JP6568339B2 - 強固に固定されたバルク弾性波共振器における境界リングモード抑制 - Google Patents
強固に固定されたバルク弾性波共振器における境界リングモード抑制 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6568339B2 JP6568339B2 JP2014044851A JP2014044851A JP6568339B2 JP 6568339 B2 JP6568339 B2 JP 6568339B2 JP 2014044851 A JP2014044851 A JP 2014044851A JP 2014044851 A JP2014044851 A JP 2014044851A JP 6568339 B2 JP6568339 B2 JP 6568339B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- electrode
- boundary
- extension
- piezoelectric layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000001629 suppression Effects 0.000 title description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 37
- WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N aluminum copper Chemical compound [Al].[Cu] WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 10
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000013461 design Methods 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019687 Lamb Nutrition 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/703—Networks using bulk acoustic wave devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02118—Means for compensation or elimination of undesirable effects of lateral leakage between adjacent resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
- H03H9/131—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials consisting of a multilayered structure
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
- H03H9/132—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials characterized by a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/175—Acoustic mirrors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
- H03H9/582—Multiple crystal filters implemented with thin-film techniques
- H03H9/586—Means for mounting to a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/589—Acoustic mirrors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/703—Networks using bulk acoustic wave devices
- H03H9/706—Duplexers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Description
Claims (28)
- 強固に固定されたバルク弾性波(BAW)共振器であって、
内部領域と、外部領域と、前記内部領域と前記外部領域の間の境界領域と、
前記内部領域、前記境界領域および前記外部領域に設けられるブラッグ反射器と、
前記ブラッグ反射器の上の複数の層であって、タングステンを備える第1電極とタングステンを備えない第2電極との間の圧電層を含み、前記圧電層が前記内部領域、前記境界領域および前記外部領域に設けられ、前記第2電極が前記内部領域および前記境界領域に設けられ、前記第2電極の側端が前記境界領域と前記外部領域の境界を定義する複数の層と、
前記複数の層の上の前記境界領域の上に設けられるが前記内部領域の上に設けられない質量負荷であって、前記質量負荷の側端が前記境界領域と前記内部領域の境界を定義する質量負荷と、
前記外部領域内で前記圧電層に接触して存在し、前記第2電極の前記側端に直接接続される延長部であって、前記質量負荷の下にあり、前記第2電極とは異なる材料を備え、前記第2電極の音響インピーダンスと少なくとも同様の音響インピーダンスを有する延長部と、を備える強固に固定されたBAW共振器。 - 電気的応答が前記質量負荷に起因するバンドパス外の境界リングモードを有しない、請求項1に記載の強固に固定されたBAW共振器。
- 前記電気的応答は、横方向弾性波に起因する前記バンドパス内の擬似モードを有しない、請求項2に記載の強固に固定されたBAW共振器。
- 前記第1電極は、前記内部領域から前記境界領域を通って前記外部領域まで延在し、前記第2電極は、前記外部領域まで延在しない、請求項1に記載のBAW共振器。
- 電気的応答が前記質量負荷に起因するバンドパス外の境界リングモードを有しない、請求項4に記載の強固に固定されたBAW共振器。
- 前記電気的応答は、横方向弾性波に起因する前記バンドパス内の擬似モードを有しない、請求項5に記載の強固に固定されたBAW共振器。
- 前記第1電極は、非タングステン層と前記圧電層の間にタングステン層が存在するようタングステン層および非タングステン層を備える、請求項1に記載の強固に固定されたBAW共振器。
- 前記第1電極は、前記内部領域から前記境界領域を通って前記外部領域まで延在し、前記第2電極は、前記外部領域まで延在しない、請求項7に記載のBAW共振器。
- 電気的応答が前記質量負荷に起因するバンドパス外の境界リングモードを有しない、請求項8に記載の強固に固定されたBAW共振器。
- 前記電気的応答は、横方向弾性波に起因する前記バンドパス内の擬似モードを有しない、請求項9に記載の強固に固定されたBAW共振器。
- 前記第1電極は、前記ブラッグ反射器と前記圧電層の間に存在する、請求項1に記載の強固に固定されたBAW共振器。
- 前記延長部は、酸化シリコンおよび酸化ハフニウムで構成される群の少なくとも一つを備える、請求項1に記載の強固に固定されたBAW共振器。
- 前記第2電極は、モリブデンを備え、前記延長部は、酸化ハフニウムを備える、請求項1に記載の強固に固定されたBAW共振器。
- 前記第2電極は、アルミニウム銅を備え、前記延長部は、酸化シリコンを備える、請求項1に記載の強固に固定されたBAW共振器。
- 前記延長部の音響インピーダンスは、前記第2電極の音響インピーダンスの約70%〜約130%である、請求項1に記載の強固に固定されたBAW共振器。
- 強固に固定されたバルク弾性波(BAW)共振器であって、
内部領域と、外部領域と、前記内部領域と前記外部領域の間の境界領域と、
前記内部領域、前記境界領域および前記外部領域に設けられる圧電層と、
前記内部領域および前記境界領域に設けられ、前記圧電層の第1表面と接続される上部電極であって、前記上部電極の側端が前記境界領域と前記外部領域の境界を定義する上部電極と、
前記外部領域に設けられ、前記圧電層の前記第1表面と接続され、前記上部電極とは異なる材料を備え、前記上部電極の音響インピーダンスと少なくとも同様の音響インピーダンスを有する第1延長部と、
前記上部電極および前記第1延長部の上方において前記境界領域の上に設けられるが前記内部領域の上に設けられない質量負荷であって、前記質量負荷の側端が前記境界領域と前記内部領域の境界を定義する質量負荷と、
前記圧電層の前記第1表面に対向する第2表面と接続される下部電極と、
前記外部領域に設けられ、前記圧電層の前記第2表面と直接接続され、前記下部電極の音響インピーダンスと少なくとも同様の音響インピーダンスを有する第2延長部と、を備え、
前記第2延長部および前記下部電極の双方は、タングステン層およびアルミニウム銅層を含み、
前記上部電極は、アルミニウム銅を備え、約200nmの厚さを有し、前記タングステン層は、約70nmの厚さを有し、前記アルミニウム銅層は、約190nmの厚さを有する、強固に固定されたBAW共振器。 - 前記外部領域の反共振周波数と前記内部領域の反共振周波数との差は、約57MHzである、請求項16に記載の強固に固定されたBAW共振器。
- 前記境界領域の共振周波数と前記内部領域の共振周波数との差は、約40MHzであり、前記境界領域の幅は、約2.0μmである、請求項16に記載の強固に固定されたBAW共振器。
- 前記圧電層と接続する酸化シリコン内に設けられる複数のタングステン層を有する反射体をさらに備える、請求項16に記載の強固に固定されたBAW共振器。
- 強固に固定されたバルク弾性波(BAW)共振器であって、
内部領域と、外部領域と、前記内部領域と前記外部領域の間の境界領域と、
前記内部領域、前記境界領域および前記外部領域に設けられる圧電層と、
前記内部領域および前記境界領域に設けられ、前記圧電層の第1表面と接続される上部電極であって、前記上部電極の側端が前記境界領域と前記外部領域の境界を定義する上部電極と、
前記外部領域に設けられ、前記圧電層の前記第1表面と接続され、前記上部電極とは異なる材料を備え、前記上部電極の音響インピーダンスと少なくとも同様の音響インピーダンスを有する第1延長部と、
前記上部電極および前記第1延長部の上方において前記境界領域の上に設けられるが前記内部領域の上に設けられない質量負荷であって、前記質量負荷の側端が前記境界領域と前記内部領域の境界を定義する質量負荷と、
前記圧電層の前記第1表面に対向する第2表面と接続される下部電極と、
前記外部領域に設けられ、前記圧電層の前記第2表面と直接接続され、前記下部電極の音響インピーダンスと少なくとも同様の音響インピーダンスを有する第2延長部と、を備え、
前記第2延長部および前記下部電極の双方は、タングステン層およびアルミニウム銅層を含み、
前記上部電極は、モリブデンを備え、約215nmの厚さを有し、前記圧電層は、約1200nmの厚さを有し、前記タングステン層は、約184nmの厚さを有し、前記アルミニウム銅層は、約100nmの厚さを有する、強固に固定されたBAW共振器。 - 前記外部領域の反共振周波数と前記内部領域の反共振周波数との差は、約196MHzである、請求項20に記載の強固に固定されたBAW共振器。
- 前記境界領域の共振周波数と前記内部領域の共振周波数との差は、約40MHzであり、前記境界領域の幅は、約2.0μmである、請求項20に記載の強固に固定されたBAW共振器。
- 強固に固定されたバルク弾性波(BAW)共振器であって、
内部領域と、外部領域と、前記内部領域と前記外部領域の間の境界領域と、
前記内部領域、前記境界領域および前記外部領域に設けられる圧電層と、
前記内部領域および前記境界領域に設けられ、前記圧電層の第1表面と接続される上部電極と、
前記外部領域に設けられ、前記圧電層の前記第1表面と接続され、前記上部電極とは異なる材料を備え、前記上部電極の音響インピーダンスと少なくとも同様の音響インピーダンスを有する第1延長部と、
前記上部電極および前記第1延長部の上方において前記境界領域の上に設けられるが前記内部領域の上に設けられない質量負荷であって、前記質量負荷の側端が前記境界領域と前記内部領域の境界を定義する質量負荷と、
前記圧電層の前記第1表面に対向する第2表面と接続される下部電極と、
前記外部領域に設けられ、前記圧電層の前記第2表面と直接接続され、前記下部電極の音響インピーダンスと少なくとも同様の音響インピーダンスを有する第2延長部と、を備え、
前記第2延長部および前記下部電極の双方は、タングステン層およびアルミニウム銅層を含み、
前記上部電極は、モリブデンを備え、約200nmの厚さを有し、
前記圧電層は、約1200nmの厚さを有し、
前記タングステン層は、約170nmの厚さを有し、
前記アルミニウム銅層は、約250nmの厚さを有し、
前記外部領域の反共振周波数と内部アクティブ領域の反共振周波数との差は、約49MHzであり、
前記境界領域の共振周波数と前記内部アクティブ領域の共振周波数との差は、約130MHzであり、
前記境界領域の幅は、約0.25μmである、強固に固定されたBAW共振器。 - 無線周波数(RF)信号を送信および受信する送受信機と、
前記送受信機に接続され、前記送受信機に提供されるRF信号をフィルタするように構成されるフィルタと、
前記送受信機に接続され、前記送受信機から受信するRF信号を増幅するように構成されるパワー増幅器と、
無線でRF信号を送信および受信するためのアンテナ構造と、
前記アンテナ構造を前記フィルタおよび前記パワー増幅器に選択的に接続するためのアンテナスイッチモジュールと、を備え、
前記フィルタは、バルク弾性波(BAW)共振器を含み、当該BAW共振器は、
内部領域と、外部領域と、前記内部領域と前記外部領域の間の境界領域と、
前記内部領域、前記境界領域および前記外部領域に設けられるブラッグ反射器と、
前記ブラッグ反射器の上の複数の層であって、タングステンを備える第1電極とタングステンを備えない第2電極との間の圧電層を含み、前記圧電層が前記内部領域、前記境界領域および前記外部領域に設けられ、前記第2電極が前記内部領域および前記境界領域に設けられ、前記第2電極の側端が前記境界領域と前記外部領域の境界を定義する複数の層と、
前記複数の層の上の前記境界領域の上に設けられるが前記内部領域の上に設けられない質量負荷であって、前記質量負荷の側端が前記境界領域と前記内部領域の境界を定義する質量負荷と、
前記外部領域内で前記圧電層に接触して存在し、前記第2電極の前記側端に直接接続される延長部であって、前記質量負荷の下にあり、前記第2電極とは異なる材料を備え、前記第2電極の音響インピーダンスと少なくとも同様の音響インピーダンスを有する延長部とを有する、システム。 - 前記BAW共振器の電気的応答は、前記質量負荷に起因するバンドパス外の境界リングモードを有しない、請求項24に記載のシステム。
- 前記BAW共振器の前記電気的応答は、横方向弾性波に起因する前記バンドパス内の擬似モードを有しない、請求項25に記載のシステム。
- 前記第1電極は、非タングステン層と前記圧電層の間にタングステン層が存在するようタングステン層および非タングステン層を備える、請求項24に記載のシステム。
- 前記第1電極は、前記内部領域から前記境界領域を通って前記外部領域まで延在し、前記第2電極は、前記外部領域まで延在しない、請求項27に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/796,824 | 2013-03-12 | ||
US13/796,824 US9450565B2 (en) | 2013-03-12 | 2013-03-12 | Border ring mode suppression in solidly-mounted bulk acoustic wave resonator |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014176095A JP2014176095A (ja) | 2014-09-22 |
JP2014176095A5 JP2014176095A5 (ja) | 2017-04-13 |
JP6568339B2 true JP6568339B2 (ja) | 2019-08-28 |
Family
ID=51529263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014044851A Active JP6568339B2 (ja) | 2013-03-12 | 2014-03-07 | 強固に固定されたバルク弾性波共振器における境界リングモード抑制 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9450565B2 (ja) |
JP (1) | JP6568339B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016147688A1 (ja) * | 2015-03-16 | 2016-09-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
WO2016147986A1 (ja) * | 2015-03-16 | 2016-09-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
US9985194B1 (en) | 2015-05-13 | 2018-05-29 | Qorvo Us, Inc. | Spurious mode suppression in bulk acoustic wave resonator |
US10686425B2 (en) | 2017-06-30 | 2020-06-16 | Texas Instruments Incorporated | Bulk acoustic wave resonators having convex surfaces, and methods of forming the same |
US10615772B2 (en) | 2017-06-30 | 2020-04-07 | Texas Instruments Incorporated | Acoustic wave resonators having Fresnel surfaces |
US10622966B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-04-14 | Texas Instruments Incorporated | Bulk acoustic wave resonators having a phononic crystal acoustic mirror |
US10855251B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-12-01 | Texas Instruments Incorporated | Unreleased plane acoustic wave resonators |
US10277194B2 (en) | 2017-09-15 | 2019-04-30 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Acoustic MEMs resonator and filter with fractal electrode and method for producing the same |
US11233496B2 (en) | 2018-02-21 | 2022-01-25 | Vanguard International Semiconductor Singapore Pte. Ltd. | Acoustic resonator and filter with electrode having zig-zag edge and method for producing the same |
US11082023B2 (en) | 2018-09-24 | 2021-08-03 | Skyworks Global Pte. Ltd. | Multi-layer raised frame in bulk acoustic wave device |
JP7456734B2 (ja) * | 2019-06-17 | 2024-03-27 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ |
US11469735B2 (en) * | 2018-11-28 | 2022-10-11 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device, filter, and multiplexer |
CN111384909A (zh) * | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 天津大学 | 电极厚度不对称的体声波谐振器、滤波器和电子设备 |
US20220103152A1 (en) * | 2020-09-30 | 2022-03-31 | Skyworks Global Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator with patterned mass loading layer and recessed frame |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FI107660B (fi) | 1999-07-19 | 2001-09-14 | Nokia Mobile Phones Ltd | Resonaattorirakenne |
US6936837B2 (en) * | 2001-05-11 | 2005-08-30 | Ube Industries, Ltd. | Film bulk acoustic resonator |
EP1702407A1 (en) * | 2003-10-06 | 2006-09-20 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Resonator structure and method of producing it |
CN101278479B (zh) * | 2005-09-30 | 2011-04-13 | Nxp股份有限公司 | 薄膜体声波(baw)谐振器或相关改进 |
JP2008182543A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Ube Ind Ltd | 薄膜圧電共振器とそれを用いた薄膜圧電フィルタ |
JPWO2009013938A1 (ja) * | 2007-07-20 | 2010-09-30 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子及び圧電フィルタ装置 |
US8601655B2 (en) * | 2007-08-14 | 2013-12-10 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Process of making a bulk acoustic wave structure with an aluminum copper nitride piezoelectric layer |
US8035277B2 (en) * | 2007-08-14 | 2011-10-11 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte.Ltd. | Method for forming a multi-layer electrode underlying a piezoelectric layer and related structure |
CN101796726B (zh) * | 2007-08-24 | 2014-04-02 | 太阳诱电株式会社 | 压电薄膜谐振器、使用该压电薄膜谐振器的滤波器、使用该滤波器的双工器、以及使用该滤波器或该双工器的通信设备 |
JP5563739B2 (ja) * | 2008-02-20 | 2014-07-30 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール、および通信装置 |
CN102017405B (zh) * | 2008-04-29 | 2014-02-12 | Nxp股份有限公司 | 体声波谐振器 |
JP5246454B2 (ja) * | 2009-02-20 | 2013-07-24 | 宇部興産株式会社 | 薄膜圧電共振器およびそれを用いた薄膜圧電フィルタ |
US8198958B1 (en) * | 2009-03-30 | 2012-06-12 | Triquint Semiconductor, Inc. | Power amplifier matching RF system and method using bulk acoustics wave device |
JP2011160232A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-18 | Ube Industries Ltd | 薄膜圧電共振器およびそれを用いた薄膜圧電フィルタ |
US9401692B2 (en) * | 2012-10-29 | 2016-07-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator having collar structure |
JP2012244616A (ja) * | 2011-05-24 | 2012-12-10 | Taiyo Yuden Co Ltd | 圧電薄膜共振子、フィルタおよびモジュール |
-
2013
- 2013-03-12 US US13/796,824 patent/US9450565B2/en active Active
-
2014
- 2014-03-07 JP JP2014044851A patent/JP6568339B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9450565B2 (en) | 2016-09-20 |
US20140273881A1 (en) | 2014-09-18 |
JP2014176095A (ja) | 2014-09-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6568339B2 (ja) | 強固に固定されたバルク弾性波共振器における境界リングモード抑制 | |
US11082023B2 (en) | Multi-layer raised frame in bulk acoustic wave device | |
JP6283465B2 (ja) | 電気ドメインにおける音響共振器の温度補償 | |
US11616491B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
KR20200010104A (ko) | 통합된 소거 회로를 가진 fbar 필터 | |
US11799447B2 (en) | Acoustic wave resonator with multiple resonant frequencies | |
US10110197B2 (en) | Bulk acoustic wave resonator and filter | |
JP2014176095A5 (ja) | ||
US11677374B2 (en) | Multiplexer with floating raised frame bulk acoustic wave device | |
JP2015073271A (ja) | オーバーモード音響反射体層を用いた温度補償型バルク弾性波デバイス | |
US20220209749A1 (en) | Filter with bulk acoustic wave device having raised frame structure | |
US20230106034A1 (en) | Bulk acoustic wave devices with gap for improved performance | |
US20230109382A1 (en) | Raised frame layer in bulk acoustic wave device | |
US20220321100A1 (en) | Acoustic wave filter with overtone mode resonators | |
US11133791B2 (en) | Spurious mode suppression in bulk acoustic wave resonator | |
US20220311412A1 (en) | Bulk acoustic wave devices with tuned acoustic impedance | |
US20220311419A1 (en) | Filters with raised frame bulk acoustic wave devices | |
US20220263495A1 (en) | Acoustic wave device with overtone mode | |
US20220321095A1 (en) | Acoustic wave device having stacked piezoelectric layers between electrodes | |
US20220200571A1 (en) | Bulk acoustic wave resonator having multiple resonant frequencies | |
US20220209743A1 (en) | Acoustic wave device having multiple piezoelectric layers between electrodes | |
US20230120844A1 (en) | Laterally excited bulk acoustic wave device with thermally conductive layer | |
US20230109569A1 (en) | Bulk acoustic wave device with stacked piezoelectric layers | |
EP4282072A2 (en) | Electroacoustic filter including split resonator with detuning |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170303 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170303 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180412 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180424 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180720 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190301 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190709 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190802 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6568339 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |