JP6549119B2 - 選択的波長赤外吸収体を有する焦電性窒化アルミニウムmems赤外センサ - Google Patents
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Description
この特許文書内の資料の一部は、米国及び他の国の著作権法の下に著作権保護を受ける。著作権の権利者は、米国特許商標庁において、公衆に利用可能なファイルあるいは記録に現れるような、本特許文書あるいは特許開示のいかなる人によるファクシミリ複製については異議を唱えるものではないが、さもなければ、いかなるものであれすべての著作権を留保する。著作権者は、37 C.F.R. § 1.14に関する権利を限定しないことを含む、この特許文書を秘密に保持することのいかなる権利もこれによって放棄しない。
ここで、tは、焦電性フィルムの厚さ、λは、目的の赤外波長、nλは、目的の赤外波長における焦電性材料の屈折率である。目的のために、異なる実施形態が、焦電性材料300の厚さ16を可変することによって、光の異なる波長を目標とするために、本特許文書の教示に従って、構成されることができる。好適な実施形態においては、焦電性材料300の厚さ16は、10nmから3000nmの範囲である。更により好適な実施形態においては、焦電性材料300の厚さ16は、100nmから1500nmの範囲とすることができる。
Ρ ≦ λ
ここに用いられるように、周期は、パターン化された周期構造の連続する要素間の距離を指す。例えば、パターン化された周期構造が穴アレイであるならば、周期は、パターン化された穴の任意の2つの中心点間の距離に等しい。他の非限定的な例として、パターン化された周期構造がストライプ構造であるならば、周期は、パターン化されたストライプの任意の2つの中心線間の距離に等しい。従って、上記式を満たす実施形態は、測定するように設計されている赤外光の波長以下の周期間隔を有する。それらの実施形態のあるものにおいては、周期は、目的の赤外波長より小さい。更に他の実施形態においては、他の周期を使用することができる。
r/P ≧0.5
ここで、(rは、穴の直径である)。穴直径に関連して吸収スペクトルを図示する図5は、なぜ、上記式が好適なのかを説明する。r/P≧0.5を有することが好適であるが、他の実施形態は、より制限のゆるい、あるいは、より制限のきつい基準を用いることができる。例えば、穴アレイ実施形態は、次のr/Pを有することができる:≧0.55、≧0.6あるいは更に≧0.7。他の実施形態は、次のr/Pを有することができる:≧0.4あるいは更に≧0.3。
第1の例においては、基板層100と誘電体層300の両方は、窒化アルミニウム(AlN)で作られる。AlNフィルムは、センサ素子のための焦電性フィルムと、赤外吸収のための誘電体材料との両方として機能する。モリブデン(Mo)は、焦電性フィルム用の電極として機能する下部金属層200と上部金属層400のために用いられた。例1について;サブ波長穴アレイ構造が、上部金属層400のために選択された。垂直入射の赤外光は、この構成ならば、強く相互作用するだろう。この構造内で共鳴する赤外光は、結果的に、エネルギーを失い、熱に変換されるだろう。この熱は、第2の層すなわち焦電性層として作用するAlNと、上部及び下部の電気層の電極との両方によって検出されるだろう。
図2Aは、完全なセンサデバイス20の一実施形態の透視図を図示する。図2Aに示された実施形態においては、センサデバイス20は、2つの脚によって基板に接続される。図2Bは、図2Aのセンサデバイスのセンサ素子の断面図を図示する。図2Bにおいて、上部層22と上部22から2番目に下の層は、100nm厚(典型的には、約10nmから約1000nm)のMo電極(赤で示される)である。下部層24と上部から1つ目に下の層24は、1μm厚AlNフィルム(青で示される)であり、以下の式を満たす:
2×t×nλ≦λ
センサデバイス20の一実施形態のCMOS互換製造プロセスフローが、図3に示されている。ステップ(a)において、AlN24とMo22が、6インチ二重研磨シリコンウエハ26上に、連続的、且つ、交互に1μm/100nm/1μm/100nmと堆積される。Mo及びAlNは、反応性マグネトロンスパッタリング法(reactive magnetron sputtering method)で堆積された。上部AlN層24は、強く(0001)に配向され、約1.5度(典型的には、約0.1度から約10.0度)のロッキングカーブ全幅半値を有する。下部層AlN24は、DRIE(Deep Reactive Ion Etching)の間、エッチング停止層として機能する。
穴アレイの赤外光の吸収特性は、FTIR(Fourier Transform Infrared Spectrophotometry)によって実証された。この研究で用いられたFTIRは、正反射型顕微鏡FTIR(regular reflection type microscopic FTIR)であった。サンプル上での赤外源光の直径は、約100μmであり、金の平坦なフィルムが較正に用いられた。デバイスの屈曲した面による変形からの散乱効果を避けるために、DRIEを通らない平坦面を有するサンプルが用いられた。図4は、吸収スペクトルを示す。図4において、回折は無視され、1−反射が、吸収のために用いられた。図4における赤の実線30は、パターンの無い平坦なMo電極の応答である。青の破線32は、2μm周期の穴アレイ及び、約1.5μmの穴直径の応答である。図4は、穴アレイ構造によって提供される、4.5μm及び5.1μm波長における観測された強度の赤外吸収を示す。逆に、図4は、Mo電極上にパターンが無いとき、吸収が存在しなかったことを示す。
次に、信号から来る焦電性を観測し、確認するために実験が行われた。実験は、大気中で行われ、小型のミニチュア電球が赤外光源として用いられた。MEMS素子と電球の間の距離は、50mmであった。機械的チョッパが、MEMSセンサと電球の間に配置された。5μm以上の光をフィルタリングする光フィルタあるいは、別に、単一の結晶Siが、MEMS素子と赤外光源との間に、チョッパと共に配置された。パターン化されていないMo電極面を有するセンサAと、穴アレイが実装されたセンサBとが、サンプルとして用意された。MEMS素子は、ジャンクションFET(JFET)を用いたバッファ増幅器を通った後に、ロックイン増幅器に接続された。図6Aは、単一結晶Siが配置されたときの信号を示し、図6Bは、5μmのロングパスフィルタが配置されたときの信号を示す。
(1)
ここで、Gは、熱伝導率、ηは、赤外吸収率、ωは、チョッピング周波数、Rpは、センサのホット端子及び、接地端子の間の、JFETを含む平行抵抗値、Aは、MEMSセンサ素子の面積、τth及びτelは、それぞれ、熱時間定数及び電気時間定数である。
図7は、1μm電極と1μmギャップストライプ構造を有するセンサデバイスの実際の光学顕微鏡画像を示す。上部電極上に実装されたストライプ線構造は、偏波赤外光を効果的に吸収することができる。従って、偏波赤外光で効果的に動作させたい実施形態は、パターン化された周期構造として、ストライプ線構造を実装することができる。
Claims (19)
- 基板層と、
前記基板層に隣接した第1の電極層と、
前記第1の電極層に隣接した焦電性層と、
前記焦電性層に隣接した第2の電極層と、を備え、
前記第2の電極層が8μm以下の周期を有する周期構造でパターン化されており、かつ、該パターン化された周期構造は、前記第2の電極層を貫通して前記焦電性層まで達する複数の凹部が周期的に配置された構造を有し、
前記第2の電極層に入射した特定波長の光が前記周期構造によって熱に変換され、該熱が前記焦電性層に伝達される、MEMSセンサ。 - 前記パターン化された周期構造は、穴アレイ構造を含む、請求項1に記載のMEMSセンサ。
- 前記パターン化された周期構造は、ストライプ構造を含む、請求項1に記載のMEMSセンサ。
- 前記周期構造は、Pを周期、λを目的の赤外波長として、式P≦λに従った目的の赤外波長以下の周期を有する、請求項1に記載のMEMSセンサ。
- 前記MEMSセンサは、少なくとも2つのセンサ素子からなり、前記2つのセンサ素子のそれぞれは、異なる周期でパターン化された周期構造を有する、請求項1に記載のMEMSセンサ。
- 前記焦電性層は、PZT、ZnO、PVDF、AlN、及びc-軸配向AlNからなるグループから選択された材料を含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載のMEMSセンサ。
- 前記第1の電極層は、約10nmから約1000nmの範囲の厚さを有する、請求項1に記載のMEMSセンサ。
- 前記第1の電極層は、モリブデンを含む、請求項1に記載のMEMSセンサ。
- 前記焦電性層は、AlNを含む、請求項1に記載のMEMSセンサ。
- 前記焦電性層は、tを焦電性フィルム厚、λを目的の赤外波長、nλを、前記目的の赤外波長における焦電性材料の屈折率として、式2×t×nλ≦λに従った厚さを有する、請求項1に記載のMEMSセンサ。
- 前記第2の電極は、約10nmから約1000nmの範囲の厚さを有する、請求項1に記載のMEMSセンサ。
- 前記第2の電極は、モリブデンを含む、請求項1に記載のMEMSセンサ。
- 前記パターン化された周期構造は、穴アレイであり、前記穴アレイの穴の直径は、rを穴の直径、Pを前記パターン化された周期構造の周期として、r≧P×0.5に従って提供される、請求項2に記載のMEMSセンサ。
- 前記周期構造は、約1の線/間隔(L/S)を有するストライプ構造を含む、請求項1に記載のMEMSセンサ。
- 前記第2の電極層は、前記センサの上部層である、請求項1に記載のMEMSセンサ。
- 前記基板層に隣接した第2の焦電性層を更に含む、請求項1に記載のMEMSセンサ。
- 前記周期構造は、Pを周期、λを目的の赤外波長として、式P≦1.05×λに従った、目的の赤外波長の105%以下の周期を有する、請求項1に記載のMEMSセンサ。
- 基板層と、
前記基板層に隣接した第1の電極層と、
前記第1の電極層に隣接した焦電性層と、
前記焦電性層に隣接した第2の電極層と、を備え、
前記第2の電極層が目的の赤外波長以下の周期を有する周期構造でパターン化されており、かつ、該パターン化された周期構造は、前記第2の電極層を貫通して前記焦電性層まで達する複数の凹部が周期的に配置された構造を有する、MEMSセンサ素子。 - MEMSセンサ素子を作る方法であって、前記方法は、
基板上に第1の電極層を形成することと、
前記第1の電極層に隣接した焦電性層を形成することと、
前記焦電性層に隣接した第2の電極層を形成することと、
目的の赤外波長以下の周期のパターン化された周期構造を有するように、前記MEMSセンサ素子の前記第2の電極層をパターン化することであって、前記パターン化された周期構造は、前記第2の電極層を貫通して前記焦電性層まで達する複数の凹部が周期的に配置された構造を有する、ことと、
を含む、方法。
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