JP6603991B2 - Temperature sensor - Google Patents
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Description
本発明は、複写機やプリンタ等の加熱ローラの温度を測定することに好適で応答性に優れた温度センサに関する。 The present invention relates to a temperature sensor suitable for measuring the temperature of a heating roller of a copying machine, a printer or the like and having excellent responsiveness.
一般に、複写機やプリンタに使用されている加熱ローラには、その温度を測定するために温度センサが接触状態に設置されている。このような温度センサとしては、例えば特許文献1に、一対のリードフレームと、これらのリードフレームの間に配設され接続された感熱素子と、一対のリードフレームの端部に形成された保持部と、リードフレーム及び感熱素子の片面に設けられ加熱ローラに接触させる薄膜シートとを有する温度センサが提案されている。
上記特許文献1には、感熱素子として ビードサーミスタやチップサーミスタの他に、アルミナ等の絶縁基板の一面に感熱膜が形成された薄膜サーミスタが採用されている。
Generally, a heating sensor used in a copying machine or a printer is provided with a temperature sensor in contact with the heating roller in order to measure its temperature. As such a temperature sensor, for example, in
In
また、感熱膜を用いたサーミスタとして、特許文献2には、絶縁基板と、絶縁基板の一面上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上にパターン形成された一対の櫛歯電極と、櫛歯電極の端部から延びて絶縁基板上の一端に形成された一対の外部引出端子部と、絶縁膜を下地とし櫛歯電極上にパターン形成された金属酸化物からなる感熱膜と、感熱膜を保護する絶縁保護膜と、一対の外部引出端子部を除く絶縁保護膜を被覆するガラス保護膜とからなる薄膜サーミスタが記載されている。
Further, as a thermistor using a heat-sensitive film,
また、近年、柔軟性に優れると共に全体を薄くすることができるフィルム型温度センサとして、絶縁性フィルム上に薄膜サーミスタを形成した温度センサが開発されている。例えば、特許文献3には、絶縁性フィルムと、絶縁性フィルム表面に薄膜サーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部と、薄膜サーミスタ部の上に複数の櫛部を有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛型電極と、一対の櫛型電極に接続され絶縁性フィルムの表面にパターン形成された一対のパターン電極とを備えた温度センサが提案されている。
In recent years, a temperature sensor in which a thin film thermistor is formed on an insulating film has been developed as a film-type temperature sensor that is excellent in flexibility and can be thinned as a whole. For example, in
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
すなわち、特許文献3に記載の技術では、薄く柔軟性が高い利点があるが、絶縁性フィルムを測定対象物に接触させて温度測定を行う場合、ポリイミドフィルム等の樹脂フィルムでは集熱性が比較的低く、絶縁性フィルム上に形成した薄膜サーミスタ部に熱が伝わり難い場合があった。
The following problems remain in the conventional technology.
That is, the technique described in
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、測定対象物に接触させて温度測定をする際に高い集熱性が得られ、より正確な温度測定が可能になる温度センサを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and provides a temperature sensor that can obtain a high heat collecting property when measuring a temperature by bringing it into contact with an object to be measured, thereby enabling more accurate temperature measurement. With the goal.
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、第1の発明に係る温度センサは、絶縁性フィルムと、該絶縁性フィルムの表面に設けられサーミスタ材料で形成されたサーミスタ部と、前記サーミスタ部に互いに対向して形成された一対の電極と、前記一対の電極に接続され前記絶縁性フィルムの表面にパターン形成された一対のパターン電極と、前記絶縁性フィルムの裏面であって前記サーミスタ部の直下に前記絶縁性フィルムよりも熱伝導率の高い材料でパターン形成された集熱膜とを備えていることを特徴とする。 The present invention employs the following configuration in order to solve the above problems. That is, the temperature sensor according to the first invention, an insulating film, and thermistors portion formed by the thermistor material disposed on the surface of the insulating film was made form to face each other in the thermistors portion a pair of electrodes, and a pair of pattern electrodes patterned on the connected to a pair of electrode surface of the insulating film, if the insulating film directly below the thermistors portion a back surface of the insulating film And a heat collecting film patterned with a material having high thermal conductivity.
この温度センサでは、絶縁性フィルムの裏面であってサーミスタ部の直下に絶縁性フィルムよりも熱伝導率の高い材料でパターン形成された集熱膜を備えているので、集熱膜を測定対象物に接触させることで、絶縁性フィルムを測定対象物に直接接触させる場合に比べて高い集熱性を得ることができ、より正確な温度測定が可能になる。
なお、絶縁性フィルムの裏面全体を金属膜で覆う場合や金属基板を貼り付ける場合では、測定対象物から伝わった熱が絶縁性フィルムの裏面全体に逃げてしまい温度測定の精度や応答性が低くなるが、本発明では、集熱膜が絶縁性フィルムの裏面に部分的又は局所的にパターン形成されることで、熱の逃げを抑制し、対向するサーミスタ部に積極的に伝熱することができ、高い温度測定の精度や応答性を得ることができる。特に、本発明では、集熱膜を接触面とすることで、小さい測定対象物や測定箇所等、ピンポイントで温度測定を行う必要がある場合に好適である。
また、集熱膜が部分的または局所的であると共に金属板よりも薄く柔軟性を有するため、絶縁性フィルムの柔軟性を損なうことがない。したがって、測定対象物の曲面などに沿って集熱膜を接触させることもでき、多様な形状の測定対象物に対して効率的に集熱を図ることが可能になる。
Since this temperature sensor comprises a heat-collecting layer formed pattern with high heat-conductive material than the insulating film directly below the thermistors portion a back surface of the insulating film, measured to Atsumarinetsumaku By bringing the insulating film into contact with an object, it is possible to obtain a higher heat collecting property than when the insulating film is brought into direct contact with the object to be measured, and more accurate temperature measurement is possible.
When the entire back surface of the insulating film is covered with a metal film or when a metal substrate is pasted, the heat transferred from the object to be measured escapes to the entire back surface of the insulating film, resulting in low temperature measurement accuracy and responsiveness. It made. in the present invention, Atsumarinetsumaku that is partially or locally pattern formed on the back surface of the insulating film, to suppress the escape of heat, actively be transferred to the thermistors portion facing And high temperature measurement accuracy and responsiveness can be obtained. In particular, in the present invention, the heat collecting film is used as a contact surface, which is suitable when it is necessary to perform temperature measurement at a pinpoint, such as a small measurement object or measurement location.
Further, since the heat collecting film is partially or locally and is thinner and more flexible than the metal plate, the flexibility of the insulating film is not impaired. Therefore, the heat collection film can be brought into contact along the curved surface of the measurement object, and heat collection can be efficiently performed on the measurement object having various shapes.
第2の発明に係る温度センサは、第1の発明において、前記集熱膜が、金属膜であることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、集熱膜が金属膜であるので、ポリイミド等の絶縁性フィルムに比べて高い熱伝導率によって高い集熱効果が得られる。
A temperature sensor according to a second invention is characterized in that, in the first invention, the heat collecting film is a metal film.
That is, in this temperature sensor, since the heat collecting film is a metal film, a high heat collecting effect is obtained with a higher thermal conductivity than an insulating film such as polyimide.
第3の発明に係る温度センサは、第1又は第2の発明において、前記集熱膜が、少なくとも表面にCu薄膜を有していることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、集熱膜が少なくとも表面にCu薄膜を有しているので、高い熱伝導性を有するCu薄膜によって、より正確な温度測定が可能になる。
A temperature sensor according to a third invention is characterized in that, in the first or second invention, the heat collecting film has a Cu thin film on at least a surface thereof.
That is, in this temperature sensor, since the heat collecting film has a Cu thin film on at least the surface, a more accurate temperature measurement can be performed by the Cu thin film having high thermal conductivity.
第4の発明に係る温度センサは、第1から第3の発明のいずれかにおいて、前記サーミスタ部が、前記絶縁性フィルムの表面にサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部であり、前記一対の電極が、前記薄膜サーミスタ部の上及び下の少なくとも一方に複数の櫛部を有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛型電極であることを特徴とする。
第5の発明に係る温度センサは、第4の発明において、前記集熱膜の外形状が、前記薄膜サーミスタ部の外形状以上かつ前記一対の櫛型電極の外形状以下に設定されていることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、集熱膜の外形状が、薄膜サーミスタ部の外形状以上かつ一対の櫛型電極の外形状以下に設定されているので、集熱膜で集熱された熱を対向する薄膜サーミスタ部全体に伝えることができると共に、集熱膜が一対の櫛型電極の外形状を超えた大きさでないことにより、必要以上に熱が広がって逃げることがなく、効率的に集熱することが可能になる。なお、薄膜サーミスタ部の外側で絶縁性フィルムの表面に直接形成された櫛型電極の部分にも、対向した集熱膜から熱が伝わり、この熱が櫛型電極を介して薄膜サーミスタ部にも伝わることで、高い集熱性が得られる。
A temperature sensor according to a fourth invention is the temperature sensor according to any one of the first to third inventions, wherein the thermistor part is a thin film thermistor part formed by patterning the thermistor material on the surface of the insulating film. The electrodes are a pair of comb-shaped electrodes that have a plurality of comb portions on at least one of the upper and lower sides of the thin film thermistor portion and are patterned to face each other.
In the temperature sensor according to a fifth aspect, in the fourth aspect, the outer shape of the heat collecting film is set to be equal to or greater than the outer shape of the thin film thermistor part and equal to or less than the outer shape of the pair of comb electrodes. It is characterized by.
That is, in this temperature sensor, since the outer shape of the heat collecting film is set to be equal to or larger than the outer shape of the thin film thermistor part and equal to or smaller than the outer shape of the pair of comb-shaped electrodes, the heat collected by the heat collecting film is opposed. Since the heat collecting film is not larger than the outer shape of the pair of comb-shaped electrodes, heat spreads more than necessary and does not escape more efficiently. It becomes possible to do. In addition, heat is transferred from the opposing heat collecting film to the comb electrode part directly formed on the surface of the insulating film outside the thin film thermistor part, and this heat is also transmitted to the thin film thermistor part via the comb electrode. High heat collecting property is obtained by being transmitted.
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係る温度センサによれば、絶縁性フィルムの裏面であってサーミスタ部の直下に絶縁性フィルムよりも熱伝導率の高い材料でパターン形成された集熱膜を備えているので、集熱膜を測定対象物に接触させることで、高い集熱性を得ることができ、より正確な温度測定が可能になる。
したがって、本発明の温度センサによれば、絶縁性フィルムと薄い集熱膜とによってフレキシブルな面接触が可能であると共に、高い集熱性によってピンポイントで正確な温度測定ができ、複写機やプリンタ等の加熱ローラの温度用として好適である。
The present invention has the following effects.
That is, according to the temperature sensor according to the present invention, since a back surface of the insulating film includes a heat-collecting film which is patterned with a material having high thermal conductivity than the insulating film directly below the thermistors portion By bringing the heat collecting film into contact with the measurement object, high heat collecting property can be obtained, and more accurate temperature measurement can be performed.
Therefore, according to the temperature sensor of the present invention, flexible surface contact is possible due to the insulating film and the thin heat collecting film, and accurate temperature measurement can be made pinpoint due to high heat collecting properties, such as a copying machine, a printer, etc. This is suitable for the temperature of the heating roller.
以下、本発明に係る温度センサにおける一実施形態を、図1から図3を参照しながら説明する。なお、以下の説明に用いる図面の一部では、各部を認識可能又は認識容易な大きさとするために必要に応じて縮尺を適宜変更している。 Hereinafter, an embodiment of a temperature sensor according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3. Note that in some of the drawings used for the following description, the scale is appropriately changed as necessary to make each part recognizable or easily recognizable.
本実施形態の温度センサ1は、図1に示すように、絶縁性フィルム2と、該絶縁性フィルム2の表面にサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部3(サーミスタ部)と、薄膜サーミスタ部3の上に複数の櫛部4aを有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛型電極4(電極)と、一対の櫛型電極4に接続され絶縁性フィルム2の表面にパターン形成された一対のパターン電極5と、薄膜サーミスタ部3及び櫛型電極4を覆う絶縁性の保護膜6と、絶縁性フィルム2の裏面であって薄膜サーミスタ部3の直下に絶縁性フィルム2よりも熱伝導率の高い材料でパターン形成された集熱膜7とを備えている。
As shown in FIG. 1, the
上記集熱膜7は、金属膜であり、好ましくは、少なくとも表面にCu薄膜を有している。すなわち、本実施形態では、集熱膜7が、絶縁性フィルム2に直接成膜されたCr薄膜と、その上に成膜されたCu薄膜との積層構造を有している。
また、集熱膜7の外形状は、薄膜サーミスタ部3の外形状以上かつ一対の櫛型電極4の外形状以下に設定されている。本実施形態では、集熱膜7が薄膜サーミスタ部3と平面視で中心を同じくして正方形状にパターン形成されているが、その大きさは一対の櫛型電極4の外形状と同じに設定されている。
The heat collecting
Further, the outer shape of the heat collecting
なお、絶縁性フィルム2の表面に、薄膜サーミスタ部3、櫛型電極4及びパターン電極5を覆う絶縁性の保護シートを接着しても構わない。
また、一対のリードフレームを、絶縁性フィルム2の表面に導電性樹脂接着剤等の接着剤により接着すると共に一対のパターン電極5に接続させてもよい。
Note that an insulating protective sheet that covers the thin
Further, the pair of lead frames may be bonded to the surface of the
上記絶縁性フィルム2は、略長方形状とされ、例えば厚さ7.5〜125μmのポリイミド樹脂シートで帯状に形成されている。なお、絶縁性フィルム2としては、他にPET:ポリエチレンテレフタレート,PEN:ポリエチレンナフタレート等でも作製できるが、加熱ローラの温度測定用としては、最高使用温度が230℃と高いためポリイミドフィルムが望ましい。
The said
上記薄膜サーミスタ部3は、絶縁性フィルム2の一端側に配され、TiAlNのサーミスタ材料で形成されている。特に、薄膜サーミスタ部3は、一般式:TixAlyNz(0.70≦y/(x+y)≦0.95、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。
The thin
上記パターン電極5及び櫛型電極4は、薄膜サーミスタ部3上に形成された膜厚5〜100nmのCr又はNiCrの接合層と、該接合層上にAu等の貴金属で膜厚50〜1000nmで形成された電極層とを有している。
一対の櫛型電極4は、互いに対向状態に配されて交互に櫛部4aが並んだ櫛型パターンとされている。
The
The pair of comb-shaped
なお、櫛部4aは、絶縁性フィルム2の延在方向に沿って延在している。すなわち、絶縁性フィルム2の裏面側の集熱膜7が、回転する加熱ローラに押し当てされて温度測定を行う場合、絶縁性フィルム2の延在方向に曲率を有して湾曲させられるため、薄膜サーミスタ部3にも同方向に曲げ応力が加わる。このとき、櫛部4aが同方向に延在しているため、薄膜サーミスタ部3を補強することになり、クラックの発生を抑制することができる。
The
一対のパターン電極5は、櫛型電極4に先端部側が接続され、基端部側が絶縁性フィルム2の両側部に配されている。
上記保護膜6は、絶縁性樹脂膜等であり、例えば厚さ20μmのポリイミド膜が採用される。
The pair of
The
この温度センサ1の製造方法について、図1から図3を参照して以下に説明する。
本実施形態の温度センサ1の製造方法は、絶縁性フィルム2の表面に薄膜サーミスタ部3をパターン形成する薄膜サーミスタ部形成工程と、互いに対向した一対の櫛型電極4を薄膜サーミスタ部3上に配して絶縁性フィルム2の表面に一対のパターン電極5をパターン形成する電極形成工程と、絶縁性フィルム2の裏面に集熱膜7を形成する集熱膜形成工程と、絶縁性フィルム2の表面に保護膜6を形成する保護膜形成工程とを有している。
A method for manufacturing the
The manufacturing method of the
より具体的な製造方法の例としては、厚さ50μmのポリイミドフィルムの絶縁性フィルム2上に、Ti−Al合金スパッタリングターゲットを用い、窒素含有雰囲気中で反応性スパッタ法にて、TixAlyNz(x=9、y=43、z=48)のサーミスタ膜を膜厚200nmで形成する。その時のスパッタ条件は、到達真空度5×10−6Pa、スパッタガス圧0.4Pa、ターゲット投入電力(出力)200Wで、Arガス+窒素ガスの混合ガス雰囲気下において、窒素ガス分率を20%で作製する。
As a more specific example of the manufacturing method, Ti x Al y is used in a reactive sputtering method in a nitrogen-containing atmosphere using a Ti—Al alloy sputtering target on a polyimide
成膜したサーミスタ膜の上にレジスト液をバーコーターで塗布した後、110℃で1分30秒プリベークを行い、露光装置で感光後、現像液で不要部分を除去し、さらに150℃で5分のポストベークにてパターニングを行う。その後、不要なTixAlyNzのサーミスタ膜を市販のTiエッチャントでウェットエッチングを行い、図2に示すように、レジスト剥離にて所望の形状の薄膜サーミスタ部3にする。
A resist solution is applied onto the deposited thermistor film with a bar coater, pre-baked at 110 ° C. for 1 minute and 30 seconds, exposed to light with an exposure device, and unnecessary portions are removed with a developer, and further at 150 ° C. for 5 minutes. Patterning is performed by post-baking. Thereafter, the unnecessary Ti x Al y N z thermistor film is wet-etched with a commercially available Ti etchant, and the thin
次に、薄膜サーミスタ部3及び絶縁性フィルム2上に、スパッタ法にて、Cr膜の接合層を膜厚20nm形成する。さらに、この接合層上に、スパッタ法にてAu膜の電極層を膜厚200nm形成する。
次に、成膜した電極層の上にレジスト液をバーコーターで塗布した後、110℃で1分30秒プリベークを行い、露光装置で感光後、現像液で不要部分を除去し、150℃で5分のポストベークにてパターニングを行う。その後、不要な電極部分を市販のAuエッチャント及びCrエッチャントの順番でウェットエッチングを行い、図2に示すように、レジスト剥離にて所望の櫛型電極4及びパターン電極5を形成する。
Next, a 20 nm-thick Cr film bonding layer is formed on the thin
Next, after applying a resist solution on the electrode layer formed with a bar coater, pre-baking is performed at 110 ° C. for 1 minute 30 seconds, and after exposure with an exposure apparatus, unnecessary portions are removed with a developing solution, Patterning is performed by post-baking for 5 minutes. Thereafter, unnecessary electrode portions are wet-etched in the order of commercially available Au etchant and Cr etchant, and as shown in FIG. 2, desired
次に、絶縁性フィルム2の裏面にスパッタ法にてCr膜を膜厚20nm形成し、続いてスパッタ法にてCu膜を膜厚50nm形成する。さらに、成膜したCu膜上にレジスト液を塗布し、プリベークを行い、露光装置で感光後、現像液で不要部分を除去してパターニングを行う。その後、不要な部分を市販のCuエッチャント及びCrエッチャントの順番でウェットエッチングを行い、図1に示すように、レジスト剥離にて所望の集熱膜7を形成する。
Next, a Cr film having a thickness of 20 nm is formed on the back surface of the insulating
さらに、絶縁性フィルム2の表面にポリイミドワニスを印刷法により塗布して、180℃、30分でキュアを行い、図1に示すように、20μm厚のポリイミド保護膜6を形成することで、温度センサ1が作製される。
Furthermore, a polyimide varnish is applied to the surface of the insulating
なお、この後、保護シートとして接着剤付きのポリイミドフィルムを絶縁性フィルム2の表面に貼り付けても構わない。
また、複数の温度センサ1を同時に作製する場合、絶縁性フィルム2の大判シートに複数の薄膜サーミスタ部3、櫛型電極4、パターン電極5、集熱膜7及び保護膜6を上述のように形成した後に、大判シートから各温度センサ1に切断する。
Thereafter, a polyimide film with an adhesive may be attached to the surface of the insulating
In the case of manufacturing a plurality of the
このように本実施形態の温度センサ1では、絶縁性フィルム2の裏面であって薄膜サーミスタ部3の直下に絶縁性フィルム2よりも熱伝導率の高い材料でパターン形成された集熱膜7を備えているので、集熱膜7を測定対象物に接触させることで、絶縁性フィルム2を測定対象物に直接接触させる場合に比べて高い集熱性を得ることができ、より正確な温度測定が可能になる。
As described above, in the
本実施形態では、集熱膜7が絶縁性フィルム2の裏面に部分的又は局所的にパターン形成されることで、熱の逃げを抑制し、対向する薄膜サーミスタ部3に積極的に伝熱することができ、高い温度測定の精度や応答性を得ることができる。特に、本実施形態では、集熱膜7を接触面とすることで、小さい測定対象物や測定箇所等、ピンポイントで温度測定を行う必要がある場合に好適である。
In the present embodiment, the
また、集熱膜7が部分的または局所的であると共に金属板よりも薄く柔軟性を有するため、絶縁性フィルム2の柔軟性を損なうことがない。したがって、加熱ローラ等の測定対象物の曲面などに沿って集熱膜7を接触させることもでき、多様な形状の測定対象物に対して効率的に集熱を図ることが可能になる。
Further, since the
さらに、集熱膜7が金属膜であるので、ポリイミド等の樹脂フィルム2に比べて高い熱伝導率によって高い集熱効果を得ることができる。特に、集熱膜7が少なくとも表面にCu薄膜を有することで、高い熱伝導性を有するCu薄膜によって、より正確な温度測定が可能になる。
また、集熱膜7の外形状が、薄膜サーミスタ部3の外形状以上かつ一対の櫛型電極4の外形状以下に設定されているので、集熱膜7で集熱された熱を対向する薄膜サーミスタ部3全体に伝えることができると共に、集熱膜7が一対の櫛型電極4の外形状を超えた大きさでないことにより、必要以上に熱が広がって逃げることがなく、効率的に集熱することが可能になる。なお、薄膜サーミスタ部3の外側で絶縁性フィルム2の表面に直接形成された櫛型電極4の部分にも、対向した集熱膜7から熱が伝わり、この熱が櫛型電極4を介して薄膜サーミスタ部3にも伝わることで、高い集熱性が得られる。
Furthermore, since the
Further, since the outer shape of the
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。 The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
1…温度センサ、2…絶縁性フィルム、3…薄膜サーミスタ部(サーミスタ部)、4…櫛型電極(電極)、4a…櫛部、5…パターン電極、6…保護膜、7…集熱膜
DESCRIPTION OF
Claims (4)
該絶縁性フィルムの表面に設けられサーミスタ材料で形成されたサーミスタ部と、
前記サーミスタ部に互いに対向して形成された一対の電極と、
前記一対の電極に接続され前記絶縁性フィルムの表面にパターン形成された一対のパターン電極と、
前記絶縁性フィルムの裏面であって前記サーミスタ部の直下に前記絶縁性フィルムよりも熱伝導率の高い材料でパターン形成された集熱膜とを備え、
前記サーミスタ部が、前記絶縁性フィルムの表面にサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部であり、
前記一対の電極が、前記薄膜サーミスタ部の上及び下の少なくとも一方に複数の櫛部を有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛型電極であり、
前記櫛型電極が、前記薄膜サーミスタ部の周囲まで形成され、
前記集熱膜が、前記絶縁性フィルムの外周縁よりも内側に部分的又は局所的にパターン形成されていると共に、前記薄膜サーミスタ部の外側で前記絶縁性フィルムの表面に直接形成された前記櫛型電極の部分にも対向していることを特徴とする温度センサ。 An insulating film;
A thermistor portion formed of a thermistor material provided on the surface of the insulating film;
A pair of electrodes formed opposite to each other on the thermistor portion;
A pair of pattern electrodes connected to the pair of electrodes and patterned on the surface of the insulating film; and
A heat collecting film patterned on the back surface of the insulating film and directly under the thermistor with a material having higher thermal conductivity than the insulating film;
The thermistor part is a thin film thermistor part patterned with the thermistor material on the surface of the insulating film,
The pair of electrodes is a pair of comb-shaped electrodes having a plurality of comb portions on at least one of the upper and lower sides of the thin film thermistor portion and patterned to face each other,
The comb electrode is formed up to the periphery of the thin film thermistor part,
The comb in which the heat collecting film is partially or locally patterned inside the outer peripheral edge of the insulating film and directly formed on the surface of the insulating film outside the thin film thermistor portion. A temperature sensor characterized by facing the mold electrode portion .
前記集熱膜が、金属膜であることを特徴とする温度センサ。 The temperature sensor according to claim 1,
The temperature sensor, wherein the heat collecting film is a metal film.
前記集熱膜が、少なくとも表面にCu薄膜を有していることを特徴とする温度センサ。 The temperature sensor according to claim 1 or 2,
The temperature sensor, wherein the heat collecting film has a Cu thin film at least on its surface.
前記集熱膜の外形状が、前記薄膜サーミスタ部の外形状よりも大きくかつ前記一対の櫛型電極の外形状以下に設定されていることを特徴とする温度センサ。 The temperature sensor according to any one of claims 1 to 3,
The temperature sensor, wherein an outer shape of the heat collecting film is set to be larger than an outer shape of the thin film thermistor portion and equal to or less than an outer shape of the pair of comb electrodes.
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