JP6649303B2 - 銅配線及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の銅配線は、平均粒径が60nm以上の銅の結晶粒からなる多結晶で構成され、前記結晶粒の表面積のうち、前記結晶粒表面が塩素(Cl)、酸素(O)の化合物からなる不純物で被覆される面積の割合が平均25%以下、かつ前記結晶粒表面で銅が露出する面積の割合が平均75%以上とされたことを特徴とする。ここで、被覆される面積の割合が25%であるとは、結晶粒界の全体面積に対する結晶粒の成長が止められている粒界の面積の割合が25%ということを意味している。
本発明の銅配線において、前記化合物は、金属元素を含むことを特徴とする。
本発明の銅配線において、前記金属元素は鉄(Fe)であることを特徴とする。
本発明の銅配線は、絶縁層中に形成された幅が70nm以下の溝を埋め込んで形成されたことを特徴とする。
本発明の銅配線は、基板を厚さ方向に貫通する孔を埋め込んで形成されたことを特徴とする。
本発明の銅配線の製造方法は、前記銅配線の製造方法であって、平均粒径が28nm以下の銅の結晶粒からなる多結晶で構成され、前記結晶粒の表面積のうち、前記結晶粒表面が塩素(Cl)、酸素(O)、及び鉄(Fe)を含む化合物からなる不純物で被覆される面積の割合が平均25%以下、かつ前記結晶粒表面で銅が露出する面積の割合が平均75%以上である銅層を電気めっき法によって形成するめっき工程と、前記銅層に対して、非酸化雰囲気で、前記結晶粒が成長する温度で熱処理を行う熱処理工程と、を具備し、前記めっき工程において用いられるめっき液は硫酸銅溶液であり、鉄(Fe)濃度が50μg/L以下、チタン(Ti)濃度が100μg/L以下、亜鉛(Zn)濃度が40μg/L以下、コバルト(Co)濃度が1μg/L以下、ニッケル(Ni)濃度が1μg/L以下、マグネシウム(Mg)濃度が50μg/L以下、マンガン(Mn)濃度が0.5μg/L以下、錫(Sn)濃度が5μg/L以下、鉛(Pb)濃度が0.5μg/L以下、及びアルミニウム(Al)濃度が5μg/L以下とされたことを特徴とする。
10A 溝(配線溝)
11 バリアメタル層
12 シード層
20 銅層
30 銅配線
41 塩素(Cl)原子
42 鉄(Fe)原子
43 酸素(O)原子
G 結晶粒界
Claims (6)
- 平均粒径が60nm以上の銅の結晶粒からなる多結晶で構成され、前記結晶粒の表面積のうち、前記結晶粒表面が塩素(Cl)、酸素(O)の化合物からなる不純物で被覆される面積の割合が平均25%以下、かつ前記結晶粒表面で銅が露出する面積の割合が平均75%以上とされたことを特徴とする銅配線。
- 前記化合物は、金属元素を含むことを特徴とする請求項1に記載の銅配線。
- 前記金属元素は鉄(Fe)であることを特徴とする請求項2に記載の銅配線。
- 絶縁層中に形成された幅が70nm以下の溝を埋め込んで形成されたことを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載の銅配線。
- 基板を厚さ方向に貫通する孔を埋め込んで形成されたことを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載の銅配線。
- 請求項1から請求項5までのいずれか1項に記載の銅配線の製造方法であって、
平均粒径が28nm以下の銅の結晶粒からなる多結晶で構成され、前記結晶粒の表面積のうち、前記結晶粒表面が塩素(Cl)、酸素(O)、及び鉄(Fe)を含む化合物からなる不純物で被覆される面積の割合が平均25%以下、かつ前記結晶粒表面で銅が露出する面積の割合が平均75%以上である銅層を電気めっき法によって形成するめっき工程と、
前記銅層に対して、非酸化雰囲気で、前記結晶粒が成長する温度で熱処理を行う熱処理工程と、
を具備し、
前記めっき工程において用いられるめっき液は硫酸銅溶液であり、鉄(Fe)濃度が50μg/L以下、チタン(Ti)濃度が100μg/L以下、亜鉛(Zn)濃度が40μg/L以下、コバルト(Co)濃度が1μg/L以下、ニッケル(Ni)濃度が1μg/L以下、マグネシウム(Mg)濃度が50μg/L以下、マンガン(Mn)濃度が0.5μg/L以下、錫(Sn)濃度が5μg/L以下、鉛(Pb)濃度が0.5μg/L以下、及びアルミニウム(Al)濃度が5μg/L以下とされたことを特徴とする銅配線の製造方法。
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