JP6719010B1 - 情報処理装置及び被判定装置の真贋判定方法 - Google Patents

Abstract

【課題】被判定装置の動作環境要素が変動した場合であっても、被判定装置の真贋判定を高精度に実行することが可能な、情報処理装置、プログラム及び被判定装置の真贋判定方法を提供する。【解決手段】メモリシステムが有するホスト装置のＣＰＵが実行するプログラムにおいて、真贋判定部１５５は、被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間に関してパターン作成部１５３によって作成された第１の実測電流値パターンと、第１の所定期間に関して予め作成された第１の基準電流値パターンとの、パターン比較部１５４による比較結果に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。基準電流値パターンは、被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成される。【選択図】図４

Description

本発明は、情報処理装置及び被判定装置の真贋判定方法に関する。

下記特許文献１には、情報処理装置とそれに接続されたメモリ装置とを備えるメモリシステムにおいて、情報処理装置からメモリ装置に流れる消費電流を測定し、当該消費電流の単位時間あたりの変化量を消費電流の変化率として算出し、上記メモリ装置に関して作成された消費電流の変化率パターンと、正規品に関する消費電流の変化率パターンとを比較することにより、上記メモリ装置が正規品であるか否かを判定するメモリシステムが開示されている。

特許第６０６８８７８号公報

しかし、上記特許文献１に開示されたメモリシステムによると、周辺温度や電源電圧等のメモリ装置の動作環境要素が変動すると、メモリ装置の消費電流も変動するため、判定精度が低下するという問題がある。

また、上記特許文献１には、ホスト装置によってメモリ装置の真贋判定を実行する態様についてのみ開示されている。しかし、不正使用の態様としては、非正規品のメモリ装置が使用される場合に限らず、正規品のメモリ装置に格納されたコンテンツデータを不正コピー等する目的で、非正規品のホスト装置が使用される場合もある。従って、不正コピー等からコンテンツデータを適切に保護するためには、ホスト装置が非正規品である場合にはメモリシステムの動作を停止させる必要がある。そのためには、メモリ装置において、ホスト装置が正規品であるか否かを判定する機能や、ホスト装置及びメモリ装置の各々において、自身が正規品であるか否かを自ら判定（自己真贋判定）する機能が望まれる。

本発明はかかる事情に鑑みて成されたものであり、被判定装置の動作環境要素が変動した場合であっても、被判定装置の真贋判定を高精度に実行することが可能な、情報処理装置及び被判定装置の真贋判定方法を得ることを目的とするものである。

本発明の第１の態様に係る情報処理装置は、被判定装置の真贋判定機能を備える情報処理装置であって、前記被判定装置に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記被判定装置に流れる電流を測定する電流測定部と、複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得部と、前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値情報を作成する実測電流値情報作成部と、前記実測電流値情報作成部によって作成された実測電流値情報と、正規品又は非正規品に関して予め作成された基準電流値情報とを比較する電流値情報比較部と、前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間に関して前記実測電流値情報作成部によって作成された第１の実測電流値情報と、第１の所定期間に関して予め作成された第１の基準電流値情報との、前記電流値情報比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定部と、を備え、基準電流値情報は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成され、前記実測電流値情報作成部は、前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値を時系列順に配列することにより、実測電流値情報としての実測電流値パターンを作成するパターン作成部を有し、前記電流値情報比較部は、前記パターン作成部によって作成された実測電流値パターンと、基準電流値情報としての基準電流値パターンとを比較するパターン比較部を有し、基準電流値パターンは、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値パターンに基づいて作成され、前記真贋判定部は、第１の所定期間に関する第１の実測電流値パターンと第１の基準電流値パターンとの前記パターン比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定し、基準電流値パターンは、期待値パターンと、当該期待値パターンに対する高域側許容誤差及び低域側許容誤差とによって規定され、期待値パターンは、標準域電流値パターンに基づいて設定され、高域側許容誤差は、高域電流値パターンと標準域電流値パターンとの差に基づいて設定され、低域側許容誤差は、低域電流値パターンと標準域電流値パターンとの差に基づいて設定されることを特徴とするものである。

第１の態様に係る情報処理装置によれば、基準電流値情報は、被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成される。従って、被判定装置の動作環境要素が変動した場合であっても、その変動は基準電流値情報に反映されているため、被判定装置の真贋判定を高精度に実行することが可能となる。
また、第１の態様に係る情報処理装置によれば、真贋判定部は、第１の所定期間に関する第１の実測電流値パターンと第１の基準電流値パターンとのパターン比較部による比較結果に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。非正規品は粗悪品であることが多いため、非正規品の消費電流の絶対値は正規品のそれより大きい場合が多い。第１の態様に係る情報処理装置によれば、真贋判定部は、消費電流の変化率パターンではなく実測電流値パターンと基準電流値パターンとを比較するため、たとえ正規品と非正規品とで消費電流の変化率パターンが近似している場合であっても、被判定装置の真贋判定を高精度に実行することが可能となる。
また、第１の態様に係る情報処理装置によれば、高域側許容誤差は、高域電流値パターンと標準域電流値パターンとの差に基づいて設定され、低域側許容誤差は、低域電流値パターンと標準域電流値パターンとの差に基づいて設定される。従って、高域側許容誤差と低域側許容誤差との合計許容誤差を必要最小限に抑制できるため、被判定装置の真贋判定精度をより向上することが可能となる。電流値の変化が比較的大きい期間を判定対象期間として設定する場合に、特に有効となる。
本発明の第２の態様に係る情報処理装置は、被判定装置の真贋判定機能を備える情報処理装置であって、前記被判定装置に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記被判定装置に流れる電流を測定する電流測定部と、複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得部と、前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値情報を作成する実測電流値情報作成部と、前記実測電流値情報作成部によって作成された実測電流値情報と、正規品又は非正規品に関して予め作成された基準電流値情報とを比較する電流値情報比較部と、前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間に関して前記実測電流値情報作成部によって作成された第１の実測電流値情報と、第１の所定期間に関して予め作成された第１の基準電流値情報との、前記電流値情報比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定部と、を備え、基準電流値情報は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成され、前記実測電流値情報作成部は、前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値を時系列順に配列することにより、実測電流値情報としての実測電流値パターンを作成するパターン作成部を有し、前記電流値情報比較部は、前記パターン作成部によって作成された実測電流値パターンと、基準電流値情報としての基準電流値パターンとを比較するパターン比較部を有し、基準電流値パターンは、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値パターンに基づいて作成され、前記真贋判定部は、第１の所定期間に関する第１の実測電流値パターンと第１の基準電流値パターンとの前記パターン比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定し、基準電流値パターンは、期待値パターンと、当該期待値パターンに対する高域側許容誤差及び低域側許容誤差とによって規定され、期待値パターンは、標準域電流値パターン、高域電流値パターン、及び低域電流値パターンの平均に基づいて設定され、高域側許容誤差は、高域電流値パターンと期待値パターンとの差に基づいて設定され、低域側許容誤差は、低域電流値パターンと期待値パターンとの差に基づいて設定されることを特徴とするものである。
第２の態様に係る情報処理装置によれば、基準電流値情報は、被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成される。従って、被判定装置の動作環境要素が変動した場合であっても、その変動は基準電流値情報に反映されているため、被判定装置の真贋判定を高精度に実行することが可能となる。
また、第２の態様に係る情報処理装置によれば、真贋判定部は、第１の所定期間に関する第１の実測電流値パターンと第１の基準電流値パターンとのパターン比較部による比較結果に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。非正規品は粗悪品であることが多いため、非正規品の消費電流の絶対値は正規品のそれより大きい場合が多い。第２の態様に係る情報処理装置によれば、真贋判定部は、消費電流の変化率パターンではなく実測電流値パターンと基準電流値パターンとを比較するため、たとえ正規品と非正規品とで消費電流の変化率パターンが近似している場合であっても、被判定装置の真贋判定を高精度に実行することが可能となる。
また、第２の態様に係る情報処理装置によれば、期待値パターンは、標準域電流値パターン、高域電流値パターン、及び低域電流値パターンの平均に基づいて設定される。従って、標準域電流値パターンをそのまま期待値パターンとして設定する場合と比較して、高域側許容誤差と低域側許容誤差との差を小さくできるため、被判定装置の真贋判定精度を向上することが可能となる。しかも、高域側許容誤差は、高域電流値パターンと期待値パターンとの差に基づいて設定され、低域側許容誤差は、低域電流値パターンと期待値パターンとの差に基づいて設定される。従って、高域側許容誤差と低域側許容誤差との合計許容誤差を必要最小限に抑制できるため、被判定装置の真贋判定精度をより向上することが可能となる。電流値の変化が比較的大きい期間を判定対象期間として設定する場合に、特に有効となる。

本発明の第３の態様に係る情報処理装置は、信号処理回路と前記信号処理回路に電源を供給する電源供給部とを有する被判定装置の真贋判定機能を備える情報処理装置であって、前記電源供給部から前記信号処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得部と、前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値情報を作成する実測電流値情報作成部と、前記実測電流値情報作成部によって作成された実測電流値情報と、正規品又は非正規品に関して予め作成された基準電流値情報とを比較する電流値情報比較部と、前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間に関して前記実測電流値情報作成部によって作成された第１の実測電流値情報と、第１の所定期間に関して予め作成された第１の基準電流値情報との、前記電流値情報比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定部と、を備え、基準電流値情報は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成されることを特徴とするものである。

第３の態様に係る情報処理装置によれば、基準電流値情報は、被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成される。従って、被判定装置の動作環境要素が変動した場合であっても、その変動は基準電流値情報に反映されているため、被判定装置の真贋判定を高精度に実行することが可能となる。

本発明の第４の態様に係る情報処理装置は、自身を被判定装置とする真贋判定機能を備える情報処理装置であって、信号処理回路と、前記信号処理回路に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記信号処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得部と、前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値情報を作成する実測電流値情報作成部と、前記実測電流値情報作成部によって作成された実測電流値情報と、正規品又は非正規品に関して予め作成された基準電流値情報とを比較する電流値情報比較部と、前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間に関して前記実測電流値情報作成部によって作成された第１の実測電流値情報と、第１の所定期間に関して予め作成された第１の基準電流値情報との、前記電流値情報比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定部と、を備え、基準電流値情報は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成されることを特徴とするものである。

第４の態様に係る情報処理装置によれば、基準電流値情報は、被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成される。従って、被判定装置の動作環境要素が変動した場合であっても、その変動は基準電流値情報に反映されているため、被判定装置の真贋判定を高精度に実行することが可能となる。

本発明の第５の態様に係る情報処理装置は、第３又は第４の態様に係る情報処理装置において特に、前記実測電流値情報作成部は、前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値を時系列順に配列することにより、実測電流値情報としての実測電流値パターンを作成するパターン作成部を有し、前記電流値情報比較部は、前記パターン作成部によって作成された実測電流値パターンと、基準電流値情報としての基準電流値パターンとを比較するパターン比較部を有し、基準電流値パターンは、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値パターンに基づいて作成され、前記真贋判定部は、第１の所定期間に関する第１の実測電流値パターンと第１の基準電流値パターンとの前記パターン比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。

第５の態様に係る情報処理装置によれば、真贋判定部は、第１の所定期間に関する第１の実測電流値パターンと第１の基準電流値パターンとのパターン比較部による比較結果に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。非正規品は粗悪品であることが多いため、非正規品の消費電流の絶対値は正規品のそれより大きい場合が多い。第５の態様に係る情報処理装置によれば、真贋判定部は、消費電流の変化率パターンではなく実測電流値パターンと基準電流値パターンとを比較するため、たとえ正規品と非正規品とで消費電流の変化率パターンが近似している場合であっても、被判定装置の真贋判定を高精度に実行することが可能となる。

本発明の第６の態様に係る情報処理装置は、第５の態様に係る情報処理装置において特に、基準電流値パターンは、期待値パターンと、当該期待値パターンに対する許容誤差とによって規定されることを特徴とするものである。

第６の態様に係る情報処理装置によれば、基準電流値パターンは、期待値パターンと、当該期待値パターンに対する許容誤差とによって規定される。従って、個体差やノイズ等に起因して正規品の実測電流値パターンが期待値パターンからわずかにずれた場合であっても、そのような正規品が誤って非正規品と判定される事態を回避することができる。

本発明の第７の態様に係る情報処理装置は、第５又は第６の態様に係る情報処理装置において特に、基準電流値パターンは、動作環境要素毎に作成された複数の基準電流値パターンを含むことを特徴とするものである。

第７の態様に係る情報処理装置によれば、基準電流値パターンは、動作環境要素毎に作成された複数の基準電流値パターンを含む。従って、複数の基準電流値パターンの各々においては、高域側許容誤差と低域側許容誤差との合計許容誤差を必要最小限に抑制できるため、被判定装置の真贋判定精度をより向上することが可能となる。電流値の変化が比較的大きい期間を判定対象期間として設定する場合に、特に有効となる。

本発明の第８の態様に係る情報処理装置は、第７の態様に係る情報処理装置において特に、複数の基準電流値パターンに関して、同一の許容誤差が設定されることを特徴とするものである。

第８の態様に係る情報処理装置によれば、複数の基準電流値パターンに関して同一の許容誤差が設定される。従って、複数の基準電流値パターンの各々に対して個別に許容誤差が設定される場合と比較すると、基準電流値パターンの実装コストを削減することが可能となる。

本発明の第９の態様に係る情報処理装置は、第７の態様に係る情報処理装置において特に、複数の基準電流値パターンには、異なる許容誤差が設定された少なくとも二つの基準電流値パターンが含まれることを特徴とするものである。

第９の態様に係る情報処理装置によれば、複数の基準電流値パターンには、異なる許容誤差が設定された少なくとも二つの基準電流値パターンが含まれる。従って、複数の基準電流値パターンの各々に対して個別に許容誤差を設定することによって、各々の許容誤差を最小限に抑えることができるため、被判定装置の真贋判定精度を向上することが可能となる。

本発明の第１０の態様に係る情報処理装置は、第５又は第６の態様に係る情報処理装置において特に、基準電流値パターンは、期待値パターンと、当該期待値パターンに対する高域側許容誤差及び低域側許容誤差とによって規定され、期待値パターンは、標準域電流値パターンに基づいて設定され、高域側許容誤差は、高域電流値パターンと標準域電流値パターンとの差に基づいて設定され、低域側許容誤差は、低域電流値パターンと標準域電流値パターンとの差に基づいて設定されることを特徴とするものである。

第１０の態様に係る情報処理装置によれば、高域側許容誤差は、高域電流値パターンと標準域電流値パターンとの差に基づいて設定され、低域側許容誤差は、低域電流値パターンと標準域電流値パターンとの差に基づいて設定される。従って、高域側許容誤差と低域側許容誤差との合計許容誤差を必要最小限に抑制できるため、被判定装置の真贋判定精度をより向上することが可能となる。電流値の変化が比較的大きい期間を判定対象期間として設定する場合に、特に有効となる。

本発明の第１１の態様に係る情報処理装置は、第５又は第６の態様に係る情報処理装置において特に、基準電流値パターンは、期待値パターンと、当該期待値パターンに対する高域側許容誤差及び低域側許容誤差とによって規定され、期待値パターンは、標準域電流値パターン、高域電流値パターン、及び低域電流値パターンの平均に基づいて設定され、高域側許容誤差は、高域電流値パターンと期待値パターンとの差に基づいて設定され、低域側許容誤差は、低域電流値パターンと期待値パターンとの差に基づいて設定されることを特徴とするものである。

第１１の態様に係る情報処理装置によれば、期待値パターンは、標準域電流値パターン、高域電流値パターン、及び低域電流値パターンの平均に基づいて設定される。従って、標準域電流値パターンをそのまま期待値パターンとして設定する場合と比較して、高域側許容誤差と低域側許容誤差との差を小さくできるため、被判定装置の真贋判定精度を向上することが可能となる。しかも、高域側許容誤差は、高域電流値パターンと期待値パターンとの差に基づいて設定され、低域側許容誤差は、低域電流値パターンと期待値パターンとの差に基づいて設定される。従って、高域側許容誤差と低域側許容誤差との合計許容誤差を必要最小限に抑制できるため、被判定装置の真贋判定精度をより向上することが可能となる。電流値の変化が比較的大きい期間を判定対象期間として設定する場合に、特に有効となる。

本発明の第１２の態様に係る情報処理装置は、第５又は第６の態様に係る情報処理装置において特に、基準電流値パターンは、期待値パターンと、当該期待値パターンに対する高域側許容誤差及び低域側許容誤差とによって規定され、期待値パターンは、標準域電流値パターン、高域電流値パターン、及び低域電流値パターンの平均に基づいて設定され、高域側許容誤差及び低域側許容誤差は、高域電流値パターン及び低域電流値パターンのうち期待値パターンとの差が大きいものと、期待値パターンとの差に基づいて、等しく設定されることを特徴とするものである。

第１２の態様に係る情報処理装置によれば、期待値パターンは、標準域電流値パターン、高域電流値パターン、及び低域電流値パターンの平均に基づいて設定される。従って、標準域電流値パターンをそのまま期待値パターンとして設定する場合と比較して、高域側許容誤差と低域側許容誤差との差を小さくできるため、被判定装置の真贋判定精度を向上することが可能となる。しかも、高域側許容誤差及び低域側許容誤差は等しい値に設定されるため、高域側許容誤差及び低域側許容誤差を個別の値に設定する場合と比較して、基準電流値パターンの実装コストを削減することが可能となる。電流値の変化が比較的小さい期間を判定対象期間として設定する場合に、特に有効となる。

本発明の第１３の態様に係る情報処理装置は、第５又は第６の態様に係る情報処理装置において特に、基準電流値パターンは、期待値パターンと、当該期待値パターンに対する高域側許容誤差及び低域側許容誤差とによって規定され、期待値パターンは、高域電流値パターンと低域電流値パターンとの平均に基づいて設定され、高域側許容誤差及び低域側許容誤差は、高域電流値パターン又は低域電流値パターンと、期待値パターンとの差に基づいて、等しく設定されることを特徴とするものである。

第１３の態様に係る情報処理装置によれば、期待値パターンは、高域電流値パターンと低域電流値パターンとの平均に基づいて設定される。従って、標準域電流値パターンをそのまま期待値パターンとして設定する場合と比較して、高域側許容誤差と低域側許容誤差との差を小さくできるため、被判定装置の真贋判定精度を向上することが可能となる。しかも、高域側許容誤差及び低域側許容誤差は等しい値に設定されるため、高域側許容誤差及び低域側許容誤差を個別の値に設定する場合と比較して、基準電流値パターンの実装コストを削減することが可能となる。電流値の変化が比較的小さい期間を判定対象期間として設定する場合に、特に有効となる。

本発明の第１４の態様に係る情報処理装置は、第１、第２、第５〜第１３のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、前記実測電流値情報作成部は、前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測拡散値を算出する拡散値算出部をさらに有し、前記電流値情報比較部は、前記拡散値算出部によって算出された実測拡散値と、正規品又は非正規品を対象として予め求められた基準拡散値とを比較する拡散値比較部をさらに有し、基準拡散値は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値パターンに基づいて求められ、前記真贋判定部は、第１判定処理として、第１の実測電流値パターンと第１の基準電流値パターンとの前記パターン比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定し、第１判定処理において第１の実測電流値パターンと第１の基準電流値パターンとが一致しない場合に、第２判定処理として、第１の所定期間に関して前記拡散値算出部によって算出された第１の実測拡散値と、第１の所定期間に関して予め求められた第１の基準拡散値との、前記拡散値比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。

第１４の態様に係る情報処理装置によれば、実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較による第１判定処理と、実測拡散値と基準拡散値との比較による第２判定処理との二段階の判定処理を行うことにより、いずれか一方の判定処理のみを行う場合と比較して、真贋判定精度を向上することが可能となる。特に、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して実測電流値パターンと基準電流値パターンとが瞬間的に大きく相違したことが原因で第１判定処理において非正規品と判定された正規品を、第２判定処理において救済することが可能となる。

本発明の第１５の態様に係る情報処理装置は、第１、第２、第５〜第１４のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、前記パターン比較部は、実測電流値パターンを構成する複数の実測電流値と、基準電流値パターンを構成する複数の基準電流値とをそれぞれ比較し、前記真贋判定部は、第１の所定期間に関する全ての実測電流値が、対応する基準電流値と一致しているか否かによって、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。

第１５の態様に係る情報処理装置によれば、真贋判定部は、第１の所定期間に関する全ての実測電流値が、対応する基準電流値と一致しているか否かによって、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って例えば、非正規品が、実測電流値パターンの一部において正規品のそれと異なる場合であっても、そのような非正規品を高精度に排除することが可能となる。

本発明の第１６の態様に係る情報処理装置は、第１、第２、第５〜第１４のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、前記パターン比較部は、実測電流値パターンを構成する複数の実測電流値と、基準電流値パターンを構成する複数の基準電流値とをそれぞれ比較し、前記真贋判定部は、第１の所定期間に関する全ての実測電流値のうち、対応する基準電流値と一致する実測電流値の割合が第１のしきい値以上であるか否かによって、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。

第１６の態様に係る情報処理装置によれば、真贋判定部は、第１の所定期間に関する全ての実測電流値のうち、対応する基準電流値と一致する実測電流値の割合が第１のしきい値以上であるか否かによって、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って例えば、突発的なノイズ等に起因して正規品の実測電流値が瞬間的に増減した場合であっても、正規品が誤って非正規品と判定される事態を回避することが可能となる。

本発明の第１７の態様に係る情報処理装置は、第１、第２、第５〜第１６のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、前記パターン作成部による実測電流値パターンの作成処理、及び、前記パターン比較部による実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較処理は、Ｎ回（Ｎは複数）実行され、前記真贋判定部は、前記パターン比較部によるＮ回の比較処理のうち、実測電流値パターンが基準電流値パターンに一致していると判定された割合が第２のしきい値以上であるか否かによって、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。

第１７の態様に係る情報処理装置によれば、真贋判定部は、パターン作成部による実測電流値パターンの作成処理、及び、パターン比較部による実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較処理を複数Ｎ回実行し、パターン比較部によるＮ回の比較処理のうち、実測電流値パターンが基準電流値パターンに一致していると判定された割合が第２のしきい値以上であるか否かによって、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。このように、パターン作成部及びパターン比較部による一連の処理を複数Ｎ回繰り返して実行し、パターン比較部によるＮ回の比較結果に基づいて被判定装置の真贋判定を行うことにより、判定精度を向上することが可能となる。

本発明の第１８の態様に係る情報処理装置は、第１、第２、第５〜第１７のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、前記真贋判定部はさらに、複数の所定期間のうち第２の所定期間に関して前記パターン作成部によって作成された第２の実測電流値パターンと、第２の所定期間に関して予め求められた第２の基準電流値パターンとの、前記パターン比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。

第１８の態様に係る情報処理装置によれば、真贋判定部はさらに、複数の所定期間のうち第２の所定期間に関してパターン作成部によって作成された第２の実測電流値パターンと、第２の所定期間に関して予め求められた第２の基準電流値パターンとの、パターン比較部による比較結果に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。このように、第１の所定期間のみならず第２の所定期間に関しても実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較を行うことにより、第１の所定期間及び第２の所定期間の双方の比較結果に基づいて被判定装置の真贋判定を行うことができるため、判定精度をより向上することが可能となる。

本発明の第１９の態様に係る情報処理装置は、第１、第２、第５〜第１８のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、基準電流値パターンは前記被判定装置の記憶部に記憶されていることを特徴とするものである。

第１９の態様に係る情報処理装置によれば、基準電流値パターンは被判定装置の記憶部に記憶されている。被判定装置の基準電流値パターンは、デバイスの構造や製造プロセス等に依存するため、デバイス毎に異なる。従って、ある被判定装置に関して求めた基準電流値パターンを、その被判定装置の記憶部に記憶しておくことにより、デバイス毎に異なる基準電流値パターンを簡易に管理することが可能となる。

本発明の第２０の態様に係る情報処理装置は、第３又は第４の態様に係る情報処理装置において特に、前記実測電流値情報作成部は、前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値情報としての実測拡散値を算出する拡散値算出部を有し、前記電流値情報比較部は、前記拡散値算出部によって算出された実測拡散値と、基準電流値情報としての基準拡散値とを比較する拡散値比較部を有し、基準拡散値は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の基準電流値に基づいて求められ、前記真贋判定部は、第１の所定期間に関する第１の実測拡散値と第１の基準拡散値との前記拡散値比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。
第２０の態様に係る情報処理装置によれば、真贋判定部は、第１の所定期間に関する第１の実測拡散値と第１の基準拡散値との拡散値比較部による比較結果に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って、実測電流値と基準電流値とを比較する場合と比較して、瞬間的異常値に起因する影響を緩和できるため、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して実測電流値と基準電流値とが瞬間的に大きく相違する場合であっても、真贋判定の精度が低下する事態を回避又は抑制することが可能となる。
本発明の第２１の態様に係る情報処理装置は、被判定装置の真贋判定機能を備える情報処理装置であって、前記被判定装置に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記被判定装置に流れる電流を測定する電流測定部と、複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得部と、前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値情報を作成する実測電流値情報作成部と、前記実測電流値情報作成部によって作成された実測電流値情報と、正規品又は非正規品に関して予め作成された基準電流値情報とを比較する電流値情報比較部と、前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間に関して前記実測電流値情報作成部によって作成された第１の実測電流値情報と、第１の所定期間に関して予め作成された第１の基準電流値情報との、前記電流値情報比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定部と、を備え、基準電流値情報は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成され、前記実測電流値情報作成部は、前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値情報としての実測拡散値を算出する拡散値算出部を有し、前記電流値情報比較部は、前記拡散値算出部によって算出された実測拡散値と、基準電流値情報としての基準拡散値とを比較する拡散値比較部を有し、基準拡散値は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の基準電流値に基づいて求められ、前記真贋判定部は、第１の所定期間に関する第１の実測拡散値と第１の基準拡散値との前記拡散値比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。

第２１の態様に係る情報処理装置によれば、基準電流値情報は、被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成される。従って、被判定装置の動作環境要素が変動した場合であっても、その変動は基準電流値情報に反映されているため、被判定装置の真贋判定を高精度に実行することが可能となる。
また、第２１の態様に係る情報処理装置によれば、真贋判定部は、第１の所定期間に関する第１の実測拡散値と第１の基準拡散値との拡散値比較部による比較結果に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って、実測電流値と基準電流値とを比較する場合と比較して、瞬間的異常値に起因する影響を緩和できるため、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して実測電流値と基準電流値とが瞬間的に大きく相違する場合であっても、真贋判定の精度が低下する事態を回避又は抑制することが可能となる。

本発明の第２２の態様に係る情報処理装置は、第２０又は第２１の態様に係る情報処理装置において特に、実測拡散値及び基準拡散値は、分散又は標準偏差であることを特徴とするものである。

第２２の態様に係る情報処理装置によれば、拡散値として分散又は標準偏差を用いることにより、電流値のばらつき度合いが簡易かつ適切に表された拡散値を得ることができる。

本発明の第２３の態様に係る情報処理装置は、第２０〜第２２のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、標準域の複数の基準電流値と、高域の複数の基準電流値と、低域の複数の基準電流値とに基づいて、全域に共通する基準拡散値が設定されることを特徴とするものである。

第２３の態様に係る情報処理装置によれば、全域に共通する基準拡散値が設定されるため、基準拡散値の実装コストを削減することが可能となる。電流値の変化が比較的小さい期間を判定対象期間として設定する場合に、特に有効となる。

本発明の第２４の態様に係る情報処理装置は、第２０〜第２２のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、標準域の複数の基準電流値に基づいて、標準域に関する基準拡散値が設定され、高域の複数の基準電流値に基づいて、高域に関する基準拡散値が設定され、低域の複数の基準電流値に基づいて、低域に関する基準拡散値が設定されることを特徴とするものである。

第２４の態様に係る情報処理装置によれば、標準域の複数の基準電流値に基づいて、標準域に関する基準拡散値が設定され、高域の複数の基準電流値に基づいて、高域に関する基準拡散値が設定され、低域の複数の基準電流値に基づいて、低域に関する基準拡散値が設定される。従って、標準域、高域、及び低域の各々に関して個別に基準拡散値を設定できるため、被判定装置の真贋判定精度をより向上することが可能となる。電流値の変化が比較的大きい期間を判定対象期間として設定する場合に、特に有効となる。

本発明の第２５の態様に係る情報処理装置は、第２０〜第２４のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、前記真贋判定部はさらに、複数の所定期間のうち第２の所定期間に関して前記拡散値算出部によって算出された第２の実測拡散値と、第２の所定期間に関して予め求められた第２の基準拡散値との、前記拡散値比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。

第２５の態様に係る情報処理装置によれば、真贋判定部はさらに、複数の所定期間のうち第２の所定期間に関して拡散値算出部によって算出された第２の実測拡散値と、第２の所定期間に関して予め求められた第２の基準拡散値との、拡散値比較部による比較結果に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。このように、第１の所定期間のみならず第２の所定期間に関しても実測拡散値と基準拡散値との比較を行うことにより、第１の所定期間及び第２の所定期間の双方の比較結果に基づいて被判定装置の真贋判定を行うことができるため、判定精度をより向上することが可能となる。

本発明の第２６の態様に係る情報処理装置は、第１、第２、第５〜第２５のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、複数の所定期間の中から第１の所定期間を可変に設定する期間設定部をさらに備えることを特徴とするものである。

第２６の態様に係る情報処理装置によれば、期間設定部は、複数の所定期間の中から第１の所定期間を可変に設定する。従って、被判定装置の真贋判定を実行する対象となる第１の所定期間を期間設定部によって静的又は動的に変更できるため、第三者による判定アルゴリズムの解析をより困難化することが可能となる。

本発明の第２７の態様に係る情報処理装置は、第１８又は第２５の態様に係る情報処理装置において特に、複数の所定期間の中から第２の所定期間を可変に設定する期間設定部をさらに備えることを特徴とするものである。

第２７の態様に係る情報処理装置によれば、期間設定部は、複数の所定期間の中から第２の所定期間を可変に設定する。従って、被判定装置の真贋判定を実行する対象となる第２の所定期間を期間設定部によって静的又は動的に変更できるため、第三者による判定アルゴリズムの解析をより困難化することが可能となる。

本発明の第２８の態様に係る被判定装置の真贋判定方法は、被判定装置の真贋判定機能を備え、前記被判定装置に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記被判定装置に流れる電流を測定する電流測定部と、を有する情報処理装置において、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、被判定装置の真贋判定方法であって、（Ａ）前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において、複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得するステップと、（Ｂ）前記ステップ（Ａ）によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値情報を作成するステップと、（Ｃ）前記ステップ（Ｂ）によって作成された第１の実測電流値情報と、正規品又は非正規品に関して予め作成された第１の基準電流値情報との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定するステップと、を備え、基準電流値情報は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成され、前記ステップ（Ｂ）では、前記ステップ（Ａ）によって取得された複数の実測電流値を時系列順に配列することにより、実測電流値情報としての実測電流値パターンが作成され、前記ステップ（Ｃ）では、前記ステップ（Ｂ）によって作成された実測電流値パターンと、基準電流値情報としての基準電流値パターンとが比較され、基準電流値パターンは、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値パターンに基づいて作成され、前記ステップ（Ｃ）では、第１の所定期間に関して前記ステップ（Ｂ）によって作成された第１の実測電流値パターンと、第１の基準電流値パターンとの比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかが判定され、基準電流値パターンは、期待値パターンと、当該期待値パターンに対する高域側許容誤差及び低域側許容誤差とによって規定され、期待値パターンは、標準域電流値パターンに基づいて設定され、高域側許容誤差は、高域電流値パターンと標準域電流値パターンとの差に基づいて設定され、低域側許容誤差は、低域電流値パターンと標準域電流値パターンとの差に基づいて設定されることを特徴とするものである。

第２８の態様に係る被判定装置の真贋判定方法によれば、基準電流値情報は、被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成される。従って、被判定装置の動作環境要素が変動した場合であっても、その変動は基準電流値情報に反映されているため、被判定装置の真贋判定を高精度に実行することが可能となる。
また、第２８の態様に係る被判定装置の真贋判定方法によれば、第１の所定期間に関する第１の実測電流値パターンと第１の基準電流値パターンとのパターン比較部による比較結果に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかが判定される。非正規品は粗悪品であることが多いため、非正規品の消費電流の絶対値は正規品のそれより大きい場合が多い。第２７の態様に係る被判定装置の真贋判定方法によれば、消費電流の変化率パターンではなく実測電流値パターンと基準電流値パターンとが比較されるため、たとえ正規品と非正規品とで消費電流の変化率パターンが近似している場合であっても、被判定装置の真贋判定を高精度に実行することが可能となる。
また、第２８の態様に係る被判定装置の真贋判定方法によれば、高域側許容誤差は、高域電流値パターンと標準域電流値パターンとの差に基づいて設定され、低域側許容誤差は、低域電流値パターンと標準域電流値パターンとの差に基づいて設定される。従って、高域側許容誤差と低域側許容誤差との合計許容誤差を必要最小限に抑制できるため、被判定装置の真贋判定精度をより向上することが可能となる。電流値の変化が比較的大きい期間を判定対象期間として設定する場合に、特に有効となる。
本発明の第２９の態様に係る被判定装置の真贋判定方法は、被判定装置の真贋判定機能を備え、前記被判定装置に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記被判定装置に流れる電流を測定する電流測定部と、を有する情報処理装置において、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、被判定装置の真贋判定方法であって、（Ａ）前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において、複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得するステップと、（Ｂ）前記ステップ（Ａ）によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値情報を作成するステップと、（Ｃ）前記ステップ（Ｂ）によって作成された第１の実測電流値情報と、正規品又は非正規品に関して予め作成された第１の基準電流値情報との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定するステップと、を備え、基準電流値情報は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成され、前記ステップ（Ｂ）では、前記ステップ（Ａ）によって取得された複数の実測電流値を時系列順に配列することにより、実測電流値情報としての実測電流値パターンが作成され、前記ステップ（Ｃ）では、前記ステップ（Ｂ）によって作成された実測電流値パターンと、基準電流値情報としての基準電流値パターンとが比較され、基準電流値パターンは、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値パターンに基づいて作成され、前記ステップ（Ｃ）では、第１の所定期間に関して前記ステップ（Ｂ）によって作成された第１の実測電流値パターンと、第１の基準電流値パターンとの比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかが判定され、基準電流値パターンは、期待値パターンと、当該期待値パターンに対する高域側許容誤差及び低域側許容誤差とによって規定され、期待値パターンは、標準域電流値パターン、高域電流値パターン、及び低域電流値パターンの平均に基づいて設定され、高域側許容誤差は、高域電流値パターンと期待値パターンとの差に基づいて設定され、低域側許容誤差は、低域電流値パターンと期待値パターンとの差に基づいて設定されることを特徴とするものである。
第２９の態様に係る被判定装置の真贋判定方法によれば、基準電流値情報は、被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成される。従って、被判定装置の動作環境要素が変動した場合であっても、その変動は基準電流値情報に反映されているため、被判定装置の真贋判定を高精度に実行することが可能となる。
また、第２９の態様に係る被判定装置の真贋判定方法によれば、第１の所定期間に関する第１の実測電流値パターンと第１の基準電流値パターンとのパターン比較部による比較結果に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかが判定される。非正規品は粗悪品であることが多いため、非正規品の消費電流の絶対値は正規品のそれより大きい場合が多い。第２８の態様に係る被判定装置の真贋判定方法によれば、消費電流の変化率パターンではなく実測電流値パターンと基準電流値パターンとが比較されるため、たとえ正規品と非正規品とで消費電流の変化率パターンが近似している場合であっても、被判定装置の真贋判定を高精度に実行することが可能となる。
また、第２９の態様に係る被判定装置の真贋判定方法によれば、期待値パターンは、標準域電流値パターン、高域電流値パターン、及び低域電流値パターンの平均に基づいて設定される。従って、標準域電流値パターンをそのまま期待値パターンとして設定する場合と比較して、高域側許容誤差と低域側許容誤差との差を小さくできるため、被判定装置の真贋判定精度を向上することが可能となる。しかも、高域側許容誤差は、高域電流値パターンと期待値パターンとの差に基づいて設定され、低域側許容誤差は、低域電流値パターンと期待値パターンとの差に基づいて設定される。従って、高域側許容誤差と低域側許容誤差との合計許容誤差を必要最小限に抑制できるため、被判定装置の真贋判定精度をより向上することが可能となる。電流値の変化が比較的大きい期間を判定対象期間として設定する場合に、特に有効となる。
本発明の第３０の態様に係る被判定装置の真贋判定方法は、被判定装置の真贋判定機能を備え、前記被判定装置に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記被判定装置に流れる電流を測定する電流測定部と、を有する情報処理装置において、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、被判定装置の真贋判定方法であって、（Ａ）前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において、複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得するステップと、（Ｂ）前記ステップ（Ａ）によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値情報を作成するステップと、（Ｃ）前記ステップ（Ｂ）によって作成された第１の実測電流値情報と、正規品又は非正規品に関して予め作成された第１の基準電流値情報との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定するステップと、を備え、基準電流値情報は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成され、前記ステップ（Ｂ）では、前記ステップ（Ａ）によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値情報としての実測拡散値が算出され、前記ステップ（Ｃ）では、前記ステップ（Ｂ）によって算出された実測拡散値と、基準電流値情報としての基準拡散値とが比較され、基準拡散値は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の基準電流値に基づいて求められ、前記ステップ（Ｃ）では、第１の所定期間に関する第１の実測拡散値と第１の基準拡散値との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかが判定されることを特徴とするものである。
第３０の態様に係る被判定装置の真贋判定方法によれば、基準電流値情報は、被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成される。従って、被判定装置の動作環境要素が変動した場合であっても、その変動は基準電流値情報に反映されているため、被判定装置の真贋判定を高精度に実行することが可能となる。
また、第３０の態様に係る被判定装置の真贋判定方法によれば、第１の所定期間に関する第１の実測拡散値と第１の基準拡散値との比較結果に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかが判定される。従って、実測電流値と基準電流値とを比較する場合と比較して、瞬間的異常値に起因する影響を緩和できるため、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して実測電流値と基準電流値とが瞬間的に大きく相違する場合であっても、真贋判定の精度が低下する事態を回避又は抑制することが可能となる。

本発明の第３１の態様に係る被判定装置の真贋判定方法は、信号処理回路と前記信号処理回路に電源を供給する電源供給部とを有する被判定装置の真贋判定機能を備え、前記電源供給部から前記信号処理回路に流れる電流を測定する電流測定部を有する情報処理装置において、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、被判定装置の真贋判定方法であって、（Ａ）前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において、複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得するステップと、（Ｂ）前記ステップ（Ａ）によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値情報を作成するステップと、（Ｃ）前記ステップ（Ｂ）によって作成された第１の実測電流値情報と、正規品又は非正規品に関して予め作成された第１の基準電流値情報との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定するステップと、を備え、基準電流値情報は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成されることを特徴とするものである。

第３１の態様に係る被判定装置の真贋判定方法によれば、基準電流値情報は、被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成される。従って、被判定装置の動作環境要素が変動した場合であっても、その変動は基準電流値情報に反映されているため、被判定装置の真贋判定を高精度に実行することが可能となる。

本発明の第３２の態様に係る被判定装置の真贋判定方法は、自身を被判定装置とする真贋判定機能を備え、信号処理回路と、前記信号処理回路に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記信号処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、を有する情報処理装置において、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、被判定装置の真贋判定方法であって、（Ａ）前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において、複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得するステップと、（Ｂ）前記ステップ（Ａ）によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値情報を作成するステップと、（Ｃ）前記ステップ（Ｂ）によって作成された第１の実測電流値情報と、正規品又は非正規品に関して予め作成された第１の基準電流値情報との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定するステップと、を備え、基準電流値情報は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成されることを特徴とするものである。

第３２の態様に係る被判定装置の真贋判定方法によれば、基準電流値情報は、被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成される。従って、被判定装置の動作環境要素が変動した場合であっても、その変動は基準電流値情報に反映されているため、被判定装置の真贋判定を高精度に実行することが可能となる。

本発明によれば、被判定装置の動作環境要素が変動した場合であっても、被判定装置の真贋判定を高精度に実行することが可能となる。

本発明の実施の形態１に係るメモリシステムの構成を示す図である。 ホスト装置の構成を簡略化して示す図である。 メモリ装置の構成を簡略化して示す図である。 プログラムをＣＰＵが実行することによって実現される機能を示す図である。 メモリ装置の消費電流特性の一例を示す図である。 基準電流値パターンの第１の設定例を示す図である。 基準電流値パターンの第２の設定例を示す図である。 基準電流値パターンの第３の設定例を示す図である。 基準電流値パターンの第４の設定例を示す図である。 基準電流値パターンの第５の設定例を示す図である。 基準電流値パターンの第６の設定例を示す図である。 ホスト装置によるメモリ装置の真贋判定処理の流れを示すフローチャートである。 実測電流値パターン及び基準電流値パターンの一例を示す図である。 ホスト装置の他の構成例を示す図である。 ホスト装置によるメモリ装置の真贋判定処理の流れを示すフローチャートである。 メモリ装置の消費電流特性の一例を示す図である。 プログラムをＣＰＵが実行することによって実現される機能を示す図である。 基準拡散値の第１の設定例を示す図である。 基準拡散値の第２の設定例を示す図である。 ホスト装置によるメモリ装置の真贋判定処理の流れを示すフローチャートである。 プログラムをＣＰＵが実行することによって実現される機能を示す図である。 真贋判定処理の流れを示すフローチャートである。 メモリ装置の消費電流特性の一例を示す図である。 ホスト装置の構成を簡略化して示す図である。 メモリ装置の構成を簡略化して示す図である。 認証制御回路の構成を示す図である。 プログラムをＣＰＵが実行することによって実現される機能を示す図である。 ホスト装置の構成を簡略化して示す図である。 メモリ装置の構成を簡略化して示す図である。 プログラムをＣＰＵが実行することによって実現される機能を示す図である。 メモリ装置の構成を簡略化して示す図である。 認証制御回路の構成を示す図である。 プログラムをＣＰＵが実行することによって実現される機能を示す図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、異なる図面において同一の符号を付した要素は、同一又は相応する要素を示すものとする。

＜実施の形態１＞
図１は、本発明の実施の形態１に係るメモリシステム１の構成を示す図である。図１に示すようにメモリシステム１は、ホスト装置２と、ホスト装置２に着脱自在に接続されたメモリ装置３とを備えて構成されている。ホスト装置２は、例えばパーソナルコンピュータ等の第１の情報処理装置であり、メモリ装置３は、ホスト装置２から電源供給を受けて動作する第２の情報処理装置、例えばフラッシュメモリのメモリカードである。他の例として、第１の情報処理装置はプリンタ又は複合機の本体であり、第２の情報処理装置はトナーカートリッジである。あるいは、第１の情報処理装置はゲーム機の本体であり、第２の情報処理装置はゲームプログラムが格納されたメモリカードである。

本実施の形態では、メモリ装置３の真贋判定をホスト装置２が実行する態様、つまり、ホスト装置２等の第１の情報処理装置が判定装置であり、メモリ装置３等の第２の情報処理装置が被判定装置である態様について説明する。

図２は、ホスト装置２の構成を簡略化して示す図である。図２に示すようにホスト装置２は、ＳｏＣ（System on a Chip）１１１、電源制御部１１２、電流値測定回路１１３、及びメモリインタフェース１１４を備えて構成されている。ＳｏＣ１１１は、ホスト装置２側の信号処理回路である。ＳｏＣ１１１は、バス１２１を介して相互に接続された、ＣＰＵ１２２、復号器１２３、期待値格納メモリ１２４、ＧＰＩＯ（General Purpose Input/Output）１２５、ＡＤＣ（Analog to Digital Converter）１２６、コマンドバッファ１２７、データバッファ１２８、及び、ＲＯＭ又はＲＡＭ等の記憶部１２９を備えて構成されている。記憶部１２９には、プログラム８０１が格納されている。ホスト装置２は、自身に接続されたメモリ装置３を動作させるための電源を、電源ＶＣＣ１（電源供給部）から電源制御部１１２及び抵抗素子Ｒを介してメモリ装置３に供給する。電流値測定回路１１３は、抵抗素子Ｒの両端電圧を測定することにより、電源ＶＣＣ１からメモリ装置３に流れる電流の電流値を測定する。

図３は、メモリ装置３の構成を簡略化して示す図である。図３に示すようにメモリ装置３は、メモリコントローラ１３１とメモリコア１３２とを備えて構成されている。メモリコントローラ１３１は、メモリ装置３側の信号処理回路である。メモリコントローラ１３１は、ホストインタフェース１４１、デコーダ１４２、及びメモリコアインタフェース１４３を備えて構成されている。メモリコア１３２の特定のアドレス領域には、後述する期待値データ９０１が格納されている。

図４は、図２に示したプログラム８０１をＣＰＵ１２２が実行することによって実現される機能を示す図である。図４に示すように、記憶部１２９から読み出したプログラム８０１をＣＰＵ１２２が実行することによって、ＣＰＵ１２２は、ホスト装置２に接続されているメモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定部１５０として機能する。換言すれば、プログラム８０１は、情報処理装置としてのホスト装置２に搭載されるコンピュータを、判定部１５０として機能させるためのプログラムである。

図４に示すように判定部１５０は、期間設定部１５１、電流値取得部１５２、パターン作成部１５３、パターン比較部１５４、及び真贋判定部１５５として機能する。なお、判定部１５０の機能は、ＣＰＵ１２２によるソフトウェア処理によって実現する場合に限らず、専用回路等を用いたハードウェア処理によって実現しても良い。

メモリ装置３の正規品（純正品）と非正規品（偽造品）とでは、半導体デバイスの構造や製造プロセス等が異なるため、消費電流特性が顕著に相違する。本実施の形態に係るホスト装置２は、メモリ装置３の消費電流値（絶対値）を実測することによって実測電流値情報を作成し、その実測電流値情報と、正規品又は非正規品に関する既知の基準電流値情報とを比較することによって、自身に接続されているメモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかの真贋判定を行う。以下、図面を参照しながら詳細に説明する。

図５は、メモリ装置３の消費電流特性の一例を示す図である。図５に示すように、メモリ装置３の通常動作期間は処理内容に応じて複数の期間Ｐに区分することができる。図５に示した例では、通常動作期間はこの順に並ぶ８つの期間Ｐ１〜Ｐ８に区分されている。例えば、期間Ｐ１は起動直後のパワーオン期間であり、期間Ｐ２は各種設定を初期化するための初期化期間であり、期間Ｐ３，Ｐ６はスタンバイ期間であり、期間Ｐ４は相互認証に向けての鍵交換期間であり、期間Ｐ５は交換した鍵を用いて相互認証を行う認証期間であり、期間Ｐ７はアプリケーションの実行期間であり、期間Ｐ８はシャットダウンに向けてのパワーオフ期間である。期間Ｐの他の例としては、コマンド入力期間、メモリコアアクセス期間、データ読み出し期間、データ書き込み期間、データ消去期間、及びデータ通信期間等が想定される。

正規品のメモリ装置３であれば、実装される半導体デバイスの種類や各デバイスの製造プロセスが厳密に管理されているため、各期間Ｐ１〜Ｐ８におけるメモリ装置３の消費電流特性はほぼ一定である。そこで、各期間Ｐ１〜Ｐ８の消費電流特性を示す情報が工場出荷前に作成されて、暗号化された期待値データ９０１（図３参照）として、メモリコア１３２の特定のアドレス領域に格納されている。本実施の形態の例では、期間Ｐ１〜Ｐ８の各々に関する基準電流値パターンが、期待値データ９０１としてメモリコア１３２に格納されている。基準電流値パターンは、消費電流を所定のサンプリング周波数でサンプリングすることによって得られる消費電流値の遷移パターンである。

なお、排除対象となる非正規品が既に特定されている場合には、正規品に関する基準電流値パターンに代えて、非正規品に関する基準電流値パターンをメモリコア１３２に格納しても良い。例えば、正規品に関する基準電流値パターンを用いる場合には、実測電流値パターン（詳細は後述する）と基準電流値パターンとが一致するか否かによって、メモリ装置３が正規品であるか否かを判定できる。非正規品に関する基準電流値パターンを用いる場合には、実測電流値パターンと基準電流値パターンとが一致するか否かによって、メモリ装置３が非正規品であるか否かを判定できる。本実施の形態及び後述の各変形例では、正規品に関する基準電流値パターンを用いる例について説明する。

本実施の形態では、メモリ装置３の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値パターンに基づいて、基準電流値パターンが作成される。動作環境要素としては、周辺温度、電源電圧、クロック周波数、及び経年劣化等が想定される。以下の説明では動作環境要素として周辺温度に着目し、メモリ装置３が動作する際の周辺温度が常温（２０℃前後）、高温（５０℃前後）、及び低温（０℃前後）の３つの温度領域に分類されている例について説明する。但し、４つ以上の温度領域に分類されていても良い。また、一つの動作環境要素の変動に限らず、複数の動作環境要素の変動に基づいて基準電流値パターンを作成しても良い。

図６は、基準電流値パターンの第１の設定例を示す図である。図５に示した期間Ｐ１〜Ｐ８の各々に関して、常温でメモリ装置３を動作させた際の消費電流値の遷移パターンとして、標準域電流値パターンＫ０が作成される。そして、標準域電流値パターンＫ０が、期待値パターンＰとして設定される。

また、低温でメモリ装置３を動作させた際の消費電流値の遷移パターンとして、高域電流値パターンＫ１が作成され、高温でメモリ装置３を動作させた際の消費電流値の遷移パターンとして、低域電流値パターンＫ２が作成される。ここで、「高域」とは標準域よりも消費電流値が大きくなる方向の領域を意味し、「低域」とは標準域よりも消費電流値が小さくなる方向の領域を意味する。そして、高域電流値パターンＫ１及び低域電流値パターンＫ２に含まれる全ての測定ポイントのうち、期待値パターンＰとの差が最大となる測定ポイントが特定され、その最大差に相当する値、又はその最大差よりもわずかに大きい値が、高域側及び低域側の双方の許容誤差Ｑとして設定される。

これにより、期待値パターンＰと許容誤差Ｑとによって規定される基準電流値パターンＲが作成される。この例の場合、基準電流値パターンＲの高域側許容値はＰ＋Ｑとなり、低域側許容値はＰ−Ｑとなる。

図７は、基準電流値パターンの第２の設定例を示す図である。図５に示した期間Ｐ１〜Ｐ８の各々に関して、常温でメモリ装置３を動作させた際の消費電流値の遷移パターンとして、標準域電流値パターンＫ０が作成される。そして、標準域電流値パターンＫ０が、期待値パターンＰとして設定される。

また、低温でメモリ装置３を動作させた際の消費電流値の遷移パターンとして、高域電流値パターンＫ１が作成される。そして、高域電流値パターンＫ１に含まれる全ての測定ポイントのうち、期待値パターンＰとの差が最大となる測定ポイントが特定され、その最大差に相当する値、又はその最大差よりもわずかに大きい値が、高域側許容誤差ＱＨとして設定される。

また、高温でメモリ装置３を動作させた際の消費電流値の遷移パターンとして、低域電流値パターンＫ２が作成される。そして、低域電流値パターンＫ２に含まれる全ての測定ポイントのうち、期待値パターンＰとの差が最大となる測定ポイントが特定され、その最大差に相当する値、又はその最大差よりもわずかに大きい値が、低域側許容誤差ＱＬとして設定される。

これにより、期待値パターンＰと高域側許容誤差ＱＨと低域側許容誤差ＱＬとによって規定される基準電流値パターンＲが作成される。この例の場合、基準電流値パターンＲの高域側許容値はＰ＋ＱＨとなり、低域側許容値はＰ−ＱＬとなる。

図８は、基準電流値パターンの第３の設定例を示す図である。図５に示した期間Ｐ１〜Ｐ８の各々に関して、常温でメモリ装置３を動作させた際の消費電流値の遷移パターンとして標準域電流値パターンＫ０が作成され、標準域電流値パターンＫ０が標準域期待値パターンＰ０として設定される。また、低温でメモリ装置３を動作させた際の消費電流値の遷移パターンとして高域電流値パターンＫ１が作成され、高域電流値パターンＫ１が高域期待値パターンＰ１として設定される。また、高温でメモリ装置３を動作させた際の消費電流値の遷移パターンとして低域電流値パターンＫ２が作成され、低域電流値パターンＫ２が低域期待値パターンＰ２として設定される。

そして、メモリ装置３の動作温度領域を全て包含するように、標準域期待値パターンＰ０、高域期待値パターンＰ１、及び低域期待値パターンＰ２の各々を中心として、高域側及び低域側の両方向に拡がる許容誤差Ｑが設定される。

これにより、標準域期待値パターンＰ０と許容誤差Ｑとによって規定される標準域基準電流値パターンＲ０と、高域期待値パターンＰ１と許容誤差Ｑとによって規定される高域基準電流値パターンＲ１と、低域期待値パターンＰ２と許容誤差Ｑとによって規定される低域基準電流値パターンＲ２とが作成される。この例の場合、標準域基準電流値パターンＲ０の高域側許容値はＰ０＋Ｑとなり、低域側許容値はＰ０−Ｑとなる。また、高域基準電流値パターンＲ１の高域側許容値はＰ１＋Ｑとなり、低域側許容値はＰ１−Ｑとなる。また、低域基準電流値パターンＲ２の高域側許容値はＰ２＋Ｑとなり、低域側許容値はＰ２−Ｑとなる。

なお、図８に示した例では、標準域期待値パターンＰ０、高域期待値パターンＰ１、及び低域期待値パターンＰ２の全てのパターンに関して同一の値の許容誤差Ｑが設定されたが、各々のパターン毎に異なる値の許容誤差を設定しても良い。この場合、複数の基準電流値パターンＲ０〜Ｒ２の各々に対して個別に許容誤差Ｑ０〜Ｑ２を設定することによって、許容誤差Ｑ０〜Ｑ２の各々を最小限に抑えることができるため、被判定装置の真贋判定精度を向上することが可能となる。また、図８に示した例では、高域側許容誤差及び低域側許容誤差として同一の値の許容誤差Ｑが設定されたが、高域側許容誤差及び低域側許容誤差として異なる値の許容誤差を設定しても良い。この場合、高域側許容誤差及び低域側許容誤差の各々を最小限に抑えることができるため、被判定装置の真贋判定精度を向上することが可能となる。

図９は、基準電流値パターンの第４の設定例を示す図である。図５に示した期間Ｐ１〜Ｐ８の各々に関して、常温でメモリ装置３を動作させた際の消費電流値の遷移パターンとして標準域電流値パターンＫ０が作成され、低温でメモリ装置３を動作させた際の消費電流値の遷移パターンとして高域電流値パターンＫ１が作成され、高温でメモリ装置３を動作させた際の消費電流値の遷移パターンとして低域電流値パターンＫ２が作成される。そして、標準域電流値パターンＫ０、高域電流値パターンＫ１、及び低域電流値パターンＫ２を平均化した電流値パターンが、期待値パターンＰとして設定される。

そして、高域電流値パターンＫ１に含まれる全ての測定ポイントのうち、期待値パターンＰとの差が最大となる測定ポイントが特定され、その最大差に相当する値、又はその最大差よりもわずかに大きい値が、高域側許容誤差ＱＨとして設定される。

また、低域電流値パターンＫ２に含まれる全ての測定ポイントのうち、期待値パターンＰとの差が最大となる測定ポイントが特定され、その最大差に相当する値、又はその最大差よりもわずかに大きい値が、低域側許容誤差ＱＬとして設定される。

これにより、期待値パターンＰと高域側許容誤差ＱＨと低域側許容誤差ＱＬとによって規定される基準電流値パターンＲが作成される。この例の場合、基準電流値パターンＲの高域側許容値はＰ＋ＱＨとなり、低域側許容値はＰ−ＱＬとなる。

図１０は、基準電流値パターンの第５の設定例を示す図である。図５に示した期間Ｐ１〜Ｐ８の各々に関して、常温でメモリ装置３を動作させた際の消費電流値の遷移パターンとして標準域電流値パターンＫ０が作成され、低温でメモリ装置３を動作させた際の消費電流値の遷移パターンとして高域電流値パターンＫ１が作成され、高温でメモリ装置３を動作させた際の消費電流値の遷移パターンとして低域電流値パターンＫ２が作成される。そして、標準域電流値パターンＫ０、高域電流値パターンＫ１、及び低域電流値パターンＫ２を平均化した電流値パターンが、期待値パターンＰとして設定される。

そして、高域電流値パターンＫ１及び低域電流値パターンＫ２に含まれる全ての測定ポイントのうち、期待値パターンＰとの差が最大となる測定ポイントが特定され、その最大差に相当する値、又はその最大差よりもわずかに大きい値が、高域側及び低域側の双方の許容誤差Ｑとして設定される。

これにより、期待値パターンＰと許容誤差Ｑとによって規定される基準電流値パターンＲが作成される。この例の場合、基準電流値パターンＲの高域側許容値はＰ＋Ｑとなり、低域側許容値はＰ−Ｑとなる。

図１１は、基準電流値パターンの第６の設定例を示す図である。図５に示した期間Ｐ１〜Ｐ８の各々に関して、低温でメモリ装置３を動作させた際の消費電流値の遷移パターンとして高域電流値パターンＫ１が作成され、高温でメモリ装置３を動作させた際の消費電流値の遷移パターンとして低域電流値パターンＫ２が作成される。そして、高域電流値パターンＫ１と低域電流値パターンＫ２とを平均化した電流値パターンが、期待値パターンＰとして設定される。

そして、高域電流値パターンＫ１及び低域電流値パターンＫ２に含まれる全ての測定ポイントのうち、期待値パターンＰとの差が最大となる測定ポイントが特定され、その最大差に相当する値、又はその最大差よりもわずかに大きい値が、高域側及び低域側の双方の許容誤差Ｑとして設定される。

これにより、期待値パターンＰと許容誤差Ｑとによって規定される基準電流値パターンＲが作成される。この例の場合、基準電流値パターンＲの高域側許容値はＰ＋Ｑとなり、低域側許容値はＰ−Ｑとなる。

図１２は、ホスト装置２によるメモリ装置３の真贋判定処理の流れを示すフローチャートである。メモリ装置３がホスト装置２に接続されると、まずステップＳＰ１０１においてＣＰＵ１２２（期間設定部１５１）は、期間Ｐ１〜Ｐ８の中から、真贋判定の実行対象となる少なくとも一つの判定対象期間（以下「第１の所定期間」と称す）を設定する。期間設定部１５１は、期間Ｐ１〜Ｐ８のうち、消費電流値及びその変化量が大きく、また消費電力の変化態様がデバイスに依存して特徴的である期間を判定対象期間として設定する。本実施の形態の例では、パワーオン期間である期間Ｐ１が第１の所定期間として設定されたものとする。期間設定部１５１は、予め定められた規則に従って第１の所定期間を静的に変更することができ、あるいは、真贋判定の累積実行回数やメモリシステム１の稼働状況等に応じて第１の所定期間を動的に変更することができる。

また、期間設定部１５１は、第１の所定期間に対して実行する真贋判定の処理内容を設定する。本実施の形態の例では、「電流値パターン同士の比較処理」が、真贋判定の処理内容として設定される。但し、電流値パターン同士の比較処理がデフォルト処理として実行される場合には、この設定は省略しても良い。

次にステップＳＰ１０２においてＣＰＵ１２２は、電源制御部１１２に電源供給を開始させるための制御コマンドを、ＧＰＩＯ１２５にセットする。当該制御コマンドはＧＰＩＯ１２５から電源制御部１１２に入力され、電源制御部１１２は、電源ＶＣＣ１からメモリ装置３への電源供給を開始する。

次にステップＳＰ１０３においてＣＰＵ１２２は、メモリ装置３から所望の期待値データ９０１を読み出すための読み出しコマンドを、コマンドバッファ１２７にセットする。当該読み出しコマンドは、コマンドバッファ１２７からメモリインタフェース１１４を介してメモリ装置３に送信される。ホストインタフェース１４１は、ホスト装置２から受信した当該読み出しコマンドを、デコーダ１４２に入力する。デコーダ１４２は、入力された当該読み出しコマンドをデコードすることにより、所望の期待値データ９０１の読み出しアドレスをメモリコアインタフェース１４３に入力する。当該読み出しアドレスはメモリコアインタフェース１４３からメモリコア１３２に入力され、これによって、所望の期待値データ９０１がメモリコア１３２から読み出される。本実施の形態の例では、真贋判定の処理内容が「期間Ｐ１を対象とする電流値パターン同士の比較処理」に設定されているため、期間Ｐ１に関する基準電流値パターンＲがメモリコア１３２から読み出される。例えば図７に示した設定例が採用されている場合には、期間Ｐ１に関する期待値パターンＰ、高域側許容誤差ＱＨ、及び低域側許容誤差ＱＬが、所望の期待値データ９０１としてメモリコア１３２から読み出される。

読み出された期待値データ９０１は、暗号化された状態で、メモリコアインタフェース１４３及びホストインタフェース１４１を介してホスト装置２に送信される。メモリインタフェース１１４は、メモリ装置３から受信した期待値データ９０１を、データバッファ１２８を介して復号器１２３に入力する。復号器１２３は、暗号化されている期待値データ９０１を復号化する。復号化された期待値データ９０１は、期待値格納メモリ１２４に格納される。本実施の形態の例では、期間Ｐ１に関する期待値パターンＰ、高域側許容誤差ＱＨ、及び低域側許容誤差ＱＬが、期待値格納メモリ１２４に格納される。

パワーオン期間である期間Ｐ１が第１の所定期間として設定されているため、次にステップＳＰ１０４においてＣＰＵ１２２は、電源制御部１１２に電源供給を停止させるための制御コマンドを、ＧＰＩＯ１２５にセットする。当該制御コマンドはＧＰＩＯ１２５から電源制御部１１２に入力され、電源制御部１１２は、電源ＶＣＣ１からメモリ装置３への電源供給を停止する。

次にステップＳＰ１０５においてＣＰＵ１２２は、電源制御部１１２に電源供給を開始させるための制御コマンドを、ＧＰＩＯ１２５にセットする。当該制御コマンドはＧＰＩＯ１２５から電源制御部１１２に入力され、電源制御部１１２は、電源ＶＣＣ１からメモリ装置３への電源供給を開始する。これにより、パワーオン期間である期間Ｐ１が開始される。

次にステップＳＰ１０６においてＣＰＵ１２２は、ＡＤＣ１２６を駆動する。電源ＶＣＣ１からメモリ装置３への電源供給が開始されたことにより、抵抗素子Ｒに電流が流れる。電流値測定回路１１３は、抵抗素子Ｒの両端電圧を所定のサンプリング周波数（例えば１ＭＨｚ〜数ＭＨｚ）でサンプリングすることによって、電源ＶＣＣ１からメモリ装置３へ流れる電流の電流値を実測する。実測された電流値は、図示しないプリアンプによって増幅された後、ＡＤＣ１２６によってＡＤ変換され、その後、電流値取得部１５２によってＣＰＵ１２２に順次入力される。なお、ＡＤＣ１２６によるＡＤ変換よりも前にプリアンプによって実測電流値を増幅する上記の構成に代えて、ＡＤＣ１２６によるＡＤ変換よりも後に乗算器によって実測電流値を増幅する構成を採用しても良い。

次にステップＳＰ１０７においてＣＰＵ１２２（パターン作成部１５３）は、電流値取得部１５２によって順次取得された複数の実測電流値を時系列順に配列することによって、期間Ｐ１に関するメモリ装置３の実測電流値パターンを作成する。

次にステップＳＰ１０８においてＣＰＵ１２２（パターン比較部１５４）は、期待値格納メモリ１２４から期待値パターンＰ、高域側許容誤差ＱＨ、及び低域側許容誤差ＱＬ（つまり基準電流値パターンＲ）を読み出して取得する。

次にステップＳＰ１０９においてＣＰＵ１２２（パターン比較部１５４）は、パターン作成部１５３によって作成された実測電流値パターンと、期待値格納メモリ１２４から読み出した基準電流値パターンＲとを比較する。

図１３は、実測電流値パターンＺ及び基準電流値パターンＲの一例を示す図である。ここでは、図７に示した設定例が採用された場合を想定している。電流値測定回路１１３のサンプリング周波数が１ＭＨｚ〜数ＭＨｚであり、期間Ｐ１の長さが数ｍ秒〜数十ｍ秒である場合には、実際には実測電流値パターンＺ及び基準電流値パターンＲはそれぞれ数十万個〜数百万個の実測電流値Ｙ及び基準電流値Ｘによって構成される。しかし図１３では説明の簡単化のため、実測電流値パターンＺ及び基準電流値パターンＲがそれぞれ７個の実測電流値Ｙ０１〜Ｙ０７及び基準電流値Ｘ０１〜Ｘ０７によって構成された例を示している。パターン比較部１５４は、それぞれ対応する実測電流値Ｙ０１〜Ｙ０７と基準電流値Ｘ０１〜Ｘ０７との差が、期待値格納メモリ１２４から読み出した許容誤差（Ｙ＞Ｘの場合は高域側許容誤差ＱＨ、Ｙ＜Ｘの場合は低域側許容誤差ＱＬ）以下であるか否かを比較する。

次にステップＳＰ１１０においてＣＰＵ１２２（真贋判定部１５５）は、実測電流値Ｙと基準電流値Ｘとの差の全てが許容誤差以下であるか否かを判定する。そして真贋判定部１５５は、これらの差の全てが許容誤差以下である場合（つまり完全一致する場合）には、ホスト装置２に接続されているメモリ装置３は正規品であると判定して、真贋判定処理を終了する。図１３に示した例では、実測電流値Ｙ０１〜Ｙ０７と基準電流値Ｘ０１〜Ｘ０７とが完全一致するため、メモリ装置３は正規品であると判定される。

なお、図６，７，９，１０，１１に示した設定例が採用されている場合には、パターン比較部１５４は実測電流値パターンＺと基準電流値パターンＲとを比較する。また、図８に示した設定例が採用されている場合には、パターン比較部１５４は、実測電流値パターンＺと基準電流値パターンＲ０〜Ｒ２とを比較し、真贋判定部１５５は、実測電流値パターンＺが基準電流値パターンＲ０〜Ｒ２のいずれか一つと一致している場合には、メモリ装置３は正規品であると判定する。

一方、少なくとも一つの差が許容誤差を超える場合（つまり完全一致しない場合）には、真贋判定部１５５は、ホスト装置２に接続されているメモリ装置３は非正規品であると判定して、非正規品であるメモリ装置３を排除するための処理を開始する。例えば、電源制御部１１２に電源供給を停止させるための制御コマンドをＧＰＩＯ１２５にセットすることにより、電源ＶＣＣ１からメモリ装置３への電源供給を停止する。

なお、以上の説明では、実測電流値Ｙと基準電流値Ｘとの差を求める演算、及び、各電流値の差が許容誤差以下であるか否かの演算を、ＣＰＵ１２２のソフトウェア処理によって実行する例について述べた。しかし、電流値測定回路１１３の膨大なサンプリング数に起因してＣＰＵ１２２の処理負荷が増大することを回避すべく、これらの演算は、専用の演算器を用いたハードウェア処理によって実行しても良い。

図１４は、ホスト装置２の他の構成例を示す図である。ＳｏＣ１１１に演算器１３０が実装されている。実測電流値Ｙと基準電流値Ｘとの差を求める演算、及び、各電流値の差が許容誤差以下であるか否かの演算は、演算器１３０によって実行され、それらの演算の結果が演算器１３０からＣＰＵ１２２に入力される。

このように本実施の形態に係るホスト装置２（情報処理装置）によれば、基準電流値パターンＲ（基準電流値情報）は、メモリ装置３（被判定装置）の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値パターンＫに基づいて作成される。従って、メモリ装置３の動作環境要素が変動した場合であっても、その変動は基準電流値パターンＲに反映されているため、メモリ装置３の真贋判定を高精度に実行することが可能となる。

また、本実施の形態に係るホスト装置２によれば、基準電流値パターンＲは、期待値パターンＰと、当該期待値パターンＰに対する許容誤差Ｑ，ＱＨ，ＱＬとによって規定される。従って、個体差やノイズ等に起因して正規品の実測電流値パターンが期待値パターンＰからわずかにずれた場合であっても、そのような正規品が誤って非正規品と判定される事態を回避することができる。

また、本実施の形態に係るホスト装置２によれば、真贋判定部１５５は、期間Ｐ１（第１の所定期間）に関する第１の実測電流値パターンと第１の基準電流値パターンとのパターン比較部１５４による比較結果に基づいて、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。非正規品は粗悪品であることが多いため、非正規品の消費電流の絶対値は正規品のそれより大きい場合が多い。本実施の形態に係るホスト装置２によれば、真贋判定部１５５は、消費電流の変化率パターンではなく実測電流値パターンと基準電流値パターンとを比較するため、たとえ正規品と非正規品とで消費電流の変化率パターンが近似している場合であっても、メモリ装置３の真贋判定を高精度に実行することが可能となる。

また、図７に示した例によれば、高域側許容誤差ＱＨは、高域電流値パターンＫ１と標準域電流値パターンＫ０との差に基づいて設定され、低域側許容誤差ＱＬは、低域電流値パターンＫ２と標準域電流値パターンＫ０との差に基づいて設定される。従って、高域側許容誤差ＱＨと低域側許容誤差ＱＬとの合計許容誤差（ＱＨ＋ＱＬ）を必要最小限に抑制できるため、メモリ装置３の真贋判定精度をより向上することが可能となる。電流値の変化が比較的大きい期間（パワーオン期間等）を判定対象期間として設定する場合に、特に有効となる。

また、図８に示した例によれば、基準電流値パターンＲは、動作環境要素（この例の場合は温度領域）毎に作成された、相補する複数の基準電流値パターンＲ０〜Ｒ２を含む。従って、複数の基準電流値パターンＲ０〜Ｒ２の各々においては、高域側許容誤差と低域側許容誤差との合計許容誤差（２Ｑ）を必要最小限に抑制できるため、メモリ装置３の真贋判定精度をより向上することが可能となる。電流値の変化が比較的大きい期間を判定対象期間として設定する場合に、特に有効となる。

また、図８に示した例によれば、複数の基準電流値パターンＲ０〜Ｒ２に関して同一の許容誤差Ｑが設定される。従って、複数の基準電流値パターンＲ０〜Ｒ２の各々に対して個別に許容誤差が設定される場合と比較すると、基準電流値パターンＲ０〜Ｒ２の実装コストを削減することが可能となる。

また、図９に示した例によれば、期待値パターンＰは、標準域電流値パターンＫ０、高域電流値パターンＫ１、及び低域電流値パターンＫ２の平均に基づいて設定される。従って、標準域電流値パターンＫ０をそのまま期待値パターンＰとして設定する場合と比較して、高域側許容誤差ＱＨと低域側許容誤差ＱＬとの差を小さくできるため、メモリ装置３の真贋判定精度を向上することが可能となる。しかも、高域側許容誤差ＱＨは、高域電流値パターンＫ１と期待値パターンＰとの差に基づいて設定され、低域側許容誤差ＱＬは、低域電流値パターンＫ２と期待値パターンＰとの差に基づいて設定される。従って、高域側許容誤差ＱＨと低域側許容誤差ＱＬとの合計許容誤差（ＱＨ＋ＱＬ）を必要最小限に抑制できるため、メモリ装置３の真贋判定精度をより向上することが可能となる。電流値の変化が比較的大きい期間を判定対象期間として設定する場合に、特に有効となる。

また、図１０に示した例によれば、期待値パターンＰは、標準域電流値パターンＫ０、高域電流値パターンＫ１、及び低域電流値パターンＫ２の平均に基づいて設定される。従って、標準域電流値パターンＫ０をそのまま期待値パターンＰとして設定する場合と比較して、高域側許容誤差と低域側許容誤差との差を小さくできるため、メモリ装置３の真贋判定精度を向上することが可能となる。しかも、高域側許容誤差及び低域側許容誤差は等しい値（Ｑ）に設定されるため、高域側許容誤差及び低域側許容誤差を個別の値に設定する場合と比較して、基準電流値パターンＲの実装コストを削減することが可能となる。電流値の変化が比較的小さい期間を判定対象期間として設定する場合に、特に有効となる。

また、図１１に示した例によれば、期待値パターンＰは、高域電流値パターンＫ１と低域電流値パターンＫ２との平均に基づいて設定される。従って、標準域電流値パターンＫ０をそのまま期待値パターンＰとして設定する場合と比較して、高域側許容誤差と低域側許容誤差との差を小さくできるため、メモリ装置３の真贋判定精度を向上することが可能となる。しかも、高域側許容誤差及び低域側許容誤差は等しい値（Ｑ）に設定されるため、高域側許容誤差及び低域側許容誤差を個別の値に設定する場合と比較して、基準電流値パターンＲの実装コストを削減することが可能となる。電流値の変化が比較的小さい期間を判定対象期間として設定する場合に、特に有効となる。

また、本実施の形態に係るホスト装置２によれば、真贋判定部１５５は、第１の所定期間に関する全ての実測電流値Ｙが、対応する基準電流値Ｘと一致しているか否かによって、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って例えば、非正規品が、実測電流値パターンの一部において正規品のそれと異なる場合であっても、そのような非正規品を高精度に排除することが可能となる。

また、本実施の形態に係るホスト装置２によれば、基準電流値パターンＲはメモリ装置３のメモリコア１３２（記憶部）に記憶されている。メモリ装置３の基準電流値パターンＲは、デバイスの構造や製造プロセス等に依存するため、デバイス毎に異なる。従って、あるメモリ装置３に関して求めた基準電流値パターンＲを、そのメモリ装置３のメモリコア１３２に記憶しておくことにより、デバイス毎に異なる基準電流値パターンＲを簡易に管理することが可能となる。

以下、上記実施の形態１に対する様々な変形例について説明する。以下に述べる変形例は、変形例同士を任意に組み合わせて適用することが可能であり、また、後述する実施の形態２〜５に対して適用することも可能である。

＜変形例１−１＞
上記実施の形態１では、真贋判定部１５５は、期間Ｐ１に関する全ての実測電流値Ｙ０１〜Ｙ０７が、対応する基準電流値Ｘ０１〜Ｘ０７と完全一致している場合に、メモリ装置３が正規品であると判定した。

これに対して本変形例に係る真贋判定部１５５は、期間Ｐ１に関する全ての実測電流値Ｙ０１〜Ｙ０７のうち、対応する基準電流値Ｘ０１〜Ｘ０７と一致する実測電流値Ｙの割合が第１のしきい値以上である場合に、メモリ装置３が正規品であると判定し、一方、当該割合が第１のしきい値未満である場合に、メモリ装置３が非正規品であると判定する。第１のしきい値は、要求される判定精度等に応じて最適値がステップＳＰ１０１において併せて設定され、少なくとも５１％以上の値に設定される。

本変形例に係るホスト装置２によれば、真贋判定部１５５は、期間Ｐ１に関する全ての実測電流値Ｙ０１〜Ｙ０７のうち、対応する基準電流値Ｘ０１〜Ｘ０７と一致する実測電流値Ｙの割合が第１のしきい値以上であるか否かによって、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って例えば、突発的なノイズ等に起因して正規品の実測電流値Ｙ０１〜Ｙ０７が瞬間的に増減した場合であっても、正規品が誤って非正規品と判定される事態を回避することが可能となる。

本変形例に係るホスト装置２によれば、真贋判定部１５５は、第１の所定期間に関する全ての実測電流値Ｙのうち、対応する基準電流値Ｘと一致する実測電流値Ｙの割合が第１のしきい値以上であるか否かによって、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って例えば、突発的なノイズ等に起因して正規品の実測電流値Ｙが瞬間的に増減した場合であっても、正規品が誤って非正規品と判定される事態を回避することが可能となる。

＜変形例１−２＞
上記実施の形態１では、パターン作成部１５３は実測電流値パターンを一回だけ作成し、パターン比較部１５４は実測電流値パターンと基準電流値パターンとを一回だけ比較し、真贋判定部１５５はパターン比較部１５４による一回だけの比較結果に基づいてメモリ装置３の真贋判定を行った。

これに対して本変形例に係る真贋判定部１５５は、パターン比較部１５４による複数回の比較結果に基づいてメモリ装置３の真贋判定を行う。

図１５は、ホスト装置２によるメモリ装置３の真贋判定処理の流れを示すフローチャートである。ステップＳＰ１０９に引き続き、ステップＳＰ１５０において真贋判定部１５５は、パターン比較部１５４による実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較処理が、所定のＮ回（Ｎは複数）実行されたか否かを判定する。

Ｎ回の比較処理が実行されていない場合には、ＣＰＵ１２２は、ステップＳＰ１０４〜ＳＰ１０９の処理を再度実行する。一方、Ｎ回の比較処理が実行された場合には、ＣＰＵ１２２は、ステップＳＰ１１０の処理に移行する。

ステップＳＰ１１０において真贋判定部１５５は、パターン比較部１５４によるＮ回の比較処理のうち、実測電流値パターンが基準電流値パターンに一致していると判定された割合が第２のしきい値以上である場合に、メモリ装置３が正規品であると判定し、一方、当該割合が第２のしきい値未満である場合に、メモリ装置３が非正規品であると判定する。所定回数Ｎの値は、要求される判定精度等に応じて最適値がステップＳＰ１０１において併せて設定される。また、第２のしきい値は、要求される判定精度等に応じて最適値がステップＳＰ１０１において併せて設定され、少なくとも５１％以上の値に設定される。

本変形例に係るホスト装置２によれば、真贋判定部１５５は、電流値取得部１５２による実測電流値の取得処理、パターン作成部１５３による実測電流値パターンの作成処理、及びパターン比較部１５４による実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較処理を複数Ｎ回実行し、パターン比較部１５４によるＮ回の比較処理のうち、実測電流値パターンが基準電流値パターンに一致していると判定された割合が第２のしきい値以上であるか否かによって、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。このように、電流値取得部１５２、パターン作成部１５３、及びパターン比較部１５４による一連の処理を複数Ｎ回繰り返して実行し、パターン比較部１５４によるＮ回の比較結果に基づいてメモリ装置３の真贋判定を行うことにより、判定精度を向上することが可能となる。

＜変形例１−３＞
上記実施の形態１では、期間設定部１５１は、メモリ装置３の動作期間を区分した複数の期間Ｐ１〜Ｐ８のうち一つの期間Ｐ１のみを、判定対象期間として設定した。

これに対して本変形例に係る期間設定部１５１は、期間Ｐ１〜Ｐ８のうちの複数の期間を、判定対象期間として設定する。

図１６は、メモリ装置３の消費電流特性の一例を示す図である。この例において期間設定部１５１は、パワーオン期間である期間Ｐ１（第１の所定期間）と鍵交換期間である期間Ｐ４（第２の所定期間）とを、ステップＳＰ１０１において判定対象期間として設定する。期間設定部１５１は、予め定められた規則に従って第１の所定期間及び第２の所定期間を静的に変更することができ、あるいは、真贋判定の累積実行回数やメモリシステム１の稼働状況等に応じて第１の所定期間及び第２の所定期間を動的に変更することができる。

また、ステップＳＰ１０１において期間設定部１５１は、期間Ｐ１，Ｐ４の各々に対して実行する真贋判定の処理内容を設定する。本変形例の例では、「電流値パターン同士の比較処理」が、真贋判定の処理内容としていずれも設定される。

ステップＳＰ１０３では、期間Ｐ１，Ｐ４の各々に関する基準電流値パターン（期待値パターン及び許容誤差値を示すデータ）が、所望の期待値データ９０１としてメモリコア１３２から読み出される。これらの情報は、メモリ装置３からホスト装置２に送信され、復号器１２３によって復号化された後、期待値格納メモリ１２４に格納される。

電流値取得部１５２は、期間Ｐ１，Ｐ４の各々に関して実測電流値の取得処理を実行し、パターン作成部１５３は、期間Ｐ１，Ｐ４の各々に関して実測電流値パターンの作成処理を実行し、パターン比較部１５４は、期間Ｐ１，Ｐ４の各々に関して実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較処理を実行する。

真贋判定部１５５は、期間Ｐ１に関するパターン比較部１５４による比較結果と、期間Ｐ４に関するパターン比較部１５４による比較結果とに基づいて、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。例えば、期間Ｐ１，Ｐ４の双方において、実測電流値パターンと基準電流値パターンとが一致する場合には、メモリ装置３が正規品であると判定し、一方、期間Ｐ１，Ｐ４の少なくとも一方において、実測電流値パターンと基準電流値パターンとが一致しない場合には、メモリ装置３が非正規品であると判定する。

本変形例に係るホスト装置２によれば、真贋判定部１５５はさらに、期間Ｐ４（第２の所定期間）に関してパターン作成部１５３によって作成された実測電流値パターン（第２の実測電流値パターン）と、期間Ｐ４に関して予め求められた基準電流値パターン（第２の基準電流値パターン）との、パターン比較部１５４による比較結果に基づいて、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。このように、期間Ｐ１のみならず期間Ｐ４に関しても実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較を行うことにより、期間Ｐ１，Ｐ４の双方の比較結果に基づいてメモリ装置３の真贋判定を行うことができるため、判定精度をより向上することが可能となる。

＜実施の形態２＞
上記実施の形態１では、真贋判定部１５５は、実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較結果に基づいて、メモリ装置３の真贋判定を行った。これに対して本実施の形態に係る真贋判定部１５５は、実測拡散値と基準拡散値との比較結果に基づいて、メモリ装置３の真贋判定を行う。

図１７は、図２に示したプログラム８０１をＣＰＵ１２２が実行することによって実現される機能を示す図である。図１７に示すように、記憶部１２９から読み出したプログラム８０１をＣＰＵ１２２が実行することによって、ＣＰＵ１２２は、ホスト装置２に接続されているメモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定部２５０として機能する。換言すれば、プログラム８０１は、情報処理装置としてのホスト装置２に搭載されるコンピュータを、判定部２５０として機能させるためのプログラムである。

図１７に示すように判定部２５０は、期間設定部２５１、電流値取得部２５２、拡散値算出部２５３、拡散値比較部２５４、及び真贋判定部２５５として機能する。ここで「拡散値」とは、複数の値のばらつき度合いを表す指標を意味する。なお、判定部２５０の機能は、ＣＰＵ１２２によるソフトウェア処理によって実現する場合に限らず、専用回路等を用いたハードウェア処理によって実現しても良い。

メモリ装置３の正規品（純正品）と非正規品（偽造品）とでは、半導体デバイスの構造や製造プロセス等が異なるため、消費電流特性が顕著に相違する。また、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して、メモリ装置３の消費電流特性が瞬間的に大きく変動するという事態を想定する必要もある。本実施の形態に係るホスト装置２は、所定期間においてメモリ装置３の消費電流値を実測し、それによって得られた複数の実測電流値の拡散値（実測拡散値）を算出する。そして、その実測拡散値と、正規品又は非正規品に関する既知の基準拡散値とを比較することによって、自身に接続されているメモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかの真贋判定を行う。以下、図面を参照しながら詳細に説明する。

上記の通り、正規品のメモリ装置３であれば、実装される半導体デバイスの種類や各デバイスの製造プロセスが厳密に管理されているため、図５に示した各期間Ｐ１〜Ｐ８におけるメモリ装置３の消費電流特性はほぼ一定である。そこで、各期間Ｐ１〜Ｐ８の消費電流特性を示す情報が工場出荷前に作成されて、暗号化された期待値データ９０１（図３参照）として、メモリコア１３２の特定のアドレス領域に格納されている。本実施の形態の例では、期間Ｐ１〜Ｐ８の各々に関する基準拡散値が、期待値データ９０１としてメモリコア１３２に格納されている。基準拡散値は、消費電流を所定のサンプリング周波数でサンプリングすることによって得られる複数の消費電流値の拡散値である。

なお、排除対象となる非正規品が既に特定されている場合には、正規品に関する基準拡散値に代えて、非正規品に関する基準拡散値をメモリコア１３２に格納しても良い。正規品に関する基準拡散値を用いる場合には、実測拡散値（詳細は後述する）と基準拡散値とが一致するか否かによって、メモリ装置３が正規品であるか否かを判定できる。非正規品に関する基準拡散値を用いる場合には、実測拡散値と基準拡散値とが一致するか否かによって、メモリ装置３が非正規品であるか否かを判定できる。本実施の形態及び後述の各変形例では、正規品に関する基準拡散値を用いる例について説明する。

本実施の形態では、メモリ装置３の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値パターンに基づいて、基準拡散値が算出される。以下の説明では動作環境要素として周辺温度に着目し、メモリ装置３が動作する際の周辺温度が常温（２０℃前後）、高温（５０℃前後）、及び低温（０℃前後）の３つの温度領域に分類されている例について説明する。

図１８は、基準拡散値の第１の設定例を示す図である。この例において、拡散値は分散又は標準偏差であり、以下の例では分散を用いる。標準偏差は、分散の平方根をとることで算出できる。

図５に示した期間Ｐ１〜Ｐ８の各々に関して、常温でメモリ装置３を動作させた際の消費電流値の遷移パターンとして標準域電流値パターンＫ０が作成され、低温でメモリ装置３を動作させた際の消費電流値の遷移パターンとして高域電流値パターンＫ１が作成され、高温でメモリ装置３を動作させた際の消費電流値の遷移パターンとして低域電流値パターンＫ２が作成される。図１８では、説明の簡単化のため、標準域電流値パターンＫ０に含まれる基準電流値Ｘ０１〜Ｘ１０と、高域電流値パターンＫ１に含まれる基準電流値Ｘ１１〜Ｘ２０と、低域電流値パターンＫ２に含まれる基準電流値Ｘ２１〜Ｘ３０とを示している。

標準域電流値パターンＫ０に含まれる基準電流値Ｘ０１〜Ｘ１０の平均値Ａ０を求め、各基準電流値Ｘ０１〜Ｘ１０と平均値Ａ０との差を２乗することによって得られる値の総和を、総数で除算することによって、分散Ｖ０を算出する。また、高域電流値パターンＫ１に含まれる基準電流値Ｘ１１〜Ｘ２０の平均値Ａ１を求め、各基準電流値Ｘ１１〜Ｘ２０と平均値Ａ１との差を２乗することによって得られる値の総和を、総数で除算することによって、分散Ｖ１を算出する。また、低域電流値パターンＫ２に含まれる基準電流値Ｘ２１〜Ｘ３０の平均値Ａ２を求め、各基準電流値Ｘ２１〜Ｘ３０と平均値Ａ２との差を２乗することによって得られる値の総和を、総数で除算することによって、分散Ｖ２を算出する。

そして、分散Ｖ０〜Ｖ２の平均値を求めることによって、基準拡散値として分散Ｖを算出する。また、基準電流値の分布態様等に応じて、分散Ｖに対してプラスマイナス数％からプラスマイナス数１０％の範囲内で最適な許容誤差値が設定される。

なお、Ｊ個（Ｊは任意の複数）の標準域電流値パターンＫ０１〜Ｋ０Ｊを作成し、各パターンの分散Ｖ０１〜Ｖ０Ｊを算出し、その平均値を分散Ｖ０としても良い。同様に、複数Ｊ個の高域電流値パターンＫ１１〜Ｋ１Ｊを作成し、各パターンの分散Ｖ１１〜Ｖ１Ｊを算出し、その平均値を分散Ｖ１としても良い。同様に、複数Ｊ個の低域電流値パターンＫ２１〜Ｋ２Ｊを作成し、各パターンの分散Ｖ２１〜Ｖ２Ｊを算出し、その平均値を分散Ｖ２としても良い。

また、分散Ｖ０（又は分散Ｖ０１〜Ｖ０Ｊ）と分散Ｖとの差、分散Ｖ１（又は分散Ｖ１１〜Ｖ１Ｊ）と分散Ｖとの差、及び分散Ｖ２（又は分散Ｖ２１〜Ｖ２Ｊ）と分散Ｖとの差をそれぞれ算出し、これらの差のうち最大のものを、分散Ｖに対する許容誤差値として設定しても良い。

図１９は、基準拡散値の第２の設定例を示す図である。この例においても、拡散値は分散又は標準偏差であり、以下の例では分散を用いる。

標準域電流値パターンＫ０に含まれる基準電流値Ｘ０１〜Ｘ１０の平均値Ａ０を求め、各基準電流値Ｘ０１〜Ｘ１０と平均値Ａ０との差を２乗することによって得られる値の総和を、総数で除算することによって、標準域の基準拡散値として分散Ｖ０を算出する。また、基準電流値の分布態様等に応じて、分散Ｖ０に対してプラスマイナス数％からプラスマイナス数１０％の範囲内で最適な許容誤差値が設定される。なお、複数Ｊ個の標準域電流値パターンＫ０１〜Ｋ０Ｊを作成し、各パターンの分散Ｖ０１〜Ｖ０Ｊを算出し、その平均値を分散Ｖ０としても良い。また、分散Ｖ０１〜Ｖ０Ｊと分散Ｖ０との差をそれぞれ算出し、これらの差のうち最大のものを、分散Ｖ０に対する許容誤差値として設定しても良い。

また、高域電流値パターンＫ１に含まれる基準電流値Ｘ１１〜Ｘ２０の平均値Ａ１を求め、各基準電流値Ｘ１１〜Ｘ２０と平均値Ａ１との差を２乗することによって得られる値の総和を、総数で除算することによって、高域の基準拡散値として分散Ｖ１を算出する。また、基準電流値の分布態様等に応じて、分散Ｖ１に対してプラスマイナス数％からプラスマイナス数１０％の範囲内で最適な許容誤差値が設定される。なお、複数Ｊ個の高域電流値パターンＫ１１〜Ｋ１Ｊを作成し、各パターンの分散Ｖ１１〜Ｖ１Ｊを算出し、その平均値を分散Ｖ１としても良い。また、分散Ｖ１１〜Ｖ１Ｊと分散Ｖ１との差をそれぞれ算出し、これらの差のうち最大のものを、分散Ｖ１に対する許容誤差値として設定しても良い。

また、低域電流値パターンＫ２に含まれる基準電流値Ｘ２１〜Ｘ３０の平均値Ａ２を求め、各基準電流値Ｘ２１〜Ｘ３０と平均値Ａ２との差を２乗することによって得られる値の総和を、総数で除算することによって、低域の基準拡散値として分散Ｖ２を算出する。また、基準電流値の分布態様等に応じて、分散Ｖ２に対してプラスマイナス数％からプラスマイナス数１０％の範囲内で最適な許容誤差値が設定される。なお、複数Ｊ個の低域電流値パターンＫ２１〜Ｋ２Ｊを作成し、各パターンの分散Ｖ２１〜Ｖ２Ｊを算出し、その平均値を分散Ｖ２としても良い。また、分散Ｖ２１〜Ｖ２Ｊと分散Ｖ２との差をそれぞれ算出し、これらの差のうち最大のものを、分散Ｖ２に対する許容誤差値として設定しても良い。

図２０は、ホスト装置２によるメモリ装置３の真贋判定処理の流れを示すフローチャートである。メモリ装置３がホスト装置２に接続されると、まずステップＳＰ２０１においてＣＰＵ１２２（期間設定部２５１）は、期間Ｐ１〜Ｐ８の中から、真贋判定の実行対象となる少なくとも一つの判定対象期間（以下「第１の所定期間」と称す）を設定する。本実施の形態の例では、パワーオン期間である期間Ｐ１が第１の所定期間として設定されたものとする。また、期間設定部２５１は、第１の所定期間に対して実行する真贋判定の処理内容を設定する。本実施の形態の例では、「拡散値同士の比較処理」が、真贋判定の処理内容として設定される。但し、拡散値同士の比較処理がデフォルト処理として実行される場合には、この設定は省略しても良い。

次にステップＳＰ２０２においてＣＰＵ１２２は、電源制御部１１２に電源供給を開始させるための制御コマンドを、ＧＰＩＯ１２５にセットする。当該制御コマンドはＧＰＩＯ１２５から電源制御部１１２に入力され、電源制御部１１２は、電源ＶＣＣ１からメモリ装置３への電源供給を開始する。

次にステップＳＰ２０３においてＣＰＵ１２２は、メモリ装置３から所望の期待値データ９０１を読み出すための読み出しコマンドを、コマンドバッファ１２７にセットする。当該読み出しコマンドは、コマンドバッファ１２７からメモリインタフェース１１４を介してメモリ装置３に送信される。ホストインタフェース１４１は、ホスト装置２から受信した当該読み出しコマンドを、デコーダ１４２に入力する。デコーダ１４２は、入力された当該読み出しコマンドをデコードすることにより、所望の期待値データ９０１の読み出しアドレスをメモリコアインタフェース１４３に入力する。当該読み出しアドレスはメモリコアインタフェース１４３からメモリコア１３２に入力され、これによって、所望の期待値データ９０１がメモリコア１３２から読み出される。

本実施の形態の例では、真贋判定の処理内容が「期間Ｐ１を対象とする拡散値同士の比較処理」に設定されているため、期間Ｐ１に関する基準拡散値と、それに対応する所定の許容誤差値を示すデータとが、所望の期待値データ９０１としてメモリコア１３２から読み出される。例えば図１８に示した設定例が採用されている場合には、期間Ｐ１に関する分散Ｖと許容誤差値を示すデータとが、所望の期待値データ９０１としてメモリコア１３２から読み出される。

読み出された期待値データ９０１は、暗号化された状態で、メモリコアインタフェース１４３及びホストインタフェース１４１を介してホスト装置２に送信される。メモリインタフェース１１４は、メモリ装置３から受信した期待値データ９０１を、データバッファ１２８を介して復号器１２３に入力する。復号器１２３は、暗号化されている期待値データ９０１を復号化する。復号化された期待値データ９０１は、期待値格納メモリ１２４に格納される。本実施の形態の例では、期間Ｐ１に関する基準拡散値（分散Ｖ）と、それに対応する所定の許容誤差値を示すデータとが、期待値格納メモリ１２４に格納される。

パワーオン期間である期間Ｐ１が第１の所定期間として設定されているため、次にステップＳＰ２０４においてＣＰＵ１２２は、電源制御部１１２に電源供給を停止させるための制御コマンドを、ＧＰＩＯ１２５にセットする。当該制御コマンドはＧＰＩＯ１２５から電源制御部１１２に入力され、電源制御部１１２は、電源ＶＣＣ１からメモリ装置３への電源供給を停止する。

次にステップＳＰ２０５においてＣＰＵ１２２は、電源制御部１１２に電源供給を開始させるための制御コマンドを、ＧＰＩＯ１２５にセットする。当該制御コマンドはＧＰＩＯ１２５から電源制御部１１２に入力され、電源制御部１１２は、電源ＶＣＣ１からメモリ装置３への電源供給を開始する。これにより、パワーオン期間である期間Ｐ１が開始される。

次にステップＳＰ２０６においてＣＰＵ１２２は、ＡＤＣ１２６を駆動する。電源ＶＣＣ１からメモリ装置３への電源供給が開始されたことにより、抵抗素子Ｒに電流が流れる。電流値測定回路１１３は、抵抗素子Ｒの両端電圧を所定のサンプリング周波数でサンプリングすることによって、電源ＶＣＣ１からメモリ装置３へ流れる電流の電流値を実測する。実測された電流値は、図示しないプリアンプによって増幅された後、ＡＤＣ１２６によってＡＤ変換され、その後、電流値取得部２５２によってＣＰＵ１２２に順次入力される。

次にステップＳＰ２０７においてＣＰＵ１２２（拡散値算出部２５３）は、電流値取得部２５２によって順次取得された複数の実測電流値に基づいて、実測拡散値を算出する。具体的には、期間Ｐ１に含まれる複数の実測電流値に基づいて所定の基準値（本実施の形態の例では複数の実測電流値の平均値Ａ）を算出し、各実測電流値と平均値Ａとの差を２乗することによって得られる値の総和を、総数で除算することによって、期間Ｐ１に関するメモリ装置３の実測拡散値を算出する。

次にステップＳＰ２０８においてＣＰＵ１２２（拡散値比較部２５４）は、期待値格納メモリ１２４から基準拡散値と許容誤差値を示すデータとを読み出して取得する。

次にステップＳＰ２０９においてＣＰＵ１２２（拡散値比較部２５４）は、拡散値算出部２５３によって算出された実測拡散値と、期待値格納メモリ１２４から読み出した基準拡散値とを比較する。

なお、図１８に示した設定例が採用されている場合には、拡散値比較部２５４は、実測拡散値である分散と、基準拡散値である分散Ｖとを比較する。また、図１９に示した設定例が採用されている場合には、拡散値比較部２５４は、実測拡散値である分散と、基準拡散値である分散Ｖ０〜Ｖ２とを比較する。

次にステップＳＰ２１０においてＣＰＵ１２２（真贋判定部２５５）は、実測拡散値と基準拡散値との差が、期待値格納メモリ１２４から読み出した許容誤差値以下であるか否かを判定する。そして真贋判定部２５４は、実測拡散値と基準拡散値との差が許容誤差値以下である場合には、実測拡散値は基準拡散値に一致していると判定し、一方、両拡散値の差が許容誤差値を超える場合には、実測拡散値は基準拡散値に一致していないと判定する。

真贋判定部２５５は、実測拡散値が基準拡散値に一致している場合には、ホスト装置２に接続されているメモリ装置３は正規品であると判定して、真贋判定処理を終了する。

一方、実測拡散値が基準拡散値に一致していない場合には、真贋判定部２５５は、ホスト装置２に接続されているメモリ装置３は非正規品であると判定して、非正規品であるメモリ装置３を排除するための処理を開始する。例えば、電源制御部１１２に電源供給を停止させるための制御コマンドをＧＰＩＯ１２５にセットすることにより、電源ＶＣＣ１からメモリ装置３への電源供給を停止する。

このように本実施の形態に係るホスト装置２によれば、真贋判定部２５５は、第１の所定期間に関する第１の実測拡散値と第１の基準拡散値との拡散値比較部２５４による比較結果に基づいて、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って、実測電流値と基準電流値とを比較する場合と比較して、瞬間的異常値に起因する影響を緩和できるため、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して実測電流値と基準電流値とが瞬間的に大きく相違する場合であっても、真贋判定の精度が低下する事態を回避又は抑制することが可能となる。

また、図１８，１９に示した例によれば、拡散値として分散Ｖ（又は標準偏差）を用いることにより、電流値のばらつき度合いが簡易かつ適切に表された拡散値を得ることができる。

また、図１８に示した例によれば、全域に共通する分散Ｖが設定されるため、基準拡散値の実装コストを削減することが可能となる。電流値の変化が比較的小さい期間を判定対象期間として設定する場合に、特に有効となる。

また、図１９に示した例によれば、標準域の基準電流値Ｘ０１〜Ｘ１０に基づいて標準域に関する分散Ｖ０が設定され、高域の基準電流値Ｘ１１〜Ｘ２０に基づいて高域に関する分散Ｖ１が設定され、低域の基準電流値Ｘ２１〜Ｘ３０に基づいて低域に関する分散Ｖ２が設定される。従って、標準域、高域、及び低域の各々に関して個別に基準拡散値を設定できるため、メモリ装置３の真贋判定精度をより向上することが可能となる。電流値の変化が比較的大きい期間を判定対象期間として設定する場合に、特に有効となる。

また、本実施の形態に係るホスト装置２によれば、基準拡散値はメモリ装置３のメモリコア１３２（記憶部）に記憶されている。メモリ装置３の基準拡散値は、デバイスの構造や製造プロセス等に依存するため、デバイス毎に異なる。従って、あるメモリ装置３に関して求めた基準拡散値を、そのメモリ装置３のメモリコア１３２に記憶しておくことにより、デバイス毎に異なる基準拡散値を簡易に管理することが可能となる。

以下、上記実施の形態２に対する様々な変形例について説明する。以下に述べる変形例は、変形例同士を任意に組み合わせて適用することが可能であり、また、後述する実施の形態３〜５に対して適用することも可能である。

＜変形例２−１＞
図２１は、図２に示したプログラム８０１をＣＰＵ１２２が実行することによって実現される機能を示す図である。図４に示した構成に対して、拡散値算出部２５３及び拡散値比較部２５４が追加されている。

図２２は、本変形例に係る真贋判定処理の流れを示すフローチャートである。まずステップＥ１において判定部３５０は、第１判定処理として、上記実施の形態１と同様に、実測電流値パターンと基準電流値パターンとを比較することによってメモリ装置３の真贋判定を行う。その際、真贋判定部１５５は、判定対象期間に含まれる全ての比較ポイントのうち、実測電流値Ｙが基準電流値Ｘに一致していないと判定した比較ポイントの数（ＮＧポイント数Ｍ）をカウントする。

次にステップＥ２において真贋判定部１５５は、ＮＧポイント数Ｍと所定の閾値Ｔｈ１とを比較する。閾値Ｔｈ１は、例えば、判定対象期間に含まれる比較ポイントの総数の１％の値に設定されている。そして、ＮＧポイント数Ｍが閾値Ｔｈ１未満である場合には、実測電流値パターンは基準電流値パターンに一致し、この例の場合にはメモリ装置３は正規品であると判定して、第２判定処理を実行することなく真贋判定処理を終了する。

一方、ＮＧポイント数Ｍが閾値Ｔｈ１以上である場合には、次にステップＥ３において真贋判定部１５５は、ＮＧポイント数Ｍと所定の閾値Ｔｈ２とを比較する。閾値Ｔｈ２は、例えば、判定対象期間に含まれる比較ポイントの総数の３％の値に設定されている。そして、ＮＧポイント数Ｍが閾値Ｔｈ２以上である場合には、実測電流値パターンは基準電流値パターンに一致せず、この例の場合にはメモリ装置３は非正規品であると判定して、第２判定処理を実行することなく真贋判定処理を終了する。

一方、ＮＧポイント数Ｍが閾値Ｔｈ２未満である場合には、次にステップＥ４において判定部３５０は、第２判定処理として、上記実施の形態２で述べた真贋判定処理（つまり、実測拡散値と基準拡散値との比較による真贋判定処理）を実行する。そして、第２判定処理の結果として、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。

本変形例に係るホスト装置２によれば、実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較による第１判定処理と、実測拡散値と基準拡散値との比較による第２判定処理との二段階の判定処理を行うことにより、いずれか一方の判定処理のみを行う場合と比較して、真贋判定の精度を向上することが可能となる。特に、製品の個体差や突発的ノイズ等に起因して実測電流値パターンと基準電流値パターンとが瞬間的に大きく相違したことが原因で第１判定処理において非正規品と判定された正規品を、第２判定処理において救済することが可能となる。

また、本変形例に係るホスト装置２によれば、真贋判定部１５５は、実測電流値Ｙと基準電流値Ｘとが一致しないＮＧポイント数Ｍ（又はＮＧポイント率）が、第１の閾値Ｔｈ１未満である場合、又は、第２の閾値Ｔｈ２以上である場合には、第２判定処理を実行しない。従って、実測電流値パターンと基準電流値パターンとが完全に一致する場合（閾値Ｔｈ１未満）や大きく異なる場合（閾値Ｔｈ２以上）には第２判定処理の実行を省略できるため、救済する必要のないメモリ装置３に対して無駄な処理が実行される事態を回避することが可能となる。

＜変形例２−２＞
上記実施の形態２では、期間設定部２５１は、メモリ装置３の動作期間を区分した複数の期間Ｐ１〜Ｐ８のうち一つの期間Ｐ１のみを、判定対象期間として設定した。

これに対して本変形例に係る期間設定部２５１は、期間Ｐ１〜Ｐ８のうちの複数の期間を、判定対象期間として設定する。

図２３は、メモリ装置３の消費電流特性の一例を示す図である。この例において期間設定部２５１は、パワーオン期間である期間Ｐ１（第１の所定期間）と鍵交換期間である期間Ｐ４（第２の所定期間）とを、ステップＳＰ２０１において判定対象期間として設定する。期間設定部２５１は、第１の所定期間及び第２の所定期間を、予め定められた規則に従って静的に選択することができ、あるいは、真贋判定の累積実行回数やメモリシステム１の稼働状況等に応じて動的に選択することができる。

また、ステップＳＰ２０１において期間設定部２５１は、期間Ｐ１，Ｐ４の各々に対して実行する真贋判定の処理内容を設定する。本変形例の例では、「拡散値同士の比較処理」が、真贋判定の処理内容としていずれも設定される。

ステップＳＰ２０３では、期間Ｐ１に関する第１の基準拡散値と、それに対応する第１の許容誤差値を示すデータと、期間Ｐ４に関する第２の基準拡散値と、それに対応する第２の許容誤差値を示すデータとが、所望の期待値データ９０１としてメモリコア１３２から読み出される。これらの情報は、メモリ装置３からホスト装置２に送信され、復号器１２３によって復号化された後、期待値格納メモリ１２４に格納される。

電流値取得部２５２は、期間Ｐ１に関して第１の実測電流値の取得処理を実行し、拡散値算出部２５３は、期間Ｐ１に関して第１の実測拡散値の算出処理を実行する。また、電流値取得部２５２は、期間Ｐ４に関して第２の実測電流値の取得処理を実行し、拡散値算出部２５３は、期間Ｐ４に関して第２の実測拡散値の算出処理を実行する。

真贋判定部２５５は、期間Ｐ１に関する第１の実測拡散値と第１の基準拡散値との比較結果と、期間Ｐ４に関する第２の実測拡散値と第２の基準拡散値との比較結果とに基づいて、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。例えば、期間Ｐ１，Ｐ４の双方において、実測拡散値と基準拡散値とが一致する場合には、メモリ装置３が正規品であると判定し、一方、期間Ｐ１，Ｐ４の少なくとも一方において、実測拡散値と基準拡散値とが一致しない場合には、メモリ装置３が非正規品であると判定する。

本変形例に係るホスト装置２によれば、真贋判定部２５５はさらに、複数の所定期間Ｐ１〜Ｐ８のうちの期間Ｐ４（第２の所定期間）に関して拡散値算出部２５３によって算出された第２の実測拡散値と、期間Ｐ４に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準拡散値との比較結果に基づいて、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。このように、第１の所定期間のみならず第２の所定期間に関しても実測拡散値と基準拡散値との比較を行うことにより、第１の所定期間及び第２の所定期間の双方の比較結果に基づいてメモリ装置３の真贋判定を行うことができるため、判定精度をより向上することが可能となる。

＜実施の形態３＞
本実施の形態では、ホスト装置２の真贋判定をメモリ装置３が実行する態様、つまり、メモリ装置３等の第２の情報処理装置が判定装置であり、ホスト装置２等の第１の情報処理装置が被判定装置である態様について説明する。

図２４は、ホスト装置２の構成を簡略化して示す図である。図２４に示すようにホスト装置２は、ＳｏＣ２１１及びメモリインタフェース２１２を備えて構成されている。

ＳｏＣ２１１は、バス２２１を介して相互に接続された、ＣＰＵ２２２、コマンドバッファ２２３、及びデータバッファ２２４を備えて構成されている。ＳｏＣ２１１には、電源ＶＣＣ２（電源供給部）から抵抗素子Ｒを介して駆動電源が供給される。

図２５は、メモリ装置３の構成を簡略化して示す図である。図２５に示すようにメモリ装置３は、メモリコントローラ２３１、メモリコア２３２、電流値測定回路２３３、及び認証制御回路２３４を備えて構成されている。メモリコントローラ２３１は、ホストインタフェース２４１、デコーダ２４２、及びメモリコアインタフェース２４３を備えて構成されている。電流値測定回路２３３は、ホスト装置２の抵抗素子Ｒの両端電圧を測定することにより、電源ＶＣＣ２からＳｏＣ２１１に流れる電流の電流値を測定する。メモリコア２３２の所定のアドレス領域には、期待値データ９０２が格納されている。なお、期待値データ９０２は、メモリコア２３２とは異なる不揮発性メモリに格納されていても良い。

図２６は、認証制御回路２３４の構成を示す図である。図２６の接続関係で示すように、認証制御回路２３４は、バス２５１を介して相互に接続された、ＣＰＵ２５２、復号器２５３、期待値格納メモリ２５４、ＧＰＩＯ２５５、電源制御部２５６、ＡＤＣ２５７、及び、ＲＯＭ又はＲＡＭ等の記憶部２５８を備えて構成されている。記憶部２５８には、プログラム８０２が格納されている。

図２７は、図２６に示したプログラム８０２をＣＰＵ２５２が実行することによって実現される機能を示す図である。記憶部２５８から読み出したプログラム８０２をＣＰＵ２５２が実行することによって、ＣＰＵ２５２は、ホスト装置２が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定部４５０として機能する。換言すれば、プログラム８０２は、第２の情報処理装置としてのメモリ装置３に搭載されるコンピュータを、判定部４５０として機能させるためのプログラムである。図２７に示すように判定部４５０は、期間設定部４５１、電流値取得部４５２、パターン作成部４５３、パターン比較部４５４、及び真贋判定部４５５として機能する。なお、判定部４５０の機能は、ＣＰＵ２５２によるソフトウェア処理によって実現する場合に限らず、専用回路等を用いたハードウェア処理によって実現しても良い。

電流値測定回路２３３は、電源ＶＣＣ２からＳｏＣ２１１に流れる電流を測定する。電流値取得部４５２は、複数の測定タイミングで電流値測定回路２３３によって測定された複数の実測電流値を、電流値測定回路２３３から取得する。パターン作成部４５３は、電流値取得部４５２によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値パターンを作成する。パターン比較部４５４は、パターン作成部４５３によって作成された実測電流値パターンと、正規品又は非正規品に関して予め作成された基準電流値パターンとを比較する。基準電流値パターンは、被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値パターンに基づいて作成される。真贋判定部４５５は、判定対象期間に関してパターン作成部４５３によって作成された実測電流値パターンと、判定対象期間に関して予め作成された基準電流値パターンとの、パターン比較部４５４による比較結果に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。

このように本実施の形態に係るメモリ装置３（情報処理装置）によれば、基準電流値パターンＲ（基準電流値情報）は、ホスト装置２（被判定装置）の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値パターンＫに基づいて作成される。従って、ホスト装置２の動作環境要素が変動した場合であっても、その変動は基準電流値パターンＲに反映されているため、ホスト装置２の真贋判定を高精度に実行することが可能となる。

＜実施の形態４＞
本実施の形態では、ホスト装置２の真贋判定をホスト装置２自身が実行する態様、つまり、ホスト装置２等の第１の情報処理装置が判定装置かつ被判定装置である態様について説明する。

図２８は、ホスト装置２の構成を簡略化して示す図である。図２８に示すようにホスト装置２は、ＳｏＣ３１１、電源制御部３１２、電流値測定回路３１３、メモリインタフェース３１４、及び不揮発性の記憶部３１５を備えて構成されている。記憶部３１５には、期待値データ９０３が格納されている。

ＳｏＣ３１１は、バス３２１を介して相互に接続された、ＣＰＵ３２２、復号器３２３、期待値格納メモリ３２４、ＧＰＩＯ３２５、ＡＤＣ３２６、コマンドバッファ３２７、データバッファ３２８、及び、ＲＯＭ又はＲＡＭ等の記憶部３２９を備えて構成されている。記憶部３２９には、プログラム８０３が格納されている。ＳｏＣ３１１には、電源ＶＣＣ３（電源供給部）から抵抗素子Ｒを介して駆動電源が供給される。電流値測定回路３１３は、抵抗素子Ｒの両端電圧を測定することにより、電源ＶＣＣ３からＳｏＣ３１１に流れる電流の電流値を測定する。

図２９は、メモリ装置３の構成を簡略化して示す図である。図２９に示すようにメモリ装置３は、メモリコントローラ３３１とメモリコア３３２とを備えて構成されている。メモリコントローラ３３１は、ホストインタフェース３４１、デコーダ３４２、及びメモリコアインタフェース３４３を備えて構成されている。

図３０は、図２８に示したプログラム８０３をＣＰＵ３２２が実行することによって実現される機能を示す図である。記憶部３２９から読み出したプログラム８０３をＣＰＵ３２２が実行することによって、ＣＰＵ３２２は、ホスト装置２が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定部５５０として機能する。換言すれば、プログラム８０３は、第１の情報処理装置としてのホスト装置２に搭載されるコンピュータを、判定部５５０として機能させるためのプログラムである。図３０に示すように判定部５５０は、期間設定部５５１、電流値取得部５５２、パターン作成部５５３、パターン比較部５５４、及び真贋判定部５５５として機能する。なお、判定部５５０の機能は、ＣＰＵ３２２によるソフトウェア処理によって実現する場合に限らず、専用回路等を用いたハードウェア処理によって実現しても良い。

電流値測定回路３１３は、電源ＶＣＣ３からＳｏＣ３１１に流れる電流を測定する。電流値取得部５５２は、複数の測定タイミングで電流値測定回路３１３によって測定された複数の実測電流値を、電流値測定回路３１３から取得する。パターン作成部５５３は、電流値取得部５５２によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値パターンを作成する。パターン比較部５５４は、パターン作成部５５３によって作成された実測電流値パターンと、正規品又は非正規品に関して予め作成された基準電流値パターンとを比較する。基準電流値パターンは、被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値パターンに基づいて作成される。真贋判定部５５５は、判定対象期間に関してパターン作成部５５３によって作成された実測電流値パターンと、判定対象期間に関して予め作成された基準電流値パターンとの、パターン比較部５５４による比較結果に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。

このように本実施の形態に係るホスト装置２（情報処理装置）によれば、基準電流値パターンＲ（基準電流値情報）は、ホスト装置２（被判定装置）の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値パターンＫに基づいて作成される。従って、ホスト装置２の動作環境要素が変動した場合であっても、その変動は基準電流値パターンＲに反映されているため、ホスト装置２の真贋判定を高精度に実行することが可能となる。

＜実施の形態５＞
本実施の形態では、メモリ装置３の真贋判定をメモリ装置３自身が実行する態様、つまり、メモリ装置３等の第２の情報処理装置が判定装置かつ被判定装置である態様について説明する。

図３１は、メモリ装置３の構成を簡略化して示す図である。図３に示した構成に対して、電流値測定回路３３３及び認証制御回路３３４が追加されている。メモリコントローラ３３１には、電源ＶＣＣ４（電源供給部）から抵抗素子Ｒを介して駆動電源が供給される。電流値測定回路３３３は、抵抗素子Ｒの両端電圧を測定することにより、電源ＶＣＣ４からメモリコントローラ３３１に流れる電流の電流値を測定する。メモリコア３３２の所定のアドレス領域には、期待値データ９０４が格納されている。なお、期待値データ９０４は、メモリコア３３２とは異なる不揮発性メモリに格納されていても良い。

図３２は、認証制御回路３３４の構成を示す図である。図２に示したＳｏＣ１１１と同様に、認証制御回路３３４は、バス３６１を介して相互に接続された、ＣＰＵ３６２、復号器３６３、期待値格納メモリ３６４、ＧＰＩＯ３６５、電源制御部３６６、ＡＤＣ３６７、及び、ＲＯＭ又はＲＡＭ等の記憶部３６８を備えて構成されている。記憶部３６８には、プログラム８０４が格納されている。

図３３は、図３２に示したプログラム８０４をＣＰＵ３６２が実行することによって実現される機能を示す図である。記憶部３６８から読み出したプログラム８０４をＣＰＵ３６２が実行することによって、ＣＰＵ３６２は、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定部６５０として機能する。換言すれば、プログラム８０４は、第２の情報処理装置としてのメモリ装置３に搭載されるコンピュータを、判定部６５０として機能させるためのプログラムである。図３３に示すように判定部６５０は、期間設定部６５１、電流値取得部６５２、パターン作成部６５３、パターン比較部６５４、及び真贋判定部６５５として機能する。なお、判定部６５０の機能は、ＣＰＵ３６２によるソフトウェア処理によって実現する場合に限らず、専用回路等を用いたハードウェア処理によって実現しても良い。

電流値測定回路３３３は、電源ＶＣＣ４からメモリコントローラ３３１に流れる電流を測定する。電流値取得部６５２は、複数の測定タイミングで電流値測定回路３３３によって測定された複数の実測電流値を、電流値測定回路３３３から取得する。パターン作成部６５３は、電流値取得部６５２によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値パターンを作成する。パターン比較部６５４は、パターン作成部６５３によって作成された実測電流値パターンと、正規品又は非正規品に関して予め作成された基準電流値パターンとを比較する。基準電流値パターンは、被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値パターンに基づいて作成される。真贋判定部６５５は、判定対象期間に関してパターン作成部６５３によって作成された実測電流値パターンと、判定対象期間に関して予め作成された基準電流値パターンとの、パターン比較部６５４による比較結果に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。

このように本実施の形態に係るメモリ装置３（情報処理装置）によれば、基準電流値パターンＲ（基準電流値情報）は、メモリ装置３（被判定装置）の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値パターンＫに基づいて作成される。従って、メモリ装置３の動作環境要素が変動した場合であっても、その変動は基準電流値パターンＲに反映されているため、メモリ装置３の真贋判定を高精度に実行することが可能となる。

２ ホスト装置
３ メモリ装置
１１１，２１１，３１１ ＳｏＣ
１１３，２３３，３１３，３３３ 電流値測定回路
１２２，２５２，３２２，３６２ ＣＰＵ
１３１，３３１ メモリコントローラ
１３２，２３２，３３２ メモリコア
１５０，２５０，３５０，４５０，５５０，６５０ 判定部
１５１，２５１，４５１，５５１，６５１ 期間設定部
１５２，２５２，４５２，５５２，６５２ 電流値取得部
１５３，４５３，５５３，６５３ パターン作成部
１５４，４５４，５５４，６５４ パターン比較部
１５５，２５５，４５５，５５５，６５５ 真贋判定部
２５３ 拡散値算出部
２５４ 拡散値比較部
８０１，８０２，８０３，８０４ プログラム
９０１，９０２，９０３，９０４ 期待値データ

Claims (32)

1. 被判定装置の真贋判定機能を備える情報処理装置であって、
   前記被判定装置に電源を供給する電源供給部と、
   前記電源供給部から前記被判定装置に流れる電流を測定する電流測定部と、
   複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得部と、
   前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値情報を作成する実測電流値情報作成部と、
   前記実測電流値情報作成部によって作成された実測電流値情報と、正規品又は非正規品に関して予め作成された基準電流値情報とを比較する電流値情報比較部と、
   前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間に関して前記実測電流値情報作成部によって作成された第１の実測電流値情報と、第１の所定期間に関して予め作成された第１の基準電流値情報との、前記電流値情報比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定部と、
   を備え、
   基準電流値情報は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成され、
   前記実測電流値情報作成部は、前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値を時系列順に配列することにより、実測電流値情報としての実測電流値パターンを作成するパターン作成部を有し、
   前記電流値情報比較部は、前記パターン作成部によって作成された実測電流値パターンと、基準電流値情報としての基準電流値パターンとを比較するパターン比較部を有し、
   基準電流値パターンは、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値パターンに基づいて作成され、
   前記真贋判定部は、第１の所定期間に関する第１の実測電流値パターンと第１の基準電流値パターンとの前記パターン比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定し、
   基準電流値パターンは、期待値パターンと、当該期待値パターンに対する高域側許容誤差及び低域側許容誤差とによって規定され、
   期待値パターンは、標準域電流値パターンに基づいて設定され、
   高域側許容誤差は、高域電流値パターンと標準域電流値パターンとの差に基づいて設定され、
   低域側許容誤差は、低域電流値パターンと標準域電流値パターンとの差に基づいて設定される、情報処理装置。
2. 被判定装置の真贋判定機能を備える情報処理装置であって、
   前記被判定装置に電源を供給する電源供給部と、
   前記電源供給部から前記被判定装置に流れる電流を測定する電流測定部と、
   複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得部と、
   前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値情報を作成する実測電流値情報作成部と、
   前記実測電流値情報作成部によって作成された実測電流値情報と、正規品又は非正規品に関して予め作成された基準電流値情報とを比較する電流値情報比較部と、
   前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間に関して前記実測電流値情報作成部によって作成された第１の実測電流値情報と、第１の所定期間に関して予め作成された第１の基準電流値情報との、前記電流値情報比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定部と、
   を備え、
   基準電流値情報は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成され、
   前記実測電流値情報作成部は、前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値を時系列順に配列することにより、実測電流値情報としての実測電流値パターンを作成するパターン作成部を有し、
   前記電流値情報比較部は、前記パターン作成部によって作成された実測電流値パターンと、基準電流値情報としての基準電流値パターンとを比較するパターン比較部を有し、
   基準電流値パターンは、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値パターンに基づいて作成され、
   前記真贋判定部は、第１の所定期間に関する第１の実測電流値パターンと第１の基準電流値パターンとの前記パターン比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定し、
   基準電流値パターンは、期待値パターンと、当該期待値パターンに対する高域側許容誤差及び低域側許容誤差とによって規定され、
   期待値パターンは、標準域電流値パターン、高域電流値パターン、及び低域電流値パターンの平均に基づいて設定され、
   高域側許容誤差は、高域電流値パターンと期待値パターンとの差に基づいて設定され、
   低域側許容誤差は、低域電流値パターンと期待値パターンとの差に基づいて設定される、情報処理装置。
3. 信号処理回路と前記信号処理回路に電源を供給する電源供給部とを有する被判定装置の真贋判定機能を備える情報処理装置であって、
   前記電源供給部から前記信号処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、
   複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得部と、
   前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値情報を作成する実測電流値情報作成部と、
   前記実測電流値情報作成部によって作成された実測電流値情報と、正規品又は非正規品に関して予め作成された基準電流値情報とを比較する電流値情報比較部と、
   前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間に関して前記実測電流値情報作成部によって作成された第１の実測電流値情報と、第１の所定期間に関して予め作成された第１の基準電流値情報との、前記電流値情報比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定部と、
   を備え、
   基準電流値情報は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成される、情報処理装置。
4. 自身を被判定装置とする真贋判定機能を備える情報処理装置であって、
   信号処理回路と、
   前記信号処理回路に電源を供給する電源供給部と、
   前記電源供給部から前記信号処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、
   複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得部と、
   前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値情報を作成する実測電流値情報作成部と、
   前記実測電流値情報作成部によって作成された実測電流値情報と、正規品又は非正規品に関して予め作成された基準電流値情報とを比較する電流値情報比較部と、
   前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間に関して前記実測電流値情報作成部によって作成された第１の実測電流値情報と、第１の所定期間に関して予め作成された第１の基準電流値情報との、前記電流値情報比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定部と、
   を備え、
   基準電流値情報は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成される、情報処理装置。
5. 前記実測電流値情報作成部は、前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値を時系列順に配列することにより、実測電流値情報としての実測電流値パターンを作成するパターン作成部を有し、
   前記電流値情報比較部は、前記パターン作成部によって作成された実測電流値パターンと、基準電流値情報としての基準電流値パターンとを比較するパターン比較部を有し、
   基準電流値パターンは、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値パターンに基づいて作成され、
   前記真贋判定部は、第１の所定期間に関する第１の実測電流値パターンと第１の基準電流値パターンとの前記パターン比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、請求項３又は４に記載の情報処理装置。
6. 基準電流値パターンは、期待値パターンと、当該期待値パターンに対する許容誤差とによって規定される、請求項５に記載の情報処理装置。
7. 基準電流値パターンは、動作環境要素毎に作成された複数の基準電流値パターンを含む、請求項５又は６に記載の情報処理装置。
8. 複数の基準電流値パターンに関して、同一の許容誤差が設定される、請求項７に記載の情報処理装置。
9. 複数の基準電流値パターンには、異なる許容誤差が設定された少なくとも二つの基準電流値パターンが含まれる、請求項７に記載の情報処理装置。
10. 基準電流値パターンは、期待値パターンと、当該期待値パターンに対する高域側許容誤差及び低域側許容誤差とによって規定され、
    期待値パターンは、標準域電流値パターンに基づいて設定され、
    高域側許容誤差は、高域電流値パターンと標準域電流値パターンとの差に基づいて設定され、
    低域側許容誤差は、低域電流値パターンと標準域電流値パターンとの差に基づいて設定される、請求項５又は６に記載の情報処理装置。
11. 基準電流値パターンは、期待値パターンと、当該期待値パターンに対する高域側許容誤差及び低域側許容誤差とによって規定され、
    期待値パターンは、標準域電流値パターン、高域電流値パターン、及び低域電流値パターンの平均に基づいて設定され、
    高域側許容誤差は、高域電流値パターンと期待値パターンとの差に基づいて設定され、
    低域側許容誤差は、低域電流値パターンと期待値パターンとの差に基づいて設定される、請求項５又は６に記載の情報処理装置。
12. 基準電流値パターンは、期待値パターンと、当該期待値パターンに対する高域側許容誤差及び低域側許容誤差とによって規定され、
    期待値パターンは、標準域電流値パターン、高域電流値パターン、及び低域電流値パターンの平均に基づいて設定され、
    高域側許容誤差及び低域側許容誤差は、高域電流値パターン及び低域電流値パターンのうち期待値パターンとの差が大きいものと、期待値パターンとの差に基づいて、等しく設定される、請求項５又は６に記載の情報処理装置。
13. 基準電流値パターンは、期待値パターンと、当該期待値パターンに対する高域側許容誤差及び低域側許容誤差とによって規定され、
    期待値パターンは、高域電流値パターンと低域電流値パターンとの平均に基づいて設定され、
    高域側許容誤差及び低域側許容誤差は、高域電流値パターン又は低域電流値パターンと、期待値パターンとの差に基づいて、等しく設定される、請求項５又は６に記載の情報処理装置。
14. 前記実測電流値情報作成部は、前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測拡散値を算出する拡散値算出部をさらに有し、
    前記電流値情報比較部は、前記拡散値算出部によって算出された実測拡散値と、正規品又は非正規品を対象として予め求められた基準拡散値とを比較する拡散値比較部をさらに有し、
    基準拡散値は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値パターンに基づいて求められ、
    前記真贋判定部は、
    第１判定処理として、第１の実測電流値パターンと第１の基準電流値パターンとの前記パターン比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定し、
    第１判定処理において第１の実測電流値パターンと第１の基準電流値パターンとが一致しない場合に、第２判定処理として、第１の所定期間に関して前記拡散値算出部によって算出された第１の実測拡散値と、第１の所定期間に関して予め求められた第１の基準拡散値との、前記拡散値比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、請求項１，２，５〜１３のいずれか一つに記載の情報処理装置。
15. 前記パターン比較部は、実測電流値パターンを構成する複数の実測電流値と、基準電流値パターンを構成する複数の基準電流値とをそれぞれ比較し、
    前記真贋判定部は、第１の所定期間に関する全ての実測電流値が、対応する基準電流値と一致しているか否かによって、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、請求項１，２，５〜１４のいずれか一つに記載の情報処理装置。
16. 前記パターン比較部は、実測電流値パターンを構成する複数の実測電流値と、基準電流値パターンを構成する複数の基準電流値とをそれぞれ比較し、
    前記真贋判定部は、第１の所定期間に関する全ての実測電流値のうち、対応する基準電流値と一致する実測電流値の割合が第１のしきい値以上であるか否かによって、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、請求項１，２，５〜１４のいずれか一つに記載の情報処理装置。
17. 前記パターン作成部による実測電流値パターンの作成処理、及び、前記パターン比較部による実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較処理は、Ｎ回（Ｎは複数）実行され、
    前記真贋判定部は、前記パターン比較部によるＮ回の比較処理のうち、実測電流値パターンが基準電流値パターンに一致していると判定された割合が第２のしきい値以上であるか否かによって、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、請求項１，２，５〜１６のいずれか一つに記載の情報処理装置。
18. 前記真贋判定部はさらに、複数の所定期間のうち第２の所定期間に関して前記パターン作成部によって作成された第２の実測電流値パターンと、第２の所定期間に関して予め求められた第２の基準電流値パターンとの、前記パターン比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、請求項１，２，５〜１７のいずれか一つに記載の情報処理装置。
19. 基準電流値パターンは前記被判定装置の記憶部に記憶されている、請求項１，２，５〜１８のいずれか一つに記載の情報処理装置。
20. 前記実測電流値情報作成部は、前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値情報としての実測拡散値を算出する拡散値算出部を有し、
    前記電流値情報比較部は、前記拡散値算出部によって算出された実測拡散値と、基準電流値情報としての基準拡散値とを比較する拡散値比較部を有し、
    基準拡散値は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の基準電流値に基づいて求められ、
    前記真贋判定部は、第１の所定期間に関する第１の実測拡散値と第１の基準拡散値との前記拡散値比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、請求項３又は４に記載の情報処理装置。
21. 被判定装置の真贋判定機能を備える情報処理装置であって、
    前記被判定装置に電源を供給する電源供給部と、
    前記電源供給部から前記被判定装置に流れる電流を測定する電流測定部と、
    複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得部と、
    前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値情報を作成する実測電流値情報作成部と、
    前記実測電流値情報作成部によって作成された実測電流値情報と、正規品又は非正規品に関して予め作成された基準電流値情報とを比較する電流値情報比較部と、
    前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間に関して前記実測電流値情報作成部によって作成された第１の実測電流値情報と、第１の所定期間に関して予め作成された第１の基準電流値情報との、前記電流値情報比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定部と、
    を備え、
    基準電流値情報は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成され、
    前記実測電流値情報作成部は、前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値情報としての実測拡散値を算出する拡散値算出部を有し、
    前記電流値情報比較部は、前記拡散値算出部によって算出された実測拡散値と、基準電流値情報としての基準拡散値とを比較する拡散値比較部を有し、
    基準拡散値は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の基準電流値に基づいて求められ、
    前記真贋判定部は、第１の所定期間に関する第１の実測拡散値と第１の基準拡散値との前記拡散値比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、情報処理装置。
22. 実測拡散値及び基準拡散値は、分散又は標準偏差である、請求項２０又は２１に記載の情報処理装置。
23. 標準域の複数の基準電流値と、高域の複数の基準電流値と、低域の複数の基準電流値とに基づいて、全域に共通する基準拡散値が設定される、請求項２０〜２２のいずれか一つに記載の情報処理装置。
24. 標準域の複数の基準電流値に基づいて、標準域に関する基準拡散値が設定され、
    高域の複数の基準電流値に基づいて、高域に関する基準拡散値が設定され、
    低域の複数の基準電流値に基づいて、低域に関する基準拡散値が設定される、請求項２０〜２２のいずれか一つに記載の情報処理装置。
25. 前記真贋判定部はさらに、複数の所定期間のうち第２の所定期間に関して前記拡散値算出部によって算出された第２の実測拡散値と、第２の所定期間に関して予め求められた第２の基準拡散値との、前記拡散値比較部による比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、請求項２０〜２４のいずれか一つに記載の情報処理装置。
26. 複数の所定期間の中から第１の所定期間を可変に設定する期間設定部をさらに備える、請求項１，２，５〜２５のいずれか一つに記載の情報処理装置。
27. 複数の所定期間の中から第２の所定期間を可変に設定する期間設定部をさらに備える、請求項１８又は２５に記載の情報処理装置。
28. 被判定装置の真贋判定機能を備え、前記被判定装置に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記被判定装置に流れる電流を測定する電流測定部と、を有する情報処理装置において、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、被判定装置の真贋判定方法であって、
    （Ａ）前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において、複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得するステップと、
    （Ｂ）前記ステップ（Ａ）によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値情報を作成するステップと、
    （Ｃ）前記ステップ（Ｂ）によって作成された第１の実測電流値情報と、正規品又は非正規品に関して予め作成された第１の基準電流値情報との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定するステップと、
    を備え、
    基準電流値情報は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成され、
    前記ステップ（Ｂ）では、前記ステップ（Ａ）によって取得された複数の実測電流値を時系列順に配列することにより、実測電流値情報としての実測電流値パターンが作成され、
    前記ステップ（Ｃ）では、前記ステップ（Ｂ）によって作成された実測電流値パターンと、基準電流値情報としての基準電流値パターンとが比較され、
    基準電流値パターンは、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値パターンに基づいて作成され、
    前記ステップ（Ｃ）では、第１の所定期間に関して前記ステップ（Ｂ）によって作成された第１の実測電流値パターンと、第１の基準電流値パターンとの比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかが判定され、
    基準電流値パターンは、期待値パターンと、当該期待値パターンに対する高域側許容誤差及び低域側許容誤差とによって規定され、
    期待値パターンは、標準域電流値パターンに基づいて設定され、
    高域側許容誤差は、高域電流値パターンと標準域電流値パターンとの差に基づいて設定され、
    低域側許容誤差は、低域電流値パターンと標準域電流値パターンとの差に基づいて設定される、被判定装置の真贋判定方法。
29. 被判定装置の真贋判定機能を備え、前記被判定装置に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記被判定装置に流れる電流を測定する電流測定部と、を有する情報処理装置において、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、被判定装置の真贋判定方法であって、
    （Ａ）前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において、複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得するステップと、
    （Ｂ）前記ステップ（Ａ）によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値情報を作成するステップと、
    （Ｃ）前記ステップ（Ｂ）によって作成された第１の実測電流値情報と、正規品又は非正規品に関して予め作成された第１の基準電流値情報との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定するステップと、
    を備え、
    基準電流値情報は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成され、
    前記ステップ（Ｂ）では、前記ステップ（Ａ）によって取得された複数の実測電流値を時系列順に配列することにより、実測電流値情報としての実測電流値パターンが作成され、
    前記ステップ（Ｃ）では、前記ステップ（Ｂ）によって作成された実測電流値パターンと、基準電流値情報としての基準電流値パターンとが比較され、
    基準電流値パターンは、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値パターンに基づいて作成され、
    前記ステップ（Ｃ）では、第１の所定期間に関して前記ステップ（Ｂ）によって作成された第１の実測電流値パターンと、第１の基準電流値パターンとの比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかが判定され、
    基準電流値パターンは、期待値パターンと、当該期待値パターンに対する高域側許容誤差及び低域側許容誤差とによって規定され、
    期待値パターンは、標準域電流値パターン、高域電流値パターン、及び低域電流値パターンの平均に基づいて設定され、
    高域側許容誤差は、高域電流値パターンと期待値パターンとの差に基づいて設定され、
    低域側許容誤差は、低域電流値パターンと期待値パターンとの差に基づいて設定される、被判定装置の真贋判定方法。
30. 被判定装置の真贋判定機能を備え、前記被判定装置に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記被判定装置に流れる電流を測定する電流測定部と、を有する情報処理装置において、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、被判定装置の真贋判定方法であって、
    （Ａ）前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において、複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得するステップと、
    （Ｂ）前記ステップ（Ａ）によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値情報を作成するステップと、
    （Ｃ）前記ステップ（Ｂ）によって作成された第１の実測電流値情報と、正規品又は非正規品に関して予め作成された第１の基準電流値情報との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定するステップと、
    を備え、
    基準電流値情報は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成され、
    前記ステップ（Ｂ）では、前記ステップ（Ａ）によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値情報としての実測拡散値が算出され、
    前記ステップ（Ｃ）では、前記ステップ（Ｂ）によって算出された実測拡散値と、基準電流値情報としての基準拡散値とが比較され、
    基準拡散値は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の基準電流値に基づいて求められ、
    前記ステップ（Ｃ）では、第１の所定期間に関する第１の実測拡散値と第１の基準拡散値との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかが判定される、被判定装置の真贋判定方法。
31. 信号処理回路と前記信号処理回路に電源を供給する電源供給部とを有する被判定装置の真贋判定機能を備え、前記電源供給部から前記信号処理回路に流れる電流を測定する電流測定部を有する情報処理装置において、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、被判定装置の真贋判定方法であって、
    （Ａ）前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において、複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得するステップと、
    （Ｂ）前記ステップ（Ａ）によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値情報を作成するステップと、
    （Ｃ）前記ステップ（Ｂ）によって作成された第１の実測電流値情報と、正規品又は非正規品に関して予め作成された第１の基準電流値情報との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定するステップと、
    を備え、
    基準電流値情報は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成される、被判定装置の真贋判定方法。
32. 自身を被判定装置とする真贋判定機能を備え、信号処理回路と、前記信号処理回路に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記信号処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、を有する情報処理装置において、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、被判定装置の真贋判定方法であって、
    （Ａ）前記被判定装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間において、複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得するステップと、
    （Ｂ）前記ステップ（Ａ）によって取得された複数の実測電流値に基づいて、実測電流値情報を作成するステップと、
    （Ｃ）前記ステップ（Ｂ）によって作成された第１の実測電流値情報と、正規品又は非正規品に関して予め作成された第１の基準電流値情報との比較結果に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定するステップと、
    を備え、
    基準電流値情報は、前記被判定装置の動作環境要素に起因して変動する複数域の電流値情報に基づいて作成される、被判定装置の真贋判定方法。

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