JP6565307B2 - 原子セル、量子干渉装置、原子発振器、および電子機器 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 127
- 150000001340 alkali metals Chemical group 0.000 claims description 79
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 70
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 54
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 14
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 42
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 38
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 description 30
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 15
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 description 12
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 11
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 11
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000002585 base Substances 0.000 description 7
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 5
- AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M caesium chloride Chemical compound [Cl-].[Cs+] AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 4
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- AYTVLULEEPNWAX-UHFFFAOYSA-N cesium;azide Chemical compound [Cs+].[N-]=[N+]=[N-] AYTVLULEEPNWAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 3
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 2
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- 208000003569 Central serous chorioretinopathy Diseases 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229920001774 Perfluoroether Polymers 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 230000036772 blood pressure Effects 0.000 description 1
- BROHICCPQMHYFY-UHFFFAOYSA-N caesium chromate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-][Cr]([O-])(=O)=O BROHICCPQMHYFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N decyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N ethoxysilane Chemical compound CCO[SiH3] CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N hexyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OC)(OC)OC CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(F)(F)F JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Description
本発明の原子セルは、金属原子と、
1対の光透過部と、
前記金属原子を収納している内部空間を前記1対の光透過部とともに構成している胴体部と、
前記光透過部よりも熱伝導率が大きい材料を含む異種材料部と、
を備え、
前記内部空間は、液体状または固体状の前記金属原子を収納している金属溜り部を有し、
前記異種材料部は、前記内部空間の外部と前記金属溜り部との間に配置されていることを特徴とする。
本発明の原子セルでは、前記異種材料部が前記内部空間の内外のそれぞれに面していることが好ましい。
本発明の原子セルでは、前記異種材料部が前記光透過部に配置されていることが好ましい。
本発明の原子セルでは、前記内部空間は、気体状の前記金属原子を収納している気体収納部を有し、
前記気体収納部と前記金属溜り部との間には、壁部が配置されていることが好ましい。
本発明の原子セルでは、前記光透過部がガラスを含み、
前記異種材料部がシリコンを含むことが好ましい。
本発明の原子セルでは、前記異種材料部が前記胴体部に配置されていることが好ましい。
これにより、原子セルの小型化を図ることができる。
本発明の原子セルでは、前記異種材料部とその周辺部とが直接接合されていることが好ましい。
本発明の量子干渉装置は、本発明の原子セルを備えることを特徴とする。
このような量子干渉装置によれば、周波数安定度を優れたものとすることができる。
本発明の原子発振器は、本発明の原子セルを備えることを特徴とする。
このような原子発振器によれば、周波数安定度を優れたものとすることができる。
本発明の電子機器は、本発明の原子セルを備えることを特徴とする。
本発明の移動体は、本発明の原子セルを備えることを特徴とする。
まず、本発明の原子発振器(本発明の原子セルを備える原子発振器)について説明する。なお、以下では、本発明の量子干渉装置を原子発振器に適用した例を説明するが、本発明の量子干渉装置は、これに限定されず、原子発振器の他、例えば、磁気センサー、量子メモリー等にも適用可能である。
図1は、本発明の第1実施形態に係る原子発振器(量子干渉装置)を示す概略図である。また、図2は、アルカリ金属のエネルギー状態を説明するための図、図3は、光出射部から出射される2つの光の周波数差と、光検出部で検出される光の強度との関係を示すグラフである。
図1に示すように、原子発振器1では、光出射部3が原子セル2に向けて励起光LLを出射し、原子セル2を透過した励起光LLを光検出部5が検出する。
[原子セル]
原子セル2内には、ガス状のルビジウム、セシウム、ナトリウム等のアルカリ金属が封入されている。また、原子セル2内には、必要に応じて、アルゴン、ネオン等の希ガス、窒素等の不活性ガスが緩衝ガスとしてアルカリ金属ガスとともに封入されていてもよい。
光出射部3(光源)は、原子セル2中のアルカリ金属原子を励起する励起光LLを出射する機能を有する。
複数の光学部品41、42、43、44は、それぞれ、前述した光出射部3と原子セル2との間における励起光LLの光路上に設けられている。ここで、光出射部3側から原子セル2側へ、光学部品41、光学部品42、光学部品43、光学部品44の順に配置されている。
光検出部5は、原子セル2内を透過した励起光LL(共鳴光1、2)の強度を検出する機能を有する。
ヒーター6(加熱部)は、前述した原子セル2(より具体的には原子セル2中のアルカリ金属)を加熱する機能を有する。これにより、原子セル2中のアルカリ金属を適切な濃度のガス状に維持することができる。
温度センサー7は、ヒーター6または原子セル2の温度を検出するものである。そして、この温度センサー7の検出結果に基づいて、前述したヒーター6の発熱量が制御される。これにより、原子セル2内のアルカリ金属原子を所望の温度に維持することができる。
磁場発生部8は、原子セル2内のアルカリ金属の縮退した複数のエネルギー準位をゼーマン分裂させる磁場を発生させる機能を有する。これにより、ゼーマン分裂により、アルカリ金属の縮退している異なるエネルギー準位間のギャップを拡げて、分解能を向上させることができる。その結果、原子発振器1の発振周波数の精度を高めることができる。
制御部10は、光出射部3、ヒーター6および磁場発生部8をそれぞれ制御する機能を有する。
以上、原子発振器1の構成を簡単に説明した。
図4は、図1に示す原子発振器が備える原子セルの斜視図である。図5(a)は、図4に示す原子セルの縦断面図、図5(b)は、図4に示す原子セルの横断面図である。図6は、光透過部の熱伝導率に対する異種材料部の熱伝導率の比と周波数安定度との関係を示すグラフである。なお、以下では、説明の便宜上、図5(a)中の上側を「上」、下側を「下」という。
本実施形態では、光透過部22には、胴体部21の貫通孔212に対応する位置に、光透過部22の厚さ方向に貫通する貫通孔221が形成されている。これにより、胴体部21の貫通孔212と貫通孔221とが連通している。この貫通孔221は、例えば、後述するように、原子セル2の製造過程において、内部空間Sを形成した後に、内部空間Sにコーティング剤やアルカリ金属(またはアルカリ金属を生成するための化合物)を導入するのに用いることができる。
以下、前述した原子セル2の製造方法の一例を説明する。なお、以下では、胴体部21および光透過部22、23のそれぞれがガラスで構成され、異種材料部24がシリコンで構成されている場合を例に説明する。
図7および図8は、図4に示す原子セルの製造方法を説明するための図である。
まず、図7(a)に示すように、胴体部21および光透過部22、23を準備する。
次に、図7(b)に示すように、胴体部21と光透過部22、23とを接合する。これにより、内部空間Sを有する構造体が得られる。この構造体は、内部空間Sが貫通孔221を介して外部と連通している。
次に、図7(c)に示すように、貫通孔221を通じて内部空間Sにコーティング材料を送入する。これにより、コーティング膜25を形成する。
次に、図8(a)に示すように、貫通孔212内に金属化合物Pを配置する。また、このとき、図示しないが、貫通孔221内に、必要に応じて、ゲッター材や、金属化合物Pの分解反応に必要な還元剤を配置する。
次に、図8(b)に示すように、異種材料部24を貫通孔221内に載置し、異種材料部24と光透過部22とを陽極接合法により接合する。これにより、貫通孔221が異種材料部24により気密的に塞がれ、気密空間である内部空間Sが形成される。
次に、図8(c)に示すように、レーザー(エネルギー線)を金属化合物Pに照射する。これにより、金属化合物Pを分解反応させることにより、アルカリ金属単体を取り出す。
本工程では、2CsCl+Ca→2Cs↑+CaCl2の反応が生じる。このように、カルシウムを還元剤として塩化セシウムを還元させることによりセシウムを単体として取り出すことができる。そのため、原子セル2内にセシウム原子を封入することができる。
本工程では、2CsN3→2Cs+3N2の反応が生じる。このように、アジ化セシウムを還元させることによりセシウムを単体として取り出すことができる。そのため、原子セル2内にセシウム原子を封入することができる。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。
図10は、本発明の第3実施形態に係る原子セルを示す縦断面図である。
次に、本発明の第4実施形態について説明する。
以上説明したような原子発振器は、各種電子機器に組み込むことができる。このような電子機器は、優れた信頼性を有する。
図12は、GPS衛星を利用した測位システムに本発明の原子発振器を用いた場合の概略構成を示す図である。
基地局装置300は、例えば電子基準点(GPS連続観測局)に設置されたアンテナ301を介してGPS衛星200からの測位情報を高精度に受信する受信装置302と、この受信装置302で受信した測位情報をアンテナ303を介して送信する送信装置304とを備える。
図13は、本発明の移動体の一例を示す図である。
このような移動体によれば、優れた信頼性を発揮することができる。
2‥‥原子セル
2A‥‥原子セル
2B‥‥原子セル
2C‥‥原子セル
3‥‥光出射部
5‥‥光検出部
6‥‥ヒーター
7‥‥温度センサー
8‥‥磁場発生部
10‥‥制御部
11‥‥温度制御部
12‥‥励起光制御部
13‥‥磁場制御部
21‥‥胴体部
21A‥‥胴体部
21C‥‥胴体部
22‥‥光透過部
22C‥‥光透過部
23‥‥光透過部
23A‥‥光透過部
23C‥‥光透過部
24‥‥異種材料部
24C‥‥異種材料部
25‥‥コーティング膜
26‥‥異種材料部
41‥‥光学部品
42‥‥光学部品
43‥‥光学部品
44‥‥光学部品
100‥‥測位システム
200‥‥GPS衛星
210‥‥隔壁部
211‥‥貫通孔
211C‥‥貫通溝
212‥‥貫通孔
213‥‥溝
214‥‥貫通孔
215‥‥溝
216‥‥開口部
221‥‥貫通孔
222‥‥側面
231‥‥貫通孔
232‥‥側面
300‥‥基地局装置
301‥‥アンテナ
302‥‥受信装置
303‥‥アンテナ
304‥‥送信装置
400‥‥GPS受信装置
401‥‥アンテナ
402‥‥衛星受信部
403‥‥アンテナ
404‥‥基地局受信部
1500‥‥移動体
1501‥‥車体
1502‥‥車輪
2161‥‥段差部
2211‥‥段差部
M‥‥アルカリ金属
S‥‥内部空間
LL‥‥励起光
P‥‥金属化合物
Claims (8)
- 気体のアルカリ金属原子を収容している第1貫通孔、及び液体又は固体のアルカリ金属原子を収容している第2貫通孔を有する胴体部と、
前記胴体部と接合し、平面視で前記第2貫通孔と重なる位置に第3貫通孔を有する光透過部と、
前記光透過部よりも熱伝導率が大きい材料を含み、前記第3貫通孔に配置されている異種材料部と、を備える、原子セル。 - 前記光透過部は、前記胴体部及び前記異種材料部に接合されている段差部を有している請求項1に記載の原子セル。
- 前記第1貫通孔と前記第2貫通孔との間には、壁部が配置されている請求項1または2に記載の原子セル。
- 前記光透過部がガラスを含み、
前記異種材料部がシリコンを含む請求項1ないし3のいずれか1項に記載の原子セル。 - 前記異種材料部と前記光透過部とが直接接合されている請求項1ないし4のいずれか1項に記載の原子セル。
- 請求項1ないし5のいずれか1項に記載の原子セルを備える、量子干渉装置。
- 請求項1ないし5のいずれか1項に記載の原子セルを備える、原子発振器。
- 請求項1ないし5のいずれか1項に記載の原子セルを備える、電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015093913A JP6565307B2 (ja) | 2015-05-01 | 2015-05-01 | 原子セル、量子干渉装置、原子発振器、および電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015093913A JP6565307B2 (ja) | 2015-05-01 | 2015-05-01 | 原子セル、量子干渉装置、原子発振器、および電子機器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016213285A JP2016213285A (ja) | 2016-12-15 |
JP2016213285A5 JP2016213285A5 (ja) | 2018-05-31 |
JP6565307B2 true JP6565307B2 (ja) | 2019-08-28 |
Family
ID=57549927
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015093913A Active JP6565307B2 (ja) | 2015-05-01 | 2015-05-01 | 原子セル、量子干渉装置、原子発振器、および電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6565307B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107128871B (zh) * | 2017-05-10 | 2019-04-05 | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 | 一种基于mems原子芯片的物理封装件及其封装方法 |
JP2019193238A (ja) * | 2018-04-27 | 2019-10-31 | セイコーエプソン株式会社 | 原子発振器および周波数信号生成システム |
JP7188965B2 (ja) * | 2018-10-05 | 2022-12-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光励起磁気センサ用セルモジュール |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8258884B2 (en) * | 2009-12-22 | 2012-09-04 | Teledyne Scientific & Imaging, Llc | System for charging a vapor cell |
JP6171748B2 (ja) * | 2013-09-05 | 2017-08-02 | セイコーエプソン株式会社 | 原子セル、量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 |
JP6217261B2 (ja) * | 2013-09-09 | 2017-10-25 | セイコーエプソン株式会社 | 原子セルの製造方法 |
JP6291768B2 (ja) * | 2013-09-26 | 2018-03-14 | セイコーエプソン株式会社 | 原子共鳴遷移装置、原子発振器、電子機器および移動体 |
-
2015
- 2015-05-01 JP JP2015093913A patent/JP6565307B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016213285A (ja) | 2016-12-15 |
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