JP6587839B2 - 酸化物超電導線材の製造方法 - Google Patents
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図1は、本発明に係る一実施の形態の酸化物超電導線材の製造方法で製造される酸化物超電導線材の要部構成を示すテープの軸方向に垂直な断面を示す概略図である。
第2中間層22は、LaMnO3層であり、スパッタリング法を用いて形成される。本実施の形態では、第1中間層21が拡散防止層とも称してもよく、第2中間層22が配向制御層或いはベッド層と称してもよい。第3中間層23は、酸化マグネシウム(MgO)層であり、イオンビームアシスト蒸着法(IBAD:Ion Beam Assisted Deposition)によりLaMnO3層である第2中間層22上に成膜される。第3中間層23は、配向層とも称してもよい。
図2は、本発明の一実施の形態に係る超電導線材の製造方法の説明に供するフローチャートである。
このイオンガン67の構成は周知の構成である。例えば、イオンガン67は、フィラメントを有する本体容器内に、本体に接続されたArガス等を導入する導入管を介してイオン化させるガスを導入し、本体容器の正面に備える引き出し電極を介してイオンをビーム状(黒矢印で示す)に照射する。
金属基板10としての100m長のハステロイテープ(Hastelloy:登録商標)上に拡散防止層としてAl2O3層を成膜し、そのAl2O3層上に配向制御層(ベッド層)としてLaMnO3層を成膜して基材50を形成した。この基材50の表面のLaMnO3層上に、MgO形成装置60を用いてIBAD法により配向層として膜厚8nmのMgO層を形成した。すなわち、このMgO層は、基材50を冷却しつつ、MgターゲットをRFスパッタで成膜し、同時に45deg.の角度からイオンガン67を用いてイオンビームを照射して形成した。MgO層形成時における基材50の冷却は、成膜部61において、冷却機構部614を用いて、走行する基材50に対して、0m−100mまで25℃の一定の設定温度で冷却することにより行われた。そしてMgO層上に膜厚515nmのCeO2層を形成した結果、CeO2層の配向度ΔΦは、0m部分、100m部分ともに3.5deg.であった。このようなCeO2/MgO/LaMnO3/Al2O3/Hastelloyテープ上にTFA−MOD法によりYBCO層を形成した結果、製造される幅5mm、全長100mのYBCO超電導線材の超電導特性(臨界電流値)Icは、0mの部分で160A、100mの部分で170Aであり0mから10m部分の間隔で測定しても略均等な値であった。
金属基板10としての100m長のハステロイテープ(Hastelloy:登録商標)上に拡散防止層としてAl2O3層を成膜し、そのAl2O3層上に配向制御層(ベッド層)としてLaMnO3層を成膜して基材50を形成した。この基材50の表面のLaMnO3層上に、MgO形成装置60を用いてIBAD法により配向膜として膜厚8nmのMgO層を形成した。すなわち、このMgO層は、基材50を冷却しつつ、MgターゲットをRFスパッタで成膜し、同時に45deg.の角度からイオンガン67を用いてイオンビームを照射して形成した。MgO層形成時における基材50の冷却は、成膜部61において、冷却機構部614を用いて、走行する基材50に対して0m−100mまで35℃の一定の設定温度で冷却することにより行われた。そしてMgO層上に膜厚515nmのCeO2層を形成した結果、CeO2層の配向度ΔΦは、0m部分、100m部分ともに3.9deg.であった。このようなCeO2/MgO/LaMnO3/Al2O3/Hastelloyテープ上にTFA−MOD法によりYBCO層を形成した結果、製造される幅5mm、全長100mのYBCO超電導線材の超電導特性(臨界電流値)Icは、0mの部分で155A、100mの部分で160Aであり0mから10m部分の間隔で測定しても略均等な値であった。
金属基板10としての100m長のハステロイテープ(Hastelloy:登録商標)上に拡散防止層としてAl2O3層を成膜し、そのAl2O3層上に配向制御層(ベッド層)としてLaMnO3層を成膜して基材50を形成した。この基材50の表面のLaMnO3層上に、MgO形成装置60を用いてIBAD法により配向層として膜厚8nmのMgO層を形成した。すなわち、このMgO層は、基材50を冷却しつつ、MgターゲットをRFスパッタで成膜し、同時に45deg.の角度からイオンガン67を用いてイオンビームを照射して形成した。MgO層形成時における基材50の冷却は、成膜部61において、冷却機構部614を用いて、走行する基材50に対して0m−100mまで25℃の一定の設定温度で冷却することにより行われた。そしてMgO層上に膜厚15nmのLaMnO3層と膜厚500nmのCeO2層を順に形成した結果、CeO2層の配向度ΔΦは、0m部分、100m部分ともに3.2deg.であった。このようなCeO2/LaMnO3/MgO/LaMnO3/Al2O3/Hastelloyテープ上にTFA−MOD法によりYBCO層を形成した結果、製造される幅5mm、全長100mのYBCO超電導線材の超電導特性(臨界電流値)Icは、0mの部分で200A、100mの部分で210Aであり0mから10m部分の間隔で測定しても略均等な値であった。
金属基板10としての100m長のハステロイテープ(Hastelloy:登録商標)上に拡散防止層としてAl2O3層を成膜し、そのAl2O3層上に配向制御層(ベッド層)としてGd2Zr2O7層を成膜して基材を形成した。この基材の表面のGd2Zr2O7層上に、MgO形成装置60を用いてIBAD法により配向層として膜厚8nmのMgO層を形成した。すなわち、このMgO層は、基材50を冷却しつつ、MgターゲットをRFスパッタで成膜し、同時に45deg.の角度からイオンガン67を用いてイオンビームを照射して形成した。MgO層形成時における基材50の冷却は、成膜部61において、冷却機構部614を用いて、走行する基材50に対して、0m−100mまで25℃の一定の設定温度で冷却することにより行われた。そしてMgO層上に膜厚515nmのCeO2層を形成した結果、CeO2層の配向度ΔΦは、0m部分、100m部分ともに7.0deg.であった。このようなCeO2/MgO/Gd2Zr2O7/Al2O3/Hastelloyテープ上にTFA−MOD法によりYBCO層を形成した結果、製造される幅5mm、全長100mのYBCO超電導線材の超電導特性(臨界電流値)Icは、0mの部分で50A、100mの部分で55Aであり0mから10m部分の間隔で測定しても略均等な値であった。
金属基板10としての100m長のハステロイテープ(Hastelloy:登録商標)上にLaMnO3/Al2O3層を形成して基材50とし、このLaMnO3層上に、IBAD法により配向膜として膜厚8nmのMgO層を形成した。このMgO層は、MgO装置60において、冷却機構部614を使用せず、基材50の設定温度を冷却することなく、MgターゲットをRFスパッタで成膜し、同時に45deg.の角度からイオンガン67を用いてイオンビームを照射して形成した。このMgO層形成時には、連続的な温度上昇が生じ、MgO層が形成される基材50は、0m部分では35℃、100m部分では180℃であった。そしてMgO層上に膜厚15nmのLaMnO3層と膜厚500nmのCeO2層を形成した結果、CeO2層の配向度ΔΦは、0m部分で3.9であり、100m部分で8.0deg.であった。このようなCeO2/LaMnO3/MgO/LaMnO3/Al2O3/Hastelloyテープ上にTFA−MOD法によりYBCO層を形成した結果、製造される幅5mm、全長100mのYBCO超電導線材の超電導特性(臨界電流値)Icは、0mの部分で160A、100mの部分で20Aであった。
金属基板10としての100m長のハステロイテープ(Hastelloy:登録商標)上に拡散防止層としてAl2O3層を成膜し、そのAl2O3層上に配向制御層(ベッド層)としてLaMnO3層を成膜して基材50を形成した。この基材50の表面のLaMnO3層上に、MgO形成装置60を用いてIBAD法により配向層として膜厚8nmのMgO層を形成した。すなわち、このMgO層は、基材50を冷却しつつ、MgターゲットをRFスパッタで成膜し、同時に45deg.の角度からイオンガン67を用いてイオンビームを照射して形成した。MgO層形成時における基材50の冷却は、成膜部61において、冷却機構部614を用いて、走行する基材50に対して、0m−100mまで50℃の一定の設定温度で冷却することにより行われた。そしてMgO層上に膜厚515nmのCeO2層を形成した結果、CeO2層の配向度ΔΦは、0m部分、100m部分ともに6.0deg.であった。このようなCeO2/MgO/LaMnO3/Al2O3/Hastelloyテープ上にTFA−MOD法によりYBCO層を形成した結果、製造される幅5mm、全長100mのYBCO超電導線材の超電導特性(臨界電流値)Icは、0mの部分で90A、100mの部分で95Aであった。
金属基板10としての100m長のハステロイテープ(Hastelloy:登録商標)上に拡散防止層としてAl2O3層を成膜し、そのAl2O3層上に配向制御層(ベッド層)としてLaMnO3層を成膜して基材50を形成した。この基材50の表面のLaMnO3層上に、MgO形成装置60を用いてIBAD法により配向層として膜厚8nmのMgO層を形成した。すなわち、このMgO層は、基材50を冷却しつつ、MgターゲットをRFスパッタで成膜し、同時に45deg.の角度からイオンガン67を用いてイオンビームを照射して形成した。MgO層形成時における基材50の冷却は、成膜部61において、冷却機構部614を用いて、走行する基材50に対して、0m−100mまで0℃の一定の設定温度で冷却することにより行われた。そしてMgO層上に膜厚515nmのCeO2層を形成した結果、CeO2層の配向度ΔΦは、0m部分、100m部分ともに6.2deg.であった。このようなCeO2/MgO/LaMnO3/Al2O3/Hastelloyテープ上にTFA−MOD法によりYBCO層を形成した結果、製造される幅5mm、全長100mのYBCO超電導線材の超電導特性(臨界電流値)Icは、0mの部分で80A、100mの部分で85Aであった。
10 金属基板
21 第1中間層
22 第2中間層
23 第3中間層
24 第4中間層
25 第5中間層
30 超電導層
40 安定化層
50 基材
60 MgO形成装置
61 成膜部
63 ターゲット
64 ターゲットホルダ
65 スパッタ部
66 真空チャンバ
67 イオンガン
612 基材ホルダ
614 冷却機構部
Claims (3)
- 基板上に少なくともLaMnO3層を表面に有する基材の前記表面にイオンビームアシスト法により成膜したMgO層を形成する第1工程と、
前記MgO層が形成された基材に、前記MgO層の上層として少なくともCeO 2 層及びREBaCuO超電導層(REは、Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbから選択された1種以上の元素を示す)を形成する第2工程とを有し、
前記第1工程では、前記基材の表面の前記LaMnO3層への前記MgO層の成膜時に、前記基材を5℃以上40℃以下の設定温度で冷却する、
酸化物超電導線材の製造方法。 - 前記第1の工程では、前記基材を25℃以上35℃以下の設定温度で冷却する、
請求項1記載の酸化物超電導線材の製造方法。 - 前記第2工程では、前記MgO層の直上にLaMnO3層を成膜した後で、前記CeO2層及び前記REBaCuO超電導層を順に形成する、
請求項1または2に記載の酸化物超電導線材の製造方法。
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