JP2017026415A - Temperature sensor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、複写機やプリンタ等の加熱ローラの温度を測定することに好適な温度センサに関する。 The present invention relates to a temperature sensor suitable for measuring the temperature of a heating roller such as a copying machine or a printer.
一般に、複写機やプリンタに使用されている加熱ローラには、その温度を測定するために温度センサが接触状態に設置されている。このような温度センサとしては、例えば特許文献1に、一対のリードフレームと、これらのリードフレームの間に配設され接続された感熱素子と、一対のリードフレームの端部に形成された保持部とを有する温度センサが提案されている。
上記特許文献1には、感熱素子として ビードサーミスタやチップサーミスタの他に、アルミナ等の絶縁基板の一面に感熱膜が形成された薄膜サーミスタが採用されている。
Generally, a heating sensor used in a copying machine or a printer is provided with a temperature sensor in contact with the heating roller in order to measure its temperature. As such a temperature sensor, for example, in Patent Document 1, a pair of lead frames, a thermal element disposed and connected between the lead frames, and a holding portion formed at an end portion of the pair of lead frames. Has been proposed.
In Patent Document 1, a thin film thermistor in which a heat sensitive film is formed on one surface of an insulating substrate such as alumina is employed in addition to a bead thermistor and a chip thermistor as a heat sensitive element.
また、近年、柔軟性に優れると共に全体を薄くすることができるフィルム型温度センサとして、絶縁性フィルム上に薄膜サーミスタを形成した温度センサが開発されている。例えば、特許文献2には、一対のリードフレームと、一対のリードフレームに接続されたセンサ部と、一対のリードフレームに固定されてリードフレームを保持する絶縁性の保持部とを備えた温度センサが提案されている。
In recent years, a temperature sensor in which a thin film thermistor is formed on an insulating film has been developed as a film-type temperature sensor that is excellent in flexibility and can be thinned as a whole. For example,
この温度センサは、センサ部が、絶縁性フィルムと、該絶縁性フィルムの表面にサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部と、薄膜サーミスタ部の上及び下の少なくとも一方に複数の櫛部を有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛型電極と、一対の櫛型電極に接続され絶縁性フィルムの表面にパターン形成された一対のパターン電極とを備え、一対のリードフレームが、絶縁性フィルムの表面に薄膜サーミスタ部を間に配して延在して接着されていると共に一対のパターン電極に接続されている。 In this temperature sensor, the sensor unit has an insulating film, a thin film thermistor portion patterned with the thermistor material on the surface of the insulating film, and a plurality of comb portions above and below the thin film thermistor portion. A pair of comb electrodes patterned to face each other, and a pair of pattern electrodes connected to the pair of comb electrodes and patterned on the surface of the insulating film. A thin film thermistor portion is extended and bonded to the surface of the film, and is connected to a pair of pattern electrodes.
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
すなわち、上記従来の技術では、リードフレームと電極との接続をハンダ、導電性樹脂接着剤又は溶接によって行っているが、高温用途で使用する場合、ハンダや導電性樹脂接着剤では安定した接合性を維持できないため、溶接によって接続を行っている。しかしながら、特許文献2に記載のフレキシブルサーミスタの場合、SUS等のリードフレームに対して接続する金属膜のパターン電極が薄いために、スポット溶接を行うと、接合強度が不十分になるおそれがあった。例えば、厚さが約0.1mmのリードフレームと、厚さが約5μmのパターン電極との接合の場合、互いの厚さに差が大きすぎて良好な接合強度の溶接が得られない。
The following problems remain in the conventional technology.
That is, in the above conventional technology, the lead frame and the electrode are connected by solder, conductive resin adhesive or welding. However, when used in high temperature applications, the solder and the conductive resin adhesive have stable bondability. Therefore, the connection is made by welding. However, in the case of the flexible thermistor described in
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、配線接続において十分な強度の接合性が得られ、高温用途でも使用可能な温度センサを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a temperature sensor that can obtain sufficient strength in wire connection and can be used even in high-temperature applications.
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、第1の発明に係る温度センサは、絶縁性ベースフィルムの一方の面に一対のパターン配線がパターン形成されたフレキシブル配線板と、前記フレキシブル配線板に接続されたセンサ部とを備え、前記センサ部が、一方の面に前記フレキシブル配線板が接着された絶縁性フィルムと、前記絶縁性フィルムの一方の面にサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部と、前記薄膜サーミスタ部の上及び下の少なくとも一方に複数の櫛部を有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛型電極と、前記一対の櫛型電極と前記一対のパターン配線とに接続され前記絶縁性フィルムの一方の面にパターン形成された一対のパターン電極とを備え、前記絶縁性ベースフィルムの前記パターン配線の上に貫通孔が形成され、前記貫通孔内に露出している前記パターン配線と前記パターン電極とが溶接されていることを特徴とする。 The present invention employs the following configuration in order to solve the above problems. That is, a temperature sensor according to a first aspect of the present invention includes a flexible wiring board in which a pair of pattern wirings is formed on one surface of an insulating base film, and a sensor unit connected to the flexible wiring board, The sensor unit includes an insulating film having the flexible wiring board bonded to one surface thereof, a thin film thermistor portion patterned with a thermistor material on one surface of the insulating film, and upper and lower portions of the thin film thermistor portion. A pair of comb-shaped electrodes having a plurality of comb portions on at least one of them and patterned to face each other, and one surface of the insulating film connected to the pair of comb-shaped electrodes and the pair of pattern wirings And a pair of pattern electrodes patterned, and a through hole is formed on the pattern wiring of the insulating base film. An exposed portion of the said pattern wiring and said pattern electrode is characterized in that it is welded to the inside.
この温度センサでは、絶縁性ベースフィルムのパターン配線の上に貫通孔が形成され、貫通孔内に露出しているパターン配線とパターン電極とが溶接されているので、パターン配線とパターン電極とがどちらも金属箔でパターン形成され溶接される両者が同様の厚さレベルとされることで、スポット溶接でも十分な接合強度を得ることができる。また、センサ部を接続する部材として柔軟なフレキシブル配線板を使用するので、リードフレームを用いた場合よりも全体をより柔らかい温度センサとすることも可能になり、測定対象物に押し付けて接触させた際に加熱ローラ等の測定対象物に傷を付け難いと共に、測定対象物との高い密着性も得ることができる。 In this temperature sensor, a through hole is formed on the pattern wiring of the insulating base film, and the pattern wiring and the pattern electrode exposed in the through hole are welded. In addition, since both of the patterns formed and welded with the metal foil have the same thickness level, sufficient joint strength can be obtained even with spot welding. In addition, since a flexible flexible wiring board is used as a member for connecting the sensor unit, it is possible to make the whole temperature sensor softer than when using a lead frame, and it is pressed against the object to be measured and brought into contact with it. In this case, it is difficult to damage the measurement object such as a heating roller, and high adhesion to the measurement object can be obtained.
第2の発明に係る温度センサは、第1の発明において、前記絶縁性フィルムの他方の面に押付圧調整用部材の一端側が接着され、前記押付圧調整用部材が、前記フレキシブル配線板に沿って延在していることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、絶縁性フィルムの他方の面に押付圧調整用部材の一端側が接着され、押付圧調整用部材が、フレキシブル配線板に沿って延在しているので、センサ部をフレキシブル配線板だけで接続して保持している場合よりも押付圧調整用部材の剛性が加わることで、測定対象物に対してより強く押し付けることも可能になる。
A temperature sensor according to a second invention is the temperature sensor according to the first invention, wherein one end side of the pressing pressure adjusting member is bonded to the other surface of the insulating film, and the pressing pressure adjusting member is along the flexible wiring board. It is characterized by extending.
That is, in this temperature sensor, one end of the pressing pressure adjusting member is bonded to the other surface of the insulating film, and the pressing pressure adjusting member extends along the flexible wiring board. Since the rigidity of the pressing pressure adjusting member is added as compared with the case where only the wiring board is connected and held, it is possible to press the measuring object more strongly.
第3の発明に係る温度センサは、第1又は第2の発明において、前記パターン配線の少なくとも前記溶接される部分が、前記絶縁性ベースフィルムの一方の面に形成されたCu層と、前記Cu層上に形成されたNi層とを有していることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、パターン配線の少なくとも溶接される部分が、絶縁性ベースフィルムの一方の面に形成されたCu層と、Cu層上に形成されたNi層とを有しているので、溶接の高い溶接性を得ることができる。
The temperature sensor according to a third aspect of the present invention is the temperature sensor according to the first or second aspect, wherein at least the welded portion of the pattern wiring is a Cu layer formed on one surface of the insulating base film, and the Cu And a Ni layer formed on the layer.
That is, in this temperature sensor, at least a portion to be welded of the pattern wiring has a Cu layer formed on one surface of the insulating base film and a Ni layer formed on the Cu layer. High weldability of welding can be obtained.
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係る温度センサによれば、絶縁性ベースフィルムのパターン配線の上に貫通孔が形成され、貫通孔内に露出しているパターン配線とパターン電極とが溶接されているので、スポット溶接でも十分な接合強度を得ることができる。
したがって、本発明の温度センサによれば、高温用途でも使用が可能になり、複写機やプリンタ等の加熱ローラの温度測定用として好適である。
The present invention has the following effects.
That is, according to the temperature sensor according to the present invention, the through hole is formed on the pattern wiring of the insulating base film, and the pattern wiring exposed in the through hole and the pattern electrode are welded. Sufficient joint strength can be obtained even by welding.
Therefore, according to the temperature sensor of the present invention, it can be used even in high temperature applications and is suitable for measuring the temperature of a heating roller of a copying machine, a printer or the like.
以下、本発明に係る温度センサにおける第1実施形態を、図1から図4を参照しながら説明する。なお、以下の説明に用いる図面の一部では、各部を認識可能又は認識容易な大きさとするために必要に応じて縮尺を適宜変更している。 Hereinafter, a temperature sensor according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Note that in some of the drawings used for the following description, the scale is appropriately changed as necessary to make each part recognizable or easily recognizable.
本実施形態の温度センサ1は、例えば複写機の加熱ローラの温度検出用センサであって、図1から図3に示すように、絶縁性ベースフィルム2aの一方の面に一対のパターン配線2bがパターン形成されたフレキシブル配線板2と、フレキシブル配線板2に接続されたセンサ部3とを備えている。
The temperature sensor 1 of the present embodiment is, for example, a temperature detection sensor for a heating roller of a copying machine. As shown in FIGS. 1 to 3, a pair of
上記センサ部3は、一方の面にフレキシブル配線板2が接着された絶縁性フィルム5と、絶縁性フィルム5の一方の面にサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部6と、薄膜サーミスタ部6の上に複数の櫛部7aを有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛型電極7と、一対の櫛型電極7と一対のパターン配線2bとに接続され絶縁性フィルム5の一方の面にパターン形成された一対のパターン電極8とを備えている。
なお、本実施形態では、絶縁性ベースフィルム2aの一方の面が向く方向を下方向とし、絶縁性ベースフィルム2aの他方の面が向く方向を上方向として記載している。したがって、絶縁性ベースフィルム2aの一方の面は下方向を向くと共に絶縁性フィルム5の一方の面は上方向を向き、互いに対向している。
The
In the present embodiment, the direction in which one surface of the
上記絶縁性ベースフィルム2aのパターン配線2bの上には、他方の面に貫通する貫通孔2cが形成されている。上記貫通孔2cは、パターン配線2bの延在方向に沿った長孔形状を有して各パターン配線2b上に形成されている。
また、上記貫通孔2c内に露出しているパターン配線2bと、その下のパターン電極8とは、スポット溶接されている。例えば、本実施形態では、一対の貫通孔2c内にそれぞれ2カ所のスポット溶接部2dが形成されている。
A through
The
上記フレキシブル配線板2は、いわゆる銅張りフィルム(CCL)であって、例えばポリイミド、PEN(ポリエチレンナフタレート)、PET(ポリエチレンテレフタレート)等で形成された絶縁性ベースフィルム2aの一方の面に、銅箔のパターン配線2bがパターン形成されているものである。
上記絶縁性ベースフィルム2aは、帯状に形成されており、上記一対のパターン配線2bは、絶縁性ベースフィルム2aに沿って互いに平行に延在している。
The
The
上記パターン配線2bの少なくともスポット溶接される部分は、絶縁性ベースフィルム2aの一方の面に形成されたCu層と、Cu層上に形成されたNi層とを有している。このNi層は、Cu層上へのNiメッキによって形成されている。
なお、本実施形態の温度センサ1では、パッド部8aを除いたパターン電極8,薄膜サーミスタ部6及び櫛型電極7を覆う絶縁性の保護膜10が絶縁性フィルム5上に形成されている。
At least a spot welded portion of the
In the temperature sensor 1 of the present embodiment, an insulating
上記絶縁性フィルム5は、略長方形状とされ、例えば厚さ7.5〜125μmのポリイミド樹脂シートで帯状に形成されている。なお、絶縁性フィルム5としては、他にPET:ポリエチレンテレフタレート,PEN:ポリエチレンナフタレート等でも作製できるが、加熱ローラの温度測定用としては、最高使用温度が230℃と高いためポリイミドフィルムが望ましい。
The said
上記薄膜サーミスタ部6は、絶縁性フィルム5の基端側に配され、例えばTiAlNのサーミスタ材料で形成されている。特に、薄膜サーミスタ部6は、一般式:TixAlyNz(0.70≦y/(x+y)≦0.95、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。
The thin
上記パターン電極8及び櫛型電極7は、薄膜サーミスタ部6上に形成された膜厚5〜100nmのCr又はNiCrの接合層と、該接合層上にAu等の貴金属で膜厚50〜1000nmで形成された電極層とを有している。
上記一対のパターン電極8の途中には、図3に示すように、パターン配線2bに対応して幅広な一対のパッド部8aが設けられている。
一対の櫛型電極7は、互いに対向状態に配されて交互に櫛部7aが並んだ櫛型パターンとされている。
The
In the middle of the pair of
The pair of comb-shaped
なお、櫛部7aは、絶縁性フィルム5の延在方向に沿って延在している。すなわち、絶縁性フィルム5の裏面側(薄膜サーミスタ部6が成膜されていない他方の面側)を、回転する加熱ローラに押し当てされて温度測定を行う場合、絶縁性フィルム5の延在方向に曲率を有して湾曲させられるため、薄膜サーミスタ部6にも同方向に曲げ応力が加わる。このとき、櫛部7aが同方向に延在しているため、薄膜サーミスタ部6を補強することになり、クラックの発生を抑制することができる。
上記保護膜10は、絶縁性樹脂膜等であり、例えば厚さ20μmのポリイミド膜が採用される。
The
The
この温度センサ1の製造方法について、図1から図4を参照して以下に説明する。
本実施形態の温度センサ1の製造方法は、絶縁性フィルム5の表面に薄膜サーミスタ部6をパターン形成する薄膜サーミスタ部形成工程と、対向した一対の櫛型電極7を薄膜サーミスタ部6上に配して絶縁性フィルム5の表面に一対のパターン電極8をパターン形成する電極形成工程と、絶縁性フィルム5上に保護膜10を形成する保護膜形成工程と、センサ部3にフレキシブル配線板2を接続する配線板接続工程とを有している。
A method for manufacturing the temperature sensor 1 will be described below with reference to FIGS.
The manufacturing method of the temperature sensor 1 according to this embodiment includes a thin film thermistor portion forming step of patterning the thin
より具体的な製造方法の例としては、厚さ50μmのポリイミドフィルムの絶縁性フィルム5上(一方の面上)に、Ti−Al合金スパッタリングターゲットを用い、窒素含有雰囲気中で反応性スパッタ法にて、TixAlyNz(x=0.09、y=0.43、z=0.48)のサーミスタ膜を膜厚200nmで形成する。その時のスパッタ条件は、到達真空度5×10−6Pa、スパッタガス圧0.4Pa、ターゲット投入電力(出力)200Wで、Arガス+窒素ガスの混合ガス雰囲気下において、窒素ガス分率を20%で作製する。 As a more specific example of the manufacturing method, a reactive sputtering method is performed in a nitrogen-containing atmosphere using a Ti—Al alloy sputtering target on the insulating film 5 (on one surface) of a polyimide film having a thickness of 50 μm. Te, Ti x Al y N z ( x = 0.09, y = 0.43, z = 0.48) is formed by a thermistor film thickness 200nm of. The sputtering conditions at that time were an ultimate vacuum of 5 × 10 −6 Pa, a sputtering gas pressure of 0.4 Pa, a target input power (output) of 200 W, and a nitrogen gas fraction of 20 in a mixed gas atmosphere of Ar gas + nitrogen gas. %.
成膜したサーミスタ膜の上にレジスト液をバーコーターで塗布した後、110℃で1分30秒プリベークを行い、露光装置で感光後、現像液で不要部分を除去し、さらに150℃で5分のポストベークにてパターニングを行う。その後、不要なTixAlyNzのサーミスタ膜を市販のTiエッチャントでウェットエッチングを行い、図4の(a)に示すように、レジスト剥離にて所望の形状の薄膜サーミスタ部6にする。
A resist solution is applied onto the deposited thermistor film with a bar coater, pre-baked at 110 ° C. for 1 minute and 30 seconds, exposed to light with an exposure device, and unnecessary portions are removed with a developer, and further at 150 ° C. for 5 minutes. Patterning is performed by post-baking. Thereafter, the thermistor film unnecessary Ti x Al y N z by wet etching in a commercial Ti etchant, as shown in FIG. 4 (a), to a thin
次に、薄膜サーミスタ部6及び絶縁性フィルム5上に、スパッタ法にて、Cr膜の接合層を膜厚20nm形成する。さらに、この接合層上に、スパッタ法にてAu膜の電極層を膜厚200nm形成する。
次に、成膜した電極層の上にレジスト液をバーコーターで塗布した後、110℃で1分30秒プリベークを行い、露光装置で感光後、現像液で不要部分を除去し、150℃で5分のポストベークにてパターニングを行う。その後、不要な電極部分を市販のAuエッチャント及びCrエッチャントの順番でウェットエッチングを行い、図4の(b)に示すように、レジスト剥離にて所望の櫛型電極7及びパターン電極8を形成する。
Next, a 20-nm-thick Cr film bonding layer is formed on the thin
Next, after applying a resist solution on the electrode layer formed with a bar coater, pre-baking is performed at 110 ° C. for 1 minute 30 seconds, and after exposure with an exposure apparatus, unnecessary portions are removed with a developing solution, Patterning is performed by post-baking for 5 minutes. Thereafter, unnecessary electrode portions are wet-etched in the order of a commercially available Au etchant and Cr etchant, and as shown in FIG. 4B, desired
さらに、絶縁性フィルム5の表面にポリイミドワニスを印刷法により所定部分に塗布して、180℃、30分でキュアを行い、図4の(c)に示すように、20μm厚のポリイミド保護膜10を形成する。
次に、パッド部8aとなる幅広な領域にNiめっきを施して、パッド部8aを形成する。
なお、複数のセンサ部3を同時に作製する場合、絶縁性フィルム5の大判シートに複数の薄膜サーミスタ部6、櫛型電極7、パターン電極8、保護膜10及びパッド部8aを上述のように形成した後に、大判シートから各センサ部3に切断する。
Furthermore, a polyimide varnish is applied to the surface of the insulating
Next, Ni plating is performed on a wide region to be the
When a plurality of
次に、図1及び図2に示すように、一対のパッド部8aにフレキシブル配線板2をスポット溶接により接着する。
まず、スポット溶接の前に、予めフレキシブル配線板2の絶縁性ベースフィルム2aに、一対のパターン配線2bに達する一対の長孔状の貫通孔2cをエッチング等により形成する。また、パターン配線2bは、厚さ18μmのCu層と、厚さ5μmのNi層との金属膜の積層で構成されている。なお、パターン配線2bとして、厚さ5〜50μmのCu層と、厚さ1〜20μmのNi層とを採用することが可能である。
Next, as shown in FIGS. 1 and 2, the
First, before spot welding, a pair of long hole-like through
そして、貫通孔2c直下のパターン配線2bを、パッド部8a上に載置した状態で、貫通孔2c内に露出しているパターン配線2bとパッド部8aとをスポット溶接する。したがって、スポット溶接部2dでフレキシブル配線板2とセンサ部3とが接続され、図1及び図2に示す温度センサ1が作製される。なお、スポット溶接する際に、フレキシブル配線板2とセンサ部3とを接着剤等で仮止めしても構わない。
And the
このように本実施形態の温度センサ1では、絶縁性ベースフィルム2aのパターン配線2bの上に貫通孔2cが形成され、貫通孔2c内に露出しているパターン配線2bとパターン電極8とが溶接されているので、パターン配線2bとパターン電極8とがどちらも金属箔でパターン形成され溶接される両者が同様の厚さレベルとされることで、スポット溶接でも十分な接合強度を得ることができる。
また、リードフレームを接続する場合に比べて全体の薄型化が可能になる。
Thus, in the temperature sensor 1 of this embodiment, the through-
Further, the overall thickness can be reduced as compared with the case of connecting the lead frame.
また、センサ部3を接続する部材として柔軟なフレキシブル配線板2を使用するので、リードフレームを用いた場合よりも全体をより柔らかい温度センサとすることも可能になり、測定対象物に押し付けて接触させた際に加熱ローラ等の測定対象物に傷を付け難いと共に、測定対象物との高い密着性も得ることができる。
さらに、パターン配線2bの溶接される部分が、絶縁性ベースフィルム2aの一方の面に形成されたCu層と、Cu層上に形成されたNi層とを有しているので、溶接の高い溶接性を得ることができる。
In addition, since the flexible
Furthermore, since the part to be welded of the
次に、本発明に係る温度センサの第2実施形態について、図5を参照して以下に説明する。なお、以下の各実施形態の説明において、上記実施形態において説明した同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。 Next, a second embodiment of the temperature sensor according to the present invention will be described below with reference to FIG. In the following description of each embodiment, the same constituent elements described in the above embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
第2実施形態と第1実施形態との異なる点は、第1実施形態では、センサ部3をフレキシブル配線板2だけで支持しているのに対し、第2実施形態の温度センサ21では、センサ部3にフレキシブル配線板2だけでなく一対の押付圧調整用部材22も接続されてセンサ部3を支持している点である。
すなわち、第2実施形態では、絶縁性フィルム5の他方の面に一対の押付圧調整用部材22の一端側が接着され、一対の押付圧調整用部材22が、フレキシブル配線板2に沿って延在している。なお、本実施形態では、一対の押付圧調整用部材22が、一対のパターン配線2bに対向して設けられている。
The difference between the second embodiment and the first embodiment is that the
That is, in the second embodiment, one end side of the pair of pressing
押付圧調整用部材22は、例えばSUS製の棒状部材や板状部材が採用可能である。
押付圧調整用部材22は、接着剤等で絶縁性フィルム5に接着されており、他端部がフレキシブル配線板2の他端部と共に絶縁性の保持部24に保持されている。
第1実施形態では、センサ部3をフレキシブル配線板2だけで接続して保持することで、全体をより柔らかい温度センサとすることができるが、第2実施形態では、フレキシブル配線板2だけでは温度センサ全体の剛性が不十分である場合に採用されるものであり、押付圧調整用部材22で補強することで、剛性の向上を図っている。
As the pressing
The pressing
In the first embodiment, the
このように第2実施形態の温度センサ21では、絶縁性フィルム5の他方の面に押付圧調整用部材22の一端側が接着され、押付圧調整用部材22が、フレキシブル配線板2に沿って延在しているので、センサ部3をフレキシブル配線板2だけで接続して保持している場合よりも押付圧調整用部材22の剛性が加わることで、測定対象物に対してより強く押し付けることも可能になる。
As described above, in the
なお、本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記第2実施形態では、フレキシブル配線板を保持する保持部が設けられているが、第1実施形態においてもフレキシブル配線板を保持部で保持しても構わない。
The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, in the second embodiment, the holding portion that holds the flexible wiring board is provided. However, in the first embodiment, the flexible wiring board may be held by the holding portion.
1,21…温度センサ、2…フレキシブル配線板、2a…絶縁性ベースフィルム、2b…パターン配線、2c…貫通孔、2d…スポット溶接部、3…センサ部、5…絶縁性フィルム、6…薄膜サーミスタ部、7…櫛型電極、7a…櫛部、8…パターン電極、22…押付圧調整用部材
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記センサ部が、一方の面に前記フレキシブル配線板が接着された絶縁性フィルムと、
前記絶縁性フィルムの一方の面にサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部と、
前記薄膜サーミスタ部の上及び下の少なくとも一方に複数の櫛部を有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛型電極と、
前記一対の櫛型電極と前記一対のパターン配線とに接続され前記絶縁性フィルムの一方の面にパターン形成された一対のパターン電極とを備え、
前記絶縁性ベースフィルムの前記パターン配線の上に貫通孔が形成され、
前記貫通孔内に露出している前記パターン配線と前記パターン電極とが溶接されていることを特徴とする温度センサ。 A flexible wiring board in which a pair of pattern wirings is formed on one surface of the insulating base film, and a sensor unit connected to the flexible wiring board,
The sensor part is an insulating film in which the flexible wiring board is bonded to one surface;
A thin film thermistor portion patterned with a thermistor material on one surface of the insulating film;
A pair of comb-shaped electrodes that have a plurality of comb portions on at least one of the upper and lower sides of the thin film thermistor portion and are patterned to face each other;
A pair of pattern electrodes connected to the pair of comb-shaped electrodes and the pair of pattern wirings and patterned on one surface of the insulating film;
A through hole is formed on the pattern wiring of the insulating base film,
The temperature sensor, wherein the pattern wiring exposed in the through hole and the pattern electrode are welded.
前記絶縁性フィルムの他方の面に押付圧調整用部材の一端側が接着され、
前記押付圧調整用部材が、前記フレキシブル配線板に沿って延在していることを特徴とする温度センサ。 The temperature sensor according to claim 1,
One end side of the pressing pressure adjusting member is bonded to the other surface of the insulating film,
The temperature sensor, wherein the pressing pressure adjusting member extends along the flexible wiring board.
前記パターン配線の少なくとも前記溶接される部分が、前記絶縁性ベースフィルムの一方の面に形成されたCu層と、前記Cu層上に形成されたNi層とを有していることを特徴とする温度センサ。 The temperature sensor according to claim 1 or 2,
At least the part to be welded of the pattern wiring has a Cu layer formed on one surface of the insulating base film and a Ni layer formed on the Cu layer. Temperature sensor.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015144033A JP2017026415A (en) | 2015-07-21 | 2015-07-21 | Temperature sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017026415A true JP2017026415A (en) | 2017-02-02 |
Family
ID=57945761
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015144033A Pending JP2017026415A (en) | 2015-07-21 | 2015-07-21 | Temperature sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017026415A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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