JP6530369B2 - 拡張されたダイナミックレンジの間で線形利得を有するｌｎａ - Google Patents

Description

本発明は、拡張されたダイナミックレンジの間で線形利得を有するＬＮＡに関する。

本願は、以下の係属出願に関連し、その全てが参照により本明細書に組み込まれる。出願番号13/840,478、出願日2013年3月15日、発明の名称「極受信機（polar receiver）の信号処理および構成」、出願番号13/839,557、出願日2013年3月15日、発明の名称「極受信機の信号処理装置および方法」、出願番号13/840,379、出願日2013年3月15日、発明の名称「デジタル制御注入同期発振器」、および出願番号13/842,470、出願日2013年3月15日、発明の名称「単一ビット直接変調送信器」。

低ノイズ増幅器（Low Noise Amplifier）は、アンテナから受信された微弱信号を増幅するための回路である。低ノイズ増幅器が、受信された信号の微弱電力レベルに与える大きなノイズを導かないことが重要である。もしそうでなければ、受信された信号の信号対雑音比（ＳＮＲ）が、データの復元のために許容されなくなる。注入されたノイズの影響を、ＬＮＡの利得により減らすことができる。ダイレクトコンバージョントランシーバに用いるためのＬＮＡを含む、改良されたＬＮＡが必要とされている。

拡張されたダイナミックレンジの間で線形利得を有するＬＮＡを提示する。

添付の図面は、同じ要素または同様の機能の要素には同じ参照符号を、個々の図面を通して、以下の明細書とともに付し、詳細な説明に組み込まれ、その一部となり、請求された発明を含む概念の実施形態の提示、その実施形態の様々な原理および利点の説明を提供する。
一実施形態にかかるＬＮＡの構成を示すブロック図である。 一実施形態にかかるＬＮＡの周波数応答をプロットした図である。 一実施形態にかかる設定可能なＬＮＡの周波数同調を示す図である。 一実施形態にかかる調整可能なＬＮＡ段の一例を示す回路図である。 一実施形態にかかるデジタル制御可変利得を提供するために用いられるセルの実施例を示す図である。 一実施形態にかかるバッファを示す回路図である。 一実施形態にかかるキャパシタバンクの実施例を示す図である。 一実施形態にかかるキャパシタバンクの実施例を示す図である。 一実施形態にかかる抵抗バンクの実施例を示す図である。 一実施形態にかかる可変利得値をプロットした図である。 一実施形態にかかるＱ値を示す信号プロット図である。 一実施形態にかかるＬＮＡを制御するように構成された制御回路を示す図である。 一実施形態にかかるＬＮＡ調整方法を示すフローチャートである。 一実施形態にかかるＬＮＡ調整方法を示すフローチャートである。

当業者であれば、図面の要素が単純化および明確化のために表され、正しい尺度で描かれる必要のないことを理解できる。例えば、図面の要素のいくつかの寸法を、他の要素を参照して誇張し、本発明の実施形態の理解を向上する助けとすることができる。

装置および方法の要素は、図面に一般的な表記により理解され、具体的な本発明の実施形態の理解に関係する詳細を示すことにより、当業者に容易に明らかな、本明細書の利益を有する詳細を含む開示を分かりにくくしないように表現される。

図１を参照して、一実施形態にかかる低ノイズ増幅器（ＬＮＡ）の実施例を示す。アンテナ等からの受信信号は、整合ネットワーク１０２により受信される。整合ネットワークの出力は、第１のＬＮＡ段１０４に供給され、その出力はバッファ１０６を介して第２のＬＮＡ段１０８に接続される。バッファ回路を図６に示す。

縦続接続されたＬＮＡ段の出力は、極受信機１１０などの受信機でさらに処理される。極受信機のさらなる詳細は、「極受信機の信号処理および構成」という名称の2013年3月15日付け代理人書面71601.US.01の係属出願に示される。他の周知の受信機の構成を用いることができる。２つのＬＮＡ段の各段を同調させて、バンドパス応答を提示することができる。２つの中心周波数、各段からの中心周波数は、オフセットをされ、隣接チャネルを阻止するための帯域外分離度（off-band selectivity）の高い度合いを提供しながらも、全体に広い周波数帯域幅を提供する。

図２を参照して、第１段の周波数応答をプロット１０２に示すとともに、周波数スタガード段の集合（aggregated）応答をプロット１０４に示す。

図３を参照して、プロット３０２，３０４の双方は、第１段の応答を表す。図３は、フィルタの中心周波数が最悪の処理端（process corners）における要求される周波数帯域にわたって同調できることを示している。

図４を参照して、同調可能なＬＮＡ段を示す。差動対Ｍ１，Ｍ２を含む可変利得段と、コントローラからビット信号により制御される制御ＦＥＴＭ３，Ｍ４は、バンドパスフィルタの負荷を駆動するための可変相互コンダクタンス利得を提供するように構成される。ＬＮＡ段は、図５に示すような複数の切替可能な相互コンダクタンスセルを含むこともできる。コントローラはバイナリーコードを用いて利得を調整することができ、各セルは、その前のセルの利得の２倍の利得を提供する。加えて、または代替的に、いくつかのまたは全ての利得段セルは、等しい利得量を提供することができ、サーモメータコード（thermometer code）の制御信号により制御される。

再び図４を参照して、相互コンダクタンス利得段の負荷として働くバンドパスフィルタは、周波数制御（Freq CTRL）を備えた調整可能または同調可能なタンク回路を含む。タンク回路は図のようなＬＣタンクとすることができ、または代替的にＲＣタンク回路とすることもできる。可変キャパシタは、図７、８に示したように、キャパシタバンクの形式にすることができる。各キャパシタを、対応するスイッチを制御するための個々のビットを用いて個別に制御することができる。キャパシタバンクのキャパシタは、同じ値または異なる値とすることができ、各ビットは、容量が比例して大きくなるキャパシタンスセルを制御する。キャパシタンスの変更は、直列接続されたキャパシタおよび/または並列接続されたキャパシタの構成を変えることにより、異なるデバイスサイズを用いることにより、または異なるバイアス電圧を用いることにより、キャパシタバンクの実施形態のいくつかの例として達成することができる。

バンドパスフィルタは、バンドパス負荷となる交差結合トランジスタＭ６，Ｍ７を含む。ただし、交差結合補償トランジスタ対Ｍ８，Ｍ９も含む。これら交差結合補償トランジスタは、サブスレッショルド（sub-threshold）領域でバイアスされる。

小信号解析においてＭ６(I1)とＭ８(I2)とに流れる電流は、
I1=gm_M6,1・V_{RF OUT-}+ gm_M6,2・V² _{RF OUT-}+ gm_M6,3・V³ _{RF OUT-}
I2=gm_M8,1・V_{RF OUT-}+ gm_M8,2・V² _{RF OUT-}+ gm_M8,3・V³ _{RF OUT-}
と書ける。

ここで、gm_M6,1、 gm_M6,2、gm_M6,3、gm_M8,1、gm_M8,2、gm_M8,3は、それぞれトランジスタＭ６，Ｍ８の電流のテイラー展開における第１、２、３項である。第１次項は、一定の小信号ｇｍに相当する。飽和状態にバイアスされたトランジスタでは、第３次項は負である。入力信号の振幅が増大すると、電流が圧迫され始める。一方、サブスレッショルド領域でバイアスされるトランジスタでは、第３次項は正である。入力信号の振幅が増大すると、これに従って電流も増大する。図４において、Ｍ８，Ｍ９はサブスレッショルド領域にありながら、Ｍ６，Ｍ７は飽和状態にある。従って、適当なトランジスタのサイズとバイアスを用いると、gm_M6,3=-gm_M8,3を得ることができる。このようにして、各ブランチにおける全電流は、
Itot=I1+I2=(gm_M6,1+gm_M8,1)・V_in+(gm_M6,2+gm_M8,2)・V² _in
となる。

２つのブランチに加えられる信号は、差動となるので、第２次項(gm_M6,2+gm_M8,2)・V² _inはキャンセルされる。このようにして、交差結合トランジスタ対Ｍ６，Ｍ７の線形領域は、交差結合補償対Ｍ８，Ｍ９により拡張される。

バンドパス負荷の品質係数Ｑを調整することができる。一実施形態では、トランジスタＭ１０のバイアスを調整する。非常に高いＱ、例えば４００または５００を、高い出力幅（１００ｍＶｐ）でバンドパス負荷からの線形応答を維持しながら用いることができる。高Ｑタンクまたはバンドパス負荷は、相互コンダクタンス利得段に大きな抵抗を提供し、利得段は、小電流信号から大きな利得を生むことができる。高Ｑは、狭帯域選択と、隣接帯域またはチャネルとの高い阻止とを提供することに注意されたい。ＬＮＡ制御回路の制御下のタンク回路において抵抗分を選択的に挿入することにより、Ｑを減らすことができる。このような抵抗バンクを図９に示すように実現することができる。

高い品質係数Ｑは、交差結合対の相互コンダクタンス値に対して非常にセンシティブになるので、-gm/2、すなわちgmの小さな変化は、大きなＱの変化を生ずる。従って、サブスレッショルド領域にバイアスされた交差結合補償トランジスタ対の挿入されたＭ６，Ｍ７の相互コンダクタンスの線形化は、ＬＮＡ段のダイナミックレンジを大きく増大させる。この補償なしでは、高い出力幅によるＱ係数の減少は、利得を低下させ、応答帯域幅を増加させ、結果としてより小さな隣接チャネル阻止となる。

交差結合補償トランジスタ対の追加が付加的なノイズを生成するが、補償対は負荷の一部であり、ノイズは増幅段を通過できないので、付加的なノイズは取るに足らないことに注意されたい。すなわち、ノイズは入力よりも増幅器の出力において注入されるので、特に高利得ＬＮＡでは影響は少ない。

図１０を参照して、利得の同調ステップのいくつかを示す。図１１を参照して、Ｑの同調ステップのいくつかを示す。ＬＮＡ段の制御および／または校正のための一装置および一方法を、一実施形態に従って図１２に示す。

ＬＮＡコントローラ１２００は、コントローラの回路および／またはモジュールを制御するための有限ステートマシンを含む。ＬＮＡは、校正の１または複数のステップの間、発振するように駆動される。周波数検出器は、クロック信号を分周するＭ-デジタル分周器と、ＬＣタンクの形式のＬＮＡバンドパス負荷からモニタされた発振の周波数を減ずる４-アナログ分周器とを含む。

ＬＮＡコントローラは、周波数制御出力線上に制御出力信号を提供するように構成され、出力線は、粗い同調回路の最大ビット（ＭＳＢ）に相当し、および精密な同調回路の最小ビット（ＬＳＢ）に相当する。これらビットを使用して、キャパシタバンクをスイッチングして、バンドパス負荷の共振周波数を変化させる。粗い同調モードでは、ＬＮＡのＱを、ＬＮＡが発振する点まで増加させることができる。ＬＮＡが発振する周波数は、発振していないときの周波数応答のピークに関連する。ＬＮＡにおいて誘導される発振条件を用いて、タンク回路のキャパシタンスを粗く調整する。精密な同調モードでは、コントローラは、１または複数のトーンを生成し、バンドパスフィルタの中心周波数に相当するピーク出力が得られる周波数だけでなく、増幅度を測定して（Ｑを測定する）３ｄＢの両端を決定する。他のトーンおよび測定を用いてＬＮＡの微調整を決めることができる。

制御出力は、ＬＮＡ段のＱ係数を制御する複数の並列ビットを含むことができる。ＬＮＡコントローラは、バンドパス負荷回路のバイアス電流を変化させることにより、Ｑを調整することができる。

ＬＮＡ可変利得相互コンダクタンス段４００を参照すると、可変利得を、付加的なトランジスタ素子をＯＮまたはＯＦＦにスイッチングすることにより実現することができる。このような可変相互コンダクタンス段を図５に示した。ＬＮＡコントローラからの利得制御信号は、ビットＢ０，Ｂ１，Ｂ２などの値を含むことができる。制御ビットＢ０は、第１のセルを制御するのに用いられ、制御ビットＢ１は、第２のセルを制御するのに用いられ、制御ビットＢ２は、第３のセルを制御するのに用いられる。第１、２および３の各セルは、相互コンダクタンス増幅の増加を提供することができる。各ビットが前の段の２倍の増幅を制御するバイナリーコードとして、コードを参照することができる。代替の実施形態において、サーモメータコードとしてバイナリー制御ワードを参照する場合には、各セルに、同じ利得量を加えることができる。

一実施形態において、装置は、入力信号を受け入れ、負荷駆動信号を供給するように構成された可変利得増幅段と、負荷として可変利得増幅段に接続された可変バンドパスフィルタと、バンドパスフィルタを同調するように構成された制御回路とを備える。バンドパスフィルタは、共振タンク、交差結合トランジスタ対、およびサブスレッショルド領域でバイアスされた少なくとも１つの交差結合補償トランジスタ対を含む。補償の構成は、負荷駆動信号が交差結合トランジスタ対の相互コンダクタンスを十分に減少させることができる大きさの場合に、相互コンダクタンス要素を加える。さらに装置は、バンドパスフィルタを同調するように構成された制御回路を含む。バンドパスフィルタは、キャパシタバンクと、キャパシタバンクを調整してバンドパスフィルタの中心周波数を変更するように構成された制御回路とを含む。制御回路は、交差結合トランジスタのバイアス点を変更してタンクのＱを変更し、バンドパスフィルタの発振を誘導し、発振の共振周波数を測定し、バンドパスフィルタの共振周波数を調整する。可変利得段の増幅器は、並列接続された複数の相互コンダクタンスセルを有する相互コンダクタンス増幅段とすることができる。加えて、少なくとも１つの交差結合補償トランジスタ対は、並列接続された複数の交差結合補償トランジスタ対を含むことができる。並列接続された複数の交差結合補償トランジスタ対の各々を、異なるサブスレッショルド電圧でバイアスすることができる。一実施形態において、バイアス制御回路を、少なくとも１つの交差結合補償トランジスタ対のサブスレッショルドバイアス電圧を調整するように構成することができる。制御回路は、第１および２のバンドパスフィルタの品質係数Ｑを調整して所望の隣接チャネル阻止の比率を得ることができる。

図１３を参照して、一実施形態にかかる方法を説明する。方法１３００は、可変利得増幅段を調整すること１３０２、可変利得増幅段の負荷として接続された可変バンドパスフィルタの共振周波数およびＱを調整すること１３０４、バンドパスフィルタは、交差結合トランジスタ対および少なくとも１つの交差結合補償トランジスタ対を含むこと、およびサブスレッショルド領域にある少なくとも１つの交差結合補償トランジスタ対をバイアスすること１３０６を含む。説明したステップは、特定のシーケンスを要求しないことに注意されたい。特に、一例として、順序を逆にすることもできる。最初に補償を調整し、共振周波数または中心周波数およびＱを、最後に利得とすることができる。方法は、キャパシタバンクを調整することにより可変バンドパスフィルタの共振周波数を調整するステップを含むことができる。一実施形態において、方法は、交差結合トランジスタのバイアス点を調整してバンドパスフィルタまたは共振タンクの発振を誘導すること、発振の共振周波数を測定すること、およびバンドパスフィルタの共振周波数を調整することをさらに含むことができる。一実施形態において、方法は、交差結合トランジスタのバイアス点を調整して共振タンクのＱを同調することをさらに含むことができる。方法は、並列接続された相互コンダクタンスセルをＯＮまたはＯＦＦにスイッチングすることにより可変利得段増幅器の利得を調整することを含むことができる。少なくとも１つの交差結合補償トランジスタ対は、並列接続された複数の交差結合補償トランジスタ対を含むことができ、方法は、並列接続された複数の交差結合補償トランジスタ対の各々について異なるサブスレッショルド電圧においてバイアス電圧を設定することを含むことができる。方法は、少なくとも１つの交差結合補償トランジスタ対のサブスレッショルドバイアス電圧を調整することを含むこともできる。

図１４の追加の方法１４００は、第１の可変利得増幅段および第１の可変バンドパスフィルタを有する第１の低ノイズ増幅段の共振周波数を第１の周波数に調整すること１４０２、第２の可変利得増幅段および第２の可変バンドパスフィルタを有する第２の低ノイズ増幅段の共振周波数を、第１の周波数からオフセットした第２の周波数に調整すること１４０４、およびサブスレッショルド領域にある第１の可変バンドパスフィルタおよび第２の可変バンドパスフィルタの各々の交差結合補償トランジスタ対をバイアスして、大きな信号を提供する際の補償相互コンダクタンスを提供すること１４０６を含む。示されたステップの順序は限定されない。方法１４００を、最初に補償トランジスタをバイアスすることにより実行してもよい。そしてＬＮＡ段の周波数およびＱを調整することができる。第１の周波数および第２の周波数を要求されるチャネル周波数から選択してもよい。第１および第２のバンドパスフィルタの品質係数Ｑを調整して、所望の隣接チャネル阻止の比率を得ることができる。第１および第２のバンドパスフィルタの共振周波数の調整ステップは、交差結合トランジスタのバイアス点を調整して各バンドパスフィルタの発振を誘導すること、発振の共振周波数を測定すること、および各バンドパスフィルタの共振周波数を調整することを含むことができる。

以上の詳細な説明において、具体的な実施形態を説明した。しかしながら、当業者は、様々な変更、改変を、以下の特許請求の範囲の示された発明の範囲から逸脱することなく行うことができる。従って、明細書および図面は、限定された意味よりもむしろ例示目的として捉えられ、そのような全ての変更は、本開示の範囲内に含まれると考えられる。

効果、利点、課題の解決、およびより顕著に生じまたは顕著になるいかなる効果、利点、または解決を生じさせる要素は、特許請求の範囲の一部または全ての、重大な、要求される、または本質的な機能または要素として理解される。本願の範囲内で成された補正を含む添付の特許請求の範囲およびこれら特許請求の範囲の等価物により、本発明は定義される。

さらに本願において、第１、第２、上、下などの関連する用語は、単に、あるエンティティまたは動作を他のエンティティまたは動作から区別するためであり、このようなエンティティまたは動作の間の実際の関係または順序を必ず要求し、意味するものではない。用語「備える」、「有する」、「含む」、「からなる」、および他の変形は、非排他的な包含を含めることを意図しており、要素のリストを備える、有する、含む、からなるプロセス、方法、物または装置は、これら要素のみを含むのではなく、このようなプロセス、方法、物または装置に明示的ではなくリストされるまたは内在する他の要素も含むことができる。「備える」、「有する」、「含む」、「からなる」に起因する要素は、さらなる制限なしに、その要素を備える、有する、含む、からなるプロセス、方法、物または装置に付加的な同じ要素の存在を妨げない。冠詞「ａ」および「ａｎ」は、明細書に明示的に示されていなければ１または複数と定義される。用語「実質的」、「基本的」、「およそ」、「約」および他の変形は、当業者によって解される近似と定義され、限定的でないある実施形態においては、用語は１０％以内と定義され、他の実施形態では５％以内、他の実施形態では１％以内、他の実施形態では０．５％以内とも定義される。用語「結合され」は、接続されることと定義され、直接的である必要はなく、機械的である必要もない。あらゆる方法で「構成される」装置または構造は、少なくともそのような方法で構成され、提示された方法で構成されることを要しない。

１または複数の一般的なまたは特化したプロセッサ（または処理装置）の実施形態が含まれることを理解されたい。これには、マイクロプロセッサ、デジタル信号プロセッサ、カスタマイズされたプロセッサ、ＦＰＧＡ（field programmable gate array）および１または複数のプロセッサを制御して、非プロセッサ回路と協働して、本願に開示された方法および／または装置の機能を一部、ほとんどまたは全てを実行する単一のストアードプログラム命令（ソフトウェアとハードウェアの双方を含む）などがある。代替的に、一部または全ての機能を、非ストアードプログラム命令を有するステートマシン、またはいくつかの機能または複数の機能のうちのいくつかの組合せをカスタムロジックとして実行する１または複数のＡＳＩＣ（application specific integrated circuit）によって実行することができる。これら２つのアプローチの組み合わせを用いることができる。

従って、本開示またはその一部のいくつかの実施形態は、１または複数の処理装置に、有形のコンピュータ読み取り可能なメモリ装置に格納されたソフトウェアコンポーネント（プログラムコード、ファームウェア、常駐ソフトウェア、マイクロコードなど）を組み合わせることができ、このような組合せは、本開示の機能を実行する特別に構成された装置を形成する。特別にプログラムされた装置を形成するこれら組合せは、一般的に「モジュール」と呼ばれている。モジュールのソフトウェアコンポーネントの一部は、あらゆるコンピュータ言語で記述され、モノリシックコード基盤の一部とすることができ、または典型的なオブジェクト指向コンピュータ言語としてのより具体的なコードを展開することもできる。加えて、モジュールを、複数のコンピュータプラットフォーム、サーバ、端末などに配信することができる。所与のモジュールを実装して、分離されたプロセッサ装置および／またはコンピューティングハードウェアプラットフォームが本開示の機能を実行することができる。

さらに、本開示および請求された方法を実行するためにコンピュータ（例えば、プロセッサを含む）をプログラミングするためのコンピュータ読み取り可能コードが格納されたコンピュータ読み取り可能記録媒体として、本実施形態を実装することができる。このようなコンピュータ読み取り可能記録媒体は、限定されないが、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、光記録装置、磁気記録装置、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＰＲＯＭ（Programmable Read Only Memory）、ＥＰＲＯＭ（Erasable Programmable Read Only Memory）、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）およびフラッシュメモリを含む。さらに、当業者は、例えば利用できる時間、現在の技術、経済的な状況により動機付けされた多大な努力、多くの設計事項にも関わらず、本開示の概念、原理により導かれると、容易に、このようなソフトウェア命令、プログラム、ＩＣを最小の体験で生成する能力を有する。

本開示の要約は、読者に技術的な開示の本質をすばやく解明できるように提供される。要約は、理解のために提出され、特許請求の範囲の範囲または意味を解釈し、または制限するために用いられることはない。加えて、上記の詳細な説明において、様々な機能が、本開示を簡素化する目的のために様々な実施形態において相互に集められる。開示の方法は、請求された実施形態が、特許請求の範囲に明示的に記載されたよりも、より機能を要求するという意図を反映するものとして解釈されない。以下の特許請求の範囲を反映するとして、進歩性を有する発明の対象は、１つの開示された実施形態の全ての機能に満たないままである。従って、以下の特許請求の範囲は、個々に請求された発明の対象としてそれ自身に立脚している各請求内容とともに、詳細な説明に組み入れられる。

Claims (20)

1. 入力信号を受け入れ、負荷駆動信号を供給するように構成された可変利得増幅段と、
   前記可変利得増幅段に負荷として接続された可変バンドパスフィルタであって、前記バンドパスフィルタは、共振タンク、交差結合トランジスタ対、およびサブスレッショルド領域にバイアスされた少なくとも１つの交差結合補償トランジスタ対を含み、前記少なくとも１つの交差結合補償トランジスタ対は、前記負荷駆動信号が前記交差結合トランジスタ対の相互コンダクタンスを十分に減少させる大きさの場合に、相互コンダクタンス要素を加えるように構成された、可変バンドパスフィルタと、
   前記バンドパスフィルタを同調するように構成された制御回路と
   を備えたことを特徴とする装置。
2. 前記バンドパスフィルタは、キャパシタバンクを含み、前記制御回路は、前記キャパシタバンクを調整して前記バンドパスフィルタの周波数応答を変えるように構成されたことを特徴とする請求項１に記載の装置。
3. 前記制御回路は、前記交差結合トランジスタのバイアス点を変更して前記バンドパスフィルタの発振を誘導し、前記発振の共振周波数を測定し、前記バンドパスフィルタの共振周波数を調整するように構成されたことを特徴とする請求項１に記載の装置。
4. 前記制御回路は、前記交差結合トランジスタのバイアス点を変更して前記バンドパスフィルタのＱを調整するように構成されたことを特徴とする請求項１に記載の装置。
5. 前記可変利得増幅段は、複数の並列に接続された相互コンダクタンスセルを有する相互コンダクタンス増幅段であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
6. 前記少なくとも１つの交差結合補償トランジスタ対は、複数の並列に接続された交差結合補償トランジスタ対を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
7. 前記複数の並列に接続された交差結合補償トランジスタ対の各々は、異なるサブスレッショルド電圧でバイアスされていることを特徴とする請求項６に記載の装置。
8. 前記少なくとも１つの交差結合補償トランジスタ対のサブスレッショルドバイアス電圧を調整するように構成されたバイアス制御回路をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の装置。
9. 前記可変利得増幅段および前記可変バンドパスフィルタは、第１の周波数に同調された第１の低ノイズ増幅段であり、
   第２の可変利得増幅段および第２の可変バンドパスフィルタを有する第２の低ノイズ増幅段であって、第２の周波数に同調され、前記第１の低ノイズ増幅段に直列に接続されている第２の低ノイズ増幅段をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の装置。
10. 前記第１の周波数および前記第２の周波数は、要求されるチャネル周波数に従って選択されることを特徴とする請求項９に記載の装置。
11. 前記制御回路は、前記バンドパスフィルタおよび前記第２のバンドパスフィルタの品質係数Ｑを調整して要求される全体の帯域幅および隣接チャネル阻止の比率を得るように構成されたことを特徴とする請求項９に記載の装置。
12. 可変利得増幅段で差動無線周波数（ＲＦ）信号を受け取ること、
    前記可変利得増幅段の利得を調整すること、
    前記可変利得増幅段に負荷として接続された可変バンドパスフィルタの共振周波数およびＱを調整することであって、前記バンドパスフィルタは、交差結合トランジスタ対、および、前記受け取られた差動無線周波数信号が前記交差結合トランジスタ対の相互コンダクタンスを十分に減少させる大きさの場合に、相互コンダクタンス要素を加えるように構成された少なくとも１つの交差結合補償トランジスタ対を含むこと、および
    前記少なくとも１つの交差結合補償トランジスタ対をサブスレッショルド領域にバイアスすること
    を備えることを特徴とする方法。
13. 前記交差結合トランジスタのバイアス点を調整して前記バンドパスフィルタの発振を誘導すること、
    前記発振の共振周波数を測定すること、および
    前記バンドパスフィルタの共振周波数を調整すること
    をさらに備えたことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
14. 前記交差結合トランジスタのバイアス点を調整して前記バンドパスフィルタのＱを調整することをさらに備えたことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
15. 前記少なくとも１つの交差結合補償トランジスタ対は、複数の並列に接続された交差結合補償トランジスタ対を含み、
    前記複数の並列に接続された交差結合補償トランジスタ対の各々に対して、異なるサブスレッショルド電圧によりバイアス電圧を設定することをさらに備えたことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
16. 前記少なくとも１つの交差結合補償トランジスタ対のサブスレッショルドバイアス電圧を調整することをさらに備えたことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
17. 第２の低ノイズ増幅段に直列接続された第１の低ノイズ増幅段を用いて、受け取られた差動無線周波数（ＲＦ）信号を増幅すること、
    第１の可変利得増幅段および第１の可変バンドパスフィルタを有する前記第１の低ノイズ増幅段の共振周波数を第１の周波数に調整することであって、前記第１の可変バンドパスフィルタは、前記第１の可変利得増幅段に負荷として接続され、前記第１の可変利得増幅段から第１の負荷駆動信号を受信し、前記第１の可変バンドパスフィルタは、第１の交差結合トランジスタ対および第１の交差結合補償トランジスタ対を含む、こと、
    第２の可変利得増幅段および第２の可変バンドパスフィルタを有する前記第２の低ノイズ増幅段の共振周波数を、前記第１の周波数からオフセットした第２の周波数に調整することであって、前記第２の可変バンドパスフィルタは、前記第２の可変利得増幅段に負荷として接続され、前記第２の可変利得増幅段から第２の負荷駆動信号を受信し、前記第２の可変バンドパスフィルタは、第２の交差結合トランジスタ対および第２の交差結合補償トランジスタ対を含む、こと、および
    前記第１の可変バンドパスフィルタおよび前記第２の可変バンドパスフィルタでそれぞれ受信された前記第１および第２の負荷駆動信号が、前記第１および第２の交差結合トランジスタ対の相互コンダクタンスを十分に減少させることができる大きさの場合に、前記第１の可変バンドパスフィルタおよび前記第２の可変バンドパスフィルタの各々における前記第１および第２の交差結合補償トランジスタ対をサブスレッショルド領域にバイアスして、補償相互コンダクタンスを提供すること
    を備えることを特徴とする方法。
18. 前記第１の周波数および前記第２の周波数は、要求されるチャネル周波数に従って選択されることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
19. 前記第１および第２のバンドパスフィルタの品質係数Ｑを調整して要求される全体の帯域幅および隣接チャネル阻止の比率を得ることをさらに備えたことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
20. 前記第１および第２の低ノイズ増幅段の共振周波数を前記調整することの各々は、
    それぞれの交差結合トランジスタ対のバイアス点を調整して各バンドパスフィルタの発振を誘導すること、
    前記発振の共振周波数を測定すること、および
    前記各バンドパスフィルタの共振周波数を調整すること
    をさらに備えたことを特徴とする請求項１７に記載の方法。