JP6640233B2 - センサ集積パッケージを形成する方法及びそれによって形成される構造体 - Google Patents
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Description
Claims (22)
- マイクロエレクトロニクスセンサ集積パッケージの構造体であって、
コア材料の導電層上に配置された誘電材料と、
前記誘電材料上に配置された第1の導電配線及び第2の導電配線と、
前記第1の導電配線の一部上及び前記第2の導電配線の一部上に配置されたレジスト材料と、
前記第1の導電配線と前記第2の導電配線との間に配置されたキャビティであり、前記レジスト材料が当該キャビティを横切って延在していない、キャビティと、
前記第1の導電配線の一部上及び前記第2の導電配線の一部上に配置された前記レジスト材料上に直に配置された磁石と、
を有する構造体。 - 前記磁石が、前記キャビティの気密封止を提供する、請求項1に記載の構造体。
- 前記第1及び第2の導電配線は、ジャイロスコープ又は加速度計の少なくとも一方のアンカー構造に結合される、請求項1に記載の構造体。
- 前記第1及び第2の導電配線は、第1の金属層の中に配置され、前記第1の金属層は、少なくとも1つのセンサコンポーネントを有する、請求項1に記載の構造体。
- 前記センサコンポーネントは、プルーフマス、コイル、及びビームからなる群から選択されている、請求項4に記載の構造体。
- 前記キャビティはセンサキャビティを有し、前記少なくとも1つの磁石は、約100マイクロワットよりも低い電力入力で、前記センサ集積パッケージと結合されるセンサデバイスを動作させることが可能な磁界強度を有する、請求項1に記載の構造体。
- 前記磁石は、約1mmよりも小さい厚さを有する、請求項1に記載の構造体。
- マイクロエレクトロニクス装置の構造体であって、
ボードと、
前記ボードに結合されたパッケージ構造であり、
基板コアと、
前記基板コア上に配置された第1及び第2の導電配線構造と、
前記第1の導電配線構造と前記第2の導電配線構造との間に配置されたキャビティと、
前記第1の導電配線構造の一部上及び前記第2の導電配線構造の一部上に配置されたレジスト材料の上に配置された磁石であり、当該磁石が前記キャビティを覆って配置され、前記レジスト材料が前記キャビティを横切って配置されていない、磁石と、
を有する構造体。 - 当該構造体は、センサ集積パッケージの一部を有する、請求項8に記載の構造体。
- 前記センサ集積パッケージは、ジャイロスコープ又は加速度計の少なくとも一方を有する、請求項9に記載の構造体。
- 前記第1及び第2の導電配線構造の少なくとも一方が、センサデバイスのアンカー構造に結合される、請求項8に記載の構造体。
- 前記磁石は、約1mmよりも小さいZ高さを有する、請求項8に記載の構造体。
- 前記マイクロエレクトロニクス構造に通信可能に結合された通信チップと、
前記通信チップに通信可能に結合されたDRAMと、
を有するシステム、を更に有する請求項8に記載の構造体。 - 前記第1及び第2の導電配線構造は、センサデバイスのビーム構造と結合される、請求項8に記載の構造体。
- 前記磁石は、前記ビームの電磁誘導偏向を生成する磁界を提供することができる、請求項14に記載の構造体。
- マイクロエレクトロニクスパッケージ構造を形成する方法であって、
基板コアを用意し、該基板コア上に第1及び第2の導電配線構造が配置され、
前記第1及び前記第2の導電配線構造の一部上にレジスト材料を形成し、
前記第1の導電配線構造と前記第2の導電配線構造との間にキャビティを形成し、且つ
前記レジスト材料上に磁石を配置し、該磁石は、前記キャビティを覆って配置され、前記レジスト材料は前記キャビティを横切って配置されない、
ことを有する方法。 - 前記マイクロエレクトロニクスパッケージ構造は、センサ集積パッケージの一部を有する、請求項16に記載の方法。
- 前記キャビティは、前記第1及び前記第2の導電配線構造の各々の一部上に前記レジストが配置された後に形成される、請求項16に記載の方法。
- 前記磁石を配置することは更に、
誘電体層の中に複数の磁石を形成して、再構成された磁石構造を形成し、且つ
前記再構成された磁石構造を前記キャビティの上に配置する
ことを有する、請求項16に記載の方法。 - 前記磁石は、約1mmよりも小さいZ高さを有する、請求項16に記載の方法。
- 前記第1及び第2の導電配線構造は、前記センサ集積パッケージと結合されるセンサデバイスのビーム構造と結合される、請求項17に記載の方法。
- 前記磁石は、前記ビームの電磁誘導偏向を生成する磁界を提供することができる、請求項21に記載の方法。
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