JP6588054B2 - 有機薄膜トランジスタの製造方法及び製造装置 - Google Patents
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Description
本発明は、有機薄膜トランジスタの製造方法及び製造装置に関する。
有機薄膜トランジスタ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，ＯＴＦＴ）は軽量で柔軟性があり、製造コストが低いので、電子ペーパー、センサー、メモリー、フレキシブルなディスプレイ、集積回路に応用されている。 有機半導体層は、スピンコーティング及びエッチングによって絶縁基板の表面に形成できる。従来、有機薄膜トランジスタの有機半導体層は、蒸着法によって形成されている。しかし、大面積の有機半導体層を製造する際、均一な有機半導体層を製造することが難しい。蒸着法は蒸着源を加熱して蒸着材料を気化させ、基板の表面に成膜する方法である。均一なフィルムを形成するためには、基板の周りに均一な気体蒸着材料を形成する必要がある。気体の蒸着材料の原子拡散方向を制御することは困難であり、蒸着材料の大部分は基板の表面に付着することができない。 このため、蒸着材料の蒸着速度が遅い。
本発明の目的は、前記課題を解決する有機薄膜トランジスタの製造方法及び製造装置を提供することである。
本発明の有機薄膜トランジスタの製造方法は絶縁基板に有機半導体層、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極及び絶縁層を形成する。有機半導体層の製造方法は蒸発源を提供し、蒸発源はカーボンナノチューブ構造体及び有機半導体層源材料を含み、有機半導体層源材料をカーボンナノチューブ構造体の表面に設置する第一ステップと、蒸発源は堆積表面と対向し且つ間隔をあけて設置し、カーボンナノチューブ構造体を加熱して有機半導体層源材料を蒸発させ、堆積表面に前記有機半導体層を形成する第二ステップと、を含む。
本発明の有機薄膜トランジスタの製造装置は蒸発源と、加熱装置と、を含む有機薄膜トランジスタの製造装置であって、前記蒸発源はカーボンナノチューブ構造体及び有機半導体層源材料を含み、前記有機半導体層源材料は前記カーボンナノチューブ構造体の表面に設置され、前記加熱装置は前記カーボンナノチューブ構造体を加熱することに用い、前記カーボンナノチューブ構造体を加熱することによって、前記有機半導体層源材料が蒸発され、有機半導体層が形成される。
従来の技術に比べて、本発明の接続装置は以下の優れる点がある。カーボンナノチューブフィルムは自立構造であり、有機半導体層源材料を担持することに用いる。 カーボンナノチューブフィルムの比表面積が大きく且つその自体の均一性が良いので、有機半導体層源材料がカーボンナノチューブフィルムに均一に分布することができる。 カーボンナノチューブフィルムは瞬時に加熱することができる。 これにより、有機半導体層源材料は短時間で完全にガス化され、均一なガス状蒸発材料を形成することができ、均一なガス状蒸発材料は広い領域に均一に分布することができる。前記堆積表面とカーボンナノチューブフィルムとの間の距離は小さい。 これにより、カーボンナノチューブフィルムに設置された有機半導体層源材料は十分に利用でき、有機半導体層源材料を節約し、且つ蒸着速度を高めることができる。
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。
図１〜図３を参照すると、実施例１は有機薄膜トランジスタ２００の製造方法を提供する。有機薄膜トランジスタ２００の製造方法は絶縁基板２１０に有機半導体層２３０、ソース電極２２０、ドレイン電極２４０、ゲート電極２５０及び絶縁層２６０を形成するステップを含む。有機半導体層２３０の製造方法は以下のステップを含む。
Ｓ１、蒸発源１１０を提供し、蒸発源１１０はカーボンナノチューブ構造体１１２及び有機半導体層源材料１１４を含み、有機半導体層源材料１１４をカーボンナノチューブ構造体１１２の表面に設置する。
Ｓ２、蒸発源１１０は絶縁基板２１０と対向し且つ間隔をあけて設置し、カーボンナノチューブ構造体１１２に電磁波信号または電気信号を入力してカーボンナノチューブ構造体１１２を加熱し、有機半導体層源材料１１４を蒸発させ、絶縁基板２１０の表面に有機半導体層２３０を形成する。
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絶縁基板２１０は硬質基板または可撓性基板でもよい。例えば、絶縁基板２１０はガラス基板、石英基板、透明プラスチック基板または樹脂基板の中のいずれか一種である。有機半導体層源材料１１４は、有機半導体層２３０の材料と同じであってもよい。または、有機半導体層源材料１１４は、有機半導体層２３０を形成することに用いる前駆体であってもよい。蒸着中に前駆体は反応して、有機半導体層２３０を形成する。
有機半導体層２３０の材料は、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、ルブレン、アントラセン、α-セクシチオフェン（α-６Ｔ）、ポリ-３-ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフェノール、ポリ２,５チオフェンフリーフタロシアニン（ｐｏｌｙ ２，５ ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ ａｃｅｔｙｌｅｎｅ）、フタロシアニン銅、フタロシアニンニッケル、フタロシアニン亜鉛、遊離フタロシアニン、フッ素化フタロシアニン銅、フッ素化フタロシアニンクロム、フッ素化フタロシアニン亜鉛、遊離フッ素化フタロシアニン、ポリベンズイミダゾールベンゾフェナントロリン（ｐｏｌｙｂｅｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ ｂｅｎｚｏｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ，ＢＢＬ）の中のいずれか一種である。有機半導体層２３０及び有機半導体層源材料１１４の材料は前記記載の材料に制限されず、同じ条件でカーボンナノチューブの気化温度の以下であり、且つ蒸着中に炭素と反応しない有機半導体材料であってもよい。好ましくは、有機半導体層２３０及び有機半導体層源材料１１４の材料は気化温度が３００℃以下である。
カーボンナノチューブ構造体１１２は有機半導体層源材料１１４の担持構造体である。有機半導体層源材料１１４は、カーボンナノチューブ構造体１１２の表面に設置され、カーボンナノチューブ構造体１１２にサポートされる。カーボンナノチューブ構造体１１２が自立構造体である。少なくとも一部分のカーボンナノチューブ構造体１１２は懸架できる。有機半導体層源材料１１４は懸架されたカーボンナノチューブ膜構造体１１２の表面に設置される。一つの例において、ステップＳ２において、相互に間隔をあける二つの支持体１２０を提供し、二つの支持体１２０はそれぞれ対向して、カーボンナノチューブ膜構造体１１２の両端に設置される。これにより、二つの支持体１２０の間のカーボンナノチューブ膜構造体１１２は懸架される。
カーボンナノチューブ構造体１１２は、一枚のカーボンナノチューブフィルムを含むことができ、或いは積層された複数のカーボンナノチューブフィルムを含むことができる。 カーボンナノチューブフィルムにおける複数のナノチューブは基本的に相互に平行している。好ましくは、カーボンナノチューブフィルムは、複数のカーボンナノチューブからなる。複数のカーボンナノチューブの延伸する方向はカーボンナノチューブ構造体１１２の表面と基本的に平行である。カーボンナノチューブ構造体１１２の厚さは均一である。具体的に、カーボンナノチューブフィルムにおいて、複数のカーボンナノチューブは分子間力で端と端とが接続されている。マクロに見ると、カーボンナノチューブフィルムは複数のカーボンナノチューブが分子間力で端と端とが接続されて形成するマクロ膜構造体である。カーボンナノチューブ構造体１１２及びカーボンナノチューブフィルムはマクロ面積及びミクロ面積を定義する。マクロ面積は、カーボンナノチューブ膜構造体１１２またはカーボンナノチューブフィルムをマクロ膜構造体とした場合の膜面積を指す。ミクロに見ると、カーボンナノチューブ構造体１１２またはカーボンナノチューブフィルムは、複数のカーボンナノチューブが分子間力で端と端とが接続されて形成するネットワーク構造である。ミクロ面積は、有機半導体層源材料１１４を担持しているカーボンナノチューブの表面積を指す。
好ましくは、カーボンナノチューブフィルムは、カーボンナノチューブアレイから引き出して得られたものである。カーボンナノチューブアレイは、化学気相成長法により基板の成長面上に成長させる。 カーボンナノチューブアレイにおける複数のカーボンナノチューブは互いに平行であり、且つその延伸方向は基板の成長表面と垂直する。隣接するカーボンナノチューブは相互に接触して且つ分子間力で結合する。 成長条件を制御することにより、カーボンナノチューブアレイは、アモルファスカーボンまたは残留の触媒金属粒子などの不純物を基本的に含まない。 カーボンナノチューブアレイは不純物を基本的に含まず、且つカーボンナノチューブが緊密に接触するので、隣接するカーボンナノチューブ間の分子間力が大きい。これにより、カーボンナノチューブフラグメントが引き出されると、隣接するカーボンナノチューブは分子間力によって端と端とが接続されて連続的に引き出され、連続なカーボンナノチューブフィルムを形成し、且つカーボンナノチューブフィルムは自立構造体である。カーボンナノチューブアレイは、超配列カーボンナノチューブアレイである。成長基板の材料は、Ｐ型シリコン、Ｎ型シリコン、または酸化シリコンである。
カーボンナノチューブフィルムは複数のカーボンナノチューブからなる自立構造体である。複数のカーボンナノチューブが同じ方向に沿って配列され且つ分子間力で端と端とが接続されている。図４を参照すると、カーボンナノチューブフィルムは配向型のカーボンナノチューブ構造体である。配向型のカーボンナノチューブ構造体において、複数のカーボンナノチューブが同じ方向に沿って配列している。複数のカーボンナノチューブの延伸する方向はカーボンナノチューブフィルムの表面と基本的に平行である。また、複数のカーボンナノチューブは分子間力で接続されている。具体的には、複数のカーボンナノチューブにおける各カーボンナノチューブは、延伸する方向における隣接するカーボンナノチューブと分子間力で端と端とが接続されている。これにより、カーボンナノチューブフィルムは自立構造を形成できる。さらに、カーボンナノチューブフィルムは、複数のカーボンナノチューブセグメントを含むことができる。複数のカーボンナノチューブセグメントは、長さ方向に沿って分子間力で端と端が接続されている。それぞれのカーボンナノチューブセグメントは、相互に平行に、分子間力で結合された複数のカーボンナノチューブを含む。
また、カーボンナノチューブフィルムは、少数のランダムなカーボンナノチューブを含む。しかし、大部分のカーボンナノチューブは同じ方向に沿って配列されているので、このランダムなカーボンナノチューブの延伸方向は、大部分のカーボンナノチューブの延伸方向には影響しない。具体的に、カーボンナノチューブフィルムにおける多数のカーボンナノチューブは、絶対的に直線状ではなくやや湾曲している。または、延伸する方向に完全に配列せず、少しずれている場合もある。従って、同じ方向に沿って配列されている多数のカーボンナノチューブの中において、隣同士のカーボンナノチューブが部分的に接触する可能性がある。カーボンナノチューブフィルムは複数の間隙を有するので（すなわち、隣接するカーボンナノチューブの間に間隙を有する）、カーボンナノチューブフィルムの透明度は優れ、且つカーボンナノチューブフィルムの比面積を増加させる。しかし、隣接するカーボンナノチューブの接触部及び端と端とが接続されているカーボンナノチューブの接続部における分子間力によって、カーボンナノチューブフィルムが自立構造を維持するのは十分である。
カーボンナノチューブ構造体１１２は自立構造を有するものである。ここで、自立構造とは、支持体材を利用せず、カーボンナノチューブ構造体１１２を独立して利用することができる形態のことである。即ち、カーボンナノチューブ構造体１１２を対向する両側から支持して、カーボンナノチューブ構造体１１２の構造を変化させずに、カーボンナノチューブ構造体１１２を懸架させることができることを意味する。カーボンナノチューブ構造体１１２は、分子間力で接続して均一に配列された複数のカーボンナノチューブからなる。
カーボンナノチューブフィルムは小さく且つ均一な厚さを有する。カーボンナノチューブフィルムの厚さは０．５ナノメートル〜１０ミクロンである。カーボンナノチューブアレイから引き出されたカーボンナノチューブフィルムは、カーボンナノチューブ間の分子間力のみよって自立構造を形成できるので、カーボンナノチューブフィルムの比表面積は大きい。好ましくは、ＢＥＴ方法により測定されたカーボンナノチューブフィルムの比表面積は、２００ｍ２/ｇ〜２６００ｍ２/ｇである。 カーボンナノチューブフィルムの単位面積あたりの質量は、０．０１ｇ/ｍ２〜０．１ｇ/ｍ２（ここで、面積とは、カーボンナノチューブフィルムのマクロ面積を指す）である。好ましくは、カーボンナノチューブフィルムの単位面積あたりの質量は、０．０５ｇ/ｍ２である。カーボンナノチューブフィルムの厚さは薄く、且つカーボンナノチューブ自体の熱容量が小さいので、カーボンナノチューブフィルムの単位面積当たりの熱容量が小さい。 一つの例において、カーボンナノチューブフィルムの単位面積当たりの熱容量は、２×１０-４Ｊ/ｃｍ２・Ｋより小さい。
カーボンナノチューブ構造体１１２は積層された複数のカーボンナノチューブフィルムを含む場合、カーボンナノチューブフィルムの層数は５０層以下である。好ましくは、カーボンナノチューブフィルムの層数は1０層以下である。カーボンナノチューブ構造体１１２において、異なるカーボンナノチューブフィルムにおけるカーボンナノチューブの延伸方向は平行してもよく、交差してもよい。隣接するカーボンナノチューブフィルムは分子間力で結合されている。隣接するカーボンナノチューブフィルムにおけるカーボンナノチューブはそれぞれ０°〜９０°の角度で交差相互に積層された少なくとも二層のカーボンナノチューブフィルムを含む。図５を参照すると、カーボンナノチューブ構造体１１２は積層された少なくとも二層のカーボンナノチューブフィルムを含む。隣接するカーボンナノチューブフィルムにおけるカーボンナノチューブはそれぞれ９０°の角度で交差している。
ステップＳ１において、溶液法、堆積法、蒸着法、めっき法などの方法により、有機半導体層源材料１１４をカーボンナノチューブ構造体１１２の表面に設置できる。蒸着法は化学蒸着法（ＣＶＤ）または物理蒸着法（ＰＶＤ）であってもよい。
溶液法によってカーボンナノチューブ構造体１１２の表面に有機半導体層源材料１１４を設置する方法は以下のステップを含む。
Ｓ１１、有機半導体層源材料１１４を溶媒に溶解または均一に分散させて混合物を形成する。
Ｓ１２、スプレーコート法、スピンコート法或いはディップコート法により混合物をカーボンナノチューブ構造体１１２に均一に付着させる。
Ｓ１３、溶媒を蒸発させて有機半導体層源材料１１４をカーボンナノチューブ構造体１１２の表面に均一に付着させる。
Ｓ１１、有機半導体層源材料１１４を溶媒に溶解または均一に分散させて混合物を形成する。
Ｓ１２、スプレーコート法、スピンコート法或いはディップコート法により混合物をカーボンナノチューブ構造体１１２に均一に付着させる。
Ｓ１３、溶媒を蒸発させて有機半導体層源材料１１４をカーボンナノチューブ構造体１１２の表面に均一に付着させる。
ステップＳ１１において、混合物は溶液または分散液である。ステップＳ１２において、混合物をカーボンナノチューブ構造体１１２に均一に付着させる方法はスプレーコート法、スピンコート法、或いは浸漬法である。
有機半導体層源材料１１４が複数の物質からなる場合、ステップＳ１１は予め複数の物質を希望な比率で溶媒に溶解させて混合するステップを含むことができる。これにより、カーボンナノチューブ構造体１１２の異なる位置に付着された複数の物質は希望な比率を有することができる。
カーボンナノチューブ構造体１１２の表面に希望な量の有機半導体層源材料１１４を設置するように、ステップＳ１２及びステップＳ１３を複数回繰り返すことができる。
有機半導体層源材料１１４は、カーボンナノチューブ構造体１１２の表面に付着される。巨視的には、有機半導体層源材料１１４を層状構造体として、カーボンナノチューブ構造体１１２の少なくとも一つの表面に付着される。好ましくは、有機半導体層源材料１１４は、カーボンナノチューブ構造体１１２の二つの表面に設置される。有機半導体層源材料１１４及びカーボンナノチューブ構造体１１２は複合膜を形成する。複合膜の厚さは１００ミクロン以下である。 好ましくは、複合膜の厚さは５ミクロン以下である。カーボンナノチューブ構造体１１２の単位面積当たりに担持される有機半導体層源材料１１４の量は少ない。微視的には、有機半導体層源材料１１４の形態はナノスケールの粒子であってもよく、またはナノスケールの厚さを有する層状構造体であってもよい。一つの例において、有機半導体層源材料１１４の形態は粒子である。粒子の直径は1ナノメートル〜５００ナノメートルである。もう一つの例において、有機半導体層源材料１１４の形態は層状構造体である。有機半導体層源材料１１４の厚さは1ナノメートル〜５００ナノメートルである。有機半導体層源材料１１４は、単一のカーボンナノチューブを完全に被覆でき、或いはカーボンナノチューブの一部を被覆できる。カーボンナノチューブ構造体１１２の表面に付着された有機半導体層源材料１１４の形態は、有機半導体層源材料１１４の量、有機半導体層源材料１１４の種類、カーボンナノチューブの濡れ性及び他の特性に関連する。 例えば、有機半導体層源材料１１４がカーボンナノチューブの表面に濡れていない場合、有機半導体層源材料１１４の形態は、粒子である可能性が高い。有機半導体層源材料１１４がカーボンナノチューブの表面に濡れている場合、有機半導体層源材料１１４の形態は、層状構造体である可能性が高い。
有機半導体層源材料１１４が高粘度の有機材料である場合、カーボンナノチューブ構造体１１２の表面に連続膜を形成できる。有機半導体層源材料１１４の形態がどのようなものであっても、カーボンナノチューブ構造体１１２の単位面積あたりの有機半導体層源材料１１４の量は小さい。これにより、電磁信号または電気信号によってカーボンナノチューブ構造体１１２を加熱して、有機半導体層源材料１１４を瞬時且つ完全にガス化することができる。一つの例において、有機半導体層源材料１１４は１秒以内に完全にガス化される。 もう一つの例において、有機半導体層源材料１１４は１０マイクロ秒以内に完全にガス化される。有機半導体層源材料１１４はカーボンナノチューブ構造体１１２の表面に均一に設置される。これにより、カーボンナノチューブ構造体１１２の異なる位置には担持される有機半導体層源材料１１４の量は基本的に等しい。
ステップＳ２において、蒸発源１１０は絶縁基板２１０の表面と対向して且つ間隔をあけて設置される。絶縁基板２１０とカーボンナノチューブ構造体１１２と間の距離は基本的に等しい。 すなわち、カーボンナノチューブ構造体１１２は、絶縁基板２１０の表面に基本的に平行である。有機半導体層源材料１１４が設置されたカーボンナノチューブ構造体１１２は、堆積表面と対向して且つ間隔をあけて設置される。カーボンナノチューブ構造体１１２と堆積表面との距離は１マイクロメートル〜１０ミリメートルである。堆積表面の面積はカーボンナノチューブ構造体１１２のマクロ面積に等しくてもよく、或いは堆積表面の面積はカーボンナノチューブ構造体１１２のマクロ面積よりも小さい。これにより、ガス状の有機半導体層源材料１１４は基本的に同時に堆積表面に到達できる。堆積表面は絶縁基板２１０の表面或いは絶縁層２６０の表面であってもよい。
ステップＳ２は大気中或いは真空中で行うことができる。 好ましくは、蒸発源１１０及び有機半導体層源材料１１４は真空室１３０の内に配置される。電磁信号または電気信号はカーボンナノチューブ構造体１１２に入力され、有機半導体層源材料１１４を蒸発させ、絶縁基板２１０の表面に有機半導体層２３０を形成する。
カーボンナノチューブ構造体１１２に電磁信号または電気信号が入力されてカーボンナノチューブ構造体１１２を加熱すると、有機半導体層源材料１１４は急速に蒸発温度または昇華温度に達することができる。カーボンナノチューブ構造１１２の単位面積当たりの有機半導体層源材料１１４の量は少ないので、有機半導体層源材料１１４は全て瞬間的にガス化できる。カーボンナノチューブ構造体１１２と堆積表面とは、互いに平行であり、互いに間隔をあけて設置される。一つの例において、堆積表面とカーボンナノチューブ構造体１１２との距離は、１マイクロメートル〜１０ミリメートルである。カーボンナノチューブ構造体１１２と堆積表面との距離が小さいので、カーボンナノチューブ構造体１１２から蒸発したガス状の有機半導体層源材料１１４は、堆積表面に速やかに付着して有機半導体層２３０を形成できる。堆積表面は、カーボンナノチューブ構造体１１２のマクロ面積の以下である。カーボンナノチューブ構造体１１２は堆積表面を完全に覆うことができる。 これにより、有機半導体層源材料１１４は、カーボンナノチューブ構造体１１２に対応する堆積表面に蒸発し且付着し、有機半導体層２３０を形成できる。有機半導体層源材料１１４がカーボンナノチューブ構造体１１２に均一に担持されるので、形成した有機半導体層２３０の厚さは均一であり、且つ有機半導体層２３０の均一性が優れている。有機半導体層源材料１１４が複数の物質を含む場合、複数の物質の割合はカーボンナノチューブ構造体１１２の異なる位置で同じである。これにより、複数の物質はガス状の有機半導体層源材料１１４において依然として同じ割合を有し、 均一な有機半導体層２３０を堆積表面に形成できる。
電磁信号入力装置１４０によって、電磁信号をカーボンナノチューブ構造体１１２に入力することができる。電磁信号がカーボンナノチューブ構造体１１２に入力する限り、電磁信号入力装置１４０は真空室１３０の内に設置してもよく、または真空室１３０の外に設置してもよい。カーボンナノチューブは電磁波に対する吸収特性は黒体に似っている。カーボンナノチューブは様々な波長の電磁波に対して均一な吸収特性を有する。電磁信号の平均電力密度は１００ｍＷ/ｍｍ２〜２０Ｗ/ｍｍ２である。カーボンナノチューブ構造体１１２の単位面積当たりの熱容量は小さいので、カーボンナノチューブ構造体１１２に電磁信号を入力する際、瞬時に熱応答でき熱を発生できる。カーボンナノチューブ構造体１１２の比表面積が大きいため、周囲の媒質との熱交換が速く、カーボンナノチューブ構造体１１２が生成された熱信号は有機半導体層源材料１１４を迅速に加熱でき、有機半導体層源材料１１４の蒸発温度または昇華温度に達することができる。 カーボンナノチューブ構造体１１２の単位マクロ面積に設置される有機半導体層源材料１１４の量が少ないので、有機半導体層源材料１１４は熱信号によって完全に気化することができる。
図６を参照すると、電気信号は第一電気信号入力用電極１５０及び第二電気信号入力用電極１５２によりカーボンナノチューブ構造体１１２に入力することができる。第一電気信号入力用電極１５０及び第二電気信号入力用電極１５２は相互に間隔をあけて、カーボンナノチューブ構造体１１２にそれぞれ電気的に接続される。カーボンナノチューブ構造体１１２は第一電気信号入力用電極１５０及び第二電気信号入力用電極１５２によって懸架される。カーボンナノチューブ構造体１１２は抵抗素子である。カーボンナノチューブ構造体１１２の小さな単位面積当たりの熱容量及び大きな比表面積を有し、且つカーボンナノチューブ構造体１１２の厚さが小さい。好ましくは、カーボンナノチューブ構造体１１２の単位面積当たりの熱容量は２×１０-４Ｊ/ｃｍ２・Ｋより小さい。さらに好ましくは、カーボンナノチューブ構造体１１２の単位面積当たりの熱容量は１．７×１０-６Ｊ/ｃｍ２・Ｋより小さく、カーボンナノチューブ構造体１１２の比表面積は２００ｍ２/ｇより大きく、カーボンナノチューブ構造体１１２の厚さは１００マイクロメートルより小さい。第一電気信号入力用電極１５０及び第二電気信号入力用電極１５２によって、カーボンナノチューブ構造体１１２に電気信号を入力する際、カーボンナノチューブ構造体１１２の単位面積当たりの熱容量が小さいので、カーボンナノチューブ構造１１２は電気信号を熱に急速に転換でき、カーボンナノチューブ構造１１２自体の温度を急速に上昇できる。カーボンナノチューブ構造体１１２は大きな比表面積を有し、且つ非常に薄いので、カーボンナノチューブ構造体１１２及び有機半導体層源材料１１４は熱交換を急速に行うことができ、有機半導体層源材料１１４を蒸発温度または昇華温度まで急速に加熱できる。
第一電気信号入力用電極１５０及び第二電気信号入力用電極１５２は、カーボンナノチューブ構造体１１２に電気的に接続される。好ましくは、第一電気信号入力用電極１５０及び第二電気信号入力用電極１５２は直接にカーボンナノチューブ構造体１１２の表面に設置される。第一電気信号入力用電極１５０及び第二電気信号入力用電極１５２によってカーボンナノチューブ構造体１１２に電流が入力される。第一電気信号入力用電極１５０及び第二電気信号入力用電極１５２は間隔をあけて、それぞれカーボンナノチューブ構造体１１２の両端に設置される。
好ましくは、カーボンナノチューブ構造体１１２には、少なくとも一つカーボンナノチューブフィルムにおける複数のカーボンナノチューブは、第一電気信号入力用電極１５０から第二電気信号入力用電極１５２まで延伸する。第一電気信号入力用電極１５０及び第二電気信号入力用電極１５２は導電性ワイヤ又は導電棒であってもよい。第一電気信号入力用電極１５０及び第二電気信号入力用電極１５２はカーボンナノチューブ構造体１１２をサポートする十分な強度を有している。これにより、第一電気信号入力用電極１５０及び第二電気信号入力用電極１５２によってカーボンナノチューブ構造体１１２に電気信号が入力される際、支持体１２０を省略することができる。
ステップＳ２では、第一電気信号入力用電極１５０及び第二電気信号入力用電極１５２によって、カーボンナノチューブ構造体１１２に電気信号が入力される。電気信号が直流信号である場合、第一電気信号入力用電極１５０及び第二電気信号入力用電極１５２はそれぞれ直流電源の正極及び負極に電気的に接続される。電気信号が交流信号である場合、第一電気信号入力用電極１５０は交流電源に電気的に接続され、第二電気信号入力用電極１５２はアースに接続される。蒸発源１１０に入力する電気信号の電力は、カーボンナノチューブ構造体１１２の熱応答温度を有機半導体層源材料１１４のガス化温度に達することができる。電気信号の電力は、式σＴ４Ｓによって計算できる。 ここで、σはステファン・ボルツマン（Ｓｔｅｆａｎ−Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ）定数を表し、Ｔは有機半導体層源材料１１４のガス化温度を表し、Ｓはカーボンナノチューブ構造体１１２のマクロ面積を表す。カーボンナノチューブ構造体１１２のマクロ面積が大きく、有機半導体層源材料１１４のガス化温度が高いほど、電気信号の電力は大きくなる。 カーボンナノチューブ構造体１１２は単位面積当たりの熱容量が小さいので、速やかに熱応答性を発生させて温度を上昇させることができる。カーボンナノチューブ構造体１１２の比表面積が大きいので、周囲の媒質との熱交換が速く、カーボンナノチューブ構造体１１２が生成された熱信号は有機半導体層源材料１１４を迅速に加熱でき、有機半導体層源材料１１４の蒸発温度または昇華温度に達することができる。 カーボンナノチューブ構造体１１２の単位マクロ面積に設置される有機半導体層源材料１１４の量が少ないので、熱信号によって有機半導体層源材料１１４を瞬間に完全に気化することができる。
図７を参照すると、真空蒸着後の蒸発源１１０の構成を示す。カーボンナノチューブ構造体１１２の表面に設置される有機半導体層源材料１１４が蒸発された後、カーボンナノチューブ構造体１１２は本来のネットワーク構造を維持している。カーボンナノチューブ構造体１１２におけるカーボンナノチューブは依然として分子間力で結合する。
図８を参照すると、一つの例において、さらに、ステップＳ３は、パターン化されたグリッド１６０を提供し、パターン化されたグリッド１６０を蒸発源１１０と絶縁基板２１０との間に設置するステップを含む。これにより、パターン化された有機半導体層２３０を形成できる。
パターン化されたグリッド１６０は少なくとも一つの貫通孔を含む。貫通孔は希望な形状及びサイズを有する。一つの例において、パターニングされたグリッド１６０は、堆積表面及びカーボンナノチューブ構造体１１２とそれぞれ直接に接触している。好ましくは、パターニングされたグリッド１６０は、堆積表面及びカーボンナノチューブ構造体１１２とそれぞれ間隔をあけて設置される。グリッド１６０は、堆積表面及びカーボンナノチューブ構造体１１２とそれぞれ平行である。ガス状有機半導体層源材料１１４は貫通孔のみを通過して、堆積表面に堆積される。これにより、パターンされた有機半導体層２３０を形成できる。パターニングされた有機半導体層２３０のパターンは、パターニングされたグリッド１６０の貫通孔の形状及びサイズに対応する。一つの例において、パターニングされたグリッド１６０は貫通孔のアレイを含むことができる。これにより、堆積表面に有機半導体層２３０のアレイを形成できる。これにより、ＴＦＴアレイを形成できる。
有機薄膜トランジスタ２００は絶縁基板２１０の表面に設置される。有機薄膜トランジスタ２００は、有機半導体層２３０、ソース電極２２０、ドレイン電極２４０、ゲート電極２５０と、絶縁層２６０と、を含む。 ソース電極２２０はドレイン電極２４０と間隔をあけて設置される。ソース電極２２０及びドレイン電極２４０は有機半導体層２３０と電気的に接続される。ゲート電極２５０は絶縁層２６０によって、有機半導体層２３０、ソース電極２２０及びドレイン電極２４０とそれぞれ絶縁に設置される。有機薄膜トランジスタ２００はトップゲート型でもバックゲート型でもよい。
図３を参照すると、有機薄膜トランジスタ２００がトップゲート型である場合、有機半導体層２３０は絶縁基板２１０の表面に設置される。ソース電極２２０及びドレイン電極２４０は有機半導体層２３０の表面に設置される。 絶縁層２６０は有機半導体層２３０の表面に設置される。ゲート電極２５０は絶縁層２６０の表面に設置され、且つ有機半導体層２３０、ソース電極２２０及びドレイン電極２４０とそれぞれ絶縁に設置される。ソース電極２２０とドレイン電極２４０との間の有機半導体層２３０にチャネルを形成する。
ソース電極２２０及びドレイン電極２４０は相互に間隔をあけて有機半導体層２３０と電気的に連続されていれば、ソース電極２２０及びドレイン電極２４０の位置は制限されない。一つの例において、ソース電極２２０及びドレイン電極２４０は相互に間隔をあけて有機半導体層２３０に設置され、且つ絶縁層２６０と有機半導体層２３０との間に設置される。ソース電極２２０、ドレイン電極２４０及びゲート電極２５０は有機半導体層２３０の同じ側に設置され、コプレーナ型の有機薄膜トランジスタ２００を形成する。もう一つの例において、ソース電極２２０、ドレイン電極２４０及びゲート電極２５０は有機半導体層２３０の異なる側に設置され、ソース電極２２０及びドレイン電極２４０は有機半導体層２３０に同じ側に設置され、スタガ型の有機薄膜トランジスタ２００を形成する。
一つの例において、コプレーナ型の有機薄膜トランジスタ２００の製造方法を提供する。コプレーナ型の有機薄膜トランジスタ２００の製造方法には、堆積表面は絶縁基板２１０の表面である。コプレーナ型の有機薄膜トランジスタ２００の製造方法は、以下のステップを含む。
Ｔ１、絶縁基板２１０の表面に有機半導体層２３０を形成する。絶縁基板２１０の表面に有機半導体層２３０を形成する方法は、以下のステップを含む。
Ｔ１１、蒸発源１１０を提供し、蒸発源１１０はカーボンナノチューブ構造体１１２及び有機半導体層源材料１１４を含み、有機半導体層源材料１１４をカーボンナノチューブ構造体１１２の表面に設置する。
Ｔ１２、蒸発源１１０は絶縁基板２１０と対向し且つ間隔をあけて設置し、カーボンナノチューブ構造体１１２に電磁波信号または電気信号を入力してカーボンナノチューブ構造体１１２を加熱し、有機半導体層源材料１１４を蒸発させ、絶縁基板２１０の表面に有機半導体層２３０を形成する。
Ｔ２、有機半導体層２３０の表面にソース電極２２０及びドレイン電極２４０を形成し、且つソース電極２２０とドレイン電極２４０を有機半導体層２３０とそれぞれ電気的に接続させる。
Ｔ３、ソース電極２２０、ドレイン電極２４０及び有機半導体層２３０の表面に絶縁層２６０を形成する。
Ｔ４、絶縁層２６０の表面にゲート電極２５０を形成する。
Ｔ１、絶縁基板２１０の表面に有機半導体層２３０を形成する。絶縁基板２１０の表面に有機半導体層２３０を形成する方法は、以下のステップを含む。
Ｔ１１、蒸発源１１０を提供し、蒸発源１１０はカーボンナノチューブ構造体１１２及び有機半導体層源材料１１４を含み、有機半導体層源材料１１４をカーボンナノチューブ構造体１１２の表面に設置する。
Ｔ１２、蒸発源１１０は絶縁基板２１０と対向し且つ間隔をあけて設置し、カーボンナノチューブ構造体１１２に電磁波信号または電気信号を入力してカーボンナノチューブ構造体１１２を加熱し、有機半導体層源材料１１４を蒸発させ、絶縁基板２１０の表面に有機半導体層２３０を形成する。
Ｔ２、有機半導体層２３０の表面にソース電極２２０及びドレイン電極２４０を形成し、且つソース電極２２０とドレイン電極２４０を有機半導体層２３０とそれぞれ電気的に接続させる。
Ｔ３、ソース電極２２０、ドレイン電極２４０及び有機半導体層２３０の表面に絶縁層２６０を形成する。
Ｔ４、絶縁層２６０の表面にゲート電極２５０を形成する。
もう一つの例において、スタガ型の有機薄膜トランジスタ２００の製造方法を提供する。スタガ型の有機薄膜トランジスタ２００の製造方法には、堆積表面は絶縁基板２１０の表面、ソース電極２２０の表面及びドレイン電極２４０の表面である。スタガ型の有機薄膜トランジスタ２００の製造方法は、以下のステップを含む。
Ｎ１、絶縁基板２１０の表面にソース電極２２０及びドレイン電極２４０を形成する。
Ｎ２、絶縁基板２１０に有機半導体層２３０を形成する。絶縁基板２１０に有機半導体層２３０を形成する方法は、以下のステップを含む。
Ｎ２１、蒸発源１１０を提供し、蒸発源１１０はカーボンナノチューブ構造体１１２及び有機半導体層源材料１１４を含み、有機半導体層源材料１１４をカーボンナノチューブ構造体１１２の表面に設置する。
Ｎ２２、絶縁基板２１０、ソース電極２２０及びドレイン電極２４０は蒸発源１１０と対向し且つ間隔をあけて設置し、カーボンナノチューブ構造体１１２に電磁波信号または電気信号を入力してカーボンナノチューブ構造体１１２を加熱し、有機半導体層源材料１１４を蒸発させ、絶縁基板２１０の表面、ソース電極２２０の表面及びドレイン電極２４０の表面に有機半導体層２３０を形成し、ソース電極２２０及びドレイン電極２４０を有機半導体層２３０とそれぞれ電気的に接続させる。
Ｎ３、ソース電極２２０の表面、ドレイン電極２４０の表面及び有機半導体層２３０の表面に絶縁層２６０を形成する。
Ｎ４、絶縁層２６０の表面にゲート電極２５０を形成する。
Ｎ１、絶縁基板２１０の表面にソース電極２２０及びドレイン電極２４０を形成する。
Ｎ２、絶縁基板２１０に有機半導体層２３０を形成する。絶縁基板２１０に有機半導体層２３０を形成する方法は、以下のステップを含む。
Ｎ２１、蒸発源１１０を提供し、蒸発源１１０はカーボンナノチューブ構造体１１２及び有機半導体層源材料１１４を含み、有機半導体層源材料１１４をカーボンナノチューブ構造体１１２の表面に設置する。
Ｎ２２、絶縁基板２１０、ソース電極２２０及びドレイン電極２４０は蒸発源１１０と対向し且つ間隔をあけて設置し、カーボンナノチューブ構造体１１２に電磁波信号または電気信号を入力してカーボンナノチューブ構造体１１２を加熱し、有機半導体層源材料１１４を蒸発させ、絶縁基板２１０の表面、ソース電極２２０の表面及びドレイン電極２４０の表面に有機半導体層２３０を形成し、ソース電極２２０及びドレイン電極２４０を有機半導体層２３０とそれぞれ電気的に接続させる。
Ｎ３、ソース電極２２０の表面、ドレイン電極２４０の表面及び有機半導体層２３０の表面に絶縁層２６０を形成する。
Ｎ４、絶縁層２６０の表面にゲート電極２５０を形成する。
図９を参照すると、有機薄膜トランジスタ２００がバックゲート型である場合、ゲート電極２５０は絶縁基板２１０の表面に設置される。絶縁層２６０はゲート電極２５０の表面に設置される。有機半導体層２３０は絶縁層２６０の表面に設置され、且つ絶縁層２６０によってゲート電極２５０と絶縁に設置される。ソース電極２２０及びドレイン電極２４０は有機半導体層２３０の表面に設置される。ソース電極２２０及びドレイン電極２４０は相互に間隔をあけて有機半導体層２３０の表面に設置され、且つ有機半導体層２３０と電気的に設置される。ゲート電極２５０は絶縁層２６０によって、有機半導体層２３０、ソース電極２２０及びドレイン電極２４０とそれぞれ絶縁に設置される。ソース電極２２０とドレイン電極２４０との間の有機半導体層２３０にチャネルを形成する。
一つの例において、ソース電極２２０、ドレイン電極２４０及びゲート電極２５０は有機半導体層２３０の異なる側に設置され、ソース電極２２０及びドレイン電極２４０は有機半導体層２３０に同じ側に設置され、逆スタガ型の有機薄膜トランジスタ２００を形成する。もう一つの例において、ソース電極２２０及びドレイン電極２４０は相互に間隔をあけて有機半導体層２３０に設置され、且つ絶縁層２６０と有機半導体層２３０との間に設置される。ソース電極２２０、ドレイン電極２４０及びゲート電極２５０は有機半導体層２３０の同じ側に設置され、逆コプレーナ型の有機薄膜トランジスタ２００を形成する。
一つの例において、逆コプレーナ型の有機薄膜トランジスタ２００の製造方法を提供する。逆コプレーナ型の有機薄膜トランジスタ２００の製造方法には、堆積表面は絶縁層２６０の表面、ソース電極２２０の表面及びドレイン電極２４０の表面である。逆コプレーナ型の有機薄膜トランジスタ２００の製造方法は、以下のステップを含む。
Ｍ１、絶縁基板２１０の表面にゲート電極２５０を形成する。
Ｍ２、ゲート電極２５０の表面に絶縁層２６０を形成する。
Ｍ３、絶縁層２６０の表面に相互に間隔をあけるソース電極２２０及びドレイン電極２４０を形成する。
Ｍ４、絶縁層２６０の表面、ソース電極２２０の表面及びドレイン電極２４０の表面に有機半導体層２３０を形成し、ソース電極２２０及びドレイン電極２４０を有機半導体層２３０と電気的に接続させる。有機半導体層２３０を形成する方法は以下のステップを含む。
Ｍ４１、蒸発源１１０を提供し、蒸発源１１０はカーボンナノチューブ構造体１１２及び有機半導体層源材料１１４を含み、有機半導体層源材料１１４をカーボンナノチューブ構造体１１２の表面に設置する。
Ｍ４２、絶縁層２６０、ソース電極２２０及びドレイン電極２４０は蒸発源１１０と対向し且つ間隔をあけて設置し、カーボンナノチューブ構造体１１２に電磁波信号または電気信号を入力してカーボンナノチューブ構造体１１２を加熱し、有機半導体層源材料１１４を蒸発させ、絶縁層２６０の表面、ソース電極２２０の表面及びドレイン電極２４０の表面に有機半導体層２３０を形成する。
Ｍ１、絶縁基板２１０の表面にゲート電極２５０を形成する。
Ｍ２、ゲート電極２５０の表面に絶縁層２６０を形成する。
Ｍ３、絶縁層２６０の表面に相互に間隔をあけるソース電極２２０及びドレイン電極２４０を形成する。
Ｍ４、絶縁層２６０の表面、ソース電極２２０の表面及びドレイン電極２４０の表面に有機半導体層２３０を形成し、ソース電極２２０及びドレイン電極２４０を有機半導体層２３０と電気的に接続させる。有機半導体層２３０を形成する方法は以下のステップを含む。
Ｍ４１、蒸発源１１０を提供し、蒸発源１１０はカーボンナノチューブ構造体１１２及び有機半導体層源材料１１４を含み、有機半導体層源材料１１４をカーボンナノチューブ構造体１１２の表面に設置する。
Ｍ４２、絶縁層２６０、ソース電極２２０及びドレイン電極２４０は蒸発源１１０と対向し且つ間隔をあけて設置し、カーボンナノチューブ構造体１１２に電磁波信号または電気信号を入力してカーボンナノチューブ構造体１１２を加熱し、有機半導体層源材料１１４を蒸発させ、絶縁層２６０の表面、ソース電極２２０の表面及びドレイン電極２４０の表面に有機半導体層２３０を形成する。
もう一つの例において、逆スタガ型の有機薄膜トランジスタ２００の製造方法を提供する。逆スタガ型の有機薄膜トランジスタ２００の製造方法には、堆積表面は絶縁層２６０の表面である。逆スタガ型の有機薄膜トランジスタ２００の製造方法は、以下のステップを含む。
Ｐ１、絶縁基板２１０の表面にゲート電極２５０を形成する。
Ｐ２、ゲート電極２５０の表面に絶縁層２６０を形成する。
Ｐ３、絶縁層２６０の表面に有機半導体層２３０を形成する。有機半導体層２３０を形成する方法は以下のステップを含む。
Ｐ３１、蒸発源１１０を提供し、蒸発源１１０はカーボンナノチューブ構造体１１２及び有機半導体層源材料１１４を含み、有機半導体層源材料１１４をカーボンナノチューブ構造体１１２の表面に設置する。
Ｐ３２、蒸発源１１０は絶縁層２６０と対向し且つ間隔をあけて設置し、カーボンナノチューブ構造体１１２に電磁波信号または電気信号を入力してカーボンナノチューブ構造体１１２を加熱し、有機半導体層源材料１１４を蒸発させ、絶縁層２６０の表面に有機半導体層２３０を形成する。
Ｐ４、有機半導体層２３０の表面に相互に間隔をあけるソース電極２２０及びドレイン電極２４０を形成し、ソース電極２２０及びドレイン電極２４０を有機半導体層２３０とそれぞれ電気的に接続させる。
Ｐ１、絶縁基板２１０の表面にゲート電極２５０を形成する。
Ｐ２、ゲート電極２５０の表面に絶縁層２６０を形成する。
Ｐ３、絶縁層２６０の表面に有機半導体層２３０を形成する。有機半導体層２３０を形成する方法は以下のステップを含む。
Ｐ３１、蒸発源１１０を提供し、蒸発源１１０はカーボンナノチューブ構造体１１２及び有機半導体層源材料１１４を含み、有機半導体層源材料１１４をカーボンナノチューブ構造体１１２の表面に設置する。
Ｐ３２、蒸発源１１０は絶縁層２６０と対向し且つ間隔をあけて設置し、カーボンナノチューブ構造体１１２に電磁波信号または電気信号を入力してカーボンナノチューブ構造体１１２を加熱し、有機半導体層源材料１１４を蒸発させ、絶縁層２６０の表面に有機半導体層２３０を形成する。
Ｐ４、有機半導体層２３０の表面に相互に間隔をあけるソース電極２２０及びドレイン電極２４０を形成し、ソース電極２２０及びドレイン電極２４０を有機半導体層２３０とそれぞれ電気的に接続させる。
さらに、蒸着法、スパッタリング法、塗布法或いは印刷法によって、ゲート電極２５０、絶縁層２６０、ソース電極２２０及びドレイン電極２４０を形成できる。
実施例２は有機薄膜トランジスタ２００の製造装置１００を提供する。有機薄膜トランジスタの製造装置１００は、蒸発源１１０と、加熱装置と、を備える。 蒸発源１１０は、カーボンナノチューブ構造体１１２及び有機半導体層源材料１１４を含む。カーボンナノチューブ構造体１１２は有機半導体層源材料１１４の担持構造体である。有機半導体層源材料１１４は、カーボンナノチューブ構造体１１２の表面に設置される。 加熱装置はカーボンナノチューブ構造体１１２に電磁信号或いは電気信号を入力して、カーボンナノチューブ構造体１１２を加熱して有機半導体層源材料１１４を蒸発させる。一つの例において、加熱装置は電磁信号入力装置１４０を含み、電磁信号入力装置１４０によってカーボンナノチューブ構造体１１２に電磁信号を入力する。もう一つの例において、加熱装置は第一電気信号入力用電極１５０及び第二電気信号入力用電極１５２を含み、第一電気信号入力用電極１５０及び第二電気信号入力用電極１５２によって、電気信号をカーボンナノチューブ体１１２に入力する。
さらに、有機薄膜トランジスタの製造装置１００は真空室１３０を備えることができる。蒸発源１１０及び絶縁基板２１０は真空室１３０の内に設置される。絶縁基板２１０は蒸発源１１０と間隔をあけて設置される。
さらに、有機薄膜トランジスタの製造装置１００は、二つの支持体１２０を含むことができる。二つの支持体１２０は互いに間隔をあけて設置され、カーボンナノチューブ構造体１１２の対向する両端に設置される。これにより、カーボンナノチューブ構造体１１２は二つの支持体１２０によって懸架される。
さらに、有機薄膜トランジスタの製造装置１００は、少なくとも一つのパターン化されたグリッド１６０を含むことができる。パターン化されたグリッド１６０は、蒸発源１１０と絶縁基板２１０との間に設置される。
本発明の有機薄膜トランジスタの製造方法は以下の優れた点がある。カーボンナノチューブフィルムは自立構造であり、有機半導体層源材料を担持することに用いる。 カーボンナノチューブフィルムの比表面積が大きく且つその自体の均一性が良いので、有機半導体層源材料がカーボンナノチューブフィルムに均一に分布することができる。 カーボンナノチューブフィルムは瞬時に加熱することができる。 これにより、有機半導体層源材料は短時間で完全にガス化され、均一なガス状蒸発材料を形成することができ、均一なガス状蒸発材料は広い領域に均一に分布することができる。堆積表面とカーボンナノチューブフィルムとの間の距離は小さい。 これにより、カーボンナノチューブフィルムに設置された有機半導体層源材料は十分に利用でき、有機半導体層源材料を節約し、且つ蒸着速度を高めることができる。
１００ 有機薄膜トランジスタの製造装置
１１０ 蒸発源
１１２ カーボンナノチューブ構造体
１１４ 有機半導体層源材料
１２０ 支持体
１３０ 真空室
１４０ 電磁信号入力装置
１５０ 第一電気信号入力用電極
１５２ 第二電気信号入力用電極
１６０ パターン化されたグリッド
２００ 有機薄膜トランジスタ
２１０ 絶縁基板
２２０ ソース電極
２３０ 有機半導体層
２４０ ドレイン電極
２５０ ゲート電極
２６０ 絶縁層
１１０ 蒸発源
１１２ カーボンナノチューブ構造体
１１４ 有機半導体層源材料
１２０ 支持体
１３０ 真空室
１４０ 電磁信号入力装置
１５０ 第一電気信号入力用電極
１５２ 第二電気信号入力用電極
１６０ パターン化されたグリッド
２００ 有機薄膜トランジスタ
２１０ 絶縁基板
２２０ ソース電極
２３０ 有機半導体層
２４０ ドレイン電極
２５０ ゲート電極
２６０ 絶縁層
Claims (4)
- 絶縁基板に有機半導体層、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極及び絶縁層を形成する有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記有機半導体層の製造方法は、
蒸発源を提供し、前記蒸発源はカーボンナノチューブ構造体及び有機半導体層源材料を含み、前記カーボンナノチューブ構造体は二つの支持体によって懸架され、前記有機半導体層源材料を懸架された前記カーボンナノチューブ構造体の表面に設置する第一ステップであって、前記カーボンナノチューブ構造体はカーボンナノチューブフィルムを含み、前記カーボンナノチューブフィルムの比表面積は２００ｍ２/ｇ〜２６００ｍ２/ｇであり、前記カーボンナノチューブフィルムの単位面積あたりの質量は０．０１ｇ/ｍ２〜０．１ｇ/ｍ２である第一ステップと、
前記蒸発源は堆積表面と対向し且つ間隔をあけて設置し、前記カーボンナノチューブ構造体を加熱して前記有機半導体層源材料を蒸発させ、前記堆積表面に前記有機半導体層を形成する第二ステップと、
を含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記有機半導体層源材料を前記カーボンナノチューブ構造体の表面に設置する方法は、
前記有機半導体層源材料を溶媒に均一に分散させて混合物を形成するステップと、
前記混合物を前記カーボンナノチューブ構造体に均一に付着させるステップと、
前記溶媒を蒸発させて前記有機半導体層源材料を前記カーボンナノチューブ構造体の表面に均一に付着させるステップと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記蒸発源と前記堆積表面との距離は１マイクロメートル〜１０ミリメートルであることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 蒸発源と、加熱装置と、を含む有機薄膜トランジスタの製造装置であって、
前記蒸発源はカーボンナノチューブ構造体及び有機半導体層源材料を含み、前記カーボンナノチューブ構造体は二つの支持体によって懸架され、前記有機半導体層源材料は懸架された前記カーボンナノチューブ構造体の表面に設置され、
前記カーボンナノチューブ構造体はカーボンナノチューブフィルムを含み、前記カーボンナノチューブフィルムの比表面積は２００ｍ２/ｇ〜２６００ｍ２/ｇであり、前記カーボンナノチューブフィルムの単位面積あたりの質量は０．０１ｇ/ｍ２〜０．１ｇ/ｍ２であり、
前記加熱装置は前記カーボンナノチューブ構造体を加熱することに用い、前記カーボンナノチューブ構造体を加熱することによって、前記有機半導体層源材料が蒸発され、有機半導体層が形成されることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造装置。
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