JP6598790B2 - カスタマイズされたメトリックスをグローバル分類方法と組み合わせて極高処理能力でプロセスツール状態を監視するウエハおよびロットベースの階層化方法 - Google Patents
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Description
Claims (19)
- プロセスツール状態を監視するための方法であって、
複数のウエハロットで製作されたウエハを含む複数のウエハから複数のウエハ画像を取得することと、
前記複数のウエハ画像から1つ又は複数の画像の解像度を低減することであって、ユーザが低減された解像度を調整するものである、低減することと、
前記低減された解像度の画像に基づき前記複数のウエハの1つ又は複数のウエハレベルメトリックスを計算することと、
前記1つ又は複数のウエハレベルメトリックスから1つ又は複数のプロセスツールシグネチャを抽出することであって、前記1つ又は複数のウエハレベルメトリックスは前記複数のウエハの中の不均一さを抽出するように構成され、前記複数のウエハの1つ又は複数の特定の欠陥に関連していない、抽出することと、
前記複数のウエハロットの1つ又は複数のロットレベル統計値を計算することであって、前記1つ又は複数のロットレベル統計値は、指定されたプロセス群で複数のウエハロットで製作されたウエハのウエハレベルメトリックスに少なくとも部分的に基づいて計算される、計算することと、
前記1つ又は複数のロットレベル統計値に基づいてプロセスツールドリフト状態を特定することであって、前記1つ又は複数のロットレベル統計値は、特定の欠陥に関連していない複数のウエハ画像の不均一さに基づいている、特定することと、
を備える方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記ウエハレベルメトリックスが画素強度ベースのメトリックス、空間ベースのメトリックスおよび周波数空間ベースのメトリックスの少なくとも1つを含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記指定されたプロセス群は、ユーザ指定されたプロセス群である方法。
- 請求項3に記載の方法であって、前記ロットレベル統計値は、前記複数のウエハロットの各特定のウエハロットで計算され、前記ロットレベル統計値の計算は、前記特定のウエハロットで製作されたウエハのウエハレベルメトリックスを正規化することを含む方法。
- 請求項4に記載の方法であって、各特定のウエハロットに対する前記ロットレベル統計値が、
- 請求項1に記載の方法であって、さらに、
サブ解像度異常のプロセスツールシグネチャをもつウエハを特定すること、
前記プロセスツールドリフト状態を微調整するためのプロセス窓監視を提供すること、の少なくともいずれかを含む方法。 - 複数のウエハロットで製作されたウエハを含む複数のウエハから複数のウエハ画像を取得するように構成される撮像装置と、
前記撮像装置に通信可能に接続されたプロセッサであって、
前記複数のウエハ画像から1つ又は複数の画像の解像度を低減し、ユーザからの入力を受け取って前記低減された解像度を調整し、
前記低減された解像度の画像に基づき前記複数のウエハの1つ又は複数のウエハレベルメトリックスを計算し、
前記1つ又は複数のウエハレベルメトリックスから1つ又は複数のプロセスツールシグネチャを抽出し、前記1つ又は複数のウエハレベルメトリックスは前記複数のウエハの中の不均一さを抽出するように構成され、前記複数のウエハの1つ又は複数の特定の欠陥に関連しておらず、
前記複数のウエハロットの1つ又は複数のロットレベル統計値を計算し、前記1つ又は複数のロットレベル統計値は、指定されたプロセス群で複数のウエハロットで製作されたウエハのウエハレベルメトリックスに少なくとも部分的に基づいて計算され、
前記1つ又は複数のロットレベル統計値に基づいてプロセスツールドリフト状態を特定し、前記1つ又は複数のロットレベル統計値は、特定の欠陥に関連していない複数のウエハ画像の不均一さに基づいている、
ように構成されるプロセッサと
を備えるプロセスツール状態監視システム。 - 請求項7に記載のシステムであって、各特定のウエハに対して取得された前記ウエハ画像が完全ウエハ画像であるシステム。
- 請求項7に記載のシステムであって、前記ウエハレベルメトリックスが画素強度ベースのメトリックス、空間ベースのメトリックスおよび周波数空間ベースのメトリックスの少なくとも1つを含むシステム。
- 請求項7に記載のシステムであって、前記指定されたプロセス群は、ユーザ指定されたプロセス群であるシステム。
- 請求項10に記載のシステムであって、前記ロットレベル統計値は、前記複数のウエハロットの各特定のウエハロットで計算され、前記ロットレベル統計値の計算は、前記特定のウエハロットで製作されたウエハのウエハレベルメトリックスを正規化することを含むシステム。
- 請求項11に記載のシステムであって、各特定のウエハロットに対する前記ロットレベル統計値が、
- 請求項7に記載のシステムであって、
前記特定された潜在的なプロセスツールドリフト状態に関してユーザ調整を受信するように構成されるユーザインタフェースをさらに備えるシステム。 - 請求項13に記載のシステムであって、前記プロセッサが、前記ユーザ調整に基づいて前記潜在的なプロセスツールドリフト状態を特定するために活用されたプロセスを調節するようにさらに構成されるシステム。
- プロセスツール状態を監視するための方法であって、
複数のウエハロットで製作されたウエハを含む複数のウエハから複数の完全ウエハ画像を取得することと、
前記複数のウエハ画像から1つ又は複数の画像の解像度を低減することであって、ユーザが低減された解像度を調整するものである、低減することと、
前記低減された解像度の画像に基づき前記複数のウエハの1つ又は複数のウエハレベルメトリックスを計算することと、
前記1つ又は複数のウエハレベルメトリックスから1つ又は複数のプロセスツールシグネチャを抽出することであって、前記1つ又は複数のウエハレベルメトリックスは前記複数のウエハの中の不均一さを抽出するように構成され、前記複数のウエハの1つ又は複数の特定の欠陥に関連していない、抽出することと、
前記複数のウエハロットの1つ又は複数のロットレベル統計値を計算することであって、前記1つ又は複数のロットレベル統計値は、指定されたプロセス群で複数のウエハロットで製作されたウエハのウエハレベルメトリックスに少なくとも部分的に基づいて計算される、計算することと、
前記1つ又は複数のロットレベル統計値に基づいてプロセスツールドリフト状態を特定することであって、前記1つ又は複数のロットレベル統計値は、特定の欠陥に関連していない複数のウエハ画像の不均一さに基づいている、特定することと、
前記特定された潜在的なプロセスツールドリフト状態に関してユーザ調整を受信することと
を備える方法。 - 請求項15に記載の方法であって、前記ウエハレベルメトリックスが画素強度ベースのメトリックス、空間ベースのメトリックスおよび周波数空間ベースのメトリックスの少なくとも1つを含む方法。
- 請求項15に記載の方法であって、前記指定されたプロセス群は、ユーザ指定されたプロセス群である方法。
- 請求項17に記載の方法であって、前記ロットレベル統計値は、前記複数のウエハロットの各特定のウエハロットで計算され、前記ロットレベル統計値の計算は、前記特定のウエハロットで製作されたウエハのウエハレベルメトリックスを正規化することを含む方法。
- 請求項18に記載の方法であって、各特定のウエハロットに対する前記ロットレベル統計値が、
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US11393118B2 (en) * | 2019-06-18 | 2022-07-19 | Kla Corporation | Metrics for asymmetric wafer shape characterization |
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JPH11307604A (ja) * | 1998-04-17 | 1999-11-05 | Toshiba Corp | プロセスモニタ方法及びプロセス装置 |
US6459949B1 (en) * | 1998-10-21 | 2002-10-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for corrective action tracking in semiconductor processing |
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US6701259B2 (en) * | 2000-10-02 | 2004-03-02 | Applied Materials, Inc. | Defect source identifier |
US7174281B2 (en) * | 2002-05-01 | 2007-02-06 | Lsi Logic Corporation | Method for analyzing manufacturing data |
TWI328164B (en) * | 2002-05-29 | 2010-08-01 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for monitoring tool performance |
US6928628B2 (en) * | 2002-06-05 | 2005-08-09 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Use of overlay diagnostics for enhanced automatic process control |
JP2004342736A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Sharp Corp | レーザアニール装置の管理方法 |
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