JP6649956B2 - 半導体照明デバイス - Google Patents

半導体照明デバイス Download PDF

Info

Publication number
JP6649956B2
JP6649956B2 JP2017540857A JP2017540857A JP6649956B2 JP 6649956 B2 JP6649956 B2 JP 6649956B2 JP 2017540857 A JP2017540857 A JP 2017540857A JP 2017540857 A JP2017540857 A JP 2017540857A JP 6649956 B2 JP6649956 B2 JP 6649956B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
lighting device
phosphor
green
fci
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017540857A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018511930A (ja
Inventor
エルマー バウアー
エルマー バウアー
レイナー ヴィンディッシュ
レイナー ヴィンディッシュ
フランク バウマン
フランク バウマン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of JP2018511930A publication Critical patent/JP2018511930A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6649956B2 publication Critical patent/JP6649956B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • H01L33/504Elements with two or more wavelength conversion materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/64Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
    • C09K11/646Silicates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77348Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Description

本発明は、照明光を放出するための半導体照明デバイスに関する。
LED系光源は、例えば、従来型の電球と比較してエネルギー効率の点で優位性を与えることができる。しかしながら、このような半導体照明デバイスでは、1つの課題は、例えば、優れた演色評価数を実現することにある。可能な限り、到達すべき基準は、いかなる場合にも5000Kの色温度までの黒体としてのハロゲン光源である。したがって、例えば、90以上の演色評価数(演色評価数≧90)により表されるハロゲン光源に可能な限り近づくと考えられる高い「光質」を有する様々なテスト色について、LED系光源のスペクトルをハロゲン光源のスペクトルと比較する。
Hashimoto et al.、「A new method for specifying color-rendering properties of light sources based on feeling of contrast」、Color Research and Application, Issue no. 5, 2007
本発明の基礎となる技術的な課題は、特に優位性のある半導体照明デバイスを提供することである。
本発明によれば、この課題は、照明光を放出するための半導体照明デバイスであって、青色一次放射を放出するために構成されるLEDと、動作中に一次放射により励起され、その結果照明光の少なくとも1つの成分を形成する二次光を放出するように配置され構成されるLED蛍光体とを備え、LED蛍光体が、二次光の成分としての赤色光を放出するための赤色蛍光体および二次光の成分としての緑色光を放出するための緑色蛍光体を含み、この緑色光が、CIE標準色度図において勾配mとy切片nとを有する第1の直線の上方に位置するカラー・ポイントを有し、勾配がm=1.189でありy切片がn=0.226であり、照明光の成分は、照明光が5500K以下の色温度を有するような相互の比率である、半導体照明デバイスにより解決される。
好ましい実施形態を、デバイスの態様と使用または方法の態様との間を詳細には常に区別しない発明の説明とともに、従属請求項および開示全体に示しており、いずれにせよ、非明示的に、本開示を、すべてのクレーム・カテゴリに関すると理解されたい。
照明光としての白色光は、したがって、赤色光、緑色光および青色光の対応する混合からもたらされ、青色光は通常、青色蛍光体によりやはり放出することができるが、好ましくはLEDにより放出される一次放射の青色光と同じである。ここで、本発明によれば、緑色蛍光体は、CIE標準色度図(全体の開示において、CIE標準色度図1931)における緑色光のカラー・ポイントが、直線y=1.189・x+0.226の上方に位置するように選ばれ、例示のため図3を参照されたい。簡単に言えば、緑色光のカラー・ポイントは、赤色までかなりの距離を有するはずであり、これが緑色成分と赤色成分との間の比較的はっきりとした最小値をもたらし、例示のため図1を参照されたい。
発明者らは、対応する照明光を用いる照明では、赤色および緑色の色合いが、より飽和し、これが多くの場合に快適であるように理解されることを見出した。幾分か比喩的であり単純化した説明的手法は、(問題とする照明光で照明される)多くの色素剤が「それ自体の」色の光の反射において比較的広帯域であり、これが結局は、実際の色のわずかに色あせた印象という結果をもたらすことがあることであり、照明光の赤色成分と緑色成分との間にある程度のギャップを作ることにより、広帯域反射の一部分が遮断され、対応する照明された(赤色または緑色の)色素剤が、より飽和しているように見える。しかし、この場合も、これは、必ずしも、黄色の色合いの悪い演色をもたらす必要がなく、その理由は、色刺激「黄色」を、赤色および緑色の追加の色混合物により人間の目に対して十分に良く設定できるためである。
照明デバイスにより放出される光全体のスペクトルにおいて、したがって、黄色、すなわち、例えば、550nmと600nmとの間、好ましくは560nmと590nmとの間に最小値(一般に極小値)がある。ここで、「最小値」は、2つの最も近くに隣接する最大値(例えば、測定ノイズを考慮すべきではない)の各々よりも、少なくとも5%、好ましくは少なくとも10%だけ小さい値を指す。
本概念、すなわち、既にもともと間隔を空けているカラー・ポイントを有する緑色蛍光体の選択に代わる発明者らの手法は、フィルタ処理することにより照明光スペクトルに対応するギャップを生成させてきているはずである。しかしながら、これは、発生する光の一部が使用されないままであるという理由で、効率の損失を意味するはずである。もともと適切なカラー・ポイントを有する現在好ましい緑色蛍光体(詳細には下記を参照のこと)の効率は、ガーネットなどの一般的な緑色蛍光体と比較して低いこともあり、これが直接比較で、一般的な緑色蛍光体の使用がより有利に見えるという理由である。しかし、フィルタ処理による「スペクトル仕上げ」は、効率におけるこの初期の優位性を使い尽くすはずである。これゆえ、本発明によれば、もともと適切なカラー・ポイントを有する緑色蛍光体を選択している。
「光」に対する言及は、可視スペクトル領域(380nmから780nm)内に少なくとも1つの成分を有する放射に関し、「放射」は、電磁放射を指す。一般に、LEDにより放出される一次放射は、紫外に位置することもでき、青色蛍光体を励起することができる、しかしながら好ましくは、一次放射は、青色光である。言い換えると、一次放射に基づく照明光の(さらなる)成分としての青色光は、好ましくはこの放射に等しく、赤色光および緑色光に混合される。
二次光のまたは照明光の「成分」に言及する限り、これは、それぞれの光(二次光または照明光)のスペクトル部分領域内に強度を有し、したがってそれぞれの部分領域における(二次光または照明光の)スペクトル特性を少なくとも共に決定する光を意味する。成分は、通常重なるが、好ましくは、各成分についてこの成分だけが強度を有する領域がある。
照明光の色温度は、5500K以下であり、特定された順番で5000K、4500Kまたは4000K以下がさらに好ましい上限であることを含む。好ましい下限は、例えば、少なくとも2500K、2600Kまたは2700Kであり、特定された順番でさらに好ましい。「白色」照明光のカラー・ポイントは、プランキアン曲線上に正確に位置することが必ずしも必要ではなく、ある程度のオフセットが好ましいことさえある(詳細には下記を参照のこと)。同じ色温度のカラー・ポイントは、そのときには、各ケースにおいて(色温度毎に)プランキアン曲線に対して斜めに延びるいわゆるジャッド直線上に位置する。
一般に、「LED」(発光ダイオード)は、収納したLEDまたはLEDチップのいずれであってもよい。赤色蛍光体および緑色蛍光体を、好ましくは混合して設け、特に好ましくはフィラー材中に一緒に両者を埋め込む、特に好ましくはLEDチップを覆っているフィラー材中に一緒に両者を埋め込む。フィラー材を、例えば、シリコーン流し込み成形物として、例えば、流し込み成形により加えることができる。
好ましい実施形態では、CIE標準色度図における照明光のカラー・ポイントは、上に向かってプランキアン曲線を制限する領域内にあり、プランキアン曲線から15しきい値単位の距離まで下に向かって広がり、特定された順番で領域のさらに好ましい限度である14、13、12、11または10しきい値単位を含む。しきい値単位(SWE)を、SWE=((u’−u’・(v’−v’1/2として、すなわち、c/c空間(CIE標準色度系)からの変換から得られる規格化したu’(v’)空間において定義する。領域の横方向の範囲に関して、上述の好ましい色温度を参照する。
好ましい構成では、CIE標準色度図における緑色光のカラー・ポイントは、加えて、式y=−0.833・x+0.692の第2の直線の上方にある。例示のために、図3を再び参照する。一般に、「直線の上方に位置する」は、対応するカラー・ポイントのy値が対応する直線の方程式を使用してカラー・ポイントのx値から得られるy値以上であり、好ましくは大きいことを意味する。
好ましい実施形態では、CIE標準色度図における緑色光のカラー・ポイントは、4つの(x/y)値対まで広がる四角形内にある、ここでは、(x/y)値対は、(0.352/0.645)、(0.25/0.73)、(0.17/0.55)および(0.23/0.5)である。各ケースにおいて、最初にx値を次いでy値を値対毎に、すなわち括弧毎に示している。四角形の辺は、直線であり、値対は、角を規定する。値対の特定した順番は、角の反時計回りの順番に対応する。緑色光のカラー・ポイントは、この四角形内に位置するはずであり、これは一般に、測辺上であることをも意味するが、好ましくは測辺まである距離のところにある。
好ましい構成では、緑色光の主波長λDomは、少なくとも515nm、この順番で好ましさが大きくなる少なくとも520nm、525nm、530nmまたは535nmである。緑色光の主波長λDomは、好ましくは555nm以下に位置するはずである、ここでは、552.5nm以下がさらに好まれ、550nm以下が特に好ましい。緑色光の半値全幅は、好ましくは85nm以下のところに位置するはずであり、82.5nm以下がさらに好ましく、80nm以下が特に好まれる。半値全幅の可能な下限は、例えば、少なくとも30nm、40nm、50nmまたは60nmのところに位置することがある。
一般に、「主波長λDom」および「半値全幅」の仕様は、互いに独立して関心のあるものとすることもでき、この文書でやはり開示されるはずであり、同様に、上限および下限は、各ケースにおいて互いに独立して関心のあるものであり、この文書でやはり開示されるはずである。CIE標準色度系における主波長λDomは、ホワイト・ポイントおよびそれぞれ検査した光のカラー・ポイントを通って延びる直線(カラー・ポイントおよびホワイト・ポイントは直線上に位置する)とのスペクトル・カラー線の交点である。
この開示の文脈では光の「カラー・ポイント」に言及する限り、これは、LED蛍光体中に存在する濃度で下にある蛍光体のカラー・ポイントを指す。示したカラー・ポイントは、好ましくは粉末上での測定に関係し、単一粒子を用いる測定には関係せず、図3および可能性のある相違に関する関係する説明を参照する。
好ましい構成では、CIE標準色度系における赤色光のカラー・ポイントは、4つの(x/y)値対まで広がる四角形(真っすぐな端部を有する、やはり、緑色光に関する他の上述の情報を参照)内に位置する、ここでは、(x/y)値対は、(0.68/0.325)、(0.61/0.39)、(0.6/0.38)および(0.67/0.315)である。類似的に当てはまる、緑色光のカラー・ポイントについての上述の情報を明確に参照する。
好ましい実施形態では、赤色光のピーク波長λpeakは、少なくとも630nmである、ここでは、少なくとも635nmがさらに好ましく、638nmが特に好ましい。赤色光のピーク波長λpeakは、好ましくは645nm以下のところに位置するはずである、ここでは、643nm以下がさらに好ましく、641nm以下が特に好まれる。赤色光の半値全幅は、好ましくは100nm以下に位置するはずであり、95nm、90nmまたは85nm以下が特定した順番でさらに好ましい上限であることを含む。可能な下限を、例えば、少なくとも30nm、40nm、50nm、60nmまたは70nmとすることができる。ここで、ピーク波長λpeakおよび半値全幅は、一般に互いに独立してやはり関心のあるものであってもよく、これは、上限および下限についても当てはまる。
発明者らは、緑色と赤色との間の最小値をピーク波長の対応する制限により実現することができること、およびギャップが他方では大き過ぎるようにならないことを見出している。発明者は、(ギャップに起因する)この領域内で優れた彩度を見つけており、同時にギャップが単純に大き過ぎないという理由で演色は依然として優れている。
好ましい構成では、CIE13.2にしたがって計算した、照明光の演色評価数R(CRI)は、少なくとも80、81、82、83 84または85であり、この特定した順番で好ましさが大きくなり、可能な上限を、例えば、95または90以下とすることができる。
好ましい実施形態では、赤色光の主波長λDomは、少なくとも595nmである、ここでは、少なくとも597.5nmの主波長λDomがさらに好ましく、少なくとも600nmが特に好ましい。赤色光の主波長λDomは、好ましくは620nm以下のところに位置するはずである、ここでは619nm以下がさらに好ましく、618nm以下が特に好ましい。
好ましい構成では、緑色蛍光体は、オルトシリケート蛍光体、窒化物−オルトシリケート蛍光体、および/またはβ−SiAlON蛍光体のうちの少なくとも1つを含む(一般に、例えば、有機蛍光体、また量子ドットを緑色蛍光体として設けることができる)。好ましくは、緑色蛍光体は、上記のうちの1つだけを含み、特に好ましくは、もっぱら上記のうちの1つから構成される、すなわち、緑色蛍光体は、単一の蛍光体である(これが一般に好まれている)。一般に、緑色蛍光体は、また多数の単一蛍光体の混合物であってもよい。
緑色蛍光体(オルトシリケート蛍光体、窒化物−オルトシリケート蛍光体)を、例えば、AE2−x−aRE Si1−y4−x(AE=Sr、Ba、Ca、Mg;RE=希土類元素)および/またはAE2−x−aRE Si1−y4−x−2y(AE=Sr、Ba、Ca、Mg;RE=希土類元素)の形のものとすることができる。
言い換えると、緑色蛍光体についての好ましい分子式を、AE2−xSiO4−x:REおよび/またはAE2−xSi1−y4−x−2y:REおよび/またはAESiO:REとすることができる、ここでは、AEがMg、Ca、Sr、Baから選択される1つまたは複数の元素を含有し、REが希土類金属から選択される1つまたは複数の元素、好ましくは少なくともEuを含有し、LがREとは異なる希土類金属から選択される1つまたは複数の元素を含有し、0<x≦0.1、好ましくは0.003≦x≦0.02、および0<y≦0.1、好ましくは0.002≦y≦0.02である。特に好ましくは、蛍光体は、AEとして少なくともSrおよびBaを含有し、SrとBaの比率は:0.5<Ba:Sr≦2、さらに好ましくは0.75≦Ba:Sr≦1.25である。
好ましい構成では、(Sr,Ca)AlSiN蛍光体および/またはいわゆる226−蛍光体を赤色蛍光体として設け、好ましいものは単一蛍光体として上記2つのうちの1つである。226−蛍光体は、ここではSr(SrCa1−a)SiAlと同じ結晶構造を備える。226−蛍光体の空間群は、好ましくは単斜晶P2である。特に好ましくは、226−蛍光体の結晶構造は、(Sr,Ca)AlSiN蛍光体の結晶構造の2倍の大きさの単位セルを含む。
赤色蛍光体としての226−蛍光体は、例えば、一般分子式SrCa1−xAlSiN:Euにより表される、ここでは0.8<x≦1であり、0.1%と5%との間の(両端を含む)割合で、Sr、Caおよび/またはSr/Ca格子位置が、Euにより置き換えられ、x線構造解析では、蛍光体は、斜方晶表記でミラー指数
Figure 0006649956
で反射を示す。
始めのところで既に述べたように、好ましい構成においてLEDにより放出される一次放射は、照明光の成分を形成する青色光である。青色光の一部は、照明光の成分であるが、LED蛍光体を励起するために別の部分を使用する。この動作モードを、部分変換とも呼び、LED蛍光体が、例えば、青色光で照射される、ここでは、実際には青色光の全体が変換されるのではない。一般に、「変換」は、この開示の文脈ではダウンコンバージョンを指し、したがって二次光の波は、一次放射と比較してより長い。
青色光の主波長λDomは、特定された順番で好ましさが大きくなり、例えば、少なくとも434nm、436nm、438nm、440nm、442nmまたは444nmのところに位置することができ;可能な上限は、(特定された順番で好ましさが大きくなり)例えば、466nm、464nm、462nm、460nm、458nmまたは456nm以下のところにある。上限および下限は、再び、互いに独立して関心のあるものであり、この文書でやはり開示されるはずである。有利なことに、さらなるギャップを、照明光スペクトル内に、すなわち青色部分と緑色部分との間に実現することができる。その結果、彩度を、青色スペクトル領域においても大きくすることができ、緑色スペクトル領域における彩度を、さらに向上させることができる。
好ましくは、LEDは、III−V半導体化合物材料に基づくLEDである、ここでは窒化物半導体化合物材料が特に好ましく、例えば、AlIn1−n−mGaNであり、0≦n≦1、0≦m≦1およびn+m≦1である。ここで、半導体積層体は、ドーパントおよび一般に、追加の構成要素を含むことができ、簡潔さのために、必須の構成要素だけを特定している。したがって、InGaN−LEDが好ましい。
好ましい実施形態では、照明デバイスは、多数のLED、例えば、少なくとも2個、5個、10個、15個または20個のLEDを含み、特定された順番で好ましさが大きくなり;可能な上限を、300個、200個または100個以下のLEDとすることができる。この多数のLEDを一緒に収納する、したがって、(それ自体、それぞれ収納されていない)対応する多数のLEDを、フィラー材を用いて一緒に収納する、好ましくは、一緒に流し込み成形する;シリコーンがフィラーまたは流し込み材として好ましい。好ましくは、フィラー材で作られた連続体は、LEDチップを覆うためのものである。LEDチップを、好ましくは、共通基板上に配置し、配線し;基板およびフィラー材は、そのときにはLEDチップを一緒に封止する。
照明デバイスの好ましい構成は、照明光のFCI値に関係し、いわゆる目立ち指数(FCI)は、一方では現在特に扱う彩度についての尺度であるが、他方では演色を考慮する、ここでは、FCIは、観察者の感覚を考慮している。さらなる詳細について、非特許文献1を参照する。
照明光の色温度が3000K未満である場合には、FCI値は、少なくとも130になるべきである。基本的に、FCI値は、同じ蛍光体混合物のケースでもある程度の変動を受けることがあり、例えば、動作温度に依存することがあり(温度の上昇とともに低下する)、例示のために図4をも参照されたい。この図は、同じ色温度で(すなわち、共通ジャッド直線上に位置するカラー・ポイントに対して)さえも、わずかに異なるFCI値が結果として生じることがあることをさらに例示している。3000K未満の色温度では、FCIは、好ましくは少なくとも130のところに位置すべきである。
色温度が上昇するにつれてFCI値が低下するので、少なくとも3000Kの色温度では、FCI値が直線FCI=mFCI・T(ケルビンで)+nFCIの上方に位置することが好ましい、ここでは、mFCI=−0.006およびnFCI=148である。3000K未満の色温度では、FCIの可能な上限は、150以下のFCI値のところに位置することがある。少なくとも3000Kの色温度では、FCI値は、mFCI=−0.006およびnFCI=168である直線FCI=mFCI・T+nFCIの下方に位置することがある。
疑義のある場合には、現在のFCI仕様書は、120℃の蛍光体の動作温度で照明デバイスにおいて決定した値を参照するが、好ましくはこの値は、160℃以下の動作温度まで当てはまる。
本発明は、ここに開示した照明デバイスと、半導体照明デバイスが、例えば、間接的に間に挟まれた制御電子機器および/またはドライバ電子機器を介して電気的機能的に接続される口金とを備える照明装置にも関する。口金は、例えば、ピン口金、差し込み口金、チューブ口金、シェル口金、プラグ口金またはエジソンねじ口金(ねじ込み口金)であってもよく、好ましくは従来型の電灯ソケットと互換性があってもよい。
さらに、本発明は、ここに開示した照明デバイスまたはその照明装置、すなわち、汎用照明目的用、特にビルディングの照明用、特に室内照明用、特に売り場用、特に、例えば全小売店などの立ち寄り売り場の照明用などの照明装置の使用にも関係する(ここで、彩度の増加は、格別の利益をもたらすとともに、より高い関心を引くことができる)。好ましくは、商品のある売り場および商品の周りの立ち寄り売り場を、同時に同じ光源で照明する、ここでは、例えば、照明デバイスにより出力される光の少なくとも30%、好ましくは少なくとも40%の部分を、立ち寄り売り場の照明用に使用する。
本発明は、ここに開示した照明デバイスまたはその照明装置の使用にも関係する、ここでは、赤色光および緑色光から構成される二次光を、照明用にフィルタ処理せずに使用する。好ましくは、全体の照明光を、フィルタ処理せずに使用する。「フィルタ処理しない」使用は、恒久動作に関係し、したがって、例えば、少なくとも10秒(s)、30秒(s)、60秒(s)または著しく長い、例えば、少なくとも30分(min)または60分(min)にわたり行われる。その限りにおいて、「フィルタ処理しない」は、対応する時間にわたり発生する全二次光/照明光を、(不可避な散乱損失を除いて)照明用に使用することを意味する。
照明デバイスにより出力される光束を、例えば、少なくとも500lm、1000lm、1500lm、2000lmまたは2500lmとすることができ(特定した順番で好ましさが大きくなる)、可能な上限を、例えば、10000lm以下または5000lm以下とすることができる。例えば、少なくとも50W/lm、好ましくは少なくとも80W/lm、特に好ましくは少なくとも100W/lmの効率を実現することができ、可能な上限を、例えば、200W/lm以下または150W/lm以下とすることができる。これは、デバイス・カテゴリに関しても明示的に開示されている。
以降に、例示的な実施形態を使用して、発明を詳細に説明する、ここでは、個々の特徴は、従属請求項の範囲内の他の組み合わせで発明に関係するものあり、この文書において開示されるはずである。
本発明による照明デバイスの照明光のスペクトル特性の図である。 基準としてのハロゲン・ランプの光と比較して、図1による照明光の彩度を例示するための図である。 照明光の一部としての赤色光および緑色光のカラー・ポイントについての好ましい領域を有するCIE標準化色度系の図である。 異なる色温度の発明による照明デバイスのFCI値を例示するための図である。 プランキアン曲線に対する好ましいカラー・ポイントの位置の図である。 本発明による照明デバイスの模式断面図である。
図1は、本発明による照明デバイスの照明光のスペクトルを示している。InGaN−LEDにより放出される青色光は、照明光の青色成分1を形成する。青色光の主波長λDomは、約450nmのところに位置する。青色LED光の一部を、照明光の一部として照明のためにこのように直接使用し、他方で、青色光の別の部分を、LED蛍光体(詳細な構造に関して図5参照)を励起するために使用し、このLED蛍光体は、この励起でより長い波の二次光を放出する。
青色光で励起されるLED蛍光体は、赤色蛍光体および緑色蛍光体から構成され、蛍光体は、混合物で与えられる(詳細には図5参照)。(Sr,Ca)AlSiNを、赤色蛍光体として設け、緑色蛍光体は、窒化物−オルトシリケートである。
緑色蛍光体により放出される緑色光は、青色LED光での励起で照明光の緑色成分2を形成し、赤色蛍光体により放出される赤色光は、青色LED光での励起で照明光の赤色成分3を形成する。図1によるスペクトル特性では、緑色成分2と赤色成分3との間の最小値は、可視、すなわち黄色である。同様に、青色成分1と緑色成分2との間に最小値がある。
図2に図示したように、ある意味で帯域へと分割された図1のこのスペクトル特性は、赤色および緑色のいずれの場合でも、部分的に青色の彩度を高めることもできる。この場合も、黄色の彩度は、実際に影響されず、おそらくある程度の赤色シフトが生じることがある。基準としてのハロゲン・ランプで実現することができる彩度と比較して、彩度を図2に示している。
図2は、軸aおよびbを有するCIELAB図を示している。あるテスト色について原点までの距離が大きいほど、彩度が大きくなる。
大きい彩度を、図1のスペクトル特性を用いて実現することができる。したがって、例えば、緑色成分2と赤色成分3との間の最小値は、一般に比較的広帯域化されたものを反射する(テスト色の)色素剤が、簡単に言うと全幅まで照明されず、したがって全幅まで反射させないという結果をもたらし、これがテスト色の色あせを少なくさせる。
図3は、CIE標準色度図(1931)を示し、図1のスペクトル特性の実現のために適した様々な赤色蛍光体および緑色蛍光体のカラー・ポイントの位置を図示している。緑色蛍光体として、オルトシリケート蛍光体、窒化物−オルトシリケート蛍光体、およびβ−SiAlON蛍光体を試験した、ここでは、各ケースにおいて蛍光体毎に、技術的に可能性のある変動を検討するために、相互にある程度のスペクトル・シフトを有する多数の点をシミュレーションした。すべてのカラー・ポイントは、図3に示されている矩形内にある。
さらに、2つのカラー・ポイントは、正確に同じ組成の蛍光体毎の結果である、すなわち測定法、すなわちカラー・ポイントが単一粒子上でまたは粉末上で測定されるかどうかに依存する。単一粒子上ではまたは著しく希薄な状態では、短い波形形状のスペクトル拡張が、粉末上で測定するときよりもさらに強烈であり、しかし、この測定は、LED内で(すなわち、LED蛍光体内で)そのときには関係するスペクトル特性をも表している。言い換えると、LED蛍光体中での振る舞いは、粉末中での振る舞いにほぼ対応する。
図3では、単一粒子測定のデータを、黒いドットにより特定する、これに対して、LED蛍光体についての妥当な濃度について決定したデータを、黒い境界のある白いドットで表している。
詳細には測定法とは無関係であってさえも、図3において緑色蛍光体についてプロットしたすべてのカラー・ポイントは、4つの(x/y)値対まで広がる四角形内に位置し、この(x/y)値対は、(0.352/0.645)、(0.25/0.73)、(0.17/0.55)および(0.23/0.5)である。カラー・ポイントは、また、式y=1.189・x+0.226の第1の直線31の上方であり、かつ同時に式y=−0.833・x+0.692の第2の直線32の上方である。緑色蛍光体の主波長λDomは、535nmと550nmとの間にある、ここでは半値全幅はそれぞれ<80nmである。
さらにまた、赤色蛍光体について、すなわち(Sr,Ca)AlSiN蛍光体および226蛍光体についてのカラー・ポイントを、CIE標準図に示している。粉末で測定することと単一粒子上で測定することとの間の相違は、ここではあまり明確ではない。適切な赤色カラー・ポイントは、すべて4つの(x/y)値対まで広がる四角形内にあり、この(x/y)値対は、(0.68/0.325)、(0.61/0.39)、(0.6/0.38)および(0.67/0.315)である。適切な赤色蛍光体の主波長は、600nmと618nmとの間である、ここでは半値全幅は85nm未満である。
図4は、本発明による様々な照明デバイスに関する図においてそれぞれ決定したFCI値を示しており、この値は、彩度に関する尺度、また演色に関する尺度である(目立ち指数、FCI、基準に関する概説参照)。2つのFCI値を、所定のLED蛍光体、すなわち、LEDにより与えられる青色成分に対する赤色蛍光体および緑色蛍光体のある種の混合物を有する照明デバイス毎にプロットした。ここで、各々のケースで、1つの値は、25°の(照明デバイスの)動作温度に対応し、他の値は、90°の動作温度に対応する。結果を、シミュレーションにより決定した。
ここで、発明者らは、プランキアン曲線からそれぞれのカラー・ポイントまでの距離が異なる色温度毎に複数の照明デバイスをも試験した。色温度毎に、カラー・ポイントは、ジャッド直線上に位置する。それ自体のカラー・ポイント41が異なる4つの照明デバイスを、そのような直線毎に、したがって色温度毎に試験した、ここでは、第1のカラー・ポイントが、(色温度毎の)各ケースにおいてプランキアン曲線の上方の3個のマックアダムス・ステップに位置し、第2のカラー・ポイント42が、プランキアン曲線の下方の3個のマックアダムス・ステップに位置し、第3のカラー・ポイント43が、6個のマックアダムス・ステップに位置し、第4のカラー・ポイント44が、プランキアン曲線の下方の10個のマックアダムス・ステップに位置する。したがって、FCI値は、(同じ色温度では)プランキアン曲線の上方よりもこの曲線の下方で値が大きい。
参照符号a、bは、そのうえ、動作条件としての室温(25℃)(RT)と恒久動作において生じる90℃の高温(D)との間を区別する。例えば、44aと44bとの比較は、したがって異なる温度での同じ照明デバイスに関し、FCI値は、温度が上昇するにつれて減少する(これは、通常、発光波長が温度によりわずかに変化することがあり得る蛍光体の特性のためである)。
色温度が、3000K未満(色温度<3000K)では、FCI値は、すべて130より大きい(FCI値>130)。(少なくとも3000K)より高い色温度では、FCI値は、式FCI=−0.006・T(K)+148の直線45の上方である。
図4によれば、FCI値をこのような方法で大きくできるという理由で、所望の色温度を有するプランキアン曲線まである程度の距離のところに位置するカラー・ポイントが、プランキアン曲線上に位置するよりも好ましいことさえあることが明らかになる。
図5は、色空間を明確化のために示していないが、CIE標準色度図に適している座標系におけるプランキアン曲線51を示している。
第1の大きな領域52をプランキアン曲線51の下方に示し、この領域には、本発明による照明デバイスの照明光のカラー・ポイントが、好ましくは位置するはずである。特に好ましくは、カラー・ポイントは、第1の領域52によって含まれるより狭い第2の領域53内にあるはずである。
図6は、多数のLED62、すなわち、それ自体は収納されていないLEDチップを備える本発明による照明デバイス61を通る模式断面図を示している。多数のLEDは、基板63上に配置され、相互に接続され、ボンディングワイア64を介して基板63のリードフレーム・コネクタ(図示せず)に接続されている。
LEDチップを、照明デバイス61内に一緒に収納する、すなわち、流し込み材65、すなわちシリコーンで覆う。赤色蛍光体および緑色蛍光体の混合物を、シリコーン中に埋め込む。複数の蛍光体粒子を、流し込み材65中に埋め込み、その中でランダムに分散させる。
光放射表面66のところで各ケースにおいてLED62により放出される(一次放射としての)青色光は、蛍光体混合物を有する流し込み材65に侵入し、このプロセス中に一部が変換される。照明デバイス61の光放射表面67のところでは、この励起でLED蛍光体(混合物)により出力された変換光および青色LED光の変換されなかった部分の混合物を、照明光として出力する。

Claims (16)

  1. 照明光(1、2、3)を放出するための半導体照明デバイス(61)であって、
    青色の一次放射を放出するために構成される、LED(62)と、
    動作中に前記一次放射により励起され、その結果照明光の少なくとも1つの成分を形成する二次光(2、3)を放出するように配置され構成される、LED蛍光体と
    を備え、
    前記LED蛍光体が、前記二次光の成分としての赤色光(3)を放出するための赤色蛍光体および前記二次光の成分としての緑色光(2)を放出するための緑色蛍光体を含み、前記緑色光(2)が、CIE標準色度図において勾配mとy切片nとを有する第1の直線(31)の上方に位置するカラー・ポイントを有し、前記勾配がm=1.189であり前記y切片がn=0.226であり、
    前記LED(62)により放出される前記一次放射は、前記照明光の成分を形成する青色光(1)であり、
    前記照明光(1、2、3)の前記成分は、前記照明光(1、2、3)が5500K以下の色温度を有するような相互の比率であり、
    前記照明光(1、2、3)は、前記CIE標準色度図において、プランキアン曲線を上に向かって制限する範囲内にあるカラー・ポイントを有し、かつ、少なくとも80の演色評価数を有する、
    半導体照明デバイス(61)。
  2. 前記緑色光(2)が、前記CIE標準色度図において、勾配mとy切片nとを有する第2の直線(32)の上方に位置するカラー・ポイントを有し、前記勾配がm=−0.833であり、前記y切片がn=0.692である、請求項1に記載の半導体照明デバイス(61)。
  3. 前記CIE標準色度図における前記緑色光(2)の前記カラー・ポイントが、4つの(x/y)値対まで広がる四角形内に位置し、前記(x/y)値対が、(0.352/0.645)、(0.25/0.73)、(0.17/0.55)および(0.23/0.5)である、請求項2に記載の半導体照明デバイス(61)。
  4. 前記緑色光(2)が、85nm以下の半値全幅を有し、515nm以上555nm以下の主波長ΛDomを有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体照明デバイス(61)。
  5. 前記CIE標準色度図における前記赤色光(3)の前記カラー・ポイントが、4つの(x/y)値対まで広がる四角形内に位置し、前記(x/y)値対が、(0.68/0.325)、(0.61/0.39)、(0.6/0.38)および(0.67/0.315)である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体照明デバイス(61)。
  6. 前記赤色光(3)が、100nm以下の半値全幅を有し、630nm以上645nm以下のピーク波長Λpeakを有する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体照明デバイス(61)。
  7. 前記緑色蛍光体が、オルトシリケート蛍光体、窒化物−オルトシリケート蛍光体、および/またはβ−SiAlON蛍光体を含み、好ましくは上記のうちの1つから構成される、請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体照明デバイス(61)。
  8. 青色の一次放射を放出するために構成された多数のLED(62)を備え、前記多数のLED(62)が、LEDチップとして前記半導体照明デバイス(61)に各々取り付けられ、フィラー材(65)とともに収納される、請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体照明デバイス(61)。
  9. 前記照明光は、前記色温度が3000K未満である限り少なくとも130のFCI値を有し、少なくとも3000Kの色温度では、色温度をx軸上にプロットする状態で、mFCI=−0.006およびnFCI=148であり、勾配mFCIとy切片nFCIとを有する直線FCI=mFCI・T+nFCIの上方に位置するFCI値を有する、請求項1〜8のいずれか一項に記載の半導体照明デバイス(61)。
  10. 前記赤色蛍光体および前記緑色蛍光体は、一緒にフィラー材中に埋め込まれている、請求項1〜9のいずれか一項に記載の半導体照明デバイス(61)。
  11. 前記緑色蛍光体は、下記一般式(A)で表される組成を有する、および/または、下記一般式(B)で表される組成を有する、請求項1〜10のいずれか一項に記載の半導体照明デバイス(61)。
    AE2−x−aRE Si1−y4−x (A)
    AE2−x−aRE Si1−y4−x−2y (B)
    AEは、Sr、Ba、Ca、および、Mgから選択される少なくとも一種を含み、Rは、希土類元素から選択される少なくとも一種を含む。
  12. 前記赤色蛍光体は、下記一般式(C)で表される組成を有する、および/または、下記一般式(D)で表される組成を有する、請求項1〜11のいずれか一項に記載の半導体照明デバイス(61)。
    (Sr、Ca)AlSiN (C)
    Sr(SrCa1−a)SiAl (D)
  13. 前記一次放射である青色光(1)の一部は、前記赤色蛍光体および前記緑色蛍光体により、赤色光(3)および緑色光(2)に変換される、請求項1〜12のいずれか一項に記載の半導体照明デバイス(61)。
  14. 請求項1〜13のいずれか一項に記載の半導体照明デバイス(61)と、前記半導体照明デバイス(61)が電気的機能的に接続される口金とを備え、前記口金が、エジソンねじ口金、プラグ口金、シェル口金、チューブ口金、差し込み口金またはピン口金である、
    照明装置。
  15. 汎用照明目的用の、特にビルディングの照明用の、特に室内照明用の、特に売り場の照明用の、請求項1〜13のいずれか一項に記載の半導体照明デバイス(61)または請求項14に記載の照明装置の使用。
  16. 前記二次光が、照明用にフィルタ処理しないで使用される、請求項1〜13のいずれか一項に記載の半導体照明デバイス(61)または請求項14に記載の照明装置の使用。
JP2017540857A 2015-02-06 2016-01-11 半導体照明デバイス Active JP6649956B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015202159.9A DE102015202159B4 (de) 2015-02-06 2015-02-06 Halbleiter-Beleuchtungsvorrichtung
DE102015202159.9 2015-02-06
PCT/EP2016/050378 WO2016124357A1 (de) 2015-02-06 2016-01-11 Halbleiter-beleuchtungsvorrichtung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018511930A JP2018511930A (ja) 2018-04-26
JP6649956B2 true JP6649956B2 (ja) 2020-02-19

Family

ID=55083422

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017540857A Active JP6649956B2 (ja) 2015-02-06 2016-01-11 半導体照明デバイス

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10141483B2 (ja)
JP (1) JP6649956B2 (ja)
DE (1) DE102015202159B4 (ja)
WO (1) WO2016124357A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102514150B1 (ko) * 2016-01-05 2023-04-04 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
DE102016104369A1 (de) * 2016-03-10 2017-09-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtstoffmischung und optoelektronisches Bauelement mit einer Leuchtstoffmischung
DE102016123972A1 (de) * 2016-12-09 2018-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102018101428A1 (de) * 2018-01-23 2019-07-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US20200407634A1 (en) 2019-06-26 2020-12-31 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
KR20220151076A (ko) 2021-05-04 2022-11-14 삼성전자주식회사 발광장치 및 식물생장용 조명장치

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4128564B2 (ja) 2004-04-27 2008-07-30 松下電器産業株式会社 発光装置
US7497973B2 (en) 2005-02-02 2009-03-03 Lumination Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
KR100930171B1 (ko) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
KR100946015B1 (ko) 2007-01-02 2010-03-09 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 lcd 백라이트용 광원모듈
JP5360857B2 (ja) 2007-05-17 2013-12-04 Necライティング株式会社 緑色発光蛍光体、その製造方法及びそれを用いた発光素子
US8740400B2 (en) 2008-03-07 2014-06-03 Intematix Corporation White light illumination system with narrow band green phosphor and multiple-wavelength excitation
KR100924912B1 (ko) * 2008-07-29 2009-11-03 서울반도체 주식회사 웜화이트 발광장치 및 그것을 포함하는 백라이트 모듈
KR20120092549A (ko) * 2009-06-30 2012-08-21 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 조정가능 색 온도를 갖는 백색광 전계발광 디바이스
US8294168B2 (en) 2010-06-04 2012-10-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Light source module using quantum dots, backlight unit employing the light source module, display apparatus, and illumination apparatus
US8702277B2 (en) * 2010-07-12 2014-04-22 Samsung Electronics Co., Ltd. White light emitting diode and liquid crystal display including the same
JP5028544B2 (ja) 2011-01-14 2012-09-19 パナソニック株式会社 光源装置
SG185159A1 (en) 2011-04-26 2012-11-29 Novalite Technology Pte Ltd Gas cooled light emitting diodes
KR101781437B1 (ko) 2011-04-29 2017-09-25 삼성전자주식회사 백색 발광 장치 및 이를 이용한 디스플레이 및 조명장치
JP2012246462A (ja) * 2011-05-31 2012-12-13 Sharp Corp 発光装置
AT14523U1 (de) * 2011-09-30 2015-12-15 Tridonic Jennersdorf Gmbh Led-modul mit bestimmter emissionscharakteristik
JPWO2013136732A1 (ja) * 2012-03-12 2015-08-03 パナソニックIpマネジメント株式会社 蛍光体およびそれを用いた発光装置
CN104662680B (zh) * 2012-09-13 2017-07-14 3M创新有限公司 具有宽颜色范围的高效照明系统
US20150276198A1 (en) 2012-10-19 2015-10-01 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus and structure for attaching light-emitting apparatus to heat sink
DE102013215382A1 (de) * 2013-08-05 2015-02-05 Osram Gmbh Leuchtstoff-LED
CN105914287B (zh) 2013-10-08 2019-02-26 欧司朗光电半导体有限公司 发光材料、用于制造发光材料的方法和发光材料的应用

Also Published As

Publication number Publication date
DE102015202159B4 (de) 2023-06-15
US20180033921A1 (en) 2018-02-01
JP2018511930A (ja) 2018-04-26
DE102015202159A1 (de) 2016-08-11
WO2016124357A1 (de) 2016-08-11
US10141483B2 (en) 2018-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6649956B2 (ja) 半導体照明デバイス
JP6448748B2 (ja) 展示物を展示するための装置
JP6567112B2 (ja) 照明方法及び発光装置
US7646032B2 (en) White light LED devices with flat spectra
WO2013031943A1 (ja) 照明方法及び発光装置
JP2016186946A5 (ja)
JP2016184761A5 (ja)
JP6584030B2 (ja) 照明方法及び発光装置
JP2019067773A (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
US10880962B2 (en) Lighting systems having multiple light sources
EP2650918A1 (en) Light emitting module
JP7313565B2 (ja) 好ましい演色を有するチューナブル照明システム
WO2018155665A1 (ja) 半導体発光装置及び照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170901

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180725

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180821

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181121

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190423

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190718

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20190808

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20190815

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20191224

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200117

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6649956

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250