JP6560972B2 - 多帯域での高周波（ｒｆ）エネルギーハーベスティングを行うための整流回路 - Google Patents

Description

本発明は、多帯域での高周波（ＲＦ）エネルギーハーベスティングに関し、より詳細には、ＲＦエネルギーハーベスティング装置に関する整流回路、および、そのような整流回路を用いるＲＦエネルギーハーベスティングシステムに関する。

レクテナ（整流アンテナ）とは、電波エネルギーを直流電気に変換するために用いられる特別なタイプのアンテナである。レクテナは、電力を電波で送信する無線電力伝送システム内で使用される。典型的なレクテナ素子は、ダイポールアンテナと、そのダイポール素子の両端に接続されるダイオードで構成される。アンテナ内で電波から誘導される交流電流（ＡＣ）をダイオードが整流して、直流（ＤＣ）電源を作り、この電源を用いて、ダイオードの両端に接続される負荷に電力を供給する。ショットキーダイオードは、電圧降下が最も低く、スイッチング速度が最も速いという特性を有し、そのため、伝導とスイッチングによる電力損失が最も低いことから、レクテナには、通常、このショットキーダイオードが用いられている。大型のレクテナは、このような数多くのダイポール素子のアレイで構成される。

効率的にＲＦエネルギーを取り込むレクテナを開発することに対するモチベーションは、非常に大きい。情報を送るための高周波（ＲＦ）信号の使用が増えることで、ＲＦエネルギーが広く普及するようになってきた。さらに、送られてきたＲＦ信号が使用されないと、そのＲＦ信号のエネルギーは周囲物質に吸収されて失われてしまうため、ＲＦ信号の未使用分（すなわち、受信機が受信・変換しなかったＲＦ信号）は基本的に「無駄」になる。したがって、遠隔装置／携帯用装置のための電源を供給する以外に、未使用の周囲ＲＦエネルギーを効率的に再変換することができる、好適なレクテナがあれば、バッテリやその他のリモート電源に取って代わり、エネルギーの需要全体を減らすことが可能となる。

従来のレクテナは、ＲＦエネルギーをＤＣ電力に変換することができるが、周囲ＲＦエネルギーの大部分を取り込むことはできない。アンテナ（一般に、標準の５０オームまたは７５オームのアンテナ）のインピーダンスを、整流回路（一般に、抵抗の他に、強いインダクタンス／リアクタンスを有する整流回路）の入力インピーダンスと一致させるために、従来の整流回路は、個別にＲＦマッチングステージを有する。したがって、従来のＲＦレクテナで可能なことは、ＲＦの高い出力密度のレベル（一般に、１Ｗ／ｍ^２より高い）のもとで、使用可能なＤＣ電圧を生成することだけである。したがって、従来のＲＦレクテナは、無線電力伝送システム内で使用されている。というのも、この無線電力伝送システムでは、専用の高出力トランスミッタによって十分に高いＲＦエネルギーが生成されているからである。通常、周囲ＲＦエネルギーは非常に弱く（ｍＷからμＷまで）、したがって、エネルギーハーベスティングを行うための従来のＲＦレクテナの使用は、周囲の供給源の電力レベルが低いため、不十分であることが証明されている。また、従来のレクテナは、単一の周波数帯用（すなわち、狭い帯域のＲＦ信号を取り込む）であり、大型であるため適用性がない。

本発明の目的は、周囲ＲＦエネルギーを取り込み可能なＲＦエネルギーハーベスティング装置（レクテナ）を提供することである。具体的には、本発明の目的は、ＲＦレクテナを用いて、多帯域の低いエネルギーレベル（すなわち、数十Ｗ以下）を有するＲＦ信号エネルギーを取り込むことができ、かつ、高い変換効率を有する整流回路を提供することである。

本発明は、高周波（ＲＦ）エネルギーハーベスティング装置（レクテナ）に関し、この高周波（ＲＦ）エネルギーハーベスティング装置（レクテナ）は、ＲＦ周波数で共振するよう構成されるアンテナ構造体と、異なる順電圧値および異なるピーク逆電圧値を有する２つのダイオードを用いることにより、多帯域の低いエネルギーレベル（すなわち、数十ｍＷ以下）を有するＲＦ信号を取り込み易くし、取り込まれるＲＦ信号を使用可能な電圧レベルまで上昇させる整流回路と、を含む。第１のダイオードは、第１のアンテナ端点に連結され、非常に低い順電圧（例えば、１２０ｍＶ以下）、１．０Ｖ以下のピーク逆電圧、および５ｋオームの逆電流抵抗を有する（第１の）ゼロバイアスショットキーダイオードを用いて実装される。第２のダイオードは、キャパシタを介して第２のアンテナ端点に連結され、１５０ｍＶ以下の順電圧（すなわち、第１のゼロバイアスショットキーダイオードの順電圧以上）、少なくとも２．０Ｖのピーク逆電圧（すなわち、第１のゼロバイアスショットキーダイオードの逆電圧より高い）、および少なくとも１０ｋオームの逆電流抵抗（すなわち、第１のゼロバイアスショットキーダイオードの逆電流抵抗より高い）を有する（第２の）ゼロバイアスショットキーダイオードを用いて実装される。第１のアンテナ端点で生成される（第１の）ＲＦ信号から発生する正電圧パルスは、第１のダイオードにより、第１の内部ノードに送られ、そこで、第２のアンテナ端点で生成される第２のＲＦ信号（すなわち、第１のキャパシタを介して送られた後の第２のＲＦ信号）と合計され、これにより、第１のＲＦ信号と第２のＲＦ信号のどちらの電圧レベルよりも十分に高い電圧レベルを有する第１の中間電圧が生成される。次いで、第１の中間電圧から発生する正電圧パルスは、第２のダイオードを介して、第２の内部ノードに送られ、そこで、これらのパルスを集約／変換して、使用可能な直流（ＤＣ）の出力電圧を生成することができる（例えば、好適な出力制御回路を介して）。非常に低い順電圧の第１のダイオードを上記の構成に実装することにより、本発明は、非常に低いエネルギーを有する周囲ＲＦ信号（すなわち、−４０ｄＢほどの）を非常に高い電圧レベルを有するパルスに変換し易くする。次いで、より高い順電圧／より高い逆電圧の第２のダイオードを介して、これらのパルスを送ることにより、本発明では、使用可能な電圧レベルを有するＤＣ出力電圧を生成し易くする。

本発明の実際の実施形態に従うと、両方のアンテナ、および整流回路の少なくとも一部は、誘電材料、および／または導電材料（例えば、金属）を含み、この導電材料が、基板の表面特徴と一致し、それにより、製造コストを最小限に抑えるよう、これらの誘電材料、および／または導電材料は、従来のＰＣＢ、インクジェット印刷、またはその他の製造技術を用いて、基板上（例えば、プリント回路基板（ＰＣＢ）または可撓性プラスチック基板）にプリントされる、あるいは、共形的に配置される。ある特定の実施形態では、上記の所望のダイオード特性を効率的かつ確実に生成するために、第１のダイオードと第２のダイオードは、ディスクリート（例えば、表面実装可能にパッケージ化された）のゼロバイアス電圧のショットキーダイオードを用いて実装される。別の潜在的な実施形態では、これらのダイオードは、プリント回路の構成要素製造技術、またはその他の製造技術を用いて生成可能である。いくつかの実施形態では、この整流回路は、随意的なインダクタ（すなわち、ディスクリート素子またはプリント回路のインダクタ構造体のどちらか）をさらに含み、これらのインダクタは第１のアンテナ端点および第２のアンテナ端点にそれぞれ連結される。例示的な実施形態では、周囲ＲＦ信号の効率的な取り込みを容易にするよう、これらのインダクタは約５０ｎＨのインダクタンス（対象ＲＦ周波数とダイオード特性の両方によって変動する）を有する。

上述の通り、この整流回路は出力制御回路を含み、この出力制御回路は、第２のノードに連結され、第２の中間電圧を直流（ＤＣ）出力電圧に変換するよう構成される（すなわち、第２のダイオードを介して送られるパルスエネルギーを蓄積することにより）。要求される変換を容易にするために、この出力制御回路は、第２のノードと第１のアンテナ端点との間に連結される（第２の）キャパシタを含み、特定の実施形態では、この第２のキャパシタは、第１のキャパシタと同じ容量値を有する。生成されるＤＣ電圧が負荷（例えば、検知／通信／処理）回路に直接印加される実施形態では、出力制御回路は、電圧が印加される負荷に依存する容量値および抵抗値を有するＲＣ終端回路を含む。調整システム電圧に変換するため（例えば、１つ以上の付加的なＲＦハーベスティング装置の出力電圧と、出力電圧を組み合わせることにより）生成されるＤＣ電圧を蓄積する実際の別の実施形態では、出力制御回路が、第２のノードと出力（第３の）ノードとの間に接続される第３のダイオード（例えば、第２のダイオードと同一の）を含み、この第３のダイオードを介して送られる電荷を蓄積するために、蓄積キャパシタが出力ノードに接続される。

従来の整流回路の設計よりもはるかに簡単な全波整流ステージを設ける以外に、本発明では、可能であれば、アンテナの実効インダクタンスの利点を生かして製造コストの削減を容易にする。モノポールアンテナを用いる実施形態では、取り込まれるＲＦ信号を整流回路に適切に送信し易くするために、２つのディスクリート・インダクタが必要となる。この実施形態では、第１のアンテナ端点に連結される第１のインダクタと、第２のアンテナ端点に連結される第２のインダクタは、同じ（共通の）インダクタンス値を有し、アンテナと整流回路との間でバランスのとれた回路を形成する。しかし、ダイポールアンテナを用いるいくつかの実施形態では、調整可能な特定のタイプのアンテナを用いることにより、２つのアンテナ部の実効インダクタンスをレクテナ回路に組み込んで、高い誘導リアクタンスと併せてより高い放射抵抗が提供される。もちろん、その他の随意的な実施形態では、必要なときに、ディスクリートのインダクタを用いて、ダイポールアンテナの２つのアンテナ部の実効インダクタンスを向上させることが可能である。

本発明の他の実施形態に従うと、ＲＦエネルギーハーベスティングシステムは、それぞれが上記の通り構成される、複数のＲＦエネルギーハーベスティング装置を含み、これらのＲＦエネルギーハーベスティング装置が互いに連結され（すなわち、直列または並列に）、組み合わされたシステムの出力電圧を生成する。各ＲＦエネルギーハーベスティング装置は、組み合わされたシステムの出力電圧を容易に生成するために、上記の通りに、第３のダイオードおよび蓄積キャパシタで構成される出力制御回路を含む。直列接続の構成では、少なくとも１つのＲＦエネルギーハーベスティング装置の第１のアンテナ端点が、隣接するＲＦエネルギーハーベスティング装置の出力ノードに接続するよう複数のＲＦエネルギーハーベスティング装置が接続され、これにより、システムの出力電圧の電圧レベルが最大になる。並列接続の構成では、全てのＲＦエネルギーハーベスティング装置の出力ノードが、共通のシステム出力ノードに接続され、これにより、システムの出力電圧の電流レベルが最大になる。

別の実施形態では、所与のシステムのＲＦエネルギーハーベスティング装置は、同じサイズのアンテナ、または異なるサイズのアンテナのどちらかを備えて、所与のＲＦ周波数帯域でのＲＦエネルギーハーベスティングを最大にする、あるいは、潜在的なＲＦ周波数の広い範囲に渡ってＲＦエネルギーハーベスティングを容易にする。特定の実施形態では、複数のＲＦエネルギーハーベスティング装置の全てのアンテナが同じサイズを有し、全てのＲＦエネルギーハーベスティング装置が、同じＲＦ周波数を有するＲＦ信号から発生するＲＦエネルギーを集めるよう構成される。対象のＲＦ周波数範囲内に十分なＲＦエネルギーが存在することが知られている環境内にこのシステムが配置されるとき、例えば、この同じアンテナサイズの構成を用いて、システム電圧の出力を最大にすることができる。別の特定の実施形態では、各ＲＦエネルギーハーベスティング装置が、異なるＲＦ周波数範囲を有するＲＦ信号からのＲＦエネルギーを集めるよう、複数のＲＦエネルギーハーベスティング装置の全てのアンテナは、異なるサイズ／構成を有する。この異なるアンテナサイズの構成により、システムの出力電圧を確実に生成するための柔軟性が提供される。

現在のところ好ましい実施形態に従うと、可撓性基板上でＰＣＢ技術またはインクジェット印刷技術を用いて、本発明のＲＦエネルギーハーベスティング装置を製造して、低コストで、非常に適応性のあるプラットフォームを提供し、このプラットフォームにより、既存のＲＦ信号（例えば、周囲のＷｉ−Ｆｉ信号からのＲＦ信号）、または専用の充電用ＲＦ供給源のどちらかを用いて、遠隔センサまたはその他の装置への電力供給が容易になる。例示的な実施形態では、アンテナは、１つ以上の等角で細長いアンテナ構造体（すなわち、分配された導電材料が可撓性基板の表面特徴と一致するように、スクリーンプリント、転写プリント、押し出し成形、およびインクジェット印刷などの様々なプリント処理のうちの１つを用いて、銀のインク、銀メッキされたナノ粒子、またはその他の導電媒体などの導電材料を分配することにより作成される構造体）を有し、この１つ以上の等角で細長いアンテナ構造体は、対象のＲＦ周波数で共振するよう構成される。整流回路は、導電「トレース」（すなわち、配線または電流経路）を含み、これらの導電トレースは、アンテナが作成されるときに用いられる材料と同じ導電材料を分配することにより、あるいは、異なる導電材料を分配することにより、少なくとも部分的に形成される。さらに、この整流回路は、プリンテッドエレクトロニクス技術を用いて作成される１つ以上の回路素子（例えば、キャパシタおよび抵抗）、または、プリントされた「トレース」に表面実装される随意的なディスクリート素子を含む。

本発明のこれらの特徴、およびその他の特徴、様態ならびに利点は、以下の説明、付随する請求項、および添付図面を参照することで、より良く理解することが可能である。以下、添付図面について説明する。

図１は、本発明の実施形態に従った、ＲＦエネルギーハーベスティング装置を示す回路図である。 図２Ａは、図１の装置の特定の位置で生成される信号を示す図である。 図２Ｂは、図１の装置の特定の位置で生成される信号を示す図である。 図２Ｃは、図１の装置の特定の位置で生成される信号を示す図である。 図２Ｄは、図１の装置の特定の位置で生成される信号を示す図である。 図２Ｅは、図１の装置の特定の位置で生成される信号を示す図である。 図２Ｆは、図１の装置の特定の位置で生成される信号を示す図である。 図３は、本発明の別の実施形態に従った、負荷に出力電圧が直接印加される、ＲＦエネルギーハーベスティング装置を示す回路図である。 図４は、本発明の別の実施形態に従った、他の装置の出力電圧と組み合わせるため出力電圧が蓄積される、ＲＦエネルギーハーベスティング装置を示す回路図である。 図５は、別の実施形態に従った、モノポールアンテナおよびディスクリート・インダクタ素子を含むＲＦエネルギーハーベスティング装置を示す回路図である。 図６Ａは、別の実施形態に従った、ダイポールアンテナおよびゼロのディスクリート・インダクタ素子を含むＲＦエネルギーハーベスティング装置を示す回路図である。 図６Ｂは、別の実施形態に従った、ダイポールアンテナおよび２つのディスクリート・インダクタ素子を含むＲＦエネルギーハーベスティング装置を示す回路図である。 図７は、直列接続された複数の装置を含むＲＦエネルギーハーベスティングシステムを示す回路図である。 図８は、並列接続された同じサイズのアンテナを有する複数の装置を含むＲＦエネルギーハーベスティングシステムを示す回路図である。 図９は、並列接続された異なるサイズのアンテナを有する複数の装置を含むＲＦエネルギーハーベスティングシステムを示す回路図である。 図１０は、可撓性基板上に分配された導電材料により形成されたＲＦエネルギーハーベスティング装置を示す概略斜視図である。

本発明は、ＲＦエネルギーハーベスティングの改良に関する。以下の説明は、当業者が、特定の用途およびその要求事項との関連で、提供された本発明を実行し、かつ使用できるよう行われる。本明細書で使用されている用語「連結される」および「接続される」は以下の通り定義される。用語「接続される」は、例えば、通常の集積回路製造技術によって形成される金属線を介した、２つの回路素子間の直接接続を表すために使用される。一方、用語「連結される」は、２つの回路素子間の直接接続または間接接続のどちらかを表すために用いられる。例えば、連結された２つの素子は、金属線を介して直接接続されている、あるいは、仲介回路素子を介して（例えば、キャパシタ、抵抗、インダクタ、あるいはトランジスタのソース端子／ドレイン端子を介して）間接的に接続されている。好ましい実施形態に対する種々の修正形態は、当業者にとっては明らかであり、本明細書で規定されている一般的な原理は、その他の実施形態にも適用可能である。したがって、本発明は、図示・説明した特定の実施形態に限定されるものではなく、本明細書で開示される原理および新規な特徴の最も広い範囲と一致するものと意図される。

図１には、一般化した本発明の高周波（ＲＦ）エネルギーハーベスティング装置（別名、「レクテナ」）１００が示されている。通常、ＲＦエネルギーハーベスティング装置１００は、アンテナ１２０、および１枚の基板１０１上に配置される整流回路１３０を含む。

図１の右側を参照すると、アンテナ１２０が示されており、このアンテナは、第１のアンテナ端点１２１、第２のアンテナ端点１２２、および、少なくとも１つの細長い導電構造体１２３を含み、この導電構造体１２３が、アンテナ端点１２１およびアンテナ端点１２２に接続し、関連する帯域幅の範囲内のＲＦ周波数で共振するよう構成されている。さらに、図２Ａおよび図２Ｂの信号図に示されている通り、アンテナ端点１２１で第１のＲＦ信号Ｖ_１２１を生成し、アンテナ端点１２２で第２のＲＦ信号Ｖ_１２２を生成するようアンテナ１２０は構成され、ＲＦ信号Ｖ_１２２とＲＦ信号Ｖ_１２１とは位相が１８０°ずれている。アンテナ１２０は、ブロックと単一の導電構造体１２３を用いて、一般化した形態で図１に示されており、アンテナ１２０が、以下に議論される構成を含む、いくつかの潜在的な構成のうちのどれかを用いて実装可能であることがこの形態で意図される。

整流回路１３０は、アンテナ端点１２１と第１のノードＮ１との間に接続される（第１の）ダイオードＤ１と、アンテナ端点１２２と第１のノードＮ１との間に接続される（第１の）キャパシタＣ１と、第１のノードＮ１と第２のノードＮ２との間に接続される（第２の）ダイオードＤ２と、ノードＮ２と装置１００の出力端子との間に接続される出力制御回路１３５と、を含む。本発明の様態に従うと、ダイオードＤ１およびダイオードＤ２は、低いエネルギーレベル（すなわち、数十ｍＷ以下）を有する多帯域のＲＦ信号を取り込み易くするために、異なる順電圧値と異なるピーク逆電圧値を有する。例示的な実施形態では、ダイオードＤ１は、（第１の）ゼロバイアスショットキーダイオードを用いて実装され、このショットキーダイオードは、非常に低い順電圧（例えば、１２０ｍＶ以下）、１．０Ｖ以下のピーク逆電圧、および５ｋΩの逆電流抵抗を有する。ダイオードＤ２は、（第２の）ゼロバイアスショットキーダイオードを用いて実装され、このショットキーダイオードは、１５０ｍＶ以下の順電圧（すなわち、ダイオードＤ１の順電圧以上の順電圧）、少なくとも２．０Ｖのピーク逆電圧（すなわち、ダイオードＤ１のピーク逆電圧より高いピーク逆電圧）、および少なくとも１０ｋΩの逆電流抵抗（すなわち、ダイオードＤ１の逆電流抵抗より高い逆電流抵抗）を有する。キャパシタＣ１は、ディスクリート（例えば、表面実装型）のキャパシタ構造体、または製造されたキャパシタ構造体（例えば、プリンテッドエレクトロニクスを用いて）のどちらかであり、ＤＣ出力電圧Ｖ_ＯＵＴの特性（電流および電圧）によって決定される値を有し、実際の実施形態では、１０ｐＦの電気容量値を有する。

図２Ａ〜図２Ｆには、動作中にＲＦエネルギーハーベスティング装置１００が生成する信号の信号図（電圧−時間）が示されている。図１の左側には、任意の周囲ＲＦ信号（ＲＦ）が示されている。図２Ａおよび図２Ｂに示されている通り、アンテナ１２０が周囲信号ＲＦの周波数と同じ周波数で共振するよう構成されている場合、アンテナ１２０は、信号ＲＦのエネルギーの一部を効率的に「取り込み」、ＲＦ信号Ｖ_１２１およびＲＦ信号Ｖ_１２２がアンテナ端点１２１とアンテナ端点１２２でそれぞれ生成され、これらのＲＦ信号に例示的な電圧値がもたらされる。図２Ｃに示されている通り、ダイオードＤ１がゼロバイアス電圧のダイオード構造体を用いて実装されているため、第１のアンテナ端点１２１で生成される（第１の）ＲＦ信号Ｖ_１２１から発生する正電圧パルスＶ_Ｄ１は、ダイオードＤ１により、内部のノードＮ１に送られ、そこで、キャパシタＣ１に蓄積され、より高い公称電圧レベル（ＲＦ信号Ｖ_１２１とＲＦ信号Ｖ_１２２の公称電圧レベルの約２倍）にＲＦ信号Ｖ_１２２を「上昇」させ（すなわち、キャパシタＣ１を介して送られた後）、これにより、ノードＮ１で十分に高い電圧レベルを有する第１の中間電圧Ｖ_Ｎ１が生成される。次いで、図２Ｅに示されている通り、第１の中間電圧Ｖ_Ｎ１から発生する正電圧パルスＶ_Ｄ２は、ダイオードＤ２を介して、ノードＮ２に送られ、そこで、これらのパルスを集約／変換して、直流（ＤＣ）の出力電圧Ｖ_ＯＵＴを生成することができる（例えば、好適な出力制御回路１３５を介して）。上記の特性を有するゼロバイアス電圧のダイオードを用いて、ダイオードＤ１とダイオードＤ２を実装することで、図２Ａ〜図２Ｆに示されているように、本発明では、非常に低いエネルギーの周囲ＲＦ信号（すなわち、−４０ｄＢほどの）から使用可能な電圧レベルを有するＤＣ出力電圧への変換が容易になる。

再度図１を参照すると、本発明の一実施形態により、アンテナ１２０および整流回路１３０の少なくとも一部は両方とも、基板１０１上にプリントされる、あるいは、共形的に配置される誘電材料、および／または、導電材料（例えば、金属）を含む。別の実施形態では、基板１０１はプリント回路基板（ＰＣＢ）または可撓性プラスチック基板のどちらかを用いて実装され、導電材料が基板１０１の表面特徴と一致し、これにより、製造コストを最小限に抑えるよう、アンテナ１２０および整流回路１３０は、従来のＰＣＢ、インクジェット印刷、またはその他の製造技術を用いて製造される。

ある特定の実施形態では、上記のような所望のダイオード特性を効率的かつ確実に生成するために、ダイオードＤ１およびダイオードＤ２は、ディスクリート（例えば、表面実装可能なパッケージ内に配置された）のゼロバイアス電圧のショットキーダイオードを用いて実装される。例えば、例示的な実際の実施形態では、ダイオードＤ１は、アメリカ合衆国マサチューセッツ州ウーバン所在のスカイワークス・ソリューションズ社製のＳＭＳ７６３０ショットキーダイオードを用いて実装され、ダイオードＤ２は、アメリカ合衆国カリフォルニア州サンタクララ所在のアジレント・テクノロジー社製のＨＳＭＳ２８５０表面実装型ゼロバイアス・ショットキ・ディテクタ・ダイオードを用いて実装される。別の潜在的な実施形態では、ダイオードＤ１およびダイオードＤ２は、プリント回路の構成要素製造技術を用いて生成可能である。つまり、従来のプリント回路の製造技術を用いて製造されるダイオードは、１５ＭＨｚ未満の周波数に限定され、現在のプリント回路の製造技術を用いて、所望の特性を有するダイオードを製造することはできない。しかし、将来的には、プリンテッドエレクトロニクス製造技術が進歩することにより、上記の表面実装型ゼロバイアス電圧のダイオードに取って代わるような、好適な特性を有するプリントダイオードの製造が容易になることが予測される。好適なダイオード構造体を低コストで製造することが容易になる、その他の製造技術を開発することも可能である。

後程さらに詳細に説明するが、いくつかの実施形態では、整流回路１３０が、取り込まれるＲＦ信号Ｖ_１２１およびＶ_１２２の特性を向上させるインダクタを含むことができる。図１には、随意的なインダクタＬ１およびＬ２が、点線の記号により示されており、インダクタＬ１はアンテナ端点１２１とダイオードＤ１との間に接続され、インダクタＬ２はアンテナ端点１２２とキャパシタＣ１との間に接続されている。随意的なインダクタＬ１およびＬ２は、ディスクリート（例えば、表面実装型）の素子を用いて実装される、あるいは、既知のプリンテッドエレクトロニクス技術を用いて製造される。例示的な実施形態では、これらのインダクタは、周囲ＲＦ信号を効率的に取り込むために、約５０ｎＨ（対象のＲＦ周波数とダイオード特性の両方によって変動し得る）のインダクタンスを有する。

図３および図４には、その他の２つの特定の実施形態に従った、２つのＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ａおよび１００Ｂの概略回路図がそれぞれ示されており、ＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ａは、負荷にＤＣ出力電圧Ｖ_ＯＵＴを直接印加するよう構成され（図３に示される通り）、ＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｂは、共有するシステム出力ノードにＤＣ出力電圧（図４にＶ_{ＯＵＴ−ＳＹＳ}として示される）を印加するよう構成されている。ＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ａおよび１００Ｂは両方とも、アンテナおよび同様の整流回路１３０Ａおよび整流回路１３０Ｂを含む（すなわち、整流回路１３０Ａと整流回路１３０Ｂはそれぞれ、第１のアンテナ端点１２１とノードＮ１との間に接続されるダイオードＤ１と、第２のアンテナ端点１２２とノードＮ１との間に接続されるキャパシタＣ１と、ノードＮ１とノードＮ２との間に接続されるダイオードＤ２と、を含む）。それに加えて、整流回路１３０Ａおよび整流回路１３０Ｂは、第２のノードＮ２に接続する出力制御回路１３５Ａおよび出力制御回路１３５Ｂをそれぞれ含み、出力制御回路１３５Ａおよび出力制御回路１３５Ｂがそれぞれ、ノードＮ２で生成される中間電圧Ｖ_Ｎ２を、関連するＤＣ出力電圧Ｖ_ＯＵＴに変換するよう構成されているという点において同様である。出力制御回路１３５Ａおよび出力制御回路１３５Ｂは、基本的にキャパシタＣ１と同じ電気容量を有する（第２の）キャパシタＣ２をそれぞれが含む（すなわち、キャパシタＣ１およびキャパシタＣ２は両方とも、例えば、１０ｐＦの同じ容量値を有する）という点においても同様である。しかし、後程詳細に説明するが、ＲＦエネルギーハーベスティング装置１００ＡとＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｂは次の点で互いに異なる。ＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ａでは、出力制御回路１３５Ａ（図３）が、キャパシタＣ３および抵抗Ｒ１で形成される終端回路を備えて、ＤＣ出力電圧Ｖ_ＯＵＴを負荷回路ＬＯＡＤに直接印加し易くし、一方、ＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｂでは、出力制御回路１３５Ｂ（図４）が、第３のダイオードＤ３と蓄積キャパシタＣ４を備えて、その他のＲＦエネルギーハーベスティング装置により生成されるＤＣ出力電圧と組み合わせるために、ＤＣ出力電圧Ｖ_ＯＵＴを蓄積する（例えば、図７、図８、および図９を参照して以下に記載される）。

図３を参照すると、出力制御回路１３５Ａは、ノードＮ２と第１のアンテナ端点１２１との間（すなわち、ノードＮ２と印加接地電位との間）に接続されるキャパシタＣ２を含み、ＲＣ終端回路は互いに直列接続されるキャパシタＣ３および抵抗Ｒ１を含み、ＲＣ終端回路とキャパシタＣ２は並列接続されている。このＲＣ終端回路は、ＤＣ出力電圧Ｖ_ＯＵＴの特性（電流および電圧）、および負荷回路ＬＯＡＤのサイズに従って、そのサイズが決められている回路素子を用いて実装される。実際の例示的な実施形態では、上述のダイオード素子の数値とキャパシタ素子の数値を用い、かつ、負荷回路ＬＯＡＤが３６ＫΩの印加負荷抵抗を有すると想定することにより、０．２９ｐＦの電気容量を有するキャパシタ構造体を用いて、キャパシタＣ３を実装することができ、１５０Ωの値を有する抵抗を用いて、抵抗Ｒ１を実装することができる。

図４を参照すると、出力制御回路１３５Ｂは、ノードＮ２とノードＮ３との間に接続されるダイオードＤ３（整流回路１３０Ｂの出力ノードとして機能する）と、ノードＮ３に接続される蓄積キャパシタＣ４の第１の端子と、蓄積キャパシタＣ４の第２の端子と第１のアンテナ端点１２１（例えば、印加接地電位への）との間に接続される抵抗Ｒ２と、を含む。実際の実施形態では、ダイオードＤ３は、ダイオードＤ２を実装するために用いられるダイオード素子と同じダイオード素子（例えば、アメリカ合衆国カリフォルニア州サンタクララ所在のアジレント・テクノロジー社製のＨＳＭＳ２８５０表面実装型ゼロバイアス・ショットキ・ディテクタ・ダイオード）を用いて実装される。キャパシタＣ３は、ＤＣ出力電圧Ｖ_ＯＵＴの特性（電流および電圧）、およびシステム出力ノードに印加されるシステム電圧Ｖ_{ＯＵＴ−ＳＹＳ}のサイズおよび特性に従って、サイズが決められる容量素子を用いて実装される。例示的な実際の実施形態では、上述のダイオード素子の数値およびキャパシタ素子の数値を用いることにより、キャパシタＣ３は１００ｐＦの電気容量を有し、抵抗Ｒ２は１Ωの公称抵抗値を有する。

図５、図６Ａ、および図６Ｂには、異なるタイプのアンテナを用いるＲＦエネルギーハーベスティング装置の構成を示す概略図が示されている。これらの図には、説明を目的として、基本的なアンテナの構成が示されている。本明細書に記載されるＲＦエネルギーハーベスティング装置の種々の様態は、広い範囲の潜在的なアンテナの構成を用いることで、好適な構成になると思われるが、現在のところ、発明者らは、これらのアンテナの構成のうちの１つ以上を使用することで、より優れた結果が得られると考えている。そのようなアンテナの構成は、「ＭＵＬＴＩＢＡＮＤ ＲＡＤＩＯ ＦＲＥＱＵＥＮＣＹ （ＲＦ） ＥＮＥＲＧＹ ＨＡＲＶＥＳＴＩＮＧ ＷＩＴＨ ＳＣＡＬＡＢＬＥ ＡＮＴＥＮＮＡ」と題する、同時係属中の米国特許シリアル番号第１４／５８２，０３３号明細書（代理人整理番号第２０１４０４４３ＵＳ０２（ＸＣＰ−２０３−２）号明細書）で開示されている。

図５には、モノポールアンテナ１２０Ｃおよび整流回路１３０Ｃを含むＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｃの回路図が示されている。図５では、整流回路１３０Ｃは、アンテナで取り込まれるＲＦ信号を整流回路１３０のその他の素子に適切に送信し易くするために必要な２つのディスクリート・インダクタＬ１ＣおよびＬ２Ｃを含む。具体的には、インダクタＬ１Ｃが、第１のアンテナ端点１２１ＣとダイオードＤ１との間に連結され、インダクタＬ２Ｃが、アンテナ端点１２２ＣとキャパシタＣ１との間に連結されている。一実施形態では、インダクタＬ１ＣとインダクタＬ２Ｃは、同じ（共通の）インダクタンス値を有し、アンテナ１２０Ｃと整流回路１３０Ｃの素子（すなわち、図３および図４を参照して上記に説明した構成のどちらかを用いて実装可能な、キャパシタＣ１、ダイオードＤ１およびＤ２、ならびに出力制御回路１３５Ｃ）とのバランスがとれた回路を形成している。

図６Ａには、ダイポールアンテナ１２０Ｄ、および関連する整流回路１３０Ｄを含むＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｄの回路図が示されており、図６Ｂには、ダイポールアンテナ１２０Ｅ、および関連する整流回路１３０Ｅを含むＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｅの回路図が示されている。ダイポールアンテナ１２０Ｄおよび１２０Ｅは、下記の点において、モノポールアンテナ１２０Ｃとは異なる。モノポールアンテナ１２０Ｃは単一の一体型アンテナ構造体１２３Ｃを含み、一方、ダイポールアンテナは２つの分離したアンテナ部を含む（例えば、アンテナ１２０Ｄは、アンテナ部１２３Ｄ−１および１２３Ｄ−２を含み、アンテナ１２０Ｅは、アンテナ部１２３Ｅ−１および１２３Ｅ−２を含む）。

従来の整流回路の設計よりもはるかに簡単な全波整流ステージを設けることに加えて、本発明では、可能であれば、ダイポールアンテナの実効インダクタンスの利点を生かして、製造コストの削減を容易にする。例えば、図６Ａに示されている通り、第１のアンテナ部１２３Ｄ−１は、第１の実効インダクタンスＬ_{１２３−１}を有し、第２のアンテナ構造体１２３Ｄ−２は、第２の実効インダクタンスＬ_{１２３−２}を有し、これらの２つのアンテナ部は、第１の実効インダクタンスと第２の実効インダクタンスがほぼ同じになるよう構成されている。図６Ａでは、アンテナ端点１２１Ｄおよび１２２Ｄと整流回路１３０Ｄとの間にディスクリート（付加的な）のインダクタが必要ないように、アンテナ１２０Ｄとバランスのとれた回路を形成する素子（すなわち、実効インダクタンスＬ_{１２３−１}およびＬ_{１２３−２}と一致する）を用いて整流回路１３０Ｄが組み立てられている。あるいは、図６Ｂには、様々な理由で、ダイポールアンテナ１２０Ｅのアンテナ部１２０Ｅ−１および１２０Ｅ−２の実効インダクタンスＬ_{１２３−１}およびＬ_{１２３−２}を向上させるケースが示されており、このケースでは、ディスクリート・インダクタＬ１ＥおよびＬ２Ｅを整流回路１３０Ｅに加えることにより（すなわち、アンテナ端点１２１ＥとダイオードＤ１との間にインダクタＬ１Ｅを接続し、アンテナ端点１２２ＥとキャパシタＣ１との間にインダクタＬ２Ｅを接続する）、これらの実効インダクタンスＬ_{１２３−１}およびＬ_{１２３−２}を向上させることができる。

図７、図８、および図９には、３種類のＲＦエネルギーハーベスティングシステムがそれぞれ示されており、各システムは、上記の通り構成される３つのＲＦエネルギーハーベスティング装置をそれぞれ含み、これらの３つの装置が互いに連結され（すなわち、直列または並列に）、組み合わされた所望のシステムの出力電圧を生成する。図７、図８、および図９に示されている３種類のシステムに含まれる各装置（下記に詳細に記載する）は、上記に記載したものと同様のアンテナおよび整流回路を含み、出力制御回路は、直列の出力接続または並列の出力接続のどちらかを最適化するための２つの異なる構成の一方を用いて実装される。ＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｆ−１、１００Ｆ−２、および１００Ｆ−３はそれぞれ、関連するＲＦ周波数で共振するよう構成されるアンテナと、各装置に取り込まれたエネルギーが、組み合わされたシステムの出力電圧に寄与するよう、図４を参照して上記に説明した通りに構成される整流回路と、を含む。例えば、ＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｆ−１の整流回路１３０Ｆ−１（図７）は、出力制御回路１３５Ｆ−１を含み、この出力制御回路が、組み合わされるシステムの出力電圧Ｖ_{ＯＵＴ−ＳＹＳ}の生成を容易にするために、図４を参照して上記に説明した通り構成される、（第３の）ダイオードＤ３、および蓄積キャパシタＣ２を含む。なお、説明を簡単にするために、下記で説明する各システムは３つの装置を含むが、下記に記載の技術を用いて互いに接続される、任意の数の装置を用いてシステムを構成することが可能であることは言うまでもない。

図７には、直列接続されたＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｆ−１、１００Ｆ−２、および１００Ｆ−３を含む第１のＲＦエネルギーハーベスティングシステム２００Ｆの概略回路図が示されている。開示されている実施形態の様態に従うと、各ＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｆ−１〜１００Ｆ−３は、ほぼ同一のアンテナ構成を含む。例えば、装置１００Ｆ−１は、アンテナ１２０Ｆ−１を含み、このアンテナ１２０Ｆ−１が、アンテナ端点１２１Ｆ−１および１２２Ｆ−１にそれぞれ接続する細長い導電構造体１２３Ｆ−１および１２３Ｆ−２を含み、導電構造体１２３Ｆ−１および１２３Ｆ−２は、関連する帯域幅の範囲内のＲＦ周波数で共振するよう構成されている。本実施形態では、装置１００Ｆ−２がアンテナ１２０Ｆ−２を含み、装置１００Ｆ−３がアンテナ１２０Ｆ−３を含む。アンテナ１２０Ｆ−２およびアンテナ１２０Ｆ−３は、アンテナ１２０Ｆ−１とほぼ同一の構成を有する（すなわち、３つの全てのアンテナが同じＲＦ周波数で共振し、３つの全てのアンテナがほぼ同じ量のエネルギーを生成するように）。

各ＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｆ−１〜１００Ｆ−３はまた、ほぼ同一の整流回路も含む。例えば、装置１００Ｆ−１は、整流回路１３０Ｆ−１を含み、この整流回路が、アンテナ端点１２１Ｆ−１と第１のノードＮ１との間に接続される第１のダイオードＤ１と、アンテナ端点１２２Ｆ−１とノードＮ１との間に接続される第１のキャパシタＣ１と、ノードＮ１と第２のノードＮ２との間に接続される第２のダイオードＤ２と、を含む。上記の整流回路と同様に、ダイオードＤ１は、ダイオードＤ２よりも低い順電圧、およびダイオードＤ２よりも低いピーク逆電圧を有する。整流回路１３０Ｆ−１はまた、ノードＮ２に連結される出力制御回路１３５Ｆ−１も含み、このノードＮ２は、このノードＮ２で生成される中間電圧をＤＣ出力電圧Ｖ_ＯＵＴ１に変換するよう（すなわち、第３のダイオードＤ３、キャパシタＣ１と同じ電気容量を有する第２のキャパシタＣ２、および蓄積キャパシタＣ４を介して変換するよう）構成されている。同様に、ＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｆ−２は、整流回路１３０Ｆ−２を含み、この整流回路が、ダイオードＤ１およびＤ２と、キャパシタＣ１と、出力制御回路１３５Ｆ−２（ダイオードＤ３、キャパシタＣ２、およびＣ４を含む）と、を含み、この出力制御回路１３５Ｆ−２が、ＤＣ出力電圧Ｖ_ＯＵＴ２を生成する。また、ＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｆ−３は、整流回路１３０Ｆ−３を含み、この整流回路が、ダイオードＤ１およびＤ２と、キャパシタＣ１と、出力制御回路１３５Ｆ−３（ダイオードＤ３、キャパシタＣ２、およびＣ４を含む）と、を含み、この出力制御回路１３５Ｆ−３がＤＣ出力電圧Ｖ_ＯＵＴ３を生成する。

システム２００Ｆにより実装される直列接続の構成によると、ＤＣ出力電圧Ｖ_ＯＵＴ１、Ｖ_ＯＵＴ２、およびＶ_ＯＵＴ３を組み合わせて、システムの出力電圧Ｖ_{ＯＵＴ−ＳＹＳ}を最大にするよう、ＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｆ−１〜１００Ｆ−３は互いに接続される。具体的には、ＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｆ−２の第１のアンテナ端点１２１Ｆ−２が、ＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｆ−３の出力ノードに接続し（すなわち、装置１００Ｆ−２の接地面がＤＣ出力電圧Ｖ_ＯＵＴ３となるように）、これにより、装置１００Ｆ−２の出力ノードで生成されるＤＣ出力電圧Ｖ_ＯＵＴ２の電圧レベルが、ＤＣ出力電圧Ｖ_ＯＵＴ３により、「上昇」される。同様に、ＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｆ−１のアンテナ端点１２１Ｆ−１が、ＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｆ−３の出力ノードに接続し、これにより、装置１００Ｆ−１の出力ノードで生成される出力電圧Ｖ_ＯＵＴ１のＤＣ電圧レベルは、ＤＣ出力電圧Ｖ_ＯＵＴ２およびＶ_ＯＵＴ３により、「上昇」される。したがって、システムの出力電圧Ｖ_{ＯＵＴ−ＳＹＳ}の電圧レベルは、直列の配列により、最大になる。

図８には、ＲＦエネルギーハーベスティングシステム２００Ｇの概略回路図が示され、図９には、ＲＦエネルギーハーベスティングシステム２００Ｈの概略回路図が示されている。これらのシステムはそれぞれ、ＲＦエネルギーハーベスティング装置を含み、これらのＲＦエネルギーハーベスティング装置が、共通の接地源と共通のシステム出力ノードとの間で並列に接続されて、システムの出力電圧Ｖ_{ＯＵＴ−ＳＹＳ}の電流レベルを最大にする。例えば、ＲＦエネルギーハーベスティングシステム２００Ｇ（図８）は、並列に接続されるＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｇ−１、１００Ｇ−２、および１００Ｇ−３を含み、ＲＦエネルギーハーベスティングシステム２００Ｈ（図９）は、並列に接続されるＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｈ−１、１００Ｈ−２、および１００Ｈ−３を含む。システム２００Ｇでは、ＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｇ−１〜１００Ｇ−３の第１のアンテナ端点は、共通の（単一の）接地源に接続され、全てのＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｇ−１〜１００Ｇ−３の出力ノードは、共通の（単一の）システム出力ノードに接続される。これにより、システム出力ノードで生成されるシステムの出力電圧Ｖ_{ＯＵＴ−ＳＹＳ}の電流レベルが最大になる。同様に、システム２００Ｈでは、ＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｈ−１〜１００Ｈ−３の第１のアンテナ端点は、共通の（単一の）接地源に接続され、全てのＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｈ−１〜１００Ｈ−３の出力ノードは、共通の（単一の）システム出力ノードに接続する。それに加えて、各ＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｇ−１〜１００Ｇ−３、および１００Ｈ−１〜１００Ｈ−３は、整流回路１３０Ｇ−１〜１３０Ｇ−３および１３０Ｈ−１〜１３０Ｈ−３をそれぞれ含み、システム２００Ｇおよび２００Ｈの各ＲＦエネルギーハーベスティング装置が、接地源と共通システム出力ノードとの間に連結されていることを除くと、これらの整流回路は、上記の図７を参照して上記に説明した整流回路とほぼ同一である。

システム２００Ｇとシステム２００Ｈと（図８および図９）は、システム２００Ｇが、比較的狭い周波数の範囲を有するＲＦエネルギーで高出力の電流を生成するよう構成され、一方で、システム２００Ｈは、非常に広いＲＦ周波数の範囲全体で少なくともある程度の出力の電流を生成するよう構成されるという点において異なる。つまり、各ＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｇ−１〜１００Ｇ−３は、ほぼ同一のアンテナの構成を含む（例えば、装置１００Ｇ−１はアンテナ１２０Ｇ−１を含み、装置１００Ｇ−２はアンテナ１２０Ｇ−２を含み、装置１００Ｇ−３はアンテナ１２０Ｇ−３を含み、全てのアンテナ１２０Ｇ−１〜１２０Ｇ−３は、ほぼ同一である）。この構成により、全てのＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｇ−１〜１００Ｇ−３のアンテナ１２０Ｇ−１〜１２０Ｇ−３は、同じＲＦ周波数を有するＲＦ信号から発生するＲＦエネルギーを集めるよう構成され、これによりＶ_{ＯＵＴ−ＳＹＳ}の電流が最大になる。もちろん、要求されるＲＦ周波数を有するＲＦ信号が利用可能な場合にだけ、この方法が使用可能である。これとは対照的に、システム２００Ｈ（図９）の各ＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｈ−１〜１００Ｈ−３は、異なるアンテナの構成を含み（例えば、装置１００Ｈ−１はアンテナ１２０Ｈ−１を含み、装置１００Ｈ−２はアンテナ１２０Ｈ−２を含み、装置１００Ｈ−３はアンテナ１２０Ｈ−３を含み、アンテナ１２０Ｈ−１はアンテナ１２０Ｈ−２よりも小さく、アンテナ１２０Ｈ−２はアンテナ１２０Ｈ−３よりも小さい）、これにより、各アンテナ１２０Ｈ−１〜１２０Ｈ−３は異なる（固有の）ＲＦ周波数で共振して、より低い電流でシステムの出力電圧Ｖ_{ＯＵＴ−ＳＹＳ}を生成する可能性はあるが、利用可能な周囲ＲＦ周波数のより広い範囲に渡って、少なくともある程度の電流を生成することが可能である。

図１０には、特定の例示的な本発明の実施形態に従った、ＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｊの概略斜視図が示されている。但し、これらの構造の縮尺率は正確ではない。ＲＦエネルギーハーベスティング装置１００Ｊは、可撓性基板１０１Ｊ上で共形的に配置される１つ以上の導電材料、および０個以上の誘電材料により少なくとも部分的に形成されるアンテナ１２０Ｊと、整流回路１３０Ａと、を含む。下記に記載する技術を用いて、上記の種々のＲＦエネルギーハーベスティング装置のいずれかを形成することにより、本発明をさらに向上させて、低コストで、非常に適応性のあるプラットフォームを提供し、このプラットフォームにより、既存のＲＦ信号（例えば、周囲のＷｉ−Ｆｉ信号からのＲＦ信号）または専用の充電用ＲＦ供給源のどちらかを用いて、遠隔センサ、またはその他の装置への電力供給が容易になる。

図１０の左側を参照すると、アンテナ１２０Ｊは、等角で細長いアンテナ構造体１２３Ｊ−１および１２３Ｊ−２を含み、これらのアンテナ構造体は、スクリーンプリント、転写プリント、押し出し成形、およびインクジェット印刷などの様々なプリント処理のうちの１つを用いて、導電材料（例えば、銀インク、銀メッキされたナノ粒子、またはその他の導電媒体）を分配することにより形成される。これらの分配技術を利用することにより、等角の構造がもたらされる（すなわち、アンテナ構造体１２３Ｊ−１および１２３Ｊ−２を形成する、分配された導電材料が、これらの導電材料がその上に分配される可撓性基板１０１Ｊの表面特徴と一致するように）。等角で細長いアンテナ構造体１２３Ｊ−１および１２３Ｊ−２は、アンテナ１２０Ｊが対象のＲＦ周波数で共振するよう、好適な寸法（例えば、１μｍの厚さＴ、２．５ｍｍの線幅ＬＷ）、および好適な構成（例えば、約１５０ｍｍの全長Ｌ）を有する導電の金属線部を含む。

整流回路１３０Ｊは、アンテナ１２０Ｊを作成するために用いる導電材料と同じ導電材料、または異なる導電材料のどちらかを分配することにより、少なくとも部分的に形成される、導電（例えば、金属）線部（すなわち、「トレース」、配線とも呼ぶ）１３３Ｊ−１〜１３３Ｊ−６を含む。さらに、整流回路１３０Ｊは、プリンテッドエレクトロニクス技術を用いて製造される、あるいは、好適にプリントされる「トレース」に接続するディスクリート素子（例えば、表面実装型パッケージの）を用いて随意的に実装される上記の回路素子を含む。例えば、ダイオードＤ１は、トレース１３３Ｊ−１の一部を介して、第１のアンテナ端点１２１Ｊに接続される。ある実施形態では、キャパシタＣ１は、２つの導電層ＣＬ１とＣＬ２の間に挟まれるプリント誘電層ＤＬにより実装され、トレース１３３Ｊ−２を介して第２のアンテナ端点１２２Ｊに接続され、かつ、トレース１３３Ｊ−３を介してダイオードＤ２に接続され、このトレース１３３Ｊ−３はノードＮ１としても機能する。ダイオードＤ２は、トレース１３３Ｊ−４を介して、第２のキャパシタＣ２とダイオードＤ３に接続され、このトレース１３３Ｊ−４はノードＮ２としても機能する。第２のキャパシタＣ２は、キャパシタＣ１と同じ構造を有する。ダイオードＤ３は、トレース１３３Ｊ−５を介して、第３のキャパシタＣ３に接続され、このトレース１３３Ｊ−５はノードＮ３としても機能する。この構成により、整流回路１３０Ｊは、図３を参照して上記に説明した動作と同じように動作する。

本発明のＲＦエネルギーハーベスティング装置／システムの製造に関連する製造コストは、上記のプリント技術を用いることにより、最小限に抑えられているが、本明細書に記載される恩恵の多くは、その他の製造技術を用いることでもたらされ得る。例えば、アンテナ、および整流回路は、剛性の基板上での通常のプリント回路基板の製造方法、または可撓性基板での通常のプリント回路基板の製造方法のうちのどちらを用いても製造可能である。あるいは、装置およびシステムは、機械加工または焼結法によっても製造可能である。

Claims (19)

1. 高周波（ＲＦ）エネルギーハーベスティング装置であって、
   第１のアンテナ端点と、第２のアンテナ端点と、前記第１のアンテナ端点および第２のアンテナ端点に接続され、関連する帯域幅内のＲＦ周波数で共振するよう構成される少なくとも１つの細長い導電構造体と、を含むアンテナであって、
   第１のＲＦ信号が前記第１のアンテナ端点で生成され、第２のＲＦ信号が前記第２のアンテナ端点で生成され、前記第２のＲＦ信号と前記第１のＲＦ信号は位相が１８０°ずれるようになっている、アンテナと、
   整流回路であって、
   前記第１のアンテナ端点と第１のノードとの間に連結される第１のダイオードと、
   前記第２のアンテナ端点と前記第１のノードとの間に連結される第１のキャパシタと、
   前記第１のノードと第２のノードとの間に連結される第２のダイオードと、を含む整流回路と、を含み、
   前記第１のダイオードが、前記第２のダイオードよりも低い順電圧を有し、前記第１のダイオードが前記第２のダイオードよりも低いピーク逆電圧を有し、これにより、前記第１のノードで生成される第１の中間電圧には、前記第１のダイオードを介して送られる前記第１のＲＦ信号の正電圧パルスと、前記第１のキャパシタを介して送られる前記第２のＲＦ信号の正電圧パルスとの合計が含まれ、これにより、第２の中間電圧が、前記第１のノードから前記第２のダイオードを介して送られる正電圧パルスに従って前記第２のノードで生成される、高周波（ＲＦ）エネルギーハーベスティング装置。
2. 前記アンテナおよび前記整流回路が、基板上に共形的に配置される導電材料および誘電材料のうちの少なくとも１つを含み、前記導電材料が前記基板の表面特徴と一致している、請求項１に記載のＲＦエネルギーハーベスティング装置。
3. 前記第１のダイオードおよび第２のダイオードが、ゼロバイアス電圧のショットキーダイオードを含む、請求項１に記載のＲＦエネルギーハーベスティング装置。
4. 前記整流回路が、前記アンテナに連結される１つ以上のインダクタをさらに含む、請求項１に記載のＲＦエネルギーハーベスティング装置。
5. 記整流回路が、前記第２のノードに連結され、前記第２の中間電圧を直流（ＤＣ）出力電圧に変換するよう構成される出力制御回路をさらに含む、請求項１に記載のＲＦエネルギーハーベスティング装置。
6. 前記出力制御回路が、前記第２のノードと前記第１のアンテナ端点との間に連結される第２のキャパシタを含み、前記第２のキャパシタが、前記第１のキャパシタと同じ容量値を有する、請求項５に記載のＲＦエネルギーハーベスティング装置。
7. 前記出力制御回路が、前記第２のノードと前記第１のアンテナ端点との間に前記第２のキャパシタと並列接続される終端回路をさらに含み、前記終端回路が、抵抗と直列接続される第３のキャパシタを含む、請求項６に記載のＲＦエネルギーハーベスティング装置。
8. 前記出力制御回路が、前記第２のノードと出力ノードとの間に接続される第３のダイオードと、前記出力ノードに連結され、前記第３のダイオードの出力端に位置する第３のノードで生成される電荷を一時的に蓄積するよう構成される蓄積キャパシタと、をさらに含む、請求項６に記載のＲＦエネルギーハーベスティング装置。
9. 前記アンテナが、モノポールアンテナを含み、
   前記整流回路が、前記第１のアンテナ端点に連結される第１のインダクタと、前記第２のアンテナ端点に連結される第２のインダクタと、をさらに含み、前記第１のインダクタおよび第２のインダクタが、共通のインダクタンスを有し、バランスのとれた回路を形成する、請求項６に記載のＲＦエネルギーハーベスティング装置。
10. 前記アンテナが、ダイポールアンテナを含み、前記ダイポールアンテナが、第１の実効インダクタンスを有する第１のアンテナ部と、第２の実効インダクタンスを有する第２のアンテナ部と、を含み、前記第１のアンテナ部および第２のアンテナ部は、前記第１の実効インダクタンスと第２の実効インダクタンスがほぼ同じになるよう構成される、請求項６に記載のＲＦエネルギーハーベスティング装置。
11. 前記整流回路が、前記第１のアンテナ端点を介して前記第１のアンテナ部に連結される第１のインダクタと、前記第２のアンテナ端点を介して前記第２のアンテナ部に連結される第２のインダクタと、をさらに含み、前記第１のインダクタおよび第２のインダクタが、共通のインダクタンスを有し、バランスのとれた回路を形成する、請求項１０に記載のＲＦエネルギーハーベスティング装置。
12. 複数のＲＦエネルギーハーベスティング装置を含む高周波（ＲＦ）エネルギーハーベスティングシステムであって、各ＲＦエネルギーハーベスティング装置が、
    第１のアンテナ端点と、第２のアンテナ端点と、前記第１のアンテナ端点および第２のアンテナ端点に接続され、関連する帯域幅の範囲内のＲＦ周波数で共振するよう構成される少なくとも１つの細長い導電構造体と、を含むアンテナと、
    整流回路であって、
    前記第１のアンテナ端点と第１のノードとの間に連結される第１のダイオードと、
    前記第２のアンテナ端点と前記第１のノードとの間に連結される第１のキャパシタと、
    前記第１のノードと第２のノードとの間に連結される第２のダイオードであって、前記第１のダイオードが、前記第２のダイオードよりも低い順電圧を有し、前記第１のダイオードが、前記第２のダイオードよりも低いピーク逆電圧を有する、第２のダイオードと、
    前記第２のノードと出力ノードとの間に連結される出力制御回路であって、前記第２のノードで生成される第２の中間電圧を直流（ＤＣ）出力電圧に変換するよう構成される出力制御回路と、を含む整流回路と、を含み、
    前記複数のＲＦエネルギーハーベスティング装置が、互いに連結されて、組み合わされたシステムの出力電圧を生成する、高周波（ＲＦ）エネルギーハーベスティングシステム。
13. 前記複数のＲＦエネルギーハーベスティング装置のそれぞれの前記出力制御回路が、
    前記第２のノードと前記第２のアンテナ端点との間に連結される第２のキャパシタと、
    前記第２のノードと前記出力ノードとの間に接続される第３のダイオードと、
    前記出力ノードに連結される蓄積キャパシタと、を含む、請求項１２に記載のＲＦエネルギーハーベスティングシステム。
14. 第１の前記ＲＦエネルギーハーベスティング装置の前記第１のアンテナ端点が、第２の前記ＲＦエネルギーハーベスティング装置の前記出力ノードに接続されるよう、前記複数のＲＦエネルギーハーベスティング装置が直列に接続される、請求項１２に記載のＲＦエネルギーハーベスティングシステム。
15. 前記複数のＲＦエネルギーハーベスティング装置の全ての前記出力ノードが、共通のシステム出力ノードに接続される、請求項１２に記載のＲＦエネルギーハーベスティングシステム。
16. 前記複数のＲＦエネルギーハーベスティング装置の全ての前記アンテナが、同じＲＦ周波数を有するＲＦ信号からＲＦエネルギーを集めるよう構成される、請求項１５に記載のＲＦエネルギーハーベスティングシステム。
17. 前記複数のＲＦエネルギーハーベスティング装置のそれぞれの前記アンテナが、固有の範囲のＲＦ周波数を有するＲＦ信号からＲＦエネルギーを集めるよう構成される、請求項１５に記載のＲＦエネルギーハーベスティングシステム。
18. 高周波（ＲＦ）エネルギーハーベスティング装置であって、
    可撓性基板と、
    前記可撓性基板上に共形的に配置され、関連する帯域幅の範囲内のＲＦ周波数で共振するよう構成される少なくとも１つの細長いアンテナ構造体と、第１のアンテナ端点と、第２のアンテナ端点と、を含むアンテナと、
    整流回路であって、
    前記可撓性基板上に共形的に配置される複数の導電線部と、
    第１の前記導電線部を介して、前記第１のアンテナ端点に連結される第１のダイオードと、
    第２の前記導電線部を介して、前記第２のアンテナ端点に連結される第１のキャパシタと、
    第３の前記導電線部を介して、前記第１のキャパシタおよび前記第１のダイオードに連結される第２のダイオードと、を含む整流回路と、を含み、
    前記第１のダイオードが、前記第２のダイオードよりも低い順電圧を有し、前記第１のダイオードが、前記第２のダイオードよりも低いピーク逆電圧を有する、高周波（ＲＦ）エネルギーハーベスティング装置。
19. 前記第１のキャパシタおよび前記第２のダイオードと第３のダイオードとの間に並列に接続される第２のキャパシタが、２つのプリント金属層の間に配置されるプリント誘電材料を含み、
    前記第１のダイオードおよび前記第２のダイオードが、表面実装型のゼロバイアス電圧ショットキーダイオードを含む、請求項１８に記載のＲＦエネルギーハーベスティング装置。

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