモリコントローラ３３１への電源供給が開始されたことにより、抵抗素子Ｒに電流が流れる。電流値測定回路３３３は、抵抗素子Ｒの両端電圧を所定のサンプリング周波数（例えば１ＭＨｚ〜数ＭＨｚ）でサンプリングすることによって、電源ＶＣＣ４からメモリコントローラ３３１へ流れる電流の電流値を実測する。実測された電流値は、図示しないプリアンプによって増幅された後、ＡＤＣ３６７によってＡＤ変換され、その後、電流値取得部３７２によってＣＰＵ３６２に順次入力される。なお、ＡＤＣ３６７によるＡＤ変換よりも前にプリアンプによって実測電流値を増幅する上記の構成に代えて、ＡＤＣ３６７によるＡＤ変換よりも後に乗算器によって実測電流値を増幅する構成を採用しても良い。
また、累積誤差算出部３７３は、期間Ｐ１に関する基準電流値パターンを期待値格納メモリ３６４から読み出して取得する。
次にステップＳＰ４０７においてＣＰＵ３６２（累積誤差算出部３７３）は、電流値取得部３７２によって順次取得されたＮ個の実測電流値Ｙと、期待値格納メモリ３６４から読み出した基準電流値パターンを構成するＮ個の基準電流値Ｘとに基づいて、各測定ポイントにおける両電流値の差分の絶対値をＮ個の測定ポイントに関して累積することにより、期間Ｐ１に関する実測誤差累積値を算出する。
次にステップＳＰ４０８においてＣＰＵ３６２（真贋判定部３７４）は、期間Ｐ１に関する許容誤差累積値を示すデータを期待値格納メモリ３６４から読み出して取得する。
次にステップＳＰ４０９においてＣＰＵ３６２（真贋判定部３７４）は、累積誤差算出部３７３によって算出された実測誤差累積値と、期待値格納メモリ３６４から読み出した許容誤差累積値とを比較する。真贋判定部３７４は、実測誤差累積値が許容誤差累積値以下である場合には、メモリ装置３は正規品であると判定して、真贋判定処理を終了する。
一方、実測誤差累積値が許容誤差累積値を超える場合には、真贋判定部３７４は、メモリ装置３は非正規品であると判定して、メモリシステム１の動作を停止するための処理を開始する。例えば、電源制御部３６６に電源供給を停止させるための制御コマンドをＧＰＩＯ３６５にセットすることにより、電源ＶＣＣ４からメモリコントローラ３３１への電源供給を停止する。
このように本実施の形態に係るメモリ装置３（情報処理装置）によれば、真贋判定部３７４は、累積誤差算出部３７３によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に関する第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、メモリ装置３（被判定装置）が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って、実測電流値と基準電流値とを比較する場合と比べて瞬間的異常値に起因する影響を緩和できるため、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して実測電流値と基準電流値とが瞬間的に大きく相違する場合であっても、真贋判定の精度が低下する事態を回避又は抑制することが可能となる。
２ ホスト装置
３ メモリ装置
１１１，２１１，３１１ ＳｏＣ
１１２，２５６，３１２，３６６ 電源制御部
１１３，２３３，３１３，３３３ 電流値測定回路
１２２，２５２，３２２，３６２ ＣＰＵ
１３１，２３１，３３１ メモリコントローラ
１５０，２６０，３５０，３７０ 判定部
１５１，２６１，３５１，３７１ 期間設定部
１５２，２６２，３５２，３７２ 電流値取得部
１５３，２６３，３５３，３７３ 累積誤差算出部
１５４，２６４，３５４，３７４ 真贋判定部
２３４，３３４ 認証制御回路
８０１，８０２，８０３，８０４ プログラム
９０１，９０２，９０３，９０４ 期待値データ

Claims (18)

  1. 被判定装置の真贋判定機能を備える情報処理装置であって、
    前記被判定装置に電源を供給する電源供給部と、
    前記電源供給部から前記被判定装置に流れる電流を測定する電流測定部と、
    前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定部と、
    を備え、
    前記判定部は、
    複数の測定ポイントに関して前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得部と、
    前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値と、第１の所定期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた複数の基準電流値とに基づいて、第１の実測誤差累積値を算出する累積誤差算出部と、
    前記累積誤差算出部によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に含まれる複数の測定ポイントの各々に関して設定されている許容誤差値を、当該複数の測定ポイントに関して累積した値である第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定部と、
    を有する、情報処理装置。
  2. 信号処理回路と前記信号処理回路に電源を供給する電源供給部とを有する被判定装置の真贋判定機能を備える情報処理装置であって、
    前記電源供給部から前記信号処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、
    前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定部と、
    を備え、
    前記判定部は、
    複数の測定ポイントに関して前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得部と、
    前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値と、第１の所定期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた複数の基準電流値とに基づいて、第１の実測誤差累積値を算出する累積誤差算出部と、
    前記累積誤差算出部によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に含まれる複数の測定ポイントの各々に関して設定されている許容誤差値を、当該複数の測定ポイントに関して累積した値である第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定部と、
    を有する、情報処理装置。
  3. 自身を被判定装置とする真贋判定機能を備える情報処理装置であって、
    信号処理回路と、
    前記信号処理回路に電源を供給する電源供給部と、
    前記電源供給部から前記信号処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、
    前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定部と、
    を備え、
    前記判定部は、
    複数の測定ポイントに関して前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得部と、
    前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値と、第１の所定期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた複数の基準電流値とに基づいて、第１の実測誤差累積値を算出する累積誤差算出部と、
    前記累積誤差算出部によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に含まれる複数の測定ポイントの各々に関して設定されている許容誤差値を、当該複数の測定ポイントに関して累積した値である第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定部と、
    を有する、情報処理装置。
  4. 第１の許容誤差累積値を設定するにあたり、第１の所定期間に含まれる各測定ポイントに関する許容誤差値は固定値である、請求項１〜３のいずれか一つに記載の情報処理装置。
  5. 第１の許容誤差累積値を設定するにあたり、第１の所定期間に含まれる各測定ポイントに関する許容誤差値は、測定ポイント毎に可変値である、請求項１〜３のいずれか一つに記載の情報処理装置。
  6. 第１の許容誤差累積値を設定するにあたり、第１の所定期間に含まれる各測定ポイントに関する許容誤差値は、所定期間毎に可変値である、請求項１〜３のいずれか一つに記載の情報処理装置。
  7. 前記判定部は、前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値を時系列順に配列することによって、実測電流値パターンを作成するパターン作成部をさらに有し、
    前記真贋判定部は、
    第１判定処理として、第１の所定期間に関して前記パターン作成部によって作成された実測電流値パターンと、第１の所定期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた基準電流値パターンとが一致するか否かによって、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定し、
    第１判定処理において実測電流値パターンと基準電流値パターンとが一致しない場合に、第２判定処理として、第１の実測誤差累積値と第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、請求項１〜６のいずれか一つに記載の情報処理装置。
  8. 前記真贋判定部は、
    第１判定処理において、実測電流値パターンを構成する複数の実測電流値と、基準電流値パターンを構成する複数の基準電流値とを、各比較ポイントにおいてそれぞれ比較し、
    全ての比較ポイントのうち実測電流値と基準電流値とが一致しない比較ポイントの個数又は割合が第１の閾値未満である場合には、実測電流値パターンと基準電流値パターンとは一致すると判定し、この場合には第２判定処理を実行せず、
    全ての比較ポイントのうち実測電流値と基準電流値とが一致しない比較ポイントの個数又は割合が第１の閾値以上第２の閾値未満である場合には、実測電流値パターンと基準電流値パターンとは一致しないと判定し、この場合には第２判定処理を実行し、
    全ての比較ポイントのうち実測電流値と基準電流値とが一致しない比較ポイントの個数又は割合が第２の閾値以上である場合には、実測電流値パターンと基準電流値パターンとは一致しないと判定し、この場合には第２判定処理を実行しない、請求項７に記載の情報処理装置。
  9. 前記真贋判定部はさらに、複数の所定期間のうち第２の所定期間に関して前記累積誤差算出部によって算出された第２の実測誤差累積値と、第２の所定期間に関する第２の許容誤差累積値とを比較し、第１の所定期間及び第２の所定期間の双方の比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、請求項１〜８のいずれか一つに記載の情報処理装置。
  10. 前記判定部は、複数の所定期間の中から第１の所定期間を可変に選択する期間設定部をさらに有する、請求項１〜９のいずれか一つに記載の情報処理装置。
  11. 前記判定部は、複数の所定期間の中から第２の所定期間を可変に選択する期間設定部をさらに有する、請求項９に記載の情報処理装置。
  12. 第１の許容誤差累積値は前記被判定装置内の記憶部に記憶されており、
    前記判定部は、当該記憶部から第１の許容誤差累積値を読み出す、請求項１〜１１のいずれか一つに記載の情報処理装置。
  13. 被判定装置に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記被判定装置に流れる電流を測定する電流測定部と、を備える情報処理装置に搭載されるコンピュータを、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定手段として機能させるためのプログラムであって、
    前記判定手段は、
    複数の測定ポイントに関して前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得手段と、
    前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において前記電流値取得手段によって取得された複数の実測電流値と、第１の所定期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた複数の基準電流値とに基づいて、第１の実測誤差累積値を算出する累積誤差算出手段と、
    前記累積誤差算出手段によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に含まれる複数の測定ポイントの各々に関して設定されている許容誤差値を、当該複数の測定ポイントに関して累積した値である第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定手段と、
    を有する、プログラム。
  14. 信号処理回路と前記信号処理回路に電源を供給する電源供給部とを有する被判定装置の真贋判定機能を備え、前記電源供給部から前記信号処理回路に流れる電流を測定する電流測定部を有する情報処理装置に搭載されるコンピュータを、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定手段として機能させるためのプログラムであって、
    前記判定手段は、
    複数の測定ポイントに関して前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得手段と、
    前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において前記電流値取得手段によって取得された複数の実測電流値と、第１の所定期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた複数の基準電流値とに基づいて、第１の実測誤差累積値を算出する累積誤差算出手段と、
    前記累積誤差算出手段によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に含まれる複数の測定ポイントの各々に関して設定されている許容誤差値を、当該複数の測定ポイントに関して累積した値である第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定手段と、
    を有する、プログラム。
  15. 自身を被判定装置とする真贋判定機能を備え、信号処理回路と、前記信号処理回路に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記信号処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、を有する情報処理装置に搭載されるコンピュータを、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定手段として機能させるためのプログラムであって、
    前記判定手段は、
    複数の測定ポイントに関して前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得手段と、
    前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において前記電流値取得手段によって取得された複数の実測電流値と、第１の所定期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた複数の基準電流値とに基づいて、第１の実測誤差累積値を算出する累積誤差算出手段と、
    前記累積誤差算出手段によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に含まれる複数の測定ポイントの各々に関して設定されている許容誤差値を、当該複数の測定ポイントに関して累積した値である第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定手段と、
    を有する、プログラム。
  16. 被判定装置の真贋判定機能を備え、前記被判定装置に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記被判定装置に流れる電流を測定する電流測定部と、を有する情報処理装置において、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、被判定装置の真贋判定方法であって、
    （Ａ）複数の測定ポイントに関して前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得するステップと、
    （Ｂ）前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において前記ステップ（Ａ）によって取得された複数の実測電流値と、第１の所定期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた複数の基準電流値とに基づいて、第１の実測誤差累積値を算出するステップと、
    （Ｃ）前記ステップ（Ｂ）によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に含まれる複数の測定ポイントの各々に関して設定されている許容誤差値を、当該複数の測定ポイントに関して累積した値である第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定するステップと、
    を備える、被判定装置の真贋判定方法。
  17. 信号処理回路と前記信号処理回路に電源を供給する電源供給部とを有する被判定装置の真贋判定機能を備え、前記電源供給部から前記信号処理回路に流れる電流を測定する電流測定部を有する情報処理装置において、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、被判定装置の真贋判定方法であって、
    （Ａ）複数の測定ポイントに関して前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得するステップと、
    （Ｂ）前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において前記ステップ（Ａ）によって取得された複数の実測電流値と、第１の所定期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた複数の基準電流値とに基づいて、第１の実測誤差累積値を算出するステップと、
    （Ｃ）前記ステップ（Ｂ）によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に含まれる複数の測定ポイントの各々に関して設定されている許容誤差値を、当該複数の測定ポイントに関して累積した値である第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定するステップと、
    を備える、被判定装置の真贋判定方法。
  18. 自身を被判定装置とする真贋判定機能を備え、信号処理回路と、前記信号処理回路に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記信号処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、を有する情報処理装置において、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、被判定装置の真贋判定方法であって、
    （Ａ）複数の測定ポイントに関して前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得するステップと、
    （Ｂ）前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において前記ステップ（Ａ）によって取得された複数の実測電流値と、第１の所定期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた複数の基準電流値とに基づいて、第１の実測誤差累積値を算出するステップと、
    （Ｃ）前記ステップ（Ｂ）によって算出された第１の実測誤差累積値と、第１の所定期間に含まれる複数の測定ポイントの各々に関して設定されている許容誤差値を、当該複数の測定ポイントに関して累積した値である第１の許容誤差累積値との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定するステップと、
    を備える、被判定装置の真贋判定方法。
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