JP6547212B2 - X線分析の操作ガイドシステム、操作ガイド方法、及び操作ガイドプログラム - Google Patents

X線分析の操作ガイドシステム、操作ガイド方法、及び操作ガイドプログラム Download PDF

Info

Publication number
JP6547212B2
JP6547212B2 JP2016099916A JP2016099916A JP6547212B2 JP 6547212 B2 JP6547212 B2 JP 6547212B2 JP 2016099916 A JP2016099916 A JP 2016099916A JP 2016099916 A JP2016099916 A JP 2016099916A JP 6547212 B2 JP6547212 B2 JP 6547212B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ray
shape
sample
incident
scattered
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016099916A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017207372A5 (ja
JP2017207372A (ja
Inventor
章宏 姫田
章宏 姫田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rigaku Corp
Original Assignee
Rigaku Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rigaku Corp filed Critical Rigaku Corp
Priority to JP2016099916A priority Critical patent/JP6547212B2/ja
Priority to EP17000816.3A priority patent/EP3246696B1/en
Priority to CN201710349100.9A priority patent/CN107402223B/zh
Priority to US15/598,821 priority patent/US10393679B2/en
Publication of JP2017207372A publication Critical patent/JP2017207372A/ja
Publication of JP2017207372A5 publication Critical patent/JP2017207372A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6547212B2 publication Critical patent/JP6547212B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G01N23/207Diffractometry using detectors, e.g. using a probe in a central position and one or more displaceable detectors in circumferential positions
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/05Investigating materials by wave or particle radiation by diffraction, scatter or reflection
    • G01N2223/052Investigating materials by wave or particle radiation by diffraction, scatter or reflection reflection
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/30Accessories, mechanical or electrical features
    • G01N2223/303Accessories, mechanical or electrical features calibrating, standardising
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/40Imaging
    • G01N2223/408Imaging display on monitor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/60Specific applications or type of materials
    • G01N2223/61Specific applications or type of materials thin films, coatings
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G01N23/20008Constructional details of analysers, e.g. characterised by X-ray source, detector or optical system; Accessories therefor; Preparing specimens therefor
    • G01N23/20016Goniometers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

本発明は、X線分析の操作ガイドシステム、操作ガイド方法、及び操作ガイドプログラムに関し、特に、ユーザに対するガイダンス機能に関する。
近年、X線分析装置の発達により、様々な分析目的のために、多様なユーザがX線分析装置を利用している。X線分析装置は、もはや一部の熟練ユーザのみが利用するものではなく、X線分析装置に不慣れなユーザが利用する機会が増えてきている。
特許第3353496号 特開2013−137297号公報 特開2013−137298号公報
X線分析装置を用いて測定を行う場合、ユーザは、分析対象となる試料に対して、適当な部品を選択して、測定光学系を組み、試料に対して適当な制御条件の下で、測定するのが望ましいが、X線分析装置に不慣れなユーザがこれらを自らの判断で決定するのは困難である。
特許文献1に、複数の分析処理それぞれに必要なデータの設定手順をまとめた情報に基づいて、各種の分析処理に必要な設定データを簡単な操作で設定することができる設定手段を備える分析装置が開示されている。
特許文献2及び特許文献3に、複数の測定手法を実現できる機能を持ったX線分析装置において、それらの測定機能を有効に活用できるX線分析装置が開示されている。
しかしながら、可視光の光学系と異なり、X線の光学系において、X線がどのように伝搬するかをユーザが視認することはできない。また、X線光学系の寸法に対して、一般に試料の寸法は小さく、X線の断面の寸法も小さい。あるX線光学系を選択する場合に、操作ガイドシステムが、試料に対して測定を行う状態を表示しても、試料へ照射する入射X線が試料にどのように照射され、検出器が試料から発生する散乱X線をどのように検出するか、ユーザが理解することは困難である。
本発明はかかる課題を鑑みてなされたものであり、本発明は、選択されるX線光学系の測定をユーザが容易に理解することが可能なX線分析の操作ガイドシステム、操作ガイド方法、及び操作ガイドプログラムを提供することを目的とする。
(1)上記課題を解決するために、本発明に係るX線分析の操作ガイドシステムは、試料の情報と、前記試料に対してX線分析を行う複数のX線測定光学系部品それぞれの情報を取得する、測定情報取得手段と、前記試料を拡大して表示する拡大倍率を取得する、試料拡大倍率取得手段と、前記複数のX線測定光学系部品を用いて前記試料に対して測定を行う場合における、入射X線のデフォルメ形状を決定する、入射X線形状変形手段と、前記複数のX線測定光学系部品を用いて前記試料に対して測定を行う場合における、散乱X線のデフォルメ形状を決定する、散乱X線形状変形手段と、前記試料の形状が前記拡大倍率に応じて拡大される前記試料の変形形状、前記入射X線のデフォルメ形状、及び前記散乱X線のデフォルメ形状を、モデリングする、X線測定光学系モデリング手段と、を備える、X線分析の操作ガイドシステムであって、前記入射X線のデフォルメ形状は、前記試料へ照射する入射X線の入射光軸方向に垂直な平面において、前記入射X線の形状が前記拡大倍率に応じて拡大される形状であり、前記散乱X線のデフォルメ形状は、前記試料より発生し検出される散乱X線の散乱光軸方向に垂直な平面において、前記散乱X線の形状が前記拡大倍率に応じて拡大される形状である。
(2)上記(1)に記載のX線分析の操作ガイドシステムであって、前記測定情報取得手段が取得する前記試料の情報と前記複数のX線測定光学系部品の情報に基づいて、前記複数のX線測定光学系部品を用いて前記試料に対して測定を行う場合における、前記試料へ照射する入射X線の形状及び前記試料より発生し検出される散乱X線の形状を決定する、伝搬X線形状決定手段を、さらに備え、前記入射X線形状変形手段は、前記入射X線の入射光軸方向に垂直な平面において、前記伝搬X線形状決定手段により決定される前記入射X線の形状を前記拡大倍率に応じて拡大して、前記入射X線のデフォルメ形状を決定し、前記散乱X線形状変形手段は、前記散乱X線の散乱光軸方向に垂直な平面において、前記伝搬X線形状決定手段により決定される前記散乱X線の形状を前記拡大倍率に応じて拡大して、前記散乱X線のデフォルメ形状を決定してもよい。
(3)上記(1)又は(2)に記載のX線分析の操作ガイドシステムであって、前記複数のX線測定光学系部品は、前記試料に対して入射側にあって前記試料の最も近くに配置される第1入射側光学部品と、前記試料に対して散乱側にあって前記試料の最も近くに配置される第1散乱側光学部品と、をさらに含み、前記X線分析の操作ガイドシステムは、前記入射X線の入射光軸方向に垂直な平面において前記第1入射側光学部品の形状が前記拡大倍率に応じて拡大される、前記第1入射側光学部品のデフォルメ形状を決定する、第1入射側光学部品形状変形手段と、前記散乱X線の散乱光軸方向に垂直な平面において前記第1散乱側光学部品の形状が前記拡大倍率に応じて拡大される、前記第1散乱側光学部品のデフォルメ形状を決定する、第1散乱側光学部品形状変形手段と、をさらに備え、前記X線測定光学系モデリング手段が、前記第1第1入射光学部品のデフォルメ形状及び前記第1散乱側光学部品のデフォルメ形状を、さらにモデリングしてもよい。
(4)上記(1)に記載のX線分析の操作ガイドシステムであって、前記複数のX線測定光学系部品それぞれを伝搬するX線の光軸方向に垂直な平面において該X線光学系部品それぞれの形状が前記拡大倍率に応じて拡大される、前記複数のX線測定光学系部品のデフォルメ形状を決定する光学部品形状変形手段を、さらに備え、前記入射X線形状変形手段は、前記測定情報取得手段が取得する前記試料の情報と、前記光学部品形状変形手段が決定する前記複数のX線測定光学系部品のデフォルメ形状に基づいて、前記入射X線のデフォルメ形状を決定し、前記散乱X線形状変形手段は、前記測定情報取得手段が取得する前記試料の情報と、前記光学部品形状変形手段が決定する前記複数のX線測定光学系部品のデフォルメ形状に基づいて、前記散乱X線のデフォルメ形状を決定してもよい。
(5)上記(1)乃至(4)のいずれかに記載のX線分析の操作ガイドシステムであって、前記入射X線形状変形手段は、前記入射X線の入射光軸方向において、前記入射X線の形状を維持し、前記散乱X線形状変形手段は、前記散乱X線の散乱光軸方向において、前記散乱X線の形状を維持してもよい。
(6)上記(1)乃至(5)のいずれかに記載のX線分析の操作ガイドシステムであって、前記試料の角度配置の情報を取得する試料角度配置情報取得手段を、さらに備え、前記入射X線形状変形手段は、該角度配置の情報にさらに基づいて前記入射X線のデフォルメ形状を決定し、前記散乱X線形状変形手段が、該角度配置の情報にさらに基づいて前記散乱X線のデフォルメ形状を決定してもよい。
(7)本発明に係るX線分析の操作ガイド方法は、試料の情報と、前記試料に対してX線分析を行う複数のX線測定光学系部品それぞれの情報を取得する、測定情報取得ステップと、前記試料を拡大して表示する拡大倍率を取得する、試料拡大倍率取得ステップと、前記複数のX線測定光学系部品を用いて前記試料に対して測定を行う場合における、入射X線のデフォルメ形状を決定する、入射X線形状変形ステップと、前記複数のX線測定光学系部品を用いて前記試料に対して測定を行う場合における、散乱X線のデフォルメ形状を決定する、散乱X線形状変形ステップと、前記試料の形状が前記拡大倍率に応じて拡大される変形形状、前記入射X線のデフォルメ形状、及び前記散乱X線のデフォルメ形状を、モデリングする、X線測定光学系モデリングステップと、を備える、X線分析の操作ガイド方法であって、前記入射X線のデフォルメ形状は、前記試料へ照射する入射X線の入射光軸方向に垂直な平面において、前記入射X線の形状が前記拡大倍率に応じて拡大される形状であり、前記散乱X線のデフォルメ形状は、前記試料より発生し検出される散乱X線の散乱光軸方向に垂直な平面において、前記散乱X線の形状が前記拡大倍率に応じて拡大される形状であってもよい。
(8)本発明に係るX線分析の操作ガイドプログラムは、コンピュータを、試料の情報と、前記試料に対してX線分析を行う複数のX線測定光学系部品それぞれの情報を取得する、測定情報取得手段、前記試料を拡大して表示する拡大倍率を取得する、試料拡大倍率取得手段、前記複数のX線測定光学系部品を用いて前記試料に対して測定を行う場合における、入射X線のデフォルメ形状を決定する、入射X線形状変形手段、前記複数のX線測定光学系部品を用いて前記試料に対して測定を行う場合における、散乱X線のデフォルメ形状を決定する、散乱X線形状変形手段、前記試料の形状が前記拡大倍率に応じて拡大される変形形状、前記入射X線のデフォルメ形状、及び前記散乱X線のデフォルメ形状を、モデリングする、X線測定光学系モデリング手段、として機能させるための、X線分析の操作ガイドプログラムであって、前記入射X線のデフォルメ形状は、前記試料へ照射する入射X線の入射光軸方向に垂直な平面において、前記入射X線の形状が前記拡大倍率に応じて拡大される形状であり、前記散乱X線のデフォルメ形状は、前記試料より発生し検出される散乱X線の散乱光軸方向に垂直な平面において、前記散乱X線の形状が前記拡大倍率に応じて拡大される形状であってもよい。
本発明により、分析対象となる試料の測定条件をユーザが容易に決定することが可能なX線分析の操作ガイドシステム、操作ガイド方法、及び操作ガイドプログラムが提供される。
本発明の第1の実施形態に係るX線分析装置の構成を示すブロック図である。 本発明の第1の実施形態に係るX線分析装置のX線測定部の一例を示すブロック図である。 本発明の第1の実施形態に係る制御プログラムのフローチャートである。 本発明の第1の実施形態に係る分析目的選択画面を示す図である。 本発明の第1の実施形態に係る試料情報入力画面を示す図である。 本発明の第1の実施形態に係る測定条件画面を示す図である。 本発明の第1の実施形態に係る表示情報入力画面を示す図である。 本発明の第1の実施形態に係るデフォルメ形状決定ステップのフローチャートである。 伝搬X線の形状を模式的に示す図である。 伝搬X線の強度分布を示す図である。 本発明の第1の実施形態に係る表示画像である。 本発明の第1の実施形態に係る表示画像である。 本発明の第1の実施形態に係る表示画像である。 伝搬X線の形状の近似を示す図である。 本発明の第2の実施形態に係るデフォルメ形状決定ステップのフローチャートである。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、寸法、形状等について模式的に表す場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
[第1の実施形態]
図1は、本発明の第1の実施形態に係るX線分析装置1の構成を示すブロック図である。当該実施形態に係るX線分析装置1は、X線測定部2(X線測定光学系)と、操作ガイドシステム3とを備え、操作ガイドシステム3は、制御部4と、入力装置5と、表示装置6と、を備える。制御部4は、CPU部11と、記憶部12と、情報入力部13と、情報出力部14と、を備えている。制御部4は、一般に用いられるコンピュータによって実現され、図示しないが、ROM(Read Only Memory)やRAM(Random Access Memory)をさらに備えており、ROMやRAMはコンピュータの内部メモリを構成している。記憶部12は記録媒体であり、半導体メモリ、ハードディスク、又は、その他の任意の記録媒体によって構成されていてもよい。ここで、記憶部12は、コンピュータの内部に設置されているが、コンピュータの外部に設置されていてもよい。また、記憶部12は、1つの単体であっても、複数の記録媒体であってもよい。情報入力部13は入力装置5に接続されるインターフェイスなどであり、ユーザが入力装置5に入力する情報を入力装置5から取得する。情報出力部14は表示装置6に接続されるインターフェイスなどであり、表示装置6に表示させる情報を表示装置6へ出力する。なお、入力装置5は、キーボードやマウス、タッチパネルなどによって実現され、表示装置6は、一般に用いられるディスプレイなどにより実現される。X線分析装置1の制御部4は、以下に説明するX線分析の操作ガイド方法の各ステップを実行する手段をそれぞれ備えている。また、当該実施形態に係るX線分析の操作ガイドプログラムは、コンピュータを、各手段として機能させるためのプログラムである。なお、制御部4のCPU部11及び記憶部12の詳細については後述する。
図2は、当該実施形態に係るX線分析装置1のX線測定部2の一例を示すブロック図である。図2に示すX線測定部2は、試料に対してX線分析を行う複数のX線測定光学系部品を備えている。ここで、X線測定部2は、X線反射率(XRR)測定に用いられる平行ビーム光学系であり、試料100に入射X線を照射し、試料100より発生する散乱X線を検出する。散乱X線は、X線反射率測定においては、試料より反射される反射X線であり、X線回折測定においては、試料より発生する回折X線である。本明細書において、試料より発生する散乱X線は、様々なX線分析において発生するX線それぞれを含んでいる。ここで、試料100は、基板上に層数1以上の薄膜が積層されたものであり、ここでは、2層の薄膜が基板上に形成される膜構造を有している。図2に示す通り、X線測定部2に備えられる複数のX線測定光学系部品は、ゴニオメータ21と、試料100が支持される支持台22と、X線発生部23と、CBOユニット24(Cross Beam Optics Unit)と、入射ソーラースリット25と、入射スリット26と、2枚の受光スリット(第1受光スリット27A及び第2受光スリット27B)と、平行スリットアナライザ28A(Parallel Slit Analyzer:PSA)と、受光ソーラースリット28Bと、検出器29と、を含んでいる。
ゴニオメータ21は、θ−2θ回転系であり、回転中心に試料100が位置するよう、支持台22がゴニオメータ21に搭載される。また、支持台22のθ回転に対して、2θ回転するよう、2枚の受光スリット、平行スリットアナライザ28A,受光ソーラースリット28B及び検出器29がゴニオメータ21に搭載される。
X線発生部23は、X線管(X線管球)を含み、多層膜ミラー24に対して、発散するX線を放射する。CBOユニット24は、多層膜ミラー24Aと、多層膜ミラー24Aの後方に配置される選択スリット24Bを含んでいる。選択スリット24Bの配置により、集中法と平行ビーム法の切換えを容易に行うことが可能である。ここでは、平行ビーム法が選択されている。多層膜ミラー24Aは、断面が放物線(二次関数)となる反射面を有する。多層膜ミラー24Aは、放物線の焦点がX線発生部23が放射するX線の微小焦点に含まれるよう、配置される。多層膜ミラー24Aにおいて反射されるX線は、多層膜ミラー24Aの多層膜構造により、所定の波長のX線が選択的に所定の方向に反射されるとともに、反射面の断面が放物線であることにより、平行化されて、入射ソーラースリット25へ入射する。
入射ソーラースリット25及び入射スリット26を通過したX線は、支持台22に搭載される試料100に入射X線として入射角θで入射する。ここで、入射角θとは、入射X線の光軸が試料100の表面(膜構造の表面)となす角度であり、入射光線が反射面の法線とのなす角を入射角とする幾何光学とは異なっている。試料100に入射X線が照射され、反射X線が試料100より反射角θ(反射X線の光軸と試料100の表面とのなす角度)で放射する。なお、反射X線が入射X線となす角度は2θである。
反射X線は、第1受光スリット27A、平行スリットアナライザ28A、受光ソーラースリット28B、及び第2受光スリット27Bを順に通過して、検出器29へ入射し、かかるX線を検出器29が検出する。平行スリットアナライザ28Aは、薄い金属板を等間隔に積み重ねたもので、ビームと金属箔を平行に配置することで、分解能を高めることができる。受光ソーラースリット28Bは、平行スリットアナライザを90°回転して配置したものであり、X線ピークの非対称性を低減することができる。測定光学系の分解能は、X線発生部23やCBOユニット24の特性に加えて、入射スリット26のスリット幅、2枚の受光スリットそれぞれのスリット幅、2枚の受光スリットの間隔、入射ソーラースリット25の特性、平行スリットアナライザ28Aの特性、及び受光ソーラースリット28Bの特性によって定まる。なお、図2に示すX線測定部2は、平行ビーム光学系であり、高分解能光学系と呼ぶことにする。当該高分解能光学系ほど分解能を必要としない場合は、入射ソーラースリット25を取り除いてもよい。当該高分解能光学系より高い分解能の測定を可能とするために、入射ソーラースリット25に代えて、チャンネルモノクロメータ(チャネルカット結晶が1個(1組))を配置してもよい。さらに高い分解能の測定を可能とするために、4結晶モノクロメータ(チャネルカット結晶が2個(2組))を配置してもよい。また、平行スリットアナライザ28A及び受光ソーラースリット28Bに代えて、アナライザ結晶を配置してもよい。
検出器29は、0次元検出器(例えば、計数管)、1次元検出器(例えば、線状CCDセンサ)、又は2次元検出器(例えば、CCDセンサ)のいずれであってもよい。ここでは、計数管である。
[操作ガイド]
次に、当該実施形態に係るX線分析装置1(又は操作ガイドシステム3)の操作ガイド方法について説明する。図1に示す通り、記憶部12には、制御プログラム31が記憶されており、記憶部12は、システム情報記憶部33を備えている。
図3は、当該実施形態に係る制御プログラム31のフローチャートである。制御プログラム31は、測定前に実行されるプログラムであり、ユーザに対して、選択されるX線測定光学系の状態をユーザが容易に理解できるよう画像化して表示するためのプログラムである。当該実施形態に係るX線分析装置1は複数(M個:Mは自然数)の分析目的に対応した解析を行うことが可能である。図1に示す通り、制御部4のCPU部11は、分析目的取得部41と、測定情報取得部42と、表示情報取得部43と、デフォルメ形状決定部44、X線測定光学系モデリング部45と、X線測定光学系レンダリング部46と、表示指示部47と、を備えている。
[S1:分析目的取得ステップ]
制御プログラム31が起動されると、制御部4の情報出力部14は、分析目的選択画面を表示装置6に表示させる。制御部4の情報入力部13は、マウスなどの入力装置5が入力する情報を取得する。分析目的取得部41が、ユーザが選択した分析目的を、所定の分析目的として取得する(S1:分析目的取得ステップ)。
図4は、当該実施形態に係る分析目的選択画面を示す図である。図4に示す通り、当該実施形態に係るX線分析装置1は4つ(M=4)の分析目的の解析が可能であり、当該4つの分析目的が分析目的選択画面に表示される。ユーザは、4つの分析目的の中から、分析目的を選択する。ここでは、ユーザは、マウスを用いて、一例として「薄膜試料の膜厚・密度・界面ラフネスの分析」(以下、第1の分析目的とする)を選択し、OKボタンをクリックする。制御部4の情報入力部13は、ユーザが入力装置5を用いて入力した情報(第1の分析目的)を取得し、次のステップへ進む。なお、ユーザが所望する分析目的が分析目的選択画面にない場合は、キャンセル(Cancel)ボタンをクリックする。その場合は、制御プログラム31が終了する。
[S2:測定情報取得ステップ]
測定情報取得部42が、試料の情報と、試料に対してX線分析を行う複数のX線測定光学系部品それぞれの情報を取得する(S2:測定情報取得ステップ)。試料の情報は、試料の形状やサイズの情報を含む。また、各X線測定光学系部品の情報は、当該部品の機能、形状、配置場所などの一部又は全部を含んでいる。
具体的には、以下の通りである。制御部4の情報出力部14は、試料情報入力画面を表示装置6に表示させる。ユーザはX線測定部2にて所定の分析目的の測定がなされる試料の情報を入力する。測定情報取得部42は、情報入力部13を介して、ユーザが入力した試料の情報を取得する。
図5は、当該実施形態に係る試料情報入力画面を示す図である。分析目的の対象である試料の情報を、ユーザがキーボードを用いて入力し、マウスを用いてOKボタンをクリックする。なお、ユーザの試料が試料情報入力画面にて入力可能な情報と異なる場合は、キャンセルボタンをクリックする。その場合は、制御プログラム31が終了する。
ここで、第1の分析目的の測定はXRR(X線反射率)である。分析目的の対象である試料は薄膜試料であり、基板の表面に複数の層が積層されて構成されている。試料の情報は、薄膜試料の膜構造の設計値と、試料サイズ(縦・横・厚み)である。膜構造は、基板の組成(ここでは、GaAs)と密度、及び積層する各層の組成(ここでは2層の薄膜であり、第1層はInGaAsで、第2層はGaAs)と密度と膜厚である。分析目的の対象となる薄膜試料は、全くの未知の試料であることは稀であり、通常は薄膜試料を形成するための設定値は既知である。それゆえ、かかる情報を取得することにより、かかる情報を測定条件の決定やX線測定光学系の画像化に用いることが出来る。
測定情報取得部42が試料の情報を取得すると、制御部4は、ユーザが入力した試料の情報と、システム情報記憶部33に記憶される複数のX線測定光学系部品の情報とに基づいて、推奨されるX線測定光学系を導出する。そして、制御部4の情報出力部14により、表示装置6が測定条件画面を表示する。ユーザが推奨されるX線測定光学系に同意する場合は、ユーザは推奨されるX線測定光学系を選択する。測定情報取得部42は、情報入力部13を介して、選択されるX線測定光学系が何かを取得し、システム情報記憶部33より、該X線測定光学系を構成する複数のX線測定光学系部品それぞれの情報を取得する。
図6は、当該実施形態に係る測定条件画面を示す図である。図6は、推奨される測定条件について示す図であり、複数のX線測定光学系部品の情報に加えて、測定条件を含んでいる。ここでは、高分解能光学系(高分解能平行ビーム/受光スリット光学系)について示している。試料サイズによって決定されるスリット条件と、高分解能光学系に対応したスキャン条件とが、併せて表示される。ユーザが推奨される測定条件での測定を所望する場合は、OKボタンをクリックする。制御部4の情報入力部13は、ユーザがOKボタンをクリックしたとの情報を取得し、制御部4の測定情報取得部42は、試料の情報に加えて、複数のX線測定光学系部品それぞれの情報を取得する。
ここで、本明細書において、測定条件は、複数のX線測定光学系部品を含むX線測定光学系(ハードウェア)の条件と、当該X線測定光学系を用いて測定する際の制御条件(例えば、スキャン条件)と、両方を含むものとする。しかし、測定情報取得部42が取得するX線測定光学系の情報は、X線測定光学系に含まれる複数のX線測定光学系部品それぞれの情報を含んでいればよい。
なお、ユーザが当該測定条件での測定を所望しない場合は、測定条件画面において個々の条件を変更することが出来る。所望の測定条件に変更して、OKボタンをクリックしてもよい。また、ユーザが所望の測定条件に変更できない場合は、キャンセルボタンをクリックする。その場合は、ユーザが測定条件を決定しなかったものとして、制御プログラム31が終了する。
また、複数のX線測定光学系部品のうち、すでに1種類のみ想定される部品の情報については、測定情報取得部42は、システム情報記憶部33から直接取得してもよい。例えば、X線発生部23が1種類の場合は、X線発生部23の情報はシステム情報記憶部33から直接取得される。さらに、ユーザがX線測定光学系を構成する各部品をユーザの意思により選択してもよい。
[S3:表示情報取得ステップ]
表示情報取得部43が、画像表示に必要な表示情報を取得する(S3:表示情報取得ステップ)。表示情報取得部43は、試料拡大倍率取得部43a及び試料角度配置情報取得部43bを含む。当該実施形態に表示情報取得ステップS3は、試料拡大倍率取得部43aが試料を拡大して表示する拡大倍率を取得する試料拡大倍率取得ステップS3aと、試料角度配置情報取得部43bが試料の角度配置の情報を取得する試料角度配置情報取得ステップS3bと、を含んでいる。
図7は、当該実施形態に係る表示情報入力画面を示す図である。表示情報入力画面は、
表示部DAと、拡大倍率を入力する拡大倍率入力窓と、試料100の角度配置を入力する角度配置入力窓と、を含んでいる。ここで、表示部DAにおいて、X線測定光学系の測定状態を表示することが出来る。制御部4の情報出力部14は、表示情報入力画面を表示装置6に表示させる。ユーザは、試料100を拡大して表示する拡大倍率を拡大倍率入力窓に、試料100の角度配置を角度配置入力窓に、それぞれ入力して、OKボタンをクリックする。制御部4の表示情報取得部43は、拡大倍率と、角度配置の情報と、を取得する。拡大倍率をaとすると、ここでは、例えば、a=5とする。角度配置の情報を、入射角θとすると、ここでは、例えば、θ=45°とする。
[S4:デフォルメ形状決定ステップ]
デフォルメ形状決定部44が、複数のX線測定光学系部品のデフォルメ形状と、複数のX線測定光学系部品を用いて試料に対して測定を行う場合における、X線測定光学系を伝搬する伝搬X線のデフォルメ形状と、を決定する(S4:デフォルメ形状決定ステップ)。
図8は、当該実施形態に係るデフォルメ形状決定ステップS4のフローチャートである。デフォルメ形状決定部44は、伝搬X線形状決定部44aと、試料形状変形部44bと、入射X線形状変形部44cと、散乱X線形状変形部44dと、第1入射側光学部品形状変形部44eと、第1散乱側光学部品形状変形部44fと、その他光学部品形状変形部44gと、を含んでいる。当該実施形態に係るデフォルメ形状決定ステップS4は、伝搬X線形状決定ステップS4aと、試料形状変形ステップS4bと、入射X線形状変形ステップS4cと、散乱X線形状変形ステップS4dと、第1入射側光学部品形状変形ステップS4eと、第1散乱側光学部品形状変形ステップS4fと、その他光学部品形状変形ステップS4gと、を含んでいる。
伝搬X線形状決定ステップS4aにおいて、伝搬X線形状決定部44aは、測定情報取得ステップS2にて取得される試料の情報と複数のX線測定光学系部品の情報に基づいて、複数のX線測定光学系部品を用いて試料に対して測定を行う場合における、伝搬X線の形状を決定する。伝搬X線形状決定部44aは、試料角度配置情報取得ステップS3bにて取得される試料の角度配置の情報にさらに基づいて、伝搬X線の形状を決定している。ここで、伝搬X線の形状は、試料へ照射する入射X線の形状と、試料より発生し検出される散乱X線の形状とを含み、当該実施形態において、散乱X線は試料100より反射される反射X線である。入射X線のデフォルメ形状は、試料100へ照射する入射X線の入射光軸方向に垂直な平面において、入射X線の形状が前記拡大倍率に応じて拡大される形状であり、散乱X線のデフォルメ形状は、試料100より発生し検出される散乱X線の散乱光軸方向に垂直な平面において、散乱X線の形状が前記拡大倍率に応じて拡大される形状である。
ここで、入射X線は、X線発生部23より出射され試料100へ入射する経路にあるX線すべてを含んでいる。しかしながら、入射X線は、X線発生部23より出射され試料100へ入射する経路にあるX線のうち、試料へ入射する部分のX線を少なくても含んでいればよく、試料に対して入射側にあって試料の最も近くに配置される第1入射側光学部品(ここでは、入射スリット26)と試料との間を伝搬するX線すべてを含んでいるのが望ましい。
また、散乱X線は、試料100より発生し検出器29(の受光窓)へ入射して検出される経路にあるX線すべてを含んでいる。しかしながら、散乱X線は、試料100より発生し検出器29(の受光窓)へ入射して検出される経路にあるX線のうち、試料100より発生する部分のX線(ここでは、試料100より反射される部分のX線)を少なくとも含んでいればよく、試料に対して散乱側にあって試料の最も近くに配置される第1散乱側光学部品(ここでは、第1受光スリット27A)と試料との間を伝搬するX線すべてを含んでいるのが望ましい。散乱X線は、検出器視野であるとしてもよく、この場合、検出器29(の受光窓)へ入射して検出されるX線である。ここで、以下の通り、X線の形状について説明する。
図9Aは、当該実施形態に係る伝搬X線の形状を模式的に示す図である。X線がX線測定光学系を伝搬する方向を、伝搬X線の光軸方向(z1方向)とする。伝搬X線の光軸z1は、光軸方向に沿うとともに、伝搬X線の光軸z1に垂直な平面において、強度が最も大きい部分を貫いている。図には、伝搬X線の光軸z1に垂直な平面(x1・y1平面)が示されている。
図9Bは、当該実施形態に係る伝搬X線の強度分布を示す図である。図9Bの横軸は、光軸z1に垂直な平面(x1・y1平面)において、光軸z1を通る直線上の位置(Position)であり、縦軸は、各位置における伝搬X線の強度(Intensity)である。伝搬するX線の形状を、光軸における強度に対して所定の比となる部分を外縁とし、光軸に沿って該外縁を繋げたものとすればよい。図では、光軸における強度に対して半値となる部分を外縁としている。
入射X線の形状とは、X線発生部23より出射されるX線のうち、いくつかのX線測定光学系部品を経て試料100へ入射するX線の形状である。入射X線の形状は、試料100(及びその周辺)に照射される照射領域を含んでいる。また、散乱X線の形状とは、試料100より発生される散乱X線のうち、いくつかのX線測定光学系部品を経て検出器29へ到達するX線の形状である。散乱X線は、検出器視野であるとしてもよく、この場合、散乱X線の形状は、検出器29(の受光窓)へ入射して検出されるX線である。散乱X線の形状は、試料100(及びその周辺)より発生する検出領域を含み、該検出領域から発生するX線が検出器29にて検出される。散乱X線の形状は、検出領域から発生し検出されるX線の形状であるので、ある角度配置において実際に発生するX線の形状とは異なっている場合がありうる。例えば、散乱X線が単結晶から発生する回折X線である場合、ある角度配置において散乱X線の形状に実際に発生するX線が全く含まれていないこともありうるし、実際に発生するX線は散乱X線の形状の一部に含まれることもありうる。
試料形状変形ステップS4bでは、試料形状変形部44bは、試料の形状を拡大倍率に応じて拡大して、試料の変形形状を決定する。入射X線形状変形ステップS4cでは、入射X線形状変形部44cは、試料へ照射する入射X線の入射光軸方向に垂直な平面において入射X線の形状が拡大倍率に応じて拡大される、入射X線のデフォルメ形状を決定する。散乱X線形状変形ステップS4dでは、散乱X線形状変形部44dは、試料より発生する散乱X線の散乱光軸方向に垂直な平面において散乱X線の形状が拡大倍率に応じて拡大される、散乱X線のデフォルメ形状を決定する。当該実施形態において、散乱X線は反射X線であり、散乱光軸方向は反射光軸方向である。
第1入射側光学部品形状変形ステップS4eでは、第1入射側光学部品形状変形部44eは、入射X線の入射光軸方向に垂直な平面において第1入射側光学部品(ここでは、入射スリット26)の形状が拡大倍率に応じて拡大される、第1入射側光学部品のデフォルメ形状を決定する。なお、第1入射側光学部品は、試料に対して入射側にあって試料の最も近くに配置されるX線測定光学系部品をいう。第1散乱側光学部品形状変形ステップS4fでは、第1散乱側光学部品形状変形部44fは、散乱X線の散乱光軸方向に垂直な平面において第1散乱側光学部品(ここでは、第1受光スリット27A)の形状が前記拡大倍率に応じて拡大される、第1散乱側光学部品のデフォルメ形状を決定する。なお、第1散乱側光学部品は、試料に対して散乱側にあって試料の最も近くに配置されるX線測定光学系部品をいう。その他光学部品形状変形ステップS4gでは、その他光学部品形状変形部44gは、その他のX線測定光学系部品それぞれの変形形状を決定する。
ここで、拡大倍率aを5とする(a=5)。当該実施形態において、最も簡便にして、望ましい変形形状は以下の通りである。試料形状変形ステップS4bにおいて、試料100の変形形状は、試料100の形状を等方的に拡大倍率aに拡大したものである。入射X線形状変形ステップS4cにおいて、入射X線のデフォルメ形状は、入射光軸方向に垂直な平面において入射X線の形状を拡大倍率aに拡大し、入射光軸方向において入射X線の形状を維持(等倍)したものである。散乱X線形状変形ステップS4dにおいて、散乱X線のデフォルメ形状は、散乱光軸方向に垂直な平面において散乱X線の形状を拡大倍率aに拡大し、散乱光軸方向において散乱X線の形状を維持(等倍)したものである。
第1入射側光学部品形状変形ステップS4eにおいて、第1入射側光学部品(ここでは、入射スリット26)のデフォルメ形状は、入射光軸方向に垂直な平面において拡大倍率aに拡大し、入射光軸方向において入射X線の形状を維持(等倍)したものである。第1散乱側光学部品形状変形ステップS4fにおいて、第1散乱側光学部品(ここでは、第1受光スリット27A)のデフォルメ形状は、散乱光軸方向に垂直な平面において第1散乱側光学部品の形状を拡大倍率aに拡大し、散乱光軸方向において第1散乱側光学部品の形状を維持(等倍)したものである。
その他光学部品形状変形ステップS4gにおいて、その他のX線測定光学系部品は、X線が透過するX線測定光学系部品である、CBOユニット24、入射ソーラースリット25と、入射スリット26と、平行スリットアナライザ28A、受光ソーラースリット28B、及び第2受光スリット27Bを含んでいる。かかるX線測定光学系部品それぞれのデフォルメ形状は、透過するX線の光軸方向に垂直な平面において各X線測定光学系部品の形状を拡大倍率aに拡大し、光軸方向において各X線測定光学系部品の形状を維持(等倍)したものである。なお、各X線測定光学系部品の形状は、実際の形状そのままを反映させる必要はなく、ユーザの理解を容易にするために、各X線測定光学系部品の主要な部品の形状であってもよい。例えば、CBOユニット24の形状は、多層膜ミラー24Aの形状と、選択スリット24Bの形状のみによって決定される。
また、その他のX線測定光学系部品は、X線を出射するX線発生部23をさらに含み、X線発生部23のデフォルメ形状は、出射するX線の光軸方向に垂直な平面においてX線発生部23の形状を拡大倍率aに拡大し、光軸方向においてX線発生部23の形状を維持(等倍)したものである。しかしながら、X線発生部23のデフォルメ形状は、出射するX線の状態さえ理解出来るものであれば、模式的なものであってもよい。その他のX線測定光学系部品は、X線を受光して検出する検出器29をさらに含み、検出器29のデフォルメ形状は、受光するX線の光軸方向に垂直な平面において検出器29の形状を拡大倍率aに拡大し、光軸方向において検出器29の形状を維持(等倍)したものである。検出器29のデフォルメ形状は、受光するX線の状態さえ理解出来るものであれば、模式的なものであってもよい。また、多層膜ミラー24Aのデフォルメ形状についても近似的に決定されてもよい。多層膜ミラー24Aに入射するX線の光軸と反射するX線の光軸は一致していないが、これら光軸がなす角は非常に小さい。それゆえ、これらの光軸を、例えば当該角の二等分線など1本の光軸に近似する。多層膜ミラー24Aのデフォルメ形状は、当該光軸方向に垂直な平面において多層膜ミラー24Aの形状を拡大倍率aに拡大し、当該光軸方向において多層膜ミラー24Aの形状を維持(等倍)したものとしてよい。
なお、X線測定部2に、ゴニオメータ21は含まれるが、表示部DAに表示する画像では、ゴニオメータ21は省略される。それゆえ、ゴニオメータ21についてはデフォルメ形状を決定しなくてもよい。また、支持台22は試料100を支持するための部品であり、X線が透過するなど伝搬する光学部品でないので、試料100の変形形状と同様に、拡大倍率aに応じて例えば等方的に拡大すればよい。
試料100を拡大倍率aに拡大する場合、伝搬X線のデフォルメ形状やX線が伝搬する複数のX線測定光学系部品のデフォルメ形状も、光軸方向に垂直な平面において同じ倍率で拡大するのが望ましいが、これに限定されることはなく、拡大倍率aに応じて拡大していればよい。ここで、「拡大倍率aに応じて」とは、実質的に拡大倍率aに近似できる範囲をいい、拡大倍率aの±20%以内が望ましく、拡大倍率aの±10%以内がさらに望ましい。また、光軸方向に垂直な平面において、等方的に拡大されるのが望ましいが、拡大倍率aに応じる範囲であれば、厳密に等方的でなくともよい。
また、ここでいうデフォルメ形状とは、ユーザの認識を助けるために、実際の縮尺と異なる縮尺で変形させ、誇張(又は強調)された形状をいう。それゆえ、光軸方向に垂直な平面と、光軸方向とでは、変形の比率(倍率)が異なっている。また、当該実施形態に係るデフォルメ形状のうち、最も簡便で望ましいデフォルメ形状は、光軸方向に垂直な平面において拡大倍率a(a>1)に拡大し、光軸方向において維持(等倍)したものである。しかしながら、当該実施形態に係るデフォルメ形状は、光軸方向における長さに対する光軸方向に垂直な平面における長さの比率が拡大倍率a又は拡大倍率aに応じる範囲をすべて含んでいる。これは、光軸方向に垂直な平面において10倍に拡大し、光軸方向において2倍に拡大したデフォルメ形状は、光軸方向における長さに対する光軸方向に垂直な平面における長さの比率は5倍である。かかるデフォルメ形状を等方的に半分に縮小させれば、光軸方向に垂直な平面において5倍に拡大し、光軸方向において維持(等倍)したデフォルメ形状に一致する。
当該実施形態において、試料形状変形ステップS4bでは、試料100の変形形状は、試料100の形状を等方的に拡大倍率aに拡大しているが、これに限定されない。第1の分析目的の対象である試料は薄膜試料であり、薄膜試料の面(膜)方向(2次元平面)に対してユーザは主に興味があり、薄膜試料の厚み方向にはあまり関心がない。それゆえ、試料100の変形形状は、試料100の形状を等方的に拡大倍率aに拡大しなくてもよく、例えば、厚み方向においては拡大倍率a以外の倍率で変形してもよく、例えば、厚み方向において維持させたり、反対に誇張するために拡大倍率aよりも大きい倍率で変形させたりしたデフォルメ形状であってもよい。なお、ここで、変形形状は、デフォルメ形状に加え、実際の縮尺と同じ縮尺で変形させた形状を含む。
[S5:X線測定光学系モデリングステップ]
以下、図3を再び用いて説明を続ける。X線測定光学系モデリング部45は、試料の変形形状、伝搬X線のデフォルメ形状、及び複数のX線測定光学系部品の変形形状を、モデリングする(S5:X線測定光学系モデリングステップ)。ここで、モデリングとは、コンピュータグラフィック(CG)による画像生成をする際に必要となる、描く物体の形状、位置、大きさなどを、数値的に記述する処理をいう。試料100、伝搬X線、及び複数のX線測定光学系部品それぞれの形状を与える複数のモデリング座標を作成する。ここで、各形状が曲面を有する場合、パラメトリック表現によって曲面を関数の形で表現することもあり得るし、ポリゴン表現された多面体形状をなめらかに再分割曲面として処理することも有りうる。
なお、伝搬X線のデフォルメ形状は、入射X線のデフォルメ形状と、散乱X線のデフォルメ形状と、を含んでいる。複数のX線測定光学系部品の変形形状は、第1第1入射光学部品のデフォルメ形状と、第1散乱側光学部品のデフォルメ形状と、その他のX線測定光学系部品それぞれの変形形状と、を含んでいる。
[S6:X線測定光学系レンダリングステップ]
X線測定光学系レンダリング部46は、X線測定光学系モデリングステップS5にてモデリングされた試料の変形形状、伝搬X線のデフォルメ形状、及び複数のX線測定光学系部品の変形形状にかかる数値的な記述(数値データ)をレンダリングする(X線測定光学系レンダリングステップS6)。ここで、レンダリングとは、数値データとして記述された状態から2次元デジタル画像を生成する処理をいう。例えば、レイトレーシング法(光線追跡法)により、写実的な画像を作成することが出来る。
[S7:表示指示ステップ]
表示指示部47は、X線測定光学系レンダリングステップS6にて生成された2次元デジタル画像を表示画像として、表示するよう指示する(表示指示ステップS7)。制御部4の情報出力部14は、表示情報入力画面(図7参照)の表示部DAに2次元デジタル画像を表示するよう、表示装置6に指示する。
表示部DAに表示される表示画像は、様々な方向からの投影図とすることが可能である。ユーザは、表示画像に表示されるX線測定光学系(の各部品)をポインタなどで自由に回転させることが出来、様々な方向からの投影図を表示させることが出来る。
ユーザは、表示部DAに表示される表示画像を見て、他の設定が必要かどうか検討する。具体的には、角度配置の変更は必要あるか否か、及び拡大倍率の変更は必要あるか否かを、検討する。角度配置を変更する場合、及び試料拡大倍率を変更する場合には、表示情報取得ステップS3に戻る。具体的には、表示情報入力画面(図7参照)の角度配置入力窓又は拡大倍率入力窓に新たな値を入力して、OKボタンをクリックする。表示情報取得部43は、拡大倍率と、角度配置の情報と、を新たに取得する。かかる拡大倍率と角度配置の情報とに基づいて、デフォルメ形状決定ステップS4、X線測定光学系モデリングステップS5、X線測定光学系レンダリングステップS6、及び表示指示ステップS7を再び実行する。さらなる角度配置や拡大倍率が不要である場合、なお、ユーザは、キャンセルボタンをクリックし、制御プログラム31が終了する。
以上、当該実施形態に係るX線分析装置1(又は操作ガイドシステム3)の操作ガイド方法について説明した。当該実施形態に係る操作ガイドシステムの主な特徴は、入射X線形状変形手段及び散乱X線形状変形手段が決定する入射X線のデフォルメ形状及び散乱X線のデフォルメ形状にある。かかるデフォルメ形状に基づいて表示画像が生成されることにより、X線分析に不慣れなユーザであっても、伝搬するX線の形状を容易に理解することが出来る。特に、入射X線がどのように試料に照射されるか、散乱X線がどのように試料から発生するか、容易に理解することが出来る。
図10A乃至図10Cは、当該実施形態に係る表示画像である。ここで、図10Aは、拡大倍率aがa=5であり、試料の角度配置θがθ=20°である場合である。図10Bは、図10Aと同じ角度配置であるが、拡大倍率aがa=1(等倍)である場合である。図10Cは、図10Aと同じ拡大倍率であるが、角度配置θがθ=30°である場合である。
図10Bでは、X線測定光学系の縮尺は実際のものと一致しており、各X線測定光学系部品の相対的位置は分かりやすいものの、伝搬するX線の形状をユーザが容易に理解することは困難である。これに対して、図10Aでは、試料100が拡大倍率に拡大されており、伝搬X線の形状や各X線測定光学系部品の形状が、X線の光軸方向において維持しつつ、X線の光軸方向に垂直な平面において拡大倍率に拡大されている。これにより、伝搬するX線の形状をユーザが容易に理解することが出来る。特に、入射X線が試料100に照射される照射領域XAと、試料100より発生し検出される散乱X線の検出領域XBとが表示されており、照射領域XAと検出領域XBが一致している。照射領域XA及び検出領域XBが試料100(の表面)に含まれており、検出領域XBが照射領域XAと一致していることにより、この角度配置において所望の測定が出来ることをユーザは視覚的に理解することが容易になる。このようにデフォルメ形状とすることにより、各X線測定光学系部品の形状は誇張されて表示されるが、ユーザは目立った違和感なくかかる誇張を受け入れて、X線測定光学系の測定状態を理解できる。なお、図10A及び図10Bでは、試料へ照射する入射X線の光軸と、試料より発生する散乱X線の光軸より求まる、散乱ベクトルV1が記載されている。かかるベクトルは、デフォルメ形状決定部44が算出し、X線測定光学系モデリング部45が、かかるベクトルについても、モデリングを行っている。
図10Cでは、図10Aと比較して、角度配置θの値が大きい。角度配置θが異なることにより、照射領域XAと検出領域XBとが変化する。図10Cが示す通り、試料が拡大倍率aに拡大されるのに伴って、照射領域XA及び検出領域XBも拡大されており、ユーザは入射X線がどのように試料100に照射されるかを容易に理解することが出来る。照射領域XA及び検出領域XBが試料100(の表面)に含まれており、検出領域XBが照射領域XAに含まれ、かつ十分な幅を確保出来ていることにより、この角度配置において所望の測定が出来ることをユーザは視覚的に理解することが容易になる。なお、同様に、図10Cでは、入射X線の光軸と、散乱X線の光軸より求まる、散乱ベクトルV2が記載されている。
図11は、伝搬X線の形状の近似を示す図である。伝搬X線は、発散X線、平行X線、集束X線などを含みうる。ここでは、発散X線の一例として、簡単のために、点X線源XSから放射される発散X線が試料Sを照射する場合を、図11は示している。点X線源XSから試料への発散X線の視野角をφとすれば、X線の外縁とX線の光軸のなす角はφ/2となる。X線の光軸と試料Sのなす角をθとすると、X線が試料Sに照射される長さDは、D=D+Dで定義される。ここで、D、Dは、それぞれ(数式1)及び(数式2)で記述される。
=R sinφ・{1/sin(θ+φ/2)}・・・(数式1)
=R sinφ・{1/sin(θ−φ/2)}・・・(数式2)
よって、長さDは、(数式3)で記述される。
D=D+D=R sinφ・{1/sin(θ+φ/2)+1/sin(θ−φ/2)}・・・(数式3)
X線の光軸方向の長さであるRを一定に保った状態で、試料Sを拡大倍率aに拡大し、X線の光軸方向に垂直な平面においてX線の形状を拡大倍率aに拡大して変形させる。このとき、DはaDに変化し、φはaφに変化する。しかしながら、φが十分に小さいとき、Dは(数式4)で近似される。
D≒(2Rφ/sinθ)・{1+O(φ)}・・・(数式4)
(数式4)は、Dをa倍に、φをa倍に、それぞれ拡大しても、成立する。すなわち、φが十分に小さいとき、かかる変化に対して不変となる。入射X線及び散乱X線におけるφが0(平行)であるか十分に小さいときに、入射X線の形状及び散乱X線の形状に本発明を適用できることが分かる。ここで、φが十分に小さい状態として、φ(rad)が0.2以下が望ましく、φ(rad)が0.1以下がさらに望ましい。
[第2の実施形態]
図12は、本発明の第2の実施形態に係るデフォルメ形状決定ステップS4のフローチャートである。当該実施形態は、デフォルメ形状決定ステップS4が異なることを除いて、第1の実施形態と同じである。当該実施形態に係るデフォルメ形状決定部44は、試料形状変形部44Aと、光学部品形状変形部44Bと、伝搬X線変形形状決定部44Cと、を含んでいる。当該実施形態に係るデフォルメ形状決定ステップS4は、試料形状変形ステップS4Aと、光学部品形状変形ステップS4Bと、伝搬X線変形形状決定ステップS4Cと、を含んでいる。
[S4A:試料形状変形ステップ]
試料形状変形ステップS4Aでは、試料形状変形部44Aは、試料の形状を拡大倍率に応じて拡大して、試料の変形形状を決定する。第1の実施形態に係る試料形状変形ステップS4bと同じである。
[S4B:光学部品形状変形ステップ]
光学部品形状変形ステップS4Bでは、光学部品形状変形部44Bは、複数のX線測定光学系部品それぞれを伝搬するX線の光軸方向に垂直な平面において該X線光学系部品それぞれの形状が前記拡大倍率に応じて拡大される、複数のX線測定光学系部品のデフォルメ形状を決定する(光学部品形状変形ステップS4B)。光学部品形状変形ステップS4Bは、第1の実施形態に係る、第1入射側光学部品形状変形ステップS4e、及び第1散乱側光学部品形状変形ステップS4fを含み、第1の実施形態に係る、その他光学部品形状変形ステップS4gをさらに含んでいてもよい。
第1の実施形態では、伝搬X線形状決定ステップS4aにより、入射X線の形状及び散乱X線の形状が決定される。それゆえ、入射X線の形状及び散乱X線の形状より、入射X線の入射光軸方向や、散乱X線の散乱光軸方向がすでに決定されている。しかしながら、当該実施形態では、入射X線の形状及び散乱X線の形状は決定されていない。それゆえ、光学部品形状変形ステップS4Bにおいて、選択される複数のX線測定光学系部品の配置から、伝搬するX線の光軸を近似的に決定すればよい。さらに、厳密な計算を必要とする場合は、光学部品形状変形ステップS4Bが、第1の実施形態に係る伝搬X線形状決定ステップS4aをさらに含めばよく、伝搬X線形状決定ステップS4aにより、伝搬するX線の光軸が決定される。
[S4C:伝搬X線変形形状決定ステップ]
伝搬X線変形形状決定ステップS4Cでは、伝搬X線変形形状決定部44Cは、試料形状変形ステップS4Aにて決定される試料の変形形状と、光学部品形状変形ステップS4Bにて決定される複数のX線測定光学系部品のデフォルメ形状に基づいて、伝搬X線のデフォルメ形状を決定する。
伝搬X線変形形状決定ステップS4Cは、入射X線形状変形ステップと散乱X線形状変形ステップとを含んでいる。入射X線形状変形ステップでは、第1の実施形態に係る入射X線形状変形ステップS4cと同様に、試料へ照射する入射X線の入射光軸方向に垂直な平面において入射X線の形状が前記拡大倍率に応じて拡大される、入射X線のデフォルメ形状を決定する。しかし、第1の実施形態では、入射X線の形状を拡大してデフォルメ形状を決定するのに対して、当該実施形態に係る入射X線形状変形ステップでは、試料の変形形状と、複数のX線測定光学系部品のデフォルメ形状に基づいて、入射X線の形状を決定する。この場合、試料の変形形状と複数のX線測定光学系部品のデフォルメ形状に基づいて決定される入射X線の形状が、入射X線のデフォルメ形状となる。
散乱X線形状変形ステップについても同様であり、当該実施形態に係る散乱X線形状変形ステップでは、試料の変形形状と、複数のX線測定光学系部品のデフォルメ形状に基づいて、散乱X線の形状を決定する。この場合、試料の変形形状と複数のX線測定光学系部品のデフォルメ形状に基づいて決定される散乱X線の形状が、散乱X線のデフォルメ形状となる。
以上、本発明の実施形態に係るX線分析装置と、操作ガイドシステムと、操作ガイド方法と、操作ガイドプログラムとについて説明した。本発明は、上記実施形態に限定されることなく、広く適用することが出来る。例えば、X線分析装置の分析目的は、上記4つの分析目的に限定されることがないのは言うまでもない。また、システム情報記憶部33に記憶される複数のX線測定光学系部品は、ユーザが所有する部品によって実施可能なものに限定している。しかし、例えば、記憶されるX線測定光学系がユーザが所有していない部品によって実施可能なものを含んでいてもよい。
上記実施形態に係るX線測定光学系では、試料100に入射する入射X線は、コリメートされた平行X線である。しかし、平行X線に限定されることはなく、試料100に向けて集束される集束X線であってもよい。ここで、試料100からX線源側(例えば、入射スリット26)を望む視野角φを考える。上記実施形態において、入射X線は平行X線の場合、φは実質的に0であるが、集束X線である場合であっても、視野角φも十分に小さい。入射スリット26と試料100との距離に対して、入射スリット26から出射されるX線の断面の大きさ(縦の長さ又は横の長さ)は、φが0.1と比べても十分に小さく、かかる近似が成り立っている。散乱X線についても同様である。試料100より発生する散乱X線は、平行X線又は発散X線である。試料100から検出器側(例えば、第1受光スリット27A)を望む視野角φを考える。平行X線の場合、φは実質的に0であり、また、発散X線である場合の視野角φも十分に小さい。
また、上記実施形態において、表示部DAに表示される表示画像では、伝搬X線(入射X線及び散乱X線)のデフォルメ形状が表示されているが、伝搬X線の情報は形状のみに限定されることはない。伝搬X線のデフォルメ形状に、伝搬X線の強度分布の情報を加えて表示してもよい。X線の強度分布を階調表示する際に、複数の色によって識別させてもよいし、ドットの疎密などにより表してもよい。さらに、伝搬X線のデフォルメ形状に、分解能の情報を加えて表示してもよい。
1 X線分析装置、2 X線測定部、3 操作ガイドシステム、4 制御部、5 入力装置、6 表示装置、11 CPU部、12 記憶部、13 情報入力部、14 情報出力部、21 ゴニオメータ、22 支持台、23 X線発生部、24 CBOユニット、24A 多層膜ミラー、24B 選択スリット、25 入射ソーラースリット、26 入射スリット、27A 第1受光スリット、27B 第2受光スリット、28A平行スリットアナライザ,28B 受光ソーラースリット、29 検出器、31 制御プログラム、33 システム情報記憶部、41 分析目的取得部、42 測定情報取得部、43 表示情報取得部、44 デフォルメ形状決定部、45 X線測定光学系モデリング部、46 X線測定光学系レンダリング部、47 画像表示指示部、100 試料。

Claims (8)

  1. 試料の情報と、前記試料に対してX線分析を行う複数のX線測定光学系部品それぞれの情報を取得する、測定情報取得手段と、
    前記試料を拡大して表示する拡大倍率を取得する、試料拡大倍率取得手段と、
    前記複数のX線測定光学系部品を用いて前記試料に対して測定を行う場合における、入射X線のデフォルメ形状を決定する、入射X線形状変形手段と、
    前記複数のX線測定光学系部品を用いて前記試料に対して測定を行う場合における、散乱X線のデフォルメ形状を決定する、散乱X線形状変形手段と、
    前記試料の形状が前記拡大倍率に応じて拡大される前記試料の変形形状、前記入射X線のデフォルメ形状、及び前記散乱X線のデフォルメ形状を、モデリングする、X線測定光学系モデリング手段と、
    を備える、X線分析の操作ガイドシステムであって、
    前記入射X線のデフォルメ形状は、前記試料へ照射する入射X線の入射光軸方向に垂直な平面において、前記入射X線の形状が前記拡大倍率に応じて拡大される形状であり、
    前記散乱X線のデフォルメ形状は、前記試料より発生し検出される散乱X線の散乱光軸方向に垂直な平面において、前記散乱X線の形状が前記拡大倍率に応じて拡大される形状である、
    ことを特徴とするX線分析の操作ガイドシステム。
  2. 請求項1に記載のX線分析の操作ガイドシステムであって、
    前記測定情報取得手段が取得する前記試料の情報と前記複数のX線測定光学系部品の情報に基づいて、前記複数のX線測定光学系部品を用いて前記試料に対して測定を行う場合における、前記試料へ照射する入射X線の形状及び前記試料より発生し検出される散乱X線の形状を決定する、伝搬X線形状決定手段を、さらに備え、
    前記入射X線形状変形手段は、前記入射X線の入射光軸方向に垂直な平面において、前記伝搬X線形状決定手段により決定される前記入射X線の形状を前記拡大倍率に応じて拡大して、前記入射X線のデフォルメ形状を決定し、
    前記散乱X線形状変形手段は、前記散乱X線の散乱光軸方向に垂直な平面において、前記伝搬X線形状決定手段により決定される前記散乱X線の形状を前記拡大倍率に応じて拡大して、前記散乱X線のデフォルメ形状を決定する、
    ことを特徴とする、X線分析の操作ガイドシステム。
  3. 請求項1又は2に記載のX線分析の操作ガイドシステムであって、
    前記複数のX線測定光学系部品は、前記試料に対して入射側にあって前記試料の最も近くに配置される第1入射側光学部品と、前記試料に対して散乱側にあって前記試料の最も近くに配置される第1散乱側光学部品と、をさらに含み、
    前記X線分析の操作ガイドシステムは、
    前記入射X線の入射光軸方向に垂直な平面において前記第1入射側光学部品の形状が前記拡大倍率に応じて拡大される、前記第1入射側光学部品のデフォルメ形状を決定する、第1入射側光学部品形状変形手段と、
    前記散乱X線の散乱光軸方向に垂直な平面において前記第1散乱側光学部品の形状が前記拡大倍率に応じて拡大される、前記第1散乱側光学部品のデフォルメ形状を決定する、第1散乱側光学部品形状変形手段と、
    をさらに備え、
    前記X線測定光学系モデリング手段が、前記第1入射側光学部品のデフォルメ形状及び前記第1散乱側光学部品のデフォルメ形状を、さらにモデリングする、
    ことを特徴とする、X線分析の操作ガイドシステム。
  4. 請求項1に記載のX線分析の操作ガイドシステムであって、
    前記複数のX線測定光学系部品それぞれを伝搬するX線の光軸方向に垂直な平面において該X線測定光学系部品それぞれの形状が前記拡大倍率に応じて拡大される、前記複数のX線測定光学系部品のデフォルメ形状を決定する光学部品形状変形手段を、さらに備え、
    前記入射X線形状変形手段は、前記測定情報取得手段が取得する前記試料の情報と、前記光学部品形状変形手段が決定する前記複数のX線測定光学系部品のデフォルメ形状に基づいて、前記入射X線のデフォルメ形状を決定し、
    前記散乱X線形状変形手段は、前記測定情報取得手段が取得する前記試料の情報と、前記光学部品形状変形手段が決定する前記複数のX線測定光学系部品のデフォルメ形状に基づいて、前記散乱X線のデフォルメ形状を決定する、
    ことを特徴とする、X線分析の操作ガイドシステム。
  5. 請求項1乃至4のいずれかに記載のX線分析の操作ガイドシステムであって、
    前記入射X線形状変形手段は、前記入射X線の入射光軸方向において、前記入射X線の形状を維持し、
    前記散乱X線形状変形手段は、前記散乱X線の散乱光軸方向において、前記散乱X線の形状を維持する、
    ことを特徴とする、X線分析の操作ガイドシステム。
  6. 請求項1乃至5のいずれかに記載のX線分析の操作ガイドシステムであって、
    前記試料の角度配置の情報を取得する試料角度配置情報取得手段を、さらに備え、
    前記入射X線形状変形手段は、該角度配置の情報にさらに基づいて前記入射X線のデフォルメ形状を決定し、
    前記散乱X線形状変形手段が、該角度配置の情報にさらに基づいて前記散乱X線のデフォルメ形状を決定する、
    ことを特徴とする、X線分析の操作ガイドシステム。
  7. 試料の情報と、前記試料に対してX線分析を行う複数のX線測定光学系部品それぞれの情報を取得する、測定情報取得ステップと、
    前記試料を拡大して表示する拡大倍率を取得する、試料拡大倍率取得ステップと、
    前記複数のX線測定光学系部品を用いて前記試料に対して測定を行う場合における、入射X線のデフォルメ形状を決定する、入射X線形状変形ステップと、
    前記複数のX線測定光学系部品を用いて前記試料に対して測定を行う場合における、散乱X線のデフォルメ形状を決定する、散乱X線形状変形ステップと、
    前記試料の形状が前記拡大倍率に応じて拡大される変形形状、前記入射X線のデフォルメ形状、及び前記散乱X線のデフォルメ形状を、モデリングする、X線測定光学系モデリングステップと、
    を備える、X線分析の操作ガイド方法であって、
    前記入射X線のデフォルメ形状は、前記試料へ照射する入射X線の入射光軸方向に垂直な平面において、前記入射X線の形状が前記拡大倍率に応じて拡大される形状であり、
    前記散乱X線のデフォルメ形状は、前記試料より発生し検出される散乱X線の散乱光軸方向に垂直な平面において、前記散乱X線の形状が前記拡大倍率に応じて拡大される形状である、
    ことを特徴とするX線分析の操作ガイド方法。
  8. コンピュータを、
    試料の情報と、前記試料に対してX線分析を行う複数のX線測定光学系部品それぞれの情報を取得する、測定情報取得手段、
    前記試料を拡大して表示する拡大倍率を取得する、試料拡大倍率取得手段、
    前記複数のX線測定光学系部品を用いて前記試料に対して測定を行う場合における、入射X線のデフォルメ形状を決定する、入射X線形状変形手段、
    前記複数のX線測定光学系部品を用いて前記試料に対して測定を行う場合における、散乱X線のデフォルメ形状を決定する、散乱X線形状変形手段、
    前記試料の形状が前記拡大倍率に応じて拡大される変形形状、前記入射X線のデフォルメ形状、及び前記散乱X線のデフォルメ形状を、モデリングする、X線測定光学系モデリング手段、
    として機能させるための、X線分析の操作ガイドプログラムであって、
    前記入射X線のデフォルメ形状は、前記試料へ照射する入射X線の入射光軸方向に垂直な平面において、前記入射X線の形状が前記拡大倍率に応じて拡大される形状であり、
    前記散乱X線のデフォルメ形状は、前記試料より発生し検出される散乱X線の散乱光軸方向に垂直な平面において、前記散乱X線の形状が前記拡大倍率に応じて拡大される形状である、
    ことを特徴とするX線分析の操作ガイドプログラム。
JP2016099916A 2016-05-18 2016-05-18 X線分析の操作ガイドシステム、操作ガイド方法、及び操作ガイドプログラム Active JP6547212B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016099916A JP6547212B2 (ja) 2016-05-18 2016-05-18 X線分析の操作ガイドシステム、操作ガイド方法、及び操作ガイドプログラム
EP17000816.3A EP3246696B1 (en) 2016-05-18 2017-05-11 Operation guide system for x-ray analysis, operation guide method therefor, and operation guide program therefor
CN201710349100.9A CN107402223B (zh) 2016-05-18 2017-05-17 X射线分析的操作指导系统、操作指导方法及存储介质
US15/598,821 US10393679B2 (en) 2016-05-18 2017-05-18 Operation guide system for X-ray analysis,operation guide method therefor, and operation guide program therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016099916A JP6547212B2 (ja) 2016-05-18 2016-05-18 X線分析の操作ガイドシステム、操作ガイド方法、及び操作ガイドプログラム

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2017207372A JP2017207372A (ja) 2017-11-24
JP2017207372A5 JP2017207372A5 (ja) 2018-07-05
JP6547212B2 true JP6547212B2 (ja) 2019-07-24

Family

ID=58709671

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016099916A Active JP6547212B2 (ja) 2016-05-18 2016-05-18 X線分析の操作ガイドシステム、操作ガイド方法、及び操作ガイドプログラム

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10393679B2 (ja)
EP (1) EP3246696B1 (ja)
JP (1) JP6547212B2 (ja)
CN (1) CN107402223B (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017223228B3 (de) 2017-12-19 2018-12-27 Bruker Axs Gmbh Aufbau zur ortsaufgelösten Messung mit einem wellenlängendispersiven Röntgenspektrometer

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5692029A (en) * 1993-01-15 1997-11-25 Technology International Incorporated Detection of concealed explosives and contraband
JP3353496B2 (ja) 1994-09-30 2002-12-03 株式会社島津製作所 分析装置
JPH10328319A (ja) * 1997-05-29 1998-12-15 Hitachi Medical Corp 放射線治療システム
US6215847B1 (en) * 1998-09-15 2001-04-10 Mds Nordion Inc. Product irradiator
JP4658003B2 (ja) * 2006-08-29 2011-03-23 株式会社リガク X線分析装置
JP5009222B2 (ja) * 2008-04-22 2012-08-22 新日本製鐵株式会社 多結晶材料の変形特性予測方法及び装置、並びにプログラム及び記録媒体
JP5702586B2 (ja) * 2010-02-04 2015-04-15 富士フイルム株式会社 放射線撮影システム
JP5959057B2 (ja) 2011-11-29 2016-08-02 株式会社リガク X線分析装置
GB2497170B (en) * 2011-11-29 2018-02-21 Rigaku Denki Co Ltd X-ray analysis apparatus
JP5871393B2 (ja) * 2011-11-29 2016-03-01 株式会社リガク X線分析装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN107402223B (zh) 2020-07-14
US10393679B2 (en) 2019-08-27
US20170336333A1 (en) 2017-11-23
EP3246696B1 (en) 2021-06-23
JP2017207372A (ja) 2017-11-24
CN107402223A (zh) 2017-11-28
EP3246696A1 (en) 2017-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Kaiser et al. On the bias of the distance–redshift relation from gravitational lensing
US10481110B2 (en) Radiographic image generating device
JP4676244B2 (ja) X線撮像装置
KR102549661B1 (ko) 반사 표면의 곡률을 측정하기 위한 방법 및 관련 광학 디바이스
TW201534863A (zh) 用於使用多角度x光反射散射(xrs)量測周期結構之方法及系統
JP2013108940A (ja) X線分析装置
JP5871393B2 (ja) X線分析装置
US20200191732A1 (en) X-ray analysis assistance device and x-ray analysis device
JP4994722B2 (ja) 超小角x線散乱測定の測定結果表示方法、及び超小角x線散乱測定に基づく配向度の解析方法
JP5959057B2 (ja) X線分析装置
Darbha et al. Ultra-deep tidal disruption events: prompt self-intersections and observables
JPWO2015146287A1 (ja) ビーム生成ユニットおよびx線小角散乱装置
JP6547212B2 (ja) X線分析の操作ガイドシステム、操作ガイド方法、及び操作ガイドプログラム
JP6377582B2 (ja) X線分析の操作ガイドシステム、操作ガイド方法、及び操作ガイドプログラム
US10620141B2 (en) Measuring and analyzing residual stresses and their gradients in materials using high resolution grazing incidence X-ray diffraction
Leoni et al. Polycapillary optics for materials science studies: Instrumental effects and their correction
Freychet et al. Critical-dimension grazing incidence small angle x-ray scattering
JP2821585B2 (ja) 面内分布測定方法及び装置
Hasse et al. New developments in laboratory-based x-ray sources and optics
Saghamanesh et al. Virtual speckle-based X-ray phase-contrast and dark-field imaging with digital phantoms
Siewert et al. On the characterization of ultra-precise XUV-focusing mirrors by means of slope-measuring deflectometry
JP2017207372A5 (ja)
JP7542068B2 (ja) X線散乱装置
Gao et al. Design optimization of a confocal x-ray fluorescence imaging capability for XFM and SRX at NSLS-II
Khounsary et al. A dual-bandwidth multilayer monochromator system

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180525

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180525

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190115

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190118

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190313

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190514

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190606

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6547212

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

SG99 Written request for registration of restore

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316G99

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

SG99 Written request for registration of restore

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316G99

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S803 Written request for registration of cancellation of provisional registration

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316805

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S803 Written request for registration of cancellation of provisional registration

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316805

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250