CN104285417B - Lc电路的品质因数调谐和lc电路的频率调谐装置及方法 - Google Patents

Abstract

公开了涉及调谐LC电路的品质因数和/或调谐LC电路的谐振频率的设备和方法。在一些实施方式中，LC电路可以被包含在低噪声放大器(LNA)中。品质因数调整电路可以增加和/或降低横跨LC电路电导。这可以稳定与LC电路并联的寄生电阻。这样，LC电路的增益可以被稳定。在一些实施方式中，LC电路可以被实施在接收器的LNA中。接收器可以包括组件，该组件经配置以生成由接收器所接收的射频(RF)信号的接收信号强度指示(RSSI)的指示。控制块可以至少部分基于RSSI的指示而调整LC电路的谐振频率。作为另一示例，接收器可以包括与LC电路分开的振荡器，诸如VCO，可用于调谐LC电路的谐振频率。这些装置可以例如补偿横跨LC电路的阻抗的零虚分量的变化。

Description

LC电路的品质因数调谐和LC电路的频率调谐装置及方法

技术领域

本发明涉及电子设备，并且更具体地涉及经配置用于振荡的电路。

背景技术

电子系统可以包括无线通信收发器。无线通信收发器可以用于多种应用中，诸如智能电网无线网络、无线传感器网络、点至点的数据链路、数据流应用、移动通信网络等，或它们的任意组合。这些收发器规格可以具有用于低和/或超低功耗的要求。例如，根据某些规格，在无线传感器网络中使用的无线收发机需要在接收模式中消耗不超过约22毫瓦的功率。这可以使无线收发器操从AA电池运行20年无需更换电池。可替换地或另外地，在这些应用中使用的设备的高度精确的位置信息可在特定的无线传感器网络和/或智能电网设备中需要。这些网络可以包括相对局部区域内的大量(例如，数百万)设备，例如大城市区域。希望为每个设备提供精确的位置信息。

在一些应用中，接收器可以包括各种射频(RF)块，诸如低噪声放大器(LNA)、RF混频器、基带放大器、信道滤波器、可编程增益放大器(PGA)、模拟-数字转换器(ADC)等，或它们的任意组合。接收器可以是收发器的独立部分或接收部分。接收器的每个RF模块可具有标称增益，从其可以确定从接收器到特定点的总的标称增益。总的标称增益可影响接收器的参数，诸如灵敏度和/或线性度。在温度变化、电源变化、过程变化或其任何组合的存在下，接收器增益与标称增益的差异可导致接收器参数的变化，诸如灵敏度和/或线性度。在某些情况下，这些变化可降低接收器的性能度量，它可以导致接收器接收信号或不接收信号。

总的接收器增益可确定接收到的信号强度如何正确测量。用于测量所 接收信号强度的一个度量是接收器的接收信号强度指示(RSSI)。在一些无线系统中，希望使用具有阈值精度的接收器RSSI函数精确地估计在接收器输入端的信号强度，例如大约+/-1dB的精度。该无线系统可用于位置测量，其中期望设备的准确位置，几米之内或更少的位置精确度可以取决于接收器的RSSI的精度。RSSI测量的绝对精确性，以及处理、供给电压和温度中RSSI的测量变化(一起称为“PVT”)对这些应用很重要。

在RF接收器中，和基带块的增益相比，RF块中的增益对于稳定PVT变化更有挑战性。例如，稳定RF块的增益是具有挑战性的，诸如LNA，其具有使用一个或多个LC电路设置的电压增益。作为一个例子，实际阻抗的峰值频率和峰值实际阻抗的值可以随着PVT变化而变化。因此，需要稳定包括LC电路的RF电路的增益。

发明内容

在一个实施例中，一种装置包括LC电路、正跨导电路和负跨导电路。LC电路具有第一端和第二端，以及LC电路具有谐振频率。正跨导电路被配置以增加在LC电路的第一端与LC电路的第二端之间的电导。负跨导电路被配置以减少在LC电路的第一端与LC电路的第二端之间的电导。

根据一些实施方式，LC电路的电感器可以包括金属绕组，以及正跨导电路和负跨导电路可经配置以调节在LC电路的第一端和LC电路的第二端之间的电导，以补偿金属绕组的电阻的变化。

在某些实施方式中，该装置可包括低噪声放大器(LNA)，其包括LC电路。根据一些实施方式，正跨导电路和负跨导电路可经配置以通过调谐LC电路的品质因数而改变LNA的增益。例如，正跨导电路或负跨导电路中的至少一个可经配置以至少部分地基于可编程偏置电压而设置用于LNA的电压增益范围，该可编程偏置电压施加到正跨导电路或负跨导电路中至少一个的晶体管的栅极。根据各种实施方式，正跨导电路可经配置以根据由装置的接收器的开环检测出的性能方面的差异而增加在LC电路的第一端和LC电路的第二端之间的电导。根据一些其他实施方式，正跨导 电路可经配置以根据由装置的接收器的封闭反馈环路检测的性能方面的差异而增加在LC电路的第一端与LC电路的第二端之间的电导，其中所述闭环包括LNA。根据某些实现方式，该装置还可以包括芯片上射频(RF)源，其具有电耦合到所述LNA的输入的输出。可替换地或另外地，按照各种实施方式，该装置可包括开关，其经配置以选择性地电耦合LNA的输入到芯片外RF源。根据一些实施方式，LNA的输入在操作的品质因数调谐相位期间是可控的，以获得算法的目标值，用于确定调节LC电路的第一端与LC电路的第二端之间的电导的量。

根据多种实施方式，该装置还可以温度检测元件。经配置以获得与LC电路相关联的温度的指示，其中正跨导电路和负跨导电路经配置以至少部分基于IC温度使得指示而调整LC电路的第一端和LC电路的第二端之间的电导。

根据某些实施方式，该装置还可以包括独立于LC电路的振荡器，其中正跨导电路和负跨导电路经配置以至少部分基于由与IC电路独立的振荡器产生的品质因数的指示而调节LC电路的第一端和LC电路的第二端之间的电导。

在一些实施方式中，LC电路可体现在接收器中，其中，所述接收器包括经配置以测量接收信号强度指示(RSSI)的接收器组件，以及其中正跨导电路和负跨导电路经配置以至少部分基于RSSI而调节在LC电路的第一端和LC电路的第二端之间的电导。

根据一些实施方式，正跨导电路和负跨导电路可经配置以稳定横跨LC电路的第一端与LC电路的第二端的寄生电阻。

在各种所述方式中，负跨导电路可以包括：第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，第一场效应晶体管具有耦合到LC电路的第一端的栅极和耦合到LC电路的第二端的漏极，以及第二场效应晶体管具有耦合到LC电路的第二端的栅极和耦合到LC电路的第一端的漏极。根据一些实施方式，正跨导电路可以包括第三场效应晶体管和第四场效应晶体管，其中，所述第三场效应晶体管是二极管连接，并具有耦合到所述LC电路的第二 端的漏极，以及其中第四场效应晶体管是二极管连接，并具有耦合到所述LC电路的第一端的漏极。

在另一实施例中，该装置包括LNA。LNA包括LC电路和品质因数调谐电路。LC电路具有第一节点和第二节点。品质因数调谐电路电耦合到LC电路的第一节点和LC电路的第二节点。品质因数调谐电路经配置以通过调节LC电路的第一节点和LC电路的第二节点之间的电导而稳定LNA的增益。

在另一实施例中，调谐LC电路的品质因数的方法包括：检测LC电路的品质因数变化的指示；至少部分基于变化的指示而调节横跨LC电路的寄生电阻；以及当LC电路的操作条件变化时，稳定LC电路的寄生电阻。

在一些实施方式中，调节横跨LC电路的寄生电阻可以包括：通过正跨导电路增加LC电路的第一端与LC电路的第二端之间的电导，并通过负跨导电路降低LC电路的第一端和LC电路的第二端之间的电导。

根据某些实施方式，稳定横跨LC电路的寄生电阻可以包括稳定LC电路的品质因数。

根据多种实施方式，LC电路被实施在LNA中。

在一些实施方式中，该变化可以由温度变化或工艺变化中的至少一种引起。

在某些实施方式中，操作条件可以包括集成电路的稳定，该集成电路包括LC电路。

根据一些实施方式，所述方法还可以包括使用温度检测元件产生变化的指标。

根据多种实施方式，所述方法还可以包括使用独立于LC电路的振荡器产生变化的指标。根据一些实施方式，所述方法还可以包括检测独立于LC电路的振荡器的振荡的始发，其中调整至少部分地基于所述检测。

在某些实施方式中，LC电路可以被包含在接收器中，以及该方法还可以包括测量由所述接收器接收到的RF信号的接收信号强度指示 (RSSI)，以及其中变化的指示器是测得的RSSI。

根据一些实施方式，LC电路可以被实施在接收器的LNA中，以及该方法还可以包括迫使LNA进入振荡，以及其中稳定LC电路的寄生电阻是基于RSSI。

根据一些实施方式，所述方法还可以包括在LNA的输入端从片外RF源接收信号，并基于片外RF源的信号的指定功率电平确定RSSI，以及其中稳定LC电路的寄生电阻是基于RSSI。

在另一实施例中，一种装置包括接收器。该接收器包括接收器部分、控制块、LC电路和开关网络。接收器组件经配置以生成由接收器所接收的射频(RF)信号的接收信号强度指示(RSSI)。该控制块经配置以至少部分基于RSSI产生LC电路的频率调谐数据。LC电路具有谐振频率。开关网络经配置以至少部分基于LC电路频率调谐数据而调整LC电路的谐振频率。

根据多种实施方式，LC电路可以被包含在低噪声放大器(LNA)中。在一些这样的实施方式中，所述开关网络可以经配置以控制所述LC电路，以补偿在LNA的LC电路的谐振频率中的变化。

根据多个实施方式，接收器组件经配置以确定RSSI。

根据一些实施方式，接收器可以包括闭合反馈环路，其中RSSI被提供给控制块。在一些这样的实施方式中，控制块可以经配置以至少部分基于二维逐次逼近(SAR)算法而产生LC电路的频率调谐数据。根据各种实施方式，可替换地或附加地，控制块可以经配置以至少部分基于线性搜索算法而产生LC电路的频率调谐数据。

根据某些实施方式，该装置还可包括正跨导电路，其经配置以增加的LC电路的第一端与LC电路的第二端之间的电导，以及负跨导电路，其经配置以减少在LC电路的第一端与LC电路的第二端之间的电导。

在一些实施方式中，接收器被包含在收发器中。

在另一实施例中，一种装置包括接收器。该接收器包括振荡器、控制电路和低噪声放大器(LNA)。该振荡器经配置以生成频率调谐数据。所 述控制电路经配置以至少部分基于由所述振荡器产生的频率调谐数据而产生LC电路的频率调谐数据。所述LNA包括与LC电路分开的振荡器，其中LC电路具有谐振频率。LNA还包括切换网络，其经配置以至少部分基于由与LC电路分开的振荡器产生的频率数据而产生LC电路的谐振频率。

在各种所述方式中，振荡器可包括LC电路的缩放复制品。

根据某些实施方式，控制电路可经配置以从振荡器到LNA的频率调谐数据映射频率调谐数据。在一些这样的实施方式中，所述控制电路可以包括存储数据的查找表，用于从振荡器到LNA的频率调谐数据映射频率调谐数据。

根据一些实施方式，由振荡器产生的频率调谐数据可以指示振荡器的振荡的开始。

根据某些所述方式，振荡器可是压控振荡器(VCO)。

在各种所述方式中，该装置可还包括品质因数调谐电路，经配置以通过调整横跨LC电路的电导而稳定横跨LC电路的寄生电阻。

在又一实施例中，调谐接收器的LC电路的谐振频率的方法包括：获取由接收器接收的射频(RF)信号的接收信号强度指示(RSSI)；至少部分基于RSSI的指示而产生LC电路的频率调谐数据；以及至少部分基于LC电路频率调谐数据而调谐LC电路的调谐频率。

根据一些实施方式，LC电路可以被包含在低噪声放大器(LNA)中。在一些实施方式中，所述方法还可以包括迫使LNA进入振荡，其中产生LC频率调谐数据至少部分基于由接收器的数字解调器产生的数据，而LNA被强制进入振荡。在某些实施方式中，该方法还可以包括在包括LC电路的LNA的输入端接收来自片外RF源的信号，并基于来自片外RF源的信号的特定功率电平确定RSSI。

在某些实施方式中，产生LC电路的频率调谐数据可以包括对RSSI应用二维逐次逼近(SAR)算法。

根据多种实施方式，产生LC电路的频率调谐数据可以包括对RSSI 应用线性搜索算法。

在某些实施方式中，所述方法还可以包括确定RSSI。

在一些实施方式中，调谐可包括补偿在LC电路的谐振频率的变化。

根据一些实施方式，调谐可补偿在LC电路的电感器和基板之间的氧化层电容变化或包括LC电路的低噪声放大器的有源设备的电容变化中的至少一个。

为了总结本发明的某些方面，本发明的优点和新颖性特征已在本文中描述。但是应当理解，不一定所有这些优点可以按照任何特定的本发明实施例来实现。因此，本发明可以实现或优化本文所教导的优点或一组优点的方式体现或执行，而不一定实现本文所教导或建议的其他优点。

附图说明

图1A-1C是LC电路和频率和/或品质因数调谐电路的框图。

图2是根据一些实施例可用于RF接收器的示例LNA的示意图。

图3A和图3B是根据一些实施例，示例品质因数调谐电路的示意图。

图4是说明品质因数控制值和指示IC温度的ADC代码的关系图。

图5是可以被包括在频率调谐电路中的示例电容开关电路的示意图。

图6是示出频率调谐后的LNA的频带和VCO频段之间的关系。

图7-13是根据一些实施例，RF接收器及其部件的示意性框图，以及与此相关的图表。

图7是经配置以调整品质因数和/或LNA的频率的示例RF接收器的框图。

图8A是另一实施例的RF接收器的框图，其中LNA的LC电路的品质因数可基于包括RF接收器的IC的检测温度进行调整，和/或LNA的LC电路的频率可以根据为单独VCO产生的调谐数据进行调整。

图8B是示出在图8A的示例接收器的多个功率电平，温度和接收信号强度指示(RSSI)误差之间关系的曲线图。

图8C是示出对于图8A的示例接收器的多个设备，温度和RSSI之间 关系的曲线图。

图9是另一个示例RF接收器的框图，其经经配置以使用VCO用于调谐LNA的LC电路的谐振频率和/或用于检测在LNA的LC电路的品质因数的变化。

图10是独立于LNA的VCO的示例的框图，该VCO可检测品质因数的变化。

图11是示例RF接收器的框图，其经配置以在LNA的输入端接收外部片外RF源，用于频率调谐和/或品质因数调节。

图12是示例RF接收器的框图，其包括耦合到LNA的输入端的片上RF源，用于频率和/或品质因数调节。

图13是示例RF接收器的框图，其中，到LNA的输入可在操作的频率和/或品质因数调谐相位期间进行控制，以获得算法的目标值，用于确定品质因数调谐值和/或频率调谐值。

具体实施方式

某些实施例的以下详细描述提出了本发明的特定实施例的各种描述。然而，该发明可以以许多不同方式体现，如权利要求书定义和涵盖的。在此描述中，参考了附图，附图中类似的参考标号表示相同或功能相似的元件。如果有的话，标题，仅用于提供方便，并不必然影响所要求保护的发明的范围。

一般描述地，本公开的方面涉及调整LC电路的增益，其包括一个或多个电感器(L)以及一个或多个电容器(C)。LC电路还可以被称为谐振电路或调谐电路。在一些情况下，LC电路可以被称为LC槽。LC电路的电感器和/或电容器可以耦合串联和/或并联在一起。

更具体地，本发明的一些方面涉及调谐LC电路的谐振频率和/或品质因数。在一些实施方式中，LC电路可以对应于低噪声放大器(LNA)的LC池谐振电路。虽然LC电路可以被描述为LNA的LC电路，用于说明的目的，应当理解，参照本文中所描述的LNA的LC电路特征的任意组合 可以与任何其它合适的LC电路的连接来实现。根据某些实施方式，通过稳定LNA的增益，指示包括LNA的设备位置的位置信息可以准确地获得。

LNA的增益G_LNA可以通过LNA的跨导g_m，LNA乘以LNA LC电路的寄生电阻R_P，LNA表示，例如，如公式1所示。

G_LNA＝g_M，LNA*R_P，LNA(公式1)

基本恒定的GM偏置电路能稳定跨导g_m，LNA。举例来说，跨导g_m，LNA可以是在LNA的维持放大器中一个或多个晶体管的跨导，其经配置以驱动输出节点。因为LNA的输入阻抗可以通过LNA的输入跨导进行确定，理想的是LNA的跨导g_m，LNA是基本恒定的。其结果是，LNA增益变化可受寄生电阻R_P，LNA的变化影响。寄生电阻R_P，LNA的值可以例如通过LNA中包括的LNA负载确定。由于有源LNA组件，LNA负载可以包括耦合到电感器上电容负载的电感负载。这可以形成LC电路，作为LNA负载。LC电路可以被设计为使得整个LC电路的阻抗的零虚分量出现在LNA的操作的频带中心。因此，感应加容性负载可在LNA的操作的频带中心谐振。其结果是，寄生电阻器R_P，LNA可以是LNA在谐振频率上的负载。寄生电阻器R_P，LNA可相当于整个LNA的LC电路的并联电阻。寄生电阻R_P，LNA的值可由于两个主要因素中的至少一个变化：LC电路的品质因数，以及LC电路的零虚分量的频率。因此，为了稳定LNA增益，该寄生电阻器R_P，LNA可在变化的情况下由于LC电路的品质因数和/或横跨LC电路的阻抗的零虚数分量的频率稳定。

LNA的寄生电阻R_P，LNA可以基于LC电路的品质因数。LNA设备电容和/或其它寄生电容分类的品质因数可不典型地确定LC电路的总的品质因数。与此相反，LC电路的电感器可对整体品质因数具有显著影响。因为电感可以典型地由金属绕组形成，该品质因数可以由在该实施方式中使用金属的电阻来确定。金属电阻可发生变化，例如当存在温度变化和/或过程变化时。

为了稳定寄生电阻器R_P，LNA，正的或负的跨导可与寄生电阻器R_P，LNA并联加入。额外跨导的符号可以基于寄生电导G_MP，LNA的值的变化方向， 它可以是寄生电阻R_P，LNA的倒数。从其形成电感器的金属的电阻可以具有正的温度系数。结果，如果温度的增加，电感器的串联电阻可因此而增加。这可导致寄生电阻R_P，LNA的值减小(其电导可以增加，以及电阻对电导具有反比关系)。因此，对寄生电导G_MP，LNA增加负电导可以有效降低LNA的寄生电阻R_P，LNA到标称值。如果没有变化，如工艺变化，电源电压变化，温度变化，或它们的任意组合，标称值可以代表寄生电阻器R_P，LNA。另一方面，如果温度降低，寄生电导G_MP，LNA的值可提高。因而，添加正电导可以减少寄生电导G_MP，LNA更接近标称值。并联寄生电导G_MP，LNA增加正或负电导可在效果上稳定或调谐LC电路的品质因数，使得品质因数保持接近标称值，该值表示LC电路在没有任何变化时的品质因数，诸如工艺变化、电源电压变化、温度变化或它们的任意组合。

整个LC电路的阻抗的零虚分量可在LC电路的谐振频率近似等于零。横跨LC电路的阻抗的零虚分量的频率可能由于例如LNA的有源设备的电容性分量和/或电感器和衬底之间氧化层的介电常数的变化而变化。结果，在LC电路的频率带的中心的阻抗大小可以变化。此外，LNA可运行在谐振频率附近的频带。例如，对于2.4GHz ISM频带，该频带可从约2.4GHz延伸到约2.4835GHz。因此，理想的是LC电路的零虚数分量的频率根据所选接收器的信道频率调谐到所需频率。

整个LNA的LC电路的阻抗的零虚数部分的频率可以多种方式根据接收器选择的信道频率被调整到期望频率。作为一个例子，独立于LNA的基于LC电路的VCO(或其它振荡器)电容调谐网络的缩放复制品可用来调整LNA LC电路的工作频率。因为LNA的操作频率可以是VCO(例如因数2)的工作频率的因数，缩放因数可以应用于电容调谐网络，经配置以调节LNALC的操作频率。VCO电容调谐网络可以包括开关电容器，经配置用于调整VCO LC电路的频带。压控振荡器(其可以是锁相环(PLL)的一部分)可以使用高频计数器基于现有的PLL技术被调谐至所需的频率。VCO谐振频率校准算法可以选择期望的频带。因此，当LNA LC电路是独立的VCO LC电路的缩放复制品时，缩放因数可用于转换由调谐算法得到VCO的频带以获得所需的LNA频带。应当理解，LNA LC电路频率 可以以多种其他方式基于频率调谐信息进行调整，例如如下所述。

图1A-1C是LC电路和频率和/或品质因数调谐电路的框图。LC电路10可以在谐振频率振荡。频率调谐电路16可以调整LC电路10的谐振频率。品质因数调谐电路18可以调整与LC电路10相关联的品质因数。如图1A所示，LC电路10可以由频率调谐电路16和品质因数调谐电路18进行调谐。在其他实施方式中，LC电路10可以由品质因数调谐电路18(图1B)或频率调谐电路16(图1C)中的一个来调节。品质因数调谐电路18可调谐LC电路10的品质因数，例如如本文所述。频率调谐电路16可调谐LC电路10的频率，例如如本文所述。本文所述的品质因数调谐和/或频率调谐可以在硬件、在固件/软件或由固件/软件和硬件的组合实现。该固件/软件可以包括由一个或多个处理器执行的非临时性计算机可读介质中存储的可执行指令。

控制块19可以控制频率调谐电路16和/或品质因数调谐电路18。此外，控制块19可以实现一个或多个调谐算法，诸如线性搜索算法或逐次逼近(SAR)算法，以产生频电路控制值和/或品质因数电路控制值。例如，控制块19可基于RSSI或者其它合适数据的指示产生频率调谐控制值。可以通过接收器部件产生RSSI的指示。例如，接收器组件可以测量和/或估计RSSI。作为另一个示例，控制块19可基于独立于LC电路10的振荡器的频率调谐数据产生频率调谐控制值，诸如VCO。可选择地或附加地，控制块19可以基于集成电路(其上实现LC电路10)的温度指示产生品质因数控制值、由独立于LC电路10的振荡器产生的品质因数数，诸如VCO，用于调节LC电路10的品质因数的任何其它合适数据，或它们的任意组合。

图2是可以在RF接收器中使用的示例LNA 20的示意图。接收器可以是收发器的独立部件或接收部分。在图2示出的示例LNA 20是常见的栅极LNA结构。LNA 20可以包括LC电路，诸如LC电路25。LC电路25可以被称为LC槽。LNA 20还可以包括频率调谐电路26和/或品质因数的调谐电路28。

该LC电路25可以在第一节点OUT+和第二节点OUT-生成信号。第 一节点可以被称为LC电路25的第一端，以及第二节点可以被称为LC电路25的第二端。例如，当LC电路25谐振，在第一节点OUT+和第二节点OUT-的电压可以是周期性的。在一些实施方式中，在第一节点OUT+和第二节点OUT-的信号可以是正弦信号，即相对于彼此大约180度的相位。例如，第一节点OUT+和第二节点OUT-可在任何给定时间具有相反的符号和近似相同数量级的电压。在其他实施方式中，第一节点OUT+和第二节点OUT-在任何给定时间可以具有相反逻辑值的电压。在一些实施方式中，第一节点OUT+和第二节点OUT-可分别被称为非反相节点和反相节点，并且信号可以具有彼此反相的值。

LC电路25可以包括与一个或多个电容器24并联耦合的一个或多个电感器22A、22B。一个或多个电容器24可以表示寄生电容和/或设备电容。LC电路25的共振频率ω可以成比例于一个或多个电感器22a、22b的电感L乘以LC电路的有效电容C的平方根的倒数，例如由下式2表示。

LC电路25的谐振频率ω可通过频率调谐电路26调谐，其经配置以调整LC电路25的有效电容C。有效电容可以包括LC电路的电容元件和与LC电路并联的其他寄生电容的总电容。频率调谐电路26可以包括可耦合并联和/或串联LC电路25的的谐振部分的一个或多个电容性电路元件。例如，频率调谐电路26可以耦接电容性电路元件到第一结点OUT+以及容性电路元件的第二端到第二节点OUT-。具有另外的有效电容，LC电路25的谐振频率ω可以减小。相反，具有降低的有效电容，LC电路25的共振频率ω可以增加。频率调谐电路26可调谐选定频带内的谐振频率ω。

LC电路25的品质因数可以由品质因数调谐电路28调谐。品质因数调谐电路28可经配置以例如通过调节LNA 20的跨导G_m，LNA而提供LNA20的可编程电压增益。品质因数调谐电路可在整个工作温度下以大范围改变LNA 20的电压增益(例如，在一些实施方式，约18分贝)。可替换地或附加地，LNA噪声变化可横跨品质因数调谐电路28和操作温度的所有设置是相对较小的(例如，在一些实施方式中，约0.5dB)。结果，LNA 20 即使在工艺变化、电源电压变化、温度变化等或它们的任意组合的存在下能够满足目标噪声系数。

该品质因数调谐电路28可以包括负跨导电路28a和正跨导电路28b。负跨导电路28a可具有耦合到第一节点OUT+的第一端和耦接至第二节点OUT-的第二端。类似地，正跨导电路28b可具有耦接至所述第二节点OUT-的第一端和耦接于该第一节点OUT+的第二端。添加或减去并联LNA 20的寄生跨导G_MP，LNA能通过调整工艺变化、电源电压变化、温度变化等或它们的任意组合调谐LC电路25的品质因数。

正跨导和负跨导电路可以以多种方式来实现。图3A和3B描绘了包括负跨导电路28a和正跨导电路28b的两个示例品质因数调谐电路28。图3A的示例品质因数调谐电路28可以在整个LC电路25比许多其它的跨导调节电路添加较少的附加电容，包括图3B的跨导调节电路。和包括图3A中的跨导调节电路的许多其它的跨导调节电路相比，图3B的示例品质因数调谐电路28可以具有更线性的操作范围。任何品质因数调谐电路28的晶体管可以是n型设备(例如，如示于图3A和3B的NMOS设备)或p型设备(未示出)。

图3A示出品质因数调谐电路28的示例示意图。负跨导电路28a和正跨导电路28b可以一起调谐LC电路10，例如LC电路25。例如，负跨导电路28a和正跨导电路28b可调节穿过LC电路25的电导，以稳定寄生电阻R_P，LNA，并从而保持大致恒定的LNA增益。

负跨导电路28a可以包括N负跨导单元30，其中N是正整数。各负跨导单元30可包括两个交叉耦合的开关，诸如第一和第二场效应晶体管(FET)32和34。第一场效应晶体管32和第二场效应晶体管34可以具有大致相同的长度和宽度。第一场效应晶体管32和第二场效应晶体管34可以调整大小以补偿由于工艺、电源电压、温度等或其在LC电路10的谐振频率的任何组合的LC电路10的跨导变化。例如，第一FET 32和第二FET34可以调整大小以补偿LNA20在LC电路10的谐振频率的跨导g_MP，LNA的变化。各负跨导单元30的电导G成比例于第一FET32(或第二FET34) 的跨导gM的负数除以二。例如，各负跨导单元30的电导G可通过等式3来表示。

G＝-gM/2 (等式3)

如图3A所示，第一场效应管32可具有耦合到FET 34的栅极。第二场效应晶体管34可具有耦合到第一FET32的栅极。第一FET 32的漏极可耦合到LC电路可耦合到图2的LC电路25的第二节点OUT-。第二FET 34的漏极可耦合到图2的LC电路25的第一节点OUT+。第一FET32和第二FET34的源极可以被耦合到电流源36。

正跨导电路28b可以包括M个正跨导单元31，其中M是正整数。每个正跨导单元31可分别包括两个二极管连接的开关，诸如第三和第四场效应晶体管(FET)42和44。第三FET 42和第四FET 44可具有大致相同的长度和宽度。第三FET 42和第四FET 44可以调整大小以补偿由于工艺、电源电压、温度等或其任何组合的LC电路10的跨导变化。例如，第三FET 42和第四FET 44可以调整大小以补偿跨导g_M，LNA的变化。各正跨导单元31的电导G成比例于第三FET 42(和/或第四FET 44)的跨导gM除以二。例如，各正跨导单元31的电导G可通过等式4来表示。

G＝GM/2 (等式4)

如图3A所示，第三FET 42可以具有耦合到第三FET 42的漏极的栅极，以形成二极管连接。类似地，第四FET 44可以具有耦合到第四FET 44的漏极的栅极，以形成二极管连接。第三FET 42的漏极可以耦合到图2的LC电路25的第二节点OUT-。第四FET 44的漏极可以耦合到图2的LC电路25的第一节点OUT+。第三FET 42和第四FET 44的源极可耦合到电流源46。

在一些实施方式中，N个负跨导单元30可分别具有大致相同尺寸的晶体管。在其他实施方式中，一个或多个N负跨导单元30可以具有彼此不同的晶体管尺寸，使得它们可以以不同量调整跨导。在一些实施方式中，M个正跨导单元31可分别具有大致相同尺寸的晶体管。在其他实现中，一个或多个M正跨导单元31可以具有彼此不同的晶体管尺寸，使得它们可以以不同量调整跨导。在一些实施方式中，M可以等于N。然而，M不需要等于N。例如，在某些应用中有可能增加或减少跨导，使得可能需要和正跨导单元31的不同数量的负跨导单元30。N可以是任何合适的数量，诸如1、2、4、5、8、16、32或更多。同样地，M可以是任何合适的数，诸如1、2、4、5、8、16、32或更多。

至少一个偏置电流控制信号可被提供给该品质因数调谐电路28。例如，偏置电流数模转换器(DAC)可以产生控制信号，以控制提供给品质因数调谐电路28的偏置电流的电流电平。改变电流电平可以调整跨导调节的量。偏置电流DAC可以通过偏置电流控制字和选择信号来控制。偏置控制字和/或选择信号可以是数字信号。选择信号可以控制负跨导电路28a或正跨导电路28b是否被激活。例如，电路可以实现选择信号(或选择信号的补码)和偏压控制字的一个或多个位的逻辑AND，以确定品质因数调谐电路28是否增加或减少LC电路10的电导，诸如LC电路25。偏置电流控制字的每位可以基于选择信号是否激活负跨导电路28a或正跨导单元28b而控制负跨导单元30中电流源36或正跨导电路31中的电流源46。在其他实现方式中，单独的偏置电流控制字可被提供给负跨导电路28a和正跨导电路28b。

图3B示出了品质因数调谐电路的另一个示例示意图28。相同的参考数字表示能够实现与参照图3a特征的任意组合的功能相似元件。偏置电压可被施加到负跨导电路28a和/或正跨导电路28b以设置在LNA 20的电压增益。例如，偏置电压V_BIAS可经由电阻器施加到负跨导电路28a和/或正跨导电路28b中晶体管的栅极。该偏压可编程为不同的电压电平，从而可以为LNA提供可编程电压增益范围。该电阻可以是显式电阻，而不是寄生电阻。电容器可以耦合在LC电路和晶体管的栅极之间。比图3A所示的相应电路，电阻器和电容器会导致负跨导电路28a和/或正跨导电路28b具有更线性操作范围。

如图3B所示，偏置电压V_BIAS可被提供给负跨导电路28a。偏置电压V_BIAS可耦合到第一显式电阻器52的第一端。第一显式电阻器52可以被耦合到第二FET 34的栅极。偏置电压V_BIAS可耦合到第二显式电阻器54的 第一端。第二显式电阻器54的第二端可以连接到第一FET 32的栅极。第一电容器56可耦合在第一显示电阻52的第二端和第二节点OUT-之间。第一电容器56的第一端可连接到第二FET 34的栅极与第一显式电阻器52的第二端。第一电容器56的第二端可耦合到第二节点OUT-和第一FET 32的漏极。第二电容器58可耦合在第二显式电阻器54的第二端和第一节点OUT+之间。第二电容器58的第一端可以耦合到第一FET 32的栅极和第二显式电阻器54的第二端。第二电容器58的第二端可以耦合到第一结点OUT+和第二FET 34的漏极。

偏置电压V_BIAS可以提供正跨导电路28b。偏置电压V_BIAS可耦合到第三显式电阻器60的第一端。第三显式电阻器60的第二端可被耦合到第三FET 42的栅极。偏置电压V_BIAS可耦合到第四显式电阻器62的第一端。第四显式电阻器62的第二端可耦合到第四FET 44的栅极。第三电容器64可以耦合在第三显式电阻器60的第二端和第二节点OUT-之间。第三电容器64的第一端可耦合到第三FET 42的栅极和第三显式电阻60的第二端。第三电容器64的第二端可以耦合到第二节点OUT-和所述第三FET 42的漏极。第四电容器66可耦合在第四显式电阻62的第二端和第一节点OUT+之间。第四电容器66的第一端可以耦合到第四FET 44的栅极和第四显式电阻器62的第二端。第四电容器66的第二端可以被耦合到第一结点OUT+以及第四FET 44的漏极。

提供给负跨导电路28a和正跨导电路28b的偏置电压可在一些实施方式中是近似相同的或在其他实施方式中彼此不同。在一些实施方式中，大致相同的偏置电压可以被提供给每个负跨导单元30。在其他实施方式中，不同的偏置电压可被提供给两个或更多个负跨导单元30。在一些实施方式中，大致相同的偏置电压可以被提供给每个正跨导单元31。在其他实施方式中，不同的偏置电压可被提供给两个或更多的正跨导单元31。

在一些实施方式中，LNA品质因数可基于包括LNA的集成电路(IC)的温度指标进行调整，包括LNA。例如，可以使用片上温度传感器和模数转换器(ADC)测定IC温度。表示IC温度的值(诸如，ADC代码)可以存储在查找表(LUT)或其它非易失性存储器中。

正如前面提到的那样，接收器的RSSI测量可以直接正比于接收器的电压增益。例如，接收器的电压增益的任何变化可以转化为RSSI相对于标称RSSI值的变化。标称RSSI值可以表示为不存在变化(诸如，温度变化)的RSSI量。接收器和/或RF混频器的低频电路块的电压增益可以精确地在PVT变化之间进行稳定。在该实施方式中，电压增益变化的显著贡献可以是LNA的电压增益，特别是LNA的LC电路的增益。可替换地或附加地，由于RF前端的功率损耗，可以存在RSSI测量的初始误差。该初始误差可以例如基于接收器的单一RF输入功率校正而校正。

当品质因数调谐电路28被有效地关闭时，可以确定RSSI中的原始变化，其可以是接收器的电压增益的指标。模拟数据表明：RSSI的元素变化受到LNA增益变化的显著影响。具体而言，数据表明：LNA的寄生电阻R_P，LNA随温度的变化可以对RSSI产生显著影响。

为了跨稳定稳定RSSI(并且因此在一些应用中的接收器电压增益)，在其中温度显著贡献于变化的实施方式中，检测器可以检测这种温度变化。收发器IC可包括温度检测元件，经配置以数字化温度变化与标称温度的检测指标。温度检测元件可以包括芯片上ADC，经配置以检测IC温度。IC温度和温度变化的指示之间具有线性关系。温度变化的指示可用于精确地估计IC的温度。

基于来自温度检测元件的测量，品质因数调谐电路28的品质因数控制值可以在所希望工作范围内的每个温度进行确定，例如从-55℃至125℃。品质因数控制值可以包括选择信号和偏置电流控制字。该设置可以保持RSSI值接近标称RSSI值，其在一些实施方式中可以是约-85dBm。在标称RSSI值的单点校正可应用于补偿在RF前端和/或测量装置中的损失。品质因数控制值可以根据被施加到所述温度检测元件的设备温度的绝对值以及品质因数调谐电路设置和RSSI之间的关系进行确定。品质因数调谐电路28的品质因数控制值可以在每个稳定基于来自温度测量指示的转换进行确定。举例来说，当有线性关系时，该设置可以通过乘以温度的测量指标和斜率并增加拦截和/或使用LUT来确定。模拟结果表明，向品质因数调谐电路应用品质因数控制值应导致RSSI精度的改进。在一些模拟中， RSSI的精度改善了大约3.5分贝。

图4是说明品质因数控制值和指示IC温度的ADC代码之间关系的图。在一些实施方式中，品质因数控制值可以通过偏置电流的控制字和选择信号来表示。例如，质量因数控制值的符号位可以对应于选择信号，以及品质因数控制值的剩余位可对应于偏置电流控制字的每位，并存储在查找表(LUT)中。选择信号可以表示品质因数校正的极性，即是否使能负跨导电路28a或正跨导电路28b。当ADC代码被提供到LUT作为地址时，相应的品质因数控制值可以从LUT中读取。该LUT可以被配置，使得对于ADC代码的每个平均(其可以表示IC温度)，品质因数控制值都可以使用。品质因数控制值可被提供给该品质因数调谐电路28，以调节LC电路25的品质因数。模拟数据表明：根据图4的曲线图中所示的关系调谐LNA增益可导致显著减少RSSI误差。例如，在一些模拟中，与不使用品质因数校正相比，RSSI误差减少约3.5-6dB。在一些实施方式中，RSSI误差相对于理想的RSSI值可减少到约1到2分贝。

在一些其他实施方式中，LNA品质因数可以基于RSSI的测量值进行调整。例如，可以应用算法以将RSSI的测量转换为品质因数调谐电路28的品质因数控制值，其可以包括选择信号和偏置电流控制字。对于一些示例算法以及基于RSSI的测量调整品质因数的更多细节将在稍后提供，例如，参考图12-13。

在各种实施方式中，LNA品质因数可以基于独立于LNA的VCO(或其它振荡器)的品质因数的指标进行调整。例如，VCO的品质因数可被检测并然后转换为品质因数调谐电路28的品质因数控制值，其可以包括选择信号和偏置电流控制字。关于基于单独VCO的品质因数指标调整品质因数的更多细节将在稍后提供，例如，参考图9。

参照图5，将描述可以被包括在频率调谐电路26中的示例电容器开关电路70。频率调谐电路26可以包括多个电容器开关电路70，其每一个都可以耦合到LC电路25的电感器22a和22b。电容器开关电路70可以调整LC电路25的谐振频率至所希望频带内的频率。每个电容开关电路70可 以被相互并联耦合。控制信号可以切换在电容器开关电路70中的开关，以从LC电路25的有效电容添加和/或去掉附加电容。有效电容可以表示作为LC电路一部分的可调谐电容元件和LC电路25中电容器24的电容的组合电容。例如，基于电容控制信号打开和/或闭合开关的值，诸如晶体管，电容开关电路70的每个电容器可以选择性地包括或排除在LC电路25的有效电容。使用另外的电容，LC电路的频率可以降低。相反，使用降低的电容，LC电路的频率可以提高。

图5示出单一电容器的开关电路70。开关72(诸如，场效应晶体管)可以通过经由电阻器74、76和78施加电压给开关72的端子打开或关闭。例如，栅极偏置电压V_G可以通过第一电阻器74施加到开关72的栅极。第二和第三电阻器76和78分别可以拉开关72的源极和漏极端子到源-漏极偏置电压V_SD。在一些实施方式中，开关是n型场效应晶体管，诸如NMOS设备。在这些实施方式中，开关72可以通过在开关72的源极和漏极在高于源漏偏置电压V_SD的电压电平施加偏置电压V_G打开。打开开关72可以耦合与LC电路25的电容并联的一个或多个电容器74a和74b。一个或多个电容器74a和74b通过关断开关72从横跨LC电路25切换出。当开关导是n型场效应晶体管时，在开关72的源极和漏极在低于源漏偏置电压V_SD的电压电平施加偏置电压V_G到开关72的栅极可以关闭开关72。

在一些实施方式中，功能相似的电容开关电路70可用于在独立于LNA20的个压控振荡器(VCO)的LC电路中。在VCO的LC电路的开关电路中的一个或多个电容器的电容可以相对于在LNA的LC电路的开关电路70中包括的相应的一个或多个电容器74a和74b。横跨在LNA20的LC电路25的阻抗的零虚数部分的频率可根据不同VCO的调谐。这样，LNA 20的LC电路25的谐振频率可以被调谐。该调整可以弥补变化，诸如制程变异，并稳定增益或LNA 20。

图6是说明在频率调谐后LNA的频带和VCO频段之间的关系。LNA的LC电路和单独VCO可有不同数量的频带。例如，在图6的实施方式中，VCO具有128频段，以及LNA具有16个频段来调整各自的LC电路。为了创建16个频带，LNA可具有频率调谐电路26，其包括四个电容器的开 关电路70。线性拟合算法可以应用以选择对应于每个所选择的VCO频率频带的LNA频带。线性拟合可在预定频带范围内对VCO频带执行，例如在图6的实施例中的带12和带74之间。当VCO工作在预定范围之外的频带上，LNA频带可设定为低于预定范围的VCO频段的最低频带以及高于预定范围的VCO频带的最高频带。

VCO的工作频率可以是LNA工作频率的整数倍，例如，2、4、8或更多。这可避免在芯片上干扰并当计算所选择的LNA频带时考虑。图6所示的关系可以利用查表(或其他非易失性存储器)或线性拟合引擎来实现，其经配置以接收VCO频带作为输入，并产生所选择的LNA频带作为输出的。LNA的谐振频率(其可对应于最大的LNA增益)可具有线性拟合，指示该频率调谐算法是正确的。例如，在一些实施方式中，跨越VCO的整个频率调谐范围，LNA的谐振频率(其可以是LNA具有最大增益的频率)调谐误差可以具有不超过大约+/-0.5％的误差。在一个实施方式中，±0.5％的调谐误差可在其中VCO中心频率在从2350兆赫至2575兆赫的范围内的示例接收器中观察。

图7-13描绘根据一些实施方式，RF接收器、其部件以及与此相关的图表的示意性框图。参考图7-13，将描述LNA频率如何被调谐和/或LNA品质因数如何调节的非限制性示例。应当理解，参考图7-13描述的特征的任意组合可应用于调谐频率和/或调节LC电路的品质因数。在这些图中，相同的标号表示参照任何图7-13的各个块的特征的任意组合的相同或功能相似的元件数字。

现在参考图7，将描述示例RF接收器100的框图，其被配置成调谐LNA的品质因数和/或频率。RF输入信号可通过天线102接收。该RF输入信号可以经由匹配网络电路提供给LNA 20。LNA 20可生成经放大的RF信号。混频器106可从LNA 20获得放大的RF信号。压控振荡器108(其独立于LNA 20)可以驱动混频器106。混频器可以下变频放大的RF信号106为低频基带信号。混频器106可产生彼此相外90度的两个低频基带信号，并提供一个信号到相位路径(I路径)和一个信号到异相路径(Q通道)。I路径和Q路径可以包括功能相似的元件，其经配置以对输出相位 信号执行基本相同的操作。为便于描述，描述一个路径。低频基带信号可通过跨阻抗放大器(TIA)110转换为电压。电压可以由基带滤波器112随后被过滤，诸如低通滤波器。在一些实施方式中，基带滤波器112可包括实数极点阶段和双二阶阶段。可编程增益放大器(PGA)114可以调整基带滤波后信号的信号电平。PGA 114的输出可以通过模数转换器(ADC)116数字化。

天线102接收到的信号可具有不同的振幅。接收器100可以在接收路径中对于具有较低幅度的天线102接收的信号提供较高增益，并在接收路径中对于具有较高幅度的天线102接收的信号提供较低增益。以这种方式，接收器100可以提供具有大致相同振幅的信号，而不管天线102接收的信号的幅度。

RF接收器100的一些部件可以调整接收RF信号的幅度。例如，低噪声放大器20、RF混频器106、基带滤波器112和PGA 114可以具有可编程增益以调节信号的幅度。数字解调器118可解调ADC 116的输出。自动增益控制(AGC)系统120可以测量在ADC 116的输出的信号强度并调节LNA 20、基带滤波器112(其可以是低通滤波器)、PGA 114或它们的任意组合的增益。AGC系统120可以估算所接收的RF信号的RSSI。RSSI测量可被存储在RSSI存储器122中，其可以包括任何合适的存储元件。

可从RF接收器100的增益计算RSSI测量。可以从单个组件的增益确定RF接收器100从输入(例如，在天线102)到输出(例如，在ADC 116的输出)的增益。多个部件的单个增益可以在可接受精度内为RF接收器100的大多数组件计算。然而，确定所期望精度范围内的LNA20的增益已被证明是困难的。

LNA 20的增益可以例如根据上文提供的等式1计算。控制块(诸如，LNA控制130)可以通过基于频率数据和/或品质因数数据调整LNA 20的LC电路25的电导而控制LNA 20的寄生电阻R_P，LNA。频率数据可以包括任何数据用于调谐本文所述的LNA频率，例如参照图8、图9和11至13进行说明。品质因数数据可以包括任何数据，用于调节本文所述的LNA 的质量因数，例如参照图8、图9和11至13进行说明。LNA增益可通过调整品质因数和/或谐振频率进行稳定。经由LNA控制130稳定LNA 20的增益可以提高测量的RSSI的精度。结果，在一些实施方式中，包括接收器100的设备的位置可以得到改善。

图8A示出了另一示例RF接收器150，其中LNA 20的LC电路25的品质因数可基于包括RF接收器150的IC的检测温度进行调谐，和/或LNA的LC电路25的频率可基于单独VCO 108产生的调谐数据进行调谐。在图8A的实施方式中，LNA 20的LC电路25的共振频率可基于VCO频率调谐块152的输出进行调谐，所述VCO频率调谐块152经配置以调整VCO 108的频率。例如，频率调谐块可通过选择性地激活开关电路(诸如，开关电路70)选择VCO 108的频带操作，以调整VCO 108的谐振频率。VCO频率调谐块152的输出可以指示VCO频率波段操作。可替换地或另外地，LNA的LC电路25的品质因数可基于由IC温度监控154或任何其他合适的温度检测元件产生的IC温度的指示进行调谐。

拟合和控制块156可以接收指示VCO工作频带和/或IC温度指示的信号。拟合和控制块156可以经配置以处理数字信号。该拟合和控制块156可以被称为数字拟合和控制块。拟合和控制块156可以对所接收的信号执行线性(和/或多项式)拟合。例如，指示VCO的工作频带的信号可以根据图6示出的关系或任何其他合适的相关性适合于LNA频率调谐值。LNA的频率调谐值可以包括电压，其经配置以打开或关闭在频率调谐电路26的一个或多个电容器开关电路70中的开关72。这可以调整LC电路25的谐振频率至期望的频带，例如如参照图2和图5所述。基于为接收器150选择的操作频率，调整LC电路25的谐振频率可调谐横跨LC电路25的阻抗的零虚分量的频率至所期望的频率。作为另一例子，表示IC温度的信号可以基于图4示出的关系或任何其他合适的相关性适合于LNA品质因数调谐值。LNA品质因数调谐值可包括提供到品质因数调谐电路28的偏置电流控制字和选择信号。选择信号可以表示的品质因数调谐的极性/符号。LNA品质因数调谐可以调整跨越LC电路25的电导，以调整LC电路的寄生电阻的变化，例如参照图2、图3A和3B所描述的。

图8B是示出在图8A的示例接收器的多个功率电平在温度和接收信号强度指示(RSSI)误差之间关系的曲线图。在对于500千赫基带频率音调在-85dBm、-60dBm、-35dBm和-15dBm的RF输入功率电平的品质因数调谐之前(未校准)和之后(校准)，测定RSSI误差。单点校正在85dBm施加以补偿RF前端和测量装置的损失。按照图4所示的关系，基于由IC温度监测器154产生的IC温度和拟合和控制块156中的LUT执行调谐(校准)。在LUT中，使用IC温度数据，使得对于每个平均ADC回读(其可以与温度相关)，对于调谐品质因数调整的所选设置，例如具有功能上类似于图3A的电路的电路，电路被使用。

为了产生图8B所示的数据，温度被横扫在5°角的增量，以及RSSI误差相对于85dBm、-60dBm、-35dBm和-15dBm的RF输入功率电平测定。按照图4所示的关系，品质因数调谐设置在每个温度基于在拟合和控制块156中的LUT进行确定。如图8B所示，并非调谐(未校准RSSI)，在RSSI测量中有大约4.5分贝的总变异。也如图8B所示，在较高的温度观察到较高的RSSI误差。使用功能上类似于图3B的电路，品质因数调谐减少了校准的RSSI误差中的总变化为约1分贝。因此，品质因数调谐对于所测试的接收器导致约为3.5dB的改进。这种改进与使用IC温度调谐品质因数的绝对值观察的改进是一致的。

图8C是示出对于图8A的示例接收器的多个设备在温度和RSSI之间关系的曲线图。在图8C中的曲线图显示对五个不同接收器的500千赫基带频率音调对温度的-85dBm的RF输入功率电平的品质因数调整(校准)之前和之后的测量RSSI。单点校正在-85dBm施加，以补偿RF前端和测量装置的损失。如图8C所示，RSSI的总变化在调整(未校准)之前约有7.5分贝。基于图4所示的关系对所有5个接收器使用品质因数调谐设置，观察到所有5个接收器的总RSSI误差约1.8分贝。在某些实施方式中，在所有5个接收器的几乎6分贝的改进可以是显著的。

图9示出了另一示例RF接收器160，其经配置以使用单独VCO 108，用于调谐LNA 20的LC电路25的共振频率和/或检测LNA 20的LC电路25的电路品质因数的变化。RF接收器160可包括VCO品质因数估算方框 164，而不是或除了图9的接收器150的IC温度监测器154。拟合和控制块156可以根据由品质因数估计块164产生VCO的品质因数估计信息而生成LNA品质因数调整值。

在一些实施方式中，LNA的LC电路25的品质因数和频率可以根据独立于LNA 20的振荡器调谐，诸如VCO 108。图10是可以检测品质因数变化的VCO 108的示例实施方式的框图。VCO 108可以包括LC电路172和负跨导电路174。负跨导电路174可包括NMOS晶体管保持放大器，例如，如示于图10。LC电路172的损失可以由寄生电阻R_P，VCO建模。由保持放大器提供的负电导可补偿能量损失和/或LC电路172的消耗并在谐振频率维持VCO振荡。在一些实施方式中，VCO 108的LC电路172可以是LNA 20的LC电路25的缩放复制品。

LC电路172可以由频率调谐电路进行调谐，它可以包括参照频率调谐电路26所述特征的任意组合。在VCO 108被调谐到期望频率之后，线性拟合算法可以应用以设定所需的LNA频带，例如通过拟合和控制块156。

VCO 108可以包括幅度电平控制(ALC)回路，其经配置以在温度变化、工艺变化、电源电压变化等等或它们的任意组合下稳定VCO 108的幅度。ALC回路可包括整流器176，其耦合到LC电路172的相对两边的输入端。ALC回路还可以包括比较器178，其经配置以比较整流器176的输出和可编程参考电压V_REF。数字状态机179可基于比较器178的输出产生偏置DAC码。数字状态机179可实施例如逐次逼近(SAR)算法，以生成所述偏置DAC码。偏置DAC码可以通过有选择地控制电流源而控制VCO 108的振幅，其经配置以偏置负电导电路174的保持放大器。例如，偏置DAC代码可被提供给VCO偏置DAC。

在操作的频率调谐阶段之后，VCO 108的LC电路172的品质因数可以操作，其中数字状态机179在VCO 108的一些或所有可能偏置DAC码进行迭代。数字状态机可以监视比较器178的输出。在特定的VCO偏置DAC码时，比较器178的输出从逻辑“0”转换到逻辑“1”。该特定的偏置DAC码可以是LC电路172的品质因数的指示。在该特定的偏置DAC 码中，VCO 108的输出的振幅大致等于由提供给比较器178的可编程参考电压V_REF设置的目标振幅。目标振幅可以被设置为刚超出电压电平，该电压电平应该导致VCO 108的振荡的发生。结果，整个负电导电路174上的电压摆动可以相对较小。这可以保持负电导电路174在操作的线性范围，其经配置以维持VCO 108的振荡。对于LC电路172的标称品质因数，即对应于LC电路172中标称损耗的品质因素，具有用于维持VCO 108的振荡的给定偏置电流。如果温度升高，LC电路172中的损失可增加，这可导致VCO的寄生电阻R_P，VCO降低。结果，更多的偏置电流可用于维持VCO 108的振荡。相反，如果温度降低，由于VCO 108的寄生电阻R_P，VCO的值可以随温度的降低增加，更少的偏置电流可用于维持VCO 108的振荡。

其中检测振荡发生的VCO偏置DAC码也可以指示LNA 20的LC电路25的品质因数。因此，在检测振荡开始时，图9的拟合和控制块156可通过施加拟合算法到VCO偏置DAC码而确定LNA的品质因数调整值。拟合算法可以确定VCO偏置DAC码何时超过对应于LC电路172中标称损失的标称值。超过标称值的VCO偏置DAC码可以指示LNA 20的LC电路25的更多损失。然后品质因数调谐电路28可基于LNA品质因数调谐值通过增加LNA 20的LC电路25的负电导而调节LNA 20的LC电路25的品质因数接近标称值。另一方面，当VCO偏置DAC码小于标称值时，其可以指示LNA 20的LC电路25中的更少损失，横跨LNA 20的LC电路25的正电导由品质因数调谐电路28增加，以基于LNA的品质因数调谐值调谐品质因数接近标称值。

上述品质因数估计方法可由于先前的频率调谐检测LC电路172的损失。在LC电路172中，用于在LC电路172耦合频带电容器的开关可以具有关联的打开电阻，其可以贡献于LC电路172中的损失。导通电阻在例如某些宽带宽VCO设计具有较大影响。

如以上所讨论的，比较器的输出从逻辑“0”(例如，在0V)转换为逻辑“1”(例如，在1.8V)的VCO偏置DAC码可对应于VCO 108的振荡的发生以及因此LC电路172的品质因数的指示。在高于标称温度，VCO偏置DAC码可以增加，以相对于标称值补偿LC电路172的损失。 反之，当低于标称温度时，偏置DAC码可以降低。

当多个电容器在LC电路172中切换时，可以在LC电路172引入更多的损失。同样地，当较少的电容器横跨LC电路172切换时，可以在LC电路172引入较少损失。因此，振荡发生时的VCO偏置DAC码可对于较高的频带较高，其中多个电容器在横跨LC电路172中切换。这可能是由于增加了在电容器切换的开关的电阻。相反可发生于较低的频率，其中经配置以在LC电路172的电容中切换的开关电阻的降低可导致较低的VCO偏置DAC码。因此，品质因数估计电路(诸如，图9的VCO品质因数估算框164)可以精确地估计频率有关的品质因数损耗存在下的品质因数。

图8A的RF接收器150和图9的RF接收器160中的频率和品质因数调谐是基于开环系统，经配置以检测在性能方面的变化(例如，频率和/或品质因数调谐误差)。在这些实施方式中，还可以有拟合算法以对于要调整的性能参数的LC电路(例如，LNA 20的LC电路25)计算选择调谐值。某些其他实施方式可包括反馈机制，以相对于施加调谐值之前非调谐的LC电路性能而评估调整值被施加到LC电路之后的调谐影响。图11-13为包括封闭反馈回路的三个示例接收器，它可以使得对于应用调谐值之后调谐的性能参数进行测量。

图11是示例RF接收器180的框图，经配置以在LNA 20的输入接收外部的片外RF源，用于频率调谐和/或品质因数调谐。在操作的调谐阶段，片外RF源182可以在指定的RF功率电平操作，以及RSSI可以由RF接收器180来测定。由于从外部RF源所施加的RF功率可以是已知的，可以建立目标RSSI值用于调谐算法。根据由AGC系统120产生和/或存储在RSSI存储器122中的RSSI测量，2D逐次逼近(SAR)和/或线性搜索算法可用来确定LNA频率调谐值和/或LNA品质因数调整值。虽然传统的SAR搜索算法对单一参数进行操作，二维SAR搜索算法已在由Quinlan等于2007年7月25日提交的美国专利申请号11/881019，公开为于美国专利公开号2008/0132191，标题为“image rejection calibration system”中的图像抑制校准方案的上下文中公开，转让给本申请的同一受让人，在此通过引用将其整体并入本文。二维SAR算法可以确定所选调谐值，其减小测 量RSSI的误差低于预定阈值和/或最小化所测量RSSI的误差。

使用片外RF源182，在生产包括IC的硬件平台期间，可以对包括RF接收器180的IC执行频率调谐和/或品质因数调谐。频率调谐值和/或品质因数调整值可以存储在IC的LUT或其它合适的非易失性存储器中。作为一个示例，该LUT可以是非易失性存储器，诸如闪速存储器中。该LUT可以包括频率调谐字LUT 187和品质因数调谐字LUT 188，如示于图11。

可以对生产中的每个IC执行频率调谐和/或品质因数调整。因此，使用片外射频源182调整可以考虑工艺变化。但是，制造过程中的IC温度可不同于目标应用中的IC的工作温度。对于IC的操作温度范围的多个温度，在目标应用中温度变化的效果可以通过扫描IC温度并对于每个IC存储频率调谐值和/或品质因数调整值而在操作的调谐阶段加以说明。例如，如果IC经配置以在目标应用中在温度范围(例如，在-40℃和85℃之间)内进行操作，该调整值可在温度范围内以设定增量(诸如，5℃或10℃增量)存储。当IC用于该领域中，IC温度监控154可以检测到IC的工作温度。调谐和控制电路186可以基于IC的检测操作温度选择所希望的频率调谐值和/或所需品质因数调整值。调谐控制电路186可以实现任何合适的算法，诸如2D SAR和/或线性搜索算法，以确定品质因数调整值和/或频率调谐值。

可替换地或另外地，当频率调谐和/或品质因数调谐执行时，生产过程中IC操作的电源电压不同于该领域中应用的电源电压。因此，频率调谐值和/或品质因数调整值也可以被存储在不同的电源电压电平。可以基于电源电压的电压值的指示选择这些调整值，例如，由电池监控器185所产生的。电池监控185可以提供电源电压的电压电平的指示到调谐和控制电路186。调谐和控制电路186可以然后从LUT读出对应于由电池监测器185产生的电源电压的电压电平指示的所选择频率调谐值和/或品质因数调谐值。

调谐LC电路25的频率和/或品质因数的另一种方法可包括使用内部片上射频源。图12描述了示例RF接收器190，其包括耦合到LNA 20的 输入的片上RF源192，用于频率和/或品质因数调谐。开关194可以选择性地耦合天线102或片上RF源192到LNA 20。例如，当IC是在操作的调谐阶段时，开关194可电耦合片上射频源192到LNA 20的输入，以及在其中接收器接收RF信号的操作阶段，开关194可以将天线102电耦合到LNA 20的输入。RF接收器190可在存在处理、电源电压和温度变化下确定频率调谐值和/或品质因数调谐值，因为调谐算法可对每个IC执行，并在目标应用中运行。因此，当片上RF源192被包含在RF接收器中时，不需要用于频率调整值和/或品质因数调整值的LUT或其它非易失性存储器。

在操作的调谐阶段，片上RF源192可以在指定的RF功率电平操作。可测量RSSI，并片上RF源192工作在指定的RF功率电平。由于片上RF源192的施加RF功率电平是已知的，目标RSSI值可以为调谐算法进行设定。调谐和控制电路196可以从RSSI存储器122接收测量的RSSI值。基于测得的RSSI与目标RSSI值，调谐和控制电路196可以实现任何合适的算法，诸如2D SAR和/或线性搜索算法，以确定LNA频率调谐值和/或LNA品质因数调谐值。这可以补偿工艺变化、电源电压变化、温度变化等或者每个单独IC的任何组合。

片上RF源192可以例如使用第二锁相环(PLL)操作在期望频率或片上晶体振荡器的高次谐波实施，例如，如在通过引用结合的美国专利公开号2008/0132191中。第二PLL可独立于PLL 109。

并非使用内部RF源或外部RF源，LC电路可以通过控制LC电路以振荡进行调整，使得产生具有可测量频率和振幅的信号。例如，如果LNA 20被控制，使得其使用本文描述的品质因数调谐电路中的一个振荡，LNA 20可在由LC电路参数控制的频率或幅度振动。ADC 116的输出可以被监控，以检测LNA 20的LC电路25的频率和/或幅度。

图13是示例RF接收器200的框图，其使用压入振荡的LNA 20。在示例接收器200中，LNA 20的输入可在操作的频率和/或品质因数调整阶段进行控制，以获得用于确定其它模式的品质因数调整值和/或频率调谐值 的数据。在图13中所示的实施方式中，其中到LNA20的输入可以通过短接LNA输入到地面静音的RF接收器200在操作的频率和/或品质因数调谐阶段期间。频率和/或操作的品质因数调整阶段期间，开关194可耦合LNA 20的输入到接地参考。在其他操作模式中，开关194可以耦合LNA的输入到天线102，诸如通过天线102接收RF信号。在ADC 116的输出端的数字解调器118可包括鉴频器，其经配置以测量由LNA 20的LC电路25设置的振荡频率的指示。振荡频率的指示可由数字解调器118和/或RSSI存储器122提供给调谐和控制电路202。ADC 116的输出的振幅可以通过AGC系统120控制。频率和/或幅度的指示可被提供给实现任何合适算法的调谐和控制电路202，诸如2D SAR和/或线性搜索算法，以确定品质因数调整值和/或频率调谐值。这些值可调谐LNA 20的LC电路25，例如，以如本文所述稳定LC电路25的寄生电阻和/或稳定LNA的增益。

结论

在上述实施例中，一些方法、系统和/或装置结合特定实施例进行描述，诸如包括LC电路的LNA。但是，本领域技术人员应当理解，实施例的原理和优点可用于任何其他系统、设备或需要配置具有稳定增益的LC电路的方法。需要具有稳定增益的LC电路的一些示例系统包括有线和无线通信收发器、用于光纤电缆的时钟和数据恢复电路、串行解串器接口等等。

这些方法、系统和/或装置可以被实现为各种电子设备。电子设备的示例可以包括(但不限于)消费电子产品、消费者电子产品、电子测试设备等。电子设备的示例还可以包括存储器芯片、存储器模块、光网络的电路或其它通信网络以及磁盘驱动器电路。消费电子产品可以包括(但不限于)无线设备、移动电话(例如，智能手机)、蜂窝基站、电话、电视、计算机显示器、计算机、手持式计算机、平板电脑、镭拓电脑、个人数字助理(PDA)、微波炉、冰箱、音响系统、盒式录音机或播放器、DVD播放器、CD播放器，数字视频录像机(DVR)，A录像机，MP3播放器，收音机，摄像机、照相机、数码相机、便携式存储芯片、洗衣机、烘干机、洗衣机 /干衣机、复印机、传真机、扫描仪、多功能外围设备、手表、时钟等。此外，电子装置可包括未完成的产品。

除非文中明确要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，词语“包括”、“包含”、“具有”、“含有”等将被解释为包含的意义，而不是排他或穷举的含义；也就是说，具有“包括，但不限于”的意思。词语“耦合”或“连接”，如通常常本文使用的，指的是可以直接连接或通过一个或多个中间元件的方式连接两个或多个元件。另外，词语“本文”、“以上”、“以下”和类似含义的词语在本申请中使用时应指本申请的整体而不是此申请的任何特定部分。

此外，本文所用的条件性语言，诸如“可以”、“能够”、“可能”、“可”，“例如”、“诸如”、“如”等，除非特别声明，或否则在上下文中理解为使用，通常是为了传达某些实施例包括，而其它实施例不包括某些特征、元件和/或状态。因此，这样的条件语言一般不旨在暗示特征、元件和/或状态对于一个或多个实施例是所需的或一个或多个实施例必然包括逻辑以决定(有或没有作者输入或提示)这些特征、元件和/或状态是否被包括或将在任何特定实施例中执行。

某些实施例的以上详细描述并不是为了穷举或者限制本发明于上面公开的精确形式。虽然本发明的示例的具体实施例如上所述用于说明的目的，各种等同修改在本发明的范围之内是可能的，如那些相关领域技术人员所认识地。

本文提供的本发明的教导可以被应用到未必上述系统的其它系统中。上面描述的各种实施例的元件和动作可以被组合以提供进一步的实施例。

虽然本发明的某些实施例已被描述，这些实施例仅已通过举例方式提出，并且不旨在限制本公开的范围。事实上，新颖方法、装置和在此描述的系统可以体现在其他各种形式。此外，可以对本文所描述的方法和系统的形式做出各种省略、替代和改变，而不脱离本公开的精神。所附的权利要求书及其等效物旨在覆盖落入本公开的范围和精神之内的这种形式或修改。因此，本发明的范围通过参考所附权利要求书限定。

Claims (52)

1.一种用于调谐LC电路的品质因数的装置，包括：

LC电路，具有第一端和第二端，所述LC电路具有谐振频率；

正跨导电路，被配置以增加在所述LC电路的第一端与所述LC电路的第二端之间的电导；和

负跨导电路，经配置以减少在所述LC电路的第一端与所述LC电路的第二端之间的电导，

其中所述正跨导电路和所述负跨导电路经配置以调节所述LC电路的第一端和所述LC电路的第二端之间的电导以补偿所述LC电路的电阻损耗。

2.如权利要求1所述的装置，其中，所述LC电路的电感器具有电阻损耗。

3.如权利要求1所述的装置，其中，所述装置包括低噪声放大器(LNA)，其包括LC电路。

4.如权利要求3所述的装置，其中，所述正跨导电路和所述负跨导电路被配置成通过调节LC电路的品质因数而稳定LNA的增益。

5.如权利要求4所述的装置，其中，所述正跨导电路或所述负跨导电路中的至少一个被配置成至少部分基于所述正跨导电路或所述负跨导电路的至少一个的晶体管的栅极上的可变偏置信号而设置所述LNA的电压增益范围。

6.如权利要求3所述的装置，其中，所述正跨导电路被配置以根据由装置的接收器的开环检测出的性能方面的差异而增加在LC电路的第一端和LC电路的第二端之间的电导。

7.如权利要求3所述的装置，其中，所述正跨导电路被配置以根据由装置的接收器的封闭反馈环路检测的性能方面的差异而增加在LC电路的第一端与LC电路的第二端之间的电导，其中所述封闭反馈环路包括LNA。

8.如权利要求7所述的装置，进一步包括：芯片上射频(RF)源，其具有电耦合到所述LNA的输入的输出。

9.如权利要求7所述的装置，进一步包括开关，其经配置以选择性地将LNA的输入电耦合到芯片外射频RF源。

10.如权利要求3所述的装置，其中，LNA的输入在操作的品质因数调谐相位期间是可控的，以获得算法的目标值，用于确定调节所述LC电路的第一端与所述LC电路的第二端之间的电导的量。

11.如权利要求1所述的装置，进一步包括温度检测元件，其经配置以获得与LC电路相关联的温度的指示，其中所述正跨导电路和所述负跨导电路经配置以至少部分基于IC温度的指示而调整LC电路的第一端和LC电路的第二端之间的电导。

12.如权利要求1所述的装置，进一步包括独立于LC电路的振荡器，其中所述正跨导电路和所述负跨导电路经配置以至少部分基于由与IC电路独立的振荡器产生的品质因数的指示而调节LC电路的第一端和LC电路的第二端之间的电导。

13.如权利要求1所述的装置，其中，LC电路实现在接收器中，其中，所述接收器包括经配置以测量接收信号强度指示(RSSI)的接收器组件，以及其中所述正跨导电路和所述负跨导电路经配置以至少部分基于RSSI而调节在LC电路的第一端和LC电路的第二端之间的电导。

14.如权利要求1所述的装置，其中，所述正跨导电路和所述负跨导电路被配置以稳定横跨LC电路的第一端与LC电路的第二端的寄生电阻。

15.如权利要求1所述的装置，其中所述负跨导电路包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，第一场效应晶体管具有耦合到LC电路的第一端的栅极和耦合到LC电路的第二端的漏极，以及第二场效应晶体管具有耦合到LC电路的第二端的栅极和耦合到LC电路的第一端的漏极。

16.如权利要求15所述的装置，其中所述正跨导电路包括第三场效应晶体管和第四场效应晶体管，其中，所述第三场效应晶体管是二极管连接，并具有耦合到所述LC电路的第二端的漏极，以及其中第四场效应晶体管是二极管连接，并具有耦合到所述LC电路的第一端的漏极。

17.一种包括低噪声放大器(LNA)的装置，所述LNA包括：

LC电路，具有第一节点和第二节点；和

品质因数调谐电路，电耦合到LC电路的第一节点和LC电路的第二节点，所述品质因数调谐电路经配置以通过调节LC电路的第一节点和LC电路的第二节点之间的电导而稳定LNA的增益以补偿所述LC电路的电阻损耗。

18.一种调谐LC电路的品质因数的方法，所述方法包括：

检测LC电路的品质因数变化的指示；

至少部分基于变化的指示而调节横跨LC电路的寄生电阻，包括调节所述LC电路两端之间的电导以补偿所述LC电路的电阻损耗；以及

当LC电路的操作条件变化时，稳定LC电路的寄生电阻。

19.如权利要求18所述的方法，其中调整LC电路两端之间的电阻包括：

通过正跨导电路增加LC电路的第一端与LC电路的第二端之间的电导，以及

通过负跨导电路降低LC电路的第一端和LC电路的第二端之间的电导。

20.如权利要求18所述的方法，其中，稳定横跨LC电路的寄生电阻包括稳定LC电路的品质因数。

21.如权利要求18所述的方法，其中，LC电路被实施在低噪声放大器(LNA)中。

22.如权利要求18所述的方法，其中，变化由温度变化或工艺变化中的至少一种引起。

23.如权利要求18所述的方法，其中，操作条件包括集成电路的温度，该集成电路包括LC电路。

24.如权利要求18所述的方法，进一步包括使用温度检测元件产生变化的指标。

25.如权利要求18所述的方法，进一步包括使用独立于LC电路的振荡器产生变化的指标。

26.如权利要求25所述的方法，还包括检测独立于LC电路的振荡器的振荡的始发，其中调整至少部分地基于所述检测。

27.如权利要求18所述的方法，其中LC电路被实施在接收器中，其中该方法还包括测量由所述接收器接收到的射频RF信号的接收信号强度指示(RSSI)，以及其中变化的指示器是测得的RSSI。

28.如权利要求18所述的方法，其中，LC电路被实施在接收器的LNA中，以及该方法还包括迫使LNA进入振荡，其中稳定LC电路的寄生电阻是基于RSSI。

29.如权利要求18所述的方法，进一步包括：

在包括LC电路的LNA的输入端从片外RF源接收信号；以及

基于片外RF源的信号的指定功率电平确定RSSI，

其中所述稳定LC电路的寄生电阻是基于RSSI。

30.一种包括接收器的装置，所述接收器包括：

接收器组件，经配置以生成由接收器所接收的射频(RF)信号的接收信号强度指示(RSSI)；

控制块，经配置以至少部分基于RSSI产生LC电路的频率调谐数据；

LC电路，具有谐振频率；以及

开关网络，经配置以至少部分基于LC电路频率调谐数据而调整LC电路的谐振频率并且经配置以控制所述LC电路以补偿所述LC电路的谐振频率中的变化。

31.如权利要求30所述的装置，其中LC电路被实施在低噪声放大器(LNA)中。

32.如权利要求30所述的装置，其中，所述接收器组件经配置以确定RSSI。

33.如权利要求30所述的装置，其中，接收器包括封闭反馈环路，其中RSSI被提供给控制块。

34.如权利要求33所述的装置，其中，所述控制块被配置以至少部分基于二维逐次逼近(SAR)算法而产生LC电路的频率调谐数据。

35.如权利要求33所述的装置，其中，所述控制块被配置以至少部分基于线性搜索算法而产生LC电路的频率调谐数据。

36.如权利要求30所述的装置，进一步包括：

正跨导电路，其经配置以增加的LC电路的第一端与LC电路的第二端之间的电导；以及

负跨导电路，其经配置以减少在LC电路的第一端与LC电路的第二端之间的电导。

37.如权利要求30所述的装置，其中所述接收器被实施在收发器中。

38.一种包括接收器的装置，所述接收器包括：

振荡器，经配置以生成频率调谐数据；

控制电路，经配置以至少部分基于由所述振荡器产生的频率调谐数据而产生LC电路的频率调谐数据；以及

低噪声放大器(LNA)包括：

与LC电路分开的振荡器，LC电路具有谐振频率；以及

切换网络，其经配置以至少部分基于由与LC电路分开的振荡器产生的频率数据而产生LC电路的谐振频率并且经配置以控制所述LC电路以补偿所述LC电路的谐振频率中的变化。

39.如权利要求38所述的装置，其中，所述振荡器包括LC电路的缩放复制品。

40.如权利要求38所述的装置，其中，所述控制电路被配置以从振荡器到LNA的频率调谐数据映射频率调谐数据。

41.如权利要求40所述的装置，其中，所述控制电路包括存储数据的查找表，用于从振荡器到LNA的频率调谐数据映射频率调谐数据。

42.如权利要求38所述的装置，其中，由振荡器产生的频率调谐数据表示所述振荡器的振荡频率。

43.如权利要求38所述的装置，其中，所述振荡器是电压控制振荡器(VCO)。

44.如权利要求38所述的装置，进一步包括品质因数调谐电路，经配置以通过调整横跨LC电路的电导而稳定横跨LC电路的寄生电阻。

45.一种调谐接收器的LC电路的谐振频率的方法包括：

获取由接收器接收的射频(RF)信号的接收信号强度指示(RSSI)；

至少部分基于RSSI而产生LC电路的频率调谐数据；以及

至少部分基于LC电路频率调谐数据而调谐LC电路的调谐频率，

其中调谐包括补偿所述LC电路的谐振频率的变化。

46.如权利要求45所述的方法，其中LC电路被实施在低噪声放大器(LNA)中。

47.如权利要求46所述的方法，进一步包括迫使LNA进入振荡，其中，产生LC频率调谐数据至少部分基于在LNA被强制进入振荡时由接收器的数字解调器产生的数据。

48.如权利要求45所述的方法，进一步包括：

在包括LC电路的LNA的输入端接收来自片外RF源的信号；以及

基于来自片外RF源的信号的特定功率电平确定RSSI。

49.如权利要求45所述的方法，其中，产生LC电路的频率调谐数据包括对RSSI应用二维逐次逼近(SAR)算法。

50.如权利要求45所述的方法，其中，产生LC电路的频率调谐数据包括对RSSI应用线性搜索算法。

51.如权利要求45所述的方法，进一步包括确定RSSI。

52.如权利要求45所述的方法，其中，调谐补偿在LC电路的电感器和基板之间的氧化层电容变化或包括LC电路的低噪声放大器的有源设备的电容变化中的至少一个。