JP6557230B2 - 本質的に安全なodh操作 - Google Patents

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Description

本発明は、改善された安全性を有する酸化的脱水素化反応器および酸化的脱水素化方法に関する。アルケンへのアルカンの酸化的脱水素化のかなりの量の技術がある。典型的に、その方法は、酸素または酸素含有ガスの存在下で、約300℃〜750℃の温度で、酸化的脱水素化触媒上で、1つ以上のアルカンのストリームを通過させることを含む。高度の注意が爆発限界に達することから反応器フィード混合物を防止するために採られる必要がある。さらに、これがプロセス火災につながる可能性として、生成物ストリームからあらゆる残留酸素を除去することが非常に望ましい。
背景技術
パラフィンからオレフィンを製造するための水蒸気分解で様々なフェライトの使用を開示する1960年代後半に発行されペテロテックス・ケミカルコーポレーション(Petro−Tex Chemical Corporation)に譲渡された多くの米国特許がある。その特許は、Woskowらの名前で米国特許第3,420,911号および米国特許第3,420,912号を含む。特許は、亜鉛、カドミウム、マンガンフェライトなどを導入することを教示する(すなわち、酸化鉄との混合酸化物)。フェライトは、約250℃〜約750℃までの温度で、100psi(689.476kPa)未満の圧力で、2秒未満、典型的には、0.005〜0.9秒の時間で脱水素化ゾーンに導入される。反応は、「間違った」方向に平衡をシフトさせる傾向がある蒸気の存在下で行われるように見える。さらに、その反応は、触媒の存在下で行われない。
上記ペテロテックス特許に一部対応するように思われる、英国特許第1,213,181号は、ニッケルフェライトが酸化的脱水素化方法で使用されうることを開示する。反応条件は、上記ペテロテックス特許のものに相当する。
ペテロテックス特許において、金属フェライト(例えば、MFeO、例えば、MはMg、Mn、Co、Ni、ZnまたはCdである)は、脱水素化ゾーンを循環され、フェライトが再酸化される再生ゾーンを通って、脱水素化ゾーンに返ってくる。
フェライトは可逆的に酸素を吸収し、酸素を放出することに注目することは、興味深い。
2005年5月10日にLiuに発行され、Symyx Technologies, Incに譲渡された米国特許第6,891,075号は、エタンなどのパラフィン(アルカン)の酸化的脱水素化のための触媒を教示する。ガス状の原料は、少なくともアルカンと酸素を含むが、また、(アルゴン、窒素などの)希釈剤や(水または二酸化炭素のような)他の成分を含んでもよい。脱水素化触媒は、少なくとも約2重量%のNiOと広範な他の元素、好ましくは、Nb、Ta、およびCoを含む。NiOが触媒に存在する一方、アルカン(エタン)の酸化的脱水素化のための酸素の供給源であることが現われない。
2003年2月18日にOzkanらに発行され、オハイオ州立大学に譲渡された米国特許第6,521,808号は、エチレンへのエタンの酸化的脱水素化のためのゾル−ゲル担体触媒を教示する。触媒は、混合シリカ酸化物/チタン酸化物担体上で少量のLi、Na、K、Rb、およびCsでドープ可能なNi−Co−Mo、V−Nb−Moのような混合金属系であると思われる。再び、触媒は、酸化的脱水素化のための酸素を提供せず、むしろガス状酸素は、フィードに含まれる。
1984年5月22日にEastmanらに発行され、Phillips Petroleum Companyに譲渡された米国特許第4,450,313号は、組成物LiO−TiOの触媒を開示し、それは、エチレンへのかなり高い選択性にもかかわらず(92%)、10%を超えない低エタン変換によって特徴付けられる。この触媒の主な欠点は、650℃に近いまたは650℃より高い、酸化的脱水素化の方法の高い温度である。
エチレンへのエタンの低温酸素脱水素化に使用可能な担体触媒の調製は、Union Carbide Corpに譲渡された1986年6月24日の米国特許第4,596,787 A号に開示される。エチレンへのエタンの低温ガス相酸化的脱水素化のための担体触媒は、(a)金属化合物の可溶性と不溶性の部分を有する前駆体溶液を調製すること;(b)可溶性部分を分離すること;(c)触媒担体に可溶性部分を含侵すること、および(d)触媒を得るために含侵された担体を活性化することによって調製される。焼成触媒は、組成物MoNbSbを有する。Xはない、またはLi、Sc、Na、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ti、Zr、Hf、Y、Ta、Cr、Fe、Co、Ni、Ce、La、Zn、Cd、Hg、Al、Tl、Pb、As、Bi、Te、U、Mnおよび/またはWであり;Xが存在する場合、aは0.5〜0.9であり、bは0.1〜0.4であり、cは0.001〜0.2であり、dは0.001〜0.1であり、eは0.001〜0.1である。
モリブデン、バナジウム、ニオブよびアンチモンを含む焼成酸化物触媒を使用するエチレンへのエタンの低温酸素脱水素化の別の例は、1985年6月18日の米国特許第4,524,236 A号と1981年2月10日の米国特許第4,250,346 A号に記載され、両特許はUnion Carbide Corpに譲渡された。焼成された触媒は、酸化物の形でMoNbSbを含む。触媒は、可溶性化合物および/または錯体および/または金属のそれぞれに化合物から調製される。乾燥された触媒は、空気中または酸素中で、220〜550℃で加熱によって焼成される。触媒前駆体溶液は、担体、例えば、シリカ、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、チタニアまたはこれらの混合物上で保持されてもよい。エチレンへの選択性は、エタンの50%変換のために65%より大きくてもよい。
2003年9月23日にBharadwajらに発行された米国特許第6,624,116号および2003年5月20日にBharadwajらに発行された米国特許第6,566,573号の両方は、Dow Global Technologies Inc.に譲渡され、T>750℃で自熱レジームで試験されているPt−Sn−Sb−Cu−Ag単体システム、原料ガス混合物は水素を含んだ(H:O=2:1、GHSV = 80,000/時間)ことを開示する。触媒組成物は、本発明のそれと異なり、本発明は、フィードで分子状水素の使用を企図しない。
1985年6月18日にMcCainに発行されUnion Carbide Corporationに譲渡された米国特許第4,524,236号および1990年2月6日にManyikらに発行されUnion Carbide Chemicals and Plastics Company Inc.に譲渡された米国特許第4,899,003号は、V−Mo−Nb−Sbの混合金属酸化物触媒を開示する。375〜400℃で、エタン変換は、71〜73%に近い選択性で70%に達した。しかしながら、これらのパラメータは、900/時間(すなわち、720/時間)未満の非常に低いガス毎時空間速度でのみ到達された。
日本国特許第07053414号は、式Mo.V0.3Nb0.12Te0.23のシリカ担体触媒を教示し、式中、nはエタンの脱水素化のための触媒の価数を満たす。
2008年1月15日にLopez−Nietoらに発行され、Consejo Superior de Investigaciones CientificasとUniversidad Politecnica de Valenciaに譲渡された米国特許第7,319,179号は、50〜70%のエタン変換と360〜400℃で95%までのエチレンに対する選択性(38%変換)を提供するMo−V−Te−Nb−O酸化物触媒を開示する。触媒は、実験式MoTeNbを有し、式中、Aは、第5修飾要素である。触媒は、焼成された混合酸化物(少なくとも、Mo、Te、VおよびNb)であり、任意に、(i)シリカ、アルミナおよび/またはチタン、好ましくは、総担持触媒の20〜70重量%のシリカ、または(ii)シリコンカーバイド上で保持される。担持触媒は、溶液からの沈殿の従来の方法によって調製され、沈殿物を乾燥し、次いで焼成する。
Mo−Te−V−Nb組成物の調製は、2005年6月30日に公開されたWO 2005058498 A1(米国公開出願第2007149390A1号に相当)に記載される。触媒の調製は、Mo、V、Te、およびNbのイオン種を含む少なくとも1つの溶液と不活性セラミック担体を組み合わせることによってスラリーを調製すること、スラリーを乾燥させ粒状生成物を得ること、空気を含む酸素で、150〜350℃で乾燥生成物を予備焼成すること、不活性雰囲気下で、350〜750℃で乾燥生成物を焼成することを含む。調製された触媒は、非担持触媒に匹敵する酸化反応で、活性および選択性を示す。
反応器内でバナジウム、モリブデン、タンタルおよびテルルを含む混合酸化物触媒とフィードを接触させエチレンの排出物を形成することを含む、エタンを含むガス状フィードと酸素からエチレンの調製の方法は、Celanese Int. Corpに譲渡された2006年12月7日のWO 2006130288 A1に開示される。触媒は、50〜80%のエチレンに対する選択性を有し、それによって、エタンの酸化を可能にし、高選択性でエチレンと酢酸を製造する。触媒は、式Mo0.3Ta0.1Te0.3を有する。触媒は、任意に、多孔質二酸化ケイ素、発火二酸化ケイ素、珪藻土、シリカゲル、多孔性および非多孔性酸化アルミニウム、二酸化チタ、二酸化ジルコニウム、二酸化トリウム、酸化ランタン、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化スズ、二酸化セリウム、酸化亜鉛、酸化ホウ素、窒化ホウ素、炭化ホウ素、リン酸ホウ素、リン酸ジルコニウム、ケイ酸アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、およびガラス、炭素、炭素繊維、活性炭素、金属坂物または金属ネットワークおよび対応するモノリスから選択される担体上で保持され;または材料(好ましくは、二酸化ケイ素(SiO)、五酸化リン(P)、酸化マグネシウム(MgO)、三酸化クロム(Cr)、酸化チタン(TiO)、酸化ジルコニウム(ZrO)またはアルミナ(AlO))で封入される。しかしながら、担持組成物の調製の方法は、湿式化学の手順を含む(溶液は、固体担体に含侵され、次いで、材料は、乾燥、焼成される。)。
1993年4月13日にMinetらに発行されMedalert Incorporatedに譲渡された米国特許第5,202,517号は、エチレンへのエタンの従来の脱水素化に使用されるセラミックチューブを教示する。その「チューブ」はセラミック膜であり、エタンは、チューブ内に流れ、水素は、反応速度論を改善するためにチューブから拡散する。反応性セラミックは、1.5〜2ミクロン厚さの担体上で5ミクロンの厚さである。
2004年11月16日にAdrisらに発行され、SABICに譲渡された米国特許第6,818,189号は、9および10の橋渡しの頁で、セラミックペレットが管状反応器の周囲に配置され、異なる反応物質がチューブの外側と内側を流れることを教示する。その特許は、エチレンのエタンの酸化的脱水素化に向けられる。
1975年9月9日にLoらに発行され、El Paso Products Companyに譲渡された米国特許第3,904,703号は、酸化的脱水素化のためのゾーンに続く区画に分けられたまたは層状の酸化反応器を教示し、水へ水素を酸化する酸化的脱水素化ゾーンに続く「酸化ゾーン」がある。酸化ゾーンに続いて、反応物が次の脱水素化ゾーンに入る前に、反応物から水を除去するための吸着ベッドがある。これは、下流の脱水素化触媒の水の影響を低減するためである。
Arnoldらの名前で2010年10月7日に公開され、Lummusに譲渡された米国特許出願第2010/0256432号は、86〜94段落で、生成物ストリームからの残留酸素を除去する方法を開示する。水素または炭化水素のような可燃性は、生成物ストリームに追加されて残留酸素を除去することができる。その特許は、触媒に言及するが、その組成物を開示しない。上記のように、その後、水を除去する生成物ストリームを処理する必要があるかもしれない。
2013年3月12日にDieterileらに発行され、BASFに譲渡された米国特許第8,394,345号は、現在のアプローチの代表的なものでありうる。その特許は、アクロレインまたはアクリル酸へのプロペンのような最終生成物に炭化水素の部分触媒酸化のためのプロセスのためのものである。そのプロセスは、プロピレンの爆発限界の外(32〜33段落)で動作するように表示される。さらに、最終生成物ストリームは、少量の酸素(1.5〜3.5容量%、37段落10行目)を含む。最終生成物(アクリル酸)中の残留酸素含量は、本発明に対する懸念であることが現われない。その特許は、むしろその場で触媒を再生するとして、本発明から離れて教える。
Weisらに2011年8月16日に発行され、GRT, Inc.に譲渡された米国特許第7,998,438号は、ハロゲン化(臭素化)を含む高級炭化水を製造する低級炭化水素のカップリング工程に続いてハロゲンの酸化的除去および最終生成物を製造するための中間体化合物を教示する。その特許は、前に教示するように、重要であり、そのプロセスで使用される触媒の1つを燃やして石油をなくしてフィードを逆転する。その特許は、残留酸素を除去する反応ゾーンを通って生成物を再生利用することを教示する。
それは、酸化的脱水素化プロセスの生成物ストリームから残留酸素を除去する米国特許出願2010/0256432号の公開日の少なくとも2010年10月7より早く知られていた。しかしながら、そのアプローチは、炭化水素または水素を燃やすことによって酸素を消費することであった。これは、高価であり、所望の炭化水素の収率と選択性を減らす。
本発明は、触媒ベッドの上にストリームを通すことにより、酸化的脱水素化反応からの生成物ストリームにおいて酸素含量を減らし、生成物ストリームからの酸素を抽出する単純な方法を提供し、少なくとも部分的に、触媒のための酸素源を提供することを目的とする。
本発明は、1つ以上のC2−4アルカンの触媒酸化的脱水素化方法であって、混合金属酸化物酸化的脱水素化触媒で酸素を取り込む該触媒系の存在下、前記アルカンの酸化的脱水素化のためのn個の予備反応器を含み、nは2以上の整数であり、1つ以上の下流の主要酸化反応器は以下のステップを含む上記触媒酸化的脱水素化方法を提供する:
i)酸化的脱水素化触媒が反応性酸素を枯渇するまで、フィードストリームの少なくとも一部で酸化的脱水素化するために、300℃〜500℃の温度でかつ3.447kPag〜689.47kPag(0.5〜100psig)の圧力で1つ以上のC2−4アルカンを含むフィードストリームをn−1個の予備反応器のうちの1つ以上に通すステップ;
ii)フィードストリームを予備反応器からそらし、酸化的脱水素化触媒が予備反応器への反応性酸素を枯渇され、酸化的脱水素化触媒が実質的に反応性酸素で飽和されるステップ;
iii)前記1つ以上のC2−4アルカンの酸化的脱水素化のために、300℃〜500℃の温度でかつ3.447kPag〜689.47kPag(0.5〜100psig)の圧力で、追加の酸素フィードと一緒に前記n−1個の予備反応器からの生成物ストリームを1つ以上の下流の反応器に通すステップ;
iv)対応するC2−4アルケン、未反応のC2−4アルカン、未反応の酸素および水[蒸気]を含む1つ以上の下流の反応器から生成物ストリームを除去し、50℃〜300℃の温度でかつ3.447kPag〜689.47kPagの圧力で、それを反応性酸素の枯渇された1つ以上の予備反応器に通し、生成物ストリームで酸素を複合体化し、酸化的脱水素化触媒の反応性酸素飽和を増大させ、酸素を実質的に含まない生成物ストリームを回収するステップ;
v)以下のa)またはb)のいずれかまでステップiv)を継続するステップ:
a)生成物ストリームが通される予備反応器とは別の反応性酸素のより枯渇した予備反応器がある;または
b)予備反応器中の酸化的脱水素化触媒は、実質的に反応性酸素で飽和される;
vi)前の反応性酸素枯渇予備反応器からより反応性の酸素枯渇予備反応器に生成物ストリームの流れを切り替えるステップ;および
vii)必要な場合、反応性酸素と一緒の前記前の反応性酸素枯渇予備反応器で酸化的脱水素化触媒を飽和するステップ;および
viii)前の酸素枯渇予備反応器をライン上につなげるステップ。
さらなる態様において、任意の反応器で酸化的脱水素化触媒が、独立して、以下からなる群から選択される:
i)式VMoNbTeMeの触媒
式中、MeはTa、Ti、W、Hf、Zr、Sbおよびそれらの混合物からなる群から選択される金属であり;および
xは、0.1〜3であり、ただし、Meが存在しない場合、xが0.5より大きいことを条件とする;
yは、0.5〜1.5であり;
zは、0.001〜3であり;
mは、0.001〜5であり;
nは、0〜2であり
およびpは、混合酸化物触媒の原子価状態を満足する数であり、
ii)式MoNbTedの触媒
式中、aは、0.75〜1.25、好ましくは0.90〜1.10であり;
bは、0.1〜0.5、好ましくは0.25〜0.3であり;
cは、0.1〜0.5、好ましくは0.1〜0.3であり;
eは、0.1〜0.3、好ましくは0.1〜0.2であり;および
dは、他の元素の酸化状態によって決定される。
さらなる態様において、前記1つ以上の下流反応器が、500〜30000/時間、好ましくは、1000/時間より大きいガス毎時空間速度(GHSV)で動作される。
さらなる態様において、予備反応器は固定床反応器であり、酸化的脱水素化触媒が不活性金属酸化物担体に保持される。
さらなる態様において、前記1つ以上の下流反応器は、固定床反応器、流動または沸騰床反応器、およびセラミック膜反応器からなる群から選択される。
さらなる態様において、本発明の方法は、85%より大きい、好ましくは95%より大きい前記1つ以上のC2−4アルケンに対する選択性を有する。
さらなる態様において、前記1つ以上のC2−4アルカンはエタンである。
図1は、本発明を実施するための装置の概略図とプロセスフローである。
図2は、酸化的脱水素化がセラミックチューブの表面で起こる主要な反応器の概略図である。
図3は主要反応器の概略図であり、酸化的脱水素化は、セラミックチューブの表面で起こる。
図4は、担体としての80%のTiOを有するMo−V0.3−Nb0.2−Te0.1−O触媒に対するガスフロースイッチ[空気→エタン]の後の375℃と200℃の時間の関数としてエチレン生成の反応プロファイル(Dynamics)を示す。
図5は、担体としての80%のTiOを有するMo−V0.3−Nb0.2−Te0.1−Oに対するガスフロースイッチ[空気→エタン]後の375℃と400℃の時間の関数としてのCO形成の反応プロファイル(Dynamics)を示す。
図6は、担体としての80%のTiOを有するMo−V0.3−Nb0.2−Te0.1−O触媒に対するガスフロースイッチ[空気→エタン]後の375℃と400℃で時間のエチレン形成の選択性を示す。
図7は、270℃と400℃で80%のTiO上で保持されるMo−V0.3−Nb0.2−Te0.1−Oの予備還元触媒によるモデルガス混合物からO除去の反応プロファイル(Dynamics)を示す。
図8は、270℃と400℃で80%のTiO上で保持されるMo−V0.3−Nb0.2−Te0.1−Oの予備還元触媒によってモデルガス混合物を供給後、CO(A)および CO(B)形成の反応プロファイル(Dynamics)を示す。
図9、図10および図11は、酸化的脱水素化反応器で生成物ストリームから酸素を除去するために使用することができる一連の3つの固定床触媒の方法を示す。 図9、図10および図11は、酸化的脱水素化反応器で生成物ストリームから酸素を除去するために使用することができる一連の3つの固定床触媒の方法を示す。 図9、図10および図11は、酸化的脱水素化反応器で生成物ストリームから酸素を除去するために使用することができる一連の3つの固定床触媒の方法を示す。
本発明を実施するための最良の形態
数値範囲
[1]操作例または別段の示差がある以外は明細書および特許請求の範囲で使用される全ての数値または成分の量、反応条件等に言及する表現は、用語「約」によって全ての場合において修飾されるものと理解されるべきものである。したがって、それとは反対に言及されない限り、以下の明細書および添付の特許請求の範囲に記載される数値パラメータは、本発明が得たい特性に応じて変化することができる近似値である。最低限でも、そして特許請求の範囲に対する均等論の適用を制限する試みとしてではなく、各数値パラメータは、少なくとも報告された有効数字の数に照らして、そして通常の四捨五入の技術を適用することによって解釈されるべきである。
[2]本発明の広い範囲を記載する数値範囲およびパラメータは近似値であるにもかかわらず、特定の実施例に示される数値は、可能な限り正確に報告される。しかしながら、任意の数は、本質的にそれぞれに試験測定において見出される標準偏差から必然的に生じる特定の誤差を含む。
[3]また、本明細書に記載される任意の数値範囲は、その中に包含される全ての部分的な範囲を含むことが意図されることは理解されるべきである。例えば、「1〜10」の範囲は、1という記載される最小値と10という記載される最大値の間にある、そしてそれらを含む全ての部分的な範囲を含むことが意図される;すなわち、1に等しいまたは1より大きい最小値と10に等しいまたは10より大きい最大値を有する。開示された数値範囲は連続的であるため、それらは、最小値と最大値の間のあらゆる値を含む。別段の明示的な指示がない限り、本出願において記載される様々な数値範囲は、近似値である。
[4]本明細書で表される全ての組成範囲は、合計で100%(体積%および重量%)に制限され、実際には100%を超えない。複数の成分が組成物に存在しうる場合、各成分の最大量の合計は、100%を超えることがあるものの、当業者が容易に理解するように、実際に使用される成分の量は、最大で100%に一致するであろうことは理解される。
開示において、「反応性酸素」は、酸化的脱水素化反応で使用され、触媒から除去されるために利用可能な酸化的脱水素化触媒によって取り込まれる酸素を意味する。
開示において、用語「枯渇反応性酸素」は、予備反応器で触媒に言及する場合、絶対的な酸素枯渇を意味することを意図しない。むしろ触媒で残留反応性酸素のレベルが十分に低いので、触媒によって取り込まれた最大量の酸素の25%未満、好ましくは15%未満、最も好ましくは10%未満があることを意味する。活性酸素を放棄した後、触媒は、酸素を放棄しない金属酸化物を含む。
実質的に、反応性酸素での飽和は、反応性酸素の60%以上、好ましくは70%以上、最も好ましくは85%以上が、酸化的脱水素化触媒で複合体化されることを意味する。
触媒系
発明に従って使用されることができる多くの触媒がある。以下の触媒系は、個別に、または組み合わせて使用されることができる。当業者であれば、組み合わせは、触媒の組み合わせが使用される場合、任意の拮抗作用があるかどうかを決定するために実験室規模で試験されるべきであることを理解するであろう。
触媒の1つの特に有用なファミリーは、以下の式の混合酸化物触媒からなる群から選択される1つ以上の触媒を含む:
i)VMoNbTeMe
式中、Meは、Ti、Ta、Sb、Hf、W、Y、Zn、Zr、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Sn、Bi、Pb、Cr、Mn、Fe、Co、Cu、Ru、Rh、Pd、Pt、Ag、Cd、Os、Ir、Au、およびそれらの混合物からなる群から選択される金属であり;および
xは、0.1〜3、好ましくは0.5〜2.0、最も好ましくは0.75〜1.5であり、ただしMeが存在する場合、xは0.5より大きく;
yは、0.5〜1.5、好ましくは0.75〜1.0であり;
zは、0.001〜3、好ましくは0.1〜2、最も好ましくは0.5〜1.5であり、
mは、0.001〜5、好ましくは1〜4であり、
nは0〜2、好ましくは、nは0であり、しかしながら、Meが存在する場合、nは、好ましくは0.5〜1.5であり;および
pは、混合酸化物触媒の原子価を満たす数であり;および
ii)式MoNbTeの触媒
式中、aは、0.75〜1.25、好ましくは0.90〜1.10であり;
bは、0.1〜0.5、好ましくは0.25〜0.3であり;
cは、0.1〜0.5、好ましくは0.1〜0.3であり;
eは、0.1〜0.3、好ましくは0.1〜0.2であり;および
dは、他の元素の酸化状態によって決定される。
さらなる態様において、グループi)の触媒において、x:mの比は、0.3〜10、最も好ましくは、0.5〜8、望ましくは0.5〜6である。
一般的に、溶液は触媒に対して選択される金属の化合物を調製され、粒状触媒または担持触媒のいずれかが形成される。
触媒を調製する方法は、当業者に知られている。例えば、触媒は、水酸化物、硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン、低級(C1−5)モノまたはジカルボン酸およびアンモニウム塩または金属酸それ自体など溶解性金属化合物の水溶液を混合することによって調製されうる。例えば、触媒は、メタバナジン酸アンモニウム、シュウ酸ニオブ、モリブデン酸アンモニウム、テルル酸などの溶液を混合することによって調製されることができた。次いで、得られた溶液は、100〜150℃で空気中で典型的に乾燥され、200〜600℃、好ましくは300〜500℃で、N、He、Ar、Neおよびそれらの混合物からなる群から選択されるものなど不活性ガスの流れの中で焼成される。焼成ステップは、1〜20、典型的には5〜15、通常約10時間かかることがある。得られた酸化物は、砕けやすい固体で、典型的に水に溶けない。
担体
酸化的脱水素化触媒が保持されることができるいくつかの方法がある。
1つの態様において、担体は、主要反応器で酸化的脱水素化触媒のために、好ましくは、20m/g未満、より好ましくは15m/g未満、望ましくは3.0m/g未満の低い表面積を有しうる。酸素スカベンジング触媒にとって、より高い表面積は、典型的に100m/gより大きいことが好まれる。担体は圧縮成形によって調製されうる。より高い圧力では、セラミック前駆体中の隙間は圧縮されて崩壊している。担体前駆体上で加わる圧量に応じて、担体の表面積は約15〜0.5m/g、好ましくは10〜0.5m/g、望ましくは5〜0.5m/g、最も好ましくは3.0〜0.5m/gであってもよい。
間隙が発火源を提供する酸化剤でのみ満たされうる低減された可能性がある低表面積担体を用いる安全上の利点がある。
低表面積の担体は、球体、リング、サドルなど、任意の従来の形状とすることができた。担体のこれらの型は、ガス状反応物の混合ストリームが保持された触媒上を通り、エタンがエチレンに変換されるより従来の反応器で使用される。本発明に従うと、触媒は、予備反応器において、少なくとも部分的に、それらの上に主要酸化的脱水素化反応器からの生成物ストリームを通し、生成物ストリームからの残留酸素を抽象化することにより再生される。必要であれば、予備反応器は、単離することができ、さらに酸素または酸素含有ガスで処理されることができた。
以下に記載される代替の態様において、1つ以上の下流反応器(主要反応器)で触媒は、セラミック表面上で反応する酸化物とエタンを可能にするセラミックの反対表面上で1つの反応物と他の反応物の流れの少なくとも一部を決める透過性セラミック膜の表面で保持されうる。
担体が使用前に乾燥されることは重要である。一般的に、担体は、少なくとも200℃で、24時間まで、典型的には、500℃〜800℃の温度で約2〜20時間、好ましくは4〜10時間、加熱されうる。得られた担体は、吸着水がなく、担体の約0.1〜5mmol/g、好ましくは担体の0.5〜3mmol/gの表面ヒドロキシル含量を有するべきである。
シリカ中の水酸基の量は、J. B. PeriおよびA. L. Hensley, Jr.によってJ. Phys. Chem., 72 (8), 2926, 1968において開示される方法に従って決定されてもよく、全体の内容は、参考として本明細書中に包含される。
乾燥された担体は、次に圧縮成形によって要求される形に圧縮されうる。担体の粒径に応じて、圧縮された部分の形状を保持する不活性結合剤と組み合わされることができる。
触媒に対する担体は、二酸化ケイ素、溶融二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化スズ、酸化ホウ素、窒化ホウ素、炭化ホウ素、リン酸ホウ素、リン酸ジルコニウム、酸化イットリウム、ケイ酸アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素およびそれらの混合物からなる群から選択されル酸化物、二酸化物、窒化物、炭化物およびリン酸塩から形成されるセラミックまたはセラミック前駆体でありうる。必要な場合、担体はその形状を助けるために結合剤を含むことができた。
セラミック膜を形成するために好ましい成分は、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、シリコンおよびそれらの混合物の酸化物を含む。
上記のように、主要反応器中の担体は、好ましくは10m/g未満、さらに好ましくは5m/g未満、最も好ましくは3m/g未満の低表面積を有するべきである。担体は、圧縮成形によって調製されうる。より高い圧力で、セラミック前駆体内の隙間は圧縮されて崩壊している。担体前駆体上で加わる圧力に応じて、担体の表面積は、15m/g未満であるべきである。担体は、多孔質であり、約0.1〜3.0ml/g、典型的には0.3〜1.0ml/gの細孔容積を有するだろう。セラミックの孔径は小さくてもよい。好ましい孔径(直径)は、約3〜10nmの範囲である。膜を横切る圧力低下を維持するのを助けるように、細孔径がセラミック膜適用で役立つので、膜の破損は圧力の急激な変化によって容易に検出される。また、細孔径が膜の全体の触媒表面上に反応のより均一な分布を促進する。すなわち、より大きな孔が使用される場合、酸素の大部分は、酸素含有ガスが最初に接触することになるセラミックの部分を通って拡散する傾向がある。セラミックの残りの部分は、大部分が未使用である。
セラミック担体は、従来の技術を使用してセラミック材料から調製されうる。例えば、出発物質がきれいにされ、洗浄および乾燥(または、噴霧乾燥)され、セラミックと必要なグラウンドのところのゾル/ゲルから製造され、または適切な粒径に粉砕されうる。粉末は、セラミックの孔径を変化させる酸または塩基洗浄として、選鉱に付すことができる。
得られた粉末は乾燥または焼成されて上記のような関連する水(水和の水等)が除去され、例えば、約5〜200MPa(725〜29,000psi)の圧力で、バインダーと一緒にまたはバインダーなしで圧縮成形または静水圧圧縮および粒子を溶解する温度(例えば、セラミック材料の溶解温度の約0.5〜0.75の温度)で焼結することによって、適切な基質、好ましくは管状に形成されてもよい。
スラリーのテープキャスティングまたはスリップキャスティングおよび続く円形、正方形または環状等などの必要な形状「のパンチ」など、他の技術が使用されてもよい。例えば、環状のセクションは、「チューブ」を製造するために「スタック」されることができた。
チューブは、一般的に、円筒形と考えられるが、正方形、長方形、六角形または星などの任意の断面形状を有することができた。非円筒チューブの場合、壁部は、スリップキャスティング、次いで外側セラミック壁によって定義される中央通路を一緒に形成する壁部を密閉して接合することによって作られることができた。接合は、エタンフィードと接触し入る酸素と爆発性混合物を形成することを防止するために密封される必要がある。ガラスセメントまたはセラミックセメントまたはスリップは、この目的のために使用されただろう。気密シールはまた、反応器に入りおよび反応器をでる、または反応器の鋼部に接合するところのチューブの端部にあることが必要である。
いくつかの態様において、セラミックチューブが用意されると、触媒は、エタンと接触されるチューブの表面上に堆積されうる。
セラミック膜は、約0.1〜10cm、典型的には1〜8cm、好ましくは2〜7cmの厚さを有してもよい。
セラミックスは強い一方、それらは脆いことがある。少なくもと一方の側、好ましくはセラミックチューブの外側の支持構造を有することが好ましい。最も好ましくは、チューブの外側と内側で担体構造がある。構造は、触媒を担持するチューブの表面で反応する担体とセラミックを通る酸素含有ガスを可能にするためにそこを通る穴を有するメッシュまたはウェブの形態であるべきである。担体は、反応器動作温度で使用するのに適した任意の材料であってもよい。コストの観点から、スチールメッシュは、最も費用効果的であるようである。好ましくは、鋼はステンレス鋼である。セラミックが破られる場合(例えば、クラックになる等)、担体構造は、反応器の停止を可能にするチューブを十分な完全性で提供すべきである。
次に、1つ以上のチューブが反応器の内部に配置される。1つの態様において、反応器は、反応器シェルとセラミックチューブとセラミックチューブを通る酸素含有ガスの流れの間の通路を通って原料の栓流(例えば、主に、エタン)を有するように設計される。思い浮かぶ多くの配置がある。反応器は、適切な長さのチューブを提供するためにエンド−エンドが置かれたいくつもの短いチューブを含むことができた。または設計は、酸素含有ガスが一緒に通される多くの平行チューブを有するコアシェル熱交換機に類似することができ、囲まれたシェルが反応器の外壁とエタンに対する流路を決定するセラミックチューブの間の通路を提供する。流路は、逆にされることがあった(チューブの内側のエタンとチューブの外側の酸素)。
本発明の1つの態様において、主要反応器内の触媒は、セラミック膜状上にあり、予備反応器の場合、以下に記載のような高い表面微粒子担体上にある。
主要反応器中の触媒が低表面積を有する粒状ベッドの形態である本発明の態様は、図1に関連して説明する。アルカンの供給原料、好ましくはエタンは、ライン1を通ってバルブセット2に流れ、ライン3を通って予備反応器4、予備反応器4と17の対の一方に流れる。予備反応器4と17において、触媒の単一固定ベッドがあるが、示されていない。そのベッドは、2つの多孔質膜または十分に小さいメッシュサイズの開いた金属メッシュの間の位置に保持されるので、粒子はベッドの外を通らず、再び示されていない。フィードは、予備反応器4を通り、部分的に酸化的脱水素化され、触媒ベッドは反応性酸素が枯渇する。部分的な脱水素化フィードは、予備反応器4から他のバルブセット6の出口ライン6を通る。部分的な脱水素化フィードは、ライン7を介するバルブセット6から下流反応器8の上端に流れる。酸化剤、典型的には、空気または酸素または酸素と窒素やアルゴンなどの不活性ガスの混合物は、ライン9を通って流れ、反応器8の上端付近でフィードライン7に入る。酸素と部分的に脱水素化されたフィードの混合フィードは、触媒10、11および12の3つの固定ベッドを通って流れる。触媒ベッドと追加の酸素の間のスペースがあり、ライン11と13を介して触媒ベッドの間のスペースに供給される。少量の酸素(典型的には、5体積%未満、好ましくは3体積%未満)を含む実質的に脱水素化された生成物ストリームは、ライン15を介してバルブセット6に供給される。脱水素化フィードは、ライン16を介するバルブセット6を通って反応性酸素が枯渇または実質的に枯渇される予備反応器17に通る。生成物ストリームが予備反応器17を通る場合、酸素は、それから抽出され、酸化的脱水素化触媒は、反応性酸素でより飽和されるようになる。実質的に酸素の枯渇された生成物ストリームは、ライン18を介してバルブセット2に供給される。生成物は、回復とさらなる処理のために、バルブセット2からライン19を通る。
予備反応器4は反応性酸素が枯渇した場合、次いでバルブセット2と6は、切り替えられので、アルカンフィードは、予備反応器17に供給され、反応器8からの生成物は、予備反応器4に供給されるので、それは反応性酸素でさらに飽和(チャージ)されることになる。
いくつかの場合(例えば、起動時に)、酸素は、酸素でそれを「チャージ」するために典型的には100m/gより大きい、好ましくは150m/gの高表面積を有する担体上で保持される触媒を含む予備反応器に供給されうる。これは、様々な予備反応器の間の反応時間のバランスをより多くとるので、予備反応器の脱水素化する供給原料は反応性酸素が枯渇される予備反応器の完全な「チャージ」を可能にするのに十分に長い操作を有するだろう。
ライン15からの生成物ストリームを酸化し、1つ以上の一酸化炭素と二酸化炭素を製造するための可能性を最小限にすることが重要である。そのような酸化は、貴重なフィードと生成物ストックを消費し、望ましくない副生成物を導入し、プロセスの変換と選択性を低減する。フィードと生成物の望ましくないさらなる酸化を最小限にするために、生成物ストリーム(例えば、化学吸着)からの酸素を吸着する場合、予備反応器中の温度が、酸化的脱水素化のための温度以下(例えば、50℃〜約300℃、好ましくは270℃未満)に保たれることが重要である。化学吸着または生成物ストリームからの酸素スカベンジングプロセス中の予備反応器において、温度は約270℃、好ましくは40℃から約270℃まで、典型的には100℃〜250℃以下であるべきである。酸化的脱水素化モードおよび化学吸着または酸素スカベンジングモードにおける予備反応器の間の温度差の観点で、化学吸着または酸素スカベンジングにおいて予備反応器に入る前の温度を適切にするために、化学吸着または酸素スカベンジングのために使用される予備反応器へのフィードを冷却する必要があるかもしれない。したがって、スカベンジングのためのサービスの中にそれを置く前に冷却する予備反応器時間を可能にするいくつもの予備反応器を有することが好ましい。酸素スカベンジングは、発熱性であり、触媒系に応じて、反応器は加熱し、酸素放出は発熱性であるため、加熱の必要性は、重要ではないかもしれない(例えば、中性付近)。
図2は、膜(セラミックチューブ)の酸化的脱水素化反応器を含む主要反応器の態様を示す。反応器は一般的に30として示される。反応器は、エタンまたはガス32フローを含むエタンのストリームへの入口31を含む。エタンは、セラミック膜チューブ33を通ってコレクタ34に通る。酸素または酸素含有ガス35は、チューブの束に供給されるので、酸素はチューブの外側にある。エチレンを形成するチューブを下に通過する場合、エタンまたはエタン含有ガス32は、酸素と反応する。エチレンは、コレクタ(フッタ)34で集められ、36で反応器を出る。
図3は、エタンまたはエタン含有ガスが40は入口または42を通って一般的に41として示される反応器に入るセラミック膜を含む主要反応器の更なる態様を示す。酸素または酸素含有ガス43は、チューブおよび44で示されるシェル型プレートに入る。スチールシェル46で包まれたセラミック膜チューブ45のシリーズがある。セラミック膜チューブ45はヘッダ42まで延びる。結果として、エタンまたはエタン含有ガス40は、セラミック膜チューブの内側を下に流れ、酸素はセラミック膜チューブ45とスチールシェル46の間の環状スペースを下に流れる。エタンはエチレンに変換され、セラミック膜チューブを出てコレクタ(フッタ)47に入り、48で出る。この設計の1つの利点は、セラミック膜が完全性を失うかであり、過剰な酸素のみがそのチューブに入る。これは、各チューブ45の出口またはコレクタ47中にある酸素検出器(示さず)によって簡単に検出される。次に、反応器は、安全にシャットダウンされることができ、損傷したチューブが配置されうる。
反応器の流れは、並流または向流であってもよい(例えば、エタンがチューブの外側を上昇し、酸素がチューブの内側を降下する)。
反応器へのフィードは、チューブの反対側に2つの別々の流れを含む。1つのさらなる態様において、好ましくは、チューブの内側表面に対する1つの流れは、酸素、100〜21体積%の酸素と0〜79体積%の1つ以上の不活性ガスを含む混合物からなる群から選択される酸素含有ガスである。いくつかの不活性ガスは、窒素、ヘリウム、アルゴンおよびそれらの混合物からなる群から選択されてもよい。酸素含有ガスは空気であることができた。
反応
主要反応器における酸化的脱水素化は、300℃〜550℃、典型的には300〜500℃、好ましくは350℃〜450℃の温度で、0.5〜100psi(3.447〜689.47kPa)、好ましくは15〜50psi(103.4〜344.73kPa)の圧力で実施されてもよく、反応器中のパラフィン(例えば、エタン)の残留時間は、典型的に、0.002〜30秒、好ましくは1〜10秒である。パラフィン(例えば、エタン)フィードは、好ましくは95%、最も好ましくは98%の純度であるべきである。好ましくは、そのプロセスは、95%より大きい、好ましくは98%より大きいオレフィンに対する選択性を有する。ガス毎時空間速度(GHSV)は、500〜30000/時間、好ましくは1000/時間より大きいだろう。触媒のキログラム当たりのg/時間でエチレンの時空収率(生産性)は、350〜400℃で、900以上、好ましくは1500より大きい、最も好ましくは3000より大きい、最も望ましくは3500より大きくあるべきである。触媒の生産性は、選択性が犠牲にされるまで、温度の上昇と一緒に増加することに留意すべきである。
エチレンへのエタンの変換は、80%以上、好ましくは90%より大きい、最も好ましくは95%以上であるべきである。
酸素フィードは、純粋な酸素であってもよいが、これは高価である。フィードは、約95体積%の酸素と約5体積%のアルゴンを含んでもよい。このストリームは、窒素の生産の副生成物で、比較的安価である。アルゴンは、不活性であり、任意の下流反応器を妨害してはならない。
酸素スカベンジング
生成物エチレンストリームで同伴される酸素の量は、さらなる処理のために最小化されるべきである。しかしながら、生成物ストリームで、何らかの少量の酸素があるようである。生成物ストリームのさらなる処理前に、酸素は生成物ストリームから除去されることが非常に望ましい。酸化的脱水素化反応器のすぐ下流は、製造されたエチレンの約5重量%より大きい、好ましくは1重量%未満を酸化することなしに、酸化的脱水素化触媒が生成物ストリームからの残留酸素を取り込む低減された反応性酸素含量を有する低温(約270℃以下)の予備反応器であってもよい。低温酸素スカベンジング反応器は、300℃未満または300℃に等しい、典型的には50℃〜300℃、より好ましくは50℃〜270℃、一般的には50℃〜270℃、好ましくは50℃〜250℃、望ましくは100℃〜250℃の温度で動作する。
操作において、予備反応器4で変換に応じて主要反応器への酸素フィードのバランスをとることは必要だろう。
いくつかの「予備反応器」がありまた、主要反応器のうち生成物流を提供するスカベンジャーとして使用されてもよい。予備反応器で脱水素化されない何らかの過剰なアルカンが主要反応器で変化されるだろうから、酸化的脱水素化モードで予備反応器を操作する問題はあまりないかもしれない。重要な問題は、生成物ストリームからの酸素のスカベンジングである。
好ましくは、主要酸化的脱水素化反応器の出口に酸素センサがある。さらに、プロセスチェーンを離れる酸素を決定する各予備反応器からの酸化的脱水素化された生成物のための出口に、酸素センサがあるべきである。酸素レベルが予備反応器(すなわち、スカベンジャー反応器)の酸化的脱水素化された生成物の出口で上昇する場合、触媒は、実質的に反応性酸素を取り込んだことを示唆する(そして予備反応器として使用するために戻されてもよい)。酸素スカベンジングまたは化学吸着モードで、予備反応器動作において、酸素枯渇触媒によって取り込まれる反応性酸素の量は、触媒で全酸素量の約1.5%以上、好ましくは約2%であるべきである(これはまた、酸化的脱水素化モードで、予備反応器中の触媒からの放出に利用可能な反応性酸素の量に相当するだろう)。
3つの予備反応器を使用する動作のための1つのモードは、図9、10および11(類似の部品は類似の番号を有する)および下記の表に概略的に示される。図9、10および11において、バルブは示されない。主要反応器の構成は同じであるが、バルブの切り替えは、予備反応器、スカベンジャー反応器およびガード反応器を発生させて「切り替え」場所を表す。1つの予備反応器は、そのように動作し、エチレンへのフィードストリームの一部を変換する。1つの酸素枯渇反応器は、第一の酸素スカベンジャーまたは化学吸着反応器および第二の予備反応器として働く(また、枯渇された酸素は、ガードまたは第二の酸素スカベンジャーまたは化学吸着反応器として働く)。
最も吸着/化学吸収プロセスの効率は、物質移動フロントまたはゾーン(MTZ)によって制限されるので、動作のこのモードは有益である。結果として、酸素スカベンジング原料のかなりの部分が酸素で飽和されないままであり、結果的に一度スカベンジャーが予備反応器モードに切り替えられると、予備反応器は、完全に酸素が飽和された予備反応器と比べて、より短い実行時間を有するだろう(始めるとき)。リードおよびガードスカベンジャーを有することは、リードスカベンジャー化学吸着反応器(予備反応器)で、酸素の良い取り込みを可能にする。切り替えずにより長い動作を必要とするあらゆる性質のプロセスの予期しない結果がある場合、このオプションはまた、リードおよびガードスカベンジャーの間の酸素センサを有すること、およびリードが完全に飽和される時点で正確に動作を切り替える、またはわずかに長いストリームにそれを維持するオプションを有することの利益を与える。このオプションの別の利益は、リードスカベンジャーは主要反応器よりも有意に冷たくなければならないことである;発生することからエチレン酸化反応を回避することである。酸素のほとんどが除去され、微粒酸素を除去するために、より高い温度が有益であるため、ガードスカベンジャーは、好ましくは、リードスカベンジャーより熱いべきである。酸素の痕跡のみが存在するので、ガードスカベンジャーにおける生成物ストリームの酸化は、いかなる有意な拡張に対して生じることが予測されない。上記のような操作により、予備反応器(コンバータ)がガードスカベンジャーであることに切り替えるとき、それはまだ熱く、それがガードスカベンジャーのために非常に有益であり、ガードスカベンジャーがリードスカベンジャーであることに切り替わったとき、触媒表面とエチレン生成物の直接接触により、それは、最も効率的な方法で、エチレン生成物と一緒に既に冷却される。
次に得られた生成物は、必要なら、さらなる分離のために下流ストリームに通される。主要反応器中の触媒が95%超え、好ましくは98%超えの選択性を有し、副生成物がないまたは最小量の副生成物が酸素スカベンジングステップで生成されるように、分離要件は、本発明の反応で最小化される。それらはより低い純度のエチレンを利用できるように、生成物は重合化プラントまたは(エチレングリコール、酢酸、酢酸ビニルなどの)他のエチレン誘導体プラントに直接送られることができ、必要に応じて、交互に、CO、COのみが分離されまたはCOのみである。しかしながら、上記のように、二酸化炭素、一酸化炭素または両方のさらなる発生を最小化する温度で、化学吸着または酸素スカベンジングモードで予備反応器を操作することが好ましい。
実施例
本発明を以下の非限定的な例によって説明する。
1.定期的な酸化還元サイクルによるエチレン生成物ガス混合物からの残留酸素のスカベンジング(ポスト除去)
生成物(出て行くガス)混合物からお残留酸素のスカベンジングは、循環の定期的な酸化還元動作モードによって実現された。この場合、Mo−V0.3−Nb0.2−Te0.1−O触媒または他の酸素貯蔵材料(OSM)を2段階のプロセスで使用することができる。ステップ1は、約400℃の温度で、純粋なエチレンによってOSM層の減少を提供し、ステップ2は、低温でOSMとして働く予備還元層によって出て行く生成物混合物からの残留Oの吸収除去をサポートする。Mo−V0.3−Nb0.2−Te0.1−O触媒自体は300〜400℃でむしろ効果的なOSMとして役立つことが示された。
a)ステップ1:純粋なエタンによるMo−V0.3−Nb0.2−Te0.1−O触媒層の減少
測定を機械的な方法(研削および圧密/押し出し)によって調製された新鮮なサンプル[20%のMo−V−Te−Nb−Ox+80%のTiO(担体)]を使用して行った。この試験において、サンプル(2.0cm、2.97g、粒子径0.2〜0.4mm)を石英反応器に入れ、空気流中で、15分間、所定の温度(375℃と400℃)に加熱し、次いでガス流(900cm/h)を純粋なエタンに切り替え、出て行く混合物のプローブを所定の時間後に分析のために採取した。15分間、空気によるサンプルの再酸化後、測定は、時間間隔を変えて何度も繰り返され、生成物の応答曲線が得られた(7.5分まで)。図4、5よび6は、エチレンとCOの生成速度の時間依存性だけでなく、2つの異なる温度で純粋なエタンによって触媒還元時のエチレン生成の選択性を示す。CO生成曲線は、COのために観察されたものと非常に類似する(図5)。
図4は、担体としての80%TiOを有するMo−V0.3−Nb0.2−Te0.1−O触媒のためのガスフロースイッチ[空気→エタン]後、375℃と400℃で時間の関数としてエチレン生成の反応プロファイル(Dynamics)を示す。
図5は、担体としての80%TiOを有するMo−V0.3−Nb0.2−Te0.1−O触媒のためのガスフロースイッチ[空気→エタン]後、375℃と400℃で時間の関数としてCO生成の反応プロファイル(Dynamics)を示す。
図6は、担体としての80%TiOを有するMo−V0.3−Nb0.2−Te0.1−O触媒のためのガスフロースイッチ[空気→エタン]後、375℃と400℃で時間の関数としてエチレン生成の選択性を示す。
したがって、380〜400℃で純粋なエタンによる触媒還元のステップは、>92%の選択性でエチレン形成と同時に起こる(図6)。
結果は、OSMとして働く触媒で「反応」格子酸素の総量を計算することを可能にすることを得た。37.5mmol/時間の一定のエタン流量速度で生成される応答曲線の積分(図4と5)は、触媒還元ステップの間、反応する酸素の全体量を評価することを可能にする。1gの混合酸化物(Mo−V0.3−Nb0.2−Te0.1−O)が約333mgの酸素を含むことを考慮すると、我々は、この量(約6.3mg/g)からの約1.9%を還元によって活性層から除去することができることを結論付けることができる。したがって、続く再酸化ステップの際の酸素貯蔵(吸収)能力は、この数を超えることはできない。
(b)ステップ2:低温で酸素貯蔵材料として働く予備還元層によって出て行く混合物からの残留Oの吸収
この試験において、15分間400℃で純粋なエタンによる還元後の触媒のサンプルは、エタン流中で所定の温度(270℃)に冷却され、次いでモデル生成物ガス流([49.5%容積C+46.7%容積C+3.8%容積O+COトレース];720cm/h)をオンに切り替え、出て行く混合物のプローブは、所定の時間後の分析のために採取された。エタンによるサンプルの続く還元後(15分、400℃)、測定は時間間隔を変えて何度も繰り返され、生成物の得られた応答曲線が作成された(5分まで)。同じ試験が比較のため400℃で繰り返された。図7と8は、総O除去の時間依存性、並びに270℃と400℃でスカベンジング反応からの生成物流におけるCOとCOの濃度変化を示す。
図7は270℃と400℃で80%のTiO上で保持されるMo−V0.3−Nb0.2−Te0.1−Oの予備還元触媒によってモデルガス混合物からのO除去の反応プロファイル(Dynamics)を示す。
図8は、270℃と400℃で80%のTiO上で保持されるMo−V0.3−Nb0.2−Te0.1−Oの予備還元触媒によってモデルガス混合物を供給した後COとCO生成の反応プロファイル(Dynamics)を示す。
見ることができるように、COとCOの両方のかなりの生成は、400℃で行われ、すなわち、酸素の吸収ではなくむしろ予備還元触媒上であっても高温で触媒酸化が進む。状況は、温度低下後変化する:270℃で吸収O除去は、COとCOの両方の形成のマイナーな貢献で、主なプロセスになる。
産業上の利用可能性
本発明は、COおよびCO2のような生成物への所望の生成物の変換を停止する生成物ストリームからの残留酸素を除去する反応のスカベンジャーベッドの下流ストリームを提供することによって、酸化的脱水素化反応器の転換と選択性を改善することを見出す。

Claims (11)

  1. 1つ以上のC2−4アルカンの触媒酸化的脱水素化方法であって、少なくとも2個の予備反応器を含み、1つ以上の下流の主要酸化的脱水素化反応器は以下のステップを含む上記触媒酸化的脱水素化方法:
    i)前記1つ以上のC2−4アルカンを含むフィードストリームを反応性酸素で飽和された脱水素化触媒を含有する第1の予備反応器のうちの1つ以上に通すステップ;
    ii)00℃〜00℃の温度でかつ.5〜00psigの圧力で、反応性酸素で飽和された脱水素化触媒とフィードストリームを反応させて、未反応C2−4アルカンを含む部分的に脱水素化されたストリームを生成するステップ;
    iii)部分的に脱水素化されたストリームを追加の酸素供給物と一緒に1つ以上の下流の主要酸化的脱水素化反応器に通過させるステップ;
    iv)00℃〜500度の温度でかつ.5〜00psigの圧力で、部分的に脱水素化されたストリームを酸化的に脱水素化して、生成物ストリームを生成するステップ;
    v)対応するC2−4アルケン、未反応酸素及び水蒸気を含む前記1つ以上の下流の主要酸化的脱水素化反応器からの生成物ストリームを除去するステップ;
    vi)反応性酸素が枯渇した第2の脱水素化触媒を含む第2の予備反応器を通って生成物ストリームを通過させるステップ;
    vii)0℃〜70℃の温度でかつ.5〜00psigの圧力で、生成物ストリームを反応性酸素が枯渇した脱水素化触媒と反応させて、生成物ストリームから反応性酸素を枯渇させ、反応性酸素との飽和を増加させることによって酸化的脱水素化触媒を再生させる酸素を複合体化するステップ;
    viii)酸素が枯渇した生成物ストリームを回収するステップ;
    ix)次のいずれかまでステップ(i)〜(viii)を継続するステップ:
    a)脱水素化触媒を含み、フィードストリームが通過する第1の予備反応器は、反応性酸素が枯渇しているか、または他の予備反応器よりも反応性酸素が枯渇している;または
    b)生成物ストリームが通過する第2の予備反応器内の酸化的脱水素化触媒が、反応性酸素で飽和されている;
    x)条件(a)が達成されると、フィードストリームは、第1の予備反応器から、反応性酸素で飽和された脱水素化触媒を含む他の予備反応器に流れ、ステップ(ii)以降の上記各ステップが続けられるステップ;
    xi)条件(b)が達成されると、生成物ストリームは、第2の予備反応器から、反応性酸素が枯渇した第2の脱水素化触媒を含む他の予備反応器に流れ、ステップ(viii)以降の上記各ステップが続けられるステップ。
  2. 任意の反応器で酸化的脱水素化触媒が、独立して、以下から選択される請求項1に記載の方法:
    i)式VMoNbTeMeの触媒
    式中、MeはTa、Ti、W、Hf、Zr、Sbおよびそれらの混合物からなる群から選択される金属であり;および
    xは、0.1〜3であり、ただし、Meが存在しない場合は、xが0.5より大きいことを条件とする;
    yは、0.5〜1.5であり;
    zは、0.001〜3であり;
    mは、0.001〜5であり;
    nは、0〜2であり
    およびpは、混合酸化物触媒の原子価状態を満足する数であり;および
    ii)式MoNbTeの触媒
    式中、aは、0.75〜1.2

    5であり;
    bは、0.1〜0.5であり;
    cは、0.1〜0.5であり;
    eは、0.1〜0.3であり;および
    dは、混合酸化物触媒の価数状態を満たす数である。
  3. 前記1つ以上の下流の主要酸化的脱水素化反応器が、500〜30000/時間、好ましくは、1000/時間より大きいガス毎時空間速度(GHSV)で動作される、請求項2に記載の方法。
  4. 主要反応器内の触媒が、5m/g未満の表面積を有する不活性金属酸化物担体上に保持される、請求項3に記載の方法。
  5. 予備反応器が固定床反応器であり、酸化的脱水素化触媒が100m/g以上の表面積を有する不活性金属酸化物担体に保持される、請求項4に記載の方法。
  6. 前記1つ以上の下流の主要酸化的脱水素化反応器は、固定床反応器、流動または沸騰床反応器、およびセラミック膜反応器からなる群から選択される、請求項5に記載の方法。
  7. 85%より大きい前記1つ以上のC2−4アルケンに対する選択性を有する、請求項6に記載の方法。
  8. 前記1つ以上のC2−4アルカンがエタンである、請求項7に記載の方法。
  9. 請求項8に記載の方法であって、前記予備反応器中の触媒が式(ii)であり、式中、
    aは、0.90〜1.10であり;
    bは、0.25〜0.3であり;
    cは、0.1〜0.3であり;
    eは、0.1〜0.2であり;および
    dは、混合酸化物触媒の価数状態を満たす数である、上記方法。
  10. ステップ(vi)において、前記下流の主要酸化的脱水素化反応器からの生成物ストリームは、連続して2つ以上の予備反応器に通され、第1のこれらの連続した予備反応器が次の予備反応器中よりも高い酸化的脱水素化触媒の反応性酸素の量を有する、請求項1に記載の方法。
  11. 酸素で富化された場合にフィードストリームを受け入れることができるか、又は酸素が枯渇した場合に生成物ストリームを受け入れることができる、酸化的脱水素化触媒を含む第3の予備反応器をさらに含む、請求項1に記載の方法。
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