JP6559772B2 - ガススクラビング用のtert−アルキルアミノ基及び第一級アミノ基を有するジアミン - Google Patents

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本発明は、特定のジアミン化合物、これらの化合物を含む吸収剤、流体流から二酸化炭素及び/又は硫化水素を除去するためのこれらの吸収剤の使用方法、並びに、流体流から二酸化炭素及び/又は硫化水素を除去する方法に関する。
種々の理由で、天然ガス、精製ガス又は合成ガスなどの流体流から酸性ガス、例えばCO、HS、SO、CS、HCN、COS又はメルカプタンを除去することは、重要である。CO は、水と一緒になってしばしば流体流中に流され、しばしば流体流と共に流される水と結合したCOは、パイプ及びバルブの腐食を引き起こす酸を形成することができる。ガスの発熱量が所望の値を下回らないように、二酸化炭素は、天然ガスの他の物質の中から除去されなければならない。天然ガス液化プラント(LNG=液化天然ガス)のさらなる処理には、対照的に、COを完全に除去する必要がある。
硫黄化合物は、しばしば天然ガスによって流される水中で腐食作用を有する酸を形成するので、天然ガス中の硫黄化合物の含有量は、適切な処理手段によって天然ガス源で直接少させなければならない。したがって、パイプラインでの天然ガスの輸送又は天然ガス液化プラント(LNG=液化天然ガス)でのさらなる処理には、硫黄含有不純物の既定の限界を観察しなければならない。さらに、多くの硫黄化合物は、悪臭を放ち、低濃度でも有毒である。
酸性ガスは、無機又は有機塩基の水溶液によるスクラビング(scrubbing)操作を用いて除去される。酸性ガスが吸収剤に溶解されると、イオンが塩基と結合する。吸収媒体は、より低い圧力への減圧及び/又は揮散によって再生することができ、揮散の場合、イオン種は逆に反応して酸性ガスを形成し、及び/又は蒸気によって揮散される。再生処理後、吸収剤は再利用することができる。
高いCO吸収率は、第1級及び第2級アルカノールアミンなどの高いCO親和性を有する吸収剤の使用によって達成される。高いCO親和性を得るには、CO吸収が高い発熱を伴って進行することを必要とする。しかしながら、吸収反応エンタルピーが非常に大きいので、一般的には、この種の吸収剤は、再生において比較的高いエネルギー消費も必要とする。
2−(2−tert−ブチルアミノエトキシ)エタノールなどの高度的立体障害(sterically hindered)の第2級アミン、及びメチルジエタノールアミン(MDEA)などの第3級アミンは、COよりもHSに対する動的選択性を示す。これらのアミンはCOと直接応しない。その代わりに、COは、緩慢反応でアミン及び水と反応、重炭酸塩を生成する。対照的に、HSは、アミン水溶液中で直ちに反応する。したがって、これらのアミンは、特に、CO及びHSを含むガス混合物からHSを選択的に除去することに適している。
立体障害のない第1級又は第2級アミン(例えばピペラジン)は、カルバミン酸塩構造の中間生成物を介して促進剤として第級アミンのCO吸収を加速することができる。アミンと二酸化炭素とのこの直接的な反応において、吸収速度は速いが、他方では、2個のアミン分子によって1個のCO分子しか吸収されない。例えば、US 4,336,233には、MDEA及びピペラジンを含む水性吸収剤によりガスからCO及び/又はHSを除去する方法が開示されている。CO促進剤としてのピペラジンの使用は、促進剤のないシステムと比較して、CO の吸収速度を何倍も高くすることができる。
US 2013/0243676には、高度的立体障害のエーテルアミントリエチレングリコールアルコール又はその誘導体及び液体アミンを含む吸収剤を用いて、ガス混合物からのHS及びCOを吸収する方法が記載されている。
US 4,471,138は、2−(2−tert−ブチルアミノエトキシ)エタノール(TBAEE)などの高度的立体障害の第2級アミンが、メチルジエタノールアミン(MDEA)などのさらなるアミンと組み合わせても、MDEAよりはるかに高いHS選択性を有することを示した。高度的立体障害のあると称されるアミンは、そこで窒素原子が1個以上の広範な基(extensive group)に結合し、1.75を超える累積立体パラメーター(タフト定数)Eを有するものである。
US 4,336,233 US 2013/0243676 US 4,471,138
本発明は、第2級及び第3級アミンをベースとする吸収剤と比較して、要求される再生エネルギーを有意に増加させず、流体流から二酸化炭素の迅速な吸収を有する化合物を特定することを目的とする。また、吸収剤は、HS及びCOの同時除去にも適しなければならず、ここでは、HSの既定の限界を観察しなければならないが、COを完全に除去する必要がない。
前記目的は、一般式(I)、
Figure 0006559772

(式中、R、R及びRは、それぞれ独立して、C1〜4−アルキル及びC1〜4−ヒドロキシアルキルから選択され、
各重複のユニットにおけるRは、独立して、水素、C1〜4−アルキル及びC1〜4−ヒドロキシアルキルから選択され、
各重複のユニットにおけるRは、独立して、水素、C1〜4−アルキル及びC1〜4−ヒドロキシアルキルから選択され、
mは、2、3、4又は5であり、
nは、2、3、4又は5であり、
oは、〜10、特に1〜10の整数である)
の化合物により達成される。好ましくは、R、R及びRは、それぞれにメチルである。Rは、好ましくは水素又はメチル、特に水素である。Rは、好ましくは水素又はメチル、特に水素である。好ましい実施態様において、第1級アミノ基と直接に結合される炭素原子にあるR又はRラジカルは、水素である。mは、好ましくは2、3又は4、特に2又は3、最も好ましくは2である。nは、好ましくは2、3又は4、特に2又は3、最も好ましくは2である。好ましくは、oは1、2又は3である。
好適な一般式(I)の化合物は、2−(2−tert−ブチルアミノエトキシ)エチルアミン(TBAEEA)、2−(2−(2−tert−ブチルアミノエトキシ)エトキシ)エチルアミン(TBAEEEA)、2−(2−tert−ブチルアミノ)エタンアミン、2−(2−tert−ブチルアミノ)プロパンアミン、2−(2−tert−ブチルアミノ)ブタンアミン、2−(2−tert−アミルアミノエトキシ)エタンアミン、2−(2−(1−メチル−1−エチルプロピルアミノ)エトキシ)エタンアミン、(2−(2−tert−ブチルアミノ)エチル)メチルアミン、及びそれらの混合物である。特に好ましい実施態様において、該化合物は、2−(2−tert−ブチルアミノエトキシ)エチルアミン(TBAEEA)である。
一般式(I)の化合物中の第1級アミノ基は、カルバミン酸塩構造の中間生成により、促進剤としてCO吸収を促進すると仮定される。高度的立体障害の第2級アミノ基は、塩基性リザーバー(basicity reservoir)として作用し、高いサイクル容量をもたらす。
また、本発明は、流体流から二酸化炭素及び/又は硫化水素を除去するための、一般式(I)の化合物を含む吸収剤にも関する。
また、本発明は、流体流から二酸化炭素及び/又は硫化水素を除去するための一般式(I)の化合物の使用方法にも関する。
また、本発明は、流体流から二酸化炭素及び/又は硫化水素を除去する方法にも関し、この方法において流体流が一般式(I)の化合物を含む吸収剤と接触される。
好ましくは、吸収剤は、一般式(I)の化合物の水溶液を含む。
一実施態様において、吸収剤は少なくとも1つの有機溶媒を含む。好ましくは、有機溶媒は、スルホラン、グリコール、例えばエチレングリコール、ジエチレングリコール、エチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコール、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジ−又はモノ(C1〜4−アルキルエーテル)モノエチレングリコール及びジ−又はモノ(C1〜4−アルキルエーテル)ポリエチレングリコール、N−メチルピロリドン、N−メチル−3−モルホリン、N−ホルミルモルホリン、N−アセチルモルホリン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルイミダゾリジン−2−オン、N−メチルイミダゾール、並びに、それらの混合物から選択される。
特定の実施態様において、吸収剤は少なくとも1つの酸を含む。酸は、プロトン酸(ブレンステッド酸(Bronsted acid))から適当に選択される。酸は、有機酸及び無機酸から選択される。好適な有機酸は、例えば、ホスホン酸、スルホン酸、カルボン酸及びアミノ酸を含む。特定の実施態様において、酸は多塩基酸である。
無機酸の中で、ホスホン酸及び硫酸が好ましい。
カルボン酸の中で、ギ酸、酢酸、安息香酸、コハク酸及びアジピン酸が好ましい。
スルホン酸の中で、メタンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸及び2−(4−(2−ヒドロキシエチル)−1−ピペラジニル)エタンスルホン酸(HEPES)が好ましい。
ホスホン酸の中で、2−ヒドロキシホスホノ酢酸、2−ホスホノブタン−1,2,4−トリカルボン酸、1−ヒドロキシエタン−1,1−ジホスホン酸、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、ビス(ヘキサメチレン)トリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)(HDTMP)及びニトリロトリス(メチレンホスホン酸)が好ましく、この中で1−ヒドロキシエタン−1,1−ジホスホン酸が特に好ましい。
別の実施態様において、吸収剤は、アミノカルボン酸、アミノスルホン酸及びホスホン酸を含まないものである。
一般的には、吸収剤において、一般式(I)の化合物の濃度は、10〜60質量%、好ましくは20〜50質量%、より好ましくは30〜50質量%である。
吸収剤は、一般式(I)の化合物に加えて、少なくとも1つの第3級アミン及び/又は立体障害のある第級または第級アミンを含むことができる。
一般式(I)の化合物、第3級アミン及び/又は立体障害の第1級又は第2級アミンに対するモル比は、好ましくは0.05〜1.0の範囲、より好ましくは0.05〜0.7の範囲である。
用語「第3級アミン」は、少なくとも1つの第3級アミノ基を有する化合物を意味するものである。好ましくは、第3級アミンは、第3級アミノ基のみを含み、すなわち、少なくとも1つの第3級アミノ基と一緒に第1級又は第2級アミノ基を含まないことを意味する。
好適な第3級アミンは、特に、以下を含む:
1.第3級アルカノールアミン、例えば、
ビス(2−ヒドロキシエチル)メチルアミン(メチルジエタノールアミン、MDEA)、トリス(2−ヒドロキシエチル)アミン(トリエタノールアミン、TEA)、トリブタノールアミン、2−ジエチルアミノエタノール(ジエチルエタノールアミン、DEEA)、2−ジメチルアミノエタノール(ジメチルエタノールアミン、DMEA)、3−ジメチルアミノ−1−プロパノール(N,N−ジメチルプロパノールアミン)、3−ジエチルアミノ−1−プロパノール、2−ジイソプロピルアミノエタノール(DIEA)、N,N−ビス(2−ヒドロキシプロピル)メチルアミン(メチルジイソプロピルプロパノールアミン、MDIPA);
2.第3級アミノエーテル、例えば、
3−メトキシプロピルジメチルアミン;
3.第3級ポリアミン、例えば、ビス−第3級ジアミン、例えば、
N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン、N,N−ジエチル−N’,N’−ジメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラエチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチル−1,3−プロパンジアミン(TMPDA)、N,N,N’,N’−テトラエチル−1,3−プロパンジアミン(TEPDA)、N,N,N’,N’−テトラメチル−1,6−ヘキサンジアミン、N,N−ジメチル−N’,N’−ジエチルエチレンジアミン(DMDEEDA)、1−ジメチルアミノ−2−ジメチルアミノエトキシエタン(ビス[2−(ジメチルアミノ)エチル]エーテル)、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン(TEDA)、テトラメチル−1,6−ヘキサンジアミン;
及びそれらの混合物。
一般に好ましくは、第3級アルカノールアミン、すなわち、少なくとも1つの窒素原子と結合されているヒドロキシアルキル基を有するアミンである。特に好ましくは、メチルジエタノールアミン(MDEA)である。
立体障害は、立体障害の位置に直接隣接する少なくとも1つの第2級又は第3級炭素原子の存在を意味するものである。この種のアミンは、立体障害のアミンと同様に、先行技術で高度に立体障害のアミンと言う、1.75より大きい立体パラメーター(タフト定数)Eを有する化合物も含む。
第2級炭素原子は、立体障害の位置との結合とは別に、2つの炭素−炭素結合を有する炭素原子を意味するものである。第3級炭素原子は、立体障害の位置との結合とは別に、3つの炭素−炭素結合を有する炭素原子を意味するものである。第2級アミンは、水素以外の有機ラジカル(例えば、アルキルラジカル、アルケニルラジカル、アリールラジカル、アルキルアリールラジカルなど)の2つで置換された窒素原子を有する化合物を意味するものである。
好適な立体障害の第1級又は第2級アミンは、例えば、2−(2−tert−ブチルアミノエトキシ)エタノール(TBAEE)、2−(イソプロピルアミノ)エタノール(IPAE)及び2−アミノ−2−メチルプロパノール(2−AMP)である。
別の実施態様において、吸収剤は、少なくとも1つの立体障害のない第1級又は第2級アミンを含む。立体障害のない第1級又は第2級アミンは、その分子中で、少なくとも1つの立体障害のない第1級又は第2級アミノ基、すなわち、水素原子及び第1級炭素原子のみと結合しているアミン窒素原子を含む。立体障害のない第1級又は第2級アミンは、促進剤として、カルバミン酸塩構造の中間生成により、COの吸収を促進することができる。
立体障害のない第1級又は第2級アミンは、例えば、
アルカノールアミン、例えばモノエタノールアミン(MEA)、ジエタノールアミン(DEA)、エチルアミノエタノール、1−アミノ−2−メチルプロパン−2−オル、2−アミノ−1−ブタノール、2−(2−アミノエトキシ)エタノール及び2−(2−アミノエトキシ)エタンアミン、
ポリアミン、例えばヘキサメチレンジアミン、1,4−ジアミノブタン、1,3−ジアミノプロパン、3−(メチルアミノ)プロピルアミン(MAPA)、N−(2−ヒドロキシエチル)エチレンジアミン、3−(ジメチルアミノ)プロピルアミン(DMAPA)、3−(ジエチルアミノ)プロピルアミン、N,N’−ビス(2−ヒドロキシエチル)エチレンジアミン、
環中で少なくとも1つのNH基を有し、環中で窒素及び酸素から選択されたさらなるヘテロ原子の1つ又は2つを含んでもよい5−、6−又は7員飽和ヘテロ環、例えばピペラジン、2−メチルピペラジン、N−メチルピペラジン、N−エチルピペラジン、N−(2−ヒドロキシエチル)ピペラジン、N−(2−アミノエチル)ピペラジン、ホモピペラジン、ピペリジン及びモルホリン、
から選択される。
特に好ましくは、環中で少なくとも1つのNH基を有し、環中で窒素及び酸素から選択されたさらなるヘテロ原子の1つ又は2つを含んでもよい5−、6−又は7員飽和ヘテロ環である。極めて好ましくは、ピペラジンである。
一般式(I)の化合物、立体障害のない第1級又は第2級アミンに対するモル比は、好ましくは1.0〜20の範囲、より好ましくは1.5〜15の範囲である。
また、吸収剤は、例えば防錆剤、酵素などの添加剤を含んでもよい。一般的には、このような添加剤の量は、吸収剤の0.01質量%〜3質量%の範囲である。
本発明の方法又は吸収剤は、あらゆる種類の流体の処理にも適している。流体は、まず、ガス、例えば天然ガス、合成ガス、コークス炉ガス、分解ガス、石炭ガス化ガス、サイクルガス、埋立ガス及び燃焼ガス、並びに、次に、吸収剤と実質的に混和しない流体、例えば液化石油ガス(LPG)又は液化天然ガス(NGL、天然ガス液)である。一実施態様において、流体流は、例えば焼却プラント、生産ガス、合成ガス又は周囲空気からの排煙流である。これらのガスは、特に、発電所、自動車、生産プラント、アンモニア製造、エポキシド製造、セメント製造、セラミックス産業、コークスプラント、金属製錬、製鋼工業、発泡剤の暴露、並びに、気候制御の作業及び生活エリアで生じる。さらなるCO含有の流体流は、バイオマスのメタン生成からの発酵ガス、バイオマスの好気的及び/又は嫌気的な堆肥化からの堆肥化ガス、燃焼ガス、大規模の動物飼養中の動物消化ガス、並びに、建物及び車両の空調でのCO含有の環境空気である。
流体流は、二酸化炭素及び/又は硫化水素を含む。それは、さらなる酸性ガス、例えばCOS及びメルカプタンをさらに含んでもよい。さらに、SO、SO、CS及びHCNの除去が可能である。
本発明の一般式(I)の化合物は、炭化水素系流体流の処理のための方法又は吸収剤に特に好適である。存在する炭化水素は、例えば、脂肪族炭化水素、例えばメタンなどのC〜C炭化水素、エチレン若しくはプロピレンなどの不飽和炭化水素、又は芳香族炭化水素、例えばベンゼン、トルエン若しくはキシレンである。より特に、本発明の方法は、天然ガス流の処理に適している。本発明の方法又は吸収剤は、COの除去に特に適している。
好ましい実施態様において、流体流中では、0.01から3.0バール未満の範囲、特に0.03から3.0バール未満の範囲の二酸化炭素の分圧がある。前述した分圧は、吸収工程で吸収剤と最初に接触する流体流に基づくものである。
流体流において、典型的には、硫化水素の分圧は少なくとも2.5ミリバールである。好ましい実施態様において、少なくとも0.1バール、特に少なくとも1バールの硫化水素の分圧、及び少なくとも0.2バール、特に少なくとも1バールの二酸化炭素の分圧が、流体流中に存在している。前述した分圧は、吸収工程で吸収剤と最初に接触する流体流に基づくものである。
本発明の方法において、流体流は、吸収工程で吸収器中で吸収剤と接触される。その結果としては、二酸化炭素及び/又は硫化水素が少なくとも部分的にスクラビングされる。これにより、CO及び/又はHSのない流体流、並びに、CO及びHSを含む吸収剤を提供する。
使用される吸収器は、従来のガススクラビング方法で使用されるスクラビング装置である。好適なスクラビング装置は、例えば、ランダムパッキング、構造化パッキングを有し、トレイを有するカラム、膜コンタクター、半径流スクラバー(radial flow scrubbers)、ジェットスクラバー、ベンチュリスクラバー及び回転スプレースクラバー(rotary spray scrubbers)、好ましくはランダムパッキングを有し、構造化パッキングを有し、トレイを有するカラム、より好ましくはトレイを有し、ランダムパッキングを有するカラムである。好ましくは、流体流は、カラム中で向流で吸収剤を用いて処理される。一般的には、流体は、カラムの下部に供給され、そして吸収剤は、カラムの上部に供給される。トレイカラムに設けられたものは、シーブトレイ、バブルキャップトレイ又はバルブトレイであり、液体がその上に流れる。ランダムパッキングを有するカラムは、異なる成形体で充填することができる。熱及び物質移動は、通常サイズが約25〜80mmである成形体によってもたらされた表面積の増加により改善される。公知の例としては、ラシヒリング(中空円筒)、ポールリング、ハイフロリング(Hiflow ring)、インタロックスサドルなどが挙げられる。ランダムパッキングは、順序付けの方法で、又はランダムに(床として)、カラムに導入することができる。可能な材料には、ガラス、セラミック、金属及びプラスチックが含まれる。構造化パッキングは、順序付けのランダムパッキングのさらなる発展である。それらは規則的な構造を持っている。結果として、パッキンの場合、ガス流の圧力降下を減少させることが可能である。
構造化パッキングの種々の設計、例えば、織物パッキング又はシートメタルパッキングがある。使用された材料は、金属、プラスチック、ガラス及びセラミックであってもよい。
一般的には、吸収工程における吸収媒体の温度は、約30〜100℃であり、カラムを使用する場合には、例えば、カラムの頂部で30〜70℃であり、カラムの下部で50〜100℃である。一般的には、吸収工程における全圧は、一般に約1〜180バール、好ましくは約1〜100バールである。
本発明の法は、1つ以上の、例えば2つの連続的な吸収工程を含んでもよい。吸収は、複数の連続的な成分工程(component steps)で行うことができ、この場合には、酸性ガス成分を含む粗ガス各成分工程における吸収剤のサブストリームと接触させる。粗ガスと接触させる吸収剤は、既に部分的に酸性ガスを含んでいてもよく、すなわち、例えば、下流の吸収工程から第1の吸収工程に再利用された吸収剤、又は部分的に再生された吸収剤であってもよい。二段階吸収の性能に関しては、刊行物EP 0 159 495、EP 0 190 434、EP 0 359 991及びWO 00100271参照する。
好ましくは、方法は、CO及びHSを含む吸収剤を再生する再生工程を含む。該再生工程において、CO及びHS及び任意にさらなる酸性ガス成分が、CO及びHSを含む吸収剤から放出され、再生された吸収剤を得る。好ましくは、再生された吸収剤は、続いて吸収工程に再利用される。一般的には、再生工程は、加熱、減圧、及び不活性流によるストリッピングの少なくとも1つの手段を含む。
好ましくは、再生工程は、酸性ガス成分を含む吸収剤を加熱する工程を含む。吸収された酸性ガスは、溶液の加熱により得られた蒸気を用いて除去される。蒸気よりむしろ、窒素などの不活性流を使用することも可能である。脱着剤中の絶対圧力は、通常、0.1〜3.5バール、好ましくは1.0〜2.5バールである。温度は、通常、50℃〜170℃、好ましくは80℃〜130℃であり、当然、温度は圧力に依存する。
再生工程は、代わりに又はさらに、減圧工程を含んでもよい。これには、吸収工程の伝導に存在するような高圧からの低圧に、含まれた吸収剤を減圧する工程の少なくとも1つを含む。減圧工程は、例えば、スロットルバルブ及び/又は減圧タービンにより達成することができる。減圧段階を有する再生は、例えば、刊行物US 4,537,753及びUS 4,553,984に記載されている。
酸性ガス成分は、例えば、減圧カラム(例えば垂直又は水平に設けられたフラッシュ容器)又は内部装置を有する向流カラム中に、再生工程で放出することができる。
同様に、再生カラムは、ランダムパッキングを有し、構造化パッキングを有し、又はトレイを有するカラムであってもよい。再生カラムは、底部に、ヒーター、例えばボイラー、自然循環式蒸発器、強制循環式蒸発器又は強制循環式フラッシュ蒸発器を有する。最上部には、再生カラムは酸性ガス放出用の出口を有する。同伴される吸収媒体蒸気は、凝縮器で凝縮され、カラムに再循環される。
異なる圧力で再生が行われる複数の減圧カラムを直列に接続することが可能である。例えば、再生は、吸収工程における酸性ガス成分の分圧よりも高い高圧(典型的には約1.5バール)で予備減圧カラムで、及び低圧(例えば1〜2バールの絶対圧力)で主減圧カラムで行うことができる。2つ以上の減圧段階を有する再生は、刊行物US 4,537,753、US 4,553,984、EP 0 159 495、EP 0 202 600、EP 0 190 434及びEP 0 121 109に記載されている。
本発明は、添付の図面及び以下の実施例により詳細に説明される。
図1は、本発明の方法を行うことに適したプラントの概略図である。 図2は、吸収剤の相対的なCO吸収速度を測定するために使用された双撹拌セル配置の概略図である。 図3は、温度変化の関数とするMDEA及びMDEA+TBAEEAの水溶液のpHを示す。 図4は、ピペラジン、TBAEE及びTBAEEAを含む水性MDEA溶液のサイクル容量を示す。
図1によれば、入口Zを介して、硫化水素及び/又は二酸化炭素を含む適切に前処理したガスを、吸収器A1において吸収ライン1.01を介して供給する再生吸収剤と向流で接触させる。吸収剤は、吸収によりガスから硫化水素及び/又は二酸化炭素を除去する。これは、オフガスライン1.02を介して、硫化水素及び/又は二酸化炭素のないクリーンガスを提供する。
CO及び/又はHSを含む吸収剤が、吸収ライン1.03を介し、吸収ライン1.05に通じて伝導される再生された吸収剤からの熱で加熱される熱交換器1.04を介し、及び吸収ライン1.06を介して、脱離カラムDに供給して再生される。脱離カラムDの下部から、吸収剤を、ボイラー1.07に導入し、そこで加熱する。主な含水蒸気を脱離カラムD中で再利用し、再生された吸収剤が、吸収ライン1.05を介し、再生した吸収剤がCO及び/又はHSを含む吸収剤を加熱し、そして同時に再生した吸収材自体を冷却する熱交換器1.04を介し、吸収ライン1.08、冷却器1.09及び吸収ライン1.01を介して、吸収器A1にフィードバックされる。示したボイラーの代わりに、自然循環式蒸発器、強制循環式蒸発器又は強制循環式フラッシュ蒸発器などのストリッピング蒸気を生成する他の熱交換器タイプを使用することも可能である。これらの蒸発器タイプの場合には、再生した吸収剤とストリッピング蒸気との混合相流(mixed-phase stream)を、脱離カラムの底部に戻し、そこで蒸気と吸収剤とを相分離する。熱交換器1.04へ再生した吸収剤の供給は、脱離カラムの底部から蒸発器への循環流から抜き出すか、又は脱離カラムの底部から熱交換器1.04への別個のラインを介して直接に導入して行われる。
脱離カラムDにおいて放出されたCO及び/又はHS含有ガスは、オフガスライン1.10を介して脱離カラムDから出る。それを、一体化した相分離1.11を有する凝縮器中に導入し、そこで同伴される吸収剤蒸気から分離する。また、凝縮及び相分離は、互いに独立して行う。次に、吸収ライン1.12により、主に水からなる液体を脱離カラムDの上部に導入し、ガスライン1.13を介してCO及び/又はHS含有ガスを排出する。
図2において、以下の参照符号を使用する:A=CO貯蔵容器、B=双撹拌セル、C=温度調節器、D=計量バルブ、E=マノメーター。図2によれば、テストされる吸収剤の液相は、双撹拌セルBの下部に存在し、相境界を介してその上の気相と接触する。液相及び気相は、それぞれ撹拌機を用いて攪拌することができる。双撹拌セルBは、計量バルブDを介してCO貯蔵容器Aと接続する。双撹拌セルBに存在する圧力は、マノメーターEを用いて測定することができる。この測定において、二酸化炭素の体積流量を記録し、双撹拌セルBに一定の圧力を有するように該体積流量を調節する。
以下の略語を使用する:
TSC:双撹拌セル
HPCy:ジシクロヘキシルホスフィン
MDEA:メチルジエタノールアミン
MeOH:メタノール
MTBE:メチルtert−ブチルエーテル
TBAEE:2−(2−tert−ブチルアミノエトキシ)エタノール
TBAEEA:2−(2−tert−ブチルアミノエトキシ)エチルアミン THF:テトラヒドロフラン
実施例1
2−(2−tert−ブチルアミノエトキシ)エチルアミン(TBAEEA)の合成
A)触媒錯体Aの合成
Figure 0006559772
A1)4,5−ビス(ジシクロヘキシルホスフィノメチル)アクリジン
アルゴン雰囲気下で、65mLの無水脱気メタノール中の4,5−ビス(ブロモメチル)アクリジン(5.2g、14.2mmol)及びジシクロヘキシルホスフィン(8.18g、36.8mmol)の溶液を66時間で50℃に加熱した。室温まで冷却した後、トリエチルアミン(5.72g、56.7mmol)を添加し、混合物を1時間攪拌した。溶媒を蒸発して、赤いオイル中の黄色がかった白の固体を得た。濾過液を3x40mLのメチルtert−ブチルエーテル(MTBE)で抽出して濃縮し、赤褐色のオイル(H NMR:生成物とHPCyとの混合物)を得た。オイルを少量の温かいMTBEに取り込み、氷で冷やしたメタノールを添加したところ、黄色の微晶質固体の沈殿をもたらした。減圧下で分離して乾燥し、黄色粉末である空気に敏感な4,5−ビス(ジシクロヘキシルホスフィノメチル)アクリジン(2.74g、33%)を得た。
A2)触媒錯体Aの合成
80mLの脱気トルエン中の4,5−ビス(ジシクロヘキシルホスフィノメチル)アクリジン(1855mg、3.1mmol)及び[RuHCl(CO)(PPh(2678mg、2.81mmol)を70℃まで2時間加熱した。得た暗褐色の溶液を乾燥するまで濃縮し、残留物を3x20mLのヘキサンに懸濁して濾過により分離した。減圧下で乾燥して、橙褐色粉末である触媒錯体A(1603mg、75%)を得た。
B)2−(2−tert−ブチルアミノエトキシ)チルアミン(TBAEEA)合成
Figure 0006559772
最初に、アルゴン雰囲気下で、触媒錯体A(38.3mg)、THF(50mL)及びtert−ブチルアミノエトキシエタノールを、磁気的に結合された傾斜翼撹拌器(撹拌器の速度:200〜500回転/分)を有する160mLのParrオートクレーブ(V4Aステンレス製)に入れた。室温で予備濃縮したアンモニア(20.5g)を計量供給した。鋼製のオートクレーブを180℃まで電気的に加熱し、攪拌しながら(500回転/分)24時間加熱した(内部温度測定)。オートクレーブ中の反応混合物を180℃まで加熱した後、89バールの自生圧力に至った。室温までの冷却、オートクレーブの減圧及び標準気圧でアンモニアの脱ガスの後、反応混合物を、GC(「Rtx(登録商標)−5 アミン」カラム、長さ30m、内径0.32mm、d1.5μm、60℃−4℃/分−280℃)を用いて分析した。GCの面積%評価により、定量的な転化率で、90%の所望の2−(2−tert−ブチルアミノエトキシ)エチルアミンを生成した。示した6%の主な副生成物は、上記に示した環化モルホリン誘導体である。蒸留(0.5ミリバールで蒸留温度70℃)により生成物を精製した。
実施例2
40質量%のMDEA及び60質量%の水からなる混合物(2−1)、並びに、30質量%のMDEA、15質量%のTBAEEA及び55質量%の水からなる混合物(2−2)について、pHの温度依存性を測定した。pHが最大120℃まで測定することができる圧力装置を使用した。結果を図3に示す。TBAEEAを含む混合物(2−2)は、20℃で、MDEAを含む混合物(2−1)よりもはるかに高いpHを示す。pHは、CO又はHSが結合できる程度の尺度である。溶液のpHが高いほど、より多くのCO又はHSが結合することができる。換言すれば、吸収剤中に典型的に存在する低温では、高いpHが有利である。概して、TBAEEA+MDEAの混合物(2−2)は、MDEAを含む参照例(2−1)よりも大きな温度依存性を示す。TBAEEA及びMDEAを含む溶液(2−2)について、グラジェントは、−0.027pH単位/Kであるが、MDEA溶液(2−1)については−0.022pH単位/Kのみである。吸収された酸性成分が、より高い温度、及びそれに応じてより低いpH値で、より低いエネルギー消費を用いて、再び放出されるので、再生において、より高い温度とより低い温度との間の最大のpH差が有利である。
実施例3
図2の双撹拌セル(TSC)において、水性吸収剤の相対CO吸収率を測定した。
双撹拌セルは、85mmの内径及び509mLの容積を有していた。測定の間に、セルの温度を40℃に維持した。気相と液相とを混合するために、図2のセルは2つの撹拌器を含んでいた。測定の開始前に、双撹拌セルを排気した。所定容積の脱気した吸収剤を双撹拌セルに添加し、温度を40℃に調節した。未吸収の吸収剤の加熱の間には、攪拌器既にスイッチが入っていた。攪拌機の速度を、液相と気相との間に平面の相境界を形成するように選択した。相界面での波の発生は避けなければならない。何故ならば、そうしないと、予定していない相界面を形成するからである。所望の実験温度に達した後、計量バルブを用いて二酸化炭素を反応器に導入した。実験の全期間にわたって圧力を100ミリバールabsで一定に維持するように、体積流量を制御した。実験期間が長くなるにつれて、吸収媒体が徐々に飽和になり、吸収速度が低下したため、体積流量が減少した。全期間にわたって、体積流量を記録した。実験の開始時に、流量二酸化炭素流量は約4L(STP)/hであった。二酸化炭素流量が0.02L(STP)/h未満になるとすぐに実験を終了した。実験の終了時に、吸収媒体は平衡状態にあった。
下記の吸収剤を使用した:
3−1)MDEA(41質量%)の水性溶液
3−2)MDEA(30質量%)+TBAEE(15質量%)の水性溶液
3−3)MDEA(30質量%)+TBAEEA(15質量%)の水性溶液
実験の終了時に得た20%及び50%の増量(loading)(EQM)で、吸収速度を測定した。20%及び50%EQMでの吸収剤3−1の吸収速度で、値を標準化した。結果を以下の表に示す。
Figure 0006559772
本発明の実施例3−3においては、特定のCO増量に関係なく、比較例3−1及び3−2と比較して、吸収速度がよりはるかに高いことが分かる。
実施例4
サイクル容量を測定するため、以下の水性吸収剤に対して、増量実験及び次のストリッピング実験を行った:
4−1)30質量%のMDEA+8質量%のピペラジン
4−2)30質量%のMDEA+15質量%のTBAEE
4−3)30質量%のMDEA+15質量%のTBAEEA
使用した装置は、上に接続した還流冷却器を備える恒温ガラスシリンダーであった。還流冷却器を、約5℃の温度で運転し、増量及びストリッピング中に水及びアミンを排出することを防止した。
40℃で、100mLの吸収剤をガラスシリンダーに入れた。ガラスシリンダーの下端部のフリットを通して、8L(STP)/hの純粋なCOを吸収溶液に約4時間添加した。実験の終了時に、吸収剤中のCOの増量を、全無機炭素含有量(TIC)の測定によって決定した。
吸収した溶液を、同一構造の装置中に、80℃で窒素(8L(STP)/h)でストリップした。60分にわたって、吸収剤の試料を10分ごとに採取し、CO含有量を分析した。ストリッピング実験をさらに2時間継続し、最後に吸収剤中のCOの増量を測定した(ストリッピング総時間:180分)。増量実験の終わりに得たCO増量と、ストリッピング時間の関数として測定したCO増量との差を使用して、3種の吸収剤のサイクル容量を計算する。結果を図4に示す。
TBAEEAを含む混合物(4−3)は、ストリッピング時間に関係なく、最高のサイクル容量を有することが分かる。
実施例5
以下の吸収剤の揮発性を測定した:
5−1)41質量%のMDEA
5−2)30質量%のMDEA+15質量%のTBAEE 5−3)30質量%のMDEA+15質量%のTBAEEA
清浄化したガスと共に、又は吸収プラントから除去した酸性ガスと共にアミンの最小限の排出を確保するために、最小限の揮発性が有利である。
実施例4に記載している増量及びストリッピング装置による装置を使用した。ガラスシリンダーを50℃の温度まで加熱してこの温度を維持し、いずれの場合にも100mLの吸収剤を入れた。ガラスシリンダーの下端部のフリットを通して、20L(STP)/hの純粋なCOを吸収溶液に約8時間添加した。実施例4とは異なり、凝縮した液体を、ガラスシリンダーに戻さず、別々に収集し、実験の終了後にそれらの組成について分析した。結果を以下の表に示す。
Figure 0006559772
実施例5−3において、本発明の化合物TBAEEAの揮発性が、比較例5−1及び5−2中の化合物の揮発性よりもはるかに低いことが分かる。

Claims (15)

  1. 流体流から二酸化炭素及び/又は硫化水素を除去するための、一般式(I)、
    Figure 0006559772
    (式中、R、R及びRは、それぞれ独立して、C1〜4−アルキル及びC1〜4−ヒドロキシアルキルから選択され、
    各Rは、独立して、水素、C1〜4−アルキル及びC1〜4−ヒドロキシアルキルから選択され、
    各Rは、独立して、水素、C1〜4−アルキル及びC1〜4−ヒドロキシアルキルから選択され、
    mは、2、3、4又は5であり、
    nは、2、3、4又は5であり、
    oは、1〜10の整数である)
    の化合物の使用方法。
  2. 流体流から二酸化炭素及び/又は硫化水素を除去するための吸収剤であって、一般式(I)、
    Figure 0006559772
    (式中、R、R及びRは、それぞれ独立して、C1〜4−アルキル及びC1〜4−ヒドロキシアルキルから選択され、
    各Rは、独立して、水素、C1〜4−アルキル及びC1〜4−ヒドロキシアルキルから選択され、
    各Rは、独立して、水素、C1〜4−アルキル及びC1〜4−ヒドロキシアルキルから選択され、
    mは、2、3、4又は5であり、
    nは、2、3、4又は5であり、
    oは、1〜10の整数である)
    の化合物の水性溶液を含む吸収剤。
  3. 第1級アミノ基と直接に結合された炭素原子上のRラジカルが水素である、請求項2に記載の吸収剤。
  4. 前記吸収剤が少なくとも1種の有機溶媒を含む、請求項2又は3に記載の吸収剤。
  5. 前記吸収剤が少なくとも1種の酸を含む、請求項2から4のいずれか一項に記載の吸収剤。
  6. 前記吸収剤中の前記一般式(I)の化合物の濃度が、10質量%〜60質量%である、請求項2から5のいずれか一項に記載の吸収剤。
  7. 少なくとも1種の第3級アミン及び/又は立体障害の第1級若しくは第2級アミンも含む、請求項2から6のいずれか一項に記載の吸収剤。
  8. 前記第3級アミンがメチルジエタノールアミンである、請求項7に記載の吸収剤。
  9. 流体流から二酸化炭素及び/又は硫化水素を除去する方法であって、請求項2から8のいずれか一項に記載の吸収剤を体流と接触させる方法。
  10. 前記流体流が炭化水素を含む、請求項9に記載の方法。
  11. 前記流体流が、少なくとも3.0バールの全圧を有する、請求項9又は10に記載の方法。
  12. 再生工程b)が、加熱、減圧、及び不活性流によるストリッピングの少なくとも1つを含む、請求項9から11のいずれか一項に記載の方法。
  13. 一般式(Ia)、
    Figure 0006559772
    (式中、R、R及びRは、それぞれ独立して、C1〜4−アルキル及びC1〜4−ヒドロキシアルキルから選択され、
    各Rは、独立して、水素、C1〜4−アルキル及びC1〜4−ヒドロキシアルキルから選択され、
    各Rは、独立して、水素、C1〜4−アルキル及びC1〜4−ヒドロキシアルキルから選択され、
    mは、2、3、4又は5である)
    の化合物。
  14. 第1級アミノ基と直接に結合された炭素原子上のRラジカルが水素である、請求項13に記載の化合物。
  15. すなわち、2−(2−tert−ブチルアミノエトキシ)エチルアミンである、請求項13又は14に記載の化合物。
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