JP6644802B2 - 高度/選択的に制御した光学面を有するマイクロオプティカルベンチデバイス - Google Patents
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Description
本米国実用特許出願は、米国特許法第119(e)条に従って、その全体が参照により本明細書に組み込まれて、あらゆる点で本米国実用特許出願の一部とする以下の米国仮特許出願への優先権を主張する。
マイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)は、微細加工技術により機械要素、センサ、アクチュエータ、及び電子を共通のシリコン基板上に集積化することを指す。例えば、マイクロエレクトロニクスは典型的に、集積回路(IC)プロセスを用いて製造され、一方でマイクロメカニカルコンポーネントは、シリコンウェーハの部分を選択的にエッチング除去、又は新たな構造層を追加する相互性のある微細加工プロセスを用いて製造されることで、機械的及び電子機械的コンポーネントを形成する。MEMSデバイスは、それらの低コスト、バッチ処理能力、及び標準的なマイクロエレクトロニクスとの適合性により、分光法、プロフィロメトリ、環境センシング、屈折率測定(又は質感認知)、並びにいくつかの他のセンサアプリケーションにおける使用としては魅力的な候補である。また、MEMSデバイスのサイズの小ささは、そのようなMEMSデバイスをモバイル及びハンドヘルドデバイスに組み込むことを容易にする。
Claims (34)
- マイクロオプティカルベンチデバイスを製造する方法であって、
基板を提供するステップと、
少なくとも2つの光学素子を含む永久構造物と、一時構造物とを形成すべく前記基板をエッチングするステップであって、前記永久構造物の少なくとも一部は前記一時構造物を用いて形成されるステップと、
前記マイクロオプティカルベンチデバイスを製造すべく前記一時構造物をリリース又はエッチングすることにより前記一時構造物を除去するステップと、を具え、
前記少なくとも2つの光学素子が前記マイクロオプティカルベンチデバイスの光路内にあることを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法において、前記基板に少なくとも1つの機械的ストッパを形成するステップを更に具え、前記少なくとも1つの機械的ストッパは、前記一時構造物の除去中に前記少なくとも2つの光学素子を保護することを特徴とする方法。
- 請求項2に記載の方法において、前記少なくとも1つの機械的ストッパを形成するステップは、前記少なくとも1つの機械的ストッパを前記永久構造物に形成するステップを更に具えることを特徴とする方法。
- 請求項2に記載の方法において、前記少なくとも1つの機械的ストッパを形成するステップは、前記少なくとも1つの機械的ストッパを前記一時構造物に形成するステップを更に具えることを特徴とする方法。
- 請求項2に記載の方法において、前記一時構造物と前記永久構造物間のスティクションを防ぐように前記少なくとも1つの機械的ストッパの寸法を選択するステップを更に具えることを特徴とする方法。
- 請求項2に記載の方法において、前記基板は、デバイス層、ハンドル層、及び前記デバイス層とハンドル層との間にエッチングストップ層を含み、前記基板をエッチングするステップは、前記永久構造物と前記一時構造物とを形成すべく前記基板の前記デバイス層をエッチングするステップを更に具えることを特徴とする方法。
- 請求項6に記載の方法において、前記少なくとも1つの機械的ストッパを形成するステップは、前記少なくとも1つの機械的ストッパを、前記一時構造物と前記ハンドル層との間のエッチングストップ層に、又は前記ハンドル層内に形成するステップを更に具えることを特徴とする方法。
- 請求項7に記載の方法において、前記少なくとも1つの機械的ストッパを形成するステップは、前記少なくとも1つの機械的ストッパを、前記一時構造物と前記ハンドル層との間に形成すべく前記エッチングストップ層をエッチングするステップを更に具えることを特徴とする方法。
- 請求項8に記載の方法において、前記一時構造物の第1の幅は、前記永久構造物の第1の光学素子の第1の幅よりも大きく、前記エッチングストップ層をエッチングするステップは、
前記第1の光学素子と前記ハンドル層との間の前記エッチングストップ層を除去し、且つ前記一時構造物と前記ハンドル層との間に前記エッチングストップ層の跡を残すべく、タイムリリースプロセスを用いて前記エッチングストップ層をエッチングするステップであって、前記エッチングストップ層の跡は、前記少なくとも1つの機械的ストッパを形成するステップを更に具え、前記一時構造物を除去するステップは、
前記一時構造物を前記少なくとも1つの機械的ストッパからリリースすべく、物理力を前記一時構造物に加えるステップを更に具えることを特徴とする方法。 - 請求項7に記載の方法において、前記少なくとも1つの機械的ストッパを形成するステップは、前記少なくとも1つの機械的ストッパを前記ハンドル層内に作るべく前記基板のエッチング後に熱酸化を前記基板に適用するステップを更に具えることを特徴とする方法。
- 請求項10に記載の方法において、前記少なくとも1つの機械的ストッパは、前記一時構造物に隣接する前記永久構造物の少なくとも1つの表面上の前記永久構造物に取り付けられることを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記一時構造物は拡散構造(permeated structure)であることを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記永久構造物と前記一時構造物とを形成すべく前記基板をエッチングするステップは、
前記一時構造を用いて、前記基板の面に対する或いは前記マイクロオプティカルベンチデバイスの光軸に対する前記少なくとも2つの光学素子のうちの少なくとも一方の少なくとも1つの表面の粗さ又は傾斜角を制御するステップを更に具えることを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法において、中に少なくとも1つの開口を有するパターンマスクを設けるステップを更に具え、第1の開口は、第1の光学素子の第1表面と前記一時構造物の第2の表面とを規定する第1のトレンチを形成するためのものであり、前記第1の光学素子の前記第1の表面は、前記一時構造物の前記第2の表面に面することを特徴とする方法。
- 請求項14に記載の方法において、前記第1の光学素子の前記第1の表面に所望の傾斜角を作るべく前記第1の開口の第1のサイズを選択するステップを更に具えることを特徴とする方法。
- 請求項14に記載の方法において、前記第1のトレンチの幅は、40μm以上であることを特徴とする方法。
- 請求項14に記載の方法において、
前記第1のトレンチの所望の幅を作るべく前記第1の開口の第1のサイズを選択するステップと、
前記第1の光学素子の第1の表面の傾斜角の変動が1度以下となるように、前記基板のエッチング中に前記第1のトレンチのトレンチ幅を、前記所望の幅の周りで400パーセント以下で変えるステップと、を更に具えることを特徴とする方法。 - 請求項14に記載の方法において、前記パターンマスクは、前記一時構造物の前記第2の表面とは反対の前記一時構造物の第3の表面と、前記一時構造物の前記第3の表面に面する第2の光学素子の第4の表面とを規定する第2のトレンチを形成するための第2の開口を更に含むことを特徴とする方法。
- 請求項18に記載の方法において、前記第1の表面、前記第2の表面、前記第3の表面、及び前記第4の表面のそれぞれの傾斜角を作るべく前記第1の開口の第1のサイズと前記第2の開口の第2のサイズとを選択するステップを更に含むことを特徴とする方法。
- 請求項19に記載の方法において、前記一時構造物の前記第2及び第3の表面の前記それぞれの傾斜角は、互いの0.1度以内であることを特徴とする方法。
- 請求項14に記載の方法において、前記第1の光学素子の前記第1の表面の所望の表面粗さを作るように前記第1の開口の第1のサイズを選択するステップを更に具えることを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法において、選択的コーティングを前記基板のエッチング表面に適用するステップを更に具え、ここで前記一時構造物と第1の光学素子の第1の表面との間の第1の隙間を選択することにより、前記一時構造物が、前記選択的コーティングが前記第1の光学素子の前記第1の表面に適用されることが防止されることを特徴とする方法。
- 請求項22に記載の方法において、前記基板をエッチングするステップは、
更なる一時構造物と永久構造物の更なる光学素子とを形成すべく前記基板をエッチングするステップであって、前記更なる一時構造物と前記永久構造物の前記更なる光学素子とを形成すべく前記基板をエッチングするステップは、
前記更なる一時構造物を用いて、そのエッチング中に前記更なる光学素子の更なる表面の更なる表面特性を制御するステップを更に含み、
前記選択的コーティングを前記基板の前記エッチング表面に適用するステップの前に、前記更なる一時構造物を除去するステップを更に具えることを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法において、熱酸化を前記基板にそのエッチング後に適用するステップを更に具え、前記一時構造物により、前記熱酸化を適用した後の第1の光学素子の第1の表面の粗さが更に制御されることを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記永久構造物と前記一時構造物とを形成すべく前記基板をエッチングするステップは、前記一時構造物を用いて、前記面内方向の第1の光学素子の第1の表面の異なる位置で面外方向の前記少なくとも2つの光学素子のうちの前記第1の光学素子のプロファイルが制御されるステップを更に具えることを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法において、少なくとも2つの光学素子は、前記基板の異なる結晶面を含むことを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記一時構造物と前記永久構造物との間のそれぞれの隙間が等間隔であることを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記一時構造物の除去中に前記一時構造物と前記永久構造物間のスティクションを防ぐステップを更に具えることを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記基板をエッチングするステップは、前記少なくとも2つの光学素子と、前記少なくとも2つの光学素子のうちの第1の光学素子に結合したマイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)アクチュエータとを形成するように前記基板をエッチングするステップを更に具えることを特徴とする方法。
- マイクロオプティカルベンチデバイスを製造する方法であって、
基板を提供するステップと、
少なくとも2つの光学素子を含む永久構造物と、一時構造物と、前記一時構造物に結合したマイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)アクチュエータとを作成すべく前記基板をエッチングするステップであって、前記基板をエッチングするステップは、
前記少なくとも2つの光学素子のうちの少なくとも一方の少なくとも1つの表面特性を、そのエッチング中に前記一時構造物を用いて制御するステップであって、前記少なくとも2つの光学素子は前記マイクロオプティカルベンチデバイスの光路内にあるステップを更に含み、
前記マイクロオプティカルベンチデバイスの前記光路から前記一時構造物が変位するように前記MEMSアクチュエータをアクティベートするステップと、を具えることを特徴とする方法。 - 請求項30に記載の方法において、前記MEMSアクチュエータはラッチを具え、
前記ラッチを用いて、前記一時構造物を前記マイクロオプティカルベンチデバイスの光路から外れる位置にラッチするステップを更に具えることを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法において、前記マイクロオプティカルベンチデバイスは、分光計又は干渉計を含むことを特徴とする方法。
- 請求項32に記載の方法において、前記永久構造物と前記一時構造物とを形成すべく前記基板をエッチングするステップは、前記一時構造物を用いて、前記干渉計によって作られる干渉パターンの視認性を制御するステップを更に具えることを特徴とする方法。
- 請求項32に記載の方法において、前記永久構造物と前記一時構造物とを形成すべく前記基板をエッチングするステップは、前記一時構造物を用いて、前記干渉計の光学受光素子の光軸に対して横方向の前記干渉計の干渉ビームのアラインメントを制御するステップを更に具えることを特徴とする方法。
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